Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно-оптических кристаллах

Огородников, Игорь Николаевич

Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно-оптических кристаллах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Огородников, Игорь Николаевич АВТОР

доктора физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Екатеринбург МЕСТО ЗАЩИТЫ

2004 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно-оптических кристаллах»

Автореферат диссертации на тему "Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно-оптических кристаллах"

Направахрукописи

ОГОРОДНИКОВ Игорь Николаевич

ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ШИРОКОЗОННЫХ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИХКРИСТАЛЛАХ

Специальность 01.04.07 - Физика конденсированного состояния

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени доктора физико - математических наук

Екатеринбург 2004

Работа выполнена на кафедре экспериментальной физики ГОУ ВПО "Уральский государственный технический университет-УПИ", г. Екатеринбург.

Научный консультант: .

доктор физико-математических наук, профессор Кружалов Александр Васильевич

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Лисицын Виктор Михайлович

доктор физико-математических наук, профессор Васильев Андрей Николаевич

доктор физико-математических наук, гл.н.с. Соколов Виктор Иванович

Ведущая организация:

Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения ВНЦ ТОЙ им СИ. Вавилова"

Защита диссертации состоится 8 октября 2004 г. в 15 ч.ОО мин. на заседании диссертационного совета Д212.285.02 по защите докторских диссертаций при ГОУ ВПО "Уральский государственный технический университет -УПИ" в аудитории I главного учебного корпуса.

Ваш отзыв в одном экземпляре, заверенный гербовой печатью, просим направлять по адресу: 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19 УГТУ-УПИ, ученому секретарю университета.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке УГТУ-УПИ.

Автореферат разослан

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физ.-мат. наук

Г.И. Пилипенко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Радиационно-стимулированные явления и процессы в оксидных диэлектриках активно изучаются на протяжении многих десятилетий. Наибольшие успехи достигнуты в исследовании простых бинарных оксидов (BeO, MgO, AI2O3), которые являются не только материалами широкого практического применения, но и модельными объектами в радиационной физике твердого тела. В то же время наука и техника, имеющие дело с оптическими материалами, требуют разработки и исследования новых материалов с расширенным спектральным диапазоном, надежно работающих в экстремальных условиях. Так, развитие коротковолновой лазерной техники, нелинейной и интегральной оптики ставят задачу повышения предельных характеристик оптических элементов на основе широкозонных нелинейно - оптических кристаллов способных работать при высоких радиационных нагрузках и плотных полях лазерных излучений. Необходимость решения данной проблемы делает актуальным проведение систематических фундаментальных исследований радиационно-сти-мулированных процессов, дефектов и электронных возбуждений для широкого круга широкозонных нелинейно - оптических кристаллов при воздействии различных видов фотонного и корпускулярных излучений. Установленные закономерности радиационно - стимулированных процессов, разработанные модели и механизмы позволят не только внести вклад в фундаментальные основы физики конденсированного состояния оксидных низкосимметричных кристаллов, но и создать физические основы радиационных технологий модификации их свойств.

Цель работы и задачи исследования. Целью настоящей работы является установление закономерностей релаксации электронных возбуждений, формирования первичных стабильных и метастабильных дефектов, роли короткоживущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в процессах создания устойчивых структурных нарушений в широкозонных нелинейно - оптических кристаллах.

Для достижения поставленной цели потребовалось выполнить комплекс систематических исследований широкого круга нелинейно - опти ческих кристаллов и решить следующие основные задачи:

1. Изучить процессы излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений и установить природу ультрафиолетовой люминесценции в нелинейно - оптических кристаллах.

2. Методом низкотемпературной (6-9 К) люминесцентно - оптической вакуумной ультрафиолетовой спектроскопии с субнаносекунд-ным временным разрешением провести систематические исследова-

ния процессов релаксации электронных возбуждений в нелинейно -оптических кристаллах.

3. Исследовать кинетику неравновесных процессов в нелинейно -оптических кристаллах при возбуждении электронным пучком, процессы формирования первичных стабильных и метастабильных дефектов, установить роль короткоживущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в процессах создания устойчивых структурных нарушений. Получить комплекс новых данных, принципиально важных для решения фундаментальной проблемы установления природы радиационно - оптической устойчивости данного класса диэлектриков.

4. Исследовать точечные дефекты в кристаллах боратов лития и идентифицировать оптические переходы в них, изучить процессы накопления при воздействии различных видов фотонного и корпускулярных излучений, процессы термического распада и термостимули-рованные рекомбинационные процессы; разработать структурные модели дефектов.

5. Для нелинейно - оптических кристаллов с водородными связями провести комплексное исследование люминесценции, формирования стабильных и короткоживущих дефектов при воздействии различных видов фотонного и корпускулярных излучений, осуществить моделирование и расчет процессов радиационного дефектообразования под действием ионных пучков.

Указанные задачи решались при выполнении госбюджетных исследований, проводившихся по плану научно-исследовательских работ УГТУ-УПИ; программы "ФИЗМАТ"; программы по разработке лучевых (пучковых) методик анализа и модификации приповерхностных слоев оптических материалов детекторной, нелинейной и интегральной оптики; международного проекта по исследованию ради-ационно - оптических свойств и методов их модификации для технологически значимых материалов коротковолновой лазерной оптики (ERBIC15CT960721), проектов РФФИ (02-16206), Минобразования РФ (992886) и программы исследований Уральского научно -образовательного центра «Перспективные материалы» (CRDF award No.REC-005).

Объекты исследования. Изучены наиболее значимые с практической точки зрения нелинейно - оптические материалы: кристаллы боратов ЩМ и ЩЗМ (Li2B407 (LTB), LiB305 (LBO), CsLiB6Oi0 (CLBO), р-ВаВгО* (ВВО), KB5O84H2O (KB5)), а также кристаллы дигидрофос-фатов калия КН2Р04 (K.DP) и аммония NH4H2PO4 (ADP).

Научная новизна. Выполнено комплексное многоплановое исследование закономерностей релаксации электронных возбуждений, фор-

мирования первичных стабильных и метастабильных дефектов, роли короткоживущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в процессах создания устойчивых структурных нарушений в широкозонных радиационно - стойких нелинейно - оптических кристаллах. Впервые получены следующие научные результаты:

1. Установлена природа широкополосной быстрой ультрафиолетовой люминесценции нелинейно-оптических кристаллов, обусловленная излучательной аннигиляцией автолокализованных электронных возбуждений; выявлены два несводимых друг к другу канала релаксации электронных возбуждений в ЬБО, приводящие к формированию автолокализованных экситонов двух типов.

2. Установлена общая закономерность формирования короткожи-вущих радиационных дефектов катионной подрешетки и выявлена единая природа метастабильного оптического поглощения исследуемых кристаллов в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, обусловленная оптическими переходами между состояниями валентной зоны (ВЗ) и локальным уровнем дырочного центра.

3. Методом низкотемпературной (6-9 К) люминесцентно - оптической спектроскопии с субнаносекундным временным разрешением получен комплекс экспериментальных данных по динамике электронных возбуждений, собственной люминесценции и люминесцентно -оптическим проявлениям дефектов решетки данных кристаллов.

4. Установлены общая закономерность и единый механизм безыз-лучательной туннельной перезарядки подвижных радиационных дефектов подрешетки катионов водорода (АБР, КБР) и лития (ЬТБ, ЬБО), обусловливающие кинетику релаксации наведенной оптической плотности в широкой временнбй области 6-8 декад.

5. На основании экспериментальных данных разработаны и теоретически обоснованы структурные модели обнаруженных нами электронных и дырочных центров в кристалле LBO.

6. Разработана и обоснована модель переноса заряда между состояниями взаимодействующих дырочных центров. Теоретическим расчетом в рамках предложенной модели дано качественное и количественное объяснение обнаруженного нами эффекта 'разгорания' в кинетике импульсной катодолюминесценции кристалла ЬБО.

7. Установлены и подтверждены теоретическим расчётом закономерности накопления дефектов в кристаллах АБР и KDP под действием ионных и электронных пучков, изучены закономерности проявления дефектов водородной подрешетки в динамике электронных возбуждений и люминесценции кристаллов с водородными связями ^^ KDP, КБ5).

Научное и практическое значение работы. Научная значимость работы определяется совокупностью полученных в диссертационной ра-

боте результатов, обобщений и выводов, свидетельствующих о решении крупной научной задачи в физике конденсированного состояния вещества, связанной с решением фундаментальной проблемы физики низкосимметричных широкозонныхдиэлектриков - установлением природы радиационно - оптической устойчивости материалов, пригодных для работы в ультрафиолетовом и вакуумном ультрафиолетовом спектральных диапазонах. Выполненные исследования вносят существенный вклад в понимание причинно - следственной связи ра-диационно - оптических свойств данного класса кристаллов с особенностями кристаллической структуры, динамики электронных возбуждений, точечными дефектами, рекомбинационными процессами и процессами автолокализации электронных возбуждений.

В результате выполненных исследований установлена природа ме-тастабильного оптического поглощения, ограничивающего радиаци-онно-оптическую устойчивость и лимитирующего лучевые нагрузки при эксплуатации широкозонных нелинейно - оптических кристаллов в практически важной спектральной области генерации гармоник со 2-й по 6-ю излучения лазеров УАО:Ыс1 и АЬОзгТ].

Полученные результаты и сформулированные представления о механизмах радиационно - стимулированных процессов могут быть использованы для прогнозирования поведения нелинейно - оптических кристаллов и устройств на их основе в радиационных полях, разработки технологий целенаправленного изменения их свойств и повышения радиационно - оптической устойчивости.

Автор защищает: 1. Закономерности создания и распада низкоэнергетических электронных возбуждений в нелинейно-оптических кристаллах, включая: а) механизмы возбуждения и релаксации молекулярного экситона в боратах ЩМ и ЩЗМ; б) сосуществование в LBO двух несводимых друг к другу каналов релаксации электронных возбуждений, приводящих к формированию АЛЭ двух типов; в) идентификацию и свойства собственной коротковолновой люминесценции, обусловленной излучательной аннигиляцией АЛЭ.

2. Закономерности формирования короткоживущих радиационных дефектов катионной подрешетки, их свойства и единый механизм метастабильного оптического поглощения нелинейно-оптических кристаллов в видимой и ближней УФ-областях спектра, обусловленный оптическими переходами межполяронного типа.

3. Экспериментально обоснованную модель безызлучательного распада антиморфных радиационных дефектов подрешетки подвижных катионов в кристаллах ADP, KDP, ЦГБ и LBO, ключевым моментом которой является безызлучательный туннельный перенос электрона между подвижным центром Ме° (где Ме = 1л или Н) и катионной ва-

кансией, обусловливающий кинетику затухания оптического поглощения кристаллов во временнбй области 6-8 декад.

4. Закономерности влияния дефектов водородной подрешетки на динамику электронных возбуждений, транспорт энергии и люминесценцию кристаллов с водородными связями ADP, KDP, ^5.

5. Результаты установления природы радиационных и ростовых точечных дефектов в нелинейно - оптических кристаллах, их модели и схемы рекомбинационных процессов, закономерности влияния дефектов структуры на радиационно - оптическую устойчивость.

Личный вклад автора. Диссертационная работа является результатом многолетней работы автора (с 1983 г.) на кафедре экспериментальной физики ГОУ ВПО "Уральский государственный технический университет - УПИ" и представляет собой обобщение материалов исследований, проведенных лично автором, а также выполненных совместно с аспирантами и сотрудниками при непосредственном участии автора. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, сформулированные в защищаемых положениях и выводах. Часть результатов вошла в кандидатские диссертации А.Ю. Кузнецова (1994 г.), В.Т. Куанышева(1999 г.), А.В. Поротникова (1999 г.) и М.К. Сатыбалдиевой (2003 г.), выполненные под руководством автора. Автор внес определяющий вклад в проведение большей части измерений, в анализ и интерпретацию полученных результатов. Общая постановка задач исследований, выбор направлений и методов их решения, обобщение результатов, формулировка защищаемых положений и выводов диссертации принадлежат лично автору.

1987 г.); Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск,

1988 г.); Всесоюзных симпозиумах по люминесцентным приемникам и преобразователям ионизирующих излучений (Таллин, 1985 г.; Львов, 1988 г.); Еврофизических конференциях по люминесцентным детекторам ионизирующих излучений - LUMDETR (Рига, 1991 г.; Таллин, 1994 г.; Устрон, Польша, 1997 г.; Рига, Латвия, 2000 г.; Прага, Чехия,

2003 г.); Международной конференции «Перестраиваемые лазеры» (Байкал, 1988 г.); Всесоюзном (Ставрополь, 1989 г.) и Международном (Ставрополь, 1992 г.) совещаниях «Физика, химия и технология люминофоров» Международном симпозиуме по экзоэлектронной эмиссии и ее применению (Тбилиси-Екатеринбург, 1991 г.); Международной конференции по физике поверхности (Стокгольм-Упсала, Швеция, 1991 г.); Конференции по эмиссионной электронике (Москва, 1994 г.); Еврофизических конференциях по дефектам в диэлектрических материалах - БиЯОБ1М (Лион, Франция, 1994 г.; Киль, Великобритания, 1998 г.; Вроцлав, Польша, 2002 г.); Международных конференциях по дефектам в диэлектрических материалах - 1СБ1М (Уинстон-Сейлем, США, 1996 г; Рига, Латвия, 2004 г.); Международном совещании «Быстрые процессы в сцинтилляторах» (С-Петербург, 1994 г.); Российских конференциях по использованию синхротронного излучения (Новосибирск, 1994-1998 гг.); Международной конференции «Радиационные гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995 г.); Международной конференции «Твердотельная дозиметрия» (Будапешт, Венгрия, 1995 г.); Феофиловском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (С-Петербург, 1995 г.); Международных конференциях «Неорганические сцинтилляторы и их применение» (Дельфт, Голландия, 1995 г.; Шанхай, Китай, 1997 г.; Москва, 1999 г.; Шамони, Франция, 2001 г.); Юбилейном международном конгрессе «Радиационные исследования 1895-1995 гг.» (Вюрцбург, Германия, 1995 г.); Международных конференциях «Радиационная физика и химия неорганических материалов» (Томск, 1996 г.; 1999 г.; 2003 г.); Международном конгрессе по радиационной физике, сильноточной электронике и модификации материалов (Томск, Россия, 2000 г.) Международной конференции «Люминесценция и оптическая спектроскопия твердого тела» (Прага, Чехия, 1996 г.); Международной конференции «Современные оптические материалы и приборы» (Рига, Латвия, 1996 г.); Всероссийской конференции «Химия твердого тела и новые материалы» (Екатеринбург, 1996 г.); Международной конференции «Рентгеновское излучение и внутриоболочечные процессы» (Гамбург, Германия, 1996 г.); Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1997-2000 гг.); Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Дубна-Москва, 1997 г.); Международной конференции по динамике возбужденных состояний твердых тел (Миттельберг, Австрия/Германия, 1997 г.); Международных конференциях по радиационным эффектам в диэлектриках (Ноксвилл, США, 1997 г.; Иена, Германия, 1999 г.); Всероссийском симпозиуме по твердотельным детекторам ионизирующих излучений (Екатеринбург-Заречный, 1997 г.); Международ-

ной конференции по модификации материалов ионными пучками -IBMM98 (Амстердам, Нидерланды, 1998 г.); Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998 г.); Международной конференции по экситон-ным процессам в твердых телах - EXCON'98 (Бостон, США, 1998 г.); Международных конференциях по радиационной физике (Бишкек-Каракол, Кыргызская Республика, 1999 г; 2003 г.); Международной научной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск-Улан-Удэ, 2004 г.).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и выводов, списка цитируемой литературы и приложения; содержит 466 страниц, в том числе 152 рисунка, 39 таблиц и список литературы из 686 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дана общая характеристика работы, рассмотрены состояние изученности проблемы и актуальность темы, сформулированы общая цель и задачи исследования, обоснованы научная новизна и практическая значимость, отмечены научные положения, выносимые на защиту, а также личный вклад автора.

Первая глава в диссертации является обзорной, поскольку в работе затронут довольно широкий круг вопросов, в том числе - смежных, которые связаны сразрабатываемой темой. На основании анализа литературных данных сформулированы и обоснованы цели и задачи даннойработы, пути ихрешения, определен круг исследуемых объектов.

Нелинейные оптические материалы играли и играют всевозрастающую роль в современных лазерных технологиях. По мере быстрого развития и совершенствования технологии твердотельных лазеров с накачкой лазерными диодами источники мощного когерентного инфракрасного излучения с длиной волны около 1 мкм стали компактными и надежными. Однако одновременно с этим существует постоянный неослабевающий спрос на дешевые, мощные твердотельные источники (в том числе - перестраиваемые) когерентного излучения, работающие в видимом, УФ- и ВУФ- и диапазонах спектра, для самых разнообразных применений в науке и технике.

Долгое время поисковые исследования новых оптических сред для нелинейной и интегральной оптики лимитировались необходимостью экспериментальной проверки нелинейных свойств разрабатываемых веществ на пробных синтезированных материалах, чаще в виде по-

рошковых образцов. Лишь немногие из них удавалось вырастить в виде монокристаллов. Положение кардинально изменилось после разработки теоретических основ т.н. молекулярного инэгсишринга нелинейных оптических материалов. В 1975 г. для анализа нелинейных свойств органических материалов была выдвинута концепция молекулярного инжиниринга (Д. Шемла с сотр.). В рамках этой концепции установлены теоретические соотношения между нелинейными свойствами органических веществ и их структурой. В 1982 г. этот подход был распространен на неорганические нелинейные оптические кристаллы и получил название "Теория анионных групп для расчета нелинейных оптических свойств в кристаллах" (Ч. Чен с сотр.). Эта теория была применена, в первую очередь, к систематическому анализу нелинейно-оптических эффектов в кристаллах боратов с различными боро-кислородными группами. В этих группах довольно большая разность электроотрицательностей атомов бора и кислорода в связи В-О благоприятствует прохождению коротковолновой части ультрафиолетового излучения, что обусловливает перспективность применения боратов для среднего и дальнего УФ-диапазонов спектра. На основе теоретического анализа многих сотен потенциально пригодных гипотетических структурных вариантов были выбраны считанные единицы особо перспективных соединений. Последующее освоение технологии выращивания монокристаллов этих соединений и экспериментальное исследование их нелинейных свойств привели к появлению нового класса нелинейно-оптических кристаллов, пригодных для работы в УФ- и ВУФ-диапазонах спектра и отличающихся хорошими нелинейными свойствами в сочетании с высокой (до десятков ГВт-см-2) стойкостью к действию лазерного излучения.

Кристаллы, входящие в данный класс, дополняют друг друга по своим возможностям, число их сравнительно невелико, однако именно они представляют значительный практический интерес с точки зрения применения в самых современных разработках в области коротковолновой лазерной техники больших мощностей, нелинейной и интегральной коротковолновой оптике. Это обусловило их быстрое продвижение в область современных лазерных технологий. Важнейшими представителями данного класса кристаллов являются бораты ЩМ и ЩЗМ: тетраборат лития (ига), триборат лития (LBO), бета-борат бария (ВВО), цезий литиевый борат (CLBO), пентаборат калия (Е£ 5), а также классические кристаллы дигидрофосфатов калия (KDP) и аммония (ADP). Именно этот класс широкозонных нелинейно - оптических кристаллов был выбран в качестве объектов исследования диссертационной работы.

Для данного класса нелинейно - оптических кристаллов известно значительное количество публикаций по различным аспектам технологии выращивания, исследованию первичных структурных, физико-

химических, оптических и нелинейных свойств, по теоретическим исследованиям электронного строения и природы нелинейной восприимчивости, по их практическому использованию в коротковолновой лазерной технике, нелинейной и интегральной оптике. В обзоре дана классификация основных областей практического применения: генерация 2-6 гармоник излучения лазера УАО:Ыс1 или А^Озг'П, параметрическая генерация света, получение и измерение ультракоротких импульсов фемтосекундного диапазона, интегральные оптические волноводы, а также некоторые другие области практических приложений, в которых решающими факторами являются широкая полоса оптического пропускания, простирающаяся в ВУФ - область спектра, хорошие нелинейные свойства и повышенная стойкость к действию лазерного излучения. Обсуждаются некоторые современные воззрения на природу лазерной прочности прозрачных оптических материалов, включая пороговую и статистическую концепции оптического пробоя, а также кинетическую концепцию лучевой прочности. В обзоре детально рассмотрены основные этапы технологии выращивания объектов исследования, особенности кристаллической структуры, первичные физико - химические и оптические свойства. Особое внимание уделено анализу немногочисленных известных данных по электронной структуре и электронным возбуждениям в рассматриваемых кристаллах, включая рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию, расчеты электронной структуры и нелинейной восприимчивости. Также рассмотрены основные особенности релаксации электронных возбуждений в сложных оксидах.

В результате детального анализа установлено, что принципиальные вопросы, связанные с фундаментальными исследованиями динамики электронных возбуждений, люминесценции, автолокалнзации электронных возбуждений, локализованных состояний стабильных и короткоживущих дефектов, радиационно-стимулированных процессов, роли лёгких и тяжёлых катионов в процессах релаксации электронных возбуждений и дефектообразования в данном классе кристаллов к началу нашей работы были изучены недостаточно даже для традиционных и давно используемых кристаллов, таких как AD P, KDP, ХБ5, ВВО, а для сравнительно новых объектов (LBO, CLBO) такие данные отсутствовали совсем. Это определило общее направление исследований, цель и основные задачи настоящей работы.

Во второй главе приведено описание экспериментальной техники, объектов и методов исследований. Для каждого объекта исследования приведены данные по методам выращивания и особенностям приготовления образцов. Представленырезультаты исследования кристаллов боратов лития методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и рентгеновского дифракционного анализа.

В работе использованы образцы монокристаллов оптического качества, полученные из нескольких источников. Кристаллы боратов ЩМ и ЩЗМ (ЬТБ, ЬБО, СЬБО, ББО, КБ5), выращенные в КТИ Монокристаллов СО РАН (г. Новосибирск), - были предоставлены в наше распоряжение Л.И. Исаенко. При этом для кристаллов ЬБО была использована технология кристаллизации из раствор-расплава с верхним положением затравки; кристаллы ЬТБ и СЬБО выращивали из соответствующих стехиометрических расплавов методом Чохральского. При выращивании кристаллов СЬВО был использован высокий температурный градиент до 30 К-см-1, в результате оптимизации режимов выращивания были получены кристаллы без трещин, включений, видимых под десятикратным увеличением. Монокристаллы пентабо-рата калия выращивали из насыщенного водного раствора методом программного снижения температуры со скоростью 0.05-0.5 К в сутки в диапазоне 50-25°С.

Кристаллы ЬБО из ИОФ РАН (г. Москва) были выращены Л А Ольховой и В.А Масловым модифицированным раствор - расплавным методом с вытягиванием затравки в одно- и двухзонных печах в интервале температур 834-810°С. Для понижения вязкости расплава в систему Ы20-В203 вводили добавку М0О5.

Номинально - чистые и дейтерированные кристаллы КБР, выращенные в ГП НИИ «ПОЛЮС» (г. Москва) по оптимизированной методике с автоматизированным отбором конденсата, были предоставлены в наше распоряжение В.М. Гармашем.

Номинально - чистые и активированные примесями Сг и Мп кристаллы АБР и КБР были предоставлены для исследований М.М. Ки-дибаевым (Иссык - Кульский государственный университет, г. Кара-кол, Республика Кыргызстан). Кристаллы КБР и АБР с различным содержанием примесных атомов выращивали в водном растворе в изотермическом режиме при добавлении в маточный раствор хромата калия К2СЮ4 и перхромата кал Ж§(рг©§ личных концентраций. Легирование двухвалентным Мп проводили путем добавления в раствор сульфата марганца М118О4 различной концентрации.

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (совместно с М.В. Кузнецовым и А.Ю. Кузнецовым) проведен анализ кристаллов боратов ЬТБ, ЬБО и СЬБО. Состав поверхностных слоев кристаллов определяли из соотношения интенсивностей линий спектра с учётом соответствующих сечений фотоионизации. Выявлено, что для данных кристаллов боратов состав поверхностных слоев толщиной 3-5 нм, в том числе после применения ионной очистки поверхности кристалла, совпадает с формульным. Определены значения энергий связи остовных уровней и показано отсутствие соединений неструктурного характера в приповерхностных слоях.

Для изучения поляризации люминесценции и угловых зависимостей спектров ЭПР методом рентгеновского дифракционного анализа (совместно с В. Л. Сазоновой) выполнено ориентирование выращенных кристаллов ЬВО и приготовлены образцы специальной формы и заданной кристаллографической ориентации.

В течение многолетних исследований по теме диссертации нами проводилась разработка программно - аппаратного обеспечения экспериментов. Методология поиска нами отрабатывалась в течение многих лет на низкосимметричных, но более простых кристаллах. При этом экспериментальные методы, их аппаратурная реализация и элементная база многократно варьировались, совершенствовались и принципиально менялись. Концептуальные аспекты и методологические основы частично изложены в нашей статье [55]. В рамках этой работы проведена разработка программно - аппаратного обеспечения эксперимента. Первоначальный вариант установки для изучения рентгено-и термостимулированной люминесценции твердых тел был разработан и реализован нами в 1985 г., что позволило в конце 80-х / начале 90-х годов получить значительный объём экспериментальной информации по рентгено- и термостимулированной люминесценции различных неорганических кристаллов, которая отличалась научной новизной и практической ценностью, что отражено в наших публикациях этого периода и подтверждено авторским свидетельством СССР [54].

При последующем развитии установки проведена разработка и реализован контрольно - измерительный комплекс для анализа нестационарных свечений твердых тел, позволяющий проводить прецизионные спектральные измерения нестационарных свечений твердых тел в неизотермических условиях, например, спектров термостимулирован-ной люминесценции. Разработана и реализована специализированная микропроцессорная контрольно-измерительная аппаратура, работающая в контуре с персональным компьютером. Создан пакет микропрограмм на языке ассемблера для загрузки в микроконтроллер, а также графическая оболочка и интерфейс пользователя для управления программно - аппаратным контрольно - измерительным комплексом.

Ряд ключевых измерений выполнен нами в различных российских и зарубежных научных лабораториях. Угловые зависимости спектров ЭПР измерены совместно с С.Л. Вотяковым в Институте геологии и геохимии УрО РАН (г. Екатеринбург). Исследование методом модуляционной термоактивационной спектроскопии выполнено совместно с В.И. Кирпой на кафедре ФМПК УГТУ-УПИ (г. Екатеринбург). Люминесцентная и оптическая спектроскопия при возбуждении стационарными лабораторными источниками оптического излучения в области 1.2-10.2 эВ при температурах 60-600 К проведена нами совместно с Е.Л. Раджабовым в Институте геохимии СО РАН (г. Иркутск). Исследования методом люминесцентной и абсорбционной спек-

троскопии (1.2-6.2 эВ; 80-600 К) с наносекундным временным разрешением при возбуждении электронным пучком выполнены нами совместно с В.Ю. Яковлевым в ТПУ (г. Томск).

Люминесцентно - оптические исследования с применением синхро-тронного излучения проведены нами совместно с В.А. Пустоваровым в двух научных центрах при участии сотрудников этих лабораторий:

- в Институте ядерной физики СО РАН (г. Новосибирск) при возбуждении нефильтрованным синхротронным излучением накопителя ВЭПП-3 на экспериментальной станции люминесцентной спектроскопии при участии Э.И. Зинина выполнены измерения кинетики и спектров люминесценции (1.2-6.2 эВ; 80-290 К) с временным разрешением не хуже 100 пс;

- в лаборатории НАБУЬАВ, DESY (г. Гамбург, Германия) при селективном возбуждении синхротронным излучением в области энергий 4-40 эВ (экспериментальная станции SUPERLUMI) и 40-600 эВ (канал В^З) при участии Г. Циммерера и М. Кирма проведена низкотемпературная (6-9 К) люминесцентно - оптическая спектроскопия с субнаносекундным временным разрешением. Для всей исследованной области энергий возбуждения получены спектры ФЛ (1.2-8.2 эВ) с временным разрешением, спектры возбуждения ФЛ с временным разрешением и кинетика затухания ФЛ. Для области 6-35 эВ дополнительно измерены спектры отражения под углом 17°.

Третья глава посвящена комплексному исследованию излучатель-ного распада низкоэнергетических электронных возбуждений и природы быстрой УФ - люминесценции кристаллов боратов лития ЬТБ и LBO, включая, в частности, низкотемпературную (6-9 К) люминесцентно - оптическую ВУФ - спектроскопию с субнаносекундным временнымразрешением,расчёты спектров оптическихконстант, анализ пространственного положениямомента излучающего перехода по данным поляризационных измерений. Обсуждаются динамика электронных возбуждений, процессы автолокализации в боратахлития и два канала релаксации электронных возбуждений в кристалле LBO.

Для многих представителей класса широкозонных оксидных диэлектриков характерна интенсивная широкополосная ультрафиолетовая люминесценция. Сравнительно высокая степень её изученности достигнута к настоящему времени в оксидных кристаллах кубической и гексагональной сингоний (М§0, ВеО, А^Оз). В то же время, многие оксиды с более сложной кристаллической структурой остаются до сих пор неизученными. Поиск и детальное изучение люминесценции как фундаментального явления позволили нам использовать ее в качестве уникального метода исследования динамики электронных возбуждений и дефектов. Для нелинейно - оптических материалов, работающих в экстремальных условиях, люминесцентная спектроско-

Рис. 1. Спектры рентгенолюминесценции Рис. 2. Температурные зависимости фо-кристалла LBO при 80 (1) 285 (2) и 330 К толюминесценции необлученных образ-(3). Спектр на рис. (а) показан с увеличе- цов LBO при £ет=7.7 эВ - (1) и рентгено-нием х25. Штриховой линией показаны люминесценции - (2). Кружками показа-элементарные составляющие спектра ны экспериментальные точки, линиями -

теоретические зависимости

пия чрезвычайно важна и в прикладном плане - как высокочувствительный экспрессный метод неразрушающего контроля кристаллов и оптических элементов на их основе.

Кристаллы боратов лития LTB и LBO (тетрагональная и ортором-бическая сингонии, соответственно), имея одинаковый элементный состав, формально различаются построением кристаллической решетки из одинаковых структурных единиц. Структурный мотив обеих решеток содержит две плоские группы ВОз и одну (LBO) или две (LTB) объемные группы ВО4. Сравнительно слабосвязанные катионы лития расположены в пустотах боро - кислородного каркаса. Все это обусловливает как определенные различия, так и сходство кристаллов LTB и LBO с точки зрения электронной структуры и динамики электронных возбуждений.

Нами обнаружено, что в обоих кристаллах при воздействии различными видами фотонного (ВУФ-, рентгеновское и синхротронное излучения) и корпускулярного (электронные и ионные пучки) излучений наблюдается быстрая широкополосная люминесценция с максимумом в области 3.5-4.2 эВ. К началу наших исследований имелись разрозненные первичные данные по люминесценции LTB, что было связано с его применением в термолюминесцентной дозиметрии. Однако сведения по люминесценции LBO отсутствовали: нами она была впервые обнаружена и детально исследована в широких спектральной (1.2-10.2 эВ), температурной (8-600 К) и временной (0.5 нс-100 с) областях. Установлено, что спектры стационарной люминесценции, спектры люминесценции с временным разрешением и спектры поля-

ризованной люминесценции ЬБО при различных видах возбуждения представлены сложной полосой с максимумом в области 3.6-4.2 эВ и шириной на полувысоте около 0.8-1.2 эВ (рис. 1). Анализ неэлементарных полос позволил выделить длинноволновые полосы свечения при 2.7 и 3.3 эВ и коротковолновые полосы при 3.6 и 4.2 эВ с различными свойствами. Исследуя сяектры возбуждения ФЛ нами установлено, что длинноволновые полосы эффективно возбуждаются при 6.3 эВ (рис. 3,4) в полосе прозрачности кристалла и обусловлены собственными дефектами кислородной подрешетки ЬБО.

Фундаментальное оптическое поглощение ЬБО начинается в спектральной области выше 7.5 эВ. Совокупность таких экспериментальных фактов как:

♦ спектр возбуждения коротковолновой ФЛ ЬБО при 3.6 и 4.2 эВ на-

ходится в области фундаментального оптического поглощения;

♦ возбуждение ФЛ наиболее эффективно на его длинноволновом краю;

♦ форма спектра возбуждения, типична для кристаллов с экситонным

механизмом фотовозбуждения;

♦ большой (более 4 эВ) стоксов сдвиг;

♦ характерные кинетика затухания свечения и температурная зависи-

мость люминесценции,

позволила сделать вывод о собственной природе коротковолновой люминесценции кристалла ЬБО при 3.6 и 4.2 эВ, возникающей вследствие излучательной аннигиляции релаксированных электронных возбуждений с радиационным временем жизни около 1 не.

Фотолюминесценция ЬБО стабильна по интенсивности в области 8-200 К и испытывает моттовское температурное тушение выше 200 К

Энергия фотонов, эВ Энерпи фотонов, эВ

Рис. 5. Спектры возбуждения быстрого Рис. 6. Спектры возбуждения ФЛ при

(5r 1=1.2 не, Д; 1 =5.9 не) - (1) и медленного 4.2 эВ кристалла LBO при290 К в области

(8г2=23.5 не, Д/2=1Ю не) - (2) компонен- энергий:4-35эВ-(а),40-200эВ-(кривая

тов люминесценции при 3.87 эВ и спек- 1 на рис. Ь) и 520-600 эВ - (с). На вставке

тры отражения (3) кристаллов LTB (а), (кривая 2) приведен спектр возбуждения

LBO-Y (¿>) и LBO-X (f) при 9.6 К ФЛ в области К-края поглощения бора

с энергией активации 290 мэВ и частотным фактором tüo=240 кГц. Рентгенолюминесценция в температурном интервале выше 200 К также испытывает термическое тушение с близкими параметрами. Однако при охлаждении ниже 200 К ее интенсивность уменьшается в 20-25 раз вследствие локализации носителей заряда на неглубоких центрах захвата (рис. 2).

С целью установления пространственной ориентации моментов излучающих переходов нами изучены поляризационные характеристики люминесценции ориентированных кристаллов LBO. Следствием пониженной симметрии исследуемых кристаллов явились большие экспериментальные трудности как при подготовке ориентированных образцов для исследования, так и при проведении поляризационных измерений. Нами показано, что люминесценция LBO в сильной степени поляризована. Степень поляризации составляет р =70% (стационарная люминесценция), 60% (быстрый компонент) и свыше 85% (медленные составляющие). Центры люминесценции представляют собой излучающие диполи с моментами переходов, ориентированными вдоль направлений, лежащих в области, заданной сферическими

координатами ф=40-60°, 0=30-40°. При возбуждении поляризованным синхротронным излучением нами установлена зависимость соотношения интенсивностей основных гауссовых составляющих профиля спектральной полосы люминесценции от кристаллографической ориентации образца.

' // / Полученная совокупность резуль-'// / татов о природе стационарного свече'/// ния явилась основой для проведения систематического исследования бора, тов лития методом низкотемператур-нойлюминесцентно - оптической ВУФ-12=42 эВ спектроскопии с субнаносекундным временным разрешением при селективном У возбуждении синхротронным излучением до 40 эВ. Для кристаллов LTB и

-». LBO нами впервые были получены об-

Q[ Q2 ширные экспериментальные данные по

спектрам ФЛ с временным разрешени-Рис. 7. Конфигурационные кривые ем, спектрам возбуждения ФЛ с вре-потенциалыгой энергии АЛЭ двух менным разрешением, кинетике ФЛ и типов в кристалле LBO спектрам отражения (рис. 5). На осно-

ве полученных экспериментальных данных для обоих типов кристаллов рассчитаны оптические константы п(Е), к(Е), £] (£), £г(£)> o(E), Im е-1, Im (е+ I)-1 и выявлено сходство динамики электронных возбуждений. Суть его заключается в создании нерелаксированного экситона молекулярного типа, основными каналами распада которого являются миграция с последующим безызлучательным распадом, автолокализация и диссоциация. Нами сделан вывод о том, что свечение с Ет= 3.6 эВ в кристаллах LTB и LBO является по природе собственной люминесценцией, возникающей вследствие излучатель-ной аннигиляции самосжатого экситона, являющегося результатом автолокализации молекулярного экситона с дырочным компонентом в нижней части ВЗ. Выделены о- и л- полосы свечения самосжатого экситона, обусловленные спин - синглетными и триплетными излу-чательными переходами. На основании модели конфигурационных кривых интерпретированы длинноволновый (LTB) и коротковолновый (LBO) сдвиги о-полосы свечения относительно спектрального положения тс-полосы.

Полученный комплекс экспериментальных данных позволил также установить природу полосы ФЛ при 4.2 эВ, специфичной лишь для кристалла LBO. В рамках экспериментально обоснованной модели, ФЛ при 4.2 эВ является результатом излучательной аннигиляции АЛЭ, который формируется при автолокализации первичных электронных возбуждений, созданных путем рекомбинации подвижных

электрона и тяжелой дырки из верхней части ВЗ. Вероятность такого процесса сравнительно невелика, но может повышаться на несколько порядков при наличии малых искажений решетки, обусловленных дефектами, не создающими центров захвата; при рекомбинации генетически связанных электронно - дырочных пар, созданных фотонами вблизи порога межзонных переходов; при протекании термостиму-лированных рекомбинационных процессов с участием дефектов, не имеющих активаторных полос ФЛ. Рис. 7 иллюстрирует сосуществование двух несводимых друг к другу каналов релаксации электронных возбуждений в кристалле ЬБО, приводящих к формированию автоло-кализованных экситонов двух типов.

Эти результаты создали основу для более детального изучения процессов формирования первичных и вторичных катионных и анионных возбуждений, а также каналов их распада в боратах лития с использованием метода люминесцентной спектроскопии с временным разрешением при селективном возбуждении синхротронным излучением в ультрамягкой рентгеновской области спектра, включая область остовных переходов лития, бора и кислорода. Полученные экспериментальные результаты свидетельствуют, в частности, что рекомбина-ционный процесс является основным каналом возбуждения собственной ФЛ ЬВО при 4.2 эВ (рис. 6). Так, монотонный рост выхода этой ФЛ при увеличении энергии возбуждающих фотонов от 2Еъ до ЛГ-края поглощения лития обусловлен рассеянием горячих фотоэлектронов и фотодырок на электронах валентной зоны, приводящим к формированию вторичных низкоэнергетических электронно - дырочных пар, дающих вклад в возбуждение рекомбинационной ФЛ. В области ЛГ-края поглощения лития и бора обнаружены особенности в спектрах возбуждения ФЛ, обусловленные возбуждением остовных 15 катионных экситонов. Получены экспериментальные свидетельства процесса размножения 1$ Ььэкситонов.

Наблюдаемые различия в проявлении 15 !л- и 15 В- катионных экситонов в спектрах возбуждения ФЛ интерпретированы с учетом особенностей кристаллографической и электронной структуры ЬБО: катионы лития, расположены в пустотах боро-кислородного каркаса, занимают изолированное положение в решетке ЬВО и не дают вклада вэлектронныесостояниявблизидназоныпроводимости. Остовные 15 И возбуждения носят практически внутриатомный характер, поэтому в большом диапазоне энергий возбуждения выше /С-края поглощения лития (ДЕ «40 эВ) релаксация электрона с высоковозбужденных состояний в низшее возбужденное состояние 15 1л-экситона происходит безызлучательно. Напротив, катион бора входит в состав непрерывного боро-кислородного каркаса ЬБО. Орбитали бора дают вклад в формирование электронной структуры валентной зоны и дна зоны проводимости, что обеспечивает условия миграции электрон-

ного компонента пары: 'электрон на состоянии зоны проводимости, генетически связанном с атомной 2р-орбиталью бора, - остовная ls В дырка'. Это резко ограничивает энергетическую область наблюдаемого проявления li В-экситона в спектрах возбуждения ФЛ. Еще более благоприятные условия для миграции электронного компонента реализуются при возбуждении остовного 1î О-перехода, поскольку 2/>-орбитали кислорода в кристалле LBO дают определяющий вклад не только в формирование состояний валентной зоны, но и входят в состав боро-кислородных орбиталей; образующих дно зоны проводимости. При отсутствии конкурирующих каналов возбуждения УФ-полосы ФЛ при комнатной температуре, это приводит к весьма слабым проявлениям остовиых 1j О переходов в спектрах возбуждения фотолюминесценции.

В четвертой главе методом низкотемпературной оптической ВУФ-спектроскопии с временным разрешением выполнено исследование кристаллов боратовЩМиUJ3M(CsLiB6Oio, P-.Ba.B2O4, КВ508-4Н20), а также кристаллов дигидрофосфатов NH4H2PO4 и КН2РО4. Обсуждаются модели центров свечения, дефекты и особенности динамики электронных возбуждений в кристаллах с водородными связями (КВ5, ADP и KDP) и в кристаллах боратов с относительно тяжелыми катионами Cs и Ва (CLBO, ВВО).

В широких спектральной и температурной областях выполнены низкотемпературные (6-9 К) измерения кинетики затухания ФЛ с суб-наносекундным временным разрешением, спектров ФЛ с временным разрешением, времяразрешенных спектров возбуждения ФЛ и спектров отражения кристалла CLBO и ВВО при селективном фотовозбуждении сиихротронным излучением (рис. 8, 9). На основании полученных экспериментальных данных установлено, что в кристаллах CLBO и ВВО происходит возбуждение нерелаксированного экситона молекулярного типа, основными каналами распада которого являются миграция с последующим безызлучательным распадом и автолокализация; установлены собственный характер природы широкополосной коротковолновой люминесценции CLBO (3.3-3.5 эВ) и ВВО (3.1 эВ), обусловленный излучательной аннигиляцией автолокализо-ванного экситона, а также уменьшение подвижности электронных возбуждений или длины диффузии молекулярного экситона в ряду кристаллов LBO-LTB-CLBO при низких температурах. Проведена оценка ширины запрещенной зоны CLBO Es «8.5 эВ. Монотонноеповыше-ние эффективности возбуждения собственной люминесценции CLBO и ВВО при энергии возбуждающих фотонов выше 19 эВ (CLBO) и 15 эВ (ВВО) сопоставлено с процессом фотонного размножения.

Для неактивированных кристаллов КВ5 при селективном ВУФ-возбуждении исследована низкотемпературная ФЛ с субнаносекунд-

Рис. 8. Спектры возбуждения медленно- Рис. 9. Спектры возбуждения быстрого

го (&2=19 не, ДГ2=158 не) - (1), быстрого (&i=0.9 не, Д/]=4.3 не) - (1), медленного

(&]=1.9не,ДГ|=8.5не)-(2)компонентов (&г = 19не,Ati = 147нс)-(2)ивремяин-

ФЛ в полосе 3.35 эВ и спектры отражения тегрированного (3) компонентов ФЛ при

(3) кристалла CLBO при 9.3 К (о) и 295 К 3.3 эВ и спектры отражения (4) кристалла

(6) ВВО при 9.6 К

ным временным разрешением: при 7 К измерены времяразрешенные спектры ФЛ (2-6 эВ), времяразрешенные спектры возбуждения ФЛ (435 эВ), кинетика ФЛ, спектры отражения (5-20 эВ). На основе полученных экспериментальных данных идентифицированы полосы свечения собственных дефектов решетки КВ5. Выделены полосы ФЛ, обусловленные излучательной аннигиляцией локализованных или ав-толокализованных электронных возбуждений, наиболее эффективное фотовозбуждение которых происходит на краю фундаментального поглощения в области предполагаемого формирования свободных экситонов. Обнаружено различие между спектрами ФЛ быстрого и медленного компонентов. Показано, что при низких температурах в кристалле КВ5 имеет место эффективный транспорт энергии по водородной подрешетке, обусловливающий падение эффективности фотовозбуждения ФЛ в области межзонных переходов вследствие поверхностных потерь энергии. При длительном УФ-облучении кристалла КВ5 в вакууме при 7 К происходит формирование дефектов водородной подрешетки, которые способствуют локализации электронных возбуждений и уменьшению их эффективной длины диффузии. Это приводит к снижению доли безызлучательных потерь энергии и тем самым к повышению эффективности фотовозбуждения ФЛ в области переходов "зона-зона".

Для неактивированных кристаллов ADP и KDP исследована низкотемпературная ФЛ с субнаносекундным временным разрешением: измерены времяразрешенные спектры ФЛ, времяразрешенные спек-

тры возбуждения ФЛ и кинетика ФЛ. На основе полученных экспериментальных результатов и известных литературных данных длинноволновая полоса ФЛ при 2.6 эВ отнесена к свечению собственных Ь-дефектов, а полоса свечения при 3.5-3.6 эВ - к ФЛ Б-дефектов решетки КБ Р. Идентифицированы полосы возбуждения ФЛ этих дефектов, показано, что при низких температурах в кристаллах АБР и КБР имеет место эффективный транспорт энергии по водородной подрешетке. Это обусловливает эффективное возбуждение ФЛ L и Б-дефектов в области фундаментального поглощения кристалла при электронных переходах на уровни дна зоны проводимости, обусловленные состояниями атомов водорода. Обнаружены и исследованы процессы автолокализации электронных возбуждений и излучатель-ной аннигиляцией АЛЭ в кристаллах АБР и КБР. Выделены полосы ФЛ при 4.7 эВ в АБР и при 5.24 и 5.10 эВ в КБР, обусловленные переходами из низших спин - синглетного и триплетного состояний АЛЭ, расщепленных обменным взаимодействием. Дана оценка величины £^=8.0-8.8 эВ, монотонное повышение эффективности возбуждения ФЛ выше 18 эВ отнесено к проявлению процессов размножения электронных возбуждений.

В пятой главе приведены результаты комплексного исследования точечныхдефектови термостимулированныхрекомбинационныхпро-цессоввкристаллахтрибораталитияЬВО.Разработаныструктурные модели для обнаруженныхнами электронного В2+- и дырочного О- -парамагнитных центров, исследована динамика их накопления, термический распад и процессы излучатсльнойрекомбинации.

В кристаллах трибората лития обнаружены и идентифицированы точечные дефекты решетки - электронный В2+- и дырочный О~-центры (рис. 10). Комплексом экспериментальных методов, включая ЭПР, оптическую и термоактивационную спектроскопию, изучены основные свойства, динамика накопления и отжига обнаруженных дефектов (рис. 11-15). Измерение спектров ЭПР дырочного центра О~ в кристаллах ЬБО при вращении в трех взаимно перпендикулярных плоскостях (рис. 11) и применение оригинального пакета прикладных программ для анализа полученных угловых зависимостей позволили установить собственные (главные) значения # - тензора

и соответствующие им собственные векторы - магнитные псевдооси дырочного центра О~ для кристалла ЬБО:

/х = [0.948, 0.043, -0.316]; /у = [0.280, 0.360, 0.890]; 1Ъ =[0.151, -0.932, 0.329].

[010] [100] [001] [010]

Рис. 10. Спектр ЭПР (НЦг, 80 К) кри- Рис. 11. Угловые зависимости резонанс-

сталла ЬВО, облученнного электрона- ного поля линий спектра ЭПР центра

ми (Ф=Ы0м см"2, 80 К), состоящий из О-, рассчитанные из экспериментальных

линий парамагнитных центров О" (А), данных (точки) и из предполагаемой ори-

11В2+ (5) и 10В2+ (С) ентации магнитных псевдоосей (линии)

На основании полученных экспериментальныхданных по угловым

зависимостям спектров ЭПР дырочного 'О- -центра и теоретических

В 2 +

- центра предложены атомные структурные модели электронного В2+- и дырочного О--центров в кристалле ЬВО.

Наиболее адекватной моделью электронного В2+- центра в кристалле LBO является междоузельный атом бора, захвативший дополнительный электрон. Согласно предложенной модели, неспаренный спин дырочного 0~-центра локализован на яг орбитали кислорода (01 или 04), соединяющего трех- и четырехкоординированные атомы бора (В1-01-В2 или ВЗ-04-В2), с существенной делокализацией в сторону рг орбитали тригонального бора (В1 или ВЗ) - рис. 12.

Полученные результаты свидетельствуют о существования в кристалле ЬВО двух конфигураций 0~-ценгра (В1-01-В2 и ВЗ-04-В2). Показано, что дырка стабилизирована отрицательным зарядом слегка искаженной тетраэдрической структуры ВО4 или дефекта во второй координационной сфере: литиевой вакансии или примесного атома. В нерелаксированной решетке ЬВО магнитные псевдооси центра направлены следующим образом: 1г -вдольоси г кристалла, 1у -внапра-влении химической связи В1-01 (илиВЗ-04), /х - ортогональна двум предыдущим осям.

Электронный В2+- и дырочный О-- центры в кристалле ЬВО могут быть созданы как в процессе выращивания, так и радиационным путем по ударному механизму. Обнаружены различия в термоакти-вационных параметрах однотипных дефектов, созданных в процессе

Рис. 12. Модель дырочного О -центра в Рис. 13. Ненюгермнчсская релаксация кристалле LBO: пространственная струк- парамагнитных В;'- 11) и О - (2) центу ра - (а): проекция на плоскость (001) - тров (а) и кривые термообссцвсчнвания (Л): схема энергетических уровней - (с) и в различных полосах - (Л) для кристалла агомная структура - (винчу) LBO. облученного электронами при 80 К

выращивания и радиационным путем: Общей закономерностью для кристалла LBO является более высокая энергия активации отжига ростовых дефектов по сравнению с таковой для радиационных дефектов.

В широких спектральной (1.2-8.0 эВ) и температурной (8(М00 К) областях изучено наведенное оптическое поглощение дефектов в кристаллах LBO. Установлено, что низкотемпературные полосы наведенного оптического поглощения обусловлены оптическими переходами с состояний валентной зоны на локальные уровни дырочного О-центра. Выделена длинноволновая полоса оптического поглощения при 2.2 эВ, которая отнесена к оптическим переходам в одном атоме кислорода (01 или 04) между расщепленными в кристаллическом поле орбиталями р: и рх, /?у. В дополнение к полосам низкотемпературно 1 о оптического поглощения обнаружены широкие полосы высокотемпературного оптического поглощения, простирающиеся от 5 эВ до края фундаментального поглощения. Накопление высокотемпературных дефектов кристалла LBO, обусловливающих эти полосы оптического поглощения, является одной из возможных причин 'старения' и дегра-

Ф 1ЮСН1 1 ICKipOHOB IM •

Рис 14 Динамика накопления радиационно-индуцированных дефектов LBO по ам-гпнтудс пиков тсрмостичу.шрованнои иоминесценции 240 (I). 130 (2) ISO (1) и 330 К (4) - (спева) и фигуры Лихтенберга на кристал ia\ LBO. об1>ченны\ экмро-иами (¿=200 кэВ) при 80 К фтюенсом 5 10|5см увешчение хЗОО(справа)

Рис 15 Термостиму.шрованная люминесценция крисыл и ЬВО

дации оптических элементов на основе кристаллов трибората лития. Идентифицированы полосы короткоживущего оптического поглощения, обусловленные оптическими переходами с состояний валентной зоны на локальный уровень дырочного 0~-центра (межполяронные переходы между состояниями различных атомов кислорода), и оптические переходы между расщепленными в кристаллическом поле л рх, р^ орбиталями одного и того же атома кислорода 0~-цснгра (вну-

триполяронные переходы). Установлена идентичность оптических переходов, обусловливающих полосы короткоживущего (метастабиль-ного) и низкотемпературного стабильного оптического поглощения. Это имеет важное практическое значение для понимания механизма радиационно - оптической устойчивости ЬБО.

Выполнено прямое измерение спектров рекомбинационной люминесценции кристаллов ЬВО в температурной области распада собственных дефектов решетки ЬВО (В2+ и О-) и идентифицированы полосы рекомбинационной люминесценции, обусловленной процессами электронной (£т=4.0 эВ) и д ы р о ч н о й р е к о м б и н а ц и и (Ет=4.2 эВ) Установлено, что в спектрах стационарной рентгено- и катодолюми-несценции ЬБО рекомбинационные полосы составляют значительную долю светосуммы и обусловливают основную полосу свечения ЬБО при 4.2 эВ. Более длинноволновая полоса рентгено- и катодолюми-несценции ЬБО (3.5-3.8 эВ) в спектрах термостимулированной люминесценции не проявляется. Проведенный анализ вероятных моделей центров рекомбинационной люминесценции ЬБО показал, что наиболее адекватными и непротиворечивыми являются: а)модель междефектной туннельной рекомбинации при термоактивированном контроле степени заселения электронного и дырочного уровней ассоциации дефектов {глубокий электронный центр - О-- центр}; б) модель излучательной аннигиляция автолокализованного экситона рекомби-национного типа. Показана неэлементарность пика термостимулированной люминесценции, обусловленного термическим распадом дырочного 0~ -ценгра, что может быть объяснено наличием двух центров с близкими характеристиками, но отличающимися глубиной потенциальной ямы при локализации дырки.

Выполнены экспериментальное и теоретическое исследования влияния ионных процессов в литиевой подрешетке кристалла ЬБО, приводящих к флуктуационной перестройке локального окружения центров захвата, на термостимулированные рекомбинационные процессы, в частности - на термостимулированную люминесценцию. Установлено, что в температурной области распада электронного В2+- центра 100-140 К флуктуационные процессы в литиевой подрешетке индуцируют понижение потенциального барьера В2+-центра примерно на 20%. В качестве побочного результата этот процесс приводит к появлению т.н. 'спонтанных сцинтилляций', наблюдаемых в кристалле ЬБО при температуре ниже 180 К (рис. 2), а также к кажущемуся повышению экспериментальной средней энергии активации рекомбинацион-ного процесса в области термического распада В2+-центра. При дальнейшем повышении температуры, термофлуктуационный процесс в литиевой подрешетке приводит к 'разрушению' литиевых вакансий в результате подвижности катионов лития. Это обусловливает делока-лизациюдырок 0~-центров в области 180-250 К.

Шестая глава посвящена изучению кинетики неравновесныхпро-цессов в кристаллах боратов ЩМи ЩЗМпри возбуждении электронным пучком. Исследованы спектры и кинетика короткоживуще-го оптического поглощения и импульснойкатодолюминесцепции, их зависимости оттемпературы имощности возбуждения, процессы бе -зызлучателыюйтуннельной перезарядки короткоживущихдефектов литиевой подрешетки и механизмы излучательнойрекомбинации в кристаллахс дефектами.

Впервые методом люминесцентной и абсорбционной оптической спектроскопии с наносекундным временным разрешением в широких спектральной (1.2-5.0 эВ) и временной областях (10 нс-1 с) при возбуждении электронным пучком выполнено исследование корот-коживущего (метастабильного) оптического поглощения и импульсной катодолюминесценции кристаллов боратов щелочных и щелочноземельных кристаллов (ЬТБ, ЬБО, СЬБО, ВВО, КВ5), изучены спектры КОП и ИКЛ, кинетика релаксации наведенной оптической плотности, кинетика люминесценции и температурные зависимости параметров кинетики (рис. 16-25).

Установлено, что при воздействии электронного пучка 150200 кэВ, т=15 не) в кристаллах боратов ЩМ и ЩЗМ происходит формирование короткоживущих радиационных дефектов катионной подрешетки и выявлена единая природа метастабильного (при комнатной температуре) и стабильного (при 80 К) оптического поглощения этих кристаллов в видимой и УФ-областях спектра (рис. 16,17,20), обусловленная оптическими переходами в центрах окраски, представляющих собой поляроны малого радиуса. Оптическое поглощение межполяронного типа возникает при фотоиндуцированном переносе дырки из основного локализованного состояния, отщепленного от состояний потолка ВЗ в окрестности радиационно - индуцированной катионной вакансии, на состояния ВЗ, сформированные одним из эквивалентных ионов кислорода, окружающих эту вакансию.

Кинетика релаксации оптической плотности в кристаллах ЬТБ и ЬБО контролируется процессом междефектной безызлучательной туннельной рекомбинации с участием данных дырочных центров и электронных 1л°-центров, представляющих собой нейтральные атомы лития, которые при 290 К совершают термостимулированную квазиодномерную миграцию, не сопровождающуюся выходом носителей заряда в зону проводимости. Выявлено, что кинетика затухания КОП ЬТБ и ЬБО (рис. 18) подчиняется уравнению1

ЧТармон В.Н., Хайрутдинов Р.Ф., Замараев К.И. //ФТТ. 1974. Т. 16, N9. 2572-2578.

где п(г) - концентрация центров окраски; по=п(0); N - концентрация электронных центров; г - времязатухания; Уо - предэкспоненциальный множитель, а - половина радиуса Бора, определяющие вероятность туннельного переноса электрона между дефектами.

Детальное сопоставление законов затухания КОП и ИКЛ в боратах лития показывает, что кинетика затухания ИКЛ не может быть представлена в виде производной по времени от кинетики затухания оптической плотности, которая, в свою очередь, пропорциональна

концентрации центров окраски. Это означает, что туннельный перенос электрона между основными дефектами, определяющими КОП, является безызлучательным и при этом не реализуется резонансных (или близких к резонансным) условий для туннельного переноса электрона с дефекта на возбужденное состояние околодефектного АЛЭ. Сделан вывод, что ИКЛ и КОП в боратах лития контролируются различными релаксационными процессами. Показано, что кинетика ИКЛ ШБ (рис. 22) контролируется релаксационным процессом, связанным с туннельным переносом электрона с глубокого центра на мигрирующий в его окрестности дырочный полярон малого радиуса с последующим формированием возбужденного состояния автоло-кализованного экситона, излучательная аннигиляция которого обусловливает характерную поляризованную люминесценцию кристалла ЦГБ при 3.6 эВ.

На основании результатов идентификации полос рекомбинаци-онной люминесценции LBO и полос короткоживущего оптического поглощения, обусловленного оптическими переходами в дырочном О--центре, впервые в широкой температурной (80 - 500 К) области выполнено исследование кинетики рекомбинационных процессов в

кристаллах LBO путем совместного использования методов люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с временным разрешением (рис. 23). Результаты совместного изучения кинетики короткоживуще-го поглощения и люминесценции кристаллов LBO при возбуждении электронным пучком наносекундной длительности однозначно свидетельствуют, что КОП и люминесценция LBO являются следствием одних и тех же рекомбинационных процессов с участием основных точечных дефектов решетки ЬВО: электронных В2+- и дырочных О--центров. Кинетика ИКЛ в области времён затухания до 200 мкс нами была аппроксимирована эмпирической зависимостью

усл.ед.:. Д1 =36; Аг=0.2; А з=3.6; ^4=0.62; Совокупность полученных экспериментальных данных позволила разработать и теоретически обосновать модель термоактивационных рекомбинационных процессов в кристалле ЬБО, описывающую особенности кинетики КОП и люминесценции в микросекундной области времён затухания, взаимосвязь между ними и их зависимость от параметров точечных дефектов, температуры и условий возбуждения (рис. 24).

Проведенные нами теоретические расчеты в рамках предложенной модели показали, что все наблюдаемые особенности кинетики рекомбинационных процессов в микросекундной области обусловлены процессами обмена через ВЗ в системе двух конкурирующих дырочных центров, при участии мелкого электронного уровня захвата В2+-центра. При моделировании кинетики рекомбинационной люминесценции и ее температурной зависимости было достигнуто количественное согласие с экспериментом (рис. 25). На основании проведенных расчетов дано количественное и качественное объяснение эффекта 'разгорания' в кинетике люминесценции ЬБО в микросекундной области времен затухания.

В отличие от боратов лития, кристаллы КВ5, СЬБО и ВВО характеризуются более высокой стабильностью катионной подрешетки. В этой связи, облучение пучком электронов с энергией 200 кэВ при 290 К не приводит к эффективному образованию междоузельных катионов, являющихся основой для формирования электронных центров захвата. Отсутствие сравнительно долгоживущих центров захвата для локализации электронов приводит к их быстрой рекомбинации на дырочных центрах. Действительно, наблюдаемая кинетика затухания КОП и ИКЛ в кристаллах КВ5, СЬБО и ВВО имеет характерные времена несколько десятков наносекунд, что лишь незначительно превосходит длительность импульса возбуждения.

В седьмой главе выполнено исследованиелюминесценции, стабильных и короткоживущихдефектов в кристаллах ADPи KDP, включая люминесцентно - оптическую спектроскопию примесных ирадиаци-онныхдефектов, экспериментальное итеоретическое изучение про-цессоврадиационногодефектообразованияпри воздействии ионных пучков, а также исследование процессов генерации ираспада корот -коживущихдефектов при импульсном электронном облучении.

К началу наших исследований уже имелись данные по оптической и ЭПР- спектроскопии стабильных собственных и примесных дефектов АБР и КБР, однако люминесцентные проявления этих дефектов были недостаточно изучены. Полученная нами в гл. 4 совокупность результатов по установлению природы низкотемпературной собственной люминесценции АБР и КБР создала основу для проведения такого исследования.

В результате комплексного исследования кристаллов ЛБР и КБР методами люминесцентной, оптической и ЭПР - спектроскопии нами обнаружена и идентифицирована люминесценция собственных и примесных дефектов этих кристаллов. В отличие от собственных УФ-свечений ЛБР и КБР, люминесценция дефектов проявляется в сравнительно длинноволновой части спектра (2-3.5 эВ) и при комнатной температуре эффективно возбуждается в полосе оптической прозрачности кристалла. Установлено, что введение гетеровалентных примесей замещения приводит к стабилизации ориентационных Ь- и Б-дефектов в окрестности примесного атома для компенсации избыточного заряда, что обусловливает увеличение выхода длинноволновой ФЛ при 295 К. Показано, что примесные ионы группы железа в этом комплексе выступают в качестве приемников энергии, передающих её далее центрам свечения, в качестве которых выступают Ь-дефекты водородной подрешетки, компенсирующие избыточный заряд примеси. Транспорт энергии от матрицы к центрам свечения при комнатной температуре является неэффективным. Побочным результатом взаимодействия примесных и собственных дефектов решетки является отсутствие при комнатной температуре наблюдаемых проявлений характерных излучательных переходов примесных атомов. Данный механизм объясняет также появление длинноволновой ФЛ в преднамеренно не легированных кристаллах группы КБР, которые практически всегда содержат неконтролируемые концентрации примесей группы железа. Практически важным результатом данного цикла исследований явилось установление возможности использования люминесцентного метода для качественной оценки степени загрязнения кристаллов группы КБР примесями группы железа.

Радиационные технологии, использующие ионные и электронные пучки, широко применяют для анализа и модификации свойств оптических материалов. Кристаллы ЛБР и КБР, в отличие от боратов ЩМ и ЩЗМ, относятся к классу диэлектриков с водородными связями, легко подвергающихся радиолизу. Это обусловливает определенную специфику процессов радиационного дефектообразования, формирования короткоживущих электронных и ионных возбуждений, приводящих к созданию метастабильных (короткоживущих) радиационных дефектов и устойчивых структурных нарушений.

Экспериментальное и теоретическое исследование процессов радиационного дефектообразования в кристаллах КБР и ЛБР под действием высокоэнергетических ионных пучков (рис. 26, 27) показало, что плотность ионизационных потерь в расчёте на один налетающий ион — ёЕ/ёх в сильной степени зависит от сорта налетающих ионов. В случае КБР величина — ёЕ/ёх на поверхности кристалла варьируется от 60 кэВ/мкм для протонов до 1400 кэВ/мкм для ионов азота. Это более чем 20-кратное превышение плотности ионизационных потерь

Глубина, мкм

200 400 Глубина, мкм'

Рис. 26. Количество вакансий, созданных Рис. 27. Количество вакансий, созданных на 1 мкм пробега (вверху) и плотность на 1 мкм пробега (вверху) и плотность ионизационных потерь (-¿Е/сЬс) (внизу) ионизационных потерь (-6Е/ ск) (внизу) для ионов Н+(0.71 МэВ)(1),№"(16МэВ) для ионов Не+ с энергией 4.6 МэВ (I) и (2) и Не+ (4.6 МэВ) (3) в кристалле КОР 27 МэВ (2) в кристалле ЛОР

Таблица

Результата расчета по программе TRIM

Параметр Кристалл

KDP ADP

Сорт ионов Н+ Не+ N+ Не+ Не+

Энергия ионов, МэВ 0.71 4.6 16 4.6 27

К, мкм 8.3 18.6 9.9 27 470

А/2, мкм 0.5 0.5 0.45 0.9 15

27 229 1540 227 353

- [&Е/<к]8, кэВ/мкм 58 171 1400 147 33

— [сШ/Ас]т, кэВ/мкм 137 397 1770 273 203

Примечание. Л - средняя длина проективного пробега; АЯ - ширина на полувысоте профиля; N4 - полное количество вакансий, образованных одним налетающим ионом; [-(!£/ с!х] - плотность ионизационных потерь энергии в расчете на один налетающий ион на поверхности (л) кристалла и в области максимум! национальная

I БИБЛИОТЕКА | СПетсрвург * . оа №0 »кг__

Рис. 28. Спектры КОП кристаллов ADP Рис. 29. Кинетика затухания КОП в nota) и KDP (Ь) при 290 К, измеренные ера- лосе 2.2 эВ кристаллов KDP (а) и ADP зу после окончания импульса возбужде- (Ь) при 290 К после возбуждения элек-ния (1) и спустя 10 мкс (2). Кружки - экс- тронным пучком 23% (1,3,5) и 12.3% (2,4) периментальные точки, сплошные линии мощности. Кружки - экспериментальные - результат аппроксимации суммой raye- точки, сплошные и пунктирные линии -сианов С\ ■. -Gs теоретические зависимости. Кривые (3,4)

- вклад медленного компонента

при облучении высокоэнергетичными ионами азота по сравнению с таковым для протонов, обусловливает различия в величине флюенса при котором происходит интенсивный радиолиз и деструкция кристалла. На основании комплекса полученных экспериментальных и теоретических данных нами установлено, что порог начала радиолиза в кристаллах ADP и KDP находится в интервале значений плотности ионизационных потерь от 30 до 100 кэВ/мкм. Показано, что уменьшение плотности ионизационных потерь благоприятно сказывается на радиационной стабильности кристаллов ADP и KDP: радиолиз и деструкция кристаллов становятся менее выраженными и наступают при более высоких уровнях флюенса. Таблица иллюстрирует снижение плотности ионизационных потерь на поверхности кристалла, достигнутое как в результате снижения массы налетающих ионов в ряду N+-He+-H+, так и при повышении энергии ионов Не+с 4,6 до 27 МэВ.

Процессы радиационного дефектообразования в кристаллах ADP и K.DP под действием электронных пучков наносекундной длитель-

ности с энергией 0.2 МэВ изучали методом люминесцентной и абсорбционной оптической спектроскопии с временным разрешением. Нами установлено, что при 290 К метастабильное оптическое поглощение кристаллов АБР и КБР в видимой и ближней УФ-областях спектра (рис. 28) обусловлено фотоиндуцированным переносом дырки с локального уровня дырочного полярона (А- или 5-радикалы) на состояниями валентной зоны. При этом профиль спектра КОП в значительной мере определяется плотностью состояний валентной зоны, а кинетика релаксации оптической плотности (рис. 29) во временной области 6-7 декад контролируется междефектной туннельной рекомбинацией с участием дырочных поляронов и электронных Н°-центров, представляющих собой подвижные нейтральные атомы водорода, и описывается тем же самым уравнением (1), которое в гл. 6 было использовано для описания кинетики затухания КОП в кристаллах ЬТБ и ЬБО. При 290 К дырочные поляроны и Н°-центры в кристаллах АБР и КБР совершают термостимулированную миграцию, которая не сопровождается выходом носителей заряда в зону проводимости или валентную зону.

В рамках предложенной нами модели туннельной рекомбинации дана интерпретация наблюдаемой в эксперименте зависимости кинетики затухания КОП от мощности возбуждения (рис. 29). Установлено, что с ростом мощности возбуждения увеличивается начальная концентрация электронных центров - параметр N в уравнении (1), что приводит к увеличению скорости затухания, которая пропорциональна этому параметру, т.е. к 'укорочению' кинетики.

Установлено, что междефектная туннельная рекомбинация в кристаллах АБР и КБР является безызлучательной. При импульсном облучении пучком электронов (£,=0.2 МэВ, х = 15 не, 295 К) в кристаллах АБР и КБР в видимой и УФ-областях спектра обнаружены сцинтилляции с постоянной времени, сопоставимой с

3 4 5 Энергия фотонов, эВ

Рис. 30. Спектры ИКЛ кристаллов АБР (а) и КБР (Ь) при 290 К. Кружки - экспериментальные точки, штриховые линии -выделенные элементарные полосы длительностью импульса возбуждения, и амплитудой около 3% от таковой для С1-Т1 в идентичных условиях. В диапазоне трех декад

изменения интенсивности не обнаружено инерционных компонентов кинетики затухания ИКЛ. Спектральный состав свечения (рис. 30) обусловлен суперпозицией процессов дырочной (3.6 эВ) и электронной (4.7 эВ) рекомбинации зонных носителей заряда на электронных (Н°) и дырочных (А- и Я-радикалы) центрах захвата, соответственно.

На основании сопоставления данных по КОП ЛБР и КБР с результатами гл. 6 по КОП ЦГВ и LBO сделан вывод об их сходстве, общем механизме наблюдаемых явлений и его связи с наличием в этих кристаллах подрешетки подвижных катионов. Действительно, при температурах выше 500 К кристаллы ЦГВ и LBO являются суперионными проводниками по катионам лития. Кристаллы ЛБР и КБР относятся к системам с фазовым переходом типа 'порядок - беспорядок' с температурой Кюри Тс = 148 и 123 К, соответственно. В параэлек-трической фазе такие системы проявляют многие свойства, присущие суперионным проводникам. Особенности динамики подвижных катионов водорода (ЛБР и КБР) и лития (ЦГВ и ЦВО), присущие каждому из этих кристаллов, также сказываются на кинетике затухания КОП и обусловливают определенные различия. При 290 К ЛБР и КБР находятся в параэлектрической фазе и обладают ионной проводимостью по катионам водорода. Это приводит к появлению в кинетике затухания КОП ЛБР и КБР дополнительных медленных гиперболических компонентов с характерными временами от десятков миллисекунд до секунд (рис. 29), обусловленных диффузионно - контролируемой рекомбинацией водородных вакансий и междоузельных ионов водорода. Уменьшение постоянной времени и увеличение амплитуды гиперболического компонента при переходе от КБР к ЛБР количественно хорошо согласуется с изменением константы скорости диффузионно - контролируемой реакции, рассчитанной нами на основе известных данных по диффузии и ионной электропроводности этих кристаллов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

В результате экспериментальных и теоретических исследований, проведенных в данной работе, установлены общие закономерности релаксации электронных возбуждений, формирования первичных стабильных и метастабильных дефектов, роль короткоживущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в процессах создания устойчивых структурных нарушений в широкозонных нелинейно - оптических кристаллах. Получен комплекс новых данных, принципиально важных для решения фундаментальной проблемы установления микроскопической природы радиационно - оптической устойчивости данного класса диэлектриков.

Совокупность полученных в диссертационной работе результатов, обобщений и выводов позволяют говорить о решении крупной научной задачи в развитии перспективного направления в физике конденсированного состояния вещества, связанного с решением фундаментальной проблемы радиационной физики низкосимметричных широкозонных диэлектриков - проблемы установления природы радиаци-онно - оптической устойчивости оптических кристаллов, пригодных для работы в ультрафиолетовом и вакуумном ультрафиолетовом спектральных диапазонах.

Выполненные исследования вносят существенный вклад в понимание причинно - следственной связи радиациошго - оптических свойств данного класса кристаллов с особенностями динамики электронных возбуждений, кристаллической структурой, точечными дефектами, ре-комбинационными процессами и процессами автолокализации электронных возбуждений.

Полученные результаты являются базой для разработки научных основ целенаправленного изменения (управления) радиационно - оптической устойчивостью нелинейно - оптических материалов и создают научные предпосылки для последующей разработки модернизированных технологий получения оптических радиационно - устойчивых кристаллов с улучшенными характеристиками.

Основные выводы проведенной работы состоят в следующем:

1. На основании результатов комплексного исследования установлены основные закономерности излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений и единая природа быстрой ультрафиолетовой люминесценции в нелинейно - оптических кристаллах. Показано, что общей чертой динамики электронных возбуждений этих кристаллов является создание нерелаксировашюго экситона молекулярного типа, основными каналами распада которого являются миграция с последующим безызлучательным распадом и автолокализация; выявлено уменьшение средней длины пробега молекулярного экситона в ряду кристаллов LBO-LTB-CLBO при низких температурах. Установлена природа собственной коротковолновой люминесценции боратов ЩМ и ЩЗМ в области 3.5-3.8 эВ и фосфатов в области 4.7-5.2 эВ, которая обусловлена излучательной аннигиляцией автоло-кализованного экситона; для LTB, LBO и KDP выделены с- и тс- полосы свечения АЛЭ, обусловленные спин- синглетными и триплетными излучательными переходами; дана интерпретация длинноволнового (для ига) и коротковолнового (для LBO и KDP) сдвигов а-полосы АЛЭ относительно спектрального положения л-полосы.

(при комнатной температуре) и стабильного (при 80 К) оптического поглощения этих кристаллов в видимой и УФ-областях спектра. Показано, что оптическое поглощение межполяронного типа возникает при фотоиндуцированном переносе дырки из основного локализованного состояния, отщепленного от состояний потолка ВЗ в область запрещенных энергий в окрестности радиационно - индуцированной катионной вакансии, на состояния ВЗ, сформированные одним из ионов кислорода, окружающих эту вакансию.

3. В результате исследования кинетики неравновесных процессов в нелинейно - оптических кристаллах установлена общая закономерность релаксации радиационно - индуцированного оптического поглощения в широкой временной области 6-8 декад, обусловленная безызлучательной туннельной перезарядкой антиморфных радиационных дефектов типа вакансия - подвижный междоузельный атом литиевой (Li° в LTB, LBO) или водородной (Н° в ADP, KDP) подрешетки соответствующего кристалла. Установлено, что при комнатной температуре подвижные дефекты совершают термостимулированную квазиодномерную (LBO, LTB) или трёхмерную (ADP, KDP) миграцию, не сопровождающуюся выходом носителей заряда в ВЗ или зону проводимости. Медленные компоненты затухания короткоживущего оптического поглощения с характерными временами от десятков миллисекунд до нескольких секунд отнесены к диффузионно-контролируемой рекомбинации.

4. Выявлены два несводимых друг к другу канала релаксации электронных возбуждений в кристалле LBO, приводящие к формированию автолокализованных экситонов двух типов. Показано, что один из них - 'самосжатый' экситон - является результатом автолокализации молекулярного экситона с дырочным компонентом в нижней части ВЗ. Другой канал автолокализации обусловлен рекомбинацией подвижных электрона и тяжелой дырки верхней части ВЗ. Вероятность этого процесса невелика, но может повышаться на несколько порядков: в случае генетически связанной электронно - дырочной пары, созданной фотонами с энергией непосредственно вблизи порога межзонных переходов; при наличии небольших неоднородностей (малые искажения решетки, дефекты, не создающие центров захвата); в термостимулированных рекомбинационных процессах с участием дефектов, не имеющих активаторных полос свечения. Установлено, что излучательная аннигиляция АЛЭ двух различных типов обусловливает две характерные полосы собственной люминесценции LBO при 3.6 и 4.2 эВ, соответственно.

5. Впервые обнаружены и идентифицированы основные точечные дефекты решетки кристаллов трибората лития - электронный В2+- и дырочный 0~- центры. На основании комплекса экспериментальных данных, включая ЭПР, оптическую и термоактивацион'ную спектро-

скопию, предложены и подтверждены расчетом структурные модели этих дефектов. Показано, что наиболее адекватной моделью электронного В2+ - центра в кристалле ЬБО является междоузельный атом бора, захвативший дополнительный электрон. Установлено, что не-спаренный спин дырочного О-- центра локализован на пг- орбитали кислорода, соединяющего трех- и четырех-координированные атомы бора, с существенной делокализацией в сторону тригонального бора. В рамках предложенной модели обосновано наличие нескольких неэквивалентныхконфигураций 0~- центра, различающихся механизмами компенсации избыточного заряда захваченной на дефекте дырки. В частности, компенсирующий отрицательный заряда может быть обусловлен как дисторсией тетраэдрической структуры ВО4, так и наличием литиевой вакансии.

6. Для кристалла ЬБО установлен экспериментально и подтвержден расчётом механизм обмена носителями зарядов через валентную зону в системе двух конкурирующих дырочных центров. Разработана и обоснована модель, описывающая влияние этого механизма на кинетику рекомбинационных процессов. В рамках предложенной модели показано, что кинетика затухания короткоживущего оптического поглощения и люминесценции ЬБО в микросекундной области обусловлена одними и теми же рекомбинационными процессами с участием

основных точечных дефектов решетки ЬБО - дырочного О"- и элек-

В2+

-центров; выявлены основные закономерности кинетики затухания короткоживущего оптического поглощения и люминесценции ЬБО в микросекундной области; с единых позиций дана трактовка обнаруженному нами эффекту 'разгорания' в кинетике люминесценции ЬБО, корреляции этого эффекта с особенностями кинетики затухания короткоживущего оптического поглощения, зависимостям кинетики затухания от параметров точечных дефектов, температуры и условий возбуждения.

7. Установлена закономерности проявления дефектов водородной подрешетки в динамике электронных возбуждений и люминесценции кристаллов с водородными связями (АОР, КБР, КБ5). Показано, что эффективный транспорт энергии электронных возбуждений по водородной подрешетке при низких температурах обусловливает падение эффективности фотовозбуждения люминесценции в области межзонных переходов вследствие поверхностных потерь энергии. При длительном УФ-облучении кристаллов в вакууме при 7 К происходит формирование дефектов водородной подрешетки, которые способствуют локализации электронных возбуждений и уменьшению их эффективной длины пробега. Это приводит к снижению доли безызлуча-тельных потерь энергии и к повышению эффективности возбуждения фотолюминесценции в области переходов 'зона-зона'.

8. Установлены и обоснованы расчетным путем закономерности накопления радиационных дефектов в кристаллах ЛБР и КБР под действием ионных пучков. Показано, что ионизационные потери на поверхности кристаллов определяются сортом и энергией налетающих ионов и в случае КБР варьируются в расчете на один ион от 60 кэВ/мкм для протонов, до 1400 кэВ/мкм для ионов азота. Это более чем 20-кратное изменение плотности ионизации обусловливает выявленные нами различия в порогах начала процессов радиолиза. Установлено, что порог начала радиолиза в кристаллах ЛБР и КБР находится в интервале значений плотности ионизации от 30 до 100 кэВ/мкм.

9. В результате проведенных исследований выявлены основные закономерности влияния дефектов структуры на радиационно - оптическую устойчивость широкозонных нелинейно - оптических кристаллов. В частности, установлены единая природа метастабильного оптического поглощения, проявляющегося в практически важной спектральной области генерации 2-6 гармоник излучения лазеров УЛО:Кё и АЬОзгТл, и роль дефектов литиевой и водородной подрешеток в формировании короткоживущего поглощения. Результаты идентификации характерных проявлений радиационных и ростовых дефектов в спектрах фото- и рентгенолюминесценции, оптического поглощения, электронного парамагнитного резонанса, термостимулирован-ной люминесценции и импульсной катодолюминесценции могут быть использованы для мониторинга радиационных повреждений и радиационно - оптической устойчивости нелинейно - оптических кристаллов методами спектроскопии твердого тела.

В диссертации получен ряд частных выводов.

1. Впервые выполнено экспериментальное и теоретическое исследование влияние ионных процессов в литиевой подрешетке кристалла ЦВО, приводящих к флуктуационной перестройке локального окружения центров захвата, на термостимулированные рекомбинацион-ные процессы. Установлено, что в температурной области распада электронного В2+ центра 100-140 К флуктуационные процессы в литиевой подрешетке индуцируют понижение потенциального барьера В2+ центра примерно на 20%. В качестве побочного результата этот процесс приводит к появлению т.н. 'спонтанных сцинтилляций', наблюдаемых в кристалле ЦВО при температуре ниже 180 К, а также к кажущемуся повышению экспериментальной средней энергии активации рекомбинационного процесса в области термического распада В2+ центра. При дальнейшем повышении температуры, термофлукту-ационный процесс в литиевой подрешетке приводит к 'разрушению' литиевых вакансий в результате приобретения подвижности катионами лития. Это обусловливает делокализацию дырок О" центров в области 180-250 К.

2. В результате исследования боратов лития при селективном возбуждении фотонами в ультрамягкой рентгеновской области спектра, включая области ЛГ-краев поглощения катионов (Л, В) и аниона (О) обнаружены особенности в спектрах возбуждения собственной ультрафиолетовой люминесценции, обусловленные возбуждением остов-ных 1 ,у катионных экситонов лития и бора. Получены экспериментальные свидетельства процесса размножения В Li экситонов в LBO.

3. Впервые изучены поляризационные характеристики люминесценции ориентированных кристаллов LBO и установлена пространственная ориентация моментов излучающих переходов. Показано, что люминесценция LBO в сильной степени поляризована, степень поляризации составляет р =70% (стационарная люминесценция), 60% (быстрый компонент), и свыше 85% (медленные составляющие); центры люминесценции представляют собой излучающие диполи с моментами переходов, ориентированных вдоль направлений, лежащих в области, заданной сферическими координатами <р=40-60°, $=30-40°. При возбуждении поляризованным синхротронным излучением установлена зависимость соотношения интенсивностей основных гауссовых составляющих профиля спектральной полосы люминесценции от кристаллографической ориентации образца относительно электрического вектора возбуждающего излучения.

4. Выполнено прямое измерение спектров рекомбинационной люминесценции кристаллов LBO в температурной области распада собственных дефектов решетки LBO (В2+ и О") и идентифицированы полосы рекомбинационной люминесценции, обусловленной процессами электронной!(£т=4.0 эВ) и дырочной рекомбинации ¡(£'т=4.2 эВ). Установлено, что в спектрах стационарной рентгено- и катодолюми-несценции LBO рекомбинационные полосы составляют значительную долю светосуммы и обусловливают основную полосу свечения LBO при 4.2 эВ. Более длинноволновая полоса рентгено- и катодолюми-несценции LBO (3.5-3.8 эВ) в спектрах термостимулированной люминесценции не проявляется. Проведенный анализ вероятных моделей центров рекомбинационной люминесценции LBO показал, что наиболее адекватными и непротиворечивыми являются: а)модель междефектной туннельной рекомбинации при термоактивировашюм контроле степени заселения электронного и дырочного уровней ассоциации дефектов {глубокий электронный центр - О" центр}; б) модель излучательной аннигиляция автолокализованного экситона рекомби-национного типа.

5. Показана неэлементарность пика термостимулированной люминесценции, обусловленного термическим распадом дырочного О-центра, что обусловлено наличием двух конфигураций центра с близкими характеристиками, но отличающимися глубиной потенциальной ямы при локализации дырки. Электронный В2+ и дырочный О-

центры в кристалле ЬБО могут быть созданы как в процессе выращивания, так и радиационным путем по ударному механизму. Обнаружены различия в термоактивационных параметрах однотипных дефектов, созданных в процессе выращивания и радиационным путем. Общей закономерностью для кристалла ЬБО является более высокая энергия активации отжига ростовых дефектов по сравнению с таковой для радиационных дефектов.

6. В широкой температурной области 8-500 К проведено изучение температурного поведения люминесценции ЬБО для различных видов возбуждения и установлены физические причины наблюдаемых особенностей. Установлено, что фотолюминесценция стабильна по интенсивности в области 8-200 К и испытывает моттовское температурное тушение около 240 К с энергией активации 290 мэВ и частотным фактором 240 кГц. Люминесценция при рентгеновском возбуждении выше 200 К испытывает термическое тушение с близкими параметрами, однако в области от 80 до 200 К её интенсивность увеличивается в 20-25 раз, что обусловлено процессами делокализации носителей заряда с основных дефектов решетки ЬБО: В2+ и О~ центров.

7. Установлено, что введение гетеровалентных примесей замещения в кристаллы АБР и КБР приводит к стабилизации ориентацион-ных L и D дефектов в окрестности примесного атома, что обусловливает увеличение выхода длинноволновой ФЛ при 295 К. Примесные ионы при этом выступают в качестве приемников энергии, передающих её центрам свечения, в качестве которых выступают преимущественно L - дефекты водородной подрешетки. Транспорт энергии от матрицы к центрам свечения при при 295 К является неэффективным.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕДИССЕРТАЦИИ

1. Огородников И. Н. Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно - оптических кристаллах. //Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвуз. сб. научн. тр. /Под ред. Б.В. Шульгина. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2002. Т.9. С.3-22.

2. Огородников И.Н., Кружалов А.В. Радиациошю-стимулированные процессы и электронные возбуждения в нелинейных оптических материалах. //Изв. вузов. Физика. 2000. №3. С.66-84.

3. Огородников И.Н, Иванов В.Ю., Кузнецов А.Ю., Кружалов А.В., Маслов В.А., Ольховая Л.А. Радиационно - стимулированные эффекты в кристаллах трибо-рата лития ЫБ3О5. //Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.2. С.14-17.

4. Огородников И.Н, Иванов В.Ю., Кузнецов А.Ю., Кружалов А.В., Маслов В.А. Радиационные эффекты в нелинейных кристаллах 1лВзОз при облучении электронным пучком. //Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, выл.П. С. 1-5.

5. Огородников ИЛ I, Кудяков СВ., Кузнецов А.Ю., Иванов В.Ю., Кружалов А.В., Маслов ВА, Ольховая Л.А. Неизотермическая релаксация парамагнитных центров в кристаллах Ь1Б3О3. //Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.13. С.77-80.

6. Огородников И.Н, Иванов В.Ю., Маслаков А.А., Кузнецов А.Ю., Маслов В.А. Радиационные центры окраски в нелинейных кристаллах UB3O5. //Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып. 16. С.42-47.

7. Огородников И.Н, Кузнецов А.Ю., Кружалов А.В., Маслов ВА. Инерционная кинетика коротковолновой люминесценции кристаллов UB3O5. //Письма в ЖТФ. 1994. Т.20, вып.5. С.63-66.

8. Огородников И.Н, Кузнецов А.Ю., Поротников А.В. Особенности рекомбина-ционных процессов в кристаллах 1ЛВ3О5. //Письма в ЖТФ. 1994. Т.20, вып. 13. С.66-71.

9. Кузнецов А.Ю., Кузнецов М.В., Огородников И.Н, Кружалов А.В., Маслов В. А. Рентгеноэлектронная спектроскопия нелинейных кристаллов 1ЛВ3О5. //ФТТ. 1994. Т.36, вып.3. С.845-848.

10. Соболев А.Б., Кузнецов А.Ю., Огородников И.Н, Кружалов А.В. Кластерный расчет электронного строения кристаллов 1ЛВ3О5. //ФТТ. 1994. Т.36, вып.5. С.1517-1521.

11. Кузнецов А.Ю., Соболев А.Б., Огородников И.Н, Кружалов А.В. Моделирование парамагнитного В2+ центра в триборате лития. //ФТТ. 1994. Т.36, вып. 12. С.353О-3536.

12. Поротников А.В., Огородников И.Н., Кудяков СВ., Кружалов А.В., Вотяков С.Л. ЭПР дырочного центра в нелинейных кристаллах UB3O5. //ФТТ. 1997. Т.39, вып.8. С.1380-1383.

13. Огородников И.Н., Поротников А.В., Кудяков СВ., Кружалов А.В., Яковлев В.Ю. Стабильное и метастабильное оптическое поглощение нелинейных кристаллов LiB3O5. //ФТТ. 1997. Т.39, вып.9. C.153S-1537.

14. Огородников И.Н., Поротников А.В., Кружалов А.В., Яковлев В.Ю. Кинетика рекомбинационных процессов в нелинейных кристаллах UB3O5 с дефектами. //ФТТ. 1998. Т.40, вып.И. С.2008-2014.

15. Кузнецов А.Ю., Исаенко Л.И., Кружалов А.В., Огородников И.Н., Соболев А.Б. Электронная структура кристаллов тетрабората лития Ы2В4О7. Кластерные расчеты и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. //ФТТ. 1999. Т.41, вып.1.С.57-59.

16. Огородников И.Н., Раджабов Е.А., Исаенко Л.И., Кружалов А.В. Люминесцентные свойства кристаллов трибората лития UB3O5 //ФТТ. 1999. Т.41, вып.2. С.223-228.

17. Огородников И.Н., Пустоваров ВА, Кружалов А.В., Исаенко Л.И., Кирм М., Циммерер Г. Автолокализованные экситоны в боратах лития UB3O5 и U2B4O7. Низкотемпературная люминесцентная ВУФ-спектроскопия с временным разрешением. //ФТТ. 2000. Т.42, вып.З. С.454-462.

18. Огородников И.Н., Пустоваров ВА, Кружалов А.В., Иеаенко Л.И., Кирм М., Циммерер Г. Электронные возбуждения и люминесценция в кристаллах CsLiB6O,0. //ФТТ. 2000. Т.42, вып. 10. С. 1800-1807.

19. Огородников И.Н., Пустоваров ВА, Кирм М., Кружалов А.В., Исаенко Л.И. Электронные возбуждения в кристаллах ЫВ3О5 с дефектами. //ФТТ. 2001. Т.43, вып.8. С. 1396-1404.

20. Огородников И.Н., Яковлев В.Ю., Шульгин Б.В., Сатыбалдиева М.К. Метастабильное оптическое поглощение дырочных поляронов в кристаллах ADP (NHUH2PO4) и KDP (КН2РО4). //ФТТ. 2002. Т.44, вып. 5. С.845-852.

21. Огородников И.Н., Яковлев В.Ю., Кружалов А.В., Исаенко Л.И. Метастабиль-ное оптическое поглощение и люминесценция кристаллов тетрабората лития U2B4O7. //ФТТ. 2002. Т.44, вып. 6. С. 1039-1047.

22. Огородников И.Н., Яковлев В.Ю., Исаенко Л.И. Мстастабилыюе оптическое поглощение и люминесценция кристаллов трибората лития UB3O5. //ФТТ. 2003. Т.45, вып.5. С.803-811.

23. Огородников И.Н., Пустоваров ВА, Кирм М. Собственная ультрафиолетовая люминесценция кристаллов трибората лития ЫВ3О5 при селективном возбуждении в области остовных переходов. //ФТТ. 2004. Т.46, вып.5. С.820-825.

24. Огородников И.Н., Пустоваров ВА, Шульгин Б.В., Куанышев В.Т., Сатыбал-диева М.К. Низкотемпературная люминесцентная время-разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов КН2РО4 с дефектами. //Оптика и спектроскопия. 2001. Т.91, вып.2. С.243-251.

25. Огородников И.Н., Пустоваров ВА, Кирм М., Кружалов ВА, Исаенко Л.И. Низкотемпературная время-разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов пентабората калия. //Оптика и спектроскопия. 2002. Т.92, вып.5. С.785-793.

26. Огородников И.Н., Кирм М., Пустоваров ВА, Черемных B.C. Низкотемпературная времяразрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия авто-локализованных экситонов в кристаллах KII2PO4. //Оптика и спектроскопия. 2003. Т.95, вып.З. С.436-440.

27. Огородников И.Н., Пустоваров В А, Кирм М., Черемных B.C. Низкотемпературная времяразрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов NH4H2PO4. //Оптика и спектроскопия. 2004. Т.97, вып.2. С.259-265.

28. Маслов В.А., Огородников И.Н, Ольховая Л.А., Анцыгин И.Н., Иванов В.Ю., Кружалов А.В., Кузнецов А.Ю. Люминесценция и радиационные эффекты в кристаллах трибората лития. //ЖПС. 1993. Т.59, №3-4. С.293-298.

29. Белых Т.А., Огородников И.Н., Поротников А.В., Баутин К.В., Нешов Ф.Г., Кружалов А.В. Изменение свойств монокристаллов ВсО и UB3O5 при облучении ионами гелия. //Физ. ХОМ. 1997. №6. С.27-32.

30. Куанышев В.Т., Белых Т. А., Огородников И.Н., Гармаш В.М., Шульгин Б.В. Исследование степени замещения водорода дейтерием в кристаллах КН(2_Х) DXPO4 методом ядер отдачи. //Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1999. №5-6. С.57-60.

31. Огородников И.Н., Кирпа В.И., Кружалов А.В. Особенности релаксационных процессов в дозиметрической области ТЛД ВеО. //ЖТФ. 1991. Т.61, вып.7. С.67-75.

32. Огородников И.Н., Кирпа В.И., Кружалов А.В. Спонтанная эмиссия ВеО и флуктуационная перестройка структуры. 1. Монокристаллы. //ЖТФ. 1993. Т.63, вып.5. С.70-80.

33. Огородников И.Н., Кружалов А.В., Маслов В.А. Особенности термостимули-рованной люминесценции ВеО в области трансформации автолокализованных экситонов. //ЖТФ. 1994. Т.64, вып.З. С.100-108.

34. Огородников И.Н., Кружалов А.В. Термостимулированная люминесценция ВеО и флуктуационная перестройка структуры. //ЖТФ. 1995. Т. 65, вып.6. С.64-75.

35. Огородников И.Н., Кирпа В.И., Кружалов А.В. Спонтанная эмиссия ВеО и флуктуационная перестройка структуры. 2. Керамика. //ЖТФ. 1995. Т.65, вып.12.С.85-92.

36. Огородников И.Н., Кирпа В.И., Кружалов А.В., Поротников А.В. Термостиму-лированная эмиссия электронов и фотонов в нелинейных кристаллах UB3O5. //ЖТФ. 1997. Т.67, вып.7. С.121-125.

37. Ogorodnikov I.N., Kuznetsov A.Yu., Kruzhalov A.V., Maslov V.A. Point defects and short-wavelength luminescence of L1B3O5 single crystals. //Radiat. Ef. Defect. Solid. 1995. V.I36. P.233-237.

38. Kuznetsov A.Yu., Sobolev A.B., Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V. Electronic Structure of L1B3O5 nonlinear optical crystals. //Radiat. Ef. Defect. Solid. 1995. V.134.P.69-73.

39. Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V., Porotnikov A.V., Yakovlev V.Yu. Lattice defects and recombination processes in non-linear crystals 1лВзОз. //Radiat. EfE Defect. Solid. 1999. V150, №1-4. P.299-303.

40. Kuznetsov A.Yu., Ivanov V.Yu., Ogorodnikov I.N., Pustovarov V.A., Kruzhalov A.V. Luminescence of Lithium triborate crystals under high intensity synchrotron radiation. //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A. 1995. У359. P.339-341.

41. Ogorodnikov I.N., Pustovarov V.A., Porotnikov A.V., Kruzhalov A.V. A polarized fast luminescence of LiB3Oj single crystals excited by synchrotron radiation. //Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A. 1998. V.405. P.403-407.

42. Ogorodnikov I.N., Pustovarov V.A., Isacnko L.I., Zinin E.I., Kruzhalov A.V. Kinetics of non-equilibrium processes in non-linear crystals oflithium borates excited with synchrotron radiation. //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A. 2000. V.448, №1-2. P.467-470.

43. Ogorodnikov I.N., Kuznetsov A.Yu., Kruzhalov A.V., Maslov V.A. UV-luminesccnce and thermostimulated processes in nonlinear crystals L1B3O5. //Radiation Measurements. 1995. V.24, №4. P.423-426.

44. Ogorodnikov I.N., Isaenko L.I., Kruzhalov A.V., Porotnikov A.V. Thermally stimulated luminescence and lattice defects in crystals of alkali metal borate LiBsOs (LBO). //Radiation Measurements. 2001. V.33, №5. P.577-581.

45. Kuanyshev V.T., Belykh T.A., Ogorodnikov I.N., Shulgin B.V., Satybaldieva M.K., Kidibaev M.M. Fundamental processes of radiation energy storage in KDP (KH2PO4) and ADP (NH4H2PO4) crystals. //Radiation Measurements. 2001. V.33, №5. P.503-507.

46. Ogorodnikov I.N., Kirm M., Pustovarov V.A., Cheremnykh V.S. A time resolved luminescence spectroscopy study of self-trapped Excitons in KH2PO4 Crystals. //Radiation Measurements. 2004. V.38, №3. P.331-334.

47. Ogorodnikov I.N., Yakovlev V.Yu., Isaenko L.I. Radiation Induced processes and Defects in Alkali and Alkaline-earth borate crystals. //Radiation Measurements. 2004. V.38, №4-6. P.657-660.

48. Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V., Kuznetsov A.Yu. Thermoluminescence, point defects and recombination processes in BeO and LiB3O5 single crystals. //Radiat. Protect. Dosim. 1996. V.65, №1-4. P.109-112.

49. Ogorodnikov I.N., Porotnikov A.V., Pustovarov V.A., Kruzhalov A.V. Sub-nanosecond time-resolved spectroscopy of LiB3O5 under Synchrotron Radiation. llh Luminescence. 1997. Vols. 72-74. P.703-704.

50. Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V., Porotnikov A.V., Yakovlev V.Yu. Dynamics of electronic excitations and localized states in L1B3O5. //J. Luminescence. 1998. Vols.76-77. P.464-466.

51. Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V., Porotnikov A.V. Radiation resistance of nonlinear L1B3O5 crystals: optical properties. //Proc. SPIE. 1997. V.2967. P. 120-125.

52. Ogorodnikov I.N., Porotnikov A.V., Kudyakov S.V., Kruzhalov A.V. ESR study of trapped hole center in UB3O5. //Material Science Forum. /Edited by G.E. Matthews and R.T. Williams. Switzerland: Trans. Tech. Publications, 1997. P.239-241.

53. Ogorodnikov I.N., Radzhabov E.A., Isaenko L.I., Kruzhalov A.V. Exciton Luminescence of Crystals 1лВзОз. //Excitonic Processes in Condensed Matter /Edited by R.T. Williams and W.M. Yen. Pennington, NJ: The Electrochemical Society Proceedings Series. PV 98-25,1998. P.426-431.

54. A.c. 1814393 СССР. Шихта для получения термолюминофора. /Алыбаков А.А., Казакбаева З.М., Шульгин Б.В., Огородников И.Н., Кидибаев М.М.

55. Огородников И.Н., Кулесский А.Р., Гиниятулин К.Н. Автоматизированная си-стемадля изучения рентгено- и термостимулированной люминесценции твердых тел. //Химия твердого тела: Межвуз. сб. научн. трудов. Свердловск: УПИ им. СМ. Кирова, 1986. Т.9. С.70-77.

56. Kuznetsov A.Yu., Sobolev А.В., Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V. Cluster calculations of trapped-electron centers electronic structure in UB3O5 crystals. //Physical Processes in Fast Scintillators. Record of the Int. Workshop PHYSCI-94: Stratech report TUD-SCIR-94-04. Delft, The Netherlands: Delft University Press, 1994, P. 115-117.

57. Ogorodnikov I.N., Kuznetsov A.Yu., Kruzhalov A.V. Luminescence and radiative decay oflow energy electronic excitations LiB3Os. //Proc. of Int. Confer. "Inorganic scintillators and their applications, SCINT95". Delft, The Netherlands: Delft University Press, 1996. P.212-215.

58. Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V., Ivanov V.Yu. Mechanisms of fast UV-scintillations in oxide crystals with self-trapped excitons. //Proc. of Int. Confer. "Inorganic scintillators and their applications, SCINT95". Delft, The Netherlands: Delft University Press, 1996, P.216-219.

59. Огородников И.Н., Поротников А.В., Пустоваров ВА., Кружалов А.В., Кузнецов А.Ю. Люминесцентная спектроскопия с временным разрешением нелинейных кристаллов LiB3Oj при возбуждении синхротронным излучением. //Национальная конфер. по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Дубна-Москва, 25-29 Мая 1997 г.): Сб. докл. в 3-х томах. Т. 2. Дубна: ОИЯИ, 1997. С.391-396.

60. Куанышев В.Т., Белых Т.А., Огородников И.Н., Гармаш В.М., Шульгин Б.В. Исследование стехиометрии нелинейных кристаллов KH2(i-x)D2*PO4 методом ядер отдачи. //Твердотельные детекторы ионизирующих излучений: Тр. симпозиума ТТД-97. Екатеринбург: УГТУ, 1998. С. 224-230.

61. Ogorodnikov I.N., Porotnikov AV., Kruzhalov A.V., Pustovarov V.A. Fast Intrinsic Luminescence of LiB3Os Crystals. //SCINT97. Proceedings of the International Conference on Inorganic Scintillators and Their Applications (Shanghai, China, September 22-25,1997), Shanghai, China: CAS, Shanghai Branch Press, 1998.

P. 139-142.

62. Pustovarov V.A., Ogorodnikov I.N., Isaenko L.I., Kruzhalov A.V., Kirm M., Zimmerer G. Time-resolved luminescent VUV spectroscopy ofsome Lithium Borates. //HASYLAB Annual Report. Pt.l. Hamburg: HASYLAB, 1998. P.275-276.

63. Ogorodnikov I.N., Pustovarov V.A., Kruzhalov A.V., Isaenko L.I., Kirm M., Zimmerer G. Electronic excitations and luminescence in non-linear alkali borate crystals. //HASYLAB Annual Report. Pt.l. Hamburg: HASYLAB, 1999. P.253-254.

64. Ogorodnikov I.N. Pustovarov V.A., Kirm M., Kruzhalov A.V., Isaenko L.I. Electronic Excitations in p-BaB2O4 Crystals. //HASYLAB Annual Report. Pt.l. Hamburg: HASYLAB, 2000. P.257-258.

65. Satybaldieva M.K., Kidibaev M.M., Ogorodnikov I.N., Shulgin B.V., Shubina S.N., Yakovlev V.Yu. Transient optical absorption and luminescence of non-linear crystals KH2PO4 excited by nanosecond electron beam. Ill lth Intern. Confer, on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter. /Edited by David Vaisburd. Tomsk: Tomsk Polytechnic University, 2000. T.I. P. 162-165.

66. Ogorodnikov I.N., Pustovarov V.A., Kruzhalov A.V., Isaenko L.I., Kirm M., Zimmerer G. Fast physical processes in non-linear crystals CsLiB$Oio excited by high-power synchrotron radiation. //11th Intern. Confer, on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter. /Edited by David Vaisburd. Tomsk: Tomsk Polytechnic University, 2000. T.I. P. 185-190.

67. Kuanyshev V.T., Belykh T.A., Ogorodnikov I.N., Shulgin B.V., Satybaldieva M.K., Kidibaev M.M. Processes of radiation energy storage in KH2PO4 and NH4H2PO4 crystals irradiated with various ion beams. //1 lth Intern. Confer, on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter. /Edited by David Vaisburd. Tomsk: Tomsk Polytechnic University, 2000. T.I. P.440-443.

68. Ogorodnikov I.N., Pustovarov V.A., Kruzhalov A.V., Isaenko L.I., Kirm M., Zimmerer G. A time-resolved spectroscopy study of fast luminescence in lithium borates. //Proceedings of the International Conference on Inorganic Scintillators and Their Applications - SCINT99/Edited by V.V. Mikhailin. M.: MSU, 2000. P.242-247.

69. Ogorodnikov I.N., Yakovlev V.Yu. Radiation effects and defects in the wide band gap nonlinear optical crystals. J/Ртос. 12th Internat. Conference on Radiation Physics and Chemistry of Inorganic Materials. /Edited by V.M. Lisitsyn. Tomsk: Tomsk Polytechnic University, 2003. P.72-77.

70. Ogorodnikov I.N., Pustovarov V.A., Kirm M. Intrinsic ultraviolet luminescence of single crystals IJB3O5 under inner-shell excitation. //Proc. 12th Internat. Conference on Radiation Physics and Chemistry ofInorganic Materials. /Edited by V.M. Lisitsyn. Tomsk: Tomsk Polytechnic University, 2003. P.77-82.

Кроме того, по результатам исследований диссертационной работы опубликовано 160 статей и тезисов в материалах всесоюзных, всероссийских и международных совещаний и конференций, список которыхприведенна странице 7 автореферата. Общее количество публикаций по теме диссертации:230.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

#15 905

АЛЭ ВЗ ВУФ ИКЛ КОП УФ ФЛ ЩМ ЩЗМ ЭПР ЛБР ВВО еьВО КВ5 КБР ЦВО ЦТВ

автолокализованный экситон

валентная зона

вакуумный ультрафиолет

импульсная катодолюминесценция

короткоживущее оптическое поглощение

ультрафиолет

фотолюминесценция

щелочные металлы

щелочно-земельные металлы

электронный парамагнитный резонанс

МН4Н2Р04

Р-ВаВгОд

Подписано в печать 24.08.2004 г.

Бумага писчая Уч.-издл. 2.0

Печать ризографическая Заказ 123

Формат 60 х 84 Усл.печ.л. 2.0 Тираж 150 экз.

С8ЫВ6О10

КВ5О84Н2О

КН2РО4

ЫВ,О,

Ц2В4О7

Отпечатано в ризографии НИЧ ГОУВПОУГТУ-УПИ 620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19

Содержание диссертации автор исследовательской работы: доктора физико-математических наук, Огородников, Игорь Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

1. Нелинейно-оптические кристаллы: особенности структуры, основные свойства и области практического применения. Аналитический обзор

1.1. Особенности релаксации электронных возбуждений в низкосимметричных сложных оксидах

1.2. «Молекулярный инжиниринг» нелинейно-оптических кристаллов

1.3. Особенности выращивания нелинейно-оптических кристаллов

1.3.1. Бораты лития (LTB и LBO).

1.3.2. Бораты ЩМ и ЩЗМ (CLBO и ВВО).

1.3.3. Водорастворимые кристаллы КВ5, KDP и ADP

1.4. Кристаллическая структура и физико-химические свойства

1.4.1. Триборат лития LBO.

1.4.2. Тетраборат лития LTB.

1.4.3. Цезий литиевый борат CLBO.

1.4.4. Бета-борат бария ВВО.

1.4.5. Пентаборат калия КВ5.

1.4.6. Кристаллы группы KDP (ADP и KDP).

1.5. Электронная структура и электронные возбуждения нелинейно-оптических кристаллов.

1.5.1. Рентгеновские фотоэлектронные спектры.

1.5.2. Расчёты электронной структуры.

1.5.3. Расчёты нелинейной восприимчивости.

1.6. Некоторые вопросы практического применения.

1.6.1. Общие понятия о нелинейно-оптических явлениях

1.6.2. Области практического применения.

1.7. Лазерная прочность оптических материалов

1.7.1. Пороговая концепция оптического пробоя.

1.7.2. Статистическая концепция пробоя.

1.7.3. Кинетическая концепция лучевой прочности.

1.8. Выводы по главе 1.

2. Объекты и методы исследования

2.1. Объекты исследования и приготовление образцов.

2.1.1. Кристаллы трибората лития LBO.

2.1.2. Кристаллы других боратов ЩМ и ЩЗМ

2.1.3. Кристаллы дигидрофосфатов калия и аммония

2.2. Разработка программно-аппаратного обеспечения эксперимента

2.2.1. Автоматизированная система для изучения рентгенои термостимулированной люминесценции твёрдых тел

2.2.2. Контрольно-измерительный комплекс для анализа нестационарных свечений твердых тел

2.2.3. Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

2.2.4. Специализированный пакет для обработки спектров ЭПР.

2.3. Использованные экспериментальные методики.

2.3.1. Угловые зависимости спектров ЭПР

2.3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

2.3.3. Оптическая спектроскопия.

2.3.4. Оптическая микроскопия

2.3.5. Люминесцентно-оптическая ВУФ-спектроскопия

2.3.6. Люминесцентно-оптическая спектроскопия с временным разрешением при возбуждении синхротронным излучением.

2.3.7. Абсорбционная и люминесцентная спектроскопия с временным разрешением при возбуждении электронным пучком

2.3.8. Модуляционные методы термоактивационной спектроскопии

2.3.9. Ядерно-физические методы исследований.

2.4. Выводы по главе 2.

3. Излучательный распад низкоэнергетических электронных возбуждений и быстрая УФ-люминесценция в кристаллах боратов лития

3.1. Низкотемпературная катодолюминесценция

3.2. Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения.

3.3. Спектры стационарной люминесценции при возбуждении 'зона-зона'.

3.4. Анализ результатов поляризационных измерений.

3.5. Кинетика люминесценции и спектры с временным разрешением

3.6. Температурная зависимость люминесценции.

3.7. Низкотемпературнаялюминесцентно-оптическая ВУФ- спектроскопия с временным разрешением кристаллов боратов лития.

3.7.1. Спектры и кинетика низкотемпературной ФЛ боратов лития

3.7.2. Оптические константы боратов лития.

3.7.3. Проявление дефектов кристаллической структуры в люминесцентно - оптических свойствах кристалла LB

3.8. Динамика электронных возбуждений и процессы автолокализации в кристаллах боратов лития.

3.9. Два канала релаксации электронных возбуждений в LBO

3.10. Собственная УФ-люминесценция боратов лития при селективном возбуждении в области остовных переходов.

3.10.1. Спектры и кинетика УФ-люминесценции при селективном возбуждении в широкой области энергий

3.10.2. Роль остовных ls-переходов в процессе возбуждения собственной УФ-люминесценции.

Введение диссертация по физике, на тему "Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно-оптических кристаллах"

Актуальность темы. Радиационно-стимулированные явления и процессы в оксидных диэлектриках активно изучаются на протяжении многих десятилетий. Наибольшие успехи достигнуты в исследовании простых бинарных оксидов (BeO, MgO, AI2O3), которые являются не только материалами широкого практического применения, но и модельными объектами в радиационной физике твердого тела. В то же время наука и техника, имеющие дело с оптическими материалами, требуют разработки и исследования новых материалов с расширенным спектральным диапазоном, надежно работающих в экстремальных условиях. Так, развитие коротковолновой лазерной техники, нелинейной и интегральной оптики ставят задачу повышения предельных характеристик оптических элементов на основе широкозонных нелинейно - оптических кристаллов способных работать при высоких радиационных нагрузках и плотных полях лазерных излучений. Необходимость решения данной проблемы делает актуальным проведение систематических фундаментальных исследований радиацион-но-стимулированных процессов, дефектов и электронных возбуждений для широкого круга широкозонных нелинейно - оптических кристаллов при воздействии различных видов фотонного и корпускулярных излучений. Установленные закономерности радиационно - стимулированных процессов, разработанные модели и механизмы позволят не только внести вклад в фундаментальные основы физики конденсированного состояния оксидных низкосимметричных кристаллов, но и создать физические основы радиационных технологий модификации их свойств.

Цель работы и задачи исследования. Целью настоящей работы является установление закономерностей релаксации электронных возбуждений, формирования первичных стабильных и метастабильных дефектов, роли ко-роткоживущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в ю. процессах создания устойчивых структурных нарушений в широкозонных нелинейно - оптических кристаллах.

Для достижения поставленной цели потребовалось выполнить комплекс систематических исследований широкого круга нелинейно - оптических кристаллов и решить следующие основные задачи:

2. Методом низкотемпературной (6-9 К) люминесцентно - оптической вакуумной ультрафиолетовой спектроскопии с субнаносекундным временным разрешением провести систематические исследования процессов релаксации электронных возбуждений в нелинейно - оптических кристаллах.

3. Исследовать кинетику неравновесных процессов в нелинейно - оптических кристаллах при возбуждении электронным пучком, процессы формирования первичных стабильных и метастабильных дефектов, установить роль короткоживущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в процессах создания устойчивых структурных нарушений. Получить комплекс новых данных, принципиально важных для решения фундаментальной проблемы установления природы радиационно - оптической устойчивости данного класса диэлектриков.

4. Исследовать точечные дефекты в кристаллах боратов лития и идентифицировать оптические переходы в них, изучить процессы накопления при воздействии различных видов фотонного и корпускулярных излучений, процессы термического распада и термостимулированные рекомби-национные процессы; разработать структурные модели дефектов.

Указанные задачи решались при выполнении госбюджетных исследований, проводившихся по плану научно-исследовательских работ УГТУ-УПИ; программы "ФИЗМАТ"; программы по разработке лучевых (пучковых) методик анализа и модификации приповерхностных слоев оптических материалов детекторной, нелинейной и интегральной оптики; международного проекта по исследованию радиационно - оптических свойств и методов их модификации для технологически значимых материалов коротковолновой лазерной оптики (ERBIC15CT960721), проектов РФФИ (0216206), Минобразования РФ (992886) и программы исследований Уральского научно - образовательного центра «Перспективные материалы» (CRDF award No.REC-005).

Объекты исследования. Изучены наиболее значимые с практической точки зрения нелинейно - оптические материалы: кристаллы боратов ЩМ и ЩЗМ (Li2B407 (LTB), LiB305 (LBO), CsLiB6Oi0 (CLBO), p-BaB204 (ВВО), KB5O84H2O (KB5)), а также кристаллы дигидрофосфатов калия КН2РО4 (KDP) и аммония NH4H2P04 (ADP).

Научная новизна. Выполнено комплексное многоплановое исследование закономерностей релаксации электронных возбуждений, формирования первичных стабильных и метастабильных дефектов, роли короткожи-вущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в процессах создания устойчивых структурных нарушений в широкозонных радиационно - стойких нелинейно - оптических кристаллах. Впервые получены следующие научные результаты:

1. Установлена природа широкополосной быстрой ультрафиолетовой люминесценции нелинейно-оптических кристаллов, обусловленная излу-чательной аннигиляцией автолокализованных электронных возбуждений; выявлены два несводимых друг к другу канала релаксации электронных возбуждений в LBO, приводящие к формированию автолокализованных экситонов двух типов.

2. Установлена общая закономерность формирования короткоживущих радиационных дефектов катионной подрешетки и выявлена единая природа метастабильного оптического поглощения исследуемых кристаллов в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, обусловленная оптическими переходами между состояниями валентной зоны (ВЗ) и локальным уровнем дырочного центра.

3. Методом низкотемпературной (6-9 К) люминесцентно - оптической спектроскопии с субнаносекундным временным разрешением получен комплекс экспериментальных данных по динамике электронных возбуждений, собственной люминесценции и люминесцентно - оптическим проявлениям дефектов решетки данных кристаллов.

4. Установлены общая закономерность и единый механизм безызлу-чательной туннельной перезарядки подвижных радиационных дефектов подрешетки катионов водорода (ADP, KDP) и лития (LTB, LBO), обусловливающие кинетику релаксации наведенной оптической плотности в широкой временной области 6-8 декад.

7. Установлены и подтверждены теоретическим расчётом закономерности накопления дефектов в кристаллах ADP и KDP под действием ионных и электронных пучков, изучены закономерности проявления дефектов водородной подрешетки в динамике электронных возбуждений и люминесценции кристаллов с водородными связями (ADP, KDP, КВ5).

Научное и практическое значение работы. Научная значимость работы определяется совокупностью полученных в диссертационной работе результатов, обобщений и выводов, свидетельствующих о решении крупной научной задачи в физике конденсированного состояния вещества, связанной с решением фундаментальной проблемы физики низкосимметричных широкозонных диэлектриков - установлением природы радиационно - оптической устойчивости материалов, пригодных для работы в ультрафиолетовом и вакуумном ультрафиолетовом спектральных диапазонах. Выполненные исследования вносят существенный вклад в понимание причинно - следственной связи радиационно - оптических свойств данного класса кристаллов с особенностями кристаллической структуры, динамики электронных возбуждений, точечными дефектами, рекомбинационны-ми процессами и процессами автолокализации электронных возбуждений.

В результате выполненных исследований установлена природа мета-стабильного оптического поглощения, ограничивающего радиационно-оптическую устойчивость и лимитирующего лучевые нагрузки при эксплуатации широкозонных нелинейно - оптических кристаллов в практически важной спектральной области генерации гармоник со 2-й по 6-ю излучения лазеров YAG:Nd и Al203:Ti.

Автор защищает: 1. Закономерности создания и распада низкоэнергетических электронных возбуждений в нелинейно-оптических кристаллах, включая: а) механизмы возбуждения и релаксации молекулярного эксито-на в боратах ЩМ и ЩЗМ; б) сосуществование в LBO двух несводимых друг к другу каналов релаксации электронных возбуждений, приводящих к формированию АЛЭ двух типов; в) идентификацию и свойства собственной коротковолновой люминесценции, обусловленной излучательной аннигиляцией АЛЭ.

2. Закономерности формирования короткоживущих радиационных дефектов катионной подрешетки, их свойства и единый механизм метаста-бильного оптического поглощения нелинейно-оптических кристаллов в видимой и ближней УФ-областях спектра, обусловленный оптическими переходами межполяронного типа.

3. Экспериментально обоснованную модель безызлучательного распада антиморфных радиационных дефектов подрешетки подвижных катионов в кристаллах ADP, KDP, LTB и LBO, ключевым моментом которой является безызлучательный туннельный перенос электрона между подвижным центром Ме° (где Me = Li или Н) и катионной вакансией, обусловливающий кинетику затухания оптического поглощения кристаллов во временной области 6-8 декад.

Личный вклад автора. Диссертационная работа является результатом многолетней работы автора (с 1983 г.) на кафедре экспериментальной физики ГОУ ВПО "Уральский государственный технический университет -УПИ" и представляет собой обобщение материалов исследований, проведенных лично автором, а также выполненных совместно с аспирантами и сотрудниками при непосредственном участии автора. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, сформулированные в защищаемых положениях и выводах. Часть результатов вошла в кандидатские диссертации А.Ю. Кузнецова (1994 г.), В.Т. Куанышева (1999 г.), А.В. Поротникова (1999 г.) и М.К. Сатыбалдиевой (2003 г.), выполненные под руководством автора. Автор внес определяющий вклад в проведение большей части измерений, в анализ и интерпретацию полученных результатов. Общая постановка задач исследований, выбор направлений и методов их решения, обобщение результатов, формулировка защищаемых положений и выводов диссертации принадлежат лично автору.

Апробация работы. По теме диссертации опубликовано 230 научных работ. Основное содержание диссертации отражено в 70 научных публикациях, результаты исследований докладывались и обсуждались на: Всесоюзных конференциях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига - Саласпилс, 1983 г., 1986 г.; Рига, 1989 г.); Всесоюзной конференции по физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействию с веществом «ВУФ-86» (Рига, 1986 г.); Научно - технической конференции «Материаловедение в атомной технике»(Свердловск, 1986 г.); Всесоюзной (Харьков, 1986 г.) и Межгосударственной (Харьков, 1993 г.) конференциях по сцин-тилляторам; Всесоюзном совещании «Люминесценция молекул и кристаллов» (Таллин, 1987 г.); Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 1988 г.); Всесоюзных симпозиумах по люминесцентным приемникам и преобразователям ионизирующих излучений (Таллин, 1985 г.; Львов, 1988 г.); Еврофизических конференциях по люминесцентным детекторам ионизирующих излучений - LUMDETR (Рига, 1991 г.; Таллин, 1994 г.; Устрон, Польша, 1997 г.; Рига, Латвия, 2000 г.; Прага, Чехия, 2003 г.); Международной конференции «Перестраиваемые лазеры» (Байкал, 1988 г.); Всесоюзном (Ставрополь, 1989 г.) и Международном (Ставрополь, 1992 г.) совещаниях «Физика, химия и технология люминофоров» Международном симпозиуме по экзоэлектронной эмиссии и ее применению (Тбилиси-Екатеринбург, 1991 г.); Международной конференции по физике поверхности (Стокгольм-Упсала, Швеция, 1991 г.); Конференции по эмиссионной электронике (Москва, 1994 г.); Еврофизических конференциях по дефектам в диэлектрических материалах - EURODIM (Лион, Франция, 1994 г.; Киль, Великобритания, 1998 г.; Вроцлав, Польша, 2002 г.); Международных конференциях по дефектам в диэлектрических материалах - ICDIM (Уинстон-Сейлем, США, 1996 г; Рига, Латвия, 2004 г.); Международном совещании «Быстрые процессы в сцинтилляторах» (С-Петербург, 1994 г.); Российских конференциях по использованию синхротронного излучения (Новосибирск, 1994-1998 гг.); Международной конференции «Радиационные гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995 г.); Международной конференции «Твердотельная дозиметрия» (Будапешт, Венгрия, 1995 г.); Феофи-ловском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (С-Петербург, 1995 г.); Международных конференциях «Неорганические сцинтилляторы и их применение» (Дельфт, Голландия, 1995 г.; Шанхай, Китай, 1997 г.; Москва, 1999 г.; Шамони, Франция, 2001 г.); Юбилейном международном конгрессе «Радиационные исследования 1895-1995 гг.» (Вюрцбург, Германия,

1995 г.); Международных конференциях «Радиационная физика и химия неорганических материалов» (Томск, 1996 г.; 1999 г.; 2003 г.); Международном конгрессе по радиационной физике, сильноточной электронике и модификации материалов (Томск, Россия, 2000 г.) Международной конференции «Люминесценция и оптическая спектроскопия твердого тела» (Прага, Чехия, 1996 г.); Международной конференции «Современные оптические материалы и приборы» (Рига, Латвия, 1996 г.); Всероссийской конференции «Химия твердого тела и новые материалы» (Екатеринбург,

1996 г.); Международной конференции «Рентгеновское излучение и вну-триоболочечные процессы» (Гамбург, Германия, 1996 г.); Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1997-2000 гг.); Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Дубна-Москва, 1997 г.); Международной конференции по динамике возбужденных состояний твердых тел (Миттель-берг, Австрия/Германия, 1997 г.); Международных конференциях по радиационным эффектам в диэлектриках (Ноксвилл, США, 1997 г.; Йена, Германия, 1999 г.); Всероссийском симпозиуме по твердотельным детекторам ионизирующих излучений (Екатеринбург-Заречный, 1997 г.); Международной конференции по модификации материалов ионными пучками -IBMM98 (Амстердам, Нидерланды, 1998 г.); Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998 г.); Международной конференции по экситонным процессам в твердых телах - EXCON'98 (Бостон, США, 1998 г.); Международных конференциях по радиационной физике (Бишкек-Каракол, Кыргызская Республика, 1999 г; 2003 г.); Международной научной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск-Улан-Удэ, 2004 г.).

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

Основные выводы проведенной работы состоят в следующем:

1. На основании результатов комплексного исследования установлены основные закономерности излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений и единая природа быстрой ультрафиолетовой люминесценции в нелинейно - оптических кристаллах. Показано, что общей чертой динамики электронных возбуждений этих кристаллов является создание нерелаксированного экситона молекулярного типа, основными каналами распада которого являются миграция с последующим безызлуча-тельным распадом и автолокализация; выявлено уменьшение средней длины пробега молекулярного экситона в ряду кристаллов LBO-LTB-CLBO при низких температурах. Установлена природа собственной коротковолновой люминесценции боратов ЩМ и ЩЗМ в области 3.5-3.8 эВ и фосфатов в области 4.7-5.2 эВ, которая обусловлена излучательной аннигиляцией автолокализованного экситона; для LTB, LBO и KDP выделены а-и к- полосы свечения АЛЭ, обусловленные спин- синглетными и триплет-ными излучательными переходами; дана интерпретация длинноволнового (для LTB) и коротковолнового (для LBO и KDP) сдвигов а-полосы АЛЭ относительно спектрального положения тс-полосы.

2. Для класса широкозонных нелинейно - оптических кристаллов, включая ADP, KDP, бораты ЩМ и ЩЗМ, установлена общая закономерность формирования короткоживущих радиационных дефектов катион-ной подрешетки и выявлена единая природа метастабильного (при комнатной температуре) и стабильного (при 80 К) оптического поглощения этих кристаллов в видимой и УФ-областях спектра. Показано, что оптическое поглощение межполяронного типа возникает при фотоиндуцированном переносе дырки из основного локализованного состояния, отщепленного от состояний потолка ВЗ в область запрещенных энергий в окрестности радиационно - индуцированной катионной вакансии, на состояния ВЗ, сформированные одним из ионов кислорода, окружающих эту вакансию.

5. Впервые обнаружены и идентифицированы основные точечные дефекты решетки кристаллов трибората лития - электронный В2+- и дырочный СГ- центры. На основании комплекса экспериментальных данных, включая ЭПР, оптическую и термоактивационную спектроскопию, предложены и подтверждены расчетом структурные модели этих дефектов. Показано, что наиболее адекватной моделью электронного В2+- центра в кристалле LBO является междоузельный атом бора, захвативший дополнительный электрон. Установлено, что неспаренный спин дырочного О-- центра локализован на щ- орбитали кислорода, соединяющего трех- и четырех-координированные атомы бора, с существенной делокализацией в сторону тригонального бора. В рамках предложенной модели обосновано наличие нескольких неэквивалентных конфигураций О-- центра, различающихся механизмами компенсации избыточного заряда захваченной на дефекте дырки. В частности, компенсирующий отрицательный заряда может быть обусловлен как дисторсией тетраэдрической структуры ВО4, так и наличием литиевой вакансии.

6. Для кристалла LBO установлен экспериментально и подтвержден расчётом механизм обмена носителями зарядов через валентную зону в системе двух конкурирующих дырочных центров. Разработана и обоснована модель, описывающая влияние этого механизма на кинетику рекомбинационных процессов. В рамках предложенной модели показано, что кинетика затухания короткоживущего оптического поглощения и люминесценции LBO в микросекундной области обусловлена одними и теми же рекомбинационными процессами с участием основных точечных дефектов решетки LBO - дырочного О-- и электронного В2+-центров; выявлены основные закономерности кинетики затухания короткоживущего оптического поглощения и люминесценции LBO в микросекундной области; с единых позиций дана трактовка обнаруженному нами эффекту 'разгора-ния' в кинетике люминесценции LBO, корреляции этого эффекта с особенностями кинетики затухания короткоживущего оптического поглощения, зависимостям кинетики затухания от параметров точечных дефектов, температуры и условий возбуждения.

7. Установлена закономерности проявления дефектов водородной подрешетки в динамике электронных возбуждений и люминесценции кристаллов с водородными связями (ADP, KDP, КВ5). Показано, что эффективный транспорт энергии электронных возбуждений по водородной подрешетке при низких температурах обусловливает падение эффективности фотовозбуждения люминесценции в области межзонных переходов вследствие поверхностных потерь энергии. При длительном УФ-облучении кристаллов в вакууме при 7 К происходит формирование дефектов водородной подрешетки, которые способствуют локализации электронных возбуждений и уменьшению их эффективной длины пробега. Это приводит к снижению доли безызлучательных потерь энергии и к повышению эффективности возбуждения фотолюминесценции в области переходов 'зона-зона'.

8. Установлены и обоснованы расчетным путем закономерности накопления радиационных дефектов в кристаллах ADP и KDP под действием ионных пучков. Показано, что ионизационные потери на поверхности кристаллов определяются сортом и энергией налетающих ионов и в случае KDP варьируются в расчете на один ион от 60 кэВ/мкм для протонов, до 1400 кэВ/мкм для ионов азота. Это более чем 20-кратное изменение плотности ионизации обусловливает выявленные нами различия в порогах начала процессов радиолиза. Установлено, что порог начала радиолиза в кристаллах ADP и KDP находится в интервале значений плотности ионизации от 30 до 100 кэВ/мкм.

9. В результате проведенных исследований выявлены основные закономерности влияния дефектов структуры на радиационно - оптическую устойчивость широкозонных нелинейно - оптических кристаллов. В частности, установлены единая природа метастабильного оптического поглощения, проявляющегося в практически важной спектральной области генерации 2-6 гармоник излучения лазеров YAG:Nd и A^C^iTi, и роль дефектов литиевой и водородной подрешеток в формировании короткожи-вущего поглощения. Результаты идентификации характерных проявлений радиационных и ростовых дефектов в спектрах фото- и рентгенолюминесценции, оптического поглощения, электронного парамагнитного резонанса, термостимулированной люминесценции и импульсной катодолюминесценции могут быть использованы для мониторинга радиационных повреждений и радиационно - оптической устойчивости нелинейно - оптических кристаллов методами спектроскопии твердого тела.

В диссертации получен ряд частных выводов.

1. Впервые выполнено экспериментальное и теоретическое исследование влияние ионных процессов в литиевой подрешетке кристалла LBO, приводящих к флуктуационной перестройке локального окружения центров захвата, на термостимулированные рекомбинационные процессы. Установлено, что в температурной области распада электронного В2+ центра 100-140 К флуктуационные процессы в литиевой подрешетке индуцируют понижение потенциального барьера В2+ центра примерно на 20%. В качестве побочного результата этот процесс приводит к появлению т.н. 'спонтанных сцинтилляций', наблюдаемых в кристалле LBO при температуре ниже 180 К, а также к кажущемуся повышению экспериментальной средней энергии активации рекомбинационного процесса в области термического распада В2+ центра. При дальнейшем повышении температуры, термофлуктуационный процесс в литиевой подрешетке приводит к 'разрушению' литиевых вакансий в результате приобретения подвижности катионами лития. Это обусловливает делокализацию дырок О- центров в области 180-250 К.

2. В результате исследования боратов лития при селективном возбуждении фотонами в ультрамягкой рентгеновской области спектра, включая области А^-краев поглощения катионов (Li, В) и аниона (О) обнаружены особенности в спектрах возбуждения собственной ультрафиолетовой люминесценции, обусловленные возбуждением остовных Is катионных экситонов лития и бора. Получены экспериментальные свидетельства процесса размножения Is Li экситонов в LBO.

3. Впервые изучены поляризационные характеристики люминесценции ориентированных кристаллов LBO и установлена пространственная ориентация моментов излучающих переходов. Показано, что люминесценция LBO в сильной степени поляризована, степень поляризации составляет р =70% (стационарная люминесценция), 60% (быстрый компонент), и свыше 85% (медленные составляющие); центры люминесценции представляют собой излучающие диполи с моментами переходов, ориентированных вдоль направлений, лежащих в области, заданной сферическими координатами ф=40-60°, i3=30-40°. При возбуждении поляризованным синхротрон-ным излучением установлена зависимость соотношения интенсивностей основных гауссовых составляющих профиля спектральной полосы люминесценции от кристаллографической ориентации образца относительно электрического вектора возбуждающего излучения.

4. Выполнено прямое измерение спектров рекомбинационной люминесценции кристаллов LBO в температурной области распада собственных дефектов решетки LBO (В2+ и О") и идентифицированы полосы рекомбинационной люминесценции, обусловленной процессами электронной (Z}m=4.0 эВ) и дырочной рекомбинации {Ет=4.2 эВ). Установлено, что в спектрах стационарной рентгено- и катодолюминесценции LBO ре-комбинационные полосы составляют значительную долю светосуммы и обусловливают основную полосу свечения LBO при 4.2 эВ. Более длинноволновая полоса рентгено- и катодолюминесценции LBO (3.5-3.8 эВ) в спектрах термостимулированной люминесценции не проявляется. Проведенный анализ вероятных моделей центров рекомбинационной люминесценции LBO показал, что наиболее адекватными и непротиворечивыми являются: а)модель междефектной туннельной рекомбинации при термоактивированном контроле степени заселения электронного и дырочного уровней ассоциации дефектов {глубокий электронный центр - О- центр}; б) модель излучательной аннигиляция автолокализованного экситона ре-комбинационного типа.

5. Показана неэлементарность пика термостимулированной люминесценции, обусловленного термическим распадом дырочного О" центра, что обусловлено наличием двух конфигураций центра с близкими характеристиками, но отличающимися глубиной потенциальной ямы при локализации дырки. Электронный В2+ и дырочный О" центры в кристалле LBO могут быть созданы как в процессе выращивания, так и радиационным путем по ударному механизму. Обнаружены различия в термоактивацион-ных параметрах однотипных дефектов, созданных в процессе выращивания и радиационным путем. Общей закономерностью для кристалла LBO является более высокая энергия активации отжига ростовых дефектов по сравнению с таковой для радиационных дефектов.

6. В широкой температурной области 8-500 К проведено изучение температурного поведения люминесценции LBO для различных видов возбуждения и установлены физические причины наблюдаемых особенностей. Установлено, что фотолюминесценция стабильна по интенсивности в области 8-200 К и испытывает моттовское температурное тушение около 240 К с энергией активации 290 мэВ и частотным фактором 240 кГц. Люминесценция при рентгеновском возбуждении выше 200 К испытывает термическое тушение с близкими параметрами, однако в области от 80 до 200 К её интенсивность увеличивается в 20-25 раз, что обусловлено процессами делокализации носителей заряда с основных дефектов решетки LBO: В2+ и О центров.

7. Установлено, что введение гетеровалентных примесей замещения в кристаллы ADP и KDP приводит к стабилизации ориентационных L и D дефектов в окрестности примесного атома, что обусловливает увеличение выхода длинноволновой ФЛ при 295 К. Примесные ионы при этом выступают в качестве приемников энергии, передающих её центрам свечения, в качестве которых выступают преимущественно L - дефекты водородной подрешетки. Транспорт энергии от матрицы к центрам свечения при при 295 К является неэффективным.

В заключении автор считает своим долгом выразить глубокую благодарность сотрудникам Уральского государственного технического университета УГТУ - УПИ: профессору, доктору физико - математических наук Александру Васильевичу Кружалову; профессору, доктору физико -математических наук Владимиру Алексеевичу Пустоварову; чл.-корр. РАЕН, профессору, доктору физико - математических наук Борису Владимировичу Шульгину за постоянное внимание и помощь при выполнении настоящей работы.

Автор признателен за помощь в проведении экспериментальных и теоретических исследований и обсуждение научных результатов своим коллегам из УГТУ - УПИ: доценту, кандидату физико - математических наук А.Ю. Кузнецову; доценту, кандидату физико - математических наук В.Т. Куанышеву; доценту, кандидату физико - математических наук А.В. По-ротникову; доценту, кандидату физико - математических наук Т.А. Белых; асп. М.К. Сатыбалдиевой, а также многочисленным коллегам из других университетов и научных учреждений, перечисленным в тексте диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате экспериментальных и теоретических исследований, проведенных в данной работе, установлены общие закономерности релаксации электронных возбуждений, формирования первичных стабильных и мета-стабильных дефектов, роль короткоживущих дефектных состояний ионной и электронной подсистем в процессах создания устойчивых структурных нарушений в широкозонных нелинейно - оптических кристаллах. Получен комплекс новых данных, принципиально важных для решения фундаментальной проблемы установления микроскопической природы радиацион-но - оптической устойчивости данного класса диэлектриков.

Совокупность полученных в диссертационной работе результатов, обобщений и выводов позволяют говорить о решении крупной научной задачи в развитии перспективного направления в физике конденсированного состояния вещества, связанного с решением фундаментальной проблемы радиационной физики низкосимметричных широкозонных диэлектриков - проблемы установления природы радиационно - оптической устойчивости оптических кристаллов, пригодных для работы в ультрафиолетовом и вакуумном ультрафиолетовом спектральных диапазонах.

Выполненные исследования вносят существенный вклад в понимание причинно - следственной связи радиационно - оптических свойств данного класса кристаллов с особенностями динамики электронных возбуждений, кристаллической структурой, точечными дефектами, рекомбинационны-ми процессами и процессами автолокализации электронных возбуждений.

Список источников диссертации и автореферата по физике, доктора физико-математических наук, Огородников, Игорь Николаевич, Екатеринбург

1. Лущик Ч. Б., Свободные и автолокализованные экситоны в щелочно-галоидпых кристаллах, спектры и динамика. // Экситоны. / Ред. Рашба Э. И., Стердж М. Д. М.: Наука, 1985, Современные проблемы науки о конденсированных средах. С. 362-384.

2. Song А. К. S., Williams R. Т., Self-Trapped Excitons. Berlin-Heidelberg, New York: Springer-Verlag, 1996. Foreword by Y. Toyozawa, (2nd edition) 410 pp.

3. Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., Распад электронных возбуждений с образованием дефектов. М.: Наука, 1989. 264 с.

4. Лущик Ч. Б., Витол И. К., Эланго М. А., Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. // Успехи физических наук 1977. Т. 122, N. 2. С. 223-251.

5. Кружалов А. В., Электронные возбуждения и дефекты в оксиде бериллия и слоэ/сных оксидных кристаллах. Дис.док.физ.-мат.наук, Екатеринбург, 1992. 48 с.

6. Иванов В. Ю., Фельдбах Э. X., Горбунов С. В. и др., Низкотемпературная катодо-люминесценция экситонов в оксиде бериллия. // Физика твердого тела 1988. Т. 30, N. 9. С. 2728-2733.

7. Ivanov V. Y., Pustovarov V. A., Kruzhalov А. V., et al., Luminescence excitation of pure and impure BeO single crystals using synchrotron radiation. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 1989. Y. 282. P. 559-562.

8. Кузнецов А. И., Намозов, Б. P.and Мюрк В. В., Релаксированные электронные возбуждения в AI2O3, YAIO3, Y3AI5O12. // Физика твердого тела 1985. Т. 27, N. 10. С. 3030-3037.

9. Кузнецов А. И., Электронные возбуждения, люминесценция и дефекты в оксидах металлов третьей группы и ниобате лития. Дис. док.физ.-мат.-наук, Екатеринбург, 1992.

10. Кронгауз В. Г., Манаширов О. Я., Михитарьян В. Б., Экситоноподобный механизм в кристаллических соединениях с комплексным оксианионом. // Письма в ЖТФ 1989. Т. 15, N. 12. С. 79-81.

11. Кузнецов А. И., Абрамов В. Н., Мюрк В. В., Намозов Б. Р., Собственные электронные возбуждения и люминесценция оксидов металлов третьей группы. // Труды ИФ АН ЭССР 1989. Т. 63. С. 19-41.

12. Evarestov R. A., Ermoshkin A. N., Lovchikov V. A., The energy band structure of corundum. // Phys. Status Solidi (b) 1980. V. 99, N. 1. P. 387-396.

13. Murk V., Namozov В., Yaroshevich N., Complex oxides: electron excitations and their relaxation. // Radiat. Measurements 1995. V. 24, N. 4. P. 371-374.

14. Murk V., Yaroshevich N., Exciton and recombination processes in YAG crystals. // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. V. 7. P. 5857-5864.

15. Grasser R., Scharmann A., Strack K.-R., On the intrinsic nature of the blue luminescence in CaW04. // J. Luminesc. 1982. V. 27. P. 263-272.

16. Кузнецов А. И., Намозов Б. P., Мюрк В. В., ВУФ-люминесценция автолокализованных экситонов в кристаллах AI2O3. // Изв. АН Эстонской ССР, физика и математика 1987. Т. 36, N. 2. С. 193-196.

17. Proulx Р.-Р., Denks V., Dudelzak A., Murk V., Nagirnyi V., Intrinsic electron excitations of КТЮРО4 crystals. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 1998. V. 141. P. 477-480.

18. Murk V., Kuznetsov A., Namozov В., Ismailov K., Relaxation of electronic excitations in YAG and YAP crystals. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 1994. V. 91. P. 327-330.

19. Kirm M., Zimmerer G., Feldbach E., Lushchik A., Lushchik C., Savikhin F., Self-trapping and multiplication of electronic excitations in AI2O3 and A^C^iSc crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1999. V. 60, N. 1. P. 502-510.

20. Исаенко JI. И., Создание монокристаллических материалов для преобразования лазерного излучения. Дис. док. техн. наук, Новосибирск, 1996. 78 с.

21. Валбис Я. А., Ивлева Л. И., Кузьминов Ю. С., Пуятс В. А., Спрингис М. Е., Люминесценция кристаллов а-ВаВ204. // Опт. и Спектроск. 1989. Т. 66, N. 2. С. 308-311.

22. Kisand V., Kink R., Kink M., Maksimov J., Kirm M., Martinson I., Low temperature optical spectroscopy of nonlinear BBO crystals. // Physica Scripta 1996. V. 54. P. 542-544.

23. Антоняк О. Т., Бурак Я. В., Лысейко И. Т., Пидзырайло Н. С., Хапко 3. А., Люминесценция кристаллов 1л2В407. // Опт. и Спектроск. 1986. Т. 61, N. 3. С. 550-553.

24. Бурак Я. В., Довгий Я. О., Китык И. В., Зонная структура и особенности химических связей в кристаллах U2B4O7. // Физика твердого тела 1989. Т. 31, N. 9. С. 275-278.

25. Бурак Я. В., Довгий Я. О., Китык И. В., Оптические функции кристаллов 1Л2В4О7. // Опт. и Спектроск. 1990. Т. 69, N. 5. С. 1183-1185.

26. Chen Т.-J., Tao R., Rife J. С., Hunter W. R., Optical constants and related electronic energy bands of. lithium triborate crystal in the 6-12 eV region. // J. Opt. Soc. Am. B-Opt. Physics 1998. V. 15, N. 1. P. 47-52.

27. Dieguez E., Cabrera J. M., Agullo Lopez F., Optical absorption and luminescence induced by X-rays in KDP, DKDP, and ADP. // J. Chem. Phys. 1984. V. 81, N. 8. P. 3369-3374.

28. Shen Y. R., The principles of nonlinear optics. New York: J. Wiley, 1984. 563 p.

29. Chemla D. S., Oudar J. L., Jerphagnon J., Origin of the second-order optical susceptibilities of crystalline substituted benzene. //Phys. Rev. B: Cond. Matter 1975. V. 12, N. 10. P. 45344546.

30. Шемла Д., Зисс Ж., Нелинейные оптические свойства органических молекул и кристаллов. Пер. с англ. под. ред. И. С. Реза, М.: Мир, 1989. 760 с.

31. Коренева Л. Г., Золин В. Ф., Давыдов Б. Л., Молекулярные кристаллы в нелинейной оптике. М.: Наука, 1975. 136 с.

32. Тихонов Е. А., Шпак М. Т., Нелинейные оптические явления в органических соединениях. Киев: Наукова думка, 1979. 382 с.

33. Chen С., Development of new nonlinear optical-crystals in the borate series. // Materialsfor Nonlinear Optics.! Marder, et al., eds., 1991. V. 455 oi ACS Symposium Series. P. 360-379.

34. Chen C., Wu Y., Jiang A., Wu В., You G., Li R. K., Lin S., New nonlinear-optical crystal: LiB305. //J. Opt. Soc. Am. B-Opt. Physics 1989. V. 6, N. 4. P. 616-621.

35. Xue D., Betzler K., Hesse H., Lammers D., Nonlinear optical properties of borate crystals. H Sol. State Commun. 2000. V. 114, N. 1. P. 21-25.

36. Jackson A. G., Ohmer M. C., Le Clair S. R., Relationship of the second order nonlinearoptical coefficient to energy gap in inorganic non-centrosymmetric crystals. // Infrared Phys. and Technol. 1997. V. 38, N. 4. P. 233-244.

37. Xue D., Zhang S., Nonlinear optical properties of (B3O7)5- and (ВзОб)3- groups. // Appl. Phys. A-Solid Surf. 1997. V. 65, N. 4-5. P. 451^156.

38. Komatsu R., Sugawara Т., Tsuchiya S., Uda S., Sassa K., Yamanouchi K., Consideration of small variation of surface acoustic wave (SAW) velocity in lithium tetraborate. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1996. V. 35, N. 5B. P. 3180-3183.

39. Wu K., Chen C., Absorption-edge calculations of inorganic nonlinear optical-crystals. // Appl. Phys. A-Solid Surf. 1992. V. 54, N. 3. P. 209-220.

40. Chen C„ Wang Y., Xia Y., Wu В. C., Tang D. Y., Wu К. C., Zeng W. R., Yu L. H., Mei L. F., New development of nonlinear optical crystals for the ultraviolet region with molecular engineering approach. Hi. Appl. Phys. 1995. V. 77, N. 6. P. 2268-2272.

41. Lafortune M. A., Lake M. J., Hennig E. M., Wu K., Chen C., Theoretical studies for novel non-linear optical crystals. //J. Cryst. Growth 1996. V. 166, N. 1-4. P. 533-536.

42. French R. H., Ling J. W., Ohuchi F. S„ Chen С. Т., Electronic structure of P-BaB204 and LiBsOs nonlinear optical crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1991. V. 44, N. 16. P.8496-8502.

43. Шелег А. У., Декола Т. И., Теханович Н. П., Лугинец А. М., Теплоемкость кристаллов LiB3C>5 в интервале температур 80-300 К. // Физика твердого тела 1997. Т. 39, N. 4. С. 624-625.

44. Furukawa Y., Markgraf S. A., Sato М., Yoshida Н., Sasaki Т., Fujita Н., Yamanaka Т., Nakai S., Investigation of the bulk laser damage of lithium triborate, LiB305, single crystals. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65, N. 12. P. 1480-1482.

45. Wang Y., Jiang Y. J., Liu Y. L., Cai F. Y., Zeng L. Z., The elastic and piezoelectric properties of a lithium triborate single crystal. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67, N. 17. P. 2462-2464.

46. Cook, Jr. W. R., Jaffe H., The crystallographic, elastic and piezoelectric properties of ammonium pentaborate and potassium penraborate. // Acta Crystallogr. 1957. V. 10, N. 11. P. 705-707.

47. Paisner J. A., Spaeth M. L., Gerstenberger D. C., Ruderman I. W., Generation of tunable radiation below 2000a by phase-matched sum-frequency in KB5O84D2O. // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 32, N. 8. P. 476-478.

48. Liebertz J., Stahr S., Low temperature phase of BaB204. // Z. Kristallogr. 1984. V. 165, N. 1-4. P. 91-93.

49. Liebertz J., Space group symmetry of the two forms of ВаВгОд. // Z. Kristallogr. 1988. V. 182, N. 1-4. P. 307-308.

50. Eimerl D., Davis L., Velsko S., Graham E. K., Zalkin A., Optical, mechanical, and thermal properties of barium borate. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62, N. 5. P. 1968-1983.

51. Алиев А. Э., Криворотов В. Ф., Хабибуллаев П. К., Теплоемкость и теплопроводность суперионных проводников в суперионной фазе. // Физика твердого тела 1997. Т. 39,N. 9.С. 1548-1553.

52. Bai К., Jung S. Т., Growth and characterization of pure and Er-doped CsLiBgOio single crystals. // J. Cryst. Growth 1998. V. 186, N. 4. P. 612-615.

53. Mori Y., Kuroda I., Nakajima S., Sasaki Т., Nakai S., New nonlinear optical crystal:

54. Cesium lithium borate. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67, N. 13. P. 1818-1820.

55. Wu В., Xie F., Chen C., et al., Generation of tunable coherent vacuum ultraviolet radiation in LiB305 crystal. // Opt. Commun. 1992. V. 88, N. 4-6. P. 451-454.

56. BalakirevaT. P., LeboldV. V., NefedovV. A., ProvotorovM. V., MaierA. A., Czochralski growth of lithium tetraborate single-crystals. // Inorganic Mater. 1989. V. 25, N. 3. P. 462464.

57. Fan S. J., Shen G. S., Wang W., Li J. L., Le X. H., Bridgman growth of Li2B407 crystals. //J. Cryst. Growth 1990. V. 99, N. 1-4 Pt2. P. 811-814.

58. Byrappa K., Rajeev V., Hanumesh V. J., Kulkarni A. R., Kulkarni А. В., Crystal growth and electrical properties of Li2B407. //J. Mater. Res. 1996. V. 11, N. 10. P. 2616-2621.

59. Yamashita Т., Lithium borate. // Thermoluminescent materials. / Vij D. R., ed. Englewoods Cliffs, NJ 07632, USA: PTR Prentice-Hall, Inc., 1993. P. 298-312.

60. Sastry B. S. R., Hummel F. A., Studies in lithium oxide systems: I. Li20B203. // J. Amer. Ceram. Soc. 1958. V. 41, N. 1. P. 7-17.

61. Zhao S., Huang C., Zhang H., Crystal growth and properties of lithium triborate. // J. Cryst. Growth 1990. V. 99, N. 1-4, Pt2. P. 805-810.

62. Touboul M., Betourne E., Dehydration process of lithium borates. // Sol. State Ionics 1996. V. 84, N. 3-4. P. 189-197.

63. Betourne E., Touboul M., Synthesis of lithium borates (B/Li>3) as LiBjOs by dehydration of hydrated precursors. // J. Alloys and Compounds 1997. V. 255, N. 1-2. P. 91-97.

64. Parfeniuk C., Samarasekera I. V., Weinberg F., Growth of lithium triborate crystals, i. mathematical model. // J. Cryst. Growth 1996. V. 158, N. 4. P. 514-522.

65. Parfeniuk C., Samarasekera I. V., Weinberg F., Edel J., Fjeldsted K., Lent В., Growth of lithium triborate crystals, ii. experimental results. // J. Cryst. Growth 1996. V. 158, N. 4. P. 523-533.

66. Zhong W., Tang D., Growth units and morphology of lithium triborate (LBO) crystals. //J. Cryst. Growth 1996. V. 166, N. 1-4. P. 91-98.

67. Katsumata Т., Yoshimura Т., Kanazawa K., Aizawa H., Growth of lithium borate crystals from the vitreous state. // J. Mater. Res. 1994. V. 9, N. 8. P. 2051-2056.

68. Zhao Q.-L., Huang Y.-S., Tang D. Y., Study of dislocations in a lithium boric oxide (LBO) crystal. // Chinese Physics 1992. V. 12, N. 4. P. 813-818.

69. Shumov D. P., Nenov А. Т., Nihtianova D. D., Inclusions in LiBsOs crystals obtained by the top-seeded solution growth method in the Li20-B203 system. Part 1. // J. Cryst. Growth 1996. V. 169, N. 3. P. 519-526.

70. Nihtianova D. D., Shumov D. P., Macicek J. J., Nenov А. Т., Inclusions in LiBsOs crystals, obtained by the top-seeded solution growth method in the Li20-B203 system. Part 2. // J. Cryst. Growth 1996. V. 169, N. 3. P. 527-533.

71. Ходяков А. А., Джафаров M. X., Куриленко JI. H., Саунин Е. И., Дьяков В. А., Выращивание монокристаллов трибората лития LiBjOs и их термические свойства. // ЖФХ 1991. Т. 9. С. 2561-2563.

72. Bruck E., Raymakers R. J., Route R. K., Feigelson R. S., Surface stability of lithium triborate crystals grown from excess B2O3 solutions. // J. Cryst. Growth 1993. V. 128, N. 1-4, Pt2. P. 933-937.

73. Garret J. D., Natarajan M., Greedan J. E., Growth of U2B4O7 single crystals. // J. Cryst. Growth 1977. V. 41. P. 225-231.

74. Adachi M., Shiosaki Т., Kawabata A., Crystal-growth of lithium tetraborate (1Л2В4О7). //Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1985. V. 24, N. S3. P. 72-75.

75. Adachi M., Yamamichi S., Ohira M., Shiosaki Т., Kawabata A., Crystal-growth of П2В4О7 and its leaky SAW properties. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1989. V. 28, N. S28-2. P. 111-113.

76. Kitagawa Т., Higuchi K., Kodaira K., Growth of 1Л2В4О7 single crystals by a pulling-down method. //J. Ceram. Soc. Jpn. 1997. V. 105. P. 616-619. (in Japanese).

77. SugawaraT., Komatsu R., SugiharaT., Growth of 3-inch-diameter 1Л2В4О7 single-crystal using the resistance heating furnace. //Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1994. V. 33, N. 9B. P. 55255528.

78. Sugawara Т., Komatsu R., Uda S., Growth and characterization of lithium tetraborate crystals grown in phase-matching directions.//J. Cryst. Growth 1998. V. 193, N. 3.P. 364369.

79. Komatsu R., Sugihara Т., Uda S., Growth of crack-free 3-inch-diameter lithium tetraborate single-crystals by Czochralski method, // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1994. V. 33, N. 9B. P. 5533-5535.

80. Komatsu R., Sugawara Т., Sugihara Т., Uda S., Growth of crack-free lithium tetraborate (Li2B407) single- crystals. // Integrated Ferroelectrics 1995. V. 9, N. 1-3. P. 251-259.

81. Komatsu R., Uda S., Development of platinum dendrite in lithium tetraborate crystal grown by the Czochralski method. // Mater. Res. Bull. 1998. V. 33, N. 3. P. 433-440.

82. Vezin V., Sugawara Т., Komatsu R., Uda S., Characterization of defects in Li2B407 crystals grown by Czochralski and Bridgman methods. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1997. V. 36, N. 9B. P. 5950-5953.

83. Burak Y. V., The peculiarity of twinning in Li2B4C>7 single crystals. // J. Cryst. Growth 1998. V. 186, N. 1-2. P. 302-304.

84. Komatsu R., SugawaraT., SugiharaT., UdaS., Mode of occurrence and cause of twinning in lithium tetraborate grown by Czocharalski method. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1995. V. 34, N. 9B. P. 5467-5470.

85. Komatsu R., Iizuka H., Uda S., Growth of twinned lithium tetraborate crystal and its application to bimorph actuator. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1996. V. 35, N. 9B. P. 50425045.

86. Komatsu R., Iizuka H., Uda S., Monomorph actuator using twinned lithium tetraborate crystals. // Electronics and Communicat. in Jpn. Pt2 -Electronics 1998. V. 81, N. 4. P. 50-56.

87. Mori Y., Nakajima S., Taguchi A., Miyamoto A., Inagaki M., Sasaki Т., Yoshida H.,

88. Nakai S., New nonlinear optical crystal CsLil^Oio for laser fusion. // AIP Conference Proceedings 1996. V. 369, N. 1. P. 998-1003.

89. Sasaki Т., Kuroda I., Nakajima S., Watanabe S., Mori Y., Nakai S., Non-linear optical crystal cesium lithium borate. II OSA Proc. on Advances solid-state lasers 1995. V. 24. P. 91-95.

90. Sasaki Т., Mori Y., Kuroda I., Nakajima S., Yamaguchi K., Watanabe S., Caesium lithium borate: a new non-linear optical crystal. // Acta Crystallogr. 1995. V. C51. P. 2222-2224.

91. Yap Y. K., Haramura S., Taguchi A., Mori Y., Sasaki Т., CsLiBgOjo crystal for frequency doubling the Nd:YAG laser. // Opt. Commun. 1998. V. 145, N. 1-6. P. 101-104.

92. Ryu G., Yoon C. S., Han T. P. J., Gallagher H. G., Growth and characterisation of CsLiB6O10 (CLBO) crystals. // J. Cryst. Growth 1998. V. 191, N. 3. P. 492-500.

93. Yap Y. K., Inoue Т., Sakai H., Kagebayashi Y., Mori Y., Sasaki Т., Deki K., Horiguchi M., Long-term operation of CsLiB60io at elevated crystal temperature. // Optics Letters 1998. V. 23, N. l.P. 34-36.

94. Адамив В. Т., Бурак Я. В., Панасюк М. Р., Теслюк И. М., Пироэлектролюминес-ценсция монокристаллов бета-бората бария. // Письма в ЖТФ 1998. Т. 24, N. 4. С. 62-65.

95. Kim Н. G., Kang J. К., Park S. J., Chung S. J., Growth of the non-linear optical crystals of lithium triborate and beta barium borate. // Opt. Mater. 1998. V. 9, N. 1-4. P. 356-360.

96. Cheng L. K., Bosenberg W., Tang C. L., Growth and characterization of low temperature phase barium metaborate crystals. // J. Cryst. Growth 1988. V. 89, N. 4. P. 553-559.

97. Cheng L. K., Bosenberg W. R., Tang C. L., Growth and characterization of nonlinear optical crystals suitable for frequency conversion. // Progress in crystal growth and characterization 1990. V. 20, N. 1-2. P. 9-57.

98. Feigelson R. S., Raymakers R. J., Route R. K., Solution growth of barium metaborate crystals by top seeding. // J. Cryst. Growth 1989. V. 97, N. 2. P. 352-366.

99. Ramachandra Raja C., Gobinathan R., Gnanam F. D., Growth and characterisation of potassium pentaborate single crystals. // Cryst. Res. Tech. 1993. V. 28. P. 453-456.

100. Ramachandra Raja C., Gobinathan R., Gnanam F. D., Dielectric properties of beta barium borate and potassium pentaborate single crystals. // Cryst. Res. Tech. 1993. V. 28, N. 5. P. 737-743.

101. Войцеховский В. H., Николаева В. П., Величко И. А., О двойниковании кристаллов пентабората калия. // Кристаллография 1982. Т. 27, N. 3. С. 533-536.

102. Войцеховский В. Н., Николаева В. П., Величко И. А., Об особенностях роста кристаллов пентабората калия. // Кристаллография 1982. Т. 27, N. 5. С. 975-980.

103. Федорова Е. Н., Елисеев А. П., Исаенко Л. И., Проявление водородных связей в спектрах КР пентабората калия. // Журнал прикладной спектроскопии 1991. Т. 55, N. 3. С. 397-404.

104. Rashkovich L. N., KDP-family single crystals. The Adam Hilger series on optics and optoelectronics, Bristol, Eng.; Philadelphia: A. Hilger, 1991.

105. Zaitseva N. P., De Yoreo J. J., Dehaven M. R., Vital R. L., Montgomery К. E., Richardson M., Atherton L. J., Rapid growth of large-scale (40-55 cm) KH2PO4 crystals. // J. Cryst. Growth 1997. V. 180, N. 2. P. 255-262.

106. Петров Т. Г., Трейвус Е. Б., Пунин Ю. О., Касаткин А. П., Выращивание кристаллов из растворов. Л.: Недра, 1983. 200 с.

107. Клубович В. В., Толочко Н. К., Методы выращивания кристаллов из растворов. Минск: Наука и техника, 1991. 296 с.

108. Парвов В. Ф., Аппарат для выращивания кристаллов из водных растворов методомиспарения растворителя. // Кристаллография 1964. Т. 9, N. 4. С. 584—585.

109. Гаврилова И. В., Влияние температуры кристаллизации на внешнюю форму и однородность кристаллов, выращенных из водных растворов. // Рост кристаллов: Сб.научн. тр. М.: Наука, 1965. Т. 5. С. 197-205.

110. Степанова Н. С., Метод концентрационной конвекции и применение его к выращиванию кристаллов KDР. Автореф. дис. к.ф.-м.наук., Горький, 1970. 22 с.

111. Гаврилова И. В., Кузнецова JI. И., Особенности роста монокристаллов дигидро-фосфата калия (КН2РО4). И Рост кристаллов: Сб. научн. тр. М.: Наука, 1969. V. 4. Р. 85-88.

112. Вильке К. Т., Выращивание кристаллов. Пер. с нем., JI.: Недра, 1977. 600 с.

113. Бурак Я. В., Шроелектролюмшесценщя монокршлшив 1ЛВ3О5. // Украинский физический журнал 1997. Т. 42, N. 4. С. 466-468.

114. Yockey Н. P., Aseltine С. L., Development of high voltages in potassium dihydrogen phosphate irradiated by у rays. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1975. V. 11, N. 11. P. 43734382.

115. Радаев С. Ф., Сорокин Н. И., Симонов В. И., Атомная структура и одномерная ионная проводимость трибората лития 1ЛВ3О5. // Физика твердого тела 1991. Т. 33, N. 12. С. 3597-3600.

116. Konig Н., Норре R., Uber borate der alkalimetalle. II. Zur kentnis von 1ЛВ3О5. // Z. Anorg. Allg. Chem. 1978. V. 439. P. 71-79.

117. D'yakov V. A., Dzhafarov M. K., Pryalkin V. I., Yakovlev D. V. // 12 European Cry stallograph ic Meeting collected Abstr. (Aug.20-29, 1989). Moscow, USSR: , 1989. V. 3. P. 460.

118. Матыясик С., Шалдин Ю. В., Пироэлектрические свойства трибората лития в области температур от 4.2 до 300 К. // Физика твердого тела 2001. Т. 43, N. 8. С. 1405-1408.

119. Wei L., Guiqing D., Qinqzhen H., An Z., Jingkui L., Anisotropic thermal expansion of UB3O5. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1990. V. 23, N. 8. P. 1073-1077.

120. Бурак Я. В., Довгий Я. О., Джала В. М., Китык И. В., Мороз И. Е., Спектри ком-бшацшного розаювання монокристал!в L1B3O5. // Украинский физический журнал 1992. Т. 37, N. 7. С. 983-986.

121. Бурак Я. В., Довгий Я. О., Кггик I. В., Мооз I. Э., 1Ч-спекти нелшшних киcтaлiв UB3O5. //Украинский физический журнал 1995. Т. 40, N. 3-4. С. 191-193.

122. Guo R., Markgraf S. A., Furukawa Y., Sato M., Bhalla A. S., Pyroelectric, dielectric, and piezoelectric properties of UB3O5. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78, N. 12. P. 7234-7239.

123. Guo R., Markgraf S. A., Furukawa Y., Sato M., Bhalla A. S., Electromechanical properties of LiB305 single crystals. // Ferroelectrics 1997. V. 195, N. 1-4. P. 77-80.

124. Kim J. W., Yoon C. S., Gallagher H. G., Dielectric properties of lithium triborate single crystals. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71, N. 22. P. 3212-3214.

125. Ngai K. L., Rendell R. W., Jain H., Anomalous isotope-mass effect in lithium borate glasses: Comparison with a unified relaxation model. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1984. V. 30, N. 4. P. 2133-2139.

126. Swenson J., Boerjesson L., Howells W. S., Structure of fast-ion-conducting lithium and sodium borate glasses by neutron diffraction and reverse monte carlo simulations. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1998. V. 57, N. 21. P. 13514-13526.

127. Matsuo Т., Shibasaki M., Saito N., Katsumata Т., Nuclear magnetic resonance of 7Li in LiB305 crystal and glass. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79, N. 4. P. 1903-1906.

128. Lin Y. K., Xiong G. S., Lan G. X., Wang H. F., Xu L. W., High-pressure Raman spectra of lithium triborate crystal and pressure-induced phase transitions. // J. Phys. Chem. Solids1994. V. 55, N. l.P. 113-117.

129. Tang Y., Cui Y., Dunn M. H., Allen J. F., Thermal dependence of the principal refractive indices oflithium triborate. //J. Opt. Soc. Am. B-Opt. Physics 1995. V. 12, N. 4. P. 638-643.

130. Боднарь И. Т., Шелег А. У., Досовская Л. В., Показатели преломления трибората лития в интервале температур 20-600°С. // Опт. и Спектроск. 1999. Т. 86, N. 4. С. 640642.

131. Chen Т.-J., Zitter R. N., Tao R., Hunter W. R., Rife J. C., Optical constants of lithium triborate crystals in the 55-71 eV region. //Phys. Rev. B: Cond. Matter 1995. V. 52, N. 19. P. 13703-13706.

132. Krogh-Moe J., The crystal structure oflithium diborate, Li20-2B203. // Acta Crystallogr. 1962. V. 15, N. 3.P. 190-193.

133. Krogh-Moe J., Refinement of the crystal structure oflithium diborate Li20-2 B2O3. // Acta Crystallogr. 1968. V. B24, N. 2. P. 179-181.

134. Радаев С. Ф., Мурадян JI. А., Малахова JI. Ф., Бурак Я. В., Симонов В. И., Атомная структура и электронная плотность тетрабората лития 1Л2В4О7. // Кристаллография1989. Т. 34, N. 6. С. 1400-1407.

135. Алиев А. Э., Бурак Я. В., Лысейко И. Т., Электрооптические свойства нового суперионного кристалла 1Л2В4О7. // Неорганические материалы 1990. Т. 26, N. 9. С. 19911993.

136. Бурак Я. В., Гицкайло Г. М., Лысейко И. Т., Пидзырайло Н. С., Стефанский И. В., Температурная зависимость показателя преломления кристаллов Li2B407. // Украинский физический журнал 1987. Т. 32, N. 10. С. 1509-1510.

137. Sugawara Т., Komatsu R., Uda S., Linear and nonlinear optical properties of lithium tetraborate. // Sol. State Commun. 1998. V. 107, N. 5. P. 233-237.

138. Wu В., Chen N., Chen C., Deng D., Xu Z., Highly efficient ultraviolet generation at 355 nm in LiB305. // Optics Letters 1989. V. 14, N. 19. P. 1080-1081.

139. Kato K., Tunable UV generation to 0.2325 /лп in LiB305. // IEEE J. Quantum Electron.1990. V. 26, N. 7. P. 1173-1175.

140. Ghosh G., Temperature dispersion of refractive indices in p-BaB204 and LiB30s crystals for nonlinear optical devices. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78, N. 11. P. 6752-6760.

141. Никогосян Д. H., Гурзадян Г. Г., Кристаллы для нелинейной оптики. // Квантовая электроника 1987. Т. 14, N. 8. С. 1529-1541.

142. Вишневский В. Н., Романюк Н. А., Стефанский И. В., О температурной зависимости дисперсии двулучепреломления кристаллов дигидрофосфата аммония. // Опт. и Спектроск. 1965. Т. 18, N. 5. С. 838-841.

143. Sugawara Т., Komatsu R., Uda S., Sassa К., Defect analysis oflithium tetraborate single crystals by x-ray topography. // Ceramic Engin. Sci. Proc. 1997. V. 18, N. 2. P. 389-396.

144. Sugawara Т., Komatsu R., Uda S., Scatterers in lithium tetraborate single crystals. // J. Cryst. Growth 1999. V. 204, N. 1-2. P. 150-154.

145. Sugawara Т., Komatsu R., Uda S., Surface damage and radiation resistance oflithium tetraborate single crystals. // Opt. Mater. 1999. V. 13, N. 2. P. 225-229.

146. Kushnir O. S., Burak Y. V., Bevz O. A., Polovinko 1.1., Crystal optical studies oflithium tetraborate. //J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11, N. 42. P. 8313-8327.

147. Lomonov V. A., Senushenkov P. A., Silvestrova I. M., Pisarevsky Y. V., Vinogradov A. V., The growth of Li2B407 single-crystals and investigation of low-temperature elastic anomalies. // J. PhysiquelV 1994. V. 4, N. C2. P. 199-200.

148. Сильвестрова И. M., Сенющенков П. А., Ломонов В. А., Писаревский Ю. В., Аномалии температурных зависимостей упругих свойств тетрабората лития при термоциклировании. // Физика твердого тела 1989. Т. 31, N. 10. С. 311-313.

149. Анисимова В. Н., Леваиюк А. П., Якушкин Е. Д., Память упругости в кристалле Li2B407: эффект несоизмеримой модуляции?. // Физика твердого тела 1990. Т. 32, N. 7. С. 2154-2156.

150. Зарецкий В. В., Бурак Я. В., Новый несоизмеримый кристалл У2В4О7. // Физика твердого тела 1989. Т. 31, N. 6. С. 80-84.

151. Зарецкий В. В., Бурак Я. В., Фазовые переходы, стимулированные термоциклирова-нием. // Письма ЖЭТФ 1989. Т. 49, N. 4. С. 198-201.

152. Боднарь И. Т., 'Дьявольская лестница' в тетраборате лития?. // Опт. и Спектроск. 1995. Т. 78, N. 1.С. 73-74.

153. Теханович Н. П., Шелег А. У., Бурак Я. В., Исследование теплоемкости кристаллов Li2B407. И Физика твердого тела 1990. Т. 32, N. 8. С. 2513-2515.

154. Теханович Н. П., Шелег А. У., Осцилляции теплоемкости кристаллов 1Л2В4О7. // Физика твердого тела 1991. Т. 33, N. 6. С. 1900-1903.

155. Иванов Ю. Н., Бурак Я. В., Александров К. С., Исследование монокристаллического L12B4O7 методом ЯМР 7Li и 11 В. // Физика твердого тела 1990. Т. 32, N. 11. С. 33793383.

156. Зуб Е. М., К вопросу о несоизмеримой фазе в кристалле Li2B407. // Физика твердого тела 1997. Т. 39, N. 8. С. 1461-1463.

157. Вдовин А. В., Моисеенко В. Н., Бурак Я. В., Колебательный спектр кристалла Li2B407. // Опт. и Спектроск. 2001. Т. 90, N. 4. С. 625-631.

158. Вдовин А. В., Моисеенко В. Н., Горелик В. С., Бурак Я. В., Колебательный спектр кристаллов Li2B407. // Физика твердого тела 2001. Т. 43, N. 9. С. 1584-1589.

159. Бурак Я. В., Копко Б. Н., Лысейко И. Т., Матковский А. О., Слипецкий Р. Р., Улманис У. А., Центры окраски в монокристаллах Li2B407. // Неорг. Материалы 1989. Т. 25, N. 7. С. 1226-1228.

160. Матковский А. О., Сугак Д. Ю., Бурак Я. В., Лысейко И. Т., Миронова Н. А., Сквор-цова В. Н., Слипецкий Р. Р., Улманис У. А., Радиационное дефектообразование в тетраборате лития. // Изв. АН Латв. ССР, сер. физич. и технич. наук 1989. Т. 6. С. 20-24.

161. Матковский А. О., Радиационно-стимулированные процессы в неорганических материалах для систем обработки информации. // Изв. АН Латв. ССР, сер. физич. и технич. наук 1990. Т. 3. С. 80-91.

162. Маловичко Г. И., Грачев В. Г., Матковский А. О., ЭПР радиационных дефектов в облученных нейтронами монокристаллах тетрабората лития. // Физика твердого тела 1991. Т. 33, N. 7. С. 1966-1972.

163. Matkovskii А. О., Sugak D. Y., Burak Y. V., Malovichko G. I., Grachov V. G., Radiation defect formation in lithium tetraborate (LTB) single-crystals. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1994. V. 132, N. 4. P. 371-376.

164. Матковский А. О., Сугак Д. Ю., Убизский С. Б., Шпотюк О. И., Черный Е. А., Вакив Н. М., Мокрицкий В. А., Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники. Львов: Свгг, 1994. 212 с.

165. Tu J.-M., Keszler D. A., CsLiB60io: A noncentrosymmetric poliborate. // Mater. Res. Bui. 1995. V. 30, N. 2. P. 209-215.

166. Mori Y., Kuroda I., Nakajima S., Sasaki Т., Nakai S., Non-linear optical properties of cesium lithium borate. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 2 1995. V. 34, N. ЗА. P. L296-L298.

167. Umemura N., Kato K., Ultraviolet generation tunable to 0.185 /яп in CsLiBgOio- // Appl. Opt. 1997. V. 36, N. 27. P. 6794-6796.

168. Takei H., Suzuki Т., Mamiya M., Sakai F., Koike M., Mori Y., Sasaki Т., Thermal expansions of pure and Al-doped CsLiBgOjo crystals for nonlinear optical applications. //Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1997. V. 36, N. 1A. P. 126-128.

169. Шелег А. У., Зуб E. M., Стремоухова JT. А., Лугинец A. M., Рентгенографические исследования кристаллографических параметров и теплового расширения кристаллов Р-ВаВ204. // Физика твердого тела 1997. Т. 39, N. 6. С. 1038-1040.

170. Mighell A. D., Perloff A., Block S., The crystal structure of the high temperature form of barium borate, Ba0 B203. // Acta Cryst. 1966. V. 20, N. 6. P. 819-823.

171. Frohlich R., Crystal structure of the low-temperature form of BaB204. // Z. Kristallog. 1984. Y. 168, N. 1-4. P. 109-112.

172. Ney P., Fontana M. D., Maillard A., Polgar K., Assignment of the Raman lines in"single crystal barium metaborate (p-BaB204). // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. V. 10, N. 3. P. 673-681.

173. Боднарь И. Т., Шелег А. У., Милованов А. С., Преломление и двулучепреломление кристаллов Р-ВаВгОд в интервале температур 20-850°С. // Опт. и Спектроск. 1998. Т. 84, N. 3. С. 495-497.

174. Матыясик С., Шалдин Ю. В., Пироэлектрические свойства кристаллов Р-ВаВгОд в области температур от 2.5 до 90 К. // Физика твердого тела 1997. Т. 39, N. 9. С.1631-1633.

175. Guo R., Bhalla A. S., Pyroelectric, piezoelectric, and dielectric properties of Р-ВаВгОд single crystal. //J. Appl. Phys. 1989. V. 66, N. 12. P. 6186-6188.

176. Dewey, Jr. C. F., Cook, Jr. W. R., Hodgson R. Т., Wynne J. J., Frequency doubling in KB508-4H20 and NH4B5O84H2O to 217.3 nm. // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26, N. 12. P. 714-716.

177. Smith J. A. S., Richards R. E. // Trans. Faraday Soc. 1952. V. 48. P. 307-.

178. Silvidi A. A., McGrath J. W. // J. Chem. Phys. 1959. Y. 30. P. 1028.

179. Zachariasen W. H. // Z. Kristallogr. 1937. V. 98. P. 266-274.

180. Zachariasen W. H., Plettinger H. A., Refinement of the structure of potassium pentaborate tetrahydrate. // Acta Crystallogr. 1963. V. 16, N. 5. P. 376-379.

181. Krogh-Moe J., Least-squares refinement of the crystal structure of potassium pentaborate. //Acta Crystallogr. 1965. V. 18, N. 6. P. 1088-1089.

182. Ashmore J. P., Petch H. E., ??. // Can. J. Phys. 1970. V. 48, N. 9. P. 1091-1097.

183. Xue D., Zhang S., Effect of hydrogen bonds on optical nonlinearities of inorganic crystals. // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 301, N. 5-6. P. 449^452.

184. Лайнс M., Гласс А., Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Пер. с англ. под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского, М.: Мир, 1981. 736 с.

185. Смоленский Г. А., Боков В. А., Исупова В. А. и др., Сегнетоэлектрики и антисегне-тоэлектрики. Л.: Наука, 1971. 476 с.

186. Frazer В. С., Pepinsky R., X-ray analysis of the ferroelectric transition in KH2PO4. // Acta Crystallogr. 1953. V. 6, N. 3. P. 273-285.

187. Кенциг В., Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: ИЛ, 1960. 234 с.

188. Harris L. В., Vella G. J., Direct current conduction in ammonium an potassium dihydrogen phosphate. // J. Chem. Phys. 1971. V. 58, N. 10. P. 4550-4557.

189. Kityk I. V., Smok P., Berdowski J., Lukasiewicz Т., Majchrowski A., Density of bandstates in the CsLiB6Oi0 crystals. // Phys. Lett. A 2001. V. 280. P. 70-76.

190. Xu Y.-N., Ching W. Y., Electronic structure and optical properties of LiB3C>5. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1990. V. 41, N. 8. P. 5471-5474.

191. Xu Y.-N., Ching W. Y., French R. H., Electronic structure and interatomic bonding of crystalline p-BaB204 with comparison to LiBjOs. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1993. V. 48, N. 24. P. 17695-17702.

192. Hsu W. Y., Kasowski R. V., Electronic structures of P-BaB204 and LiB305. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73, N. 8. P. 4101—4103.

193. Cheng W.-D., Chen J.-T., Huang J.-S., Zhang Q.-E., Electronic structures and optical properties of LiB3C>5, Li2B407 and КВегВОзРг. // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1996. V. 92, N. 24. P. 5073-5079.

194. Adamiv V. Т., Burak Y. V., Kityk I. V., Kasperczyk J., Smok R., Czerwineski M., Nonlinear optical properties of Li2B407 single crystals doped with potassium and silver. // Opt. Mater. 1997. V. 8, N. 3. P. 207-213.

195. Довгий Я. О., Китык И. В., Электронное строение и нелинейные восприимчивости ацентричных кристаллов сложного строения. // Физика твердого тела 1991. Т. 33, N. 2. С. 416-428.

196. Li J., Duan C.-G., Gu Z.-Q., Wang D.-S., First-principles calculations of the electronic structure and optical properties of LiBsOs, CSB3O5, and P-BaB204 crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1998. V. 57, N. 12. P. 6925-6932.

197. Lin J., Lee M. H., Liu Z. P., Chen С. Т., Pickard C. J., Mechanism for linear and nonlinear optical effects in p~BaB204 crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1999. V. 60, N. 19. P. 13380-13389.

198. Cheng W.-D., Huang J.-S., Lu J.-X., Electronic structures and nonlinear optical coefficients of P-BaB204. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1998. V. 57, N. 3. P. 1527-1533.

199. Li R. K., Ye N., Wu Y. C., Comments on "Electronic structure and nonlinear optical coefficients of P-BaB204". // Phys. Rev. B: Cond. Matter 2000. V. 62, N. 11. P. 7654-7655.

200. Lin Z., Lin J., Wang Z., Chen C., Lee M.-H., Mechanism for linear and nonlinear optical effects in LiB3Os, CsB305, and CsLiB6Oi0 crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 2000. V. 62, N. 3. P. 1757-1764.

201. Cheng W.-D., Chen J.-T., Lin Q.-S., Zhang Q.-E., Lu J.-X., Cluster modeling of electronic structure and nonlinear properties for the optical materials МВбОю (M=Cs2,Li2,CsLi). // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1999. V. 60, N. 16. P. 11747-11754.

202. Ye N., Chen Q., Wu В., Chen C., Searching for new nonlinear optical materials on the basis of the anionic group theory. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84, N. 1. P. 555-558.

203. Butcher P. N., McLean T. P. // Proc. Phys. Soc. Lond. Sect. 1963. V. В 81. P. 219.

204. Duan C.-G., Li J., Gu Z.-Q., Wang D.-S., Interpretation of the nonlinear optical susceptibility of borate crystals from first principles. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1999. V. 59, N. l.P. 369-372.

205. Duan C.-G., Li J., Gu Z.-Q., Wang D.-S., First-principles calculation of the second-harmonic-generation coefficient of borate crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1999. V. 60, N. 13. P. 9435-9443.

206. Lin S., Sun Z., Wu В., Chen C., The nonlinear optical characteristics of a LiBsOs crystal.215216217218219220221.222.223.224.225.226.227.228,229.230.231.232.233.234.

207. J. Appl. Phys. 1990. V. 67, N. 2. P. 634-638.

208. Dmitriev V. G., Gurzadyan G. G., Nikogosyan D. N., Handbook of Nonlinear Optical Crystals, V. 64 oi Springer series in optical sciences, 0342-4111. Berlin; New York: Springer, 3 ed., 1999. 413 p.

209. Koechner W., Solid-State Laser Engineering, V. 1 of Springer series in optical sciences. Berlin; New York: Springer, 5 ed., 1999. 746 p.

210. Цернике Ф., Мидвинтер Д., Прикладная нелинейная оптика. М.: Мир, 1976. 261 с. Ward L., Laser Damage in Optical Materials. /2nd ed. Optics and optoelectronics, Bristol; Philadelphia: Institute of Physics Pub., 1994.

211. Kleinman D. A., Nonlinear dielectric polarization in optical media. // Phys. Rev. 1962. V. 126, N. 6. P. 1977-1979.

212. Miller R. C., Mechanism of second harmonic generation of optical maser beams in quartz. // Phys. Rev. 1963. V. 131, N. 1. P. 95-97.

213. Egger P., Hulliger J., Optical materials for short wavelength generation. // Coordination Chemistry Reviews 1999. V. 183, N. 1. P. 101-115.

214. Nikogosyan D. N., Lithium triborate (LBO) A review of its properties and applications. //Appl. Phys. A-Solid Surf. 1994. V. 58, N. 3. P. 181-190.

215. Nikogosyan D. N., Beta-barium borate (BBO) A review of its properties and applications. //Appl. Phys. A-Solid Surf. 1991. V. 52, N. 6. P. 359-368.

216. Кузьминов Ю. С., Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982.

217. Xie F., Wu В., You G., Chen С., Characterization of LiB305 crystal for 2nd-harmonic generation. // Optics Letters 1991. V. 16, N. 16. P. 1237-1240.

218. Baba Т., Tezuka Т., Ito D., Uchiyama Т., Fujii H., Intracavity second-harmonic generation of chemical oxygen-iodine laser emission using a LBO crystal. // Appl. Phys. B-Photo Phys. 1995. V. 60, N. 4. P. 369-373.

219. Ukachi Т., Lane R. J., Bosenberg W. R., Tang C. L., Measurements of noncritically phase-matched second-harmonic generation in a LiBjOs-crystal. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57, N. 10. P. 980-982.

220. Hanson F., Dick D., Blue parametric generation from temperature-tuned LiB3Os. // Optics Letters 1991. V. 16, N. 4. P. 205-207.

221. Massey G. A., Johnson J. C. // IEEE J. Quantum Electron. 1976. V. 12. P. 721237. Ахманов А. Г., Ахманов С. А., Жданов Б. В., Ковригин А. И., Подсотская Н. К.,

222. Хохлов Р. В. // Письма в ЖЭТФ 1969. Т. 10. С. 244.

223. Арутюнян А. Г., Гурзадян Г. Г., Испирян Р. К., Генерация пятой гармоники пикосе-кундного лазера на алюминате иттрия. // Квантовая электроника 1989. Т. 16, N. 12. С. 2493-2495.

224. Арутюнян А. Г., Атанесян В. Г., Петросян К. Б., Похсрарян К. М., Умножение частоты сверхкоротких импульсов света в пентаборате калия. // Письма в ЖТФ 1980. Т. 6, N. 5. С. 277-280.о

225. Kato К., Second-harmonic generation to 2048А in p-BaB204. // IEEE J. Quantum Electron. 1986. V. 22, N. 7. P. 1013-1014.

226. Kato K., Phase-matched generation of 2314A in KB508-4H20. // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 29, N. 9. P. 562-563.

227. Kato K., Tunable UV generation in KB508-4H20 to 1966A. // Appl. Phys. Lett. 1977. V. 30, N. 11. P. 583-584.

228. Umemura N., Kato K., Phase-matched UV generation at 0.1774 ym in KB508-4H20. // Appl. Opt. 1996. V. 35, N. 27. P. 5332-5335.

229. Dunning F. В., Stickel, Jr. R. E., Sum frequency mixing in potassium pentaborate as a source of tunable coherent radiation at wavelengths below 217 nm. // Appl. Opt. 1976. V. 15, N. 12. P. 3131-3134.

230. Hemmati H., Bergquist J. C., Itano W. M., Sum frequency generation of CW 194 nm radiation in potassium pentaborate. // AIP Conference Proceedings 1982. V. 90, N. 1. P. 485-490.

231. Hemmati H., Bergquist J. C., Itano W. M., Generation of continuous-wave 194-nm radiation by sum-frequency mixing in an external ring cavity. // Optics Letters 1983. V. 8, N. 2. P. 73-75.

232. Stickel, Jr. R. E., Dunning F. В., Generation of tunable coherent vacuum UV radiation in KB5. //Appl. Opt. 1978. V. 17, N. 7. P. 981-982.

233. Stickel, Jr. R. E., Dunning F. В., Generation of tunable coherent vacuum UV radiation in KB5: errartum. // Appl. Opt. 1978. V. 17, N. 14. P. 2132.

234. Акципетров О. А., Китаева Г. X., Пенин А. Н., Спонтанное параметрическое рассеяние света на поляритонах и поляритонный ферми-резонанс в кристалле пентабората калия. // Физика твердого тела 1978. Т. 20, N. 2. С. 402-408.

235. Sharma L. В., Daido Н., Kato Y., Nakai S., Zhang Т., Mori Y., Sasaki Т., Fourth-harmonic generation of picosecond glass laser pulses with cesium lithium borate crystals. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69, N. 25. P. 3812-3814.

236. Yap Y. K., Inagaki M., Nakajima S., Mori Y., Sasaki Т., High-power fourth- and fifth-harmonic generation of a Nd:YAG laser by means of a CsLiBeOio- // Optics Letters 1996. V. 21, N. 17. P. 1348-1350.

237. Chandra S., Allik Т. H., Hutchinson J. A., Fox J., Swim C., Tunable ultraviolet laser source based on solid-state dye laser technology and CsLiB^Oio harmonic generation. // Optics Letters 1997. V. 22, N. 4. P. 209-211.

238. Srinivasan-Rao Т., Babzien M., Sakai F., Mori Y., Sasaki Т., Conversion efficiency and damage threshold measurements of CsLiB60io with a train of laser pulses. // Appl. Phys.1.tt. 1997. V. 71, N. 14. P. 1927-1929.

239. Trickett R. I., Withford M. J., Brown D. J. W., 4.7-W, 255-nm source based on second-harmonic generation of a copper-vapor laser in cesium lithium borate. // Optics Letters 1998. V. 23, N. 3. P. 189-191.

240. Yap Y. K., Deki K., Kitatochi N., Mori Y., Sasaki Т., Alleviation of thermally induced phase mismatch in CsLiBgOio crystal by means of temperature-profile compensation. // Optics Letters 1998. V. 23, N. 13. P. 1016-1018.

241. Рез И. С., Поплавко Ю. ТА., Диэлектрики. Основные свойства и применение в электронике. М.: Радио и связь, 1989. 228 с.

242. Colville F. G., Henderson A. J., Padgett М. J., Zhang J., Dunn M. H., Continuous wave parametric oscillation in lithium triborate. // Optics Letters 1993. V. 18, N. 3. P. 205-207.

243. Banfi G. P., Solcia C., Di Trapani P., Danielius R., Piskarskas A., Righini R., Torre R., Travelling-wave parametric conversion of microjoule pulses with LBO. // Opt. Commun. 1995. V. 118, N. 3-4. P. 353-359.

244. Wang Y., Xu Z., Deng D., Zheng W., Wu В., Chen C., Visible optical parametric oscillation in LiB305. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, N. 5. P. 531-533.

245. Stevenson T. R., Colville F. G., Dunn M. H., Padgett M. J., Doubly resonant optical parametric oscillator formed by index matching cavity mirrors directly onto an uncoated LiB305 crystal. // Optics Letters 1995. V. 20, N. 7. P. 722-724.

246. Walker D. R., Flood C. J., van Driel H. M., Kilohertz all-solid-state picosecond lithium triborate optical parametric generator. // J. Optics Letters Div. 1995. V. 20, N. 2. P. 145147.

247. Butterworth S. D., Girard S., Hanna D. C., High-power, broadly tunable all-solid-state synchronously pumped lithium triborate optical parametric oscillator. // J. Opt. Soc. Am. B-Opt. Physics 1995. V. 12, N. 11. P. 2158-2167.

248. Poole P. J., Hong J., Stolow A., Charbonneau S., Time and frequency-resolved photoluminescence up conversion using broadly tuneable picosecond infrared pulses. //Rev. Sci. Instrum. 1998. V. 69, N. 5. P. 1943-1948.

249. Liu X., Xu Z., Wu В., Chen C., Picosecond multiwavelength optical parametric generation in lithium triborate. //Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66, N. 12. P. 1446-1448.

250. Ebrahimzadeh M., French S., Sibbet W., Miller A., Non-critially phase-matched, Ti:sapphire-pumped picosecond optical parametric oscillator using LiB3O5. // Appl. Phys. B-Photo Phys. 1995. V. 60, N. 5. P. 443-448.

251. Ebrahimzadeh M., French S., Sibbett W., Miller A., Picosecond Ti:sapphire pumped optical parametric oscillator based on LiB305. // Optics Letters 1995. V. 20, N. 2. P. 166— 168.

252. Seifert F., Petrov V., Difference-frequency generation of near infrared picosecond pulses by noncritical temperature tuning of LiB305. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74, N. 7. P. 4798-4800.

253. Bhar G. C., Rudra A. M., Datta P. K., et al., A comparative study of laser second harmonic generation in some crystals. // Pramana: J. Phys. 1995. V. 44, N. 1. P. 45-53.

254. Bhar G. C., Rudra A. M., Chaudhary A. K., The generation of efficient tunable coherent near-IR radiation by temperature-tuned non-critical difference-frequency mixing in a LBO crystal. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1996. V. 29, N. 5. P. 1157-1161.

255. Chatterjee U., Kumbhakar P., Chaudhary A. K., Bhar G. C., Tunable mid-infraredgeneration in cesium lithium borate crystal. H Opt. Commun. 2001. V. 188. P. 371-375.

256. Lu Z. G., Cho G. C., Lupke G., Kurz H., Visible fs-pulses generated by dispersive frequency doubling in lithium triborate. // Opt. Commun. 1997. V. 133, N. 1-6. P. 263-267.

257. Backus S., Asaki M. Т., Shi C., Kapteyn H. C., Murnane M. M., Intracavity frequency doubling in a Ti:sapphire laser: generation of 14-fs pulses at 416 nm. // Optics Letters 1994. V. 19, N. 6. P. 399-401.

258. Petrov V., Rotermund F., Noack F., Komatsu R., Sugawara Т., Uda S., Vacuum ultraviolet application of Li2B407 crystals: Generation of 100 fs pulses down to 170 nm. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84, N. 11. P. 5887-5892.

259. Аракелян С. А., Гюзалян P. H., Согомонян С. Б., Об использовании некоторых нелинейных кристаллов для измерения длительности одиночных УКИ. // Квантовая электроника 1981. Т. 8, N. 7. С. 1576-1579.

260. Petrov V., Rotermund F., Noack F., Generation of femtosecond pulses down to 166 nm by sum-frequency mixing in KB508-4H20. // Electronic. Lett. 1998. V. 34. P. 1748-1750.

261. Zhang Т., Yonemura M., Properties of CsLiBgOio and КВе2ВОзР2 crystals for second-harmonic generation with ultrashort laser pulses. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1 1997. V. 36, N. 10. P. 6353-6359.

262. Shen J., He H., Liu Y., Zhang Y., Wang Z., Wu В., Second harmonic generation by femtosecond optical pulses: theory and experiment. // Chinese Physics 1992. V. 12, N. 2. P. 413-418.

263. Кузьминов Ю. С., Ниобат и танталат лития материалы для нелинейной оптики. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов, М.: Наука, 1975. 223 с.

264. Jiang A., Wu В., Chen С., You G., Wu Y., LiBaOs crystal and its nonlinear optical devices. United States Patent. US4826283,1989. Fujian Institute of Research on The China.

265. Miyazawa S., Ferroelectric domain inversion in Ti-diffuses LiNb03 optical waveguide. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50, N. 7. P. 4599^603.

266. Davis G. M., Zhang L., Chandler P. J., Townsend P. D., Fabrication of planar optical wave-guides in LiBaOs by 2 MeV He+ ion-implantation. // IEEE Photonics Technology Letters 1993. V. 5, N. 4. P. 430-432.

267. Davis G. M., Zhang L., Chandler P. J., Townsend P. D., Planar and channel waveguide fabrication in LiBsOs using MeV He+ ion implantation. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79, N. 6. P. 2863-2867.

268. Boudrioua A., Moretti P., Loulergue J. C., Polgar K., Helium ion-implanted planar waveguide in Y-cut and Z-cut (3-BBO (p-BaB204). // Opt. Mater. 2000. V. 14. P. 31-39.

269. Boudrioua A., Moretti P., Loulergue J. C., Polgar K., Waveguides in LTB (1Л2В4О7) by He+ implantation. // Phys. Status Solidi (a) 1996. V. 153, N. 2. P. 553-557.

270. Bindner P., Boudrioua A., Moretti P., Loulergue J. C., Refractive index behaviors of helium implanted optical planar waveguides in LiNb03, КТЮРО4 and Li2B407. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 1998. V. 142, N. 3. P. 329-337.

271. Науменко H. Ф., Оттекающие поверхностные акустические волны с квазипродольной поляризацией в кристалле тетрабората лития. // Кристаллография 1992. Т. 37, N. 4. С. 979-982.

272. Ефимов О. М., Нелинейное поглощение лазерного излучения и оптический пробой силикатных стекол. Автореф. Дис.канд.-физ.-мат.наук, JL, 1985. 20 с.

273. Wood R. М., Laser Damage in Optical Materials. The Adam Hilger series on optics and optoelectronics, Bristol; Boston: A. Hilger, 1986.

274. Епифанов А. С., Маненков А. А., Прохоров A. M., Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах под действием элнктромагнитногополя. // Письма в ЖЭТФ 1975. Т. 21, N. 8. С. 483-486.

275. Маненков А. А., Горшков Б. Г., Данилейко Ю. К. и др., Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов. // Журнал экспериментальной и теоретической физики 1977. Т. 72, N. 3. С. 1171-1181.

276. Бломберген Н., Электрический пробой в твердых телах под действием лазерного излучения (обзор). // Квантовая электроника 1974. Т. 1, N. 4. С. 786-805.

277. Глебов Л. Б., Ефимов О. М., Исследования закономерностей и механизм собственного оптического пробоя стекол. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1985. Т. 49, N. 6. С.1140-1145.

278. Маненков А. А., Прохоров А. М., Лазерное разрушение прозрачных твердых тел. // Успехи физических наук 1986. Т. 148, N. 1. С. 179-211.

279. Данилейко Ю. К., Маненков А. А., Прохоров А. М., Хаимов-Мальков В. Я., Поверхностные разрушения кристаллов рубина лазерным излучением. // Журнал экспериментальной и теоретической физики 1970. Т. 58, N. 1. С. 31-36.

280. Данилейко Ю. К., Маненков А. А., Нечитайло В. С., Хаимов-Мальков В. Я., Оптические свойства и лазерное разрушение «идеальных» поверхностей рубина. // Физика твердого тела 1974. Т. 16. С. 1725-1727.

281. Данилейко Ю. К., Маненков А. А., Нечитайло В. С., О механизме лазерного разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородностей. // Квантовая электроника 1978. Т. 5, N. 1. С. 194-195.

282. Ходаков Г. С., Цеснек Л. Ц., Разрушение прозрачных диэлектриков лазерным излучением. // ОМП 1976. Т. 9. С. 55-66.

283. Горшков Б. Г., Епифанов А. С., Маненков А. А. и др., Разрушение широкозонных диэлектриков УФ лазерным излучением. // Квантовая электроника 1979. Т. 6, N. 11. С. 2415-2419.

284. Глебов Л. Б., Докучаев В. Г., Ефимов О. М. и др., Роль радиационных центров окраски в развитии оптического пробоя силикатных стекол. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1985. Т. 49, N. 6. С. 1179-1182.

285. Горшков Б. Г., Данелейко Ю. К., Минаев Ю. П. и др., О природе размерного эффекта в лазерном пробое конденсированных сред. // Квантовая электроника 1984. Т. 11, N. 10. С. 2019-2025.

286. Гагарин А. П., Глебов Л. Б., Докучаев В. Г. и др., Влияние поглощающих примесей на оптический пробой прозрачных диэлектриков. // Журнал технической физики 1982. Т. 52, N. 1.С. 101-103.

287. Ашкенадзе Б. М., Волкова Н. В., Оптическая плотность прозрачных диэлектриков. // Физика твердого тела 1967. Т. 9. С. 476-479.

288. Волкова Н. В., Цирульник П. Н., Влияние растворимой примеси на оптическую прочность фтористого лития. // ОМП 1972. Т. 12. С. 35-36.

289. Koppitz J., Schirmer О. F., Kuznetsov A. I., Thermal dissociation of bipolarons in reduced undoped LiNb03. // Europhysics Letters 1987. V. 4, N. 9. P. 1055-1059.

290. Koppitz J., Schirmer O. F., Wohlecke M., Kuznetsov A. I., Grabmaier C., Treshold effects in LiNb03:mg caused by change of electronlattice coupling. // Ferroelectrics 1989. V. 92. P. 233-241.

291. Thomas P. A., Watls В. E., An Nb-doped analogue of КТЮРО4 structural and nonlinear properties. // Sol. State Commun. 1990. V. 73, N. 2. P. 97-100.

292. Jones S. C., Shen X. A., Braunlich P. F., Kelly P., Epifanov A. S., Mechanism of prebreakdown nonlinear energy deposition from intense photon fields at 532 nm in NaCl. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1987. V. 35, N. 2. P. 894-897.

293. Shen X. A., Braunlich P., Jones S. C., Kelly P., Intrinsic optical damage in KBr at 532 nm. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59, N. 14. P. 1605-1608.

294. Kelly P. J., Jones S. C., ShenX. A., Simpson L., Braunlich P. F., Casper R. Т., Measurement of the three-photon-absorption cross section and intrinsic optical breakdown of KI at 352 nm. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1990. V.42,N. 17. P. 11370-11372.

295. Shen X. A., Jones S. C., Braunlich P., Laser heating of free electrons in wide-gap optical materials at 1064 nm. // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 62, N. 23. P. 2711-2713.

296. Jones S. C., Braunlich P., Casper R. Т., Shen X. A., Kelly P., Recent progress on laser-induced modifications and intrinsic bulk damage of wide-gap optical materials. // Optical Engineering 1989. V. 28, N. 10. P. 1039-1068.

297. Shen X. A., Braunlich P., Jones S. C., Kelly P., Investigation of intrinsic optical damage in potassium bromide at 532 nm. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1988. V. 38, N. 5. P. 34943504.

298. Jones S. C., Fischer A. H., Braunlich P., Kelly P., Prebreakdown energy absorption from intense laser pulses at 532 nm in NaCl. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1988. V. 37, N. 2. P. 755-770.

299. Shen X. A., Jones S. C., Braunlich P., Kelly P., Four-photon absorption cross section in potassium bromide at 532 nm. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1987. V. 36, N. 5. P. 28312843.

300. Bass M., Barret H., Damage in laser materials. // Symposium ASTM 1971. P. 76.

301. Бонч-Бруевич A. M., Алешин И. В., Имас Я. А., Павшуков А. В., Поглощение излучения ОКГ в приповерхностном слое стекла. П Журнал технической физики 1971. T.41,N. 3. С. 617-620.

302. Вронько С. Б., Журков С. Н., Чмель А., Кинетика накопления повреждений в прозрачных диэлектриках при многократном лазерном облучении. Н Физика твердого тела 1978. Т. 20, N. 12. С. 3570-3575.

303. Furukawa Y., Sato М., Markgraf S. A., Yoshida Н., Sasaki Т., Crystal growth and laser damage of LiB305. //Proc. SPIE 1995. V. 2379. P. 245-250.

304. Ольховая Л. А., Маслов В. А., Исхакова Л. В. // Тез. докл. 8 Всесоюзн. копф. по росту кристаллов. Харьков:, 1992. С. 185-186.

305. Деменко С. М., Рылов Г. М., Особенности ориентирования синтетических кристаллов бората лития UB3O5 (LBO). // Автометрия 1993. Т. 1. С. 96-97.

306. Roberts D. A., Meeker Т. R., Proposed revisions for the polar orthorhombic class in IEEE/ANSI Std 176. // IEEE Trans, on Ultrasonic. Ferroelectric, and Frequen. Control 1992. V. 39, N. 2. P. 165.

307. Нефедов В. И., Рентгеноэлектронпая спектроскопия химических соединений: Справочник. М.: Химия, 1984. 256 с.

308. Кузнецов А. Ю., Кузнецов М. В., Огородников И. Н., Кружалов А. В., Маслов В. А., Рентгеноэлектронная спектроскопия нелинейных кристаллов 1ЛВ3О5. // Физика твердого тела 1994. Т. 36, N. 3. С. 845-848.

309. Соболев А. Б., Кузнецов А. Ю., Огородников И. Н., Кружалов А. В., Кластерный расчет электронного строения кристаллов 1ЛВ3О5. // Физика твердого тела 1994. Т. 36,N. 5. С. 1517-1521.

310. Kuznetsov A. Y., Sobolev А. В., Ogorodnikov I. N., Kruzhalov А. V., Electronic structure of a LiB305 nonlinear optical crystals. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1995. V. 134, N. 1-4. P. 69-73.

311. Кузнецов А. Ю., Исаенко Л. И., Кружалов А. В., Огородников И. Н., Соболев

312. A. Б., Электронная структура кристаллов тетрабората лития Ы2В4О7. Кластерные расчеты и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. // Физика твердого тела 1999. Т. 41, N. 1.С. 57-59.

313. Luginets А. М., Guretskii S. A., Ges А. P., Milovanov A. S., Markova L. V., Burak V. S., The influence of growth conditions on the optical properties of barium betaborate single crystals. // J. Cryst. Growth 1996. V. 162, N. 1-2. P. 89-94.

314. Куанышев В. Т., Оптимизация выращивания, люминесценция и радиационно-оптическая устойчивость кристаллов группы KDP и L1IO3. Дисс. .канд.Физ.-мат. наук, Екатеринбург, 1998. 157 с.

315. Alybakov A. A., Abdrazakov A. A., Arbotoev О. М., Kudabaev К., Paramagnetic centers in X-irradiated KH2PO4 crystals doped with chromium. // Cryst. Res. Tech. 1988. V. 23, N. 10-11. P. 1401-1406.

316. B. С. Свердловск: УПИ им. С.М. Кирова, 1985. Т. 7. С. 109-117.

317. Огородников И. Н., Термоактивационные рекомбинационные процессы и люминесценция в кристаллах оксида бериллия. Диссканд.физ.-мат.наук, Свердловск, 1988.184 с.

318. Chen R., Kirsh Y., Analysis of Thermally stimulated processes, V. 15 of International series on the science of the solid states. Oxford; New York: Pergamon Press, 1 ed., 1981. 361 p.

319. Огородников И. H., Термостимулированная люминесценция кристаллов ВеО легированных цинком. // Химия твердого тела: Межвуз. сб. паучн. трудов. / Ред. Егоров Ю. В. Свердловск: УПИ им. С.М. Кирова, 1986. Т. 9. С. 151-152.

320. Огородников И. Н., Кружалов А. В., Маслов В. А., Люминесценция и парамагнитные центры в кристаллах BeO-Zn. //Журнал прикладной спектроскопии 1988. Т. 49, N. 1. С. 134-136.

321. Шульгин Б. В., Кружалов А. В., Огородников И. Н., Викторов Л. В., Маслов В. А., Александер Ч., Кук Д. В., Сцинтилляционные свойства монокристаллов ВеО. // Журнал прикладной спектроскопии 1988. Т. 49, N. 2. С. 286-291.

322. Огородников И. Н., Иванов В. Ю., Кружалов А. В., Спектрально-люминесцентные свойства кристаллов оксида бериллия, активированных цинком. // Журнал прикладной спектроскопии 1991. Т. 54, N. 4. С. 605-610.

323. Казакбаева 3. М., Огородников И. Н., Кидибаев М. М., Алыбаков А. А., Шульгин Б. В., Термостимулированная люминесценция активированных кристаллов NaF-Pb,U. // Журнал прикладной спектроскопии 1992. Т. 56, N. 1. С. 48-53.

324. Маслов В. А., Огородников И. Н., Ольховая Л. А., Анцыгин И. Н., Иванов В. Ю., Кружалов А. В., Кузнецов А. Ю., Люминесценция и радиационные эффекты в кристаллах трибората лития. // Журнал прикладной спектроскопии 1993. Т. 59, N. 3-4. С. 293-298.

325. Алыбаков А. А., Казакбаева 3. М., Шульгин Б. В., Огородников И. Н., Кидибаев М. М., Шихта для получения термолюминофора. А.с. 1814393 СССР, (11.10.1992 г.).

326. Огородников И. Н., Влияние темературных градиентов на термостимулировванные явления в оксиде бериллия, Деп. в ВИНИТИ №7704-В87, Урал, политехи, ин-т., Свердловск, 1987. 12 с.

327. Огородников И. Н., Алгоритмизация метода изотермического затухания для решения задач термоактивационной спектроскопии центров захвата, Деп. в ВИНИТИ №7995 В87, Урал, политехи, ин-т., Свердловск, 1987. 19 с.

328. Поротников А. В., Огородников И. Н., Программный комплекс для исследования угловых зависимостей спектров ЭПР. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвуз. сб. научн. тр. / Ред. Шульгин Б. В. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2000. Т. 5. С. 84-88.

329. Пытьев Ю. П., Математические методы интерпретации эксперимента. М.: Высшая школа, 1989. 351 с.

330. ЗининЭ. И., Стробоскопический метод электронно-оптической хронографиис пико-секундным разрешением на основе диссектора с электростатической фокусировкой и отклонением. Препринт/ИЯФ СО АН СССР: 81-84, 1981.

331. Пустоваров В. А., Электронные возбуждения и радиационные процессы в неорганических сцинтилляторах, индуцированные синхротронным излучением. Дисдок.физ,мат.наук, Екатеринбург, 1994. 368 с.

332. Moller Т., Zimmerer G., Time resolved spectroscopy with synchrotron radiation in the vacuum ultraviolet. // Physica Scripta 1987. V. T17. P. 177-185.

333. Zimmerer G., Status-report on luminescence investigations with synchrotron radiation at Hasylab. //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 1991. V. 308, N. 1-2. P. 178-186.

334. Larsson C. U. S., Beutler A., Bjorneholm O., Federmann F., Hahn U., Rieck A., Verbin S., Moller Т., First results from the high resolution XUV undulator beamline BW3 at HASYLAB. //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 1994. V. 337, N. 2-3. P. 603-608.

335. Яковлев В. Ю., Закономерности создания короткоживущих радиационных дефектов в ЩГК. Автореф. дисс. .док.физ.-мат. наук, Екатеринбург, 1996. 36 с.

336. Шубин В. Н., Фрунзе Т. А., Шаранин Ю. И., Кинетические исследования в импульсном радиолизе. М.: Наука, 1974. 216 с.

337. Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Ташлыков И. С., Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Мн.: Университетское, 1987. 256 с.

338. Резников Р. С., Сельдяков Ю. П., Промышленные полупроводниковые детекторы. М.: Атомиздат, 1975. 88 с.

339. Огородников И. Н., Иванов В. Ю., Кузнецов А. Ю., Кружалов А. В., Маслов В. А., Ольховая Л. А., Радиационно-стимулированные эффекты в кристаллах трибората лития (LiB305). // Письма в ЖТФ 1993. Т. 19, N. 2. С. 14-17.

340. Кузнецов А, Ю., Люминесценция и точечные дефекты кристаллов трибората лития (LiB^Os). Дис. канд.физ.-мат.наук, Екатеринбург, 1994. 152 с.

341. Поротников А. В., Коротковолновая люминесценция, дефекты и рекомбинационные процессы в кристаллах трибората лития ЫВ3О5. Дис. .канд.физ.-мат.наук, Екатеринбург, 1999. 174 с.

342. Огородников И. Н., Иванов В. Ю., Кружалов А. В., Точечные дефекты и излуча-тельный распад низкоэнергетических электронных возбуждений в ВеО. // Физика твердого тела 1994. Т. 36, N. 11. С. 3287-3298.

343. Ogorodnikov I. N., Kruzhalov A. V., Origin of short-wavelength luminescence and point defects in beryllium oxide. // J. Luminesc. 1997. V. 72-74. P. 701-702.

344. Visser D., Verschoor G. C., IJdo D. J. W., The structure of KNiCb at room temperature. //Acta Crystallogr. 1980. V. B36, N. 1. P. 28-36.

345. Ogorodnikov I. N., Pustovarov V. A., Porotnikov А. V., Kruzhalov А. V., A polarized fast luminescence of LiB30s single crystals excited by synchrotron radiation. // Nucl. Instrum.

346. Meth. Phys. Res. A 1998. V. 405, N. 2-3. P. 403^107.

347. Пустоваров В. А., Иванов В. Ю., Кружалов А. В., Зинин Э. И., Кинетика затухания люминесценции автолокализованных экситонов в кристаллах ВеО. // Физика твердого тела 1994. Т. 36, N. 5. С. 1523-1526.

348. Ivanov V. Y., Pustovarov V. A., Smirnov S. A., Zinin Ё. I., Orientational effects in luminescence of wide-gap crystals under polarized synchrotron radiation. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 1998. V. 405, N. 1-2. P. 388-392.

349. Барышников В. И., Малоинерционная люминесценция, возбуждение и преобразование дефектов диэлектрических кристаллов в интенсивных радиационных полях. Дис. . док. физ.-мат. наук, Иркутск, 1997. 221 с.

350. Феофилов П. П., Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: ГИФМЛ, 1959. 288 с.

351. Зазубович С. Г., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Поляризованная люминесценция рту-теподобных центров в кубических кристаллах. // Тр. ИФ АН ЭССР. 1962. Т. 18. С. 3-22.

352. Riley С. R., Yun S. I., Sibley W. A., Luminescence from color centers in KMgF3. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1972. V. 5, N. 8. P. 3285-3292.

353. Букке E. E., Григорьев H. H., Фок M. В., Применение метода поляризационных диаграмм для исследования одноосных кристаллов. // Тр. ФИАН СССР им. П.Н. Лебедева 1974. Т. 79. С. 108-144.

354. Lee К. Н., Crawford, J. Н. J., Electron centres in single crystal AI2O3. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1977. V. 15, N. 8. P. 4065^1070.

355. Спрингис M. E., Применение метода поляризационных отношений для исследования точечных дефектов в кристалле AI2O3. // Изв. АН Латв. ССР, серия физич. и техн. наук. 1980. Т. 4. С. 38-46.

356. Martynovich Е. Е., Martynovich Е. F., Polityko S. I., Modulation of luminescence intensity in anisotropic crystals under excitation by ultrashort pulses. // Opt. and Quant. Electronics 1995. V. 27. P. 725-734.

357. Зилов С. А., Оптические свойства и поляризованная люминесценция центров окраски в монокристаллах AI2O3. Дис. канд.физ.-мат.наук, Иркутск, 1990. 121 с.

358. Кудяков С. В., Автолокализованные электронные возбуждения в кристаллах оксида бериллия. Дис. канд.физ.-мат.наук, Екатеринбург, 1997. 130с.

359. Гинзбург В. Л., Теоретическая физика и астрофизика: Дополнительные главы. М.: Наука, 1987.

360. Най Д., Физические свойства кристаллов. М.: Мир, 1967.

361. Ландау Л. Д., ЛифшицЕ. М., Электродинамика сплошных сред, Т. 8. М.: Наука, 1982. 620 с.

362. Ivanov V. Y., Kuznetsov A. Y., Ogorodnikov I. N., Pustovarov V. A., Kruzhalov A. V., Luminescence of lithium triborate crystals under high intensity synchrotron radiation. //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 1995. V. 359, N. 1-2. P. 339-341.

363. Огородников И. H., Кузнецов А. Ю., Кружалов А. В., Маслов В. А., Инерционная кинетика коротковолновой люминесценции кристаллов LiBaOs. // Письма в ЖТФ 1994. Т. 20, N. 5. С. 62-66.

364. Ogorodnikov I. N., Porotnikov А. V., Pustovarov V. A., Kruzhalov А. V., Sub-nanosecondtime-resolved spectroscopy of 1ЛВ3О5 under synchrotron radiation. //J. Luminesc. 1997. V. 72-74. P. 703-704.

365. Lushchik A., Feldbach E., Kink R., Lushchik C., Kirm M., Martinson I., Secondary excitons in alkali halide crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1996. V. 53, N. 9. P. 53795387.

366. Kirm M., Lushchik A., Lushchik C., Vielhauer S., Zimmerer G., Luminescence of pure and doped AI2O3 and MgO single crystals under inner-shell excitation. // J. Luminesc. 2003. V. 102-103. P. 307-312.

367. Пустоваров В. А., Петров В. JI., Зинин Э. И., Кирм М., Циммерер Г., Шульгин Б. В., Оптическая и люминесцентная вуф-спектроскопия кристаллов La2Be205- // Физика твердого тела 2000. Т. 42, N. 2. С. 246-250.

368. Пустоваров В. А., Иванов В. Ю., Кирм М., Кружалов А. В., Коротаев А. В., Циммерер Г., Релаксация электронных возбуждений в оксиде бериллия: время-разрешенная ВУФ-спектроскопия. // Физика твердого тела 2001. Т. 43, N. 7. С. 1189-1195.

369. Огородников И. Н., Пустоваров В. А., Кружалов А. В., Исаенко Л. И., Кирм М., Циммерер Г., Электронные возбуждения и люминесценция кристаллов CsLiB60io. // Физика твердого тела 2000. Т. 42, N. 10. С. 1800-1807.

370. Огородников И. Н., Пустоваров В. А., Кирм М., Кружалов А. В., Исаенко Л. И., Электронные возбуждения в кристаллах LiBjOs с дефектами. // Физика твердого тела 2001. Т. 43, N. 8. С. 1396-1404.

371. Matsumoto Т., Kawata Т., Miyamoto А., Кап'по К., Time-resolved spectroscopic study on type I self-trapped excitons in alkali halide crystals: I. Emission spectra and decay behavior. // J. Phys. Soc. Jpn. 1992. V. 61, N. 11. P. 4229^241.

372. Огородников И. H., Поротников А. В., Кружалов А. В., Яковлев В. Ю., Кинетика рекомбинационных процессов в нелинейных кристаллах LiBsOs с дефектами. // Физика твердого тела 1998. Т. 40, N. 11. С. 2008-2014.

373. Соболев В. В., Немошкаленко В. В., Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наукова думка, 1988. 424 с.

374. Пайнс Д., Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1963. 382 с.

375. Тернов И. М., Михайлин В. В., Синхротронное излучение. М.: Энергоатомиздат, 1986. 296 с.

376. Огородников И. Н., Раджабов Е. А., Исаенко Л. И., Кружалов А. В., Люминесцентные свойства кристаллов трибората лития LiBsOs. // Физика твердого тела 1999. Т. 41, N. 2. С. 223-228.

377. Огородников И. Н., Поротников А. В., Кудяков С. В., Кружалов А. В., Яковлев

378. B. Ю., Стабильное и метастабильное оптическое поглощение нелинейных кристаллов LiB305. // Физика твердого тела 1997. Т. 39, N. 9. С. 1535-1537.

379. Ogorodnikov I. N., Kruzhalov А. V., Porotnikov А. V., Yakovlev V. Y., Dynamics of electronic excitations and localized states in 1лВз05. // J. Luminesc. 1998. V. 76-77. P. 464466.

380. Kink R., Kink M., Kink I., Maksimov J., Martinson I., Low temperature optical spectroscopy of non-linear LBO crystals. // Max-Lab activity report. Lund: Max-Lab, 1998. P. 134-135.

381. Кузнецов А. Ю., Соболев А. Б., Огородников И. H., Кружалов А. В., Моделирование парамагнитного В2+ центра в триборате лития. // Физика твердого тела 1994. Т. 36, N. 12. С. 3530-3536.

382. Соболев А. Б., Кластерные расчеты электронного строения анионной вакансии, F+ и F в кристалле MgO с самосогласованным учетом деформации и поляризации решетки. // Физика твердого тела 1994. Т. 36, N. 10. С. 2926-2934.

383. Поротников А. В., Огородников И. Н., Кудяков С. В., Кружалов А. В., Вотяков

384. C. Л., ЭПР дырочного центра в нелинейных кристаллах LiB305. // Физика твердого тела 1997. Т. 39, N. 8. С. 1380-1383.

385. Намозов Б. Р., Мюрк В. В., Захарченя Р. И., Коробков М. П., Электронные возбуждения примеси Sc3+ в кристаллах а-АЬОз. // Физика твердого тела 1998. Т. 40, N. 4. С.653-654.

386. Murk V., Yaroshevich N., Photoluminescence of YsAlsO^Sc crystals. // Phys. Status Solidi (b) 1994. V. 181. P. K37-K40.

387. Кузнецов А. И., Куусманн И. Л., Собственная коротковолновая люминесценция оксидов металлов. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1985. Т. 49, N. 10. С. 2026-2031.

388. Силинь А. Р., Трухин А. Н., Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02- Рига: Зинатне, 1985. 244 с.

389. Намозов Б. P., Фоминич M. Э., Мюрк В. В., Захарченя Р. И., Структура люминесценции автолокализованного экситона в кристаллах (X-AI2O3. // Физика твердого тела 1998. Т. 40, N. 5. С. 910-912.

390. Zimmerer G. // Pro с. Int. Scool of Phys. 'Enrico Fermi'; Course 96, Verenna. 1985. / Grassano M. N., Terzi N., eds. Amsterdam: North-Holland, 1985. P. 37.

391. Sumi H., Phase diagram of an exciton in the phonon field. // J. Phys. Soc. Jpn. 1977. V. 43, N. 4. P. 1286-1294.

392. Кузнецов А. И., Абрамов В. H., Мюрк В. В., Намозов Б. Р., Состояния автолокализованных экситонов в сложных оксидах. // Физика твердого тела 1991. Т. 33, N. 7. С. 2000-2005.

393. Ogorodnikov I. N., Isaenko L. I., Kruzhalov A. V., Porotnikov A. V., Thermally stimulated luminescence and lattice defects in crystals of alkali metal borate 1ЛВ3О5 (LBO). // Radiat. Measurements 2001. V. 33, N. 5. P. 577-581.

394. Ogorodnikov I. N., Ivanov V. Y., Kruzhalov A. V., Short-wavelength luminescence and thermostimulated processes in single crystals of BeO. // Radiat. Measurements 1995. V. 24, N. 4. P. 417-421.

395. Ogorodnikov I. N., Kruzhalov A. V., Porotnikov A. V., Yakovlev V. Y., Lattice defects and recombination processes in non-linear crystals LiBsOs. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1999. V. 150, N. 1-4. P. 299-303.

396. Beaumont J. H., Bourdillon A. J., Kabler M. N., Intrinsic luminescence excitation spectra in NaCl, NaBr, RbCl and RbBr between 6 eV and 60 eY using synchrotron radiation. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1976. V. 9, N. 15. P. 2961-2970.

397. Bianconi A., Jackson D., Monahan K., Intrinsic luminescence excitation spectrum and extended x-ray absorption fine structure above the К edge in CaF2. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1978. V. 17, N. 4. P. 2021-2024.

398. Mizouchi H., Dynamics of electronic relaxation in characteristic x-ray radiation processes in wide-gap insulators: Separation of luminescence from Raman scattering. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1998. V. 58, N. 23. P. 15557-15564.

399. Kirm M., Lushchik A., Lushchik C., Makhov V., Negodin E., Vielhauer S., Zimmerer G., VUV luminescence of BaF2, BaF2:Nd and BaY2Fg crystals under inner-shell excitation. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 2002. V. 486, N. 1-2. P. 422-425.

400. Kirm M., Vielhauer S., Zimmerer G., Lushchik A., Lushchik C., Cation and anion electronic excitations in MgO and BaF2 under excitation by photons up to 75 eV. // Surface Review and Letters 2002. V. 9, N. 2. P. 1363-1368.

401. Vielhauer S., Kirm M., Kisand V., Negodin E., Sombrowski E., Steeg В., Zimmerer G., Excitonic side bands of inner-shell excitations in rare gas solids. // Surface Review and Letters 2002. V. 9, N. 2. P. 1333-1338.

402. Огородников И. Н., Пустоваров В. А., Кирм М., Собственная ультрафиолетовая люминесценция кристаллов трибората лития LiB30s при селективном возбуждении в области остовных переходов. // Физика твердого тела 2004. Т. 46, N. 5. С. 820-825.

403. Callcott Т. A., Arakawa Е. Т., Ederer D. L., Emission and absorption x-ray edges of Li. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1977. V. 16, N. 12. P. 5185-5192.

404. Блохин M. А., Орлова E. Г., Щвейцер И. Г., Спектры выхода фотоэффекта соединений бериллия. // Журнал структурной химии 1977. V. 18, N. 4. Р. 667.

405. Bassani F., Core excitons in solids. // Appl. Opt. 1980. V. 19, N. 23. P. 4093-4100.

406. Klaassen D. В. M., Optical detection of x-ray-absorption spectra: Sodium salicylate as an example. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1988. V. 38, N. 14. P. 9974-9979.

407. Yanagihara M., Kondo Y., Hanyu Т., Yamaguchi S., Intrinsic luminescence excitationspectra near the К and CI Is edges in KC1 and KBr. // Sol. State Commun. 1988. V. 68, N. 3. P. 345-348.

408. Майсте А. А., Саар А. М.-Э., Эланго M. А., Излучательный распад экситона в области К края Li+ в LiF. // Письма в ЖЭТФ 1973. Т. 18, N. 3. С. 167-169.

409. Майсте А. А., Саар А. М. Э., Эланго М. А., Экситонный и зонный эффект в К спектрах Li в ионных соединениях. // Физика твердого тела 1974. Т. 16, N. 6. С. 17201724.

410. Arakawa Е. Т., Williams М. W., Radiative decay of core excitons in alkali halides. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 36, N. 6. P. 333-336.

411. Miyano К. E., Ederer D. L., Callcott T. A., Dong Q.-Y., Jia J. J., Zhou L., Mueller D. R., Photon-excited soft-x-ray emission from LiBr and LiCl: Phonon relaxation for Li К excitations. II Phys. Rev. B: Cond. Matter 1994. V. 49, N. 9. P. 5929-5941.

412. Carson R. D., Schnatterly S. E., X-ray emission from core excitons. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59, N. 3. P. 319-322.

413. Зимкина Т. M., Фомичев В. А., Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Л.: Изд. Ленинградского университета, 1971. 132 с.

414. Фомичев В. А., Рентгеновские спектры и энергетические схемы ВеО и BN. // Физика твердого тела 1971. Т. 13, N. 3. С. 907-909.

415. Davies В. М., Bassani F., Brown F. С., Olson С. G., Core excitons at the boron К edge in hexagonal BN. //Phys. Rev. B: Cond. Matter 1981. V. 24, N. 6. P. 3537-3546.

416. Mansour A., Schnatterly S. E., Phonon ringing and anharmonicity effects in core spectra. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59, N. 5. P. 567-569.

417. Emura S., Moriga Т., Takizawa J., Nomura M., Bauchspiess K. R., Murata Т., Harada K., Maeda H., Optical-luminescence yield spectra produced by x-ray excitation. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1993. V. 47, N. 12. P. 6918-6930.

418. Mori Y., Kuroda I., Nakajima S., Taguchi A., Sasaki Т., Nakai S., Growth of a nonlinear optical crystal: Cesium lithium borate. //J. Cryst. Growth 1995. V. 156, N. 3. P. 307-309.

419. Mori Y., Nakajima S., Miyamoto A., Inagaki M., Sasaki Т., Yoshida H., Nakai S., Generation of ultraviolet light using a new nonlinear optical crystal CsLiBgOio. // Proc. SPIE 1995. V. 2633. P. 299-307.

420. Sasaki Т., Mori Y., Nonlinear optical crystal CsLiBaOjo for UV generation. // Proc. SPIE 1998. V. 3244. P. 88-95.

421. Mori Y., Sasaki Т., CsLiB6Oi0 crystal: growth and properties. // Proc. SPIE 1996. V. 2700. P. 20-27.

422. Радаев С. Ф., Генкина Е. А., Ломонов В. А., Максимов Б. А., Писаревский Ю. В., Челоков М. Н., Симонов В. И., Распределение деформационной электронной плотности в триборате лития LiB30s. // Кристаллография 1991. Т. 36, N. 6. С. 1419-1426.

423. Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., Васильченко Е. А., Савихин Ф. А., Люминесценция одногалоидных экситонов и внутризонная люминесценция в щелочно-галоидных кристаллах. // Физика твердого тела 1995. Т. 37, N. 2. С. 525-535.

424. Hayes W., Kane M. J., Salminen O., Kuznetsov A. I., An ODMR study of exciton trapping in Y203 and Sc203. //J. Phys.: Condens. Matter. 1984. V. 17, N. 14. P. L383-L387.

425. Li Jun, Li Bing, Gao Shiyang, Thermochemistry of hydrated potassium and sodium borates. // J. Chem. Thermodynamics 1998. V. 30. P. 425-430.

426. Thamizharasan K., Xavier Jesu Raja S., Xavier F. P., Sagayaraj P., Growth, thermal and microhardness studies of single crystals of potassium pentaborate (KB5). // J. Cryst. Growth 2000. V. 218, N. 2. P. 323-326.

427. Бубнова P. С., Полякова И. Г., Андерсон Ю. Е., Филатов С. К., Полиморфизм и тепловое расширение кристаллических модификаций МВ5О8 (М=К, Rb) в связи со стеклованием их расплавов. // Физ. и химия стекла 1999. V. 25, N. 2. Р. 242-255.

428. Cook, Jr. W. R., Hubby, Jr. L. M., Indices of refraction of potassium pentaborate. // J. Opt. Soc. Am. 1976. V. 66, N. 1. P. 72-73.

429. NH4H2PO4 crystals. //Sol. State Commun. 1972. V. 11, N. 9. P. 1257-1260.

430. Saito S., Wada K., Onaka R., Vacuum ultraviolet reflection spectra of KDP and ADP. // J. Phys. Soc. Jpn. 1974. V. 37, N. 3. P. 711-715.

431. Огородников И. Н., Пустоваров В. А., Кирм М., Кружалов А. В., Исаенко JI. И., Низкотемпературная время-разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов пентабората калия. // Опт. и Спектроск. 2002. Т. 92, N. 5. С. 766-774.

432. Огородников И. Н., Кирм М., Пустоваров В. А., Черемных В. С., Низкотемпературная времяразрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия автолокализованных экситонов в кристаллах КН2РО4. // Опт. и Спектроск. 2003. Т. 95, N. 3. С. 413-417.

433. Ogorodnikov I. N., Kirm М., Cheremnykh V. S., Pustovarov V. A., Self-trapped excitons in KH2PO4 crystals. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвуз. сб. научн. тр. / Ред. Шульгин Б. В. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2003. Т. 12. С. 92-94.

434. Огородников И. Н., Пустоваров В. А., Кирм М., Собственная люминесценция нелинейно-оптических кристаллов NH4H2PO4. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвуз. сб. научн. тр./ Ред. Шульгин Б. В. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2003. Т. 15. С. 145-157.

435. Ogorodnikov I. N., Kirm М., Pustovarov V. A., Cheremnykh V. S., A time resolved luminescence spectroscopy study of self-trapped excitons in KH2PO4 crystals. // Radiat. Measurements 2004. V. 38, N. 3. P. 331-334.

436. Огородников И. H., Пустоваров В. А., Кирм М., Черемных В. С., Низкотемпературная времяразрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов NH4H2PO4. // Опт. и Спектроск. 2004. Т. 97, N. 2. С. 259-265.

437. Блейкмор Д., Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. 608 с.

438. Watanabe М., Kitamurs Н., Nakai Y., VUY absorption spectra of ice. // Proc. 4 Int. Conf. VUVRad. Phys. Oxford: Pergamon Press, 1977. P. 70-72.

439. Resca L., Resta R., Energy bands in cubic ice. // Phys. Status Solidi (b) 1977. V. 81, N. 1. P.129-138.

440. Guttler P., Saile V., Koch E. E., Rydberg series in the absoption on spectra of H2O, D20. DESY SR-77-09, 1977. 12 p.

441. Quickenden Т. I., Trotman S. M., Sangster D. F., Pulse radiolytic studies of the ultraviolet and visible emissions from purified H20 ice. И J. Chem. Phys. 1982. V. 77, N. 8. P. 37903802.

442. Trotman S. M., Quickenden Т. I., Sangster D. F., Decay kinetics of the ultraviolet and visible luminescences emitted by electron-irradiated crystalline H2O ice. // J. Chem. Phys. 1986. V. 85, N. 5. P. 2555-2568.

443. Quickenden Т. I., Matich A. J., Bakker M. G., Freeman C. G., Sangster D. F., The effect of temperature on the luminescence from electron-irradiated H20 ice. // J. Chem. Phys. 1991. V. 95, N. 12. P. 8843-8852.

444. Steen H. В., Holteng J. A., Radioluminescence of H20 and D20 ice. // J. Chem. Phys. 1975. V. 63, N. 6. P. 2690-2697.

445. Scacco A., Graziani M., Grassano U. M., Luminescence of OH- impurities in crystals of rubidium halides. // J. Luminesc. 1999. V. 82, N. 1. P. 49-55.

446. Эланго M. А., Элементарные неупругие радиационные процессы. М.: Наука, 1988. 148 с.

447. Стасюк И. В., Стецив Р. Я., Электронные состояния и оптические эффекты в кристаллах с водородными связями типа KDP. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1991. Т. 55, N. 3. С. 522-525.

448. Zhang Q., Chen F., Kioussis N., Demos S. G., Radousky H. В., Ab initio study of the electronic and structural properties of the ferroelectric transition in KH2PC>4. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 2002. V. 65, N. 2. P. 024108(10).

449. Dieguez E., Cabrera J. M., Optical absorption and thermoluminescence of X-irradiated KDP. //J. Phys. D: Appl. Phys. 1981. V. 14, N. 1. P. 91-97.

450. Stevens К. Т., Garces N. Y., Halliburton L. E., Yan M., Zaitseva N. P., De Yoreo J. J., Catella G. C., Luken J. R., Identification of the intrinsic self-trapped hole center in KD2P04. //Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75, N. 11. P. 1503-1505.

451. Garces N. Y., Stevens К. Т., Halliburton L. E., Demos S. G., Radousky H. В., Zaitseva N. P., Identification of electron and hole traps in KH2PO4 crystals. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89, N. 1. P. 47-52.

452. Васильев A. H., Михайлин В. В., Овчинникова И. В., Влияние "горячего" разлета электронно-дырочных пар на квантовый выход кристаллофосфора с ловушками. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1985. Т. 49, N. 10. С. 2044-2048.

453. Miiller К. A., Electron spin and paramagnetic resonance in KH2P04 and its isomorps. // Ferroelectrics 1987. V. 72. P. 273-304.

454. Локшин Э. П., Выращивание и свойства кристаллов группы KDP. II. Зависимость оптических свойств и электропроводности кристаллов от условий выращивания. //Кристаллография 1996. Т. 41, N. 6. С. 1125-1134.

455. Setzler S. D., Stevens К. Т., Halliburton L. Е., Yan М., Zaitseva N. P., De Yoreo J. J., Hydrogen atoms in KH2P04 crystals. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1998. V. 57, N. 5. P.2643-2646.

456. Hughes W. E., Moulton W. G., Electron spin resonance of irradiated KH2P04 and KD2P04. //J. Chem. Phys. 1963. V. 39, N. 5. P. 1359-1360.

457. Tsuchida K., Abe P., Naito M., Electron spin resonance of gamma-irradiation KDP. // J. Phys. Soc. Jpn. 1973. V. 35, N. 3. P. 806.

458. DuVarney R. C., Kohin R. P., Domain switching in irradiated ferroelectric KH2P04 observed by electron spin resonance. // Phys. Rev. Lett. 1968. V. 24, N. 6. P. 259-262.

459. Рябов А. И., Стельмах H. С., Пирогова Г. H., Воронин Ю. В., Захаркин Б. И., Особенности радиационного окрашивания нелинейных кристаллов при пониженных температурах. // Физика твердого тела 1991. Т. 33, N. 9. С. 2660-2662.

460. Мс Millan J. A., Clemens J. М., Paramagnetic and optical studies of radiation damage centers in K(Hi^Dx)2P04. //J. Chem. Phys. 1978. V. 68, N. 8. P. 3627-3631.

461. Левченко A. H., Шульга В. M., Дорошенко А. О., Примесная природа оптических спектров поглощения и люминесценции облученных кристаллов КН2Р04. // Физика твердого тела 1990. Т. 32, N. 8. С. 2468-2470.

462. Sugiura C., Kp x-ray emission spectra of phosphorus oxo acids and anions. // J. Phys. Soc. Jpn. 1995. V. 64, N. 3. P. 848-857.

463. Sheleg A. U., Zub E. M., Stremoukhova L. A., Guretskii S. A., Low-temperature X-ray studies of crystal-lattice parameters and thermal expansion of КТЮРО4 crystals. // Crystallography Reports 2000. V. 45, N. 2. P. 215-218.

464. Schenk C., Weckermann В., Anomalies in neutron diffraction intensities of KH2PO4 near the phase transition point. // Acta Crystallogr. 1969. V. A25, N. 4. P. 514-516.

465. Nelmes R. J., Structural studies of KDP and KDP-type transition by neutron and X-ray diffraction: 1970-1985. // Ferroelectrics 1987. V. 71. P. 87-123.

466. Tun Z., Nelmes R. J., Kuhs W. F., Stansfield R. F. D., A high-resolution neutron-diffraction study of the effects of deuteration on the crystal structure of KH2PO4. // J. Phys.: Condens. Matter. 1988. V. 21, N. 2. P. 245-258.

467. Ikeda S., Noda Y., Sugimoto H., Yamada Y., Dynamical properties of protons in KH2PO4 studied by incoherent neutron scattering. // J. Phys. Soc. Jpn. 1994. V. 63, N. 3. P. 10011008.

468. Griscom D. L., ESR studies of radiation damage and structure in oxide glasses not containing transition group ions: a contemporary overview with illustrations from the alkali borate system. // J. Non-Crystal. Solids 1973/74. V. 13. P. 251-285.

469. Friebele E., Griscom D. L., Radiation effects in glass. // Treatise on materials science and technology. / Tomozawa M., Doremus R. H., eds. New York: Acad. Press, 1979. V. 17. P. 257-351. Glass II.

470. Griscom D. L., Defects in amorphous insulators. // J. Non-Crystal. Solids 1978. V. 31, N. 2. P. 241-266.

471. Griscom D. L., Electron spin resonance in glasses. // J. Non-Crystal. Solids 1980. V. 40. P. 211-272.

472. Мейельман M. Л., Самойлович M. И., Введение в спектроскопию ЭПР активированных кристаллов. М.: Атомиздат, 1977. 272 с.

473. Reinberg A. R., Electron spin resonance of boron in single-crystal BeO. // J. Chem. Phys. 1964. V. 41, N. 3.P. 850-855.

474. Herve A., Maffeo В., Resonance paramagnetuque electronique d'un nouveaue centre bore dans BeO irradie aux neutrons. // J. de Physique. 1970. V. 31, N. 7. P. 673-675.

475. Андреев Б. В., О радиационной устойчивости трибората лития ЫВ3О5. // Письма в ЖТФ 1992. Т. 18, N. 16. С. 68-71.

476. Scripsick М. P., FangX. Н., Edwards G. J., Halliburton L. E., Tyminski J. K., Point defects in lithium triborate UB3O5 crystals. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73, N. 3. P. 1114-1118.

477. Griscom D. L., ESR studies of an intrinsic trapped-electron center in X-irradiated alkali borate glasses.//J. Chem. Phys. 1971. V. 55, N. 3. P. 1113-1122.

478. Tang K., Galais J.-L., Hassib A., Electronic structure of the f-center in sodalite. // J.Chem. Solids 1979. V. 40. P. 803-808.

479. Вертц Д., Болтон Д., Теория и практические приложения метода ЭПР. М.: Мир, 1975. 548 с.

480. Лёше А., Ядерная индукция. М.: ИИЛ, 1963. 684 с.

481. Henderson В., Wertz J. Е., Defects in alkaline earth Oxides with applications to radiation damage and catalysis. London: Taylor and Francis, 1977. 159 p.

482. Кружалов А. В., Лобач В. А., Огородников И. Н., Рубин И. Р., Оптические свойства локализованных электронов и дырок в гексагональных оксидных диэлектриках. ВеО с примесями Li, В, Al, Zn. // Журнал прикладной спектроскопии 1989. Т. 51, N. 6. С.997-1001.

483. Hedberg A., Ehrenberg A., Resolution enchancement of ESR spectra from irradiated single crystals of glycine. // J. Chem. Phys. 1968. V. 48, N. 11. P. 4822-4828.

484. Носач В. В., Решение задач аппроксимации с помощью персональных компьютеров. М.: МИКАП, 1994. 382 с.

485. Lee S., Bray P. J., Electron spin resonance studies of irradiated glasses containing boron. // J. Chem. Phys. 1963. V. 39, N. 11. P. 2863-2873.

486. Марфунин А. С., Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М.: Недра, 1975. 327 с.

487. Slichter С. P., Principles of Magnetic Resonance. New York: Harper and Row Publishers, Inc., 1963.

488. Bautin К. V., Kudyakov S. V., Ogorodnikov I. N., Kruzhalov A. V., Yakovlev V. Y., Exciton dynamics and energy transfer in beryllium oxide crystals with defects. // J. Luminesc. 1998. V. 76-77. P. 467-169.

489. Griscom D. L., Defects in non-crystalline oxides. // Defects and their structure in nonmetallic solids. / Henderson В., Hughes A., eds. New York; London: Plenum Press, 1976. P. 323353.

490. Ильмас Э. P., Кузнецов А. И., Мерилоо И. А., О поглощении лейкосапфира в УФ и вакуумной УФ областях спектра. // Журнал прикладной спектроскопии 1976. Т. 24, N. 4. С. 643-648.

491. Hughes А. Е., Henderson В., Color centers in simple oxides. // Point defects in solids. / Crawford J., Slifkin L., eds. New York, London: Plenum Press, 1972. P. 381-190.

492. Bartram R. H., Swenberg С. E., Fournier J. Т., Theory of trapped-hole centers in aluminum oxide. //Phys. Rev. A 1965. V. 139, N. 3. P. 941-952.

493. Gorbunov S. V., Ivanov V. J., Antsigin I. N., Kruzhalov A. V., Shulgin В. V., Creation and optical properties of stable and metastable hole trapped centers in beryllium oxide. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1991. V. 119-121. P. 893-900.

494. Schirmer O. F., Intra-versus inter-small polaron transitions in a deep oxide acceptor. // J. Phys.: Condens. Matter. 1978. V. 11, N. 2. P. L65-L68.

495. Schirmer O. F., Koidl P., Reik H. G., Bound small polaron optical absorption in V- type centers in MgO. // Phys. Status Solidi (b) 1974. V. 62. P. 385-391.

496. Schirmer O. F., Small polaron aspects of defects in oxide materials. // J. Physique Colloq. C-6 1980. V. 41, N. 7. P. 479-484.

497. Ogorodnikov I. N., Kuznetsov A. Y., Kruzhalov A. V., Maslov V. A., Point defects and short-wave luminescence of LiB30s single crystals. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1995. V. 136, N. 1-4. P. 233-237.

498. Огородников И. H., Иванов В. Ю., Кузнецов А. Ю., Кружалов А. В., Маслов В. А., Радиационные эффекты в нелинейных кристаллах LiB30s при облучении электронным пучком. // Письма в ЖТФ 1993. Т. 19, N. 11. С. 1-5.

499. Белых Т. А., Огородников И. Н., Поротников А. В., Баутин К. В., Нешов Ф. Г., Кружалов А. В., Изменение свойств монокристаллов ВеО и LiB305 при облучении ионами гелия. // Физ. ХОМ 1997. Т. 6. С. 27-32.

500. Yakushev М. V., Varaksin A. N., Ogorodnikov I. N., Kruzhalov А. V., A Rutherford backscattering spectrometry study of Zn implanted BeO single crystals. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1999. V. 150, N. 1-4. P. 157-160.

501. Belykh Т. A., Gorodishchensky A. L., Kazak L. A., Semyannikov V. Е., Urmanov A. R., Defect production and annealing due to high-energy ion implantation. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 1990. V. 51. P. 242-246.

502. Кружалов А. В., Огородников И. H., Кудяков С. В., Излучательная релаксация низкоэнергетических электронных возбуждений и точечные дефекты в оксиде бериллия. // Известия ВУЗов. Физика 1996. Т. 39, N. 11. С. 76-93.

503. Огородников И. Н., Кружалов А. В., Радиационно-стимулированные процессы и электронные возбуждения в нелинейных оптических материалах. // Известия ВУЗов. Физика 2000. Т. 43, N. 3. С. 66-84.

504. Огородников И. H., Кудяков С. В., Кузнецов А. Ю., Иванов В. Ю., Кружалов А. В., Маслов В. А., Ольховая JI. А., Неизотермическая релаксация парамагнитных центров в кристаллах LiB305. // Письма в ЖТФ 1993. Т. 19, N. 13. С. 77-80.

505. Chen R., Glow curves with general order kinetics. // J. Electrochem. Soc. 1969. V. 116, N. 9. P. 1254-1257.

506. Огородников И. H., Кирпа В. И., Кружалов А. В., Поротников А. В., Термостимули-рованная эмиссия электронов и фотонов в нелинейных кристаллах L1B3O5. // Журнал технической физики 1997. Т. 67, N. 7. С. 121-125.

507. Дрейпер Н., Смит Г., Прикладной регрессионный анализ. М.: Финансы и статистика, 1987. 276 с.

508. Огородников И. Н., Кузнецов А. Ю., Поротников А. В., Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах LiBaOs. // Письма в ЖТФ 1994. Т. 20, N. 13. С. 66-71.

509. Огородников И. Н., Иванов В. Ю., Маслаков А. А., Кузнецов А. Ю., Маслов В. А., Радиационные центры окраски в нелинейных кристаллах LiB30s. // Письма в ЖТФ 1993. Т. 19, N. 16. С. 42-46.

510. Ogorodnikov I. N., Kuznetsov A. Y., Kruzhalov А. V., Maslov V. A., UV-luminescence and thermostimulated processes in nonlinear crystals LiB305. // Radiat. Measurements 1995. V. 24, N. 4. P. 423-426.

511. Фельдбах Э. X., Лущик Ч. Б., Куусман И. Л., Сосуществование связанных с дефектами экситонов большого и малого радиуса в твердых телах. // Письма в ЖЭТФ 1984.1. Т. 39, N. 2. С. 54-56.

512. Williams R. Т., Williams J. W., Turner Т. J., Lee К. H., Kinetics of radiative recombination in magnesium oxide. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 1979. V. 20, N. 4. P. 1687-1699.

513. Кярнер Т. H., Малышева А. Ф., Маарос А. А., Мюрк В. В., Термостимулированная люминесценция монокристаллов MgO в области температур 4.2-600 К. // Физика твердого тела 1980. Т. 22, N. 4. С. 1178-1183.

514. Исмаилов К. М., Мюрк В. В., Спектры возбуждения ТСЛ и ветвление релаксации электронных возбуждений в кристаллах Y3AI5O12. И Физика твердого тела 1992. Т. 34, N. 1.С. 311-313.

515. Огородников И. Н., Кирпа В. И., Кружалов А. В., Особенности релаксационных процессов в дозиметрической области ТЛД ВеО. // Журнал технической физики 1991. Т. 61, N. 7. С. 67-75.

516. Огородников И. Н., Кирпа В. И., Кружалов А. В., Спонтанная эмиссия ВеО и флукту-ационная перестройка структуры. 1. Монокристаллы. // Журнал технической физики 1993. Т. 63, N. 5. С. 70-80.

517. Огородников И. Н., Кружалов А. В., Маслов В. А., Особенности термостимулиро-ванной люминесценции ВеО в области трансформации автолокализованных экситонов. // Журнал технической физики 1994. Т. 64, N. 3. С. 100-108.

518. Огородников И. Н., Кружалов А. В., Термостимулированная люминесценция ВеО и флуктуационная перестройка структуры. // Журнал технической физики 1995. Т. 65, N. 6. С. 64-75.

519. Огородников И. Н., Кирпа В. И., Кружалов А. В., Спонтанная эмиссия ВеО и флуктуационная перестройка структуры. 2. Керамика. // Журнал технической физики 1995. Т. 65, N. 12. С. 85-92.

520. Ogorodnikov I. N., Kruzhalov А. V., Kuznetsov A. Y., Thermoluminescence, point defects and recombination processes in BeO and LiBjOs single crystals. // Radiat. Protect. Dosimetry 1996. V. 65, N. 1-4. P. 109-112.

521. Tale I., Trap spectroscopy by the fractional glow technique. // Phys. Status Solidi (a) 1981. V. 66. P. 65-75.

522. Закис Ю. P., Канторович Л. H., Котомин Е. А., Кузовков В. Н., Тале И. А., Шлюгер А. Л., Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Физика твердого состояния, Рига: Зинатне, 1991. 382 с.

523. Тале И. А., Термоактивационная спектроскопия люминесцирующих твердых тел. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1981. Т. 45, N. 2. С. 245-252.

524. Алукер Э. Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А., Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Рига: Зи-натне, 1987. 183 с.

525. Aliev А. Ё., Kholmanov I. N., Khabibullaev Р. К., Study of the thermoelectric power in amorphous and single crystalline lithium tetraborate-Li20+2B203. // Sol. State Ionics 1999. V. 118, N. 1-2. P. 111-116.

526. Алиев А. Э., Холманов И. H., Хабибуллаев П. К., Термоэдс в суперионном проводнике Li2B407. //Доклады Академии Наук 1999. Т. 365, N. 2. С. 178-180.

527. Пармон В. Н., Хайрутдинов Р. Ф., Замараев К. И., Формальная кинетика реакций переноса электрона в твердых телах. // Физика твердого тела 1974. Т. 16, N. 9. С. 25722577.

528. Пикаев А. К., Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты. М.: Наука, 1987. 448 с.

529. Hopfield J. J., Electron transfer between biological molecules by thermally activated tunneling. // Proc. Nat. Acad. Sci., USA 1974. V. 71. P. 3640-3644.

530. Murk V. V., Kuznetsov A. I., Namozov В. R., Kinetics of intrinsic luminescence and energy transfer in third group metal oxides. // Phys. Status Solidi (a) 1981. V. 63, N. 1. P. K131-K135.

531. Огородников И. Н., Яковлев В. Ю., Кружалов А. В., Исаенко Л. И., Метастабилыгое оптическое поглощение и люминесценция кристаллов тетрабората лития U2B4O7. // Физика твердого тела 2002. Т. 44, N. 6. С. 1039-1047.

532. Огородников И. Н., Яковлев В. Ю., Исаенко Л. И., Метастабильное оптическое поглощение и люминесценция кристаллов трибората лития ЫВ3О5. // Физика твердого тела 2003. Т. 45, N. 5. С. 803-811.

533. Ogorodnikov I. N., Yakovlev V. Y., Isaenko L. I., Radiation induced processes and defects in alkali and alkaline-earth borate crystals. // Radiat. Measurements 2004.

534. Schmidt P. C., Sticht J., Eyert V., Mishra К. C., Host excitation and luminescence in large band oxides. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1999. V. 560. P. 323-334.

535. Schirmer O. F., Blazey K. W., Berlinger W., Diehl R., ESR and optical absorption of bound-small polarons in YA103. //Phys. Rev. B: Cond. Matter 1975. V. 11, N. 11. P. 42014211.

536. Бурак Я. В., Довгий Я. О., Китык И. В., Продольно-поперечное расщепление фо-нонных мод в кристаллах IJ2B4O7. // Журнал прикладной спектроскопии 1989. Т. 52, N. 1.С. 126-129.

537. Моисеенко В. Н., Вдовин А. В., Бурак Я. В., Эффективность комбинационного рассеяния света в кристаллах 1Л2В4О7. // Опт. и Спектроск. 1996. Т. 81, N. 4. С. 620-622.

538. Kovacs L., Polgar К., Peter A., Capelletti R., FT-IR spectroscopy of OH- ions in borate single crystals. // Mikrochimica Acta 1997. V. SI4. P. 523-524.

539. Kovacs L., Beregi E., Polgar K., Peter A., FT IR spectroscopy of borate crystals. // Proc. SPIE 1999. V. 3724. P. 256-259.

540. Zhigadlo N. D., Zhang M., Salje E. К. H., An infrared spectroscopic study of Li2B407. // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V. 13. P. 6551-6561.

541. Adamiv V. Т., Burak Y. V., Garapyn I. V., Teslyuk I. M., Electrical conductivity of p-BaB204 single crystals. // Functonal materials 2000. V. 7, N. 2. P. 344-346.

542. Долженкова E. Ф., Дубовик M. Ф., Толмачев А. В., Баумер В. H., Гринь JI. А., Тарасов В. А., Радиационно-стимулированные точечные дефекты в монокристаллах Li2B407. // Письма в ЖТФ 1999. Т. 25, N. 17. С. 78-83.

543. Рогулис У. Т., Витол И. К., Влияние температуры на туннельную люминесценцию щелочно-галоидных кристаллов. Н Электронные процессы и дефекты в ионных кристаллах. Рига: Латв. ГУ им. П. Стучки, 1985, Межвуз. сб. научн. тр. С. 23-33.

544. Алиев А. Э., Валетов Р. Р., Акустоионный механизм поглощения звука в IJ2B4O7. // Кристаллография 1991. Т. 36, N. 6. С. 1507-1515.

545. Schirmer A., Heitjans P., Bader В., Freilander P., Stockmann H.-J., Ackermann Н., Р-NMR investigation of dynamic and structural-properties of lithium borate glass. // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. V. 3, N. 24. P. 4323^332.

546. Iwai S., Tokizaki Т., Nakamura A., Tanimura K., Itoh N., Shluger A., One-center small polarons as short-lived precursors in self-trapping process of holes and electron-hole pairs in alkali iodides. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76, N. 10. P. 1691-1694.

547. Васильченко E. А., Кудрявцева И. А., Лущик А. Ч., Лущик Ч. Б., Маарос А. А., Дырочно-электронный механизм создания F Н пар в кристаллах RbCl с примесными электронными ловушками. // Физика твердого тела 1998. Т. 40, N. 7. С. 1238-1245.

548. Martini М., Furetta С., Sanipoli С., Scacco A., Somaiah К., Spectrally resolved thermoluminescence of Си and Ей doped Li2B407. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1995. V. 135, N. 1-4. P. 133-136.

549. Martini M., Meinardi F., Kovacs L., Polgar K., Spectrally resolved thermoluminescence of Li2B407:Cu single crystals. // Radiat. Protect. Dosimetry 1996. V. 65, N. 1-4, Ptl. P.343-346.

550. Фок M. В., Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964.283 с.

551. Антонов-Романовский В. В., Кинетика люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966. 324 с.

552. Jain Н., Ion movement relaxation in inorganic glasses salient features. // J. Non-Crystal. Solids 1991. V. 131, N. Pt2. P. 961-968.

553. Зюбин А. С., Кондакова О. А., Дембовский С. А., Квантово-химическое исследование подвижности ионов щелочных металлов в щелочноборатных стеклах. // Электрохимия 1999. Т. 35, N. 9. С. 1105-1118.

554. Varsamis С.-Р. Е., Vegiri A., Kamitsos Е. I., Molecular dynamics investigation of lithium borate glasses: Local structure and ion dynamics. // Phys. Rev. B: Cond. Matter 2002. V. 65, N. 10. P. 104203-1-104203-14.

555. Smith W. L., KDP and ADP transmission in the vacuum ultraviolet. // Appl. Opt. 1977. V. 16,N.7.P. 1798.

556. Eimerl D., Electro-optic, linear and nonlinear optical properties of KDP and its isomorphs. // Ferroelectrics 1987. V. 72. P. 95-139.

557. Demos S. G., Yan M., Staggs M., De Yoreo J. J., Radousky H. В., Raman scattering investigation of KH2PO4 subsequent to high fluence laser irradiation. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72, N. 19. P. 2367-2369.

558. Wells J. W., Budzinski E., Box H. C., ESR and ENDOR studies of irradiated potassium dihydrogen phosphate. // J. Chem. Phys. 1986. V. 85, N. 11. P. 6340-6346.

559. Пирогова Г. H., Воронин Ю. В., Крицкая В. Е., Рябов А. И., Малов Н. А., Влияние радиации на оптические свойства некоторых сегнетоэлектриков. // Неорганические материалы 1986. Т. 22, N. 1. С. 115-119.

560. Kohin R. P., Du Varney R. С., Domain switching in irradiated ferroelectrics KH2PO4 observed by ESR. // Phys. Rev. Lett. 1968. V. 20, N. 6. P. 259-262.

561. Dalai N. S., Hebden J. A., McDowell C. A., EPR studies of X-ray irradiated KH2As04 and KH2P04-type ferroelectrics and antiferroelectrics. // J. Chem. Phys. 1975. V. 62, N. 11. p. 4404-4410.

562. Пешиков E. В., Структурная чувствительность сегнетоэлектрического фазового перехода и диэлектрических свойств кристаллов KDP, облученных быстрыми нейтронами. // Кристаллография 1971. Т. 16, N. 5. С. 947-951.

563. Левченко А. Н., Шульга В. М., Просветление кристаллов KDP при больших дозах гамма-облучения. // Журнал прикладной спектроскопии 1990. Т. 52, N. 5. С. 857-859.

564. ИонаФ., Ширане Д., Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. 556 с.

565. Гороновский И. Т., Назаренко Ю. П., Некряч Е. Ф., Краткий справочник по химии. Под общ. ред. чл.-корр. АН УССР О. Д. Куриленко, Киев: Наукова думка, 4-е изд. испр. и доп. ed., 1974. 992 с.

566. Chowdari В. V. R., Ravi Sekhar Y., Radiation damage of CxO\~ doped KH2PO4 single crystals. // J. Chem. Phys. 1981. V. 75, N. 6. P. 2513-2520.

567. Kobayashi Т., Electron paramagnetic resonance study of potassium dihydrogen phosphatedoped with Cr3* ions. // J. Phys. Soc. Jpn. 1973. V. 35, N. 2. P. 558-572.

568. Булка Г. P., Белоногова E. К., Ермаков Г. А., Низамутдинов Н. М., Павлов Н. И., Точечные дефекты, структура и свойства кристаллов КТР. II Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника 1990. Т. 12 (1587). С. 3-39.

569. Kuanyshev V. Т., Belykh Т. A., Ogorodnikov I. N., Garmash V. М., Shulgin В. V., Investigation of the degree of deuterium substitution for hydrogen in КН2(1л)02лР04 crystals by elastic recoil technique. // Surface Investigation 2000. V. 15. P. 773-778.

570. Хабибулаев П. К., Скородумов Б. Г., Ядерно-физические методы определения водорода в материалах. Ташкент: ФАН, 1985. 96 с.

571. Henn F. E. G., Giuntini J. C., Zanchetta J. V., Frequency-dependent protonic conduction and high resolution H+ NMR of KDP around 298 K. // J. Appl. Phys.A 1990. V. 51. P. 455-458.

572. Biersack J. P., Haggmark L. G., A Monte Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 1980. V. 174, N. 1-2. P. 257-269.

573. Lindhard J., Scharff M., Energy dissipation by ions in the kev region. // Phys. Rev. 1961. V. 124, N. l.P. 128-130.

574. Вавилов В. С., Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы. // УФН 1997. Т. 167, N. 4. С. 407-412.

575. Корбетт Д., Бургуэн Ж., Дефектообразование в полупроводниках. // Точечные дефекты в твердых телах. М.: Мир, 1979. Т. 9 of Новости ФТТ. С. 9-162.

576. Kuanyshev V. Т., Belykh T. A., Ogorodnikov I. N., Shulgin В. V., Satybaldieva M. K., Kidibaev M. M., Fundamental processes of radiation energy storage in KDP (KH2PO4) and ADP (NH4H2PO4) crystals. // Radiat. Measurements 2001. V. 33, N. 5. P. 503-507.

577. Бредихин В. И., Киселева Н. В., Королихин В. В., Применение ультрафиолетовой спектроскопии для определения примесей в растворах и монокристаллах КН2Р04 и KD2P04. // Неорганические материалы 1986. Т. 22, N. 1. С. 112-114.

578. Volkel G., Windsch W., Urbanowitschins W. Hi. Magn. Reson. 1975. V. 18. P. 57.

579. Азаров В. В., Атрощенко JI. В., Колыбаева М. И., Островская Е. М., Щербина Е. В., Влияние ионизирующей радиации на монокристаллы KDP. // Физ.ХОМ 1984. Т. 5. С. 34-36.

580. Огородников И. Н., Яковлев В. Ю., Шульгин Б. В., Сатыбалдиева М. К., Ме-тастабильное оптическое поглощение дырочных поляронов в кристаллах ADP (NH4H2P04) и KDP (КН2Р04). // Физика твердого тела 2002. Т. 44, N. 5. С. 845852.

581. Cabrera J. М., Hydrogen defects in LiNb03 and applications. // Radiat. Eff. Defect. Solid. 1995. V. 136. P. 79-83.

582. Сатыбалдиева M. К., Кидибаев M. M., Огородников И. H., Шубина С. Н., Шульгин Б. В., Яковлев В. Ю., Метастабильное оптическое поглощение и люминесценция нелинейных кристаллов KDP (КН2Р04). // Проблемы спектроскопии и спектрометрии:

583. Межвуз. сб. научи, тр. / Ред. Шульгин Б. В. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2000. Т. 4. С. 27-34.

584. Пешиков E. В., Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент: Фан, 1986. 138 с.

585. Dolinsek J., Karayanni М., Papavassiliou G., Protonic conductivity in KH2PO4 family studied by NMR. // Sol. State Ionics 1999. V. 125, N. 1-4. P. 159-162.

586. Pollock J. M., Sharan M., Conduction and diffusion in crystals containing hydrogen bonds. II. Ammonium dihydrogen phosphate. // J. Chem. Phys. 1969. V. 51, N. 8. P. 3604-3607.

587. Freeda Т. H., Mahadevan C., Electrical conductivity measurements on gel grown KDP crystals added with some ammonium compounds. // Bull. Mater. Sci. 2000. V. 23, N. 4. P. 335-340.