Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (I), (II) и получение медных пленок на их основе тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1.ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Медная металлизация в интегральных микросхемах с субмикронными проектными нормами.

1.1.1. Основные направления и задачи исследований.

1.1.2. Преимущества метода CVD по сравнению с физическими методами осаждения.

1.2. Комплексы меди(1) и (II) — предшественники в методе CVD. 17 1.2.1. Основные требования к предшественникам в методе CVD

1.2.2. Синтез и реакция восстановления (3-дикетонатов меди(П)

1.2.3. Синтез и реакция диспропорционирования производных меди(1).

1.3. УФ-стимулированные процессы в растворах и газовой фазе.

1.4. Термолиз комплексов меди(1) и (И).

1.4.1. Исследование термической устойчивости (3-дикетонатов меди(П) в конденсированной фазе.

1.4.2. Температурные зависимости давления насыщенных паров комплексов меди(1) и (И) и механизмы их термораспада.

1.4.3. Кинетика и механизмы реакции разложения комплексов меди(1).

1.5. Электронная структура.

1.6. Тонкие медные пленки: структура и характеристики.

1.6.1. Влияние подложки.

1.6.2. Селективность осаждения.

1.7. Медные пленки на основе (hfa)Cu-Cod.

1.8. Постановка задачи исследования.

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Синтез, очистка и идентификация комплексов меди (I) и (II).

2.1.1. Исходные реагенты.

2.1.2. Методики синтеза.

2.1.3. Способы очистки.

2.1.4. Идентификация полученных соединений.

2.2. Исследование спектральных характеристик комплексов меди (I) и (II) физическими методами.

2.2.1. Оптические спектры поглощения.

2.2.2. Фотоэлектронная и рентгеновская спектроскопия.

2.3. Исследование термических свойств комплексов меди(1) и (II).

2.3.1 Термоаналитическое исследование

2.3.2 Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара.

2.4. Описание экспериментов для исследования механизмов реакций.

2.4.1. Реакции термолиза комплекса (hfa)Cu-Cod.

2.4.2. Вакуумный УФ-стимулированный термолиз комплекса (hfa)Cu-Cod на различных подложках.

2.4.3. Фотолиз перфторкарбоксилатных комплексов меди(И) в спиртовых обескислороженных растворах.

2.5. Получение и исследование медных пленок.

2.5.1. Подготовка подложек.'.

2.5.2. Осаждение медных пленок методом CVD при атмосферном и пониженном давлении.

2.5.3. Аппаратура и методы исследования медных пленок.

3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.

3.1.Синтез и очистка хелатных комплексов меди(1) и (И).

3.2. Исследование термических свойств медных комплексов.

3.2.1. Термоаналитические исследования.

3.2.2. Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара.

3.2.3. Исследование реакции термолиза (hfa)Cu-Cod.

3.2.4.Механизм высоковакуумного УФ-стимулированного. термолиза (hfa)Cu-Cod.

3.3. Электронная структура (hfa)Cu-Cod.

3.3.1. Фотоэлектронная и рентгеновская спектроскопия.

3.3.2. Детали расчета и оптимизации геометрии комплекса.

3.3.3. Диаграмма энергетических уровней комплекса.

3.3.4. МО комплекса и особенности фотоэлектронного спектра

3.3.5 .Анализ МО комплекса.

3.3.6. Выводы.

3.4. Фотолиз карбоксилатных комплексов меди(П).

3.4.1. Электронные спектры поглощения перфторалкилкарбок-силатов меди(Н).

3.4.2. Фотолиз ацетата меди(И) в спиртовых растворах.

3.4.3. Фотохимия перфорированных карбоксилатов меди(Н) в спиртовых растворах.

3.5. Получение медных пленок и их исследование.

3.5.1. Получение медных пленок при атмосферном давлении.

3.5.2. Исследование медных пленок, полученных методом

CVD при пониженном давлении.

ВЫВОДЫ.

Актуальность темы Конец XX и начало XXI веков ознаменованы интенсивным развитием электронной промышленности, которая является одной из основ научно-технического прогресса. Стремление к миниатюризации интегральных микросхем (ИМ) и повышение их функциональной сложности предъявляют все более высокие требования к металлическим проводникам, роль которых выполняют тонкие проводящие пленки. Многоуровневая металлизация с промежуточными изолирующими слоями, применяемая в ИМ с ультрабольшой степенью интеграции (более 16 млн компонентов на одну ИМ), обусловливает необходимость уменьшения ширины тонкопленочных проводников. Большие плотности тока, возникающие из-за малого поперечного сечения, приводят к таким проблемам как электромиграция, стресс-миграция (трещины), что характерно для металлизации алюминием и его сплавами.

Современная технология полупроводниковой микроэлектроники переходит на медную металлизацию, так как медь обладает значительной устойчивостью по отношению к электромиграции, высокими теплоемкостью, тепло- и электропроводностью. Но актуальность исследований для решения многих вопросов, связанных с медной металлизацией, по-прежнему значительна.

Медь может наноситься физическим осаждением из газовой фазы, то есть испарением и конденсацией в вакууме, распылением, гальваническими способами. Но химическое осаждение тонких медных пленок из газовой фазы (метод CVD — Chemical Vapor Deposition) предпочтительно при получении конформных (имеющих одинаковую толщину на горизонтальных и вертикальных ступеньках рельефа) и селективных покрытий, а также при заполнении отверстий и канавок в структурах, имеющих высокое AR (aspect ratio) — геометрическое отношение глубины узкого пространства между элементами к величине зазора между ними. Актуальны исследования с использованием дополнительных методов стимуляции CVD процессов (УФ-облучение, воздействие лазером, плазмой и т.д.).

Одним из наиболее широко исследуемых классов исходных веществ для получения тонких медных пленок являются (3-дикетонатные комплексы ме-ди(1) с основаниями Льюиса. Однако механизмы реакций термического и фо-толитического разложения летучих медьсодержащих соединений остаются пока во многом неясными. Важной задачей является изучение влияния условий процесса осаждения и материала подложки на структуру, рельеф поверхности и электропроводность получаемых пленок меди. Также актуальны активные исследования по поиску новых классов соединений меди(1) и(П) для использования в качестве предшественников при получении пленок металлической меди.

Работа проводилась по плану Института неорганической химии СО РАН (Новосибирск) и в рамках проекта РФФИ (99-03-32272). Работа поддержана грантом Фонда Сороса.

Целью настоящей работы является синтез исходных комплексов ме-ди(1) и (II) для получения пленок меди методом CVD, исследование термических свойств и механизмов разложения молекул (термолиз, фотолиз), определение приемлемых режимов процесса осаждения и изучение свойств полученных медных пленок.

При этом решались следующие задачи:

• синтез и физико-химическое исследование новых метокси-(3-дикетонатов меди(Н), не содержащих атомов фтора, для использования в CVD-процессе получения пленок меди;

• оптимизация методики синтеза комплекса гексафторацетилацетоната ме-ди(1) с 1,5-циклооктадиеном - (hfa)Cu-Cod;

• масс-спектрометрическое исследование механизма образования металлической меди в реакциях термолиза и УФ-стимулированных термолитических превращениях на различных подложках комплекса (hfa)Cu-Cod, определение кинетических параметров реакции;

• исследование электронной структуры комплекса (hfa)Cu-Cod;

• измерение температурных зависимостей давления насыщенного пара комплексов меди(1) и (II) и определение термодинамических характеристик процессов парообразования;

• исследование фотолитических (без термической составляющей) превращений диоксановых перфторакилкарбоксилатных комплексов меди(И) в спиртовых растворах

• выбор приемлемых параметров осаждения пленок меди из предшественников меди(1) и (II) на различные подложки в процессах CVD при атмосферном и пониженном давлениях;

• исследование процесса роста пленок, морфологии поверхности и электрофизических свойств в зависимости от условий осаждения и материала подложки ,

Научная новизна. Синтезирован и охарактеризован ряд новых веществ-предшественников - метокси-|3-дикетонатов меди(П). Некоторые из этих веществ — жидкости, что предпочтительно для CVD-процессов нанесения пленок. Показана возможность их использования в качестве CVD-предшественников,

Измерены температурные зависимости давления насыщенных паров комплекса меди (I) - (hfa)Cu-Cod и жидкого метокси-(3-дикетоната меди(П) -Cu(L2)^ —5йс(2,6-диметил-6-метоксидодекан-3,5-дионата меди(И)) масс-спектрометрическим эффузионным методом Кнудсена. Вычислены термодинамические параметры процесса сублимации и испарения.

Методом масс-спектроскопии исследована реакция термолиза комплекса (hfa)Cu-Cod и УФ-стимулированный термораспад молекул этого комплекса на различных подложках. Предложена схема УФ-стимулированного термораспада.

Предложен и экспериментально обоснован двухстадийный радикальный механизм фотолиза на примере ряда летучих диоксановых комплексов пер-фторалкилкарбоксилатов меди(П).

Впервые полностью описана электронная структура комплекса (hfa)Cu-Cod на основании фотоэлектронных (Не I) и рентгено-флуоресцентных спектров (СКа-спектры), а также неэмпирического кванто-вохимического расчета в приближении функционала плотности (B3LYP методом),

Практическая значимость. Усовершенствована методика синтеза одного из широко используемых предшественников - (hfa)Cu-Cod, что позволило получать данное вещество с высоким выходом без использования шленков-ской технологии и сухой камеры.

Определены приемлемые режимы осаждения пленок меди из новых жидких метокси-(3-дикетонатов меди(П) в вертикальном CVD-реакторе с холодными стенками при атмосферном давлении. Показана возможность их использования в качестве CVD - предшественников.

Практическую значимость представляют данные о морфологии поверхности (определены значения среднеквадратичной шероховатости и фрактальной размерности) и электропроводности пленок меди на различных подложках (Ti, Si02/Si, Si3N4/Si, ситалл, фторопласт), полученных в условии однократных столкновений с подложкой (молекулярного пучка) из комплекса (hfa)Cu-Cod при давлении 1-Ю"5 Торр.

На защиту выносятся:

• синтез и физико-химические свойства новых жидких и легкоплавких исходных летучих метокси-(3-дикетонатов меди(П);

• усовершенствованная методика синтеза комплекса меди (I) (hfa)Cu-Cod;

• данные по электронной структуре комплекса (hfa)Cu-Cod;

• результаты исследования температурных зависимостей давления насыщенного пара и термодинамические параметры процессов сублимации и парообразования комплексов меди(1) и (II);

• исследование образования металлической меди в реакциях термолиза комплекса меди(1) (hfa)Cu-Cod и механизм термических превращений с УФ-стимулированием при осаждении на различные типы подложек;

• механизм фотолиза комплексов меди(И) в спиртовых обескислороженных растворах;

• данные по исследованию морфологии поверхности и электрофизических свойств пленок меди в зависимости от условий осаждения и материала подложки.

Работа выполнена в соответствии с планами НИР ИНХ СО РАН «Изучение химии простых и комплексных летучих соединений» номер госрегистрации № 1860108864 и «Новые материалы и вещества - основа создания нового поколения техники, технологии. Синтез и исследование свойств и процессов разложения летучих металлорганических соединений как исходных материалов для получения покрытий» Шифр 10.1.5.4. и в рамках проекта РФФИ (9903-32272). Работа поддержана грантом фонда Сороса.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на XVIII Международной конференции по фотохимии (Варшава, Польша 1997); XVII Симпозиуме ИЮПАК по фотохимии (Барселона, Испания 1998); III Научно-технической конференции «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (Зеленоград, Россия, 2000); XIII Европейской конференции по химическому осаждению из газовой фазы «EUROCVD 13» (Глифада, Греция, 2001); XVII Межреспубликанской конференции «Численные методы решения задач теории упругости и пластичности» (Новосибирск, Россия, 2001); XIV Международный симпозиум «Тонкие пленки в оптике и электронике» (Харьков, Украина, 2002).

Публикации по работе. Основное содержание работы изложено в десяти научных публикациях.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и изложена на 140 страницах, включая 27 рисунков, 13 таблиц и список литературы (125 наименований)

выводы

1. Синтезированы и охарактеризованы семь новых летучих метокси-Р-дикетонатов меди(П). Методом ДТА обнаружено, что при нагревании в атмосфере гелия комплексы полностью переходят в газовую фазу. Впервые получены тонкие пленки меди из жидких метокси-Р-дикетонатов меди(П) с хорошей адгезией к подложке Si3N4/Si.

2. Усовершенствована методика синтеза перспективного предшественника для низкотемпературного получения пленок меди — комплекса (hfa)Cu-Cod. Методом масс-спектрометрии исследован термораспад комплекса, установлены газообразные продукты и температурные интервалы их образования. Определены эффективные кинетические параметры реакции.

3. Впервые полностью описана электронная структура комплекса (hfa)Cu-Cod на основании фотоэлектронных (Не I) и рентгено-флуоресцентных спектров (С&х-спектры), а также неэмпирического квантово-химического расчета в приближении функционала плотности (B3LYP метод).

4. Масс-спектрометрическим эффузионным методом Кнудсена измерены температурные зависимости давления насыщенного пара (hfa)Cu-Cod и 2,6-диметил-6-метоксидодекан-3,5-дионата меди(И) — Си(Ь2)г. Из экспериментальных данных Р = j(T) рассчитаны термодинамические параметры сублимации и парообразования комплексов (АН°Г и AS°t).

5. Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследован УФ-стимулированный термораспад молекул комплекса (hfa)Cu-Cod на различных подложках. Предложена схема термораспада.

6. Предложен и экспериментально обоснован двухстадийный радикальный механизм фотолиза на примере ряда полифторкарбоксилатов меди(Н), протекающего с образованием металлической меди. Определены продукты превращений. Показано, что протекание как реакции фотолиза, так и темновых процессов может приводить к образованию производных меди(1).

7. Определены приемлемые режимы осаждения пленок меди из комплекса (hfa)Cu-Cod на различные подложки (Ti/ситалл, Si02/Si, Si3N4/Si, ситалл, фторопласт) в процессах CVD при пониженном давлении. Удельное электросопротивление полученных пленок меди на подложках Ti/ситалл и Si02/Si составляет 1,67-1,71 мкОм-см, что соответствует чистой металлической меди. Исследована морфология поверхности пленок, определены значения среднеквадратичной шероховатости и фрактальной размерности.

1. Gardini P., Glaze J.,Williams O. The SIAs National Technology Roadmap for Semiconductors IJ Solid State Technology 1998. - V.41, N 1. - P. 73-76.

2. The Chemistry of Metal CVD (Ed. T.T.Kodas, M.J.Hampden-Smith). Wein-heim, 1994.-P. 175-238.

3. Ни C.-K., Small M.B., Kaufman F., Pearson D.J. Tungsten and Other Advansed Metal for VLSI/ULSI Application (eds. Material Research Society, Pittsburgh, PA, 1990.-P. 369-373.

4. Arita Y., Awaya N., Amazawa Т., Mutsuda T. Deep submicron Cu planar interconnection technology using Cu selective chemical vapor deposition // Intl. Electron Devices Meet. Tech. Digest IEEE 1989. - P. 893-895.

5. Pai P.-L., Ting C.H. Copper as future interconnection material // VLSI Multilevel Interconnection Conf. 1989. - V.6. - P. 258-264.

6. Gutmann R.J., Chow T.P., Kaloyeros A.E, Lanford W.A., Muraka S.P. Thermal stability of on chip copper interconnect structures // Thin Solid Films. 1995. -V.262. - P.177-186.

7. Wang M.T., Lin Y.C., Chen M.C. Barrier Properties of Very Thin Та and TaN Layers Aganist Copper Diffusion // J.Electrochem. Soc. 1998. V.145. - P. 2538-2544.

8. П.Васильев В.Ю. Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике // Микроэлектроника -1999. Т.28, №3. - С.-175-200.

9. Baum Т.Н. and Larson С.Е. A novel copper and CVD precursor: (r) -butyne) copper^) hexafluoroacetylacetonate // Chem. Mater- 1992. V.4, N2. - P.365-369.

10. Doppelt P. Why is coordination chemistry stretching the limits of micro-electronics technology//Coord.Chem.Rev.,Pt.2.- 1998.-V.l 78-180.-P. 1785-1809.

11. Doyle G., Eriksen K.A., Engen D.V. Alkene and carbon monoxide derivatives of copper (I) and silver (I) |3- diketonates // Organometallics. 1985. -V.4. -P. 830-835.

12. Choi E.S., Park S.K., Shin H.K., Lee H.H. Chemical vapor deposition of copper with a new metalorganic source//Appl.Phys.Lett. 1996. - V.68.N12. -P. 1017-1019.

13. Kang S.-W., Park M.-Y., Rhee S.-W. Hexafluoroacetylacetonate Cu vinylcyclohex-ane as a liquid precursor for low temperature chemical vapor deposition of copper thin films //Electrochem. and Solid-State Lett. -1999. - V.2, N1. - P. 22-23.

14. Maury F. Recent Trends in the Selection of Metal-Organic Precursors for MOCVD Process // J.Physiq. IV 1995. - V.l. - P.5. 449-463.

15. Roger C., Corbitt T.S., Hampden-Smith M.J., Kodas T.T. Aerosol-assisted chemical vapor deposition of copper: a liquid delivery approach to metal thin films // Appl.Phys.Lett 1994. - V.65, N8. - P. 1021-1023.

16. Petersen G.A., Parmeter J.E.,Apblett C.A. Gonzales M.F.,Smith P.M., Omstead T.R., Norman J.A.T. Enhanced Chemical Vapor Deposition of Copper from (hfac)Cu(TMVS) Using Liquid Coinjection of TMVS // J.Electrochem.Soc. -1995.- V.142, N3. P. 939-944.

17. Moller A., Kail R., Till V., Wortberg G., Adomeit G. Experimental and theoretical investigation of low-pressure CVD of Cu using Cul as precursor // J. Crystal Growth 1997. - V.174.-P. 837-844.

18. Chichibu S., YoshidaN., Higuchi H., Matsumoto S. Chemical Vapor Deposition of Cu Film on Si02 Using Cyclopentadienylcoppertriethylphosphine // J.Appl.Phys. -1992. V.31.-P. L1778-L1780.

19. Turgambaeva A.E., Bykov A.F.,Igumenov I.K.Mass Spectrometric Study of Cop-per(II) (3-Diketonates Vapor Thermolys Mechanism and Kinetics //J. Physique IV -1995.-V.5.-P.C5-221-228.

20. Bykov A.F. Semyannikov P.P. Igumenov I.K. Mass spectrometric study of thermal stability of copper(II) bis(dipivaloylmethanate) vapor // J.Therm.Anal. 1992. -V.38. -P.1463-1475.

21. Гиричев Г.В., Гиричева Н.И., Белова H.B., Кузьмина Н.П., Кауль А.Р., Горбенко О.Ю. Изучение процессов межлигандного обмена между Cu(AA)2 и У(ДПМ)з в газовой фазе // Журн. неорг.химии. 1993. - Т.38, вып.8 - С.1359-1364.

22. Цыганова Е.И., Дягилева Л.М. Реакционная способность Р-дикетонатов металлов в реакции термораспада // Усп. Химии. 1996. - Т.65, вып.4. -С.334-349.

23. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.В. , ЗемсковС.В. Тенземетрическое изучение летучих Р-дикетонатов металлов П В кн.: Проблемы химии и применения летучих Р-дикетонатов металлов. М.: Наука, 1982. С 100-120.

24. Troyanov S.I., Gorbenko O.Yu., Bosak A.A. Synthesis and crystal structure of copper(II) 2,2,6,6-tetramethylheptan 3,5-dionate adduct with o-phenanthroline // Polyhedron. 1997.- V.16. - P.l595-1598.

25. Б.ГГрибов, ГАДомрачев, Б.В.Жук, Б.С.Каверин, Б.И.Козыркин, В.В.Мельников, О.Н.Суворова. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. (Под ред. Г.А.Разуваева).Москва, Наука, 1981.

26. Строение, свойства и применение (3-дикетонатов металлов. М.: Наука 1978.-203с.

27. Van Hemert R.L., Spendlove L.B., Sievers R.E. Vapor Deposition of Metals by Hydrogen Reduction of Metal Chelates // J.Electrochem.Soc. 1965. - V.112. -P. 1123-1126.

28. Temple D, Reisman A. Chemical Vapor of Copper from Copperfll) Hexafluoroacetylacetonate//J. Electrochem. Soc.-1989.-V.136, N 11. -P. 3525-3528.

29. Hazuki Y., Yano H., Horioka K., Hayasaka N., Okano H. Tungsten and Other Advanced Metal for VLSI/ULSI Application (eds. Material Research Society, Pittsburgh, PA, -1990. P. 351-357.

30. Kaloyeros A.E., Feng A., Carhart J., Brooks K.S., Ghosh S.K., Saxena A.N. Luehers F. // J.Electronic.Mater. -1990. V. 19. - P.271

31. Lai W.G., Xie Y.,Griffin G.L. Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of Copper Thin Films // J.Electrochem.Soc. 1991. - V.l 38. - P.3499-3504.

32. Awaya N., Arita Y Advanced Metal for VLSI/ULSI Application, Rana. V.V.S. Joshi R.V. Ohdomari I. (eds.), Material Research Society, Pittsburg, PA. -1992. -P. 345-354.

33. Chemical Vapor Deposition Precursor (1,1,1,5,5,5-Hexafluoro-2,4-pentandionato) (^i -1,5-cyclooctadiene) copper(I) Studied by variable Temperature X-ray Crystallogrffy and solid state NMR-Spectroscopy // Chem. Mater. -1992. V.4. - P. 577-582.

34. Henne A.L., Newman M.S., Quill L.L.,Staniford R.A. The Alkaline Condensation of Fluorinated Ethers with Ether and Ketones // J.Am.Chem.Sos. 1947. - V.69. -P.1819-1820.

35. Вертопрахов B.H., Круподер C.A. Тонкие пленки меди, получаемые из паровой фазы летучих производных меди (П) и меди (I) CVD-методом. // Успехи химии -2000. Т.69, вып.12. - С. 1149-1177.

36. Belford R.L., Martell А.Е., Calvin М. Influence of fluorine substitution on the properties of metal chelate compounds // J.Inorg.Nucl.Chem. -1956. V.2. - P.l 1 -31.

37. Pauleau Y., Fasasi A.Y. //Chem. Mater. 1991. - V.3. -P. 45-50.

38. Zheng B, Eisenbraun E.T., Liu J.,Kaloyeros A.E. Device-quality copper using chemical vapor deposition of P-diketonate source precursors in liquid solution // Appl.Phys.Lett. 1992. - V.61. -P. 2175-2178.

39. Kim J.Y., Lee Y.K.^ark H.S., Park J.W., Park D.K., Joo J.H., Lee W.H., Ко Y.K.,Reucroft PJ.,Cho B.R. Deposition mechanism of MOCVD copper films in the presenceof water-vapor// Thin Solid Films. -1998. V.330, N2. - P. 190-195.

40. Son J.H., Park M.Y., Rhee S.W. Growth-rate and microstructure of copper thin-films deposited with metal-organic chemical-vapor-deposition fromhexafluoroacetylacetonate copper (I) allyltrimethylsilane // Thin Solid Films -1998. -V.335, N1-2.-P. 229-236.

41. Hampden-Smith M.J., Kodas T.T. Chemical vapor depositon of copper from (hfac)CuL compounds // Polyhedron. -1995. V. 14. - N6. - P. 699-732.

42. Norman J.A.T. Advances in copper CVD for the semiconductor industry // J. Phys. IV. 2001. V.ll.-P. 497-503.

43. Питерских И.А., Салоутин В.И., Пашкевич К.И., Постовский И .Я. // Журн. Общей Химии. -1981. Т.51. - Р. 706.

44. Салоутин В.И., Пашкевич К.И, Питерских И. А., Постовский И.Я. Фотовосстановление медных солей гидратов фторсодержащих а-кетокислот // Изв. АН СССР. Сер. Хим. -1981. -Т.10. С. 2379-2381.

45. Martin A J., Bulk R.H., Loasby R.G., Savage J. The production of electrically conductive Tracks by electron or laser-beam decomposition of inorganic metallic compounds. Oxide system // Thin Solid Films. 1968. - V.2. - P. 253

46. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Н.Айнспрука, Д. Брауна. М.:Мир. 1987.470с.

47. Perry W.L., Jain A., Kodas Т.Т., Hampden-Smith M.J. Selective chemical vapor deposition on excimer laser patterned polytetrafluoroethylene from hexafluoroacetylacetonate copper (I) vinyltrimethylsilane // Thin Solid Films 1995. -V.262,Nl-2. -P.7-11.

48. Jones C.R, Hoyle F.A., Kovac C.A., Baum Т.Н. // Appl. Phys. Lett. 1985. - V.46. -P. 97

49. Chen Y.D., Reisman A., Turlik I., Temple D. Cu CVD from соррег(П) hexafluoroacetylacetonate. IA cold wall reactor desing blanket growth rate and natural selectivity // J. Electrochem. Soc. -1995. V. 142. -P. 3909-3911.

50. Hoyle F.A., Wilson R.J., Ваши Т.Н. // J. Vac. Sci. Technol. -1986. V.A4. - P. 2452

51. Hoyle F.A. // Appl.Phys. -1986. V.A41. - P. 315

52. Быков А.Ф. Масс-спектрометрическое исследование термораспада паров ряда (3-дикетонатов металлов, образующих оксиды в конденсированной фазе: Автореферат дисс. канд. ф.-м. Наук: 02.00.04 / ИНХ СО РАН. Новосибирск, 1995.-18с.

53. Гуревич М.З., Сас Т.М., Зеленцов В.В., Степин Б.Д., Мазепова Н.Е. Влияние фторзамещения в лиганде на термическую устойчивость (3-дикетонатов переходных элементов // Журн. неорг.химии. 1975. - Т.ХХ, вып.2. - С. 452-458.

54. Мазуренко Е.А., Зуб В .Я., Врочинский СЛ., Вожов С.В. Кинетика термической диссоциации бис-р-дикетонатов меди(П) // Укр. хим. журн. 1988. - Т.54, N12. -С.1235-1237.

55. Стабников П.А. .// Межмолекулярное взаимодействие в кристаллах (3-дикетонатов меди: Автореф. дисс .канд. хим. наук: 02.00.01 / ИНХ СО АН СССР. Новосибирск, 1988. 18с.

56. Ohrbach К.-Н., RadhofF G.,Kettrup A. TG-DTA-MS investigation of copper chelates with various P-diketones as ligands // Thermochim.Acta. 1983. - V.67. - P. 197-203.

57. Александров Ю.А., Дягилева JIM., Цыганова Е.И. Термическое разложение органических производных переходных металлов. М.: Наука. 1993. 208с.

58. Li X., Bancroft G.M., Pudderhatt R.J., Yuan Zh., Tan K.H. Electronic structures of copper(I) and silver(I) p-diketonate complexes // Inorg.Chem. -1996. V.35. - P. 50405049.

59. Гэрбэлэу H.B., Индричан K.M. Масс-спектрометрия координационных соединений. Кишинев: Штиинца. 1984. -338с.

60. Малкерова И.П., Алиханян А.С., Филатов Н.Ю., Казанская И.Л., Севастьянов В.Г. Летучесть и строение ацетилацетонатов CuD, Pdn, Rhn и пропионилацетоната С¥/ Журн.неорг.химии. -1991. Т.36, вьш.12. -С. 3112-3118.

61. Wolf W.R., Siever RE., Brown G.H. // Inorg.Chem. 1972. - V. 11. - P.l 99

62. Reynolds S. K., Smart С J., Baran E.F., Baum Т.Н., Larson C.E., Brock P.J. Chemical vapor deposition of copper from 1,5-cyclooctadiene copper (I) hexafluoroacelylacetonate// Appl.Phys.Lett. -1991. V.59, N18. - P.2332 -2335.

63. Norman J.A.T., Muratore B.A. Dyer P.N., Roberts D.A., Hochberg A.K. // J.de Physique. -1991. V. IY(1). - P. C2-271

64. Чемлева T.A., Кузьмина Н.П., Исаева E.B., Ильина Е.Г. Корсаков И.Е. Вааль Г. Математическое моделирование кинетики испарения летучих координационных соединений // Журн. неорг. химии. -1999. Т.44, вып.2. - С. 285-289.

65. Тургамбаева A.E. Масс-спектрометрическое исследование термических превращений паров Р-дикетонатов меди (П): Автореферат дисс. .канд. х. наук: 02.00.04 / ИНХ СО РАН. Новосибирск, 1996.

66. Naik M.B.,.Lakshmanan S.K, Wentorf R.N., Reeves R.R, Gill W.N. Thermal chemical vapor deposition of copper from hexafluoroacelylacetonate Cu(I) vmyltrimethylsilane: kinetic studies // Journal of Crystal Growth -1998. V.193. - P. 133-147.

67. Jain A.,Chi K.-M., Kodas T.T., Hampden-Smith M.J., Farr J.D. and Paffett M.F. Selective low temperature chemical vapor deposition of copper from new copper (I) compounds // Proc. SPIE Int.Soc.Opt. -1991 1596. - P. 23-33.

68. A Jain, K.M.Chi, J.Farkas, M.J.Hampden-Smith, T.T.Kodas, M.F.Paffett, J.D.Farr.// J. Mater. Res. -1992. V.7 - P. 261.

69. Jeffries P.M., Dibois L.H., GirolamiG.S. // Chem.Mater. -1992. V.4. - P. 1169

70. Вовна В.И., Львов И.Б., Иванов Ю.В. Электронная структура и фотоэлектронные спектры Р-дикетонатных комплексов никеля(И) и меди(П) // Поверхность. -1997. №8.-С. 31-39.

71. Устинов А.Ю., Устинова О.М., Вовна В.И. Электронная спектроскопия и электронная структура трис-Р-дикетонатов металлов // Поверхность -1997. №8. -С. 47-51.

72. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж.Поуга, К.Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982.

73. Домрачев Г.А. Резистивные пленочные материалы, полученные по металл оорганической технологии // Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов: Тез. докл. IV Всесоюзной школы. Горький, 1989С.74-86.

74. Технология тонких пленок: Справочник. Под ред. Л.Майссеяа, Р.Глэнга. М.,: Советское радио, 1977, Т. 1

75. Cohen S.L., Liehr M, Kasi S. Selectivity in copper chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. -1992. V.60. - P. 1585-1587.

76. Potochnic S.J., Pehrsson P.E., Hsu D.S.Y., Galvert J.M. Selecive copper chemical vapor deposition using Pd-activated organosilane films // Langmuir. 1995 - V.l 1, N6. - P. 1841-1845.

77. Webb J.B., Northcott D.,Emesh I. Growth, selectivity and adhesion of CVD-deposited copper from Cu+1 (hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane) and diclorodimethylsilane //Thin Solid Films. -1995. V.270. - P. 483-488

78. Stumm Т.Н., Bergh H. Selectivity in low pressure chemical vapor deposition of copper from hexafluoroacetylacetonate-copper (I) trimethylvinylsilane in the presence of water//Mater. Sci. and Eng. -1994. - V.B23. - P. 48-53.

79. Awaya N., Arita Y. Cany-gas effects on characteristics of copper chemical vapor deposition using hexafluoro-acetylacetonate-copper(l) trimethylvinylsilane // Thin Solid Films.- 1995.-V.262.-P. 12-19.

80. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969.

81. Chae Y.K., Shimogaki Y., Komiyama H. The role of gas-phase reaction during chemical vapor deposition of copper from (hfac)Cu (tmvs) // J.Electrochem.Soc. -1998. V.145. - N12. - P.4226-4233.

82. Gleizes A.N., Vidal S., Davazoglou D. Fabrication of fine copper lines AZ 5214™ patterned silicon substrates by selective chemical vapor deposition // J. Phys. IV. 2001. V.ll.-P. 1197-1201.

83. Kroger R., Eizenberg M., Rabkin E., Cong D., Chen L. The role of kinetics in the nucleation and void formation in copper films produced by chemical vapor deposition // J. Appl. Phis. 2000. - V.88. - N4. - P. 1867-1872.14.

84. Inorganic syntheses.V.2. Coper(I) chloride. P. 1-4.

85. Krupoder S.A., Danilovich V.S., Miller A.O., Furin G.G. Polyfluorocarboxylates. I. СоррегЩ) trifluoroacetate and its analogues // J. Fluor. Chem. -1995. V.73. - P. 13 -15.

86. Гранкин В.М.,Семянников П.П. Источник ионов и высокотемпературный источник молекулярного пучка к масс-спектрометру МИ-1201 // Приборы и техника эксперимента -1991.-N4.-С. 129-132.

87. Сидоров JI.H., Коробов М.В., Журавлева JI.B. Масс-спектральные термодинамические исследования.-М. :Изд.МГУ,1985.-208с.

88. Титов В.А.,Коковин Г.А. Математические проблемы химии./ Под ред. В.Д. Кудрина. Новосибирск: Изд.СО АН СССР, 1975. - С. 25-34.

89. Grivin V.P., Khmelinsky I.V., Pliusnin V.F., Blinov I.I., Balashev K.P. // J.Photochem.Photobiol. A: Chem. -1990. V.51, N3. - P. 167-.

90. Занина A.C., Шерпша С.И., Хабибулина Г.И. и др. Синтез р-дикетонов и ацетиленовых кетонов на основе простых эфиров третичных диацетиленовых спиртов // Изв. АН СССР Сер.хим. -1977. N.12. - С.2781-2784.

91. Суворов А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния.-JL: Химия, 1970.-207с.

92. Becke A.D. Density-functional thermochemistry. Ill The role of exact exchenge // J. Chem. Phys. 1993. - V.98. - P. 5648-5652.

93. Jaguar 3.5, Schrodinger, Inc., Portland, OR, 1998.

94. Мурахтанов B.B., Мазалов Л.Н., Булушева Л.Г. Пофрагментарный анализ молекулярных орбиталей ряда замещенных бензолов // Журн.структ.хим. -1989. -Т.30.-С. 31-39.

95. Schaftenaar, G. MOLDEN(CAOS/CAMMCenter, The Netherlands, 1991).

96. Bulusheva L.G., Okotrub A. V., Liskovskaya Т. I., Krupoder S. A., Gusel'nikov A. V., Manaev A. V, and Traven V. F. Electronic Structure of 1,5-Cyclooctadiene-copper(I)-hexafluoroacetylacetonate // J. Phys.Chem., Pt. A -.2001. V.105. - P. 8200-8205.

97. H. Remy. Treatise on inorganic chemistry, Amsterdam: Elsevier, 1956, V. 1, P. 809.

98. Van Niekerk J.N. and Shoening F.R. A new type of copper complex as found in the crystal structure of cupric acetate Cu2(CH3C00)42H20 // Acta Cryst. -. 1953.- V.6.-P. 227.

99. Takeda K. and Iwakura Y. //Bull. Chem. Soc. Japan. 1968. - V.41 - P. 268.

100. Gafhey H.D. and Lintvedt R.L Photochemical Reactions of copper (П) -1,3-diketonate Complexes // J.Amer.Chem.Soc. -1971. V.93. - P. 1623-1628.

101. Marchiniak B.and Buono-Core G.E. // J. Photochem. Photobiol. A.:Chem. 1990 -V.52.-P. 1.

102. Johnson D.W., Salmon G.A. // Can. Chem. J. 1977. - V.55. - P.2030.

103. Brailn W., Rajbenbach L., Eirich F.R. // J.Phys.Chem. -1962. V.66. - P. 1591

104. Bullock G.and Cooper R. Reactions of Aqueous Trifluoromethyl Radicals // Trans. Faraday Soc. 1970. - V.66 - P. 2055-2064.

105. Дзюба C.A., Райцимринг A.M., Цветков Ю.Д Масштаб пространственного перемещения свободной валентности в ходе низкотемпературных радикальных реакций в изопропаноле // Теор. Экспер. Хим. -1979. Т.15 - С. 541-546.

106. Chow Y.L.,Buono-Core G.E. //Can. J. Chem. -1983.- V.61 -P. 795.