Влияние высокого давления на кинетические эффекты в халькогенидах ртути и кадмия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Кинетические эффекты в полупроводниках под давлением (обзор)

1.1. Кинетические эффекты.

1.2. Влияние давления на зонную структуру и кинетические эффекты в полупроводниках.

1.3. Кристаллическая структура и физические свойства халькогенидов ртути и кристаллов //^i-icCd^Se.

1.4. Полиморфизм халькогенидов ртути и кадмия при высоком давлении.

1.5. Краткие выводы.

ГЛАВА 2. Методика эксперимента

2.1. Аппаратура высокого давления. 2.1 Л. Камеры гидростатического давления.

2.1.2. Получение высоких квазигидростатических давлений до 40 ГПа.

2.2. Измерение кинетических эффектов в полупроводниках под давлением.

2.2.1. Измерение сопротивления и термоэдс.

2.2.2. Установки для измерения гальваномагнитных эффектов при температурах 4,2.300 К под давлением.

2.3. Приготовление и аттестация образцов.

2.4. Погрешности измеряемых величин.

2.5. Краткие выводы.

ГЛАВА 3. Влияние высокого гидростатического давления на кинетические эффекты в кристаллах H^Sе. и И^^^СЫ^Эе.

3.1. Изменение удельного сопротивления» коэффициента

Холла, термоэдс и магнитосопротивления селенида ртути под давлением в области устойчивости кубической фазы.

3.2. Удельное сопротивление, эффект Холла, термоэдс и магнитосопротивление кристаллов 4-х C-dx. Se в условиях всестороннего сжатия до 2 ГПа.

3.3. Кинетические эффекты в кристаллах Ся?*. S е при температуре 4,2 К.

3.4. Краткие выводы.

ГЛАВА 4. Переход бесщелевой полупроводник- полупроводник с широкой запрещенной зоной в халькогенидах ртути и твердых растворах H^-xCdx. Se

4.1. Структурный фазовый переход в кристаллах Нфе% и Ug^xC^xSe- под давлением.

4.2. Влияние давления на кинетические эффекты в полупроводниковых фазах, имеющих структуру киновари.

4.3. Фазы высокого давления халькогенидов ртути - аналоги полупроводников У1 группы периодической системы.

4.4. Краткие выводы.

ГЛАВА 5. Переход полупроводник-металл в халькогенидах ртути и твердых растворах H^-i-xCbfzL^ ПРИ сверхвысоком давлении

5.1. Влияние сверхвысокого давления на кинетические эффекты в HfrQe-yfyTe , и H^-^cCd^S^

0,5).

5.2. Кинетические эффекты в металлических фазах халькогенидов ртути при высоком давлении.

5.3. Кинетические эффекты в фазе высокого давления селени-да кадмия.

5.4. Краткие выводы.

Изучение узкощелевых полупроводников является важным направлением физики твердого тела, поскольку в этих материалах основные закономерности поведения электронов проводимости в конденсированных средах выражены наиболее рельефно. Из-за малости энергетической щели относительное ее изменение при внапних воздействиях (например, под давлением) и связанные с этим особенности физических свойств гораздо ощутимее, чем в материалах с широкой энергетической щелью, что имеет большое научное и практическом значение. Наибольший интерес представляет изучение халькогенидов ртути UfyTt », и их твердых растворов с халькогенидами кадмия, которые относятся к бесщелевым полуцроводникам и полупроводникам с регулируемой энергетической щелью [l] . В последние годы эти материалы широко применяются в качестве высокочувствительных приемников инфракрасного излучения, оптических фильтров и т.д. [2],

При относительно небольших давлениях 0,8-1,5 Ша (I ГПа = I09 Па = 10 кбар) халькогениды ртути переходят в гексагональную структурную модификацию и приобретают совершенно иные свойства [3]. До последнего времени исследованию фаз высокого давления было посвящено немного работ. Наиболее изучена гексагональная модификация сульфида ртути - киноварь, стабильная при нормальных условиях. Она является оптически активным веществом, широко применяемым в технике. Гексагональные фазы других халькогенидов ртути - HflTe и - также могут быть зафиксированы при атмосферном давлении в области температур Т £ 160 К. Особую ценность представляет то обстоятельство, что в одних и тех же веществах (халькогенидах ртути) могут быть созданы фазы с сильно отличающимися характеристиками. Это дает возможность управлять их свойствами с помощью давления. Очевидно, что исследование свойств гексагональных фаз высокого давления халькогенидов ртути со структурой киновари представляет большой интерес. Такие исследования способствуют установлению взаимосвязей между бесщелевыми полупроводниками и другими классами материалов.

Высокое давление используется в работе как инструмент для зондирования электронной структуры фаз высокого и низкого давлений халькогенидов ртути и кадмия. При воздействии давления экстремумы энергетических зон полупроводникового кристалла различным образом смещаются по шкале энергий. Измеряя кинетические эффекты в кристалле под давлением, можно определить вид зонной структуры. Как показали Пол и др., барические коэффициенты энергетических экстремумов в кристаллах со структурой алмаза и цинковой обманки примерно одинаковы для одних и тех же точек зоны Бриллюэна [Vj. Это обстоятельство позволило установить зонную структуру классических полупроводников О-г , Si , Jn$6 , а позднее -бесщелевых полупроводников -сi-Sh , J• Таким путем можно изучать электронную структуру и фаз высокого давления.

Цель настоящей работы - исследовать влияние давления на кинетические эффекты в фазах низкого и высокого давления халькогенидов ртути и твердых растворов Od^St . В связи с этим предстояло решить следующие задачи:

- создать камеры повышенной надежности для получения гидростатических давлений до 2 ГПа и квазигидростатических давлений до 40 ГПа;

- исследовать электропроводность, термоэдс, магнитосопро-тивление и другие кинетические эффекты в указанных кристаллах при давлениях до 40 ГПа;

- выявить новые фазовые превращения в исследуемых кристаллах ;

- по кинетическим эффектам установить вид электронной структуры фаз высокого давления халькогенидов ртути и кадмия.

Научная новизна работы может быть сформулирована следующим образом:

- создана оригинальная аппаратура высокого давления для исследования кинетических эффектов в кристаллах при гидростатическом давлении до 2 ГПа и квазигидростатическом давлении до

40 ГПа. Впервые развита методика измерений термоэдс в интервале давлений от 10 до 40 ГПа;

- в области устойчивости кубической фазы изучены зависимости сопротивления, термоэдс, коэффициента Холла и магнитосопро-тивления кристаллов HpS& и He}i-xCdx.Se от давления. Получены новые подтверждения известной модели Гровса и Пола зонной структуры бесщелевых полупроводников;

-обнаружены фазовые превращения кристаллов ttfji-xCdx.Se. в гексагональную структуру киновари под действием давления 1.2,5 ГПа. Показано, что модификации халькогенидов ртути со структурой киновари представляю? собой полупроводники с широкой запрещенной зоной, которые являются аналогами полупроводников У1 группы -теллура и селена;

- обнаружены фазовые переходы халькогенидов ртути и кристаллов Ufli'X CcLjc^t в металлическое состояние под давлением 10. 30 ГПа. Установленное совпадение барических зависимостей сопротивления и термоэдс металлических фаз высокого давления халькогенидов ртути, с одной стороны, и металлических фаз теллура и селена, - с другой, позволяет предположить сходство их электронных структур;

- впервые исследованы термоэлектрические и гальваномагнитные эффекты в фазе высокого давления селенида кадмия, имеющей структуру каменной соли. На основе полученных экспериментальных данных делается вывод о том, что фаза высокого давления селенида кадмия является сильно легированным полупроводником с широкой энергетической щелью, убывающей с ростом давления.

Практическая значимость работы состоит в следующем:

- разработанные камеры повышенной надежности позволяют проводить длительные эксперименты при гидростатическом давлении до 2 Ша (а.с. В 835824), изучать фазовые переходы полупроводник -металл в твердых телах при квазигидростатическом сжатии до 40 Ша и определять параметры носителей заряда в фазах высокого давления по измерениям сопротивления и термоэдс;

- показано, что с помощью давления можно в широких пределах изменять свойства халькогенидов ртути и кадмия, получая бесщелевой полупроводник, полупроводник с заданной энергетической щелью или металл. При этом сопротивление и термоэдс изменяются в диапазонах Ю"4 - Ю3 (Ю8) Ом.см и Ю-3 В/К - Ю"6 В/К соответственно.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и выводов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

В работе исследованы кинетические эффекты в халькогенидах ртути НдТе. , //^.е , Нц,$ , в твердых растворах Hjfi-xCdx&G и селениде кадмия под давлением до 40 Ша при температурах 4,2. 400 К и магнитной индукции до 7 Тл. Изучение влияния давления на явления переноса в полупроводниках позволяет оценить ряд зонных параметров (величину энергетической щели, ее барический коэффициент), определить положение энергетических экстремумов в зоне Бриллюэна. Метод всестороннего давления позволил в свое время установить зонные структуры широкозонных полупроводников Si , Gz и др. и бесщелевых полупроводников HcjTe *

В настоящей работе метод всестороннего давления использован для изучения зонной структуры известных и впервые обнаруженных фаз высокого давления халькогенидов ртути, твердых растворов Htyi-x Cdx Sе. и селенида кадмия, а также исходных кубических фаз кристаллов и Hcj i-x % е - бесщелевых и узкощелевых полупроводников.

На основе полученных результатов можно сделать следующие выводы.

1. В работе создана оригинальная аппаратура высокого давления для исследования гальваномагнитных и термоэлектрических эффектов в кристаллах при гидростатическом давлении до 2 Ша (а.с. № 835824) и квазигидростатических давлениях до 40 Ша. С ее помощью впервые освоена методика измерений термоэдс в интервале давлений 10.40 ГПа.

2. Исследовано влияние гидростатического давления на сопротивление, термоэдс, коэффициент Холла и магнитосопротивление кристаллов Me^S-e. и И21-Х Odsc. S&. в области устойчивости кубической фазы (до 0,8 .2,0 Ша). Получены новые подтверждения известной модели зонной структуры этих бесщелевых и узкощелевых полупроводников (модели Гровса-Пола).

3. Обнаружены фазовые превращения кристаллов Cefx Se в гексагональную структуру киновари под действием давления. Показано, что модификации халькогенидов ртути со структурой киновари представляют собой полупроводники с широкой запрещенной зоной, являющиеся аналогами теллура и селена. Определены основные параметры зонной структуры этих материалов (ширина запрещенной щели, ее барический коэффициент, подвижность и тип носителей заряда). Сделано предположение о том, что зонная структура 7е и fl^ie в фазе киновари подобна зонной структуре теллура и селена, т.е. экстремумы зоны проводимости и валентной зоны находятся з точках Н или зоны Бриллюэна.

4. Впервые обнаружены фазовые переходы халькогенидов ртути HgTe. .HfS е 9 H^S и кристаллов tt^i-x CJxS^. в металлическое состояние при давлениях 10^1, 21-2, 30^3, 24±3 (ЗГ =0,2) ; 24±3 ( эс =0,35), 2I±3 ( х =0,5) ГПа, соответственно. Установленное совпадение барических зависимостей сопротивления и термоэдс металлических фаз высокого давления халькогенидов ртути, с одной стороны, и металлических фаз высокого давления теллура и селена, с другой, позволяет предположить сходство их электронных структур.

5. Впервые исследованы термоэлектрические и гальваномагнитные эффекты в фазе высокого давления селенида кадмия со структурой каменной соли. Сделан вывйд о том, что фаза высокого давления может являться сильно легированным полупроводником с широкой энергетической щелью, убывающей с ростом давления.

Б заключение автор выражает глубокую благодарность научному руководителю работы доктору физико-математических наук профессору И.М.Цидильковскому за постоянное внимание и обсуждение результатов работы, кандидату физико-математических наук Н.Г.Глузману за помощь и поддержку при выполнении работы, а также всем сотрудникам лаборатории полуцроводников и других отделов Института физики металлов, оказавших содействие автору.

1. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978. - 328 с.

2. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М.: Воен.издат. Мин.Обороны СССР, 1982. 208 с.

3. Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М.: Наука, 1979. 174 с.

4. Твердые тела под высоким давлением/ под ред. В.Пола и Д.Вар-шауэра. М.: Мир, 1966. - 524 с.

5. Цидильковский И.М. Термомагнитные явления в полупроводниках М.: Физматгиз, I960,, 396 с.

6. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1970. 303 с.

7. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эн-дерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: 1983. 384 с.

8. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. 616 с.

9. Pitt G.D. Developments in high pressure physics. Contemp. Ehys., 1977, voL 18, N1 2, p.137-164.

10. Starcloff Т.Н., Joannopoulos I.D, The electronic structure of trigonal Л а „Те for pressure near the phase transition points.-J.Chem.Ehys., 1978, vol.68, N2 2, p.579-584. ,

11. Von Boehm J., Isomaki H.M. Pressure, dependence of the relativistic band edges of trigonal Те and Se. Ehys.Rev.B., 1981,1. T \vol.24, № 12, p.6945-6953.

12. Isomaki H.M., von Boehm J. Behavour of the optical gap of trigonal Se under pressure. — Solid State Communs., 1980, vol. 34,m 8, p.709-711.

13. Blum P.A., Deaton B.C. Properties of group VIB Elements under pressure. П. Semiconductor-to-metal transition of tellurium. Phys.Rev.A, 1963, vol.137, E 5A, p.A1410-A1417.

14. Bundy P.P., Dunn K.J. Electrical behaviour of Se and Те to pressure of about 500 kbar. J.Chem.Phys*, 1979, vol.71, ® 4, p. 1550-1558.

15. Глушков M.B., ЕремецМ.И., Косичкин Ю.В., Толмачев A.H., Широков А.М. Влияние давления на внутризонное поглощение в теллуре. ~М., 1978. 52 с. (Препринт /ФИАН: № 100).

16. Блатт Ф.Дж., Шредер П.А., Фойлз К.Л,, Грейг Д. Термоэлектродвижущая сила металлов. М.: Металлургия, 1980. 248 с.

17. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова Думка, 1975, 704 с.

18. Цидильковский И.М. Эффект Нернста-Эттинсгаузена в теллуриде ртути. 8-я Всесоюзная конференция по полупроводникам (Ленинград, 1955 г.). - Вестник АН СССР, 1956, т.2, с.Ш; ЖЭТФ, 1957, т.27, №8, с.1744-1752.

19. Porowski S., Zakrzewski Т. Measurements of the temperature dependence of the Hall constant in HgQ?e under pressure. -Phys.Stat,Sol., 1965, vol.11, Ni 1, p.K39-K41.

20. Piotrzkowski R., Porowski S., Dziuba Z., Ginter J., Giriat W., Sosnowski L. Band Structure of HgTe. Phys.Stat.sol., 1965, vol.8, p.K135-K139.

21. Porowski S., Galazka M.C. Pressure phase transition of HgSe.-Ehys.Stat.Sol., 1964, vol 5, № 2, p.K71-K72.

22. Брандт Н.Б., Бе л oy сова O.H., Бовина Л.А., Стафеев В.И., Пономарев Я.Г. Исследование бесщелевого состояния, возникающегоу сплавов Hcj ^Cd^ Те под действием давления. ЖЭТФ, 1974, т.бб, с.330-347.

23. Narita S., Egawai М., Suizu К., Katayama М., Mizukati S. Effect 1 of Hydrostatic pressure on Cd^Hg^^Te alloys. Appl.Ehys., 1 1973, vol.2, № 3, p.151-156.

24. Берченко H.H., Пашковский M.B. Теллурид ртути полупроводник с нулевой запрещенной зоной. - Успехи физ.наук, 1976, т.119, № 2, с.223-255.

25. Кот М.В., Мшенский В.А. Структура и электрические свойства системы CdSe-HySe . Изв.АН СССР, сер.физ., 1964, т.28, № б, с.1069-1072.

26. Katazaki К. Lattice constants and phase transition at Gd3^Hg1xSe. -Phys.Stat.Sol., (a), 1980, vol.58, 1 2,p, K157-K159.

27. Kalb A., Leute V. The miscibility gap of system GdSe-HgSe. -Ehys.Stat.Sol., (a), 1971, vol.5, № 3, p.K199-K201.

28. Slodowy P.A., Giriat W. The dependence of the Energy gap on the composition in the mixed crystals С^хЯ^^х3®' Ehys.Stat. Sol., (Ъ), 1971, vol.48, №2, p.463-466.

29. Iwanowski R.J., Dietl Т., Srymanska W, Electron mobility and electron Scattering in Cd^Hg^^Se BiixecL crystal. J. Phys.

30. Chem.Sol., 1,978, vol.39, №10, р.1059-Ю70.

31. Kelson D.A., Broerman J.G., Summers C.J., Whitsett C.H. Electron transport in the Hg^^Cd^Se alloy system, Phys. Re v., B, 1978, vol.18, Ш 4, p.1658-1672.

32. Mariano A.N., Warekois E.P. High pressure phases of some compounds of Groups II-VI. Science, 1963, vol.142,p.672-673.,

33. Ford P.L., Miller A, J., Saunders G.A., Yogurtcu У.К., iFurdi-na J.M., Jaczyncki M. The effect of pressure on the elastic constants of mercury selenide up to phase transition. J. Phys.C: Solid State Hays., 1982, vol.15, hi 4, p.657-671.

34. Jayaraman A., Klement W, Jr, Kennedy G.C, Melting and poli-morphic transitions for Some Group II-VI compounds at high pressure. Ehys.Rev., 1963, vol.130, Ш 6, p.2277-2283.

35. Омельченко А.В., Сошников В.И. О фазовой диаграмме ЩТе . -Изв. АН СССР, неорг.матер., 1982, т.18, № 4, с.685-686.

36. Омельченко А.В., Сошников В.И. О фазовой диаграмме Изв. АН СССР, неорг.матер., 1980, т.16, * 5, с.928-929.

37. Lac am A., Peyronneau J., Engel L.J,, Lombos B.A. Pressure-induced phase transitions in mercury chalcogenides. Chem.Phys. Lett, 1973, vol.18, Ш 1, p.129-131.

38. J.Phys., 1976, vol.54, Ш 1, p.48-55.

39. Blair J. $ Smith A.C* Phase transition in mercury telluride. — Phys.Rev,Lett., 1961., vol.7, N2 4, p.124-125.

40. Pitt G.D., McCartney J.M., Lees J., Wright D.A. Electrical and phase properties of alloys at high pressures J.Phys.D: Appl.Ehys., 1972, vol.5, № 7, p.1330-1343.

41. Morissy J.H., Pitt G.D., Vyas M.K.R. High pressure electrical and phase properties of alloys. J.Ehys.C: Solid State, 1974, vol.7, № 4, p.113-126.

42. Minomura S#, Samara G.A., Drickamer H.G. Temperature coefficient of resestantce of High pressure phase in Si, Ge and Some. III-V and II-VI compounds. - J.Appl.Phys., 1962, vol.33, N111, p.3196-3197.

43. Jonson R.T., Horosin I.B. High pressure effects on the resistivity of Single-crystal Gadmium Sulphide. High temp.-high pressure, 1976, vol.8, № 1, p.31-44.

44. Edwards A.L., Drickamer H.G. Effect of pressure; on the absorption Edges of Some III-V, II-VI and I-VII compounds. -Phys.Rev., 1961, vol.122, №4, p.1149-1157.

45. Owen N.B., Smith P.L.Martin J.E., Wright A.J. X-ray diffraction of ultra-high pressure. J.Phys.Chem.Solids, 1963, vol.25, № 12, p.1519-1524.

46. Bundy F.P. Ultrahigh pressure apparatus using cemented tungsten carbide pistons with sintered diamond tips. Rev.Sci. Instrum., 1975, vol.46, № 10, p.1318-1324.

47. Aicardi J.-P- Contribution al1 etude des barges, bandes demission du cinabre (HgS-<>0. These doct.sci.phys., Univ.sci. techn., Languedoc, 1977. - 174 p.

48. Doni E., Eesca L., Rodriquez S., Becker W.M. Electronic energy levels of cinnabar ( oC- HgS). Phys.Rev.B, 1979, vol.20, № 4, p.1663-1668.

49. Pai M., Buttrey D., Joshi G.M., Honig J.M. Electrical and magnetic properties of c<e- HgS (cinnabar). Phys.Rev.B, 1981, vol.24, N2 2, p. 1087-1088.

50. Butti C., Raymond Д., Bombre F. Effect photo Hall du cinabre.-Phys.Stat.Sol.(a), 1976, vol.36, № 1, p.133-137.

51. Брэдли К. Применение техники высоких давлений при исследованиях твердого тела. М.: Мир, 1972. 231 с.

52. Механические свойства материалов под высоким давлением / подред. Х.Л.Пью. М.: Мир, 1973, т.1, 296 с.

53. Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.P., Uliyanitskaya U.M. Measurements of the thermoelectric properties of metals and semiconductors at quasihydrostatic pressures up to 60 kbar.1.Bismuth. High temp.-high press., 1973» vol.5, № 3, p.261-264.

54. Кузьмин P.H., Опаленко А.А. Методы создания и измерения давления в мессбауэровских экспериментах. Приборы и техника эксперимента, 1981, № 6, с.7-16.

55. Jayaraman A. Diamond anvill cell and high pressure physical investigation. — Rev.of modern Physics, 1983» vol.55» J® 1» p.65-108.

56. Ицкевич E.G. Бомба высокого давления для работы при низких температурах. Приборы и техника эксперимента, 1963, № 4, с.148-151.

57. Князева Г .Г., Краснопевцева Т.В., Парецкая В.М. Новый немагнитный нержавеющий сплав с высокой твердостью и износостойкостью. Сб.научн.трудов ЩИИ ЧМ. - М., 1971, вып.78, с. 134-137.

58. А.С. № 835824 (СССР). Камера высокого давления / В.В.Щенни-ков. Опубл. в Б.И., 1981, № 21.

59. Whalley Е., Laverhne A. Area Hydraulic Seal for pressure of 50 kilibar. Rev.Soi.Instrum., 1976, vol.47, NS 1, p.136-137.

60. Bridgmari P.W. Physics of high, pressure. New York-Dover, 1970. 398 p.

61. Ицкевич Б.С. Исследование и развитие низкотемпературных камер с фиксированным гидростатическим давлением* В кн.: Физические исследования при высоких давлениях / под ред. А.ИЛайсаа-ра. - Таллин, 1977, чЛ, с. 146-152.

62. Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov A.P. Device of toroid type for High temp.-high press., 1977, vol.9, I® 6,p.637-639.

63. Fuhs W., Schlotter P., Stuke J. Electrical and optical properties of amorphous and monoclinic Se under very high pressure. Ehys.Stat.Sol.(b), 1973, vol.57, Ш 2, p.587-592.

64. Степанов Г.Н. Автономные камеры высокого давления для исследования эффекта Мессбауэра при низких температурах. Приборы и техника эксперимента, 1980, № I, с.200-203.

65. Верещагин Л.Ф., Избранные труды. Твердое тело при высоких давлениях. М.: Наука, I98I. 288 с.

66. Karunakaran С., Vijayakumar V., Vaidya S.N., Kunte N.S., Surykarayana S.S. Effect of pressure ort electrical resistivity and thermoelectric power of FeS. Mat.Rev.Bull., 1980,vol.15, № 2, pi.201-206.

67. Демчук K.M., Цидильковский И.М., Родионов К.П. Явления переноса в легированном антимониде индия при высоких давлениях. -ЯГТ, 1965, т.7, с.1561-1562.- I7E

68. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (справочник). Киев: Наукова Думка, 1979, - 768 с.

69. Sakai IT., Takemura К., Tsujji К. Electrical properties of highpressure metallic modification of Iodine. J.Phys.Soc.Jap., 1982, vol.51, № 6, p.1811-1816.

70. Брандт Н.Б., Кувшинников С.В., Минина Н.Я., Скипетров ЕЛ. Способ повышения гидростатичности сжатия при низких температурах в бомбах фиксированного давления. Приборы и техника эксперимента, 1973, № 6, с.160-163.

71. Потапов Г.А. Исследование осцилляций Шубникова-де Гааза в узкощелевых полупроводниках Hy .Se и Inx Автореферат канд.дисс. ^ Свердловск, Ш УНЦ АН СССР, 1980.-19 с,

72. Гавалешко Н.П., Паранчич С.Ю., Паранчич Л.О. Термоэлектрическая эффективность узкозонных твердых растворов Cdx fy^Se.

73. Укр.физ.ж., 1975, т.20, № II, с.1923-1925.7ge Dietl Т., Szymanska W. Electron Scattering in HgSe. J.Phys.

74. Chem.Solids, 1978, vol.39, № 10, p.1041-1057.

75. Ramesh T.G., Shubha V. Transport properties under pressure in HgSe.- J.Phys. Cs Solid State Phys., 1982, vol.15, № 30,p.6193-6198.

76. Блум А.И., Регель A.P. Электрические свойства твердых растворов селенида ртути и селена. ЖТФ, 1951, т.21, № 3, с.316-327.

77. Lehoczky S.L., Broerman L.G., Nelson D.A., Whitsett C.R. Temperature-dependent electrical properties of HgSe. Phys.Rev. E, 1974, vol.9, Ш 4, p.1598-1620.

78. Глузман Н.Г., Щенников B.B. Исследование фазы высокого давления HgSe . ОТТ, 1979, т.21, № 10, с.3192-3194.

79. Krevs Y.E., Xutsiv R.V,, Pashkovski M.V,, Petrov P.P. Temperature dependence of the intrinsic concentration of mercury selenide. Phys.Stat.Sol.(a), 1974, vol.65, p.K43-K45.

80. Гусева Г.И., Цидильковский И.М. Явления переноса в п- InS&. mt 1962, т.4, № 9, с.2490-2506.

81. Сабирзянова Л.Д. Особенности эффекта Шубникова-де Гааза в узкощелевых полупроводниках. Автореферат канд.дисс. Свердловск, ИШ УНЦ АН СССР, 1981.

82. Щенников В.В., Гавалешко Н.П., Глузман Н.Г., Паранчич Л.Д. Структурный фазовый переход в сплавах Colx. Sz. . ФГТ, 1980, т.22, № 9, с.2868-2870.

83. Глузман Н.Г., Цидильковский И.М., Щенников В.В. Фазовые переходы в соединениях ИCdx S'e. , вызванные высоким давлением до 100 кбар. В сб.: Влияние высокого давления на структуру и свойства материалов / ИСМ АН УССР, Киев, 1983, с.18-21.

84. Абрикосов Е.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Халькогениды П,1У и У групп периодической системы. М.:Наука, 1967. -176 с.

85. Щенников В.В., Глузман Н.Г. Термоэдс гексагонального селенида ртути. ОД, 1982, т.15, № 4, с.715-717.

86. Ohtani A., Seike Т., Motohayashi Ш,, Onodera A. The electrical properties of HgTe and HgSe under very high pressure. — J.Phys.Chem.Solids, 1982, vol.43, Ш 7, p.627-632.

87. Щенников 5.5., Глузман Н.Г. Переход бесщелевой полупроводник-полупроводник-металл в теллуриде ртути под давлением. ФГГ,1981, т.23, № 10, с.3091-3094.

88. Цидильковский И.М., Щенников В.В., Глузман Н.Г. Металлизация халькогенидов ртути в условиях сверхвысокого давления. ФГТ,1982, т.24, № 9, с.2658-2562.2

89. Bridggian P.W. The compression of 39 substance to 100,000 fcg/cm . Ppoc.Amer.Acad.Arts.Sci., 1943» vol.76, p.55-70.

90. Цидильковский И.М., Щенников B.B., Глузман Н.Г. Термоэдс халькогенидов ртути при сверхвысоком давлении. ФГП, 1983, т.16, № 5, с.958-860.

91. Глузман Н.Г., Цидильковский И.М., Щенников В.В. Явления переноса в халькогенидах ртути при сверхвысоком давлении. В сб.: Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982, т.1, с.139-140.

92. Dunn K.J., Bundy P.P. Behavior and properties of Sulfur atpressures 300 kbar and higer. irn book; High pressure Science and Technology. Sixth AIRAFT conference, Plenum Press, Hew York and London, 1979, vol.1, p.172-176.

93. Dunn K.J., Bundy F.P. Electrical behaviour of sulfur up to 600 kbar metallic state. - J.Chem.Phys., 1977, vol.67,

94. K? 11, p.5048-5053* 102. Golopentia D.A., Ruoff A.L. Behavior of Sulfur at high pressures and low temperatures. J.Appl.Phys., 1981, vol.52, № 3, p.1328-1331.

95. Werner A,, Sanjjurio'o I.A., Cardona M. X-rays investigation of the phase transition in the GexSi^x Solid solutions at high pressure, Sol.State Conmmns., 1982, vol.42, p.155-158.

96. Doerre G,, Joannopoulos J.D. Electronic States of Те above the high-pressure phase transition. Phys.Rev,Letters, 1979» vol.43, № 14, p.1040-1043.

97. Aoki K., Shimomura 0., Minomura S. Crystal structure of the high-pressure phase of Tellurium. Technical report of ISSP, 1979, Ser.A., N1 983, p.1-19.

98. Werner A., Hochheimer H.D., Strossnor K., Jayaraman A. High-pressure X-ray diffraction studies on HgTe and HgS to 20 GPa.-Phys.Rev., B, 1983, vol.28, №6, p.3330-3334.

99. Huang Т., Ruoff A.L. Pressure-induced phase transitions of HgTe. Phys.Stat.Sol.(a), 1983, vol.77, p.K193-K197.

100. Hung Т., Ruoff A.L, Pressure-induced phase transitions of HgSe.-Phys.Rev.В., 1983, vol.27, N? 12, p.7811-7812.

101. Huang T., Ruoff A.L. Pressure-induced phase transition of HgS.- J.Appl.Phys., 1983, vol.54, № 9, p.5459-5461.

102. Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. М.: Наука, 1979. 192 с.

103. Мотт Н.ф. Переходы металл-диэлектрик. М.: Наука, 1979. -344 с.

104. Емельяненко О.В., Лагунова Т.С. Аномальное магнитосопротив-ление в соединениях A$Bs при низких температурах. В сб.: Труды Всесоюзной конф. по физике полупроводников, Баку, 1982, т.1, с.167-168.

105. Альтшуллер Б.А., Аронов А.Г., Ларкин А.И., Хмельницкий Д.Е. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках. ЖЭТФ, 1981* т.81, № 2, с.768-783.