Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1 Л. Структура и физико-химические свойства ХСП

А8283)х- (А828е3),.х ХСП.

1.2.Особенности энергетического спектра электронов в ХСП.

1.3. Влияние температуры на энергетический спектр электронов в ХСП.

1.4.Влияние примесей свойства ХСП.

1.5.Влияние дефектов на оптические свойства ХСП.

1.5.1.Влияние пор на оптические свойства ХСП.

1.5.2.Роль дефектов, связанных с нарушением зарядового состояния атомов в соединениях.

1.6.Применение ХСП для записи оптической информации.

ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

II. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ОСНОВНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК ХСП СИСТЕМЫ Аб^-АБ^ НА ЛАВСАНОВЫХ ПОДЛОЖКАХ РУЛОННОГО ТИПА.

2.1.Методика получения пленок ХСП (Аз28з)х-(А828ез)1.х вакуумным термическим напылением из испарителя типа ячейки Гюнтера.

2.2.Технологические особенности получения пленок ХСП (А828з)х-(А828ез)1.х методом дискретного испарения.

2.3. Кинетические особенности испарения (As2S3)x-(As2Se3)i.x из ячейки квазизамкнутого типа с регулируемой плотностью молекулярного пара.

2.4. Методика измерения стационарных электрофизических параметров и характеристик пленок (As2S3)x

As2Se3)i-x

2.5. Методика измерения электрофизических параметров пленок ХСП в электрофотографическом режиме.

2.6. Методика нанесения и характеристики подстилающего электрода для пленок ХСП (As2S3)x-(As2Se3)!.x на лавсановых подложках рулонного типа.

III. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК (As2S3)x-(As2Se3)i.x.

3.1. Влияние материала подстилающего электрода на спектральную фотопроводимость пленок (As2S3)x-(As2Se3)i-x

3.2. Влияние температуры подложки и длительности отжига на электропроводность пленок (As2S3)x;>(As2Se3)ix.

3.3. Влияние состава на фоточувствительность и прозрачность пленок (As2S3)x-(As2Se3)i.x.

3.4. Влияние скорости напыления на электрофизические свойства пленок (As2S3)x(As2Se3)ix.

IV. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФТПН С ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ СЛОЯМИ (As2S3)x-(As2Se3)i.x.

4.1. Фотоэлектрические свойства носителей записи оптической информации с инжекционными слоями As2Se

4.2. Методика записи и считывания оптической информации и фотографические характеристики ФТПН на основе фотополимера КЭМЮМА с инжекционным слоем Аз28е3.

4.3. Фотографические характеристики ФТПН на основе фотополимера КЭМЮМА с инжекционным слоем Аз28е3.

4.4. Исследование голографических характеристик ФТПН с ин-жекционными слоями Аз28е3.

V. ПРИМЕНЕНИЕ СЛОЕВ ХСП ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (А8283)х (А828ЕЗ)ьх ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ

5.1 Особенности формирования рельефных изображений на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников.

5.2. Изучение зависимости дифракционной эффективности голограмм, полученных на пленках ХСП Аз28з методом фотоструктурных изменений.

5.3. Исследование импульсной записи голограмм в зеленой области спектра с помощью ФТПН на основе слоев (А828з)о,7-(А828е3)о,з.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ

РАБОТЫ.

Начало систематического исследования халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) было положено открытием в 1954 году Б.Т. Коломийцем и H.A. Горюновой полупроводниковых свойств у большой группы стеклообразных материалов [1]. ХСП присущи высокая фотоэлектрическая чувствительность в сочетании с низкой темновой проводимостью, что позволило широко применять эти материалы в качестве фоточувствительных элементов в различных системах записи оптической информации (электрофотография [2-4], ИК-оптика [5,6], фототермопластическая запись [7,8] и др.). Способность этих материалов изменять свои физико-химические свойства под действием различных факторов позволяет применять их в качестве сред для записи голограмм с высокой разрешающей способностью (до 104 лин/мм) [9], а также для создания многих функциональных элементов интегральной оптики. Открытие эффекта электростимулированных химических превращений на границе металл -ХСП позволило создать на основе этих материалов новые электроуправляемые бессеребряные фотографические носители записи и хранения оптической информации.

Простота синтеза ХСП, в особенности получения их в виде тонких пленок, по сравнению с процессами выращивания и обработки полупроводниковых кристаллов, успехи их практического применения стимулировало интенсивное развитие исследований в области стеклообразных полупроводников. Несмотря на значительный период времени, прошедший с открытия полупроводниковых свойств у ХСП, в недавно вышедшей монографии [10] отмечается что физика халькогенидных стеклообразных полупроводников является динамично развивающимся научным направлением.

Типичными представителями ХСП являются сульфид АэгЗз и селенид А828е3 мышьяка, а также твердые растворы на их основе. Имеющиеся экспериментальные результаты [11-15], связанные с технологией получения тонких пленок ХСП (А828з)х-(А828е3)1.х для оптоэлектронных устройств, могут быть обобщены следующим образом:

-свойства пленок в значительной степени зависят от состава и способа их получения;

-термический отжиг пленок приводит их в состояние, приближающееся к равновесному;

-на пленках одного и того же состава в зависимости от способа получения можно наблюдать эффекты как просветления, так и потемнения;

-стирание записанной информации может быть осуществлено как термическим, так и оптическим способами. При этом каждый из способов может быть усилен другим.

Для современных систем обработки оптической информации необходимы носители, обеспечивающие процесс записи информации в реальном масштабе времени. Отсутствие дополнительной химической обработки открывает возможность мгновенного доступа к записанной информации. Этим требованиям вполне удовлетворяют регистрирующие среды на основе тонкопленочных структур из халькогенидных стеклообразных полупроводников. Успехи в области синтеза и технологии получения тонких стеклообразных слоев позволили широко внедрить электрофотографические процессы для размножения документации. Весьма удачным оказалось использование для этих целей фототермопластических носителей (ФТПН) записи, которые по уровню чувствительности и разрешающей способности приблизились к галоидосеребряным материалам. Сочетание этих свойств с оперативностью регистрации делают ФТПН на основе ХСП наиболее перспективными средами для записи информации.

Разделение функций в двухслойных ФТПН между полупроводниковым слоем, ответственным за формирование потенциального рельефа, и термопластическим, обуславливающим его визуализацию, обеспечивает наиболее полную реализацию возможностей обоих материалов. В связи с этим важное значение приобретает решение проблемы, связанной с улучшением фотографических характеристик носителей записи. Это требует в первую очередь повышения фотоэлектрических параметров полупроводниковых слоев и разработки технико-технологических условий получения однородных по толщине и составу пленочных образцов ХСП сложных составов на подложках большой площади, в частности, на полимерных подложках рулонного типа.

Однако известные до сих пор методы получения пленок многокомпонентных ХСП на подложках рулонного типа не позволяют получать достаточно однородные слои с воспроизводимыми свойствами в широко варьируемых технологических условиях. В связи с этим для решения указанных проблем, связанных с записью оптической информации с помощью полупроводниковых материалов, актуальным является дальнейшее исследование пленок ХСП твердых растворов (А828з)х-(А828ез)1х (0<х<1), включающее:

-разработку высокопроизводительных способов получения однородных и высокочувствительных в видимой области спектра тонких пленок ХСП твердых растворов (А828з)х-(А828е3)1.х на рулонной основе;

-проведение целенаправленных исследований по выявлению зависимости электрофизических и оптических свойств пленок ХСП на рулонной лавсановой основе от условий их получения и состава;

-комплексное исследование фотографических и голографи-ческих характеристик регистрирующих сред, в которых используются тонкие пленки ХСП (А828з)х-(А828е3)1х.

Цель работы заключалась в следующем:

1. Разработке методики получения однородных по толщине, длине и составу фотопроводящих пленок ХСП твердых растворов (А828з)х-(А828е3)1х на длинномерных лавсановых подложках рулонного типа.

2. Исследовании закономерностей влияния технологических условий получения пленок (А828з)х-(А828ез)1.х на их электрофизические и оптические свойства.

3. Оптимизации условий получения и состава пленок ХСП (А828з)х-(А828е3)1х на рулонной основе при использовании их в системах записи и считывания информации "на просвет" одним источником излучения.

4. Исследовании характеристик эффективности регистрирующих сред на основе пленок ХСП (А8283)х-(А828е3)1.х, полученных на рулонной основе в оптимизированных технико-технологических условиях.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Разработана методика получения однородных по толщине, длине и составу фотопроводящих пленок ХСП твердых растворов (А828з)х-(А828ез)1.х на лавсановых подложках рулонного типа в широко варьируемых технико-технологических условиях. Предложенное на уровне изобретения технологическое устройство обеспечивает возможность синтеза многокомпонентных соединений и твердых растворов непосредственно в испарителе до процесса напыления.

2. Установлена зависимость электрофизических и оптических свойств пленок ХСП (АзгЗзЗх^АвгЗез)!^ от скорости их напыления. На этой основе определены оптимальные скорости напыления, \у= (4-7)-10" мкм/с, при которых пленки ХСП обладают наибольшей фоточувствительностью и соответственно качеством электрографических носителей записи оптической информации, изготовленных на их основе.

3. Показано, что оптимизированным скоростям напыления пленок ХСП (Аз28з)х-(А828ез)1х соответствует структура стекла, характеризующаяся большими значениями ширины запрещенной зоны, дрейфовой подвижности носителей заряда и меньшими значениями концентрации локализованных состояний.

4. Впервые разработаны и использованы в качестве электропроводящих контактных слоев с ХСП (А828з)х-(А828ез)ьх тонкие пленки металлического сплава Си-Сг, обеспечивающие запись и считывание информации "на просвет" благодаря увеличению в 1,8 раза прозрачности и в 8 раз чувствительности носителей по сравнению с промышленно используемыми электродами Си28е.

5. Показана возможность увеличения фоточувствительности органического полупроводника сополимера карбазолилэтил-метакрилата с октилметакрилатом (КЭМ:ОМА) и смещения его спектральной чувствительности в длинноволновую область спектра путем введения 2,4,7-тринитрофлуоренона (ТНФ). Дальнейшее повышение чувствительности достигается увеличением плотности заряда в транспортном слое за счет инжекции носителей заряда из тонкого слоя As2Se3.

6. Установлено, что ФТПН, изготовленные на основе ХСП (As2S3)x-(As2Se3)ix, являются эффективной регистрирующей средой для импульсной записи голограмм в зеленой области спектра.

Практическая значимость результатов работы:

1. Разработано устройство для нанесения покрытий на длинномерные подложки многокомпонентных ХСП методом дискретного вакуумного испарения (A.c. СССР № 804719).

2. Предложен состав и структура подстилающего электрода на основе металлического сплава (Cu-Cr) для пленок ХСП (As2S3)x-(As2Se3)i-x (A.c. СССР № 909693), обладающего в 1,8 раза большей прозрачностью в видимой области спектра по сравнению с промышленно используемыми в ФТПН пленками Cu2Se.

3. Разработана схема и создано технологическое устройство для нанесения покрытий на подложки рулонного типа, позволяющее в широких пределах варьировать условиями получения в вакууме пленок многокомпонентных ХСП (As2S3)x-(As2Se3)i.x (Патент ПМР № 214).

4. На основе технологического устройства (п.З) исследованы условия получения однородных по толщине, длине и составу пленок ХСП (As2S3)x-(As2Se3)ix на лавсановых подложках длиной до 35м.

5. Определены оптимальные скорости напыления пленок (As2S3)x-(As2Se3)ix, составляющие w= (4-^-7)-10"3 мкм/с и удовлетворяющие требованию получения высоко чувствительных в ви

-J

As2S3)x,(As2Se3)i-x5 составляющие w= (4+7)-10" мкм/с и удовлетворяющие требованию получения высоко чувствительных в видимой области спектра полупроводниковых материалов для электрографических носителей оптической информации.

6. Разработана методика отбора состава фоточувствительных пленок (As2S3)x-(As2Se3)ix для электрографических носителей записи и считывания оптической информации «на просвет» в спектральном диапазоне 500-700 нм.

7. Созданы эффективные фототермопластические носители на основе фотополимера КЭМ:ОМА с инжекционным слоем из As2Se3, обладающие голографической чувствительностью S=l-10"6 Дж/см и позволяющие регистрировать интерференционные решетки с дифракционной эффективностью ДЭ=15%.

8. Выявлены условия формирования негативного и позитивного изображения на фотополимерах с инжекционным слоем As2Se3.

9. На основе пленок (As2S3)x,(As2Se3)i.x, полученных по разработанным технико-технологическим условиям, предложены ФТПН (A.c. СССР № 1 195332, Патент РМ № 1284 и Патент ПМР № 215), обладающие улучшенными параметрами и характеристиками.

10. Сопоставлены параметры и характеристики голографи-ческих изображений, получаемых на ФТПН на основе пленок (As2S3)x-(As2Se3)1.x и галоидосеребряных фотопластинках типа ВРП при импульсной записи голограмм в зеленой области спектра. Установлено, что ФТПН обладают голографической чувсто о вительностью S= 7-10" Дж/см , превышающей в 70 раз чувствительность фотопластинок ВРП.

11. Созданные фототермопластические носители с высокой чувствительностью и разрешающей способностью, предназначенные для записи оптической информации, внедрены в ЦКБ "Спектр" (НПО "Геофизика", г. Москва) с экономическим эффектом в 450 тыс. руб. (СССР).

Основные защищаемые в работе положения:

1. Однородные по толщине, длине и составу пленки ХСП твердых растворов (А828з)х-(А828ез)]х на лавсановых подложках рулонного типа получаются методом термического вакуумного напыления с использованием технологического устройства, в состав которого входит испаритель квазизакрытого типа с регулируемой плотностью молекулярного пара.

2. Максимальной фоточувствительностью в видимой области спектра обладают пленки ХСП (А8283)х-(А828е3)1.х, полученные на рулонной лавсановой основе при скоростях напылел ния, составляющих \у=(4+7)-10" мкм/с.

3. Применение в качестве подстилающих электродов для пленок ХСП на рулонной лавсановой основе слоев, изготовленных из металлического сплава (Си-Сг), позволяет повысить прозрачность носителя записи оптической информации в 1,8 раза и его чувствительность в 8-10 раз.

4. Пленки ХСП (А828з)х-(Аз28е3)1х, полученные в технологических условиях (п.п. 1-3), обеспечивают возможность изготовления на их основе ФТПН, работающих в системах запись-считывание информации "на просвет" с помощью одного источника излучения для различных длин волн видимой области спектра.

5. Результаты исследования оптических и фотоэлектрических свойств фотополимера КЭМ:ОМА, сенсибилизированного ТНФ, и определения на их основе оптимального процентного содержания сенсибилизатора, а также закономерности влияния инжекционного слоя А828е3 на характеристики КЭМ:ОМА.

6. Условия формирования негативного и позитивного изображений на слоях фотополимера КЭМ:ОМА с инжекционным слоем Аз28е3 и результаты исследования голографических характеристик, изготовленных на их основе ФТПН.

7. ФТПН, изготовленные на основе пленок твердых растворов ХСП (А828з)х-(А828ез)1.х, являются эффективной регистрирующей средой для импульсной записи голограмм в зеленой области спектра, чувствительность которой превышает в 70 раз ее значения для галоидосеребряной среды.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, общих выводов, списка литературы и приложения. Рисунки, таблицы и формулы пронумерованы по главам.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ:

1. Разработано и защищено Патентом технологическое устройство, содержащее испаритель квазизакрытого типа с регулируемой плотностью молекулярного пара, позволяющее в широких пределах варьировать технологическими условиями получения в вакууме однородных пленок многокомпонентных ХСП (А828з)х-(Аз28ез)1-х.

2. Исследованы технико-технологические условия для получения методом термического напыления в вакууме однородных по толщине, длине и составу пленок ХСП (А828з)х-(А528е3)ь х на непрерывно движущихся лавсановых подложках рулонного типа.

3. Разработан и защищен авторским свидетельством состав и структура подстилающего электрода (Си-Сг) для пленок ХСП з)х-(А828ез)1х, обладающего в 1,8 раза большей прозрачностью в видимой области спектра по сравнению с промышленно используемыми в ФТПН пленками Си28е.

4. Установлено, что Си-Сг электроды являются слабо блокирующими для пленок системы Аэ^з-Аз^ез. Их использование в качестве подстилающих электродов увеличивает фоточувствительность пленок этой системы как электрографических носителей записи оптической информации в 8-10 раз по сравнению с промышленными образцами носителей, использующих Си28е подстилающие электроды.

5. На основе разработанного технологического устройства (п. 3) исследованы условия получения однородных по толщине, длине и составу пленок ХСП (А828з)х-(А828ез)1х на лавсановых подложках длиной до 35м.

6. Установлено, что по мере увеличения температуры лавсановых подложек с подстилающими Си-Сг - электродами в пределах от 20 до 85°С, а также при отжиге полученных пленок (А828з)х-(А828ез)1х при ТоТЖ= 80°С на воздухе в течение 20 суток их фоточувствительность увеличивается в 2-3 раза. Эти технологические закономерности использованы при получении фото-чукствительных пленок ХСП на лавсановых подложках рулонного типа для электрографических носителей оптической информации.

7. Исследована зависимость электрических и оптических свойств от скорости напыления пленок (А828з)х-(Аз28ез)1.х и на этой основе определены оптимальные скорости осаждения = о

4-7)-10" мкм/с, удовлетворяющие требованию получения наиболее фоточувствительных слоев для электрографических носителей оптической информации.

8. Показано, что пленки ХСП твердых растворов (Аз28з)х-(А828ез)1.х, полученные при оптимизированных технологических условиях, характеризуются наименьшей концентрацией локализованных состояний. Их электрофизические и оптические свойства приближаются к свойствам массивных образцов ХСП.

9. Разработана методика отбора состава фоточувствительных пленок (А828з)х-(А828ез)1.х Для электрографических носителей записи и считывания оптической информации «на просвет» в спектральном диапазоне 500-700 нм.

10. Показано, что метод инжекционной сенсибилизации позволяет получать эффективную регистрирующую среду для записи голограмм с последующим восстановлением записанной информации с помощью излучения с ^ген=633 нм.

11. Найдено условие перехода негативного изображения в позитивное для ФТПН на основе фотополимера КЭМ:ОМА с инжекционным слоя Аз28е3 Переход негатив-позитив осуществляется, когда кратность фотоответа инжекционного слоя больше кратности фотоответа фотополимера.

12. Показано, что введение в ФТПН тонкого слоя Аз28е3 приводит к увеличению значений фотографической широты, светочувствительности и повышению почти на порядок топографическая чувствительность носителя к излучению Не-Ке - лазера.

13. Установлено, что закон взаимозаместимости выполняется при величинах экспозиции, не превышающих значения Et « о

0,3 Дж/см . При таких значениях экспозиции уровень ДЭ, достигаемый в изображении, не превышает 5%. Для получения более высоких значений ДЭ требуются большие величины Е^ что приводит к нарушению закона взаимозаместимости.

14. Установлено, что при импульсной записи голограмм в зеленой области спектра, пластинки ВРП превосходят ФТПН -пленки по максимальным значениям ДЭ голограмм и контраста восстановленного изображения в 4 и 2 раза соответственно, а также по равномерности пространственно-частотной характеристики. Показано, что голографическая чувствительность ФТПН в 70 раз выше чувствительности фотопластинок ВРП.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю, лауреату Государственной премии МССР, доктору физико-математических

1. Горюнова H.A., Коломиец Б.Т. Новые стеклообразные полу проводники. //Изв. АН СССР. Сер. физич. 1956, т.20, №12, с. 1496-1499.

2. Гренишин С.Г. Электрофотографический процесс. М.: Наука, 1970. 375 с.

3. Любин В.М. Стеклообразные полупроводники в устройствах регистрации оптического изоьражения. /В кн: Структура и свойства некристаллических полупроводников. Л.: Наука. 1976. С.415-425.

4. Несеребряные фотографические процессы./ Под ред. А.Л. Картужанского.- Л.: Химия. 1984. 376 с.

5. Стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники./ Под ред. A.M. Андриеша. Кишинев: Штиинца. 1991. 200 с.

6. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991. 549 с.

7. Панасюк Л.М. Тройные полупроводниковые соединения в системах регистрации оптической информации. /Тезисы докл. Y Всес. конф. «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев-1987. Т.2. С. 12-13.

8. Панасюк Л.М. Фототермопластические носители на основе слоев аморфных полупроводников. /В сб.: Тез. Докл. Всес. конф. «Структура, физ.-хим. свойства и применение некрист. полупроводников». Кишинев, 1980, с. 238-240.

9. Любин В.М. Фотостимулированные структурные превращения в аморфных полупроводниках. //В кн.: Сб. докл. конф. «Аморфные полупроводники-82». Бухарест, 1982. С. 19-24.

10. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. СПб.: Наука, 1996. 486 с.

11. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд—во ЛГУ. 1983. 344 с.

12. Кикинеши A.A., Семак Д.Г. Физические процессы оптической записи информации в слоях халькогенидных стекол./ В сб.: Новые регистрирующие среды для голографии. Л.: Наука, 1983. С. 64-83.

13. Tanaka К. Reversible photostructural change: mechanism, properties and applications.// J. Non-Cryst. Sol. 1980, v. 35-36, N 2. P. 1023-1034.

14. Власов В.И., Семак Д.Г. Релаксация фотоиндуцированных изменений оптических констант в As-Se.// Укр. Физ. Ж. 1977. Т.22. №12. С. 2053-2054.

15. Saliminia A., Galstian T.V. and Villeneuve. Optical fild— indused mass transport in As2S3 chalcogenide glasses.// Phys. Rev. Lett. 2000, V.85, N19. P. 4112-4115.

16. Горюнова H.A., Коломиец Б.Т., Шило В.П. Стеклообразова-ние в сплавах халькогенидов фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута и таллия. //ЖТФ, 1958, т. 28, с. 981-985.

17. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических состояниях. //УФН, 1976, т.20, с. 81-612.

18. Полтавцев Ю.Г. Структура стекол на основе ХСП. //Изв. АН СССР. Сер. «Неорг. материалы», 1975, т. 11, с. 1188-1191.

19. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Л.: Изд-во ЛГУ, 1972, 248 с.

20. Горюнова H.A., Коломиец Б.Т. Стеклообразные полупроводники. //ФТТ, 1960, т. 11, с. 280-283.

21. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1, с. 311.

22. Коломиец Б.Т. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. Ленинград, Наука, 1976.

23. Emin D. Electronic and structural properties of Amorphous semiconductors. //J. Mort, Academic Press, London-New York, 1973, p. 261.

24. Губанов А.И. Квантово—электронная теория аморфных полупроводников. M.-JL: Изд-во АН СССР, 1963. 250 с.

25. Ovshinsky S.R., Fritzsche Н. Amorphous semiconductors for switching, memory and imag ing applications.// IEEE Trans. Electr. Dev. ED-20. 1973. P. 91.

26. Ovshinsky S.R. Ovonic modification of amorphous semiconductors.//'5 Amorphous and Liq. Semicond. Proc. 7-th Int. Conf. Edinburgh, 1977". Edinburgh. 1977. P. 519-521.

27. Pethig R. Major advance for amorphous materials.//"Electronics and Power". 1977. V.23. N 10. P. 787.

28. Бродски M. Аморфные полупроводники. M.: Мир, 1962, 419 с.

29. Adler. D. Chemistry and Physics of Amorphous Semiconductors. //"Naturwissenschoften", 1982, vol. 69, N 12, pp.574-584.

30. Ovshinsrky S.R. and Adler D. Local structure, bonding, and electronic properties of covalent amorphous semiconductors. //Contemporary Physics, 1978, v.19, N 2, p. 109-126.

31. Андриеш A.M. Некоторые оптические и фотоэлектрическиесвойства стеклообразного AS2S3. //6-й Всесоюзн. Симпозиум по халькогенидным стеклообразным полупроводникам. Ленинград, 1967.

32. Закис Ю.Р. Центры рекомбинации. //ФТТ, 1974, т.64, с.123.

33. Закис Ю.Р. Центры рекомбинации./ В сб.: Совещание по аморфным полупроводникам. Рейнханесбург, 1974, ч.1, с.74.

34. Структура и свойства некристаллических полупроводников. Л.: Наука, 1976, с. 6-12.

35. Тауц Я. Оптические свойства полупроводников. М.: Мир, 1967.

36. Двойников Л.И., Борисова З.У. «Влияние некоторых примесей на электропроводность селенида мышьяка». /В кн.: Химия твердого тела. Л.: Изд-во ЛГУ, 1965, с. 93—97.

37. Герасименко Л.Г., Панасюк Л.М., Прилепов В.Д. «Электрофизические свойства высокоомных фоточувствительных слоев на основ сплава таллий—мышьяк—сера-селен». /В кн.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев, Штиинца, 1980, с. 166—171.

38. Вайнштейн Э.Г., Любин В.М., Федеорова Г.А., Цукерман В.Г. «О некоторых особенностях внутреннего фотоэффекта в слоях системы Бе-Аз-И в видимой и рентгеновской областях спектра». //ДАН СССР, 1966, с. 1052—1055.

39. Серегин П.П. «Мессбауэровские исследования атомной и электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников». В кн.: «Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках». Санкт-Петербург, «Наука», 1996, с. 114—138.

40. Борисова З.У., Бычков Е.А., Тверьянович Ю.С. «Взаимодействие металлов с халькогенидными стеклами». Л.: Изд-во ЛГУ, 1991, с. 252.

41. Лебедев Э.А., Казакова Л.П. «Дрейф носителей заряда в халькогенидных стеклах». В кн.: «Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводников». Санкт-Петербург, «Наука», 1996, с. 141—189.

42. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллинекристаллических состояниях. //УФН, 1976, № 12, с. 1341.

43. Немилов C.B. Стеклообразное состояние. М.: Наука, 1965, 163 с.

44. Захаров В.П., Герасименко B.C. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. Киев, Наукова думка, 1976, 325с.

45. Kolomiets В.Т., Lyubin V.M. The investigation of local states in vitreous semiconductors. //Mater. Res. Bull., 1970, 5, p. 655663.

46. Connel G.A. Amorphous Semiconductors. //Phys. Rev. Lett., 1981, 3, p. 73-87.

47. Коломиец Б.Т., Павлов В.H. Исследование оптических свойств соединений As2S3 и As2Se3. //6-й Всесоюзн. Симпозиум по халькогенидным стеклообразным полупроводникам. Ленинград, 1967.

48. Жуков Э.Г., Джапаридзе О.И., Дембовский С.А., Попова H.A. Исследование системы As2S3 As2Se3. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1974, том 10, с. 1886 - 1887.

49. Жуков Э. Г., Джапаридзе О.И., Дембовский С.А. Система AsS AsSe. Журнал неорганической химии, 1974, 19, с. 1711-1713.

50. Мшенский В.А. Фототермопластический носитель на основе халькогенидов мышьяка As2S3 и As2Se3. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Кишинев, 1974. 16 с.

51. Crevecosur С., D'Wit H.J. Dielectric losses in AS2S3 glass. //Sol. State Commun. 1971, 9, p.415-449.

52. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Изучение локальных центров в стеклообразном селениде мышьяка методом токов, ограниченных пространственным зарядом. //ФТП, 1967, том 1, с.815-817.

53. Chern G.G., Louks I. Spin coated amorphons chalcogenide films. //J. Appl. Phys., 1982, 53, p.6979-6982.

54. Азаматов 3.T., Гуланян Э.Я., Ким В.M., Садыкова Ш.С., Кадырова Д.Р. О влиянии у облучения на некоторые свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников. //Изв. АН Уз. ССР. Сер. физ.- мат. наук. 1982, № 3, с.37-39.

55. Панасюк Л.М. Высокочувствительные фотографические материалы с большим разрешением. /В кн.: Тез. докл. на Меж-дунар. конгрессе по высокочувствительной фотографии и фотонике. Москва, 1980, с.318.

56. Eiichi M. New fabrication technignes for chalcogenide semiconductors. //Jn: Amorphous Semicond. Technol. And Devices. Tokyo e. a.; Amsterdam e.a.; 1981, p.255-262.

57. Панасюк Л.М. Фототермопластическая запись на системах полупроводник термопластик. Некоторые особенности формирования изображений. /В кн.: Способы записи информации на бессеребряных носителях. Киев: Вища школа, 1977, вып.8, с.14-24.

58. Панасюк Л.М., Воробьев В.Г., Нямцу С.Н., Покатилов Е.П., Прилепов В.Д. «О критерии чувствительности фототермопластических носителей». //ЖНиПФиК, 1976, 28, с.171-176.

59. Холлэнд JI. Нанесение тонких пленок в вакууме. М.: Метал-лургиздат, 1963.

60. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Майссела Л., Глэнга Р. [Пер. с англ. под ред. Елинсона М.И., Смолко Г.Г. Т.1. М.: «Сов. радио», 1977. 664 с.

61. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир, 1964. 380 с.

62. Тун Р.Э. Структура тонких пленок. /В кн.: «Физика тонких пленок». Изд. Мир, 1967, т. 1.

63. Слуцкая С.Д. Тонкие пленки в технике СВЧ. М.: Госэнерго-издат, 1969, 287 с.

64. Бекичева Л.И., Баратов А.Г., Жулай А.П. Резистивные слои фототермопластических носителей информации. Тезисы докл. Всес. конф. «Регистрирующие среды, методы и аппаратура голографии». Секция 1: Регистрирующие среды. Кишинев 1980. с. 41-42.

65. Авт. свид. № 591932, СССР. «Носитель информации». Жулай А.П., Пойманов A.M., Бекичева Л.И., Баратов А.Г., Межов И.И. 20.10.1976 г.

66. Авт. свид. № 506055, СССР. «Фототермопластический носитель записи». Панасюк Л.М. и др.68. См. 61., с.84.

67. Siga A.G. Open boat evaporation of low arsenic-selenium alloys.

68. J. Vac. Sei. Technol., 1975, 12, p.537-577.

69. Калашников С.П., Мацвейко A.A. Фотодиодный измеритель мощности лазерного излучения. ПТЭ, 1981, №2, с. 189.

70. Панасюк Л.М., Прилепов В.Д., Бойко А.Г., Ишимов В.М. и др. «Способ вакуумного напыления полупроводниковых слоев и устройство для его осуществления». Патент №2055124В (Великобритания) / С 23 С 13/10, опубл.: 06.01.83 г. Приоритет СССР от 11.05.79 г.

71. Постников A.A., Василевский Ю.А. Сб. научных трудов Госниихимфотопроекта. М., 1978, вып. 27, с.170.

72. Дементьев И.В., Ишимов В.М., Сенокосов Э.А. «Устройство для нанесения покрытий на подложки». Патент №214 (ПМР). Опубл.: Бюллетень эконом, и правовой информ. № 2, 2002 г.

73. Жулай А.П., Пойманов A.M., Бекичева Л.И., Баратов А.Г., Межов И.И. «Носитель информации». Авт. свид. СССР №

74. V^ll J ил., bu.iu.l y/V I.

75. Панасюк Л.М. и др. «Фототермопластический носитель записи». Авт. свид. СССР № 506055.

76. Ишимов В.М., Панасюк Л.М., Прилепов В.Д., Провоторов

77. B.Л. «Носитель фототермопластической записи». Авт. свид. СССР № 909693. Опубл.: 11.06.1980г.

78. И.В. Дементьев, В.М. Ишимов, В.А. Мшенский. Процессы поглощения и явления переноса в тонких слоях твердых растворов (As2S3)x(As2Se3)l-x./B кн.: Оптические свойства полупроводников и диэлектриков. Кишинев: Штиинца, 1986, с. 93-97.

79. Коломиец Б.Т., Любин В.М. Некоторые особенности фотоэффекта в аморфных слоях трехселенистого мышьяка. //ДАН СССР, 1959, т. 129, № 4, с.789-792.

80. Бекичева Л.И. Автореф. дисс. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Кишинев-1982.

81. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: «Мир». 1966.1. C. 192.

82. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. Изд-во «Мир». М.: 1973. 416 с. Пер. с англ. под ред С.М.

83. Рывкина. М.А. Lampert, Peter Mark. Current injection in solids. Academic Press New-York and London. 1970].

84. Spear W.E. Drift mobility techniques for the study of electrical properties in insulating solids.// J. Non-Cryst. Solids. 1969. V. 1. P. 197-214.

85. Arkhipov V.I. Rudenko A.I. On the study of amorphous material band structure by current injection.// Phys. Letters, 1977, V.61A. P. 55-57.

86. Urbach F. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and the electronic absorption of solids. // Phys. Rev., 1953. V. 92, №5. P. 1324.

87. Палатник JI.С., Черемской П.Г., Фукс М.Я. Поры в пленках. Москва. «Энергоиздат». 1982. С. 60.

88. Choo F.C. and Tong B.Y. Imperfections and hydrogen incorporation in crystalline and amorphous structures//"Amorphous and Liq. Semicond. Proc. 7-th Int. Conf. Edinburgh" 1977"/ Edinburgh. 1977.P. 120-124.

89. Панасюк Л.М., Манушевич Т.Н., Гоглидзе Т.П., Провоторов

90. B.Л. Влияние температуры на вольтамперные характеристики тонких слоев As2Se3. //ФТП, 1980. Т.14, в.1. С.62-68.

91. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Изучение локальных центров в стеклообразном селениде мышьяка методом токов, ограниченных пространственным зарядом.//ФТП, 1967. Т.1.1. C.815-817.

92. Аморфные полупроводники: Пер.с англ. /Под ред. М. Брод-ски. М.: Мир. 1962. С. 110-113. Amorphous Semiconductors. Edited by M.H. Brodsky. Springer-Verlag, Berlin-Heldelberg-New York. 1979.

93. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: «Мир». 1982. Т. 2. С. 526-584. N.F. Mott and Е.А. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials. Clarendon Press. Oxford. 1979.

94. Панасюк JI.M. и др. «О критерии чувствительности термопластических носителей». ЖНиПФиК, 1976, т.21, с. 171176.

95. Воробьев В.Г., Панасюк Л.И. Фототермопластические носители на основе неорганических полупроводников. В сб.: Несеребряные и необычные среды для голограмм. JL: Наука, 1978, с. 71.

96. Гоглидзе Т.Н., Дементьев И.В., Ишимов В.М., Сенокосов Э.А. Фотоэлектрические и информационные свойства фототермопластического носителя на основе фотополимера с инжекционным слоем. // Вестник Приднестровского университета, 2000, №1-2, с. 23-30.

97. Гальперн А.Д., Смаев В.П., Рожков Б.К. Методы копирования и тиражирования голограмм. //Опт. и спектроскопия. 1989, т.67, № 4, с.912.

98. В.И. Аникин, В.М. Ишимов, В.Н. Михайлов, Д.И. Стаселько. Импульсная запись голограмм в зеленой области спектра на фототермопластических и галоидосеребряных носителях. //"Оптика и спектроскопия", 1993, т. 74, вып.6, с. 1198-1200.

99. Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

100. В.И. Аникин, В.М. Ишимов, В.Н. Михайлов, Д.И. Ста-селько. Импульсная запись голограмм в зеленой области спектра на фототермопластических и галоидосеребряных носителях. //"Оптика и спектроскопия", 1993, т. 74, вып.6, с. 1 198-1200.

101. Л.М. Панасюк, И.В. Чапурин, В.М. Ишимов. Процессы формирования рельефных изображений на слоях стеклообразных халькогенидов мышьяка.// Журнал научн. и прикл. фотогр. и кинематографии. 1994 г. № 4-3. Т.39. С.40-42.

102. И.В. Дементьев, В.М. Ишимов, В.А. Мшенский. Процессы поглощения и явления переноса в тонких слоях твердых растворов (As2S3)x(As2Se3)l-x./B кн.: Оптические свойства полупроводников и диэлектриков. Кишинев: Штиинца, 1986, с. 93-97.

103. L.M. Panasyuk, I.V. Chapurin, V.M. Ishimov, S.G. Sidorina. Using of Vitreous Chalcogenide Semiconductors in Microelectronic Fabrication. / Optics for Science and New Technology, 17-th Congress of the ICO, SPIE Proc., 2778. 1 15-116.

104. М.М. Батырова, Н.М. Ровкина, В.П. Лопатинский, В.И. Аникин, И.В. Дементьев, В.М. Ишимов. Фототермопластическиеносители записи информации на основе олиготиоэфиров. /Тезисы докладов. 6 Всес. конфер. по голографии, 18-20 сентября, 1990 г., Витебск, 1990.

105. Л.М. Панасюк, В.М. Ишимов. Устройство для нанесения покрытий на длинномерные подложки. Авторское свидетельство (СССР) № 804719. Опубл. в Б.И. 1981, № 6.

106. В.М. Ишимов, Л.М. Панасюк, В.Д. Прилепов, В.Л. Про-воторов. Носитель фототермопластической записи. Авторское свидетельство (СССР) № 909693. Опубл. в Б.И. 1982, № 8.

107. В.И. Аникин, A.B. Барладин, В.М. Ишимов, М.Г. Кобза-ренко, Л.М. Панасюк, H.A. Барба. Электрофотографический носитель записи. Авторское свидетельство (СССР) № 1195332. Опубл. в Б.И., 1985 г., № 44.

108. Т.И. Гоглидзе Т.И., И.В. Дементьев И.В., В.М. Ишимов, Ю.Е. Кортюкова, Н.И. Мацкова, Э.А. Сенокосов, Л.А. Цуркан. Патент ПМР № 215. Опубл.: Бюл. экон. и прав, информ. № 3, 2002 г.сиюз советских социалистических неспуьлик

109. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙаА/о

110. На основании полномочий, предоставленных Правительством СССР,

111. Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийвыдал настоящее авторское свидетельство на изобретение: "Устройство для нанесения покрытий на длинномерные подложки"

112. Автор (авторы): Панасюк Лев Моисеевич и Ижмов Виктор Михайлович

113. Заявитель: КЩШЕВСКШ ОРДША ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗТА\ИШ Г0СУТАРСТЗШ1ЫЙ У1ШЕРСИГЕТ ШЛ. И-ЛШППА1. Заявка №

114. Приоритет изобретения 26 тоня 1978г

115. Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений СССР14 октября 1980г. Действие авторского свидетельства распространяется на всю территорию Союза ССР.1. Председатель Комитета1. Начальник отдела

116. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

117. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

118. На основании полномочий, предоставленных Правительством СССР, Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий выдал настоящее авторское свидетельство на изобретение:

119. Носитель фототермопластической записи"

120. Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений СССР2 ноября 1981г.

121. Действие авторского свидетельства распространяется на всю территорию Союза ССР.1. Председатель Комитета1. Начальник отдела

122. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

123. На основании полномочий, предоставленных Правительством СССР, Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий выдал настоящее автооское свидетельство на изобретение:йпектрофотографичесши носитель записи"

124. Автор (авторы):Аникин Валерий Иванович, Барладин Александр Мадамирошч, Ипшмов Виктор Михайлович, Кобзаренко Марин Георгиевна, Панасюк Лев Мойсеевич и Барба Никанор Ананьевич

125. Заявитель: СПЕЦШМЗИРОВАННОЕ КОНСТРУКГОРСКО

126. ИИТОЖЬЕ БЮРО "ОПГОЭЛЖГРОВИКА" ПШ~1«ШКВСК0М ГОСУДАРСТВЕННОМ УНИВЕРСИТЕТЕ ИМ. В. И. МША

127. Заявка № 3743115 Приоритет изобретения 21 мая 1984г.

128. Ж Зарегистрировано в Государственном реестреизобретений СССР1 августа 1985г. Действие авторского свидетельства распространяется на всю территорию Союза ССР.1. Председатель Комитета1. Начальник отде.1. У w' v-aitihs . ji v1. AVv V\

129. РЕПУБЛИКА МОЛДОВЕНЯСКЭ НИСТРЯНЭ

130. Аженция републиканэ а пропривтэций интвлвкгуалв пе лынгэ Министерулуй жустицией (АРПИ)

131. ПРИДНЕСТРОВСКАЯ МОЛДАВСКАЯ РЕСПУБЛИКА

132. Республиканское агентство интеллектуальной собственности при Министерстве юстиции (РАИС)

133. АДЕВЕРИНЦЭ УДОСТОВЕРЕНИЕ J\fo П0СВ1ДЧЕННЯ422О

134. ПРИДНЮТРОВСЬКА МОЛДАВСЬКА РЕСПУБЛ1КА

135. Республ1канське агентство ЫтепектуальноТ власност) при М1н1стерств1 юстицП (PAIB)