Создание фотоэмульсионных галогенидосеребряных Т-кристаллов способом перекристаллизации особомелкозернистых эмульсий тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

государственный шлите? р* по делам науки и высшей школы кемеровский государственный университет '

На прадах рукописи ЛАРИЧКВ Тимофей Альбертович

УДК 77.021.11.

СС0ДМШ 50ТСШУ.ПЬСШШХ ГАЛС1ШШ0СЕРЕЕРШЫХ Т-КРИОТШС® СПОСОБОМ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ ОСОБОМВЛКОбЕРШСТЫХ ЭМУЛЬСИЙ

02.00.04 - фязическад химия

Автореферат диссертации на соискание ученей степени кандидата химических наук

Немерозо - 1993

Работа выполнена в Кемеровском государственном университете на кай^Ере неорганической химии.

Иаучнни руководитель:

доктор технических нэук. I! poj-eccop, чл. - корр. РАТИ Москииов В. А,

Официальные оппонент: доктор химических наук,

профессор Павлин U.M.

кандидат химических на/к старкчн научняи сотрудник Утехин А.И.

Ведущая срганиеацт»: Кагнтатехфотолрс'кт

Защита состоится 14 января 1У94 г. в 10.СО часов на васедавии слециалюировачкого Совета Д,064Л7.01 при Кемеровском государственном университете (650043, г.Кэлерово, ул.Красная 6).

С диссертацией мслно ознакомится в библиотеке КемГУ. Автореферат разослан 10 декабря 16ЭЭ г.

Ученый секретарь специализированного Совета, к.х.н.

в. а. сечкарен

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА. РАБОТЫ

АКТУАЛЬНОСТЬ ЯРчбЛЕМЫ. Начало широкого использования в коммерческих фотографических материалах плоских микрскристадлов (ПМК или Т-кристаллов) АцНа1 в 80-е гг. било обусловлено разработкой и енедр« hiv-m в практику процесса изготовления фотографических эмульсий способом контролируемой двухструнной кристаллизации (КДК). Однако широкое использование метода КДК выявило и ряд трудноразрешимых проблем, связанных с изготовлением Г1МК. Достаточно сдо.хно добиться получения эмульсий с однородными как по Форме, так и по размеру Т-кристаллами, а также с 1Ш сложного галогенидного состава с однородным распределением га-логенид-ионов, Устранение последнего недостатка в традиционном методе КЖ представляется маловероятным, поскольку синтез ПИК приходится вести в области высокого пересыщения реакционной смеси по галогенид-иону, когда практически невозможно избежать возникновения ласалъних зон со значительна градиентом по концентрации ионов Ag* и Hal".

Для получения ПМЧ может бить использован метод перекристаллизации особомелкоэернистых гадогенидосеребряннх эмульсий (СШЭ). Этот метод попользовался в лабораторных условиях для получения модельных Т-кристаллов, одна)«1 его • лотенциалыше возможности до настоящего времени ¡ie раскшты.

Настоящая работа посвящена изучешао процесса перекристаллизации ШЗЗ и изыскания условий получения эмульсионных г&ло-генвдосеребрянг!* Т-кристаллов с заданными составом. структурой и размером.

ЦЕЛЬ РЖОТЫ - исследование закономерностей процесса формирования Т-кристаллов при перекриеталдизацяи галогенадосеребрй-

• - 3 -

них ОМРЗ различного галогеивдного состава н изыскание способов управления дисперсионными и сенситометрическими характеристиками образующихся плоских М,1. Лад достижения цели необходимо было: исследовать особенности л закономерности протекания процесса фор.мировашм Т-кристаллов в зависимости от рыбраинш условий проведения перекристаллизации СШЭ, дисперсионных характеристик и гадогенвдкого состава МП исходной САШ.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

1. На основании результагов скггематическсго последовгшия процесса перекристаллизации ОМЭЗ обоснован ксэлесценткьй механизм образования к роста галогени," херебряиых Т-кристаллов.

2. Показана возможность управления дисперсионными характеристиками получгиоаупсся т-кристаллов путем варьирования размера и однородности МК исходной <Я,Ш и введения в систему ^ястиори-теля галогенида серебра.

3. Показано, что ъ Т-кристаллах, полученных перекристаллизацией СШЭ, шкно создавать примесные центры путем химической сенсибилизации исходной мелкозернистой эмульсии и изучено влияние шага центров на фотографические свойства.

^ащщаеше гГаюшния

1. Закономерности синтеза эмульсионных Т-кристаллов состава Аевг и АеВго. Яб1о.о4. а также Т-Ь-кристаллов АгЕг/А^Вго, 9б1о. 04 методом перекристаллизации ОМЗЭ.

Й. Механизм формирования и роста Т-кристалдсе. ъ соответствии с которым возникновение и укрупнение галогенидосеребряшк Т-кристаллов протечет при коалесценции с последующей контактной рекристаллизацией МК исходной СШЭ.

3. Установленный факт определяющего влияния размера и однородности по размеру МК исходной ОМЗЭ на дисперсионные харак-

. - 4 -

теристики образующихся Т-кристаллов, и условий перекристаллизации - на кинетику процесса.

•1. Обнаружение и подтверждение воймоиностл улучшения однородности ?-криетаддов по размеру в (Ьорме при проведении перек-ристаллигации в интервале знамений pBr-'í ,5-3.5 в присутствии растворителя галогенлда серебра (тиощмне.та кадии).

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЯШ'ИМООТЬ

1. Изученные закономерности формирования Т-кристаллов при пер*кристалл>1&аш1И ОМЗЭ позволяют эффективно » в широксм диапазоне управлять дисперсионными характеристиками гмулп.сиошг.а плоских микрскризталлов.

2. Установленные закономерности формирования Т-кристаллов позволяют создавать эмульсии, содержащие Т-кристаллы заданной структуры и состава и эффективно управлять их фотографическими свойствами.

3. Разработан способ синтеза высокочувствительных эмульсий с галогенидосеребряними Т-кристаллами сложной структуры для сс. кнния медицински)? рентгенографических мелок.

ПУБЛИКАЦИИ, По тзме диссертации имеется 9 публикаций.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные результата докладывались на научных семинарах кафедр неорганической химии, на международном симпозиуме "Fotografía Académica" (ЧССР, на научно-1*«*.-, '..,

шмеекой конференции КемГУ (Кемерово, 1990), на • Вс^ссввцой ; конфсре да "Кинотехника" (Москва, 1990),' на S-orf йсесовоигл) совещании "'Лстохимичеекие и фотофииическио процессы в raoгриппах серебра" (Черноголовка, 1991}.,' .' '•':"'■'■' .:

ОВЬЕМ ДИССЕРТАЦИИ. Диссертация состоит и? введений,, ПЛгл глав, выводов и списка цитируемой литературы, ьключаосегс W

работ отечественных и зарубежных авторов. Содержит 60 страниц машинописного текста, 12 рисунков и 11 таблиц.

Первая глава содйряит анализ научно-технической и патентной литературы, освеяаедей современные подходи к создан ко фотоэмульсий с г&логенидосеребрлными Т-кристаллами.

Большие трудности для совершенствования технологии изготовления светочувствительных материалов до настоящего времени создает отсутствие ясности с тем, какие именно факторы обеспечивают анизотропный рост Т-кристалла. особенно на тачальном этапе (стадии зародышеобразования}. Наличие в Т-кристаллах плоскостей двойннкования подтверждается методами электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа, поптому принято считать, что анизотропна роста 1Ш обусловлена наличием "входящего угла" Ш, возникамцего при многократном двои иковзшт исходного КК. В качестве альтернативного предлагается коалес-центннй механизм роста ШК [23,

Существуют условия, при которых ПМК могут быть получены путем коалесценщш предварительно изготовленных мелких кристаллов АеНа1. Отдельные этапы процесса коалесценции модно наблюдать с помощью эле! тронного микроскопа. Однако нет ясности с движущей силой анизотропной агрегации большого количество мед. ких МК в большие плоские ассошшы. Таким образом, Еопрос о механизме формирования галогешщосеребряных Т-кристаллов до настоящего времени оставался открытым.

Во второй главе приводятся описания методов и методик проведения экспериментов м измерений. Для исследования закономерностей формирования галогенидосеребряных 'Г-кристаллов при перекристаллизации использовались ОМЗЭ, полученные на установке управляемого синтеза способом КДВ. Средним размер ОМЗЭ оп-

- 6 -

Г деляли турбидиметрическгм метолом. '

Т~кристаллов получали способом перекристаллизации СЮ") по с.чедушей методике: в реактор, еодерхагдей водно-желатиновый раствор при заданной температуре (50 - 7С°С0 и значении рВг рродилн н расплавленном состоянии требуемое количество ШЗЭ. Перекристаллиаащво проводили до полного исчеэиовепия МК исходной ма.49ра0«>"рнс>й эмульсии, причем для контроля процесса ис-нол! зогалась -электронная и оптическая микроскопия. После окончания илр»кристаллиэа!ши п реакционной смеси устанавливали значение рН-4,0 и прор.одилн осе-лягни^ твердей <2чаан с помоимо осадителя "!!'!■". Усадок промигали и диспергировали, устанавливая нулную концентрацию по желатине и еереОру.

Дисперсиочные и гранулометрические характеристики Т-кристаллов - средний эккивалентшй диаметр (<1,мкм), коэффициент вариации МК по размерам (Су,7.), кристаллографическая однородность (ЗтД> - определялись по электронно-микроскопическим снимкам угольных реплик, полученных на электронном микроскопе Угда-100 и микрофотографиям, полученных с помоомо микроскопа •'»ео^М-гГ'.

Химичес^ю сенсибилизацию палучармнх галогенидосеребряных гмульгий проводили общепринятым методом, заключающимся ь вы-дерхивании эмульсии при повшекной температуре и ¡¡еремешивании в присутствии специальных добавок. В качестве химических сен-сис'илиз.чторор и добавок использовали тиосульфат натриз, эоло-тохлористородородную кислоту, тиоцианат калия и в качестве аи-тивуалента - натриевую соль иэоСутилбензолтиосуяьфокисяотн (КФ-4026).

Сенситометрические испытания образцов проводились по ГОСТ №91-73. Сенситограммы ^кспоиирорччи^ (кроме сп^цтлн»^ ого-

вореиних I на сеноиФоксТ}« 41. Цмяиьь* температура

источник излучения - 5500 К, время экспозиции - 0,05 сек.

Химико-фотографическая обработка сенситограмм осуществлю-. л;., ь прояйиселем УП-2 при температуре 20,0±0,3°0. Оптическая плотность почернения полей лро.шленной сенситограмм измерл-.¡Цлч. иг. денситометре ДЦ-Ш. Ошибка сенситометрических испытаний не прешшаля 10-ил;

■ Гре'П-я глава пйс»яи»иа исследоьаиия процесса формирования Т-кристаллов при перекристаллизации галогенидоссреоряных ОМЗЯ

а(1),шкт ^

4

10.0

7.6 -

5.0

2.5

0.0

/

/о

/

/

/

' о

0.04

_ -ВО" "О

111> Г11 I 1п|-г"1 п 1 г1' 1 I 1 I I I 1ч 1!1ТТ~)

а.ов о.ов

<1(МК), ткгп

0.10

Рис. 1. Взаимосвязь размера Ш СШЭ со средним эквивалентным диаметром Т-кристадлов, получаемых при перекристгиишва-ции зтих эмульсий.

/

□

При проведении перекристаллизации СШЭ в избытке бромид-ионов и в отсутствии иных растворителей галогешда серебра

- 8 -

средний эксивазентний диаметр (¡юрм'лгупанхсн Т-кристаллов определяется раздором, а такие однородностью,но размеру Mit исходной СМЗЭ (см.рис.1). Условия, миягпие на об«ук> растворимость галогенидэ серебра, в частности температура, величина рВг, га-логенидный состав Ш, спред^ляит кинетику перекристаллизации, но не оказывают влияния нэ дисперсионные характеристики Т-кристаллое. Скорость возникновения и роста Г№Л также пропорциональна и концентрации MR ОМЗЭ (взаимодействуй;1;!?: части:;) в системе.

Влияние растворителя галогенчда серебра (тиоциамата калия) носит дьолкий уарактер. При Htracax значениях рВг его введен» ускоряет процесс перекристаллизации, va H'- оказывает существенного воздействия на ;дамер и dopy-y "Г-кристадлов, а при р3г-ч",0 - приводит к Фору.ирэ?ажю однородных как по размеру, так н по Форме ЛЖ.

Установлено, что формирование Т-кряст-ил-??. протекает в две стад;:и, На рис.г показа)« изменение среднего размера МН в ходе перекркстал.пи:>;щии.

Крик: »я имеет вырах:'Н!!!1й S-образннй характер. На первой стадии (шрушгснный ' период) происходит формирования первичных, "гарод.чйевых", плоских кристаллов. Второй стадии соответствует быстрый рост образовавшихся "зародышевых" Т-крнстал-Л01- по периферии (латеральный рост). Замедление роста в конце перекристаллизации объясняется исчерпанием микрокристаллов исходной смяэ.

На протекание Во время индукционного периода именно процесса форсирования "зародышевых" Т-кристаллов указывает сдаду-шее обстоятельство: введение добавочной порции ОМЗЭ в С ж з-

му. в которой уже находятся ПМК приводит к быстрому латераль-

- Ç) -

ноку росту уже имеющихся кристаллов, а новых Т-кристаллов не образуется. (с«.рис.2).

Рис.2. Изменение среднего эквивалентного диаметра ыикрокрис-таллсв в ходе перекристаллизации ШЗЭ, содержащей ыик-рокриетадлы AgBr размером 0,10 мюл (1-70°С, рВг-1,0):

1 - в отсутствии ь системе Т-кристаллов;

2 - при наличии в системе Т-кристаллов.

Формирование латеральной оболочки протекает и в случае, когда МК добавочной эмульсич имеют галогенидный состав отличающийся от галогеиидногр состава ядровых ПИК. например АвВгС1). В результате образуются плоские кристаллы с латеральными оболочками переменного гйлогенвдного состава (Т-Ьп-кристалды),

Совокупность вышеизложенных экспериментальных результатов и, в особенности, кинетические зависимости процесса форыирова-

- 10 -

ния Т-кристаллов по н.миек<у мнению не могут быть объяснены в рамках представлений об ионном характере процесса роста плоских МК. Б реальных галогенидосеребряных эмульсиях перекристаллизация по Оствальду при малом различии в размере (Я и при условии, что МК имеют равновесную огранку, протекает оч^нь медленно. it тому ке графическая- гнгяюимосгь изменения размера Ш от ьремеии при атом является линейкой, а не .3-обратной.

Поэтому ш пришли к выводу, что формирование плоских МК при перекристаллизации ОМЗЭ вероятнее всего протекает по меха-ниому коагуляции (коалесценции) с последующей контактной рекристаллизацией. Известно, что новообразование Ш при двухструнной кристаллизации может происходить на любой стадии процесса. Поэтому логично предположить, что и в методе 1ШК, и в методе перекристаллизации ОМЗЭ образование и рост Т-крие.таллоь Происходит ПО гдшхыу м^хини^му.

Четвертая глава включаег результаты исследований фотографических свойств Т-крясталлов, полученных способом перокрис-таллиь .ции ОМЗй.

Для изготовления ОМЗЭ в обычно используют способ КЛК, причем кристаллизация может проводиться как в избытке ионов брома (р8г<3,0), так и в избит)« ионов серебра (рВг>9,0). Одна!» было экспериментально показано, что вуалестойсость получаемых ¡Ш AgHal зависит от условий кристаллизации О'йЭ. На рис.З -,о-казано изменение оптического уровня плотности вуали и светочувствительности при сернисто-золотой сенсибилиеашш T-L кристаллов AgBr/AgBro, эе1о, 04 нояучентя методом" перекристаллизации CW33 и имеющих сходные диспепсионт"? характеристики (<ЬЗ,;> ыкм),. но отличающиеся по условиям изготовления исходных мелкозернистых эмульсий. Быстрое вуалеобразэваиие и относительно

- 11 -

черноокая сьеточувстеятелыюстъ указывают на непригодность СИ-Э'Э,. синтезированных в- избитке ионов серебра для создания 4ото-омудьсионшх Т- кристаллов.

Среия ХС, мяи.

Рис.3. Изменение фотографической чувствительности и оптической плотности вуали в ходе химической сенсибилизации рмуль-сий, содердаагх Т-Ь-кристалль г&яогеншшого состава АгВг/АеВго.д&1о.04. полученных способом перекристаллизация на основе смзэ, созданных:

1 - в избытке ионов Ай+;

2 - в избытке ионов Вг~.

Метод перекристаллизации ОМЗЭ дает возможность нетрэдицн" онного подхода к созданию примесных центров (центров сенсибилизации) в галогенидоееребряных ПМН. В частности химической сенсибилизации могут быть подвергнуты не сами Т-кристаллы. а

- \г -

исходная ОШЭ (или ее час',ь). При агсы количество и распределение ирикесних центров мелет быть задано условиями кристаллизации ШК.

Вило показало, что примесные центры- образумлена на >¿4 с>С43, в ходе перекристаллизации переходят на Формируются Т-кристаялн. Установлено, однако, что неселективное распределение на галсгенадоеереОряных Т-кригтзллах примесных центров, создагаемых & ходе как сернистой, так и восстанови!елъноП сен-сибилизаций не приводит к росту г"1Фектнвнооти последующего химического созревания ни с точки эргиш светочувствительности, ни с точки зрения вуалестойкоотн.

В настоящей работе для исследования влияния неоднородное?;! галогенидиого состава на светочувствительность Т-крмсталлоь Сши изготовлен« эму л*, сии четырех типов:

- полученные при перекристаллизации С»53Э с Ж галогенидиого состава А^Вг;

-- полученные при перекристаллизации ШЗЭ с ЦК г&логенидиого состава АвВго. 96' о, 04;

- полученные при совместной перекристаллизации ОЮЭ, ссдерла-щпс Ш галогенидиого состава АеВг и Аг&го. рб1о.С4 соответственно в зкьимолярных количествах;

- полученные при совместной перекристаллизации хичичиски сенсибилизированной СЛ6Э с МЛ галогенидиого состава АяВг и не -. сенсибилизированной ОЫЭЭ с МК галогенидиого еоетаьа АеВго, Рб1р, 04 в зквимолярних количествах.

Экспонирование подготовленных светочувствительных езеев яро»о лилось как в обычных условиях (цветовея температура источника света - 5500 Н), так и за слектроэональяш Фис*трсм С1 (в области собственного поглощения АгВг). В последнем случае енннаг

- 13 -

ется эффект расширения &сш поглощения света за счет изменения галогенидного состава ПШ и чувствительность определяется исключительно эффективностью формирования центров проявления (скрытого изображения) и;- эмульсионных Т-кристаллах.

Результаты определения (в относительных единицах) светочувствительности примитивных и химически сенсибилизированных в оптимуме эмульсий представлены ъ таблице 1.

Таблица 1.

Светочувствительность и оптическая плотность вуали экспериментальных эмульсии до и после химической сенсибилизации в оптимуме. :

Но.эмульсии Галогенидный состав МК хо 3(0,2} 3(0,2) С1 Оо

АдЬг - 100 100 0,05

+ 340 ЭТО 0,26

ЛсВго. эе10,04 - £30 160 о.ог.

+ ?500 1100 0.1Ь

гз? АеВГжДвВго. 9610, 04 - 140 100 0,05

+ 1600 . «ООО 0,20

£43 АеВгчхо)* - 140 110 0,05

АеВГО. 96 !о. 04 + 280 200 0,,?0

¡Экспериментальные результаты позволяют сделать вывод о том, что увеличение светочувствительности при использовании бромоиодидных Т-кристаллоь связано не только с расширением области собственного поглощения гадогенида серебра, но и с большей эффективностью химической сенсибилизации и собственно процесса формирования скрытого изображения на таких кристаллах.

- 14 -

Травление тиосульфатом позволяет выявив неоднородность галогелидного состава да*.о в Т-крмсталлах. "полуденных при перекристаллизация единичной ОМЗЭ AgBro.9б!о. 04- Таким образом погашенная Э'.Ьк'Ктипносчъ химической сенсибилизации на Зромгчю-дидных плоских Mit по леей вероятности является следствием порушенной дефектности подобних кристаллов.

В пятой гдаье описана методик получения фотоэмульсии для изготовления пленки для медицинской рентгенографии. Значительно улучшить потребительские свойства подобных пленок позволяет использование а эму-чьспоны.'х слслх галогенидоееребряннх Т-криставло}). При этом появляется юамолиость при снижении наноса серебра в материале уменьшить и дозу облучения, что представляется весьма ночным для медицинской рентгенографии.

Эмульсия, содержащая T-Ln-кристаллы для использования в рентгенографических материалах мо:<-%т быть иэготовлепа методом перекристаллизации ОМГ'.Э. На кафедре неорганической химии КемГУ па основании установленных закономерностей формирования ПИК была разработана технология изготовления фотографической эмульсии для медицинской рентгенографической пленки со следующий характеристиками:

Поверхностная концентрация серебра - 5,5*0,5 г/м2. Оветочувствит»льность Зь.85 - не менее 400 ед, ГОСТа; Оптическая плотность вуали Ра - не более 0.15; Коэффициент контрастности ц - не менее 2,8-, Ьазретакчцая способность - не менее 90 мм"1.

Ш50ДЫ

1, Определены-услов>;?. получения галогеиидосеребраиых Т-крис-тйаиов- фотографических оч'/льеиЛ путем перекристаллизации медкоэернлстых омульскй и покм&аяо. что формирование Т-кристаллов Протекает по механизму коалесцечцнч с последующей ковтьктной рекристаллизацией.

К, Показано; что процесс формирования Т-кристаллсь лри перек-. ристаклиаации мелкозернистых эму.исий протекает г иве- стадии: стадия образования перьичных "зародышаьых" плоских ЫК и стадия латерального роста, причем сксрс.етьопредеднмцей является первая стадии.

3. Уо'.аномено, что 5>а счет изменения размеров Ж исходит ыелко&ернистых эмульсий модно в широком интервале управлять размером получаемых 1Г-кристаллов, причем продоллительность процесса Армирования Т-кристалдов обратно пропорциональна растворимости гааогелида серебра.

Л. Остановлено, что однородность Г-кристаллов по размеру и форме может быть значительно улучшена при проведения перек-риставлиэ&цич мелкозернист* эмульсий в присутствии растворителя I алогенида серебра.

6. Обнаружен &$фект сохранения действия примесных центров при перекристаллизация химически сексибилигиромнной мелкозернистых аму.вкпй.

'!, РавраГкУгапа технология изготовления -фотографической амуль-сии, соде!«ша1РЙ галогеттосереОринке Т-крис-хшшы сложной структуры, ' для создания медицинской рентгенографической

, пленки. .■'.'•'■

Пи теме диссертации опуОличсвчнм следующие рпйотн:

1. Ларичев Т.Л., Нагокин Я.Й. Синтез я свойств'» Т-крюггаалов тлогенадо!' с-.-.ребра с латераявиими оболо',гаш. // ¡/.^.чд.сим-;:озиум 'ТоЬоцга! 1а Acade.itt.ica '8У, - ЧССР, ТЪдпуСчяи;, -

Й. Кагачин В.И., Ларичев Т.Л, Структурная организация ,.шхрс-к-риетадлсв - новое направление в создании фотографических эмульсий.'// Теэ. докл. науч.-прнктич. конференция "Молодке учены? Куеб'^са - народному хозяйству". - Кемерово. - 1М0. - 0.йгл

3, Кагякин ЯЛ1., Ер?слав Ю. А., Лпрнчеи Т.?... Спирина Л.Р. и др. Пер^н.'с Фэтояндунйроганннх носителей яаряда в гетеро-контактнык скотомах. // Есессяв. семинар "Мчпелироваике на ЭВМ радиационных и др. дефектов в кристаллах". - Одесса. -

-¡дао. '

<1. Кагакгсн 2.И., Ларичев Т.Д., Бреслав И.А. «йгокрацесе ¡з ге-тероконтактных фотографических системах. /7 6-я всесеюа; конф. молодых ученых и спец. по физ.химии "Фигхи.чпя-ЗО". -■> Те?, докл., часть 3. - Москва. - 1990. - 0.69-70.

5. Кагакин Ь'И., «охов А,И., Ларичев Т.А., Кирилов К.П. О неоднородности гадогежушого состава эмудьеионянх микрокристаллов АеВП. // Бсесоээ.симпоэ. "Фотохимические и фотофи-?)1Ч-;скиэ процессы в галогенидах серебра". - Теэ.докл. Черноголовка. - 1901. - С.99.

6. Кагакин Е.И., Бреслав Ю.А.. Ларичев Т.Д. Образование скрытого изображения в Мй АкНа! гетерскоитактного типа. // Все-чжз. симпоз. "Фотохимические и фотофизичесвия Процессы в галогенидах серебра". - Тоэ.дскя. - Черноголовка. - 1991. -0.49.

7. К&гакнн В.И., Бреслав К».А., Мохов АЛ!., Ларичев Т.Д. Плоские микрокристаллн галогенидов серебра с латеральными оболочками. 1. Синтез T-Ln-кристыллев. // КНиПФиК, - 1991. -т. 30. - Но.5. - 0.353-3L4). В. Кагакич Е.И., Ьреслав Ю. А., Ларичев Т.Д. Плоские микрокрис- .. таллы галогеиидоь серебра с латеральными оболочками. Организация Фогопроцесса в гетероконгактнях фотографических элементах. У/ ЙШ. - 19&Й. - T.3?. - Но.2. - С. 124-123.' 9. Ларичев Т.А., Кагакин Е.И., Моекинов В.А. Получение таблитчатых шкрокристаллов из виеокодисперсных суспензий г&логе-ниди серебра. // В меяьуз.сб.науч.трудов "4-изика и химия конденсированного состояния". - Кемерово.--19S3. - 0.31-38.

Работы 1-4 и 0-8 посвящена исследованию процессов создания Фотоамульсионнах Т-кристаллов елейной структуры и исследованию их свойств. В работе 5 описана закономерности формирования броыоиодвдных ]Ш в методе ЩК. а в работе 9 - общие эалоно-мернотаи формирования Т-кристаллоь в ходе пе^кристалшнэации мелкозернистых эмульсий.

ЛИТЕРАТУРА

1. Вричкин О. Б,, Разумов В.Ф., Алфимов U.В. Механизм образования и роста плоских эмульсионных микрокристаллов галогеиидов серебра. // ННиПФ. - 1992. - т.ЭТ. - No.2. -С. 165-Í72.

2. Бреслав Ю.А., Пейсахоь В.В., Каплун Л.Я. Синтез и свойства

Т-кристаллов. - П.: НИИГЗШМ, 1966. л . /"

//И/ц-кг^

Кем ГУ Ротапринт .Vi.»s "ГАг r.<PAf -¿СО

- 16 -