Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах

Чемеркина, Маргарита Викторовна

Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Чемеркина, Маргарита Викторовна АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Тамбов МЕСТО ЗАЩИТЫ

2005 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах»

Автореферат диссертации на тему "Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах"

На правах рукописи

ЧЕМЕРКИНА Маргарита Викторовна

ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДА ДИСЛОКАЦИЙ И ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ УФ ДИАПАЗОНА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ И ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

Специальность 01.04.07 - физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Тамбов 2005

Работа выполнена в Тамбовском государственном университете им. Г.Р. Державина

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук, профессор Федоров В.А.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Хоник В.А.;

кандидат физико-математических наук, доцент Плотников В.П.

Ведущая организация:

Белгородский государственный университет, г. Белгород

Защита состоится 25 ноября 2005 г. в 19:00 на заседании диссертационного совета К212.261.02 при Тамбовском государственном университете им. Г.Р. Державина по адресу: 392622, г. Тамбов, ул. Интернациональная, 33, корп. 2, ауд. 427.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Тамбовского государственного университета им. Г.Р. Державина

Автореферат разослан 22 октября 2005 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Тюрин А.И.

ПЮ 3

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. В настоящее время появляются и интенсивно развиваются новые области техники и науки, базирующиеся на широком использовании своеобразных, а порой и уникальных свойств монокристаллов.

Широкое использование получили кристаллы, в которых проявляются различные эффекты: пьезоэффект, пьезооптический эффект, пироэффект, магнито - и электрострикция и др. Показано также, что в щелочногалоидных кристаллах наблюдается явление магнитопластичности - увеличение подвижности дислокаций при воздействии относительно слабого магнитного поля. Особое значение в этом плане приобретают исследования, направленные на изучение реакции кристалла при комбинированном на него воздействии: механическое и магнитное или электрическое поле, механическое воздействие и облучение и т.д. Поведение кристалла зачастую непредсказуемо, а проведение исследований в этом направлении несомненно актуально, т.к. монокристаллы и изделия из них нередко эксплуатируются в экстремальных условиях: вибрации, низкие и высокие температуры, действия ионизирующего излучения и др. В связи с этим повышаются требования к качеству монокристаллических материалов и изделий из них, а также к установлению режимов их эксплуатации, при которых обеспечивается надежность и долговечность работы устройства в целом. Актуальны также задачи целенаправленного изменения свойств кристаллов при внешних комплексных воздействиях.

В ряде кристаллов, используемых в оптике, имеет место механическое двойникование. Механические двойники являются концентраторами напряжений, что представляет определенную опасность с точки зрения зарождения микротрещин. В связи с этим исследование механизмов зарождения трещин при двойниковании, представляется актуальным.

В то же время двойникование является одним из видов деформации, в объяснении которой существует ряд неопределенностей и, следовательно, еще не выработаны четкие критерии и не определены условия возникновения трещин.

Эти и другие проблемы, связанные с использованием монокристаллов в науке и технике, а также исследование поведения их при комплексных воздействиях делают в целом актуальными изыскания, направленные на изучение поведения ионных кристаллов, широко используемых в оптике, при одновременном воздействии на них механических и электромагнитных полей.

Цель работы. Работа посвящена исследованию влияния электромагнитного излучения УФ диапазона на движение дислокаций в ионных кристаллах, а также установлению роли электрического заряда дислокаций при зарождении трещин в вершинах дислокационных скоплений.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи:

1. Определить механизм и характер зарождения ТРЩ^^^^к 0Г#?нице свободного упругого двойника в кристаллах исландского шпат^------.«-»г-^

2. Определить распределение растягивающих напряжений вдоль границы свободного упругого двойника в кристаллах исландского шпата и их роль в докритическом подрастании трещины;

3. Предложить и рассчитать дислокационную модель границы упругого двойника, позволяющую адекватно отражать напряженное состояние в вершинах скоплений;

4. Оценить влияние заряда дислокаций на величину критических скалывающих напряжений в плоских и пересекающихся дислокационных скоплениях;

5. Сопоставить величины электрической и механической прочностей для щелочногалоидных кристаллов и соединений типа А2В6 при образовании в них плоских дислокационных скоплений;

6. Исследовать влияние электромагнитного излучения УФ диапазона на релаксационное подрастание свободного упругого двойника в исландском шпате и на величину пробега дислокаций в щелочногалоидных кристаллах;

7. Предложить механизм влияния УФ излучения на движение дислокаций в ионных кристаллах.

Научная новизна работы заключается в том, что:

1. Впервые экспериментально определен термоактивированный характер зарождения микротрещин на границе упругого двойника в кристаллах исландского шпата. Найдена энергия активации процесса образования разрушения, составившая 0,22 эВ, что сопоставимо с энергией активации, полученной в аналитических расчетах;

2. Аналитически установлена немонотонная зависимость величины растягивающих напряжений вдоль некогерентной границы упругого двойника, положение максимума на которой определяет область зарождения трещины, что подтверждается экспериментом;

3. Показано, что попарное расположение дислокаций в границах упругого двойника энергетически не выгодно. Последовательное расположение дислокаций в границах двойника позволяет моделировать его ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций, что является допустимым в силу несоизмеримости расстояний между дислокациями в сравнение с межплоскостным расстоянием. Полученные при этом условия зарождения трещин могут быть использованы для различных двойникующихся материалов;

4. Установлено, что учет электростатического взаимодействия заряженных дислокаций скопления приводит к увеличению критических скалывающих напряжений зарождения трещины, зависящих от соотношения упругих и электрических констант и пропорциональных квадрату линейной плотности заряда дислокаций. Впервые показано, что эффект упрочнения может достигать 100-200%;

5. Впервые оценена напряженность электрического поля в вершине плоского скопления краевых заряженных дислокаций и сопоставлена с механической прочностью. Установлено, что в щелочногалоидных кристаллах механическое разрушение предшествует электрическому пробою, а в соединениях тша А2В6 величины электрической и механической

прочностей сопоставимы;

6. Впервые показано, что воздействие электромагнитного излучения УФ диапазона изменяет условия движения двойникующих дислокаций, что проявляется в более интенсивном релаксационном росте упругого двойника в кристаллах исландского шпата, а также в увеличении пробегов дислокаций в щелочногалоидных кристаллах;

7. Предложен механизм, способствующий преодолению дислокациями в ионных кристаллах стопоров, основанный на взаимодействии дислокации с низкоэнергетическими экситонами, образующимися при воздействии УФ и рентгеновского излучения.

Научная ценность и практическая значимость работы.

1. Полученные в работе экспериментальные результаты по влиянию УФ излучения на пластичность ионных кристаллов могут быть использованы при разработке теорий прочности и пластичности для материалов, работающих при воздействии ионизирующего излучения, а также при оптимизации режимов эксплуатации радиационно-нагруженных изделий.

2. Контроль электрической активности кристаллов с заряженными дислокациями позволит бесконтактными, неразрушающими методами определять места локализации деформации с целью последующего предотвращения зарождения разрушения или электрического пробоя.

3. Установленный термоактивированный характер зарождения трещин в кристаллах исландского шпата позволит оценивать вероятность зарождения трещин в изделиях оптики при тех или иных режимах эксплуатации, связанных с механическим нагружением.

4. Рассмотренные дислокационные модели двойниковых границ и найденные критерии зарождения разрушения позволяют прогнозировать возможность зарождения трещин в различных механически двойникующихся материалах.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Результаты по определению термоактивированного характера зарождения микротрещин на границе упругого двойника в кристаллах исландского шпата.

2. Результаты анализа напряженного состояния материала вдоль границы упругого двойника в кристаллах исландского шпата, позволяющие определять не только участок зарождения трещины, но и объяснить причины ее докритического подрастания.

3. Модель двойниковой границы, представленной ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций, позволяющую адекватно оценивать напряженное состояние в вершинах ступенчатых скоплений и формулировать критерии зарождения трещин.

4. Результаты анализа скоплений заряженных дислокаций, показывающие, что увеличение критических скалывающих напряжений при зарождении трещин зависит от соотношения упругих и электрических констант кристалла и пропорционально квадрату линейной плотности заряда.

5. Результаты сопоставления электрической и механической прочностей для щелочногалоидных кристаллов и для соединений типа А2В6.

6. Экспериментальные результаты по влиянию электромагнитного излучения УФ диапазона на движение дислокаций в ионных кристаллах (скользящих в щелочногалоидных кристаллах и двойникующих в исландском шпате).

7. Воздействие малых доз ионизирующего излучения на ионные кристаллы, приводящее к увеличению длины пробегов дислокаций в щелочногалоидных кристаллах и увеличению релаксационного подрастания упругого двойника в кристаллах исландского шпата, основанное на взаимодействии дислокаций с низкоэнергетическими экситонами и механизм, способствующий преодолению стопоров дислокациями.

Апробация работы.

Результаты исследований докладывались на международной конференции EPS-12 (Hungary, Budapest 2002), на III Международной конференции "Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений" (Тамбов 2003), на VIII Международном семинаре "Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий" (Обнинск 2005), на второй Международной конференции по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века", посвященная памяти М.П. Шаскольской (Москва 2003), на XV Международной конференции "Физика прочности и пластичности материалов" (Тольятти 2003), на четвертой Международной конференции молодых ученых и студентов "Актуальные проблемы современной науки" (Самара 2003), на III Международной конференции "Фазовые превращения и прочность кристаллов" (Черноголовка 2004) на "XV Петербургских чтениях по проблемам прочности" (Санкт - Петербург 2005), на конференции "Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий" (MHT-VIII) (Обнинск 2005), на научных конференциях преподавателей и сотрудников ТамбГУ (2002-2005).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов по работе и списка цитируемой литературы из 160 наименований. Работа изложена на 135 страницах текста, включающих 53 рисунка и 2 таблицы.

Личный вклад автора. В работах, выполненных в соавторстве, автору принадлежит сборка и отладка экспериментальных установок, проведение экспериментов, выполнение расчетов, обработка полученных результатов, участие в их обсуждении и написании статей.

Работа поддержана Российским Фондом Фундаментальных исследований (грант № 02-01-01173 и № 05-01-00759) и фантом поддержки научно-исследовательской работы аспирантов вузов (№ А04-2.9-1161).

Публикации. Основное содержание диссертации опубликовано в 18 работах (в 9 статьях и 9 тезисах региональных и международных конференций) [1-18].

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулированы цель и задачи исследования, практическая значимость, научная новизна, перечислены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит обзор и анализ литературных данных по теме диссертации.

Рассмотрены основные виды деформаций кристаллических структур: двойникование, скольжение, сбросообразование, диффузионные и бездиффузионные механизмы деформации.

Проведен анализ работ, посвященных исследованию зарождения, распространения и залечивания трещин в ионных кристаллах и других материалах.

Особое внимание уделено вопросам воздействия различных видов излучения, начиная от видимого света до коротковолнового диапазона длин волн, на вещество. Проанализированы явления, происходящие в кристаллических материалах при воздействии ионизирующего излучения: люминесценция, образование и разрушение радиационных дефектов. Рассмотрено влияние этих дефектов на деформацию и разрушение кристаллов.

Проанализированы результаты работ по определению величины электрического заряда дислокаций.

В заключении обзора сформулирована цель работы и поставлены задачи исследования.

Вторая глава посвящена экспериментальному и аналитическому исследованию характера и причин образования трещин на границе свободного упругого двойника в кристаллах исландского шпата.

Изучение процесса зарождения трещин проводили на образцах кристаллов исландского шпата размером 8x8x10 мм. Упругий двойник в кристалле получали по методике Р.И. Гарбера [1]. Эксперименты проводили при фиксированных температурах 303 К, 333 К, 363 К, 393 К, 423 К. Кристаллы нагружали посредством стального сферического индентора Я=1,5 мм. Зародившийся при этом упругий двойник просматривался в виде тонкого лепестка с интерференционной окраской.

В ходе экспериментов установлено, что при некоторой критической нагрузке на сферический индентор на границе упругого двойника зарождается микротрещина по плоскости спайности, расположенная в хвостовой части двойника ~ на 1/3 его длины. При нагрузках, незначительно меньших критической, для зарождения трещин необходима была некоторая временная выдержка - т, величина которой зависела от температуры, указывающая на термоактивированный характер зарождения трещин. По результатам эксперимента была построена зависимость 1пт от обратной температуры 1/Т. Зависимость является линейной, что позволило найти значение энергии активации зарождения микротрещин на границе упругого двойника, составившее ~ 0,22 эВ. Это хорошо коррелирует с аналитически найденным значением 0,5 эВ, полученным для термоактивированного

10 б о о

-5 0 -б -10

л X

X X X X а)

^ X X X 6)

X х А X |ду

Л в)

АХ

зарождения трещин в ступенчатом скоплении прямолинейных отрезков краевых дислокаций.

Далее было выполнено сопоставление различных дислокационных моделей упругого двойника (рис. 1):

а) одинарное ступенчатое распределение дислокаций, расположенных последовательно в границе двойника;

б) двойное ступенчатое скопление последовательно распределенных дислокаций в границах двойника;

в) двойное ступенчатое скопление дислокаций, расположенных в границах двойника попарно;

Рис. 1.

Расположение дислокаций в границах двойника:

а) - одиночное скопление,

б) - двойное асимметричное скопление,

0.025 0.050 0,075 0,1000 В) " да0ЙН0е

симметричное

скопление.

Показано, что расположение дислокаций в границах двойника по варианту в) энергетически невыгодно. Такое равновесное расположение дислокаций неустойчиво в силу несоизмеримости расстояния между дислокациями в направлениях х и у (Ах >>Лу).

Оценка напряженного состояния в вершинах дислокационных скоплений по вариантам а) и б) показала их совпадение с достаточно высокой точностью. На основании этого был выбран вариант а) для моделирования упругого двойника одинарным ступенчатым скоплением прямолинейных отрезков двойникующих дислокаций.

При заданных: внешней нагрузке, напряжениях трения и с учетом, что головная дислокация испытывает удвоенную величину сил трения, было найдено равновесное распределение дислокаций, показавшее, что линейная плотность дислокаций по мере приближения к хвостовой части двойника возрастает в несколько раз. Используя выражение для компонент тензора напряжений от дислокации, находим суммарную величину растягивающих напряжений <тхх, действующих вдоль границы двойника.

Из анализа распределения напряжений сг^ видно, что максимум растягивающих напряжений смещен к хвостовой части двойника, причем сам максимум является "плавающим", т.е. по мере удаления от границы двойника максимум смещается в сторону вершины таким образом, что положение плоскости с о^гшах практически совпадает с положением плоскости спайности. Следовательно, основной причиной, вызывающей рост, зародившейся при слиянии дислокаций трещины, является ее расположение в плоскости с

практически максимальными ахх.

Аналитически была определена форма свободного упругого двойника, а также установлено, что она не зависит от величины сил трения решетки. С увеличением сил трения двойник лишь сокращает свою длину.

Третья глава посвящена оценке влияния заряда дислокаций на зарождение трещин в вершинах плоских скоплений дислокаций (модель Зинера-Стро) в силовом и термоактивированном подходах, а также рассмотрению зарождения трещин в пересекающихся скоплениях дислокаций (модель Котрелла) при изменяющихся геометрических параметрах скоплений в рамках термоактивированного подхода и с учетом заряда на дислокациях.

1. Используя равновесные положения дислокаций в плоском заторможенном скоплении, Стро показал, что максимальные растягивающие напряжения действуют в плоскости, составляющей с плоскостью скольжения дислокаций угол ~ 70°. Им же было получено условие зарождения трещины в предположении, что головные дислокации сливаются при расстоянии между ними й=Ъ,

пт = 1,84у4/6, (1.1)

где А = (7й/2я(1-у), п - число дислокаций в скоплении, т - величина

приложенного напряжения, (7 - модуль сдвига, V - коэффициент Пуассона, Ь — вектор Бюргерса.

Условие зарождения трещин в скоплении нейтральных дислокаций (1.1) легко обобщается на случай заряженных дислокаций. Действительно, из-за одинакового изменения с расстоянием упругих напряжений и напряженности электрического поля дислокации, рассматриваемой как нить с некоторой линейной плотностью заряда, все интересующие нас зависимости могут быть получены из соответствующих выражений для нейтральных дислокаций перенормировкой константы силового взаимодействия.

Ограничимся случаем, когда расстояния между дислокациями существенно меньше их линейных размеров. Тогда дислокацию можно представить бесконечной заряженной нитью с линейной плотностью заряда X. Электрическое поле, связанное с дислокацией, определится выражением

Е{г) = — . (1.2)

ЕГ

Соответственно сила, действующая на единицу длины дислокации, будет равна

Пг) = — (1.3)

ЕГ

Формально наличие электрического заряда на дислокации можно учесть простым увеличением вектора Бюргерса в соответствии с соотношением

В состоянии равновесия координаты дислокаций х, будут удовлетворять системе уравнений:

еЬ *г" х.

- О'

/=2,3,...«

(1.5)

Поскольку как упругие, так и кулоновские силы убывают с расстоянием одинаково, как уравнения (1.5) отличаются от уравнений равновесия г

нейтральных дислокаций только постоянным множителем - 0+к).

Поэтому все интересующие нас зависимости могут быть получены из соответствующих выражений заменой Ъ на Ъ . А именно, условие зарождения трещины в вершине заторможенного скопления будет таким:

. А + 2Х2/гЬ ....

т =1,84---, (1.6)

то

или

пт = 1,84Л(1+ *)/«/ (1.7)

Здесь т* - критическое значение внешнего напряжения для скопления заряженных дислокаций. Очевидно, что

т /т,=Ь /Ь, Тк

- величина внешнего

напряжения, соответствующего образованию трещины при учете только упругого взаимодействия дислокаций; тЬ=с1 - расстояние между заторможенной дислокацией и ближайшей к ней, ш - коэффициент, близкий к единице. В частности, т=1 в силовой модели безактивационного слияния дислокаций и ш < (7-10) в модели, учитывающей термические флуктуации.

2. В термоактивированном подходе рассмотрены три стадии зарождения трещины: а) образование парного перегиба длиной I и глубиной й-Ь на дислокации, ближайшей к запертой; б) образование зародыша микротрещины длиной / в ядре двойной дислокации; в) расширение зародыша микротрещины по длине дислокации. При й<5Ь энергетический барьер полностью определяется первой стадией процесса и для 1=2Ъ его высота не превышает 2АЬ3.

Была рассчитана энергия активации зарождения микротрещины с учетом электрического заряда дислокаций. Краевые сегменты считали заряженными с линейной плотностью заряда X, а винтовые - нейтральными. Изменение энергии АXV при образовании парного перегиба будет равно

ДЖ = ДЖ, +ЫУ2 , (1.8)

где - соответствуют упругому взаимодействию дислокационных

сегментов, - электростатическому взаимодействию.

В ходе преобразований для энергии образования парного перегиба окончательно имеем:

га

№ = АЬ(1 + к)

/1п

+ АЬ(1

2а/

♦,-,-.1-5

(1.9)

д1п

¿(5 + а)

+ Б-1

3. Аналитическое решение задачи о распределении дислокаций в пересекающихся скоплениях в рамках континуального представления скоплений было получено в [2] для угла 90° между плоскостями скольжения.

Нами было рассмотрено зарождение трещины при пересечении под произвольным углом скоплений заряженных краевых дислокаций в дискретном представлении. Оценки показывают, что геометрический фактор очень сильно влияет на критические напряжения т и число дислокаций п. Так для одинакового числа дислокаций в скоплениях критические напряжения при 9=90° и 0=180° будут отличаться более чем на два порядка (~9106 Па/см2 и 2109 Па/см2 соответственно для «=50).

Показано, что наличие заряда на дислокациях заметно изменяет их равновесные положения. Величины координат возрастают, а линейность, характерная для одиночного скопления, не сохраняется. Наибольшее относительное смещение имеют дислокации, расположенные ближе к вершине скопления. Поскольку именно <1 определяет напряжение зарождения трещины, зависимость й от плотности заряда будет иметь место для критических напряжений т и в случае пересекающихся скоплений заряженных дислокаций.

Проведено сравнение механической и электрической прочностей кристаллов при образовании в них плоских скоплений заряженных дислокаций, установлено, что возникновение электрического пробоя при пластической деформации щелочногалоидных кристаллов является событием маловероятным. В данных кристаллах электрические эффекты, связанные с зарядом на дислокациях, не будут проявляться полностью, т.к. им будет предшествовать механическое разрушение кристалла. В полупроводниковых материалах типа А2В6 величины механической и электрической прочностей сопоставимы. Реализация каждого из критических событий будет определяться индивидуальным сочетанием электрических и механических свойств кристалла.

Четвертая глава посвящена исследованию влияния ультрафиолетового излучения на поведение дислокаций в ионных кристаллах.

При исследовании условий зарождения трещины на границе упругого двойника в исландском шпате было обнаружено влияние УФ излучения на подрастание статического упругого двойника в кристаллах при постоянной внешней нагрузке.

Эксперименты были поставлены следующим образом. В кристаллах получали упругий двойник воздействием сферического индентора. Нагрузку оставляли постоянной, а длину упругого двойника измеряли в течение нескольких часов, до тех пор, пока релаксационный рост двойника не прекращался.

В следующей серии экспериментов при прочих равных условиях кристалл с упругим двойником находился под воздействием УФ излучения. Фиксировалось его релаксационное подрастание при воздействии постоянной нагрузки и совместном воздействии УФ облучения. Было отмечено неравноценное изменение длины упругого двойника, что, по-видимому,

обусловленно изменением условий движения двойникующих дислокаций, в частности, за счет более легкого преодоления стопоров.

"Упругий" двойник представляет собой ансамбль двойникующих дислокаций, что существенно затрудняет исследования поведения индивидуальных дислокаций, например, при УФ воздействии. В связи с этим, влияние УФ излучения на поведение индивидуальных дислокаций, а также их ансамблей было исследовано на другом типе ионных кристаллов -щелочногалоидных (ЫаС1, КС1,1ЛР).

Эксперименты проводили на оптически шюзрачных монокристаллах с количественным содержанием примесей от 10" до 10~3 вес.%. Из крупных блоков выкалывались образцы размерами а) - 10x10x2 мм и б) - 5x5x10 мм.

На образцах серии а) исследовали зависимости длины свободного пробега дислокаций в лучах дислокационных розеток винтовой и краевой ориентаций, полученных воздействием индентора ПМТ - 3 (пирамида Виккерса), от величины и времени воздействия нагрузки при одновременном УФ облучении образцов. Использовали нагрузки 10, 20, 40 грамм. Время облучения: 1, 3, 5,20,40 и 60 минут.

Для облучения монокристаллов ультрафиолетовыми лучами применялась установка, в основе которой использовалась ртутно-кварцевая лампа ПРК-2, инфракрасная часть спектра которой отсекалась водяным фильтром. Используемый диапазон длин волн УФ составлял 250-350 нм.

Образцы серии б) подвергали сжатию в испытательной машине 1пз1гоп - 5565 со скоростью движения сжимающих пластин 0,01 мм/мин. Сопоставлялись кривые деформации образцов, нагружаемых без воздействия ультрафиолетового излучения, при одновременном воздействии последнего и образцов, подвергнутых предварительному облучению.

Установлено, что в образцах серии а) индентирование и одновременное облучение образцов ультрафиолетом увеличивает величину пробега головных дислокаций в дислокационных розетках, как краевой, так и винтовой ориентации.

Отмечено, что влияние УФ облучения неравноценно для различных времен экспозиции. При малых временах (до 5 минут) величина пробега возрастает. Длина лучей увеличивается на »50%. При дальнейшем увеличении времени воздействия ультрафиолета длина лучей сокращается до размеров, соответствующих нагружению без облучения. Эффект наблюдается на дислокационных лучах краевых и винтовых ориентаций и наиболее выражен при небольших нагрузках (в наших экспериментах - 10 грамм).

Установлено влияние действия УФ излучения на механический отклик ионных кристаллов, деформирующихся при сжатии скольжением. Выявлено, что при одновременном УФ облучении и нагружении кристаллов наблюдается разупрочнение материала. Предел текучести достигается при меньших значениях напряжений, что может быть, связано с более легким движением дислокаций. При предварительном же облучении материала наблюдается обратный эффект - кристалл упрочняется.

В основу наблюдаемых эффектов может быть положен механизм взаимодействия дислокации в ионных кристаллах с низкоэнергетическими

экситонами [3]. Последние образуются при облучении ионных кристаллов УФ и рентгеновскими лучами. Взаимодействие экситона с заряженной ступенькой на дислокации сопровождается смещением ее на одно межатомное расстояние. Это взаимодействие вызывает увеличение винтовых составляющих дислокации при остановке ее на каком-либо стопоре. Аннигиляция винтовых отрезков сопровождается отрывом дислокации от стопора, т.е. рассмотренное дислокационно-экситонное взаимодействие способствует преодолению дислокацией стопора и обеспечивает ее более легкое движение. При дислокационно-экситонном взаимодействии образуются Р-центры, распад которых сопровождается люминесценцией. В наших экспериментах наблюдалась люминесценция щелочногалоидных кристаллов при воздействии УФ излучения и исландского шпата при рентгеновском излучении, что косвенно подтверждает действие предложенного механизма.

Действие этого механизма, по-видимому, проявляется и в случае воздействия УФ излучения на вершины трещин скола в щелочногалоидных кристаллах. При этом изменяется интегральная плотность дислокаций, сокращается длина лучей дислокационного "креста" в вершине остановившейся трещины и появляется участок реанимированной сплошности. Наблюдаемые эффекты объяснены обратимым движением дислокаций в полость трещины и стягиванием дислокационных петель в окрестности вершины трещины, связанными с изменением условий движения дислокаций при воздействии УФ излучения.

В ЗАКЛЮЧЕНИИ СФОРМУЛИРОВАНЫ ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

ПО РАБОТЕ:

1. Экспериментально установлено, что зарождение микротрещин на границе свободного упругого двойника носит термоактивированный характер. Определено значение энергии активации зарождения микротрещины, составившее 0,22 эВ, что хорошо коррелирует с величиной энергии активации, определенной аналитически при моделировании границы двойника ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций;

2. Аналитически показано, что трещина зарождается на границе двойника в области максимальной плотности дислокаций и вскрывается в плоскости спайности, практически совпадающей с плоскостью максимальных растягивающих напряжений, положение которой обусловлено немонотонным изменением плотности дислокаций в границе двойника, что показано расчетом и подтверждается экспериментально. Показано также, что дислокациям в соседних границах двойника энергетически выгодно последовательное расположение в отличие от попарного, в связи с чем моделирование границы двойника ступенчатым скоплением дислокаций является оправданным и с достаточной степенью точности отражающим реальное распределение напряжений, создаваемых в кристалле свободным упругим двойником;

3. Учет электростатического взаимодействия заряженных дислокаций приводит к более жесткому условию образования зародышевой

микротрещины в вершине плоского скопления краевых дислокаций. Возрастание критических скалывающих напряжений зарождения трещины (или увеличение числа дислокаций в скоплении) зависит от соотношения упругих и электрических констант кристалла и пропорционально квадрату линейной плотности заряда дислокаций. В области предельных плотностей заряда эффект упрочнения может достигать 100-200%. Оценена напряженность электрического поля в вершине плоского скопления заряженных дислокаций при критических скалывающих напряжениях. Установлено, что в щелочногалоидных кристаллах механическое разрушение предшествует электрическому пробою, а в соединениях типа А2 В6 величины электрической и механической прочностей сопоставимы;

4. Аналитически рассчитана энергия активации зарождения микротрещины для модели пересекающихся скоплений дислокаций в зависимости от угла между плоскостями скольжения (60°-180°), числа дислокаций в скоплениях и их электрического заряда (углы 90° и 120°). Определены критические расстояния между головными дислокациями, начиная с которых слияние дислокаций может осуществляться за счет термических флуктуаций, и соответствующие им значения внешних касательных напряжений;

5. Экспериментально установлено неравноценное релаксационное подрастание статического "упругого" двойника в ионных кристаллах исландского шпата при воздействии постоянной нагрузки и совместном воздействии постоянной нагрузки и УФ облучения, обусловленное изменением условий движения двойникующих дислокаций, в частности, за счет более легкого преодоления стопоров;

6. Установлено, что в щелочногалоидных кристаллах величины пробегов лидирующих дислокаций, генерированных индентором Виккерса, имеют максимум при небольших временах нагружения и одновременного УФ облучения. По мере увеличения выдержки воздействия на кристалл, фиксируемые величины пробегов уменьшаются и становятся сопоставимыми с величинами пробегов дислокаций при нагружении без облучения. Наблюдаемый максимум наиболее выражен для краевых дислокаций как по величине, так и по степени его локализации;

7. Предложен механизм, способствующий преодолению дислокациями в ионных кристаллах стопоров, в основе которого лежит взаимодействие дислокаций с низкоэнергетическими экситонами, образующимися в кристаллах при воздействии УФ и рентгеновского излучения. Возможность действия предложенного механизма подтверждается люминесценцией кристаллов при воздействии как УФ (щелочногалоидные кристаллы), так и рентгеновского (исландский шпат) излучения.

Список цитируемой литературы:

1. Гарбер Р.И. Образование упругих двойников при двойниковании кальцита и натронной селитры // ДАН СССР. - 1938. - Т. 21. - № 5. -С. 233 -235.

2. Владимиров В.И., Ханнанов Ш.Х. Пересекающиеся скопления

краевых дислокаций // Физика твердого тела. - 1970. - Т. 12, вып. 3. -С. 856-859.

3. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М.: Изд. иностранной литературы. - 1962. - 384 с.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

1. Тялин Ю.И., Тялина В.А., Федоров В.А., Чемеркина М.В., Бутягин А.А. Залечивание трещин в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ. -2004. - Т. 46. -Вып. 9. - С. 1614-1617.

2. Федоров В.А., Тялин Ю.И., Тялина В.А., Плужникова Т.Н., Чемеркина М.В. О зарождении трещин на границе свободного упругого двойника в кальците // Известия РАН (серия физическая). - 2004. - Т. 68. -№ 10.-С. 1484-1487.

3. Victor A. Feodorov, Tatjana N. Plushnikova, Andrei V. Chivanov, Margarita V. Chemerkina. Analitical estimation of interaction forces of tessellated charged planes depending on their relative arrangement // Proceeding of SPIE. -2003. - Vol. 5400. - P. 258-260.

4. Victor A. Feodorov, Tatjana N. Plushnikova, Andrei V. Chivanov, Margarita V. Chemerkina. Analytical estimation of interaction forces of tessellated charged planes depending on their relative arrangement // Proceeding of SPAS St. Petersburg. - 2003. - Vol.7. - P. E35-37.

5. Victor A. Feodorov, Tatjana N. Plushnikova, Andrei V. Chivanov, Margarita V. Chemerkina. Continuity restitution and coloration of alkali-halide crystals // Proceeding of SPAS, St Petersburg. - 2004. - Vol.8 - P. C23-C24.

6. Плужникова Т.Н., Чиванов А.В., Чемеркина M.B., Федоров В.А., Тялин Ю.И. Восстановление сплошности при воздействии электромагнитного излучения // Труды 4 международной конференции молодых ученых и студентов «Актуальные проблемы современной науки», Самара. - 2003. - Ч. 4-7. - С. 25-28.

7. Федоров В.А., Тялин Ю.И., Плужникова Т.Н., Куранова В.А., Чемеркина М.В. Зарождение трещин на границе свободного упругого двойника // Вестник Тамбовского государственного университета (серия естественные науки). VIII Державинские чтения (Материалы научной конференции преподавателей и аспирантов), Тамбов - 2003. - Т. 8. - Вып. - 4. С. 726-728.

8. Тялин Ю.И., Тялина В.А., Чемеркина М.В., Бутягин А.А., Федоров В.А. Термоактивированное зарождение трещин в вершине пересекающихся скоплений // Вестник Тамбовского государственного университета (Труды III международной конференции «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений»), Тамбов.-2003.-Т. 8. - Вып.4. - С. 770-771.

9. Плужникова Т.Н., Чемеркина М.В., Чиванов А.В. Залечивание микротрещин в ионных кристаллах при воздействии ультрафиолетового излучения // Вестник Тамбовского государственного университета (серия естественные науки). VIII Державинские чтения (Материалы научной

конференции преподавателей и аспирантов), Тамбов. - 2003. - Т. 8. - Вып. 1. -С. 181-182.

10. Федоров В.А., Тялин Ю.И., Куранова В.А., Чемеркина М.В. Зарождение трещин на границе свободного упругого двойника // Сборник тезисов XIV Петербургских чтений по проблемам прочности, посвященные 300-летию Санкт-Петербурга, Санкт-Петербург. - 2003. - С. 208.

11. Федоров В.А., Тялин Ю.И., Плужникова Т.Н., Куранова В.А., Чемеркина М.В. Зарождение трещин на границе свободного упругого двойника // Тез. докладов III Международной конференции «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» на базе XLI Международного семинара «Актуальные проблемы прочности». Тамбов.-2003.-С. 92-93.

12. Тялин Ю.И., Куранова В.А., Чемеркина М.В. Электрические эффекты при пластической деформации кристаллов с заряженными дислокациями // Тез. докладов III Международной конференции «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений», Тамбов. - 2003. - С. 98-99.

13. Федоров В.А., Плужникова Т.Н., Тялин Ю.И., Чиванов A.B., Чемеркина М.В. Залечивание микротрещин в щелочно-галоидных кристаллах // Сборник тезисов докладов Второй Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21 века», посвященной памяти М.П. Шаскольской, Москва. - МИСиС. - 2003. - С. 191-193.

14. Федоров В.А., Тялин Ю.И., Тялина В.А., Чемеркина М.В., Плужникова Т.Н. Зарождение и залечивание микротрещин при двойниковании кристаллов// Сборник тезисов XV Международной конференции «Физика прочности и пластичности материалов, Тольятти. 2003. С. 1-114.

15. Plushnikova T.N., Chivanov A.V., Chemerkina M.V. Behaviors of dislocations at the cracks tip cleavage from exposure to the electromagnetic radiation // Book of abstracts EPS-12: General Conference "Trends in Physics". -Budapest. - 2002. - P. 67.

16. Чемеркина M.B., Швецова E.A. Восстановление сплошности ионных кристаллов при воздействии ультрафиолетового излучения // ВНКСФ-9, Сборник тезисов. Красноярск. - 2003. - 4.1. - С. 224-226.

17. Тялин Ю.И., Тялина В.А., Федоров В.А., Чемеркина М.В., Бутягин A.A. Дислокационная структура залеченных трещин // Тез. докладов XV Петербургских чтений по проблемам прочности, посвященных 100-летию со дня рождения академика С.Н. Журкова, Санкт-Петербург. -2005. - С. 38.

18. Федоров В.А., Плужникова Т.Н., Чиванов A.B., Чемеркина М.В., Тялин Ю.И., Кириллов P.A. Воздействие малых доз ультрафиолетового и рентгеновского излучения на процессы восстановления сплошности // Тез. докладов "Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий" (MHT-VIII), Обнинск. - 2005. - С. 67.

Отпечатано в издательстве «Нобелистика» МИНЦ Лицензия ЛР № 070797 от 16.12.97. Изд. заказ № 88, тип. заказ. 105, тираж 100 экз. Объем 1,0 усл. печ. л. Подписано в печать 16.10.2005. Россия, 392680, г. Тамбов, ул. Монтажников 3, т. 56-40-24

»219 93b

РНБ Русский фонд

2006-4 17109

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Чемеркина, Маргарита Викторовна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА.

1.1. Виды деформаций кристаллических структур.

1.1.1. Двойникование.

1.1.2. Упругое двойникование.

1.1.3. Скольжение.

1.1.4. Сбросообразование.

1.1.5. Диффузионные и бездиффузионные механизмы деформации.

1.2. Разрушение.

1.2.1. Разрушение кристаллических материалов.

1.2.2. Зарождение трещин.

1.2.3. Тепловые флуктуации.

1.2.4. Скорости распространения трещин.

1.2.5. Управление ростом трещины.

1.3. Влияние ионизирующего излучения на структуру и свойства кристаллов.

1.3.1. Ультрафиолетовое (УФ) излучение.

1.3.1.1. Исследование воздействия ультрафиолетового излучения на материалы с различным видом кристаллической связи.

1.3.2. Рентгеновское излучение.

1.3.2.1. Воздействие рентгеновского излучения на кристаллы с различным типом связей.

1.3.3. Воздействие у-излучения на кристаллы с различным типом связи.

1.4. Радиационные дефекты.

1.4.1. Влияние радиационных дефектов на деформацию и разрушение кристаллов.

1.5. Заряд на дислокациях.

1.6. Цель и задачи исследования.

ГЛАВА 2. ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН ПРИ УПРУГОМ

ДВОЙНИКОВАНИИ.

2.1. Состояние вопроса.

2.2. Методика проведения эксперимента.

2.3. Экспериментальное исследование процессов зарождения микротрещин при упругом двойниковании.

2.4. Определение распределения плотности дислокаций в границе двойника.

2.5. Распределение напряжений вдоль двойника.

2.6. Дислокационные модели двойниковых границ.

2.7. Распределение напряжений вдоль границы упругого двойника.

2.8. Обсуждение результатов.

2.9. Выводы.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА ДИСЛОКАЦИЙ

НА ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ.

3.1. Скопления заряженных дислокаций в кристаллах.

3.2. Модель Зинера-Стро (плоское скопление дислокаций).

3.3. Пересекающиеся скопления заряженных дислокаций.

3.3.1. Термоактивированное зарождение трещин в пересекающихся скоплениях заряженных дислокаций.

3.4. Соотношение механической и электрической прочностей кристаллов

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ УФ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПЛАСТИЧНОСТЬ

ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ.

4.1. Воздействие УФ излучения на вещество.

4.2. Методика эксперимента.

4.3. Влияние УФ излучения на релаксационный рост упругого двойника в исландском шпате.

4.4. Влияние УФ излучения на деформацию сжатием кристаллов LiF,

NaCl.

4.5. Влияние УФ излучения на величину пробегов индивидуальных краевых и винтовых дислокаций, генерируемых воздействием индентора Виккерса.

4.6. Стимулирование процессов восстановления сплошности в ЩГК воздействием УФ излучения.

4.7. Обсуждение экспериментальных результатов.

4.8. Выводы.

Введение диссертация по физике, на тему "Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах"

Физика конденсированного состояния - фундаментальная наука о механических, оптических, магнитных, тепловых, электрических свойствах, а также о строении, структуре твердых тел и происходящих в них явлениях. Одним из направлений в области физики конденсированного состояния является исследование дефектной структуры кристалла и роли дефектов в формировании физических свойств кристалла, в частности, механических. Вместе с тем, роль физики конденсированного состояния не сводится только к изучению дефектов, их влияния на свойства и срок службы материалов. Определенный интерес вызывают задачи, связанные с возможностью частичного удаления из кристалла дефектов, а также реанимирования сплошности участков с разорванными связями.

Структурные неоднородности типа скоплений дислокаций, деформационных двойников, трещин являются концентраторами достаточно высоких напряжений в кристаллах. Распределение напряжений около таких дефектов с учетом плоскостей и направлений их развития определяет во многом пути эволюции дефектной структуры и долговечность материала в целом [1,2].

К настоящему времени накоплен большой объем экспериментальных данных и определен ряд характерных закономерностей, предшествующих образованию разрушения в различных материалах. Несмотря на значительный интерес к проблеме зарождения трещин, количество обобщающих работ, посвященных этой теме, относительно невелико. В них не учитывается (в прямом виде) влияние, как внешних факторов (температура, радиация, электромагнитное воздействие, давление и др.) на срабатывание тех или иных механизмов зарождения трещин, так и особенностей самих дефектов, например, заряд дислокаций, величина напряженности электрических полей, создаваемых такими дефектами, не сопоставляются величины электрической и механической прочностей.

Определение условий и факторов, стимулирующих или наоборот блокирующих процесс зарождения микротрещин, представляет не только научный, но и практический интерес для ряда ионных кристаллов, а также кристаллов типа А2В6. Воздействие на эти кристаллы ионизирующего излучения сопровождается образованием радиационных дефектов, изменяющих механические свойства кристалла в целом и, как следствие, влияющих на процессы трещинообразования.

Особый интерес представляет взаимосвязь двойникования с разрушением, что имеет принципиально важное значение, т. к. механические двойники представляют определенную опасность с точки зрения зарождения микротрещин, связанную с высокой концентрацией напряжений на них [3,4].

До настоящего времени двойникование является одним из видов деформации, в объяснении которой существует ряд неопределенностей и, следовательно, еще не выработаны четкие критерии и не определены условия возникновения трещин, в частности, при "упругом" двойниковании.

Исследование закономерностей процесса разрушения и условий его протекания с учетом воздействия внешних факторов и особенностей дефектов должно привести не только к разработке более совершенных критериев зарождения разрушения, но и к возможности более эффективно воздействовать на сам процесс разрушения.

Научная новизна работы состоит в следующем:

5. Впервые оценена напряженность электрического поля в вершине плоского скопления краевых заряженных дислокаций и сопоставлена с механической прочностью. Установлено, что в щелочногалоидных кристаллах механическое разрушение предшествует электрическому пробою, а в соединениях типа А В величины электрической и механической прочностей сопоставимы;

На защиту выносятся следующие положения:

1. Результаты по определению термоактивированного характера зарож-® дения микротрещин на границе упругого двойника в кристаллах исландского шпата.

4. Результаты анализа скоплений заряженных дислокаций, показывающие, что увеличение критических скалывающих напряжений при зарождении

9 трещин зависит от соотношения упругих и электрических констант кристалла и пропорционально квадрату линейной плотности заряда.

7. Воздействие малых доз ионизирующего излучения на ионные крит сталлы, приводящее к увеличению длины пробегов дислокаций в щелочногалоидных кристаллах и увеличению релаксационного подрастания упругого двойника в кристаллах исландского шпата, основанное на взаимодействии дислокаций с низкоэнергетическими экситонами и механизм, способствующий преодолению стопоров дислокациями.

Практическое значение работы

Основные результаты диссертации опубликованы в 9 статьях и 18 тезисах докладов: Г111-113,115-117,140-160].

Работа поддержана Российским Фондом Фундаментальных исследований (гранты № 02-01-01173 и № 05-01-00759) и грантом поддержки научно-исследовательской работы аспирантов вузов (№ А04-2.9-1161).

Апробация работы

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов по работе и списка цитируемой литературы из 160 наименований. Работа содержит 135 страниц текста, включая 53 рисунка и 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Экспериментально установлено, что зарождение микротрещин на границе свободного упругого двойника носит термоактивированный характер. Определено значение энергии активации зарождения микротрещины, составившее 0,22 эВ, что хорошо кореллирует с величиной энергии активации, определенной аналитически при моделировании границы двойника ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций.

2. Аналитически показано, что трещина зарождается на границе двойника в области максимальной плотности дислокаций и вскрывается в плоскости спайности практически совпадающей с плоскостью максимальных растягивающих напряжений, положение которой обусловлено немонотонным изменением плотности дислокаций в границе двойника, что показано расчетом и подтверждается экспериментально. Показано также, что дислокациям в соседних границах двойника энергетически выгодно последовательное расположение в отличие от попарного, в связи с чем моделирование границы двойника ступенчатым скоплением дислокаций является оправданным и с достаточной степенью точности отражающим реальное распределение напряжений, создаваемых в кристалле свободным упругим двойником.

3. Учет электростатического взаимодействия заряженных дислокаций приводит к более жесткому условию образования зародышевой микротрещины в вершине плоского скопления краевых дислокаций. Возрастание критических скалывающих напряжений зарождения трещины (или увеличение числа дислокаций в скоплении) зависит от соотношения упругих и электрических констант кристалла и пропорционально квадрату линейной плотности заряда дислокаций. В области предельных плотностей заряда эффект упрочнения может достигать 100-200 %. Оценена напряженность электрического поля в вершине плоского скопления заряженных дислокаций при критических скалывающих напряжениях. Установлено, что в ЩГК механическое разрушение предшествует электрическому пробою, а в соединениях типа А2 В6 величины электрической и механической прочностей сопоставимы.

4. Аналитически рассчитана энергия активации зарождения микротрещины для модели пересекающихся скоплений дислокаций в зависимости от угла между плоскостями скольжения (60°-180°), числа дислокаций в скоплениях и их электрического заряда (углы 90° и 120°). Определены критические расстояния между головными дислокациями, начиная с которых слияние дислокаций может осуществляться за счет термических флуктуаций и, соответствующие им значения внешних касательных напряжений.

6. Установлено, что в щелочно-галоидных кристаллах величины пробегов лидирующих дислокаций, генерированных индентором Виккер-са, имеют максимум при небольших временах нагружения и одновременного УФ облучения. По мере увеличения выдержки воздействия на кристалл, фиксируемые величины пробегов уменьшаются и становятся сопоставимыми с величинами пробегов, дислокаций при нагружении без облучения. Наблюдаемый максимум наиболее выражен для краевых дислокаций как по величине, так и по степени его локализации.

Возможность действия предложенного механизма подтверждается люминесценцией кристаллов при воздействии как УФ (ЩГК), так и рентгеновского (исландский шпат) излучения.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Федорову Виктору Александровичу за предложенную тему научных изысканий и создание благоприятного микроклимата, способствующего плодотворной работе. Автор также благодарен проф. Тялину Ю.И., доц. Плужниковой Т.Н., старшему преподавателю Чиванову А.В. и сотрудникам кафедры общей физики Тамбовского государственного университета им. Г.Р. Державина за полезные советы и всестороннюю помощь при выполнении диссертационных исследований.

Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Чемеркина, Маргарита Викторовна, Тамбов

1. Финкель В.М. Физика разрушения. М.: Металлургия, 1970. - 376 с.

2. Финкель В.М., Федоров В.А., Кижнер М.М. Взаимодействие трещин с двойниковыми прослойками в кристаллах исландского шпата. // Кристаллография.- 1976. Т. 21. - № 2. - С. 345 - 350.

3. Hull D. Twinning and fracture of single crystals of 3% silicon iron // Acta metallurgical 1960. T. 8. - №1. - С. 11 -15.

4. Солдатов В.П. О некоторых особенностях двойникования монокристаллов // Физика металлов и металловедение.- 1967. Т. 24. - №4, С. 744 - 753.

5. Савельев И.В. Курс общей физики. М.: Наука, 1970. - Т. 1. - 512 с.

6. Предводителев А.А., Тяпунина Н.А., Зименкова Г.М., Бушуева Г.В. Физика кристаллов с дефектами. М.: Изд. МГУ, 1986. - 240 с.

7. Финкель В.М., Федоров В.А., Кижнер М.М., Фридман Я.Н. Взаимо-дейст-вие трещин с некоторыми дефектами в кристаллах кальцита // Труды МИХМа.- 1972. Вып. 44. - С. 24 - 34.

8. Классен Неклюдова М.В. Механическое двойникование кристаллов. -М.: Изд. АНСССР, 1960. - 261 с.

9. Давиденков Н.Н., Чучман Т.Н. Обзор современных теории хладноломкости. Исследования по жаропрочным сплавам. М.: Изд-во АН СССР, 1957.-№2.-С. 9-34.

10. Шевандин Е.М. По поводу двойникования и хрупкости // ЖТФ. 1939. Т. 96.-Вып. 8.-С. 745-747.

11. Яковлева Э.С., Якутович М.В. Влияние двойникования на хрупкое разрушение кристаллов цинка // ЖТФ. 1950. - Т. 20. - Вып. 4. -С. 420 - 423.

12. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Изд. Мир, 1968.-440 с.

13. Гарбер Р.И. Образование упругих двойников при двойниковании кальцита и натронной селитры // ДАН СССР. 1938. - Т. 21. - № 5. -С. 233 - 235.

14. Косевич A.M. Дислокации в теории упругости. Киев. Наукова думка, 1978.-220 с.

15. Классен-Неклюдова М.В., Урусовская А.А. Влияние неоднородного напряжения состояния на механизм пластической деформации галоге-нидов таллия и цезия // Кристаллография. 1956. - Т. 1. - Вып. 4. -С. 410-418.

16. Классен-Неклюдова М.В., Томиловский Г.Е., Чернышева М.А. О процессе формирования сбросов // Кристаллография. I960.- Т. 8. - Вып 4.-С. 349-357.

17. Gilman J. Mechanism of ortho kink-band formation in compressed zinc monocrystals // J. Metals. 1954. - Vol. 6.- Sec. 2. - № 5. - P. 621-629.

18. Колонцова E.B. Телегина И.В., Плавник Г.М. О структуре полос сброса некоторых ионных кристаллов // Кристаллография 1956. - Т. 1. -Вып. 4.-С. 419-424.

19. Колонцова Е.В. Телегина И.В. О механизме образования полос сброса // ДАН СССР. 1957. - Т. 116. - № 4. - С. 605 - 608.

20. Классен-Неклюдова М.В., Урусовская А.А. Исследования строения полос сброса в кристаллах галогенидов таллия. Кристаллография, 1956. Т. 1. - Вып. 5. - С. 564 - 571.

21. Курдюмов Г.В., Бездиффузионные (мартенситные) превращения в сплавах // ЖТФ. 1948. - Т. 18. - С. 999 - 1025.

22. Курдюмов Г.В. Общие закономерности фазовых превращений в эвтек-тоидных сплавах // Изв. АН. СССР. Сер. химическая. 1936. - №2. -С. 271 -280.

23. Степанов А.В. Основы практической прочности кристаллов. М.: Наука, 1974.-341 с.

24. Владимиров В.И. Физическая природа разрушения металлов. М.: Металлургия, 1984. - 275 с.

25. Миркин Л.И. Физические основы прочности и пластичности. Изд-во Московского университета, 1968. 538 с.

26. Гилман Дж. Дж. Механические свойства ионных кристаллов // Успехи физических наук. 1969. - Т. 80. - № 3. - С. 455 - 503.

27. Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов. Пер. с англ. Под ред. доктора физ.-мат. наук Б. Я. Любова, М.: Мир, 1972. 408 с.

28. Черепанов Г.П. Механика хрупкого разрушения. М.: Наука, 1974. -640 с.

29. Уэрт Ч., Томсон Р. Физика твердого тела. М.: Мир, 1969. - 558 с.

30. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М: Наука, 1978. - 791 с.

31. Владимиров В.И., Ханнанов Ш.Х. Пересекающиеся скопления краевых дислокаций // ФТТ. 1970. - Т. 12. - № 3. - С. 856 - 859.

32. Ханнанов Ш.Х. О распределении дислокаций в пересекающихся скоплениях кристаллах кубической симметрии // ФММ. 1978. - Т. 46. -№ 1. - С. 30-34.

33. Владимиров В.И. Физическая природа разрушения металлов. М.: Металлургия, 1984. 275 с.

34. Рожанский В.Н. К вопросу об условиях возникновения и развития трещин в кристаллах // ФТТ. 1960. - Т. 11. - № 6. - С. 1082 - 1088.

35. Владимиров В.И., Хананнов Ш.Х. Зарождение трещин на встречных дислокационных скоплениях // Проблемы прочности. 1973. - № 5. -С. 62 - 66.

36. Гришкина А.В., Проскура А.В. Диффузионное образование микротрещин // Вестник Тамб. ГУ. 1998. - Т. 3. - № 3. - С. 256 - 258.

37. Финкель В.М., Рувинский М.А., Курганская JI.A., Шегай В.В., Фомин И.М. Образование трещин на фронте разрушения по спайности // ФТТ.- 1986. Т. 28. - №. 7. - С. 2210 - 2213.

38. Кирилюк JI.B., Голдберг М.Ш. Исследование некоторых причин образования дислокационных трещин в ионных кристаллах // Диэлектрики.- 1971. -№. 1. С. 21 - 24.

39. Смирнов Б.И., Ярошевич В.Д. Современное представление о зарождении трещин // Физическая природа хрупкого разрушения металлов. -1965.-С. 6-21.

40. Инденбом B.JI. О критериях разрушения в дислокационных теориях прочности // ФТТ. 1961. - Т. 3. - № 7. - С. 2071 - 2079.

41. Шмидт В., Бетехтин В.И. Образование микротрещин при деформации NaCl // ФТТ. 1973. - Т. 15. - №. 4. - С. 1235 - 1237.

42. Блехерман М.Х., Инденбом В.Л. Взаимодействие дислокаций на малых расстояниях и зарождение трещин // ФТТ. 1974. - № 9. -С. 2678 - 2687.

43. Владимиров В.И., Орлов А.Н. Энергия активации зарождения микротрещины в голове скопления дислокаций // ФТТ. 1969. - Т. 11. -№.2.-С. 370-378.

44. Владимиров В.И. Вычисление энергии активации образования микротрещины // ФТТ. 1970. - Т. 12. - №. 6. - С. 1593 - 1596.

45. Владимиров В.И. Зависимость энергии активации процесса разрушения от напряжения // ФТТ. 1972. - Т. 14. - № 8. - С. 2274 - 2281.

46. Владимиров В. И. Физическая теория пластичности и прочности. JI.: ЛПИ, 1975.-Ч.П.-152 с.

47. Орлов А. Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высш. шк., 1983.- 114 с.

48. Степанов В. А. Роль деформации в процессе разрушения твердых тел. В книге "Проблемы прочности и пластичности твердых тел". JL: Наука, 1979.-С. 10-26.

49. Новожилов В. В. О необходимом и достаточном критерии хрупкой прочности // Прикладная математика и механика. 1969. - Т. 33. - № 2. -С. 212-222.

50. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976. -391с.

51. Регель В. Р., Слуцкер А. И., Томашевский Э. Е. Кинетическая природа прочности твердых тел. М.: Наука, 1974. - 560 с.

52. Maksimov I.L. Thermomechanical fracture instability and stick-slip crack propagation // Appl. Phys. Lett. 1989. - V. 55. - № 1. - P. 42 - 47.

53. Финкель В. M. К вопросу о связи скорости распространения трещины с величиной пластической деформации // Физика металлов и металловедение. 1966. - Т. 21. - № 3. - С. 461 - 463.

54. Джонстон В., Гилман Дж. Скорость передвижения, плотность дислокаций и пластическая деформация кристаллов фтористого лития // Успехи физических наук. 1960. - Т. LXX. - № 3. - С. 489 - 514.

55. Стро А.Н. Сборник «Атомный механизм разрушения» Металлургиз-дат, 1963. 138 с.

56. Roberts D.K., Wells А.А. Growth kinetics of cracks // Engineering. 1957. -V. 178.-P. 820-824.

57. Gilman J.J., Khudsen С., Walsh W.P. Cleavage cracks and dislocations in LiF crystals // Journal of Applied Physics. 1958. - V. 29. - № 4. -P. 601 - 607.

58. Давиденков H. H. Динамическая прочность и хрупкость металлов. Киев: Наукова думка, 1981. 704 с.

59. Финкель В.М. Физические основы торможения разрушения. М.: Металлургия, 1977. - 360 с.

60. Регель В.Р. К вопросу о кинетике роста трещин в процессе разрушения твердых тел // ЖТФ. 1956. - Т. 26. - С. 359 - 369.

61. Суханов А.Д. Лекции по квантовой физике. М.: Высшая школа, 1991.-383 с.

62. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Бадылевич М.В., Шмурак С.З. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // ФТТ. 1997. - Т.39. - № 8. - С.1389 - 1391.

63. Кононец Я.Ф., Велигура Л.И., Остроухова О.А. Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства плёнок ZnS:Mn // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т.32. - №5. -С.549 - 553.

64. Абрамишвили М.Г., Ахвледиани З.Г. Образование стабилизированных F2 -центров в окрашенных кристаллах LiF под действием внешних полей // ФТТ. 1998. - Т.40. -№11.- С.2044 - 2050.

65. Абрамишвили М.Г., Ахвледиани З.Г. Калабегишвили Т.Л., Квачадзе В.Г., Саралидзе З.К. Релаксационные процессы в окрашенных кристаллах LiF после совместного воздействия УФ излучения и ударной волны // ФТТ. 2000. - Т.42. - №10. - С. 1794 - 1799.

66. Йыги Р.В., Лущик А. В., Малышева А.Ф., Тийслер Э.С. Электронно-микроскопическое обнаружение и оптическое исследование продуктовраспада экситонов в кристаллах КВг // ФТТ. 1972. - Т. 14. - №1. -С.117 -122.

67. Кортов B.C., Сюрдо А.И., Шарафутдинов Ф.Ф. Термолюминесценция анионодефектного корунда при ультрафиолетовом лазерном и рентгеновском облучении // ЖТФ. 1997. - Т.67. - № 7. - С. 72 - 76.

68. Андреев В.Н., Никитин С.Е., Климов В.А., Чудновский Ф.А., Козырев С.В., Лещев Д.В. Фотохромный эффект в кластерных системах оксидов молибдена // ФТТ. 1999. - Т. 41. - № 7. - С. 1323 - 1328.

69. Нуприенок И.С., Шибко А.Н. Влияние длины волны ультрафиолетового облучения на свойства контакта цирконий-кремний // ЖТФ. 2001. -Т. 71.-№9.-С. 45-48.

70. Намозов Б.Р., Сморгонская Э.А., Коробков М.П., Иванов-Омский В.И. Проявление молекулярного водорода в ультрафиолетовых спектрах алмазоподобного углерода // Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23. -С. 19 - 24.

71. Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. Кикоина И.К. М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.

72. Ландсберг Г.С. Оптика. М.: Наука, 1976. 928 с.

73. Бабин П.А. Радиационные и люминесцентные процессы в ионных кристаллах: Учебное пособие к спецкурсу. Хабаровск: Хабаровский гос. пед. ин-т, 1985. С. 40 - 47.

74. Новосад С.С. Сцинтилляционные характеристики тонкослойных детекторов рентгеновского излучения, изготовленных на основе кристаллов йодистого кальция // ЖТФ. 1998. - Т. 68 - № 8. - С. 87 - 90.

75. Бушуев В.А., Орешко А.П. Зеркальное отражение рентгеновских лучей в условиях резко асимметричной некомпланарной дифракции в кристалле с аморфной пленкой // ФТТ. 2001. - Т. 43. - № 5. -С. 906 - 912.

76. Дехтяр А.И. Вклад дислокационных ядер в рассеяние рентгеновских лучей кристаллами с дислокациями // ФТТ. 2001. - Т. 43. - № 5. -С. 818-821.

77. Турьянский А.Г., Пиршин И.В., Хмельницкий Р.А., Гиппиус А.А. Дисперсионные характеристики алмаза в жестком рентгеновском диапазоне длин волн // ФТТ. 2001. - Т. 43. - № 4. - С. 619 - 626.

78. Куликов В.Д., Лисюк Ю.В. Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении // ЖТФ. 2000. - Т. 70. - № 9. -С. 44-49.

79. Физика. Большой энциклопедический словарь / Гл. ред. A.M. Прохоров.- 4-е изд.- М.: Большая Российская энциклопедия, 1998. 944 с.

80. Гладышев Г.Е. Действие у излучения на микротвердость легированных щелочно-галоидных кристаллов // ФТТ. - 1992. - Т. 34. - № 1. -С. 331 -332.о .

81. Абрамишвили М.Г., Квачадзе В.Г., Саралидзе З.К. F -центры в напряженных кристаллах LiF // ФТТ. 1987. - Т. 29. - № 1. - С. 39 - 43.

82. Цаль Н.А., Спитковский И.М., Струк Я.А. Особенности деформационной электризации g облученных кристаллов хлористого натрия // ФТТ. - 1985. - Т. 27. - № 2. - С. 573 - 576.

83. Хоконов А.Х., Хоконов М.Х. Излучение одиночных гамма квантов электронами с энергиями в сотни GeV в ориентированных кристаллах // ЖТФ. - 1998. - Т. 68. - № 9. - С. 37-41.

84. Смирнов Б.И., Орлова Т.С., Самойлова Т.В. Эволюция дислокационной структуры при деформировании у облученных кристаллов LiF // ФТТ. - 1997. - Т. 39. - № 6. - С. 1072 - 1075.

85. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: 1981.-253 с.

86. Орлова Т.С., Смирнов Б.И. Влияние пластической деформации на концентрацию центра окраски в облученных кристаллах LiF и КС1 // ФТТ. 1986. - Т.28. - № 5. - С. 1533 - 1534.

87. Денисов И.П., Яковлев В.Ю. Создание центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах при импульсном радиационном воздействии // ФТТ. 1990. - Т. 32. - № 2. - С. 384 - 390.

88. Шмурак С.З. Дислокационная спектроскопия кристаллов // ФТТ. -1999. Т. 41. - № 12. - С. 2139 - 2146.

89. Бочкова Т.М., Волнянский М.Д, Волнянский Д.М., Щетинкин B.C. Центры окраски в кристаллах молибдата свинца // ФТТ. 2003. - Т. 45. -№. 2.-С. 235-237.

90. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск, 1977. 208 с.

91. Лисицина Л.А., Гречкина Т.В., Корепанов В. И., Лисицын В.М. Корот-коживущие первичные радиационные дефекты в кристалле LiF // ФТТ. -2001.-Т. 43.-№9.

92. Бондаренко А.Л., Арефьев К.П., Александров Е.И. Влияние радиационных эффектов на оптическую прочность щелочногалоидных кристаллов // ФТТ. 1985. - Т. 27. - № 11. - С. 3217 - 3221.

93. Баймаханов А., Йыги Х.Р.-В., Лущик А.Ч. Гомогенное и гетерогенное распределение радиационных дефектов в кристаллах КС1 // ФТТ. -1987. Т. 29. - №. 5. - С. 1356 - 1363.

94. Гектин А.В. Роль радиационных точечных и линейных дефектов в механическом упрочнении кристаллов типа NaCl. // ФТТ. 1985. - Т. 27. -№. 11.-С. 3254-3256.

95. Камышанченко Н.В., Красильников В.В., Неклюдов И.М., Пархоменко А.А. Кинетика дислокационных ансамблей в деформируемых облученных материалах // Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23. - № 18. - С. 51 - 54.

96. Камышанченко Н.В., Красильников В.В., Неклюдов Н.В., Пархоменко А.А. Кинетика дислокационных ансамблей в деформируемых облученных материалах // ФТТ. 1998. - Т. 40. - № 9. -С. 1631 - 1634.

97. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Маарос А.А., Плоом Л.А., Лущик А.Ч., Пунг Л.А., Пыллусаар Ю.В., Соовик X. А. Радиационное создание ка-тионных дефектов в кристаллах КС1 // ФТТ.- 1977. Т. 19. - № 12. - С. 3625-3629.

98. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М.: Изд. иностранной литературы, 1962. - 384 с.

99. Bassani F., Thomson R. Association Energy of Vacancies and Impurities with Edge Dislocations in NaCl // Phys. Rev. -1956. -Vol. 102, N 5. -P. 1264-1279.

100. Brantley W.A., Bauer Ch.L. The Gtometry of Charged Dislocanions in the NaCl Structure // Phys. stat. sol. 1966. - Vol. 18. - № 1. - P. 465-478.

101. Алыииц В.И., Галусташвили M.B., Паперно И.М. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформации кристалла // Кристаллография. 1975. - Т. 20. - № 6. -С.1113-1116.

102. Kataoka Т., Colombo L., Li J.C.M. Dislocation charged in Ca -doped KC1. Effect of impurity concentration and temperature // Phil. Mag. (A). 1984. -Vol. 4. - № 3. - P. 409-423.

103. Whitworth R.W. Charged dislocation in ionic crystals // Adv. Phys. -1975. Vol. 24. - № 2. - P. 203-304.

104. Whitworth R.W. The sweep-up model on charged dislocations in ionic crystals // Phil. Mag. (A). 1985. - Vol. 51, N 3. - P. 857-863.

105. Урусовская А.А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов // УФН. 1968. - Т. 96, N 1. -С. 39-60.

106. Осипьян Ю.А., Петренко В.Ф. Движение заряженных дислокаций в полупроводниках // Проблемы прочности и пластичности твердых тел. -Л.: Наука, 1979. С. 118-128.

107. Тяпунина Н.А., Белозерова Э.П. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов // УФН. 1988. - Т. 156. - Вып. 4. -С. 683-717.

108. Huddart A., Whitworth R.W. Measurement of the Charge Acguired by Dislocations in NaCl Crystals of known Purity // Phil. Mag. 1973. -Vol. 27.-№ l.-P. 107-119.

109. Куличенко A.H., Смирнов Б.И. Влияние примеси на электропластический эффект в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ. 1983. - Т. 25, № 5.-С. 1523-1525.

110. Федоров В.А., Тялин Ю.И. О зарождении трещин на гра-ницах двойников в кальците // Кристаллография. 1981. - Т. 26. - № 4. -С. 775-781.

111. Федоров В.А., Тялин Ю.И., Тялина В.А., Плужникова Т.Н. Чемеркина М.В. О зарождении трещин на границе свободного упругого двойника в кальците// Известия АН. Серия физическая. 2004. - Т. 68. -№ ю. - С. 1484-1487.

112. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. - 600 с.

113. Zener С. A Theoretical Criterion for the Initiation of Slip Bands // Phys. Rev. 1946. - Vol. 69. - P. 128-129.

114. Eshelby J.D., Frank F.C., Nabarro F.R.N. The Equilibrium of Linear Arrays of Dislocations // Phil. Mag. 1951. - V. 42. - № 327. -P. 351-364.

115. Kataoka Т., Colombo L., Li J.C.M. Dislocation charged in Ca -doped KC1. Effect of impurity concentration and temperature // Phil. Mag. (A). 1984. -Vol. 4. - № 3. - P. 409-423.

116. Владимиров В.И., Ханнанов Ш.Х. Взаимодействие дислокационного скопления с дислокационной трещиной // ФТТ. 1969. - Т. 11- № 6. -С. 1667-1676.

117. Sierra J., Cabrera J.M. Influence of Colour Centres on the Dislocations Charge in Alkali Halides // Phys. stat. sol. (a). 1975. -Vol. 27. - P. K43-K45.

118. Владимиров В.И., Хаиианов Ш.Х. Дискретно-континуальное рассмотрение дислокационных скоплений // Физ. металлов и металловед. -1969. Т. 27, № 6. - С. 969-975.

119. Cottrell А.Н. Theory of Brittle Fracture in Steel and similar metals // Trans. Met. Soc. AIME. 1958. - Vol. 212. - № 2. - P. 192 - 203.

120. Kear B.H., Taylor A., Prattt P.L. Some dislocations interaction in simple ionic srystals // Phil. Mag. -1950. -Vol. 4, N 41. P. 665-672.

121. Перстенев П.П., Бережкова Г.В. Дислокационные реакции в кристаллах окиси магния // Изв. АН СССР. Сер. Физ. -1983. -Т. 47, № 6. -С.1133-1135.

122. Keh A.S., Li J.C.M., Chou Y.T. Crack due to the piling-up of dislocation on two intersecting slip planes in MgO crystals // Acta. Met. -1959. -Vol. 7. -P. 694-696.

123. Chou Y.T., Whitmore R.W. Single and double pile-up of dislocations in MgO crystals // J. Appl. Phys. 1961. - V. 32, № 10. - P. 1920 - 1927.

124. Vladimirov V.I. The criterion for dislocation crack nucleation // Int. J. Fracture. -1975. Vol. 11. - P. 359-361.

125. Воробьев A.A., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М.: Высшая школа, 1966. 224 с.

126. Chandra В.Р., Sahu R.B. Dielectric breakdown during mechanical deformation of solids // Cryst. Res. and Technol. -1983. -Vol. 18. № 10. -P. 1319-1324.

127. Федоров А.И. Упрочнение металлов под воздействием УФ-излучения // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. - № 23. - С. 14-18.

128. Калитеевская Н.А., Сейсян Р.П. Моделирование фотохимических превращений и фотопотемнения пленок фоторезисторов под действиемимпульсного вакуумного ультрафиолетового излучения // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. - Вып. 7. - С. 857-860.

129. Данилов В.П., Жеков В.И., Мурина Т.М., Нагли JI.E., Прохоров A.M. Свечение фотоионизации из возбужденного состояния некоторых рту-теподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах // Квантовая электроника. 1982. Т. 9. - № 7. - С. 1466-1469.

130. Баранов П.Г., Данилов В.П., Жеков В.И., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Образование центров окраски в кристаллах КС1-1п и NaCl-In под действием интенсивного УФ лазерного излучения // ФТТ. 1981.-Т. 23. -№ 6. С. 1829- 1831.

131. Данилов В.П., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Циклическая фотоин-жекция электронов и дырок примесными центрами в щелочно-галоидных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1997. Т. 83. - № 3-С. 388-392.

132. Гершензон Н.И., Зилпимиани Д.О., Манжгаладзе П.В., Похотелов О.А. Влияние ультрафиолетового излучения на процессы трещинообразования ионных кристаллов // ФТТ. -1987.- Т. 29- №.2-С. 581-583.

133. Plushnikova T.N., Chivanov A.V., Chemerkina M.V. Behaviour of dislocations at the cracks tip cleavage from exposure to the electromagnetic radiation // EPS-12: General Conference 'Trends in Physics". Budapest, Poster Session 2. P. 67.

134. Чемеркина М.В., Швецова Е.А. Восстановление сплошности ионных кристаллов при воздействии ультрафиолетового излучения // ВНКСФ 9, Сборник тезисов. Красноярск. 2003. - 4.1. - С. 224 - 226.

135. Федоров В.А., Плужникова Т.Н., Тялин Ю.И. Залечивание трещин, остановившихся при несимметричном сколе в щелочно-галоидных кристаллах и кальците // ФТТ. 2000. - Т. 42. - № 4. - С. 685 - 687.

136. Victor A. Feodorov, Tatjana N. Plushnicova, Andrei V. Chivanov, Margarita V. Chemerkina Continuity restitution and coloration of alcali- halide crystals // Proceedings of SPAS. St Petersburg. 2004. C. 23 - 24.

137. Тялин Ю.И., Тялина B.A., В. А. Федоров, Чемеркина М.В., А.А. Бутяч. ■гин Залечивание трещин в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ. -2004. Т. 46. - В. 9. - С. 1614 -1617.

138. Федоров В.А., Плужникова Т.Н., Чиванов А.В., Карыев Л.Г., Чемеркина М.В., Тялин Ю.И. Оценка качества залечивания микротрещин в ЩГК// Сборник тезисов XV Международной конференции «Физика прочности и пластичности материалов». Тольятти. 2003. - С. 1-36.

139. Упругий двойник можно получить, действуя на кристалл сосредоточенной нагрузкой, передаваемой поверхности кристалла через сферический индентор (стальной шарик 0-1,5 мм.) рис. 1.2.

140. Рис. 1.2. Упругий двойник в кальците, возникающий при приложении сосредоточенной нагрузки. В отраженном свете видны интерференционные полосы равной толщины (направление приложения нагрузки указано стрелкой).