Взаимодействие лазерного излучения с системой ближнепольный зонд-поверхность тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Преодоление дифракционного предела в ближнепольном сканирующем оптическом микроскопе (БСОМ) положило начало развитию нового направления в науке и технологии - нанооптики, или ближнепольной оптики. Предметом ближнепольной оптики является исследование и использование светового излучения, локализованного в пространстве на размерах а«Я или в объеме У«Л3 (где Л - длина волны излучения), и его взаимодействия с объектами в условиях, когда расстояние между источником излучения и объектом /«А. Уникальные оптические свойства ближнепольных источников и приемников дают новые возможности при исследовании нанострутур, а также открывают новые перспективы в развитии современных микро- и нанотехнологий [1-3].

Использование БСОМ позволило преодолеть дифракционный предел разрешения оптических микроскопов и более чем на порядок улучшить локальность оптических методов анализа поверхности [4, 5]. Благодаря этому появилась возможность исследования оптических характеристик отдельных неоднородностей нанометрового размера [6, 7].

Помимо получения оптического изображения поверхности со сверхвысоким разрешением, БСОМ имеет целый ряд приложений, связанных с возможностями локального светового воздействия на поверхность:

1) Спектроскопия с высоким пространственным разрешением полупроводниковых наноструктур. БСОМ позволяет не только определить положение отдельных центров люминесценции, но и разделить их спектры [810]. Такие исследования дают ценную информацию как о структурных особенностях системы, так и о механизме диффузии и рекомбинации возбуждаемых носителей.

2) Рамановская спектроскопия и наблюдение динамики люминесценции отдельных молекул [11-15].

3) Модификация поверхности для целей нанолитографии с пространственным разрешением до 20 нм [16-19] и запись информации с плотностью до

10-20 Гбит/см [20,21].

4) Исследования в БСОМ эффекта наведенного фототока. БСОМ позволяет выявлять приповерхностные дефекты в полупроводниковых образцах с разрешением, почти на порядок лучшим, чем разрешение широко используемых методов OBIC и EBIC (optical/electron beam induced current) [22].

5) Исследование волноводных структур [23, 24].

Несмотря на то что идея использования ближнепольных источников для локальной модификации поверхности была высказана Д.Полем и др. еще в 1984 г [25], на момент начала диссертационной работы (1995г.) были опубликованы лишь единичные работы, в которых наблюдали изменения свойств поверхности полупроводников и фоторезистов при воздействии на них лазерного излучения в БСОМ [16-18]. Однако, механизмы, определяющие эффективность и степень локализации этого воздействия, оставались невыясненными. В частности, не было понятно, является ли разогрев поверхности образца в БСОМ результатом выделения поглощенной световой энергии или поверхность разогревается за счет высокой температуры самого зонда.

Для повышения эффективности силового воздействия на поверхность в БСОМ, а также для уменьшения требуемого времени регистрации оптического сигнала при спектральных измерениях с высоким пространственным разрешением, необходимо получить максимально возможную плотность мощности оптического излучения на выходе ближнепольного зонда. По мере увеличения вводимой в волоконный зонд световой мощности происходит его разогрев, который изменяет оптические свойства зонда и в итоге приводит к его разрушению, тем самым ограничивая максимальную плотность мощности на выходе зонда. На момент начала данной работы закономерности разогрева ближнепольного зонда и влияние его параметров на распределение температуры в нем оставались невыясненными.

Таким образом, целесообразность и актуальность работы была обусловлена недостаточным пониманием механизмов и закономерностей воздействия лазерного излучения на ближнепольную оптическую систему и их влияния на пространственную локализацию воздействия, что в значительной степени сдерживало дальнейшее развитие ближнепольных устройств и технологий на их основе.

С научной точки зрения исследования светового воздействия ближнепольного источника на поверхность позволило распространить представления о лазерном воздействии на конденсированные среды в условиях, когда излучение локализовано на размерах меньше его длины волны. Разработанная в диссертации физическая модель взаимодействия излучения ближнепольного источника с поверхностью также применима и в более общих случаях описания взаимодействия света с веществом, когда либо область проникновения света меньше или сравнима с длиной свободного пробега возбуждаемых светом носителей, либо длительность светового импульса меньше или сравнима со временем их релаксации.

В отличие от ближнепольной оптики, проблема взаимодействия лазерного излучения с веществом не является новой, и за последние десятилетия в этой области был достигнут значительный прогресс. В 60-70х годах была разработана тепловая модель взаимодействия лазерного излучения с веществом [26-30], которая в последующие годы активно развивалась и успешно применялась для описания различных оптических и фотофизических эффектов, возникающих при лазерном воздействии. Тем не менее, существующая тепловая модель взаимодействия не вполне корректно описывает случай светового воздействия ближнепольного зонда. Поскольку размер зоны облучения зонда соизмерим с длиной пробега возбуждаемых светом неравновесных носителей, возникает необходимость модификации существующей модели для адекватного описания ближнепольного воздействия.

Целью работы являлось выявление и теоретический анализ механизмов воздействия лазерного излучения на систему, формируемую ближнепольным зондом и поверхностью образца; выработка модельных представлений о воздействии излучения ближнепольного зонда на поверхность конденсированных сред; выявление механизмов, ответственных за распределение поглощенной световой энергии в ближнепольной оптической системе и пространственную локализацию лазерного воздействия. В качестве объектов воздействия были выбраны металлы и полупроводники, так как именно эти материалы широко используются в современной микро- и нанотехнологии.

Впервые была сформулирована задача о фотовозбуждении и разогреве среды под действием излучения ближнепольного зонда и предложена физическая модель, описывающая воздействие на металлы и полупроводники в условиях, когда размер зоны облучения во много раз меньше длины волны воздействующего света. Использованные приближения позволили получить простые оценки концентрации неравновесных носителей и температуры, а также локализации области воздействия. Строго показано, что нелокальный характер выделения поглощенной световой энергии определяет результат воздействия излучения ближнепольного зонда. Также впервые было выведено уравнение теплопроводности, описывающее разогрев волоконного ближнепольного зонда с произвольными сечением волокна и толщиной металлического покрытия под действием проходящего лазерного излучения. Исследована зависимость распределения температуры в зонде от распределения поглощенной световой мощности и параметров зонда.

Практическая ценность работы определяется тем, что разработанная физическая модель: 1) объясняет закономерности воздействия ближнепольного излучения на поверхность и позволяет более точно моделировать работу ближнепольных устройств для силового воздействия на поверхность и тонкие слои; 2) позволяет определить подходы к созданию более эффективных зондов и выбор сред, обеспечивающих большую локальность ближнепольного воздействия, что, в свою очередь, открывает новые возможности в экспериментальных исследованиях и технологии.

Основная часть диссертации состоит из трех глав. Первая глава носит, в основном, обзорный характер. В ней рассмотрены типичная геометрия ближнепольной оптической системы, структура излучения зонда в ближнем поле видимого диапазона спектра, а также специфические условия воздействия лазерного излучения на ближнепольную оптическую систему; приведен обзор основных подходов к формированию световых источников с локализацией излучения в области с размерами много меньше длины волны излучения; подробно рассмотрены конструкция и методы изготовления ближнепольных зондов на базе заостренного оптического волокна; дана оценка плотности мощности света на выходе зонда для типичных значений размера выходной диафрагмы и коэффициента пропускания зонда. На основе анализа углового спектра излучения, рассеиваемого или испускаемого объектом с малыми (по сравнению с длиной волны излучения) размерами, рассмотрены особенности структуры излучения такого объекта; проведен анализ вклада нерадиационных мод при воздействии ближнепольного зонда на поверхность; рассмотрены известные экспериментальные данные по регистрации распределения интенсивности светового поля на выходе ближнепольного зонда и выбрана аппроксимация этого распределения для постановки задачи о воздействии излучения зонда на поверхность.

Во второй главе рассмотрены основные механизмы воздействия лазерного излучения на ближнепольную оптическую систему. Дана оценка вкладов различных механизмов в нагрев ближнепольной системы в зависимости от средней мощности и длительности лазерного импульса, а также от параметров ближнепольной системы; проведен анализ механизмов передачи энергии от зонда поверхности образца и проведено сравнение эффективности каждого из перечисленных механизмов; рассмотрена задача о разогреве ближнепольного зонда проходящим лазерным излучением; выведено уравнение теплопроводности, которое описывает разогрев волоконного зонда с произвольно изменяющимися сечением волокна и толщиной металлического покрытия; на основе численного решения полученного уравнения исследована зависимость распределения температуры от распределения поглощенной световой мощности и геометрических параметров зонда.

Третья глава посвящена исследованию воздействия излучения ближнепольного зонда на поверхность и тонкие слои собственных полупроводников и металлов. Показано, что принципиальное отличие воздействия ближнепольного источника на поверхность заключается в том, что диффузионная длина и, в некоторых случаях, длина свободного пробега носителей могут превышать размер зоны облучения для оптического диапазона длин волн; проанализированы механизмы выделения поглощенной световой энергии в металлах и полупроводниках при воздействии на них света с энергией фотона, превышающей ширину запрещенной зоны.; предложена новая модель, описывающая в рамках диффузионного приближения воздействие источника оптического излучения с размерами меньше длинны волны излучения на поверхность полупроводников и металлов; получено аналитическое решение системы уравнений описывающей такое воздействие и проводится анализ полученного решения; приведены аналитические зависимости для пространственных распределений концентрации неравновесных носителей и температуры в приповерхностном слое. Далее предложенная модель использована для описания фотовозбуждения и разогрева излучением ближнепольного зонда тонкой пленки полупроводникового записывающего материала, нанесенной на прозрачную подложку; на основе полученного решения дана оценка максимальной температуры на поверхности пленки и размера области разогрева; получены радиальные распределения концентрации неравновесных носителей и температуры на поверхности образца; проведено сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными, которое подтверждает адекватность использованных приближений и указывает на существенный вклад нерадиационных мод ближнепольного зонда в разогрев поверхности.

В целом диссертационная работа носит характер теоретического исследования. Представленные в ней экспериментальные результаты, полученные другими авторами, приведены для сравнения с соответствующими теоретическими результатами и выводами или как исходные, стимулирующие постановку задач.

Основные научные резултаты выполненного исследования могут быть сформулированы в виде следующих положений, выносимых на защиту:

1. Впервые поставлена задача о взаимодействии излучения ближнепольного зонда с поверхностью металлов и полупроводников в рамках диффузионного и теплопроводностного приближений с учетом нелокального характера выделения поглощенной световой энергии неравновесными носителями. Показано, что процесс диффузии неравновесных носителей в значительной степени определяет локализацию фотовозбуждения и разогрева вещества и объясняет заметный вынос поглощенной световой энергии за пределы зоны облучения.

2. В зависимости от плотности мощности излучения на выходе ближнепольного зонда и длительности лазерного импульса воздействие ближнепольного зонда на поверхность может определяться как непосредственным поглощением поверхностью среды светового излучения зонда и последующим выделением поглощенной энергии в среде, так и кондуктивной передачей тепла от нагретого поглощенным лазерным излучением зонда к поверхности.

3. В условиях ближнепольного взаимодействия пространственные характеристики фотовозбуждения и разогрева металлов и полупроводников определяются диффузионной длиной пробега неравновесных носителей за время передачи их избыточной энергии подсистеме электронов (в металлах) и решетке (в полупроводниках). В металлах область локализации воздействия, а также максимальная температура разогрева определяется соотношением размера зоны облучения и диффузионной длины пробега неравновесных электронов за время их термализации. В полупроводниках локализация воздействия и температура разогрева также зависят от соотношения между энергией фотона, шириной запрещенной зоны и диффузионными длинами пробега носителей в ходе процессов термализации и рекомбинации.

4. Если размер ближнепольного контакта меньше диффузионной длины пробега возбуждаемых светом носителей, то большая часть энергии выносится за пределы зоны облучения, а размер области фотовозбуждения и разогрева может превышать размеры зоны облучения вплоть до одного порядка. Для локализации воздействия необходимо использовать среды, в которых диффузионная длина возбуждаемых светом носителей минимальна или искусственно ограничена, либо нелинейные фотофизические или фотохимические процессы, увеличивающие степень локализации воздействия.

5. Положение максимальной температуры ближнепольного зонда при его разогреве проходящим лазерным излучением зависит от распределения поглощенной в металлическом покрытии зонда световой мощности и, как правило, находится на некотором расстоянии от торца зонда. При этом распределение температуры волоконного ближнепольного зонда с переменным сечением волокна и металлического покрытия можно описать в рамках одномерного уравнения теплопроводности с учетом зависимости этого сечения от продольной координаты.

Основные материалы диссертации опубликованы в 12 статьях в международных и российских научных журналах и докладывались на 17 международных и российских конференциях, совещаниях и симпозиумах: 3-ей и 4-ой международных конференциях "Near Field Optics" (1995, Брно, Чешская

12 республика; 1997, Иерусалим, Израиль); Международных симпозиумах "SPIE's International Symposium on Optical Science, Engineering, and Instrumentation" (1995 г. и 1998 г., Сан-Диего, США); Международном симпозиуме "SPIE's International Symposium on Optoelectronics, Microphotonics, and Laser Technologies" (1995 г., Сан-Хосе, США); Международном симпозиуме "International Symposium on Advanced Materials for Optics and Optoelectronics", (1995 г., Прага, Чешская Республика); "Ultrafast Phenomena in Semiconductors", 1995, Вильнюс, Литовская Республика; 27-ом и 28-ом международных симпозиумах "Annual Symposium on Optical Materials for High Power Lasers", (1995, 1996 гг., Боулдер, Колорадо, США); 9-ой и 10-ой международных конференциях "Nonresonant Laser-Matter Interaction" (NLMI), (1996 г. и 2000 г, Пушкин, С.-Петербург) Международной конференции "Lasers and Electro-Optics/Europe", (1996 г., Гамбург, Германия); Международной конференции Е-MRS (1996 г., Страссбург, Франция); четырех национальных совещаниях "Зондовая микроскопия", (1998 г., 1999 г., 2000 г., 2001 г., Нижний Новгород); Международной конференции «Оптика XXI века», (2000 г., С.-Петербург).

3.8. Выводы

1. Впервые поставлена задача о взаимодействии излучения ближнепольного зонда с поверхностью металлов и полупроводников в рамках диффузионного и теплопроводностного приближений с учетом нелокального характера выделения поглощенной световой энергии неравновесными носителями. Показано, что процесс диффузии неравновесных носителей в значительной степени определяет локализацию фотовозбуждения и разогрева вещества и объясняет заметный вынос поглощенной световой энергии за пределы зоны облучения.

2. В условиях ближнепольного взаимодействия пространственные характеристики фотовозбуждения и разогрева металлов и полупроводников определяются диффузионной длиной пробега неравновесных носителей за время передачи их избыточной энергии подсистеме электронов (в металлах) и решетке (в полупроводниках). В металлах область локализации воздействия, а также максимальная температура разогрева определяется соотношением размера зоны облучения и диффузионной длины пробега неравновесных электронов за время их термализации. В полупроводниках локализация воздействия и температура разогрева также зависят от соотношения между энергией фотона, шириной запрещенной зоны и диффузионными длинами пробега носителей в ходе процессов термализации и рекомбинации.

3. Если размер ближнепольного контакта меньше диффузионной длины пробега возбуждаемых светом носителей, то большая часть энергии выносится за пределы зоны облучения, а размер области фотовозбуждения и разогрева может превышать размеры зоны облучения вплоть до одного порядка. Для локализации воздействия необходимо использовать среды, в которых диффузионная длина возбуждаемых светом носителей минимальна или искусственно ограничена, либо нелинейные фотофизические или фотохимические процессы, увеличивающие степень локализации воздействия.

4. Степень локализации разогрева выше при ближнепольном воздействии на тонкую пленку по сравнению с объемной средой. Различие в степени локализации возрастает по мере уменьшения отношения размера зоны облучения к диффузионной длинне.

5. На основе сравнения полученных оценок с известными экспериментальными данными подтверждена адекватность использованных приближений и показано, что нерадиационные моды излучения ближнепольного вносят существенный вклад в разогрев поверхности.

68

Рис. 14. Стационарное неравновесное распределение электронов в металле при облучении светом с энергией кванта Ьсо»кТ на поверхность. Диаметр выходной апертуры зонда d-lO-ЮОнм, расстояние между зондом и поверхностью Н=1-10нм.

Рис. 16. Распределение концентрации неравновесных носителей 1-го (N) и 2-го (п) типов для различных соотношений размера зоны облучения г0 и диффузионной длины пробега носителей. No - максимальное зачение концентрации носителей 1-го типа

71

Рис. 17. Влияние соотношения между размером зоны облучения и диффузионной длиной на распределение температуры поверхности металла.

Рис. 19. Зависимость размера области разогрева г* (по уровню 20% от максимальной температуры) от соотношения между размером зоны облучения г0 и диффузионной длины за время термализации.

75

Рис. 21. К постановке задачи о воздействии излучения ближнепольного зонда тонкую пленку полупроводника или металла, нанесенную на прозрачную подложку.

Рис. 22. Распределение температуры в пленке для различных значений соотношения между размером зоны облучения и диффузионной длиной (£ — 0.5).

Рис. 24. Результат воздействия излучения ближнепольного зонда на пленку Ge2Sb2Te5 (А=785 нм, длительность ипульсов 5 мс и 0.5 мс при средней мощности около 10 мВт) [21].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе работы были получены следующие результаты:

Проведено исследование воздействия лазерного излучения на систему, формируемую ближнепольным зондом и поверхностью. Получена оценка относительного вклада различных механизмов разогрева поверхности в ближнепольном сканирующем оптическом микроскопе. Показано, что основными механизмами разогрева являются поглощение излучения ближнепольного зонда поверхностью и кондуктивная передача тепла от зонда к поверхности. Установлено влияние длительности лазерного импульса на вклад каждого из механизмов.

Предложена физическая модель, которая описывает воздействие пространственно локализованного светового излучения на поверхность и тонкие пленки полупроводников и металлов с учетом нелокального характера выделения поглощенной световой энергии. На основе предложенной модели получены распределения концентрации неравновесных носителей и температуры при воздействии на поверхность излучения ближнепольного зонда. Выведены простые аналитические выражения для оценки максимальной концентрации неравновесных носителей и температуры, а также пространственной локализации светового воздействия в условиях, когда размер зоны облучения значмтельно меньше длины волны воздействующего света. На основе сравнения полученных оценок с известными экспериментальными данными подтверждена адекватность использованных приближений и показано, что нерадиационные моды излучения ближнепольного зонда должны вносить существенный вклад в разогрев поверхности.

Разработанная в диссертации физическая модель взаимодействия излучения ближнепольного источника с поверхностью также применима и в более общих случаях для описания взаимодействия света с веществом, когда либо область проникновения света меньше или сравнима с длиной свободного пробега возбуждаемых светом носителей, либо если длительность светового импульса меньше или сравнима со временем релаксации возбуждаемых неравновесных носителей.

Выведено уравнение теплопроводности, описывающее разогрев волоконного ближнепольного зонда с произвольными диаметром волокна и толщиной металлического покрытия под действием проходящего лазерного излучения. Исследована зависимость распределения температуры в зонде от распределения поглощенной световой мощности и параметров зонда. Показано, что при типичных распределениях поглощенной световой мощности в зонде максимум распределения температуры находится внутри зонда на некотором расстоянии от его торца.

В заключение хочу выразить свою благодарность научному руководителю диссертационной работы профессору М.Н.Либенсону. Также выражаю признательность Г.С.Жданову, Л.П.Амосовой, С.В.Мурашову, И.А.Диденко, Ю.Г.Гузовскому и В.В.Курпас за полезные обсуждения и помощь в работе.

1. М.А. Paesler, P.J. Moyer Near-Field Optics: Theory, Instrumentation, and ApplicationsW New York: Wieley-Interscience, 1996.

2. Жданов Г.С., Либенсон M.H., Марциновский Г.А., Оптика внутри дифракционного предела (принципы, результаты, проблемы)\\ Успехи физических наук, 1998, т. 168, н.7, С. 801-803.

3. Летохов B.C. Проблемы нанооптики,\\ УФН, 1999, т.169, н.З., С.345-346.

4. Betzig Е., Trautman J., Harris Т., Weiner J., Kostelak R., Breaking the diffraction barrier: optical microscopy on ananometric scale,\\ Science, 1991, v.251, pp.14681470.

5. H. Heinzelmann, D.W. Pohl, Scanning near-field optical microscopy ,\\ Appl. Phys. A, 1994, y.59, pp.89-101.

6. Courjon D., Bainier C., and Spajer M., Imaging of submicron index variations by scanning optical tunneling.W J. Vac. Sci. Technol., v. 10(B), pp.2436-2439.

7. Van Hulst N., Segering F. В., and Bolger В. High resolution imaging of dielectric surfaces with an evanescent field optical microscope.W Optics Commun., 1992, v.87, pp.212-218.

8. Weiner J. S., Hess H. F., Robinson R. В., Hayes T. R., Sivco D. L., Cho, A. Y. and Ranade M., Electronic properties of semiconductor nanostructures probed by scanning tunneling microscopy.\\ Appl.Phys.Lett., 1991, v.58, n.21, pp. 2402-2404

9. Harris T. D., Gershoni D., Grober R. D., Pfeiffer L., West K., and Chand N., Near-field optical spectroscopy of single quantum wires,\\ Appl.Phys.Lett., 1996, v.68, n.7, pp. 988-990

10. Betzig E. and Chichester R. J., Single Molecules Observed by Near-Field Scanning Optical Microscopy.W Science, 1993, v.262, pp.1422-1425.

11. Ambrose W. P., Goodwin P. M., Martin J. C., and Keller R. A. Single Molecule Detection and Photochemistry on a Surface Using Near-Field Optical Excitation.W Phys. Rev. Lett., 1994, v.72, n.l, pp.160-163.

12. Trautman J. К., Macklin J. J., Brus L. E., and Betzig E., Near-field Spectroscopy of Single Molecules at Room Temperature.W Nature, 1994, v.369, pp.40-42.

13. Xie X. S. and Dunn R. C., Probing Single Molecule Dynamics.W Science, 1994, y.265, pp.361-364.

14. Ambrose W. P., Goodwin P. M., Martin J. C., and Keller R. A. Alterations of Single Molecule Fluorescence Lifetimes in Near-Field Optical MicroscopyA\ Science, 1994, v.265, pp.364-367.

15. Wegscheider S., Krisch A., Mlynek J., Krausch G., Scanning near-field lithography (SNOL), Thin Solid Films, 1995, v.264, pp.264-267

16. Wegscheider S., Krisch A., Mlynek J., Krausch G., Bieletfeldt H., Mainers J., Near-field microscopy and lithography with uncoated fiber tips.W J.Opt.Commun, 1995, v. 119, pp. 283-288.

17. Madsen S., Holme N., Ramanujam P., Hvilsted S., Hvam J., Smith S., Optimizing the fabrication of aluminum-coated fiber probes and their application to optical near-field lithography,\\ Ultramicroscopy, 1998, v.71, pp.65-71.

18. Nakano Т., Tominaga J., Atoda N., Near-field readout for phase change marks,\\ Proc.SPIE, 1998, v.3467, pp.268-273.

19. E. Betzig, J. K. Trautman, R. Wolfe, E. M. Gyorgy, P. L. Finn, M. H. Kryder, and C.-H. Chang. Near-Field Magneto-Optics and High Density Data Storage.W Appl. Phys. Lett., 1992, v.61,n.2, lpp.42-144.

20. Shintani Т., Nakamura K., Hosaka S., Hirotsune A., Terao M, Imura R., Fujita K., Yoshida M, Kraemer S., Phase change writing in a GeSbTe film with scanning near-field microscope.W Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp.285-290.

21. Karrai K., Kolb G., Abstreiter G., Schmeller A., Optical near-field induced current microscopyA\ Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp.299-304.

22. Jackson H.E., Lindsay S.M., Poweleit C.D., Naghski D.H., De Brabander G.N., Boyd J.T., Near-field measurements of optical channel eaveguide structuresW Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp.285-290.

23. Weeber J.C., Dereux A., Girard C., Krenn J., Goudonnet J.P. Plasmon polaritons of metallic nanowires for controlling submicron propagation of lightW Phys.Rev. B, 1999, v.60, n.12, pp.9061-9068.

24. Pohl D. W., Denk W., and Lanz M. Optical Stethoscopy: Image Recording with Resolution A/20.W Appl. Phys. Lett., 1984, v.44 n.7, pp.651-653.

25. Reddick R. С., Warmack R. J., Ferrell T. L., New form of scanning optical microscopy,\\ Phys. Rev., 1989, V.B39, n.l, pp.767-770.

26. Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В., Действие излучения большой мощности на металлы,\\ М., 1970

27. Рывкин С.М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках,\\ М. 1963

28. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника,\\ М. 1976

29. Комолов B.J1., Либенсон М.Н., Шандыбина Г.Д., Разогрев и лазерное разрушение полупроводников \\ Известия АН СССР, 1985, сер.физ., т.49, н.6, С.1103-1110.

30. Novotny L., Pohl D.W., Hecht В., Light confinement in scanning near-field optical microscopy,\\ Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp. 1-9.

31. Gurevich V.S., Libenson M.N. Surface polaritons propagation along micropipette.W Ultramicroscopy. 1995, v.57., pp. 277-281.

32. Takahara J., Yamagishi S., Taki H., Morimoto A., Kobayashi T. Guiding of one-dimensional optical beam with nanometer diameter.W Optics Letters, 1997, v.22. n.7,. pp.475-477.

33. Дряхлушин В.Ф., Климов А.Ю., Рогов B.B., Филатов Д.О., Зонды для сканирующего ближнепольного микроскопа.\\ Сборник материалов всеросийского совещания "Зондовая микроскопия 99", Н.Новгород, 10-13 марта 1999г. С.121-124

34. Valaskovic G. A., Holton М., and Morrison G. Н., Parameter Control, Characterization, and Optimization in the Fabrication of Optical Fiber Near-Field Probes,\\ Appl. Opt., 1995, v.34, pp.1215-1228.

35. Betzig E. and Trautman J.K., Near-field Optics: Microscopy, Spectroscopy, and Surface Modification Beyond the Diffraction Limit, WScience, 1992, у251, pp. 189195

36. Garcia-Parajo M., Cambril E., and Chen Y., Simultaneous scanning tunneling microscope and collection mode scanning near-field optical microscope using gold coated optical fiber probes.W Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, n.12, pp. 1498-1500.

37. Valaskovic G. A., Holton M., and Morrison G. H., Parameter Control, Characterization, and Optimization in the Fabrication of Optical Fiber Near-Field Probes,\\ Appl. Opt., 1995, v.34, pp.1215-1228.

38. Turner D., Etch procedure for optical fibers,\\ US Patent 4,469,554. AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, N.J., USA 1983.

39. Hoffman P., Dutoit В., Salathe R.-P, Comparison of mechanically drawn and protection layer chemically etched optical fiber tips,\\ Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp.165-170.

40. Stockle R., Fokas C., Deckert V., Zenobi R., Sick В., Hecht В., Wild U., High quality near-field optical probes by tube etching, \\ Appl. Phys. Lett. 1999, v.75, n.2, pp. 160-162.

41. Yatsui Т., Kourogi M., Tsutsui K., Ohtsu M. Enhancing throughput over 100 times by a triple-tapered structure for near-field optical fiber probe.W Proc.SPIE, 1998, v.3467, pp.89-98.

42. Zeisel D., Nettesheim S., Dutoit В., Zenobi R., Optical spectroscopy and laser desorption on a nanometer scaleW Appl.Phys.Lett., 1996, v.68, p.2491-2492

43. Жданов Г.С. Влияние формы и шероховатости острия на эффективность освещения образца в ближнем поле.\\ Поверхность, 1999, н.7, С.91-94.

44. Ashino М., Ohtsu М., Fabrication and evaluation of a localized plasmon resonance probe for near-field optical microscopy/spectroscopy.W Appl.Phys.Lett., 1998, v.72, n.ll, pp.1299-1301.

45. Ohtsu M, Kourogi M., Yatsui T. Highly efficient excitation of optical near-field on an apertured fiber probe with an asymmetric structure.W Appl.Phys.Lett., 1997, v.71, n.13, pp.1756-1768.

46. Stockle R., Schaller N., Deckert V., Fokas C., Zenobi R., Brighter near-field optical probes by means of improving the optical destruction threshold,\\ Journal of Microscopy, 1999, v. 194, n.2/3, pp.378-382.

47. Bethe H.A., Theory of Diffraction by Small Holes,\\ Phys.Rev., 1944, v.66, n.7-8, 163-182.

48. Bouwkamp C.J., On Bethe's theory of diffraction by small holes,\\ Philips Research Reports, 1950, v.5, 321-332.

49. Novotny L. Pohl D.W., Regli P., Light propagation through nanometer sized structures: the two- dimensional- aperture scanning near-field optical microscope,\\ J. Opt. Soc. Am., 1994, у .All, pp.1768-1779.

50. Жданов Г.С., Либенсон M.H., Марциновский Г.А. Успехи физ. наук, 168, № 7, с. 801,(1998)

51. Либенсон М.Н., Румянцев А.Г. Возбуждение светом цилиндрических поверхностных электромагнитных волн.\\ Оптика и спектроскопия, 1986, 60, № 4, с. 675

52. Decca R., Drew Н., Empson К., Investigation of electric-field distribution at the subwavelength aperture of a near-filed scanning optical microscope, Appl.Phys.Lett. 70(15), 1932-34(1997)

53. Obermuller C., Karrai K., Kolb G., Abstreiter, Transmitted radiation through a subwavelength-sized tapered optical fiber tip\\ Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp.171177.

54. Meixner A. J., Ворр M.A., and Tarrach G. Direct measurement of standing evanescent waves with a photon-scanning tunneling microscope.W Appl. Opt., 1994, v.33 n.34, pp.7995-8000.

55. Goodman, J.W. Introduction in Fourier Optics.W Mc Graw-Hill, New York 1968

56. Nietro-Vesperinas M., Principles and Fundamentals of Near-Field Optics,\\ Springer Series in Optical Science 74; Toshimitsu Asakura (Ed.), International Trends in Optics and Photonics ICO IV, Springer Verlag, Berlin 1999

57. Zenhausern F., O'Boyle M. P., and Wickramasinghe H. K. Apertureless near-field optical microscope. Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, n. 13, pp. 1623-1625.

58. Cline J.A., Isaacson M. Probe-sample interactions in reflection near-field scanning optical microscopy,\\ Appl. Opt. 1995, v.34, pp.4869-4871.

59. Betzig E., Finn P.L., Weiner J.S., Combined shear force and near-field scanning optical microscopy,\\ Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, n.20, pp.2484-24846.

60. Груздев В.Е., Либенсон М.Н., Марциновский Г.А., Применение оптической ближнепольной микроскопии к в исследованиях поверхностного лазерного пробоя прозрачных сред\\ Поверхность, 1998, т.2, С. 37-44.

61. Либенсон M.H., Марциновский Г.А., Разогрев светом ближнепольной оптической системы \\ Поверхность, 2000, т.11, С. 80-83.

62. Лазеры в технологии. Под ред.М.Ф.Стельмаха\\ М., Энергия, 1975

63. Kavaldjiev D., Toledo-Crow R., Vaez-Iravani M., On heating of the fiber tip in a near-field scanning optical microscopeW Applied Physical Letters. 1995. V.67. P.2771-2773.

64. Staheilin M., Bopp M., Tarrach G., Temperature profile of fiber tips used in scanning near-field optical microscopy,\\ Applied Physical Letters. 1996. V.68. P.2603.

65. Kurpas V., Libenson M., Martsinovsky G., Laser heating of near-field probesW Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp. 187-190.

66. Kurpas V.V., Libenson M.N., Martsinovsky G.A., Laser heat-up of near-field probe tip \\ Proc. SPIE, 1995 v. 2384, pp. 128-135.

67. Kann J., Milster Т., Froehlich F., Ziolkowski W., Judkins J., Heating mechanisms in a near-field optical system,\\ Appl.Opt. 1997, v.36, n.24, 5951-5958.

68. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел.\\ М.: Наука, 1964, С. 136.

69. M.Libenson, G.Martsinovsky, Physics of photoexcitation and thermoaction on surface and tip in intensive near-field,\\ Proc. SPIE, 1998, v. 3467, pp. 327-332.

70. Yakobson В., LaRosa A., Hallen H.,, Ultramicroscopy. 1995. V.61. P. 179.

71. Paesler M. and Hallen H., Raman spectroscopy: probing the border between near-field and far-field spctroscopy,\\ SPIE Symposium on Optical Science, Engineering, and Instrumentation 19-24 July 1998, San Diego, California.

72. Либенсон М.Н., Неравновесный нагрев и остывание металла при воздействии сверхкороткого лазерного импульса. \\ Поверхность, 2001, в печати.

73. Гуржи Р.Н., Об учете взаимной корреляции электронов металлоптике\\ ЖЭТФ, 1958, т.35, С.965-969

74. Гуров К.П., Основания кинетической теории,\\ Наука, Москва, 1966

75. Гинзбург В.Л., Силин В.П., О влиянии междуэлектронных столкновений на электропроводность и скин эффект в металлах.\\ ЖЭТФ, 1955, т.29, С.64

76. Блатт Ф.Дж., Теория подвижности электронов в твердых телах,\\ Москва, 1963

77. Bardeen J., Shockley W., Scattering of Electrons in Crystals in the Presence of Large Electric Fields,\\ Phys.Rev., 1950, v.80, n.l, pp.69-71.

78. Физические величины. Справочник под ред. И.С.Григорьева и Е.З.Мейлихова,\\ Москва, Энергоатомиздат, 1991.

79. Libenson M.N., Martsinovsky G.A., Spatial manifestation of ultrafast processes under superlocal photoexcitation of a semiconductor \\ Lithuanian Journal of Physics, 1995, v.35,pp. 639-642.

80. Kurpas V.V., Libenson M.N., Martsinovsky G.A., Peculiarities of light action on surface in nano-optics \\ Proc. SPIE, 1995, v. 2384, pp. 122-127.

81. Libenson M.N., Martsinovsky G.A., Peculiarities of photoexcitation and heating of surface in nano-optics \\ Proc. SPIE, 1995, v. 2714, pp. 305-311.

82. Гузовский Ю.Г., Либенсон M.H., Марциновский Г.А., Особенности фотовозбуждения и нагрева поверхности в нанооптике \\ Известия РАН., 1997, сер.физ., т.61, н.7, С. 1031-1035.

83. Либенсон М.Н., Марциновский Г.А., Особенности теплового воздействия на тонкий слой в ближнем поле \\ Поверхность, 1998, т.2, С 32-36.

84. Либенсон М.Н., Докторская диссертация, Ленинград, 1986.