Динамическое моделирование баллистических процессовв многокомпонентных и многослойных структурах привысокодозном ионном облучении тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

#

/

На правах рукописи

Харламов Владимир Сергеевич

Динамическое моделирование баллистических процессов в многокомпонентных и многослойных структурах при высокодозном ионном облучении

Специальность: 01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1998

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном техническом университете.

Научный руководитель - доктор физико-математических наук,

чл.-корр. РАЕН, профессор Ю.В.Трушин

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук,

Ведущая организация - Московский институт электронной

техники

диссертационного совета К063.38.13 при Санкт-Петербургском Государственном техническом университете по адресу: 195251, Санкт-Петербург, Политехническая ул. 29. С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке СПбГТУ.

профессор А.И.Мелькер

доктор физико-математических наук,

профессор

А.Л.Суворов

"7 ■■>

Защита состоится "_£_!_".

' г

.1998 г. в 1 ^ часов на заседании

Автореферат разослан

££11998 г.

Ученый секретарь диссертационного совета К063.38.13

Титовец Ю.Ф.

Диссертационная работа посвящена проблемам компьютерного моделирования процессов высокодозного ионного облучения многокомпонентных материалов и гетероструктур.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

I. Актуальность.

В настоящее время процессы связанные с ионным облучением материалов часто встречаются и широко применяются в таких областях науки, как физика плазмы, экспериментальная физика твердого тела и микроэлектроника. В качестве одного из наиболее распространенных примеров следует назвать ионные потоки в плазме, которые могут бомбардировать окружающие плазму материалы. Это происходит, например, в термоядерном реакторе при взаимодействии реакторной плазмы с первой стенкой. Также среди сфер применения ионного облучения можно назвать: выращивание материалов и гетероструктур при помощи технологий, основанных на ионном облучении (например, молекулярно-пучковая эпитаксия, различные методы осаждения), создание и модификация свойств полупроводниковых гетероструктур посредством ионной имплантации, исследование и диагностика материалов и гетероструктур (например, ионное профилирование, резерфордовское рассеяние). Естественно, что при столь обширном практическом применении ионного облучения возникает необходимость в надежной теоретической базе, позволяющей описывать происходящие при облучении процессы и рассчитывать их результаты. Такая теоретическая база должна включать в себя как метод описания ионного облучения, так и значения ряда фундаментальных параметров материалов, без знания которых невозможен достаточно точный количественный расчет результатов взаимодействия данного типа ионов с конкретным материалом. Существующие в настоящее время аналитические методы к сожалению не могут быть применены к описанию процессов высокодозного облучения, тогда как большинство из перечисленных областей практического применения

имеет дело с высокими дозами ионов. Поэтому, актуальными при описании ионного облучения материалов, и совершенно незаменимыми на сегодняшний день в случае высоких доз, являются методы компьютерного моделирования. Кроме того, бурное развитие компьютерной техники в последние годы привело к тому, что теперь эти методы являются достаточно эффективными с точки зрения затрат машинного времени для получения результата. Однако, при всей перспективности, область компьютерного моделирования процессов высокодозного облучения освоена еще недостаточно хорошо, и здесь имеется ряд пробелов.

Следует отметить также, что вследствие интенсивного развития полупроводниковых технологий, исследователи зачастую имеют дело не с простыми однородными материалами, а со сложными многокомпонентными и многослойными структурами. Это дополнительно усложняет задачу теоретического описания и моделирования процесса ионного облучения материала, однако, корректный учет многокомпонентности и многослойности является необходимым.

Из всего вышесказанного следует, что данная работа, направленная ■ на разработку физической модели и методики компьютерного моделирования, а также на разработку методики определения значений таких физических характеристик как пороговые энергии смещения примесных атомов, является актуальной.

II. Цели работы:

1. Разработка физической модели и методики моделирования динамического изменения состава многокомпонентной многослойной мишени при высокодозном ионном облучении;

2. Создание основ комплексной расчетно-экспериментальной методики анализа профилей состава многокомпонентных гетероструктур;

3. Разработка комплексной расчетно-экспериментальной методики определения значений пороговых энергий смещения примесных

н

атомных компонент в многокомпонентных материалах;

4. Определение пороговых энергий смещения некоторых примесных атомных компонент в арсениде галлия.

III. Научная новизна работы:

1. Впервые разработана модель высожодозного ионного облучения многокомпонентных многослойных материалов с учетом процессов накопления и рекомбинации точечных радиационных дефектов (вакансий и межузельных атомов);

2. Впервые в разработанной модели рассмотрен полный набор характерных энергетических параметров материала (энергий связи, пороговых энергий смещения, поверхностных энергетических барьеров), которые могут быть заданы индивидуально для каждой атомной компоненты и в каждом слое облучаемой мишени, что позволяет корректно производить одновременное описание процессов дефектообразования и распыления;

3. Впервые разработаны основы комплексной расчетно-экспериментальной методика анализа профилей состава многокомпонентных гетер о структур;

4. Впервые разработана комплексная расчетно-экспериментальной методика определения пороговых энергий смещения примесных атомных компонент в многокомпонентных материалах;

5. Определены неизвестные ранее значения пороговых энергий смещения примесных атомов AI и In в матрице GaAs.

IV. Практическая ценность.

Разработанная методика компьютерного моделирования и созданная на ее основе динамическая программа ОУТЛЖЗ могут быть

использованы для решения широкого круга задач, связанных с модификацией состава слоистых материалов при высокодозном ионном облучении, например, таких как высокодозная имплантация, ионное травление, высокодозное распыление материалов. Применение программы DYTRIRS дает возможность прогнозировать результаты воздействия ионного пучка на материал, а также помогает в объяснении и трактовке уже имеющихся экспериментальных результатов. При решении задач связанных с высокодозным облучением особенно эффективным является объединение компьютерного моделирования и экспериментальных возможностей. В частности, разработанная и оттестированная программа DYTRIRS совместно с экспериментальным методом ВИМС-профилирования многокомпонентной слоистой мишени позволяют определять баллистический вклад в экспериментально измеряемый профиль состава.

Разработанная расчетно-экспериментальная методика определения таких важных характеристик дефектообразования, как пороговые энергии смещения для примесных атомов в многокомпонентных материалах, позволяет определять их значения в конкретных материалах. Найденные значения могут использоваться как для проведения компьютерных расчетов, так и в аналитических исследованиях процессов дефектообразования.

V. Апробация работы.

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на семинарах в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Исследовательском Центре Россендорф (Германия), Техническом Университете Дрездена (Германия), Техническом Университете Ильменау (Германия), а также на следующих конференциях и совещаниях:

XXIV Межнациональное Совещание по Физике Взаимодействия Заряженных Частице Кристаллами, 1994 (30.05-01.06), Москва, Россия; Ninth International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies (VEIT'95), 1995 (14-18.09), Sozopol, Bulgaria; Seventh International Conference on Fusion Reactor Materials (ICFRM-7), 1995 (25-29.09),

6

Обнинск, Россия; Tenth International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-96), 1996 (01-06.09), Albuquerque, New Mexico, USA; III Всероссийский Семинар "Физические и Физико-Химические Основы Ионной Имплантации", 1996 (24-26.09), Нижний Новгород, Россия; Петербургские Чтения по Проблемам Прочности, 1997 (11-13.03), С.-Петербург, Россия; Второй Международный Уральский Семинар "Радиационная Физика Металлов и Сплавов", 1997 (23.02-01.03), Снежинск, Россия; International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97; Nondestructive Testing and Computer Simulations in Material Science and Engineering (NDTCS-97), 1997 (0913.06), Санкт-Петербург, Россия; International Conference on Silicon Carbide, IH-nitrides and Related Materials - 1997 (ICSCIII-N'97), 1997 (31.08-05.09), Stockholm, Sweden; 13th International Conference on Ion-Surface Interactions (ISI-97), 1997 (01-05.09), Звенигород, Россия.

По материалам диссертационной работы опубликовано и принято в печать 9 статей в российских и зарубежных периодических изданиях. Также материалы представлены в виде тезисов докладов на всероссийских и международных конференциях и совещаниях. Список основных публикаций приведен в конце автореферата.

VI. Основные положения, выносимые на защиту:

1. Модельное описание и методика компьютерного моделирования динамического изменения состава многокомпонентного слоистого материала при высокодозном ионном облучении;

2. Основы расчетно-экспериментальной методики определения профилей состава гетер о структур методом ионного профилирования;

3. Расчетно-экспериментальная методика определения пороговых энергий смещения примесных атомных компонент в многокомпонентных материалах;

4. Количественные значения пороговых энергий смещения примесных

7

атомов Al и In в матрице GaAs.

VII. Структура и объем диссертации:

Диссертационная работа состоит из оглавления, введения, трех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 114 ссылок. Объем диссертации составляет 129 страниц, включая 1 таблицу и 36 рисунков.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении кратко обоснована актуальность темы исследования, сформулирована цель работы, указаны ее научная новизна и практическая ценность, изложены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена обзору литературы. В первом параграфе представлена общая информация о физических процессах, происходящих при взаимодействии тяжелых ускоренных частиц (ионов и атомов) с твердым телом. Кратко описаны процессы электронного и ядерного торможения, лежащие в основе такого взаимодействия. Дано описание каскада атомных соударений. Охарактеризованы основные составляющие и результаты прохождения каскада соударений, в частности процессы образования радиационных точечных дефектов, баллистического перемешивания и распыления облучаемого материала. Перечислены методы описания (моделирования) каскадов соударений в материале.

Второй параграф посвящен моделированию одиночного каскадного процесса методом Монте-Карло в приближении парных соударений. Описаны физические основы метода и алгоритм моделирования. Кратко описаны наиболее известная монте-карловская компьютерная программа TRIM [1,2], а также используемая в данной работе программа TRIRS [3]. Даны их сравнительные характеристики.

В третьем параграфе рассмотрено компьютерное моделированием высокодозного облучения методом Монте-Карло. Как известно,

5

высокодозное облучение связано с многократным пространственным наложением каскадов атомных соударений, вызванных отдельными бомбардирующими ионами. Каждый каскад вызывает изменения состава и других параметров облучаемого материала. Поэтому, каждый из последующих каскадов, оказавшийся в данной области материала, развивается в иных условиях, чем предыдущие. При этом, поскольку полная доза облучения накапливается в течение определенного времени, то говорят о динамике изменения облучаемого материала и о динамическом моделировании. Таким образом, основная проблема динамического моделирования состоит в методике учета влияния пространственного наложения каскадов на изменение параметров (состав, плотность, геометрические характеристики, степень аморфизации) облучаемого материала.

Общая схема динамического моделирования представлена на рис.1. В основе моделирования лежит итерационная процедура.

Рис.!. Общая схема моделирования высокодозното облучения методом Монте-Карло в приближении парных соударений Каждая итерация представляет собой моделирование облучения материала небольшой частью от полной дозы ионов. Наиболее известной динамической монте-карловской программой является

9

ТКШУН [4,5]. Приведено описание этой программы. Алгоритм учета изменений состава, реализованный в TRIDYN использовался другими авторами как таковой, либо с небольшими изменениями. Дано краткое описание особенностей этих программ.

Вторая глава посвящена динамическому компьютерному моделированию высокодозного ионного облучения многослойной и многокомпонентной мишени методом Монте-Карло. В первом параграфе рассматриваются особенности физических процессов, происходящих в материале при ионном облучении, и выявляются недостатки в учете этих особенностей в существующих динамических программах. Можно выделить следующие основные процессы, ведущие к изменению состава и других параметров материала при облучении:

1) имплантация ионов;

2) образование, рекомбинация и накопление радиационных дефектов;

3) баллистическое (каскадное) перемешивание атомов;

4) распыление.

Вместе с тем, все эти процессы связаны друг с другом и составляют единый физический комплекс. Показано, что модель, используемая в TR.ro УМ слишком упрощенно описывает этот комплекс. В частности:

- не учитываются процессы накопления и рекомбинации точечных радиационных дефектов (вакансий и межузельных атомов);

- невозможно одновременное корректное описание процессов баллистического перемешивания и распыления.

Базируясь на сложной физической картине баллистических процессов и учитывая недостатки моделей, положенных в основу существующих динамических программ, была поставлена задача разработать методику моделирования динамического изменения состава материала при высокодозном ионном облучении на баллистической стадии. Физическая модель, положенная в основу моделирования, базируется на следующих положениях:

1) материал - неупорядоченный;

2) поток облучающих ионов - равномерный;

3) пространственное наложение каскадов;

10

4) накопление и рекомбинация точечных дефектов с учетом их объемов;

5) рассмотрение полного . набора энергетических атомных характеристик с учетом различий в поверхностных и объемных слоях мишени;

6) диффузионная стадия не рассматривается.

Во втором параграфе описывается разработанная методика компьютерного моделирования. Методика основана на общей схеме (рис.1). Итерационный процесс состоит из п шагов, каждый из которых соответствует облучению материала ионами с малой дозой ЛФ=Ф/п, где Ф - полная доза облучения. Под малой дозой понимается такая доза, в пределах которой изменения состава и плотности материала настолько малы, что не оказывают заметного влияния на параметры каскадного процесса. Это позволяет считать все каскады в пределах ЛФ идентичными. На каждом шаге с помощью программы ТШКЗ рассчитываются параметры такого каскада, а именно: профили по глубине имплантированных ионов, вакансий и межузельных атомов, а также коэффициенты распыления всех компонент. При этом величина пороговой энергии смещения Ел в приповерхностных слоях задается равной поверхностному барьеру, что позволяет корректно рассчитать коэффициенты распыления. В то же время профили дефектов в этих слоях ренормализуются с учетом стандартного (объемного) значения энергии смещения, что позволяет, в отличие от существующих динамических алгоритмов, одновременно с распылением корректно описывать процесс дефектообразования и баллистического перемешивания. Основываясь на параметрах мишени до облучения дозой ЛФ и рассчитанных характеристиках каскада, вычисляютсяются новые параметры мишени. При этом учитывается рекомбинация вакансий и межузельных атомов в каждом слое мишени, -а также накопление остатка дефектов, которое может происходить до критического количества, соответствующего полной аморфизации материала.

Методика позволяет определять на каждом шаге профиль состава облучаемой мишени и коэффициенты распыления компонент. Таким образом, полный расчет дает возможность отслеживать динамику модификации мишени под облучением.

И

В третьем параграфе описывается компьютерная программа ОУТНЛИЗ, созданная на базе разработанной методики. Программа предназначена для персональных 1ВМ-совместимых компьютеров. Она позволяет моделировать облучение мишени содержащей до 10 различных компонент и до 18 слоев различного состава.

Третья глава посвящена применению разработанной методики к моделированию процессов высокодозного облучения ряда перспективных материалов. В первом параграфе главы на примере структур на основе арсенида галлия рассматривается моделирование процесса ионного травления многокомпонентных гетероструктур. Компьютерное моделирование проводилось совместно с экспериментальными исследованиями профилей состава аналогичных гетероструктур методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС). Было получено хорошее согласие расчетных зависимостей коэффициентов распыления легирующих примесей (81 или А1) от толщины распыленного слоя и экспериментальных ВИМС-профилей для исследуемых структур СаАэ с тонкими (в том числе 2-) легированными слоями. На рис.2 представлены экспериментальные и расчетные профили травления для структур йаАз с маркерным слоем А1АЭ толщиной 1 монослой и Alo.53Gao.67As толщиной в 10 монослоев.

Объединение экспериментальных возможностей метода ВИМС и компьютерного моделирования процесса ионного травления позволяет заложить основы комплексного расчетно-экспериментального метода анализа профилей состава гетероструктур. Такой метод позволяет исследовать баллистический вклад в экспериментальные профили травления, и таким образом более корректно определять профиль состава исследуемой структуры.

Во второй части параграфа представлена расчетно-экспериментальная методика определения пороговых энергий смещения примесных атомов в многокомпонентном материале.

Методика базируется на сравнении расчетных параметров размытия тонких примесных сдоев, полученных при варьировании

1СГ

10"'

Я 10°

Ь 1 1 1 1 а) I | 1 1 ■ 1 ' I -моделирование

:

Ер=1.25 ИвУ. - маркер -елой /1 мг А1А5

V

I 1 1 150 200 250 1 '1 1 1 300 350 400

6)

п-2-

1 '1 1 г

Е=1 .25квУ, 0.=51°

1 1 Г

моделирование; эксперимент — кокволюция маркер -елан 10 М1А153,Саое7А5-

-]-1-1-1 "П->-Г-1-Г ^-1—

150 200 250 300 350 400

Глубина травления, А

Рис.2. Профиль травления структур ОаАБ с маркерным слоем А1Аз толщиной в 1 монослой или А1о.ззОаоб7Аз толщиной в 10 монослоев

значения пороговой энергии смещения примеси, с экспериментальными значениями. Методика была применена для определения пороговых энергий смещения атомов А1 и In в матрице GaAs. В результате были найдены значения: Еа(А1)=9.0 эВ, Ed(In)=2.8 эВ.

Во втором параграфе рассматривается высокодозная ионная имплантация ионов А1~ и N+ в SiC. Проведенные баллистические расчеты являются частью комплексного расчетно-экспериментального исследования. Было смоделировано изменение профилей состава карбида кремния при параметрах облучения соответствующих экспериментальным: 4 последовательных облучения SiC в следующем порядке:

1) №\ 65 кэВ, 5*1016 см-2; 2) N+, 120 кэВ, 1.3*10'« см'2; 3) АР, 100 кэВ, 5*1016 см-2;4)А1% 160 кэВ, 1.3*10'6 см*2.

Расчетные профили состава находятся в хорошем согласии с экспериментальными профилями, полученными методом ERD (elastic recoils detection). На рис.3 представлен суммарный профиль залегания имплантированных ионов азота.

Рис.3. Профиль залегания имплантированных ионов азота после четырех этапов облучения.

н

Третий параграф посвящен моделированию выращивания наноструктур со слоями C-Ni и C-W методом лазерного осаждения. Рассчитана динамика изменения профилей состава в процессе осаждения. Показано, что формируемые при осаждении интерфейсы не являются идеально резкими, и переходный слой может достигать толщины в несколько нанометров. Произведено сравнение с экспериментальными данными полученными методами электронной микроскопии высокого разрешения и рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии.

В четвертом параграфе представлено моделирование лазерного осаждения и высокоэнергитического перемешивания наноструктур с тонкими слоями Fe-Al.

В пятом параграфе представлено моделирование облучения ионами Н+ и Не+ металлических мишеней с углеродным покрытием, являющиеся кандидатными материалами для деталей термоядерных реакторов.

В заключении диссертации сформулированы основные результаты работы:

1. Разработаны физическая модель и методика компьютерного моделирования высокодозного ионного облучения многокомпонентных многослойных материалов с учетом процессов накопления и рекомбинации точечных радиационных дефектов (вакансий и межузельных атомов);

2. На основе разработанной методики создана динамическая компьютерная программа DYTRIRS для IBM-совместимых персональных компьютеров, позволяющая моделировать динамическое изменение состава многокомпонентной (до 10 сортов атомов) многослойной (до 18 слоев различного состава) мишени при высокодозном ионном облучении;

3. Разработана и оттестирована комплексная расчетно-экспериментальная методика анализа профилей состава многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур методом ионного профилирования;

4. Разработана комплексная расчетно-экспериментальной методика определения пороговых энергий смещения примесных атомов в многокомпонентных материалах;

5. Определены количественные значения пороговых энергий смещения примесных атомов AI и In в матрице GaAs;

6. С помощью разработанной компьютерной программы DYTRIRS, а также программы TRIDYN смоделированы профили залегания и/или распыления компонент облучаемых мишеней в конкретных задачах, связанных с высокодозным облучением многокомпонентных материалов и гетер о структур.

Выводы

В результате проведенной работы в рамках методов компьютерного моделирования удалось описать комплекс баллистических процессов, происходящих в многокомпонентном и многослойном материале при высокодозном облучении.

В результате объединения методов компьютерного моделирования с экспериментальными возможностями не только была разработана методика определения фундаментальных характеристик (пороговых энергий смещения) примесных атомов в многокомпонентном материале, но и определены некоторые количественные значения.

Список публикаций: Статьи:

1. Бер Б.Я., Журкин Е.Е., Иванов Д.П., Меркулов A.B., Смирнов А.Б., Трушин Ю.В., Харламов B.C. Компьютерное моделирование динамического изменения приповерхностного состава

/6

многокомпонентной мишени в процессе ионного травления. // Поверхность, 1995, т.5, с.74-75.

2. Бер Б.Я., Журкин Е.Е., Меркулов А.В., Трушин Ю.В., Харламов B.C. Компьютерное моделирование изменения состава сложных и многослойных структур в процессе ионного распыления. // ЖТФ 1996, т.66, вып.З, с.54-66.

3. Trushin Yu.V., Ber B.J., Kharlamov V.S., Zhurkin E.E. Computer simulation of the sputtering of polyatomic multilayered materials with consideration of the spatial overlapping of the collision cascades. // Journal of Nuclear Materials, 1996, vol.233-237, pp.991-995.

4. Ber B.J., Kharlamov V.S., Kudqavtsev Yu.A., Merkulov A.V., Trushin

Yu.V., Zhurkin E.E. Computer simulation of ion sputtering of polyatomic multilayered targets. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 1997, vol. 127/128, pp.286-290.

5. Янков P.A., Фельсков M., Крайссиг У., Куликов Д.В., Пецольдт И.,

Скорупа В., Трушин Ю.В., Харламов B.C., Циганков Д.Н. Высокотемпературная имплантация ионов № и А!* в 6H-SiC при высоких дозах//Письма в ЖТФ, 1997, т,23, вып.16, с.6-14.

6. Kharlamov V.S., Kulikov. D.Y., Trushin Yu.V., Tsigankov D.N.,

Yankov R.A., Voelskow M., Skorupa W., Petzoidt J. Computersimulation and RBS/C studies of high-dose N+ and Al+ co-implantation in 6H-SiC. // SPIE - The International Society for Optical Engeneering, Jan. 1998, vol.3345, pp.257-261.

Материалы конференций:

7. Бер Б.Я., Журкин Е.Е., Иванов Д.П., Меркулов А.В., Смирнов А.Б., Трушин Ю.В., Харламов B.C. // Компьютерное моделирование динамического изменения приповерхностного состава многокомпонентной мишени в процессе ионного травления. XXIV Межнациональное Совещание по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами, Москва, 30 Мая - 1 Июня 1994, Тезисы докладов, Изд.-во Московского Университета, с.72.

8. Ber B.J., Kharlamov V.S., Merkulov A.V., Trushin Yu.V., Zhurkin E.E. Computer simulation of the evolution of the compound targets

and muitilayered structures in the course of ion sputtering. Ninth International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-95), Canberra, Australia, February 5-10, 1995, Book of Abstracts, N 04.096.

9. Ber B.J., Kharlamov V.S., Merkulov A.V., Trushin Yu.V., Zhurkin E.E. Computer simulation of the evolution of the polyatomic muitilayered structures in the course of ion sputtering. Ninth International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies (VEIT'95), Sozopol, Bulgaria, September 14-18, 1995, Abstracts, p.24.

10. Trushin Yu.V., Ber B.J., Kharlamov V.S., Zhurkin E.E. Computer simulation of the sputtering of polyatomic muitilayered materials with considering of the spatial overlapping of the collision cascades. Seventh International Conference on Fusion Reactor Materials (ICFRM-7), Obninsk, Russia, September 25-29, 1995, Abstracts, p.230.

11. Zhurkin E.E., Ber B.J., Kharlamov V.S., Merkulov A.V., Trushin Yu.V. Computer simulation of ion sputtering of polyatomic muitilayered targets. Tenth International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-96), Albuquerque, New Mexico, USA, September 1-6, 1996,Final Program and Abstracts, N 2.

12. Журкин E.E., Трушин Ю.В., Харламов B.C. Распыление и имплантация структур углерод/металл при облучении ионами Н+ и Не+. Второй Международный Уральский Семинар "Радиационная Физика Металлов и Сплавов", Снежинск, 23 февраля - 1 марта 1997, Тезисы докладов, с.32-33.

13. Трушин Ю.В., Куликов Д.В., Харламов B.C. Теория и компьютерное моделирование радиационных процессов в многокомпонентных и многослойных материалах. Второй Международный Уральский Семинар "Радиационная Физика Металлов и Сплавов", Снежинск, 23 февраля - 1 марта 1997, Тезисы докладов, с.50-51.

14. Ber B.J., Kharlamov V.S., Kudrjavtsev Yu.A., Kulikov D.V., Trushin Yu.V., Zhurkin E.E. Modeling of the ion etching of heterostructures with thin marker layers. International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97; Nondestructive Testing and Computer Simulations in Material Science and Engineering (NDTCS-97), St.Petersburg, Russia, June 9-13, 1997, Program, Abstracts, N C2-4.

15. Kharlamov V.S., KLulikov- D.V., Trushin Yu.V., Tsigankov D.N., Yankov R.A., Voelskow M., Skorupa W., Petzoldt J. Computersimulation and RBS/C studies of high-dose N+ and AP co-implantation in 6H-SiC. International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97; Nondestructive Testing and Computer Simulations in Material Science and Engineering (NDTCS-97), St.Petersburg, Russia, June 9-13, 1997, Program, Abstracts, N C2-13.

16. Trushin Yu.V., Kulikov D.V., Kharlamov V.S. High-dose radiation processes in polyatomic and multilayered materials: theory and computer simulation. Тринадцатая Международная Конференция "Взаимодействие Ионов с Поверхностью", Звенигород, 1 - 5 сентября 1997, Материалы конференции, т.2, с.228-233.

17. Ber B.J., Kharlamov V.S., Kudqavtsev Yu.A., Kulikov D.V., Trushin Yu.V., Zhurkin E.E. Sputtering profiling of GaAs heterostructures: experiment and computer simulation. Тринадцатая Международная Конференция "Взаимодействие Ионов с Поверхностью", Звенигород, 1 - 5 сентября 1997, Материалы конференции, т.2, с.370-372.

18. Trushin Yu.V., Yankov R.A., Kharlamov V.S., Kulikov D.V., Tsigankov D.N., Kreissig U., Voelskow M., Petzoldt J., Skorupa W. A computational model of the formation of (SiC)i-x(AIN)., structures by hot, high-dose N" and AP co-implants in 6H-SiC. International Conference on Silicon Carbide, Ill-nitrides and Related Materials -1997 (ICSCIII-N'97), Stockholm, Sweden, August 31- September 5, 1997, Abstracts, N 188.

Цитируемая литература

1. Biersack J.P., Haggmark L.G., Nucl. Instrum. and Meth., 1980, vol.74, p. 257.

2. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U., The Stopping and Range of Ions in Solid (Pergamon Press, New York, 1985).

3. Журкин E.E. Материалы 11 конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью". (7-11 сентября 1993 г., Москва), Т. 3. С. 105-107.

4. Möller W., Eckstein W. Appl. Phys., 1984, vol.A34, p.73.

5. Möller W., Eckstein W. Comput. Phys. Commun., 1988, vol.51, p.355.

JS