Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе …	Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич	2014
Получение и физические свойства полупроводниковых соединений системы Cu-Fe-S В этой связи особый интерес вызывает поиск новых полупроводниковых материалов. Одним из классов таких полупроводников являются соединения I-III-VI2 (где I-Cu, Ag; III-AI, Ga, In; VI-S, Se, Те), кристаллизующиеся в тетрагональной структуре халькопирита CuFeS2. К настоящему времени на основе гетероперехода n-CdS/p-Cu(In, Ga)Se2 (C1GS) в лабораторных…	Гавриленко, Андрей Николаевич	2014
Радиопоглощающие свойства ферритов и магнитодиэлектрических композитов на их основе …	Морченко, Александр Тимофеевич	2014
Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния Соединения оксида кремния используются в волоконно-оптических системах связи. При их использовании на значительные расстояния (100-1000 км) возникают потери связанные с возникновением нелинейно-оптического преобразования частоты, смешения частоты. Для снижения таких потерь в работе уделено внимание экспериментальным исследованиям процессов…	Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич	2014
Самодифракция и нелинейно-оптические свойства экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS Одним из определяющих свойств КТ является квантово-размерный эффект. Свойства полупроводниковых КТ определяются их физическими размерами. Как только стало возможным создавать КТ с заданными размером, дисперсией размеров и формой, стало возможным создание на их основе приборов и материалов с контролируемыми характеристиками. Тем не менее, для…	Смирнов, Александр Михайлович	2014
Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния …	Рожавская, Мария Михайловна	2014
Создание и исследование высокоэффективных быстродействующих фотодиодов для средней ИК-области спектра (2-5 МКМ) на основе узкозонных гетероструктур A3B5 Для создания быстродействующих приёмников излучения в средней ИК-области спектра наиболее перспективными материалами являются соединения А В и их твёрдые растворы: в диапазоне 1.0-2.5 мкм - многокомпонентные узкозонные твёрдые растворы системы GaSb-InAs [4, 5], в диапазоне 2.5-5.0 мкм - полупроводниковые соединения InAs, InSb и их твёрдые растворы…	Коновалов, Глеб Георгиевич	2014
Спиновые расщепления валентной зоны в полупроводниковых квантовых ямах и квантовых точках …	Дурнев, Михаил Васильевич	2014
Структура и термостабильность пленок металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов …	Пресняков, Михаил Юрьевич	2014
Термоэлектрические свойства нанокристаллических силицидов хрома и марганца …	Новиков, Сергей Валерьевич	2014
Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием Многочисленные исследования выше перечисленных свойств позволили создать научную основу для понимания, как химической природы многих центров, так и механизмов неравновесных процессов, протекающих в широкозонных полупроводниках под воздействием света различного спектрального состава, температуры и т.д. Благодаря этому были достигнуты важные успехи…	Али Рафик Мохамед Кассим	2014
Электронно-энергетическое строение наноразмерных структур на основе кремния и его соединений Исследования полупроводниковых систем на основе кремния и его соединений являются особенно перспективными по целому ряду причин. Во-первых, кремний - это основной материал микроэлектроники как в настоящее время, так и в обозримом будущем. Во-вторых, уменьшение размеров элементов полупроводниковых приборов является основной тенденцией в…	Турищев, Сергей Юрьевич	2014
Электронный транспорт и упругие свойства подвешенных полупроводниковых наноструктур …	Шевырин, Андрей Анатольевич	2014
Анализ газочувствительных наноструктур с варьируемым типом и концентрацией адсорбционных центров …	Налимова, Светлана Сергеевна	2013
Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам …	Ермаков, Михаил Сергеевич	2013
Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами …	Терещенко, Олег Евгеньевич	2013
Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода …	Гуляев, Дмитрий Владимирович	2013
Влияние адсорбции молекул на электрофизические и магнитные свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния …	Антропов, Илья Михайлович	2013
Влияние возбужденных и волноводных энергетических состояний на характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью …	Зубов, Федор Иванович	2013
Влияние примесей и молекулярного окружения на оптические свойства квантовых точек селенида кадмия …	Целиков, Глеб Игоревич	2013