Плазменное анодирование полупроводников при фото и электронном воздействии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН ОТДЕЛ ТЕПЛОФИЗИКИ

На правах рукописи

ЯКОВИНА Василий Васильевич

ПЛАЗМЕННОЕ АНОДИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ФОТО И ЭЛЕКТРОННОМ ВОЗДЕЙСТВИЕ

01.04.07 — «Физика твердого тела»

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ТАШКЕНТ—1991

Работа выполнена в Отделе теплофизики АН Республики Узбекистан

Научные руководители: — член-корреспондент АН СССР

Хабибуллаев П. К..

доктор физико-математических наук Алимов Д. Т.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических

наук Лукьянчук Б. С.

кандидат физико-математических наук Закиров А.

Ведущая организация — Институт физики АН Республики Кыргызстан

Защита состоится __;__1992 г. в_

часов на заседании Специализированного ученого совета (Д 015.22.01) при Отделе теплофизики АН Республики Узбекистан (700135, г. Ташкент, массив «Чиланзар», квартал «Ц», ул. Катартал, 28).

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке АН Республики Узбекистан.

Автореферат разослан «г£5>_¿^^^^А-1_1991 г.

Ученый секретарь Специализированного совета I

доктор физ.-мат. наук ^¿.(Сс ? м- А- КАСЫМДЖАНОВ

! "

- 3 -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертация посвящена изучению физики плазменного анодирования и использованию полученных-при этом данных для раеработки методов (локального) управления кинетикой анодирования.

Актуальность теме придают не решенные в технологии микроэлектроники проблемы воспроизводимости и нивкой скорости роста анодных пленок (АП) в плазме.

Значительный интерес для микроэлектроники представляют таима внсокоэффектишше технологии . бевмасочного формирования полупро-водникових структур с заданной тспологией. Разработанные к настоящему времени методы: лазерографические, например, ниролитнческое или фотолитичеекое травление (осаждение) слоев, пучковые, но обеспечивают должного качества структур, либо обладают низкой производительностью. Последнее связано с их непригодностью для групповой обработки формируемых полупроводниковых приборов. Беа-масочная обработка приборов, в том числе групповая, на основе ла-эерографического процесса в рамках плазменного анодирования ранее не рассматривались.

Систематическое изучение проблемы управления плазменным анодированием 8атрудняет то обстоятельство, что до сих пор остался непроясненным вопрос о лимитирующих стадиях процесса плазменного анодирования. Современная теория, рассматривая в качестве таковых ионный перенос в АП и процессы на границе "АП плаама", игнорирует границу "анодируемый маториад-АП". В то т ррэмя натопилось значительное количество фактов, косвошю указывающих на сумеет венную роль последней в физике анодирования. К ним молло отнести насьщо-

line роста АП в отсутствие пробоя пленки, сильную чувствительность кшютики анодирования к параметрам и предыстории структуры "анодируемый материал-А1Г* и др. По понятним причинам, бев внимания теории остались также такие вопросы, как стимулирование процессов на границе "анодируемый материал-АП" электронами (дырками), учет равупорядоченности граница

Одним иа методов решения вопроса о лимитирующих анодирование стадиях, определения их "удельного веса", условий доминирования, изучения соответствующих физических механизмов является фото- и электронное воздействие на ту или иную стадию. Таким ойравом, последнее выступает в настоящей работе не только кг:: объест, но и как инструмент исследований.

Цель настоящей работы состоит в исследовании влияния фото- и электронного воздействия , на кинетику плазменного анодирования, включающем:

- поучение роли границы равдела "анодируемый материал-АЛ" и электронностимулированных процессов на ной в фиоико плазменного анодирования;

- оценку эффективности каналов управления ростом АП путем фотостимулирования ионного переноса в All и процессов на границе "АП-плазма";

- ивуиениэ эффектов стимулирования процесса анодированил при фотовоздействии на границу "анодируемый материал-АП";

- исследование физических механизмов, допускающих программирование процесса плазменного анодирования.

Научная новизна.

1. Впервые граница "анодируемый материал-АП" наследована как фактор, лимитирующий или оказывающий существенное влияние на кинетику анодирования. Выявлены обратные связи и влияние параметров анодирования на кинетику анодирования, обусловленные ее вависимостью от состояния границы "анодируемый материал-АП".

2. Впервые рассмотрена роль электронов как стимулятора (ингибитора) процессов на границе "анодируемый материал-АП".

3. Впервые систематически рассмотрено плазменное фэтоалодировашю материалов.

4. В качестве основы для высокопроизводительной безмасочной литографии предложены химические системы и процессы, запоминающие внешнее воздействие. Продемонстрирована их реализация в случае плазменного анодирования.

Основные защищаемые положения.

1. Состояние границы "анодируемый материал-АП" Ь'его изменение о' ростом АП, либо при варьировании параметров анодирования существенно влияют на кинотику анодирования. В основе указанного влияния лежит воздействие электронов (дырок) на упомянутую границу.

'¿. В зависимости от состояния границы "анодируемый материалАИ" инжектируемые в АП электроны стимулируют, либо подавляют рост АП. Высокознергетичная электронная компонента плазмы подавляет, а в определенных условиях индуцирует пространственно неоднородный рост АП.

- б -

3. Эффект изменения шшетики анодирования при перезарядки светом границы "полупроводник-А1Г.

4. йюичйокие механизмы, реализующие программирование процесса плазменного анодирования:

- принудительная термализация электронов плазмы на поверхности АП стимулирует ее рост;

- электрическая бистабильность в системе "полупроводниковая . структура-плазма" индуцируют бистабильность реакции плазменного анодирования;

- запись и стирание (электрического потенциала в системе "полупроводниковая структура-плазма" излучением различных длин волн стимулирует прямые и обратные переходы между основным и мотаотабилыгым состояниями, характеризующихся разню,и скоростями роста АП.

Научная и практическая ценность работы. Пэлученнью результаты углубляют представления о физике плазменного анодирования. Кроме того, они находят применение при изучении жидкостного анодирования материалов в системах с низкой эффективностью ионного тока, напримор, в случае анодного окисления кремния, а также при исследовании контактных явлений в электрохимии твердых электролитов.

На основе проведенных исследований разработаны новые способы низкотемпературного окисления !т азотирования материалов, защищенные авторскими свидетельствами. Предложен критерий отбора химических систем и процессов, реализующих высокопроизводительную бевмасочнуто литографию. Предложена конкретные лаверографические

процессы, удовлетворяющие указанному критерию, бавпрующиася ни технологии плазменного анодирования.

Апробация работы. Основные ревультати настоящей работы докладывались на VIII Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического получения с ввщрствои (Ленинград, 1988 г.), VI сешнара "й!вичес1сая химия поверхности мснокристаялических полупроводников (Новосибирск, 188^ г.), ■ I Всесоюзной конференции "<5итоэлектрнчес-1ше явления в полупроводниках" (Ташкент, 1989 г.). Всесоюзной конференции "Взаимодействие атошшх частиц с тверди).! телом" (Ыэсква, 1989 г.), III Всесоюзной конференции "Применение лазеров в народном хозяйстве" (1!!атура, 1989 г.), XIV Иевдународной конференции по когерентной" и нелинейной оптике (Ленинград, 1991 г.)

Структура и обт-ом работа Диссертация состоят из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. (Хяеы диссертации 101 страница, включая 17 рисунков и список литературы, содержащий 98 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Ш введении показана актуальность тени диссертационной работы и выбор объектов исследования. Сформулирована цель исследования, резюмированы научная новизна и практическая ценность работы, основные положения, выносимые на вавдту. Кратко наложено содержания материала по главам.

Порвал глава посвящена анализу состояния экспериментальных и теоретических исследования физтси анодирования и плазменного фо-госкислеиия материалов.

В п. 1 представлен обзор, отражающий современное понимание ^пвнкл плазменною анодирования. Сделан вывод о недостаточности оудастпутазис представлений для объяснения совокупности известных экспериментальных фактов. Указывается, что неполнота представлений о лимитирующих стадиях процесса плазменного анодирования су-кает область поиска каналов эффективного управления анодированием.

В п. 2 рассмотрены известные механизмы и методы фютостимули-ровання нлаяманного окисления материалов. Отмечается, что плазменное фоюогиедтше материалов и процессы, лежащие в его основе, ранее практически не изучались.

В п. 3 на основании оОяора делается заклвчение о цели диссертационной работы и конкретных путях ее достижения.

to второй главе изучается связь состояния границы "анодируемый гатериал-АН" с кинетикой анодирования, а тшшэ роль плектрон-ностимуллроганньи процессов на указанной границе.

Б н. 1 рассмотрена техника плазменного анодирования и методика экспериментов по поучению кинетики роста плазменной AIL

В п. 2 приведены результаты исследования кинетики роста окис-пой пленки на Agf^-полупроводниках (GaAs, GaP, InP), А1 и др. материалах в гаюлородсодеряазцзм тлеющем разряде постоянного тока в зависимости от плотности анодирующего тока j и температуры электронов в1разряде. Температуру электронов варьировали, изменяя Е/Р при фиксированной величине парциального давлении ютслорода или

тока разряда. Здесь и далее: Е и Р - напряженность олектрпческого поля и давлений в положительно» столбе разряда, j((Е/Р), (Е/Р)^ -

параметры, зависящие от анодируемого материала, 1-1.2, К-1ь и v - толщина и сгарость роста АН, 1 - аффективная длина свободного пробега электронов в АП. Наблюдались следующие ваганомернос тн, общие для изучавшихся материалов:

При Ь<1 и (Е/Р) > (Е/Р) g v-0 при люоих з-

При Ь<1 И (Е/Р)2<(Е/Р)<(Е/Р)3 v>0 (dv/dj>0), если jcjj,

. v>0 (dv/dj<0), если j^< j < Jg. и v-0 при pj^.

При b<l и (E/P)<(E/P)1 v>0 (dv/dpO) во всем изучавшемся

диапазоне значений ].

В случае (Е/Р)>(Е/Р)2 и непрозрачной для горячих алзктрсш.т

АП (Ь>>1) на одних материалах (например, p-GaAu - I тип) аф^зкт подавления роста АП электронами плазмы не проявлялся, на других (ir GaAs - II тип) реализовывался в варианте:

dv/dpO при j<jj или 3>io- dv/dj<0 при jj<j4j,. во всех

случаях v>G. Па основании полученных данных сделан вывод о тем, что процессы на границе "анодируемый материал-АП" лимитируют рост прозрачной для горячих электронов АП Для материалов II-типа существенны ташке стимулируемые горячими электронами (ОГЭ) процессы в поверхностном слое All толщиной <1. Проведенный анализ механизмов подавления роста All охватывает СГЭ процессы на границах "анодируемый материал-All", "АП-плазма" и в пленке, в том числе: ударную ионизацию состояний на границе "анодируема! материал-АП" и массопереносащпх дефектов в пленке, процессы восстановления анодного окисла на поверхности подложи, зависимость прошила электрического потенциала в слое, а о ним проницаемости слоя по отношении к наряженным дефе'сгам от спектра анергий электронов.

В и. 3 исследуется эффект насыщения роста АН Для Широкого класса материалов (Go, GaP, ïi и др. ) зависимость максимально достижимой толщины АП от плотности анодирующего тока dm(j) имеет

максимум. Обнаружено, что отжиг структур в вакууме или Аг при температурах 200-400 °С в обларти насыщения роста AI! приводит при последующем анодировании к росту пленки до.толщин, на 20-40Х превышающих-'d. Увеличение температуры электронов в разряде приводит

К уменьшению dm и смещению максимума на зависимости dB(J)-в

область меньших токов. На основе приведенных данных, а также релаксационных эффектов на временной вависимости толщины Ail d(t) при внезапных изменениях j сделан вывод о наличии обратной связи между кинетикой анодирования и состоянием границы "анодируемый материал-АГГ. Анализ вышеприведенных данных, а также данных о влиянии отжига на стехиометрию АП, корреляции толщины переходного слоя на границе "анодируемый материал-АП" с кинетикой анодирова- '

ния и других - позволил предложить механизм надыщзния___роста АП,

заключающийся в следующем. Увеличение толщины "АП сопровождается накоплением ростовых дефектов вблизи границы "подложка-АП". Ш достижении определенной степени равупорядоченности и толщины упомянутого переходного слоя он эффективно взаимодействует о инжектируемыми в пленку горячими электронами, что приводит к полному подавлению роста АП, аналогично рассмотренному ранее в п. 2.

В п. 4 рассмотрены эффекты, связанные о неупорядоченностью границы "анодируемый материал-АП". В опытах продемонстрирована корреляция между плотностью быстрых поверхностных состояний, несущих информацию о структурном совершенстве границы "подлож-

ка-Alt", и кинетикой окисления.

В п. 5 рассмотрена неустойчивость пространственно однородного роста ЛИ Описаны опыты по наблюдению неоднородного по поверхности GaAs роста пленки при ]j<J<J? в плазме с параметром (Е/Р)>(Е/Р)

и однородного при j <i j, а также при любых J в плазме с параметром (Е/Р)<(Е/Р)j < (Е/Р)2- Предложен механизм ее возникновения -

пологательная обратная связь в системе (толще АП -> hhjtbj -> выше v), обусловленная падающим участком на зависимости v(j). Указгаа-ется, что аффект подавления роста АП электронами вместе с перераспределением j, вызванным неоднородным ростом диэлектрической АП, индуцирует обратную связь типа "высокая v на одном участке подложи -> низкая v на другом". Действием данной нелогичной связи объяснено возникновение симметричных окисных структур, наблюдавшихся в опытах на GaAs.

В третьей главе сопоставляются и изучаются каналы стимулирования процесса анодирования при фотовоздействки на различные стадии процесса: ионный перенос, реакции на границах "анодируемый материал-АП" и "АН-плазма".

В п. 1 рассмотрено фотостимулирование ионного переноса в АП путем изменения электрического потенциала границы "п-полупроводник- АП". Изменение потенциала достигается генерацией барьерной фотоЭДС на поверхности полупроводника. Обсуждаются особенности фотостимулирования, связанные с воздействием на структуру высоко-энергетичных плазменных частиц.

П. 2 посвящен стимулированию ионного переноса путем возбуждения электронов в окисле УФ-излучением. Рассматривается такте УФ-стимулирование процессов па границе "АП-плазма".

В п. 3 рассматривается эффект стимулирования роста АП при

уменьшении изгиба sou на поверхности анодируемого n-GaAs под действием света. Получзнныэ данные сопоставляются с обратным по знаку зффэктом фотостнмулирования, наблюдавшимся ранее в система • "Si-двуокись кремния-электролит". Предложи механизм влияния зарядового состояния границы "полупроводник-тонкая Ail" на кинетику анодирования, согласно которому изменение степени заполнения состояний на границе влечет изменение вероятности безызлучательной рекомбинации горячих электронов и, как следствии, эффективности электронного стимулирования границы.

В п.4 на примере анодирования I пАы исоледуетса подавление роста АН на уэкозошшх полупроводниках при фотоинаагащи дырок из полупроводника в пленку. Эффект связывается с перезарядкой границы "InAs-AIT фотодцркаш. Близкие эффективности фотоитимудирова-нил роста пленки при воздействии на ионный перенос и при перезарядке границы "полупроводник-АП" подтверждают вывод о существенном влиянии состояния названной границы на кинетику анодирований и роли злектрошюстимулируемих процессов на ней.

В четвертой главе рассматриваются физические механизмы,. реализующие программирования процесса плазменного анодирования".

Во введении обсуждается критерий отбора химических систем и процессов, реализующих высокопроизводительную безмасочную литографию. В соответствии о ним, подходящими являются системы, запоминающие внешнее воздействие. Это позволяет разнести во времени локальное облучение - программирование - и собственно формирование рельефа полупроводниковой структуры. При времени запоминания , оистемой воздействия tm, большем времени формирования Микрорельефа' t{, риоушж на полупроводниковой пластине может быть сформирован за T-nt Hfl где п - число чипов на пластине, ■ t -

- 13 -

время программирования химической реакции. При условии

Т-^, что в п или примерно в 100 раз меньте, чем для традиционней

лазерографии. (В последнем случае Т^пЪ^.) При 1т<1г, 1; ^^/п

реализуемо динамическое программирование, в случае которого пластина сканируется программирующим пучкем с периодом, меньшим Ь .

Реализацию укапанной идеологии на химических реакциях с памятью затрудняет их известная экзотичность. В случае электрохимических (плачмохимических) реакций, в частности, плазменного анодирования, где кинетика реакции связана с электрическими характеристиками системы, соотгетствующая проблема моянт быть сведена к поиску систем с долговременными релаксациями или биста-билыгой ВАХ.

Б п. 1 рассмотрен пример реализации программируемого лаворог-рафического процесса в системе с долговременными релаксациями. Описан обнаруженный в структуре "п-ВаР-анодпая окисная пленка-плазма" э№га оптической "записи" и "стирания" электрического потенциала полупроводниковой поверхности. "Запись" достигалась облучением аноднополяризованной структуры лазерным излучением о энергией квантов из области примесного поглощения СаР - 1.96-или 2,15 эВ. Время релаксации наведенного потенциала превышало '10 мин. Анализ кинетики анодирования позволяет пренебречь фото-ЭДС-стимулированием и связать увеличение скорости роста АП при "записи" с вышеописанным эффектом перезарядки полупроводниковой поверхности. Облучение структуры импульсом света с энергией квантов из области собственного поглощения гЗаР "стирало" наведенный потенциал и возвращало структуру в состояние с исходной до "записи" кинетикой анодирования. Проанализированы механизм долговременной релаксации, ее чувствительность и ре.тамам анодирования, а

ташки роль плазмы.

В п. 2 рассмотрен пример реализации программируемого лазерог-рафнческого процесса на ссново системы с бистабильнЪй ВАХ. Экспериментальные данные приведены для системы "п-6аАБанодная офисная плсшм^цлазма". При толщинах АП выво некоторого значения ВАХ системы становилась S-образной. Анализ распределения .электрического потенциала в системе позволил связать возникновение бистабильнос-уи с переключениями электрического поля В All Состояние с высокой плотностью тока соответствовало низкой значениям напрял^ннооти электрического поля и спорости роста All в структуре, с низкой плотностью - высоким значениям напряженности и скорости роста. Описаны опыты по лазерному фото- и термосгимулированному переключению реакции via состояния с низкой в состояние с высокой скоростью роста All в области бистабильности реакции.

В п. 4 на.примере анодного окисления ыеди приведены результаты исследований программирования роста All путем ее структурной модификации низкоинтенсивным светом.

В п. 5 рассмотрен метод стимулирования процесса плазменного анодирования путем термализация горячих электронов на внешней поверхности АП, для чего на поверхность плешей наносится специальный слой-протектор. Описаны кап однослойные, так и многослойные протекторы. Отмечается, что нанесение протектора позволяет на порядки повысить скорость роста АП, и в несколько раз максимальную толщину нпенки. Описано применение протектора для окисления кремния, нитрида кремния, циркония, других материалов. Опыты с протектор,ом предлагаются в качестве дополнительного аргумента в пользу ri. п. 1-2 защищаемых положений.

В заключении диссертации перечислены основные ревультаты исследований:

1. Показано существование обратной связи между кинетикой анодирования и состоянием границы раздела "анодируемый материал* анодная пленка".

2. Показано, что изменение состояния границы "анодируемый материал-анодная пленка" при варьировании параметров процесса анодирования, таково, что существенно влияет на кинетику анодирования.

3. Показано, что связь кинетики анодирования с состоянием границы "анодируемый материал-анодная плеши" обеспечивается воздействием электронов на границу.

4. Обнаружен и изучен эффект подавления и пространственно неоднородного роста анодной пленки под действием высокоэнергетич-ной электронной компоненты плазмы. Показано, что процессы на границе "анодируемый материал-АГГ лимитируют рост прозрачной для горячих электронов АП. Предложен механизм формирования неустойчивости однородного роста пленгат.

5. Обнаружен и'рбъяспея аффект изменения кинетики анодирования при перезарядке светом границы "полупроводник-АП" - прямой или опосредованной (через изменение изгиба зон на полупроводниковой поверхности или ин лекцию дырок из полупроводника в АП).

6. Выполнено сравнительное исследование эффективности фотостимулирования различных стадий процесса -анодирования. Выявлено доминирование канала управления, связанного со стимулированием границы "анодируемый материал-АП", в случае токих пленок, на уэ-ковонных и р-типа полупроводтгккжг.

7. Предложены и проанализированы методы, реализующие программирование процесса плазменного анодирования:

- принудительная терыализация электронов плаеш на поверхности анодной пленки;

индуцирование электрической бистабильности в система "полупроводниковая етруктура-плааыа";

- вались и стирание электрического потенциала в системе "полупроводниковая структура-плазма" излучением различных длин ВОЛН;

- структурная модификация АЛ шюкоинтенсивным светом.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ:

1. Алимов Д. Т., . Хабибуллаев И К. , Яковина Е а Способ получения окисной пленки с рельефным рисунком. А. с. N 1537119, опубл. в В. и. 1990. N 2. Заявка N 4110150/21 от 27.08.86 г.

2. Алимов Д. Т., Косов Е Ы., Яковина Е Е Способ анодирования полупроводниковой подложки. А. с. N 1521166, опубл. ь Б. и. 1989. N 41. Заявка N 4337603/25.

3. Алимов Д. Т. , Носов ЕМ. , Якоьииа ЕВ. Влияние электронов плазмы на изгиб ьон на поверхности взаимодействующего с плазмой полупроводника//ЫаТер. IX Всесоюзной конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. М. , 1989.- Т.П. С. 44-45.

4. Алимов Д. Т. , Косов В. М. , Яковина а а Влияние электронов газоразрядной плазмн на фотоэлектрические свойства 1сонтактирукцей с плавмой полупроводниковой структуры// Тез. I Всесоюзной конф. по фотоэлеетрическим явлениям в полупроводниках. Ташкент 23-27 октября 1089 г. Ташкент: Фан. 1989. С. 96.

Б. Косов а М. , Яковина а а 'Хотостпмулированный рост прозрачного окисла на поверхности полупроводника в плазме. // В кн. "Применение новейших- достилсеиий физики конденсированных сред". Ташкент: ОТФ АН УсССР. 1989. 0.81-82.

4. Алимов Д. Т. , Косов В. М. , Яковина а а Способ получения' рельефного покрытия на полупрбводншеовой подломго. Заявка N 4779083 от 25.11.89 г., положительное рекенне от 29.01. 91 г.

Ьс Ллимов Д. Т. , Косов а № , Яковина а В. Оотостимулирование окисления полупроводников в плавие//№тер. 111 Всесоюзной конф. "Применение лазеров в народном хозяйстве". Шатура Московской обл.: НИПТЛАН. 1989. .С. 112.

0. Яковина а а , Косов а М. , Способ плазменного анодирования. Заявка N 4767758/25 от 13.12.89 г. Пологательное реиение от 23.09.91 г. \

7. Алимов Д. Т. , Косов В. М. , Яковина В. а Способ формировшшя ивобраггения. Заявка N 4027681/25 от 21.05.90 г. Положительное решение от 23.08.91 г.

8. Косов В. М. , Яковина а а Способ лслсалыюго травления твердо-толыгой подложки. Заявка N 4827680/25 от 21.05.90 г. Положительное реиение от 14. 09. 91 г.

0. Носов Е М. , Лшвина а В. Радиациошшо процессы с участием горячих электронов при плазменном анодировашш//Ыатер. Всесоюзной конф. "Физика окисных пленок". Штроваводск. 1991. С. 83-90.

10. Коорв а Ы. , Дсовина R а Подавление и неустойчивость пространственно однородного роста анодной плешей в плазма, индуцированные плазменными электронами//!,ti'rep. VIII Всесоюзной конф. "Физика низкотемпературной плазмы". Минск. 1991. Т. 2. 0.05-96.

?1. Алимов Д. Т. , Косов В.М. , Яковнна В. В. Лазорография и система "твердое тело-химически активная газоразрядная плазма". "Фотоэлектрический" канал управлоши//Тез. XIV международной конф. по когерентной и нелинейной оптике, Молсса, 1931, Т. J , 0.64.

12. Алимов Д. Т., Косов а М. , ЯкоЬина К а "Сухая" фотоаноднам микрообработка полупроводников в лазе рог рифт// ФпХОМ, 'J991, И 6, С. 145-148.

'' riü.UIMCJliO к неким £7-/2. 9 Í 1-. Фкрлш Сум Л,, (ilKBl'l,,,

|¡>.Mdia uií'u« IK-i4ib офсепми Oúiam i п. л lupaw. 3,l¡h Ai/4Jó"

Olliumano u шшлрлфим I .ll(jt 111 laiilhUll, ).!. Я. К li, 1 .lt ,1, u;