Люминесцентные свойства примесных поверхностных состояний ионно-ковалентных кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Список условных обозначений и сокращений.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ НЕКОТОРЫХ ИОННО-КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ.

1.1. Физические свойства галогенидов серебра и сульфидов цинка и кадмия.

1.1.1. Зонная структура и центры люминесценции галогенидов серебра.

1Л .2. Зонная структура и центры люминесценции сульфидов цинка и кадмия.

1.2. Электронные состояния адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов атомов и ионов металлов.

1.3. Фотостимулированные поверхностные процессы в галогенидах серебра.

ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1. Установка для измерения стационарной фотолюминесценции и фотостимулированной вспышки люминесценции в температурном диапазоне 80-400К.

2.2. Методика люминесцентных исследований фотостимулированных поверхностных процессов.

2.3. Моделирование фотостимулированных процессов в ионно-ковалентных кристаллах.

2.3.1. Кинетическая модель фотоетимудированного преобразования адсорбированных ионов в адатомы металла на поверхности ионно-ковалентного кристалла.

2.3.2. Кинетическая модель преобразования малоатомных кластеров.

2.4. Методика приготовления образцов.

2.4.1. Приготовление микрокристаллов хлорида серебра.

2.4.2. Микрокристаллы сульфидов цинка и кадмия.

2.4.3. Получение тонких пленок сульфидов цинка и кадмия методом распыления растворов на нагретую подложку.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ АТОМОВ И МАЛОАТОМНЫХ КЛАСТЕРОВ СЕРЕБРА, АДСОРБИРОВАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ МИКРОКРИСТАЛЛОВ ХЛОРИДА СЕРЕБРА.

3.1. Зависимость люминесцентных характеристик МК AgCl от условий их обработки и концентрации обрабатывающего раствора AgN03.

3.2. Температурные исследования свойств металлических кластеров адсорбированных на поверхности МК AgCÍ.

3.3. Определение энергии десорбции адатомов серебра с поверхности МК AgCl.

ГЛАВА 4. Л ЮМ И Н ЕСЦЕНТ Н Ы Е ИССЛЕДОВАНИЯ

ФОТОСТИМУЛ И РОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ ОБРАЗОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ НА ПОВЕРХНОСТИ МК СУЛЬФИДОВ ЦИНКА И КАДМИЯ.

4.1. Фотостимуяированные поверхностные процессы на микрокристаллах Сс18 и Хп 8.

4.2. Процессы образования кластеров металла на поверхности и Сё8, активированных ионами металлов. ^

4.2.1. Люминесцентные свойства МК сульфидов /ж и Сс1 и глубокие электронные состояния образующиеся при адсорбции на их поверхности ионов металла.

4.2.2. Фотостимулированные процессы в и СёБ, активированных ионами металла.

4.2.2.1.Стационарная люминесценция образцов.

4.2.2.2.Фотостимулированная вспыпка люминесценции МК ХпБ и до и после УФ засветки.

4.3. Энергия образования и устойчивость адсорбированных малоатомных кластеров на поверхности сульфидов цинка и кадмия.

4.4. Влияние И К излучения на устойчивость металлических кластеров образующихся при высоких дозах УФ облучения.

4.5. Модель механизма миграции адсорбированных атомов по поверхности кристалла со смешанным типом связи.

ГЛАВА5. ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ CdxZn,xS. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ ФСП В КРИСТАЛЛАХ СО СМЕШЕННЫМ ТИПОМ СВЯЗИ.

5.1. Люминесцентные свойства твердых растворов CdxZn^.xS.

5.2. Фотостимулированные процессы на пленках CdxZnixS под действием УФ излучения. *

5.3. Устойчивость малоатомных металлических кластеров на поверхности пленок CdxZn^xS, влияние излучения видимого и

И К диапазона на люминесцентные свойства засвеченных УФ пленок Сёх2плх8.

5.4. Практическое применение ФСП на структурах со смешанным типом связи. Реверсивные системы записи оптической информации с люминесцентным считыванием.

Настоящее и будущей информационных технологии определяется развитием систем регистрации, хранения и воспроизведения оптическом информации. Наиболее перспективным направлением в этой области является разработка оптической памяти [1], при обращении к которой запись, считывание и стирание информации будет происходить с помощью излучения.

В то же время известно [2], что облучение иенно-ковалентных кристаллов приводит к изменению их свойств, в частности, связанных с преобразованием собственных и примесных дефектов, Важнейшую роль при протекании фотофизических процессов в кристаллах со смешанным типом связи играет поверхность и электронные состояния, связанные с адсорбированными металлическими частицами атомно-молекулярнои степени дисперсности [3]. Крайне важным является исследование процессов взаимодеиствия света с веществом и с точки зрения полупроводниковой электроники, поскольку под действием излучения протекают процессы, приводящие к деградации полупроводниковых систем, в частности , приемников оптического излучения.

Таким образом, актуальность тс?иы определяется необходимостью проведения исследований, связанных с изучением природы и свойств поверхностных примесных состоянии в кристаллах со смешанным типом связи.

Данная работа посвящена изучению природы и свойств поверхностных состоянии в ионно-ковалентных кристаллах, а также изучению их роли в фотостимулированных процессах. В работах, проведенных ранее в данном направлении [3, 4, 5], показано, что адсорбированные на ионно-ковалентных кристаллах атомы и ионы металлов, как собственной, так и нримеснои природы, которым соответствуют глубокие электронные состояния в запрещенной зоне, играют активную роль при взаимодействии с неравновесными фотодырками и фотоэлектронами. 9

Важную роль для понимания процессов, протекающих под действием' света, играет устойчивость адсорбированных атомов и малоатомных кластеров к воздействию температуры или излучения.

Однако, исследование поверхностных состоянии и их роли в фотостимул ированных процессах классическими физическими и химическими методами затруднено тем, что концентрация поверхностных состоянии низка,, по сравнению с объемными примесными состояниями. В то же время, используя высокочувствительные люминесцентные методики можно успешно проводить такие исследования.

Практическая ценность данной работы состоит в изучении возможности использования свойств примесных поверхностных состояний для разработки среды, позволяющей записывать оптическую информацию.

С-^ 'ЦТ й-Д И ^

1. Определение энергетических характеристик адсорбированных атомов серебра и малоатомных кластеров на поверхности кристаллов галоидного серебра с помощью модифицированного люминесцентного метода.

2. Обнаружение и исследование фотостимулированного процесса миграции и преобразования адсорбированных частиц атомно-молекулярнои степени дисперсности для кристаллов сульфидов цинка и кадмия, а также их твердых растворов. Проведение температурных исследований этого процесса.

3. Выявление возможности использования фотостимулированного процесса преобразования адсорбированных частиц металла атомно-молекулярной степени дисперсности для реверсивной записи, хранения и люминесцентного считывания оптической информации при комнатных температурах.

Научная новизна работы заключается в том, что:

1. Разработана методика определения энергии десорбции атомов металла, адсорбированных на поверхности кристаллов со смешанным типом связи.

ЛОВ Х.иОрИДа ОеребрЗ •

3. Экспериментально доказан предпояаг&вшиися ранее механизм образования и распада малоатомных металлических кластеров, адсорбированных на поверхности микрокристаллов А§С1.

4. Проведены исследования влияния состояния поверхности ня протекание фотостимулированных процессов на сульфидах цинка и кадмия, а также их твердых растворах, Доказана универсальность явления миграции атомов по поверхности кристаллов со смешанным типом связи при наличии неравновесных носителей заряда,

5. На основе твердых растворов сульфидов цинка и кадмия разра

1 Г) ^ | иохана фи1 оак1 ивнал среда, однись, счшывание и ыирание информации на которой производится оптическим излучением.

Практическая ценность работы состоит в том, что выявлена возможность применения метода фотостимулированной вспышки люминесценции для исследования глубоких электронных состояний, обусловленных адсорбированными частицами металла атомной и молекулярной степени дисперсности, в реальных люминесцирующих кристаллах. Данный метод может быть применен для контроля относительных концентраций адсорбированных металлических кластеров.

Выявлены общие закономерности протекания фотостимулированных процессов в галогенидах серебра и сульфидах цинка и кадмия, что позволит разработать к о л и ч сст в е н н у ю теорию образования в результате миграции адатомов металла малоатомных кластеров и прогнозировать стабильность свойств облучаемых кристаллов.

На основе твердых растворов сульфидов цинка и кадмия предложена фотоактивная среда, запись, считывание и стирание информации на. которой может производиться оптическим излучением.

Основные положения выносимые на защиту*

1. Энергия десорбции адома серебра с поверхности микрокристаллов хлорида серебра составляет 0,29+0,09 эВ; энергия распада адсорбированных на микрокристаллах малоатомных кластеров серебра равна 0,09+0,01 зВ.

2. Обнаружено, что фотости мутированная миграция адатомов металла, приводящая к образованию на поверхности легированных и нелегированных ионами металлов кристаллов Ос!8 и 2п8 малоатомных металлических кластеров , протекает с энергиями активации порядка 0,02 эВ.

3. Доказано отсутствие принципиальных отличий фотостимулиро-ванных процессов в галогенидах серебра и кристаллах С<18 и Хп8 на начальной стадии взаимодействия с оптическим излучением.

4. Методика измерения эффективных сечений и концентрации примесных состояний люминесцирующих кристаллов основанная на одновременном измерении параметров ФСВЛ, которая была применена для определения энергии десорбции адатомов серебра с поверхности кристалла А^С!,

5. Разработанная на основе твердых растворов сульфидов цинка и кадмия фотоактивная среда. Запись, считывание и стирание информации на которой проводится оптическим излучением.

Личным вклад автора. Работа выполнена на кафедре оптики и спектроскопии В ГУ. Исследования проводились в соответствии с планом научной работы кафедры. Определение задач исследования и постановка экспериментов, а также анализ получаемых результатов осуществлялись под непосредственным руководством научного руководителя, заведующего кафедрой, профессора Латышева А.Н. ментальные исследования. Проведено кинетическое моделирование ФСП. а также интерпретация полученных результатов. Оформулированы основные выводы и научные положения выносимые на защиту.

Автор выражает глубокою благодарность своему научному руководителю А.Н.Латышеву, и особую признательность сотрудникам кафедры, совместно с которыми проводились экспериментальные работы.

Апробация работы, Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на. Всесоюзном симпозиуме "Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра" (Черноголовка, 1990 г), на 1-ой Международной конференции "Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии" (С.-Петербург. 1996 г), на IV Международная конференции "Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов" (Воронеж, 1996 г), на Всероссийской конференции. "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов" (Н.Новгород, 1996 г), на IV Междуннародной конференции ФТТГ1 (Ивано-Франковск, 1997 г), , на Международной конференции "Optical Information Science & technology" (Москва 1997 г), на Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах", (Кемерово, 1998 г.), на Международном конгрессе по фотографической науке (Бельгия, Антверпен, 1998 г)

Публикации. По результатам диссертации опубликовано 18 работ. Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 192 страницы машинописного текста, 80 рисунков, 5 таблиц. Список литературы включает 166 наименований.

Основные выводы к главе 5.

1. Твердые растворы 2пхСс{1-х$ имеют свечение в широком спектральном диапазоне 470 -900 нм. При этом интенсивность пленок с параметром х около 0,5 имеет люминесценцию на порядок превышающую интенсивность свечения чистых МК кристаллов Zx^S и Сс18. что хорошо согласуется с данными из работ [2,32].

2. На структурах ¿лхСёьхЗ наблюдается поверхностный фотости-мулированный процесс , приводящий к уменьшению интенсивности свечения образцов под действием УФ.

3. Облучение пленок гп^Сс^зЗ красным светом (640 нм) приводит к частичному восстановлению интенсивности СФЛ образцов, предварительно засвеченных УФ излучением.

4. Прогрев пленок до температуры 400 К приводит к полному восстановлению люминесцентных свойств пленок 2пхСё).х8.

5. Поочередное облучение УФ излучением и излучением с длиной волны 640 нм приводит к уменьшению люминесценции и ее восстановлению соответственно.

6. Проведенные исследования ФСП в пленках 2пхСс11х8 позволяют предложить перспективную среду для записи, хранения и считывания оптической информации, работающую при комнатных температурах. Запись, считывание и стирание оптической информации для данной среды

172 можно производить с помощью излучения, что является существенным отличием, от сред предлагаемых ранее [164, 165], для которых стиранее информации производилось с помощью их прогрева.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Проведенные в данной работе исследования дали новую информацию об энергетических характеристиках адсорбированных на ионно-ковалентных кристаллах атомов и малоатомных кластеров некоторых металлов. В работе впервые подробно исследован поверхностный процесс преобразования адсорбированных атомов в кластеры для сульфидов цинка и кадмия и показана возможность использования этого процесса для высокотемпературной реверсивной записи и люминесцентного считывания оптической информации.

При выполнении работы была разработана методика няне

174 ранее универсальность фотостимулированной миграции адсорбированных атомов для кристаллов с ионно-ковалентной связью. Уточнена модель механизма фотостимулированной миграции. Экспериментально доказана возможность использования фотостимулированной миграции адсорбированных атомов и их объединения в малоатомные кластеры для разработки систем реверсивной записи и люминесцентного считывания оптической информации.

Все это позволяет сделать следующие основные выводы:

1.Разработанная методика дает возможность создания условий для адсорбции на поверхности реальных кристаллов только ионов и атомов и позволяет контролировать их концентрацию.

2.Энергия десорбции атомов серебра, адсорбированных на кристалле хлористого серебра, составляет - 0,3 эВ, что хорошо согласуется с результатами расчетов, проведенных вариационным методом в рамках квазимолекулярной модели адсорбции. Это дает основание утверждать, что при комнатных температурах на поверхности микрокристаллов фотографических слоев серебряных атомов нет, а избыток серебра может находиться в виде адсорбированных ионов, что объясняет достаточно высокую устойчивость этих слоев к вуалированию.

3.Существует корреляция в изменениях интенсивности стационарной люминесценции и параметров фотостимулированной вспышки люминесценции при облучении кристаллов как галогенида серебра, так и сульфидов цинка и кадмия, обработанных растворами, содержащими ионы некоторых металлов. Это подтверждает высказанные ранее предположения о том, что в результате фотостимулированной миграции адсорбированных атомов металла на поверхности образуются малоатом

175 ные кластеры. До некоторого критического размера эти кластеры не могут служить центрами внешнего тушения люминесценции.

4.Энергии активации процесса миграции адсорбированных атомов некоторых металлов по поверхности сульфидов цинка и кадмия слабо зависят от природы адсорбента и адсорбата и составляют около 0,02 эВ.

5.Адсорбированные атомы металла при больших световых потоках представляют собой двухмерный газ с хаотическим их движением. Временные характеристики образования маяоатомных кластеров в результате объединения адсорбированных атомов в рамках модели такого двухмерного газа согласуются с экспериментально найденными временными интервалами для процесса усталости люминесценции.

6.При низких температурах и при комнатных температурах образуются кластеры металла разные по устойчивости (и видимо, по структуре), которые для сульфидов цинка и кадмия распадаются с разными энергиями активации (0,2 эВ и 1 эВ, соответственно).

7.Сульфиды цинка и кадмия и их твердые растворы могут быть использованы в качестве сред для реверсивной записи и люминесцентного считывания оптической информации.

Таким образом, проведенные исследования и их результаты дают основание считать, что фотостимулированный процесс на поверхности ионно-ковалентных кристаллов является одной из главных причин изменения свойств кристаллов со смешанной связью, подвергнутых облучению световыми потоками. Дальнейшее изучение таких процессов может не только обогатить науку сведениями об изменении свойств кристаллов при различных воздействиях, позволить понять явление старения элементов полупроводниковых приборов и опто-электронных уст

Ill

1. Физика соединений A"BV1 /под ред. Гсоргобиани А.И., Шейнкмана М.К. -М.: Наука, 1989. -320 с.

2. Чибисов К.В. Общая фотография. М.: Искусство, 1984. -446 с.

3. M ей к л яр П. В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. -М.: Наука, 1972. 400с.

4. Latyshcv A.N. Development of Chibisov's ideas at Voronezh State University// Sei. Appl. Photo., -1998, ¥.40(4), -P.303-316.

5. Латышев A.H. Оптические и электронные свойства серебряных центров и их роль в начальной стадии фотохимичсского процесса в галогенидах серебра: Дис. докт. физ.-мат. наук.- Воронеж, 1983.-313 с.

6. Farberovich O.Y.,Timoshenko Yu.K., Budakov A.M., Domashevskaya E.P. APW-LCAO energy bands and fundamental absorption in silver chloride crystal. Solid State Commun., 1981, V.40, Nfe5. P.559-562

7. Кинетика фотостимулированной миграции адсорбированных атомов серебра в кристаллах со смешанным типом связи /Клюев В.Г., Кустов А.И. // Конф. Радиационные гетерогенные процессы: Тез. докл. Кемерово, 1995. С.48-49.

8. M из К., Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса.- Л.: Химия, 1973. 572 с.

9. А А П,ТГ>ОПТ,П ' Л Г J ГГЛ-ПТ ТЛ Т1 АТТГ\ЛЛТ X ПГЛ/МЛ1ги ГГТА * il Т f таг»тт ÛTTTTTIT I

10. Ш. ПДИ^ОоПЧ . ) .1 I . i IvKOnjpJDlb JÖVJi lpObJBl 1 CV'JJrlKl .ШМПП^Ц1,ПЦИИкристаллов.- M.: Гостехиздат, 1956. 350 с.

11. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса.-Л.: Химия, 1980. 672с.

12. Таблицы физических величин. Справочник/ под ред. Кикоина И.К. М., 1976.- 1006 с.

13. Краткий справочник физико-химических величин/ Барон Н.М., Квят Э.И., Подгорная Е.А. и др. М., 1967. - 182 с.

14. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. -iv!. 1977. 376 с.

15. Чибисов К.В. Природа фотографической чувствительности.-М.: Наука, 1980. 403 с.

16. Farnell G.C., Burton Р.С., Hallama RJ The Fluorescence of silver Halides at Low Temperatures. Part I. The Pure Halidcs// Phil. Mag. -1950.-V.41, jNq 313.-P.157-168.

17. Белоус B.M., Боровик A.H., Голуб С.И. и др. Спектральные характеристики люминесценции галогенидов серебра/ Сб. Вопросы физики твердого тела.- Киев, 1976.- С. 52 60.

18. Latyshev A.N., Kushnir М.А. Antacanova L.B. The Luminescence of Silver Chloride// Photogr. Sci. Eng. 1979. - V. 23. - P. 338 - 340.

19. Леонова Л.Ю. Фотостимулированные преобразования адсорбированных малоатомных кластеров на поверхности кристаллов с ионно-ковалентной связью: Дис. канд. физ. -мат. наук. Воронеж, 1997.194 с.

20. Vасек К., Rindeissen I. Luminescence des cristaux AgCl purset dops auxbasses temperatures// J. Phys. Rad. 1961. - V, 22, N 8. - P. 519 - 520.

21. Белоус B.M. К вопросу о механизме люминесценции хлористого серебра/ Оптика и спектроскопия. Сб.1. Люминесценция.- Л.: Изд -во АН СССР, 1963.- С. 193 198.

22. Marquardt C.L., Williams R.T., К a bier M.N. Hole self trapping and recombination luminescence in ФпСд at low temperatures// Solid State Commun. -1971. -V.9, №.24, -P. 2285-2288.179

23. Stulen R.N., Ascareili G. Temperature dependence of the photoconductivity, fluorescence and the indnrcct adsorption edge in AgCl// Phot. Sci. Ing.-1976. -V.20, N.4. -P. 199-202.

24. Kansaki 11. Sakamoto K. Transiend optikal adsorption of lokalised holes in silver hallides // Solid State Cornmun.-1971.-У.9,№. 18.-P. 1667-1670.

25. Силукова Т.Н. Люминесценция хлорида серебра при низких температурах/ В.сб.: Оптико-люминесцентные и радиационные свойства ионных кристаллов. -Хабаровск, 1980. -С. 9-20.

26. Кюри Д., Пренер Д. Физика и химия соединений AnBVI .- 1970.

27. Шейнкман М.К., Коpevнекая Н.Е. Физика соединений A"BVi. -М.: Наука, 1986.

28. Физика и химия соединений группы A[BVI/ под ред. Медведева В. И.- М.: Мир, 1970. 432 с.

29. Jumpertz E.A.//Z. Electrochem.-1955.-V.59.-P. 419.

30. Birman J.L.// Phys.Rev. -1958.-V.109. -P.810.

31. Шувалов Ю.Н.//ДАН CCCP.-1955.-V. 109.-P.753.

32. Mohanty G.P., Azaroff L.V.// Phys. Rev.-1960.-V.120.-P. 1224.

33. Румш M.A., Шувалов Ю.Н. и др.,//Физика твердого тела.-1960.-Т.2. -Р.369

34. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я. Неорганические люминофоры.-Л.гХимия, 1975.-192 с.

35. Марковский Л.Я., ТТекерман Ф.М., Петошина А.Н. Люминофоры. -Л.гХимия, 1966. -146 с.180

36. Шейкман М.Н., Корсупская Н.Е. Механизмы излучалельных и безызлучательных переходов в соединениях A1B1V и природа центров свечения// Изв. АН СССР. Сер.физ.-1976.-Т.40, вып. 31. -С.2290-2297.

37. Шейнкман М.К., Ермолович М.Б., Беленький Г.Л. Механизмы оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции в монокристаллах CdS и параметры соответствующих центров свечения// Физика твердого тела. 1968. - Т. 10, N 9. - С, 2628 - 2638.

38. Туницкая В.Ф., Лепнев Л.С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ИК-светом// Журнал прикл. спектроскопии. 1977. - Т. 26, N 4. - С. 706 -711.

39. Соболев В.В. Зоны и экситоны соединений группы AI!BV1. Киев.: III тинца, 1980, -255 с.

40. Ребане К.С., Руттас В.И. О стимуляции фосфоров ZnS при низких температурах//Журнал прикл. спектроскопии. 1967.- Т. 5. - С. 426-430.

41. Георгобиани А.Н., Котляровский М.Б., Михаленко В.И. и др. Природа центров люминесценции в сульфиде цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью// Журнал прикл. спектроскопии. -1981. Т. 35, N 5. - С. 632 - 636.

42. Ребане К.-С.К. Люминесценция, Т II. Тарту.: ТГУ, 1966, -236 с.

43. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.:Наука, 1987, - 431 с.

44. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. -М.: Наука, 1978. -228 с.

45. Волькенштейн Ф.Ф., Горбань А.Н., Соколов В.А. Радикало-рекомбинационная люминесценция полупроводников. -М.: Наука, 1976. -326 с.

46. Латышев А.Н., Кушнир М.А., Бокарев В.В. Спектры фотостимуляции вспышки люминесценции хлорида серебра// Оптика и спектроскопия. 1982. - Т.31, N 2. - С. 366 - 364.

47. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные уровни атомов, адсорбированных на поверхности кристалла// Журнал физ. химии. 1947. - Т. 21, N П.-С. 1317- 1334.

48. Бонч-Бруевич В.Я. Методы расчета электронных уровней, адсорбированных на поверхности кристалла/ЛКурнал физ. химии. 1953. -Т. 27, N 5.- С. 662 - 673.

49. Глинчук М.Д., Дейген М.Ф. К теории локальных электронных центров вблизи поверхности полупроводника// Физика твердого тела. -1963.-Т. 5, N2.-С. 405-416.

50. Levine l.D. Modal Hydrogenic Wave Functions of Donors of Semiconductor Surface// Phys. Rev. 1965. - V. 140 A, N 2. - P. 586 - 589.

51. Петухов В.Л., Покровский В.А., Чаплин А.В. Состояние электронов, локализованных у поверхности зарядов// Физика твердого тела. 1967,- Т. 9, N 1. - С. 70-74.

52. Mark P. Chcmisorption States of Ionic Lattices//J. Phys. Chem. Sol. -1968. V. 29, N 4. - P. 689 -697.

53. Молоцкий М.И., Латышев A.H., Чибисов К.В. Квазимолекулярная модель атомов, адсорбированных на поверхности ионного кристалла// Докл. АН СССР. 1970. - Т. 190, N 2.- С. 383-386.

54. Молоцкий М.И., Латышев А.Н. Квазимолекулярная модель хемосорбции на поверхности ионного кристалла// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. - Т. 35, N 2.- С. 359 - 360.

55. Давтян O.K. Квантовая химия.- М.: Высшая школа, 1962. 783 с.182

56. Hamilton J.F., Bactzold R.C. The Paradox of Ag2 Centers on AgBr: Reduction Sensitization vs. Photolysic// Photogr. Sci. Eng.- 1981. V. 25, N 5.-P. 189-197.

57. Молоцкий М.И. Устойчивость мельчайших серебряных частиц в галогенидах серебра. Дис. канд. физ.-мат. наук.- Воронеж, 1971.-313 с.

58. Дьюар М. Теория молекулярных орбиталей в органической химии. М., 1972. - 500 с.

59. Базилевекий М.В. Метод молекулярных орбит и реакционная способность органических молекул. М., 1969. - 330 с.

60. Давыдов А.С. Квантовая механика. М.: Наука, 1973. - 704 с.

61. Levine I.D., Mark P. Theory and Observation of intrinsic Surface on Ionic Crystals// Phys. Rev. 1966.- V. 144, N 2.- P. 751-763.

62. Klyucv V.G., Latyshcv A.N. identical Properties of the Surface Process Proceeding under UV-Radiation for AgHal, ZnS and CdS// J. Inf. Recording. 1996.- V. 23.- P. 295 - 300.

63. Кушнир M.A., Латышев A.H., Угай Я.А. Люминесценция кристаллов хлорида серебра, засвеченных при низких температурах// Журнал научи, и прикл. фотографии и кинематографии. 1977. - Т. 22, N 5.380 - 382.

64. Meyer R. Forrnirung der Kornoberflashe einer Photographischen Emulsion Wahrcnd der ersten Rcifing / In. Scienty Photography, Oxford, 1969. -P. 103-109.

65. Mumaw C.I. luminescence effect of iodide addition to silver bromide emulsion//Phot. Sci.Eng. 1970.-V.14,.Nq5. -P. 262-268.

66. Волошина Т.В. Фотофизические процессы формирования малоатомных серебряных и сернисто-серебряных кластеров, адсорбированных на кристаллах галогенидов серебра: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1994. - 193 с.183

67. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. -М., 1966. 283 с.

68. Белоус В.М. О природе и "взаимодействии" центров захвата в серебряно-галоидных фосфорах// Журнал прикл. спектроскопии.- 1966.Т. 5, N 5. С. 210 - 215.

69. Белоус В.М. Об ионном механизме темпратурного тушения люминесценции хлористого серебра I// Оптика и спектроскопия.- 1968. -Т. 24, N 4. С. 586-595.

70. П I ' , \ Г I iM J": 13 Л Д Т1ЛТТ1ТА1 Г » I i 1 li 1 II I J "1 i i Ivll .T! I '1H ll'll :|Л I I / 41 .4 ' I 11 , 11 I II i I

71. О. uuliuyv. LJ.1V1. KJKJ FlVMltlWIVl ftlCAartWJXVU. 1 ЫИ11Ц)«! KJ 1 У 111 с rl Иллюминесценции хлористого серебра I I// Оптика и спектроскопия.- 1968. -Т. 24, N5.-С. 751 -755.

72. Smirnov LP., Mciklyar P.V. Ionic Conductivity of Emulsion Crystals// Photogr. Sci. Eng.- 1973. V. 17, N 3.- P. 285 - 289.

73. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука. 368 с.

74. Ozin G.A. Faraday Discuss. Chem. Soc., 1980, V.14. -P.7-64.

75. Ozin G.A., Huber H. Inorg.Chern., 1978, V.17, -P. 155-163.

76. Латышев A.H. Поверхностный фотохимический процесс в галогенидах серебра/ В кн. Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра. Кемерово, 1986, стр. 55-64.

77. LatyshcvA.N. Photostimulated instability of adsorbed clusters and the initial stage of the photographic process in silver halide grains// J. Inform. Record. Material. 1996. V.22. -P.339-345.

78. A.N.Latyshev, M.A.Kushnir, L.B.Antocanova The luminescence of Silver Chloride// Photogr. Sci. Eng. 1979, V.23. №6. -P.338-340.

79. М.И.Трухин Методы генерирования и спектроскопии атомов серебра. Ленинград.: Препринт. Ленинградский институт ядерной физикм им. Константинова.

80. Мотт Н., Терпи Р. Электронные процессы в ионных кристаллах.-М.: Ин. лит., 1950.-304 с.184

81. Mitchell I.W. The stable latent image// Photogr.Sci.Eng.,1978, V.22.№1 .-P.l-6.

82. Автоматизированный спектрофотометр для исследования кинетики слабых световых потоков /Кушнир М.А. // В. Кн. Приборы и методы спектроскопии: Тез. докл. Всесоюзн. Конф., Новосибирск, 1979, С. 122-124.

83. Перцев А.Н. , Писаревский А.Н. Одноэлектронные характеристики ФЭУ и их применсние.-М.: Атомиздат, 1971. -77с.

84. М.А. Кушнир, А.Н. Латышев Автоматический спектрофотометр для изучения слабой люминесценции сб. Радиоэлектроника, Воронеж, 1974.

85. Динамическая модель адсорбции в условиях фотогенерации неравновесных носителей/ Клюев В.Г., Кустов А.И.//Всесоюз. симп. Фотохим. и фотофизич. процессы в галогенидах серебра: Тез. Докл. Черноголовка, 1991. С.42.

86. Моделирование процесса фотостимутированной миграции адсорбированных атомов по поверхности ионно-ковалентного кристалла /Кустов А.Н. // Конф. Студент и научно-технический прогресс, отд. физика: Тез .докл. Новосибирск, 1994. С. 86.

87. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям .-М.:Наука, 1976. -576 с.

88. Фотостимулированные процессы в ионно-ковалентных

89. Ti*r\T УЛГГО TT TT n 17 T 7TT П /VTTJ ai Jf ттатч о n т тлл алттт ТДГ лг» ттгттт tv х т гч /"» г гт^атг ¿if I / / U 1 X/" rrr/л лт»ix^nC i шишл V/ у iaL 1 ИоМ поравпив^шЫл 1шиидп01л nuwn u.l .ixjlKj^ö,

90. А.И.Кустов, Н.Р.Кустова / У! Международная конференция "Действие185электромагнитных нолей на пластичность и прочность материалов": Тез. докл. Воронеж, - 1996. - С. 78.

91. Latyshev A.N., Kushnir М.А. The Low-Temperature Photochemical Process in Silver Chloride/ Papers from International Congress Photo-graphic Science. Cambridge, 1982. - P. 61-69.

92. Kluev V.G., Kustov A.L, Latyshev A.N., Malaya L.Ya., Scmenov V.N. Mechanism of fotost imulatcd trunsformation of adsorbed metallic centers and luminescent read-out// Proceedings of IС PS "98. 1998. - Vol. 1. -P. 437-440.

93. Berry C., West \V., Moser F. Silver Halidcs. Art and Science of Growing Cristals//NY.- 1963. P. 214-230.

94. Исследование усталости люминесценции AgCl при низких температурах/ Клюев В.Г., Кушнир М.А., Латышев А.Н. и др.//Журн. прикл. спектр.-1984. -Т.41, №3. -С.425-429.

95. Выгодский М.Я. Справочник по высшей математике.-М.:Наука,1976, 870 с.

96. Семенов В.И., Авербах Е.М., Угай ЯЛ. //Изв.АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т.26. №10. С.2030.

97. Вудраф Д., Дел чар Т. Современные мегоды исследования поверхности: Пер. с англ. М.:Мир, 1989.-564 с.

98. Клюев В.Г., Кушнир М.А., Латышев А.Н. и др. Исследование усталости люминесценции AgCl при низких температурах// Журнал прикл. спектроскопии. 1984. - Т. 41, N 3. - С. 425-428.

99. Люминесцентные исследования энергии десорбции адсорбированных атомов / В.Г. Клюев, А.И. Кустов, Латышев А.Н., О.В. Овчинников// Всероссийский семинар Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии : Тез. докл. Саратов, 1998. - С.39.

100. Латышев А.Н., Чибисов К.В. Механизм начальной стадии поверхностною фотохимического процесса микрокристаллов186малочувствительных фотографических слоев// Журнал научи, и прикл. фотографии и кинематографии. 1983.- Т. 28, N 3. - С. 209 - 212,

101. Baetzold R.C. Calculated properties of metal aggregates. IL Silver and Palladium.//J. Chem.Phys., 1971. V.55, N.9.-P.4363-4370.

102. Baetzold R.C. Properties of silver clusters on AgBr surface sitcs//J.Photogr.Sci.Eng., 1975. V.19,№l.-P.l 1-16.

103. Szasz L., Ginn G. Energy-term calculations with Hellmaun.-Type pseudopotential.//J.Chem.Phys., 1965.V.42, №7. -P.2363-2369.

104. Клюев В.Г., Кушнир A.M., Латышев А.Н. и др. Фотосгимулированное образование кластеров серебра на поверхности микрокристаллов сульфида цинка// Журнал прикл. спектроскопии. -1990.- Т. 53, N 3.- С. 503-506.

105. Клюев В.Г., Латышев А.Н., Малая Л.Я., Леонова Л.Ю., Кустов А.И. Люминесцентные исследования фотостимулированных процессов и187их использование для записи и люминесцентного считывания информации// ЖПС. -1995. Т.62, №3. -С.232-234.

106. Клименко В.И., Омельченко С.А., Шмурак С.З. Влияние структурных изменений на интенсивность электролюминесценции сульфида цинка // Физика твердого тела.-1988.-Т.6. -С. 1803-1808.

107. Клименко В.И., Марудян A.M., Соловьев A.B., Шмурак С.З. Электро и фотолюминесценция кристаллов ZnS// Физика твердого тела -1991.-Т.2.-С. 562-568.

108. Стоунхем A.M. Теория дефектов в твердых телах, электронная структура дефектов в диэлектриках и полу проводи иках. Т.2.-М.:Мир, 1978. -357 с.

109. Свистунов В. В. Моделирование процессов модификации поверхности и образования скрытого изображения в микрокристаллах галогснидов серебра: Дис.к.ф.-м.н. -Кемерово, 1998.-182 с.

110. Фотостимулированные поверхностные процессы в кристаллах сосмешанным типом связи// Клюев В.Г., Кустов А.И., Кустова Н.Р. /Вееросс. конф. "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов": Тез. докл.: Н.Новгород, 1996. - С.46-47.

111. Семенов В.Н., Клюев В. Г., Кушнир М.А. и др. //Поверхность. Физика, химия, механика, 1989 г. Т.2, С. 168-169.

112. Семенов В.Н., Авербах Е.М. //Поверхность. Физика, химия,mvn,„,,m ЮОО Т Afr. ^ Г' IAO lÄQ lviwvannka, i>o>. -1 , jv=: -u.iuo-iu?.

113. Влияние взаимодействия компонентов в тонких слоях системы CdS-ZnS на люминесцентные свойства // Семенов В.Н., Авербах Е.М.,188

114. V^tM^nb'D, 13.1 . IVJirUC-D, /1.П. iVJUUD, yj .LJ„ ОйЧИППИЛии II uC^pO^V^l'll'lt-AilFiсеминар Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии : Тез. докл. Саратов, 1998. - С.56.

115. Формирование и устойчивость малоагомных кластеров в

116. Пяспьал v^ux^iil-xO / и.i . ivjjjvjcü, jj.jla. ъъм^пОи. r^.Ki. ivj^iOö п л-ал

117. Международная конференция Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии : Тез. докл. Санкт-Петербург, 1998. -С,181.

118. Светочувствительность полшфисталлических пленок CdxZni-xS// Клюев В.Г., Кустов А.И., Семенов В.Н. / Всеросс. конф. "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов" : Тез. докл. Н.Новгород, НГУ, 1996. -С.48.

119. Формирование и устойчивость центров рекомбинации в тонких слоях CdxZni-xS// В.Г. Клюев, В.Н. Семенов. А.И. Кустов, Л.В. Редько/ I V Междуннар. конф. ФТТП: Тез. докл. Ивано-Франковск, 1997. -С.45.189

120. Kluev Y.G., Kustov А.1., Latyshev A.N., Malaya L.Ya., Semenov V.N. Phtostimulated formation of information storage centers and photoluminescent readout // Proceedings of SPIE. 1998. - Vol.3347. -P. 355-357.

121. Клюев В.Г., Семенов В.Н., Кустов А.И. Фотоактивность тонкопленочных твердых растворов//Поверхность (послана в печать).

122. Латышев А.Н., Клюев В.Г., Кустов А.И., Овчинников О.В. Термические свойства атомов серебра, адсорбированных на микрокристаллах хлористого серебра //ЖНиПФ (послана в печать).

123. Алфимов М.В. Люминесцениная фотография // Журн. научн. и прикл. фотограф, и кинематограф. -1984, Т. 29. В.4. -С.307-315

124. Латышев А.Н. Фотостимулированное преобразование поверхности ионно-ковалентных кристаллов // Конденсированные среды. 1999. Т.1, (принята в печать).

125. Latyshev A.N., Klyuev V.G., Kustov A.I. . /Photo-induced formation and destruction of clusters adsorbed an ionic-covalent crystal surface// Strasbourg. EMRS-99. 1999, (принята в печать).

126. Барщевский Б.У. Успехи научной фотографии. 1951. Т.1, с.191.

127. Moser F., Urbach F. Phys.Rcv. 1956, v. 102, p.1519.

128. Антоканова Л.Б., Латышев A.H., Угай Я.А. Влияние адсорбированных ионов серебра на люминесценцию эмульсионных микрокристаллов. ЖНиПФИК 1977. №3, С.225-227.

129. Kanzaki I I., Sacuragi S. Optical absorption and luminescence of exitons in silver halidcs contaning isoelectronic impuruties// J. of Phys. Soc. Jap. , 1969. V.29. -P. 109-125, 924-945.190

130. Козырева Е.Б., Мейкляр П.В. Спектры люминесценции галогенидов серебра при Т=4,2К // Оптика и спектроскопия.-1967. Т.23, №3. -С 421-426.

131. Барщевский Б.У., Батог В.Н., Сафронов Г.М. Закономерности в спектрах аннигиляции излучения кристаллов галогенидов серебра// ДАН СССР.-1973. Т.23, №3. -С.627-630.

132. Mumaw СЛ. Luminescence effect of iodide addition to silver bromide emulsions// Phot. Sei. Eng. -1970. Y.14, №4. -P.262-268.

133. Kanzaki H. Recent developments in the physics of silver halide// Phot. Sei. Eng. -1980. V.24, №5. -P.219-226.

134. Mozer F. Luminescence in pure and I-doped AgBr crista Is// J. Luminesc. -1971. V.3. -P.447-458.

135. Белоус B.M., Толстобров В.И., Мурашов В.П. Спектры люминесценции микрокристаллов фогографических эмульсий с разлиной огранкой//Журн. научн. и прикл. спектр. -1977. Т.22. В.5. -С.390-393.

136. Латышев А.Н., Волошина Т.В., Кушнир М.А., Чопорова 11.Б. Окисление поверхностных центров локализации электронов хлорсеребряных микрокристаллов// Журн. научн. и прикл. фотограф. -1982. Т.27, №5, -С.445-448.

137. Кушнир М.А., Латышев А.Н., Чибисов К.В. и др. Образование глубоких электронных ловушек при адсорбции серебра на поверхности хлорсеребряных кристаллов// Докл. АН СССР. -1982.Т.263,№2, С.364-366.

138. Клюев В.Г., Малая Л.Я., Леонова Л.Ю. и др. Модификация структурных дефектов микрокристаллов хлорида серебра ионами двухвалентных металлов//Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов: Тез. докл. -Воронеж, 1996. -С.76.

139. Латышев А.Н., Леонова Л.Ю., Клюев В.Е. и др. Исследование поверхностных состояний в галогенидах серебра и сульфидах цинка и191кадмия// Радиационные гетерогенные процессы: Тез. докл. Кемерово, 1995. -С.78.

140. Тимошенко Ю.К., Латышев А.Н., Домашевская Э.П. О локальных уровнях, возникающих при адсорбции атома серебра на поверхностном катионе А§С1. Ж. научн. и прикл. фотогр. и кинемагогр.1. ЮОТ Т Т> ММ п £.")

141. Тимошенко Ю.К., Шунина В.А., Латышев А.Н. Электронная структура AgC! с адсорбированными ионами серебра. Изв. АН сер. физ. 1997. Т.61, 35. -С.961-964.

142. Латышев А.Н., Шунина В.А. и др. Энергия связи адсорбированных атомов серебра с кристаллами галоидного серебра. Деп. в ВИНИТИ, 1982, № 3039-83.

143. Латышев А.Н., Кушнир М.А., Бокарев В.В. Вспышка люминесценции центров скрытого изображения хлорсеребряной фотографической эмульсии// Журн. научн. и прикл. фотограф. 1981. Т.26, №5, -С.377-379.

144. Латышев А.Н., Антоканова Л.Б., Кушнир М.А. Механизмы поверхностной чувствительности хлорсеребряной эмульсии// Журн. научн. и прикл. фотограф. 1982. Т.27, №4, -С.274-277.

145. Винокуров Л.А., Фок М.В. Определение глубины электронных ловушек в фосфорах на основе ZnS по вспышке под действием И К -света //Оптика и спектроскопия. -1961.-Т.10, №.3. -С.374-378.

146. Фок М.В. Оценка параметров центров локализации дырок и электронов по тушащему и г вепышечному действию И К света// Физика и техника полупроводников.-!970.-Т.4, №4. -С. 1009-1014.