Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ . б

ГЛАВА I. ТРОЙНЫЕ АЛМА30П0Д0БНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ обзор литературы) . ^

1.1. Кристаллическая структура кристаллов соединений//"!//-^ и НМ

1.2. Строение энергетических зон тройных полупроводников . /

1.2.1. Межзонные оптические переходы . 1В

1.2.2. Структура валентной зоны

1.2.3. Строение энергетических зон приТ<=

1.3. Экспериментальные результаты исследований ре-комбинационного излучения некоторых тройных полупроводников Л-IV- У

1.3.1. Исследования РИ р -С<19\А$£.

1.3.2. Исследования Ш&&еР2 и . 4О

1.3.2.1. Излучательные свойства (И&е.

1.3.2.2. Излучательная рекомбинация Сс15пР2 .\

1.3.2.3. Свойства твердых растворов в системе Сс15п^ и СШе%

1.3.2.4. Экспериментальное исследование упорядочения на физические свойства кристаллов2/?Зл/^

1.4. Физические свойства и энергетическая структура зон кристаллов X - и ск-^Щ.

1.5. Постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Характеристика методов получения и легирования кристаллов р- .вб

2.2. Характеристика методов получения кристаллов р-¿Ы9пРг

2.3. Характеристика методов получения и легирования кристаллов твердых растворов С^Яп^е,^ ^

2.4. Характеристика метода выращивания кристаллов

•4ромбической модификации.

2.5. Методика подготовки образцов к исследованиям.

2.6. Методика поляризационных исследований спектров ФЧ и РИ.

Краткие выводы по главе

ГЛАВА 3. ИССВДОЕАНИЕ РИ монокристаллов р- и я - типа проводимости . 823.1. Исследование РИ кристаллов р- типа проводимости, выращенных без легирования по- 0>2. сторонними химическими примесями

3.1.1. Спектры РИ в зависимости от температуры и уровня возбуждения

3.1.2. Влияние концентрации дырок и условий термообработки на люминесценцию р-(2с!$1^.

3.2. Исследование РИ кристаллов р-типа проводимости, однородно легированных посторонними химическими примесями в процессе получения.

3.2.1. Излучательные свойства кристаллов , содержащих примеси первой группы . £

3.2.2. Рекомбинационное излучение кристаллов р

3.2.3. Рекомбинационное излучение кристаллов р

3.2.4. Рекомбинационное излучение кристаллов р

3.2.5. Рекомбинационное излучение кристаллов р-С/^/А, , содержащих примеси/л и

3.2.6. Рекомбинационное излучение кристаллов р-ШЛД^ легированных переходными элементами . 10Т

3.2.7. Анализ особенностей поведения примесей в кристаллах р

3.3. Исследование поляризационных свойств краевого

РИ монокристаллов р.11°

3.4. Исследование РИ слоев п-СЛ&Аь^.

Краткие выводы по главе 3 .12.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОЗИЦИОННОГО РАЗУПОРДДОЧЕ-НИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА

ОДНООСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

4.1.^Исследование фотоэлектрических и лшинесцентных свойств кристаллов

§ .^^

4.1.1. Электрические свойства кристаллов П типа

4.1.2. ФоточуЕствительность поверхностно-барьерных структур на основе кристаллов р-Зл^л^

4.1.3. Исследование РИ кристаллов р- .«з

4.1.4. Природа излучательных переходов в кристаллах. рЛп$пР2 .ЩИ

4.1.5. Влияние ТО на спектры РИ кристаллов р

4.1.6. Спектры РИ слоев Л - типа проводимости 4.2. Исследование анизотропии ФЧ и РИ ТР Сс/£пх:&е/.х^ /

4.2.1. Поляризационные исследования ФЧ поверхностно-барьерных структур . ^

4.2.2. Исследование РИ монокристаллов ТР. У

4.2.3. Поляризационные свойства РИ кристаллов ТР.

4.2.4. Закономерности анизотропии фотоактивного поглощения и РИ при позиционном разупоря-дочении атомов в РХ.

4.3. Исследование поляризации РИ кристаллов

Краткие выводы по главе 4 . ^

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ ТЕТРАГОНАЛЬНОЙ И РОМШЧЕСКОЙ МОДИФИКАЦИИ

5.1. Исследование РИ кристаллов . /

5.2. Исследование оптоэлектронных свойств монокристаллов^^?^ в зависимости от типа позиционного упорядочения атомов. ^^

5.-2.1. Влияние фазового перехода 7,-* с1г на РИ ^^

5.2.2. Влияние фазового перехода на фотопроводи

Ао1п£п . из мость

5.3. Исследование РИ кристаллов с/?^^^^

5.4. Исследование поляризации РИ монокристаллов,/^/7^^

5.4.1. Азимутальные зависимости интенсивности РИ. №

5.4.2. Поляризация РИ монокристаллов и

5.4.3. Спектральные зависимости степени линейной поляризации РИ монокристаллов и

Краткие выводы по главе

Актуальность. В последнее время все большее внимание уделяется исследованию полупроводниковых веществ с анизотропной кристаллической структурой. Интерес к анизотропным полупроводникам определяется возможностью получения устройств с разнообразными и зачастую совершенно новыми функциональными возможностями, которыми не ооладают приборы на основе элементарных и простейших бинарных полупроводников с решеткой типа сфалерита. В частности, значительный интерес представляет изучение алмазоподобных полупроводниковых соединений типа П-1У-У2 и 1-Ш-У12, которые в упорядоченном состоянии кристаллизуются в структуре типа халькопирита. Такие свойства этих материалов, как большое значение нелинейной восприимчивости, двулучепре-ломление, анизотропия фотоактивного поглощения и излучатель-ных переходов могут найти широкие применения в полупроводниковой оптоэлектронике. В принципе уже показана перспективность кристаллов П-1У-У2 и 1-Ш-У12 с решеткой халькопирита при создании фотопреобразователей, солнечных элементов, источников спонтанного и стимулированного излучения, устройств преобразования и параметрического смещения частот Ик-диапазона, поляриметрических детекторов и т.д.

В связи с возможностью применения сложных анизотропных полупроводников актуальным является как совершенствование лабораторной технологии их выращивания, так и изучение фундаментальных и структурно-чувствительных свойств получаемых кристаллов, в частности энергетического спектра образующихся дефектов решетки. Этот вопрос важен, поскольку дефекты решетки оказывают влияние на физические свойства кристалла, а изучение их взаимосвязи открывает пути к освоению методов получения данных веществ с требуемыми свойствами. Особый интерес в случае анизотропных полупроводников представляет определение численных характеристик их поляризационных свойств.

В данной работе исследуется группа сложных веществ (СУЗ^, относящихся к алмазоподоб-ным полупроводникам с тетраэдрическими связями между образующими их атомами.

Кристаллографической особенностью этих веществ, определяемой спецификой межатомных взаимодействий наряду с различием химического состава, является то, что все они кристаллизуются в структуре халькопирита и различаются величиной тетрагонального сжатия, а также характером позиционного упорядочения. В случае ЛдТпЗ^, в отличие от остальных тройных соединений имеется возможность двух вариантов позиционного упорядочения атомов Лд и Т/г с переходом от средней кристаллографической категорий к низшей. Все это обуславливает особенности анизотропии физических свойств и делает их интересными объектами для исследований.

Экспериментальное изучение анизотропии энергетического спектра в исследуемых кристаллах проводилось на основании поляризационных измерений рекомбинационного излучения (РЮ с проведением в ряде случаев поляризационных измерений фотоактивного поглощения. Применение этих методов актуально в связи с получаемой информацией о дефектах решетки, поляризационных параметрах и их связи со спецификой кристаллического строения и позиционного упорядочения атомов в исследуемой группе полупроводников.

Решение этих вопросов представляет актуальную задачу поля

- 8 ризационной оптоэлектроники, так как определяет в итоге требования к материалу пр создании источников линейно-поляризованного излучения и поляриметрических фотодетекторов с контролируемым спектральным диапазоном.

Лель работы. Настоящая работа посвящена поляризационным исследованиям РИ в сложных алмазоподобных полупроводниках с анизотропной кристаллической решеткой, анализу влияния позиционного упорядочения и тетрагонального сжатия на степень линейной поляризации РИ и коэффициент фотоплеохроизма, а также исследованию влияния термообработки и однородного легирования примесями на свойства исследуемых веществ.

Научная новизна диссертации заключается в следующих результатах:

I* Выращены монокристаллы И jyinS2 , пригодные для проведения поляризационных исследований.

2. Установлено, что эффективность РИ кристаллов р

GjSiJIs^ определяется отклонениями от стеохиометрии. Впервые обнаружено краевое излучение, определена температурная зависимость ширины запрещенной зоны* Легирование примесями позволяет контролировать спектральный состав РИ,

3. Обнаружено, что введение примеси G^ позволяет поднять эффективность РИ GJSiJis^ до уровня Gajfs

4. Детально изучено влияние условий выращивания на люминесцентные свойства кристаллов р -<2л5л§ . Установлено, что наиболее совершенные кристаллы р -SnSnf^ образуются при кристаллизации стационарным методом, обеспечивающим проявление краевого РИ и получение высокочувствительных поверхностно-барьерных структур. Показано, что процесс упорядочения атомов 2?/z и Sn ответственен за широкую примесную полосу РИ, энергетическое положение которой зависит от скорости охлаждения расплава.

5. Установлено, что позиционное разупорядочение атомов в структуре твердого раствора с решеткой типа халькопирита при тетрагональном сжатии Ф 0 не снижает численных характеристик анизотропии РИ и ФЧ. Это открывает возможность путем изменения состава твердого раствора управлять спектральным диапазоном устройств поляризационной оптоэлектроники.

6. Показано, что при однородном легировании анизотропных кристаллов с решеткой халькопирита при ^ ^ 0 степень линейной поляризации РИ Сна примере д р

САСгеР2<Си> ) с участием уровней глубоких центров положительна и не уступает величине Э для межзонных А-переходов.

7. Обнаружено, что степень линейной поляризации краевого РИ от температуры практически не зависит.

8. Установлено, что термообработка кристаллов р -^¿пЗп^ совместно с 1п позволяет получить слои |г - типа проводимости» При этом образуются уровни мелких доноров, а эффективность РИ находится на характерном для исходных образцов уровне.

9. доказана возможность осуществления фазового перехода ромбической модификации в тетрагональную с сохранением монокристаллической структуры. ФЧ и эффективность РИ обеих фаз такая же, как у аналогов из числа соединений П-У1. Краевое излучение обеих фаз имеет экситонную природу. Получена температурная зависимость Е& обеих фаз*

10. Впервые среди анизотропных полупроводников обнаружена возможность достижения предельной 100 % степени линейной поляризации РИ для кристаллов Л^.1п.ромбической модификации.

Приведенные результаты получены впервые и составляют существо положений, выносимых на защиту.

Практическая ценность полученных в работе результатов заключается в следувдем:

1« Найдены условия получения кристаллов ¡Дь^ , и Л}!/7^ с эффективностью РИ на уровне их бинарных аналогов.

2. Предложено использование азимутальных зависимостей интенсивности РИ при сканировании возбуждающим лучом в качестве метода экспрессного определения разориеятации в структуре анизотропных материалов.

3. Обоснован метод определения степени упорядочения атомов и 2>п по положению максимума примесного РИ кристаллов р -2/7 в зависимости от уровня возбуждения,

4. Предложен способ управления спектральным диапазоном £ Ф и^ путем изменения состава твердого раствора с решеткой халькопирита.

5. Созданы поверхностно-барьерные структуры на основе кристаллов и ТР, а также П. -р-переходы из <2/г 5/г и показана возможность их использования*

6. Предложено использование спектров РИ образцов (1с1 Зп^&е,.^^ для экспрессного определения ос .

7. Доказана возможность применения примесного легирования анизотропных по^проводников с целью управления спектральным составом РИ при сохранении высокого значения степени линейной поляризация.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на; научных семинарах лаборатории физико-химических свойств полупроводников ФТИ им,А.Ф.Иоффе АН СССР;

- на П-м Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980 г.);

- на У-й Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводников (Москва, 1982 г.);

- на Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982 г.);

- на 1У Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение" (.Кишинев, 1У83 г.).

Объем работы. Диссертация включает введение, пять глав и заключение. Первая глава представляет собой обзор литературы. В этой главе рассмотрены вопросы изучения зонного спектра сложных алмазоподобных полупроводников и экспериментальные результаты по РИ исследуемых в работе соединений. Во второй главе освещены методы выращивания кристаллов, подготовки образцов к измерениям и экспериментальные методики, применяемые при выполнении работы. В третьей, четвертой и пятой главах представлены результаты экспериментального исследования люминесцентных свойств, а в ряде материалов и фоточувствительности-кристаллов тройных полупроводников и твердых растворов тетрагональной сингонии. Общие выводы по работе приводятся в заключении.

Основные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

1. Выполнены комплексные исследования РИ специально не легированных монокристаллов (У£/Ук2 р-типа проводимости в зависимости от температуры (4.2+200 К) и уровня возбуждения (до та р то то о

10 кв/см .с) на образцах с изменяющейся от 10 до 10 см при Т = 300 К концентрацией свободных дырок. Обнаружена тонкая структура спектров краевого РИ. Наиболее коротковолновая полоса

1.632 эВ (77 К) связывается с рекомбинацией свободного экситона; крутизна длинноволнового экспоненциального края этой полосы достигает ~120 эВ-^ и не зависит от температуры. Длинноволновые полосы объясняются излучательной рекомбинацией с участием уровней дефектов решетки, контролируемых отклонениями от стехиометрии Г . Впервые для определена температурная зависимость экситонной ширины запрещенной зоны, которая подчиняется формуле Варшни с параметрами = 3.6»10"^ эВ/К, Еех(0) = = 1.635 эВ, Ф = 120 К. Экстраполированное к 300 К значение ширины запрещенной зоны ШЯ'Л^ - 1.577 эВ согласуется с опубликованными данными других работ.

2. Обнаружено, что эффективность РИ кристаллов р

Т7 -ч после выращивания максимальна для образцов с р =10 см

300 К) и падает с понижением р^Ю17 см"3. Исследование влияния термообработки на РИ кристаллов р-типа показали, что отклонения состава от стехиометрии в направлении увеличения концентрации^7 или СУ вызывают снижение эффективности РИ GJ£/J7s£ . Установлено, что ТО кристаллов CcfS/J7s2 в парах Cd практически не влияет на структуру спектров РИ, тогда как термообработка в парах ßs гасит краевое РИ и приводит к появлению широких длинноволновых полос. Обсуждается природа излучательных переходов и образующихся центров. Обнаруженная чувствительность параметров РИ к отклонениям от стехиометрии может быть испольщована для контроля совершенства получаемых кристаллов.

3. Приведены систематические исследования РИ монокристаллов р- QclStfls^ , однородно легированных различными примесными элементами. Показано, что однородное легирование позволяет контролировать спектральный состав РИ. Обсуждается природа образующихся центров и их энергетический спектр. Обнаружено, что введение примеси G-q вызывает увеличение ЭИР кристаллов QdSiJJs& до характерного для его электронного аналога G^dfs уровня, что позволило впервые расширить интервал исследований РИ

Od&jfe, до 300 К.

4. Выполнены поляризационные исследования краевого РИ специально не легированных кристаллов р- Gci,9/Jsz с решеткой халькопирита в широкой области температур 4.2+200 К. Исследования азимутальной зависимости РИ при сканировании излучения из малых объемов показали, что примененный метод выращивания приводит к получению кристаллов с совершенной кристаллической структурой. Установлено, что в диапазоне температур 4.2+200К

РИ доминирует в поляризации ЕНс . Энергетическое положе-ние^максимумов, формирующих краевое РИ, в поляризациях ИПс и совпадает. Максимальное значение степени линейной поляризации краевого Ш 3 = 75+80 % практически не зависит от температуры. Сделан вывод о том, что изменения параметров решетки С&Я'&л с температурой не влияют на правила отбора излучательных А-переходов.

5. Исследованы люминесцентные свойства слоев ¡г -типа проводимости, полученных в результате изменения отклонения состава от стехиометрии, а также диффузионного введения примеси 1а из паровой фазы. Установлено, что конверсия типа проводимости р-*п обусловлена образованием мелких доноров. Показано, что РИ слоев определяется донорно-акцепторными переходами. Азимутальная зависимость РИ при сканировании возбуждающим зондом указывает на высокое совершенство структуры слоев. Обнаружено, что степень линейной поляризации РИ слоев в примесной области достигает 75+82$. Полученные результаты свидетельствуют о возможностях использования легирования ОсК/Д^ с целью управления спектральным составом РИ при сохранении численных характеристик анизотропии РИ на характерном для А-переходов уровне.

6. Проведено комплексное исследование РИ кристаллов р--¿мЪпР^ в зависимости от условий получения, а также созданы и изучены свойства поверхностно-барьерных структур на их основе. Показано, что с понижением скорости охлаждения расплава в случае спонтанной кристаллизации улучшается совершенство кристаллов р-^/7• Наиболее совершенные кристаллы получены методом стационарной кристаллизации из подпитываемых растворов. Установлено, что для обеих типов кристаллов ширина запрещенной зоны одинакова. На кристаллах Ц типа впервые обнаружено краевое излучение, а в спектрах ФЧ диодов на их основе наблюдается тонкая структура. Определены параметры зонного спектра5уг<£/г % и сделан вывод о прямых оптических переходах. Показано, что широкая примесная полоса в спектрах РИ чувствительна к процессам упорядочения и в кристаллах Л типа занимает наиболее коротковолновое положение ~кьдт = 1.550 эВ (77 К). Исследование свойств этой примесной полосы в зависимости от условий ТО кристаллов обеих типов демонстрирует их связь с характером позиционного упорядочения атомов 2п и в решетке халькопирита. Установлено, что РИ и ФЧ кристаллов ^Ы^п^ изотропны, что связывается с доменной структурой получаемых образцов.

7. Экспериментально доказана возможность получения слоев с¡1 - типа проводимости. Показано, что КТП обусловлена диффузионным процессом, протекающим в процессе ТО кристаллов рсовместно с индием.

8. Получены монокристаллы твердых растворов с решеткой халькопирита, пригодные для проведения поляризационных исследований. Проведены исследования РИ в области температур 4.24-300 К и ФЧ впервые созданных поверхностно-барьерных структур на их основе. Установлено, что эффективность РИ кристаллов ТР такая же, как и для соединения д его аналога 1пР . Показано, что краевое РИ кристаллов ТР имеет экситонную природу. В области температур 4.2+300 К впервые измерена температурная зависимость энергетического положения максимума краевой полосы кь} , которая следует известной формуле Варшни. Установлено, что в области з: = 0.4*1 выполняется закон Ьь)А = (1.66-0.43X )эВ. Анализ поляризационных измерений РИ кристаллов ТР и ФЧ диодов показывает, что позиционное разупорядочение атомов и 6-с> в структуре халько пирита с тетрагональным сжатием И 0 не изменяет правила отбора для межзонных переходов, характерные для исходных соединений. Показано, что значения ^ и ^ такие же, как и для упорядоченных фаз д . Определены параметры зонного спектра кристаллов ТР и сделан вывод о существовании прямых оптических переходов.

9. Исследовано влияние однородного легирования примесью меди на спектры РИ кристаллов с решеткой халькопирита. Показано, что спектр РИ таких кристаллов состоит из широкой примесной полосы, спектральный контур которой сложный и контролируется условиями легирования. Установлена донорно-акцеп-торная природа наблюдаемой полосы. Впервые для кристаллов обнаружена высокая степень линейной поляризации до — 76 % в области примесного РИ. Положительный знак 5 соответствует правилам отбора для А-переходов.

10. Получены монокристаллы с ромбической и халько-пиритной решетками, пригодные для проведения полного набора поляризационных измерений. Установлено, что фазовый переход Ъ*ск. протекает при ТО кристаллов Т-фазы с сохранением монокристаллической структуры при 600°С и акспрессно контролируется по спектрам РИ. Показано, что кристаллы обеих фаз обна

П У1 руживают ЭИР и ФЧ на уровне бинарных аналогов А В . Установлено, что краевое РИ имеет экситонную природу, а ФЧ максимальна в области фундаментального поглощения. Фазовый переход 7сопровождается снижением Е^ . Впервые определены температурные зависимости Е^ кристаллов обеих фаз, особенностью которых является постоянство при Т^120 К.

11. Обнаружена и исследована линейная поляризация РИ кристаллов обеих модификаций . Установлено, что АЗ соответствуют сингонии кристаллических решеток. Для кристаллов С-к - фазы максимальная степень линейной поляризации краевого РИ5-90 % практически не зависит от температуры, а ее знак соответствует правилам отбора для А-переходов.

12. Впервые среди анизотропных полупроводников обнаружено, что в результате понижения симметрии кристаллической решетки ск ^ степень линейной поляризации РИ двуосных кристаллов достигает предельного значения 100 % для краевой линии с максимумом "Ь-сЭ = 2.026 эВ (77 К) в направлении £010]. На основании сопоставления спектров в монокристаллов X-и С-к. -^Тп^ и с решеткой вюрцита обсуждается взаимосвязь степени линейной поляризации лкминесценции и расщепления валентной зоны кристаллическим полем.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе проведены экспериментальные исследования из-лучательных свойств монокристаллов сложных алмазоподобных полупроводниковых соединений с различным позиционным упорядочением атомов в кристаллической решетке двух типов - халькопиритной ( ) и орторомбической ( ).

1. Горюыова H.A. Химия алмазоподобных полупроводников.- Л. : ЛГУ, 1963, с.222.

2. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники.- М. : Сов.радио, 1964, с.267.

3. Горюнова H.A. Некоторые вопросы образования сложных тетраздри-ческих фаз. Вестник ЛГУ. Серия физ. и химии, 1966, № 10, с.112-114.

4. Rupprecht J., Maier R.G. Heuere Untersuchungen an halbleitenden Mischkristallen unter besonderer Beruchsichtigung von Zustand sdiagrammen. -Phys.st. sol., 1965 , v.8, III, p.3-39.п tv v

5. Полупроводники AB C£ . M. Сов.радио, 1974, с.375.

6. Рудь Ю.В. Получение и комплексное исследование свойств кристалп ту vлов тройных соединений типа А В С£ . Капд.дисс., Л., ФТИ АН СССР, 1965, с.185.

7. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М., Наука, 1979, с.339.

8. Шаскольская М.П. Кристаллография. М., Высшая школа, 1976, с.391.

9. Вайполин A.A., Горюнова H.A., Лошакова Г.В. О некоторых особенностях полупроводникового соединения ZnSn?2 . Ж. Неорган, материалы, 1968, т.4, №6, с.878-880.

10. Кожина И.И., Тепловое расширение ряда соединений A B C!? . В сб.: Тезисы докл.Всесоюзной конф. "Тройные полупр. и их применение". Кишенев, Штиинца, 1976, с.20.

11. Spring Thorpe А. J. , Pamplin B.K. , Grovrth of some Single crystals II-IV-V2 Semiconducting Compounds. - J.Cryst.Growth, 1968, t.34, N2, p.313-316.

12. Орлов B.M., Трифонова Э.П., Радул В.А., Вайполин A.A., Цвет-коваЕ.В., Горюнова H.A. Получение и исследование твердых растворов в системе GdSnAs2-CdSnP2 . В кн.: Физика. Краткое содержание докл. на 27 конф., Л., ЛИСИ, 1969, с.18-20.

13. Pamplin B.R., Shah J.S., Sullivan R.A.L. The Zr^Cd^SnAsg Semiconducting alloy sistem. J.Electrochem Soc., 1965, t.112, И 12, p.1249-1250.

14. Горюнова H.A., Мамаев С., Прочухан В.Д. Твердые растворы в системе CdSnAs2-CdGeAs2.- Изв.АН КСР $ с.физ., хим. и геолог, наук, 1966, № 3, с.29-32.

15. Чалдышев В.А., Покровский В.Н., Свойства симметрии энергетических зон кристаллов со структурой халькопирита. Известия ВУЗов, "Физика", i960, № 2, с.173-181.

16. Чалдышев В.А., Караваев Г.Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа халькопирита. Известия ВУЗов, "Физика", 1963, № 5, с.103-105.

17. Sandrock R., Treusch I. Simmetrie eigenschaften der Energiebander der chalkopyritgitter nach der k-p-Störungsrechnung.z.Haturforsch, 1964, 19-a, N 7/8, 844-850.

18. Караваев Г.Ф., Поплавной А.С. Исследование энергетического спектра электронов в полупроводниковых соединенияхс решеткой халькопирита по теории возмущений. ФТТ, 1966, 8, № 7, 2143-2148.

19. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: ZnSiP2.- Известия ВУЗов, "Физика", 1969, II, 58-66.

20. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: CdSiP2, MgSiP2, ZnGeP2, ZnSiAs2. Известия ВУЗов, "Физика", 1970,6, 95-100.

21. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: ZnSnP2, CdSnP2, ZnGeAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2, CdGeP2, CdSiAs2 .- Известия ВУЗов, "Физика", 1970, 7, 17-22.

22. Караваев Г.Ф., Кривайте Г.З., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А., Шилейка А.Ю. Зонная структура и спектры электроотражения CdSnAs2 ФТП, 1972, 6., с.2211-2215.

23. Hopfield I.I. Pine structure in the optical absoption edge of anisotropic crystals. I.Phys. Chera.Sol., 1960, 15,p.97-Ю7.

24. Rowe I.E., Shay I.L. , Extension of the quasicubic model to ternary chalcopyrite crystals. -Phys.Rev., 1971,B3} p.451-453.

25. Shay I.L. ,Buchler E. , ïïernick I.II. Electroreflectance study of the energy-bands structure of CdSnP2. Phys.Rev.B.Solid State. Ser.3, 1970, 2, II 10, p.4Ю4-4Ю9.

26. Шилейка А.Ю. Оптические исследования зонной структуры соедине4 5ний А В . В кн.: Многодолинные полупроводники (серия-2-16

27. Электроны в полупроводниках"). Вильнюс. Моклас.1979,с.143-193.

28. Shay I.L. and Wernick I.H. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications, Pergamon Press, Oxford, 1975, p.244.

29. Hubner K. and Unger K. Spin-orbit aplittings in Il-IV-Vg compounds. Phys.St.Sol. (b), 1972, v.50, I'T2, p.K105-K107.

30. Горюнова H.A., Белле H.M., Златкин JI.Б., Лошакова Г.Б., Поплав-ной А.С., Чалдышев В.А. Оптические свойства и зонная структура ZnSnP2 (халькопирит и сфалерит). ФТП, 1968, т.2, й 9, I344-I35I.

31. Поплавной А.С., Караваев Г.Ф. Энергетический спектр электронов ZnGeAs2 и znSi?2 . Известия АН СССР: Неорг.материалы, 1968, т.4, Ш I, с.196-200.

32. Поплавной А.С. Структура энергетических зон ZnSnAs2 . Известия АН СССР: Неорг.материалы, 1969, т.5, № I, с.498-501.

33. Поплавной А.С. Структура энергетических зон ZnSiAs2 и ZnGe?2. Известия ВУЗов, "Физика", 1968, № 9, 142-145.

34. Pollak F.H., Cardona И. Pieso-Electroreflectance in Ge, GaAs and Si. Phys.Rev., 1968, Ц2, p.816-837.

35. Gavini A., Cardona Ы. Modulated Piezoreflectance in Semiconductors. Phys.Rev., 1970, B1, p.672-682.

36. Thomas D.G., Excitons and Band Splitting Produced by Uniaxial Stress in CdTe. J.Appl.Phys., 1961, v.¿2, 2298-2304.

37. Yu P.Y., Cardona M., Pollak F.H. Intrinsis Piezobirefringence in CaSb, InAs, and InSb. Phys.Rev., 1971, B3, p.340-346.

38. Кривайте Г.З., Корнеев Е.Ф., Шилейка А.Ю. Спектры электроотражения ZnSnAs2. ФТП, 1971, т.5, № II, с.2242-2244.

39. Капе Е.О. Band structure of indium antimonide. J.Phys.Chem. Solids, 1957, v.1, IT 1, p.249-261.

40. Kildal H. Band structure of CdGeAs2 near к = 0 . Phys.Rev. B. 1974, Ю, p.5082-5087.

41. Ehrenveih H. Band Structure and Transport Properties of Some 3-5 Compounds. J.Appl.Phys., 1961,v.32, p.2155-2166.

42. Златкин JI.Б., Марков Ю.Ф., Полушина И.К. Значения эффективной массы электронов проводимости в CdGeAs2~ ФТП, 1969, т.З, № 10, с.1590-1591.

43. Емельяненко О.В., Кесаманлы Ф.П., Полушина И.К., Скрипкин В.А. Термо-э.д.с. и эффективная масса носителей тока в CdGeAs2 .- ФТП, 1971, т.5, №. 2, с.351-353.

44. Шпеньков Г.П., Исследование оптических свойств тройных алмазоподобных соединений. Канд.дис., Л., ФТИ АН СССР, 1968, с.115.

45. Валов Ю.А., Горюнова Н.А., Османов Э.О., Рывкин С.М., Шпенвксв Г.П. Излучательная рекомбинация в кристаллах cdGeAs2H CdSiAs2 .- ФТП, 1968, т.2, № 9, 1367-1369.

46. Сергинов М. Получение и исследование физических свойств монокристаллов тройного соединения CdSiAs2 . Канд.дис., Баку, Ин-т физики АН Аз.ССР, 1971, с.153.

47. Аверкиева Г.К., Г0рюнова Н.А., Прочухан В.Д., Рывкин С.М., Сергинов М., Шретер Ю.Г. Вынужденное рекомбинационное излучение CdSiAs2 . ФТП, 1971, т.5, fe I, с.174-176.

48. Мальцева И.А., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Сергинов М. Поляризация фотолюминесценции в кристаллах cd.SiAs2 . ФТП, 1976, 10, с.1222-1224.

49. Goryunova IT.A., Ryvkin S.M., Shpenkov G.P. , Tychina I.I., Fedotov V.G. Investigations of some properties of vitreous and crystalline CdGePg.- Phys.Stat.Sol., 1968, v.28, If 2, p.489-492.

50. Willey J.D., Buchler E. , Shay J.L., Y/ernick J.H. ,ссылка на (-30) J.Electronic Materials, 1973,v.2,lT4,p.601-603.-2П

51. Мальцева И.А. Исследования излучателыюй рекомбинации кристаллов АПВ1УС2 . Канд.дис., Горький, ГИФТИ при ГГУ им.Лобачевского Д.Н., 1977, с.228.

52. Maltseva I.A. , Ivlamedov A., Rud Yu.V. , Undalov Yu.K. Luminescence of In-Doped CdGePp Crystals. Phys.Stat.Sol. (a), 1978, v.50, N 1, p.139-146.

53. Мальцева И.А., Рудь Ю.В., Ундалов Ю.К., Краевое излучение кристаллов CdGeP2.- Укр.физ.журнал, 1976, т.21, № 9, с.1503-- 1507.

54. Мальцева И.А., Рудь Ю.В., Ундалов Ю.К. Поведение меди в кристаллах CdGeP2.- ФТП, 1976, т.10, в.6, c.II0I-II03.

55. Мальцева И.А., Рудь Ю.В., Ундалов Ю.К. Люминесцентные свойства кристаллов CdGeP2 : In. ФТП, 1976, т.10, в.2, с.400-402.

56. Рудь Ю.В., Мальцева И.А. Поляризация люминесценции кристаллов CdGeP2. ФТП, 1977, т.II, в.1, с.201-204.1. П TV У

57. Кожина Н.И. Тепловое расширение кристаллов А В . Вестник ЛГУ, 1975, № 22, C.II3-II8.

58. Shag J.L., Buchler Е. , Wernick J.H. Electroreflectance, absorption coefficient, and energy-band structure of CdGeP2 near the direct energy gar.- Phys.Rev., В., 1971,v.4, ÏÏ8, p.2479-2485.

59. Рудь Ю.В., Мальцева M.А. Анизотропия рекомбинационного излучения кристаллов АПВ1Ус| . ФТТ, 1977, т.19, в.З, с.870-873.

60. Шпеньков Г.П.,Спектральное распределение фотоэдс и излучательной рекомбинации в кристаллах cdSnP2. Hеорг.материала, 19®, т.15, № 6, c.II43-II45.

61. Берковский Ф.М., Г0рюнова Н.А., Рыбкин С.М., Орлов В.М., Соколова В.И., Цветкова Л.В., Шпеньков Г.II. Оптический квантовый генератор на CdSnP2 с возбуждением электронным пучком. ФТП, 1968, т.2, № 8, с.1218-1220.-219

62. Shay J.L., Leheny R.F., Buchler E., Wernick J.H. CdSnP2 emission and detection of near infrared radiation. - Appl.Phys. Letters, 1970, v.16, IT 9, p.357-359.

63. Shay J.L., Johnston V/.D., Buchler E., Wernick J.H. Plasmaron coupling and laser emission in Ag doped CdSnP2. Phys.Rev. Lett., 1971, v.27, IT 11, p. 711-714.

64. Shay J.E., Schiavone L.M. , Buchler E., V/ernick J.H. Spontancous--and stimulated- emission spectra of CdSnP2.

65. J.Appl.Phys., v. 43, N 6, p.2805-2807.

66. Leonov E.I., Orlov V.L1. , Sokolova V.I., Shreter Yu.G. Luminescence of CdSnPg doped with different impurities. Phys. Stat. Sol. (a), 1971, v.8, IT 2, p.387-391.

67. Мальцева И.А., Рудь Ю.В., Соколова В.И., Смирнова А.Д. Люминесцентные свойства кристаллов CdSnP2 Укр.физ.журнал, 1978, т.23, Ш I, с.46-50.

68. Мальцева И.А., Мамедов А., Рудь Ю.В., Смирнова А.Д. Поляризация излучательных переходов на глубокие центры в кристаллах P-CdSnP2 . Укр.физ.журнал, 1978, т.23, № 8, с.1355-1359.

69. Мальцева И.А., Рудь 10.В. Поляризация-краевого излучения CdSnP2 . Письма в ЖТФ, 1976, Т.2, в.6, с.266-271.

70. Shay J.L. , Buchler Е. , V/ernick J.H. , Negative crystal-field splitting of the valence bands in CdSnPg. Phys.Rev.,Letters, 1970, v.24» IT 10, p.1301-1304.

71. Вайполин А.А., Леонов Е.И., Орлов B.M., Шихтин A.H., Разбега-ев В.Н., Малгоков Б.А., Украинский Ю.М., Ярмаркин В.А. Получение и некоторые свойства твердых растворов в системеи ту у И 111 ТТ

72. CdSnP2-CdGeP2- В кн.: Тройные полупроводники А В С£ и А Б^С^ , (Физ.-хим. и физ.свойства), Кишенев, Штиинца, 1972, с.93-96.-¿20

73. Лошакова Г.В. Получение кристаллов полупроводникового соединения ZnSnP2 и исследование его свойств. Канд.дис.,Л., Ленин/ градский пединститут им.А.И.Герцена, 1967, с.141.

74. Поплавной А.С. Структура энергетических зон некоторых полупроводников АШВУ и АПВ1Ус| • Канд.дис., Томск, Томский ГУ им. В.В.Куйбышева, 1967, с.173.

75. Горюнова Н.А., Кесаманлы Ф.П., Лошакова Г.В. Электрические свойства кристаллов ZnSnP2. ФТП, 1967, т.1, № 7, с.ЮЮ--1012.

76. Берковский Ф.М., Гарбузов Д.З., Горюнова Н.А., Лошакова Г.В., Рывкин G.M., Шпеньков Г.П. Излучательная рекомбинация в кристаллах ZnSnP2 ФТП, 1968, т.2, № 5, с.744-747.

77. Рудь Ю.В., Мальцева И.А. Анизотропия люминесцентных свойств

78. ZnSnP2 . ФТП, 1977, т.II, № 6, с.1033-1037.

79. Shileika A., Energy band structure and modulation spectra ofsemiconductors. Surfase Science, 1973, v.37, N 5,p.730-747.

80. Shay J.L., Tell В., Shiavone, Kasper H.M., Thiel P. Energy bands of AgInS2 in the chalcopyrite and orthorombic structures,- Phys.Rev., B, 1974, v.$, IT 4, p.1719-1723.

81. Бондарь И.В., Кароза А.Г., Лукомский А.И., Смирнова Г.Ф.

82. Исследование оптических свойств тройного соединения AginS2 .- Ш1С, 1979, т.31, в.5, с.880-882.

83. Бондарь И.В., Кароза А.Г., Смирнова Г.Ф. Исследование оптических СВОЙСТВ ТВерДЫХ раСТВОрОВ AgGa^Iib s0 .л I —X с.- ЖПС, 1980, т.33, № 4, с.718-722.

84. Chelma D.S., Kypecek P.J., Robertson D.S., Smith R.C. Silver thiogallate, a new materiel with potential for infrered device- Optics Communications, 1971, v.3, IT 1, p.29-31.

85. Boyd G.D., Kasper H.M., Hefee J.H. Linear and Nonlinear Optical Properties AgGaSg, CuGaSg, CulnSg and Theory of the Wedge Technique for the Measurements of ITonlinear Coefficient .-IEEE J.Quantum Electron, 1971, QE7, n 12, p.563-573.

86. Прочухан В.Д. Исследования в области химии тройных полупровод1. П TY Yников типа А В • Докт.дис., Ленинград, Институт химии силикатов им.И.В.Гребенщикова АН СССР, 1972, с.408.

87. Ундалов Ю.К. Получение и исследование полупроводникового соединения CdGeP2 . Канд.дис., Ленинград, ЛПИ им.М.И.Калинина, 1974, с.183.

88. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Перспективы практического применения полупроводников АПВ1УС2 . ФТП, 1978, т.12, № 2, с.209-233.

89. Мамедов А., Паримбеков З.А., Рудь Ю.В., Сергинов М. Люминесцентные свойства специально легированных кристаллов

90. P-CdSiAs2 . ФТП, 1982, т.16, в.4, с.722-725.

91. Паримбеков З.А., Рудь Ю.В., Сергинов М. Поляризация фотолюминесценции монокристаллов CdSiAs2 . В сб.: Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 12-14 октября 1982, т.2, с.257-258.

92. Паримбеков З.А., Рудь Ю.В. Фотолюминесценция кристалловр CdSiAs2 <Ga> . - Ш1С, 1983, т.38, в.6, с.1005-1008.

93. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Сергинов М. Получение и физические свойства соединения CdSiAs2 . Изв.АН СССР "Неорг.материалы", 1973, 9, № 7, c.II57-II6I.

94. Довлетмурадов Ч., Овезов К., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Сергинов М. Фотоэлектрические свойства и возможности практического использования гомодиодов из CdSiAs2 . ФТП, 1976, т.10, № 9, с.1659-1663.

95. Leite R.G.G., Digiovanni,А.Е. frequency Shift with Temperature as Evidence for Donor-Acceptor Pair Recombination in Relatively Pure n-Type GaSa.- Phys. Rev., 1967,153, Ii 3,p.841-843.

96. I ее J.H., Gondas G.A. The Excitation Intensity Effect in the Band-Edge Emission of GaAs and GdSe (E/T). J.Appl. Phys., 1968, v.39, P,351-353.

97. Кесаманлы Ф.П., Наследов Д.Н. (ред.).Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. М., Наука, 1973, с.472.

98. Камалов М.И., Колесник Л.И., Мильвидский М.Г., Шершакова Н.И. Влияние стехиометрии и процессы рекомбинации в кристаллах GaAs <Si> . ФТП, 1980, т.14, Ш I, с.159-163.

99. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ (справочник). М., Наука, 1979, с.340.

100. Morgan Т.Н., Plaskett T.S., Petit G.D. Pair Spectra Involving-Si Donors in GaP. Phys.Rev., 1969, 180, N3, p.845-851.

101. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. М., ИЛ., 1961, с.199.

102. Абдурахимов А.А., Мамедов А., Полушина Й.К., Рудь Ю.В., Сергинов М., Довлетмурадов Ч. Энергетический спектр дырок в легиро-225 ванных кристаллах p-casiAs2 . Изв.АН ŒCCP, сер.физ.-техн., хим. и геол.наук, 1981, № 5, с.12-17.

103. Мамедов А., Полушина И.К., Рудь Ю.В.,Сергинов М. Электрические свойства специально не легированных монокристаллов p-CdSiAs2. Изв.АН ТССР, сер.физ.-техн.,хим. и геол.наук, 1981, Ш 4,с.31-39.

104. Aven M., Prener J.S. Physics and Chemistry of II-VI Gompounds, North Holland Publ. Go., Amsterdam, 1967,p.575.

105. Абдурахимов A.A., Крадинова JI.В., Паримбеков З.А., Рудь Ю.В. Диоды Шотки на основе p-ZnSnP^ ФТП, 1982, т. 16, в.2, с.248--253.

106. Медведкин Г.А., Паримбеков З.А., Рудь Ю.В., Поляризованная люминесценция CdSnP2 через глубокие центры. В сб.: Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980, ч.2, с.72.

107. Рудь Ю.В., Вайполин А.А., Калевич Е.С., Медведкин Г.А., Паримбеков З.А., Соколова В.И. Анизотропия фотоактивного поглощения и излучательной рекомбинации твердых растворов

108. CdSn Ge- PQ .- ФТП, 1981, т.15, в.12, с.2366-2372.

109. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М., Мир, 1964, с.392.

110. Growell C.R., Sze S.M. Current transport in metal-semiconductor barriers. -Sol. Stat. Electron, 1966, 9, p.1035 -2 -1048.

111. Кривайте Г.З., Крадинова Л.В., Шилейка А.Ю. Спектры электроотражения ZnSnP2 . ФТП, 1972, т.6, Ш II, с.2306-2308.

112. Медведкин Г.А., Овезов К., Рудь Ю.В., Соколова В.И. Поляризационные свойства диодов из CdSnP2 . ФТП, 1976, т.10, МО,с.2081-2086.

113. Maltseva I.A., LTaitiedov A., Rud Yu.V., Undalov Yu.K. The photosensitivity of diodes based on CdGeP2 : In crystals.-Phys.Stat.Sol. (a). 1978, ¿0, 445-448.

114. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М., Мир, 1973, с.45б.

115. Бирюлин Ю.Ф., Ичкитидзе P.P., Кригель В.Г., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора GaAs- .Sb (х ©.05).i ~'1 ji. jv- ФТП, 1979, т.13, KS II, с.2276-2279.

116. Быков A.M., Воляр A.B., Кучиян JI.M. Поляризационная модуляция света в многомодовом световоде. Письма в ЖТФ, 1981, 7,с.55-57.

117. Абдурахимов A.A., Паримбеков З.А., Рудь Ю.В. Энергетический спектр монокристаллов AginS2 тетрагональной модификации.- Укр.физический журнал, 1983, т.28, в.1, с.121-125.

118. Рудь Ю.В., Паримбеков З.А. Поляризация люминесценции монокристаллов AgInS2. ФТП, 1983, т.17, в.2, с.281-287.

119. Паримбеков З.А., Рудь Ю.В. Фотолюминесценция кристаллов ромбической модификации AgInS2. ФТП, 1983, т.17, в.2, с.341--344.

120. Рудь Ю.В., Абдурахимов A.A., Вайполин A.A., Паримбеков З.А., Прочухан В.Д.»Анизотропия фотопроводимости ромбической модификации AgInS2 . ЖПС, 1983, т.38, в.5, с.814-818.

121. Агринская Н.В., Зиновьев Н.Н., Матвеев О.А., Ярошецкий И.Д., Рекомбинационное излучение экситонов высокой плотности в кристаллах теллурида кадмия. ФТП, 1980, т.14, № I, с.55-61.

122. Раис Т., Хансел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М., Мир, 1980, с.349.

123. Бакуцкий В.Н., Бондарь И.В., Недзвецкий Д.С. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны cuGaSg • ~ ФТП, 1982, т.16, ?й I, с.180-182.

124. Segall В., Ilarple D.T.F. In Physics and Chemistry of II-VI Compounds, edited by M.Aven and J.S.Prener, North-Holland, Amsterdam, 1967, p.319.

125. Collins R.J., Hopfield J.J. Polarization of the Edge Emission in CdS.- Phys.Rev., 1960, 120, p.840-842.

126. Горбунов В.В., Остапенко С.С., Тапатар М.А., Шейнкман Оптическая анизотропия центров красной люминесценции в cdS , облученном тепловыми нейтронами. ФТТ, 1981, т.23, № II,с.3320-3325.

127. Рудь Ю.В., Овезов 1С. Фотоэлектрические свойства диодов на основе n-ZnSiAs2 . ФТП, 1975, т.9, Ш 5, с.951-957.

128. ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

129. Г электрический вектор световой волны РИ

130. Е^-г- электрический вектор световой волны в возбуждавшем луче- угол между £* и Су- фототок при заданном значении сринтеноивнооть РИ при заданном угле у Е^- ширина запрещенной зоны

131. TQ температура термообработки < ^

132. J- угол отклонения оси С от плоскости (112) ¿Г - отклонение состава от стехиометрии Еех - Экситонная ширина запрещенной зоны