Электронно-энергетическая структура сложных полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИМ ДАННЫМ, ФИЗИЧЕСКИМ СВОЙСТВАМ, ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКОМУ СТРОЕНИЮ И ОСОБЕННОСТЯМ ХИМСВЯЗИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА А'ВШС2У1, А11 В4" И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.

1.1. Полупроводниковые халькогениды типа АПВУ1.

1.1.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупроводников типа А"ВУ1.

1.1.2. Особенности ЭЭС полупроводников типа АиВУ1 по результатам зонных расчетов.

1.1.3. Результаты рентгеноэлектронных и рентгеноспектральных исследований ЭЭС полупроводников типа АЦВУ1.

1.2. Полупроводниковые халькогениды типа А^111^1.

1.2.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупроводников типа А'В111^1.

1.2.2. Особенности ЭЭС полупроводников типа А'В111^1 по результатам зонных расчетов.

1.2.3. Результаты рентгеноэлектронных и рентгеноспектральных исследований ЭЭС полупроводников типа А'В111^1.

1.3. Твердые растворы на основе халькогенидов типа А "В4'1.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ СПЕКТРОВ ЭМИССИИ И ПОГЛОЩЕНИЯ СЕРЫ И ФОСФОРА В ИССЛЕДУЕМЫХ СОЕДИНЕНИЯХ. 2.1. Получение флуоресцентных А^-полос и А^-спектров поглощения серы и фосфора.

2.1.1. Рентгеновские флуоресцентные ^-полосы серы и фосфора.

2.1.2. ^-спектры поглощения серы и фосфора.

2.2. Экспериментальные условия и методика получения первичных ¿-полос серы и фосфора.

2.3. Обработка полученных рентгеновских спектров и методика их совмещения и сопоставления с расчетными и экспериментальными данными.

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ И РЕНТГЕНОВСКИХ СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ БИНАРНЫХ И ТРОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.

3.1. Применение приближения полного многократного рассеяния в кластерной версии локального когерентного потенциала для расчета электронной энергетической структуры твердых тел.

3.2. Применение метода полного многократного рассеяния и самосогласованных потенциалов для расчета плотностей электронных состояний и рентгеновских спектров поглощения в сложных полупроводниковых халькогенидах (программа РЕГГ8).

3.3. Методика расчета свободных электронных состояний и рентгеновских спектров поглощения некоторых халькогенидов и твердых растворов с использованием метода локального когерентного потенциала и программы РЕРР7.

ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ И ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ХАЛЬКОПИРИТАХ Д'ВШС2У1 И ИХ БИНАРНЫХ АНАЛОГАХ - СОЕДИНЕНИЯХ ТИПА А"ВУ1.

4.1. Электронно-энергетическая структура и особенности химической связи бинарных халькогенидов типа АПВУ1.

4.1.1. Сравнение рассчитанных ХАКЕБ ^-спектров и плотностей свободных электронных состояний с экспериментальными спектрами в соединениях типа АПВУ1.

4.1.2. Плотности электронных состояний в окрестности оптической запрещенной полосы, оценка величины запрещенной полосы Её и выводы о химической связи в соединениях типа АИВУ1 по данным теоретических расчетов и экспериментальных спектров.

4.1.3. Особенности применения метода локального когерентного потенциала на примере расчета пй-потенциалов атомов Zn и 8 и плотностей электронных состояний в соединении

4.2. Исследование электронно-энергетической структуры и химической связи теоретическими и экспериментальными методами в соединениях со структурой халькопирита А'В111^1 и ВеС^.

4.2.1. Теоретическая оценка кристаллографических параметров в халькопиритах А'В111^1 и ВеСИг с использованием атомных радиусов.

4.2.2. Расчет электронно-энергетической структуры (ЭЭС) гипотетического халькопирита ВеС^ и сравнение с рассчитанной ЭЭС и экспериментальными спектрами в изоэлектронных и изоструктур-ных аналогах - алмазе и ВИ.

4.2.3. Расчеты ХАИББ ^-спектров, плотностей свободных электронных состояний и сравнение их с экспериментальными спектрами в халькопиритах А'ВШС^.

4.2.4. Электронно-энергетическое строение и химическая связь соединений типа АГВШС21, оценка величины запрещенной полосы

§ в них по данным теоретических расчетов и экспериментальных спектров.

4.2.5. Влияние положения анионов на электронно-энергетическую структуру соединений типа А'В1"^1.

4.2.6. Зависимость ширины запрещенной полосы Её в соединениях типа А'ВШС^ от длины связи B1U-CVI. 4.3. Теоретические расчеты p-d резонансного взаимодействия для различных кристаллических структур.

4.3.1. Кристаллическая структура рассматриваемых соединений и результаты расчетов DOS в сравнении с экспериментальными данными.

4.3.2. Исследование p-d резонансного взаимодействия в зависимости от длины связи взаимодействующих атомов.

ГЛАВА 5. СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПОЛОС, РЕНТГЕНОВСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ СЛОЖНЫХ ХАЛЬ-КОГЕНИДОВ.

5.1. Теоретическое и экспериментальное исследование электронно-энергетической структуры в полупроводниковых соединениях In2S3 и CdIn2S4 с кристаллической структурой шпинели.

5.2. Электронно-энергетическое строение ряда халькопиритоподобных соединений AgGaS2 - CdGa2S4 - I11PS4 с изменяющейся дефектностью кристаллической структуры.

5.3. Экспериментальные и теоретические ÄT-спектры поглощения серы и фосфора в ряду соединений AgGaS2 - CdGa2S4 - InPS4.

5.4. Особенности расчета околокраевой структуры £"-спектров поглощения исследуемых соединений.

5.5. Рентгеновские спектры и плотности электронных состояний в сложных полупроводниковых соединениях типа TAS, T13PS4 и Sn2P2S6.

5.6. Расчеты плотностей электронных состояний и рентгеновского спектра поглощения в соединении NaBiS2 (тип А'ВУСУ') и сопоставление их с экспериментальными данными.

5.7. Оптические явления в полупроводниках и расчеты комбинированной плотности состояний для интерпретации тонкой структуры спектров оптического отражения R(E).

ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ТВЕР- 394 ДЫХ РАСТВОРОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AnBVI И А'В111^1.

6.1. Применение к расчетам ЭЭС твердых растворов ZnSxSeix и 394 CdSxSeix приближения виртуального кристалла и сравнение с имеющимися экспериментальными данными.

6.2. Учет химического и структурного разупорядочения в расчетах 401 электронно-энергетической структуры твердых растворов ZnSxSei.x.

6.3. Оценка ширин запрещенных полос в твердых растворах 409 CuGa(SxSei.x)2 по рассчитанным полным плотностям электронных состояний в приближении виртуального кристалла.

6.4. К вопросу о нелинейном характере ширины запрещенной полосы 417 Её в твердых растворах типа CuxAg1xBII1C^1.

Актуальность темы. Возникновение и дальнейшее развитие современных отраслей техники, таких как оптоэлектроника (нелинейная оптика, акустооптика, электрооптика) и твердотельная микроэлектроника, все время стимулирует поиск и исследование как новых перспективных материалов, обладающих более широким спектром свойств по сравнению с уже используемыми, так и исследование уже частично апробированных материалов. Появившийся в связи с этим несколько десятилетий назад интерес к изучению полупроводниковых соединений типа А"ВУ| не исчез и по сей день, а с развитием технологий получения качественных монокристаллов твердых растворов на основе соединений АИВУ1 становится перспективной замена бинарных соединений их твердыми растворами. Такая замена выгодна в виду возможности плавного изменения некоторых физических параметров раствора (например, ширины запрещенной полосы Её) с изменением его состава. Было установлено, что в твердых растворах замещения, в случае, если замещающие и замещаемые атомы изовалентны, изменение концентрации не приводит к появлению дополнительных уровней в запрещенной полосе, но вызывает плавное смещение вершины валентной полосы и дна полосы проводимости.

В значительной мере благодаря достижениям полупроводникового материаловедения в нелинейной оптике, акустооптике, электрооптике материалы на основе элементарных и бинарных соединений успешно заменяются сложными композициями, содержащими три и большее число химических элементов. Такие сложные композиции особенно важны в связи с лавинообразным развитием технологических и конструкторских исследований по созданию новых приборов и устройств, работающих в оптическом диапазоне от ультрафиолета до ближней ИК области включительно. Традиционно здесь использовались оксидные материалы, но область их прозрачности существенно ограничена с низкочастотной стороны. В качестве их заменителей предлагают сложные полупроводниковые халькогениды и халькогалогениды, которые обладают большими возможностями практического применения. Кроме того, эти материалы могут быть перспективнее оксидов с точки 8 зрения нелинейных, электрооптических и акустооптических характеристик. Перечислим некоторые особенности практического применения исследованных в настоящей работе соединений. В частности, для целей нелинейной оптики и электрооптики перспективными являются AgGaS2, AgGaSe2, СсЮа284, ЩСа284, 1пР84, 8п2Р286; для акустооптики - Т13А884, Т13Р84; для изготовления узкополосных фильтров на основе гиротропных кристаллов - СсЮа284, AgGaS2, AgGaSe2, СиОа82. Исследуемые в работе соединения типа А'^'С^1 - С(Юа284, HgGa2S4 и Сс1Гп284 обладают высокой фоточувствительностью и интенсивной люминесценцией. Для соединений НАэБг и Т13Аз83 характерно значительное двулучепреломление, что делает их перспективными для нелинейной оптики.

Неспадающий научный и практический интерес в настоящее время представляют тройные халькогениды типа А^"1^' и их твердые растворы, которые являются ближайшими изоэлектронными и изоструктурными аналогами бинарных соединений АПВУ1. Исследования показали, что тройные соединения А|В"|С^1 обладают рядом перспективных в практическом отношении свойств. Это вызвано, прежде всего, усложнением их химического состава по сравнению с бинарными аналогами, а именно, заменой одного типа атомов в катионной подрешетке двумя различными типами. Такая замена приводит в большинстве случаев к смещению анионов, т.е. искажению решетки и, как следствие, изменению свойств. Кроме того, у тройных соединений меняется роль различных парциальных электронных состояний в формировании вершины валентной полосы. Совокупность этих отличий вызывает существенное уменьшение ширины запрещенной полосы Е„ тройных соединений по сравнению с их бинарными аналогами. Именно это уменьшение Её делает, например, Си1п8е2 одним из перспективнейших материалов для солнечных батарей (коэффициент поглощения в видимой области на порядок выше, чем у ваАэ и на два порядка выше, чем у кремния).

Помимо изоэлектронности, имеет место существенная схожесть кристаллических структур бинарных (А"ВУ1) и тройных (А'В111^1) полупроводников. Соединения А'ВШС^ и твердые растворы на их основе кристаллизуются в структуре 9 халькопирита, являющейся сверхструктурой сфалерита (цинковой обманки), в решетку которого в нормальных условиях кристаллизуются соединения АПВУ1. Однако, образование 50% твердых растворов соединений АПВУ1, в случае упорядоченного раствора, должно приводить к искажению решетки сфалерита, которое вызвано теми же самыми причинами, что и в тройных халькопиритах А'В111^'. Тем самым при изучении свойств твердых растворов бинарных соединений АПВУ1 актуальным является вопрос их подобия не только свойствам чистых бинарных образующих, но и свойствам изоэлектронных тройных соединений А'ВШС211.

Следует отметить, что перечисленные выше материалы, предлагаемые для исследования и практического применения, не могут не иметь определенных недостатков. К основным недостаткам относятся низкая лучевая прочность и большие потери, обусловленные поглощением соответствующего излучения, в той или иной степени связанным с недостаточно высоким оптическим качеством получаемых монокристаллов. Весьма существенными остаются и размерные характеристики образцов, из которых изготавливают рабочие элементы приборов и устройств. В полупроводниковом материаловедении до сих пор одна из главных задач состоит в отработке методик выращивания оптически однородных и больших по своим размерам монокристаллов, пригодных для эффективного прикладного применения. Вместе с тем, последнее зависит также от степени всестороннего изучения соединений различными физическими и химическими методами, как экспериментально, так и теоретически. В этой связи исследования электронно-энергетической структуры, особенностей гибридизации электронных состояний и характера химической связи в кристаллических соединениях составляют, как известно, одно из важнейших направлений в физике твердого тела. Указанные характеристики необходимы для построения моделей, с помощью которых удается, как предсказывать, так и объяснять макроскопические физические и термохимические свойства веществ и, следовательно, они важны для создания теоретического фундамента при решении задачи получения новых материалов с заранее заданным набором свойств.

10

Хотя соединения A^fCj1 (CdIn2S4, CdGa2S4, HgGa2S4) и являются относительно хорошо изученным классом соединений, еще не существует полной ясности о всех деталях структуры их энергетических полос, в частности о влиянии упорядоченных трансляционных структурных дефектов на электронно-энергетическое строение и характер химической связи в них. Для сложных полупроводниковых фосфорсодержащих сульфидов InPS4, Sn2P2S6 и T13PS4 ранее не рассматривалось взаимодействие электронных состояний соседних в периодической системе элементов - фосфора и серы, входящих в эти соединения. Задача использования соединений, объединенных общей формулой TAS (T1AsS2, Tl3AsS3, Tl3AsS4) в качестве материалов для электронной промышленности требует детального исследования структуры их электронно-энергетических полос и особенностей гибридизации электронных состояний.

В соединениях типа А'В1"^1 (CuGaS2, CuInS2, AgGaS2, AgInS2, CuGaSe2, CuInSe2, AgGaSe2, AgInSe2) проявляется резонансное гибридизационное взаимодействие d-состояний благородного металла (Cu, Ag) и р-состояний атома CVI (S, Se) - так называемый d-s,p резонанс в твердых телах. Это приводит к возмущению структуры электронно-энергетических полос и красному смещению ширины запрещенной полосы Eg, в силу чего соединение CuInSe2, как уже отмечалось, является сильным поглотителем солнечного света, а соединения CuGaS2 и AgGaS2 могут быть использованы для изготовления узкополосных фильтров. Электронно-энергетическая структура соединений типа А1!}111^1 исследовалась как теоретически, так и экспериментально, но некоторые ее важные особенности, в частности при переходе от соединений с Си к соединениям с Ag, не были изучены. До настоящего времени отмечалось лишь влияние d-s,p резонанса на форму широкой s-или р-полосы при пересечении ее узкой d-полосой и проявление этого на рентгеновских спектрах анионов, а также простейшая зависимость степени резонанса от концентрации d-металлов в соединении. Однако воздействие такого резонанса на d-полосу не рассматривалось.

11

Используемый в настоящей работе метод рентгеновской спектроскопии ранее практически не применялся для систематического исследования электронно-энергетической структуры вышеуказанных тройных сульфидов. При условии корректной интерпретации получаемых спектров метод рентгеновской спектроскопии является вполне надежным при изучении характера энергетического распределения электронных состояний и их гибридизации. Согласно правилам отбора в рентгеновских спектрах различных серий проявляются состояния различной симметрии. Таким образом, при исследовании спектров различных серий, а в случае соединений или сплавов и различных компонент, появляется возможность судить не только об энергетическом положении, но и том, состояния какой симметрии и какого элемента дают основной вклад в данную энергетическую подполосу. Метод рентгеновской спектроскопии (как и метод рентгеноэлектронной спектроскопии) дает возможность исследовать электронные, состояния в веществе в широком интервале энергий, выявляя в этом свои определенные преимущества перед другими методами, которые дают информацию об электронных состояниях лишь в узком энергетическом интервале вблизи поверхности Ферми (такие как измерения парамагнитной восприимчивости, электронной теплоемкости, оптические методы), хотя и с очень высоким разрешением. Интерпретация рентгеновских спектров в одноэлек-тронном приближении, как показали выполненные в последние годы расчеты теоретической формы рентгеновских эмиссионных полос, оказалось достаточно успешной.

Для большинства исследуемых в работе соединений расчеты электронной структуры отсутствовали (в значительной мере это связано со сложностью кристаллических решеток исследуемых соединений). В соответствии с вышеизложенным целью настоящей работы является исследование строения электронно-энергетических полос, взаимодействия электронных состояний и характера химической связи приведенных ниже полупроводниковых халькогенидов (и некоторых халькогалогенидов) сложного состава:

12

Объекты исследования

Соединение Кристаллическая структура, пространственная группа.

1. гпв; ТпБе; СёБ; Сёве; СиС1; ВК сфалерит, кубическая гранецен-трированная Р43т -Тй2

2. Твердые растворы 2п8х8е|.х; Сс18х8е1х.

3. СиОа82; Си1п82; СиОа8е2; . Си1п8е2; AgGaS2; А§1п82; AgGaSe2; AgInSe2; ВеС1Ч2 халькопирит, тетрагональная, 142(1 - Б1^

4. Твердые растворы СиОа(8х8е].х)2; СихАе1.хОа82; Си^!.х1п8е2

5. СсЮаА; НяваА "дефектный халькопирит", тетрагональная 14-8^

6. 1пР84 дважды "дефектный халькопирит", тетрагональная 14-84

7. СсИп284; 1п283 нормальная шпинель, кубическая Разт-Он

8. Т13Р84; Т13Аз84 ромбическая примитивная Рпта-Б1^

9. Т13А883; ТЬАвЗез гексагональная Ют

10.Т1Аз82; 8П2Р286 моноклинная примитивная Р2,/с-С4

11. Сив гексагональная Рб3/ттс-В^

12.Си28е тип СаР2, кубическая РтЗт-О®

13.СиО; СиБ2 С2/с-С4 ^ Г5 г моноклинная 2Ь *

14. Си20 кубическая РпЗт-О^

15.КС1; РЬ8;КаВ182 тип ЫаС1, кубическая РшЗт - 0|,

16. ОаК гексагональная Р63тс-С^

17. Алмаз (С) кубическая гранецентрированная ¥й3т-07ь

Для этого были решены следующие задачи: 1. Получение с высоким разрешением рентгеновских флуоресцентных Х-полос, К-спектров поглощения и первичных 12,гполос серы и фосфора в соединениях типа А'ВШС^, А"В^С4ч", фосфорсодержащих сульфидах 1пР84, 8п2Р286 и Т13Р84,

13 семейства TAS (T1AsS2, Tl3AsS3, Tl3AsS4), а также в бинарных соединениях CdS, ZnS, In2S3, CuS.

2. Проведение ab initio квантово-механических расчетов плотностей электронных состояний (DOS) и рентгеновских спектров поглощения во всех вышеуказанных соединениях с помощью трех основных пакетов программ: пакета программ, использующих приближение локального когерентного потенциала, программы FEFF8 и ее более ранней версии программы FEFF7.

3. Сопоставление результатов проведенных квантово-механических расчетов с рентгеновскими спектрами настоящей работы и литературным рентгеноспек-тральным и рентгеноэлектронным экспериментом с целью выяснения строения электронно-энергетических полос, характера химической связи и особенностей взаимодействия электронных состояний при их гибридизации в ряде сложных полупроводниковых халькогенидов.

4. Оценка ширин запрещенных полос Eg исследуемых полупроводниковых соединений, как экспериментально, по энергетическому разрыву АЕ между коротковолновой границей ^-полосы и началом К-края поглощения исправленных на ширину внутреннего уровня и аппаратурное уширение рентгеновским спектрам серы и фосфора, так и теоретически, по рассчитанным полным плотностям электронных состояний.

Методы исследования. Для решения поставленных задач в экспериментальном аспекте в работе использовались методы длинноволновой и ультрадлинноволновой рентгеновской спектроскопии. Рентгеновские ^-спектры серы и фосфора получены на длинноволновом рентгеновском спектрографе ДРС-2, изготовленном в экспериментальных мастерских Ростовского госуниверситета, a L-спектры серы и фосфора сняты на ультрадлинноволновом рентгеновском спектро-метре-монохроматоре РСМ-500, изготовленном в СКБРА "Буревестник" (С.Петербург). Все приборы и аппаратура, на которых проводились исследования, регулярно и в срок проходили поверку в отделе метрологии и стандартизации НИИ физики РГУ. Поставленные задачи в теоретическом аспекте решались с помощью различных пакетов программ:

14

1. Пакета программ авторов Никифорова И .Я., Штерна Е.В., Колпачева А.Б., реализующих приближение локального когерентного потенциала.

2. Программы FEFF8 авторов Анкудинова A.JL, Pepa Дж., Равиля Б. (США).

3. Программы FEFF7 авторов Pepa Дж., Алберса Р. и др. (США).

Все эти программы прошли тестирование на различных объектах, что отражено в литературных источниках, а также в многочисленных расчетах автора настоящей работы.

Научная новизна. В работе впервые получены рентгеновские флуоресцентные Z-полосы, Z-края поглощения и первичные /^-полосы серы и фосфора в соединениях типа АПВ^СГ (CdIn2S4, CdGa2S4, HgGa2S4), А'В111^1 (CuInS2, AgInS2), фосфорсодержащих сульфидах (InPS4, T13PS4, Sn2P2S6), семейства TAS (T1AsS2, TI3ASS3, T13AsS4). По совмещенным в единой энергетической шкале рентгеновским спектрам серы различных серий, а в случае CdIn2S4, In2S3 и фосфорсодержащих сульфидов различных компонент, с рассчитанными здесь плотностями электронных состояний удалось получить полное представление о строении электронно-энергетических полос в широком энергетическом интервале и характере химической связи исследованных соединений. Электронно-энергетическая структура соединений InPS4, T13PS4, Sn2P2S6, T1AsS2, T13AsS3, T13AsS4 не исследовалась раннее вообще, поэтому полученные в работе выводы о строении энергетических полос этих соединений обладают существенной новизной.

В исследованных соединениях энергетический разрыв АЕ между концом эмиссии и началом поглощения исправленных на ширину внутреннего уровня и аппаратурное уширение ^-спектров серы с точностью рентгеноспектрального эксперимента (±0.2 эВ) согласуется со значениями ширины запрещенной полосы, определенной другими методами. Ширины запрещенных полос соединений Tl3AsS3, TI3PS4 ранее не определялись и полученные в работе значения обладают существенной новизной.

Впервые в рамках двух различных подходов методом многократного рассеяния высокого порядка и методом полного многократного рассеяния, в одном и том же потенциале, рассчитаны локальные парциальные и полные плотности свобод

15 ных состояний всех компонентов бинарных соединений типа АПВУ| (Ап = Сс1; ВУ1 = Б, 8е) и тройных соединений типа А'В111^1 (А1 - Си, А& Вш = Оа, 1п; СУ1 = Б, 8е).

Впервые, используя только тетраэдрические ковалентные радиусы, рассчитаны все кристаллографические параметры гипотетического халькопирита ВеСМ2 и его электронно-энергетическая структура, особенности которой сравниваются с ЭЭС изоструктурных и изоэлектронных аналогов ВеСЫ2 - алмазом и кубическим ВЫ.

Впервые в рамках приближения локального когерентного потенциала проведен учет влияния смещения подрешетки анионов на электронную энергетическую структуру халькогенидов типа А'В111^1 (А1 = Си, Ag; В1П = ва, 1п; СУ1 = 8, Бе). Исследовано влияние параметра смещения анионов и в решетке халькопирита по сравнению с их положением в решетке сфалерита на расщепление р-состояний атома СУ1 (Б, Бе) и ё-состояний Си и Ag, а также на смещение свободных 8-состояний атома Вш (Оа, 1п), приводящее к изменению положения по энергии дна зоны проводимости и, таким образом, к изменению величины оптической запрещенной полосы Её.

Впервые установлено для исследованных композиций тройных халькогенидов, имеющих сложную кристаллическую структуру, что значительно более точное соответствие энергетического положения максимумов теоретических К-спектров поглощения своим экспериментальным аналогам может быть достигнуто только в самосогласованном расчете, а для получения близкой к эксперименту форме К-краев поглощения около порога необходимо проводить расчет в приближении полного многократного рассеяния.

Впервые проведенное экспериментальное и теоретическое исследование электронно-энергетического спектра дефектных халькопиритов СсЮа284, Ь^ва^ и дважды дефектного халькопирита 1пР84, имеющих стехиометрические псевдовакансии, выявило, что эти псевдовакансии не меняют строения электронно-энергетических полос и, следовательно, форму рентгеновских эмиссионных спек

16 тров по сравнению с недефектными соединениями, например, с CdIn2S4. Проведенные расчеты по методу ЛКП показали, что плотность электронных состояний в пустых сферах, которые моделировали трансляционные псевдовакансии, лишь дублирует форму кривых, соответствующих электронным состояниям своих ближайших соседей.

Впервые проведенные самосогласованные расчеты электронно-энергетического спектра ряда соединений меди с различной кристаллической структурой - CuGaS2 (халькопирит), CuS (гексагональная структура), Cu2Se (структурный тип CaF2), соединений СиО и CuF2 с моноклинной сингонией, Cu20 с кубической симметрией и, наконец, соединения CuCl со структурой сфалерита в сравнении с авторскими и литературными экспериментальными рентгеновскими и рентгеноэлектронными спектрами показали, что резонансное взаимодействие р-состояний аниона и d-состояний Си имеет хорошо выраженный ковалентный характер химической связи этих атомов и приводит к расщеплению, как р-состояний аниона, так и d-состояний Си. Доля не участвующих в гибридизации d-состояний Си растет с увеличением симметрии окружения аниона атомами меди.

Впервые проведено рентгеноспектральное исследование и квантово-механические самосогласованные расчеты плотностей электронных состояний сложных по составу и кристаллической структуре соединений, объединенных общей формулой TAS (T1AsS2, T13AsS3, Tl3AsSe3, Tl3AsS4), T13PS4, Sn2P2S6, позволившие изучить энергетическое распределение электронных состояний и особенности химической связи в этих соединениях. Обнаружено, что в химической связи P-S в фосфорсодержащих сульфидах T13PS4, Sn2P2S6 и InPS4 имеется значительная доля ионной составляющей.

Впервые проведен релятивистский самосогласованный расчет плотностей электронных состояний в полупроводниковом соединении NaBiS2, который хорошо коррелирует с авторскими экспериментальными рентгеновскими спектрами серы. Получено полное представление об энергетическом расположении электронных состояний всех компонентов в соединении NaBiS2.

17

Впервые на соединениях типа A'B111^1 (CuInSe2, AgInSe2, CuGaS2) апробирована методика интерпретации экспериментальных спектров оптического отражения, которая предусматривает теоретический расчет локальных парциальных плотностей электронных состояний, проведение операции свертки полученных в результате занятых и свободных состояний с учетом дипольных правил отбора и получения парциальных комбинированных плотностей, сравниваемых со спектром R(E). Такое сравнение позволяет идентифицировать отдельные пики спектра R(E), как переходы электронов с состояний валентной полосы одной симметрии на состояния полосы проводимости, разрешенные дипольными правилами отбора, а также оценить "мощность" таких переходов.

Впервые методом локального когерентного потенциала рассчитана электронная энергетическая структура твердых растворов ZnSxSeix в широком диапазоне концентраций х (0, 0.17, 0.33, 0.5, 0.67, 0.83, 1) в приближении виртуального кристалла, а для 50% раствора ZnS-ZnSe с учетом химического разупорядочения и в моделях, учитывающих рассогласование связей Zn-S, Zn-Se для упорядоченных растворов со структурами халькопирита и простой тетрагональной.

Впервые проведена теоретическая оценка Eg по рассчитанным полным плотностям состояний в твердых растворах CuGa(SxSe,x)2, где л: = 0.17; 0.33; 0.5; 0.67; 0.83 и получена зависимость Eg = f(x), которая имеет совпадающий с экспериментом линейный характер. Такой характер Eg = f(x) связан с меняющейся по закону Вегарда длиной связи Ga - CVI (S, Se), что приводит к линейному смещению s-состояний Ga, находящихся у дна полосы проводимости.

Впервые проведены самосогласованные расчеты плотностей электронных состояний в твердых растворах Cu05Ag05GaS2 и Cu0 5Ag0 5InSe2, которые показали, что одновременно происходящее гибридизационное взаимодействие р-состояний атома CVI и d-состояний атома A1 (Cu, Ag) приводит, как к расщеплению этих состояний, так и расталкиванию центров тяжести d-состояний Си и Ag. Последнее объясняет нелинейную зависимость Eg = f(jt).

18

Настоящая работа является первым систематическим исследованием электронно-энергетической структуры полупроводниковых халькогенидов рассмотренных в работе классов соединений.

Научная и практическая ценность. Полученная в настоящем комплексном экспериментальном и теоретическом исследовании информация об электронно-энергетической структуре халькогенидов типа A'^fC^1 и А'В111^1, фосфорсодержащих сульфидов, соединений семейства TAS, ряда бинарных халькогенидов и га-логенидов позволяет оценить характер химической связи этих соединений, глубже понять особенности их физико-химических свойств, а также является основой для сопоставления с другими теоретическими расчетами и моделями строения их электронно-энергетических полос. Результаты настоящей работы важны для понимания принципиальных основ формирования энергетического спектра электронов, в частности особенностей гибридизации электронных состояний в полупроводниковых соединениях сложного состава. Существенный интерес для теоретического и экспериментального изучения электронно-энергетического строения соединений с d-металлами (и, вероятно, с f-металлами) представляют установленные закономерности в многочисленных расчетах гибридизационного резонанса. Для исследованных соединений показана принципиальная возможность получения сведений о ширинах запрещенных полос, экспериментально, по исправленным на ширину внутреннего уровня и аппаратурное искажение рентгеновским спектрам и, теоретически, по рассчитанным полным плотностям электронных состояний. Практическая ценность работы заключается в развитии комплексной методики изучения электронно-энергетической структуры занятых и свободных электронных состояний сложных полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов, основанной на совместном анализе результатов метода рентгеновской спектроскопии и квантово-механических ab initio расчетов, которая позволяет выяснить влияние взаимодействующих электронных состояний на ширину оптической запрещенной полосы Eg и характер химической связи.

Кроме того, научная и практическая ценность заключается в том, что был успешно использован модифицированный пакет компьютерных программ в рамках

19 метода локального когерентного потенциала с тем, чтобы учитывать различный обменный член для разных атомных сфер и между сферами. Такая модификация позволяла добиваться согласующегося с экспериментом взаимного расположения энергетических полос компонентов соединения.

Разработаны методические основы для проведения расчетов с одинаковым потенциалом свободных состояний, как в приближении многократного рассеяния ограниченной кратности, так и в методе локального когерентного потенциала, использующего приближение полного многократного рассеяния.

Получены согласующиеся с различными экспериментальными данными результаты расчета электронно-энергетической структуры для чистых соединений и псевдобинарных растворов гп8х8еих, показано закономерное плавное изменение локальных парциальных состояний в твердых растворах замещения.

Автором использован модифицированный пакет программ в рамках метода ЛКП, позволяющий рассчитывать ЭЭС многоатомных соединений. При этом принципиальным является расчет кристаллического потенциала с различными значениями обменного параметра а для разных атомных сфер и в области между сферами.

Лично автором сделан выбор объектов исследования, получены все рентгеновские спектры эмиссии и поглощения серы и фосфора, а также проведено большинство теоретических расчетов с использованием различных пакетов программ. Часть теоретических расчетов проведены аспирантами Габрельяном Б.В. и Дубейко В.А. Постановка задач, обсуждение и анализ результатов, полученных в данной работе, выполнены автором совместно с Никифоровым И .Я., Габрельяном Б.В. и Дубейко В.А. Положения, выносимые на защиту, и выводы работы сформулированы автором настоящей работы.

Разработка методики расчета ЭЭС в приближении ЛКП, алгоритм и базовая версия компьютерных программ принадлежат Никифорову И.Я, Штерну Е.В. и Колпачеву А.Б.

Мигаль Ю.Ф. обратил внимание автора на необходимость учета ё-состояний серы при расчете свободных состояний в СёБ.

20

Апробация работы. По материалам диссертации опубликованы 82 работы.

Основные результаты, полученные в работе, доложены на следующих конференциях, семинарах и симпозиумах:

1. IV Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев, 1983 г.);

2. 10 Международной конференции "X-Ray and Inner-Shell Process in Atoms, Molecules and Solids" (Leipzig, 1984);

3. XIV Всесоюзном совещании по рентгеновской и электронной спектроскопии (Иркутск, 1984 г.);

4. X Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Минск, 1985 г.);

5. Всесоюзном совещании "Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов" (Калинин, 1985г.);

6. XV Всесоюзном совещании по рентгеновской и электронной спектроскопии (Ленинград, 1988 г.);

7. 15 Европейской встрече по кристаллографии "Fifteenth European crystallographic meeting (EMS-15)" (Dresden, 1994);

8. 8-th International Conference on X-ray Absorption Fine Structure (Berlin, 1994);

9. Всероссийской научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1995 г.);

10. Proceedings of XVII International Congress on Glass (Guanzhuang, Beijing, 1995);

11. IX International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS IX (Grenoble, 1996);

12. Ill Всероссийской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 97" (Москва, 1997 г.);

13.X International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS X (Chicago, 1998);

14. Eighteenth European Crystallographic Meeting ESM 18 (Praha, 1998);

15. XVI научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Ижевск, 1998 г.);

21

16.3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy (Yekaterinburg, 1999);

17. IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999 г.);

18. XVIII научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Воронеж, 2000 г.);

19. XI International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS XI (Ako, Japan, 2000).

Основные результаты и научные положения. выносимые на защиту:

1. Вакансия на ^-уровне аниона в исследованных полупроводниковых ковалент-ных кристаллах практически не влияет на энергетическое положение особенностей краев поглощения аниона и соответствующих им плотностей электронных состояний.

2. Гибридизация р-состояний аниона и d-состояний благородного металла (Си, Ag) в соединениях с различной кристаллической структурой имеет резонансный характер, что проявляется в расщеплении как р-, так и d-состояний, и растет с понижением симметрии окружения аниона атомами благородного металла. Степень расщепления линейно зависит от длины связи анион - благородный металл.

3. В парах родственных халькопиритов A^aCj1 - A'lnC^1 (А1 = Си, Ag; CVI = S, Se), как, например, в CuGaSe2 и CuInSe2, отличие их оптических запрещенных полос Её вызвано различием энергетического положения свободных s-состояний атома В111 (Ga, In), формирующих дно полосы проводимости за счет различия длин связи Ga-C^ и In-CV!.

4. Особенности электронно-энергетического строения валентной полосы исследованных халькогенидов, наблюдаемые на соответствующих эмиссионных спектрах, определяются в основном взаимодействием валентных электронов халько-гена и атомов его ближайшего окружения, а не симметрией этого окружения.

22

5. В фосфорсодержащих сульфидах взаимодействие расположенных в катионной подрешетке атомов фосфора с атомами серы приводит к подобию электронно-энергетического строения их валентных полос, причем в химической связи Р-8 обнаружена значительная полярная составляющая.

6. Теоретически показано, что в неупорядоченных твердых растворах замещения 7п8х8е1х зависимость Её = Дх) имеет нелинейный характер, а в их изоэлектрон-ных аналогах СиСа(8х8е1х)2 - линейный. Последнее объясняется преобладающим влиянием на величину Её резонансного взаимодействия (¿-состояний Си с р-состояниями неметаллов (8, 8е) в СиОа(8х8е1.х)2, отсутствующее в бинарных растворах, и линейным изменением числа р-состояний неметаллов, участвующих в этом взаимодействии.

7. Нелинейный характер зависимости Её = в твердых растворах СихА^„хВшС2' определяется расталкиванием ё-состояний Си и Ag за счет одновременного гиб-ридизационного взаимодействия с1-состояний Си и Ag с р-состояниями атома СУ1 (8, 8е).

Совокупность полученных результатов и теоретических положений позволяет квалифицировать выполненную работу как решение крупной научной задачи - развитие комплексной методики изучения электронно-энергетической структуры занятых и свободных электронных состояний широкого класса сложных полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов, содержащих в катионной подрешетке как атомы металлов разного сорта, так и атомы металлоидов.

23

Основные результаты и научные положения диссертации опубликованы в перечисленных ниже работах:

I. Статьи в реферируемых журналах:

1. Gusatinskii A.N., Lavrentev A.A., Blokhin М.А., Slivka V.Yu. X-Ray Spectroscopic Investigation of the Electronic Structure and Chemical Bond of the Semiconductors Sn2P2S6 and TI3PS4. // Phys.stat.sol.(b). - 1985. -131, N2. -p.K139-K143.

2. Lavrentev A.A., Gusatinskii A.N., Soldatov A.V., Slivka V.Yu. X-Ray Spectroscopic Investigation of the Electronic Energy Structure and Chemical Bond of TI3AS4 (A = P, As, Та) Type Semiconductors. // Phys.stat.sol.(b). - 1986. -138, N1. - p.K49-K54.

3. Gusatinskii A.N., Lavrentyev A.A., Blokhin M.A., Slivka V.Yu. X-Ray spectrum investigation of electron energy structure of semiconductor compounds CdIn2S4, CdGa2S4 and HgGa2S4. // Solid State Commun. - 1986. - 57, N6. - p.389-393.

4. Lavrentyev A.A., Gusatinskii A.N., Blokhin M.A., Soldatov A.V., Letnev V.A., Bod-nar I.V. The electron energy structure of the A'B1''^1 compounds. // J.Phys.C: Solid State Phys. - 1987. - 20. - p.3445-3452.

5. Popov A.P., Lavrentev A.A. Rebuilding of Electron Spectra in One-Dimensional Structures by Increasing the Electron-Phonon Binding. // Phys.stat.sol.(b). - 1989. -155, N1. -p.185-189.

443

6. Soldatov A.V., Sukhetskii Yu.V., Lavrentiev A.A., Gusatinskii A.N., Gubskii A.L. Electronic Structure of A'BiS2 Semiconducting Compounds. // Phys.stat.sol.(b). -1991,-167, NL-p.101-107.

7. Лаврентьев A.A., Мигаль Ю.Ф., Никифоров И.Я. Два видов резонансов формы в соединениях A'BiS2 (А1 = Li, Na). // Журнал структурной химии. - 1992. - 33, N2. - с.60-66.

8. Lavrentyev А.А., Gusatinskii A.N., Nikiforov I.Ya., Popov A.P., Ilyasov V.V. Electron energy structure of the semiconductors T1AsS2, Tl3AsS3, ti3ass4, ti3ps4 and Tl3TaS4. // J.Phys.: Condens.Matter. - .1993. - 5, N9. -p.1447-1454.

9. Lavrentyev A.A., Gusatinskii A.N., Nikiforov I.Ya., Safontseva N.Yu. X-ray spectra of some ternary crystal and glass semiconductors. // Physica B. - 1995. - 208.-209. -p.344-346.

Ю.Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я., Колпачев А.Б., Габрельян Б.В. Экспериментальное и теоретическое исследование электронной энергетической структуры полупроводников CdS, InP, InPS4, CuGaS2, AgGaS2. // ФТТ (С.-Петербург). - 1996. - 38, N8. - c.2347-2362.

11. Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya., Gabrelian B.V. The Chemical Bonding in Crystals with Chalcopyrite Structure. // J.Phys IV FRANCE. - 1997. - 7. - p.C2-283—C2-284.

12. Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya., Gabrelian B.V. X-Ray Spectroscopic Studies of some Compounds with the same Chemical Formula and Different Crystal Structure. // J.Phys. IV FRANCE. - 1997. - 7. - p.C2-285—C2-286.

13. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Рентгеновские спектры и электронная структура некоторых тройных халькогенидов и их твердых растворов. // Журнал структурной химии. - 1998. - 39, N6. - с. 1076-1082.

14. Мигаль Ю.Ф., Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Определение параметра решетки и одноэлектронного модельного потенциала соединения CdS с помощью спектров поглощения мягкого рентгеновского излучения. // ФТТ (С.-Петербург). - 1998. - 40, N12. - с.2168-2171.

444

15.Габрельян Б.В., Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я. Электронная структура полупроводниковых растворов халькогенидов кадмия. // ФТТ (С.-Петербург). -1999. - 41, N1. - с.41-43.

16. Lavrentyev А.А., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya., Rehr J.J. Ab initio XANES calculations for KC1 and PbS. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1999. - 60. -p.787-790.

17. Gabrelian B.V., Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya. XANES and Unoccupied DOS of Sulfides and Selenides of Zn and Cd. // Phys. Stat. Sol. (b). - 1999. - 215. - p. 10411047.

18.Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Характер зависимости ширины запрещенной полосы от концентрации серы для твердых растворов ZnSxSe(i.X). // Журнал структурной химии. - 2000. - 41, N3. - с.498-504.

19. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Особенности химической связи в тройных халькогенидах А'ВШСУ'.// Журнал структурной химии. - 2000. - 41, N3. - с.515-524.

20. Лаврентьев А.А., Сафонцева Н.Ю. Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Электронно-энергетическая структура полупроводниковых шпинелей In2S3 и CdIn2S4 по данным рентгеновской спектроскопии и теоретических расчетов. // ФТТ-2000.- 42, N11. - с. 1992-1997.

21. Lavrentyev А.А., Gabrelian B.V., Dubeiko V.A., Nikiforov I.Ya., Rehr J.J. The X-ray K-absorption spectra of phosphorus and sulfur in InPS4: experiment and theory. // J.Phys. and Chem. of Solids. - 2000. - 61, N12. - p.2061-2063.

22. Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya., Dubeiko V.A., Gabrelian B.V., Rehr J.J. The use of the FEFF8 code to calculate the XANES and electron density of states of some sulfides. // J.Synchrotron.Rad. - 2001. - Vol.8, Part 2. - p.288-290.

23. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я., Дубейко В.А. Расчет электронных состояний в InPS4 и сравнение с экспериментальными рентгеновскими спектрами. // Журнал структурной химии. - 2001. - 42, N3. - с.597-600.

445

24. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Дубейко В.А., Никифоров И .Я. Влияние положения анионов на электронно-энергетическую структуру соединений CuGaS2 и AgGaS2. // Журнал структурной химии. - 2001. - 42, N3. - с.463-474.

25. Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Домашевская Э.П., Rehr J.J., Ankudinov A.L. d-p.Резонансное взаимодействие в соединениях меди с различными кристаллическими структурами. // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2001. - 3, N2. - с. 107-121.

II. Тезисы докладов конференций:

1. Лаврентьев А.А., Гусатинский А.Н., Бунин М.А., Сливка В.Ю. Рентгеновские спектры и электронная структура полупроводниковых сульфидов A'^'Cj1. // Тез.докл. / IV Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение". - Кишинев. - 1983. - с. 142.

2. Gusatinskii A.N., Blokhin М.А., Lavrentyev А.А., Soldatov A.V., Bunin M.A., Kosakov A.T., Nikolskii A.V. Mutual influence of electronic states within the valence bands of semiconducting compounds according to x-ray spectroscopy. // Abstracts / 10-th Int. Conf. On X-Ray and Inner Shell Processes in Atoms, Molecules and Solids. - Leipzig. - 1984. - p. 170-171.

3. Гусатинский A.H., Блохин M.A., Лаврентьев A.A. Рентгеновские спектры и электронная энергетическая структура полупроводниковых фосфорсодержащих сульфидов. // Тез.докл. / XIV Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. - Иркутск. - 1984. - с.41.

4. Лаврентьев А.А., Гусатинский А.Н., Сливка В.Ю. Рентгеноспектральное исследование полупроводниковых соединений типа А'^'С^1. // Тез.докл. / XIV Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. - Иркутск. - 1984. - с.54.

5. Лаврентьев А.А., Гусатинский А.Н., Боднарь И.В. Особенности электронного энергетического строения полупроводниковых соединений типа A'^'Cj1. //

446

Тез.докл. / XIV Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. - Иркутск. - 1984. - с.55.

6. Гусатинский А.Н., Лаврентьев A.A., Солдатов A.B., Сливка В.Ю. Возможности исследования взаимодействия электронных состояний и особенности строения валентных полос полупроводниковых соединений методами рентгеновской спектроскопии. // Тез.докл. / X Всесоюзное конференция по физике полупроводников. - Минск. - 1985. - с.88-89.

7. Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Сливка В.Ю. Рентгеновские спектры и строение электронно-энергетических полос полупроводниковых соединений типа TAS и Tl3TaS4. // Тез.докл. / Всесоюзное совещание "Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов". - Калинин. - 1985. - с.263.

8. Гусатинский А.Н., Лаврентьев A.A., Блохин М.А. Рентгеноспектральное исследование некоторых полупроводниковых соединений в кристаллической и стеклообразной фазах. // Тез.докл. / Всесоюзное совещание "Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов". - Калинин. - 1985. - с.263.

9. Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Никифоров И .Я., Илясов В.В. Электронно-энергетическая структура полупроводников TlGaS2 и TlInS2. // Тез.докл. / XV Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. - Ленинград. - 1988. -Т.2. - с. 142.

Ю.Сухецкий Ю.В., Гусатинский А.Н., Лаврентьев A.A. О причине аномального изменения ширины запрещенной зоны в сульфидах A'B^J1. // Тез.докл. / XV Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. - Ленинград. - 1988. - т.2. - С.193. ll.Lavrentyev A.A., Safontseva N.Yu., Gusatinskii A.N., Nikiforov I.Ya. X-ray spectrum investigation of some semiconductor chalcogenides in crystal and amorphous phases. // Abstracts / Fifteenth European crystallographic meeting (EMS-15). - Dresden, Jermany. - Zeitschrift fur Kristallographie. - 1994. - Suppl. Is. N8. - p.655.

447

12.Lavrentyev A.A., Gusatinskii A.N., Nikiforov I.Ya., Safontseva N.Yu. X-ray spectra of some ternary crystal and glass semiconductors. // Abstracts / 8-th International Conference on x-ray absorption fine structure. - Berlin, Jermany. - 1994. - Th Fr-29.

13. Лаврентьев A.A., Сафонцева Н.Ю., Никифоров И.Я., Колпачев А.Б. Строение электронно-энергетических полос и особенности химической связи некоторых алмазоподобных полупроводников. // Тез.докл. / Всероссийская научно-техническая конференция "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". - Таганрог. - 1995. - ч.2. - с.З.

14. Lavrentyev А.А., Nikiforov I.Ya. Investigation of crystalline and glass phases of semiconductor compounds As2'S3, AsSJ, AgAsS2, GeS2 and GeAsS by x-ray spectroscopy. // Abstracts / Proceedings of XVII International Congress on Glass. - Guanz-huang, Beijing. - 1995. - Vol.2. - p.342-346.

15.Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И .Я. Электронная структура полупроводниковых растворов CdSxSe(i.X). // Тез.докл. / III Всероссийская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 97". - Москва. - 1997. -ВтСБ-08. - с.204.

16. A.A.Lavrentyev, B.V.Gabrelian, I.Ya.Nikiforov, JJ.Rehr. The application of FEFF7 program to calculate XANES spectra of compounds with NaCl structure. // Abstracts / X International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS X. - Chicago, USA. - 1998. - T5.l-17.-p.117.

17. A.A.Lavrentyev, B.V.Gabrelian, I.Ya.Nikiforov . The experimental and calculated XANES of K-spectra of the compounds I-III-VI2. // Abstracts / X International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS X. - Chicago, USA. - 1998. -T5.l-18.-p.117.

18.Y.F.Migal, A.A.Lavrentyev. Determination of unit cell parameter and empirical potential of PbS compound by using XANES data. // Abstracts / X International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS X. - Chicago, USA. - 1998. -T5.2-17.-p.134.

19. A.A.Lavrentyev, B.V.Gabrelian, I.Ya.Nikiforov. X-ray absorption spectra and densities of electron states in ZnS, ZnSe, CdS and CdSe. // Abstracts / X International Con

448 ference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS X. - Chicago, USA. - 1998. -T5.4-33.-p.161.

20. A.A.Lavrentyev, B.V.Gabrelian, I.Ya^Nikiforov. To the crystallochemical properties of chalcopyrite compounds. // Abstracts / Eighteenth European Crystallographic Meeting - ESM 18: Materials Structure on Chemistry, Biology, Physics and Technology. - Praha, Chech Republic. - 1998. - C5-P66. - p.378.

21. А.Лаврентьев, Б.В.Габрельян, И.Я.Никифоров. Особенности химсвязи в тройных халькогенидах А'В111^1. // Тез.докл. / XVI научная школа - семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Ижевск, Удмуртская республика. - 1998. - с. 144.

22. Б.В.Габрельян,А.А.Лаврентьев,И.Я.Никифоров. Характер зависимости ширины запрещенной полосы от концентрации серы для твердых растворов ZnSxSe(ix). // Тез.докл. / XVI научная школа - семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Ижевск, Удмуртская республика. - 1998. -с.145.

23. Gabrelian B.V., Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya., Dubeyko V.A. The calculation of the electron states in InPS4 and the comparison with the experimental x-ray spectra. // Abstracts / 3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy -Yekaterinburg, Russia. - 1999. -p.32.

24. Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya. Electronic energy structure of diamond and its isoelectronic and isostructural binary (BN) and ternary (BeCN2) analogues. // Abstracts / 3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy - Yekaterinburg, Russia. - 1999. - p.54.

25. Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya. The influence of the crystallographic parameters of the electronic-energy structure of chalcopyrites A'B111^1. // Abstracts / 3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy -Yekaterinburg, Russia. - 1999. -p.55.

26. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Зависимость от состава ширины оптической запрещенной полосы в твердых растворах ZnSxSeix. //

449

Тез.докл. / IV Российская конференция по физике полупроводников. - Новосибирск. - 1999. - ЧтС-57.

27. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Дубейко В.А., Никифоров И.Я. Расчет полных плотностей электронных состояний и оценка по ним ширин запрещенных полос в твердых растворах CuGa(SxSeix)2. // Тез.докл. / XVIII научная школа - семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Воронеж. -2000.-c.14.

28. Лаврентьев A.A., Дубейко В.А.,Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Рентгеновские спектры и расчет плотностей электронных состояний в сложных полупроводниках Tl3AsS3, T13PS4 и T13AsS4. // Тез.докл. / XVIII научная школа - семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Воронеж. -2000. - с.38.

29. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Дубейко В.А., Никифоров И.Я. Электронно-энергетическое строение ряда халькопиритоподобных соединений AgGaS2 -CdGa2S4 - InPS4. // Тез.докл. / XVIII научная школа - семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Воронеж. - 2000. - с.39.

30. Lavrentyev, Gabrelian B.V., Dubeiko V.A., Nikiforov I.Ya., Rehr J.J. The use of FEFF8 code to calculate XANES and electron density of states of some sulfides. // Abstract P2-039 (XAFS Analysis)/ XI International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS XI. - Ako, Japan. July 26-31.- 2000. - p. 182.

III. Депонированные рукописи ВИНИТИ:

1. Волков В.Ф., Еритенко А.Н., Лаврентьев A.A. Применение метода Монте-Карло для вычисления некоторых характеристик взаимодействия электронов с энергиями 20-30 кэВ с веществом. // Деп. ВИНИТИ. - 25.07.75г. - N2229-75. -13с.

2. Волков В.Ф., Еритенко А.Н., Лаврентьев A.A. Расчет методом Монте-Карло интенсивности рентгеновского излучения. // Деп. ВИНИТИ. - 18.08.75г. -N2482-75.-8с.

450

3. Гусатинский А.Н., Шумихен П., Блохин М.А., Лаврентьев A.A., Михайлова С.С. Исследование методами рентгеновской и рентгеноэлектронной спектроскопии электронных ^ш-состояний индия в его соединениях. // Деп. ВИНИТИ. -5.02.81г.-N567-81.- 11с.

4. Гусатинский А.Н., Блохин М.А., Шумихен П., Лаврентьев A.A., Михайлова С.С. Исследование электронной структуры индия по его рентгеновским ¿/-спектрам. // Деп. ВИНИТИ. - 5.02.81г. -N569-81. - 16с.

5. Летнев В.А., Солдатов A.B., Гусатинский А.Н., Лаврентьев A.A. Рентгеноспек-тральное исследование структуры энергетических зон полупроводниковых соединений Sb2S3 и Bi2S3. // Деп. ВИНИТИ. - 8.09.82г. -N4926-82. - 13с.

6. Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Блохин М.А., Козаков А.Т., Никольский A.B., Сливка В.Ю. Рентгеноспектральное исследование электронно-энергетического строения и химической связи полупроводниковых соединений InPS4, TI3PS4 и Sn2P2S6. //Деп. ВИНИТИ. - 2.04.85г. -N2224-85. - 32с.

7. Гусатинский А.Н., Лаврентьев A.A., Блохин М.А., Солдатов A.B., Летнев В.А., Боднарь И.В. Рентгеновские спектры и особенности электронно-энергетического строения полупроводниковых соединений типа А'В111^1. // Деп. ВИНИТИ. - 5.05.85г. -N2959-85. - 69с.

8. Гусатинский А.Н., Лаврентьев A.A., Солдатов A.B. Влияние гибридизационно-го резонанса на структуру электронно-энергетических полос в твердых телах. // Деп. ВИНИТИ. - 27.05.85г. -N3652-85. - 33с.

9. Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Сливка В.Ю. Электронное строение полупроводниковых соединений типа A'^'Cj1 по данным рентгеновской спектроскопии. // Деп. ВИНИТИ. - 16.07.85г. - N5075-85. - 14с.

Ю.Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Блохин М.А., Солдатов A.B., Летнев В.А., Боднарь И.В. Особенности электронно-энергетической структуры полупроводниковых соединений типа A'B111^1 по данным рентгеновской спектроскопии. // Деп. ВИНИТИ. - 16.08.85г. -N6078-85. - 20с.

451

П.Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Виноградова Г.З., Сливка В.Ю. Рентгеновские спектры некоторых полупроводниковых соединений в кристаллической и стеклообразной фазах. // Деп. ВИНИТИ. - 19.08.85г. - N6114-85. - 27с.

12. Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Сливка В.Ю. Рентгеноспектральное исследование электронно-энергетической структуры полупроводниковых соединений типа TAS и Tl3TaS4. // Деп. ВИНИТИ. - 4.10.85г. - N7039-85. - 27с.

13. Лаврентьев A.A., Гусатинский А.Н., Солдатов A.B., Сухецкий Ю.В., Триппель А.Ф., Салов A.B. Электронно-энергетическое строение полупроводниковых соединений типа А'Е^С^1 по данным рентгеновской спектроскопии. // Деп. ВИНИТИ. - 15.08.86г. -N5793-B86. - 17с.

14.Сафонцева Н.Ю., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Электронная энергетическая структура некоторых алмазоподобных полупроводников. // Деп. ВИНИТИ. - 12.08.93г. -N2267-B93. -23с.

15. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. О форме рентгеновских спектров поглощения калия и хлора в KCl. // Деп. ВИНИТИ. - 16.04.97г. - N1292-В97. - 16с.

16. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Исследование электронной структуры твердых растворов на основе халькогенидов кадмия. // Деп. ВИНИТИ. - 24.12.97г. -N3744-B97. -37с.

П.Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Электронная структура зоны проводимости соединений А'ВШС^. // Деп. ВИНИТИ. - 14.09.98г. - N2790-B98. -29с.

18. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Электронная структура зоны проводимости кубических халькогенидов типа AnBVI. // Деп. ВИНИТИ. -14.09.98г. - N2791-В98. -20с.

19. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Влияние структурных факторов на электронную энергетическую структуру твердых растворов ZnSxSe(1.X). // Деп. ВИНИТИ. - 8.02.99г. - N408-B99. - 26с.

452

20. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Электронно-энергетическая структура халькопиритов А'ВШС^': Экспериментальное и теоретическое исследование. // Деп. ВИНИТИ. - 3.03.99г. - N662-B99. - 33с.

21. Лаврентьев A.A., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Экспериментальные и теоретические рентгеновские K-спектры поглощения серы и фосфора в ряду соединений AgGaS2 - CdGa2S4 - InPS4. // Деп. ВИНИТИ. - 9.02.00г. -N298-B2000. - 20с.

22. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Дубейко В.А., Никифоров И.Я. Влияние положения анионов на электронно-энергетическую структуру соединений а1вшс?. // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.00г. -N821-B2000. - 32с.

23. Лаврентьев A.A., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Рентгеновские спектры и электронно-энергетическая структура полупроводниковых шпинелей In2S3 и CdIn2S4. // Деп. ВИНИТИ. - 10.04.00г. -N958-B2000. - 36с.

24. Лаврентьев A.A., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Оптические явления в полупроводниках и расчеты комбинированной плотности состояний для интерпретации тонкой структуры спектров оптического отражения R(E). // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. -N782-B2001. - 35с.

25. Лаврентьев A.A., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Расчеты плотностей электронных состояний и рентгеновского спектра поглощения в соединении NaBiS2 (тип A1BVC2I) и сопоставление их с экспериментальными данными. // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. -N783-B2001. - 7с.

26. Лаврентьев A.A., Домашевская Э.П., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Теоретические расчеты p-d резонансного взаимодействия для различных кристаллических структур.//Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. -N784-B2001. - 38с.

27. Лаврентьев A.A., Домашевская Э.П., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. К вопросу о нелинейном характере запрещенной полосы Eg в твердых растворах CuxAglxBmC^. // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. -N785-B2001. - 27с.

1. Wei S.-H., Zunger A. Role of metal d-states in II-VI semiconductors. // Phys. Rev. B. 1988. - 37, N15. - p.8958-8981.

2. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982. 528с.

3. Сафонцева Н.Ю. Электронная энергетическая структура некоторых алмазо-подобных полупроводников: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1993. 185с.

4. Gamble F.R. Ionicity, atomic radii and structure in the layered dichalcogenides of group VIB, VB and VIB transition metals. // J. Solid State Chem. 1974. - 9. -p.358-367.

5. Shannon R.D., Vincent H. Relationship between covalency, interatomic distance and magnetic properties in halides and chalcogenides. // Struct. Bonding. 1974. -19.-p.l-43.

6. Euwema R.N., Collins T.C., Shankland D.G., Dewitt J.S. Convergence study of a self-consistent orthogonalized planewave band calculation for CdS. // Phys. Rev. -1967.-162. -p.710-715.

7. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. М.: Гос. изд-во технико-теоретической литературы, 1957. 518с.

8. Иванов А.В., Тимакова Л.Д. Рентгеновские спектры и строение энерегетичес-ких зон чистой серы. // Оптика и спектроскопия. 1970. - 29. - с.805-807. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. -Л. : Изд-во ЛГУ, 1971. - 132с.

9. Михайлова С.С. Рентгеновские спектры и электронная структура сульфидов 3d- и 4ё-переходных металлов: Дис. канд. физ.-мат. наук, Свердловск, 1976.-140с.

10. Терехов В.А. Рентгеноспектральные исследования электронной структуры фосфидов и сульфидов металлов 1В, Пв и IIIa групп: Дис. канд. физ.-мат. наук: Воронеж, 1977. 181с.

11. Sugiura С., Gohshi Y., Suzuki I. Sulfur Kp x-ray emission spectra and electronic structures of some metal sulfides. // Phys. Rev. B. 1974. -10, N2. -p.338-343.

12. Нарбут К.И. Рентгеновские Ка12- и i^g-спектры атомов серы, входящие в состав минералов и некоторых химических соединений. // Изв. АН СССР Сер. физич. 1974. - 38, N3. - с.548-561.

13. Zahorowski W. SXS of some cadmium A2B6 semiconductor compounds. // Proc. Int. Conf.:"Inner-Shell and X-Ray Phys. Atoms and Solids". Stirling. - 1980. -p.589-592.

14. Jaffe J.E., Zunger A. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1984. - 29, N4. - p.1822-1906. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. - M.: Советское радио, 1968.-268с.

15. Shay J.L., Tell В. Energy band structure of I-III-VI2 semiconductors. // Surface Science. 1973. - 37. - p.748-762.

16. Лазарев В.Б., Киш 3.3., Переш Е.Ю., Семрад Е.Е. Сложные халькогениды в системах А^В111-^1. М.: Металлургия, 1993. - 240с.

17. Balberg I., Albin D., Noufi R. Towards optimization and understanding of the photoelectronic properties in CuGaSe2. // Appl. Phys. Lett. 1991.- 58, N2. -p. 140-142.

18. Basol B.M. I-III-VI2 compound semiconductors for solar cell applications. // J. Vac. Sci. Technol. 1992. - A10, N4. - p.2006-2012.

19. Хазитарханов Ю.А., Сусликов Л.М., Гадьмаши З.П., Сливка В.Ю. Зонная структура и особенности двулучепреломления кристаллов тиогаллата серебра. // Квантовая электроника (Киев). 1993. - 44. - с.24-38.

20. Rincon C., Gonzalez J., Perez G.S. Optical Absorption of CuInSe2 in Bulk Single

21. Crystal. // Phys. stat. sol. (b). 1981. - 108, N1 . -p.K19-K22.

22. Masse G. Concerning lattice defects and defect levels in CuInSe2 and I-III-VI2compounds. // J. Appl. Phys. 1990. - 68, N5. - p.2206-2210.

23. Yamamoto Т., Katayama-Yoshida H. Physics and control of conduction type in

24. CuInS2 with defect chalcopyrite structure. // Jap. J. of Appl. Phys. Pt.2 1995.34, N12A. -p.L1584-L1587.

25. Choi In-H., Yu P. Observation of metastable deep acceptor states in AgGaS2 from donor-acceptor pair-emission spectra. // Phys. Rev. B. 1997. - 56, N8. -p.R4321-R4324.

26. Боднарь И.В., Ворошилов Ю.В., Лукомский А.И. Получение и ширина запрещенной зоны твердых растворов системы CuGaS2-CuGaSe2. // Неорганич. материалы. 1977. - 13, N5. - с.921-922.

27. Samanta L.K., Ghosh D.K., Bhar G.C. Optical nonlinearity, band-structure parameters, and refractive indices of some mixed chalcopyrite crystals. // Phys. Rev. B. 1986. - 33, N6. - p.4145-4148.

28. Samanta L.K., Ghosh D.K., Bhar G.C. Linear, nonlinear optical, and related properties of some mixed Cu-Bni-CVI2 chalcopyrites. // Phys. Rev. B. 1987. - 35, N9.-p.4519-4521.

29. Quintero M., Rincon C., Grima P. Temperature variation of energy gaps and deformation potentials in CuGa(SzSeiz)2 semiconductor alloys. // J. Appl. Phys. -1989. 65, N7. - p.2739-2743.

30. Sato К., Tanaka K., Ishii K., Matsuda S. Crystal growth and photoluminescence studies in Fe-doped single crystals of CuAl!.xGaxS2. // J. Cryst. Growth. 1990. -99, N1. -p.772-775.

31. Gebicki W., Igalson M.,Trykozko R. CuAlxInixSe2 and (2ZnSe)x(CuInSe2)ix mixed semiconductors new chalcopyrite type materials. // Acta phys. pol. Ser.A. - 1990. - 77, N2-3. - p.367-369.

32. Агекян В.Ф., Раджаб Д., Серов А.Ю. Оптические спектры и структура валентной зоны твердого раствора AgGaS2(ix)Se2x. // ФТТ. 1990. - 32, N2. -с.622-624.

33. Do Y.R., Kershaw R., Dwight K., Wold A. The crystal growth and characterization of the solid solutions (ZnS)i„x(CuGaS2)x. // J. Solid State Chem. -1992. 96. - p.360-365.

34. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Т.1. М.: Мир, 1983. - 381с.

35. Немнонов C.A., Михайлова C.C., Минин В.И. Электронная структура металлических соединений NiS, CuS и полупроводникового ZnS. // ФММ. 1975. -39, N3. - с.548-561.

36. Domashevskaya Е.Р., Terekhov V.A. d-s,p Resonanse and Electronic Structure of Compounds, Alloys and Solid Solutions. // Phys. stat. sol. (b). 1981. - 105, N2. -p.121-127.

37. Терехов В.А., Андреещев В.М., Голикова О.А., Горбачев В.В., Ильин Ю.А., Домашевская Э.П. Рентгеноспектральные и рентгеноэлектронные исследования электронной структуры твердых растворов. // Изв. АН СССР Сер. физич. 1982. - 46, N4. - с.749-752.

38. Yoodee K., Woolley J.C., Sa-yakanit V. Effects of p-d hybridization of the valence band of I-III-VI2 chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1984. - 30, N10. -p.5904-5915.

39. Jaffe J.E., Zunger A. Electronic structure of ternary chalcopyrite semiconductors CuA1S2, CuGaS2, CuInS2, CuAlSe2, CuGaSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev. B. -1983. 28, N10. - p.5822-5847.

40. Поплавной A.C., Полыгалов Ю.И. Структура энергетических зон соединений CuGaS2, CuGaSe2 и CuGaTe2. // Изв. АН СССР Неорг. матер. 1971. - 7, N10. -с.1706-1710.

41. Jaffe J.E., Zunger A. Anion displacements and the band-gap anomaly in ternary ABC2 chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1983. - 27, N8. - p.5176-5179.

42. Rife J.C., Dexter R.N., Bringenbaygh P.M., Veal B.W. Optical properties of the chalcopyrite semiconductors ZnGeP2, ZnGeAs2, CuGaS2, CuA1S2, CuInSe2 and AgInSe2. //Phys. Rev. B. 1977. -16, N10. -p.4491-4500.

43. Sommer H., Leonhardt G., Meisel A., Hirsh D. Investigation of the band structure of ternary semiconductors by means of x-ray emission and photoelectron spectroscopies. // Jap. J. of Appl. Phys. 1978. - 17. - p.278-280.

44. Braun W., Goldmann A., Cardona M. Partial density of valence states of amorphous and crystalline AgInTe2 and CuInS2. // Phys. Rev. B. 1974. - 10, N12. -p.5069-5074.

45. Sainctavit Ph., Petiau J., Flank A.M., Ringeissen J., Lewonczuk S. XANES in chalcopyrites semiconductors: CuFeS2, CuGaS2, CuInSe2. // Physica B. 1989. -158. -p.623-624.

46. Petiau J., Sainctavit Ph., Calas G. К X-ray Absorption Spectra and Electronic Structure of Chalcopyrite CuFeS2. // Materials Science and Engineering. 1988. -Bl. -p.237-249.

47. Toyoda Т., Masujima Т., Shiwaku H., Nakanishi H., Endo S., Irie Т., Shiozaki I., Iida A., Kawata H., Ando M. X-ray photoacoustic absorption spectra of CuInSe2. // J. Cryst. Growth. 1990. - 99, N1. - p.762-765.

48. Shirakata S., Murakami K., Isomura S. Electroreflectance studies in CuGaS2. // Jap. J. of Appl. Phys. 1989. - 28, N9. - p.1728-1729.

49. Mach R., Flogel P., Suslina L.G., Areshkin A.G., Maege J., Voigt G. The influence of compositional disorder on electrical and optical properties of ZnSxSeix single crystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. -109. - p.607-615.

50. Mikkelsen J.C., Jr., Boyce J.B. Atomic-scale structure of random solid solutions: Extended x-ray-absorption fine-structure study of GaixInxAs. // Phys. Rev. Lett. -1982. -49, N19. -p.1412-1415.

51. Mikkelsen J.C., Jr., Boyce J.B. Extended x-ray-absorption fine-structure study of GaixInxAs random solid solutions. // Phys. Rev. B. 1983. - 28, N12. - p.7130-7140.

52. Mustre de Leon J., Rehr J.J., Zabinsky S.I., Albers R.C. Ab initio curved-wave x-ray-absorption fine structure. // Phys. Rev. B. 1991. - 44, N9. - p.4146-4156.

53. Boyce J.B., Mikkelsen J.C., Jr. Local structure of ionic solid solutions: Extended x-ray absorption fine-structure study. // Phys. Rev. B. 1985. - 31, N10. - p.6903-6905.

54. Wei S.-H., Zunger A. Chemical trends in band offsets of Zn- and Mn-based II-VI superlattices: d-level pinning and offset compression. // Phys. Rev. B. 1995. -53, N16. - p.R10457-R10460.

55. Wei S.-H., Zunger A. Disorder effects on the density of states of the II-VI semiconductor alloys Hgo.5Cdo.5Te, Cdo.5Zno.5Te and Hgo.5Zno.5Te. // Phys. Rev. B. -1991.-43, N2. p. 1662-1677.

56. Oguchi T., Hamajima T., Kambara T., Gondaira K.I. Electronic band structures of I-III-VI2 compounds. // Jap. J. Appl, Phys. 1980. -19, Suppl. 19-3. - p. 107-110.

57. Блохин M.А. Методы рентгеноспектральных исследований. // М.:Гостехиздат, 1959. 386с.

58. Гильварг А.Б. Применение чистого изгиба кристаллических пластин в кристаллодержателях для фокусирующих рентгеновских спектрографов. // Доклады АН СССР.- 1950.- 72, N3. с.489-491.

59. Гусатинский А.Н. Рентгеноспектральное исследование межатомного взаимодействия в полупроводниковых АШВУ и других неметаллических соединениях. // Дис. . канд. физ.-мат. наук, ИФМ АН СССР, Свердловск, 1971.-253с.

60. Блохин М.А., Швейцер И.Г. Рентгеноспектральный справочник. М.: Наука, 1982.-376с.463

61. Альперович Г.И. Рентгеноспектральное исследование и расчет методом функций Грина электронной структуры монофосфидов переходных и редкоземельных металлов. // Дис. . канд. физ.-мат. наук, Ростовский госуниверситет, г.Ростов-на-Дону, 1978. 127с.

62. Таблицы полных массовых коэффициентов ослабления характеристического рентгеновского излучения. Методические рекомендации. Составители: Маренков О.С., Комков Б.Г. // ЛНПО "Буревестник", Ленинград, 1978. 274с.

63. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. // Ленинград: изд-во ЛГУ, 1971. 132с.

64. Krause М.О. Rewaluation of energies of V to Mo. // Phys.Lett.- 1979,- A74, N5. p.303-304.

65. Gyorffy B.L., Stott M.J. A one electron theory of soft x-ray emission from random alloys. // Band structure spectroscopy of metals and alloys. Ed. by Fabian D., London; New York, 1973. - p.385-403.

66. House D., Gyorffy B.L., Stocks G.M. The coherent potential approximation for a cluster of nonoverlapping scatterers. // J. de Physique (Paris). 1974. - 35, N5. -p.C4-81 - C4-85.

67. Никифоров И.Я., Штерн E.B. Электронная структура неупорядоченных сплавов замещения Al-Cu в приближении средней t-матрицы. // Физ. металлов и металловед. 1979. - 48, N4. - с.679-690.

68. Рабинович М.Н., Штерн Е.В., Никифоров И.Я. Методика расчета электронной энергетической структуры Nb3Al в кластерном приближении. // Деп. в ВИНИТИ. Ростов н/Д. - 1985. - №1245. - 27с.

69. Nikiforov I.Ya., Kolpachev А.В. Electronic structure of niobium nitrocarbides. // Phys. stat. sol. (b). 1988. - 148, N2. - p.205-211.

70. Колпачев А.Б., Никифоров И.Я. Электронная структура и сверхпроводящие свойства карбонитридов ниобия. // Физ. металлов и металловед. 1988. - 66, N4. - с.827-830.464

71. Nikiforov I.Ya., Stern E.V. Electron structure investigation of the disordered alloys with ATA-method. // Proc. 9th Annual symp. "Electronic structure of metals and alloys" / Gaussig, (GDR), 1979. p.141-149.

72. Штерн E.B. Электронная структура бинарных неупорядоченных сплавов замещения А1 с Sd-металлами и Nb-W: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1981. -222с.

73. Никифоров И.Я. Электронная структура твердых тел и ее исследование на многокристальных рентгеновских спектрометрах: Дис. доктора физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1982. 354с.

74. Эренрайх Г., Шварц JL Электронная структура сплавов. М.: Мир, 1979. -200с.

75. Stocks G.M., Temmernan W.M., Gyorffy B.L. Complete solution of the Korringa-Konn-Rostoker Coherent-Potential-Approximation Equations: Cu-Ni alloys. // Phys. Rev. Lett. 1978. - 41, N5. - p.339-343.

76. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. -М.: Мир, 1978. 662с.

77. Вольф Г.В., Дякин В.В., Широковский В.П. Кристаллический потенциал для кристаллов с базисом. // Физ. металлов и металловед. 1974. - 38, N6. - с.949-956.

78. Herman F., Skillman S. Atomic structure calculations. // New Jersey: Prentice Hall: Englwood Cliffs, 1963. 421c.

79. Slater J.S. A simplification of Hartree-Fock method. // Phys. Rev. 1951. - 81, N3. - p.385-390.

80. Hedin L., Lundqvist B.I. Explicit local exchange correlation potentials. // J. Phys. C. 1971. - 4, N14. - p.2064-2084.

81. Немошкаленко B.B., Кучеренко Ю.Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронные состояния в неидеальных кристаллах. -Киев: Наукова думка, 1986. -295с.

82. Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы.- М.: Мир, 1969.- 648 с.465

83. Авилов В.В. О вычислении постоянной Маделунга кристаллов. // ФТТ. -1972. 14, N9. - с.2550-2554.

84. Шифф JI. Квантовая механика. М.: Мир, 1957. - 473с.

85. Gyorffy B.L., Stocks G.M. On the CPA in a muffin-tin model potential theory of random substitutional alloys. // J. de Physique (Paris). 1974. - 35, N5. - p.C4-75 -C4-80.

86. Тейлор Дж. Теория рассеяния. М.: Мир, 1975. - 566с.

87. Gyorffy B.L. Coherent-potential approximation for a nonoverlapping muffin-tin model of random substitutional alloys. // Phys. Rev. B. 1972. - 5, N6. - p.2382-2384.

88. Арфкен Г. Математические методы в физике. М.: Атомиздат, 1970. - 712с.

89. Ankudinov A.L., Ravel В., Rehr J.J., Conradson S.D. Real-space multiple-scattering calculation and interpretation of x-ray-absorption near-edge structure. // Phys.Rev.B. 1998. - 58, N12. - p.7565-7576.

90. Ankudinov A.L. Real-space multiple-scattering approach to XANES.// J.Synchrotron Rad. 1999. - 6, N3. - p.236-238.

91. Zabinsky S.I., Rehr J.J., Ankudinov A., Albers R.C., Eller M.J. Multiple-scattering calculations of x-ray-absorption spectra. // Phys.Rev.B. 1995. - 52, N4. - p.2995-3009.

92. Durham P.J., Pendry J.B., Hodges C.H. Calculations of x-ray absorption near-edge structure, XANES. // Computer Physics Commun. 1982. - 25. - p. 193-205.

93. Wu Z.Y., Ouvrard G., Gressier P., Natoli C.R. Ti and О K-edges for titanium oxides by multiple scattering calculations: Comparison to XAS and EELS spectra. // Phys.Rev.B. 1997. - 55, N16. - p. 10382-10391.

94. Muller J.E., Jepsen O., Wilkins J.W. X-ray absorption spectra: K-edges of 3d transition metals, L-edges of 3d and 4d metals, and M-edges of palladium. // Solid State Commun. 1982. - 42, N5. -p.365-368.

95. Albers R.C., Mc Mahan A.K., Muller J.E. Electronic and x-ray-absorption structure in compressed copper. // Phys. Rev.B. 1985. - 31, N6. - p.3435-3450.

96. Займан Дж. Вычисление блоховских функций. М.: Мир. - 1973. -159с.466145. von Barth U., Hedin L. A local exchange-correlation potential for the spin polarized case: I. // J.Phys.C: Solid State Phys. 1972. - 5. - p. 1629-1642.

97. Mattheiss L.F. Energy Bands for Solid Argon. // Phys.Rev. 1964. - 133, N5 A. -p.A1399-A1403.

98. Маттис Jl., Вуд Дж., Свитендик А. Расчет электронных энергетических зон с помощью симметризованных присоединенных плоских волн. В книге "Вычислительные методы в теории твердого тела". М.: Мир, 1975. - с.75-163.

99. Lowdin P.O. Quantum theory of cohesive properties of solids. // Advan.Phys. -1956. 5, N1. - p.1-15.

100. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Т.2 М.: Мир, 1983. - 332с.

101. Rehr J.J., Albers R.C. Scattering-matrix formulation of curved-wave multiple-scattering theory: Application to x-ray-absorption fine structure. // Phys. Rev. B.-1990.-41, N12.- p.8139-8149.

102. Fujikawa T. Approximate speherical wave thermal factors in XAFS. // J.Phys.Soc.Jpn. 1993. -62. -p.2155-2165.

103. Chou S.-H., Rehr J.J., Stern E.A., Davidson E.R. Ab initio calculation of extended x-ray-absorption fine structure in Br2. // Phys.Rev.B. 1987. - 35, N6. - p.2604-2614.

104. Sham L.J., Kohn W. One-particle properties of an inhomogeneous interacting electron gas. // Phys.Rev. 1966. -145, N2. - p.561-567.

105. Lee P.A., Beni G. New method for the calculation of atomic phase shifts: Application to extended x-ray absorption fine structure (EXAFS) in molecules and crystals. //Phys.Rev.B. 1977. -15, N6. - p.2862-2883.

106. Trishka J.W. Structure in the X-Ray К Absorption Edges of Solid Potassium Chloride. // Phys. Rev. 1945. - 67, N11-12. - p.318-320.

107. Вайнштейн Э.Е., Баринский Р.Л., Нарбут К.И. К теории рентгеновских спектров поглощения. // ЖЭТФ. 1954. - 27, N4. - с.521-528.467

108. Костарев А.И., Боровский И.Б. К теории рентгеновских спектров поглощения. // ЖЭТФ. 1954. - 26, N3. - с.377-383.

109. Эланго М.А., Майсте А.А., Руус Р.Э. Рентгеновские спектры твердых тел как источники информации об атомных процессах. // Труды Института Физики АН Эстонской ССР. 1983. - 54. - с. 148-166.

110. Parrat L.G. Electronic Band Structure of Solids by X-Ray Spectroscopy. // Rev. Modern Phys. 1959. - 31, N3. - p.616-645.

111. Parrat L.G., Hempstead C.F., Jossem E.L. Thickness Effect in Absorption Spectra near Absorption Edges. // Phys. Rev. 1957. -105, N4. - p.1228-1232.

112. Parrat L.G., Jossem E.L. X-Ray exited states ("exitons") and width of valence band in KC1. // J. Phys. Chem. Solids. 1957. - 2. - p.67-71.

113. Gegusin I.I., Datsyuk V.N., Novakovich A.A., Bugaev L.A., Vedrinskii R.V. Multiple Scattering Approach to the XANES Theory of Alkali Halide Crystals. // Phys. Stat. sol. (b). 1986. - 134. -p.641-650.

114. Vedrinskii R.V., Bugaev L.A., Gegusin I.I., Kraizman V.L., Novakovich A.A., Prosandeev S.A., Ruus R.E., Maiste A.A., Elango M.A. X-ray absorption near edge structure (XANES) for KC1. // Solid State. Commun. 1982. - 44, N10. -p.1401-1407.

115. Datsyuk V.N., Gegusin I.I., Vedrinskii R.V. Multiple Scattering Approach to the XANES Theory of Alkali Halide Crystals. // Phys. stat. sol. (b). 1986. - 134. -p.175-183.

116. Ведринский P.B., Новакович A.A. Метод функций Грина в одноэлектронной теории рентгеновских спектров неупорядоченных сплавов. // ФММ. 1975. -39, Nl.-c.7-15.

117. Sugiura С., Hayasi Y. Soft x-ray spectra of lead sulfide. // Jap. J. Appl. Phys. -1972. 11, N3. -p.327-330.

118. Солдатов A.B., Иванченко T.C., Бианкони А. Учет влияния кристаллической структуры на формирование SiT-спектра XANES в PbS. // Оптика и спектроскопия. 1994. - 77, N3. - с.421-423.468

119. Ведринский Р.В., Гегузин И.И. Рентгеновские спектры поглощения твердых тел. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 184с.

120. Sainctavit Ph., Petiau J., Benfatto M., Natoli C.R. Comparison between XAFS experiments and multiple-scattering calculations in silicon and zincblende. // Physica B. 1989. -158. - p.347-350.

121. Meijer P.H.E., Pecheur P., Toussaint G. Electronic structure of the Cd Vacancy in CdTe. // Phys. stat.sol. (b). 1987. - 140. -p.155-162.

122. Chen A.-B., Sher A. Sensitivity of defect energy levels to host band structures and impurity potentials in CdTe. // Phys. Rev. B. 1984. - 31, N10. - p.6490-6497.

123. Zakharov O., Rubio A., Blase X., Cohen M.L., Louie S.G. Quasiparticle band structures of six II-VI compounds: ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, and CdTe. // Phys. Rev. B. -1994. 50, N15. -p.10780-10787.

124. Kisel A., Dalba G., Fornasini P., Podgorny M., Oleszkiewicz J., Rocca F., Burattini E. X-ray-absorption spectroscopy of ZnTe, CdTe, and HgTe: Experimental and theoretical study of near-edge structures. // Phys. Rev. B. -1989. 39, N11. - p.7895-7904.

125. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир, 1971.-304с.

126. Shannon R.D., Prewitt С.Т. Effective ionic radii in oxides and fluorides. // Acta Crystallogr. 1969. - 25B. - p.925-945.

127. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Piezoelectric nonlinear optic CuGaS2 crystal structure: Sublattice distortion in А'В11'^1 and AnBIVC2 type chalcopyrites. // J. Chem. 1973. - 59, N10. -p.5415-5422.

128. Cavell R.G., Kowalczyk S.P, Ley L., Pollak R.A., Mills В., Shirley D.A., Perry W. X-ray photoemission cross-section modulation in diamond, silicon, germanium, methane, silcone and germane. // Phys.Rev.B. 1973. - 7, N12. -p.5313-5316.

129. McFeely F.R., Kowalczyk S.P., Ley L., Cavell R.G., Pollak R.A., Shirley D.A. X-ray photoemission studies of diamond, graphite, and glassy carbon valence bands. // Phys.Rev.B. 1974. - 9, N12. - p.5268.

130. Jimenez I., Terminello L.J., Sutherland D.G.J., Carlisle J.A., Shirley E.L., Himpsel F.J. Accurate valence band width of diamond. // Phys.Rev.B. 1997. - 56, N12. -p.7215-7221.

131. Wiech G., Zöpf E. Electronic Density of States. Ed. H. Bennett. National Bureau of Standards. Special Publication 323. Washington. - 1971. - p.335.

132. Jaoneu M., Rehr J.J., Ravel B. Extended fine structures in diamond and related materials. // J.Phys.IV France. 1997. - 7. - p.C2-265-C2-266.

133. Фомичев B.A. Исследование энергетической структуры В и BN методом ультрадлинноволновой рентгеновской спектроскопии. // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1967. - XXXI, N6. - с.957-964.

134. Muramatsu Y., Kouzuki Н., Motoyama М., Agui A., Shin S., Kawai J., Kato H., Oshima M. BK X-ray Emission Spectra of Hexagonal (h-), Wrutz (W-) and Cubic (C-) Boron Nitrides Excited by Undulator Radiation. // Photon Factory Activity Rep. 1994-1995.

135. Filatova E., Pavlychev A.A., Blessing C., Friedrich J. Orientation dependence of X-ray reflection from BNhex in the energy region of В and N K-edges. // Physica B. 1995. - 208-209. -p.417-418.

136. Немошкаленко B.B., Алешин В.Г. Зонная структура и рентгеновские эмиссионные спектры кристаллов BN, SiC и BP. // Физ. тверд, тела. 1970. -12, N1. - с.59-62.

137. Agui A., Shin М., Fujisawa М., Tezuka Y., Ishii Т., Muramatsu Y., Mishima О., Era К. Resonant soft-x-ray emission study in relation to the band structure of с BN. // Phys.Rev.B. 1997. - 55, N4. - p.2073-2078.

138. Zunger A., Freeman A.J. Ab initio self-consistent study of the electronic structure and properties of cubic boron nitride. // Phys.Rev.B. 1978. -17, N4. - p.2030-2041.

139. Wentzcovitch R.M., Cohen M.L., Lam P.K. Theoretical study of BN, BP and BAs at high pressures. // Phys.Rev.B. 1987. - 36, N11. - p.6058-6067.470

140. Илясов В.В., Сафонцева Н.Ю., Никифоров И.Я. Электронная структура и природа химической связи нитрида бора в сфалеритной модификации. // Физ. тверд, тела. 1994. - 36, N2. - с.451-459.

141. Брудный B.H., Воеводина O.B., Воеводин В.Г., Гриняев С.Н., Ивонин И.В., Караваев Г.Ф., Лаврентьева Л.Г. Физика сложных полупроводниковых кристаллов и структур. // Известия ВУЗов. Физика. 1998. - 8. - с.26-38.

142. Shay J.L., Kasper Н.М. Direct observation of Cu d-levels in I-III-VI2 compounds. // Phys. Rev. Lett. 1972. - 29, N17. - p. 1162-1164.

143. Holah G.D., Webb J.C., Montgomery H. Lattice dinamics of AgGaS2. // J. Phys. C: Solid State. Phys. 1974. - 7. - p.3875-3890.

144. Harrison W.A. Theory of the two-center bond. // Phys.Rev.B. 1983. - 27, N6. -p.3592-3604.

145. Sugiura C., Gohshi Y. Sulfur Kfi emission and Ka absorption spectra and electronic structure of copper sulfide: CuL8S. // J.Chem.Phys. 1981. - 74, N7. -p.4204-4205.

146. Domashevskaya E.P. d-s,p Resonance in solids and thin films. // Поверхность: Рентген., синхротрон, и нейтрон, исследов. Поверхность: Физ., химия, мех.. 1997. - N4-5.-с.158-160.

147. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Особенности химической связи в тройных халькогенидах А'ВтС^. // Журнал структурной химии. -2000. 41, N3. - с.515-524.

148. Garba E.J.D., Jacobs R.L. The electronic structure of Cu2.xSe. // Physica B. -1986.- 138.-p.253-260.

149. Zhang S.B., Su-Huai Wei, Zunger A. Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor. // Phys.Rev.B. 1998. - 57, N16. - p.9642-9655.471

150. Drahokoupil J., Drbohlov I., Hordk J., Polcik M., Simunek A. The electronic structure of CuGaSe2 and ZnGeAs2: Experimental and calculated ^-emission bands. // Solid State Commun. 1997. -103, N5. - p.303-307.

151. Sugiura C., Yamasaki H., Shoji T. X-ray Spectra and Electronic Structure of CuS and Cu2S. // J.Phys.Soc.Jap. 1994. - 63, N3. - p.l 172-1178.

152. Sugiura C. La X-Ray Emission Spectra of Copper Compounds and Alloys. // J.Phys.Soc.Jap. 1994. - 63, N5. - p.1835-1847.

153. Wyckoff R.W.G. Crystal structures. // Interscience Publ.Co., New York. 1965. -1. - p.467.

154. Немошкаленко B.B., Шпак A.H., Кривицкий В.П., Николаев Л.И. Рентгеновские эмиссионные спектры сульфидов металлов первого большого периода. // Препринт Института металлофизики АН УССР. 74.8. - Киев. -1974.-c.l-18.

155. Fabian D.J., Watson L.M., Marshall C.A.W. Soft X-ray Spectroscopy and the Electronic Structure of Solids. // Rep. Progr. Phys. 1972. - 34. - p.601-696.

156. Немошкаленко B.B., Алешин В.Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Киев: Наукова Думка. - 1974. - 335с.

157. Немошкаленко B.B., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. -Киев: Наукова Думка. 1976. - 335с.

158. Самсонов Г.В., Прядко И.Ф., Прядко Л.Ф. Электронная локализация в твердом теле. М.:Наука. - 1976. - 339с.

159. Steiner P., Hufner S., Jungmann A., Kinsinger V., Sander I. Photoemission valence band spectra and electronic density of states in copper oxides and copper based ceramic superconductors // Z.Phys.B. 1989. - 74, N2. - p. 173-182.

160. Kono S., Ishii Т., Sagawa Т., Kobayasi T. X-ray photoelectron study of the valence bands in cuprous halides. // Phys.Rev.B. 1973. - 8, N2. - p.795-803.472

161. Ching W.Y., Xu Y.-N. Ground-state and optical properties of Cu20 and CuO crystals. // Phys.Rev.B. 1989. - 40, N11. - p.7684-7695.

162. Фарберович O.B., Акопджаков Р.Г., Курганский С.И., Домашевская Э.П. Теоретическое и экспериментальное изучение зонной структуры соединения CuCl. // Физ.тверд.тела (Ленинград). 1979. - 21, N10. - с.2935-2940.

163. Mott N., Stevens W. The band structure of the transition metals. // Philos. Mag. -1957.-2. -p.1364-1371.

164. Goodenough J. Band structure of transition metals and their alloys. // Phys.Rev. -1960.-120.-p.67-74.

165. Херринг К. Состояние d-электронов в переходных металлах. Сб.: Теория ферромагнетизма металлов и сплавов. - М.:ИЛ. - 1963. - 286с.

166. Callaway J., Edwards D. Cubic field splitting of d-levels in metals. // Phys.Rev. -1960.-118. -p.923-930.

167. Watson R. Fe-series Hartree-Fock calculation. // Phys.Rev. 1960. - 118. -p.1036-1048.

168. Pauling L. A resonating-bond theory of metals and intermetalic compounds. // Proc.Roy.Soc. 1949. - A196. -p.343-358.

169. Pauling L. The nature of the chemical bond. // J.Amer.Chem.Soc. 1931. - 13. -p.1367-1378.

170. Hum-Rothery W., Irving H., Williams R. The valence of the transition elements in the metallic state. // Proc.Roy.Soc. 1951. - 208. - p.431-437.

171. Григорович B.K. Периодический закон Д.И.Менделеева и электронное строение металлов. М.:Наука. - 1966. - 216с.

172. Григорович В.К. Электронное строение и термодинамика сплавов железа. -М.:Наука.- 1970.-318с.

173. Георгобиани А.Н., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Широкозонные полупроводники A'^fCj1: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (обзор). // ФТП. 1985. - 19, N2. - с. 193-212.

174. Rehwald W. Band structure of spinel-type semiconductors. // Phys.Rev. 1967. -155, N3. - p.861-868.473

175. Бокий Г.В. Введение в кристаллохимию. М.: Из-во Московского ун-та, 1954.-490с.

176. Goodenough J.B. Descriptions of outer d-electrons in the thio-spinels. // J.Phys.Chem.Solids. 1969.-30, N2. -p.261-280.

177. Meloni F., Mula G. Pseudopotential calculation of the band structure of CdIn2S4. // Phys.Rev.B. 1970. - 2, N2. - p.392-396.

178. Katsuki S. The band structure of CdIn2S4 calculated by the pseudopotential method. //J.Phys.Soc.Jap. 1972. - 33, N6. - p. 1561-1565.

179. Inoue M., Okazaki M. Band structure of CdIn2S4 by Heine-Abarenkov Model Potential Method. // J.Phys.Soc.Jap. 1974. - 36, N3. - p.780-785.

180. Baldereschi A., Meloni F., Aymerich F., Mula G. Electronic properties of the defect-zincblende semiconductor CdIn2Se4. // Solid State Commun. 1977. - 21, N1. - p.113-116.

181. Guizzetti G., Meloni F. Electronic Properties of the Random Defect MfxJ1

182. Semiconductors. // Nuovo Cimento. 1982. - ID, N4. - p.503-518.

183. Serra N., Meloni F., Baldereschi A. Electronic properties of MgIn2S4 and CdIn2S4 by the self-consistent pseudopotential method. // Nuovo Cimento. 1983. - 2D, N6. -p.1754-1761.

184. Ihara H., Abe H., Endo S., Irie T. Valence band densities of states of CdIn2S4 and In2S3 from x-ray photoelectron spectroscopy. // Solid State Commun. 1978. - 28, N7. -p.563-565.

185. Cerrina F., Quaresima C., Abbati I., Braicovich L., Picco P., Margaritondo C. Electronic states of CdIn2S4 and of other II III2 - VI4 compounds: how sensitive are they to the crystal structures? // Solid State Commun. - 1980. - 33, N4. -p.429-431.

186. Гусейнов Д.Т., Мамедов З.Г., Гасанов Н.Э., Асадов Ю.Г. Исследование локальных состояний в CdIn2S4. // Изв. Аз.ССР. Сер. физ.-тех. и мат. н.1987.-8, N6. с.85-88.

187. Гусейнов Д.Т., Мамедов З.Г., Гасанова Н.В., Асадов Ю.Г. Уровни прилипания в монокристаллах CdIn2S4. // Изв. Аз.ССР. Неорган, матер.1988. 24, N8. - с.1382-1385.

188. Neumann Н., Kissinger W., Levy F., Sobotta H., Riede V. Electrical and infrared optical properties of CdIn2S4 single crystals grown by chemical transport. // Cryst. Res. and Technol. 1989. - 24, N11. - p. 1165-1169.

189. Тэзлеван B.E., Нистирюк И.В., Радауцан С.И., Рацеев С.А. Зарядовые состояния примесных атомов олова и их влияние на электропроводность In2S3. // ФТТ (Ленинград). 1990. - 32, N10. - с.3157-3159.

190. Tezlevan V.E., Retseev S.A., Lialikova R.Yu., Radautsan S.I. Stoichiometry of sulphur in In2S3, CdIn2S4 and AgIn5S3 single crystals. // Jap. J. Appl. Phys. Pt.l. -1993.-32, Suppl. 32-3. -p.101-102.

191. Syrbu N.N., Bogdanash M., Moldovyan N.A. Vibrational modes in ZnAl2S4 and CdIn2S4 crystals. // Infrared Phys. and Technol. Infrar. Phys.. 1996. - 37, N7. -p.763-768.

192. Сырбу H.H., Богданаш M., Тезлеван В.Е. ИК колебательные моды кристаллов MgIn2S4 и CdIn2S4. // Оптика и спектроскопия. 1997. - 82, N2. -с.272-277.

193. Sugiura С., Yorikawa Н., Muramatsu S. Sulfur Кр x-ray emission spectra and valence band structures of metal sulfides. // J.Phys.Soc.Jap. - 1997. - 66, N2. -p.503-504.475

194. Aldon L., Uhrmacher M., Brand., Ziegeler L., Roth J., Schaaf P., Metzner H., Oliver-Fourcade J., Jumas J.C. Perturbed angular correlahion study of the thiospinel p-In2S3. // Phys.Rev.B. 1998. - 58, N17. - p.l 1303-11312.

195. Bessergenev V.G., Bessergenev A.V., Ivanova E.N., Kovalevskaya Yu.A. Study of In2S3 thin films by diffraction of synchrotron radiation. // J. Solid State Chem. -1998.-137, Nl.-p.6-ll.

196. Гусатинский A.H., Блохин M.A., Шумихен П., Лаврентьев А.А., Михайлова С.С. Исследование электронной структуры соединений индия по его рентгеновским Lrспектрам. // Деп. в ВИНИТИ. Ростов-на-Дону. - 1981. -№569-81.- 16с.

197. Lotz W. Electron Binding Energies in Free Atoms. // J. Optical Soc. Amer. -1970. 60, N2. - p.206-210.

198. Grilli E., Gazzi M., Anedda A., Raga F., Serpi A. Fundamental optical constants of CdIn2S4. // Solid State Commun. 1978. - 27, N2. - p.105-111.

199. Anedda A., Fortin E. Study of the band edge in CdIn2S4 by photovoltaic effect. // J.Phys. and Chem. Solid. 1979. - 40, N9. - p.653-659.

200. Фоменко B.C., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. М.: Атомиздат. - 1975. - с. 198-200.

201. Бенца В.М., Туряница И.Д. Фотоэмиссия кристаллов и стекол некоторых халькогенидов. // ФТТ(Ленинград). 1974. - 16, N1. - с.259-260.

202. Спесивых А.А., Бенца В.М. Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума по физике вторичной и фотоэлектронной эмиссии. г.Ленинград, 17-19 марта, 1981г.

203. Бенца В.М., Спесивых А.А., Богданова А.В. Фотоэмиссионные исследования энергетической структуры Tl3AsS4. // Изв. вузов Сер. физич. -1981. 24, N4. — с.110-112.

204. Головач И.Н., Сливка В.Ю., Матяшовский В.В., Довгошей Н.И., Бенца В.М., Головей М.И. Фотоэмиссионные исследования и спектры отражения кристаллического и аморфного AgAsS2. // ФТТ (Ленинград). 1976. - 18, N11. -с.3313-3317.476

205. Каральник С.М. Внешнее экранирование и тонкая структура рентгеновских спектров. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1957.-21.-с. 145-1451.

206. Шуваев А.Т. Влияние химической связи на положение и интенсивность линий рентгеновских спектров соединений. // Изв. АН СССР. Сер. физ. -1961. 25. - с.986-991.

207. Knapp G.S., Veal B.W., Pan Н.К., Klippert O.G. XANES study of 3d oxides: dependence on crystal structure. // Solid State Commun. 1982. - 44, N9. - p. 13431345.

208. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Crystal structure of piezoelectric nonlinearoptic AgGaS2. // J.Chem.Phys. 1973. - 59, N4. - p. 1625-1629.

209. Kshirsagar S.T., Sinha A.P.B. Crystallographic studies of some mixed thiogallate semiconductors. // J.Matter.Sci. 1977. -12, N12. - p.2441-2446.

210. Diehl R., Carpentier C.D. The structural chemistry of indium phosphorus chalcogenides. // Acta Crystall. 1978. - 334, N4. - p. 1097-1105.

211. Многокомпонентные халькогениды AnBni2CVI4. // АН МССР Ин-т прикл.физ.: Ред. Радауцан С.И. Кишинев : Штиинца, 1990. - 166с.

212. Гусейнова Д.А., Керимова Т.Г., Нани Р.Х. Оптические спектры и зонная структура монокристаллов CdGa2Se4 и CdGa2S4. // Физика и техника полупроводников. 1977. - II, N6. - с.1135-1142.

213. Kerimova T.G., Mamedov Sh.S., Nani R.Kh. On the band structure of CdGa2S4. // Phys.stat.sol.(b). 1981. - 105. - K.39-41.

214. Панютин B.JI., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Зонная структура полупроводников с решеткой тиогаллата кадмия. // Изв. вузов СССР. Физика. 1979. - 8. - с.57-64.

215. Панютин В.Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э., Чижиков В.И. Зонная структура полупроводников HgGa2S4, и HgGa2Se4. // Физика и техника полупроводников. 1979. - 13, N6. - с.1211-1213.

216. Георгобиани А.Н., Озеров Ю.В., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Исследование фундаментальных оптических переходов в CdGa2S4, методами1. Allмодуляционной спектроскопии. // Физика твердого тела. — 1981. 23, N7. -с.2094-2099.

217. Kerimova T.G. Special features of electronic spectrum of CdGa2S4 in the region of the fundamental absorption edge. // Phys.stat.sol.(b). 1982. -109. - K.l 19-120.

218. Сусликов JI.M., Герасименко B.C., Сливка В.Ю. Спектры ИК отражения CdGa2S4. // Оптика и спектроскопия. 1980. - 48, N4. - с.789-795.

219. Георгобиани А.Н., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Оптические свойства халькогенидных соединении AIiBni2CVI4 в области края фундаментального поглощения. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1989.- 25, N11. - с. 18841889.

220. Razzetti С., Lottici P.P. Raman scattering in defective AnBni2CVI4 compounds and alloys. // Jap. J. Appl. Phys. Pt.l. 1993.-32, Suppl.32-3. -p.431-435.

221. Neumann H., Kissinger W., Levy F. High frequency dielectric constant of AnBni2CVI4 ordered vacancy compounds. // Cryst. Res. and Technol. - 1990. - 25, N10.-p. 1189-1193.

222. Керимова Т.Г. Особенности формирования электронных спектров сложных алмазоподобных халькогенидов типа A/'B^Cj1. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1989. - 25, N11. - с. 1874-1879.

223. Margaritondo G., Katnani A.D., Levy F. Electronic states of CdIn2Se4 and ZnIn2Se4: role of the cation pseudovacancies. // Phys.stat.sol.(b). 1981. - 103, N2. - p.725-731.

224. Георгобиани A.H., Тигиняну И.М. Антиструктурные дефекты в халькогенидных полупроводниках A'^'Cj'. // Неорганические материалы. -1989.-25,N11.-с.1880-1883.

225. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Мамедова И.А. Деформационные потенциалы экстремумов зон Г(000) в CdGa2S4. // Физ. и техн. полупровод. -1998. 32, N2. - с.148-150.

226. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И .Я. Рентгеновские спектры и электронная структура некоторых тройных халькогенидов и их твердых растворов. // Журнал структурной химии. 1998. - 39, N6. - с.1076-1082.478

227. Переш Е.Ю., Цигика В.В., Стасюк Н.П., Галаговец И.В., Гапак А.В. О получении монокристаллов (Ga, In)PS4. // Изв. вузов. Химия и химическая технология. 1978. - 21, N7. - с.1070-1071.

228. Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya., Rehr J,J. Ab initio XANES calculations for KC1 and PbS. // J.Phys. and Chem. of Solids. 1999. - 60. - p.787-790.

229. Gabrelian B.V., Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya. XANES and Unoccupied DOS of Sulfides and Selenides of Zn and Cd. // Phys.stat.sol.(b) 1999. - 215. -p.1041-1047.

230. Muller J.E., Wilkins J.W. Band-structure approach to the x-ray spectra of metals. // Phys. Rev. B. 1984. - 29, N8. - p.4341-4348.

231. Katsikini M., Paloura E.C., Moustakas T.D. Experimental determination of the N-p-partial density of states in the conduction band of GaN: Determination of the polytype fractions in mixed phase samples. // J. Appl. Phys. 1998. - 83, N3. -p.1437-1445.

232. Sipr O., Machek P., Simunek A., Vackar J., Horak J. X-ray absorption near-edge structure of CuGaSe2 and ZnSe: Experiment and theory. // Phys. Rev. В.- 1997. -56, N20. p. 13151-13161.

233. Алферов Ж.И., Иванов-Омский В.И., Парицкий Л.Г., Френкель В.Я. Исследование полупроводников в Физико-техническом институте. // Физ. и техн. полупровод. 1968. - 2, N10. - с. 1397-1424.

234. Сливка В.Ю., Ворошилов Ю.В., Чепур Д.В. Материалы квантовой электроники на основе полупроводниковых соединений сложного состава. Физические свойства. // Квантовая электроника (Киев). 1980. - вып. 19. -с.74-93.479

235. Берча Д.М., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д. Сложные халькогениды и халькогалогениды. Львов: Вища школа, 1983. - 181с.

236. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.:Наука, 1976. - 408с.

237. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю, Ворошилов Ю.В., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Модель фазового перехода в сегнетополупроводнике Sn2P2S6 и динамика его решетки. // Физ. тверд, тела (Ленинград). 1979. - 21, N8. - с.2402-2408.

238. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю, Ворошилов Ю.В., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Поляризационные спектры комбинационного рассеяния сегнетополупроводника Sn2P2S6. // Физ. тверд, тела (Ленинград). 1979. - 21, N1. - с.211-215.

239. Сливка В.Ю, Высочанский Ю.М., Сало Л.А., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Трикритический фазовый переход в Sn2P2(SexSi.x)2. // Физ. тверд, тела (Ленинград). 1979. - 21, N10. - с.3195-3197.

240. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю, Коперлес Б.М., Гурзан М.И, Чепур Д.В. Сегнетоактивная мягкая мода в твердых растворах (Sn,xPbx)P2S6 и Sn2P2(S,xSex)6. // Физ.тверд.тела (Ленинград) 1979. - 21, N5. - с.1497-1501.

241. Гомоннай А.В., Высочанский Ю.М., Гурзан М.И, Сливка В.Ю. Особенности динамики решетки сегнетоэлектрических твердых растворов Sn2P2(SexS.x)2. // Физ.тверд.тела (Ленинград). 1983. - 25, N5. - с.1454-1458.

242. Заячковский М.П., Майор М.М. Магнитные исследования фазовых переходов в кристаллах SbSJ и Sn2P2S6. // Украин.физ.журнал. 1983. - 28, N8. - с.1242-1246.

243. Кондратьев А.Н., Иванов В.В. Диэлектрические свойства сегнетоэлектрика Sn2P2S6. // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. (Твер.гос.ун-т) Тверь. -1995. -с.90-93.

244. Vysochanskii Yu., Molnar A. The relaxation phenomenon in proper uniaxial ferroelectric-semiconductor crystals Sn2P2S(Se)6 with incommensurate phase. // Ж^з.дослщжень. 1997. - 1, N4. - c.535-543.480

245. Eijt S.W.H., Currat R., Lorenzo J.E., Saint-Gregoire P., Hennion В., Vysochanskii Yu. Soft modes and phonon interaction in Sn2P2S6 studied by neutron scattering. // Eur.Phys.J.B. 1998. - 5, N2. - p. 169-178.

246. Keiichi M., Hedeaki K., Kohji Т., Yoshitada O., Shinichi Y., Takasuke M. Ferroelectric phase transitions in Sn2P2S6 and Sn2P2Se6 crystals. // J.Phys.Soc.Jap.- 1998. 67, N10. - p.3505-3511.

247. Fleet M.E. The crystal structure and bonding of lorandite Tl2As2S4. // Z.Kristallogr. 1973. - 138, N1. - p. 147-160.

248. Hong H. Y.-P., Mikkelsen J.S., Roland G.W. Crystal structure of Tl3AsS3. // Mat.Res.Bul. 1974. - 9, N4. - p.365-370.

249. Стефанович B.A., Герасименко B.C., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Оптические свойства TLAsSe2, Tl3AsSe3, Tl3AsSe4. // Физическая электроника.- 1979.-N18.-C.76-79.

250. Fritz I.J., Isaacs Т.J., Gottlieb M., Morosin B. Structure and soft mode behavior of two chalcogenide crystals. // Sol. State Commun. 1978. - 27, N5. - p.535-539.

251. Стефанович B.A., Ворошилов Ю.В., Поторий M.B., Сливка В.Ю. Колебательные спектры и кристаллические структуры Tl3AsS4(Se4), Tl3PS4(Se4). // Журнал прикладной спектроскопии. 1979. - 31, N8. - с.80-84.

252. Dittmar G., Schafer Н. Die Structur des Di-Zinn-Hexathiohypodiphosphats Sn2P2S6. // Z.Naturforsch.B. 1974. - 29, N4. - p.312-317.

253. Ewbank M.D., Kowalczyk S.P., Kraut E.A., Harrison W.A. Electronic structure of Tl3AsSe3. // Phys.Rev.B. 1981. - 24, 2. - p.926-934.

254. Gusatinskii A.N., Lavrentev A.A., Blokhin M.A., Slivka V.Yu. X-Ray Spectroscopic Investigation of the Electronic Structure and Chemical Bond of the Semiconductors Sn2P2S6 and T13PS4. // Phys.stat.sol.(b). 1985. - 131. - p.K139-K143.

255. Lavrentev A.A., Gusatinskii A.N., Soldatov A.V., Slivka V.Yu. X-Ray Spectroscopic Investigation of the Electronic Structure and Chemical Bond of T13AS4 (A = P, As, Та) Type Semiconductors. // Phys.stat.sol.(b). 1986. - 138. -p.K49-K54.481

256. Базакуца В.А., Якуца В.К. Энергетическое распределение локализованных состояний в T1AsS2. // Изв.вузов. Физ. 1996. - 39, N10. - с.122-123.

257. Дей К., Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. М.:Химия. - 1976. - 568с.

258. Гурзан М.И., Бутурлакин А.П., Герасименко B.C., Корда Н.Ф., Сливка В.Ю. Оптические свойства кристаллов S112P2S6. // Физ.тверд.тела (Ленинград). -1977. -19, N10. с.3068-3070.

259. Лазарев В.Б., Беруль С.И., Салов А.В. Тройные полупроводниковые соединения в системах A!BVCV1. М.:Наука, 1982. - 148с.

260. Лаврентьев А.А., Мигаль Ю.Ф., Никифоров И.Я. Два вида резонансов формы в соединениях A'B;S2 (А1 = Li, Na). // Журнал структурной химии. -1992. 33, N2. - с.60-66.

261. Soldatov A.V., Sukhetskii Yu.V., Lavrentiev A.A., Gusatinskii A.L. Electronic Structure of A'BjSj Semiconducting Compounds. // Phys. stat. sol.(b). 1991. -167.-p.101-107.

262. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.:Наука. -1972. - 640с.

263. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.:Наука. - 1978. -615с.

264. Будак Б.М., Фомин С.В. Кратные интегралы и ряды. М.:Наука. - 1967. -607с.

265. Филипп X., Эренрайх X. Оптические свойства в области фундаментальной полосы поглощения. В кн. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Р.Уиллардсона и А. Бира. М.:Мир. 1970. - с. 103-135.

266. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.:Физматгиз. - 1963. -702с.

267. Бассани Ф., Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.:Наука. - 1982. - 391с.482

268. Соболев В.В., Немошкаленко B.B. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура дихалькогенидов редких металлов. -Киев:Наукова думка. 1990. - 293с.

269. Phillips J.C. The fundamental optical spectra of solids. // Solid State Phys. 1966. -18, N1. - p.55-164.

270. Соболев В.В., Алексеева С.А., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношению Крамерса-Кронига. Кишинев: Штинца. -1976. - 123с.

271. Кардона М. Модуляционная спектроскопия. М.:Мир. - 1972. - 416с.

272. Задачи по физике твердого тела. Под ред. Г.Дж.Голдсмита. М.:Наука.1976.-431с.

273. Борец А.Н. Полуэмпирический топологический подход при изучении оптических свойств полупроводников и сверхрешеток. В сборнике "Сложные полупроводники (получение, свойства, применение)" Ужгород: Из-во Ужгородского госуниверситета. - 1981. - с.159-178.

274. Chelikowsky J., Schlüter M. Electron states in a-quartz: A self-consistent pseudopotential calculation. // Phys.Rev.B. 1977. -15, N8. - p.4020-4029.

275. Brust D. Electronic Spectra of Crystalline Germanium and Silicon. // Phys.Rev. -1964. -134, N5A. P.A1337-A1353.

276. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.:Мир. - 1973. -456с.

277. Tanaka S., Kawami S., Kobayashi H., Sasakura H. Luminescence in CuGaS2-2XSe2x mixed crystals grown by chemical vapor transport. // J. Phys. Chem. Solids.1977. -38, N6. -p.680-681.

278. Вайнштейн Б.К., Фридкин B.M., Индембот В.Jl. Современная кристаллография. т.2. - М.:Наука. - 1979. - 360с.

279. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Характер зависимости ширины запрещенной полосы от концентрации серы для твердых растворов ZnSxSe(1.x). // ЖСХ. 2000. - 41, N3. - с.498-504.483

280. Габрельян Б.В., Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я. Электронная структура полупроводниковых растворов халькогенидов кадмия. // ФТТ (С.-Петербург).- 1999.-41,Nl.-c.41-43.

281. Боднарь И.В. Колебательные спектры тройных соединений CuGaS2, AgGaS2 и твердых растворов CuxAgi.xGaS2. // Оптика и спектроскопия. 1998. - 85, N2. - с.220-222.

282. Боднарь И.В. Инфракрасные спектры отражения и спектры комбинационного рассеяния света твердых растворов CuxAg1.xGaS2. // Физика и техника полупроводников. 1998. - 32, N6. - с.684-687.

283. Bodnar I.V., Yasyukevich L.Y., Korzoun B.V., Karoza A.G. The AgxCuixInS2 solid solutions with 0<x<l. // J.Mater.Sci. 1998. - 33, N1. - p.183-188.

284. Боднарь И.В., Сергеев-Некрасов С.Л. Исследование физико-химических свойств твердых растворов Cui.xAgxInSe2. // Ж.неорг.химии. 1999. - 44, N6.- с.1012-1015.

285. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: Growth, electronic structure and applications. -N.Y.:S.l: Pergamon Press. 1975. - 245p.

286. Shirakata Sho. Electroreflectance of CuInSe2 single crystals. // Jap.J.Appl.Phys. Pt.2. 1997. - 36, N5a. - p.L543-L546.

287. Сырбу H.H., Богданаш M., Тезлеван В.Е. Колебания решетки в кристаллах CuInSe2. // ФТП. 1997. - 31, N3. - с.329-334.

288. Рабаданов М.Х., Верин И.А. Рентгеноструктурное исследование монокристаллов CuInSe2. // Неор'ган.матер. Изв. АН СССР. Неорган.матер..- 1998. 34, N1. - с.20-23.

289. Mudryi A.V., Bodnar I.V., Gremenok V.F., Victorov I.A., Patuk A.L., Shakin I.A. Free and bound exciton emission in CuInSe2 and CuGaSe2 single crystals. // Sol.Energy Mater. And Sol. Cells Sol. Energy Mater.. 1998. - 53, N3-4. -p.247-253.

290. Schon J.H., Bucher E. Excitonic luminescence in CuInSe2. // Appl.Phys.Lett. -1998.-73, N2.-p.211-213.484

291. Lampert M.D., Meyer B.K., Hormung M., Benz K.W., Petersson A., Samuelson L. Characterization of bulk Cuo.85lni.o5Se2 by photoluminescence and cathodolumenescence. // J.Cryst.Growth. 1998. - 183, N3. - p.377-384.

292. Meng Q.-B., Xiao C.-Y., Wu Z.-J., Feng Ke-an, Lin Z.-D. Bulk modulus of ternary chalcopyrite А.ВШСУ and AnBIVC2 semiconductors. // Solid State Commun. 1998. -107, N7. -p.369-371.

293. Kohiki S., Nishitani M., Negami Т., Wada T. X-ray photoelectron spectroscopy of CuInSe2. // Phys.Rev.B. 1992. - 45, N16. -p.9163-9168.

294. Chichibu S., Mizutani Т., Murakami K., Shioda Т., Kurafuji Т., Nakanishi H., Niki S., Fons P .J., Yamada A. Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of CuInSe2 and CuGaSe2. // J.Appl.Phys. 1998. - 83, N7. - p.3678-3689.

295. Sho S., Shigehiro I. Yb-related photoluminescence in CuGaS2, AgGaSe2 and AgGaS2. // Jap.J.Appl.Phys. Pt.l. 1998. - 37, N3a. - p.776-780.

296. Wei S.H., Zhang S.B., Zunger A. Effects of Ga addition to CuInSe2 on its electronic, structural, and defect properties. // Appl.Phys.Lett. 1998. - 72, N24. -p.3199-3201.

297. Wei S.H., Zhang S.B., Zunger A. Effects of Na on the Electrical and Structural Properties of CuInSe2. // J.Appl.Phys. 1999. - 85, N10. -p.7214-7218.

298. Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A. Phenomenological model for systematization and prediction of doping limits in II VI and I - III - VI2 compounds. // J.Appl.Phys. - 1998. - 83, N6. -p.3192-3196.

299. Рогачева Е.И., Таврина T.B. Влияние отклонения от стехиометрии на свойства CuInSe2. // Неорган.матер. Изв. АН СССР. Неорган.матер.. 1997. -33, N10.-с.1196-1200.

300. Wei S.B., Ferreira G., Zunger A. First-principles calculation of order-disorder transition in chalcopyrite semiconductors. // Phys.Rev.B. 1992. - 45. - p.2533-2535.

301. Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A. Stabilization of ternary compounds via ordered array of defect pairs. // Phys.Rev.Lett. 1997. - 78. - 4059-4060.485

302. Wei S.H., Zhang S.B., Zunger A. Band structure and stability of zinc-blende-based semiconductor polytypes. // Phys.Rev.B. 1999. - 59, N4. - p.R2478-R2481.

303. Rodriguez J.A., Quiroga L., Camacho A., Baquero R. Electronic band structure of CuInSe2: Bulk and (112) surface. // Phys.Rev.B. 1999. - 59, N3. - p. 1555-1558.

304. Masakatsu S., Takeshi U., Takahiro W., Takeshi H., Yoshio N. Effects of crystal symmetry on electronic structures of CuInSe2 and related compounds. // Jap.J.Appl.Phys.Pt.2. 1997.-36, N9a-9b. -p.Ll 139-1141.

305. Сырбу H.H., Тэзлеван B.E., Крецу P.B. Экситон-фононное взаимодействие в кристаллах CuInS2. // Оптика и спектроскопия. 1997. - 83, N2. - с.255-261.

306. Гуринович Л.И., Турин B.C., Иванов В.А., Молочко А.П., Соловей Н.П. Оптические свойства наночастиц CuInS2 в области фундаментального края поглощения. // Ж.прикл.спектроскопии. 1998. - 65, N3. - с.387-393.

307. Орлова Н.С., Боднарь И.В., Кудрицкая Е.А. Структура и физико-химические свойства CuIn5S8. // Неорган.матер. Изв. АН СССР. Неорган.матер.. 1997. - 33, N8. - с.932-934.

308. Choi In-Hwan, Eoni Sung-Hwam, Yu Peter. Y. Dispersion of birefringence in AgGaS2 and CuGaS2. // J.Appl.Phys. 1997. - 82, N6. - p.3100-3104.