Эволюция наноразмерных пленочных и островковых структур Me/InP(GaAs) и MexOу/InP(GaAs)(Me=V,Co) в процессе термооксидирования

Лапенко, Александр Александрович

Эволюция наноразмерных пленочных и островковых структур Me/InP(GaAs) и MexOу/InP(GaAs)(Me=V,Co) в процессе термооксидирования тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

Лапенко, Александр Александрович АВТОР

кандидата химических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Воронеж МЕСТО ЗАЩИТЫ

2010 ГОД ЗАЩИТЫ

02.00.01 КОД ВАК РФ

Диссертация по химии на тему «Эволюция наноразмерных пленочных и островковых структур Me/InP(GaAs) и MexOу/InP(GaAs)(Me=V,Co) в процессе термооксидирования»

Автореферат диссертации на тему "Эволюция наноразмерных пленочных и островковых структур Me/InP(GaAs) и MexOу/InP(GaAs)(Me=V,Co) в процессе термооксидирования"

004611993

Лапенко Александр Александрович

ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЁНОЧНЫХ И ОСТРОВКОВЫХ СТРУКТУР МеЛпР (СаАэ) и МехОу/1пР (СаАв) (Ме = V, Со) В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ

Специальность 02.00.01 — неорганическая химия

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

2 8 0КТ 2010

Воронеж — 2010

004611993

Работа выполнена в Воронежском государственном университете

Научный руководитель:

доктор химических наук, профессор Миттова Ирина Яковлевна

Официальные оппоненты: доктор химических наук, профессор

Голота Анатолий Фёдорович

доктор физико-математических наук, профессор Терехов Владимир Андреевич

Ведущая организация: Ивановский химико-технологический университет

Защита состоится «28» октября 2010 г. в 14°° час. на заседании диссертационного совета Д 212.038.08 по химическим наукам при Воронежском государственном университете по адресу: 394006, Воронеж, Университетская пл., 1, ауд. 439

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного университета

Автореферат разослан «27» сентября 2010 г.

Ученый секретарь диссертационного совета,

доктор химических наук, профессор

Г.В.

Семенова

Общая характеристика работы

Актуальность

Использование хемостимуляторов, предварительно нанесённых на поверхность полупроводников АШВУ, обеспечивает их ускоренное окисление, подавляет. испарение ■ летучих компонентов и в целом ряде случаев предотвращает накопление на границе раздела и в оксидном слое неокисленных элементов подложки. Теоретически, хемостимулятор может действовать по транзитному или каталитическому механизмам. Если в первом случае ускорение процесса по сравнению с собственным окислением, при прочих равных условиях определяется количеством хемостимулятора, то каталитический механизм позволит использовать минимальное количество хемостимулятора при высокой эффективности окисления, подавлении негативных процессов, таких как выделение компонентов хемостимулятора в элементарном состоянии и их диффузия в подложку и улучшении диэлектрических свойств слоёв.

Работа выполнена в рамках НИР номер госрегистрации 0120.0602176 «Исследование воздействия активных компонентов-хемостимуляторов на кинетику и механизм окисления, структуру и свойства бинарных полупроводников в процессе синтеза функциональных материалов», выполняемой по аналитической ведомственной программе «Развитие потенциала высшей школы» НИР № 0115.0435716 и поддержана грантами РФФИ № 06-03-96338-р_центр_а, № 03-03-96500-р2003цчр_а, № 09-03-97552-р_центр_аи№ 10-03-00949-а. '-- -

Цель работы

Установление механизма эволюции наноразмерных структур МеЯпР (ваАз) и МехОу/ГпР (ОаАв) (Ме = V, Со) на различных этапах их термооксидирования.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Исследование кинетики термического окисления структур У/1пР, У/ваАБ, Со/1пР, У205ЛпР, У205/0аАз и СохОуЛпР с нанесёнными наноразмерными слоями хемостимуляторов различной толщины, состава и свойств полученных слоёв.

2. Разработка методики формирования искусственных активных центров (металлы, оксиды) нанометрового размера на поверхности полупроводникового монокристалла для изучения начальных этапов хемостимулированного окисления фосфида индия.

3. Исследование особенностей роста зародышей новой фазы на собственных и искуственно созданных активных центрах в процессе термооксидирования фосфида индия.

4. Изучение влияния начального этапа термического окисления структур УЛпР, У205/1пР на последующие и анализ особенностей протекающих процессов.

5. Установление роли переходных металлов и их оксидов как катализаторов окисления 1пР и йаАз; идентификация взаимодействий в системах с твердофазными реагентами, катализатором и продуктами.

Научная новизна

— установлено влияние природы хемостимулятора на окислительную эволюцию структур У/1пР, У/ваАБ, У205/0аАБ, СоЛпР, У205/1пР и СохОу/1пР по транзитному или каталитическому механизмам;

— определён характер эволюции поверхности монокристаллов 1пР с нанесённым слоем сплошного и островковош катализатора при их термическом окислении;

— доказана каталитическая активность соединений ванадия как в виде сплошных наноразмерных слоев, так и в виде искусственных активных центров в процессах термического окисления арсенида галлия и фосфида индия;

— предложены схемы процессов термооксидирования структур на основе 1пР с нанесенными наноразмерными сплошными слоями ванадия, кобальта и их оксидов;

— выделены и обоснованы основные черты каталитического механизма в в процессах окисления исследованных структур и на этой основе сформулированы критерии выбора катализатора.

Практическая значимость

Полученные данные могут быть использованы для увеличения эффективности процессов окисления полупроводников типа АШВУ (снижение рабочей температуры, увеличение скорости роста оксидных слоев, улучшение диэлектрических характеристик) при создании функциональных слоев.

На основании проведённых по предложенной методике исследований электровзрывного синтеза наночастиц показана возможность создания упорядоченных наноразмерных структур на поверхности целевого материала.

Положения выносимые на защиту

1. Механизм процессов термического окисления наноразмерных структур У/ТпР, У/СаАв, УгС^ЛЗаАБ, У2С>5/1пР, СоЯпР и СохОуЯпР и его зависимость от свойств нанесённого на поверхность хемостимулятора и природы полупроводниковой подложки (лабильность перехода между степенями окисления, особенности кислотно-основных взаимодействий в плёнке, структурные изменения и стабильность переходного слоя на границе раздела);

2. Начальный этап хемостимулированного окисления структур УЛпР и УгО^пР с преобладающим влиянием наноостровков ванадия и его оксида над естественными активными центрами на начальном этапе окисления 1пР; Схемы процессов окислительной эволюции структур У205/1пР, У/1пР, СоЛпР и СохОуЛпР, отражающие каталитическую роль У205 и специфику каталитических стадий в системах с твёрдым катализатором, реагентами и продуктами, а также отличия в химических свойствах наносимого хемостимулятора.

Публикации

Апробация работы

Результаты работы были представлены на VIII и X Международных конференциях по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 2001, 2005); III Всероссийской конференции молодых ученых "Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии" (Саратов, 2001); научных чтениях к 70-летию со дня рождения члена-корреспондента АН СССР М.В. Мохосоева (Улан-Удэ, 2002), международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж, 2002), международных конференциях «NNN-topical meeting of the ceramic society» Санкт-Петербург, 2004 и 2006 гг.), II Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах (Фагран-2004)" (Воронеж, 2004), VI школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Москва, 2006), конференции «Физика и технология тонких плёнок и наносистем» (Воронеж, 2007), VIII международной конференции «Химия твёрдого тела и современные микро- и нанотехнологии». (Кисловодск 2008), конференции «Физика и технология тонких плёнок и наносистем (Фагран-2008)» (Воронеж, 2008).

Структура и объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, выводов, списка литературы, изложена на 214 страницах машинописного текста, включая 8 таблиц, 100 рисунков и библиографический список, содержащий 172 наименования литературных источников.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ 1

В первой главе приведён обзор классических и современных литературных источников, имеющих отношение к тематике данной работы. Особое внимание уделено основным принципам и механизму хемостимулированного окисления сложных полупроводников с нанесёнными хемостимуляторами, описанию нанообъектов и методам их получения, перспективным для создания искусственных активных центров (ИАЦ).

Во второй главе обоснован выбор объектов, используемых методов формирования, окисления и исследования структур хемостимулятор-полупроводник, а также описания исследуемых процессов.

Характеристики используемых материалов представлены в табл. 1:

Таблица 1. Используемые материалы

n-InP [1001 ФИЭ-1А, Сонз=10,бсм"3 V (проволока) d=0,5 мм, W(V)=0,99%

n-GaAs [100] САГОЧ, Сон,=10" см-* Pt (проволока) d=0,3 мм, W(Pt)=0,9%

V (мишень) W(V)=0,99% Со (мишень) W(Co)=0,99%

Структуры V/InP, V/GaAs, V205/GaAs, VA/InP, Co/InP и CoxOy/InP получали

магнетронным распылением соответствующих мишеней

(модернизированная установка УВН-2М) (табл. 2). В результате помимо чистых металлов на АгаВу были осаждены У205 и пСоОтСо203 (РФА, ИКС). Окисление структур кислородом со скоростью подачи 30 л/ч проводили в режиме 430 - 570°С с шагом в 20°С в течение 5-60 мин. Использовали проточный кварцевый реактор горизонтальной трубчатой печи МТП-2МР с точностью регулировки температуры ±2° (ОВЕН ТРМ-201). Толщину плёнок окисленных структур контролировали лазерной эллипсометрией (ЛЭФ-ЗМ, ЛЭФ-ЗМУ и ЛЭФ-754) и растровой электронной микроскопией (РЭМ) скола («ЛЮЬ» 18М-6380ЬУ) в качестве референтного метода. Этим же методом осуществляли контроль морфологии поверхности и поверхностной концентрации наноостровков.

Таблица 2. Параметры режимов формирования структур.

Толщина нанесённого Режим магнетронного

слоя нанесения

1,А и, В V, нм/мнн

У(25 и 50 нм)АЗаА5 0,8 400 10

У205(15 и 25 нм)/ОаАз 0,4 500 6

У(15и25нм)ЯпР 0,8 400 10

У205(15 и 25 нм)/1пР 0,4 500 6

Со(80 нм)/1пР 1 500 8

Сох0у(80 нм)/1пР 0,5 600 5

Величин}' эффективной энергии активации (ЭЭА) определяли из аррениусовской зависимости усредненной константы скорости процесса окисления вышеуказанных структур на основании степенного уравнения с1 = (к-т)п.

Искусственные активные центры на поверхности 1пР создавали методом электровзрыва проводника (ЭВП) на модернизированном ВУП 8Ытас1ги при давлении газа (аргон, кислород) 0,01 мм.рт.ст. (металл) или 760 мм.рт.ст. (оксид). Предложена и оптимизирована методика формирования ИАЦ с приемлемым распределением по размерам (10 - 30 нм). Состав всех сформированных структур и окисленных образцов определяли методами рентгенофазового анализа (РФА) при малых углах и в режиме усреднения по поверхности для увеличения нижнего порога обнаружения фаз (вращающийся образец, Тегто-Баепййс АЯЬ ХЧга, ДРОН-4-07 с рентгеновской трубкой БСВ-29 (Со„ с X = 0,179021 нм, 60 кВ) и ДРОН-3) и ИК спектроскопии (ИКС, Инфралюм ФТ-02,1Ж-10). Профили распределения элементов по толщине для окисленных образцов У205/1пР и У/1пР устанавливали методом электронной Оже-спектроскопии (ЭОС, ЭСО-3), совмещённым с вторичной ионной масс-спектрометрией (ВИМС). Морфологию поверхности островковых и сплошных сруктур контролировали методами РЭМ и конфокальной лазерной сканирующей микроскопии (КЛСМ).

В третьей главе представлены результаты исследования кинетики окисления и физико-химических методов анализа плёночных (У/1пР, УЛЗаАБ, СоЛпР, У205/1пР, У205/СаАз и СохОу/1пР) и островковых (У/1пР и У205/1пР) структур. В качестве примера приведены наиболее характерные кинетические зависимости в двойных логарифмических координатах (рис. 1).

Значения толщины нанесённого слоя, им (и степенного показателя пер.)_

205(0,23) /335(0,09)

190(0.1Й) / 635(0.1)5)

\ :(м.а чч

V 1и1-

(.н \» И-оГн-щ. пкиг.)

2,45 2,9 5 3,45 1п!, МИН

д) е) а.

Рис. 1. Кинетические кривые (в логарифмических координатах) окисления структур: а - У20^(]аАн 15 нм, б-У/ОаАя 25нм, в -СохО/1пР 80 нм, г -Со/ЫР 80 нм, д - У/ГпР 15 нм, е - У205/1пР 15 нм

В ряду структур У/1пР, У/СаАБ и Со/1пР увеличивается стабильность переходного слоя металл-полупроводник, что сказывается на ЭЭА процесса их окисления, которая изменяется от 40 кДж/моль (УЛпР), до 490 кДж/моль (СоЛпР) (табл. 3).

Таблица 3. Значения ЭЭА, кДж/моль и степенного показателя (пСр) для процессов окисления структур на основе А1"В1'.

1,45 1,55 2,45 2,95 3,45 Э,95

|гЛ, мин

2,4 2,9 3,4 1п I. VI1! II

а)

Б 70'С 55(ГС

У и УА ггов€гж:сг

Только в случае структур Со/1пР зафиксировано наличие фосфидов кобальта (РФА, рис.2а), образующихся при магнетронном синтезе. Нанесённые

эбусловлзвают наибольший прирост толщины оксидного слоя на

I лолупрозоднш::. не сравнению с собствен :-;Ы1<1 окислением. Низкая терхшчсс:т.л :таб::л:- -сгл. фосфидов ванадия не л ссг-одяет обнаружить пт: занетхые колячесгеа на внутренней границе раздела УЯпР (рис. 25), с :'Отг,:тетгснпо при окислении границе раздела не являете, компонентов подложки.

Рис. 2. Данные РФА для структур: а) Со(80нм)ЛпР, б) У(25нм)ЯпР, в) У205(25нм)/1пР, г) окисленный образец (500°С, 30 мин) У205(25нм)ДпР, д) У205(островки)ЛпР

нх структур лереходыли слон на икутренпа: значимым диффузионным барьером для

С увеличением зремени и температуры окисления 1пР в образцах со сплошным слое,»; нанесённого хемостимулятора увеличивается содержание фосфатов и полифосфатов (РФА, рис. 2в и 2г). В сформированных слоях отсутствуют неокис-ленные компоненты подложки и на протяжении всего термоокисления присутствуют соединения ванадия У5+ и У4+ (РФА, ИКС, рис. 2г, табл. 4). Дуплет на Оже-спектрах (рис. За, б) свидетельствует о нахождении индия в окисленном состоянии, что подтверждает данные РФА и ИКС.

V и У205 в процессе термического окисления частично переходят в ванадаты (IV и V) (ИКС, табл. 4). Кобальт присутствует в слоях в виде его оксида и соответствующих фосфатов; накопление последних выводит хемостимулятор из зоны реакции и затрудняет дальнейшее окисление.

Для исследования начального этапа процесса методом ЭВП на монокристаллическом 1пР были получены островковые структуры ванадия и его оксида с диаметром островков от 10 до 30 нм (рис. 4). Максимальное значение поверхностной концентрации островков для наноостровков У205 составило 130 мкм"1, металлического ванадия - 40 мкм"1. Методом РФА (рис. 2д) при малых углах и в режиме усреднения по поверхности установлено, что на поверхности, помимо веществ, нанесённых электровзрывом (V или У205), присутствуют продукты окисления подложки: 1п203 и 1пР04. Образование этих продуктов ещё до окис-

ления при одновременном снижении ЭЭА на порядок (для структур с У205 на обеих подложках) свидетельствует о синхронном каталитическом механизме процесса, обусловленном природой хемостимулятора и способом его введения в

систему. При собственно:.; окислении 1пГ концентрация естественных активных центров (НАД), на коюрых зарождаетси фосфптаал фаза, составляет 156 мкм"2. До Г минут при температуре 480°С па поверхности не образуется сплошного слог: оксида :: можно наблюдать рост оксидно-фосфатной фазы па собственных дефектах кристаллической структуры полупроводника.

Таблица 4. Идентифицированные методом ИК спектроскопии связи в исходных и окисленных структурах на основе

Исследуемые Идентифицированные связи

неокислепгаде обряды окисленные образцы

V(50 HM)/GaAs - Ga-As Ga-0 (b-Ga203) V-0 (V204) V-0(V205)

V205(25 HM)/GaAs Ga-As V-0 (V2Os) Ga-As Ga-0 (b-Gaz03) V-0 (V04)3 V-0 (V04)4" V-0 (V2O5)

V(25 нм)/1пР - In-P; In-0 (InP04) In-0 (In(PjOv)n) In-0 (ln20,) v-0 (V205)

V205(2S нм)/1пР In-P V-0 (V2Os) In-P; In-0 (In(P,0,)„) In-0 (InP04) In-0 (ln203) V-O (V04)J-V-0 (V04)4' . V-0 (V2Os)

Co(80 нм)ЯпР - In-P; Co-O (Co203) Co-O (Co304) Co-O (Co(P,0,)0) In-0 (InP04) In-O (ln203) In-0 (In(PxO,)„)

Co,0, (80 нм)/1пР In-P Co-0 (Co203) Co-O (C03O4) In-P; Co-O (Co203) Co-O (Co304) Co-O (Co(P,0,)0) In-O (InP04) In-0 (ln203) In-0 (In(PxOy)„)

dn(e

InV V О

д! I i /'1

/ау-ЛЛ/

-л»** на поверхности

, образца

ионного травления

в)

» второго ионного травления

40S 437 474 571

Е, эВ

а)

Рис. 3. ОЖЕ-спектр окисленных при 500°С структур a) V205/InP 15 нм и б) У(15 нм)/1пР (после 10 мин окисления)

а) б)

Рис. 4. РЭМ-фотография образцов после ЭВП а) - У/1пР (><40000) и б) -У205(Р1)/1пР (х20000).

При окислении поверхности 1пР с нанесёнными ИАЦ вокруг наноостровков рост оксидно-фосфатной фазы ускоряется по сравнению с собственным окислением, что следует из результатов РФА и РЭМ при регистрации рассеянных электронов под определённым углом к поверхности 1пР (фазовый контраст) (ср. рис. 5а с 56 и 5в).

Рис. 5. РЭМ-фотографии окисленных образцов а) 1пР (480°С, 3 мин, *50000), б) У205(Р1)/1пР (480°С, 3 мин, '20000) в) УЛпР

(480°С, 4 мин, х40000) В четвертой главе рассмотрен механизм процессов окисления структур УЛпР, У/СаАэ, У205/СаА5, У205ДпР, СоДпР и СохОу/1пР. Нанесённый У205 в процессе окисления трансформируется из чистого оксида в ванадаты, проявляя заметные кислотные свойства. В дальнейшем ванадатные формы могут успешно участвовать в каталитическом цикле, передавая связанный кислород компонентам подложки и подвергаясь регенеративному окислению кислородом (РФА и ИКС), что характерно и для ОаАв, и для 1пР. При взаимодействии же СохОу с 1пР регенерация окислителя затруднена за счёт прочного связывания в фосфатную фазу и из-за необходимости глубокой перестройки кристаллической решётки оксида при смене степеней окисления. В структурах У205ЛпР и У/1пР такой перестройки не требуется из-за кристаллохимических свойств образующихся при окислении ванадатов. Отсутствие влияния в широком интервале (от 15 до 300 нм) количества нанесённого оксида ванадия на ЭЭА, которая сама по себе очень низка (см. табл. 3), вне зависимости от природы подложки, также указывает на синхронный каталитический механизм

определяющей стадии. Схема процессов окисления структур \Л05/1пР и \VInP представлена на (рис. 6а).

В случае структур Со/1пР и СохОу/1пР образование фосфатов кобальта и СоР2 наряду с вышеупомянутой перестройкой структуры, обусловливают транзитный механизм окисления (рис. 66).

^раиии катализатора____^

>ЗУ,0,+21п -♦1п!0,+ЗУ,0,-

/ \ 21н+30 -1п.О,

2!\jho--v д-кн у,05! 1пР| ю'п+зра— 51п,о,+бР -инро,

2Р+50 -Р,<)

I '

5\',05+2Р—*• 5У:0,+Р:05

Основные продукты реакции

а)

5С0,О,+2Р — .4.,О,И.О. <><»<>•«•»<« »Р<>»к.ь.

• . .. реакции

б)

Рис. 6. Схема химических превращений при окислении структур а) - У205/1пР, У/1пР и б) - Со/1пР со сплошным слоем нанесённого хемостимулятора.

Основные отличия в характере собственного термического окисления 1пР и структур с нанесёнными хемостимуляторами заключаются в следующем (рис. 7). В первом случае на начальном этапе имеется задержка в росте оксидного слоя, связанная с низкой реакционной способностью ЕАЦ (рис. 7, кривая 1). Ограничения, связанные с адсорбцией газообразного кислорода, снимаются нанесением на поверхность наноостровков ванадия или его оксида (рис. 7, кривая 2) и на начальных этапах ускорение роста оксидной плёнки достигает нескольких десятков раз. При окислении структур У/1пР (рис. 7, кривая 3) некоторая задержка в окислении обусловлена влиянием переходного слоя, который тем не менее не является препятствием для каталитического окисления. Наиболее быстро плёнка формируется окислением структур

У205/1пР (рис. 7, 1фивая 4) благодаря реализации синхронного каталитического механизма уже в первый момент окисления.

Таким образом, в работе установлено каталитическое действие соединений ванадия (оксиды и ва-надаты) на термическое окисление 1пР и ваАБ. Характерными чертами катализа в тонкоплёночных структурах, имеющих дефектную внутреннюю границу раздела твёрдое-твёрдое, с твёрдыми реагентами, катализатором и продуктами являются отсутствие влияния количества нанесённого хемостимулятора на скорость окисления, значительное снижение ЭЭА процесса окисления и регенерация катализатора в каталитическом цикле <-» У5+ (лазерная эллипсометрия, РЭМ, ИКС, РФА, ЭОС).

ВЫВОДЫ

1. Установлены особенности окисления 1пР и ваАз с нанесёнными хемостимуляторами, заключающиеся в различной устойчивости переходного слоя на ГР АшВу/Ме в окислительной атмосфере и сильной зависимости эффективности хемостимуляторов от их кислотно-основных свойств (ИКС, РФА, ЭОС, ВИМС).

2. Разработана методика получения искусственных активных центров на поверхности монокристаллических полупроводниковых подложек электровзрывом проводников, обеспечивающая формирование островковых структур большинства металлов, устойчивых оксидов металлов, а также оксидов, которые не могут образовываться в результате электровзрыва проводника в окислительной атмосфере (использование составного субстрата для электровзрыва).

3. Получены данные об основных характеристиках процессов формирования островков нанометрового размера на поверхности полупроводников методом электровзрыва, их распределении по размерам и поверхностной концентрации в зависимости от условий эксперимента (состав атмосферы, давление, расстояние от источника до подложки), позволяющие контролировать начальный этап хемостимулированного окисления монокристаллического 1пР (РЭМ, КЛСМ, РФА).

Установлена каталитическая роль соединений ванадия в процессах окисления структур У205/СаА5, У205/1пР и \7InP и представлены общие схемы протекающих взаимодействий (лазерная эллипсометрия, РФА, ИКС, ЭОС, ВИМС, РЭМ). Показано (лазерная эллипсометрия, РЭМ), что присутствие

О 10 20 30 40

Рис. 7. Сравнение кинетических кривых: II собственного окисления фосфида индия, 21 окисления с нанесёнными активными иент-рсатн, 3) с нанесённым сплошным слоем металлического еатдпя (¡5 нм) и 4) 1г/)< (25нм).

катализатора в форме островков на поверхности фосфида индия на начальном этапе окисления способствует преобладающему росту зародышей оксида на ИАЦ до момента зарастания поверхности сплошным слоем.

а) отсутствие влияния в широком интервале (изменение содержания более чем в 20 раз) количества нанесённого хемостимулятора на скорость окисления;

б) значительное (на порядок) снижение эффективной энергии активации процесса окисления (до нескольких десятков кДж/моль) по сравнению с собственным окислением полупроводника, являющееся следствием реализации синхронного каталитического механизма окисления 1пР и ваАв;

в) малый расход, пентаоксида ванадия в течение термоокисления, свидетельствующий о его регенерации в каталитическом цикле V4* <-» У5+ (ИКС, РФА, ЭОС).

6. Сформулированы критерии выбора катализатора, нанесённого на полупроводник АШВУ (со структурой сфалерита), для процесса его окисления:

а) использование с!-металлов и их производных, имеющих две или более промежуточные степени окисления, взаимные переходы между которыми термодинамически и кинетически не затруднены;

б) отсутствие глубокой перестройки кристаллической решётки оксидов в процессе каталитического цикла;

в) наличие хорошо выраженных кислотных свойств оксидов-катализаторов для предотвращения их связывания в термодинамически устойчивйе фазы, препятствующие регенерации катализатора и выводящие его из зоны реакции.

Основное содержание диссертации изложено в работах

1. Миттова И. Я. Твердофазные процессы при термическом окислении арсенида галлия поверхностно модифицированного ванадием / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Неорганические материалы. - 2004. - Т. 40, №. 5. - С. 517-519.

2. Миттова И. Я. Окисление плёнок ванадия на подложке 1пР / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Неорганические материалы. - 2005. -Т.41,№. З.-С. 1-5. :

3. Миттова И. Я, Формирование многокомпонентных слоев при термооксидировании планарных наноструктур У/1пР и УАЗа Аз / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2005. - Т. 7, №. 1. - С. 72-77.

4. Миттова И. Я. Закономерности формирования диэлектрических слоёв при термооксидировании 1пР и ОаАэ с нанесённым активатором / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Вестник ВГУ. - 2005. - №. 1. - С. 20-23.

5. Миттова И. Я. Управление топохимическими реакциями термоокисления на поверхности монокристаллов АШВУ / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.]

// Конденсированные среды и межфазные границы. ^ Воронеж, 2008. - Т. 10, №.. 2.-С. 172-182.

6. Лапенко А. А. Динамика состава и структуры поверхности фосфида индия при его окислении в присутствии соединений ванадия / А. А. Лапенко [и др.] // Неорганические материалы. - 2008. - Т. 48, №.11.- С. 1163-1168.

7. Лапенко А. А. Синтез и каталитические свойства наноостровков V205, полученных электровзрывным методом на поверхности / А. А. Лапенко [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, №. 4. - С. 441-446.

8. Сладкопевцев Б. В. Транзитное и каталитическое окисление полупроводников AmBv с нанесёнными наноразмерными слоями оксидов кобальта и ванадия различной толщины / Б. В. Сладкопевцев... А.' А. Лапенко [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - Воронеж, 2010. -Т. 12, №.3.-С. 268-275.

9. Гаврютин В. Н. Кинетика термического оксидирования фосфида индия с нанесённым слоем оксида кобальта / В. Н. Гаврютин... А. А Лапенко [и др.] // Тезисы докладов III Всероссийской конференции молодых ученых "Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии". -Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2001. - С. 15.

10. МиттоваИ. Я. Влияние оксидов d-металлов на термическое оксидирование фосфида индия / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Тезисы докладов научных чтений к 70-летию со дня рождения члена-корреспондента АН СССР М.В. Мохосоева. - Улан-Уде, 2002. - С. 46.

11. Гаврютин В. Н. Термооксидирование структур V/InP / В. Н. Гаврютин... А. А. Лапенко [и др.] // Тезисы докладов международной школы-семинара «Нелинейные процессы в дизайне материалов». - Воронеж, 2002. -С. 58.

12. Томина Е. В. Термическое окисление арсенида галлия, поверхностно модифицированного ванадием / Е. В. Томина, А. А. Лапенко // Тезисы докладов Международ, науч. конф. «Химия- твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: III.». - 2003. - С. 35.

13. Mittova I. Ya. Interfacial interactions and catalysis during thermal oxidation of the vanadium nanolayers on InP / I. Ya. Mittova... A. A. Lapenko [etc.] // Abstracts of NNN-topical meeting of the ceramic society. - S-Petersburg, 2004.-P. 131.

14. Миттова И. Я. Формирование многокомпонентных слоёв при термооксидировании планарных структур V/InP и V/GaAs / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Тезисы докладов II Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах". - Воронеж, 2004. - Т. 2. - С. 683.

15. Лапенко А. А. Кинетика и механизм топохимических реакций в наносистеме V205/InP / А. А. Лапенко, Е. В. Томина // Тезисы докладов X международной конференции по физике й технологии тонких плёнок. -Ивано-Франковск, 2005. - С. 135.

16. МиттоваИ.Я. Гетерогенный катализ при термооксидировании в топохимической системе V/InP и V205/InP / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Программа лекций и тез. докл. : V школы-семинара «Актуальные

проблемы современной неорганической химии и материаловедения». - М, 2005. -С. 43.

17. Mittova I. Ya. Catalytic influence of vanadium (V) compounds into thermal oxidation of gallium arsenide / I. Ya. Mittova... A. A. Lapenko [etc.] // Abstracts of NNN-topical meeting of the ceramic society. - S-Petersburg, 2006. - P. 75.

18. МиттоваИ. Я. Влияние нарушенного слоя на кинетику термооксидирования полупроводниковых монокристаллов АШВУ / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2006: III Всерос конф. - Воронеж, 2006. - Т. 1. - С.352-353.

19. МиттоваИ. Я. Гетерогенный окислительно-восстановительный катализ в топохимической системе V205/GaAs при термическом окислении / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // Химия поверхности и нанотехнология: 3-я Всерос. конф. (с международ, участием). - Санкт-Петербург, 2006. - С. 258259.

20. Миттова И. Я. Формирование островковых наноструктур оксидов d-металлов на поверхности полупроводниковых материалов AniBv / И. Я. Миттова... А. А. Лапенко [и др.] // VI школа-семинар «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения». - М., 2006. -С. 15.

21. Сладкопевцев Б. В. Методы формирования островковых наноструктур d-Me, МеО -полупроводник / Б. В. Сладкопевцев... А. А. Лапенко [и др.] // Тезисы докладов XI международной конференции по физике и технологии тонких плёнок. - Ивано-Франковск, 2007. - С. 118.

22. Сладкопевцев Б. В. Развитие метода электровзрыва проводников для создания островковых наноструктур оксид металла-полупроводник / Б. В. Сладкопевцев... А. А. Лапенко [и др.] // VIII международная конференция «Химия твёрдого тела и современные микро- и нанотехнологии». - Кисловодск, 2008.-С. 82-83.

23. Томина Е. В. Катализ в топохимических системах металлЯпР и оксид/InP / Е. В. Томина, А. А. Лапенко [и др.] // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах". - Воронеж, 2008. - Т. 1.-С.315.

Работы № 1-2, 6-8 опубликованы в изданиях, входящих в Перечень ВАК.

Отпечатано в РА «Оптовик Черноземья» Воронеж, ул. Ленина, 73 Подписано в печать 22.09.2010. Формат 60x84/16. Усл. п. л. 1,0. Тираж 110. Заказ 948.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата химических наук, Лапенко, Александр Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1 Свойства поверхности 1пР и ваАв.

1.2 Свойства наноразмерных образований.

1.2.1 Теоретическое моделирование наночастиц.

1.2.2 Геометрическая структура.

1.2.3 Электронная структура.

1.2.4 Реакционная способность.

1.3 Получение веществ в наноразмерном состоянии методом электровзрыва.

1.3.1 Электровзрывной синтез наночастиц.

1.4 Создание тонкоплёночных структур методом ионно-плазменного синтеза.

1.5 Собственное окисление 1пР и СаАэ.

1.6 Основные принципы хемостимулированного окисления сложных полупроводников АП1ВУ.

1.6.1 Обзор тонкоплёночных структур на основе оксидов ванадия, полученных различными методами.

1.6.1.1 Общая характеристика оксидов ванадия.

1.6.1.2 Оксиды ванадия как составная часть тонкоплёночных структур.

Глава II. Методика формирования, окисления и анализа стурктур Ме/1пР (СаАв) и МехОу/1пР (СаА8) (Ме = V, Со)

2.1 Синтез и изучение структур.

2.2 Выбор объектов исследования.

2.3 Используемые материалы.

2.4 Формирование сплошных структур.

2.4.1 Магнетронное распыление.

2.5 Формирование островковых структур.

2.6 Термическое окисление.

2.7 Эллипсометрия и кинетическая обработка данных.

2.8 Оже-электронная спектроскопия.

2.9 Растровая электронная микроскопия.

2.9.1 Взаимодействие электронного пучка с образцом.

2.9.2 Неупругое рассеяние.

2.9.3 Упругое рассеяние.

2.9.4 Вторичные электроны.

2.9.5 Детекторы.

2.9.6 Топографический и элементный контраст.

2.10 ИК спектроскопия.

2.11 Рентгенофазовый анализ.

2.12 Методика измерения электрофизических свойств плёнок

Глава III. Эволюция полупроводниковых монокристаллов 1пР и ваАв при окислении в присутствии хемостимуляторов (V, Со, Уг05 и СохОу).

3.1 Результаты кинетических исследований термического окисления структур \7GaAs, У/1пР, СоЛпР, У205/СаА8, У205/1пР и СохОу/1пР.

3.2 Результаты Оже-электронной спектроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии.

3.3 Результаты ИК спектроскопии для образцов со сплошным слоем хемостимулятора.

3.4 Данные рентгенофазового анализа.

3.4.1 Образцы со сплошным слоем хемостимулятора.

3.4.2 Образг{ы с нанесёнными наноостровками хемостимуляторов.

3.5 Морфология островковых структур Ме(МехОу)/1пР.

3.5.1 Металлические и оксидные островки из составного источника.

3.6 Окислительная эволюция островковых структур.

3.7 Электрофизические свойства плёнок.

Глава VI. Механизм химических взаимодействий в процессе термического окисления в структурах Ме/1пР (ваАв) и

МехОуЛпР (СаАв) (Ме = V, Со) (обсуждение результатов).

4.1 Особенности транзитного и каталитического окисления фосфида индия и арсенида галлия.

4.2 Морфология островковых структур и окисление поверхности фосфида индия на начальном этапе в присутствии искусственных активных центров.

4.2.1 Химические взаимодействия на искусственных активных центрах.

4.2.1 Модельная схема химических взаимодействий при термоокислении структур на основе InP в присутствии искусственных активных центров.

4.3 Модельная схема химических взаимодействий при термоокислении структур на основе InP со сплошным слоем хемостимулятора.

4.4 Обобщение кинетических закономерностей процессов термоокисления InP в присутствии катализатора.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертация по химии, на тему "Эволюция наноразмерных пленочных и островковых структур Me/InP(GaAs) и MexOу/InP(GaAs)(Me=V,Co) в процессе термооксидирования"

После того как два десятка лет назад человечество вступило в эпоху компьютерной революции, может показаться, что в ближайшем будущем трудно ожидать сравнимого по масштабам прорыва. Однако, если внимательно присмотреться к современным тенденциям развития наноиндустрии и проводимым в этой области исследованиям, то можно предположить: появление компьютеров - это появление первого зародыша, инициатора дальнейших изменений человечества. Проникая внутрь материи, открывается бесконечное число возможностей изменять её и создавать материалы, каких не могло бы появиться без вмешательства человека. Природой предопределено вещество, среди которого мы существуем и из которого мы состоим. Его структурными единицами с точки зрения химика являются, по большому счёту, всего три вида частиц: протоны, нейтроны и электроны. Их комбинация может дать около сотни различного вида кластеров - атомов известных на сегодняшний день элементов. С момента своего появления человек изменял природу, оперируя материалами на всё более и более сложном элементарном уровне: от камней и самородных металлов к молекулам и атомам. В течение этого процесса осталась в стороне одна ступень - изменение материи не с помощью комбинирования атомов в молекулы или нуклонов в различные атомы, а создание «гиператомов» или как сейчас принято их называть - «квантовых точек».

Для того чтобы квантовые системы вели себя как атомы при комнатной температуре, необходимо удерживать электроны в области диаметром около 20 нм, или меньше. Поэтому любой "программируемый материал" будет нуждаться в сборке с высокой степенью точности. Для этого необходима технология высокой точности.» (Wil McCarthy «Hacking Matter») [1].

На сегодняшний день существует много различных способов создания наноматериалов. Одним из них является достаточно простой и эффективный электровзрывной синтез нанопорошков. Однако, этот процесс используется в неуправляемом виде. Изучение этого процесса и возможность им управлять позволит быстро создавать и упорядочивать наночастицы различных материалов с использованием необходимых матриц.

Если подойти к эксплуатации этого метода с другой стороны, то можно расширить область его применения. Например, создавая кластеры металлов и их оксидов на поверхности всевозможных объектов, появляется возможность изучать процессы зародышеобразования и кинетику реакций на поверхности, исследовать размерные эффекты при переходе от двумерных наноструктур к одномерным и многое другое, что ещё предстоит открыть в процессе научного поиска.

АКТУАЛЬНОСТЬ

Использование хемостимуляторов, предварительно нанесённых на поверхность полупроводников А1ПВУ, обеспечивает их ускоренное окисление, подавляет испарение летучих компонентов и в целом ряде случаев предотвращает накопление на границе раздела и в оксидном слое неокисленных элементов подложки. Теоретически, хемостимулятор может действовать по транзитному или каталитическому механизмам. Если в первом случае ускорение процесса по сравнению с собственным окислением при прочих равных условиях определяется количеством хемостимулятора, то каталитический механизм позволит использовать минимальное количество хемостимулятора при высокой эффективности окисления, подавлении негативных процессов, таких как выделение компонентов хемостимулятора в элементарном состоянии и их диффузия в подложку и улучшении диэлектрических свойств слоев.

РФФИ № 06-03-96338-рцентра, № 03-03-96500-р2003цчра, № 09-03-97552-рцентра и № 10-03-00949-а.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Установление механизма эволюции наноразмерных структур МеЛпР (ваАз) и МехОу/1пР (СаАэ) (Ме = V, Со) на различных этапах их термооксидирования.

ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

1. Исследование кинетики термического окисления структур \7InP, У/ваАБ, Со/1пР, У205/1пР, У205/СаАз и СохОу/1пР с нанесёнными наноразмерными слоями хемостимуляторов различной толщины, состава и свойств полученных слоев.

4. Изучение влияния начального этапа термического окисления структур УЯпР, У205/1пР на последующие и анализ особенностей протекающих процессов.

5. Установление роли переходных металлов и их оксидов как катализаторов окисления 1пР и ваАз; идентификация взаимодействий в системах с твердофазными реагентами, катализатором и продуктами.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА установлено влияние природы хемостимулятора на окислительную эволюцию структур У/1пР, \7GaAs, У205/0аАз, Со/1пР, У205/1пР и СохОу/1пР по транзитному или каталитическому механизмам; определён характер эволюции поверхности монокристаллов 1пР с нанесённым слоем сплошного и островкового катализатора при их термическом окислении; доказана каталитическая активность соединений ванадия как в виде сплошных наноразмерных слоев, так и в виде искусственных активных центров в процессах термического окисления арсенида галлия и фосфида индия; предложены схемы процессов термооксидирования структур на основе 1пР с нанесенными наноразмерными сплошными слоями ванадия, кобальта и их оксидов; выделены и обоснованы основные черты каталитического механизма в в процессах окисления исследованных структур и на этой основе сформулированы критерии выбора катализатора.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ

1. Механизм процессов термического окисления наноразмерных структур V/InP, V/GaAs, V205/GaAs, У205ЯпР, Co/InP и CoxOy/InP и его зависимость от свойств нанесённого на поверхность хемостимулятора и природы полупроводниковой подложки (лабильность перехода между степенями окисления, особенности кислотно-основных взаимодействий в плёнке, структурные изменения и стабильность переходного слоя на границе раздела);

2. Начальный этап хемостимулированного окисления структур V/InP и V205/InP с преобладающим влиянием наноостровков ванадия и его оксида над естественными активными центрами на начальном этапе окисления InP;

3. Схемы процессов окислительной эволюции структур V205/InP, V/InP, Co/InP и CoxOy/InP, отражающие каталитическую роль V205 и специфику каталитических стадий в системах с твёрдым катализатором, реагентами и продуктами, а также отличия в химических свойствах наносимого хемостимулятора.

ПУБЛИКАЦИИ И АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

По материалам работы опубликовано 8 статей (5 из них в реферируемых российских журналах из Перечня ВАК для кандидатских диссертаций) и 15 тезисов докладов на научных конференциях. Результаты работы были представлены на VIII и X Международных конференциях по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 2001, 2005); III Всероссийской конференции молодых ученых "Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии" (Саратов, 2001); научных чтениях к 70-летию со дня рождения члена-корреспондента АН СССР М.В. Мохосоева (Улан-Удэ, 2002), международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж, 2002), международных конференциях «NNN-topical meeting of the ceramic society» Санкт-Петербург, 2004 и 2006 гг.), II Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах (Фагран-2004)" ю

Воронеж, 2004), VI школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Москва, 2006), конференции «Физика и технология тонких плёнок и наносистем» (Воронеж, 2007), VITI международной конференции «Химия твёрдого тела и современные микро- и нанотехнологии». (Кисловодск 2008), конференции «Физика и технология тонких плёнок и наносистем (Фагран-2008)» (Воронеж, 2008).

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, выводов, списка литературы, изложена на 214 страницах машинописного текста, включая 8 таблиц, 100 рисунок и библиографический список, содержащий 172 наименования литературных источников.

Заключение диссертации по теме "Неорганическая химия"

выводы

1. Установлены особенности окисления 1пР и ваАэ с нанесёнными хемостимуляторами, заключающиеся в различной устойчивости переходного слоя на ГР АшВу/Ме в окислительной атмосфере и сильной зависимости эффективности хемостимуляторов от их кислотно-основных свойств (ИКС, РФА, ЭОС, ВИМС).

3. Получены данные об основных характеристиках процессов формирования островков нанометрового размера на поверхности полупроводников методом элеюгровзрыва, их распределении по размерам и поверхностной концентрации в зависимости от условий эксперимента (состав атмосферы, давление, расстояние от источника до подложки), позволяющие контролировать начальный этап хемостимулированного окисления монокристаллического 1пР (РЭМ, КЛСМ, РФА).

4. Установлена каталитическая роль соединений ванадия в процессах окисления структур У205ЛЗаА8, У205/1пР и УЯпР и представлены общие схемы протекающих взаимодействий (лазерная эллипсометрия, РФА, ИКС, ЭОС, ВИМС, РЭМ). Показано (лазерная эллипсометрия, РЭМ), что присутствие катализатора в форме островков на поверхности фосфида индия на начальном этапе окисления способствует преобладающему росту зародышей оксида на ИАЦ до момента зарастания поверхности сплошным слоем.

5. Выделены и обоснованы основные черты каталитического механизма в новых тонкоплёночных системах нанометрового масштаба с твёрдыми реагентами, катализатором и продуктами: а) отсутствие влияния в широком интервале (изменение содержания более чем в 20 раз) количества нанесённого хемостимулятора на скорость окисления; б) значительное (на порядок) снижение эффективной энергии активации процесса окисления (до нескольких десятков кДж/моль) по сравнению с

193 собственным окислением полупроводника, являющееся следствием реализации синхронного каталитического механизма окисления 1пР и ваАв; в) малый расход пентаоксида ванадия в течение термоокисления, свидетельствующий о его регенерации в каталитическом цикле У4+ <-» У5+ (ИКС, РФА, ЭОС).

6. Сформулированы критерии выбора катализатора, нанесённого на полупроводник АШВУ (со структурой сфалерита), для процесса его окисления: а) использование с1-металлов и их производных, имеющих две или более промежуточные степени окисления, взаимные переходы между которыми термодинамически и кинетически не затруднены; б) отсутствие глубокой перестройки кристаллической решётки оксидов в процессе каталитического цикла; в) наличие хорошо выраженных кислотных свойств оксидов-катализаторов для предотвращения их связывания в термодинамически устойчивые фазы, препятствующие регенерации катализатора и выводящие его из зоны реакции.

Список источников диссертации и автореферата по химии, кандидата химических наук, Лапенко, Александр Александрович, Воронеж

1.Штабнова В. Л. Химический состав поверхности соединений 1.Bv /

2. B. Л. Штабнова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, мат. 1989. - Т. 25, №2.1. C. 207-211.

3. Tuppen С. G. Ultra-flat InP substrates prodused using a chemo-mechanical polishing technique / C. G. Tuppen, В. H. Conen // Jnl. Cryst Growth. 1987. -Vol. 80. - P. 459^62.

4. Kurth E. Chemical etching and polishing of InP / E. Kurth, A. Reif // Jnl. Cryst. Res. and Technol. 1988. -Vol. 23, №1.-P. 117-126.

5. Wilmsen C. W. Oxide layers on III-V compound semiconductors / C. W. Wilmsen // Thin solid films. 1976. - Vol.30. - P. 105 - 117.

6. Wager J. F. InP MOCVD technology / J. F. Wager // Jnl. Chem. Soc. 1987. -V. 134.-P. 160-165.

7. Фелдман Л. Основы анализа поверхности и тонких плёнок / Л. Фелдман. -М. : Мир, 1989.-342 с.

8. Piotrovska A. Methods of surface preparation for some A3B5 semiconductor compounds / A. Piotrovska // Electron Technology. 1985. - Vol.14. - P. 3-23.

9. Сергеев Г. Б. Нанохимия / Г. Б. Сергеев. М. : КДУ. - 2006. - 336 с.

10. Higuchi М. GaAs polishing mechanism with NaOCl solution / M. Higuchi // Jnl. Electrochem. 1989. -Vol. 136, №9.-P. 2710-2712.

11. Галицын Ю. Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах НС1 / Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, В. И. Пошевнев // Поверхность: физ., хим., мех. 1989. -№4.-С. 147-150.

12. Bauer R. S. Surface EXAFS Investigation of oxygen chemisorption of GaAs (110) / R. S. Bauer, J. C. Momenamin, L. J. Johansson // Jnl. Vac. Sci. Technol. 1979. - Vol. 16, №5. - P. 1195-1199.49S- 196

13. Su С. Y. Oxygen adsorption on the GaAs (110) surface / C. Y. Su, J Lindau, P. R. Skeath // Jnl.Vac. Sci. Technol. 1980. - Vol. 17, №6. - P. 938-941.

14. Monch W. Charge transfer to oxygen chemisorbed on cleaved GaAs (110) surface / W. Monch, R. J. Ennirighorst // Vac. Sci. Technol. 1980. - Vol. 17, №5.-P. 942-945.

15. Barton J. J. Chemlsorption of oxygen and aluminum of the GaAs (110) surface from ab initio theory / J. J. Barton, A. Coenraad, W. A. Goddurd // Jnl. Vac. Sci. Technol. 1980. - Vol. 17, №1. - P. 164-168.

16. Lucovsky G. A chemical bonding: model for the native oxides of the III-V compound semiconductors / G. Lucovsky // Jnl. Vac. Sci. and Technol. 1981. -Vol. 19, №3,-P. 455-462.

17. Ludeke R. The oxidation of the GaAs (110) surface / R. Ludeke // Solid State Cornmun.- 1977.-Vol. 21.-P. 815-820.

18. Williams R.H. III-V semiconductor surface interactions / R.H. Williams // Proc. Int. Conf. Phys. and Chem. III-V compound semicond. interfaces. New York, London, 1985. - P. 1-72.

19. Майзедь А. Исследование методом фотоэлектронной спектроскопии адсорбции кислорода на поверхности арсенида галлия в кислородной плазме / А. Майзедь, Д. Флэш, Е. Вебер // Поверхность: физ. хим. мех. 1987. -№10.-С. 27-36.

20. Галицын Ю. Г. Исследование кинетики образования и состава оксида на сколотой поверхности GaAs (110) / Ю. Г. Галицын, И. П. Петренко, С. Н. Свиташева//Поверхность: физ., хим., мех. 1987. -№11. - С. 51-53.

21. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм -М. : Наука, 1978.-428 с.

22. Де Жен П. Сверхпроводимость металлов и сплавов / П. Де Жен. -М. : Мир, 1968.-279 с.

23. Каганов М. И. Квазичастицы. Идеи и принципы квантовой физики твердого тела / М. И. Каганов М. : Наука, 1976. - 286 с.

24. Брандт Н. Б. Квазичастицы в физике конденсированного состояния / Н. Б. Брандт М. : Физматлит, 2005. - 377 с.

25. Рожанский Н. В. Исследование взаимодействия тонких пленок Рс1 с монокристаллом ваАБ в процессе отжига в электронном микроскопе / Н. В. Рожанский, А. Г. Акимов // Поверхность. 1990. - №12. - С. 57-68.

26. Урусов В. С. Кристаллохимия, краткий курс / В. С. Урусов М. : МГУ, 2004.-415 с.

27. Викторчук С. Л. Свойства наночастиц золота, полученных методом электрохимического восстановления / С. Л. Викторчук // Электрохимия. -2003.-Т. 13.-С. 1789-1794.

28. Гликина Ф. Б. Химия комплексных соединений / Ф. Б. Гликина. -М. : Просвещение, 1967. 366 с.

29. Гульбин В. Металломатричные композиты, упрочненные высокотвердыми нанопорошками / В. Гульбин, В. Попов, И. Севостьянов // Наноиндустрия. 2007. - № 1. - С. 34 - 41.

30. Аврамова А. Н. Синтез и свойства наночастиц р-металлов / А. Н. Аврамова // Неорганической химии. 2001. - Т. 10. - С. 1699-1707.

31. Ашкрофт Н. Физика твердого тела / Н. Ашкрофт, Н. Мермин. М. : Мир, 1979.-287 с.

32. Костромина Н. А. Химия координационных соединений / Н. А. Костромина, В. Н. Кумок, Н. А. Скорин М.: Высшая школа, 1990. -302 с.

33. Общая и неорганическая химия. Теоретические основы химии / под ред. А. Ф. Воробьева М.: ИКЦ «Академкнига», 2004. - Т. 1 - 371 с.

34. Лозовик Ю. В. Образование и рост углеродных наноструктур -фуллеренов, наночастиц, нанотрубок и конусов / Ю. В. Лозовик, А. М. Попов-УФН, 1997.-Т. 167.- 151 с.

35. Запсис К. В. Синтез и физико-химическое исследование наночастиц оксидов металлов (Cu20, Fe203, ZnO) в полиэтиленовой матрице / К. В. Запсис // Дис. канд. хим. наук. Саратов, 2004. - 109 с.

36. Пичугина Д. А. Структура и реакционная способность комплексов кислорода с кластерами золота / Д. А. Пичугина, А. Ф. Шестаков, Н. Е. Кузьменко // Известия РАН, Химия. 2005. - № 12. - С. 3-11.

37. Молчанов В. В. Реакционная способность, каталитические и сорбционные свойства углеродных нанонитей и связанных с ними наночастиц никеля / В. В. Молчанов, В. В. Чесноков, Р. А. Буянов // Кинетика и катализ. 1998. - Т. 39, № 3. - С. 407-415.

38. Нуеоп Т. Magnetic nanoparticles: synthesis, structure, properties / Т. Hyeon, Y. Chung, J. Park // Jnl. Phys. Chem. 2002. - Vol. 106. - P. 6831.

39. Peeters F. M. Hybrid Magnetic-Semiconductor Nanostructures / F. M. Peeters, J. De Boeck // Handbook of nanostructured materials and nanotechnology. -2000.-Vol.3.-P. 456-458.

40. Герасимов Г. H. Молекулярные композиты / Г. Н. Герасимов, Е. И. Григорьев, А. Е. Григорьев // Хим. физика. 1998. - Т. 17. - С. 168173.

41. Баньковская И. Б. Процессы окисления стеклокерамических композиций на основе борида титана / И. Б. Баньковская // Химия и физика стекла. -2007.-Т. 33.-С. 111-118.

42. Ichinose N. Catalityc oxidation on golden nanoparticles / N. Ichinose // Superfine Particle Technology. London, 1992. - Vol. 74. - P. 138-150.

43. Назаренко О. Б. Электровзрывные нанопорошки: получение, свойства, применение / О. Б. Назаренко. Томск : Изд-во Том. ун-та, 2005. - 148 с.

44. Ильин А. П. Об активности порошков алюминия / А. П. Ильин, А. А. Громов, Г. В. Яблуновский // Физика горения и взрыва. 2001. - Т.37,№4.-С. 58-62.

45. Ильин А. П. Горение алюминия и бора в сверхтонком состоянии / А. П. Ильин, А. А Громов, Г. В. Яблуновский. Томск : Изд-во Том. ун-та, 2002.- 154 с.

46. Федущак Т. А. Реакционная способность и парамагнитные свойства электровзрывных нанопорошков металлов / Т. А. Федущак, А. П. Ильин, С. И. Писарева // Научн. тр. V Всерос. конф. Ч. II, Екатеринбург. УрО РАН, 2001.-С. 225-230.

47. Шабанова Н. А. Химия и технология нанодисперсных оксидов: учеб. пособие для вузов / Н. А. Шабанова, В. В. Попов, П. Д. Саркисов. -М. : Академкнига, 2006. 309 с.

48. Гусев А. И. Нанокристаллические материалы / А. И. Гусев, А. А. Ремпель. М. : Физматлит, 2000. - 224 с.

49. Петров Ю. И. Кластеры и малые частицы / Ю. И. Петров. М. : Наука, 1986.- 134 с.

50. Мелихов И. В. Физико-химическая эволюция твердого вещества / И. В. Мелихов. М. : БИНОМ, 2006. - 309 с.

51. Фахльман Б. Химия новых материалов и нанотехнологии / Б. Фахльман. -М. : ИД Интеллект, 2008. 224 с.

52. Суздалев И. П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов / И. П. Суздалев. М.: КомКнига, 2006. -590 с.

53. Помогайло А. Д. Наночастицы металлов в полимерах / А. Д. Помогайло, А. С. Розенберг, И. Е. Уфлянд. М. : Химия, 2000. - 627 с.

54. Назаренко О. Б. Формирование химических соединений при электрическом взрыве металлических проводников в жидкостях / О. Б. Назаренко, А. П. Ильин, В. Я. Ушаков // Известия вузов. Физика. -1996.-№6.-С. 9-14.

55. Месяц Г. А. Генерирование мощных наносекундных импульсов / Г. А. Месяц. М. : Сов. радио, 1974. - 90 с.

56. Вушман А. В. Уравнения состояния металлов при высоких плотностях энергии / А. В. Вушман, И. В. Ломоносов, В. Е. Фортов // ИХФЧ РАН, Черноголовка, 1992. №7. - С. 49-53.

57. Ткаченко С. И. Эволюция состояний металла при электрическом взрыве проводников / С. И. Ткаченко, К. В. Хищенко, В. С. Воробьев // Физика экстремальных состояний вещества. 2002. - С. 11-15.

58. Скрипов В. П. Метастабильная жидкость / В. П. Скрипов. М. : Наука, 1972.-237 с.

59. Анисимов С. И. Действие излучения большой мощности на металлы / С. И. Анисимов, Я. А. Имас, B.C. Романов. М. : Наука, 1970. - 112 с.

60. Бурцев В. А. Электрический взрыв проводников и его применение в электрофизических установках / В. А. Бурцев, Н. В. Калинин,

61. A. В. Лучинский. М. : Энергоатомиздат, 1990. - 313 с.

62. Воробьёв В. С. Чем инициируется взрыв проводника с током? /

63. B. С. Воробьёв, С. П. Малышенко // Письма в ЖЭТФ. 2002. - Т. 75, Вып. 7. - С. 445-449.

64. Кривицкий Е. В. Динамика электровзрыва в жидкости / Е. В. Кривицкий. Киев : Наукова думка, 1986. - 281 с.

65. Бутиков Е. И. Физика / Е. И. Бутиков, А. С. Кондратьев. -М. : Физматлит, 2004. 364 с.

66. Lerner М. I. Chemical reactions between metal and active gases in the electric explosion of wires for the production of nanopowders / M. I. Lerner, V. V. Shamanskii, G. G. SaveFev // Mendeleev communication. 2001. - Vol. 11, №4.-P. 159-161.

67. Лернер M. И. Формирование наночастиц при воздействии на металлический проводник импульса тока большой мощности / М. И. Лернер, В. В. Шаманский // Журнал структурной химии. 2004. - Т. 45.-С. 112-115.

68. Novak В. М. Solid state diagrams of nanocomposites / В. M. Novak, С. Davis // Macromolecules. -1991. Vol.24. - P. 2481-2483.

69. Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. М.: Наука, 1990.-235 с.

70. Глазырин И. В. Влияние метастабильных свойств на электровзрыв проводников / И. В. Глазырин, Е. Е. Миронова, В. И. Орешкин // ЖТФ. -2004. Т. 74, № 7. - С. 38-43.

71. Азаркевич Е. И. Условия возникновения паузы тока при электрическом взрыве проводников / Е. И. Азаркевич, Ю. А. Котов, В. С. Седой // ЖТФ. -1975.-Т. 45,№ 1,-С. 175-177.

72. Котов Ю. А. Нанопорошки оксидов железа, полученные электрическим взрывом проволоки / Ю. А. Котов, Е. И. Азаркевич, А. И. Медведев // Неорган, матер. -2008. Т. 43, № 6. - С. 133-138.

73. Адамьян Ю. Э. Нагрев и ускорение плазмы при взрыве проводника в вакууме в сильном продольном магнитном поле / Ю. Э. Адамьян, В. М. Василевский, С. Н. Колгатин // ЖТФ. 1999. - Т. 69, № 5. - С. 202209.

74. Адамьян Ю. Э. Регистрация мягкого рентгеновского излучения из плазмы взрывающегося проводника в сильном продольном магнитном поле / Ю. Э. Адамьян, Г. А. Шнеерсон // Письма в ЖТФ. Т. 29, № 9. - С. 89-94.

75. Афонин С. М. Решение волнового уравнения для задач электроупругости / С. М. Афонин // Электричество. 2005. - № 4. - С. 54-63.

76. Tepper F. Metallic Nanopowders / F. Tepper, M. Lerner, D. Ginley // Dekker encyclopedia of nanoscience and nanotechnology. N. Y., 2004. - P. 1921— 1933.

77. Назаренко О. Б. Регулирование дисперсного состава электровзрывных порошков оксида алюминия / О. Б. Назаренко, А. П. Ильин, В. Я. Ушаков // Физика и химия обработки материалов. 2003. - №3. - С. 57-59.

78. Давидович В. И. Электровзрывные нанопорошки неорганических наноматериалов / В. И. Давидович. // Авторефер. дисс. канд. техн. наук. -Томск : ТПИ, 1986. 202 с.

79. Иванов Г. В. Получение наноразмерных композиционных порошков электроимпульсным диспергированием металлов в жидких средах / Г. В. Иванов, Н. А. Яворовский, Ю. А. Котов // ДАН СССР. 1984. - Т. 275, №4.-С. 873.

80. Ильин А. П. Характеристики нанопорошков, полученных с помощью электрического взрыва луженых медных проводников в аргоне / А. П. Ильин, Д. В. Тихонов, Г. В. Яблуновский // Физика и химия обработки материалов. 2006. - № 5. - С. 62-65.

81. An V. V. Production of nitride containing charge upon oxidation of powder-aluminum in air / V. V. An, V. I. Vereshchagin, G. V. Yablunovskii // Стекло и керамика. 1998. - № 3. - С. 24-25.

82. Тихонов Д. В. Формирование частиц в условиях электрического взрыва проволочек из сплавов Cu-Ni / Д. В. Тихонов, А. П. Ильин // Физ. и химия обраб. матер. 2005. - № 3. - С. 132-136.

83. Ан В. В. Конечные продукты горения в воздухе смесей ультрадисперсного алюминия с циалем / В. В. Ан, В. И. Верещагин,

84. A. П. Ильин // Физика горения и взрыва. 2000. - Т. 36, № 2. - С. 56-67.

85. Ильин А. П. Получение высокотемпературной модификации у-А1203 с помощью электрического взрыва проводников в воде / А. П. Ильин, О. Б. Назаренко, В. Я. Ушаков // ЖТФ. 1996. - Т. 66, №. 12. - С. 289-294.

86. Седой В. С. Электрический разряд в жидкости и его применение /

87. B. С. Седой, JI. И. Чемизова // Тез. Докл. I Всес. конф. "Перспектривные материалы". Киев : Наукова Думка, 1976. - С. 36.

88. Будовских Е. А. Закономерности электровзрывного легирования металлов и сплавов / Е. А. Будовских, А. Я. Багаутдинов, А. В. Вострецова // Изв. вузов. Физ. 2008. - Т. 51, №. 5. - С. 22-29.

89. Кускова Н. И. Электровзрывные методы синтеза углеродных наноматериалов / Н. И. Кускова, А. Д. Рудь, В. Н. Уваров // Металлофиз. и нов. технол. 2008. - Т. 29, №. 6. - С. 100-108.

90. Савельев Г. Г. Кинетика спекания электровзрывных нанопорошков металлов при линейном нагреве / Г. Г. Савельев, А. И. Галанов, А. В. Денисенко // VI Всероссийская конференция. Сб. науч. тр. -М., 2003.-С. 349-352.

91. Ильин А. П. Об избыточной энергии ультрадисперсных порошков, полученных методом электрического взрыва проволок / А. П. Ильин // Физ. и химия обраб. матер. 1994. - Т. 1994, №. 3. - С. 1054-1060.

92. Sakovich G. Inorganic nanopowders and products / G. Sakovich, V. Komarov, A. Vorozhtsov // Energetic materials, 37-th international annual conference of ICT. Karlsruhe, 2006. P. 166-176.

93. Лернер M. И. Особенности формирования нановолокон оксигидроксида алюминия на микроволокнах различного состава / М. И. Лернер, Н. В. Сваровская, Е. А. Глазкова // Физическая мезомеханика. 2006. - Т. 9.-С. 201-204.

94. Архипов В. А. Технология получения и дисперсные характеристики нанопорошков алюминия / В. А. Архипов, С. С. Бондарчук, А. Г. Коротких // Горный журнал. Цветные металлы. 2006. - № 4. - С. 58-64.

95. Волков А. А. Исследование электрического взрыва проволочек микросекундными импульсами тока в продольном магнитном поле / А. А. Волков, Е. В. Гребенев, П. С. Дыдыкин // ЖТФ. Т. 72, №. 5. - С. 4652

96. Dammer V. New method of WC nanosized powder manufacturing / V. Dammer, V. Davydovich, W. Eckl // Energetic materials performance and safety. 36-th international annual conference of ICT. Karlsruhe, 2005. - P. 38-45.

97. Yavorovskiy N. A. Inorganic Nanopowders and Products Produced by EEW Process / N. A. Yavorovskiy, M. Lerner, F. Tepper // X АРАМ seminar and III conference "Materials of Siberia". -Novosibirsk, 2003. P: 134-135.

98. II'in A. P. Production of complex nitride-containing charge by oxidation of zirconium and aluminum in air / A. P. II'in, V. V. An, V. I. Vereshchagin // Стекло и керамика. 1999. -№ 3. - С. 17-18.

99. Назаренко О. Б. Получение нанопорошков карбидов и нитридов металлов при электрическом взрыве проводников в жидких углеводородах / О. Б. Назаренко, А. П. Ильин // Физика и химия обработки материалов. -2003,-№2.-С. 85-87

100. Назаренко О. Б. Регулирование дисперсного состава электровзрывных порошков оксида алюминия / О. Б. Назаренко, А. П. Ильин, В. Я. Ушаков // Физика и химия обработки материалов. 2003. - № 3. - С. 57-59.

101. Туренко E. А. Фазовые превращения при ионно-плазменном синтезе тонкопленочных силицидов меди / Е. А. Туренко, О. Б. Яценко // Конденсированные среды и межфазные границы. 2000. - Т. 2, № 3. - С. 218-222.

102. Третьяков Ю. Д. Твердофазные реакции / Ю. Д. Третьяков. -М. : Химия, 1978.-360 с.

103. Крейндель Ю. Е. Фазовые превращения нетепловой природы и эффекты дальнодействия при бомбардировке сплавов ионами газов / Ю. Е. Крейндель, В. В. Овчинников // Физика и химия обработки материалов.-1991.-№3.-С. 14-20.

104. Bouslama М. Effects of the electron beam on InP(100) / M. Bouslama // Vacuum. 1996. - Vol. 47, № 1. - P. 27-32.

105. Минайчев В. E. Нанесение плёнок в вакууме / В. Е. Минайчев. -М.: Высшая школа. 1989. - 110 с.

106. Takagi Т. Ion-surface interactions during thin film deposition / T. Takagi // Jnl. Vac. Sci. Technol. 1983. - Vol. 2, №. 2. - P. 382-388.

107. Анохин В. 3. Руководство к практическим занятиям по химии полупроводников / В. 3. Анохин, Е. Г. Гончаров, С. Н. Мирошниченко // Воронеж : ВГУ. 1972. -126 с.

108. Wilmsen С. W. oxide layers on III-V compound semiconductors / C. W. Wilmsen // Ting. Soid. Films. 1976. - Vol. 30, №. 3. - P. 105-117.

109. Joseph J. On the chemistry of passivated oxide-InP interfase / J. Joseph, Y. Robach//Jnl. Electro-chem. Soc. 1980. - Vol. 127, №. 6. - P. 1366-1371.

110. Рембеза С. И. Кинетика гидротермального окисления GaAs и InP / С. И. Рембеза // Изв. АНСССР. Сер. неорг. матер. 1979. - Т. 15, №.1. - С. 25-26.

111. Yamaguchi М. Thermal oxidation of InP and properties of oxide films / M. Yamaguchi, K. Ando // Jnl. Appl. Phys. 1980. - Vol. 51, № 9. - P. 50075012.

112. Миттова И. Я. Рост собственных оксидных слоев на фосфиде индия / И. Я. Миттова, Г. В. Борзакова, В. А Терехов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. - Т. 27, № 10. - С. 2047-2051.

113. Schwartz G. P. The In-P-0 phase diagram: construction and applications

114. G. P. Schwartz, W. A. Sunder, J. E. Griffiths // Jnl. Electrochem. Soc. 1982. -Vol. 129, №. 6.-P. 1361-1367.

115. Butcher D. N. Electrical properties of thermal oxide on GaAs / D. N. Butcher, B. J. Sealy // Electron Lett. 1977. - Vol. 14, № 19. - P. 558-559.

116. Mizokawa Y. A XPS analysis of the oxide films on GaAs / Mizokawa Y.,

117. H. Iwasaki, R. Nishitani, S. Nakamura // Proc. 7-th inter, vac. congr. and 3-rd intern, conf. solid surf. int. union vac. sci. 1977. - P. 631-634.

118. Миттова И. Я. Термооксидирование фосфида индия в среде, содержащей оксиды ванадия / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семёнов // Неорганические материалы. 1991. - Т. 27, № 12. - С. 2491-2494

119. Суворова О. Н. Реакции ферроцена на поверхности оксидных порошков / О. Н. Суворова, Д. Верле, Н. JI. Базякина // ЖОХ. 2006. - Т. 76, Вып. 4.-С. 684-688.

120. Венгер Е. Ф. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл-InP и метэлл-GaAs / Е. Ф. Венгер. Киев, 1999. - 234 с.

121. Миттова И. Я. Химия процессов целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при ихпримесном термооксидировании / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик // Успехи химии. 1991.-Т. 60, №. 9.-С. 1898-1918.

122. Рассел X. Ионная имплантация / X. Рассел, И. Руге. М.: Наука, 1983. -360 с.

123. Brown I. G. Recent advances in surfase processing with metall plasma and ion beams / I. G. Brown, A. Anders, M. R. Dickinson // Surfase and coatings technology. 1999.-Vol. 112.-P. 271-277.

124. Лю 3. Предельный уровень легирования, достижимый при ионной имплантации / 3. Лю, Дж. Майер // В кн. «Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы». М. : Мир, 1980. - С. 236-253.

125. Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга / под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. М.: Сов. Радио, 1977.-Т. 1.-664 с.

126. Kaufman Н. R. Development in broad-beam ion sourse technology and applications / H. R. Kaufman, J.M.E. Harper, J.J. Guomo // Jnl. Vac. Sci. Technology. 1982. - Vol. 21, №. 3. - P. 764-766.

127. Harper J. M. E. Technology and applications of broad-beam ion sources used in sputtering. Part II. Applications / J. M. E. Harper, J. J. Guomo // Jnl. Vac. Sci. Technol. 1982. - Vol. 21, №. 3. - P. 737-756.

128. Stringer J. The vanadium-oxygen system / J. Stringer // Jnl. less-common metals. 1965,-Vol. 8,-P. 151-160.

129. Anderson J. S. The vanadium oxides / J.S.Anderson // Jnl. less-common metals. 1970. - Vol. 22. - P. 209.

130. Фотиев А. А. Ванадаты двухвалентных металлов / А. А. Фотиев, В. К. Трунов, В. Д. Журавлев. М.: Мир, 1985. - 155 с.

131. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия, электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад. М. : Мир. - 1975. - 326 с.

132. Berkowitz J. Thermodynamics of the V-0 system / J. Berkowitz, W. A. Chupka, M. G. Inghram // Jnl. Chem. phys. 1957. - Vol. 27. - P. 87-90.

133. Францева К. E. Термодинамическое исследование процессов испарения окислов V и Nb / К. Е. Францева // Автореф. канд. дисс. ЛГУ, 1968. - 185 с.

134. Чижиков Д. М. Изучение процесса возгонки твёрдой V2O5 / Д. М. Чижиков, Ю. А. Павлов, Ю. В. Цветков // Изв. вузов, чёрн. металлургия. 1970. - Т. 5, №. 7. - С. 220-228.

135. Поляков Ю. А. Окислы ванадия / Ю. А. Поляков, А. М. Самарин // Успехи химии. 1950. - Т. 19, №. 5. - С. 565.

136. Iwase I. Dissoziationsdruck von vanadiumpentoxyd / I. Iwase, N. Nasu // Chem. Zb.- 1937.-№ 1.-P. 4208.

137. Спицин Б. В. Термическая диссоциация пятиокиси ванадия / Б. В. Спицин, М. Г. Майдановская // ЖФХ. 1959. - Т. 33, №. 1. - С. 3137.

138. Sigmund P. Energy density and time constant of heavy-ion-induced-elastic-collision spikes in solids / P. Sigmund // Appl. phys. lett. 1974. - Vol. 25, №. 3.-P. 169-171.

139. Okinaka H. The power of vanadate in crystallographic investigations / H. Okinaka// Jnl. phis. soc. Japan. 1980. - Vol. 27, - P. 1366.

140. Manno D. Morphological, structural and electrical characterization of nanostructured vanadium-tin mixed oxide thin films / D. Manno // Jnl. of noncrystalline solids. 2004. - Vol. 341. - P. 68-76.

141. Wang S. В. Preparation of 128 element of IR detector array based on vanadium oxide thin films obtained by ion beam sputtering / S. B. Wang // Sensors and actuators. -2004. Vol. 115. - P. 36-41.

142. Ghanashyam M. K. Processing and size effects on the optical properties of sputtered oxide thin films / M. K. Ghanashyam, A. K. Bhattacharya // Materials science and engineering 2001. - Vol. 86. - P. 41-47.

143. Ramana С. V. Microstructural features of pulsed-laser deposited V205 thin films / С. V. Ramana // Applied surface science. 2003. - Vol. 207. - P. 135— 138.

144. Watanabe H. Properties of V205 thin films deposited by means of plasma MOCVD / H. Watanabe, K. Itoh, O. Matsumoto // Thin solid films. 2001. -Vol. 386.-P. 281-285.

145. Pan M. Properties of V02 thin film prepared with precursor VO(acac)2 / M. Pan // Jnl. of crystal growth. 2004. - Vol. 265. - P. 121-126.

146. Losurdo M. Spectroscopic ellipsometry investigation of V205 nanocrystalline thin films / M. Losurdo // Thin solid films. 2001. - Vol. 384. - P. 58-64.

147. Rata A. D. Stoichiometry determination of VOx thin films by 180-RBS spectrometry / A. D. Rata // Thin solid films. 2001. - Vol. 400. - P. 120-124.

148. МиттоваИ. Я. Термооксидирование поверхностно-модифицированного фосфида индия / И. Я. Миттова, А. Н. Прокин, В. Н. Гаврютин // Поверхность. 2002. - Т. 38,№1.-С. 111-115.

149. Миттова И. Я. Химия процессов целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при их примесном термооксидировании / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик // Успехи химии. 1991.-Т. 60, №. 9.-С. 1898-1918.

150. Чоркендорф И. Современный катализ и химическая кинетика / И. Чоркендорф, X. Наймантсвердрайт. Долгопрудный : ИД «Интеллект», 2010.-504 с.

151. БрезаЮ. Физико-химические особенности формирования границ раздела переходов металл-соединение А3В5 и возможности прогнозирования межфазных взаимодействий / Ю. Бреза // Поверхность. -1998,- №5.-С. 110-127.

152. Миттова И. Я. Термическое окисление GaAs в кислороде / И. Я. Миттова, Н. И. Пономарева // Физикохимия гетерогенных систем: сб. науч. тр. Воронеж, 1988. - С. 27-31.

153. Берлин Е. В. Ионно-плазменные процессы / Е. В. Берлин, JI. А. Сейдман. М. : Техносфера, 2010. - 528 с.

154. Миттова И. Я. Рост собственных оксидных слоев на фосфиде индия / И. Я. Миттова, Г. В. Борзакова, В. А Терехов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. - Т. 27, №. 10. - С. 2047-2051.

155. Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери. М. : Мир, 1984. - 303 с.

156. Нефедов В. И. Физические методы исследования поверхности твердых тел / В. И. Нефедов, В.Т. Черепин. М. : Наука, 1983. - 293 с.

157. Бабушкин А. А. Методы спектрального анализа / А. А. Бабушкин. -М. : Мир, 1962.-С. 172-190.

158. Diffraction Data. Catalog // International centre for diffraction data.

159. Butera R. A. Mechanism for reactive chemistry at metal-semiconductor interfaces / R. A. Butera, С. A. Hollingsworth // Phys. rev. 1988. - Vol. 37. -P. 10487-10495.

160. Некрасов Б. В. Основы общей химии / Б.В.Некрасов. СПб. : Лань, 2003.-656 с.

161. Накамото К. ИК спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений / К. Накамото. М. : Мир, 1991. - 536 с.

162. Томина Е. В. Окисление пленок ванадия на подложке из 1пР / Е. В. Томина, И. Я. Миттова // Неорганические материалы. 2005. - Т. 41, №. З.-С. 263-267.

163. Сухочев А. С. Твердофазные взаимодействия при термическом окислении структур ё-металл/ваАБ / А. С. Сухочев, Е. В. Томина // Всероссийская конференция «Химия твердого тела и функциональные материалы 2004». - Екатеринбург, 2004. - С. 273.

164. Сухочев А. С. Термическое окисление структур Ре/ваАз / А. С. Сухочев, Е. В. Томина // Материалы IV Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2004. -С. 16-18.

165. Попов В. Ф. Процессы и установки электронно-ионной технологии / В. Ф. Попов, Ю. Н. Горин. М.: Высш. шк., 1988. - 328 с.

166. Миттова И. Я. Совместное воздействие оксида ванадия и аммиака на термооксидирование арсенида галлия / И. Я. Миттова, С. С. Лаврушина,

167. A. А. Муратов //ЖНХ.-2003. -Т. 48, №. 10.-С. 1609-1612.

168. Лидин Р. А. Константы неорганических веществ. Справочник / Р. А. Лидин, Л. Л. Андреева. М.: Дрофа, 2003. - С. 685.

169. Миттова И. Я. Получение диэлектрических пленок на ваАв в присутствии оксида сурьмы в газовой фазе / И. Я. Миттова,

170. B. В. Васильева // Изв. АН СССР. сер. неорган, матер. 1988. - Т. 24, №. 4. -С. 538-541.

171. Миттова И. Я. Трехкомпонентные композиции системы РЬ0-8Ь203-В1203 как хемостимуляторы процесса термооксидирования ваАз / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // ЖНХ. 2003. - Т. 48, №. 1,-С. 46-51

172. Крылов О. В. Неравновесные процессы в катализе / О. В. Крылов, Б. Р. Шуб. М. : Наука, 1990.-288 С.