Анализ процессов в ячейке хранения одиночных электронов, изготовленной на основе металлических туннельных контактов субмикронной площадки тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕСИТЕТ им. М. В. Ломоносова

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ имени Д.В. СКОБЕЛЬЦЫНА

1. . I

' ' 'На правах рукописи

ЛОТХОВ СЕРГЕЙ ВАЛЕНТИНОВИЧ

АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ В ЯЧЕЙКЕ ХРАНЕНИЯ ОДИНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, ИЗГОТОВЛЕННОЙ НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ТУННЕЛЬНЫХ КОНТАКТОВ СУБМИКРОННОЙ ПЛОЩАДИ

Специальность 01.04.04 - физическая электроника

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва, 1997

Работа выполнена на кафедре атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова.

НАУЧНЫЙ РУКОВОДИТЕЛЬ:

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ:

ВЕДУЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ:

кандидат физико-математических наук,

старший научный сотрудник А. Б. Зорин

доктор физико-математических наук В. П. Кошелец

кандидат физико-математических наук В. Ф. Лукичев

Институт Земного Магнетизма Ионосферы и Распространения Радиоволн Российской Академии Наук, г. Москва

Защита состоится " " срг^.^^-С 1998 г. в " /Г " часов, на заседании Диссертационного совета К.053.05.23 в Московском Государственном Университете им. М. В. Ломоносова.

Адрес: 119899, г. Москва, Воробьевы Горы, НИИЯФ МГУ, 19 корпус МГУ, к 2-15.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НИИЯФ МГУ. Автореферат разослан " " 1997 года.

Ученый секретарь Диссертационного Совета кандидат физико-математических наук _О. В. Чумакова

1. Общая характеристика работы.

Актуальность темы. Современная одноэлектроника - это динамично развивающаяся область физики и электроники, прогресс в которой связан с последними достижениями в области высоких технологий. К настоящему моменту уже разработан и изготовлен в лабораторном масштабе ряд устройств, манипулирующих одиночными электронами и обладающих уникальными рабочими характеристиками. Эти разработки открывают возможность создания в недалеком будущем принципиально новой элементной базы цифровых систем (см. напр. обзор Аверина и Лихарева, Гл. 9 в [1]).

Ключевым фактором, определяющим перспективность будущего применения одноэлектронных структур, является принципиальная возможность изготовления устройств с габаритами существенно меньшими, чем у их полупроводниковых аналогов. При этом, в отличие от ситуации в традиционной микроэлектронике, минимально достижимые размеры одноэлектронных приборов определяются скорее технологическими, нежели физическими соображениями.

Использование принципа кодирования информации с помощью единичных электронов дает возможность разработки цифровых одноэлектронных устройств с малым энергопотреблением, что в совокупности с миниатюрностью элементов создает предпосылки для достижения чрезвычайно высокой степени интеграции в одноэлектронных микросхемах.

Одним из важнейших базовых элементов цифровой схемотехники является ячейка памяти. В основу работы одноэлектронного прототипа ячейки памяти (одноэлвктрошюй ловушки) положен эффект кулоновской блокады в цепочке субмикронных туннельных контактов. Суть эффекта памяти состоит в том, что благодаря электростатическому барьеру, возникающему на пути электрона при его перемещении вдоль цепочки, электрон, однажды оказавшись на одном из крайних узлов цепочки, будет удерживаться на нем в течение длительного времени.

Одной из важнейших характеристик ячейки памяти, определяющих, в конечном итоге, перспективы практического применения системы является время удержания электрона. Оно ограничивается действием ряда механизмов спонтанного переключения состояний одноэлсктронной ловушки.

Интенсивность процессов переключения и ее температурная зависимость в значительной мерс определяются тем, насколько малы емкости, а, следовательно, геометрические размеры туннельных контактов и островов между ними. Так, например, возможность наблюдения одноэлектронных эффектов при температурах около 0.1 К возникает лишь при площади туннельного контакта не превосходящей нескольких сотых квадратного микрона. Это налагает жесткие требования на выбор технологии изготовления одноэлектронных структур.

Одной из общих проблем, возникающих при исследовании одноэлектронных систем, является вопрос об определении значений их основных электрических параметров. Знание значений параметров необходимо для проведения моделирования поведения одноэлектронных структур и проверки предложенных моделей протекающих процессов. В связи с этим зачастую возникает задача разработки специальной топологии структуры, допускающей оперативное тестирование структур и получение необходимой информации о параметрах образца путей проведения дополнительных электрических измерений.

Обобщая вышесказанное, можно утверждать, что путь к разработке цифровых одноэлектронных устройств лежит через поиск оптимальной технологии изготовления и оптимального проектирования сложных систем субмикронных туннельных контактов, а также через исследование процессов управляемого и спонтанного переключения одноэлектронных зарядовых состояний в системе. Настоящая диссертация посвящена такому исследованию.

Цель работы. Основной целью настоящей работы являлось проведение комплексного исследования механизмов спонтанного

переключения состояний одноэлектронной ячейки памяти. В соответствии с поставленной целью, задачами работы являлись:

1. Разработка технологического процесса воспроизводимого изготовления многоконтактных (до нескольких десятков) одноэлектронных туннельных контактов Al/AIOx/Al площадью менее ОЛхОЛмкм2 с расстоянием между контактами не превышающими нескольких десятых долей микрона.

2. Создание топологии одноэлектронной структуры, позволяющей экспериментально определить значения основных электрических параметров ячейки памяти, а также произвести необходимые подстройки режимов работы системы при измерениях.

3. Исследование работы ячейки памяти и физических механизмов, приводящих к спонтанным переключениям ее в интервале рабочих температур (до 200 мК).

Научная новизна определяется следующими, наиболее важными из полученных результатов:

1. Экспериментально установлено, что в диапазоне температур 150+200 мК, времена жизни зарядовых состояний ячейки памяти достигают около 100 с. Продемонстрировано, что в этом диапазоне доминирующим механизмом спонтанного переключения является термическая активация туннелирования, усиленная присутствием дрейфа эффективных фоновых зарядов. При более низкой температуре 35 мК, время удержания единичного электрона ловушкой достигало 8.5 часов и было ограничено влиянием дрейфовых эффектов.

2. Впервые обнаружен эффект обратного влияния считывающего электрометра на величину зарядового гистерезиса в ловушке. Показано, что влияние флуктуации электрического поля, связанных с туннельными событиями в электрометре, на процессы в ловушке в области исследуемых параметров не является существенным, в то время как доминирующий вклад в этот эффект создают эффект локального перегрева подложки вблизи электрометра за счет диссипации энергии туннельного тока, а

также эффект со-туннелированил в связанной структуре электрометр+ловушка. 3. Спроектирована одноэлектроннан структура и разработана методика экспериментального определения полного набора основных электрических параметров исследуемого устройства. На основе знания этих параметров проведено численное моделирование процессов, протекающих в системе.

Практическая ценность работы. В работе подробно исследуется процесс хранения одиночного электрона в одноэлектронной ячейке памяти. При этом решается ряд фундаментальных и технологических вопросов в направлении создания прототипа одного из важнейших базовых логических элементов.

Перспектива практического применения полученных результатов связана с созданием предпосылок для разработки и изготовления субмикронной ячейки памяти общей площадью на чипе менее 0.5 мкм2. В работе было продемонстрировано хранение электрона в течение более 8 часов при Г= 35 мК. На основании результатов анализа механизмов переключения ловушки определена область электрических параметров структуры и режимов работы считывающего устройства, при которых возможно длительное хранение информации в одноэлектронной ловушке. Показана важность решения вопроса о защите работы одноэлектронных устройств от влияния эффективного фонового заряда или компенсации этого влияния. В ходе технологических разработок даны важные практические рекомендации по изготовлению одноэлектронных структур.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были доложены на:

- Международных симпозиумах "Наноструктуры: физика и технология" ("Nanostructures: physics and technology"), С.-Петербург, в 1993, 1995 и 1996 rr;

- Международной конференции по точным электромагнитным измерениям (СРНМ), Брауншвейг, Германия, июнь 1996 г;

- 21-й Международной конференции по физике низких температур (LT-21), Прага, Чехия, август 1996 г;

- Рабочем совещании "Fundamental aspects of application of single-electron devices", Лингби, Дания, июль 1997,

- Семинаре "Kryoelektronisclie Bauelemente", Йена, Германия, сентябрь 1996,

- Рабочем совещании проекта "EU SETTRON", Сакле, Франция, январь 1997,

а также на Трехсторонних Украино-Российско-Немецких семинарах по Высокотемпературной сверхпроводимости в 1992, 1995, 1996, 1997 гг.

Публикации. Основные результаты проведенных исследований опубликованы в 10-ти работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. Общий объем работы составляет 124 страницы. Она содержит 33 рисунка, 4 таблицы и список цитируемой литературы из 61 названия. .

2. Содержание работы:

Во введении обсуждаются цель и задачи диссертационной работы, на основании литературных данных приводится обзор результатов исследований эффекта кулоновской блокады в системах туннельных контактов, накопленных к моменту выполнения настоящей диссертационной работы.

Первая глава носит обзорно-теоретический характер, В ней формулируются основные принципы описания состояния одноэлектронных структур и способы расчета их электрических характеристик, приводится описание основных принципов работы

составных элементов одноэлектронной ячейки памяти: электрометра и ловушки.

В §1.1 приведены основные сведения об эффекте кулоновской блокады, а также кратко формулируются основные положения ортодоксальной теории одноэлектронного туннелирования [2] и принципов расчета одноэлектронных систем.

В §1.2 приводится краткое описание свойств одноэлектронного транзистора (Гл. 2 в [1], [2]) используемого в качестве считывающего электрометра в ячейке памяти.

В §1.3 в развернутом виде представлено описание принципов действия и основных процессов в одноэлектронной ловушке, устройстве, способном удерживать один или несколько избыточных (недостающих) электронов на узле памяти. Рассматривается модель ловушки с нулевыми значениями собственных емкостей промежуточных островов цепочки, а также перекрестных емкостей островов структуры. Несмотря на упрощенность подхода, данное описание приводит к принципиально верным результатам, что подтверждается сравнением с представленными характеристиками ловушки, полученными в общем случае посредством численного расчета.

В этом разделе объяснены причины возникновения свойства многозначности зарядовых состояний ловушки. Показано, что количество устойчивых состояний ловушки при неизменном напряжении на управляющем электроде определяется отношением полной емкости острова памяти к емкости цепочки контактов.

Далее обсуждаются основные возможные каналы спонтанного переключения состояний ловушки, приводится численная оценка интенсивности процессов в каждом из каналов.

Показано, что электрону для перехода из острова памяти через цепочку контактов во внешний электрод необходимо преодолеть электростатический барьер высотой ДЕ, зависящей от числа и емкости туннельных контактов, емкости промежуточных островов цепочки, а также полной емкости острова памяти. При достаточно низкой температуре Т образца, т.е при достаточно высоком значении

отношения ДЕ/кдТ, где кц - постоянная Больцмана, средняя энергия тепловых флуктуации мала по сравнению с высотой барьера, и избыточный заряд удерживается на острове памяти.

Для расчета времени жизни состояния, ограниченного по механизму термоактивации туннелирования, в работе была выведена формула:

15—--ехр(—-), (1)

Г Г" каТ

где Г1 - темпы туннелирования электрона в двух взаимно-противоположных направлениях в состоянии, на вершине энергетического барьера, соответствующем положению электрона в центре цепочки.

На основании данных теоретических работы (3], а также Гл. 6 в [I], было показано, что темп со-туннелирования в нашей системе пренебрежимо мал, и, следовательно, со-туннелирование не является процессом, лимитирующим время жизни зарядового состояния.

Путем численных расчетов было показано, что энергетический барьер может быть значительно подавлен при наличии ненулевых эффективных фоновых зарядов островов структуры. Благодаря понижению барьера увеличивается интенсивность процессов спонтанного переключения ловушки (например, темп термоактивированных туннельных событий), и время жизни устойчивых состояний сокращается.

Посредством численного моделирования было

продемонстрировано, что ширина петли зарядового гистерезиса ловушки с единственной цепочкой туннельных контактов практически не зависит от присутствия эффективных фоновых зарядов. Однако в структуре, включающей две цепочки с различными темпами дрейфа распределения фонового заряда, петля гистерезиса способна значительно сужаться.

Вторая глава посвящена описанию технологии изготовления образцов, техники проведения электрических измерений и методике определения электрических параметров исследуемой одноэлектронной структуры.

В §2.1.1 излагаются основные принципы и критерии выбора технологических подходов в изготовлению одноэлектронных наноструктур. Для изготовления систем туннельных контактов сверхмалой (менее 0.01 мкм2) площади была разработана технология, в основу которой положен метод двухтеневого напыления А1 с промежуточным окислением. В рамках данной технологии напыление производилось через специальным образом изготовленную трехслойную маску {4] типа РММА/ОЕ/РММА-МАА. Формирование рисунка маски осуществлялось с помощью электронно-лучевой литографии и трехступенчатого реактивного-ионного травления, последовательно передающего изображение из слоя РММА в нижележащий слой Се и, далее, в слой сополимера РММА-МАА, с образованием в нем глубокого подтрава.

Использование трехслойной резистной структуры ("жесткой маски") позволило значительно уменьшить расстояния между отверстиями в маске и изготовить цепочки туннельных контактов с расстояниями между ними менее 0.2 мкм. Благодаря малости собственных емкостей таких островов (=15 аФ) и туннельных емкостей контактов цепочки (=200 аФ) высота электростатического барьера составила более 0.5 меВ, а ее отношение к средней энергии тепловых флуктуаций Д£ДдГ>150 при Т= 35 мК.

В §2.1.2 приводится описание процессов технологического цикла, описываются модификации процесса изготовления структур. В этой части работы приводится детальное обсуждение основных технологических проблем и способов их решения. В частности, для обеспечения надежного электрического контакта между элементами субмикронных размеров со служебными элементами миллиметровых размеров, расположенных на чипе (питающие и управляющие электроды, контактные площадки) был разработан цикл изготовления маски, сочетающие одновременно как и мелкие, так и крупные

элементы структуры. В основу этого цикла был положен метод последовательного проведения электронно-лучевой- (для мелких элементов) и фотолитографии (для крупных элементов) в слое РММА, с использованием для экспонирования, соответственно, высокоэнергетического (30 кэВ) электронного пучка излучения дальней ультрафиолетовой части спектра (длина волны »200 нм).

Раздел 2.1.3 посвящен вопросам исследования качества и воспроизводимости изготавливаемых туннельных контактов. В частности показано, что:

1. Разброс сопротивлений среди контактов, изготовленных на одном чипе составлял ±10-!-20%; в пределах серии чипов с общим процессом окисления разброс достигал ±30-!-40%.

2. Туннельная проводимосгь пропорциональна площади контакта, оцененной по изображению в растровом электронном микроскопе. Это дает основания считать наши переходы однородными.

В §2.2 приводится краткое описание условий проведения электрических измерений, которые проводились в рефрижераторе растворения при температурах ниже 300 мК. Особое внимание уделялось фильтрации в широком спектре вплоть до диапазона СВЧ внешних шумов, которые способны кардинальным образом повлиять на работу исследуемой структуры. В этом параграфе приводится также описание основных режимов измерения, способах настройки исследуемой системы для достижения оптимальных условий наблюдения одноэлектронных эффектов. Здесь же обсуждаются особенности топологии исследуемой структуры, а также результаты вспомогательных измерений.

Для определения основных электрических параметров исследуемой структуры была развита специальная методика, использующая наличие дополнительной аналогичной цепочки, подключенной к острову памяти ловушки. Найденные значения параметров послужили основой для проведения численного моделирования процессов в ловушке, что открыло возможность сравнения экспериментальных данных с теоретическими предсказаниями.

Глава 3 посвящена обсуждению экспериментальных результатов и их сравнению с расчетами, произведенными в рамках различных моделей процессов в ловушке.

В §3.1 обсуждаются свойства зарядового гистерезиса острова памяти. Путем сравнения экспериментальных кривых с результатами численного моделирования процесса термоактивации туннелирования в ловушке было показано, что в диапазоне температур 30 - 130 мК принятая модель адекватно описывает поведение ловушки. В то же время было продемонстрировано, что из-за влияния эффективного фонового заряда ширина петли гистерезиса Д У^р (т.е. диапазон напряжений острова, обеспечивающих устойчивость данного состояния) может существенно уменьшаться.

В работе показано, что величина Д У1оор зависит от тока смещения /е/ считывающего электрометра. При рабочей температуре Т = 35 мК, повышение силы тока от 5 до 300 пА приводит к сужению петли до значения, характерного для 7*= 250 мК, т.е. практически к полному подавлению гистерезиса. Для объяснения этого эффекта было выдвинуто и проверено несколько гипотез.

1. Модель классических флуктуации потенциала острова транзистора. Так как процесс протекания туннельного тока представляет собой случайный процесс с дискретными зарядовыми состояниями, заряд и потенциал острова транзистора флуктуируют во времени. При наличии емкостной связи острова транзистора с островами ловушки, относительно низкочастотные (А/- 1с/е, где е -заряд электрона) флуктуации в транзисторе вызывают соответствующие флуктуации потенциалов этих островов, приводящее к изменению энергетических соотношений и темпов туннелирования.

Результаты моделирования показали, что в области параметров нашей системы флуктуации напряжения не способны заметно повлиять на гистерезис.

2. Локальный перегрев структуры. Протекание туннельного тока в электрометре связано с диссипацией энергии, приводящей к повышению температуры в окрестности острова электрометра и локальному перегреву расположенной в непосредственной близости

структуры. С повышением температуры возрастает интенсивность процесса термоактивации туннелирования, что приводит к подавлению гистерезиса. Результаты проведенных оценок и анализ литературных данных дают основания полагать, что эффект локального перегрева (до 100+150 мК при токе электрометра 1С!= 500 пА и Т= 35 мК) может вносить значительный вклад в эффект подавления гистерезиса.

3. Со-тупнелировапиг в связанных структурах.. Недавно в работе [5] Бауерншмиттом и Назаровым была предложена микроскопическая теория для описания процессов переключения в связанных системах. Используя эту теорию, мы показали, что зависимость ширины петли от тока электрометра может быть описана соотношением:

А У1оор(Те1) - А У1оо/0) - К^, (2)

где К - некоторый коэффициент, определяемый параметрами системы. Зависимость, описывающаяся выражением (2) неплохо согласуется с экспериментальной при значении К = 0.12 мВ/^пА, которое по порядку величины соответствует численной оценке для данных экспериментальных параметров. Полученные результаты дают основания предполагать, что рассматриваемый механизм со-туннелирования, по-видимому, является одним из доминирующих в эффекте подавления зарядового гистерезиса при повышении тока электрометра.

Параграф 3.2. посвящен обсуждению температурной зависимости времени жизни зарядового состояния острова памяти в диапазоне температур 150-200 мК. Тот факт, что экспериментально измеренные времена жизни оказались значительно меньшими времен, рассчитанных для данной экспериментальной структуры по формуле (1), мы объясняем дрейфом распределения эффективных фоновых зарядов.

В рамках предложенного подхода, для объяснения данного эффекта температурная зависимость времен жизни состояний была

рассчитана с учетом равномерного дрейфа распределения фонового заряда с малым темпом. Хорошее согласие экспериментальных и расчетных зависимостей было достигнуто ухе при относительно малых значениях фонового заряда островов и небольших скоростях дрейфа (0.02е/час). Заметим, что сравнение с типичными данными, полученными из литературы (около ОЛе за 100 с [б]), говорит об относительно низком уровне дрейфов в нашей структуре.

3. Основные результаты работы

1. Разработана лабораторная технология и выработаны рекомендации по выбору наиболее устойчивых технологических режимов изготовления сложных наноструктур, включающих до 20 туннельных контактов А^АЮх/А! площадью 0.08 х 0.08 мкм2, с расстояниями между контактами менее 0.2 мкм. Практически решена важная задача формирования в едином вакумном цикле как нанообъектов, так и питающих и управляющих электродов, имеющих миллиметровый масштаб.

2. На базе развитой технологии спроектирована и изготовлена одноэлектронная ячейка памяти, топология которой позволяет исследовать механизмы спонтанного переключения зарядовых состояний.

3. Разработан дизайн устройства и методика экспериментально определения полного набора его электрических параметров. Написана программа, моделирующая поведение системы ловушка + электрометр для экспериментально найденных значений этих параметров.

4. Экспериментально установлено, что в диапазоне температур 150+200 мК, времена жизни зарядовых состояний ячейки памяти достигают приблизительно 100 с. Продемонстрировано, что в этом температурном диапазоне доминирующим механизмом спонтанного переключения являетс51 совместное действие термической активации туннелирования и дрейфов случайно распределенных эффективных фоновых зарядов. При более низкой температуре Т= 35 мК, благодаря

ослаблению действия механизма термической активации время удержания единичного электрона ловушкой существенно увеличивалось и достигало 8.5 часов.

5. Впервые обнаружен эффект обратного влияния считывающего электрометра на величину зарядового гистерезиса в ловушке. Например, при рабочей температуре 35 мК, повышение силы тока в электрометре от 5 до 300 пА приводило практически к полному подавлению способности хранения электрона. Для объяснения этого эффекта предложены и проанализированы 3 механизма воздействия на ловушку:

1. Модель флуктуации потенциала острова электрометра;

2. Разогрев подложки работающим электрометром;

3. Со-туннелирование в связанной системе ловушка + электрометр в модели Бауерншмитга-Назарова.

Показано, что последние два механизма являются доминирующими.

Публикации по теме диссертации

1. Krupenin V. A., Lotkhov S. V., Vyshenskii S. V. Photo- and electron-beam lithography sharing common stencil.// J. Vac. Sci. Teclinol. (B), 11(6), 2132 (1993).

2. Krupenin V. A., Lotkhov S. V., Presnov D. E. Modified nanoteclmology for fabrication of complex single-electron devices.// Int. Symp.: "Nanostructures: physics and technology", Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, 354 (1995).

3. Wolf H., Alilers F.-J., Niemeyer J., Scherer H., Weimann Т., Zorin А. В., Krupenin V. A., Lotkhov S. V. and Presnov D. E. Investigation of the offset charge noise in single-electron tunneling devices.// IEEE Trans, on Instr.& Meas., 46, 303 (1997).

4. Presnov D. E., Krupenin V. A., Lotkhov S. V. Background charge influence on single-electron devices: single-electron transistor and trap.// Nanostructures: physics and technology. Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers., St. Petersburg, Russia, 183 (1996).

5. Krupenin V. A., Lotkhov S. V., Presnov D. E., Zoriti А. В., Ahlers F.-J., Nieineyer J., Scherer H., Weiinann Т., Wolf H. Charge state instabilities in the single-electron trap.// Czechosiovac Journal of Physics, 46-Suppl., 2283, (1996).

6. A. B. Zorin, Krupenin V. A., Lotkhov S. V., Nieineyer J., Presnov D. E., Scherer H., Woif H., Ahlers F.-J. and Weimann T. Detection of the single electron tunneling noise using Coulomb blockade electrometer.// Czechosiovac Journal of Physics, 46-Suppl., 2281, (1996).

7. Крупенин В. A., Лотхов С. В., Преснов Д. Е. Факторы нестабильности одноэлектронной памяти при низких температурах в структурах типа А1/АКУА1.// ЖЭТФ 111, 344 (1996).

8. Преснов Д. Е., Крупенин В. А., Лотхов С. В. Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов типа Al/AlOx/AJ: технология _ изготовления, экспериментальные результаты.// УФН 166(8), 906 (1996).

9. Крупенин В. А., Лотхов С. В., Пашкин Ю. А., Преснов Д. Е. Экспериментальное ' исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах.// УФН 167(5), 19 (1997).

10.Zorin А. В., Ahlers F.-J., Nieineyer J., Weimann Т., Wolf H., Krupenin V. A., Lotkhov S. V. Background charge noise in metallic single-electron tunneling devices.// Phys. Rev. В 53, 13682 (1996).

Цитируемая литература

1. "Single Charge Tunneling", edited by Grabert H. and Devoret M. H., Plenum Press,,New York, (1992).

2. Averin D. V. and Likharev К. K. Single-electronics. In Mesoscopic phenomena in Solids, edited by Altshuler B, L., Lee P. A., and Webb R. A.// Elsevier, Amsterdam, 173 (1991).

3. Averin D. V. and Odintsov A. A. Macroscopic quantum tunneling of the electric charge in small tunnel junctions.// Phys. Lett. A 140 251 (1989).

4. Dolan G. J. Offset masks for lift-off photoprocessing.// Appl. Piiys. Lett. 31, 337 (1977).

5. Bauernschmitt R., Nazarov Yu. V. Detailed balance in single-charge traps.// Phys. Rev. B. 47, 45 (1993).

6. Verbrugh S. M., Benhamadi M. L., Vissclier E. H,, and Mooij J. E. Optimization of island size in single-electron tunneling devices: Experiment and theory.// J. Appl. Phys. 7S, 2829 (1995).