Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Влияние степени неоднородностиктуры на ее электрофизические и фотоэлектрические характеристики.

Аналитический обзор.

Неоднородность поликристаллических фоторезисторов.

Модели, описывающие неоднородные структуры в приближении фиксированной или подвижной неоднородности.

Определение неоднородности полупроводниковой структуры по частотным характеристикам ее импеданса.

Структура и характеристики поликристаллических гетерофазных слоев СёЗ-РЬБ в сравнении с СёБ-СсШе.

Твердые растворы на основе Сс18-Сс18е и СёБ-РЬБ.

Процессы, приводящие к деградации полупроводников типа СёБ под воздействием внешних факторов.

Увеличение деградационной стойкости поликристаллических слоев типа Сс18.

Увеличение фоточувствительности поликристаллических слоев типа Сс18.

Фотоемкостные эффекты на структурах, содержащих фотопроводящие неоднородные слои.

Выводы по главе 1.

Особенности электрофизических и фотоэлектрических характеристик поликристаллических фоторезисторов типа Сс18, проявляющиеся при добавлении РЬ8.

Технология получения поликристаллических пленок Сс18х8е1х и пленок ограниченных твердых растворов Сс18х8е1х-РЬ8. Рентгеноструктурный анализ поликристаллических пленок

С(18х8е1.х-РЬ8.

Особенности статических характеристик поликристаллических пленок Сё8х8е1.х-РЬ8.

Методика измерения ВАХ, ЛАХ, спектральных характеристик и коэффициента световой нестабильности. . . . Методика облучения поликристаллических пленок Сс18х8е1х и Сс18х8е1х-РЬ8 электронами средних энергий.

Исследование ВАХ, ЛАХ и спектральных характеристик поликристаллических пленок Сё8х8е1.х и Сс18х8е1х-РЬ8 до и после электронного облучения.

Исследование ВАХ, ЛАХ и спектральных характеристик поликристаллических пленок Сё8х8е].х-РЬ8 до и после приложения постоянного электрического поля высокой напряженности.

Исследование динамических характеристик поликристаллических пленок Сс18х8е1.х и Сс18х8е1х-РЬ8 на деградационную стойкость. .

Методика измерения зависимости фотоответа от частоты модулированного освещения и определения времен фотоответа. .

Зависимость фотоответа от частоты модулированного освещения до и после облучения электронами допороговых энергий.

Обсуждение результатов.

Выводы по главе 2.

Поверхностный фотоемкостный эффект (ФЕЭ) на структурах с фотопроводящими пленками.94

Изменение степени неоднородности при 8- и (1- ФЕЭ. 94

Физическое и математическое моделирование 8- ФЕЭ. 99

Зависимость люкс - фарадных , спектральных и частотных характеристик ПЧФК от соответствующих характеристик фоточувствительного слоя.103

Характеристики ПЧФК с пленками СёБхЗеьх - РЬБ в качестве фоточувствительного слоя. Сравнение расчетных и экспериментальных зависимостей.113

Расширение функциональных возможностей ПЧФК на основе пленок С(18х8е1х-РЬ8 за счет второго гребенчатого электрода. . . .

Основные результаты и выводы по главе 3.

Исследование степени неоднородности полупроводниковых структур с использованием частотных зависимостей импеданса. .

119

124

126

Методика расчета степени неоднородности полупроводниковых структур по частотным зависимостям мнимой и действительной частей импеданса в приближении фиксированной неоднородности.128

Определение диапазона концентраций, имеющих место в исследуемом образце. 134

Учет перераспределения концентрации в образце под действием электрического поля.137

Методы решения систем уравнений, имеющих неустойчивое решение. 143

Методика измерения частотных зависимостей мнимой и 5 действительной частей импеданса.146

4.6. Исследование степени неоднородности различных фотопроводящих структур по описанной методике.148

4.7. Выводы по главе 4.157

Заключение.158

Список литературы.162 6

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность. Возникающие в последнее время задачи, связанные с развитием полупроводниковой электроники, не могут быть решены только при помощи классических элементарных полупроводников. И с этой целью проводятся интенсивные исследования других, более сложных по химическому составу полупроводниковых материалов - бинарных и тройных полупроводниковых соединений [1,2]. Они обладают новым по сравнению с элементарными полупроводниками сочетанием характеристик, что позволяет не только улучшить параметры существующих приборов, но и создавать новые приборы с расширенными функциональными возможностями.

Соединения А2В6 (типа СсШ) являются перспективными материалами для создания целого класса полупроводниковых приборов для оптоэлектроники. Так, например, средства визуализации изображения (экраны кинескопов, вакуумные люминесцентные индикаторы) не обходятся без использования указанных соединений. Благодаря использованию поликристаллических слоев указанных соединений, для которых существует сравнительно простая технология изготовления твердых растворов с неограниченным и ограниченным диапазонами взаимной растворимости, возможно получать фотоприемники, которые по спектральным характеристикам подходят к широкой гамме излучателей, работающих в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах спектра.

Но использование в микро- и оптоэлектронике широкозонных полупроводников группы А2В6 наталкивается на две основные проблемы: малое быстродействие [3,4] и деградация под влиянием внешних воздействий [5,6], что существенно сужает круг их применения.

В связи с вышесказанным, исследование поликристаллических слоев на основе ограниченных твердых растворов А2В6-А4В6 представляется актуальным, поскольку позволяет существенно уменьшить проявления таких недостатков полу7 проводниковых соединений типа А2В6, как быстрая светоутомляемость и деградация [7], не влияя существенным образом на положение собственного максимума спектральной чувствительности исходного вещества.

Исследование различных структур на основе этих пленок дает возможность изучения свойств пленок в проявлениях различных эффектов. Одним из таких эффектов является малоизученная разновидность фотоемкостного эффекта (ФЕЭ) -Б-ФЕЭ, то есть изменение емкости структуры при освещении за счет изменения эффективной площади электродов.

Изучаемые полупроводники являются неоднородными структурами уже в силу своей поликристалличности. Вкрапления РЬБ можно рассматривать как, специфическую неоднородность, приводящую к появлению новых свойств поликристаллических пленок типа СёБ. Неоднородное освещение и другие внешние воздействия могут приводить к изменению степени неоднородности полупроводника и проявлению на этом фоне новых свойств и эффектов (в том числе нелинейных). В связи с этим, изучение степени неоднородности полупроводников, ее изменение при внешних воздействиях, а также объяснение новых свойств поликристаллических пленок типа СёБ-РЬЗ с учетом роли компоненты близкой по составу к РЬБ как специфической неоднородности (узкозонной фазы в широкозонной матрице) представляется интересным и актуальным.

Цель работы: Исследование влияния добавок РЬБ на фотопроводимость и фотоемкостный эффект в пленочных поликристаллических образцах Сс18х8е]х под воздействием внешних факторов (освещение, электронное облучение и электрическое поле) и установление корреляции со степенью их неоднородности.

Для достижения цели решались следующие задачи:

- исследовались люкс-амперные (ЛАХ), вольт-амперные (ВАХ), спектральные и температурные зависимости сопротивления и емкости поликристаллических пленочных структур Сс18х8е1-х и Сё8х8е]х-РЬ8 до и после электронного облучения и воздействия электрического поля высокой напряженности; 8

- исследовались частотные (модулированный белый свет и переменное напряжение) характеристики пленок Сс^хЭв^х и Сё8х8е1.х-РЬ8;

- уточнялась эквивалентная схема поверхностно-чувствительного фотоконденсатора (ПЧФК), с помощью которой изучался Б-ФЕЭ и проводился расчет, учитывающий влияние параметров фотопроводящей пленки на характеристики ПЧФК.

- исследовалась степень неоднородности полупроводника при различных механизмах возникновения ФЕЭ (8- и ё-ФЕЭ)

- определялось влияние неоднородности исследуемых структур на их характеристики и по частотной характеристике мнимой или действительной частей импеданса определялась доля участков с различной концентрацией носителей заряда;

Научная новизна:

• установлено, что добавка РЬБ приводит к "отрицательной" фотоутомляемости пленочных фоторезисторов типа СёБ, то есть коэффициент световой нестабильности становится меньше единицы;

• обнаружено изменение наклона люкс-омных характеристик пленочного резистора Сс18х8е1-х-РЬ8 при приложении постоянного напряжения в плоскости пленки, причем, впервые установлено, что сопротивление зависит от величины постоянного напряжения не одинаково при разных освещенностях и эта зависимость имеет минимум;

• впервые на пленках указанного состава обнаружен «эффект малых доз» при облучении электронами допороговых энергий, то есть после электронного воздействия увеличивался фототок во всем исследуемом диапазоне освещенностей;

• установлено, что добавка РЬБ существенно увеличивают деградационную стойкость пленочных фоторезисторов типа Сс18 к приложению постоянного электрического поля высокой напряженности; 9

• обнаружено, что динамические характеристики образцов Сс^Зе^-РЬБ, снятые при облучении модулированным светом не обнаруживают стойкости к электронному облучению, а, напротив, изменяются после электронного облучения более сильно, чем у образцов без добавления РЬ8, что позволяет нам сделать предположение о разной реакции времен жизни и фотоответа на электронное облучение.

• предложено объяснение особенностей характеристик пленок Сё8-РЬ8, основанное на предположении о возможности отвлечения носителей заряда и дефектов в узкозонную фазу;

• уточнена эквивалентная схема ПЧФК, отражающая принцип действия, основанный на Б-ФЕЭ, и позволяющая по характеристикам фоточувствительного слоя определить зависимости емкости ПЧФК (а, следовательно, и Б-ФЕЭ) от различных внешних воздействий (спектральный состав и интенсивность освещения, температура, электрическое напряжение);

• проведен расчет степени неоднородности по концентрации полупроводниковой пленки типа СёБ с помощью частотных зависимостей действительной или мнимой частей импеданса;

• показано, что Б- и (¡[-(изменение емкости за счет изменения эффективной толщины диэлектрика) фотоемкостным эффектам соответствует различное изменение степени неоднородности структуры с ростом освещенности (при Б-ФЕЭ степень неоднородности увеличивается, а при ё-ФЕЭ уменьшается);

Достоверность полученных результатов: обусловлена применением в экспериментах стандартной измерительной аппаратуры, корректностью применения общепризнанных методик, согласованностью полученных результатов с результатами других исследователей, соответствием результатов расчета экспериментальным исследованиям

Практическая значимость.

10

1. Исследованные в работе пленки Сс18х8е1х-РЬ8 обладают повышенной радиационной стойкостью и "отрицательной" фотоутомляемостью, то есть на основе этих пленок возможны разработки приборов с более стабильными фотоэлектрическими параметрами, работающих в условиях повышенного радиационного фона.

2. Показана возможность использования ПЧФК в качестве фотоконденсатора с управляемыми постоянным напряжением крутизной люкс-фарадной характеристики и рабочим диапазоном освещенностей (диапазон, в котором емкость меняется от минимального до максимального значения). При этом не уменьшается коэффициент перекрытия по емкости. Кроме того, ПЧФК выгодно отличается от фотоконденсатора на р-п-переходе тем, что имеет более устойчивые характеристики и большее напряжение пробоя.

3. Разработан и опробован метод определения по частотным зависимостям действительной и мнимой частей импеданса полупроводниковой пленки степени ее неоднородности по концентрации.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Добавление к широкозонному полупроводнику (типа СёБ) узкозонного (типа РЬ8), образующего с основным веществом (Сс18) ограниченный ряд твердых растворов, приводит к:

• увеличению деградационной стойкости фотопроводника в статическом р жиме при облучении и приложении электрических полей и увеличению фототок после прекращения действия: а) облучения белым светом (300 лк в течение 1 часа) - «отрицательная» ф тоутомляемость, б) облучения электронами допороговых энергий (10-20 кэВ, доза 108 -1 рад) - эффект «малых доз» для радиационно-стойких образцов, в) электрического поля высокой напряженности (6.105 В/м);

11

• увеличению изменения фотоотклика при облучении модулированным б лым светом (с частотой модуляции до 3 кГц) после электронного облучения (10-2 кэВ, доза 108 -109 рад);

• появлению минимума на зависимости от освещенности (диапазон 0,11000 лк) относительного изменения сопротивления при приложении постоянного напряжения (напряженность электрического поля варьировалась в пределах 3,3 102 - 6,7 104 В/м ).

Качественное объяснение полученных экспериментальных результатов дается на основе модели неоднородного гетерофазного полупроводника, учитывающей отвлечение носителей заряда и дефектов в узкозонную фазу.

2. Степень неоднородности монополярного полупроводника по концентрации равновесных и неравновесных носителей заряда, определяемая, например, из анализа экспериментальной частотной характеристики импеданса в области максимальной дисперсии, проведенного на основе решения уравнения для переменного тока монополярного полупроводника, учитывающего перераспределение концентрации свободных и связанных носителей заряда под действием электрического поля, по-разному проявляется в фотоемкостных эффектах:

• с1-фотоемкостный эффект, основанный на уменьшении эффективной толщины фотопроводника, связан с уменьшением степени неоднородности по концентрации с ростом освещенности,

• 8-фотоемкостный эффект, основанный на увеличении эффективной площади электродов, связан с увеличением степени неоднородности с ростом освещенности.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на научно-техническом семинаре "Математическое моделирование физических полей"(Саратов, 1988); на Всесоюзной научной конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ташкент, 1989); на II Всесоюзном тематическом семинаре «Обработка материа

12 лов для электронной техники» (Киев, 1989); на Международной конференции "Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводни-ков"(Украина, Черновцы, 1994), International School - Conference on physical problems in material science of semiconductors. (Chernivtsi, Ukraine, 1995); V Международной конф. по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 1995); на Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (Саратов, 1996), на Международной научно-технической конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах"(Ульяновск, 1997), на региональной научно-практической конференции "Состояние и проблемы развития эколого-экономической системы Саратовской области"( Саратов, 1997); на региональной научно-технической конференции "Волга-98" (Саратов, 1998), а также на научных семинарах кафедры физики полупроводников и кафедры физики твердого тела СГУ.

Личный вклад автора состоит в самостоятельном выполнении представленных в диссертации расчетов и экспериментальных исследований, а также в анализе полученных результатов. При использовании результатов других авторов или результатов, полученных в соавторстве, даются соответствующие ссылки на источник.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 16 научных работах [86-89, 91, 92, 95,96,106-113, 120].

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Общий объем диссертации составляет 174 стр., включая 36 рисунков, 1 таблицу. В списке использованных источников содержится 125 наименований.

4.7. Выводы по главе 4.

1.Разработан метод расчета степени неоднородности полупроводников по частотной характеристике мнимой или действительной части их импеданса, основанная на приближении фиксированной неоднородности и допускающая учет перераспределения концентрации свободных носителей заряда под действием электрического поля в тех случаях, когда приближение фиксированной неоднородности оказывается недостаточным (например, для описания фотоиндуктивного эффекта).

2. Изучено влияние степени неоднородности по концентрации образца типа Сс18(8е) на его электрофизические характеристики и ее изменение под действием света. Проведена оценка степени неоднородности для продольного поликристаллического фоторезистора Сс18х8е1-х в темноте и на свету. Обнаружено уменьшение степени неоднородности при освещении (в темноте г|=0,78, а при уровне освещенности 2000 лк - 0,52), что соответствует ё-ФЕЭ, который и имеет место на данных структурах.

158

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные исследования позволили сформулировать следующие основные выводы и результаты.

I. Проведено исследование статических (вольт -амперных; люкс-амперных /световых/; спектральных) и кинетических (при освещении модулированным светом с частотой модуляции до 3 кГц) характеристик поликристаллических фоточувствительных пленок типа Сё8(8е) с 10-процентной весовой добавкой в исходную шихту РЬБ в режиме поперечной фотопроводимости. Указанные вещества обладают ограниченной взаимной растворимостью, что при использовании описанной в главе 2 технологии приводит к образованию поликристаллической пленки, представляющей собой широкозонную матрицу Сс18(8е) с малым содержанием растворенного в ней РЬБ, и узкозонные включения РЬБ с небольшим количеством растворенного в них Сс18(8е). Исследования проводились до и после воздействия электронного облучения, света и электрических полей высоких напряженностей - напряжение электрического поля изменялось в пределах от 0,1 до 600 В, напряженность достигала значения 6105 В/м, диапазон изменения освещенности составил 0,151600 лк, длина волны монохроматического излучения выбиралась из видимой и ближней инфракрасной областей спектра (0,5-2 мкм), энергия электронного пучка достигала 20 кэВ, доза облучения - 108-109рад. При этом: 1. Установлено, что добавка РЬБ снижает фотоутомляемость пленочных фоторезисторов типа СёБ, причем впервые на пленках этого состава обнаружен коэффициент световой нестабильности меньше единицы: 0,85 -0,97 («отрицательная» фотоутомляемость). Это может быть объяснено снижением скорости протекания фотохимических реакций и появлению, благодаря наличию узкозонной компоненты, реакций, приводящих к очувствлению полупроводника: например, выход мелких доноров из стоков в основной объем.

2. Установлено, что сопротивление зависит от величины постоянного напряжения (напряженность электрического поля изменялась, соответственно, в пределах 3,3102 - 6,7 104В/м ), приложенного в плоскости пленки, причем при разных освещенностях эффективность управления различна и нелинейна: наблюдался минимум при значении освещенности 480 лк на световой зависимости относительного изменения сопротивления, измеренного при разных напряжениях и одной и той же освещенности.

3. Впервые на пленках указанного состава обнаружен «эффект малых доз» при облучении электронами допороговых энергий, то есть наблюдалось некоторое увеличение фототока (не более, чем на 15%) радиационно-стойких образцов после электронного облучения во всем диапазоне освещенностей. Может быть объяснено протеканием очувствляющей фотохимической реакции, связанной с узкозонными включениями.

4. Установлено, что наличие узкозонной компоненты РЬБ в составе широкозонной матрицы Сс18(8е) существенно увеличивает не только радиационную стойкость и световую стабильность пленочных фоторезисторов типа Сс18(8е), но также повышает устойчивость и к приложению постоянного электрического поля высокой напряженности до 6105 В/м, причем изменение фототока после превышения критической напряженности электрического поля происходит в сторону увеличения. Объясняется аналогично пунктам 1 и 3.

5. Обнаружено, что характеристики образцов Сс18х8е1х-РЬ8, снятые при облучении модулированным светом не обнаруживают стойкости к электронному облучению, а, напротив, изменяются более сильно, чем у образцов без добавления РЬ8. В комплексе с повышенной стойкостью статических характеристик к облучению этот факт позволяет нам утверждать, что времена жизни и фотоответа по-разному реагируют на электронное облучение: в образцах Сё8х8е|х-РЬ8 время жизни практически не изменяется, а время фотоответа уменьшается в 3-4 раза; в образцах без добавления РЬ8 время

160 жизни при наборе максимальной дозы облучения может уменьшаться более, чем на порядок величины, уменьшение же времени фотоответа не превышает 25%. Это связано с увеличением концентрации центров прилипания в запрещенной зоне полупроводника без добавки узкозонной компоненты, и сохранением концентрации таких центров в образцах с РЬБ после электронного облучения.

6. Все полученные экспериментальные результаты и их объяснение укладываются в качественную модель гетерофазного полупроводника, учитывающую отвлечение носителей заряда и дефектов из широкозонной матрицы в узкозонную фазу. Стоку носителей заряда способствует потенциальный рельеф на границе гетероперехода СёБ-РЬБ, геттерирование дефектов возможно благодаря диффузии, стимулированной электронным или световым излучением.

II. Проведено исследование 8-фотоемкостного эффекта (Б-ФЕЭ) с помощью структуры, получившей название поверхностно-чувствительный фотоконденсатор (ПЧФК). В качестве фоточувствительного слоя в структуре использовалась неоднородная пленка на основе широкозонного полупроводника типа Сс18(8е) с добавлением узкозонной компоненты в указанных в п.1 количествах. В результате этих исследований:

7. Уточнена эквивалентная схема ПЧФК, отражающая его принцип действия, основанный на 8-ФЕЭ, и позволяющая по характеристикам фоточувствительного слоя определить зависимости емкости ПЧФК от освещенности, длины волны падающего света и температуры, а также оценить влияние сопротивления утечки. Получено хорошее соответствие с экспериментальными данными в диапазонах освещенностей, длин волн и температур, указанных в п.1;

8. Показана возможность управления характеристиками ПЧФК (наклоном люкс-фарадной характеристики и диапазоном освещенностей, в котором происходит изменение емкости от минимального до максимального значения) с помощью

161 постоянного напряжения, приложенного в плоскости пленки. Чувствительность ПЧФК с указанными пленками менялась от 0,4 до 0,8 при изменении постоянного напряжения от ОД до 20В (напряженность электрического поля изменялась, соответственно, в пределах 3,3 102 - 6,7 104В/м );

9. Изучено влияние степени неоднородности по концентрации образца типа Сс18(8е) на его электрофизические характеристики и ее изменение под действием света. С этой целью разработан метод определения по частотным зависимостям действительной или мнимой частей импеданса полупроводниковой пленки степени ее неоднородности и проведена ее оценка для продольного фоторезистора Сс18х8е1-х в темноте и на свету. Обнаружено уменьшение степени неоднородности при освещении (в темноте г|=0,78, а при уровне освещенности 2000 лк - 0,52), что соответствует с!-ФЕЭ, который и имеет место на данных структурах.

10. Выявлено различное изменение степени неоднородности по концентрации свободных носителей заряда с ростом освещенности при 8-и д-ФЕЭ (при 8-ФЕЭ степень неоднородности увеличивается, а при ё-ФЕЭ - уменьшается с ростом освещенности), то есть возникновение разновидностей ФЕЭ связано с изменением степени неоднородности. Степень неоднородности определена как числовой параметр г|, зависящий от разброса концентраций свободных носителей заряда, имеющего место в разных участках образца, и объемных долей, занимаемых участками с фиксированными концентрациями.

162

1. Берчеико Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: Справочные таблицы. М.:"Воениздат", 1982, С.4-5.

2. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. /М.:"Мир" -1966,- 192с.

3. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: "Физматгиз", 1963, С.66.

4. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа А2В6 / в кн. Физика и химия соединений А2В6 под ред. Георгобиани А.Н. и Шейнкмана М.К. М:"Наука",-1986,- 203с.

5. Казаринов Ю.Н., Ломасов В.Н., Пилькевич Я.Я. Влияние электронного облучения на фоточувствительность поликристаллических слоев сульфида и селенида кадмия. // Электронная техника. Радиодетали и радиокомпоненты. -1984,-№3(56).- С.29-32.

6. Роках А.Г. Варизонная модель полупроводника, стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Т.10. N13. С.820-823.

7. Поликристаллические полупроводники./ Под ред. Харбке Г. М.:"Мир". -1989. -324с.

8. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.:"Иностр. литер.", 1962 .- 558с.

9. Фотопроводящие пленки типа CdS / Под ред. Кирьяшкиной З.И., Рокаха А.Г. и др. Саратов: изд-во Сарат.ун-та, 1979,- 193 с.

10. Заитов Ф.А., Литвинова Н.Н., Савицкий В.Г., Средин В.Г. Радиационная стойкость в микроэлектронике. М.: "Военииздат", -1977,- 187 с.163

11. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник.Киев: Наукова думка, 1975,- 704с.

12. Herring С. Effect of Random inhomogeneties on electrical and galvanomagnetic measurements. // J. Appl. Phys.- I960:- V.31.- № .- P. 1939-1944.

13. Субашиев B.K., Тучкевич B.M. Интерпритация результатов измерений неоднородных сопротивлений на разных частотах. // ЖТФ. -1947,- Т.17,- № 2,-С.28-34.

14. Джумаев Б.Р Роль макродефектов в электронных и ионных процессах, протекающих в широкозонных полупроводниках А В // ФТП. -1998,- Т.32,- №6,-С.641-645.

15. Trousil Z. Bulk photo-voltaic phenomenon. // Czech. J. Phys. 1956. V.6. p.96-98.

16. Vander Pauw L. J., Polder D. The photo-thermotltctrical phenomenon in semiconductors. // J. Electronics. V.2. p.239-240.

17. Tauc J., Zavetova M. Photo piezoelectric effect in semiconductors. // Czech. J. Phys.-1959. - T.9.-C.572-577.

18. JI .И.Баранов, В.П.Малков, А.Г.Роках О комплексной проводимости неоднородных квазимонополярных полупроводников.// Радиотехника и электроника,- 1978.-№1.-С.145-150.

19. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. // ФТП. -1976,- Т. 10.- № 2,- С.209-213.

20. Pal U., Saha S., Datta S., Chaudhuri S. On the mechanism of long-term relaxation in polycrystalline cadmium telluride and zinc telluride films. // Semicond. Sci. Technol. -1990-V.5. -P.429-434.

21. Роках А.Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Саратов: изд-во Сарат.ун-та, 1989,- 158с.

22. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов./М.:Металлургия,- 1970,- 429с.164

23. Гудаев O.A., Пауль Э.Э., Седельников А.П. Локальная неоднородность фоточувствительности химически осажденных слоев PbS. // Автометрия.-1989,- N 5,- С.118-120.

24. Роках А.Г., Трофимова Н.Б., Иванова Т.А. Способ определения размеров кристаллитов полупроводниковых структур. Авт. св-во СССР № 1326125 от 11.03.85.

25. Кац Н.Б., Роках А.Г. Плазменный резонанс в пленках селенида кадмия.//Письма в ЖТФ. -1979,- Т.5.- №1.- С.6-10.

26. Kallman H., Kramer В., Perlmutter A. Induced conductivity in luminescent powders. //Phys. Rev. -1953-V.89, N4-P.700-708.

27. Двойнин В.И., Ятлова Л.Е., Панкратов A.H. Структура и фазовый состав осадков и пленок в системе CdS-PbS. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1981,-Т.17,- №10 .- С.1749-1752.

28. Томашик В.Н., Олейник Г.С., Мизецкая И.Б. Исследование взаимодействия в тройной взаимной системе CdSe+ZnS<H>CdS+ZnSe. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1979,- Т.15,- № 2,- С.202-204.

29. Олейник Г.С., Мизецкий П.А., Низкова А.И., Поливцев Л.А., Ряднина И.С. Фазовая диаграмма системы CdS-PbS.// Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1983,-Т.19,- №11.- С.1799-1801.

30. Calawa A.R., Mroczkowski I.A., Harman T.C. Preparation and properties of Pbi. xCdxS. // J. Electron. Mater. -1972. -V.l, N1.-P. 191-201.

31. Bethke P.M., Barton P.B. Sub-solidus relations in the system PbS-CdS. // Amer. Miner. -V.56, N11-12. -P.2039-2034.

32. Шелимова Л.Е., Томашик B.H., Грыцив В.И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. -М: "Наука", 1991. 256 с.

33. Китаев Г.А., Марков В.Ф., Маскаева Л.Н. и др. Синтез и исследование пленок твердых растворов Pbi.xCdxS. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1990,- Т.26,- № 2.-С.248-250.165

34. Китаев Г.А., Маскаева JI.H. , Марков В.Ф. и др. Исследование халькогенидных пленок Pbi.xCdxS с помощью термодесорбционной масс-спектроскопии. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1989,- Т.25,- № 8,- С. 1262-1264.

35. Китаев Г.А., Маскаева JI.H. , Марков В.Ф. и др. Исследование роста пленок твердых растворов PbixCdxS на оксидированном кремнии. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1989,- Т.25,- № 9,- С. 1438-1440.

36. Угай Я.А., Яценко О.Б., Семенов В.Н., Дынник А.П., Авербах Е.М. Фотоэлектрические свойства пленок, содержащих CdS и PbS. / В сб. "Полупроводниковые материалы и их применение."- Воронеж: изд-во Воронеж, ун-та,- 1974,-С. 188-192.

37. Фурсенко В.Д., Карпман Н.М., Мазин М.А. и др. Характеристики датчика рентгеновского излучения ДРМ-2 на основе монокристаллов сульфида кадмия // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: изд-во Киев.ун-та, 1979. -№29.-С.80-84.

38. Роках А.Г., Новикова Е.А., Зорина Л.Д. Детектирование слабых потоков электронов с помощью п+-п перехода // Письма в ЖТФ. 1979,- Т.5.- № 24,-С.1482-1483.

39. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Павелец A.M. и др. Механизм фотоутомляемости фоторезисторов на основе спеченных слоев CdS: Си: С1. // УФЖ. -1981,- Т.26,- № 8,- С.1335-1340.

40. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. Роль мелких доноров в процессе деградации фотопроводимости в кристаллах CdS: Си. // Письма в ЖТФ.-1980.-Т.6. N 2. С.120-124.

41. Виктор П. А., Зотов В.В., Сердюк В.В. Механизмы деградации фоточувствителтности монокристаллов сульфида кадмия при длительном пропускании фототока. // ФТП.-1979.-Т.13. N 5. С.897-902.166

42. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. , Шейнкман М.К. Исследование дрейфа дефектов в электрическом поле в кристаллах CdS:Li. // ФТП. -1979,- Т.13,- № 3,- С.435-440.

43. Дякин В.В., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В. Исследование дрейфа дефектов под действием у- облучения. // ФТП. -1977,- Т.П.- № 2 .- С.243-246.

44. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. Исследование природы центра рекомбинации, ответственного за полосу люминесценции в области 0,95 мкм в кристаллах CdS: Li. // ФТП. -1977,- Т.П.- № 1,- С.128-131.

45. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. , Шейнкман М.К. Взаимодействие доноров и акцепторов и фотохимические реакции различных типов в монокристаллах CdS: Li. // УФЖ. -1977,- Т.22,- № 3,- С.363-369.

46. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. // УФЖ. -1973,- Т. 18.- №10 .-С.1678-1683.

47. Дякин В.В., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В. Эффекты перестройки локальных центров в монокристаллах CdS, вызванные ионизирующим действием у-лучей . // ФТП. -1974,- Т.8.- № 2,- С.433-434.

48. Шмилевич А.И., Сердюк В.В., Черемсюк Г.Г. Влияние электрического поля на рекомбинационные процессы в монокристаллах CdS:Cu. // УФЖ. -1980.- Т.25,-№ 7,- С.1078-1082.

49. Богданюк Н.С., Давидюк Г.Е., Шаварова А.П. Центры красной люминесценции в монокристаллах CdS и CdS:Си и их преобразование при электронном облучении.// ФТП. -1995,- Т.29,- №2,- С.357-361.167

50. Богданюк Н.С., Давидюк Г.Е., Шаварова А.П. Отжиг центров зеленой люминесценции сульфида кадмия. // ФТП. -1995.- Т.29,- № 2,- С.201-208.

51. Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Шаварова А.П., Федонюк A.A. Преобразование центров красной и инфрокрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS:Cu.// ФТП. -1997,- Т.31,- №8,- С. 10131016.

52. Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Шаварова А.П. Дозовая зависимость интенсивности зеленой люминесценции монокристаллов сульфида кадмия при облучении электронами с Е=1,2 МэВ. // ФТП. -1994,- Т.28,- №11,- С.2056-2061.

53. Schulze R.G., Kulp В.А. On the conductivity of Cadmium Sulfide Sollowing Electron bombardment.//J. Appl. Phys. -1962-V.33, N7-P.2173-2175.

54. Holmstrom R.P., Lagowski J., Gatos H.C. Electron beat stimulated changes in composition and electrical properties of CdS surfaces.// Surface Seience 100 (1980) L467-L471.

55. Мак В.Т. Зависимость темновой проводимости монокристаллов CdS от энергии облучающих электронов.// ФТП. -1996,- Т.ЗО,- №2,- С.292-295.

56. Мак В.Т. , Буковский В.Е., Стеценко В.И. Вакуумный отжиг тонких пленок CdS.// Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1991.- Т.27,- № 3,- С.457-460.

57. Мак В.Т. Пленки типа CdS// ЖТФ. -1993,- Т.63,- №3,- С.173.

58. Маняхин Ф.И. Подпороговый механизм образования дефектов инжектированными носителями заряда в полупроводниковых структурах// Материалы электронной техники. -1998.- №8,- С.63-69.

59. Роках А.Г., Елагина Н.В., Новикова Е.А. Полупроводниковый детектор электронных потоков. // Патент Российской Федерации № 1531678 с приоритетом от 14.04.87, действует с 01.07.93.

60. Хируненко Л.И., Шаховцев В.И., Шумов В.В. Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном германием, при низкотемпературном облучении. // ФТП. -1998,- Т.32,- №2,- С. 132-134.168

61. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику. М.:"Мир",1988, 320 с.

62. Лобанович Э.Ф., Ковальчук М.В., Петлицкий А.Н. Кислородное геттерирование в тонких эпитаксиальных пленках Si. // Микроэлектроника.1989,-Т. 18,-№3 .- С.252-256.

63. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М: "Наука", 1973. - 400 с.

64. Thangaraj N., Wessels В. Electron-beam-enhanced oxidation processes in И-VI compound semiconductors observed by high-resolution electron microscopy. // J. Appl. Phys.- 1990,- V.67.- № 3,- P. 1234-1242.

65. Савицкий A.B., Парфенюк O.A., Илащук М.И. Компенсирующее действие примеси свинца в теллуриде кадмия. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1989.-Т.25,- № 11,- С.1848-1851.

66. Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В. Гетерогенный фотопроводник на основе CdS-PbS. // ФТП. -1979. -Т.13,- N 4,- С.787-789.

67. Debney В.Т. A theoretical evaluation and optimization of the radiation resistance of gallium arsenide solar cell structures // Appl. Phys.- 1979,- V.50.- № 11.- P.7210-7219.

68. Роках А.Г., Кумаков A.B., Елагина Н.В. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов. // Патент Российской Федерации № 845685 с приоритетом от 07.02.80, действует с 01.07.93.

69. Голованов В.В., Иванов В.Ф., Смынтына В.А. и др. Особенности токопереноса в тонких пленках сульфида кадмия, обусловленные электронными явлениями на поверхности. // Поверхность. -1985,- Т.4.- №4,- С.68-71.

70. Корепанов С.А. и др. Сверхлинейность люкс-амперных характеристик пленок, выращенных в кислородосодержащей атмосфере. // Изв.ВУЗов. Физика. -1986,-№ 5,- С.17-19.169

71. Корепанов С.А., Виктор П.А., Сердюк В.В. Нестабильность фотопроводимости тонких поликристаллических слоев CdS с высокой концентрацией поверхностного заряда. // Изв.ВУЗов. Физика. -1982,- № 7,-С.18-22.

72. Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников,- JL: Наука, 1972.-104 с.

73. Garlik G.F.J., Gibson A.F. Dielectric changes in phosphors containing more than one activator. //Proc. Phys. Soc. A-1949.-V.62.-P.731.

74. Kallman H., Kramer В., Mark P. Impedance measuremends on CdS-crystals.// Phys.Rev.- 1955,- V.99, № 4.-P.1328-1330.

75. Баранов Л.И., Малков В.П., Роках А.Г. О некоторых свойствах обедненного контакта металл-квазимонополярный фотопроводник. // УФЖ. -1974. -Т. 19,- N 11,- С.1866-1869.

76. Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ: индицирование рентгенограмм. М.:"Наука", 1981.-203 с.

77. Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений А2В6: справочник. Киев:"Наукова думка", 1982, С.59-60.

78. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках./М.:"Мир" -1977,- С.253-298.170

79. Харциев В.Е. О теории ТСТ./в кн. "Физика твердого тела" под ред. Иоффе А.Ф. М.: АН СССР. -1959,- С.104-110.

80. Бойко И.И., Рашба Э.И., Трофименко А.П. Термически стимулированная проводимость в полупроводниках. // ФТТ. -I960,- Т.2.-№ 2,- С.107-117.

81. Роках А.Г., Стецюра C.B., Трофимова Н.Б., Елагина Н.В. Стабилизация свойств широкозонного фотопроводника при введении узкозонной компоненты. // Неорганические материалы,- 1999,- Т.35.-№ 4,- С. 1-4.

82. Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прилипание в пленочных фотопроводниках на основе А2Вб-А4В6 .// Письма в ЖТФ,- 1999,- Т. .-№ 3,- С.66-72.

83. Золотов С.И., Трофимова Н.Б., Юнович А.Э. Фотолюминесценция пленок тройных твердых растворов Pbi.xCdxS // ФТП. Т.18. N 4. С.631-634.

84. Роках А.Г., Трофимова Н.Б., Зорина Л.Д. Влияние у-облучения на фотоэлектрические и оптические свойства пленок CdSe:Ln//B сб. «Физика полупроводников и полупроводниковая электроника».- Саратов: изд-во Сарат.ун-та, 1988,-№ 13.-С.84-87.

85. Мак В.Т. Новая модель эффекта малых доз в полупроводнике. // ПЖТФ 1989 -Т. 15, В. 12-С.17- 19.

86. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.:"Наука", 1981. 368 с.

87. Степанов В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах// ЖТФ. -1998,- Т.68,- №8,- С.67-72.

88. Kindleysides L., Woods J. Photo-induced changes in the photoconductivity and luminescence of CdS.// J. Phys. D.: Appl. Phys., -1970-V.3, N7-P. 1049-1057 (UK).172

89. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Образование новых локальных центров в монокристаллах CdS, вызванное присутствием свободных электронов и дырок // ФТТ. Т. 10. N 2. С.522-528.

90. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. — М.: Иностранная литература, 1961,- 304 с.

91. Сивонен И.Е., Бойд Р.Д., Киттс E.JT. Теория и экспериментальные характеристики светочувствительного конденсатора.// Труды института инженеров по электронике и радиоэлектронике. 1965. Т.53. Вып.4. С.434.

92. Crimeiss H.G., Ovren С. Investigations of Madoped ZnSe by photocapacitance and photocurrent techniques.// J. Appl.Phys. -1976 -V.47, N7 -P.1103.

93. Годик Э.Э. Фотоэлектрический эффект, связанный с возбуждением примесей в полупроводниках. // ФТТ,- 1976,- Т. 18,- Вып.2,- С.591.

94. Парфенова C.B. Расчет зависимости поверхностной фотоемкости от спектрального состава света. // Сб. тез. научн.-техн. семинара "Методы и системы технической диагностики". Саратов- 1988,- С. 17.

95. Новикова Е.А., Парфенова C.B., Роках А.Г. Физическое и математическое моделирование поверхностного фотоконденсатора. // Сб. тез. докл. научно-технического семинара "Математическое моделирование физических полей". Саратов: изд-во СГУ, 1988. - С.23.

96. Роках А.Г., Стецюра C.B., Елагина Н.В. Поверхностный фотоемкостный эффект на структурах с гетерофазными пленками. // Сб. тез. докл. Всесоюзной научной конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". Ташкент. 2426 окт. 1989. - С. 193.

97. Роках А.Г., Стецюра C.B. Поверхностный фотоемкостный эффект на структурах с фотопроводящими пленками. // Изв. ВУЗов. Физика. 1999. - (в печати).

98. Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.- Киев: Наукова думка.- 1981,- 327с.

99. Ковтонюк Н.Ф., Морозов В.А. и др. Фотоваракторный эффект структур металл-диэлектрик- полупроводник-диэлектрик-металл.// Радиотехника и электроника. 1973,- Т.18,- N5-C.1019-1023.

100. Ковтонюк Н.Ф., Абрамов A.A. и др. Фотоваракторный эффект в изолированных кристаллах селенида кадмия.// Микроэлектроника. 1974.-Т.З,- N3-C.138-140.

101. Montgomery H.С. Changes in Conductivity in Germanium, Including by Electric Field.// Phys.Rev.- 1956.-V.103.-P.865-872.

102. Роках А.Г., Серебрянская Л.Г. и др. Емкостной датчик влажности. Авт. св-во СССР N 898312, бюл. изобр. 1982, №2.174

103. Роках А.Г., Бухаров В.Э. Фотопроводники и детекторы радиации на основе CdS(Se)-PbS. / /В сб.докл. регион, научно-практ.конф. "Состояние и проблемы развития эколого-экономической системы Саратовской области",- Саратов: изд-во СГТУ,- 1997,-С.34.

104. Прикладная электролюминесценция / Под ред. Фока M.B. М.: Сов. Радио, 1974. -414 с.

105. Ивон А.И., Глот А.Б., Можаровский Л.А., Черненко И.М. Неоднородность оксидно-цинковой керамики и особенности ее электрической и термической деградации. //Неорганические материалы,- 1998,- Т.34.-№ 12,- С. 1519-1524.

106. Корн H.A.,Корн А.Н. Справочник по математике для инженеров и научных работников,- Киев: Наукова думка,- 1982,- 627с.

107. Тихонов А.Н., Гончарский A.B. Численные методы решения некорректных задач. М: Наука, 1990,- 152с.

108. Тихонов А.Н. и др. Нелинейные некорректные задачи,- М: Наука, 1995,- 187с.