Высокочастотные нагрузочные системы для ёмкостного возбуждения плазмы тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

На правах рукописи

□03 1-73507

Морозов Виктор Александрович

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ НАГРУЗОЧНЫЕ СИСТЕМЫ ДЛЯ ЁМКОСТНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ ПЛАЗМЫ

Специальность 01 04.01 - «Приборы и методы экспериментальной физики»

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

2 50

Ижевск - 2007

003173507

Работа выполнена в Институте прикладной механики УрО РАН

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук Михеев Геннадий Михайлович

Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Ломаев Гелий Васильевич

доктор технических наук Захаров Владимир Анатольевич

Ведущая организация: Федеральное государственное образо-

вательное учреждение высшего профессионального образования «Чувашский государственный университет имени И Н Ульянова»

Защита состоится « 14 » ноября 2007 г. в 16°° часов в ауд 2 на заседании диссертационного совета Д 212 275 03 при Удмуртском государственном университете по адресу 426034, г Ижевск, ул. Университетская, 1

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные гербовой печатью,

просим направлять по адресу.

426034, г Ижевск, ул. Университетская, 1

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Удмуртского государственного университета

Автореферат разослан « 12 » октября 2007 г

Ученый секретарь диссертационного совета, к ф -м н, доцент У- "¿ёС^ П Н Крылов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена исследованию и моделированию высокочастотных (ВЧ) нагрузочных систем (НС) для ёмкостного возбуждения плазмы, используемых в экспериментальной физике для нанесения и травления тонких плёнок и ионно-плазменной модификации материалов

Объект исследования - система элементов ВЧ электрической цепи

Предмет исследования - методы расчета элементов НС для емкостного возбуждения плазмы

Актуальность темы. В настоящее время в промышленности, экспериментальной физике и химии проявляется большой интерес к ВЧ емкостным разрядам. Высокочастотный ёмкостной разряд используется в лазерной и осветительной технике для создания активной генерирующей среды, в промышленности он применяется для нанесения и травления тонких плёнок, плазменной обработки и модификации материалов, а также для синтеза и утилизации различных химических веществ В последнее время ёмкостной ВЧ разряд используется для генерирования «неидеальной» плазмы (например, пылевой) [Л1], которая изучается не только в земных условиях с целью получения наноразмер-ных объектов, но и в условиях микрогравитации, где более благоприятны условия, влияющие на кристаллизацию пылевой компоненты и фазовые переходы различных типов плазмы

Технологические процессы с применением ВЧ ёмкостной плазмы осуществляются на вакуумных установках, имеющих ВЧ системы, которые предназначены для генерирования и оптимальной передачи энергии в нагрузку. Типичная ВЧ система состоит из генератора, линии передачи энергии (ЛПЭ), цепи согласования (ЦС) и нагрузки (магнетрона или плазменного конденсатора). При этом ЦС (согласующее устройство) и нагрузка образуют НС [Л2]. В нагрузке выделяется мощность равная разнице падающей Р, и отражённой Р, мощностей. ЦС должны обеспечивать выполнение условия Р, ~ 0, что возможно, если в состав НС входит хотя бы элементарный измеритель коэффициента стоячей волны (КСВ). Однако в экспериментальных установках для осазвдения тонких плёнок измерители КСВ (или аналогичные им по назначению приборы), как правило, отсутствуют [ЛЗ,Л4]

С другой стороны анализ научной литературы показывает, что ВЧ емкостная плазма изучается в основном с точки зрения её технического применения; работы по исследованию высокочастотных НС, используемых в экспериментальной физике и плазменных технологиях, с целью разработки методик их расчёта в литературе практически отсутствуют. Исключением является труд Самойлова С А [Л5], в котором рассмотрена задача согласования ВЧ генератора с активной средой С02-лазера, затрагивающая проблему моделирования НС для плазменных технологий, но не решающая её

Таким образом, изучение высокочастотных НС для экспериментальной физики и плазменных технологий, а также разработка новых методов их расчёта актуально.

Цель работы - исследование и моделирование высокочастотных НС для емкостного возбуждения плазмы.

В связи с этим поставлены следующие задачи-

1 Моделирование цепей согласования (П-контура, параллельного колебательного контура с неполным включением и контура с делением ВЧ мощности), используемых в НС для ёмкостного возбуждения плазмы

2 Разработка методик расчёта схем замещения для распылительного магнетрона и плазменного конденсатора, имеющего обкладки сложной геометрии

3 Экспериментальное исследование зависимости ВЧ напряжения и постоянного смещения на распылительном магнетроне от активной мощности

4 Исследование влияния материала покрытия на активное сопротивление проводников на высокой частоте для минимизации потерь энергии в электрических цепях НС

5 Разработка ваттметра падающей, отраженной и активной мощностей для настройки цепи согласования ВЧ систем

Методы исследований. В диссертации использован комплексный подход, включающий теоретические и экспериментальные методы исследований В экспериментальных исследованиях применялись статистические методы обработки результатов экспериментов

Достоверность результатов исследований и работоспособность созданных систем и устройств подтверждена экспериментальными исследованиями и практически выполненными разработками

Научная новизна диссертационной работы заключается в исследовании ВЧ нагрузочных систем для ёмкостного возбуждения плазмы, применяемых для нанесения и травления тонких плёнок и модификации материалов, и включает в себя-

1 Разработку методик расчёта П-контура, параллельного колебательного контура с неполным включением, контура с делением ВЧ мощности, схем замещения распылительного магнетрона и плазменного конденсатора с обкладками сложной геометрии, поперечного сечения электрических проводников и ваттметра ВЧ мощности

2 Определение зависимости типа возбуждаемого резонанса от величин согласуемых сопротивлений, ёмкости на выходе контура и частоты электромагнитных колебаний

3 Определение зависимости ВЧ напряжения на распылительном магнетроне от мощности, рассеиваемой на магнетроне

4 Установление экстремальной зависимости активного сопротивления проводника с покрытием на ВЧ от удельного сопротивления и магнитной проницаемости материалов

Реализация и внедрение работы. Результаты диссертационной работы использованы при разработке высокочастотной системы установки вакуумного магнетронного напыления для ЗАО "Ижевский завод мебельной фурнитуры".

Положения, выносимые на защиту

1 Для НС с использованием П-контура или параллельного колебательного контура с неполным включением безразмерная входная емкость (или индуктивность) контура зависит не от типа возбуждаемого в контуре резонанса, а от согласуемых сопротивлений, ёмкости (или индуктивности) на выходе контура и частоты электромагнитных колебаний.

2 Для НС с использованием П-контура тип возбуждаемого резонанса зависит от согласуемых сопротивлений, частоты, а также выходной ёмкости контура Однако существует такое сочетание указанных параметров, при котором резонансные колебания в контуре не возбуждаются

3 ВЧ напряжение на распылительном магнетгоне с мишенями из кварцевого стекла, моноалюмината неодима, титана и тантала описывается функциями вида и = аРхД где а и Ь- эмпирические коэффициенты, зависящие от материала мишени, индукции магнитного поля на поверхности мишени и площади контакта мишени с плазмой.

4 На зависимости активного ВЧ сопротивления проводника с проводящим покрытием от толщины существует экстремум в точке „а «;г<У2, где -глубина скин-слоя материала покрытия.

5 ВЧ ваттметры, использующие датчики тока и напряжения должны удовлетворять условию равенства сигналов датчиков тока и напряжения при отсутствии отражённой волны.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на научно-практической конференции "Актуальные проблемы аграрного сектора" (Ижевск, 1997); VI-й Российской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 2004); Всероссийской научно-практической конференции "Современные проблемы аграрной науки и пути их решения" (Ижевск, 2005); Всероссийской научно-практической конференции "Научное обеспечение реализации национальных проектов в сельском хозяйстве" (Ижевск, 2006), III научно-практической конференции "Проблемы механики и материаловедения" (к 15-летию ИПМ УрО РАН) (Ижевск, 2006), Международной научной конференции "75 лет высшему образованию в Удмуртии" (Ижевск, 2006), 7-й Международной конференции "Вакуумные нанотехнологии и оборудование" (Харьковская нанотехнологическая ассамблея) (Харьков, Украина, 2006), Международной научно-практической конференции "Нанотехнологии - производству - 2006" (Фрязино, 2006)

Публикации. Материалы диссертационной работы полностью отражены в научных изданиях Общее число публикаций - 15, в том числе, статьи в рецензируемых журналах - 6, статьи в журнале, сборнике и материалах конференций - 4, информационный листок о научно-техническом достижении - 1, тезисы докладов конференций - 4

Личный вклад. Теоретические и экспериментальные результаты, изложенные в диссертации, получены лично соискателем Постановка задач исследований, определение методов их решения и анализ результатов экспериментов проведены совместно с соавторами опубликованных работ при непосредственном участии соискателя.

Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка литературы из 183 наименований и приложения Диссертация изложена на 156 страницах, содержит 56 рисунков, 10 таблиц и приложение В приложении предоставлены документы о практическом использовании результатов работы.

1

ClIR

а)

I 2out

Zoutl jCL^äl?

1 Zout 5 Zin yCil)«!2

р

в)

lz ¿-out k wJX 1 Zui =fcil)ÄL

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Введение содержит обоснование актуальности темы диссертационной работы, формулировку целей и задач, описание научной новизны, практическую значимость, защищаемые положения и раскрывает структуру диссертации.

В первой главе «Высокочастотные системы для ёмкостного возбуждения плазмы» представлен обзор исследований и разработок, раскрывающих возможности экспериментального и технического применения ВЧ ёмкостного разряда. Рассмотрены основные физические свойства плазмы, методы генерирования плазмы; описана структура ВЧ системы (рисунок 1) и, в соответствии с [J12], определена нагрузочная система (НС), в состав которой входят ЦС, одна или несколько плазменных нагрузок, а также могут входить ваттметры проходящей мощности. Проанализированы особенности устройств, входящих в ВЧ системы и НС (ВЧ генераторы, устройства согласования, плазменные конденсаторы, распылительные магнетроны, ВЧ ваттметры и проводники). Рассмотрен скин-эффект для ВЧ проводников [Л6]. Показано, что методики расчёта ЦС, используемые в практике расчёта согласующих устройств ёмкостного возбуждения плазмы, неудовлетворительны, т.к. в них не учитывается неоднозначность возбуждаемого в резонансном контуре типа резонанса (параллельного или последовательного) и имеются существенные трудности, связанные с расчётом добротности контура, работающего на плазменную нагрузку. Рассмотрена методика расчёта ЦС, предложенная Головковым A.A. [Л7]. Методика применяется для расчёта одночастотных и двухчастотных сумматоров и делителей мощности, но она не адаптирована для расчёта ЦС нагрузочных систем ёмкостного возбуждения плазмы.

Вторая глава «Высокочастотные нагрузочные системы» состоит из грёх разделов. В первом разделе рассмотрены принципы построения НС с позиции измерения ВЧ мощности. Для этого был проведён анализ известного со-

г)

4 ИЛИ I

д)

ClM rl

Cl

s

3

«LI

Рисунок 1 - Структурные схемы высокочастотной системы для емкостного возбуждения плазмы[1]: / - ВЧ генератор, 2 и 3 - плазменные нагрузки, 4 - фидер, 5 - устройство согласования. 6- коаксиальный кабель.

g

отношения для импеданса Z длинной линии с постоянным волновым сопротивлением W нагруженной на цепь с импедансом ZL [2] Анализ показал, что для них возможны следующие варианты

1 Нагрузка согласована с ЛПЭ (ZL = W) и линия имеет произвольную длину Тогда Z = Re Z = W. а для падающей и отражённой мощностей справедливы условия Р, = PL и РТ - О в любом её сечении

2. Нагрузка не согласована с ЛПЭ (ZL W) В этом случае в различных сечениях линии, находящихся на расстоянии I = Я nil от нагрузки (Л - длина электромагнитной волны в линии, и = О, 1,2, ) сопротивления, токи, напряжения и мощности падающей и отражённой волн будут такими же, как и на нагрузке Таким образом, применение линии передачи энергии, имеющей длину ¡о = X и/2, позволяет по току и напряжению на входе линии (или на выходе) контролировать параметры нагрузки.

Анализ длинной ЛПЭ с Шф const показывает, что напряжения и мощности падающей и отражённой волн будут различными в разных сечениях линии, а объективным параметром является прошедшая (активная) мощность, которая не зависит от I

Анализ короткой ЛПЭ (с /0 < А./600, при которой абсолютная величина разности сопротивлений линии на входе и на выходе не превышает 5% от ZL) показал, что Z«ZL То есть сопротивление короткой ЛПЭ в произвольном её сечении практически не зависит от W и равно импедансу нагрузки Очевидно, что последнее утверждение справедливо также для линии передачи, волновое сопротивление которой зависит от /. Следовательно, в общем случае для коротких ЛПЭ U = ZL/, а токи, напряжения, мощности падающей и отражённой волн будут различными в разных сечениях линии, однако при этом Рь = const.

Таким образом, для ВЧ систем (см рисунок 1), в которых соединение генератора с устройством согласования осуществляется полуволновым кабелем с W- const, ваттметр следует устанавливать на выходе генератора или на входе согласующего устройства; для линий W* const ваттметр можно устанавливать в любом сечении линии, объективно измеряя при этом активную мощность.

Во втором разделе рассмотрены НС с применением П-контура (контура третьего вида) [1,3,4], параллельного колебательного контура с неполным включением со стороны генератора (контура второго вида) и со стороны нагрузки (контура первого вида) [5,6], а также контура с делением ВЧ мощности

Приведены основные положения методики расчёта П-контура (рисунок 2) [1,4] Предположено, что в ЦС отсутствуют потери энергии (контур - бездис-сипативный) и вся энергия рассеивается на сопротивлении нагрузки Условие согласования для ЦС с нагрузкой выглядят так

где 2,„ = Яе +11т 1т, г - мнимая единица Для составляющих входного импеданса НС получено:

[1]

(1)

ReZ,„ = —

1 + а

(2)

P2 \ + \{x-l/p)^ + a2)-af'

rm7 - ^ l + |(l+«2)*-a||(l+«2)*-(l+"

P l+fcc-l//?)(l+a2)-a]2 ' где x = coL/Rl, ¡3 = со Rl, a = a C2RL, x - безразмерная индуктивность, p и цг L Сг a ~ безразмерные входная

,--о- -О- -о-—-------1

lot f t

ф ZoJ IU ^m=j= Cl ;=r с =f= CL I 4y I i

I---o' 1--о-

Рисунок 2 - Схема согласования радиочастотного кабеля с комплексной нагрузкой с применением П-конгура в - генератор, С - дополнительная выходная ёмкость контура, Сь - емкость нагрузки Обозначения элементов в тексте

хр„ и последовательного Лда резонансов в контуре-

Ц~~Г\2

а

раг яег

1

20 1 + а

1

2fi

1

1 + а'

и выходная ёмкости, С] и С2 - ёмкости на входе и выходе контура, I - индуктивность контура, а -циклическая частота электромагнитных колебаний

Решением системы уравнений (1) являются выражения, определяющие безразмерные индуктивности параллельного

(3)

где независимо от типа резонанса принимает значение

(4)

Определение типа резонанса выполняется автоматически в процессе расчёта НС по формулам (2) - (4). Для этого необходимо перед корнем квадратным в (3) выбрать знак (например, плюс - параллельный резонанс) Выполнить расчёт безразмерной индуктивности х при условии, что подкоренные выражения в (3) и (4) больше или равны нулю (если это не выполняется, то необходимо увеличить емкость С2) Затем по формуле (2) вычислить входное сопротивление контура на резонансе Если входное сопротивление равно заданному значению (Яе ¿ш = IV), то тип резонанса выбран правильно Если это условие не выполняется, то в (3) необходимо изменить знак на противоположный, т.е сменить тип резонанса, и повторить вычисления

Далее рассмотрена область существования резонанса, показанная на рисунке 3 Соотношения (3) и (4) имеют действительные решения только в том случае, если их подкоренные выражения удовлетворяют неравенствам

{1 + а2У>(20 {а) и 1 + а2 -Яь/ЯеZm >0 (б) (5)

В соответствии с неравенством (56) возможны два варианта Для первого варианта 11е < Ль (рисунок За) емкость на выходе контура, при которой в нём возможен резонанс, должна удовлетворять условию а > л/^/Яе^, -1

= 1 + а2

у = 2/}

ас

1

'•' Г" -. -. в выражении (6) значе

Для второго варианта Ие 2т > (рисунок 36). Тогда

1 - ни Яегт > 0,

а это означает, что резонанс в контуре возможен при любой выходной ёмкости, т.е. а> 0.

Неравенство (5а) для действительных значений /? с учётом формулы (4) представляется так:

Отсюда следует, что формула, по которой производится расчёт безразмерной индуктивности контура х, имеет смысл для тех сочетаний Яе 7;„, и а, при которых определена формула

0

а =7

б)

ние а = "I

1

соответствует точке касания квадратичной функции у = 1 + а2 с функцией Рисунок 3 - Область существования резонанса П-контура у = 2Я Эта точка существу-(заштрихованный участок на оси а) для различных соче- ' _ 7- < о в /

талий входного сопротивления контура и сопротивления ет' если ке ¿т — фису н-нагрузки: а) [*е < йц б) Ке > ки За и 35 - кривые У и 5).

Введем функцию

X = 2Ш - (1 + а1 )/2 . Функция у, как следует из анализа совместного реше-

ния (2) и (3), определяет тип резонанса в контуре; для /50в контуре устанавливается параллельный резонанс, а для у > 0 - последовательный. Используя эти условия, приходим к следующему:

1. Если Яе 2т < (рисунок За), то для значений

а >4г -1 (7)

в контуре возбуждается параллельный резонанс, а для значений

-1 < а < -1 - последовательный.

2. Если Кс 7,т > то возможны два варианта. Для первого варианта Ке 1т/2 < < Ке 2т (рисунок 36 кривые / и 3, причем кривая 1 соответствует К с 2|„ = 2ЛЬ). В этом случае для значений а, удовлетворяющих (7), в контуре возбуждается параллельный резонанс, а для значений 0 < а < 2т -1 -

последовательный. Для второго варианта К с Ът > 1К\ (рисунок 36 кривая 2) для любых значений выходной емкости (а > 0) в контуре существует только параллельный резонанс.

Рассмотрены особенности расчёта параллельного колебательного контура с неполным включением (рисунок 4а) [5,6]. Компоненты входного импеданса НС определены в следующем виде:

х2{\ + а2)

1

-[яс(1 + а2)-а]2 '

(В)

1-1 14+а2) )-а\ 1* 2{\+а2} )-а\

1*1 [х(\+а2) \-а] Г

1т гы =Яьх1

где х, ,х2 = а>12/йьи а = а>С2Я1- безразмерные индуктивности и

выходная ёмкость ЦС; х = х, + х2- Найдено следующее решение для условия (1):

±.|[а)г_Г_и\ «9,

х1 а

\ + а'

где входная индуктивность контура не зависит от типа резонанса и определяется по формуле

*, = !/

Л,

1 + а

-1

(10)

Расчёт НС рисунка 4а и определение типа резонанса выполняется следующим образом. В выра-

■—I

I

А .

е

I

Л,

73-

А

г 0

V

я,

-СЗ-

а)

С,

а

V

с.

Лг и,

б)

Рисунок 4 - Схема согласования цепи эквивалентного генератора (цепь выделена пунктиром) с активной нагрузкой с применением параллельного колебательного контура с неполным включением, а - индуктивности со стороны генератора, б - ёмкости со стороны нагрузки. Обозначения элементов в тексте.

жении (9) перед корнем квадратным выбирается знак (например, плюс - последовательный резонанс). Проводится расчёт безразмерной индуктивности хпо формулам (9) и (10) при условии, что их подкоренные выражения больше или равны нулю (если это условие не выполняется, то увеличивается выходная ёмкость С'г). Затем по выражению (8) вычисляется входное сопротивление НС на резонансе. Если входное сопротивление равно заданному значению (Ке 7:т = Я,), то тип резонанса выбран правильно. Если это условие не вы-

полняется, то в (9) необходимо изменить знак на противоположный, т.е. сменить тип резонанса и повторить вычисления.

При расчёте НС в соответствии с рисунком 4а по формуле (10) возможен вариант, для которого входная безразмерная индуктивность х\ больше полной безразмерной индуктивности х (.X] > х). В этом случае необходимо индуктивность 12 заменить ёмкостью Сь значение которой определяется по выражению С, = 1/[гу2(£, - /,)], и перейти к схемному решению, показанному на рисунке 46.

Расчёт НС, в которой используется параллельный колебательный контур с неполным включением ёмкости со стороны генератора и индуктивности со стороны нагрузки, имеет такие же особенности, как и параллельный колебательный контур, рассмотренный ранее.

Рассмотрен расчёт ЦС с делением ВЧ мощности (рисунок 5а) [1]. Для

IV

Ао ]п -I /

гч гмц фс,

I \1 / ! I

I---о- ' —О-

-¿С3

Сг

= = Си [|]/?ы

-Сь

а)

-X

б)

Рисунок 5 - Схема согласования коаксиального кабеля с двумя комплексными нагрузками (а) и параллельная схема замещения цепи подачи ВЧ напряжения на входе контура (б). Обозначения элементов в тексте.

входной цепи контура вводятся обозначения: /33=а>С3Яи, Д , = соСиЛи. а входная цепь (С3, Си и Ри) представляется в виде эквивалентной схемы (рисунок 56), для которой Р^. =&»Срс/?рс. В режиме идеального согласования нагрузки поглощают мощность Р = Р„ но поскольку Р = 11,п1\¥ и цепи нагрузок соединены параллельно, то получаем, что мощности нагрузок равны

р, =

- = р{ярс-1¥)/Яр>

Кегы

Отсюда следует, что /?рс = Р1-У/Ри. Далее, используя прямые и обратные преобразования параллельной и последовательной схем замещения, показано, что

А* =

К' + Ал2)-!-

Ёмкость Сз определяется по выражению /?3 = (1 + ри)/(Д,с - Ри)- Расчёт ЦС выполняется по формулам (2) - (4), где принимается ReZ■m = /[ярс - IV),

если Дрс > IV.

В третьелг разделе разработаны методики расчёта схем замещения плазменных нагрузок [1 ]. Методика расчёта схемы замещения распылительного магнетрона опирается на экспериментально полученный результат зависимо-

стей напряжений ВЧ и постоянного смещения от мощности Ру., рассеиваемой на магнетроне

Эксперименты проводились на установке «Модуль НД». Распылительное устройство установки представляло два планарных магнетрона с плоскими прямоугольными мишенями, имеющими площадь контакта с плазмой 5о= 171 см2 Для распыления использовался генератор «Источник ВЧ-5,0» с максимальной выходной мощностью 5,0 кВт, работающий на частоте 13,56 МГц и содержащий ваттметр падающей и отраженной мощностей

Эксперименты выполнены при следующих рабочих параметрах выходная мощность генератора от 100 Вт до 5,0 кВт, давление аргона в процессе распыления примерно 1 Па, расстояние между мишенями и подложками 6,5 см

По результатам экспериментов методом наименьших квадратов были найдены функции, описывающие напряжения ВЧ и постоянного (отрицательного) смещения магнетрона. Они имеют следующий вид. ии = ач Ргде ач и Ьи - эмпирические коэффициенты, / - индекс материала мишени Эти функции позволяют представить сопротивления на ВЧ (/' = 1) и для постоянного смещения (/ = 2) в следующем виде.

(11)

где Я0 в омах, Д. в ваттах, Аи = ; В^ = 2Ь,} -1; 5 - площадь мишени, находящейся в контакте с плазмой, см2 Численные значения А,} и Ви приведены в таблице

Материал мишени и толщина 1 Индукция магнитного поля на поверхности мишени, Тл ВЧ Постоянное смещение

Ап, Ом см2'ВтА1 В, 1 А/2, Ом см2«/'2 В, 2

Кварцевое стекло, 3 мм 1 0,054 17920 0,160 44880 0,020

Титан, 4 мм 2 0,054 99760 -0,212 3280 0,156

Моноалюминагг неодима, 5 мм 3 0,015 135240 -0,160 328020 -0,088

Тантал, 1,5 мм 4 0,015 98600 0 4520 0,570

Эффективные значения напряжений на магнетроне (ВЧ, смещения и полное) определяются по формулам

Параметры Сх и Яь параллельной схемы замещения нагрузки (см рисунок 1), находятся по выражению (11) (/?ь = Ел) и формуле

О. -с<>

где Со - емкость, шунтирующая зону магнетронного разряда, - удельная поверхностная емкость плазмы (для давления 0,6 - 1 Па СД1 « 0,05 пФ/см2)

Приведена методика расчёта схемы замещения плазменного конденсатора с обкладками сложной геометрии.

Рассмотрен плазменный конденсатор (рисунок 6а); между его обкладками действует переменное электрическое поле с частотой а>, раскачивающее электроны и ионы плазмы. Подвижность электронов много больше подвижности ионов, поэтому электроны имеют амплитуду колебаний больше, чем ионы, а к электродам прилипает больше колеблющихся электронов, чем ионов. Однако в плазменных установках один из электродов заземляют (его потенциал практически равен нулю и этот электрод называют "анодом"). Анод не может приобрести отрицательный постоянный потенциал - вместо него плазма приобретает положительный потенциал, а его величина определяется условием равенства электронного и ионного токов. На другой электрод, известный как "катод", через разделительный конденсатор подаётся ВЧ напряжение. Катод, взаимодействуя с плазмой, приобретает некоторый постоянный потенциал смещения, величина которого также определяется условием равновесия электронного и ионного токов. Постоянные падения потенциала в приэлекгродных зонах создают потоки ионов в сторону электродов, при этом кинетическая энергия ионов и колеблющихся электронов может быть использована для различных целей (очистка, распыление; управление структурой, смачиваемостью, плотностью, проводимостью и т.п. различных материалов).

С целью упрощения расчётов схемы замещения предположено, что на ВЧ плазменный конденсатор имеет две зоны изменения постоянного потенциала, эти зоны контактируют с электродами и имеют ёмкостной характер (ёмкости Сс и Са), а между электродами расположена положительно заряженная плазма, имеющая сопротивление Кр\ (рисунок 66). Аналогичную структуру разрядного промежутка имеет плазменный конденсатор со сложной геометрией.

Принято, что амплитуда колебаний электронов в приэлектродных областях порядка электронного дебаевского радиуса плазмы Яс,,, а толщины приэлектродных слоёв с1с и (рисунок 6а) в среднем за период колебаний электронов примерно равны Аа,. и не зависят от частоты возбуждения плазмы. Тогда ёмкость СР1 (рисунок бе) может быть определена по следующему выражению:

а

г)

Рисунок 6 - Плазменный конденсатор с параллельными электродами: а - структура разрядного промежутка; / - катод, 2 - анод, 3 и 4 -приэлектродные слои, 5 - плазма; б - ВЧ схема замещения плазменного конденсатора; в -параллельно-последовательная схема замещения; г - параллельная схема замещения.

Cpl ~ red ■ (12)

где

rp\ _ "от "'pie _ jnee2 _ SrSa

I, ~ i ' л „ ' ^red „ , „ '

л/*в Tjme ]¡£0me Sc + Sa

со -v 2

Sra¡ - приведенная площадь электродов; s0 - электрическая постоянная, s, -электрическая проницаемость приэлектродных слоев плазмы (принята равной электрической проницаемости плазмы), къ — постоянная Больцмана, е и те - заряд и масса электрона, е>Р|е, ve, Те и яе — плазменная частота, частота столкновений, температура и плотность электронов В том случае, когда размеры электродов порядка длины электромагнитной волны в приэлектродном зазоре, в качестве площади электрода принимается эффективная площадь электрода [7], учитывающая распределение электромагнитного поля по поверхности электродов В соответствии с формулой (13), для средних частот (еор\, < а>< сорle, a)pU -плазменная частота ионов) и достаточно «высокого» давления газа (ц,» сор1е) е, « 1

Сопротивление плазменного конденсатора определено по соотношению Лр>=*о/?р1 /С, (14)

где С - емкость конденсатора без плазмы; pf\ - удельное сопротивление плазмы, в области средних частот [Л8]

,2 "

Л.Г

JV2,

V уе У

(15)

Определённые по формулам (12) - (15) Ср) и ЯР1 являются параметрами последовательной схемы замещения разрядного промежутка, которая шунтируется емкостью С0 (емкостью участков конденсатора без плазмы) (рисунок бе). При расчете ЦС используется параллельная схема замещения (рисунок 6г) с параметрами О. и они определены так

Сь =С0 +Ср|/(ю2Ср1)2, \ = 2г!, где2 = + /{еоСр1)

В конце второй главы рассмотрен порядок расчета НС Определяются эквивалентные схемы нагрузки для возможных интервалов изменения мощности, перечня напыляемых материалов, плазмообразующих сред и для других параметров, влияющих на плазму Затем для каждой эквивалентной схемы рассчитываются номиналы элементов ЦС, токи и напряжения в цепях НС Оцениваются интервалы изменения номиналов элементов, критические значения токов и напряжений [4-6], по этим оценкам осуществляется выбор элементов электрической схемы ЦС, а также определяются поперечные сечения проводников и безопасные расстояния между электрическими цепями и корпусными деталями

В соответствии с описанными во второй главе методиками расчета НС и плазменных нагрузок рассчитана и спроектированна ВЧ система магнетронного

Рисунок 7 - Модернизированная установка УВН-74: а - генератор «Источник ВЧ-5,0 М»; б и в - общий вид вакуумного поста с ВЧ нагрузочной системой: 1 - блок магнетронов, 2 - электрод с деталями к 3 - устройство согласования.

распыления для нанесения декоративных покрытий на пластмассовые детали в составе модернизированной установки вакуумного напыления УВН-74 (рисунок 7) (см. «Приложение» диссертационной работы). Высокочастотная система работает на частоте 13,56 МГц в интервале мощности от 50 Вт до 5 кВт и обеспечивает распыление трёх различных материалов в одном вакуумном цикле, в том числе с подачей напряжения смещения на электрод с деталями. ВЧ система установки реализована в соответствии с рисунком 1д, а НС - в соответствии с рисунком 5.

Третья глава «Исследование активного сопротивления проводников на высокой частоте» состоит из двух разделов. В первом разделе представлены результаты исследования проводников с электропроводными покрытиями [8-11], которые находят применение в электрических цепях ВЧ систем.

Аналитическая зависимость для активного удельного поверхностного сопротивления проводника с покрытием на ВЧ получена с применением теории Пойнтинга (отличается от способа, применённого в [Л6] при рассмотрении скин-эффекта в двухслойных проводниках). Вычислив часть энергии, которая втекает в проводник с покрытием за единицу времени (мощность потерь Р), а также найдя среднее (по времени) значение квадрата тока в проводнике с покрытием (/) и используя выражение для активного сопротивления И = /7</2), установлено:

11 = ^Ч1р-Ь>\051, (16)

н 1 + ехр 1 - ех[ на | + 2*:, вт (2хЛ{Р16г(1 + к,)2 1] ) Рг8\ Ц

«1 1 + ехр * ) кг2 ехр V. J -2 кг сое т

р - удельное сопротивление материала; б - глубина скин-слоя материала; кг -коэффициент отражения электрического поля в электромагнитной волне на

2 о

9,45

9,40

9,35

1 й 9,30 9,25 9,20

осоа{ •"»тах \ / \ ' \ ' \ / V ...... 2Ш

/ \ / \ ' \ / \ / \ Е. 1

* - псоа! | "¡»тт, ! ,г]ай| , ,

10

20

30 , мкм

40

50

границе покрытие-проводник [9], - толщина покрытия; / - длина проводника, ри Ь- периметр и наименьший размер поперечного сечения проводника, 1 и 2 - индексы, определяющие отношение параметров к материалам покрытия и проводника соответственно.

Исследование выражения (17) показало

1 Практически всегда существует экстремальное значение для активного сопротивления проводника с покрытием при изменении толщины покрытия (рисунок 8)

2 Экстремум соответствует толщине покрытия 21ей «я-<5,/2

3 Экстремум является минимумом, если выполняется условие

Р2 Иг2 > А > (18) и максимумом, если выполняется

РгМгг <Р\Мг\' (19) где Цг - магнитная проницаемость материала

4 При выполнении условия

Рг Ргг = А Рп материалы покрытия и провода неразличимы, а экстремум отсутствует.

5 Толщина токопро-водящих покрытий должна выбираться по формуле

=,= (1,4-1,5)^ Изучение физических свойств проводящих материалов позволило определить перечень материалов для проводников с покрытиями, обладающих свойством минимума [9]. Кроме того, расчеты, провёденные в соответствии с выражени-

Рисунокв - Расчетные зависимости удельного поверхностного сопротивления от толщины покрытия 21 на частоте 13,56 МГц 1 - проводник - медь, покрытие - серебро, параметры материалов удовлетворяют условию минимума (18), 2 - проводник - серебро, покрытие - медь, параметры материалов удовлетворяют условию максимума (19)

мкм

Рисунок 9 - Расчётные зависимости удельного поверхностного сопротивления Я'™' от толщины покрытия 2\ на частоте 13,56 МГц для сочетаний материалов проводника и покрытия 1 - сплав Л63 - никель 2 - сталь - никель

ем (17), показали, что проводник из меди с покрытием из серебра толщиной 24,4 мкм, а также проводник из бронзы БрКМцЗ-1 с покрытием из меди толщиной 27,8 мкм проводят электрический ток на частоте 13,56 МГц лучше серебра Исследование никелевого покрытия показало, что его применение на ВЧ недопустимо (рисунок 9) В конце раздела приводятся рассчитанные значения удельного поверхностного сопротивления проводников с покрытиями, применяемыми в промышленности на частоте 13,56 МГц

Во втором разделе описана методика расчета поперечного сечения проводников, используемых в силовых цепях ВЧ систем [11,12]. Геометрия поперечного сечения электрического проводника на ВЧ определена следующим образом Известно, что для воздушного способа охлаждения наружная поверхность проводника должна обеспечивать передачу в окружающее пространство тепловой энергии не менее той, которая выделяется в проводнике вследствие джоулевых потерь, поэтому

<1ъР1>12Л, (20)

где — удельная тепловая мощность, отводимая с наружной поверхности проводника, /-электрический ток. Подставляя (16) в (20), получено, что периметр поперечного сечения проводника должен удовлетворять неравенству

р>р,1, (21) где Ра - допустимый удельный периметр на ВЧ,

Определены параметрыр% и ¿проводниковых материалов для различных систем охлаждения на частоте 13,56 МГц Их пересчёт на частоту / (в МГц) осуществляется по формулам, д = 8{п $6)^]13,56//, р& = д(13'56) (//13,5б)"4

Представлены результаты расчёта р% на частоте 13,56 МГц для проводников с покрытиями, используемых в промышленности.

Применение разработанной методики при проектировании НС обеспечивает соблюдение условия «бездиссипативности» для ЦС Примеры расчета проводников приводятся в работе [12].

Четвёртая глава «Измерение электрической мощности в высокочастотных нагрузочных системах» состоит из четырёх разделов, в ней рассмотрены основные положения теории, а также методика расчёта ваттметров падающей, отражённой и активной мощностей на ВЧ [1,2,13-15].

В первом разделе рассмотрен принцип работы ваттметра в ЛПЭ (рисунок 10), который вытекает из формул (см , например, [2])

Р=У2ЦУ = У2 |/,|2Г, />Г=^/Г/>=Х|/Г|2^, (22)

где

' 2[ IV) г 2^ Ш)

/,„ /,* и /г, I* - амплитуды токов падающей и отражённой волн и их комплексно-сопряженные значения, и, / — реально измеряемые в линии амплитуды на-

пряжения и тока Передаточные характеристики датчиков тока 2, 4 и датчиков напряжения 1, 3 описаны выражениями

I = к, е, и = ки и, (24)

где кI - коэффициент преобразования выходного напряжения (сигнала) датчика тока в ток ЛПЭ, е - амплитуда сигнала датчика тока, ки - коэффициент преобразования выходного сигнала датчика напряжения в напряжение ЛПЭ, и - амплитуда выходного сигнала датчика напряжения.

В соответствии с (23) необходимо выполнить операции сложения и вычитания тока и напряжения с целью определения амплитуд токов падающей и отражённой волн. Показано, что эти операции можно выполнить конструктивно, соединив датчик тока и датчик напряжения последовательно, причем направления включения датчика тока в ЛПЭ по каналам падающей и отраженной мощностей должны быть противоположными С учетом формул (23) данные операции выглядят так

/, = ^к,{и + ё), 1г=~к,{и-ё)

Амплитудными детекторами 5, б выделяются модули сигналов датчиков тока и напряжения Сигналы фильтруются устройствами 7,8 и поступают на вход устройств 9, 10, выполняющих операции возведения в квадрат с коэффициентом передачи К Выходные сигналы этих устройств соответствуют мощностям падающей и отражённой волн и, в соответствии с (22) - (24), описываются выражениями

Р1=К\и + (\2, РТ=К\и-е\2К = У%к,21¥ = %к,ки

Вычитающее устройство II выполняет операцию определения активной мощности

Из рассмотренных соотношений следует, что датчики тока и напряжения, должны удовлетворять условию, которое сформулировано следующим образом Если на участке ЛПЭ, где установлены датчики тока и напряжения, отсутствует отраженная волна (Р, = 0), то на этом участке сопротивление линии

Измеоитель КСВ -----1

\ZuPL

Общий Т | Т у Мощности

Падающая Активная Отраженная

Рисунок 10 - Электрическая схема ваттметра 1,3- датчики напряжения, 2, 4 -датчики тока, 5, б - амплитудные детекторы, 7, 8 - фильтры, 9, 10 - устройства возведения в квадрат; 11 - устройство вычитания

1

1

2 = I)/1 = № , при этом сигналы датчиков тока и напряжения по каналу падающей мощности должны быть равны (е = й), а по каналу отражённой мощности должны быть равны только по модулю, имея при этом противоположные фазы [2,15].

Во втором разделе приведено обоснование применения коаксиальной линии передачи в составе ваттметра (измеритель КСВ на рисунке 10). В третьем разделе рассмотрены конструкции датчиков тока и напряжения, способы их включения в состав коаксиальной линии передачи, их расчёт, а также выполнен анализ последовательного соединения датчиков тока и напряжения. Проанализированы датчики тока в виде петли (рисунок 11а) и катушки связи

Рисунок II - Схемы размещения петли связи (а) и кольцевой катушки (б) в коаксиальной линии передачи: 1 - внутренний проводник, 2 - внешний проводник, 3 -петля связи, 4 - катушка.

(рисунок 116); датчик тока в виде катушки связи может размещаться не только внутри коаксиальной линии передачи, но и внутри внутреннего или внешнего проводников коаксиальной линии, а также на торце внешнего проводника (по аналогии с компоновкой трансформаторов с объёмными обмотками). Напряжение на зажимах датчика тока определено по формуле ё = -1М со I, где

М = 1п — (рисунок 11а); М = ^— ¡л ^ (рисунок 116), (25) 2л 2 г^ 2 и й

М - коэффициент взаимной индукции; //0 - магнитная постоянная; N - количество витков катушки.

Показано, что в соответствии с условием для сигналов датчиков тока и напряжения, в качестве датчика напряжения необходимо использовать такой делитель напряжения, который сдвигает фазу выходного сигнала датчика на ±я/2 относительно напряжения в коаксиальной линии передачи. На рисунке 12 приведены резистивно-ёмкостной (КС) делитель напряжения, обеспечивающий сдвиг фазы +л/2 между входом и выходом датчика напряжения и индуктивно-резистивный (¿й) делитель, для которого также выполняется условие по фазе. Таким образом, установлено, что для датчика тока и ЙС-делителя должно вы-

вы-

полняться условие, которое и и не зависит от частоты и оп-

ределяется по формуле-

ЯС = М/Ш (26) Аналогично для датчика

п П ^ тока и ¿й-делителя

и* УМ Я/А^м/Г,

— —1- -I- — но для них /?/£ является

, функцией частоты

' Рассмотрен вариант,

Рисунок 12 - Схемы измерения напряжения с помо- когда ёмкостью связи С яв-щью ЙС (а) и ¿Л (б) делителей ляется ёмкость датчика то-

ка относительно внутреннего проводника коаксиальной линии передачи Установлено, что в этом случае параметры С и К с учётом (25) и (26) определяются по выражениям

„ 2яе.еЛЬ _ ифЫ . с/, , ,, . ,„.

С = о.Ь,- ^—' К = ~Г (Датчик тока на Рисунке 11 о), (27)

] 2гД2г, + 2лУУС аГ,

¿¿о

1п— 1п —

„ 2лейе.кЬ „ И^ЛГ с/ ...

С =-^—, л =--2 (датчик тока на рисунке 116), (28)

1п

И)

где £г -диэлектрическая проницаемость изоляции коаксиальной линии передачи, к - поправочный коэффициент (экспериментально установлено, что для датчика тока в виде петли связи к = 0,673, а для катушки к = 1,853 [15])

Проведён анализ последовательного включения датчиков тока и напряжения в составе коаксиальной линии передачи (рисунок 13) Предполагается, что в коаксиальной линии передачи распространяется падающая волна, а отражённая отсутствует. Рассматривается структура электромагнитного поля в линии передачи с ориентацией векторов электрического Е и магнитного В полей в соответствии с вектором Пойнтинга, т.е. ЕхВ. Принимается, что электрическое и магнитное поля в линии передачи изменяются по синусоидальному закону и находятся в первой четверти (поля растут). Тогда магнитное поле, наведенное в петле связи, будет препятствовать изменению магнитного поля в коаксиальной линии передачи (правило Ленца), а его направление определит ориентацию тока в петле (ЭДС в датчике тока отстаёт от тока в линии передачи на -л/2) Направление электрического поля на резисторе датчика напряжения будет совпадать с направлением электрического поля в линии передачи, но оно уменьшается и опережает поле в линии на +я/2. Таким образом, со стороны «А» датчики находятся в фазе и их напряжение, при выполнении условия для сигналов датчиков тока и напряжения, соответствует напряжению падающей

Рисунок 13 - Схема последовательного включения датчика тока 1 и датчика напряжения, образованного сопротивлением 2 и емкостью датчика тока относительно центрального проводника 3 коаксиальной линии передачи: А - датчики находятся в фазе, Б - датчики находятся в противофазе; 4 и 5 - ориентации силовых линий магнитного и электрического полей в линии передачи, 6 - ориентация силовых линий магнитного поля в датчике тока, 7 и 5 - направления электрического тока в резисторе датчика напряжения и датчике тока.

волны, а со стороны «Б» - в противофазе и их напряжение - это напряжение отражённой волны. Ситуация с применением в линии датчика тока в виде катушки связи аналогична.

В четвёртом разделе проведёны анализы ВЧ ваттметра по мощности и току, амплитудного детектора и фильтра ВЧ; приведена методика расчёта измерителя КСВ, а также рассмотрены результаты экспериментального исследования ваттметра.

Анализ мощности бегущей волны в коаксиальной линии передачи проведён в соответствии с известной формулой ]пР

2 лЯЯ

где Л„,ах - действующее значение напряженности электрического поля около поверхности внутреннего проводника. С учётом неоднородности электрического поля, создаваемого датчиком тока, а также возможности удвоения напряжения при работе ваттметра на разомкнутую нагрузку получено выражение, по которому производится расчёт диаметра провода датчика:

¿о^Щ^Г/Е*.* (29)

где Р\ тах - максимальная мощность падающей волны, ЕЬу5 - пробивная напряжённость электрического поля для изоляции коаксиальной линии передачи.

Анализ коаксиальной линии по току проведён в соответствии с выражением (21). Принято, что отражённая ВЧ мощность не может превышать 25 % от

падающей мощности С учётом сложения токов падающей и отраженной волн найдено соотношение, по которому определяется диаметр внутреннего проводника коаксиальной линии передачи

(30)

Приведены результаты анализа амплитудного детектора и фильтра (см рисунок 10) Рассмотрена методика расчёта ваттметра, для измерителя КСВ с датчиком тока в виде катушки связи, расчёт выполняется по следующим формулам (см [15])-

Определяется или выбирается Расчетная формула

1 Индуктивность и ёмкость фильтра ВЧ = 2К1о,а ¡{я /), Ст = £ш /2

2 Ток через нагрузку измерителя КСВ Аот) ~ ^Аогх1тгш\ /^1оа1)

3 Емкость, угол отсечки, входное Сопротивление, амплитуда входного напряжения амплитудного детектора С„ = 1/[/Ям(Л и/иы)1 в = , «К»

4 По /load, «га и/выбирается диод VD (см , например, [15]), /load < /„pep, ит < Ц>бр

5 Диаметр внутреннего и внешнего проводников коаксиальной линии передачи (30), D = d exp W/W0)

6 Диаметр провода датчика тока (29)

7 Номинальное напряжение на внутреннем проводнике коаксиальной линии передачи

8 По {/„ом определяются воздушные зазоры, пути утечки изоляции датчика тока и коаксиальной линии передачи, испытательное напряжение СЛкп

9 Толщина диэлектрической изоляции датчика тока в коаксиальной линии передачи

10 Коэффициент взаимной индукции датчика тока и коаксиальной линии передачи Ц] _ ^kudma* 1 W 4я-л/2со 10/4 Р1ЯЛ

11 Напряжения на выходе измерителя КСВ у w

12 Параметры датчика тока АЛ/ 2ЯМ bN--——г аМ^М)

13 Минимальная мощность, измеряемая ваттметром р "°m 32 it2(fMf

14 Сопротивление датчика напряжения (28)

Выше обозначено- R^d - сопротивление нагрузки измерителя КСВ; f/(oad max, Д676iMci - наибольшее напряжение и относительная доля пульсаций напряжения на выходе измерителя КСВ соответственно, S - крутизна вольтам-перной характеристики диода; /прср> и £/0бр - прямой предельный средний ток, прямое падение напряжения и предельное обратное напряжение диода соответственно, ps = 1,29 мм/А - допустимый удельный периметр поперечного сечения провода из сплава JIC59-1 с покрытием Ср.З на частоте 13,56 МГц [12], Pimm, Pi шах - наименьшая и наибольшая мощности, измеряемые ваттметром, IVo = 376,6 Ом - волновое сопротивление вакуума; к, = 2 - коэффициент эксплуатационного запаса, Ан = 4 - коэффициент неравномерности электрического поля

В соответствии с разработанной методикой нами выполнен расчёт ваттметров, примененных в составе генераторов УВ70-01, «Источник ВЧ-5,0», «Устройство высокочастотное» и др

Рассмотрены результаты экспериментов по проверке теоретически полученной зависимости, описывающей работу ваттметра:

Uloai=j2cosâa>(M±RCW)^,(PT = 0), (31)

где знак плюс соответствует напряжению для канала падающей мощности, а минус - отражённой.

Из зависимости (31) следует, что напряжение на выходе измерителя КСВ

является линейной функцией как R, так и Эксперименты выполнены на установке состоящей из генератора УВ70-01, коаксиального кабеля РК-75-9-13 и измерительного ваттметра МЗ-48 с входным сопротивлением 75 Ом Исследуемый ваттметр размещался между генератором и кабелем

Рисунок 14 - Теоретическая зависимость (/) и экспериментальные значения (2) напряжения и\аьА от сопротивления Я по каналу отраженной мощности для ваттметра ДЛЖМ 5 714 001 Ятах = 1,5 кВт, / = 13,56 МГц, № = 75 Ом, £> = 20 мм, */= 3 мм, й1=9 мм, Ыг = 17 мм, Ь = = 8 мм, N=28 витков

Рисунок 15 - Зависимости напряжения (/toad от мощности P¡ для ваттметра ДЛЖМ 5 714 002 / - экспериментальные значения, 2 - расчет выполнен по п 11 таблицы

На рисунке 14 представлены теоретическая зависимость и экспериментальные значения U\mA от R для ваттметра ДЛЖМ 5 714 001 при выполнении условия Р, = const Из рисунка видно, что с увеличением сопротивления R наблюдается линейное падение напряжения i/,oad, а значение i/tQad = 0 определяет сопротивление датчика напряжения, при котором выполняется условие для датчиков тока и напряжения

На рисунке 15 показаны теоретическая зависимость и экспериментальные значения Ui0ii от для ваттметра ДЛЖМ 5 714 002 Из них следует, что аналитическая модель, изложенная в диссертационной работе, имеет хорошее количественное согласие с экспериментом

Погрешность экспериментальных значений Ui0„i, приведенных на рисунках 14 и 15, не превышала 5 %

В заключении сформулированы основные выводы и результаты диссертационной работы.

1 Разработаны методики расчета П-контура, параллельного колебательного контура с неполнымым включением и контура с делением ВЧ мощности с учетом возбуждаемого в контуре типа резонанса, адаптированные к расчёту нагрузочных систем для ёмкостного возбуждения плазмы

2 Показано, что для нагрузочных систем с использованием П-контура или параллельного колебательного контура с неполным включением их безразмерная входная ёмкость (или индуктивность) не зависит от типа возбуждаемого резонанса, а зависит от согласуемых сопротивлений, выходной ёмкости (или индуктивности) и частоты электромагнитных колебаний

3 Установлено, что для П-контура тип возбуждаемого резонанса зависит от согласуемых сопротивлений, частоты, а также выходной ёмкости контура

4. Рассчитаны электрические схемы замещения для распылительного магнетрона, возбуждающего плазму, на основе экспериментально полученного результата зависимости ВЧ напряжения U от активной мощности PL, имеющей степенной вид U-aP\,А, и плазменного конденсатора с обкладками сложной геометрии

5 Теоретически найдена зависимость активного сопротивления проводника с покрытием на ВЧ от толщины покрытия, на которой установлено существование экстремального значения

6 Определена оптимальная толщина покрытий для проводников на частоте 13,56 МГц (например, для меди с покрытием из серебра - 24,4 мкм, для бронзы БрКМцЗ-1 с покрытием из меди - 27,8 мкм)

7 Разработаны и созданы ваттметры ВЧ мощности, используемые в электрических цепях нагрузочных систем для емкостного возбуждения плазмы

СПИСОК ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Л1 Фортов, В.Е. Физика неидеальной плазмы / В Е Фортов, А Г Храпак,

И Т Якубов - M • ФИЗМАТЛИТ, 2004 - 528 с Л2 Муравьёв, О.Л. Радиопередающие устройства связи и вещания /

О Л Муравьёв - M * Радио и связь, 1983 - 352 с ЛЗ Белянин, А.Ф. Устройство высокочастотного магнетронного распыления для выращивания тонких пленок / А Ф. Белянин, П.В Пащенко,

A.П Семёнов//ПТЭ -1991 -№3 -С. 220-222.

Л4 Потапенко, И.П. Система высокочастотного распыления в установке ВУП-

4 / И П Потапенко // ПТЭ - 1993 - № 5 - С. 192 - 193 Л5 Самойлов, С.А. Моделирование устройств согласования высокочастотных генераторов с газоразрядными нагрузками дис канд техн наук- 05.13 14 / Самойлов Сергей Александрович. - Владимир, 1998 - 187 с ЛбШимони, К. Теоретическая электротехника / К Шимопи - M Мир, 1964 - 775 с.

Л7 Головков, A.A. Синтез и анализ квазинедиссипативных взаимных одночас-тотных и двухчастотных сумматоров и делителей мощности с управляемыми характеристиками / А А Головков, С В. Ковалев // Антенны - 2003 -Вып 2(69).-С 61-79 Л8 Райзер, Ю.Р. Физика газового разряда / Ю.Р Райзер. - М: Наука, 1987 -591 с

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

1 Морозов, В.А. Высокочастотные нагрузочные системы с ёмкостным возбуж-

дением плазмы для пленочных технологий / В А. Морозов, Г.М. Михеев, Р Г Зонов // «Нанотехнологии - производству - 2006». Труды конференции, 29 - 30 ноября 2006 г, Фрязино 2006. - M «Янус-К», 2006. - С. 266 - 280

2 Морозов, В.А. Определение падающей, отражённой и активной мощностей в

двухпроводной линии передачи электрической энергии / В А Морозов // Электротехника.-2006 -№ 12.-С 25-29

3 Скурихин, С.А. Устройство автоматического согласования / С А Скурихин,

С В Грехнев, В А Морозов, H Е Грязев // Информационный листок о научно-техническом достижении № 86-2332 - M ВИМИ, 1986. - 3 с

4 Морозов, В.А. Особенности расчета контура третьего вида, используемого в

нагрузочных системах высокочастотных технологических установок /

B.А Морозов//Электротехника -2005 -№2 -С 59-64

5 Морозов, В.А. Цепь согласования из параллельного колебательного контура с

неполным включением для высокочастотной нагрузочной системы / В А Морозов, Г M Михеев // Материаловедение и обработка материалов сб научн трудов / отв за выпуск А В Трубачев, гл ред В Б Дементьев -Ижевск ИПМ УрО РАН, 2005 - С 231-242

6 Морозов, В.А. Особенности расчёта высокочастотной нагрузочной системы с

цепью согласования из параллельного колебательного контура с неполным

включением / В.А. Морозов, Г.М. Михеев // Электротехника. - 2006. - № 8 -С 53-58

7 Морозов, В.А. Расчёт характеристик рабочего конденсатора с прямоугольными электродами / В.А Морозов // Электротехника - 2002 - № 11. -С .41 - 44

8 Морозов, В.А. Сопротивление проводника с покрытием на частоте 13,56 МГц / В А Морозов, ГМ Михеев // Шестая российская университетско-академическая научно-практическая конференция: материалы конференции: ЧИ Физика Математические науки Компьютерные науки - Ижевск, 2004 -С 26

9 Морозов, В.А. Исследование активного сопротивления проводника с покрытием на высокой частоте / В А Морозов, Г.М Михеев // Электротехника -2004.-№3.-С. 30-35

10 Морозов, В.А. Расчёт контактной пары для экранированного датчика измерения высокочастотного тока / В А. Морозов, Г М Михеев // Вестник Иж-ГСХА -2005 -№3(6) -С 8-9

11 Морозов, В.А. Особенности активного сопротивления электрического провода с покрытием на высокой частоте / В А Морозов, Г М Михеев // Научное обеспечение реализации национальных проектов в сельском хозяйстве: материалы Всероссийской науч -практ конф. - Ижевск- ФГОУ ВПО ИжГС-ХА, 2006 -T.III.-C 225-229

12 Морозов, В.А. Простой расчёт поперечного сечения электрического провода на низких и высоких частотах / В А Морозов, Г.М Михеев // Электротехника -2005 -№4.-С 54-60.

13 Морозов, В.А. Измерение электромагнитной мощности на высокой частоте / В А. Морозов, Г.М. Михеев // Проблемы механики и материаловедения: III науч -практ. конф., Ижевск, 14-15 июня 2006 г.. тез докл. — Ижевск. ИПМ УрО РАН, 2006. - С 92 - 93

14 Морозов, В.А. Исследование высокочастотного ваттметра с датчиками тока и напряжения / В.А Морозов // Международная научная конференция «75 лет высшему образованию в Удмуртии», материалы конференции: 4.2. Естественные науки — Ижевск, 2006 - С 36 — 37.

15 Морозов, В.А. Ваттметр для высокочастотной системы с плазменной нагрузкой / В А Морозов, Г М Михеев, Р Г. Зонов // Харьковская нанотехно-логнческая ассамблея Том I Вакуумные нанотехнологии и оборудование-сб. докл 7-й Международной конф. «Вакуумные нанотехнологии и оборудование», Международного семинара «Вакуумно-дуговой разряд с холодным катодом физика, технологии и устройства», Международного науч -практ. симпозиума «Наноструктурные функциональные покрытия для промышленности» / под общ. ред И М Неклюдова, В М Шулаева - Харьков ННЦ «ХФТИ» ИПП «Контраст», 2006 - С 41 - 45

Отпечатано с оригинал-макета заказчика

Подписано в печать 08 11 2007 Формат 60x84 1/16 Тираж 100 экз Заказ № 1674 Типография ГОУВПО «Удмуртский государственный университет» 426034. г Ижевск, ул Университетская, 1,корп 4

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ СИСТЕМЫ

ДЛЯ ЁМКОСТНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ ПЛАЗМЫ.

1.1 Высокочастотный ёмкостной разряд.

1.1.1 Применение высокочастотного ёмкостного разряда.

1.1.2 Источники высокочастотной плазмы.

1.1.2.1 Основные параметры плазмы.

1.1.2.2 Высокочастотные реакторы планарного типа.

1.1.2.3 Режим постоянного напряжения.

1.1.2.4 Особенности высокочастотного ёмкостного разряда.

1.1.2.5 Магнетронныйразряд.

1.1.2.6 Источники плазмы для высокочастотного реактивно-ионного и химического травления.

1.1.2.7 Источники атмосферной ёмкостной плазмы.

1.2 Структура и состав высокочастотных систем мкостного возбуждения плазмы.

1.2.1 Анализ высокочастотных систем.

1.2.1.1 Структура высокочастотной системы.

1.2.1.2 Примеры реализации высокочастотных систем.

1.2.2 Высокочастотные генераторы.

1.2.3 Цепи высокочастотного согласования.

1.2.4 Схемы замещения плазменных нагрузок.

1.2.5 Проводники на высокой частоте.

1.2.6 Измерение мощности на высокой частоте.

Выводы к Главе 1.

Глава 2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ НАГРУЗОЧНЫЕ СИСТЕМЫ.

2.1 Анализ линий передачи электромагнитной энергии.

2.2 Цепи согласования высокочастотных нагрузочных систем для ёмкостного возбуждения плазмы.

2.2.1 Исследование и расчёт П-контура.

2.2.1.1 Определение основных параметров контура.

2.2.1.2 Исследование области существования параллельного и последовательного резонансов.

2.2.2 Расчёт параллельного колебательного контура с неполным включением.

2.2.2.1 Контуры с неполным включением индуктивности со стороны генератора и ёмкости со стороны нагрузки.

2.2.2.2 Контуры с неполным включением ёмкости со стороны генератора и индуктивности со стороны нагрузки.

2.2.3 Цепь согласования с делением высокочастотной мощности.

2.3 Ёмкостные плазменные нагрузки.

2.3.1 Распылительный магнетрон.

2.3.1.1 Исследование зависимости высокой частоты и постоянного смещения от активной мощности.

2.3.1.2 Расчёт схемы замещения распылительного магнетрона на высокой частоте.

2.3.2 Плазменный конденсатор с обкладками сложной геометрии.

2.3.3 Моделирование нагрузочной системы.

Выводы к Главе 2.

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ АКТИВНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ПРОВОДНИКОВ НА ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЕ.

3.1 Сопротивление электрических проводников с покрытиями на высокой частоте.

3.1.1 Определение активного сопротивления проводника с покрытием.

3.1.2 Анализ выражения для сопротивления проводника с покрытием и обсуждение полученных результатов.

3.1.3 Расчёт разъёмного контактного соединения на высокой частоте.

3.2 Методика расчёта поперечного сечения электрического провода.

3.2.1 Особенности теплового расчёта проводников на высокой частоте.

3.2.2 Численная обработка результатов теории.

Выводы к Главе 3.

Глава 4. ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ В ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ НАГРУЗОЧНЫХ СИСТЕМАХ.

4.1 Особенности схемного решения ваттметра.

4.2 Основные характеристики коаксиальной линии передачи.

4.3 Расчёт датчиков тока и напряжения.

4.3.1 Датчики тока.

4.3.1.1 Измерение электрического тока в коаксиальном волноводе.

4.3.1.2 Датчики тока - петля и катушка связи.

4.3.1.3 Компоновка датчиков тока с учётом скин-эффекта.

4.3.1.4 Анализ эквивалентной схемы датчика тока.

4.3.2 Датчики напряжения.

4.3.2.1 Измерение электрического напряжения в коаксиальном волноводе.

4.3.2.2 Использование датчика тока в качестве ёмкости RC-делителя. Расчёт сопротивления делителя.

4.3.3 Анализ последовательного включения датчиков тока и напряжения.

4.4 Разработка методики расчёта ваттметра.

4.4.1 Расчёт коаксиальной линии передачи.

4.4.1.1 Расчёт линии передачи по мощности.

4.4.1.2 Расчёт линии передачи по току.

4.4.2 Расчёт амплитудного детектора и высокочастотного фильтра.

4.4.2.1 Амплитудный детектор.

4.4.2.2 Чувствительность ваттметра.

4.4.2.3 Фильтр высокой частоты.

4.4.3 Методика расчёта ваттметра.

4.4.4 Экспериментальное исследование ваттметра.

Выводы к Главе 4.

Диссертационная работа посвящена исследованию и моделированию высокочастотных (ВЧ) нагрузочных систем (НС) для ёмкостного возбуждения плазмы, используемых в экспериментальной физике для нанесения и травления тонких плёнок и ионно-плазменной модификации материалов.

Объект исследования - система элементов ВЧ электрической цепи.

Предмет исследования - методы расчёта элементов НС для ёмкостного возбуждения плазмы.

Актуальность темы. В настоящее время в промышленности, экспериментальной физике и химии проявляется большой интерес к ВЧ ёмкостным разрядам. Высокочастотный ёмкостной разряд используется в лазерной и осветительной технике для создания активной генерирующей среды [1-3]; в промышленности он применяется для нанесения и травления тонких плёнок [1,4-15], плазменной обработки и модификации материалов [16, 17], а также для синтеза и утилизации различных химических веществ [18-20]. В последнее время ёмкостной ВЧ разряд используется для генерирования «неидеальной» плазмы (например, пылевой) [21], которая изучается не только в земных условиях с целью получения наноразмерных объектов, но и в условиях микрогравитации, где более благоприятны условия, влияющие на кристаллизацию пылевой компоненты и фазовые переходы различных типов плазмы.

Технологические процессы с применением ВЧ ёмкостной плазмы осуществляются на вакуумных установках, имеющих ВЧ системы, которые предназначены для генерирования и оптимальной передачи энергии в нагрузку. Типичная ВЧ система состоит из генератора, линии передачи энергии (ЛПЭ), цепи согласования (ЦС) и нагрузки (магнетрона или плазменного конденсатора). При этом ЦС (согласующее устройство) и нагрузка образуют НС [22]. В нагрузке выделяется мощность Pi, равная разнице падающей Р\ и отражённой Рг мощностей. ЦС должны обеспечивать выполнение условия Pt ~ 0, что возможно, если в состав НС входит хотя бы элементарный измеритель коэффициента стоячей волны (КСВ) [23]. Однако в экспериментальных установках для осаждения тонких плёнок измерители КСВ (или аналогичные им по назначению приборы), как правило, отсутствуют [5, 7, 8].

С другой стороны анализ научной литературы показывает, что ВЧ ёмкостная плазма изучается в основном с точки зрения её технического применения [1-21]; работы по исследованию высокочастотных НС, используемых в экспериментальной физике и плазменных технологиях, с целью разработки методик их расчёта в литературе практически отсутствуют. Исключением является труд С.А. Самойлова [24], в котором рассмотрена задача согласования ВЧ генератора с активной средой СОг-лазера, затрагивающая проблему моделирования НС для плазменных технологий, но не решающая её.

Таким образом, изучение высокочастотных НС для экспериментальной физики и плазменных технологий, а также разработка новых методов их расчёта актуально.

Цель работы - исследование и моделирование высокочастотных НС для ёмкостного возбуждения плазмы.

В связи с этим поставлены следующие задачи:

1. Моделирование цепей согласования (П-контура, параллельного колебательного контура с неполным включением и контура с делением ВЧ мощности), используемых в НС для ёмкостного возбуждения плазмы.

2. Разработка методик расчёта схем замещения для распылительного магнетрона и плазменного конденсатора, имеющего обкладки сложной геометрии.

3. Экспериментальное исследование зависимости ВЧ напряжения и постоянного смещения на распылительном магнетроне от активной мощности.

5. Исследование влияния материала покрытия на активное сопротивление проводников на высокой частоте для минимизации потерь энергии в электрических цепях НС.

6. Разработка ваттметра падающей, отражённой и активной мощностей для настройки цепи согласования ВЧ систем.

Методы исследований. В диссертации использован комплексный подход, включающий теоретические и экспериментальные методы исследований. В экспериментальных исследованиях применялись статистические методы обработки результатов экспериментов.

Достоверность результатов исследований и работоспособность созданных систем и устройств подтверждена экспериментальными исследованиями и практически выполненными разработками [25-29].

Научная новизна диссертационной работы заключается в исследовании ВЧ нагрузочных систем для ёмкостного возбуждения плазмы, применяемых для нанесения и травления тонких плёнок и модификации материалов, и включает в себя:

1. Разработку методик расчёта П-контура, параллельного колебательного контура с неполным включением, контура с делением ВЧ мощности, схем замещения распылительного магнетрона и плазменного конденсатора с обкладками сложной геометрии, поперечного сечения электрических проводников и ваттметра ВЧ мощности.

2. Определение зависимости типа возбуждаемого резонанса от величин согласуемых сопротивлений, ёмкости на выходе контура и частоты электромагнитных колебаний.

3. Определение зависимости ВЧ напряжения на распылительном магнетроне от мощности, рассеиваемой на магнетроне.

4. Установление экстремальной зависимости активного сопротивления проводника с покрытием на ВЧ от удельного сопротивления и магнитной проницаемости материалов.

Реализация и внедрение работы. Результаты диссертационной работы использованы при разработке высокочастотной системы установки вакуумного магнетронного напыления для ЗАО "Ижевский завод мебельной фурнитуры".

Положения, выносимые на защиту

1. Для НС с использованием П-контура или параллельного колебательного контура с неполным включением безразмерная входная ёмкость (или индуктивность) контура зависит не от типа возбуждаемого в контуре резонанса, а от согласуемых сопротивлений, ёмкости (или индуктивности) на выходе контура и частоты электромагнитных колебаний.

2. Для НС с использованием П-контура тип возбуждаемого резонанса зависит от согласуемых сопротивлений, частоты, а также выходной ёмкости контура. Однако существует такое сочетание указанных параметров, при котором резонансные колебания в контуре не возбуждаются.

3. ВЧ напряжение на распылительном магнетроне с мишенями из кварцевого стекла, моноалюмината неодима, титана и тантала описывается функциями вида U = a Pi!', где а и b - эмпирические коэффициенты, зависящие от материала мишени, индукции магнитного поля на поверхности мишени и площади контакта мишени с плазмой.

4. На зависимости активного ВЧ сопротивления проводника с проводящим покрытием от толщины существует экстремум в точке zi ext «тг<У2, где д\ -глубина скин-слоя материала покрытия.

5. ВЧ ваттметры, использующие датчики тока и напряжения должны удовлетворять условию равенства сигналов датчиков тока и напряжения при отсутствии отражённой волны.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на научно-практической конференции "Актуальные проблемы аграрного сектора" (Ижевск, 1997); VI-й Российской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 2004); Всероссийской научно-практической конференции "Современные проблемы аграрной науки и пути их решения" (Ижевск, 2005); Всероссийской научно-практической конференции "Научное обеспечение реализации национальных проектов в сельском хозяйстве" (Ижевск, 2006); III научно-практической конференции "Проблемы механики и материаловедения" (к 15-летию ИПМ УрО РАН) (Ижевск, 2006); Международной научной конференции "75 лет высшему образованию в Удмуртии" (Ижевск, 2006); 7-й Международной конференции "Вакуумные нанотехнологии и оборудование" (Харьковская нанотехнологическая ассамблея) (Харьков, Украина, 2006); Международной научно-практической конференции "Нанотехнологии - производству - 2006" (Фрязино, 2006).

Публикации. Материалы диссертационной работы полностью отражены в научных изданиях. Общее число публикаций - 15, в том числе: статьи в рецензируемых журналах - 6; статьи в журнале, сборнике и материалах конференций - 4; информационный листок о научно-техническом достижении - 1; тезисы докладов конференций - 4.

Личный вклад. Теоретические и экспериментальные результаты, изложенные в диссертации, получены лично соискателем. Постановка задач исследований, определение методов их решения и анализ результатов экспериментов проведены совместно с соавторами опубликованных работ при непосредственном участии соискателя.

Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка литературы из 183 наименований и приложения. Диссертация изложена на 156 страницах, содержит 56 рисунков, 10 таблиц и приложение. В приложении предоставлены документы о практическом использовании результатов работы.

Выводы и результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

1. Разработаны методики расчёта П-контура, параллельного колебательного контура с неполнымым включением и контура с делением ВЧ мощности с учётом возбуждаемого в контуре типа резонанса, адаптированные к расчёту нагрузочных систем для ёмкостного возбуждения плазмы.

2. Показано, что для нагрузочных систем с использованием П-контура или параллельного колебательного контура с неполным включением их безразмерная входная ёмкость (или индуктивность) не зависит от типа возбуждаемого резонанса, а зависит от согласуемых сопротивлений, выходной ёмкости (или индуктивности) и частоты электромагнитных колебаний.

3. Установлено, что для П-контура тип возбуждаемого резонанса зависит от согласуемых сопротивлений, частоты, а также выходной ёмкости контура.

4. Рассчитаны электрические схемы замещения для распылительного магнетрона, возбуждающего плазму, на основе экспериментально полученного результата зависимости ВЧ напряжения U от активной мощности Pi, имеющей степенной вид U=aPi, и плазменного конденсатора с обкладками сложной геометрии.

5. Теоретически найдена зависимость активного сопротивления проводника с покрытием на ВЧ от толщины покрытия, на которой установлено существование экстремального значения.

6. Определена оптимальная толщина покрытий для проводников на частоте 13,56 МГц (например, для меди с покрытием из серебра - 24,4 мкм; для бронзы БрКМцЗ-1 с покрытием из меди - 27,8 мкм).

7. Разработаны и созданы ваттметры ВЧ мощности, используемые в электрических цепях нагрузочных систем для ёмкостного возбуждения плазмы.

В заключении автор выражает глубокую признательность научному руководителю Геннадию Михайловичу Михееву за помощь и поддержку работы, за полезные обсуждения и замечания. Автор выражает благодарность Руслану Геннадиевичу Зонову за помощь, оказанную им в процессе работы над диссертацией.

Автор также выражает признательность Сергею Анатольевичу Скурихи-ну, Николаю Евгеньевичу Грязеву и Владимиру Сергеевичу Пушкарёву, так как конструкторская и экспериментальная часть диссертационной работы была выполнена при их непосредственном участии и творческой поддержке.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Райзер, Ю.П. Высокочастотный ёмкостной разряд и его приложения /

2. Ю.П. Райзер // Соросовский образовательный журнал. 1999. - № 8. -С. 90 - 96.

3. Шуаибов, А.К. Характеристики галогенной лампы с накачкой продольнымвысокочастотным разрядом / А.К. Шуаибов, А.И. Дащенко, И.В. Шевера, А.А. Генерал // Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29, вып. 23. - С. 91 - 94.

4. A.Б. Богомолов, В.Г. Балакирев // Техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование. 1990. - Вып. 3. - С. 4 - 22.

5. Белянин, А.Ф. Установка для осаждения тонких плёнок материалов, обладающих ВТСП / А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, А.П. Семёнов,

6. B.В. Бесогонов, А.В. Солдатенков // Техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование. 1990. - Вып. 5. - С. 42 - 49.

7. Белянин, А.Ф. Устройство высокочастотного магнетронного распыления длявыращивания тонких плёнок / А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, А.П. Семёнов // ПТЭ. 1991. -№ 3. - С. 220 - 222.

8. Потапенко, И.П. Система высокочастотного распыления в установке ВУП-4 /

9. И.П. Потапенко // ПТЭ. 1993. - № 5. - С. 192 - 193.

10. Строкань, Г.П. Двухкамерная установка для напыления тонких плёнок в поперечном высокочастотном разряде / Г.П. Строкань // ПТЭ. 2003. - № 6. -С.121 -124.

11. Гончаров, А.А. Влияние потенциала смещения на структуру тонких плёнокдиборида тантала / А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, В.А. Ступак // Письма в ЖТФ. 2007. - Т. 33, вып. 5. - С. 12 - 16.

12. Дашкевич, И.П. Промышленное применение высокочастотной плазмы / И.П. Дашкевич // Электротехника. 1982. - № 8. - С. 31 - 33.

13. Есин, В.И. Травление позитивных фоторезистов в кислородосодержащей плазме / В.И. Есин // Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1983. Вып. 3 (149). С. 15-16.

14. Печёнкин, Н.Е. ВЧ-магнетронное реактивно-плазменное травление плёнокмеди и структур на ее основе / Н.Е. Печёнкин, В.М. Ветошкин, А.С. Акашкин // Техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование. 1991. - Вып. 3. - С. 62 - 66.

15. Абрамов, А.В. Травление материалов локализованным газовым разрядом /

16. А.В. Абрамов, Е.А. Абрамова, И.С. Суровцев // Письма в ЖТФ. 2001. -Т. 27, вып. З.-С. 45-48.

17. Ветошкин, В.М. Локальное высокочастотное магнетронное реактивно-ионное травление кварца / В.М. Ветошкин, O.K. Васюта, П.Н. Крылов, С.С. Алалыкин // ПТЭ. 2002. - № 6. - С. 123 - 125.

18. Махоткина, Л.Ю. Влияние потока высокочастотной низкотемпературной плазмы на свойства натуральных кож: автореферат дис.канд. техн. наук: 01.02.05 / Махоткина Лилия Юрьевна. Казань, 1999. - 16 с.

19. Тихонова, Н.В. Комплексные обувные материалы модифицированные ВЧплазмой в производстве изделий из кожи: автореферат дис.канд. техн. наук: 05.19.01 / Тихонова Наталья Васильевна. Казань, 2006. - 16 с.

20. Акулов, Ю.А. Получение атомарного водорода в высокочастотном газовомразряде и масс-спектрометрическая диагностика процесса / Ю.А. Акулов,

21. Б.А. Мымрин, ГШ. Шихалиев // ЖТФ. 1997. - Т. 67, вып. 5. -С. 140-142.

22. Протасевич, Е.Т. О возможности создания плазмохимического реактора дляполучения водорода / Е.Т. Протасевич // ЖТФ. 2003. - Т. 73, вып. 6. -С. 138- 139.

23. Ветошкин, В.М. Использование высокочастотного магнетронного разрядадля утилизации хлорсодержащих газов / В.М. Ветошкин, А.А. Данилов, П.Н. Крылов // ПТЭ. 2003. - № 4. - С.134 - 137.

24. Фортов, В.Е. Физика неидеальной плазмы / В.Е. Фортов, А.Г. Храпак, И.Т. Якубов. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. - 528 с.

25. Муравьёв, О.Л. Радиопередающие устройства связи и вещания / О.Л. Муравьёв. М.: Радио и связь, 1983. - 352 с.

26. Самойлов, С.А. Моделирование устройств согласования высокочастотныхгенераторов с газоразрядными нагрузками: дис.канд. техн. наук: 05.13.14 / Самойлов Сергей Александрович. Владимир, 1998. - 187 с.

27. Скурихин, С.А. Устройство автоматического согласования / С.А. Скурихин,

28. С.В. Грехнев, В.А. Морозов, Н.Е. Грязев // Информационный листок о научно-техническом достижении № 86-2332. М.:ВИМИ, 1986. - 3 с.

29. Устройство автоматического согласования: рекламный проспект. Ижевск:1. Удм. ЦНТИ, 1989. 3 с.

30. Источник ВЧ-5,0: рекламный проспект: разработчик НИИ ВЭМ. Ижевск:

31. Удмуртский ЦНТИ, 1990. 3 с.

32. Устройство высокочастотное: рекламный проспект: разработчик НИИ ВЭМ.- Ижевск: Удмуртский ЦНТИ, 1991. 3 с.

33. Шимони, К. Теоретическая электротехника / К. Шимони. М.: Мир, 1964.- 775 с.

34. Нейман, М.С. Курс радиопередающих устройств / М.С. Нейман. М.: Советское радио, 1965. 594 с.

35. Морозов, В.А. Аналитическое исследование П-контура / В.А. Морозов, В.В. Касаткин // Труды научно-практической конференции "Актуальные проблемы аграрного сектора". Часть 4. Технические науки. Ижевск: Изд-воИжГТУ, 1997.-С. 32-33.

36. Борисов, В.П. Вакуум: от натурфилософии до диффузионного насоса /В.П. Борисов. М.: НПК «Интелвак», 2001 // http://www.vacuum.ru/file/ misc/ borisov/vacuum/content.html.

37. Комельков, B.C. Физика газового разряда / B.C. Комельков, Г.В. Спивак //

38. Развитие физики в СССР. Книга первая. М.: Наука, 1967. - С. 153 - 181.

39. Александров, А.Ф. К вопросу о высокочастотной проводимости плазмы внеоне / А.Ф. Александров, А.А. Кузовников. ЖТФ. - 1963. - Т. 33, вып. 5. -С. 555.

40. Александров, А.Ф. Импеданс плоского конденсатора полностью или частично заполненного плазмой / А.Ф. Александров // ЖТФ. 1965. - Т. 35, вып. 2.-С. 226-234.

41. Вавилин, К.В. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. I. Источники плазмы в отсутствии магнитного поля / К.В. Вавилин, А.А. Рухадзе, М.Х. Ри, В.Ю. Плаксин // ЖТФ. 2004. -Т. 74, вып. 5.-С. 44-49.

42. Вавилин, К.В. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. И. Источники плазмы в условиях аномального скин-эффекта / К.В. Вавилин, В.Ю. Плаксин, М.Х. Ри, А.А. Рухадзе // ЖТФ. 2004. - Т. 74, вып. 6. - С. 25 - 28.

43. Вавилин, К.В. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. III. Геликонные источники плазмы / К.В. Вавилин, А.А. Рухадзе, М.Х. Ри, В.Ю. Плаксин // ЖТФ. 2004. - Т. 74, вып. 6.-С. 29-34.

44. Райзер, Ю.П. Локализация высокочастотного ёмкостного разряда в длиннойполосковой линии / Ю.П. Райзер, М.Н. Шнейдер // Письма в ЖТФ. 1997. -Т. 23, №2.-С. 64-70.

45. Туренко, Е.А. Получение планарных слоёв Si02 магнетронным распылением кварца на рельефе полупроводниковых структур / Е.А. Туренко,

46. В.И. Соколов, Э.В. Склярова // Всесоюзный постоянный научно-технический семинар «Низкотемпературные технологические процессы в электронике». 4-7 июня. Тезисы докладов. Ижевск, 1990. - С. 14.

47. Данилин, Б.С. Реактивное ионное травление (по данным отечественной изарубежной печати за 1976 1983 гг.) / Б.С.Данилин, В.Ю. Киреев,

48. Д.А. Назаров // Обзоры по электронной технике. Серия 3. Микроэлектроника. Вып. 1 (1010). М.: ЦНИИ «Электроника», 1984. - 71 с.

49. Зима, В.Н. Применение метода высокочастотного магнетронного травлениядля подгонки центральной части сверхузкополосного фильтра на ПАВ /

50. B.Н. Зима, К.М. Кизиитов // Тонкие плёнки в электронике. Материалы III межрегионального совещания. Часть II. М.; Йошкар-Ола, 1992.1. C. 94 97.

51. Беневоленский, С.Б. Травление GaAs в водородной плазме с использованием магнетронного реактора / С.Б. Беневоленский // Тонкие плёнки в электронике. Материалы V Международной научно-технической конференции. М.; Йошкар-Ола, 1994. - С. 112 - 114.

52. Лукьянова, А.В. Плазменное осаждение алмазоподобных плёнок. Численная модель / А.В. Лукьянова, А.Т. Рахимов, Н.В. Суетин // Тонкие плёнки в электронике. Материалы III межрегионального совещания. Часть И. М.; Йошкар-Ола, 1992. - С. 157 - 162.

53. Ким, К.К. Обработка материалов в плазме низкотемпературного объёмногоразряда ёмкостного типа / К.К. Ким, Г.Л. Спичкин, Е.К. Быстрое // Физика и химия обработки материалов. 2007. - № 1. - С. 46 - 52.

54. Каштанов, П.В. Магнетронная плазма и нанотехнологии / П.В. Каштанов,

55. Б.М. Смирнов, Р. Хипплер // УФН. 2007. - Т. 177, № 5. - С. 473 - 510.

56. Крылов, Е.В. Газоразрядный ионизатор в аргоновом ионизационном детекторе / Е.В. Крылов // ЖТФ. 2000. - Т. 70, вып. 11. - С. 126 - 132 с.

57. Стребков, Д.С. Холодноплазменный электрокоагулятор / Д.С. Стребков,

58. A.И. Некрасов, С.В. Авраменко, К.С. Авраменко // Мех. и электр. сель, хоз-ва. 2002. - № 2. - С.19-20.

59. Данилин, В.В. Высокочастотные озонаторы нового поколения /

60. B.В. Данилин, М.П. Кокуркин, М.М. Пашин, А.И. Смородин, Н.И. Пуресев // Электротехника. 2001. - № 9. - С.39.

61. Райзер, Ю.Р. Физика газового разряда / Ю.Р. Райзер. М: Наука, 1987.591 с.

62. Котельников, И.А. Лекции по физике плазмы / И.А. Котельников, Г.В. Ступаков. Новосибирск: Новосиб. ун-т, 1996. - 136 с.

63. Струнин, В.И. Кинетика высокочастотного разряда низкого давления с конденсированной фазой / В.И. Струнин, А.А. Ляхов, Г.Ж. Худайбергенов, В.В. Шкуркин // ЖТФ. 2004. - Т. 74, вып. 4. - С. 126 - 128.

64. Sherman, A. Plasma assisted chemical vapor deposition processes and theirsemiconductor applications / A. Sherman // Thin solid films. 1984. - V. 113.-P. 135- 149.

65. Годяк, B.A. О вентильных свойствах ВЧ-разрядов / В.А. Годяк, А.А. Кузовников // Физика плазмы. 1975. - Т. 1, вып. 3. - С. 496 - 503

66. Райзер, Ю.П. Высокочастотный ёмкостной разряд: Физика. Техника эксперимента. Приложения / Ю.П. Райзер, М.Н. Шнейдер, Н.А. Яценко. М.: Изд-во МФТИ: Наука-Физматлит, 1995. - 320 с.

67. Лисовский, В.А. Особенности а у перехода в ВЧ разряде низкого давления в аргоне / В.А. Лисовский // ЖТФ. 1998.- Т. 68, № 5. - С. 52 - 60.

68. Никандров, Д.С. Бесстолкновительные слои ёмкостного разряда в различных частотных диапазонах / Д.С. Никандров, Л.Д. Цендин // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32, вып. 16. - С. 62 - 74.

69. Попов, В.Ф. Процессы и установки электронно-ионной технологии: учеб.пособие для вузов / В.Ф. Попов, Ю.Н. Горин. М.: Высшая школа, 1988.-255 с.

70. Данилин, П.С. Магнетронные распылительные системы / П.С. Данилин, В.К. Сырчин. М.: Радио и связь, 1982. - 72 с.

71. Бурмакинский, И.Ю. Расчёт выработки катода для магнетронных системионного распыления / И.Ю. Бурмакинский, А.В. Рогов // ЖТФ. 2003. -Т. 73, вып. 10.-С. 46-50.

72. Бурмакинский, И.Ю. Влияние резонансной перезарядки ионов аргона наэффективную скорость распыления в магнетронном разряде / И.Ю. Бурмакинский, А.В. Рогов // ЖТФ. 2004. - Т. 74, вып. 1. - С. 120 -122.

73. Рогов А.В. Исследование магнетронного разряда постоянного тока методомподвижного сеточного анода / А.В. Рогов, Ю. Бурмакинский // ЖТФ. -2004. Т. 74, вып. 4 - С. 27- 30.

74. Клопов, С.Г. Моделирование и расчёт параметров электрического разряда вмагнетроне / С.Г. Клопов, Л.Н. Лесневский, В.Н. Тюрин, A.M. Ушаков // Известия РАН. Серия физическая. 2006. - Т. 70, № 8. - С. 1207 - 1212

75. Кноль, М. Техническая электроника. Т. 1. Физические основы электроники.

76. Вакуумная техника / М. Кноль, И. Эйхмейр. М.: Энергия, 1971. - 472 с.

77. Пчельников, Ю.Н. Генерация атмосферной плазмы с помощью замедляющей системы / Ю.Н. Пчельников // Электротехника. 2006. - № 10. -С. 20-26.

78. Луценко, Ю.Ю. Особенности электромагнитного поля высокочастотного ёмкостного разряда шнурового вида, горящего при атмосферном давлении / Ю.Ю. Луценко // ЖТФ. 2005. - Т. 75, вып. 11. - С. 124 - 126.

79. Луценко, Ю.Ю. О характере затухания электромагнитного поля в плазмевысокочастотного разряда факельного типа / Ю.Ю Луценко, В.А. Власов, И. А. Тихомиров // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32, вып. 9. - 23 - 27.

80. Белянин, А.Ф. Применение ВЧ-автогенераторов в установках распыления итравления / А.Ф. Белянин, В.В. Бесогонов, А.Ю. Елисеев, В.Д. Житковский,

81. П.В. Пащенко // Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания «Тонкие плёнки в электронике». М.; Ижевск, 1991. - С. 47 - 52.

82. Пат. 2030849 Российская Федерация, МПК6 Н 05 Н 1/46. Высокочастотный генератор плазмы / Тоболкин А.С.; заявитель и патентообладатель автор. -№ 5054990/25; завл. 31.03.1992; опубл. 10.03.1995, Бюл. № 7.

83. Пат. 2035130 Российская Федерация, МПК6 Н 05 Н 1/36. Высокочастотный генератор плазмы / Тоболкин А.С.; заявитель и патентообладатель автор. -№ 92007715/25; завл. 24.11.1992; опубл. 10.05.1995, Бюл. № 13.

84. Мальков, Н.Н. Исследование и разработка высокочастотных систем питания с ламповыми генераторами для электротехнологий: автореферат дис.канд. техн. наук: 05.09.10 / Мальков Николай Николаевич. Санкт-Петербург, 1992. - 16 с.

85. Пат. 2133998 Российская Федерация, МПК6 Н 01 L 21/3065. Реактор дляплазменной обработки полупроводниковых структур / Голишников А.А.,

86. Зарянкин Н.М., Путря М.Г., Сауров А.Н.; заявитель и патентообладатель науч.-производ. комплекс «Технологический центр» Московского института электронной техники. №98105773/25; завл. 07.04.1998; опубл. 27.07.1999, Бюл. № 21.

87. Одинцов, М.А. Технология получения плёнок A1N / М.А. Одинцов, Н.И. Сушенцов // Всесоюзный постоянный научно-технический семинар «Низкотемпературные технологические процессы в электронике». 4-7 июня. Тезисы докладов. Ижевск, 1990. - С. 26.

88. Сушенцов, Н.И. Плёнки A1N для ПАВ-датчиков / Н.И. Сушенцов, М.А. Одинцов, T.JI. Кудрявцев, В.Е. Филимонов //. Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания «Тонкие плёнки в электронике». М.; Ижевск, 1991.-С. 33-36.

89. Радиопередающие устройства /под общ. ред. Б.П. Терентьева. М.: Государственное изд-во литературы по вопросам связи и радио, 1962. - 547 с.

90. Скурихин, С.А. Шкаф высокочастотный / С.А. Скурихин, Б.Г. Дряхлов,

91. B.C. Суслов // Информационный листок о научно-техническом достижении № 83-1602. М.: ВИМИ, 1983. - 3 с.

92. Полушин, П.А. Универсальный мощный генератор высокой частоты / П.А. Полушин, А.Г. Самойлов // ПТЭ. 1995. - № 5. - С. 197.

93. Костров, Н.А. Согласующие устройства приёмных антенн декаметрового диапазона / Н.А. Костров, В.П. Литвиненко, П.И. Терских // Антенны. -2005.-Вып. 4 (95).-С. 7-10.

94. Лондон, С.Е. Справочник по высокочастотным трансформаторным устройствам / С.Е. Лондон, С.В. Томашевич. М.: Радио и связь, 1984. - 216 с.

95. Лапшин, Б.А. Новая теория и расчёт фильтров и трансформаторов на отрезках передающих линий / В.А. Лапшин. СПб.: Наука, 1998. - 180 с.

96. Хлопушин, И.Ю. О применении широкополосных согласующих устройств для антенн ДКМВ-диапазона / И.Ю. Хлопушин, О.Г. Сушков // Антенны. -2003. Вып. 12 (79). - С. 39 - 40.

97. Григоров, И. Согласующие устройства / И. Григоров // Радиолюбитель KB и УКВ. 1997. № 10. - С. 32 - 34.

98. Лаптев, Е. Согласующее устройство / Е. Лаптев // Радио. 2002. - № 9.1. C. 62.

99. Китаев, А.В. Определение распределения напряжения и тока вдоль линии на основе круговых диаграмм / А.В. Китаев // Известия вузов. Электромеханика. 2006. - № 1. - С. 65 - 70.

100. Багинский, Б.А. Способы согласования ультразвуковых пьезокерамиче-ских преобразователей с источниками питания, работающими в режиме переключений / Б.А. Багинский, В.В. Редько // Электротехника. 2002. - № 3. -С. 17-21.

101. Петушко, И.В. Амплитудно-фазовые соотношения при частотном согласовании в установках для ультразвуковой обработки жидких и твёрдых тел / И.В. Петушко // Электротехника. 2004. - № 2. - С. 49 - 57.

102. Чернов, JI. Упрощённый расчёт П-контура / JI. Чернов // Радио. 1970. -№7.-С. 28.

103. Пат. 2056683 Российская Федерация, МПК6 Н 01 S 3/09. Газовый лазер / Минеев А.П., Полушин П.А. Самойлов А.Г. Самойлов С.А.; заявитель и патентообладатель Институт общей физики РАН. № 5056566/25; завл. 28.05.1992; опубл. 20.03.1996, Бюл. № 8.

104. Бетин, Б.М. Радиопередающие устройства / Б.М. Бетин. М.: Высшая школа, 1965. - 338 с.

105. Левичев, В.Г. Основы радиотехники и радиолокации. Радиопередающие и радиоприёмные устройства / В.Г. Левичев, Я.В. Степук, Б.И. Фогельсон. -М.: Воениздат, 1965.-584 с.

106. Генераторы высоких и сверхвысоких частот: учеб. пособие / О.В. Алексеев и др.. М.: Высшая школа, 2003. - 326 с.

107. Каримов, А.С. О параметрическом самовозбуждении асинхронного генератора / А.С. Каримов, Хо ТХАНЬ ХИЕП // Электротехника. 1992. - № 6 -1.-С.5-1.

108. Валитов, Р.А. Радиоизмерения на сверхвысоких частотах / Р.А. Валитов, В.Н. Сретенский. М.: Военное издательство Военного Министерства СССР, 1951.-392 с.

109. Головков, А.А. Синтез и анализ квазинедиссипативных взаимных одночас-тотных и двухчастотных сумматоров и делителей мощности с управляемыми характеристиками / А.А. Головков, С.В. Ковалёв // Антенны. 2003. -Вып. 2 (69).-С. 61-79.

110. Головков, А.А. Многофункциональные антенные системы / А.А. Головков // Антенны. 2003. - Вып. 3 - 4 (70 - 71). - С. 84-93.

111. Головков, А.А. Синтез согласующе-фильтрующих устройств для антенн радиоэлектронных средств с манипуляцией амплитуды и фазы излучаемого сигнала / А.А. Головков, А.А. Чаплыгин // Антенны. 2005. - Вып. 7-8 (98-99).-С. 32-37.

112. Смирнов, А.С. Самосогласованная модель высокочастотного ёмкостного разряда низкого давления / А.С. Смирнов, К.Е. Орлов // Письма в ЖТФ. -1997-Т. 23, № 1.-С. 39-45.

113. Протасевич, Е.Т. Источник неравновесной плазмы низкого давления / Е.Т. Протасевич // ПТЭ. 1986. - № 5. - С. 152 - 153.

114. Немченок, Р.Л. Высокочастотный ёмкостной разряд и плазмотроны на его основе / Р.Л. Немченок, Г.З. Паскалов // Электротехника. 1992. - № 1. -С. 42-46.

115. Ландау, JI. Д. Электродинамика сплошных сред / Л.Д.Ландау, Е.М. Лифшиц. М.: Наука, 1982. - 624 с.

116. Кухаркин, Е.С. Инженерная электрофизика. Техническая электродинамика / Е.С. Кухаркин; под ред. П.А. Ионкина. М.: Высш. школа, 1982. - 520 с.

117. Федоров, Н.Н. Основы электродинамики / Н.Н. Федоров. М.: Высшая школа, 1980.-399 с.

118. Пейн, Г. Физика колебаний и волн / Г. Пейн. М.: Мир, 1979. - 391 с.

119. Тамм, И.Е. Основы теории электричества / И.Е. Тамм. М.: Наука, 1976. -616 с.

120. Материалы в приборостроении и автоматике: справочник / под ред. Ю.М. Пятина. М.: Машиностроение, 1982. - 528 с.

121. Машиностроительные материалы: краткий справочник / В.М. Раскатов, B.C. Чуенков, Н.Ф. Бессонова, Д.А. Вейс. М.: Машиностроение, 1980. -511 с.

122. Кошкин, Н.И. Справочник по элементарной физике / Н.И.Кошкин, М.Г. Ширкевич. М.: Наука, 1980. - 208 с.

123. Груев, И.Д. Электрохимические покрытия изделий радиоэлектронной аппаратуры: справочник / И.Д. Груев, Н.И. Матвеев, Н.Г. Сергеева. М.: Радио и связь, 1988. - 304 с.

124. Волин, МЛ. Паразитные процессы в радиоэлектронной аппаратуре / M.J1. Волин. М.: Радио и связь, 1981. - 296 с.

125. Галахова, О.П. Методы точных измерений силы тока, напряжения, мощности и их отношений в диапазоне звуковых и высоких частот / О.П. Галахова, A.M. Фёдоров. -М.: Машиностроение, 1976. 128 с.

126. Гуткин, Э. Измеряем КСВ: теория и практика / Эрнест Гуткин // Радио. -2003. № 5. - С. 66 - 68. - Радио. - 2003. - № 6. - С. 61 - 63.

127. Полу шин, П. А. Измеритель мощности накачки волноводных СОг-лазеров / П.А. Полушин, А.Г. Самойлов // ПТЭ. 1993. - № 5. - С. 243 - 244.

128. Нагорный, Д.А. Ваттметр для высокочастотного генератора / Д.А. Нагорный, А.Г. Нагорный // ПТЭ. 2006 - № 2 - С. 162 - 163.

129. Нагорный, А.Г. Измеритель мощности для установки высокочастотного катодного распыления / А.Г. Нагорный, С.В. Колинько // ПТЭ. 2003. -№ 1. - С. 144- 148.

130. Бенин, В.JI. Статические измерительные преобразователи электрической мощности / B.J1. Бенин, В.У. Кизилов. М.: Энергия, 1972. - 96 с.

131. Бокринская, А.А. Методы измерения мощности СВЧ / А.А. Бокринская, Е.Т. Скорик. Киев: Госиздат УССР, 1962. - 165 с.

132. Нечаев, И. Мостовой измеритель КСВ / И. Нечаев // Радио. 2003. - № 12. -С. 56-57.

133. Титов, А.А. Усилитель мощности с защитой от перегрузок / А.А. Титов, С.В. Мелихов // ПТЭ. 1993. -№ 6. - С. 118 - 121.

134. Титов, А. Повышение выходной мощности и КПД маломощных телевизионных передатчиков / А. Титов // ЭЛЕКТРОНИКА. Наука, Технология, Бизнес. 2004. - № 3. С. 26 - 28.

135. Полушин, П.А. Измеритель импеданса газоразрядных лазеров, возбуждаемых высокочастотным сигналом / П.А. Полушин, А.Г. Самойлов // ПТЭ. -1993.-№5.-С. 90-93.

136. Морозов, В.А. Расчёт характеристик рабочего конденсатора с прямоугольными электродами / В.А. Морозов // Электротехника. 2002. - № 11. -С.41-44.

137. Морозов, В.А. Особенности расчёта контура третьего вида, используемого в нагрузочных системах высокочастотных технологических установок / В.А. Морозов // Электротехника. 2005. - № 2. - С.59 - 64.

138. Морозов, В.А. Особенности расчёта высокочастотной нагрузочной системы с цепью согласования из параллельного колебательного контура с неполным включением / В.А. Морозов, Г.М. Михеев // Электротехника. -2006. № 8. - С.53 - 58.

139. Морозов, В.А. Определение падающей, отражённой и активной мощностей в двухпроводной линии передачи электрической энергии / В.А. Морозов // Электротехника. 2006. - № 12. - С.25 - 29.

140. Нейман, JI.P. Теоретические основы электротехники: в 2-х томах /Л.Р.Нейман, К.С. Демирчян. Л.: Энергия. Ленингр. Отделение, 1967. -Т. 1.-523 с.

141. Власов, В.И. Проектирование высокочастотных узлов радиолокационных станций / В.И. Власов, Я.И. Берман. Л.: СУДПРОМГИЗ, 1961.-260 с.

142. Оптимизация системы ВЧ магнетронного распыления и отработка режимов получения диэлектрических слоев сложного состава: отчет о НИР / Московский институт радиоэлектроники, электроники и автоматики. М, 1986.-С. ИЗ.

143. Иоссель, Ю.Я. Расчёт электрической ёмкости / Ю.Я. Иоссель, Э.С. Кочанов, М.Г. Струнский. Л.: Энергоиздат, 1981. - 288 с.

144. Морозов, В.А. Исследование активного сопротивления проводника с покрытием на высокой частоте / В.А. Морозов, Г.М. Михеев // Электротехника. 2004.-№ 3. - С.30 - 35.

145. Морозов, В.А. Простой расчёт поперечного сечения электрического провода на низких и высоких частотах / В.А. Морозов, Г.М. Михеев // Электротехника. 2005. - № 4. - С.54 - 60.

146. Морозов, В.А. Расчёт контактной пары для экранированного датчика измерения высокочастотного тока / В.А. Морозов, Г.М. Михеев // Вестник ИжГСХА. 2005. - № 3 (6). - С.8 - 9.

147. ГОСТ 9.303-84, ГОСТ 9.306-85. Покрытия металлические и неметаллические неорганические. Общие требования к выбору и обозначения. М.: Изд-во стандартов, 1988. - 79 с.

148. Белякова, Е.С. Расчёт теплового режима контактных проводников в высокочастотной цепи / Е.С. Белякова // Электросвязь. 1978. - № 9.

149. Гель, П.П. Конструирование электронной аппаратуры / П.П. Гелль, Н.К. Иванов-Есипович. JL: Энергия, 1972. - 232 с.

150. Справочник конструктора РЭА. Общие принципы конструирования / под ред. Р.Г.Варламова. М.: Советское радио, 1980 - 480 с.

151. Справочник по машиностроительным материалам. Т. 2. Цветные металлы и сплавы / под ред. Г.И. Погодина-Алексеева; ред. тома М.А. Бочвар. М.: Государственное науч.-техн. изд-во машиностроительной лит-ры, 1959. -640 с.

152. Справочник по электротехническим материалам. Т. 3 / под ред. Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отделение, 1988. - 728 с.

153. Богородицкий, Н.П. Электротехнические материалы / Н.П. Богородицкий, В.В. Пасынков, Б.М. Тареев. Л.: Энергоатомиздат, 1985. - 304 с.

154. Морозов, В.А. Измерение электромагнитной мощности на высокой частоте / В.А. Морозов, Г.М. Михеев // Проблемы механики и материаловедения:

155. I науч.-практ. конф., Ижевск, 14 15 июня 2006 г.: тез. докл. - Ижевск: ИПМ УрО РАН, 2006. - С.92 - 93.

156. Морозов, В.А. Исследование высокочастотного ваттметра с датчиками тока и напряжения / В.А. Морозов // Международная научная конференция «75 лет высшему образованию в Удмуртии»: материалы конференции: 4.2. Естественные науки. Ижевск, 2006. - С.36 - 37.

157. Фейнман, Р. Фейнмановские лекции по физике / Р. Фейнман, Р. Лейтон, М. Сэндс.- М.: Мир, 1977. Вып. 6. - 352 с.

158. Сазонов, Д.Н. Устройства СВЧ / Д.Н.Сазонов, А.Н. Гридин, Б.А. Мишустин. М.: Высшая школа, 1981.

159. Аналоговые электроизмерительные приборы / Е.Г. Бишард и др.. М.: Высшая школа, 1991. -415 с.

160. Кушнир, Ф.В. Радиотехнические измерения / Ф.В. Кушнир. М.: Связь, 1980.

161. Расчёт электромагнитных элементов источников вторичного электропитания / А.Н. Горский и др.. М.: Радио и связь, 1988. - 176 с.

162. Пат. 2080677 Российская Федерация, МПК6 Н 01 F 30/10. Трансформатор / ЛундинВ.Н.; заявитель и патентообладатель Центральное конструкторское бюро «Геофизика». №94026540/07; завл. 18.07.1994; опубл. 27.02.1997.

163. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы /С.И.Баскаков. М.: Высшая школа, 2003. - 462 с.

164. Хоровиц, П. Искусство схемотехники: в 2-х томах / П. Хоровиц., У. Хилл. -М.: Мир. 1983.-Т.1.-598 с.

165. Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, импульсные, оп-тоэлектронные приборы: Справочник / А.Б. Гитцевич и др.; под. ред. А.В. Голомедова. М.: "КУбК-а", 1997. - 592 с.

166. ГОСТ Р 51350-99. Безопасность электрических контрольно-измерительных приборов и лабораторного оборудования. Часть 1. Общие требования. М.: Издательство стандартов, 2000. - 84 с.1. УТВЕРЖДАЮ»

167. Испытание нагрузочной системы показало, что устройство согласования обеспечивает коэффициент отражения мощности не более 5 %; при мощности 5 кВт температура устройства согласования не превышает расчётной величины.

168. Экономический эффект от внедрения высокочастотной системы составил 1200000 рублей.

169. Начальник вакуумного участка1. B.C. Пушкарев