Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе

Псевдобинарные твердые растворы ^¡С^.^АШ)* позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств открывают большие возможности при создании новых оптоэлектронных и высокотемпературных приборов. Твердые растворы (81С)).Х(А1М)Х наследуют уникальные механические, химические и тепловые свойства карбида кремния [1]. К тому же, в…

Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич 2014
Получение и физические свойства полупроводниковых соединений системы Cu-Fe-S

В этой связи особый интерес вызывает поиск новых полупроводниковых материалов. Одним из классов таких полупроводников являются соединения I-III-VI2 (где I-Cu, Ag; III-AI, Ga, In; VI-S, Se, Те), кристаллизующиеся в тетрагональной структуре халькопирита CuFeS2. К настоящему времени на основе гетероперехода n-CdS/p-Cu(In, Ga)Se2 (C1GS) в лабораторных…

Гавриленко, Андрей Николаевич 2014
Радиопоглощающие свойства ферритов и магнитодиэлектрических композитов на их основе

В зависимости от решаемых задач возможно использование либо покрытий, отражающих излучение от защищаемого объекта (электромагнитная экранировка), либо наоборот, материалов, поглощающих энергию ЭМИ, т.е. радиопоглощающих материалов и покрытий (РПМ и РПП). В частности, испытания на соответствие требованиям электромагнитной совместимости проводятся в…

Морченко, Александр Тимофеевич 2014
Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния

Соединения оксида кремния используются в волоконно-оптических системах связи. При их использовании на значительные расстояния (100-1000 км) возникают потери связанные с возникновением нелинейно-оптического преобразования частоты, смешения частоты. Для снижения таких потерь в работе уделено внимание экспериментальным исследованиям процессов…

Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич 2014
Самодифракция и нелинейно-оптические свойства экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS

Одним из определяющих свойств КТ является квантово-размерный эффект. Свойства полупроводниковых КТ определяются их физическими размерами. Как только стало возможным создавать КТ с заданными размером, дисперсией размеров и формой, стало возможным создание на их основе приборов и материалов с контролируемыми характеристиками. Тем не менее, для…

Смирнов, Александр Михайлович 2014
Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния

Благодаря уникальным физико-химическим свойствам, обеспечивающим широкий спектр приборных применений, нитриды III группы вызывают большой интерес исследователей. Решение таких серьезных технологических проблем, как синтез высококачественных GaN слоев на чужеродных, в первую очередь сапфировых, подложках [1], а также синтез слоев нитрида галлия с…

Рожавская, Мария Михайловна 2014
Создание и исследование высокоэффективных быстродействующих фотодиодов для средней ИК-области спектра (2-5 МКМ) на основе узкозонных гетероструктур A3B5

Для создания быстродействующих приёмников излучения в средней ИК-области спектра наиболее перспективными материалами являются соединения А В и их твёрдые растворы: в диапазоне 1.0-2.5 мкм - многокомпонентные узкозонные твёрдые растворы системы GaSb-InAs [4, 5], в диапазоне 2.5-5.0 мкм - полупроводниковые соединения InAs, InSb и их твёрдые растворы…

Коновалов, Глеб Георгиевич 2014
Спиновые расщепления валентной зоны в полупроводниковых квантовых ямах и квантовых точках

Спин-зависимые эффекты в полупроводниковых наноструктурах связаны с тонкой структурой электронного спектра - это, прежде всего, расщепление спиновых подуровней во внешнем магнитном поле (эффект Зеемана) и спип-орбиталыюе расщепление электронных подзон в нулевом магнитном поле. Спиновые расщепления детально исследованы для электронов зоны…

Дурнев, Михаил Васильевич 2014
Структура и термостабильность пленок металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов

Однако, наряду с уменьшением размеров традиционных полупроводниковых приборов за счет совершенствования технологических приемов, позволяющих добиваться сверхвысокого разрешения при обработке поверхности, существует и другой путь решения рассматриваемой проблемы. Он заключается в использование физических закономерностей роста наноструктур из…

Пресняков, Михаил Юрьевич 2014
Термоэлектрические свойства нанокристаллических силицидов хрома и марганца

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена», Санкт-Петербург…

Новиков, Сергей Валерьевич 2014
Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием

Многочисленные исследования выше перечисленных свойств позволили создать научную основу для понимания, как химической природы многих центров, так и механизмов неравновесных процессов, протекающих в широкозонных полупроводниках под воздействием света различного спектрального состава, температуры и т.д. Благодаря этому были достигнуты важные успехи…

Али Рафик Мохамед Кассим 2014
Электронно-энергетическое строение наноразмерных структур на основе кремния и его соединений

Исследования полупроводниковых систем на основе кремния и его соединений являются особенно перспективными по целому ряду причин. Во-первых, кремний - это основной материал микроэлектроники как в настоящее время, так и в обозримом будущем. Во-вторых, уменьшение размеров элементов полупроводниковых приборов является основной тенденцией в…

Турищев, Сергей Юрьевич 2014
Электронный транспорт и упругие свойства подвешенных полупроводниковых наноструктур

На момент написания настоящей работы создание и изучение наноэлектромеханических систем является новой областью научных исследований. Научная значимость работы определяется тем, что в ней детально и последовательно изучаются фундаментальные закономерности функционирования наноэлектромеханических систем, создаваемых на основе гетеро структур…

Шевырин, Андрей Анатольевич 2014
Анализ газочувствительных наноструктур с варьируемым типом и концентрацией адсорбционных центров

Внедрение результатов работы. Результаты работы внедрены в учебный процесс при чтении лекций «Материаловедение микро- и наносистем» (по магистерской программе «Нанотехнология и диагностика»), включены в цикл лабораторных работ по дисциплине «Наноматериалы». Опубликовано учебное пособие «Наноматериалы…

Налимова, Светлана Сергеевна 2013
Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам

Участки ВАХ, обусловленные рекомбинацией в области пространственного заряда (ОПЗ), несут полезную информацию о свойствах центров рекомбинации, которая, как правило, не используется. Это заставляет вернуться к рассмотрению теоретических выражений для этих характеристик и поиску простых, но эффективных методов определения энергий активации и…

Ермаков, Михаил Сергеевич 2013
Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами

Развитие методов управления составом и атомной структурой поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 с адсорбатами в условиях сверхвысокого вакуума представляет как научный, так и практический интерес. Научный интерес состоит в углублении понимания процессов формирования границ раздела на атомном уровне и изучении связи атомной структуры и…

Терещенко, Олег Евгеньевич 2013
Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода

Описание процессов взаимодействия экситонов с электрическим полем в полупроводниках осложняется тем, что зачастую реальная величина и распределение напряженности электрического поля в исследуемой структуре неизвестны, поскольку в окрестностях дефектов происходит повышение напряженности поля и, как следствие, возможен пробой образца. Одним из…

Гуляев, Дмитрий Владимирович 2013
Влияние адсорбции молекул на электрофизические и магнитные свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния

Бурное развитие микроэлектроники, начиная со второй половины XX века, повлекло за собой интенсивные исследования в области физики полупроводников и физики поверхности твёрдого тела. В настоящее время монокристаллический кремний (с-Б^ является основным материалом микроэлектронной технологии. На базе кремния выпускаются различные полупроводниковые…

Антропов, Илья Михайлович 2013
Влияние возбужденных и волноводных энергетических состояний на характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью

Полупроводниковые лазеры находят множество практических применений, среди которых наиболее важным является передача информации по оптическому волокну, обработка материалов сфокусированным лазерным лучом, накачка твердотельных лазеров и различные медицинские приложения, такие как оптическая когерентная томография и лазерная хирургия [1…

Зубов, Федор Иванович 2013
Влияние примесей и молекулярного окружения на оптические свойства квантовых точек селенида кадмия

Особый интерес представляет исследование КТ, иммобилизованных в пространственно упорядоченных структурах. Таким системам может быть найдено применение в оптоэлектронных устройствах, в частности, как активных сред для лазеров [1]. Перспективной матрицей для КТ является жидкокристаллическая (ЖК) полимерная матрица, обладающая пространственной…

Целиков, Глеб Игоревич 2013