Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума

Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ», г. Москва…

Ермачихин, Александр Валерьевич 2014
Исследование физических явлений в структурах для приборов вакуумной электроники на основе автоэмиссии и вторичной эмиссии электронов из алмазных пленок

Нитрид галлия и твердые растворы на его основе изобилуют структурными дефектами, технология их выращивания достаточно сложна, а подложечный материал является дорогостоящим…

Кулешов, Александр Евгеньевич 2014
Исследование формирования, структуры и свойств пленок полупроводниковых силицидов кальция на Si(111)

Обоснование выбора материалов. Выбор Са и Mg для исследования создания тонкопленочных полупроводниковых соединений с кремнием обоснован как фундаментальным интересом к этим материалам, так и возможными перспективами их использования в кремниевой электронике. Кроме того, Са и Mg являются доступными, недорогими и экологически чистыми материалами…

Безбабный, Дмитрий Александрович 2014
Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии

Квантово-размерные гетеронаноструктуры с квантовыми ямами (КЯ) и самоорганизованными квантовыми точками (КТ) 1п(Оа)Ая/СаА$ являются перспективными объектами исследований и разработок в современной физике полупроводников [1]. Их применение позволило значительно улучшить характеристики ряда приборов опто- и наноэлектроники и создать новые приборы…

Волкова, Наталья Сергеевна 2014
Исследования светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами, ориентированными в полярных и неполярных направлениях

Полупроводниковые структуры, в состав активной области которых входят квантово-размерные объекты: квантовые ямы (КЯ), проволоки и точки -составляют основу современной электроники, при этом их совершенствование продолжается. Наиболее масштабно применяются светоизлучающие кристаллы, формируя один из самых объемных и быстрорастущих мировых рынков…

Яковлев, Илья Николаевич 2014
Кр-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами

Ведущая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет…

Миронова, Мария Сергеевна 2014
Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS

Развитие цивилизации сопровождается постоянным увеличением энергопотребления. Вопросы, связанные с обеспечением электроэнергией отдаленных областей, весьма актуальны для Египта. Одним из решений является преобразование в электричество энергии солнечного излучения. Действительно, за один час на Землю падает примерно 4,3 х Ю20 Дж солнечной энергии…

Мохамед Хемдан Сайед Хамед 2014
Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием

Тенденция миниатюризации устройств микро- и наноэлектроники требует разработки ключевых модулей манометровых, а в перспективе и субнаномстровых размеров с заранее заданными электронными свойствами, где в роли активных элементов будут использованы атомные и молекулярные кластеры или связанные квантовые точки [1, 2]. Уменьшение размеров и понижение…

Манцевич, Владимир Николаевич 2014
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия

Вследствие в1.юокой стоимости и малого объема производства объемного GaN, большинство этих прибором выращиваются но энптаксиальиой технолог ии на подложках сапфира, кремния пли карбида кремния. Слои GaN, полученные па таких инородных подложках, имеют высокую плотность дислокаций, что ухудшает параметры получаемых приборных структур: уменьшается…

Вороненков, Владислав Валерьевич 2014
Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов

На данный момент к числу перспективных материалов, содержащих ne-Si, с точки зрения технических приложений можно отнести пленки nc-Si/a-Si:H; слои nc-Si/SiC>2 и ПК. Конечно, перечисленные структуры не исчерпывают всего многообразия систем, содержащих ne-Si, но, безусловно, являются достаточно «популярными» среди исследователей не только в связи с…

Форш, Павел Анатольевич 2014
Оптические и электрофизические свойства объемных гетеропереходов на основе фуллерена и органических либо неорганических доноров

Для реализации эффективных органических оптоэлектронных полупроводниковых устройств необходимо создание объемного гетероперехода, образуемого на гетерогранице донорного и акцепторного органических полупроводников различной размерности (молекулярные комплексы, молекулярные гетеропереходы, композитные наноразмерные структуры). В связи с сильными…

Зиминов, Виктор Михайлович 2014
Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей

Среди уникальных физико-химических свойств, которыми обладают халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), особое внимание исследователей в последнее время привлекают сверхбыстрые фазовые переходы в этих материалах, происходящие при воздействии низкоэнергетических воздействий: света или электрического импульса. Поскольку аморфная и…

Нгуен Хуи Фук 2014
Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур

Конец первого десятилетия 21-го века ознаменовался развитием в разных странах мира амбициозных программ по созданию твердотельного энергосберегающего освещения на основе мощных синих 1пСаЫ/СаМ светодиодов с люминофорным покрытием. В настоящее время серийные светодиоды имеют светоотдачу 160-200 лм/Вт, а рекордные лабораторные образцы достигли 303…

Черняков, Антон Евгеньевич 2014
Особенности трансформации наноалмазов при отжиге

Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский университет «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет…

Сиклицкая, Александра Вадимовна 2014
Особенности электронно-энергетического строения и свойств некоторых видов боросодержащих нанотрубок различной модификации

Научная новизна. В настоящей работе в рамках моделей молекулярного (МК) и ионно-встроенного ковалентно-циклического кластеров (ИВ-КЦК) [3] на основе расчетных методов М№Ю и БРТ [4] изучено электронно-энергетическое строение полупроводящих боросодержащих нанотрубок и некоторых композитов на их основе. Впервые получены следующие результаты…

Поликарпов, Дмитрий Игоревич 2014
Особенности электронных и кинетических свойств анизотропных и кластерных полупроводниковых структур

Особый интерес у исследователей вызывают псевдоморфные напряженные гете-роструктуры, в частности, кремний-германиевые структуры с совмещенной решеткой, что обусловлено возможностью управлять широким спектром физических свойств композиционных слоев структуры изменением величины деформации и соотношением толщин контактирующих полупроводников. Кроме…

Власов, Артур Николаевич 2014
Плазмонные эффекты в композитных металл-полупроводниковых структурах на основе соединений A2B6 и A3N

Первые экспериментальные результаты по модификации скорости спонтанного излучения ионов Еи3+ вблизи металлической поверхности Ag [4] датируются 1970-1974 годами. С тех пор были достигнуты определенные успехи в увеличении эффективности излучения металл-полупроводниковых систем на основе органических полупроводников [5], а также коллоидных квантовых…

Беляев, Кирилл Геннадьевич 2014
Полупроводниковые нанокомпозиты на основе кремния и силицидов

Создание эпитаксиальных пленочных гетероструктур связано, прежде всего, с особенностями формирования интерфейса кремний/силицид, бездефектное создание которого осложнено как несоответствием размеров кристаллических решеток подложки и пленки, так и различной их кристаллографической симметрией. Сопрягающие буферные слои в настоящее время успешно…

Горошко, Дмитрий Львович 2014
Получение и исследование наноструктурированных поликристаллических слоев и систем с квантовыми точками на основе халькогенидов свинца

Все эти технические параметры зависят от таких факторов, как размеры зерен, концентрация носителей заряда в них, форма зерен и геометрия контактов между ними, наличие гаи отсутствие смены типа проводимости внутри зерна и др. Несмотря на многочисленные работы, остаются недостаточно изученными закономерности процессов, протекающих на шггерфейсах…

Мараева, Евгения Владимировна 2014
Получение и исследование нерасходящихся (бесселевых) пучков от полупроводниковых лазеров и светодиодов

В силу фундаментального характера данной проблемы, ее решение традиционными методами не представляется возможным. Поэтому было предложено использовать для фокусировки излучения полупроводниковых лазеров нерас-ходящиеся (бесселевы) световые пучки. Несмотря на наличие значительного числа публикаций, посвященных генерции и изучению бесселевых пучков…

Лосев, Сергей Николаевич 2014