Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Безызлучательные переходы и перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках

Теория процессов рекомбинации в полупроводниковых квантовых точках развита достаточно хорошо. Вопрос о механизмах безызлучательной оже-рекомбинацип в квантовых точках до сих пор остается открытым. Как правило, безызлучательная оже-рекомбинация является важным механизмом, определяющим пороговый ток в длинноволновых лазерах на гетеро-структурах…

Самосват, Дмитрий Михайлович 2015
Высокочастотный транспорт в квантово-размерных системах на основе германия и кремния. Бесконтактные методы исследования

В последнее время перспективными выглядят ннзкоразмерные полупроводниковые системы на основе 51 и Ос. Несмотря на значительную разницу в значениях параметров кристаллических решеток и Се, доходящей до 4% и приводящей к тому, что выращенные на подложке слои всегда будут напряженными, системы на основе данных материалов нашли ряд интересных…

Малыш, Виталий Александрович 2015
Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки

В последнее десятилетие выполненные в нашем институте исследования показали, что причиной многих «аномалий» ВАХ контактов с БШ (в том числе наиболее известной «низкотемпературной аномалии») является общее свойство всех контактов с БШ, которое практически не учитывалось раньше при анализе экспериментальных ВАХ - нелинейная зависимость…

Шмаргунов, Антон Владимирович 2015
Оптические и фотоэлектрические свойства композитных структур на основе пористой матрицы SnO2 и гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (НИЯУ МИФИ…

Дроздов, Константин Андреевич 2015
Особенности магнетосопротивления и терагерцовой фотопроводимости в графене

Исследования в монослойных образцах графена вблизи точки электронейтральности показали, что характер зависимости сопротивления от магнитного поля определяется типом рассевающего потенциала, в частности, в образцах графена с короткодействующим потенциалом, сопротивление растет как квадратный корень с увеличением магнитного поля…

Васильева, Галина Юрьевна 2015
Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе

Защита состоится «30» июня 2015 г. в 1200 часов на заседании дисертационно-го совета Д.212.053.02 при Дагестанском государственном университете по адресу: 367025, г. Махачкала, ул. Дзержинского, 12, конференц-зал…

Рамазанов, Шихгасян Муфтялиевич 2015
Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS

Несмотря на термодинамическое обоснование присутствия изоэлектронной примеси (ИЭП) кислорода в соединениях А2Вб и данные о влиянии его на оптику кристаллов, до настоящего времени проблема требует подтверждения основных закономерностей. Это связано и с недоступностью методик анализов на кислород, низким содержанием этой примеси на поверхности…

Канахин, Алексей Алексеевич 2015
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN

Создание и изучение полупроводниковых систем пониженной размерности представляет значительный интерес благодаря их уникальным физическим свойствам, позволяющим улучшать характеристики полупроводниковых приборов, а также создавать приборы нового поколения. Квантовая точка (КТ) - это полупроводниковая структура, ограничивающая движение носителей…

Александров, Иван Анатольевич 2015
Размерная модуляция электронной структуры и эффекты сильного электрического поля в ультракоротких углеродных нанотрубках

Перспективы применения одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) в наноэлектронике предполагают использование нанотрубок длиной от единиц до десятков нанометров - ультракороткие ОУНТ (ук-ОУНТ). В настоящее время достигнуты значительные успехи в области синтеза ук-ОУНТ с контролируемой хиральностью и длиной 1.3-80 нм [1, 2]. С точки зрения…

Тучин, Андрей Витальевич 2015
Структуры металлический кластер-квантовая точка, выращенные нанокапельной молекулярно-лучевой эпитаксией

В большинстве работ по твёрдотельным системам с КТ, полученным методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), для формирования металлических частиц используется метод электронной литографии [2]. При этом возникает проблема, связанная с взаимным расположением КТ и частиц металла, - несмотря на то, что положение литографических элементов можно…

Лямкина, Анна Алексеевна 2015
Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото - фторид кальция - кремний (III)

Структуры Металл (М) — туннельно-тонкий Диэлектрик (Д) — Полупроводник (П) в последние 15-20 лет стали предметом серьезного исследовательского интереса. Интерес этот во многом связан с проблемой миниатюризации полевых транзисторов, в которых сечение затвор-подложка представляет собой как раз такую МДП-систему. Упомянутые структуры могут, кроме…

Илларионов, Юрий Юрьевич 2015
Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния

Ионный синтез - это метод создания гетероструктур, при котором формирование новой фазы происходит в имплантированных ионами слоях. Формирование новой фазы при ионном синтезе может происходить либо как результат взаимодействия имплантированных атомов с атомами мишени, либо в результате их взаимодействия между собой. Использование ионно-лучевого…

Тысченко, Ида Евгеньевна 2015
Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа AIII2BVI3/AIIIBV с барьером Шоттки

Практическая значимость работы определяется тем, что формирование монокристаллических поверхностных фаз А2шВ3у позволяет снизить плотность ПЭС и открепить уровень Ферми в гетероструктурах Ме/Аш2ВУ13 - ОаАэ и Ме/Аш2ВУ13 - ваР с барьером Шоттки, что и определяет электрические и фотоэлектрические свойства таких гетероструктур. Результаты исследования…

Котов, Геннадий Иванович 2015
Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом

Полупроводниковые наноструктуры, квантовые ямы, нити и точки являются предметом исследований в области физики полупроводников. Для дальнейшей миниатюризации полупроводниковых приборов требуется глубокое понимание физических процессов, протекающих в наногетероструктурах…

Сергеев, Владимир Олегович 2015
Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP

Благодаря прогрессу технологии эпитаксиального роста стремительно появляются новые типы полупроводниковых гетероструктур и проводятся модификации существующих конструкций. Так, широко исследуется возможность увеличения транспортных свойств ДЭГ путем зонной инженерии электронных состояний в составных КЯ (СКЯ) с использованием тонких функциональных…

Клочков, Алексей Николаевич 2015
Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении

Ю исполнении на основе структур с блокированной прыжковой проводимостью (ВШ-тО структур) [5,6] с числом элементов, достигающим для 1024x1024 [7]; причем…

Рыльков, Владимир Васильевич 2015
Эффекты структурной неустойчивости узкощелевых полупроводников Pb1-xMexS и Pb1-xMexTe(Me - Mn, Gd) с неоднородным распределением марганца и гадолиния

В течение двух последних десятилетий путем легирования халькогенидов свинца различными примесями и синтеза различных смешанных составов достигнуто большое разнообразие по электротранспортным и магнитным характеристикам этих материалов, а их термоэлектрические характеристики были существенно улучшены. Наиболее часто в качестве магнитных примесей…

Зайнуллин, Радик Рустэмович 2015
Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии

Достаточно часто тонкие пленки новой химической фазы представляют собой совокупность отдельных кластеров, дендритов [8]. С точки зрения магнитных свойств форма возникающих кластеров может играть весьма важную роль. Имеется очень хорошо известный и эффективный подход, который позволяет исследовать пространственные, фрактальные и геометрические…

Балакирев, Никита Александрович 2014
Инфракрасная фурье-спектроскопия микро- и наноструктур на основе InAs и InSb

Наличие подробной информации об оптических свойствах узкозонных материалов и структур является необходимым условием проектирования приборов ИК оптоэлектроники. Знание показателей поглощения и преломления при различном легировании, учёт особенностей зонной структуры позволяют определять оптимальные параметры создаваемых микро- и наноструктур…

Фирсов, Дмитрий Дмитриевич 2014
Исследование особенностей тонкой структуры мелкого донорного центра лития в моноизотопном кремнии

Кремний, являясь основным материалом микро- и наноэлектроники, в последние годы привлекает внимание еще и как перспективный элемент для создания приборов на спиновых эффектах за счет слабого в сравнении с типичными прямозонными полупроводниками спин-орбитального взаимодействия, больших времен спиновой релаксации и длин спиновой диффузии электронов…

Попков, Сергей Алексеевич 2014