Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5

Результаты работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: IX международная научная конференция «Лазерная физика и оптические технологии» (30 мая - 2 июня 2012, г. Гродно, республика Беларусь); Четырнадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оптики- и наноэлектроники (26-30…

Петухов, Андрей Александрович 2013
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs

Полупроводниковые лазерные диоды (ЛД) традиционной полосковой конструкции в настоящее время активно и успешно используются для самого широкого спектра практических приложений: в лазерных принтерах, волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС), оптических системах записи и хранения информации, оптических датчиках и сенсорах, устройствах накачки…

Деребезов, Илья Александрович 2013
Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов

В настоящее время емкостные измерения контакта электролит-полупроводник активно используются для исследования электронных свойств широкого спектра полупроводниковых структур в рамках метода электрохимического вольт-емкостного профилирования (Electrochemical capacitance-voltage profiling, ECV profiling) [1]. В связи с тем, что контакт…

Рудинский, Михаил Эдуардович 2013
Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs

В большинстве практически важных случаев требуется излучение высокой мощности в широком спектральном диапазоне вблизи 1.3 мкм, что отвечает излучению на основном оптическом переходе КТ. В то же время, с увеличением тока накачки в спектрах лазерной генерации появляется новая, более коротковолновая линия излучения, связанная с возбуждённым…

Коренев, Владимир Владимирович 2013
Исследование особенностей проявления дисперсионных сил в наноразмерных слоистых структурах на основе кремния

Так как дисперсионные силы проявляются и становятся преобладающими на малых расстояниях между взаимодействующими объектами, эти силы долгое время изучались только теоретически вследствие несовершенства измерительной техники. В настоящее время прогресс в технике позволяет в отдельных случаях проводить прямые измерения величины дисперсионного…

Юрова, Валентина Александровна 2013
Исследование распределения зарядов и электрических полей в приборных наноструктурах методами сканирующей зондовой микроскопии

В связи с быстрым уменьшением размеров приборов и устройств электроники в диапазон субмикронных и уже нано размеров существует нарастающая необходимость в изучении свойств современных материалов и приборных структур со столь же высоким латеральным разрешением. Этим требованиям хорошо отвечает применение высокочувствительных методов сканирующей…

Алексеев, Прохор Анатольевич 2013
Исследование самоорганизации в структуре поверхности аморфного гидрогенизированного кремния модифицированным методом флуктуационного анализа

Поэтому широкое применение в электронике получил аморфный гидрогенизированный кремний (а-Б^Н), лишенный указанных недостатков. Перспективы использования неупорядоченных полупроводниках в целом и а-8Ш в частности при производстве электронных и фотоэлектрических устройств обусловливается наличием у них ряда уникальных свойств, возможностью…

Рыбина, Наталья Владимировна 2013
Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe

В современной оптоэлектронике одним из приоритетных является направление, связанное с разработкой и созданием полупроводниковых источников инфракрасного (ИК) излучения для спектрально-аналитической аппаратуры различного назначения. Такие источники должны обладать высоким быстродействием, малым энергопотреблением, небольшими габаритно-весовыми…

Тропина, Наталья Эдуардовна 2013
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества

Гетероструктуры ¡пОаМЛЗаЫ с множественными квантовыми ямами (МКЯ) в настоящее время широко используются в качестве активной области светодио-дов, а также полупроводниковых лазеров, излучающих в сине-зеленой области спектра. Свойства этих гетероструктур во многом определяют параметры производимых приборов. К ним относятся спектр излучения, мощность…

Барановский, Максим Владимирович 2013
Квантовые кинетические уравнения динамики взаимодействующей экситон-поляритонной системы в полупроводниковом микрорезонаторе

Во-первых, существующие на данный момент теоретические подходы, используемые для описания динамики системы экситон-поляритонов, содержат фундаментальные недостатки. Так, формализм полуклассических уравнений Больцмана (УБ) хорошо описывает систему до порога конденсации [1,2]. Но сам конденсат описать с его помощью нельзя, поскольку УБ не учитывают…

Савенко, Иван Григорьевич 2013
Квантовые кинетические явления в дырочном газе размерно-квантованной валентной зоны германия

Устойчивый и все возрастающий интерес к двумерным электронным системам наряду с потребностями электронной техники связан с поиском фундаментальных закономерностей, существенных для физики конденсированного состояния. Примером такого рода закономерностей является квантование холловской проводимости в сильном магнитном поле (квантовый эффект Холла…

Неверов, Владимир Николаевич 2013
Краевые возбуждения в 2D электронных системах с дираковскими фермионами

В последние годы активно развиваются исследования 2Б систем, в которых электроны описываются уравнением Дирака или его модификацией. Так, с 2004 г. графен привлекает к себе внимание своим уникальным «ультрарелятивистским» спектром, за который электроны в графене стали называть безмассовыми дираковскими фермионами [1]. В 2010 г. важность…

Загороднев, Игорь Витальевич 2013
Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов

Прогресс в современной электронике тесно связан с созданием полупроводниковых гетероструктур, среди которых одно из важнейших мест занимают структуры на основе полупроводников АШВУ и их твердых растворов [1, 2]. Объединение в одном монокристалле различных по химическому составу полупроводниковых материалов кардинально изменяет его свойства…

Яременко, Наталья Георгиевна 2013
Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов

В ходе выполнения работы применялся комплекс современных экспериментальных методов: высокочастотное (ВЧ) магнетронное распыление, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), фотолюминесцентная спектроскопия, поперечный транспорт тока, эллипсометрия, высокоразрешающая электронная микроскопия и элементный анализ, рентгеновская дифракция…

Карзанова, Мария Вадимовна 2013
Матричный метод расчета магнитных характеристик иона кобальта

Исследование магнитных свойств соединений позволяет изучать тонкие особенности их строения и анализировать возможное влияние магнитных полей на протекание химических реакций. По величине эффективного магнитного момента, магнитной восприимчивости и их температурной зависимости можно судить о степени окисления металла, спиновом состоянии, природе…

Гончаров, Евгений Олегович 2013
Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов

Препятствием для широкого применения полупроводниковых газовых сенсоров для задач мониторинга атмосферы является сравнительно невысокая селективность. Газочувствительными характеристиками сенсоров на основе нанокристаллических металлооксидных полупроводников можно управлять путем введения в объем и нанесения на поверхность каталитических добавок…

Сергейченко, Надежда Владимировна 2013
Нестехиометрия и дефекты структуры в монокристаллах и пленках ферритов-гранатов, легированных ионами Ca2+

Для управления свойствами монокристаллов и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-граиатов (ЭМПФГ) (в частности, для осуществления зарядовой компенсации ионов Ме4+) широко используется легирование нонами Са2+. При использовании легирования Са2+ - Ме4+ в кристаллической решетке пленки сложно достичь полного равенства концентрации ионов…

Читанов, Денис Николаевич 2013
Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла

Исследование краевых состояний в режиме квантового эффекта Холла вызывает устойчивый интерес как с теоретической, так и с экспериментальной точек зрения с 80-х годов XX века. Этот интерес, исходно обусловленный исследованиями фундаментальных свойств двумерных систем в квантующих магнитных полях, даже возрос в настоящее время в связи с…

Девятов, Эдуард Валентинович 2013
Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs

В последние годы, с использованием методики спектроскопии АО было выполнено большое количество исследований атомарно-чистых реконструированных поверхностей (001) полупроводниковых кристаллов А°В5. При этом, в частности, были установлены спектры АО, соответствующие основным типам реконструкций чистых поверхностей (001) ОаАв и 1пАя. В данной работе…

Гордеева, Анастасия Борисовна 2013
Оптические и фотогальванические эффекты в объемных полупроводниках и двумерных структурах

Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина…

Шалыгин, Вадим Александрович 2013