Эмиссия электронов из униполярного сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1 . Электронная эмиссия сегнетоэлектрических материалов.

1.2. Униполярность и внутренние смещающие поля в сегнетоэлектриках.

ГЛАВА II. ВНУТРЕННЕЕ СМЕЩАЮЩЕЕ ПОЛЕ КРИСТАЛЛОВ ТГС.

2.1. Описание методики исследования и экспериментальной установки.

2.2. Изменение униполярности в процессе роста кристаллов

2.3. Внутренние смещающие поля и эмиссия электронов облученных кристаллов ТГС.

ГЛАВА III. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ КРИСТАЛЛОВ ТГС С

РАЗЛИЧНЫМИ ДЕФЕКТАМИ.

3.1. Эмиссия электронов с поверхности зеркальных сколов кристаллов ТГС.

3.2. Кинетика электронной эмиссии кристаллов ТГС.

ВЫВОДЫ.

Актуальность темы. Исследования поверхности и в частности эмиссии электронов с поверхности твердых тел продолжают оставаться актуальной задачей физики твердого тела и физической электроники. Это связано как с высокой чувствительностью данного метода, открывающего широкие практические возможности неразрушающего контроля поверхности различных материалов и возможностью использования данных материалов в качестве холодных катодов, так и с решением фундаментальных задач физики низкоразмерных систем.

Применение сегнетоэлектриков в качестве эмиттеров связано с использованием полярного состояния их поверхности, существенное влияние на которое оказывает доменная структура этих кристаллов. Характер и параметры, которой в свою очередь определяются условиями ее формирования - наличием дефектов и внутренних смещающих полей, возникающих в результате роста, введения различного рода примесей в кристалл при его выращивании или возникающих в результате радиационного облучения. В связи с этим исследования взаимосвязи эмиссии электронов со степенью униполярности сегнетоэлектрического материала представляются важными и перспективными.

В качестве объекта исследования в работе были выбраны кристаллы триглицинсульфата - ТГС (химическая формула (NH2 СН2 СООН)3Н2 S04) -номинально чистого и легированного различными примесями. Выбор этих кристаллов для детального исследования электронной эмиссии оправдан с одной стороны достаточно хорошей изученностью этого материала, облегчающей интерпретация получаемых результатов, а с другой - удобством его исследования из-за невысоких значений температуры фазового перехода (-50° С).

Целью работы является исследование эмиссии электронов из униполярного сегнетоэлектрического кристалла ТГС с различным типом дефектов, специально вводимых в кристалл при его выращивании или возникающих в результате радиационного облучения.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи данной работы:

- изучение ростовых закономерностей формирования внутреннего поля смещения в кристаллах ТГС;

- экспериментальное исследование влияния рентгеновского облучения на электронную эмиссию кристаллов ТГС;

- исследование эмиссии электронов с зеркальных сколов униполярных кристаллов ТГС;

- изучение релаксационных процессов термо- и электростимулированной электронной эмиссии.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Величина и знак внутреннего смещающего поля, возникающего в процессе роста, определяются полями, образующимися на фронте кристаллизации (на границе раздела кристалл-раствор) и выделяющими преимущественное направление в растущем кристалле.

2. Увеличение энергии и дозы рентгеновского облучения приводит к уменьшению значений эмиссионного тока вплоть до полного его исчезновения.

3. Характер кривых эмиссионного тока для всех кристаллов ТГС существенно зависит от степени естественной униполярности, строения доменной структуры и типа дефектов, вводимых в кристалл.

4. Закономерности кинетики электронной эмиссии могут быть объяснены в рамках механизма эмиссии электронов с поверхностных состояний.

Научная новизна работы. В настоящей работе впервые

- установлены ростовые закономерности формирования внутреннего поля смещения в кристаллах ТГС,

- показано, что рентгеновское излучение существенно влияет на эмиссионные характеристики кристаллов ТГС,

- исследована эмиссия электронов зеркальных сколов как чистых кристаллов ТГС, так и кристаллов с различными примесями,

- определены времена релаксации термо- и электростимулированной эмиссии.

Практическая ценность работы. Одним из практически важных результатов диссертационной работы является обнаружение влияния на формирование внутреннего поля смещения и на эмиссию электронов различных дефектов, специально вводимых в кристалл при выращивании или возникающих в результате радиационного облучения. Важное значение для практики имеют также вопросы кинетики - знание характерных времен затухания тока эмиссии позволяет говорить о перспективах использования сегнетоэлектрических материалов в качестве холодных эмиттеров.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 9 - ой Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Чехия, Прага, 1999г.), 10 -ой Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Испания, Мадрид, 2001г.), XV Всероссийской Конференции по физике сегнетоэлектриков ( Ростов-на-Дону, 1999г.), XIV Международном совещании по рентгенографии минералов (Санкт-Петербург, 1999г.), Втором Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 1999г.) и др.

Публикации и вклад автора. Основное содержание диссертации опубликовано в 6 статьях и 12 тезисов докладов различных конференций.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 122 страницах, содержит 2 таблицы и 47 рисунков. Библиографический раздел включает 110 наименований.

1. Экспериментально исследованы ростовые закономерности формирования внутреннего поля смещения в номинально чистых кристаллах триглицинсульфата, а также в кристаллах ТГС с примесью хрома и Ь, а -

аланина. Показано, что полученные результаты могут быть объяснены ориентированным встраиванием в кристалл дипольных конфигураций на границе кристалл-раствор.2. Установлена зависимость плотности эмиссионного тока как от положения (по ту или иную сторону от затравки), так и от расстояния образца от затравки. Наблюдаемые изменения в температурной зависимости эмиссионного тока связываются с формированием униполярности в процессе роста кристалла: с одной стороны происходит уменьшение влияния внутреннего поля облученной затравки, с другой стороны увеличивается концентрация захватываемой примеси по мере удаления от затравки в растущем кристалле.3. Показано, что облучение кристаллов ТГС рентгеновскими лучами приводит к резкому уменьшению эмиссии электронов. Указанные изменения могут быть связаны с закреплением доменных границ на радиационных дефектах и, следовательно, с блокированием перестройки доменной структуры, создающей поля активные в эмиссии.4. На основании исследования эмиссии с поверхностей зеркального скола кристаллов ТГС установлена зависимость значений и характера кривых эмиссионного тока не только от степени естественной униполярности, но и от характера доменной структуры и типа дефектов вводимых в кристалл.Чем выше униполярность образцов, тем больше величина эмиссионного тока. С уменьшением степени униполярности уменьшается поле активное в эмиссии, что приводит к уменьшению эмиссионного тока.5. Время релаксации эмиссионного тока, стимулированного переменным электрическим полем по порядку величины совпадает с временем релаксации термостимулированной эмиссии и составляет несколько минут. Релаксация эмиссии и её температурная зависимость могут быть объяснены опустошением поверхностных электронных состояний в поле нескомпенсированных зарядов спонтанной поляризации, а также в рамках механизма максвелловской релаксации.

1. Кортов B.C., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки - Киев: Наук, думка, 1986 - 176с.

2. Крылова И.В. Экзоэмиссия, сопровождающая адсорбцию, десорбцию и фазовые переходы на поверхности // Изв.РАН. сер.физ.-1998.-т. 62.-№10.~ с.2009 2020.

3. Шкилько A.M. Кроснин А.А. Применение экзоэлектронной эмиссии для исследования физико-химических свойств материалов. Харьков: ХЗПИ.- 1980г. 43с.

4. Беляев JI.M., Бендрикова Г.Г. Влияние спонтанной поляризации на выход фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии с кристаллов триглицинсульфата// ФТТ.- 1964- Т.6.- в.2 С. 645-647.

5. Sujak В., Kusz J. Field, exited electron emission from Rochelle salt crystals //Acta.Phys.Polon- 1968.-v33.-p.845-849.

6. Кортов B.C., Минц Р.И. Экзоэлектронная эмиссия при фазовых превращениях в сегнетоэлектриках // ФТТ.-1967.-т.9.-№6,-с. 1828-1831.

7. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Сорокина Е.А., Бойкова Е.И. Экзоэмиссия легированного ТГС //ФТТ- 1980-Т.22.-№11-с.3488-3490.

8. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Бойкова Е.И. Экзоэмиссия и электретный эффект в кристаллах ниобата лития//ЖТФ.-1982.-Т.52.-№9.-с.1890-1892.

9. Бойкова Е.И., Розенман Г.И.Фотоэмиссионные исследованиясобственного" эффекта поля в ниобате лития.//ФТТ.- 1978-Т.20.-№11.- с.3425-3427.

10. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Униполярная эмиссия Малтера в условиях пироэлектрического эффекта в LiNb03:Fe //ФТТ-1979.- Т.21.- в.б.-с. 1888-1891.

11. Кортов B.C., Шварц К.К., Зацепин А.Ф. и др. Термостимулированная электронная эмиссия ниобата лития //ФТТ 1979.- Т.21. - В.6. - С. 1897-1899.

12. Розенман Г.И., Печерский В.И. Экзоэмиссия при поперечном пьезоэффекте в ниобате лития //Письма в ЖТФ.-1980-Т.6-в.24.-с.1531-1534.

13. Розенман Г.И., Печерский В.И., Рез И.С. Экзоэлектронная эмиссия при одностной деформации LiNb03//Письма в ЖТФ-1981-Т. 23.-№12.-с.3714- 3716.

14. Кортов B.C., Зацепин А.Ф., Гаприндашвили А.И. и др. Спонтанная электронная эмиссия монокристаллов LiNb03 с различной доменной структурой//ЖТФ.-1980.-том 50-в. 9-с.1934-1938.

15. Стригущенко И.В. Температурная работа выхода ниобата лития//ЖТФ.—1981 .-том 51 .-в. 1 .-с. 199-200.

16. Розенман Г.И. Фотоиндуцированная экзоэмиссия ниобата лития//ФТТ-1988 -том 30.-в.8.-с.2323-2327.

17. Стригущенко И.В., Дмитриев С.Г., Силантьева О.В. Некоторые особенности термоэлектронной эмиссии ниобата лития//Письма вЖТФ.-1977-том З.-в. 8.-С.357-360.

18. Рисин В.Е., Сидоркин А.С., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Влияние радиационных дефектов на экзоэлектронную эмиссию с ниобата лити.//ФТТ.-1988.-том 30.- №8.-с.2544-2546.

19. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Ориентационная зависимость экзоэлектронной эмиссии при фазовых переходах в титанате бария //ФТТ.- 1978.- Т.20.- в.8.- с.2498-2500.

20. Розенман Г.И., Бойкова Е.И., Севастьянов М.А., Томашпольский Ю.Я. Анизотропная эмиссия экзоэлектронов в титанате бария в области фазовых переходов //Письма в ЖЭТФ.- 1978.-Т.27.- в.5.- С.271-274.

21. РудковскийВ.Н., Бородин В.З., Экнадиосянц Е.И., Рабкин JI.M.// Доменная структура и роль поверхностных состояний при термостимулированной экзоэлектронной эмиссии ВаТЮ3//Изв. АН СССР.сер.физ.-1990.-№6- с. 1184-1187.

22. Бойкова Е.И., Быстров B.C., Розенман Г.Л. Ролов Б.Н., Сагалович Г.Л. Фазонная модель механизма экзоэмиссии при фазовом переходе в титанате бария//ФТТ-1980.-том 22-в. 8.-с.2507-2508

23. Рез И.С., Розенман Г.И., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Жашков А.А. Эмиссия высокоэнергетических электронов при пироэффекте в танталате лития. //Письма в ЖТФ- 1979.- Т.5.-в22- с.1352-1354.

24. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Жашков А.А. Экзоэмисссия пироэлектрика ЬГГаОз //ФТТ.- 1980 Т.22.-в.11- с.3466- 3469.

25. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангер. Экзоэмисссия дефектной поверхности танталата лития //ЖТФ 1981.-Т.51.-в.2.- с.404-408.

26. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.Л., Шур В.Я. Эмисссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца //Письма в ЖЭТФ.- 1984.- Т.39.- в.9.- С.397

27. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Шур В.Я. Визуализация динамики доменной структуры германата свинца методом экзоэмиссии //ЖТФ.-1985.- Т.55- в.6 С.1239-1241.

28. Gundel Н., Riege Н., Handerek J., Zioutas К. Low-pressure hollow cathode switch triggered by a pulsed 54.- N21.-pp.2071-2073electron beam emitted from ferroelectrics //Appl. Phys. Lett-1989.- v.54.-N21 .-pp.2071-207.

29. Biedrzycki K. New Aspects of Electron Emission from Virgin TGS Single Crytals //Phys.Stat.Sol. A.- 1986.- v.93.- pp.503-508.

30. Biedrzycki K. and Kosturek B. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defmed Initial Domain Structure //Phys.Stat.Sol. A.- 1987.- v. 100.- pp.327330.

31. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defmed Initial Macroscopic Polarization// Phys.Stat.Sol. A.- 1990.- v. 117.-pp.313-318.

32. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals Excited by AC Electric Field //Phys.Stat.Sol. A.- 1988.- v.109.- pp.K79-K83.

33. Biedrzycki K., Le Bihan R. Electron emission from ferroelectrics// Ferroelectrics.- 1992.- V. 126.- P.253-261.

34. Biedrzycki K. Electron Emission of Ferroelectrics Induced by AC Electric Field in the Vicinity of the Phase Transition Temperature //Ferroelectrics.- 1997.- V.192.-pp. 269-277.

35. Biedrzycki K., Markowski L., Czapla Z. Pulsed TGS-based electron and ion emitter //Phys. Status solidi. A- 1998- t.165.-N1-стр.283-293.

36. Biedrzycki К., Markowski L. Vacuum emission of electrons from (Pb,Ca)Ti03 thin films //Solid State Commun.- 1998.- т.107 N8.-стр.391-393.

37. Айрапетов А.Ш., Красных А.К., Левшин И.В., Никитский А.Ю. Измерение эмиссионного тока при переключении направления поляризации сегнетоэлектрика //Письма в ЖТФ.-т. 16.-№5.-с.46-49.

38. Айрапетов А.Ш., Иванчик И.И., Лебедев А.Н., Левшин И.В., Тихомирова Н.А. Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика //Докл.АН СССР-1990.- т.311.-№3.-с.594-596.

39. Ivanchik I.I. On Electron Emission Under Destabilization of Ferroelectric with a Short High-Voltage Pulse //Ferroelectrics.-1990-v.l 11.-pp. 147-153.

40. Mesyats G.A. Physics of electron emission from ferroelectric cathodes //SPIE.- 1994.- Vol. 2259.- pp.419-422.

41. Okuyama M. and Kuratani Y. Electron emission from ferroelectric ceramic thin plate by pulsed electric field // J.Korean Ph.Society-1996.- v.29.-pp.S607- S611.

42. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Electron emission from PZT ceramic and supression of fatigue by PZT thin film coating // J.Korean Ph.Society.-1998.- v.32.-S1629-S1631.

43. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Improvement of Field-Induced Eletron Emission Using Ir or Ir02 Electrode and Ferroelectric Film Coating // Jpn. J. Appl. Phys- 1998.-Vol.37-Part l.-No. 9B.-pp.5421-5423.

44. Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Electron emission from lead-zirconate-titanate ferroelectric ceramic induced by pulse electricfield //Jpn.J.Appl Phys.- 1994.- part 1.- N9B- v.33.- pp.55065509.

45. Kuratani Y., Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Field-excited electron emission from (1 -y)Pb(Mg1/3Nb2/3)03-yPbTi03 ceramic // Jpn.J.Appl Phys.- 1996.-part 1.-N9B.- v.35.-pp.5185-5187.

46. Kuratani Y., Seiji O., Okuyama M., and Hamakawa Y. Enhancement of Field- Excited Electron Emission from Lead-Zirconate-Titanate Ceramic Using Ultrathin Metal Electrode//Jpn. J. Appl. Phys-1995.-Part l.-No. 9B.- Vol.34.-pp.5471- 5474.

47. Gundel H., Handerek J., Riege H., Wilson E. Electric field-excited electron emission from PLZT-x/65/35 ceramics // Ferroelectrics.-1990.-vll0(Pt. B).-pp. 183-192.

48. Gundel H. High-intense pulsed electron emission by fast polarization changes in ferroelectrics //Ferroelectrics- 1996-Vol. 184-pp. 89-98.

49. Weiming Z., Wayne H., George D. Waddill. Electron Energy Distributions Of Ferroelectric Emission From Plzt8/65/35 //Ferroelectrics.- 1998.-vl95.-pp.l03-109.

50. Flechtner Donald. Electron Emission And Beam Generation Using Ferroelectric Cathodes (Electron Beam Generation, Lead Lanthanum Zicronate Titanate, High Power Traveling Wave Tube Amplfier) // PHD, Cornell University, USA DAIB.-59/12.-pp.6364-6368.

51. Poprawski R. and Kolarz A. Thermally stimulated light emission from the linear pyroelectric and ferroelectric surfaces // J.Phys.Chem.Solids.-l 989.-v.50.-N7.- pp.693-701.

52. Riege H. Ferroelectric electron emission: Principles and technology //Appl. Surface Science.- 1997,-v.111.-pp.318-324.

53. RiegeH.; BoscoloL; HanderekJ.; HerlebU. Features and technology of ferroelectric electron emission. //J. Appl. Phys-1998.-V. 84.-Issue 3, August 01.-pp. 1602-1617.

54. Benedek G., Boscolo I., Handerek J., Riege H. Electron emission from ferroelectric antiferroelectic cathodes excided by short high-voltage pulses//J.Appl. Phys. 3.- 1997.-т.81.-pp. 1396-1403.

55. Wang, J.T., Dawson, W., Chinkhota, M., Chen, T.P. Theoretical model for electron emission from the coating-layer on the ferroelectric disk. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1997.-v387.-N3.-pp. 125-130.

56. Sampayan, S. E., Caporaso, G. J., Holmes, C. L., Lauer, E. J., Prosnitz, D., Trimble, D. O. Westenskow, G. A. Emission from ferroelectric cathodes // NASA Technical Reports Report Number: DE94-006732 .- 1993.-pp.50-55.

57. Sampayan S., Caporaso, G., Trimble D., Westenskow G. Emission, plasma formation, and brightness of a PZT ferroelectric cathode. // NASA Technical Reports, Report Number: DE95-015411 .-1995.

58. Рабкин JI.M., Петин Г.П., Зарубин И.А., Иванов В.Н.Исследование некоторых характеристик электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрика типа PLZT. // Письма в ЖТФ1998.- том 24.- выпуск 23.-с. 19-22.

59. Rosenman G. and Rez I. Electron emission from feroelectric materials. //J.Appl.Phys.-1993.-v.73.-N4.-pp. 1904-1908.

60. Рабкин Л.М., Иванов B.H. Энергия электронов при экзоэлектронной эмиссии с сегнетоэлектрика. //Письма в ЖТФ,- 1998- том 24.- выпуск 14.- с.54-57.

61. Rosenman G.I., Letuchev V.V., Chepelev Yu.L., Malyshkina O.V., Shur V.Ya. and Kuminov Y.P. Emission of Electrons on Switching of the Gd2(Mo04)3 Ferroelectric-Ferroelastic in Electric Field // Appl. Phys. Lett.- 1990.-V. 56.- N.7.-pp. 689-691.

62. Rosenman G.; Shur D.; Skliar A. Ferroelectric electron emission flat panel display //J.Appl.Phys 1996 - Issue 9, May 1.-V.79 - pp. 7401-7403.

63. Shur D. And Rosenman G. A high-perveance ferroelectric cathode with a narrowed electron energy spread // J. Phys. D: Appl. Phys 7 June 1998.-No ll.-pp.l35-141.

64. Shur D. And Rosenman G. Two modes of plasma-assisted electron emission from ferroelectric ceramics //J. Phys. D: Appl. Phys1999.-32.-No 6.-L29-L33.

65. Kugel V. D.; Rosenman G.; Shur D.; Krasik YA.E. Copious electron emission from triglycine sulfate ferroelectric crystals //J.Appl.Phys-1995.-V.78.-pp. 2248-2252.

66. Shannon D. N. J.; Smith P. W.; Dobson P. J.; Shaw M. J. Dual mode electron emission from ferroelectric ceramics // Applied Physics Letters.- 1997,-Volume 70.-pp. 1625-1627.

67. Gundel H., Riege H., Handerek J. Time-dependent electron emissionfrom ferroelectrics by eternal pulsed electric fields //JAppl. Phys-1991.- v.69(2).- p.975-982.

68. Sidorkin A.S., Darinskii B.M., Lazarev A.P., Kostsov A.M. Exoelectron Emission From Ferroelectric Surfase In Alternating Electric Field// Ferroelectrics.- 1993.- V.143.-P.209-213.

69. Sidorkin A.S., Darinskii B.M Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching //Appl.Surface Science.- 1997.-Nlll-c.325-328.

70. A.S. Sidorkin, P.V. Loginov, O.D. Gurin, A.M. Savvinov,N.Yu. Ponomareva, S.D. Milovidova. Electron emission Stimulated by Switching of Ferroelectrics //Journal of the Korean Physical Society. 1998. - v.32. - pp. S793-S795.

71. А.С.Сидоркин, П.В.Логинов, А.М.Саввинов, А.Ю.Кудзин, Н.Ю.Короткова. Эмиссия электронов из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития // Физика твердого тела. 1996.- т.38.- в.2. - с.624-629.

72. Иванов В.Н., Рабкин Л.М. Переключаемая часть поляризации сегнетокерамики при импульсной эмиссии электронов//ЖТФ-2000-том 70.-в.12.-с.43-46.

73. Павлов А., Раевский И.П., Сахненко В.П. Эмиссия электронов при импульсной переполяризации сегнетокерамики//ЖТФ.-1999.-том 69.-В.7.-С.49-52.

74. Asano J., Imai Т., Okuyama М., Hamakawa Y. Field-Excited Electron Emission from Ferroelectric Ceramic in Vacuum//Jpn. J. Appl. Phys.-1992.-ol. 31.-pp.3098-3101.

75. Сидоркин A.C., Косцов A.M., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Кинетика экзоэлектронной эмиссии кристалла триглицинсульфата//ФТТ.- 1985.- Т.27.-№7.- С.2200-2203.

76. Колесников В.В., Козаков А.Т., Никольский А.В. Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процессах переключения поляризации и эмиссии электронов.//ФТТ-2000-том 42.-№ 1.-С.141- 146.

77. Томашпольский Ю.Я., Бойкова Е.И., Розенман Г.И., Севастьянов М.А. Экзоэлектронная эмиссия сегнетоэлектрических пленок// ФТТ- 1978.-Т.20.-№11-С.3491-3492.

78. Минакова Е.В., Тихомирова Н.А., Хрусталёв Ю.А. Особенности эмиссии электронов с ювенильной поверхнолсти скола полярного кристалла сегнетоэлектрика триглицинсульфата // Поверхность - 1986 - Т.7.- с.135-136.

79. Сидоркин А.С., Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в сегнетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата с дефектами//ФТТ 1991.- Т.ЗЗ.-№8.- С.2458-2459.

80. Косцов A.M., Сидоркин А.С., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Экзоэлектронная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике // ФТТ.- 1982.- Т.24.-№11.- С. 3436-3438 .

81. Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в кристаллах триглицинсульфата, связанная с изменением состояния доменной структуры: Дис.канд.физ.- мат.наук. Воронеж, 1990.

82. Розенман Г.И., Бодягин В.А., Чепелев Ю.Л., Исакова Л.Е. Электронный эмиттер с регулируемым энергетическим спектром на основе сегнетоэлектрика //Радиотехника и электроника.- 1987.- Т.32.- в.9.-с.1997-1999.

83. Сидоркин А.С. Внутренняя холодная эмиссия при переполяризации сегнетоэлектрика // ФТТ.-1982 Т.24.-№5.-С. 1542-1544.

84. Король Э.Н. Ионизация примесных состояний в полупроводниках электрическим полем //ФТТ.-1977.-Т.19-В.8.-С. 1266-1272.

85. Карпус В., Перель В.И. Термоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках в электрическом поле //Письма в ЖЭТФ-1985 -T.42.-b. 10.-С.403-405.

86. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества М., Атомиздат-1973г.- 472 с.

87. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М., "Мир", 1965.-556 с.

88. Сонин А.С., Струков Б.А. "Введение в сегнетоэлектричество", М."Высшая школа", 1970. -272 с.

89. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. JL, "Наука ", 1985. —396 с.

90. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах // М. Физматлит. -2000- 240 с.

91. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы.-М:Мир, 1981 -73 6 с.

92. Waplak В. S., Yurin V.A. , Stankoujki J. EPR study of the process of ferroelectric polarization reversal in chromium doped TGS // Acta phys.Pol.-1974. A46.-№2.-p. 175-183.

93. Пешиков E.B. Радиационны эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент, ФАН, 1986-139 с.

94. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Гинзбург А.В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата //ФТТ.-1988.-т.30.- №9.-с.2692-2697.

95. Fletcher S.R. Keve Е.Т., Shapski A.Structural etudies of triglycine sulfate triglycine sulfate (structura A)// Ferroelectrics 1976 14,№ 34, р.768 -775.

96. Юрин В. А., Желудев И.С. Стабилизация спонтанной поляризации и пироэлектрический эффект в у облученных кристаллах ТГС// Изв.АН СССР сер. физ.-1964.-Т.28.-№ 4.-с.726-730.

97. Бородин В.З., Гах С.Г.Влияние электродов на униполярность сегнетоэлектриков //Изв АНСССР.Сер.Физ.-1984-Т.48.-№6-с.1081-1085.

98. Галстян Г.Т.,Рез И.С., Рейзер М.Ю. О природе примесной униполярности кристаллов ТГС// ФТТ.- 1982.-Т.24.-В.7.-С 2186-2190.

99. Keve Е.Т.,Вуе K.L.,Wipps P.W. , Annis A.D. Structural inhibition of ferroelectric switching un triglycine sulfate. I Additives// )// Ferroelectrics.- 1971.-V.-3.-№ l/2.-pp.39-48.

100. Новик B.K., Гаврилова Н.Д. Галстян Г.Т. О механизме стабилизации лигандами (L, а аланин и L, а - аланин + Сг3+) полярного состояния ТГС// Кристаллография -1983 - т.28-В.6.- с.1165-1171.

101. Вавресюк И.В., Миловидова С.Д.,Евсеев И.И. Изменение свойств кристаллов триглицинсульфата при введении металлических ионов//Кристаллография.-1996.-том 41- №3-с.572-573.

102. Тихомирова Н.А. Гинзберг А.В. Донцова Л.И. Чумакова С.П. Шувалов Л.А.Дефекты и их роль в процессах переполяризации// ФТТ,- 1986.- т.28- В. 10.- с.3055-3058.

103. Чернов А:А., Мельникова A.M. Теория электрических явлений, сопровождающих кристаллизацию. I. Электрическое поле в кристаллизующемся водном растворе электролита//122Кристалл ография.-1971 -т. 16 в.З- с.477-487.

104. Черненко А.А. К теории прохождения постоянного тока через раствор бинарного электролита // Доклады АН СССР-1963-т.153.-№5.-с.1129-1131.

105. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов А.С., Собянин А.А. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов // ЖЭТФ.-1971.-т.76.- В.1.- с.345-368.

106. Jaskiewics A. Domain Formation in uniaxial ferroelectrics during second order phase transition // Ferroelectrics.-1978.-v.20.-p.257-258.

107. Миловидова С.Д., Евсеев И.И., Вавресюк И.В., Алешин С.А. Структура и свойства кристаллов ТГС, выращенных из облученных затравок //Кристаллография-1997-т. 42. -№6.-с.1137-1138.

108. Milovodova S.D., Gavrilova N.D., Kamisheva L.N., Novik V.K. Electret effect in triglycine sulfate // Ferroelectrics.-1978.-V.18-pp. 103-104.