Электрогидродинамическая неустойчивость жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОГЦЦРОДИНАМИКА НЕМАТИЧЕСКИХ И СМЕКГИЧЕСКИХ

КРИСТАЛЛОВ ( ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ). б

§1.1.Характеристики жидкокристаллических текстур и электрооптические эффекты

§1.2.Электроконвективные домены в планарных нематиках с отрицательной диэлектрической анизотропией

§1.3.Модели ЭГД~неустойчивости в планарных нематиках.

§1.4.Деформация ориентации и скорости течения в доменах

Вильямса

§1.5.ЭГД-неустойчивость нёматических жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией и изотропной фазы

§1.6.Домены в смектической С - фазе

§1.7.ЭГД~неустойчивость смектической А - фазы с положительной диэлектрической анизотропией

ГЛАВА 2.МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ХАРАКТЕРИСТИКА

ИССЛЕДУЕМЫХ СОЕДИНЕНИЙ

§2.1.Электрооптическая ячейка

§2.2.Экспериментальные методы исследования

§2.3.Характеристика исследуемых соединений

ГЛАВА 3.ПОРОГОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛАНАРНЫХ ТЕКСТУР НЖК С

ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ

§3.1.Пороговое напряжение возникновения линейных доменов в ПАА и МББА

§3.2.Период линейных доменов и его корреляция с величиной порогового напряжения

§3.3.Низкочастотный режим ЭГД-неустойчивости в ПАА

§3.4.Скорость электроконвективного течения в доменах Вильямса

§3.5.Деформация ориентации в доменах Вильямса

§3.6.Характеристические параметры "режима проводимости" для модели Хельфриха - Орсэ

ГЛАВА 4.ЭГД-НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В Г0МЕ0ТР0ПН0Й ТЕКСТУРЕ НЕМАТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

АНИЗОТРОПИЕЙ

§4.1.Пороговые характеристики режима постоянной кривизны и режима осциллирующей кривизны в ЭААК

§4.2.Пороговые характеристики ЭГД-неустойчивости в нематической фазе НЗЮБ

§4.3."Скрытая" ЭГД-неустойчивость в гомеотропной нематической текстуре

§4.4.Электротермический эффект в режиме постоянной кривизны

ГЛАВА 5. ЭГД-НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В СМЕКГИЧЕСКИХ ФАЗАХ . ИЗ

§5.1,Электроконвективные домены в смектической С - фазе гептилоксибензойной кислоты . . ИЗ

§5.2.Пороговые характеристики доменов в смектической

С - фазе п-н-ди-гептилоксиазоксибензола

§5.3.Электрооптические эффекты в смектической A-фазе НФОБ

§5.4.Влияние электрического поля на смектическую

А - фазу ЭААК

Электрогидродинамика жидких кристаллов выделилась в настоящее время как отдельное направление в физике жидких кристаллов. Эффекты, связанные с электроконвективным течением в жидких кристаллах, широко используются в ряде электрооптических устройств (индикаторных панелях, ячейках памяти и т.п.). Исследования, ставящие своей целью практическое применение уже обнаруженных явлений, ведутся в различных институтах Советского Союза и за рубежом. Ряд монографий [1-Ю} посвящен структуре и свойствам жидких кристаллов, многим вопросам электрогидродинамики.

Несмотря на это, последние экспериментальные данные свидетельствуют о недостаточной полноте наших представлений о механизме различных режимов электрогидродинамической неустойчивости в нематической и смектической фазах с различной молекулярной ориентацией.

Работы в области ЭГД-неустойчивости в смектических А и С-фа-зах носят предварительный характер, крайне малое число статей посвящено неустойчивости в гомеотропной текстуре нематических кристаллов.

Целью настоящей работы является экспериментальное исследование характеристик ЭГД-неустойчивости нематических и смектических жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией; определение пороговых условий возникновения ЭГД-неустойчивости. Нами был обнаружен ряд новых закономерностей и эффектов, в частности, экспоненциальная форма пороговых кривых в режиме проводимости, зависимость скорости течения от напряжения при различных частотах электрического поля, корреляция между формой частотных кривых порогового напряжения и периода доменов; новый низкочастотный режим в параазоксианизоле, электротермический эффект в режиме проводимости; эффект "скрытой" ЭГД-неустойчивости в го-меотропной текстуре. Обнаружен и исследован режим, близкий к режиму проводимости, в гомеотропной текстуре нематического кристалла с положительной диэлектрической анизотропией. Обнаружены два новых режима ЭГД-неустойчивости в гомеотропной и конфокальной смектической А-фазе. Определены пороговые характеристики ЭГД-неустойчивости в смектической С-фазе и предложен механизм ее возникновения.

Полученные результаты могут быть полезными для дальнейшего развития теории жидкокристаллического состояния и должны учитываться при разработке жидкокристаллических устройств отображения информации, в которых используется эффект ЭГД-неустойчивости.

ВЫВОДЫ

1. Низкочастотный режим продольных (первичных) доменов в смек-тической С-фазе ГОВК качественно подобен режиму постоянной кривизны в планарных нематических кристаллах. Плоскость стационарного электроконвективного течения параллельна смектическим слоям, оси вихревых трубок параллельны начальной ориентации директора. Пороговые кривые описываются зависимостью Уп ^ и

V ^ ехр . Предложен механизм образования доменов, сходный с механизмом Карра-Хельфриха, в котором определяющую роль играют флуктуации смектического "директора" С.

2. Высокочастотный режим "основных" доменов в ГОБК качественно подобен режиму осциллирующей кривизны в планарных нематических текстурах. Плоскость осциллирующего вихревого течения перпендикулярна смектическим слоям. Фокусные линии доменов параллельны смектическим слоям. В узкой низкочастотной области этого режима пороговые кривые описываются зависимостью V = В) + V, ;

2. л \ о ^ в области высоких частот Vп = л У + С , причем, значения ^ и С существенно отличаются от нуля.

3. Обнаружены два режима неустойчивости в планарной С-фазе п-н-дигептилоксиазоксибензола (ГОАБ). На низких частотах наблюдаются продольные полосы, ориентированные вдоль натирания и хорошо видимые только при скрещенных поляроидах. Их можно сопоставить с азимутальными доменами в планарных нематиках.

В области высоких частот наблюдались обычные "поперечные" домены, фокусирующие проходящий свет. Их пороговая кривая хорошо описывается зависимостью V = А(с() ^

4. Исследованы электрооптические эффекты в гомеотропной смек-тической текстуре НФОБ для образцов с различной ориентацией в нематической фазе. Показано, что характер текстурных превращений существенно зависит от условий на границе с подложками,

Обнаружены два вида ЭГД-неустойчивости в конфокальной и гомеотропной текстурах смектической А-фазы. Первый сходен с режимом "проводимости" в планарных нематиках, второй - с "диэлектрическим" режимом в гомеотропной нематической текстуре.

В конфокальной текстуре ЭГД-неустойчивость имеет пороговую зависимость типа Уп ^ 60Ср <1^ , в гомеотропной текстуре со "слабым" сцеплением \1п ^ ) ; вблизи \/п ЭГД-неустой-чивость в гомеотропной текстуре сопровождается модуляцией света с частотой ^ .

5. Исследованы электрооптические эффекты в смектической А-фазе ЭААК. Нарушения текстуры под действием постоянного и переменного поля сводятся к периодическому смещению радиальных складок веерной текстуры и появлению тангенциальных складок. Одновременно в участках, где веерная текстура переходит в гомеотропную, происходит движение жидкости и перемещение частиц примесей. Периодической картины доменов или турбулентного течения не наблюдалось .

- 137 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных экспериментальных исследований характеристик ЭГД-неустойчивости нематических и смектических жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией основные результаты и выводы работы можно сформулировать следующим образом:

1. Исследован режим постоянной кривизны ориентации (линейные домены) в планарных текстурах нематических кристаллов вблизи порога ЭГД-неустойчивости. Определены функциональные зависимости пороговых характеристик линейных доменов (ПАА). В области частот, где пороговое напряжение увеличивается с частотой ^ , найдена экспоненциальная зависимость 6Хр, где с - номер участка. Коэффициент <¿1 по порядку величины совпадает со временем диэлектрической релаксации £* . Подъем кривой Уп 0) происходит при условии шЪ > I, что не согласуется с предпосылками модели группы Орсэ для такого режима. Аналогичные зависимости найдены и для нематического кристалла МББА.

Полученные из экспериментальных данных экспоненциальные зависимости не предполагают наличия какой-либо частоты, ограничивающей режим постоянной кривизны ориентации. Кроме того, найдена резкая зависимость Ч^ от толщины образца с1 для ПАА, поэтому независимость Уп от С| уже не может считаться обязательным признаком режима постоянной кривизны.

2. Определена зависимость периода А линейных доменов в ПАА от частоты т) и толщины образца с( в непосредственной близости от порога ЭГД-неустойчивости. Установлена корреляция между периодом электроконвективных доменов и величиной порогового напряжения. Обнаружена инверсия А(Т), связанная с переходом через критическую величину А = о1 .

3«Изучен низкочастотный режим в ПАА (ниже I кГц) »Определены функциональные зависимости Уп и Л от } , с1 ,резко отличающиеся от обычных характеристик "режима проводимости".Возникновение низкочастотного режима в ПАА связано с искажением квазицилиндрического сечения вихревых трубок электроконвективного течения.

4.0пределены скорость электроконвективного течения и величина углов 6 в непосредственной близости от порога ЭГД-неус-тойчивости в ПАА и МББА. Обнаружено, что скорость течения имеет постоянную величину,не зависящую от частоты электрического поля.

Величина 0 определялась по методу фокусных расстояний с поправкой на квазиизотропность модели Пенца.Обнаружено,что величина угла В ориентационной деформации имеет конечное,довольно большое значение,что согласуется с конечным значением критической ^.

5.Определены характеристические параметры режима постоянной кривизны в соответствии с моделью группы Орсэ для частотной зависимости порога ЭГД-неустойчивости.Показана противоречивость результатов, вытекающих из теории группы Орсэ для нематических кристаллов ПАА и МББА.

6.Исследовано электроконвективное течение в нематических го-меотропных текстурах веществ с положительной диэлектрической анизотропией (ЭААК,Ш0Б) .Обнаружен и исследован "режим проводимости" ЭГД-неустойчивости в гомеотропной текстуре ЭААК в узком температурном интервале вблизи перехода в смектическую А-фазу.Он объяснён наличием смектических сиботаксических групп,создающих отрицав тельную анизотропию электропроводности.

В нематической фазе НФОБ определены функциональные зависимости режима осциллирующей кривизны.Обнаружен эффект "подавления" ориентационной деформации с увеличением напряжения при сохранении интенсивного движения частиц примесей. Показана вторичность картины ориентационной деформации НФОБ по отношению к электроконвективному течению.

7. Обнаружена "скрытая" ЭГД-неустойчивость в гомеотропной нематической текстуре вещества 7 БН. Процесс ориентационной деформации начинается уже при конечном значении скорости электроконвективного течения. Показана возможность использования обнаруженного эффекта в электрооптических устройствах.

8. Обнаружен электротермический ( ЭТ ) эффект в режиме постоянной кривизны в планарном образце ПАА и гомеотропной текстуре ЭААК. Ниже порога Уп(5 ), в изотропной фазе и в постоянном поле ЭТ-эффект не наблюдался. Он интерпретирован в рамках модели Орсэ как результат сдвига между осцилляцией объемного заряда и внешнего поля.

9. Определены пороговые условия возникновения ЭГД-неустой-чивости в планарных текстурах смектической С-фазы веществ ГОБК, ГОАБ. Показано, что существуют два режима: низкочастотный режим продольных (первичных) доменов в ГОБК и продольных полос в ГОАБ, а также высокочастотный режим, характеризуемый поперечными (основными) доменами (ГОБК и ГОАБ).

Продольные полосы можно объяснить как деформацию кручения с пространственно модулированными азимутальными углами директора. Высокочастотные домены имеют две серии фокусных линий и модулируют свет с удвоенной частотой. Предложен механизм образования доменов в смектической С-фазе.

10.Исследованы электрооптические эффекты в конфокальной и гомеотропной текстурах смектической А-фазы НФОБ. Обнаруженные два вида неустойчивости аналогичны соответственно режимам "проводимости" и "диэлектрическому" в нематических кристаллах.

II.Изучено влияние электрического поля на смектическую А-фазу ЭААК»Изменения веерной текстуры под действием постоянного и переменного электрического поля не связаны с электроконвективным течением.

1.Чистяков И.Г.Нидкие кристаллы.-М.:Наука,1966,125 с.

2. Капустин А.П.Электрооптические и акустические свойства жидких кристаллов.-М.:Наука,1973,232 с.

3. Де Кен П.Физика жидких кристаллов.- М.:Мир,1977,400 с.

4. Блинов Л.М.Электро- и магнитооптика жидких кристаллов.-М.: Наука,1978,368 с.

5. Капустин А.П.Экспериментальные исследования жидких ^металлов.-М Наука, 1978, 368 с.

6. Адамчик А.»Стругальский 3.Жидкие кристаллы.- М.:Советское радио,1979,160 с.7Ландрасекар С.Жидкие кристаллы.-М. :Мир, 1980,344 с.

7. Пикин С.А.Структурные превращения в жидких кристаллах.-М.: Наука,1981, 336 с.

8. В.де Же.Физические свойства жидкокристаллических веществ.-М.:Мир,1982,152 с.

9. Ю.Беляков В.А.,Сонин А.С.Оптика холестерических жидких кристалл ов.-М.:Наука, 1982,360 с.

10. Вистинь Л.К.»Капустин А.П.Доменная структура жидких кристаллов .-Кристаллография,1969,т.14,вып.4,с.740-743.

11. Williams R.Liquid crystals in an electric field. -Nature, 1963,199, s.273-274.

12. Чистяков И.Г.,Вистинь Л.К.Домены в жидких кристаллах.-Кристаллография,1974,т.19,с.195-216.

13. Orsay Liquid Crystal Croyp. Hydrodynamic instabilities in ne-matic liquid under a.c. electric fields.-Phys.Rev.Lett.,1970, v.25,s.164-2 1643.

14. Galerne Y.,Durand G.,Veyssil M.Spatial period of bend oscillations in the dielectric electrohydrodynamical instability of nematic liquid crystal.-Phys.Rev.,1972,v.6A,s.484 487.

15. Heilmeier G.H.,Helfrich W.Orientational oscillations in nematic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett.,1970,v.16,N4,s.155-157.

16. Kogure 0.,Murase H.The electric field effect of nematic ethyl p-anisilidene-p-aminocinnamate.-Japan J.Appl.Phys.,1970,v.9, s.1280 1281.

17. Nakauskhi J.,Yokoyama M.,Sawa H.,0kamoto K.Impurity effect on domain formation in nematic liquid crystal.-Bull.Chem.Soc.Japan, 1973,v.46,s.3321 3331.

18. Sakagami S.,Takase A.,NakamizoM.Deformation of molecular orientation of nematic liquid crystals with gomeotropic alingment by electric field.-Bull.Chem.Soc.Japan,1973,v.46, s.3573 3574.

19. Барник M.И., Блинов JI.M., Пикин С.А., Труфанов А.Н. Механизм неустойчивости в нематической и изотропной фазах жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией. ЖЭТФ, 1977, т.72, с.756-760.

20. Hinov Н.Р.,Vistin L.K.Parall and cross-like domains due to d.c and low frequency (2Hz) electric fields in nematic liquid crystal lagers with negative dielectric anisotropy.-J.de Physique,1979,v.40,N3,s.269 292.

21. Труфанов A.H., Барник M.И., Блинов Л.M., Чигринов В.Г. Электрогидродинамическая неустойчивость в гомеотропно ориентиро- 143 ванных слоях нематических жидких кристаллов. ЖЭТШ, 1981, т.80, вып.2, с.704-715.

22. Kashnow R.A.,Cole H.S.Electric effects in МВВА/РЕВАВ Mixtures .-Mol.Cryst.Liquid Cryst. ,1973,v.23,s.329 34-2.

23. Greubel W.,Wolff U.Electrically controllable domains in nema-tic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett.,1971,v.19,N7,s.213-215.

24. Вистинь JI.K., Чистяков И.Г., !умакова С.П., Пархоменко В.В. Новый тип электрогидродинамической неустойчивости в немати-ках. Кристаллография, 1978, т.23, вып.2, с.346-349.

25. Пикин С.А., Инденбом В.Л. Новый тип электрогидродинамической неустойчивости в жидких кристаллах. Кристаллография, 1975, т.20, вып.6, с.1127-1129.

26. Бобылев Ю.П., Пикин С.А. Пороговая пьезоэлектрическая неустойчивость в жидком кристалле. ЖЭТФ, 1977,т.72,с.367-369.

27. Barnik M.I.,Blinov L.M.,Trufanov A.N.»Umanski B.A.Flexo-elec-tric domains in liquid crystals.-J.de Physique.,1978,v.39, N4-,s.4-17 4-22.

28. Труфанов А.Н., Блинов JI.M., Барник М.И. Новый тип высокочастотной ЭГД-неустойчивости в нематических жидких кристаллах.

29. ЖЭТФ, 1980, т.78, вып.2, с.662-671.

30. J6.Nasta L.,Lupu A.,Giurgea М.Characteristics of domains;.aphearing in nematic liquid crystals below the threshold voltage of chevrons.-Mol.Cryst.Liquid Cryst.,1981,v.71,N1-2,s.65-76.

31. Капустин А.П., Трофимов A.H., 4увыров A.H. Периодические ориентационные осцилляции доменной структуры жидких кристаллов в переменных электрических полях. Кристаллография, 1972, т.17, с.194-197.

32. Чувыров А.Н., Трофимов А.Н. Ориентационные осцилляции доменных структур жидких кристаллов. Механизм образования шестиугольных доменных структур в постоянных электрических полях. -Кристаллография, 1972, т.17, с.1205-1209.

33. ЗЭЛирсанов Е.А., Сушкин И.В. Структура сложных систем доменов. -В сб.: Жидкие кристаллы, Иваново, 1976, с.49-52.

34. Penz P.A.Order parameter distribution for the electrohydrody-namic mode of a nematic liquid crystal.-Mol.Cryst.Liquid Cryst.,1979,v.15,N2,s.141 160.

35. Helfrich V/. Conduct ion-induced alignment of nematic liquid crystals:lasis model and stability considerations.-J.Chem. Phys.,1969,v.51,N9,s.4092 4105.

36. Vistin L.K.,Yakovenko S.S.,Kabaenkov A.Yu.Determination of spatially periodically modulated structures in optically anisotropic media by means of optical diffraction.-Advances in Liquid Crystal Research and Applications,Edit.A.Bata,1980, s.633 639.

37. Kondo K.,Fukuda A.,Kuze E.Causes for the appearance of fringes in cholesterics Williams domains and chiral smectic сliquid crystal.-Japanese J.of Appl.Physics,1981,v.20,N10, s.1779 1785

38. Пикин С.А. Стационарное течение нематической жидкости в электрическом поле. -ЖЭТФ, 1971, т.60, с.1165-1190.

39. Барник М.И., Блинов Л.М., Гребенкин М.Ф., Пикин С.А., Чигри-нов В.Г. Порог электрогидродинамической неустойчивости нематических жидких кристаллов. В сб.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, с.46-54.

40. Penz Р.А.,Ford G.V/.Electrohydrodynamic solutions for neraatic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett.,1972,v.20,s.415 430.

41. Durand G.Electrohydrodynamics of liquid crystals.-Molecular fluids.Gordon and Breach science publishers,1975«

42. Bata L.,Buka A.,Janossy I.Electric field induced in nematic liquid crystals.-Kozp.fiz.kut.inter Pubis.,1973>v.32.,pp.1-8.

43. Gryler H.,Meier G.Electric field-induced deformations in oriented liquid crystals of the nematic type.-Mol.Cryst.Liquid Cryst.,1972,v.16.,s.299 310.

44. Kashow R.A.,Cole H.S.Electrohydrodynamic instabilities in highparity nematic liquid crystals.-J.Appl.Phys. 197^ >v.42, s.2134 2135.

45. Carroll Т.О.Liquid-crystal diffraction drating.-J.Appl.Phys., 1972,v.43,s.767 770.

46. Meyerhofer D.,Sussman A.Electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals in low-frequency fields.-Appl.Phys.• Lett.,1972,v.20,s.357 339

47. De Jeu V/.H.Instabilities of nematic liquid crystal in pulsating electric fields.-Phys.Lett.,1971»v.37Л,s.365 366.

48. De Jeu W.H. ,Gerritsma C. J. ,Van Zanten P. ,Goosens V/.Relaxation of the dielectric constant and instabilities in a liquid crystal.-Phys.Lett.,1972,v.39A,s.355 356.

49. Dvyorjetski D,,Silberberg V.,Wiener-Avnear E.The Temperature Dependence of the Electrohydrodynamic Instability in Nematic Liquid Crystals.-Mol.Cryst.Liquid Cryst.,1977,v.42,s.273-281.

50. Meyerhofer D.Electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals.-RCA Review, 1974,v.35,s.433 W.

51. Sengupta P,Saype A.Bend-spear-mode instabilities of nematic liquid crystals in ac fields.-Phys.Rev.1974,v.9,s.2698-2706.

52. Пикин С.А. Высокочастотный электрогидродинамический эффект в жидких кристаллах. ЖЭТФ, 1971, т.61, с.2133-2139.

53. Ribotta R. ,Durand G.Hip;h frequency electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals.-J.de Physique Coll., 1979,v.4-0,C3 334;C3 -337.

54. Пикин С.А. Новый высокочастотный режим неустойчивости в НЖ. -В кн.: Тезисы докладов I Всесогоз. симпозиума по электрическим свойствам жидких кристаллов. Душанбе, 1979, с.34.

55. Heilmeier G.H.Transient behavior of domains in liquid crystals. -J.Chem.Phys. ,1966,v.4-4-,N2,s.644 64-7.

56. Carroll Т.О.Dependence of conduction induced alignment of nematic liquid crystals upon voltage above threshold.-J.Appl. Phys. ,1972,v.4-3,N4-,s.154-2 134-6.

57. Яблонский С.В., Блинов Л.М. Электрогидродинамическая неустойчивость как неравновесный фазовый переход. Кристаллография, 1982, т.27, вып.5, с.936-940.

58. Blinov L.M.,Barnik M.I.,Lasareva V.I.,Trufanov A.N.EHG instabilities in the liquid crystal phases v/ith smectic ordering.<-J.de Physique Coll.03,1979,v.40,C3 263,03 - 268.

59. Труфанов A.H. Исследование механизмов электрогидродинамической неустойчивости в нзматических жидких кристаллах: Автореф. дис. канд. физ. матем. наук. М., 1981, 18 с.

60. Taylor T.R.,Fergason J.L.,Aroras L.Biaxial liquid crystals.-Phys.Rev.Lett.,1970,v.24,s.359 362.

61. Chistykov I.G.,Schabischev L.S.,Jarenov P.I.,Gusakowa L.A. The polymorphism of the smectic liquid crystals.-Mol.Cryst. Liquid Gryst.,1969,v.7,s.279 284.

62. De Vries A.Experimental investigations of the structure of thermotropic liquid crystals.-J.de Physique,1975,v.36, Coll.1.,s,1 11.

63. Куватов 3.X., Капустин А.П., Трофимов A.H. Диэлектрические свойства жидкокристаллических структур п-н-алкоксибензойных кислот. В сб.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, с.74-80.

64. Вистинь Л.К., Капустин А.П. Домены в жидких кристаллах смек-.тического типа. Кристаллография, 1968, т.13, с.349-355.

65. Вистинь Л.К., 1умакова С.П. О пороговых характеристиках возникновения доменов в смектической фазе п-н-гептилоксибензой-ной кислоты. В сб.: Доклады П Всесоюз. научной конф. по жидким кристаллам. Иваново, 1973, с.129-132.

66. Petrov M.,Durand G.On the origin of electrohydrodynamic instabilities in-smectic С liquid crystals.-J.Physique Lett., 1981 ,v.4-2,1. 519,L - 522.

67. Hareng M.,Leberre S.,Thirant L.Electric field effects on bi-phenyl smectic A liquid crystal.-Appl.Phys.Lett.,197^,v.25, N12,s.683 685.

68. Parodi O.Apossibe magnetic transition in smectic A.-Solid State Comm.,1972,v.11,s.1503 1507.

69. Goscianski M.,Leger L.,Mircea-Roussel A.Field induced transitions in smectic A phases.-J. de Physiq.Lett.,19751v.36, s.313 316.

70. Хатаевич B.H., Зейналлы A.X. Термоэлектрический эффект в смектической А-фазе жидких кристаллов. Письма в 5КТФ, 1979, т.5, вып.II, с.651-655.

71. Dazai F. ,Uchida Т.,Wada M.The electro-optic effects of smectic liquid crystals.-Mol.Uryst.Liquid Uryst. ,1977iV.34-,N8,s.197 202.

72. Coates D.,Urossland W.A.,Morrissg J.,Needham B.Electrically induced scattering textures in smectic A phases and their electrical reversal.-Ann.Phys.,1978*v.3>s.325.

73. Алиев Д.Ф., ¿ирков B.H. Индуцированная электрогидродинамическая неустойчивость в смектиках А,управление ее характеристиками. Кристаллография, 1981, т.1, с.144-150.

74. Ю5.Пичикян Н.А., Слепков И.А., Сонин А.С. Динамические характеристики электрооптического эффекта с памятью в смектиках А. Кристаллография, 1980, т.25, с.187-190.

75. Soref К.A.Physics of optoelectronic materials.-Plenum Press.N.Y.,1971,s.207 251.

76. Рюмцев Е.И., Полушин С.Г., Ковшик А.П., Ротинян Т.А., Цветков В.Н. Молекулярные механизмы диэлектрической релаксации в жидкокристаллическом 4-нитрофенилен 4 - н - октилокси-бензоате. - Доклады АН СССР, 1978, т.239, № 5, с.1150-1153.

77. Майдаченко Г.Г., Макаров Б.Н. Синтез и жидкокристаллические свойства гомологического ряда п-н-алкилоксибензилиден-п -аминобензонитрилов. В сб.: Доклады 2 Всесоюз. конф. по жидким кристаллам, Иваново, 1973, с.172-177.

78. Schadt М.Dielectric properties of some nematic liquid crystals with strong positive dielectric anisotropy.-J.Chem. Phys.,1972,v.56,s.1494 1497.

79. Jeu de W.H. ,lierritsma C.J.,Boxtel van A.M.Electrohydrodyna-mic instabilities in nematic liquid crystals.-Phys.Lett., 1971,v.34,s.203 204.