Фотостимулированные кинетические и акустоэлектронные эффекты в полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.02 ВАК РФ

Введение

Г л а в а I. ФОТОСТИМУЖРОВАННЫЕ КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ

ПРИ МЕЖДУЗОННОМ ПОГЛОЩЕНИИ СВЕТА

§ I. Влияние оптического выстраивания импульсов и фотогальванического эффекта на кинетические явления в полупроводниках (введение)

§ 2. Фототок и поперечная фотоэдс в нецентросимметричных полупроводниках . in

§ 3. Фотостимулированные гальваномагнитные эффекты в центросимметричных кристаллах при межзонном поглощении света

§ Магнитные осцилляции фотогалыанического тока в полупроводниках р- Ga As

§ 5. Магнитные осцилляции фототока в полупроводниках типа р- OaAs. hH

§ б. Токовый механизм возникновения анизотропной фотопроводимости в полупроводниках р-типа

Выводы. Чв

Глава П. ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ

ПРИ ВНУТРИ30НН0М ПОГЛОЩЕНИИ СВЕТА

§ 7. Воздействие сильной электромагнитной волны на кинетические свойства полупроводников введение).

§ 8. Фотостимулированные поперечная фотоэдс и нечетное магнетосопротивление при квазиупругом механизме рассеяния

§ 9. Фотостимулированные поперечная фотоэдс и нечетное магнетосопротивление при сильно неупругом рассеянии на оптических фононах

§ 10. Влияние интенсивного лазерного излучения на классический циклотронный резонанс . 75"

§ П.Фотостимулированный радиоэлектрический эффект в полупроводниках.

§ 12.0 многофотонном поглощении света в полупроводниках . $

Выводы.

Глава Ш. ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

§ 13. Введение.

§ 14. Межзонные фотоакустоэлектронные эффекты в полупроводниках

§ 15. Магнитные осцилляции акустоэлектронного тока и "бесполевого" усиления звука в полупроводниках типа p-G-aAs.-.

§ 16. Усиление гиперзвука фотоэлектронами в квантующем магнитном поле. ЮЗ

§ 17. Усиление гиперзвука на свободных носителях в поле сильной электромагнитной волны

Выводы.

Глава 1У. ТЕОРИЯ АКУСТОГАЛЬВАНИЧЕОКОГО (В ТОМ ЧИСЛЕ

ФОТОСТИМУЛИРОВАННОГО) ЭФФЕКТА . №

§ 18. Введение. ИЦ

§ 19. Акустогальванический эффект в сегнетоэлектри

§ 20. Акустоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках

§ 21. Фотостимулированные фото- и акустогальванический эффекты.

Выводы

В данной диссертационной работе исследуются неравновесные фотостимулированные (ФС) кинетические и акустоэлектронные эффекты в полупроводниках, помещенных в поле линейно поляризованной электромагнитной волны (ЭМВ). В отличие от других работ, где ФС кинетические и акустоэлектронные эффекты исследованы в центросимметричных кристаллах при внутризонном поглощении света (см., например, обзор [1] ), в данной работе такие эффекты впервые исследуются при междузонном поглощении света как в центросимметричных, так и нецентросимметричных кристаллах. Актуальность круга вопросов, исследуемых в данной работе обусловлена следующими причинами:

Во-первых, вырос уровень лазерной техники, появляется все больше мощных источников излучения в широком диапазоне частот,

ТТ т от оптических до 10 с .

Во-вторых, большая точность электрических измерений, которые дополняют оптические измерения, дает богатую информацию как о зонной картине и параметрах полупроводника, так и о процессах, происходящих в нем.

В-третьих, исследование ФС кинетических и оптических эффектов, в принципе, дает новые возможности преобразования или непосредственного использования энергии подсветки (в частности, Солнца) (например, путем преобразования ее в постоянный фототок, звук и др.).

Известно, что при облучении электронная подсистема в образце сильно отклоняется от состояния равновесия с термостатом неравновесное состояние), кроме этого, если подсветка поляризованная, она наводит в изначально изотропной системе дополнительную анизотропию. Именно эти два условия являются необходимыми предпосылками для возникновения тех факторов, которые в отсутствие ЭМВ запрещены законами сохранения и/или принципом симметрии кинетических коэффициентов. Особый интерес к таким ФС эффектам в последнее время связан еще с обнаруженными двумя замечательными явлениями: I) фотогальванический эффект (ФГЭ) - возникновение постоянного тока при однородном освещении светом не-центросимметричных образцов [2, з]; 2) оптическое выстраивание импульсов (ОВЙ) горячих фотоэлектронов при межзонных переходах [4,5]. Именно эти два явления наряду с токоиндуцированной асимметрией электрофотонного взаимодействия (см. § 6) в диссертации рассматриваются как основные механизмы, приводящие к ФС кинетическим и акустоэлектронным эффектам.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, и списка литературы. Каждая глава начинается с введения и заканчивается выгодами.

Выводы

1. Построена теория акустогальванического эффекта: возникновение в кристаллах без центра симметрии акустоэлектрического тока, четного по волновому вектору звука <f .

2. Рассчитан акустогальванический ток в сегнетоэлектриках в случае, когда основным механизмом рассеяния является взаимодействие увлекаемых звуком электронов с асимметрично расположенными примесями.

3. Вычислен акустоиндуцированный ФГ ток (или фотостимулиро-ванный акустогальванический ток) в случае, когда электрон-фотонное взаимодействие является не центросимметричным.

4. Показано, что в поле двух линейно поляризованных 8MB при определенных соотношениях между частотами (например, при <£o.)i рассеяние электронов на фононах становится асим-1 * у метричным. В этом случае рассчитаны фотостимулироЕанные ФГ и АГ токи.

1. Эпштейн ЭЛЛ. Воздействие сильной электромагнитной волны на электронные свойства полупроводников. - Изв. вузов, Радиофизика, 1975 , т. 18, № б, с. 785-811.

2. Белиничер В.И., Стурман В.И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии. УФН, 1980, т. 130, № 3,с.415-458.

3. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках. В кн.: Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980, с. 275-293.

4. Захарченя В.П., Мирлин Д.Н., Перель В.И., Решина И.И. Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках. УФН, 1982, т. 136, № 3, с. 459-499.

5. Караман М.И., Мушинский В.П., Шмелев Г.М. Обнаружение поперечной фотоэдс, зависящей от поляризации возбуждающего света.-ЖТФ, 1983, т. 53, Ш б, с. II98-I200.

6. Магарилл Л.И., Энтин М.В. Фотогальванический эффект в пленках. ФТТ, 1979, т. 21, 1й 5, с. 1280-1286.

7. Альперович В.Л., Белиничер В.И., Новиков Б.Н., Терехов А.С. Поверхностный фотогальванический эффект в арсениде галлия. -Письма в 1ЭТФ, 1980, т. 31, № 10, с. 581-584.

8. Альперович В.Л., Белиничер В.И., Новиков Б.Н., Терехов А.С. Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах. Теория и эксперимент для межзонных переходов в арсениде галлия. КЭТФ, 1981, т. 80, № б, с. 2298-2312.

9. Данишевский A.M., Кастальский А.А., Рыбкин С.М., Ярошец-кий И.Д. Увлечение свободных носителей фотонами при прямыхмежзонных переходах в полупроводниках. ЯЭТФ, 1970, т. 58, № 2, с. 544-550.

10. Рыбкин О.М., Ярошецкий. И.Д. Увлечение электронов фононамив полупроводниках. В кн.: Современные проблемы физики. Л., наука, 1980, с. 173-185.

11. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. -М.: Наука, 1982.

12. Вир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и доформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972.

13. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979.

14. Белиничер В.И., Канаев И.Ф., Малиновский В.К., Стурман Б.И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках. Автометрия, 1976, т. , № 4, с. 23-28.

15. Белиничер В.И., Малиновский В.К., Стурман Б.И. Фотогальванический эффект в кристаллах с полярной осью. ЖЭТФ, 1977,т. 73, № 8, с. 692-699.

16. Белиничер В.И., Ивченко Е.Л., Стурман Б.И. Кинетическая теория сдвигового фотогальванического эффекта в пьезоэлектри-ках. ЖЭТФ, 1982, т. 83, Ш 8, с. 649-661.

17. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванические эффекты в кристаллах без центра инверсии. Материалы X зимней школы пофизике полупроводников. Л., 1984, с. .

18. Альперович В.Л., Белиничер В.И., Мошенко С.П., Новиков В.Н., Терехов А.С. Баллистические фототоки и рассеяние импульса электронов в арсениде галлия. Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку 1982, т. I, с. 88-89.

19. Леванюк А.П., Погосян А.Р., Уюкин Е.М. Аномально большие фотохолловские токи в кристаллах ниобата лития. ДАН СССР, 1981, т. 256, Ш I, с. 60-63.

20. Попов Б.Н., Фридкин В.М. Магнитофотовольтаический эффект, в кристаллах без центра симметрии. ДАН СССР, 1981, т. 256,1. Ш I, с. 63-65.

21. Фридкин В.М., Лазарев В.Г., Левин Ю.Э., Родин А.И. Подвижность нетермализованных носителей в кубическом пьезоэлектри-ке ZrvS . ФТТ, 1983, т. 25, № II, с. 3402-3406.

22. Погосян А.Р., Попов Б.Н., Уюкин Е.М. Природа фотопроводимости и анизотропия подвижностей фотоэлектронов в UN^03:Fe. -ФТТ, 1982, т. 24, № 9, с. 2551-2557.

23. Альперович В.Л., Мощенко С.П., Терехов А.С. Механизмы влияния магнитного поля на баллистические фототоки. ФТТ, 1983, т. 25, № 9, с. 2780-2782.

24. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Влияние магнитного поля на линейный фотогальванический эффект. В кн.: Одиннадцатое совещание по теории полупроводников. Тезисы докладов. Ужгород, 1983, с. 222-223.

25. Ивченко Е.Л., Лянда-Геллер Ю.Б., Пикус Г.Е., Расулов Р.Я. Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках. ФТП, 1984, т. 18, № I, с. 93-101.

26. Дымников В.Д. Магнитные осцилляции распределения по импульсам горячих фотовозбужденных электронов в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1979, т. 77, № 9, с. II07-III8.

27. Мирлин Д.Н., Никитин Л.П., Решина И.И., Сапега В.Ф. Деполяризация горячей фотолюминесценции в кристалах GaAs в магнитном поле. Письма в ЗКЭТФ, 1979, т. 30, N° 7, с.419-422.

28. Гальперн Ю.С., Коган Ш.М. Анизотропные фотоэлектрические эффекты. ЖЭТФ, 1969, т. 56, № I, о. 355-361.

29. Малевич В.Л., Эпштейн Э.М. Фотостимулированное нечетное маг-нетосопротивление в полупроводниках. ФТТ, 1976, т. 18, Н» 5, с. 1286-1289.

30. Шмелев Г.М., Цуркан Г.И., Нгуен Хонг Шон. Магнитосопротивле-ние и циклотронный резонанс в полупроводниках в присутствии сильной электромагнитной волны. ФТП, 1981, т. 15, № I,с. I5I-I60.

31. Шмелев Г.М., Эпштейн Э.М. Фотостимулированное продольное маг-нетосопротивление в полупроводниках. ФТП, 1982, т. 16, N2 4, с. 747-749.

32. Эпштейн Э.М. Фотостимулированный эффект Холла в продольном магнитном поле. ФТП, 1980, т. 14, № 8, с. I600-I60I.

33. Белиничер В.И., Новиков В.Н. Неравновесная фотопроводимость и влияние внешних полей на поверхностный фотогальванический эффект. ФТП, 1981, т. 15, № 10, с. 1957-1964.

34. Нгуен Хонг Шон, Шмелев Г.М., Эпштейн Э.М. Межзонный нечетный фотомагниторезистивный эффект в полупроводниках. ФТТ, 1982, т. 24, № 8, с. 2381-2384; ФТТ, 1982, т. 24, № II, с. 3515.

35. Sftme£ev G.M. , Tsu/rkan G.I. , N^u^en Hon^ Sckon . Pftoto Hai£ effect <лг ton^udinai magnetic . - P&^s. stai . soi. (-6) , 1982, v. N? 1 у p. K41-K45.

36. Шмелев Г.М., Нгуен Хонг Шон, Цуркан Г.И., Во Хонг Ань. Межзонные фотогальваномагнитные эффекты в полупроводниках. -Сообщение ОИЯИ. Дубна 1983, PI7-83-304.

37. Шмелев Г.М., Жеру И.И., Нгуен Хонг Шон, Цуркан Г.И. Влияниеоптического выстраивания импульсов на гальваномагнитные эффекты в слоистых полупроводниках. ФТТ, 1984, т. 26, Ш 6, с. I609-I6I4.

38. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука,1965.

39. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963.

40. Коган Ш.М. К электродинамике слабо нелинейных сред. ЖЭТФ, 1962, т. 43, № 7, с. 304-307.

41. Блох М.Д., Магарилл Л.И., Энтин М.В. Теория явлений переноса в сильном электрическом поле для кристаллов без центра инверсии. ФТП, 1978, т. 12, № 2, с. 249-257.

42. Гинзбург В.Л., Гуревич А.В. Нелинейные явления в плазме, находящейся в переменном электромагнитном поле. УФН, I960, т. 70, № 2-3, с. 201-246, с. 393-428.

43. Johnston Т. W. Cartezicm, tensor tcalat рloduvb cw& sfaticai 4ia*twvtyvuc evpoftsions in/ Bottzwianns equatum,.-P&ys. Rev. ,1960, v.120, , p. -1103 -4144 j №1 , vr 122 , N- 6 , p. 4962 .

44. Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1981.

45. Варшалович Д.А., Москалев А.Н., Херсоновский В.К. Квантовая теория углового момента. Л.: Наука, 1975.

46. Смирнов Б.М. Физика слабоионизованного газа. М.: Наука, 1978.

47. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979.

48. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978.

49. Дымников В.Д., Перель В.И. Релаксация анизотропии функции распределения фотовозбужденных электронов по импульсам иполяризационный спектр горячей фотолюминесценции. ФТП,1979, т. 13, N° 4, с. 707-711.

50. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика, часть I. М.: Наука, 1976, ? 120.

51. Эпштейн Э.М. Нечетный планарный эффект Холла в переменном электрическом поле. Письма в ЖТФ, 1979, т. 5, № 16,с. 933-994.

52. Шмелев Г.М., Цуркан Г.И., Ле Куан Тиен. Фотостимулированный планарный эффект Холла. В кн.: Неравновесные процессы в полупроводниках и диэлектриках. Кишинев: Штиинца, 1983, с.51-37,

53. Панкратов А.А., Эпштейн Э.М. Кинетическая теория продольного эффекта Холла в высокочастотном электрическом поле. ФТП, 1982, т. 16, § 9, с. 1689-1691.

54. Гамарц E.M., Ивченко Е.Л., Караман М.И., Мушинский В.П., Пикус Г.Е., Разбирин Б.С., Старухин А.Н. Оптическая ориентация и выстраивание свободных экситонов в G-aSe при резонансном возбуждении. Эксперимент. ЖЭТФ, 1977, т. 73, № 9,c.III3-1128.

55. Дымников В.Д., Дьяконов М.И., Перель В.И. Анизотропия импульсного распределения фотовозбужденных электронов и поляризация горячей люминесценции в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т. 71, Ш 12, с. 2373-2380.

56. Дьянонов М.И., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Эффективный механизм энергетической релаксации горячих электронов в полупроводниках р-типа. ФТП, 1977, т. II, №7, с. 1364-1370.

57. Нгуен Хонг Шон, Шмелев Г.М. Магнитные осцилляции фотогальванического тока в полупроводниках p-GaAs . ФТТ, 1984,т. 26, № 6, с.

58. Шмелев Г.М., Чан Минь Шон. Энергетическое распределение фотоэлектронов, взаимодействующих с акустическими фононами. -ФТТ, 1975, т. 17, № II, с. 3323-3327.

59. Гуляев Ю.В. О зависимости фотопроводимости полупроводников от поляризации подающего излучения. Письма в ЖЭТФ, 1968, т.7, Ш 5, с. I71-174.

60. Влиж^атЯ&н С. А., Т.О. Efy&cfc oj иыгемк jtou? on iU optical absorption oj a, sevniconcLuctoi. P&^s. Яы. } 1968, v. 173, N 3 , p.W-?^.

61. Буймистров B.M., Олейник В.П. Многофотонное поглощение света носителями тока в полупроводниках. ФТП, 1967, т. I, № I, с. 85. - 96.

62. Блакин В.Д., Селиваненко А.С. Влияние мощного лазерного света на электрон-фононное и электрон-примесные взаимодействия в полупроводниках. ФТП, 1970, т. 4, Ш 2, с. 223-236.

63. Паздзерский В.А. Многофотонное поглощение света носителями тока. ФТП, 1972, т. 6, № 4, с. 758-760.

64. Дкаксимов Е. Элементы теории фотонных и фононных эффектов в полупроводниках. Изд. "Фан" УзССР. Ташкент, 1979.

65. Келдыш Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны.-ЖЭТФ, 1964, т. 47, № 5, с. 1945-1954.

66. Келдыш Л.В. Диаграммная техника для неравновесных процессов.-ЖЭТФ, 1964, т. 47, № 4, с. I5I5-I565.

67. Белиничер В.И. Фотогальванический эффект на свободных носителях в кристаллах без центра симметрии. ЖЭТФ, 1978,т. 75, Ш 8, с. 641-652.

68. Балмуш Н.Й., Покатилов Е.П., Клюканов А.А., Фомин В.М, Многофотонное поглощение света носителями тока. ФТП, 1976, т. 10, N2 2, с. 234-239.

69. Fomivi V. М. , PokatUoV Б. P. Novt-^neat optical picpertCes of tAc %cmd ctuvtcf сахгСгъ qas PAys. stat. sol. (-£) , , v, 85, N5 1 , p. 403 415 .

70. Tam K. A foxmuta. of noti-йтцг zesponses. Pioyress of Жеог. pfys., 32, N> 1 , p. 1G7 - 169.

71. Шмелев Г.М., Нгуен Куанг Бау, Нгуен Хонг Шон. Поглощение света свободными носителями полупроводника в присутствии лазерной волны. (I). ФТП, 1981, т. 15, № 10, с. 1999-2004.

72. Шмелев Г.М., Нгуен Куанг Бау, Нгуен Хонг Шон. Поглощение света свободными носителями полупроводника в присутствии лазерной волны. (П). Изв. вузов, Физика, 1981, т. 24, 1 7, с. 105-109.

73. Эпштейн Э.М. Нечетное магнетосопротивление нелинейного проводника, помещенного в переменное электрическое поле. -Письма в КТФ, 1976, т. 2, Ш 5, с. 234-237.

74. Шмелев Г.М., Эпштейн Э.М. Продольное магнетосопротивление нелинейного изотропного проводника в высокочастотном электрическом поле. Письма в 1ТФ, 1982, т. 8, № 7, с. 408-409.

75. Мельников В.И. Квантовое кинетическое уравнение для электронов в высокочастотном П9ле. Письма в 1ЭТФ, 1969, т. 9,N2 3, с. 204-206.

76. Эпштейн Э.М. Рассеяние электронов фононами в сильном поле излучения. ФТТ, 1969, т. II, № 10, с. 2732-2738.

77. Эпштейн Э.М. Фононы в поле сильной электромагнитной волны. -ФТТ, 1979, т. II, № 10, с. 2874-2880.ъ

78. Зилберман П.Е. Некоторые следствия трансляционной инвариантности в однородном электрическом и магнитном полях. ФТТ, 1970, т. 12, 112 б, с. 1697-1704.

79. Стрекалов В.Н. Кинетическое уравнение для электронов в немонохроматическом электромагнитном поле. ФТТ, 1979, т. 21, to 3, с. 847-850.

80. Стрекалов В.Н. Кинетическое уравнение и фототоки электронов с произвольным законом дисперсии в электромагнитном поле. -ФТТ, 1977, т. 19, to 8, с. I67I-I675.

81. Малевич B.JI. О нечетном магнетосопротивлении полупроводника, находящегося в высокочастотном электрическом поле. ФТПД976, т. 10, to 8, с. 1579-1580.

82. Малевич B.JI. Высокочастотная проводимость полупроводника в поле лазерного излучения. Изв. вузов, Радиофизика, 1977, т. 20, to I, с. 151 - 155.

83. Малевич B.JI., Эпштейн Э.М. Фотостимулированные кинетические эффекты в полупроводниках. Изв. вузов, СССР, Физика, 1976, т. 19, Ш 2, с. I2I-I26.

84. Эпштейн Э.М. Нечетный магнитофоторезистивный эффект в полупроводниках. ФТП, 1976, т. 10, to 7, с. I4I4-I4I5.

85. S&wie&v 6г. М., Tsurkdvi G.I. , Epsfateivi Е.М. PhotostCmutaied iacUo-eftcbticaZ transverse effect iw semiconductors. P&ys. stdb. sot.{$), mi^.lOS , IVf 1 , p. K53 - K58 .

86. Эпштейн Э.М. К теории нелинейной высокочастотной проводимости электронного газа в полупроводниках. ФТТ, 1970, т.12, to 12, с. 3461-3465.

87. Малевич В.Л., Эпштейн Э.М. О генерации высших гармоник свободными носителями в полупроводниках.- ФТТ, 1973, т. 15, to II, с. 32II-32I3.

88. Виноградов А.В. О формуле Друде в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т. 70, № 3, с. 999-1008.

89. Виноградов А.В. Поглощение света высокой интенсивности свободными носителями в диэлектриках. ЖЭТФ, 1975, т. 68,№ 3, с. I09I-I098.

90. Малевич B.JI., Эпштейн Э.М. О нелинейных оптических свойствах электронов проводимости в полупроводниках. Квантовая электроника, 1974, т. I, № 6, с. 1486-1488.

91. Покатилов Е.П., Фомин В.М. Нелинейное поглощение света,обмусловленное поле лазерной волны. ФТП, 1977, т. II, to 4, с. 758-760.

92. Фомин В.М., Климин С.Н., Покатилов Е.П. Нелинейные оптические эффекты в полупроводниках, обусловленные когерентностью зондирующего и интенсивного электромагнитных излучений. -ФТП, 1983, т. 17, Ш 5, с. 916-920.

93. Воскобойников A.M., Паздзерский В.А. Возможность усиления когерентного излучения в кристаллах. ФТП, 1974, т. 8, /й 76, с. I2I3-I2I5.

94. Sapoyov S. Seminozhcnko l/.P. On ihe попйпелг Шлл.Ьам,<1 otiysotqUoyb of efoctwYyuufyYiztic fieCd vn semiconductors.- Solid. $icJc. Соттмм. , 19*2, U. 44, N2 5, p. 399-400.

95. Т$и.гкал>1 G.I., SbvtwCe.v G.M. } Uqiujetv Hony 5&on . P^tostimufated uneven, yna^ne.iozcsistance at ш^-iastCc scctttciM^ of efac-tzons in sewicoviductoxs . stab, sot. (-6), 1984, 122 , NZi y p. 361 - .

96. Эпштейн Э.М. О разогреве электронов проводимости инфракрасным излучением. Изв. вузов, Радиофизика, 1970, т. 13, Кз 9, с. I398-I4I2.

97. Давыдов Б.И., Шмушкевич И.М. Электропроводность полупроводников с ионной решеткой. 1ЭТФ, 1940, т. 10, № 6 , с.1043-1053.

98. Гуревич В.Л., Фирсов Ю.А. К теории электропроводности полупроводников в магнитном поле. I. ЖЭТФ, 1961, т. 40, № I, с. 199-213.

99. Эпштейн Э.М. "Аномальное" магнитосопротивление ионных полупроводников при низких температурах. Письма в ШЭТФ, 1975, т. 22, № 3, с. 172-174.

100. Эпштейн Э.М. К теории гальвано- и термомагнитных эффектов в полупроводниках при рассеянии электронов на оптических фоно-нах. Изв. вузов, Физика, 1976, № 2, с. II6-I2I.

101. Малевич В.Л., Эпштейн Э.М. Эффекты Эттингсгаузена и Мадки-Риги-Ледюка при рассеянии электронов оптическими фононами в области низких температур. ФНТ, 1976, т. 2, № 8, с. 10261030.

102. Шмелев Г.М., Цуркан Г.И. Классический циклотронный резонанс в полупроводниках при рассеянии электронов на оптических фононах. ФТТ, 1980, т. 22, № I, с. 63-65.

103. Мажуолите Г.Э. К теории кинетических явлений при низкотемпературном рассеянии на оптических фононах. ФТТ, 1967, т.9, № Ю, с. 2823-2829.

104. Левинсон И.Б. Времена релаксации, функция разогрева и эффект убегания горячих электронов в полупроводниках. ФТТ, 1964, т. 6, N° 7, с. 2II3-2I23.

105. Погребняк В.А. Влияние убегания электронов на распространение электромагнитных волн в полупроводниках. ФТТ, 1970, т. 12, с. 3094-3097. ;

106. НО. Басс Ф.Г., Гуревич Ю.Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М. Наука, 1975.

107. Ba/ctow H.M. T&e Halt ttfecb cwict its Ofipiccaiion^ io mic>u>-wave pouteъ mea<swtf,me*ib .Pt^c . I.R.E. ; iS5S y v-. ЬЯ^Н-У,p. mi 1413 .

108. Wew/te*^ G-. , W-fij&t H.G. 0esezvtuw, "tbi cicousfae&ctzCc etfeob. Pbys. Rev-. , 1357) v. 106, Nf 5, p. U04-U06.

109. ИЗ. Гуревич Л.Э., Румянцев А .А. Теория светоэлектрического эффекта в ограниченных кристаллах при высоких частотах и при наличии внешнего магнитного поля. ФТТ, 1967, т. 9, № I, с. 7578.

110. Гуляев Ю.В. О возникновении постоянной эдс при распространении электромагнитной волны в проводящей среде. Радиотехника и электроника, 1968, т. 13, й 4, с. 688-694.

111. Брынских Н.А., Гринберг А.А., Имамов Э.З. Классическая теория увлечения свободных носителей тока светом. ФТП, 1971, т. 5, Ш 9, с. 1735-1738.

112. Гуревич Л.Э., Мерзин О.А. Светоэлектрический эффект вблизи плазменной частоты. ЖЭТФ, 1972, т. 62, Ш 6, с. 2255-2264.

113. Перель В.И., Пинский Я.М. Постоянный ток в проводящей среде, обусловленный высокочастотным электромагнитным полем. ФТТ, 1973, т. 15, N2 4, с. 996-1003.

114. Перель В,И., Пинский Я.М. Тензор напряжений для плазмы в высокочастотном электромагнитном поле с учетом столкновений. -ЖЭТФ, 1968, т.5, № 6, с. I889-1898.

115. Валов П.М., Рывкин Б.С., Рыбкин С.М., Титова Е.В., Ярошец-кий И.Д. Анизотропный эффект увлечения электронов светом при фотоионизации примесных центров в полупроводниках.- ФТП, 1972, т. 6, Ш I, с. 123-128.

116. Vatov P.M., fyufcm, B.S. , Ryv-км, S. M. ^arccsketsky I.P. An,a-nCsotzopie yfaotow djtcu^ effect йуъ ncvi£f&£ricci£ BcuteZ шМс semiconducto ts - P&ys. . sol. , 197Z , 53} N- i, p. 65-40.

117. Валов П.М., Данишевокий A.M., Ярошецкий И.Д. Влияние магнитного поля на эффекты увлечения свободных носителей тока фотонами в полупроводниках. ЖЭТФ, 1970, т. 59, № 9, с. 722731.

118. Seety F. , Harris 6. НеаШу of (L p&ZSfyia WluXtLp&otcyyi, 'CvU/CtgC' bremsi'ui&Uricj . . Rev. A , 1973 ; v. ? ; /V/® 3 , f. ШЦ 1061.

119. Amato M • A i ^ Miranda L.C. M. Effect of -laser cyclotron resonanceovi icundcvLL of plasma ufa,ves . PAys. A )тб , i?. Ik , NS 2 , p. m- 879 .

120. Miranda. L.C.M. PAcnon dawpin^ <m the Svmulta.'Yic-D as presence, of intense tadidtCon ам-d majAueifc fatds. X. Ptys- С Sotcd stake p^s., IMS , г>.Q , N° i5, p.

121. М-^апЖг. L.C.M • A mp&ji cation of ~ fac^we+ьСу pkorwns tU jcetd of аль wvtevis& eizcttomcLCf. nctic ivunre . Solid stat& Соттш*. , 49??, tf. 23 , № 4 } p 2jg 22i.

122. Hunts 0. Д.С. Ат,рЩ<слШп of optical ftwnons ш the multi-ftvoixm- a&sotpticm m, semi conductors. Soled stcutc Сотпш/yi. f 1982, v 42 ,№6, p. 451 452.

123. Nu-nes O.A.C. E||ect oj cyctcbvm tz$on<Mise on the, optical -p&oito-vt i^uvtp-M^ -W se-mito-viiittc-to^s. Solid Stake, Сстшим. , i$S2 , v. 44 , N° 7 ; p. Ю50- 1061,

124. Градштейн И.С., Рьщик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1973.

125. Нгуен Хонг Шон, Шмелев Г.М., Эпштейн Э.М. Об одном приближении при исследовании кинетических эффектов в поле сильной электромагнитной волны. Изв. вузов, Физика, 1984, т. 27,1. N2 5, с. 19-23.

126. Гуревич В.JI. Теория акустических свойств пьезоэлектрических полупроводников. ФТП, 1968, т.2, № II, с. 1557-1592.

127. Нuison A.R. , Мс Fee J.H. ,WUtc D.L. UtUasonie avHptcftca-Uwi w CdS. P^s. Re^. Lett., 1964 , u. Ni 6 , p. 234-239.

128. Wfafc D.L.,Wa*uj W.C. Active (US bseitlcfois.

129. Pfys. Ret*. , 4966 , 449 , N£ 2 , p- 628- 630 .

130. Ахиезер А.И., Каганов М.И., Любарский Г.Я. О поглощении ультразвука в металлах. ЖЭТФ, 1957, т. 32, № 4, с.837-841.

131. Hu-tsow А. R., W&cie D. L. E-Casttc waue pocopa^atam ptezo-e&cttic . J. Appt Pfys.j 1962, v. 33, p.40-43.

132. Гуревич В.Л., Каган В.Д. Поглощение ультразвука в пьезоэлектрических полупроводниках. ФТТ, 1962, т. 4, № 9,с. 2441-2446.

133. Казаринов Р.Ф., Скобов В.Г. О возможности усиления ультразвука в полуметаллах в электрическом поле. ЖЭТФ, 1962, т.42, N2 3, с. 910-912.

134. Бонч-Бруевич В.Л., Гуляев Ю.В. Об одном механизме генерации плазменных колебаний в полупроводнике. Радиотехника и электроника, 1963, т. 8, № 7, с. II79-II86.

135. Эпштейн Э.М. К теории электроакустических явлений в твердых телах. ДАН СССР, 1967, т. 173, Ш 2, с. 320-322.

136. Эпштейн Э.М., Гуляев Ю.В. Акустоэлектрический эффект в полупроводниках с монополярной проводимостью, ФТТ, 1967, т. 9, № 2, с. 376-381.

137. Гринберг А.А., Крамер Н.И. Акустомагнитный эффект в пьезоэлектрических полупроводниках. ДАН СССР, 1964, т. 157,to I, с. 79-82.

138. Ko^rnti И.,Тлиакл S. Accusioma^nUacCLoixcc алгсС acou,sto€&c~ i/tic -effect т> п- InSfi at tour iempeta-twwz. J, P&ys. Soe, Japou* , 19U , v. 30 , N£3 , p. - Ш .

139. Гуляев Ю.В., Эпштейн Э.М. Акустотермические эффекты в твердых телах. ФТТ, 1967, т. 9, 1 3, с. 864-871.

140. Бачинин Ю.Г. Акустоэлектронные явления и фотопроводимостьв полупроводниках в магнитном поле. ФТТ, 1973, т. 15, М2, с. 3504-3507.

141. Бачинин Ю.Г., Гуляев Ю.В. К теории электронного поглощения и усиления ультразвука в полупроводниках в магнитном поле. ЖЭТФ, 1971, т. 60, to 3, с. 1038-1045.

142. Гуляев Ю.В., Шкердин Г.Н. К теории нелинейной фотоупругости твердых тел. ЖЭТФ, 1979, т. 77, to 10, с. 1396-1406.

143. Гуляев Ю.В., Мовисян С.М., Шкердин Г.Н. Стимулированныеакустооптические явления, обусловленные нелинейной фотоупру-ьк>гост, твердых тел. ФТТ, 1980, т. 22, to 2, с. 523-529.

144. Гуляев Ю.В., Лощенкова Е.Ф., Шкердин Г.Н. Акустоэлектрический эффект в кристаллах. ФТТ, 1980, т. 22, № I, с. 150155.

145. Гуляев Ю.В., Лощенкова Е.Ф., Шкердин Г.Н. К теории резонансной дифракции электромагнитных волн на звуке в проводящих кристаллах. ФТТ, 1979, т. 13, № 6, с. II74-II78.

146. Эпштейн Э.М. Усиление высокочастотных фононов в поле электромагнитной волны.-Письма в ЖЭТФ,1971,т.13,1ё 9,c.5II-5I3.

147. Эпштейн Э.М, Фотостимулированные акустоэлектронные эффекты в вырожденных полупроводниках. ФТТ, 1974, т. 16, № 10,с. 2995-2999.

148. Эпштейн Э.М. Фотостимулированный акуотомагнетоэлектричеокий эффект в продольном магнитном поле. ФТП, 1980, т. 14, № 8, с. 1650-1652.

149. Эпштейн Э.М. Об усилении гиперзвука в скрещенных электрическом и магнитном полях. ФТП, 1969, т. 3, № 7, с.1058-1060.

150. Шмелев Г,М„, Нгуен Хонг'Шон, Цуркан Г.И. Межзонные фотоакусто-электронные эффекты в .полупроводниках,- §ТП, 1984, т. 18, Р 5 с. 877-882. . . .

151. Гершензон Е.М., Мельников А.П., Рабинович Р.И., Смирнова В.Б. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси. ФТП, 1983, т. 17, № 3, с. 499-451.

152. Голргур Е.Б., Рабинович Р.И. Захват электронов на мелкие нейтральные примеси в полупроводниках. ЕЭТФ, 1983, т; 84, Ш 3, с. II09-III8.

153. Демков Ю.Н., Друкарев Г.Ф. Частица с малой энергией связи в магнитном поле. ЖЭТФ, 1965, т. 49, Ш I, с. 257-264.

154. Андреев С.П. Тонкая структура линий циклотронного резонанса.-ЖЭТФ, 1978, т. 75, №> 3, с. 1056-1065.

155. Злобин A.M., Зырянов П.С. Горячие электроны полупроводников в квантующем магнитном поле. УФН,1971, т.104,13,с.353-377.

156. Кальфа А.А., Коган Ш.М. Ширина циклотронного резонанса на водородоподобных атомах. ФТТ, 1971, т. 13, № 7, с. 19731980.

157. Гринберг В.А. Фотоионизация глубоких примесных центров в квантующем магнитном поле. ФТП, 1974, т. 8, № 5, с. 10001003.

158. Абрикосов А.А. Введение в теорию нормальных металлов. М.: Наука, 1972. - 288 е., ил.

159. UtOtsk^ S.I., Pezvusfavi 4u,.V. Effect of steady Stake ШимСпсШсп on tht elidzcw (bCztai&uliovi function м semicayicitoctotS. -p&ys, Stat, sot. (-6), 1665 , v. И , NS 2 , p. 553 -556.

160. Шмелев Г.М., Нгуен Хонг Шон, Цуркан Г.И. Усиление гиперзвука электронами, возбужденными светом в квантующем магнитном поле. ФТП, 1984, т. 18, № 12, с.

161. Вьюрков В.В., Домнин П.В. О некоторых механизмах абсолютной отрицательной проводимости на фотоэлектронах в квантующих магнитных полях. ФТП, 1979, т. 13, Ш 10, с. I95I-I957.

162. Гуревич В.Л., Эфрос А.А. К теории акустоэлектрического эффекта. ЖЭТФ, 1963, т. 44, № 6, с. 2I3I-2I7I.

163. Сандомирский В.Б., Коган Ш.М. Акустоэлектрический эффект в пьезоэлектрических полупроводниках, ФТТ, 1963, т. 5, № 7, с. I894-1899.

164. Морозов А.И. Четный акустоэлектрический эффект в кристаллах сульфида цинка. Письма в ЖЭТФ, 1965, т. 2, Ш 8, с. 362365.

165. C&m- F. S. Opuccdty induced ckowffL о| ^cfxatCt>e incUces

166. Ц N6 03 and UTa.03 . J. Аррг. P^s, , M6G , v. hO , № Z , p. 3383 - 3396 .

167. Волк Т.P., Греков A.A., Косоногов H.A., Фридкин В.М. Влияние освещения на доменную структуру и температуру Кюри в ВаTi О3 .- ФТТ, 1972, т. 14, N2 , с. 3214-3218.

168. FtUkm V. M., (тгеЫ- А. А.,Iопм- P. V. , Ro^ur А .1.,Wc&mko Е.А., Mik&w&n^ К.A. ?Uto conductivity -иг ceflttam j&'u>e&c*'tics.tmioehcAiLcs , Ш4; tf. $ , NS 1-2 , p. 433

169. Шмелев Г.М., Нгуен Хонг Шон, Цуркан Г.И. Четный акустоэлект-рический эффект в коротковолновой области в кристаллах без центра инверсии. ФТП, 1984, т. 18, № 7, с.1314-1316,

170. Шмелев Г.М., Нгуен Хонг Шон, Цуркан Г.И. Акустогальваничес-кий эффект в сегнетоэлектриках. ФТТ, 1984, т. 26, № 9, с.

171. Шмелев Г.М., Нгуен Хонг Шон. Акустоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках. УФЖ, 1984, т. 29, N5 , с.

172. Поляновский В.М., Шмелев Г.М., Нгуен Хонг Шон. Фотостимулиро-ванный фотогальванический эффект в полупроводниках. П. Республиканская конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 1982. Киев: Наукова думка.(Тезисы докладов).

173. Шмелев Г.М., Нгуен Хонг Шон, Цуркан Г.И. Фотостимулированный четный акустоэлектрический эффект. Изв. вузов, Физика, 1985, т. 28 (в печати).