Физико-химические особенности халькогенидов цинка и сульфида меди при формировании гетероперехода в электролюминофорах постоянного тока тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ЕЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Механизмы возбуждения электролюминесценции

1.1.1. Особенности электролюминесценции постоянного поля

1.2. Этапы синтеза ЭЛПТ-структуры. Влияние различных факторов на люминесцентные свойства

1.2.1. Физико-химические основы синтеза матрицы ЭЛПТ.

1.2.2. Природа центров свечения

1.2.3. Этап формирования второй фазы

1.2.4. Формовка - как конечный этап формирования электролюминесцентного гетероперехода

1.2.5. Полупроводниковая природа сульфида меди

1.2.6. Некоторые аспекты взаимодействия основы и проводящей фазы

ЕЛАВА 2. ИСХОДНЫЕ ВЕЩЕСТВА, МЕТОДИКИ СИНТЕЗА И

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Исходные вещества

2.2. Методика синтеза полупродукта ЭЛПТ

2.2.1. Синтез полупродукта ЭЛПТ состава ZnS:Mn, Си.

2.2.2. Синтез полупродукта ЭЛПТ состава Zn(S,Se, Те):Мп

2.3. Методика нанесения второй фазы

2.4. Методы физико-химического анализа

2.4.1. Измерение гранулометрического состава

2.4.2. Рентгенофазовый анализ

2.4.3. ЭПР - исследования.

2.5. Методы измерения светотехнических характеристик

2.6. Методы измерения спектральных характеристик

ГЛАВА 3. ИЗУЧЕНИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

СИСТЕМЫ ZnS.Mn, Си - Cu2.xS

3.1. Взаимодействие основы и проводящей фазы на стадии получения двухфазной системы ЭЛИТ

3.2. Схема механизма влияния влаги на деградационные процессы в ЭЛИТ

3.3. Изучение влияния среды в процессе формирования проводящей фазы ЭЛПТ на электролюминесцентные свойства структуры

3.3.1. Изучение действия уксусной кислоты на формирование электролюминесцентного гетероперехода

3.3.2. Влияние гидроксида цинка на электрофизические и спектральные характеристики ЭЛПТ

3.4. Влияние отклонения от стехиометрии сульфида меди на электролюминесцентные свойства ЭЛПТ

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ

Zn(S,Se,Te) :Мп

4.1. Синтез электролюминесцентных композиций на основе тройной системы халькогенидов цинка Zn(S,SeyTe)

4.2.Особенности взаимодействия основы и проводящей фазы в электролюминесцентной системе Zn(S,Se,Te) :Мп.

4.2.1. Светотехнические характеристики тройной халькогенидной электролюминесцентной системы

4.2.2. Анализ факторов, оказывающих влияние на яркостно-временные характеристики тройной халькогенидной системы ЭЛПТ.

ВЫВОДЫ

Прогресс в области полупроводникового приборостроения требует постоянного поиска новых материалов с необходимыми заданными свойствами. Среди них наибольший интерес вызывают соединения А1' В] 1 и их твердые растворы, по которым ведутся самые разносторонние исследования, в том числе, изучаются и их люминесцентные свойства.

Результаты изучения физико-химической природы люминофоров приводят не только к улучшению их качества, но и к обнаружению новых областей их применения, а также установлению закономерностей, распространение которых на другие классы твердых тел значительно расширяет возможности управления их свойствами [1].

Явление электролюминесценции широкозонных полупроводников, в которых энергия электрического поля преобразуется в свет, используется в различных оптоэлектронных приборах. Поэтому, исследование электролюминесценции важно как для практического ее использования, так и для изучения фундаментальных физических процессов, протекающих в полупроводниковых структурах.

Современной промышленности и технике требуются различные оптоэлектронные изделия, в частности, устройства отображения информации (УОИ), среди которых особое место занимают УОИ на основе порошковых элекролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем -электролюминофоры постоянного тока (ЭЛПТ).

Плоская твердотельная конструкция, малая потребляемая мощность, высокий коэффициент крутизны вольт-яркостной характеристики, более низкая цена по сравнению с широко распространенными тонкопленочными элекролюминесцентными матричными экранами свидетельствует о перспективности промышленного применения данных УОИ.

Однако, в реализации подобных изделий существуют проблемы, требующие разрешения. Это, в первую очередь, стабилизация светотехнических характеристик и расширение диапазона цветности излучения.

Создание эффективных приемлемых электролюминофоров, являющихся сложной полупроводниковой структурой, требует всестороннего изучения физико-химических особенностей их синтеза на основе исследования характера физико-химического взаимодействия компонентов электролюминесцентной системы.

В соответствии с этим, целью работы являлось изучение особенностей взаимодействия халькогенидов цинка, как основы ЭЛПТ с проводящей фазой сульфида меди и проведение сравнительного анализа отклика халькогенидных электролюминесцентных систем на варьирование условий формирования электролюминесцентной гетероструктуры.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи исследования: изучение взаимодействия компонентов электролюминесцентной гетероструктуры ZnS:Mn, Cu-Cu2.xS; исследование электролюминесцентных композиций на основе тройной системы халькогенидов цинка; изучение особенностей взаимодействия халькогенидной основы и проводящей фазы в электролюминесцентной системе Zn(S,Se,Te):Mn.

Научная новизна: построена модель химизма участия влаги в процессах формирования и распада электролюминесцентных гетеропереходов в ЭЛПТ; выявлена и показана роль гидроксида цинка, как дополнительного компонента электролюминесцентной системы, способного оказывать как отрицательное, так и положительное влияние на деградационные процессы в электролюминофорах; впервые разработан метод формирования фазы сульфида меди на поверхности цинксульфидного люминофора из растворов солей меди(П) в «ледяной» уксусной кислоте; обоснована роль ионных процессов в деградационных явлениях ЭЛ-систем.

Практическая значимость работы: разработаны методы нанесения проводящей фазы на поверхность электролюминофоров, способствующие формированию эффективной электролюминесцентной системы с повышенной стабильностью; синтезирована электролюминесцентная система на основе Zn(S,Se,Te):Mn, способная эффективно излучать в красно-оранжевой области спектра; обнаружено наличие в ЭЛПТ состава Zn(S,Se,Te):Mn дефектной структуры, не проиндицированной методом РФА, что может являться самостоятельным направлением исследований.

Основные положения, выносимые на защиту: данные экспериментальных работ по исследованию механизма влияния влаги и дополнительного компонента электролюминесцентной структуры Zn(OH)2 на деградационные явления в ЭЛПТ; влияние нестехиометрии сульфида меди - проводящей фазы на светотехнические характеристики ЭЛПТ; данные экспериментальных работ по синтезу тройной системы халькогенидов цинка - как материала для электролюминесцентных композиций, излучающих в красно-оранжевой области спектра при активации марганцем; результаты анализа факторов особенностей взаимодействия основы и проводящей фазы в ЭЛПТ, оказывающих влияние на светотехнические характеристики системы Zn(S,Se,Te):Mn.

Апробация работы.

Основные результаты исследований были доложены на Всероссийской межвузовской научно-технической конференции аспирантов и студентов «Микроэлектроника и информатика - 98» (Зеленоград, 1998, работа удостоена III места в конкурсе работ аспирантов); на научно-методической конференции 7

Окружающая среда и человек» (Ставрополь, 1998); на научно-методической конференции «Университетская наука - региону» (Ставрополь, 1999); на Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 2000); на 6-ой Международной конференции «Пленки и покрытия'2001» (г. Санкт-Петербург, 2001); на Всероссийской научно-практической конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск,2001). Публикации.

Материалы диссертационной работы опубликованы в 13 работах, в том числе 3 статьях и 10 тезисах докладов.

Объем и структура работы. Диссертационная работа изложена на 142 страницах машинописного текста, иллюстрируется 47 рисунками и 19 таблицами, состоит из введения, 4 глав, выводов и списка цитируемой литературы из 118 наименований.

ВЫВОДЫ

1. Рассмотрен механизм влияния влаги на процессы формирования и распада электролюминесцентных гетеропереходов в ЭЛПТ. С помощью РФА, электронно-микроскопического, химического и спектрального анализов выявлена и показана роль гидроксосоединений на границе раздела фаз, образующихся при формировании гетероструктуры.

2. Впервые разработан метод формирования второй фазы в среде «ледяной» уксусной кислоты, способствующий образованию ЭЛ-структуры повышенной стабильности.

3. С помощью разработанного метода показано положительное влияние ослабления токов, протекающих через ЭЛ-систему на диффузионные процессы в ЭЛПТ, и как следствие стабильность излучения.

4. Показано, за счет увеличения содержания ионов меди(1) в процессе осаждения сульфида меди в условиях электрогенерации, отодвигается во времени переход Cu2S —> CuS. В результате чего электролюминесцентная система стабилизируется, но при этом наблюдаются высокие значения силы тока, проходящего через систему.

5. Синтезирована ЭЛ-композиция на основе тройной системы халькогенидов цинка, излучающая в красно-оранжевой области видимого спектра при активации марганцем.

6. Изучены особенности взаимодействия основы и проводящей фазы в ЭЛ-системе Zn(S,Se,Te):Mn. Показано, для данной системы ввиду большего гранулометрического состава требуется увеличение массовой доли второй фазы, что удалось получить при использовании водных растворов солей меди(Н) и электрогенерацией меди(1).

131

1. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. - М.:

2. Высшая школа, 1971. 336 с.

3. Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценцииполупроводником. М.: Мир, 1999. - 220 с.

4. Электролюминесценция кристаллов. И.К. Верещагин. Монография. — М.:1. Наука, 1974. 22с.

5. Верещагин И.К., Косяченко Л.А., Ковалев А.Б., Кокин С.М.

6. Электролюминесцентные источники света / Под ред. Верещагина И.К. -М.: Энергоиздат, 1990. 168 с.

7. Казанкин О.Н. и др. Электролюминесценция фосфоров ZnS:Mn впостоянном поле //Оптика и спектроскопия, 1959. Т.7. - №6. - С.776-779.

8. Destriau G. Recheres sur les scintillations des sulphures de zinc auxrayons// Y.

9. De Chimie Phys., 1936. V.33. -P.587.

10. Vecht A., Werring N.J., Ellis R., Smith P.J.F. Materials control and DCelectroluminescence in ZnS:Mn,Cu,Cl powder phosphors //Brit. J. Appl. Phys., 1969. V.2. - P.953-966.

11. Горбачев B.B. Полупроводниковые соединения A2IBVI. M.: Металлургия,1980.- 132 с.

12. Ковалев Б.А. Люминесцентный метод анализа фазы Cu2.xS в электролюминофорах//Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1986. -Т.22. №3. - С.514-516.

13. Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов. М.,1974. - 364 с.

14. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов /Под ред О.М. Полторака: пер. с англ. М., 1969. - 654 с.

15. Патент 1452890 Великобритания. Improvements in or relating to electroluminescencent substances /А. Vecht, M.S. Waite. Заявл.01.09.1972.

16. Kawarada H., Ohoshima N. DC-EL materials and techniques for flat-panel TV display //Proc. IEEE, 1973.-V.61.- №7. P.907-915.

17. Казанкин O.H., Королев А.Л., Паранин Г. А., Пекерман Ф.М. Электролюминофоры, возбуждаемые постоянным электрическим током //Светотехника, 1976.- №12.-0.3-4.

18. Синельников Б.М., Лапин А.П., Синельникова Э.М., Голота А. А. Изготовление электролюминофоров постоянного тока с оптимальными характеристиками. //В сб. «Люминесцентные материалы и особо чистые вещества». Ставрополь, 1976. - Вып. 14. - С.61-66.

19. Morello V., Onton A. Dependence of electroluminescence efficiency and memory effect on Mn-concentration in ZnS:Mn actual devices //IEEE Transaction on Electron Devices, 1980. V.27. - №9. - P. 1767-1770.

20. Пронь Г.Ф., Легойдо H.B., Шапошникова O.H. Разработка технологии получения люминофора с синим цветом свечения бессероводородным способом //Рефер.сб.: Химия и технология люминофоров и чистых неорганических материалов. М., 1981. - Вып.4. - С.2-3.

21. Ковалев Б.А., Буков В.И. Установка для синтеза люминофоров для отображения информации //В кн.: Тез. докл. на Всерос. совещании «Синтез, свойства, исследования и технология люминофоров для отображения информации, Ставрополь, 1992. С.207.

22. Койбаева И. А. Физико-химические основы технологии синтеза электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем /Дис.:. канд.хим.наук. Ставрополь, 1994. - 187 с.

23. Itoh Y., Katoh К., Hirobayashi К., Murase К. The relation between lattice-parameter and particle size in ZnS:Cu phosphor //Appl. Phys., 1981. 26. -P.227-230.

24. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. -М.: Наука, 1979,-340с.

25. Физика и химия соединений AnBVI. М.: Мир, 1970. -624 с.

26. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: Справочные таблицы. М.: Воениздат, 1982. -208 с.

27. Жиров Н.Ф. Люминофоры /Под ред. С.И. Вавилова и В.Я. Свешникова. -М., 1940.-478 с.

28. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука, 1987. -220 с

29. Ambardekar D.S. Phase junctions in electroluminescent ZnS //Indian Journal of Chemistry, 1971. V.9. - №1. - P.59-62.

30. Vecht A. Electroluminescent displays //Vac. Sci. Technol., 1973. V.10. -№5. -P.789-795.

31. Skolnick M.S. Time resolved DC-electroluminescence in ZnS:Mn,Cu powder phosphors //J. Phys. D. Appl. Phys., 1981. №14. - P.301-322.

32. Wlasenko N.A., Zynio S.A., Koputko Vn.V. The effect of Mn concentration on ZnS:Mn //Electroluminescence Decay Physika Status Solide, 1975. - V.29. -№5. - P.671-676.

33. Накамото Ю., Мияте Н., Миякэ К. Электролюминесценция в люминофорных слоях ZnS:Mn //Ямагути дайгаку когакубу кэнкю хококу, 1981. Т.32. - №1. - С.189-194.

34. Abdala M.J., Godin A., Noblanc J.P. DC-electroluminescence mechanisms in ZnS devices //J. Luminescence, 1979. V.18/19. - №2. - P.743-748.

35. Лапин А.П., Бляхман Э.А., Подколзина T.M. Характеристики фракционированных люминофоров //В кн.: Люминесцентные материалы и особо чистые вещества/ ВНИИ люминофоров, Ставрополь, 1975. Вып. 14.- С.127-131.

36. Чжоу Л., Ло С. Электролюминесценция порошка ZnS:Mn,Cu при возбуждении постоянным током //Фагуан юй сяньши,1985. Т.6. - №4. -С.358-368.

37. Лысенко В.В. Исследование электро люминофоров постоянного тока //Радиопромышленность, 1991. №11. - С.20-27.

38. Синельников Б.М. Электролюминофоры постоянного тока. Ставрополь: Пресса, 1995.- 150 с.

39. Сюань Л., Ло С. Порошкообразные электролюминофоры постоянного тока на основе ZnS:Mn, изготовленные в атмосфере НС1 //Фагуан сюэбао, 1987.- Т.8. -№3. С.216-225.

40. Горбань А.Н., Добрун А.П., Фок М.В. Механизм электролюминесценции пленочных структур CU2S ZnS:Cu,Mn,Cl -А1, работающих на постоянном токе //Ученые записки ТГУ. - Тарту,1988. - Вып.830. - С.37-59.

41. Vecht A., Waite М., Higton М.Н., Ellis R. DC-electroluminescence in alkaline earth sulphides //J. Luminescence, 1981. V.24/25. - P.917-920.

42. Патент 1581830 Великобритания.1тргоуете^з in or relating to phosphors / M.Higton, A.Vecht. Заявл. 01.06.1976.

43. Higton M., Vecht A., Mayo J. Blue, green and red DCEL display developments //SID Int. Symp., digest of techn. papers, 1978. P.136-137.

44. Bhushan S., Chandra F.S. AC and DC Electroluminescence in CaS:Cu,Sm phosphors //Pramana, 1985. V.24. - №4. - P.575-582.

45. Jones T.C., Park W., Summers C.J. A two component phosphor approach for engineering electroluminescence phosphors //Appl. Phys. Lett., 1999. V.75. -№16.-P. 2398-2400.

46. Vecht A. DC-electroluminescence in zinc sulphide and related compounds //J. Luminescence, 1973. V.7. -P.213-227.

47. Vecht A.,Werring N.J., Ellis R., Smith P.J.F. Further studies in DC-electroluminescencent phosphors//J. Phys.D: Appl. Phys., 1970. V.3. -№11.-P.165-167.

48. Василенко В.В., Комиссарова О.А., Кривошеева Л.Н., Ищенко В.М. Влияние содержания теллура на спектральные характеристики Zn(S| хТе):Мп: Тез. докл. науч.-метод, студ. конф. "Окружающая среда и человек" Ставрополь, 1996. - С.47-49.

49. Benalloul P., Benoit J., Geoffroy A., Yebori D., Bilewicz R., Busse W., Gumlich H.-E., Rebentisch R. Thin film electroluminescence of ZniyMnxSi.vTev //J. of Crystal Growth, 1990. V. 101.- P.976-980.

50. Кривошеева J1.H. Синтез и физико-химические исследования порошковых электролюминесцентных материалов на основе халькогенидов цинка. Дис. канд.хим.наук. Ставрополь, 1999. - 113 с.

51. Патент 1353143 Великобритания. Improvements in relating to electroluminescent devices /Vecht A., Werring N.J., Ellis R., Smith P.J.F. Заявл. 01.06.1971.

52. Шахмалиева С.Ш. Синтез и физико-химические исследования электролюминесцентных материалов на основе сульфида цинка. Дис. канд.хим.наук. Ставрополь, 2001. - 146 с.

53. Сикора С.И., Попович В.Ю., Моргун Н.В. Исследование характеристик электролюминофоров //Радиопромышленность, 1991. Т. 11. - С.28-32.

54. Duruy N., Brunei С., Thomas J. Ecrans plats electroluminescents a excitation unidirectionnelle //Le Vide, les Couches Minces, 1984. V.39. - №2. - P.233-237.

55. Lawter C., Anad K. Physical mechanism of current condition and light emission in high-resistivity ZnS:Mn thin films //Phys. Stat., 1977. sol.(a) 44, 313. -P.313-323.

56. Андреев А.И., Васильченко В.П. Природа формовки электролюминесцентных конденсаторов постоянного поля //Ученые записки ТГУ, Тарту, 1978. Вып. 466. - С.31-41.

57. Chong Kuochu, Chahg Asingi. Excitation mechanismin DC electroiuminescenge of V203. Eu sintered slice und ZnS:Cu, Er, CI thin film ageing and forming processes //J. of Luminescences, 1979. V.18/19. - P.913-916.

58. Вергунас Ф.И., Гущин M.H., Лурье В.И. К теории деградации гетеропереходов CuxS ZnS:Mn //Микроэлектроника, 1981. - Т. 109. -Вып.З. - С.235-239.

59. Mohamed I., Abdalla, Godin A., Brenac A., Noblanc J-P. Electrical conduction and degradation mechanisms in powder ZnS:Mn,Cu direct current electroluminescent devices //IEEE Transactions on electron devices, 1981. V. ED-28. - №6. - P.689-693.

60. Ковалев Б.А., Верещагин И.К., Цюрупа О.Б. Изменение модификации фазы CuxS при старении электролюминофоров //Тез. докл. Всесоюз. совещ. «Синтез, свойства, исследования и технологии люминофоров для отображения информации». Ставрополь, 1982. - 127 с.

61. Chadha S.S., Vecht A. On the mechanism of forming and degradation in DCEL-panels //"Electroluminescence: Proc. 4th Int. Workshop, Tottori, 11-14 Oct.1988", Berlin, 1989. P.337-341.

62. Саутиев А.Б. Исследование путей повышения эксплуатационных характеристик матричных экранов на основе электролюминофоров постоянного тока /Автореферат дис. на соискание уч. степени к.т.н. /Ставрополь, 1994.-23 с.

63. Георгобиани А.Н., Стеблин В.И. Рекомбинационное излучение р-п-перехода на сульфиде цинка //ФТП, 1967. Т. 1. - №6. - С.934-935.

64. Nakayama N. Electrical and optical properties of Cu2.xS (0 < x < 0,2)S //Phys. Soc. Japan, 1968.-V.25,- №1.-P.290.

65. Weiss K. Ber. Runsenges Phys. Chem., 1969. - V.73. - P.338-344.

66. Morimoto N., Koto К. Phase relations of the CuS system at low temperaturs: stability of anilite //The American Mineralogist, 1970. V.55. - P.106-110.

67. Luget H., Guastavono F., Bouynot J., Vaissiere I.C. Etude du systeme CuS dans ce domaine Cuj.78S CuS par analyse thermiqie differentielle //Materials Resarch Bulletin, 1972. - V.7. - №9. - P.955-962.

68. Wagner J.B., Wagner C.Z. Investigations on cuprous sulfide //J. Chem. Phys., 1975.-V.26. -№6.-P. 1602.

69. Абрикосов H.X., Банкина В.Ф., Порецкая JI.B. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. - 218 с.

70. Глазов В.М., Бурханов А.С., Грабчак Н.М. Полупроводниковые халькогениды меди и серебра. М.: ЦНИИ «Электроника», 1977. - Вып. 6. -66 с.

71. Асадов Ю.Г., Гасымов Г.Б., Исмайлов Д.И., Джафаров Н.М., Шильников

72. B.И. Структурные переходы в монокристаллах дигенита Cui^S //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1983. Т.21. - №11. - С.1852-1855.

73. Горбачев В.В. Нестехиометрические полупроводниковые соединения типа A2'Bvi //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1981. Т. 17. - №9.1. C.1558-1561.

74. Горбачев В.В. Электронно-ионные процессы в полупроводниковых соединениях A2'Bvi и пути управления свойствами на их основе. Дис. докт.физ.наук. - М.: МИСиС, 1985.

75. Горбачев В.В., Мустафаев Гас.А., Мустафаев Гус.А. Получение и исследование Cu2„xBVI методом массопереноса в твердой фазе //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1981. Т. 17. -№10. - С. 1753-1755.

76. Кантария Р.В., Павелец С.Ю. Энергетическая зонная диаграмма гетеропереходов p-Cu2.xS n-CdS //ФТПД978. -Т.12.-В.6.-С.1214-1217.

77. Горбачев В.В. Модель энергетического рельефа и природа физических свойств в халькогенидах меди и серебра //Неорганические материалы, 1992. Т.22. - №12. - С.2310-2316.

78. Мамедов К.П., Сулейманов З.И, Заманова Э.Н., Искендеров С.О. Термографическое исследование сульфидов меди //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1979.-Т.15.- №7. С.1165-1167.

79. Якшибаев Р.А., Конев В.Н., Есина В.А., Кочеткова А.А. Исследование диффузионных явлений в халькогенидах меди //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1981. Т.17. - №12. - С.2150-2154.

80. Горбачев В.В. Исследование строения валентной зоны нестехиометрических халькогенидов меди методами рентгеноспектрального и рентгеноэлектронного анализов //Неорганические материалы, 1994. ТЗО. - №3. - С.332-335.

81. Сорокин Г.П., Идричан Г.З. Ширина запрещенной зоны Cu2Se, Cu2Te, Cu2S //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975. Т.П. - №2. - С.351-352.

82. Ермоленко Ю.Е. Электрофизические свойства a-Cu2xS. «Химия и физика твердого тела. Ч.2.», ЛД980 (Рук. деп. в ОНИИТЭХИМ, г.Черкассы, 9 окт. 1980.-№870 хп-Д80).

83. Djurles/ Acta Chem. Scand., 1958. - V. 12. - P. 1427.

84. Buerger N.W. Amer Miner., 1944. - V.39. - P.504.

85. Ueda R. J. Phys. Soc. Japan., 1949. - V.4. - P.10.

86. Rahlfs P.Z. Phys. Chem., 1963. - V. 141. - P.276.

87. Buerger M.I., Wuensch B.I. Science, 1963. - V.141. - P.276.

88. Skinner B. J. Econ. Geol., 1966. - V.61. - P.l.

89. Конев B.H., Кудинова B.A. Электрофизические свойства халькогенидов меди с отклонением от стехиометрии//Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1973.-Т.9.- №7 С.1132

90. Виндревич М.Б., Урицкая А.А., Хаимова И.М., Китаев Г.А. Исследование сульфидов меди разных степеней окисления методом вольтамперометрии с пастовым электродом //Изв. АН СССР. Неоганические материалы, 1983. -Т.19. №1. - С.16-19.

91. Лапин А.П., Переверзева Г.М. Влияние способа нанесения сульфида меди на некоторые характеристики люминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. -В сб. «Люминесцентные материалы и полупродукты для них». Ставрополь, 1978. - Вып.17. - С.30-32.

92. Синельников Б.М. Механизм «быстрого» старения электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем// Электронная техника, 1985. Вып.3(202). - С. 22-25.

93. Синельников Б.М., Танаев А.Н. Исследование механизма старения порошковых электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. Черкассы, 1979. - 14 с.

94. Синельников Б.М. Роль электрохимических превращений в процессе старения электролюминофоров. Черкассы, 1979. - 5 с.

95. Синельников Б.М. Деградационные процессы в электролюминофорах, возбуждаемые постоянным электрическим полм// Электронная техника, 1985. Вып.7(206). - С.50-52.

96. Куприянов В.Н. Влага и миграционные процессы в электролюминесцентных устройствах// Петербургский журнал электроники, 1997. №1. - С. 38-46.

97. Синельников Б.М., Шикунова С.Т. Изучение механизма деградации яркости и путей повышения стабильности электролюминофоров,возбуждаемых постоянным электрическим полем.: Тез. докл. VI Всесоюз. конф. по электролюминесценции Днепропетровск, 1977. - С.61.

98. Заплешко Н.Н., Гугель Б.М., Данилов В.П. Электронномикроскопическое исследование электролюминофора на основе ZnS:Cu-B сб. «Люминесцентные материалы и особо чистые вещества». Ставрополь, 1970. - Вып.4. - С.42-47.

99. Одрит Л., Клейнберг Я. Неводные растворители. Использование в качестве среды для проведения химических реакций. М.: И.Л., 1958. - 218 с.

100. Михеева Л.В., Кривошеев Н.В. Влияние примеси железа на оптические свойства пленок и спектры поглощения порошков фтористого магния. В сб.: Методы получения люминофоров и сырья для них.-Черкассы, 1980. -Вып.19. - С.55-59.

101. Годик Э.Э., Ормонт Б.Ф. О применимости метода спектров диффузного отражения для определения ширины запрещенной зоны Еф0Т на порошкообразных образцах. //Физика твердого тела, 1960. Том II. -№12. - С.3017 - 3019.

102. Перельман В.И. Краткий справочник химика. М.-Л.: Химия, 1964. - 333 с.

103. Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений АИВУ1. Киев: Наукова думка, 1982. - 167 с.

104. Ершов Б.Г. Ионы металлов в необычных и неустойчивых степенях окисления и стадийность электрохимических реакций// АН СССР. Успехи химии, 1981. Том L. - Вып.12. - С.2137-2166.

105. Оболончик В.А. Селениды. М.: Металлургия, 1972. - 296 с.

106. Восканян А.А., Инглизен П.Н., Шевченко Я.М., Шмакова Т.Б. Влияние характера теплового поля на электрические свойства селенида меди //Физика и техника полупроводников, 1980. Т. 14. - №4. - С.804.

107. Синельников Б.М., Саутиев А.Б., Каргин Н.И., Койбаева И.А. Твердотельная панель на основе ЭЛПП с повышенной стабильностью: Тез.142докл.УП Всесоюз. I Междун. совещ. «Физика, химия и технология люминофоров. Люминофор -92». Ставрополь, 1992. - С.218.

108. Кокин С.М. Электродиффузионные процессы и другие явления, определяющие характеристики электролюминесцентных источников света //Автореферат дис. на соискание уч.степени д.ф-м.н. /Москва, 1996. 38 с.