Взаимодействие зарядов на границах раздела конденсированных сред и в слоистых системах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКАЯ ЭНЕРГИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯДА С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДЫХ ТЕЛ И В СЛОИСТЫХ СИСТЕМАХ.

1.1. Обзор литературы.

1.2. Кулоновская функция Грина несимметричной трехслойной системы сред с пространственной дисперсией.

1.3. Взаимодействие заряда с полуограниченным металлом.

1.4. Электростатическая энергия заряда у поверхности полупроводника.

1.5. Заряд у поверхности металла с диэлектрическим или металлическим покрытием и в трехслойных системах.

1.6. Выводы.

2. ЭКРАНИРОВАННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЗАРЯДОВ ВБЛИЗИ

ГРАНИЦ РАЗДЕЛА СРЕД.

2.1. Обзор литературы.

2.2. Взаимодействие зарядов у поверхности металла. 2.3. Взаимодействие между зарядами на поверхности металла с металлическим или диэлектрическим покрытием.

2.4. Кулоновское взаимодействие в тонких полупроводниковых и металлических пленках. а) Полупроводниковые (диэлектрические) пленки. б) Металлические (полуметаллические) пленки.

2.5. Кулоновское взаимодействие зарядов через диэлектрический барьер.

2.6. Взаимодействие зарядов на поверхности полупроводника.

2.7. Выводы.

3.'СИЛЫ ИЗОБРАЖЕНИЯ И СПЕКТР ЭЛЕКТРОНОВ НАД

ПОВЕРХНОСТЬЮ ЖИДКОГО ГЕЛИЯ.943.1. Обзор литературы.943.2. Потенциал сил изображения вблизи поверхности жидкого гелия.

3.3. Сдвиг уровней поверхностных электронных состояний за счет эффектов пространственной дисперсии.

ЗЛ. Взаимодействие электронов с поверхностными волнами.

3.5. Силы изображения и спектр электронов над пленкой жидкого гелия.

3.6. Влияние прижимающего поля на спектр электронов над пленкой гелия.ИЗ

3.7. Взаимодействие электронов над тонкой пленкой жидкого гелия.

3.8. Силы изображения в расслоившемся растворе

Не3 - Не^.

3.9. Выводы.

В настоящее время большой интерес для физики твердого тела и физической электроники представляют исследования явлений, протекающих в неоднородных слоистых системах, состоящих из сред с разными свойствами, в частности, с разными диэлектрическими проницаемостями. Это искусственно создаваемые системы типа "сэндвич", МДП-структуры и полупроводниковые периодические структуры, которые являются актуальными объектами исследования физики полупроводников. Наряду с изучением слоистых структур большое внимание в последние годы уделяется исследованию поверхностных свойств полупроводников и диэлектриков, а также явлений, возникающих на границе раздела между металлами и неметаллическими покрытиями.

Особенно бурное развитие переживает сейчас физика поверхности. В связи с совершенствованием экспериментальных методов исследования поверхности (дифракция медленных электронов, Оже-и фотоэлектронная спектроскопия и др.) накоплен обширный экспериментальный материал по физике и химии адсорбции, эмиссионной электронике и др. Однако имеющаяся экспериментальная информация не получила полного теоретического объяснения. Некоторые явления, происходящие как на чистой поверхности твердых тел, так и на поверхности, покрытой тонкими пленками металлов, полупроводников, диэлектриков (окислов), не поняты даже на качественном уровне.

В 1969-1970 гг. было предсказано теоретически, а вскоре подтверждено экспериментально существование двумерных локализованных электронных состояний над поверхностью жидкого гелия. Исследования таких локализованных состояний (они обнаружены также над поверхностью жидкого Не? над жидким водородом, твердым неоном и водородом, над пленкой жидкого гелия на металлической подложке) интенсивно продолжаются в настоящее время» Изучению взаимодействия электронов, их энергетического спектра вблизи границы раздела жидкость - пар посвящен целый ряд теоретических работ, которые однако не полностью объясняют все наблюдаемые экспериментально явления.

Таким образом, теоретические исследования механизма взаимодействия заряженных частиц вблизи границ раздела сред, а также вблизи поверхности конденсированных тел, которым посвящена данная диссертационная работа, являются актуальными и представляют несомненный практический интерес при решении многих вопросов эмиссионной электроники, вакуумной технологии, полупроводниковой техники, физики и химии адсорбции, катализа, электролиза и проблемы борьбы с окислением металлов (коррозии).

Цель настоящей работы состоит в исследовании механизма электростатического экранированного взаимодействия зарядов в неоднородных слоистых МДП-структурах, у границ раздела сред с разными диэлектрическими проницаемостями, вблизи поверхности твердых тел (металлов, полупроводников, диэлектриков) с учетом . эффектов пространственной дисперсии, а также в изучении спектра локализованных двумерных электронов над поверхностью жидкого гелия и над пленкой жидкого гелия на металлической (диэлектрической )подложке в прижимающем электрическом поле.

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав и заключения.

3.9, Выводы

1. Вычислен потенциал сил изображения точечного заряда, находящегося над поверхностью жидкого гелия, и показано, что при правильном выборе асимптотики диэлектрической проницаемости при со эффекты пространственной дисперсии обеспечивают непрерывность (конечность) как потенциала так и силы электростатического притяжения на границе жидкость-пар. На основе полученного электростатического потенциала вычислены поправки к энергетическим уровням электронов над гелием и получено хорошее согласие с экспериментом /166,179/ при "^=0.

2. На основе функции Грина продольного самосогласованного поля для трехслойной системы сред с пространственной дисперсией вычислен потенциал сил изображения над пленкой жидкого гелия на металлической или диэлектрической подложке. Для толстых гелиевых пленок (cL » ) на подложке с диэлектрической с -1 проницаемостью 6±»1 найдены поправки к энергетическому спектру электронов A E^CcL) за счет влияния подложки. В обратном случае тонких гелиевых пленок, когда cL« (ноd»clo)

С - д. а потенциальная энергия электронов определяется с хорошей точностью силами изображения подложки, получено точное асимптотическое решение уравнения Шредингера для спектра локализованных над пленкой гелия электронов. Полученный спектр электронов над тонкой гелиевой пленкой заметно отличается от водородоподобного спектра над поверхностью глубокой гелиевой ванны.

3. В квазиклассическом приближении исследовано влияние прижимающего электрического поля ^ на спектр электронов над пленкой гелия.

4. Показано, что электростатическое взаимодействие между электронами над пленкой гелия на металлической подложке существенно ослаблено за счет электростатических сил изображения и на больших расстояниях R» cL имеет вид диполь-дипольного отталкивания.

5. Получено пространственное распределение электростатического потенциала сил изображения для классического заряда (иона) в расслоившемся растворе квантовых жидкостей Не^ - Не^ и вычислены потенциальные электростатические барьеры на границе раздела Не^ - Не^ и вблизи внешней поверхности пленки Не^.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Б данной диссертационной работе на основе функции Грина продольного кулоновского поля, полученной в приближении линейного отклика и резкой границы раздела сред с пространственной дисперсией, выяснены следующие важные вопросы, связанные с электростатическим взаимодействием зарядов вблизи поверхности конденсированных сред и в слоистых системах:

1.Учет эффектов пространственной дисперсии контактирующих сред обеспечивает непрерывность и конечность потенциала сил изображения aJ~(x) на резкой границе раздела сред, когда асимптотика функции диэлектрической проницаемости имеет вид нения этой расходимости необходимо учитывать тот факт, что при /<->оо все электроны ведут себя как почти свободные, а асимптотика диэлектрической проницаемости при К-+ <*=> определяется выражением I + . В этом случае непрерывным на границе раздела сред с разными диэлектрическими проницаемостя-ми становится как потенциал сил изображения ~W(x) » т&к и его

2. Показано, что существенное влияние на потенциал сил изображения и на электростатическое взаимодействие точечных зарядов у поверхности металла оказывает форма его ПФ. Учет квантовой природы электронов проводимости в ПХФ приводит к ФО экранированного взаимодействия зарядов, закон убывания которых име

COSgKp Р s/л PifrP ет вид~--для сферической, ~ -для Цилиндрической и cosля плоской пф, а амплитуда максимальпроизводная на на поверхности металла и экспоненциально затухает при удалении зарядов от металлической поверхности. Учет обменных и кулоновских корреляций между электронами в металле не влияет на закон убывания ФО экранированного взаимодействия, но заметно увеличивает глубину потенциальной ямы экранированного потенциала и амплитуду ФО по сравнению с ПХФ.

3. Большое влияние на ход электростатического потенциала заряда и на взаимодействие зарядов оказывает металлическое или диэлектрическое покрытие поверхности металла. Наличие металлического слоя на поверхности металла приводит к заметному размытию потенциала сил изображения вблизи границы раздела и к углублению отрицательных минимумов ФО экранированного потенциала. Наличие слоя диэлектрика на металлической поверхности приводит в ряде случаев к возникновению достаточно глубокого минимума электростатической энергии заряда и к быстрому (экспоненциальному) затуханию ФО экранированного потенциала при увеличении толщины диэлектрического слоя, причем экранированное взаимодействие приобретает диполь-дипольный характер. Наличие металлической размерно-квантованной пленки с двумерным электрон ным спектром и фермиевским импульсом, несоизмеримым с фермиев-ским импульсом металла, в связи с интерференцией несоизмеримых волн зарядовой плотности приводит к возникновению пространственных "биений" ФО.

Проведено детальное рассмотрение кулрновского взаимодействия зарядов в трехслойных системах типа "сэндвич" с учетом пространственной дисперсии сред. Показано, что в тонких полупроводниковых пленках взаимодействие между зарядами (электронами, дырками) усиливается с уменьшением толщины L , если диэлектрическая проницаемость пленки в»So - проницаемости окружающей среды, и ослабляется в обратном случае при S«€o • Показано также, что влияние внешней среды (подложки) на электростатическое взаимодействие в металлической пленке начинает сказываться на толщинах L £ R • Рассмотрена задача о взаимодействии электронов и дырок в полупроводниках П - и р -типа, разделенных диэлектрическим барьером толщиной L . Показано, что кулоновское притяжение экспоненциально убывает как с увеличением расстояния между электроном и дыркой, так и с ростом L , однако, при увеличении расстояния между зарядами ( /«X/ —^ ^о ) имеет место степенная асимптотика.

5. С учетом эффектов пространственной дисперсии вычислен потенциал сил изображения над поверхностью жидкого гелия и на его основе вычислены поправки к энергетическим уровням электронов над гелием, что привело к хорошему согласию теории с экспериментом.

6. Впервые рассмотрена задача об энергетическом спектре электронов над тонкой пленкой жидкого гелия на металлической (диэлектрической) подложке. Показано, что для тонких пленок гелия влияние подложки с ё^» d приводит к существенному изменению спектра электронов над гелиевой пленкой, а также к ослаблению электростатического взаимодействия, так что на больших расстояниях R»cL кулоновское взаимодействие имеет вид диполь-дипольного отталкивания. Рассчитана также зависимость частот переходов между уровнями от прижимающего электрического поля ^ и толщины пленки d . Показано, что в широком диапазоне прижимающих полей и толщин гелиевых пленок применимо квазиклассическое приближение.

1. Hohenberg P., Kohn \Y. 1.homogeneous electron gas. -Phys. Rev., 1964, B136, N 3, p.864-871.

2. Kohn W., Sham L.J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects. Phys. Rev., 1965, A140,1. N 4, p.1133-1145.

3. Партенский М.Б. Самосогласованная электронная теория металлической поверхности. УФН, 1979, 128, в.1, с.69-106. Партенский М.Б. Некоторые вопросы электронной металлической поверхности. - Поверхность. Физика, химия, механика., 1982, в.10, с.15-32.

4. Geldart D.J.W., Rasolt М. Exchange and correlation energy of an inhomogeneous electron gas at metallic densities. -Phys. Rev., 1976, B13, N 4, p.1477-1488.

5. Herman P., Van. Dyke J.P., Ortenburger J.B. Improved statistical exchange approximation for inhomogeneous many-electron systems. Phys. Rev. Lett., 1969, 22, N16, p.807-811.

6. Lau K.H., Kohn W. Non-local corrections to the electronic structure of metal surfaces. J. Phys. and Chem. Solids, 1976, Д7, N 1, p.99-104.

7. Smith J.R. Self-consistent many-electron theory of electron work functions and surface potential characteristics for selected metals. Phys. Rev., 1969, 181, N 2, p.522-529.

8. Smith J.R. Beyond the local-density approximation: surfaceproperties of (110) W. Phys. Rev. Lett., 1970, 25, N 15, p. 1023-Ю26.

9. Harris J., Jones R.O. The surface energy of a bounded electron gas. J. Phys., 1974, M> ® 8» p.1170-1186.

10. Langreth D.C., Perdew J.P. The exchange-correlation energy of a metalic surface. Sol. St. Comm., 1975, 17, H" 11,p.1425-1430.

11. Mahan G.D. Surface energy of jellium metal. -Phys. Rev., 1975, B12, N 12, p.5585-5589.

12. Gunnarsson 0., Jonson M., Lundqvist D.I. Descriptions of exchange and correlation effects in inhomogeneous electron systems. Phys. Rev., 1979, B20, N 8, p.3136-3164.

13. Lang N.D. Self-consistent properties of the electron distribution at a metal surface. Sol. St. Comm., 1969, 7, N 15, p.1047-1059.

14. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces: charge density and surface energy. Phys. Rev., 1970, B1, N 12, p.4555-4568.

15. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces: work function. -Phys. Rev., 1971, IT 4, p.1215-1223.

16. Ashcroft N.W. Electron-ion pseudopotentials in metals. -Phys. Lett., 1966, 23, N 1, p.48-50.

17. Paasch G., Eschring H., John W. Work function and surface structure of simple metals. Phys. Stat. Sol. (b), 1972,51, N 1, p.283-293.

18. Monnier R., Perdew J.P. Surfaces of real metals by the variational self-consistent method. Phys. Rev., 1978, ВГ7, N 6, p.2595-2611•

19. Беннет А. Некоторые электронные свойства поверхности твердого тела. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердыхтел. Вып.1. М., Мир, 1977, с.211-234.

20. Ying S.С., Smith J.R., Kohn W. Density-functional theory of chemisorption on metal surfaces. Phys. Rev., 1975, ВЦ,1. N 4, p.1483-1496.

21. Lang N.D., Williams A.R. Self-consistent theory of the chemisorption of H, Li and 0 on a metal surface. Phys. Rev. Lett.,1975, Д4» N 9, p.531-534.

22. Lang N.D., Williams A.R. Theory of atomic chemisorption on simple metals. Phys. Rev., 1978, B1J3, N 2, p.616-636.

23. Hjelmberg H. Hydrogen chemisorption on Al, Mg and Ha surfaces. calculation of adsorption sites and binding energies.- Surf. Sci., 1979, 81, N 2, p.539-561.

24. Бурмистрова О.П., Владимиров Г.Г., Дунаевский С.М. Формализм функционала плотности в теории адсорбции. I.Водород на металле. -ФТТ, 1980, 22, в.З, с.836-840.

25. Кобелева P.M., Кобелев А.В., КуземаВ.Е., Партенский М.Б., Розенталь О.М., Смородинский Я.Г. Расчет электронного распределения вблизи границы металла с диэлектрической средой.- ФММ, 1976, 41, в.З, с.493-498.

26. Партенский М.Б., КуземаВ.Е. К самосогласованной теории энергетического барьера на границе металла с диэлектрической средой. ФТТ, 1979, 21, в.9, с.2842-2844.

27. Appelbaum J.A., Baraff G.A., Hamann D.R. The Si (100) surface. III. Surface reconstruction. Phys. Rev., 1976, B14, N 2, p.588-601.

28. Ando T. Density-functional calculation of subband structure in accumulation and inversion layers. Phys. Rev., 1976, B13, N 8, p.3468-3477.

29. Ihm J., Louie S.G., Cohen M.L. Self-consistent pseudopoten-tial calculations for Ge and diamond (111) surfaces. -Phys. Rev., 1978, B17, H 2, p.769-775.

30. Louie S.G., Cohen M.L. Electronic structure of a metal-semiconductor interface. Phys. Rev., 1976, В1Д, N 6, p.2461-2469.

31. Baraff G.A., Appelbaum J.A., Hamann D.R. Self-consistent calculation of the electronic at an abrupt GaAs-Ge Interface. Phys. Rev. Lett., 1977, J38, N 5, p.237-240.

32. Appelbaum J.A., Baraff G.A., Hamann D.R. The Si (100) surface. further studies of the pairing model. - Phys. Rev., 1977, B15, N 4, p.2408-2412.

33. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces: induced surface charge and image potential. Phys. Rev., 1973, B7, IT 8,p.3541-3550.

34. Kenner V.E., Allen R.E., Saslow W.M. Screening of external fields and distribution of excess charge near a metal surface. Phys. Lett., 1972, ^8, N 4, p.255-256.

35. Appelbaum J.A., Hamann D.R. Variational calculation of the image potential near a metal surface. Phys. Rev., 1972, B6, N 4, p.1122-1130.

36. Lewis T.J. Theoretical interpretation of field emission experiments. Phys. Rev., 1956, 1СИ, Ж 6, p. 1694-1698.

37. Васильев Г.Ф. Влияние формы потенциального барьера на границе эмиттер-вакуум и распределение электрического поля по поверхности эмиттера на вид вольт-амперных характеристикавтоэлектронной эмиссии. Радиотехника и электроника, I960, 5, II, с.1856-1961.

38. Nagy D., Gulter P.H. The use of a new surface potential model in the theory and field emission. Phys. Lett., 1964,10, N 3, p.263-264.

39. Sachs R.G., Dexter D.L. Quantum limits of the electrostatic image force theory. J. Appl. Phys., 1950, 21., N 7, p.1304-1308.

40. Modinos A. The effect of surface structure on the electrostatic-image law. Brit. J. Appl. Phys., 1967, 18, N 4, p.531-534.

41. Gutler P.H., Gibbons J.J. Model for surface potential barrier and the periodic deviations in the Schottky effect.

42. Phys. Rev., 1958, ГП, N 2, p.394-402.

43. Gutler P.H., Davis S.C. Reflection and transmission of electrons through surface potential barriers. Surf. Sci., 1964, 1, p.194-212.

44. Lang N.D. The density-functional formalism and the electronic structure of metal surfaces. Sol. St. Phys., 1973, 28, p.225-300.

45. Newns D.M. Fermi-Thomas response of a metal surface to an. external point charge. J. Chem. Phys., 1969, 50, N 10, p.4572-4575.

46. Newns D.M. Dielectric response of a semi-infinite degenerate electron gas. Phys. Rev., 1970, B1, N 8, p.3304-3322.

47. Inkson J.C. The electron-electron interaction near an interface. Surf. Sci., 1971, 28, N 1, p.69-76.

48. Inkson J.C. The effective exchange and correlation potential for a metal surface. J. Phys. F: Met. Phys., 1973, 3, N 12, p.2143-2156.

49. Inkson J.C. Non-local-density based self-consistent surface calculations. I.Thomas-Fermi lives. J. Phys. C: Solid State Phys., 1977, 10, К 4, p.567-572.

50. Сидякин А.Б. Вычисление поляризационного вклада в энергию взаимодействия заряда с поверхностью металла. ЖЭТФ, 1970, 58, в.2, с.573-581.

51. Киржниц Д.А. Полевые методы теории многих частиц. М., Госатомиздат, 1963, с.344.

52. Hedin L. Hew method for calculating the one-particle Green's function with application to the electron-gas problem. -Phys. Rev., 1965, A139, N 3, p.796-823.

53. Heinrichs J. Response of metal surface to static and moving point charges and to polarizable charge distributions. -Phys. Rev., 1973, B8> N 4, p.1346-1364.

54. Kornyshev A.A., Rubinstein A.I., Vorotyntsev M.A. Model nonlocal electrostatics. J. Phys. C: Solid State Phys., 1978,11, H" 9, p.3307-3322.

55. Kornyshev A.A., Rubinstein A.I., Vorotyntsev M.A. Image potential near a dielectric-plasma-like medium interface. -Phys. Stat. Sol. (b), 1977, 84» N 1> P«125-132.

56. Войтенко А.И., Габович A.M. К вопросу об электростатической энергии заряда вблизи границы раздела сред. Препринт ИФ АН УССР, Киев, 1979, Ш 19, с.13.

57. Воротынцев М.А., Корнышев А.А. Электростатическое взаимодействие на границе металл-диэлектрик. -ЖЭТФ,1980,78,в.3,с.1008-1019.

58. Kornyshev A.A., Schmickler W., Vorotyntsev M.A. Nonlocal electrostatic approach to the problem of a double layer at metal-electrolyte interface. Phys. Rev., 1982, 3325, U 8, p.5244-5256.

59. Воротынцев M.A., Изотов В.Ю., Корнышев А.А., Шмикклер В. Емкость контакта металл-раствор электролита. Эффекты проникновения электронной плотности металла в растворитель. -Электрохимия, 1983, XIX, в.З, с.295-303.

60. Усенко А.С. Пространственные корреляции заряженных частиц в плазменном слое. УФЖ, 1983, 28, Ш 6, с.839-847.

61. Крэкнелл А., Уонг К. Поверхность Ферми. -М., Атомиздат, 1978, с.37.

62. Шека Д.Й., Воскобойников A.M. Диэлектрическое экранирование и электростатический потенциал заряда у поверхности полупроводника типа АшВу. ФТТ, 1983, 25, в.1, с.169-174.

63. Hanke W., Wu С.Н. Electronic perturbations of transition metal surfaces. Transit. Metals, 1977, Int. Conf. Toronto (15-19 August,1977), p.337-340.

64. Wu C.H., Hanke W. Microscopic theory of surface dielectric response in a local representation. Sol. St. Comm., 1977,22, N 11, p.829-832.

65. Каим С.Д. О межионном взаимодействии вблизи поверхности жидкого металла. В сб.: Физика жидкого состояния. Киев, "Вища школа", 1981, в.9, с.44-50.

66. Каим С,Д. О поляризационном операторе полуограниченного электронного газа. Одесса, 1979, 21 с. - Рукопись представлена Одесским ун-том. Деп. в ВИНИТИ 16 окт. 1979,1. Ш 3576-79.

67. Persson B.H.J., Lang N.D. Electron-hole quenching of excited states near a metal. Phys. Rev., 1982, B26, N 10,p.5409-5415.

68. Persson B.H.J. Relation between dynamical processes at surfaces and electron-energy-loss measurements. Phys. Rev. Lett., 1983, 50, N 14, p.1083-1091.

69. Романов Ю.А. К теории характеристических потерь в тонких пленках. ЖЗТФ, 1964, 47, в.6, с.2119-2133.

70. Пашицкий З.А., Романов Ю.А. Плазменные волны и сверхпроводимость в квантующих полупроводниковых (полуметаллических) пленках и слоистых структурах). УФЕ, 1970, 15, в.10, с.1594-1606.

71. Inkson J.C. Screened exchange in semiconductors. J. Phys. C: Solid State Phys., 1973, 6, H 9, P.L181-L185.

72. Hedin L., Lundqvist B.I. Explicit local exchange-correlation potentials. J. Phys. C: Solid State Phys., 1971, 4,1. N 14, p.2064-2083.

73. Hubbard J. The description of collective motions in terms of many-body perturbation theory. II The correlation energy of a free-electron gas. Proc. Roy. Soc., 1958, A243,1. 1234, p. 336-352.

74. Балкарей Ю.И., Сандомирский Б,Б. Эффекты проникновения внешнего электрического поля в полуметаллы и металлы. -1ЭТФ, 1968, 54, в.З, с.808-817.

75. Singwi K.S., Tosi М.Р., Land R.H., Sjolander A. Electron correlations at metallic densities.-Phys.Rev., 1968,176,ВГ2,p.589599.

76. Пашицкий Э.А., Габович A.M. Кулоновские корреляции в электронной жидкости при металлических плотностях. ФММ, 1974,

77. Абрикосов А.А., Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М., Физматгиз, 1962, с,123

78. Slater J.С. A simplification of the Hartree-Fock-Method. -. Phys. Rev., 1951, §1, N 3, p.385-390.

79. Gaspar R. Uber das Verhalten. der statistisch berechneten Eleсtronendichten in der Nahe der Atomkerne. Acta Phys.

80. Acad. Sci. hung., 1954, 3, И 3-4, p.339-341.

81. Girvan. R.F., Gold A.Y., Phillips R.A. The de Haas-van Al-phen effect and the Fermi surface of tungsten. J. Phys. Chem. Solids, 1968, 29, N 9, p.1485-1502.

82. Бойко В.В., Гаспаров В.В. Радиочастотный размерный эффекти поверхность Ферми вольфрама. 1ЭТФ, 1971, 61, в.6, (12), с.2362-2372.

83. Афанасьев A.M., Каган Ю. Об особенностях в законе дисперсии фононов, связанных с электрон-фононным взаимодействием. 1ЭТФ, 1962, 43, в,4, с.1456-1463.

84. Горобченко В.Д., Максимов Е.Г. Диэлектрическая проницаемость взаимодействующего электронного газа. УФН, 1980, 130, в.1, C.65-III.

85. Penn D.R. Wave-number dependent dielectric function of semiconductors. Phys.Rev. ,1962,128,IT 5, p.2093-2097.

86. Srinivasan G. Microscopic dielectric function of a model, semiconductor. Phys.Rev., 1969, 178, П 3, p.1244-1251.

87. Walter J.P., Cohen M.L. Wave-vector-dependent dielectric function for Si, Ge, GaAs and ZnSe. Phys. Rev., 1970,1. B2, Ж 6, p.1821-1826.

88. Bashenov V.K., Foigel M.G., Alarashi R.A. Dielectric function of a model semiconductor. Phys. Stat. Sol. (b), 1972, 54, N 1, p.355-368.

89. Grimes R.D., Cowley E.R. A model dielectric function for semiconductors. Can. J. Phys., 1975, 53, N23, p.2549-2554.

90. Inkson J.C. The electrostatic image potential in metal-semiconductor junctions. J. Phys. C: Solid State Phys., 1971, 4, N 5, p.591-597.

91. Inkson J.C. Many-body effects at metal-semiconductor Junctions. I. Surface plasmons and the electron-electron screened interaction. J. Phys. C: Solid State Phys., 1972, 5, N 18, p.2599-2610.

92. Bennet M., Inkson J.C. Exchange and correlation potential in silicon. J. Phys. C: Solid State Phys., 1977, 10, N 5,p.987-999.

93. Resta R.Thomas-Fermi screening in semiconductors. -Phys. Rev., 1977, B16, p.2717-2722.

94. Schulze K.-R., Unger K. The linear dielectric response of a semiconductor: A new analytic form for the dielectric function. Phys. Stat. Sol. (b), 1974, 66» N 2» p.491-498.

95. Seiwatz R., Green M. Space charge calculation for semiconductors. Journ. of Appl. Phys., 1958, 29, N 7, p.10341040.

96. Stern F., Howard W.E. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit.

97. Phys. Rev., 1967, 163, N 3, p.816-835.

98. Большов JI.А., Напартович А.П., Наумовец А.Г., Федорус А.Г., Субмонослойные пленки на поверхности металлов. УФН, 1977, 122, в.1, с.125-158.

99. Einstein T.L. Theory of indirect between, chemisorbed atoms. CRC Grit. Rev. Sol. State and Materials Sci., 1978, 7, issue 3, p.261-288.

100. Thorpe B.J. Chemisorption theory and the surface molecule. Surf. Sci., 1972, 21, N 2, p.306-325.

101. Schri^fer J.R. Theory of chemisorption. J. Vac. Sci. Techn., 1972, 9, N 2, p.561-568.

102. Gadzuk J.W. Interaction of atoms and molecules with surfaces. In: Surface physics of materials, vol.2, New York,

103. San Francisco and London, 1975, p.339-375.

104. I. Grimley T.B. Chemisorption theory. In: Progress in surf, and membrane science, vol.9, New York, San Francisco and London, 1975, p.71-161.

105. Гомер P. Некоторые вопросы теории хемосрбции. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела. - М., 1977, в.1, с.189-210.

106. Браун О.М. Теоретические модели хемосорбции на металлах.-УФК, 1978, 23, в.8, с.1233-1255.

107. Медведев В.К., Смерека Т.П. Адсорбция лития на основных гранях монокристалла вольфрама, ФТТ, 1974, 16, в.6,с.1599-1606.

108. Наумовец А.Г. Исследование структуры поверхностей методом дифракции медленных электронов: достижения и перспективы. -УФЖ, 1978, 23, в.Ю, с.1585-1607.

109. Медведев В.К., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Структура и электронно-адсорбционные свойства пленок натрия на грани (ОН) вольфрама. ФТТ, 1970, 12, в.2, с.375-385.

110. Медведев В.К., Якивчук А.И. Структура и электронно-адсорбционные свойства пленок стронция на грани (112) монокристалла вольфрама. УФЖ, 1975, 20, в.II, с.1900-1908.

111. Stolt К., Craham W.R., Ehrlich G. Surface diffusion of in1.dividual atoms and dimers: Re onW (211).-J. Chem. Phys., 1976, 65, N 8, p.3206-3222

112. Sakata T., Nakamura S. Direct observation, of atomic processes of molybdenum atoms on (211) planes of tungsten. -Surf. Sci., 1977, 64, N 1, p.345-348.

113. Pink H.W., Paulian. K., Bauer E. Evidence for nonmonotonic long-rang interactions between adsorbed atoms. Phys. Rev. Lett., 1980, 44, N 15, p.1008-1011.

114. Lau K.H., Kohn W. Elastic interaction of two atoms adsorbed on solid surface. Surf. Sci., 1977, 65, IT 2, p.607-618.

115. Lau K.H. Anisotropic, long-rang elastic interaction between adatoms. Sol. St. Comm., 1978, 28, N 9, p.757-762.

116. Grimley T.B. The indirect interaction between atoms or molecules adsorbed on metals. Proc. Phys. Soc., 1967, 90,1. N 569, p.751-764.

117. Grimley T.B. The electron density in a metal near a chemi—sorbed atom or molecule. Proc. Phys. Soc., 1967, 92, N 577, p.776-782.

118. Grimley T.B., Walker S.M. Interactions between adatoms on metals and their effects on the heat of adsorption at low surface coverage. Surf. Sci., 1969, 14, N 2, p.395-406.

119. Wojciechowski K. Kwantowa theoria adsorpcji na metalach. -Postepy fizyki, 20, 1969, N 5; p.579-605.

120. Einstein. T.L., Schrieffer J.R. Indirect interaction between adatoms on a tightbinding solid. Phys. Rev., 1973, B7, N 8, p.3629-3648.

121. Moore I.D. Friedel oscillations about in impurity near a metal surface. J. Phys. F: Metal Phys., 1976, F6, Ж 3, P.L71-L74.

122. Rudnick J. Static screening by a bounded electron gas. -Phys. Rev., 1972, B5, p.2863-2872.

123. Plores P., March N.H., Moore I.D. Interaction between two hydrogen atom approaching a metal surface. Surf. Sci.,1977, 69, p.133-143.

124. Johansson P. Priedel oscillations around on adatom. -Sol. St. Comm., 1978, 25, N 4, p.221-223.

125. Johansson P. Electron density oscillations around an adatom. Sol. St. Comm., 1979, 31, N 8, p.591-595.

126. Johansson P., Hjelmberg H. Charge density oscillations around a hydrogen adatom on simple metal surface and their importance for adatom-adatom interaction. Surf. Sci.*1979, 80, p.171-178.

127. Ьаи K.H., Kohn W. Indirect long-rang oscillatory interaction between adsorbed atoms. Surf,. Sci., 1978, 75,p.69-85.

128. Браун O.M. Особенности "непрямого" взаимодействия атомов адсорбированных на поверхности металла. ФТТ, 1981, 23, в.9, с.2779-2784.

129. Габович A.M., Пашицкий Э.А. Непрямое взаимодействие адсорбированных атомов на поверхности металла через электронный газ подложки. ФТТ, 1976, 18, в.2, с.377-382.

130. Кравцов В.Е. Асимптотика парного взаимодействия адсорбированных на поверхности металла атомов. ФТТ, 1979, 21, в.5, с.1560-1562.

131. Adawi -I. Electron-density oscillations in a general potential. Phys. Rev., 1966, 146, N 2, p.379-386.

132. Воротынцев M.A., Корнышев А.А. Электростатическое взаимодействие на границе раздела металл-диэлектрик. ДАН СССР, 1980, 78, в.З, с.I008-1020.

133. Изотов В.Ю. Влияние поверхностного аналога фриделевских осцилляций на взаимодействие адсорбированных частиц. -Электрохимия, .1981, ХУЛ. в.5, с.795-797.

134. Изотов В.Ю. Статическое взаимодействие зарядов около границы раздела металл диэлектрическая среда с подвижными носителями зарядов. - Электрохимия, 1981, ХУЛ, в.2, с,219-224.

135. Le Bosse J.C., Lopez J., Rousseau-Violet J. Interaction energy between two indentical atomB chemisorbed on a normal metal. Surf. Sci., 1978, 72, N 1, p.125-130.

136. Кравцов В.E., Малынуков А.Г. Структурные и электронные переходы в адсорбированном слое. ЖЭТФ, 1978, 75, В.2 (8), с.691-704.

137. Tsong Т.Т. Pield-ion microscope observations of interaction between adatoms on metal surfaces. Phys. Rev. Lett., 1973, Ц, N 19, p.1207-1210.

138. Технология тонких пленок (справочник). Под редакцией Мейс-села JI., Глэнга P.M., М., "Советское радио", 1977, т.2, с.305.

139. Келдыш JI.B. Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов. Письма в ЖЭТФ, 1979, 29, в.II, с.716-719.

140. Андрюшин Е.А., Силин А.П. Экситоны в тонких полупроводниновых пленках. ФТТ, 1980, 22, в.9, с.2676-2680.

141. Келдыш Л.В. Поляритоны в тонких полупроводниковых пленках. Письма в ЖЭТФ, 1979, 30, в.5, с.244- 248.

142. Cohen М.Н., Douglass D.H. Superconductive pairing across electron barriers. Phys. Rev. Lett., 1967, 19, N 3,p.118-121.

143. Strongin. M., Karamerer O.P., Douglass D.H., Cohen M.H. Effect of dielectric and high-resistivity barriers on the superconducting transition temperature of thin, films. -Phys. Rev. Lett., 1967, 19, Ж 3, p.121-125.

144. Лозовик Ю.Е., Юдсон В,И. 0 возможности сверхтекучести разделенных в пространстве электронов и дырок при их спаривании: новый механизм сверхпроводимости. Письма в ЖЭТФ, 1975, 22, в.II, с.556-559.

145. Шевченко С.И. Теория сверхпроводимости систем со спариванием пространственно-разделенных электронов и дырок. -ФИТ, 1976, 2, в.4, с.505-516.

146. Kohn W., Lau K.H. Adatom dipole moments on metals and their interaction. Sol. St. Comm., 1976, J8, N 5, p.553-555.

147. Canel E., Matthews M.P., Zia R.K.P. Screening in very thin films. Phys. Kondens. Mater., 1972, 15, N 3, p.191-200.

148. Кондратьев A.C., Кучма A.E., Мейланов P.П. Электронная ферми-жидкость в тонких металлических пленках. ФНТ, 1976, 2, в.8, с.1290-1297.

149. Singwi K.R., Sjblander A., Tosi M.P., Land R.H. Electron correlations and metallic densities. Phys. Rev., 1970, Bl, И 3, p.1044-1053.

150. Laribaux H.R., Boon M.H. Attenuation of Friedel oscillations in some metals. Phys. Rev., 1975, B11, N 6, p.2412-2416.

151. Stern F. Polarizability of two-dimensional electron gas. -Phys. Rev. Lett., 1967, 18, U 14, p.546-548.

152. Fisher B., Klein M.W. Magnetic and nonmagnetic impurities in two-dimensional metals. Phys. Rev., 1975, B11, N 5, p.2025-2029.

153. Das A.K. The linear response of a one-dimensional electron gas. Sol. St. Comm., 1974, 15, N 3, p.475-477.

154. Медведев Б.К., Угорелый В.Н., Якивчук А.И. Взаимодействие адсорбированных атомов лантана на грани (112) кристалла вольфрама. письма в ЖЭТФ, 1976, 24, в.9, с.489-492.

155. Ведула Ю.С., Медведев В.К., Наумовец А.Г., Погорелый В.Н. Адсорбция вольфрама на грани (112) кристалла вольфрама. -УФЖ, 1977, 22, в.10, с.1826-1832

156. Медведев В,К., Яковкив И,Н. Взаимодействие адсорбированных атомов стронцця на грани (112) кристалла молибдена. -ФТТ, 1978, 20, в.4, с.928-935.

157. Покровский В.Л., Талапов А.Л. Теория двумерных несоизмеримых кристаллов. 1ЭТФ, 1980,. 78, в.1, с.269-295.

158. Pokrovskii V.L., l/imin G.V. On the properties of monolayers of adsorbed atoms. J. Phys. C: Solid State Phys., 1978, C11, N10, p.3535-3549.

159. Пашицкий Э.А., Романов Ю.А. К вопросу о сверхпроводимости в системах с кулоновским взаимодействием. Ш. Препринт ИФ - 70 - 8, Киев, 1970, с.32.

160. Ключник А.В., Лозовик Ю.Е. Влияние межзонных переходовна токовые состояния в системах со спариванием электронов и дырок. ЖЭТФ, 1979, 76, в.З, с.670-682.

161. Лозовик Ю.Е., Нишанов В.Н. Экситоны Ванье-Мотта в слоистых структурах и вблизи границы двух сред. ФТТ, 1976, 18, в.II, с.3267-3272.

162. Чаплик А.В., Энтин М.В. Заряженные примеси в очень тонких слоях. ЖЭТФ, 1971, 61, в.6 (12), с.2496-2503.

163. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М., Наука, 1974, с.752.

164. Cole M.W., Cohen М.Н. Image-potential induced surface bands in insulators. Phys. Rev. Lett., 1969, 23, N 21, p.1238-1241.

165. Cole M.W. Properties of image-potential induced surface states of insulators. Phys. Rev., 1970, B2, N 10,p.4239-4252.

166. Шикин В.Б. О движении гелиевых ионов вблизи границы пар-жидкость. ЖЭТФ, 1970, 58, в.5, с.1748-1756.

167. Brown T.R., Grimes С.С. Observation of cyclotron resonance in surface-bound electrons on liquid helium. Phys. Rev.1.tt., 1972, 29, Ж 18, p.1233-1236.

168. Grimes C.C., Brown T.R. Direct spectroscopic observationof electrons in. image-potential states outside liquid helium. Phys. Rev. Lett., 1974, j32, N 6, p.280-283.

169. Володин А.П., Эдельман B.C. Спектр электронов, локализованных над жидким Не3. Письма в ЖЭТФ, 1979, 30, в.10, с.668-691.

170. Эдельман B.C. Исследование резонансных свойств электронов локализованных над жидким 3Не и ^Не. ЖЭТФ, 1979, 77,в.2, с.673-691.

171. Трояновский A.M., Володин А.П., Хайкин М.С. Локализация электронов над поверхностью жидкого водорода. Письма в ШЭТФ, 1979. 29, в.I, с.65-68.

172. Трояновский A.M., Володин А.П., Хайкин М.С, Локализация электронов над поверхностями кристаллических водорода и неона. Письма в 1ЭТФ, 1979, 29, в.7, с.421-425.

173. Рыбалко А.С., Ковдря. Ю.З. Особенности поглощения энергии электромагнитного поля системой электронов на поверхности жидкого гелия. ФНТ, 1975, I, в.8, с.1037-1043.

174. Володин А.П., Хайкин М.С., Эдельман B.C. Поверхностные электронные состояния над гелиевой пленкой. ФНТ, 1975, Письма в 1ЭТФ, 1976, 23, в.9, с.524-527.

175. Препелица Б.В. О стационарных состояниях электронов проводимости на границе двух различных сред. ФТП, 1969, 3, в.9, с.1403-1405.

176. Шикин В,Б., Монарха Ю.П. Поверхностные заряды в гелии. -ФНТ, 1975, I, в.8, с.957-983.

177. Эдельман B.C. Левитирующие электроны. УФН, 1980, 130, в.4, с.675-706.

178. Harris-Lowe R.F., Smee К.A. Thermal expansion of liquid helium II. Phys. Rev., 1970, A2, IT 1, p.158-168.

179. Kierstead H.A. Dielectric constant and molar volume of saturated liquid ^He and ^He. J. Low. Temp. Phys., 1976, 24, N 5-6, p.497-805.

180. Cole M.W. Electrostatic surface states of liquid helium. Rev. Mod. Phys., 1974, 46, IT 3, p.451-464.

181. Sanders T.M., Weinreich G. Energies of external electronsurface states on liquid helium. Phys. Rev., 1976, B13, IT 11, p.4810-4814.

182. Grimes С.С., Brown T.R., Burns M.L., Zipfel C.L. Spectroscopy of electrons in image-potential-induced surface sta- . tes outside liquid helium. Phys. Rev., 1976, BJ£, N 1,p.140-147.

183. Hipolito 0., de Felicio J.R.D., Farias G.A. Electron bound states on liquid helium. Sol. St. Comm., 1978, 28, N 5, p.365-368.

184. Gomer R., Swanson L.W. Theory of field desorption. -J. Chem. Phys. , 1963, 38, IT 7, p. 1613-1629.

185. Татарский Б.В., Шикина Н.И., Шикин В.Б. Электроны на тонкой сверхтекучей пленке гелия. ЖЭТФ, 1982, 82, в.З,с.747-760.

186. Монарха Ю.П., Шикин В.Б. Низкоразмерные электронные системы на поверхности жидкого гелия. ФНТ, 1982, 8, в.6, с.563-600.

187. Dash J.С. Helium monolayers. The Physics of Liquid and Solid Helium, 1978, N.-Y., J.Wiley Press, p.11, p.497571.

188. Градштейн И.О., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М., ГЙФМЛ, 1963, с.ПОО.

189. Бейтмен., Эрдейи А. Высшие трансцендентные функции. Гипергеометрическая функция. Функции Лежандра. М., Наука, 1965, с.294.

190. Shikin V.B. Theory of localized electron states on the liquid helium.- Surf. Sci., 1978, £3, p.396-410.

191. Grimes C.C. Electron in surface states on liquid helium. -Surf. Sci., 1978, 73, p.379-395.

192. Hipolito 0. Ground-state energy of strongly bound charges particles of surfaces. J. Phys. C: Solid State Phys.,1979, 12., N21, p.4667-4672.

193. Hipolito О. Charged particle interaction with surface modes. Sol. St. Comm., 1979, Д2, N 7, p.515-519.

194. Пайнс Д., Нозьер Ф. Теория квантовых жидкостей. М., Мир, 1967, с.382.

195. Справочник по специальным функциям /Под ред, М.Абрамовича и И.Стиган./ М., Наука, 1979, с.830.

196. Слейтер Л.Дж. Вырожденные гипергеометрические функции. -М., Изд-во ВЦ АН СССР, 1966, с.249.

197. Аронов А.Г., Иоселевич А.С. Влияние электрического поля на экситонное поглощение. ЖЭТФ, 1978, 74, в.З, с.1043-1052.

198. Горьков Л.П., Черникова Д.М. К вопросу о структуре заряженной поверхности жидкого. Письма в ЖЭТФ, 1973, 18, в.2, с.119-122.

199. Горьков Л.П., Черникова Д.М. О режиме развития неустойчивости заряженной поверхности гелия. ДАН СССР, 1976, 228, в.4, с.829-832.

200. Черникова Д.М. Заряженная поверхность гелия в конденсаторе. ФНТ, 1976, 2, в.II, с.I374-1378.

201. Черникова Д.М., Гистерезис при развитии неустойчивости заряженной жидкой поверхности. ФНТ, 1980, 6, в.12, с.1513-1522.

202. Meissner G., Namaizawa Н., Voss М. Stability and image-potential induced screening of electron vibrational excitations in a three-layer structure. Phys. Rev., 1976, ВД, N 4, p.1370-1376. '

203. Смайт В. Электростатика и электродинамика. М., МЛ, 1954, с.604.

204. Чаплик А.В. Возможная кристаллизация носителей зарядав инверсионных слоях низкой плотности. ЖЭТФ, 1972, 62, в.2, с.746-753.

205. Yoshioka D., Fukuyama Н. Existence of dipole-density-wa-ve (DDW) state in electron-hole junction systems. J. Phys. Soc. Japan, 1978, 45, Ж 1, p.137-147.

206. Монарха Ю.П. 0 коллективных возбуждениях в двумерной плазме на пленке диэлектрика. ФНТ, 1977, 3, в.II, с.1459-1464.

207. Huang W., Rudnick J., Dahm A.J. Sound modes' of a two-dimensional electron gas bound to a helium film. J. Low. Temp. Phys., 1977, 28, U 1-2, p.21-27.

208. Монарха Ю.П. Пространственное распределение разноименных зарядов и образование дипольных комплексов в расслоившемся растворе квантовых жидкостей Не5 Не^. - ФНТ, 1979, 5, в.8, с,940-944.

209. Есельсон Б.Н., Григорьев В.Н., Иванцов В.Г,, Рудавский Э.Я., Саникидзе Д.Г., Сербик И.Я. Растворы квантовых жидкостей Не5 Не4. - М., Наука, 1973, с.423.

210. Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А., Романов Ю.А. Электростатический потенциал зарядов в слоистых системах с пространственной дисперсией. ФТТ, 1980, 22, в.9, с.2700-2710.

211. Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А,, Романов Ю.А. Взаимодействие зарядов в слоистых системах с пространственной дисперсией.-Препринт ИФ-80-13, Киев, 1980, с.42.

212. II'chenko L.G., Pashitskii Е.А., Romanov Yu.A. Charge interaction in layered systems with spatial dispersion.

213. Surf. Sci., 1982, 121, p.375-395.

214. Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А., Романов Ю.А. Силы изображения и взаимодействие зарядов вблизи границы раздела сред.-В кн.: Всесоюзная школа по физике, химии и механике по. верхности., Нальчик, 1981, с.

215. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Электростатическое взаимодействие зарядов в поверхностью металлов и полупроводников. ФТТ, 1979, 21, в.б, с.1683-1689.

216. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Электростатическая энергия заряда вблизи поверхности металла и полупроводника. Препринт ИФ-78-14, Киев, 1978, с.27.

217. Gabovich A.M., Il'chenko L.G., Pashitskii E.A., Romanov Yu.A. Electrostatic energy and screened charge interaction near the surface of metals with different Fermi surface shape. Surf. Sci., 1980, 94, p.179-203.

218. Войтенко А.И., Габович A.M., Ильченко Л.Г. Некоторые поверхностные свойства полупроводников и электролитов. -Препринт ИФ-80-18, ч.1, Киев, 1980, с.36.

219. Войтенко А.И., Габович A.M., Ильченко Л.Г. Электростатическая энергия заряда вблизи границы полупроводника и форма потенциального барьера при автоэлектронной эмиссии. -ФТТ, 1981, 23, в.5, с.1531-1533.

220. Ильченко Л.Г. Влияние области пространственного заряда на силы изображения вблизи поверхности полупроводников.

221. В кн.: Физика поверхности твердых тел. Тезисы докл. Всесоюзного симпозиума, Киев, 1983, с.94-95.

222. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А., Романов Ю.А. Экранировка зарядов в объеме и на поверхности металла. -Препринт ИФ-78-4, Киев, 1978, с,44.

223. Габович A.M., Ильченко JI.Г., Пашицкий Э.А., Романов Ю.А. Экранировка' зарядов и фриделевские осцилляции электронной плотности в металлах с разной формой поверхности Ферми. -ЖЭТФ, 1978, 75, в.1(7), с.249-264.

224. Браун O.Li., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А., Адсорбция щелочных атомов на поверхности переходных металлов с учетом потенциала изображения. ФТТ, 1980, 22, в.6, с.1649-1655.

225. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Разупорядочение адсорбированных пленок при сверхпроводящем переходе металла-подложки. ФТТ, 1979, 21, в.7, C.2I9I-2I93.

226. Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А., Взаимодействие зарядов в слоистых системах. ФТТ, 1980, 22, в.7, с.2191-3401.

227. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Экранировка дислокаций в нормальных металлах и сверхпроводниках. -Препринт ИФ-79-12, 1980, Киев, с.42.

228. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Экранировка дислокаций в нормальных металлах и сверхпроводниках и разупрочнение металлов при сверхпроводящем переходе. ФНТ, 1980, 6, в.З, с.298-307.

229. Ильченко Л.Г, Взаимодействие зарядов вблизи поверхности полупроводников с областью пространственного заряда. в кн.: Одиннадцатое совещание по теории полупроводников. Тез. докл., Ужгород, 1983, с.226-227.

230. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Силы изображения и спектр электронов над поверхностью жидкого гелия. -Препринт ИФ-81-10, Киев, 1980, с.48.

231. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Влияние эффектов пространственной дисперсии на силы изображения и энергетический спектр электронов над поверхностью жидкого гелия. ЖЭТФ, 1980, 79, в.2(8), с.665-671.

232. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Энергетический спектр электронов над тонкой пленкой жидкого гелия в прижимающем электрическом поле. ЖЭТФ, 1981, 81, в.6(12), с.2063-2069.

233. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Влияние эффектов пространственной дисперсии на спектр электронов над поверхностью жидкого гелия. В кн.: XXI Всесоюзное совещание по физике низких температур. Тез. докл., Кишинев, 1980, с.55-56.

234. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Спектр электронов над пленкой жидкого гелия. В кн.: ХХП Всесоюзное совещание по физике низких температур, тезисы докладов. Кишинев., 1982, ч.З, с.196-197.

235. Gabovich A.M., Il'chehko L.G., Pashitskii Б.A. Image forces and electron spectrum at the surface of liquid helium. Surf. Sci., 1983, 130, p.373-394.