Исследование структурных и функциональных свойств тонкопленочных слоев монохалькогенидов редкоземельных металлов, выращенных методом импульсного лазерного осаждения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

005057938

ТЕТЕРИН ПЕТР ЕВГЕНЬЕВИЧ

ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СЛОЕВ МОНОХАЛЬКОГЕНИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ

01.04.07 - «Физика конденсированного состояния»

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Автор

I \1

Москва 2013

005057938

Работа выполнена в Национальном исследовательском ядерном университете

«МИФИ»

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук, профессор Неволин Владимир Николаевич, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор

Яковлев Виктор Борисович, Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

доктор технических наук, профессор Шляпин Анатолий Дмитриевич, Московский государственный индустриальный университет

Ведущая организация: Научно-исследовательский институт

ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, г. Москва

Защита диссертации состоится «2.1» мая 2013 года в 16 часов 30 минут на заседании Диссертационного совета Д212,130.04 при Национальном исследовательском ядерном университете МИФИ по адресу: 115409, Москва, Каширское шоссе, д. 31

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НИЯУ «МИФИ» Автореферат разослан «12.» апреля 2013 года

Просим принять участие в работе совета или прислать отзыв в одном экземпляре, заверенном печатью организации.

Ученый секретарь диссертационного совета, доктор физико-математических наук,

профессор И.И. Чернов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

Требования, предъявляемые к быстродействию, энергопотреблению, информационной емкости современных электронных устройств неуклонно растут. Эти показатели непосредственно зависят как от физико-химических свойств материалов, используемых в электронной промышленности, так и от технологических процессов, используемых для их получения. Поэтому в последние десятилетия круг химических элементов, задействованных в электронной промышленности, расширился почти на всю периодическую систему элементов.

Исследования редкоземельных полупроводников ведутся интенсивно в течение нескольких десятилетий. Это связано с особенностями электронной структуры редкоземельных полупроводников. При образовании соединений /-оболочки редкоземельных металлов образуют примесную зону с концентрацией ~1026 м3. Такие уровни могут попасть в запрещенную зону полупроводника и выступать в качестве "примесных" уровней. Этот факт является уникальным, поскольку в нередкоземельных полупроводниках создать столь большую концентрацию локальных примесных уровней не представляется возможным. Именно благодаря этой особенности электронной структуры редкоземельные полупроводники обладают уникальными оптическими и кинетическими свойствами, а также способны претерпевать различные фазовые переходы. С появлением новых экспериментальных возможностей круг задач по исследованию этих материалов становится все шире.

Большой интерес у исследователей вызывают магнитные полупроводниковые соединения, обладающие при определенных условиях ферромагнитной упорядоченной структурой, что приводит к спиновой поляризации носителей тока. Такие материалы являются перспективными для источников спин-поляризованных электронов и спиновых фильтров в устройствах микроэлектроники и спинтроники. Монохалькогениды европия и соединение ЕиБ, в частности, хотя и обладают упорядочением при низких температурах, тем не менее

з

пригодны для создания модельных сред для совершенствования устройств спинтроники, таких, как спиновые фильтры.

Самарий - элемент, наиболее химически близкий к европию, поэтому его халькогениды обладают близкими к халькогенидам европия физическими свойствами, имея при этом коренные отличия. Например, монохалькогениды самария обладают фазовым переходом полупроводник — металл под действием давления. Такой фазовый переход мог бы лечь в основу различных быстродействующих переключающих устройств. В этой связи актуальной является задача получения халькогенидов самария и европия с заданными свойствами.

Целью настоящей работы явилось определение физических условий формирования тонкопленочных слоев моносульфидов европия и самария с заданными физическими свойствами.

Для достижения поставленной цели решены следующие задачи:

- исследованы эффекты вакуумного и термического отжига на физические свойства тонкопленочных слоев;

- проведена оптимизация параметров процессов формирования структур с необходимыми функциональными свойствами для создания переключающих (логических, запоминающих) устройств, а также устройств спинтроники.

Научная новизна

• Впервые продемонстрирован непрерывный фазовый переход в тонкопленочных слоях моносульфида самария в зависимости от температуры отжига пленки.

• Обнаружен эффект переключения проводимости в зависимости от давления в тонкопленочных слоях 5ш8.

• Установлены условия формирования металлической фазы в тонкопленочных слоях моносульфида самария.

• Предложена оригинальная методика формирования тонкопленочных слоев Еи8, позволившая получать стехиометрические слои высокого качества.

• Предложена методика формирования роста тонкопленочных слоев БтЗ, впервые позволяющая получить пленки в металлической фазе непосредственно в результате осаждения.

Практическая значимость

Проведенные исследования условий формирования тонкопленочных слоев ЕиБ могут существенно облегчить создание модельных устройств спинтроники для отработки физических принципов функционирования этих систем.

Полученные результаты исследований фазового перехода в тонкопленочных слоях 8ш8 могут помочь в создании новых переключающих устройств -устройств памяти, тензодатчиков, транзисторов на фазовых переходах. Разработанная методика роста металлических пленок и результаты оптимизации схем лазерного отжига может помочь в создании технологического процесса записи структур на ЗтБ. Часть результатов, полученных в ходе выполнения работ, была защищена патентами Российской Федерации.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Разработанная методика выращивания Еи8 в атмосфере серы, которая позволяет получать поликристаллические пленки с избытком серы, при этом термический и лазерный отжиги приводят к формированию строго стехиомет-рических пленок высокого качества.

2. Установленная зависимость относительного количества серы в пленке сульфида европия от плотности энергии лазерного излучения, полученной при лазерном отжиге насыщенных серой слоев.

3. Предложенная методика выращивания 8т8, позволяющая получить тонкопленочные слои материала в металлической фазе на различных подложках непосредственно в результате осаждения, а также слои материала в полупроводниковой фазе.

4. Результаты исследования напряженного состояния пленок, формирующегося за счет высокой энергии частиц в процессе импульсного лазерного осаждения

5. Физическая модель переключающего устройства на основе SmS и экспериментально продемонстрированный эффект переключения проводимости в образце SmS/Si(100).

Достоверность полученных результатов

Достоверность полученных результатов и выводов обеспечена использованием современных экспериментальных методов исследований, детальным рассмотрением физических явлений и процессов, определяющих формирование свойств тонкопленочных слоев сульфидов редкоземельных металлов, а также подтверждением ряда полученных результатов данными, известными из литературы.

Личный вклад соискателя

Соискатель участвовал в создании вакуумной установки по росту сульфидов методом импульсного лазерного осаждения, участвовал в разработке способов и методик роста тонкопленочных слоев. Проводил полный цикл работ по подготовке, осаждению и отжигу пленок. Осуществлял планирование экспериментов с использованием описанных в работе методик, производил обработку и обсчет результатов измерений. Проводил измерения и расчет напряженного состояния пленок.

По материалам диссертации опубликовано 17 работ, в том числе 4 статьи в научных журналах, рекомендованных ВАК РФ, получено 2 патента РФ.

Объем и структура работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Работа изложена на 123 страницах, содержит 52 рисунка, 5 таблиц и список цитируемой литературы из 108 наименований.

Апробация результатов работы

Основные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих научных семинарах и конференциях: научная сессия НИЯУ МИФИ - 2009, 2010, 2011 гг.); 8-ой и 9-ой Курчатовская молодежная школа (Москва, Россия, 2010 и 2011 гг.); Национальная конференция по росту кристаллов (Москва, Россия, 2010 г.); Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy (Москва, Россия, 2011 г.); 54-я научная конференция МФТИ (Долгопрудный, Россия, 2011); E-MRS Spring Meeting 2012 (Страсбург, Франция, 2012 г.).

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность исследования структурных и функциональных свойств монохалькогенидов редкоземельных металлов; сформулированы цель работы и изложены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе приведен обзор литературных источников и анализ состояния исследований монохалькогенидов редкоземельных металлов в Российской Федерации и за рубежом. Проанализированы методики выращивания тонкопленочных слоев EuS и SmS. Для SmS описаны способы осуществления фазового перехода полупроводник - металл. По результатам анализа литературы обоснована актуальность темы диссертационной работы.

Во второй главе приведено описание используемых в работе методик синтеза, модификации и анализа образцов: импульсного лазерного осаждения (ИЛО) из стехиометрических мишеней, а также реактивного ИЛО; рассмотрены основные физические и химические принципы этих методик, указаны их преимущества и недостатки, обосновано их применение для выращивания слоев халькогенидов редкоземельных металлов. Приведен обзор физических принципов используемых методик анализа исследуемых образцов: рентгеноструктур-ного анализа, просвечивающей электронной микроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, оптической спектрофотометрии, метода измерения тем-

пературных зависимостей электрофизических характеристик. Дано краткое описание использованных установок.

В третьей главе представлены результаты исследования кристаллической структуры, состава и оптического поглощения тонких пленок EuS на подложках Si(100) и Si02, полученных методом импульсного лазерного осаждения.

Результаты исследования пленок EuS, полученных методом ИЛО из сте-хиометрических мишеней в вакууме с помощью Резерфордовского обратного рассеяния (POP) свидетельствуют об отклонении состава исходных пленок от стехиометрического, а именно, о недостатке серы (Eu:S=l,15:l). Недостаток серы в образцах можно устранить, например, путем предварительного создания атмосферы паров серы в камере осаждения распылением мишени серы, чередованием импульсов по стехиометрической мишени EuS и мишени S, или с помощью напуска в камеру H2S. Как показали проведенные эксперименты при создании атмосферы серы, а также при напуске сероводорода с парциальным давлением ~10"2 Па, во время осаждения EuS в атмосфере паров серы в пленке образуется ее значительный избыток (Eu:S=l: 1,5-^-2).

В процессе вакуумного отжига происходит десорбция серы, при этом, согласно данным рентгеновской дифракции, улучшается качество слоев EuS. По данным POP, стехиометрический состав пленки нормализуется после вакуумного отжига при Т= 600 °С в течение 30-60 минут и соответствует Eu : S = 1 : 1 (рис. 1). В процессе вакуумного отжига наряду с десорбцией серы происходит рост кристаллитов. Оценка размера зерна по формуле Шеррера дает D = 50 нм, что по порядку величины сравнимо с толщиной пленки.

Управление фазовым составом пленок EuS также может быть осуществлено с помощью лазерного отжига. В процессе наносекундного импульсного лазерного отжига также происходит десорбция серы. На рис. 2 показано эффективное изменение количества серы относительно европия в зависимости от плотности энергии лазерного излучения, полученное по данным POP. Из зависимости можно заключить, что при плотности энергии 8 кДж/м2 стехиометри-

8

ческий состав пленок нормализуется и образуется стехиометрический моносульфид европия.

Энергия, МэВ

о гао «-ое «ее toe sooo

Номер канала

Рис. 1. Спектры POP образцов EuS: осажденного (показан пунктирной линией) и отожженного лазером (показан сплошной линией)

На рис. 3 показаны спектры оптического поглощения в пленках EuS. Полученная из анализа оптических спектров поглощения оценка ширины запрещенной зоны Eg~ 3,4 эВ для лазерно-отожженных слоев EuS совпадает с литературными данными для запрещенной зоны объемного материала, тогда как для термически отожженных слоев оценочная ширина запрещенной зоны составляет Eg ~ 3,9 эВ.

В четвертой главе приведены результаты исследования структурных, оптических, электрофизических и функциональных свойств лазерно-осажденных тонкопленочных слоев SmS на различных подложках.

9

« аг м т сі « г.? а» ss

Плотность шертни лаіеряйго игазмений, кДю'мг

Рис. 2. Зависимость относительного количества серы к европию от плотности энергии

лазерного излучения

Оеаж I.

r=<HMfC

Лаъотж.

Энергия фотвна, >В

Рис. 3. Сравнительные данные по оптическому поглощению тонкопленочного образца EuS на кварце (прямые переходы): штриховой линией показан спектр осажденного образца без отжига, пунктирной линией - спектр термически отожженного образца (время отжига 30 мин), сплошной - лазерно-отожженного. На вставке показаны спектры пленок, описанных в [O'Mahony et ні., Thin Solid Films. - 2005. - V. 488 - p. 200-203]

Выращенные методом ИЛО из стехиометрической мишени при комнатной температуре пленки SmS на подложках Si(100) представляли собой сильно тек-стурированные поликристаллические пленки в металлической фазе с параметром решетки а = 0,5693 нм. При повышении температуры подложки до Т = 150 °С пленка представляет собой смесь металлической и полупроводниковой фазы. Отжиг пленок SmS, выращенных на Si, при Т= 600 °С и Р ~ 10 5 Па приводит к значительному изменению параметров решетки до а = 0,5926 нм и переходу в полупроводниковую фазу (рис. 4), а также к уменьшению ширины брэгговских линий. На дифрактограммах исходного и отожженных при Т= 500 °С и 600 °С образцов видны только фаза SmS и узкие рефлексы от Si подложки, в то время как переход к отжигу при 700 °С приводит к появлению новой фазы S1TI3S4.

SmS (200)

Si (400)

Г-500 С

(400)

29 30 31 32 33

б - Г=600ЭС о - Исходный

,—, ........ 1 I | 1 1 .....1 1 11 11 1"11 1 'I ""Т

30 40 50 60

J

8, град.

Рис. 4. Дифрактограммы тонкопленочных слоев БшБ на подложке $¡(100) толщиной 250 нм: а - исходного образца, выращенного при Гкомн, б - образца после вакуумного отжига при Т= 600 "С в течение 30 мин. На вставке - нормированные пики БглЭрОО) исходного (а) и отожженных при Г= 500 °С (показан пунктиром) и Г = 600 °С (б) образцов

Важно отметить, что релаксация напряжений в результате отжига происходит плавно с ростом температуры, поскольку в результате отжига при 500 °С дифракционный максимум, соответствующий Зт8(200), смещается как целое, тогда как в случае скачкообразного фазового перехода изменилась бы интенсивность максимума наряду с появлением второго пика, соответствующего полупроводниковой фазе. Фазовый переход в пленках был подтвержден также данными оптической спектрофотометрии. Альтернативно, было показано, что фазовый переход может быть достигнут с помощью наносекундного импульсного лазерного отжига (рис. 5).

(200J

О)

X

h-о

о О х

2 о ф

X

S

(111)

Si{200)

SmS (200)

28

32

(400)

б • лазерный отжиг ^

ч

а - исходная пленка

20 24 23 32 36 40 44 48 52 56 60

28, град

Рис. 5. Дифрактограммы образцов SmS/Si(100), выращенного методом импульсного лазерного осаждения: а — исходный; б - подвергнутый лазерному отжигу

Было обнаружено, что омическим контактом к SmS обладает Al, осажденный методом ИЛО на поверхность SmS при комнатной температуре. В диапазоне температур Т= 200-330 К для тонких пленок SmS толщиной 250 нм на подложке Si(100) были получены кривые электросопротивления, показанные на рис. 6. Сопротивление исходной пленки SmS составляет 1,1-10~5 Ом ■м, и имеет очень слабую зависимость от температуры, что свидетельствует о металлическом состоянии SmS. После отжига при Т = 600 °С сопротивление слоя

БгпЗ возрастает на три порядка (до р ~ 0,014 Ом'м при комнатной температуре) и имеет зависимость р(7)=р0-ехр(£:„/к7), где £„= ~ 0,25 эВ.

101

о

сх

10° 10 1 10 2

ю-3 ю-4 10 5

Ю'6

200

р-ехр(0,25еУ/кТ)

Исходный

250

' 300

Г, К

Рис. 6. Температурная зависимость электросопротивления ЭтЭ на подложке 81(100): исходного образца, выращенного при комнатной температуре и образца после вакуумного отжига при Т = 600 °С

Металлическая фаза в втв является фазой, формирующейся при высоком давления (для осуществления фазового перехода необходимо приложить давление в -0,65 ГПа). Поэтому существование пленки в металлической фазе может быть обусловлено формированием внутренних напряжений. Проведенные измерения и расчет с помощью формулы Стони показывают, что напряжения в металлической пленке Зтв составляют Р ~ 0,9 ГПа, что заметно превосходит пороговое давление в Р = 0,65 ГПа для фазового перехода полупроводник-металл в монокристаллах вшБ. В результате вакуумного отжига исходная кривизна образца восстанавливалась (рис. 7), что свидетельствует о релаксации напряжений в пленке. На основании этих данных предложена модель переключающего устройства на основе 8т8 (рис. 8).

Возникновение таких напряжений в пленке связано с взаимодействием частиц лазерной плазмы, энергия которых составляет до сотен электрон-вольт, и подложки, где образуются внедрения и замещения, обеспечивающие напряженное состояние пленки.

Расстояние от края подложки, «км

Рис. 7. Профили кривизны образцов ЗтЭ/ЗКЮО): подложки, исходного образца и термически отожженного при Т= 600 °С образцов

Я >0,65 ГПа

Г 1

□еСЩиЩРИ

Рис. 8. Схема модельного эксперимента по переключению проводимости на структуре 5ш8/8і(] 00). В процессе эксперимента снимается зависимость тока через образец от приложенного давления. При достижении критического давления происходит переключение.

Для технологических применений представляет интерес возможность локального переключения проводимости в 8т8, перехода как металл-полупроводник, так и полупроводник-металл, для записи проводящих дорожек в пленках. Одним из таких методов является лазерный отжиг. Согласно данным

рентгеновской дифракции, импульсный лазерный отжиг может быть использован для конвертации изначально металлической фазы пленки SmS на кремнии в полупроводниковую. Кроме того, происходит рост зерен и релаксация напряжений в пленке SmS, на что указывает уменьшение ширины пиков рентгеновской дифракции.

Для исследования переключения в образце SmS/Si(100) в наномасштабе использован проводящий зонд атомно-силового микроскопа (АСМ) с возможностью контролировать силу, приложенную к нему. На кончике зонда создается давление не меньше 0,65 ГПа, необходимое для осуществления фазового перехода кантилеверу (АСМ в режиме индентирования). Во время осуществления переключения одновременно снимается вольт-амперная характеристика, или зависимость тока через образец от приложенного давления. Нижний электрический контакт обеспечивался за счет подложки из сильнолегированного кремния, а на поверхность пленки наносились микроконтакты Cr(5 HM)/Pd(50 нм) диаметром -500 нм. Схема эксперимента приведена на рис. 8, а результаты эксперимента - на рис. 9.

оде

0,05 ■

о

-O.OS

-еда

•0,15

•о,го

VS-1B

ад o,s i,o Давление, ГПа

0,4 0,S 0,6 0,7 ОЛ 0,9 1,0 1,1 13 1,3

Давпемие, ГПа

Рис. 9. Зависимость тока от давления при приложенных напряжениях -1 и -1,5 В на микроконтактах на поверхности ЭтБ

Величина силы придавливания и необходимый радиус закругления зонда подбирались исходя из критического давления, обеспечивающего фазовый переход, и модулей упругости материалов зонда и 8т8. Линейные размеры обла-

15

сти, на которой происходил фазовый переход, составляли 20 нм при радиусе закругления зонда 500 нм, и 10 нм при радиусе закругления зонда 250 нм. Расчетная критическая сила придавливания зонда, необходимая для осуществления фазового перехода, составляет 200 и 50 нН соответственно.

-I--—-------г—-,-^-¿т-, -в-1-.-1-.-1---1---1-- ...Ц..

0,0 0.2 О, а О.в М 1.0 ел О3 04 0,в М 1.0

Давление, ГПа Давлений, ГПа

Рис. 10. Зависимость тока от давления при контакте зонда с тонкой пленкой БтЗ без микроконтактов при приложенном напряжении -2 В. Слева показана зависимость для области образца с тонким слоем ЭтЭ (с// ~ 60 нм), справа — для области образца с более толстым слоем ЭтЭ <12 (на ~30 %)

Измерения проводились также на пленке ЭшЗ без микроконтактов, результаты которых представлены на рис. 10. В этом случае контакт токопроводящего зонда осуществлялся непосредственно с полупроводниковым втБ, при этом токовые характеристики были зашумлены. Для тонкой и толстой пленки наблюдалась хорошая повторяемость результатов, в частности, существует систематическая разница в давлении, при котором происходит скачок проводимости. Критическое давление для тонкой пленки составляет ~0,8 ГПа, а для толстой пленки —0,9-И,0 ГПа. В обоих случаях наблюдался гистерезис. Величина критического давления, полученная в данном эксперименте, меньше величины, полученной в эксперименте по переключению на микроконтактах. Это может объясняться перераспределением давления в области микроконтакта.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Разработан оригинальный способ осаждения пленок Ей Б в атмосфере серы, позволяющий получать пленки с избытком серы, при этом различные виды отжига приводят к формированию пленок строго стехиометрического состава и высокого структурного качества.

2. Установлено, что для тонкопленочных слоев ЕиБ^, изначально содержащих избыток серы, импульсный лазерный отжиг на воздухе при оптимальной плотности энергии (8 кДж/м2) приводит к формированию строго стехиометри-ческих слоев моносульфида европия высокого качества с шириной запрещенной зоны, соответствующей величине для объемного материала.

3. Впервые получены металлические пленки БтБ на различных подложках непосредственно в результате осаждения без дополнительной обработки, причем на подложках 81(100) получены текстурированные тонкопленочные слои вгпЗ с ориентацией (100). В металлических тонкопленочных образцах ЗшБ, выращенных на подложках 81(100) обнаружена возможность управления фазовым переходом "металл-полупроводник" путем вакуумного отжига, сопровождающимся непрерывным изменением параметра решетки от температуры.

4. Установлено, что формирование полупроводниковой фазы наилучшего качества происходит при температуре вакуумного отжига Т= 600 °С, а оптимальное время отжига составляет 0,5 часа. При температуре отжига Т= 700 °С и выше фаза Этв деградирует.

5. Показано возникновение фазового перехода металл-полупроводник в тонкопленочных слоях БшЗ в результате воздействия лазерного излучения, что может быть использовано для формирования проводящих дорожек на поверхности пленки.

6. Определена величина напряжений в осажденных и термически отожженных слоях 8т8 в структурах 8т8/81(100). Измерения и расчет показывают, что напряжения в пленке 8т8 составляют Р ~ 0,9 ГПа, что заметно превосходит пороговое давление в Р = 0,65 ГПа для фазового перехода полупроводник-металл в моносульфие самария. Указанные напряжения в пленке дости-

17

гаются за счет наличия высокоэнергетических частиц в потоке осаждаемого материала.

7. Впервые зарегистрирован эффект переключения проводимости на микроконтактах на поверхности БогБ, а также непосредственно на пленке ЗтБ с помощью атомно-силовой микроскопии с проводящим кантилевером.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Тетерин П.Е., Зенкевич A.B., Лебединский Ю.Ю., Парфенов O.E. Исследование структурных и электрофизических свойств тонкопленочных слоев SmS и EuS // Труды научной сессии МИФИ. - 2010. -Т. 1.-С. 172.

2. Zenkevich A.V., Parfenov O.E., Storchak V.G., Teterin P.E., Lebedinskii Yu.Yu. Highly oriented metallic SmS films on Si(100) grown by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. - 2011. - V. 519. - P. 6323-6325.

3. Тетерин П.Е. Неволин B.H., Колосов Ю.Н., Сипайло И.П., Сургина ГД. / Влияние термического и лазерного отжигов на состав и свойства тонкопленочных слоев EuS // Перспективные материалы. - 2012.-1.- С. 43-46.

4. Сургина Г.Д., Неволин В.Н., Сипайло И.П., Ершов П.А., Максимова К.Ю., Тетерин П.Е. Тонкопленочные поглощающие слои Cu2ZnSnS4, сформированные методом импульсного лазерного осаждения, для применения в солнечных элементах // Перспективные материалы. — 2012. — 2. - С. 28—32.

5. Surgina G.D., Zenkevich A.V., Sipaylo LP., Nevolin V.N., Drube W., Teterin P.E., Minnekaev M.N. Reactive Pulsed Laser Deposition of Cu2ZnSnS4 Thin Films in H2S // Thin Solid Films DOI: http://dx.doi.Org/10.1016/j.tsf.2012.ll.072 (Доступна онлайн с 07.12.2012).

6. Тетерин П.Е., Зенкевич A.B., Чуприк A.A., Батурин A.C. Использование перехода полупроводник-металл в тонкопленочных слоях SmS для создания микро- и наноэлектромеханических переключающих устройств // В сб.: Труды 54-й научной конференции МФТИ. - М., 2011.- С. 58-59.

7. Пат. 2428505. Рос. Федерация: Способ получения тонких пленок на основе EuS : МПК С23С14/06 С23С14/24 В82ВЗ/00, / Зенкевич A.B. Лебединский Ю.Ю., Парфенов O.E., Тетерин П.Е.; заявитель и патентообладатель НИЯУ МИФИ. - 2009137618/02; заявл. 12.10.2010, опубл. 20.04.2011 (Бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 25).

8. Пат. 2459012. Рос. Федерация: Способ изготовления тонких пленок на основе моносульфида самария: МПК С23С14/06, H01L21/02 / Зенкевич A.B. Лебединский Ю.Ю., Парфенов O.E., Тетерин П.Е.; заявитель и патентообладатель НИЯУ МИФИ. - 2010140379/02; заявл. 01.10.2010, опубл. 10.04.2012 (Бюл. «Изобретения. Полезные модели» №23).

Подписано в печать:

10.04.2013

Заказ № 8329 Тираж - 100 экз. Печать трафаретная. Типография «11-й ФОРМАТ» ИНН 7726330900 115230, Москва, Варшавское ш., 36 (499) 788-78-56 www.autoreferat.ru