Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

X. ПОЛУЧЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 12 PbS 5е

-1-Х X.

1.1. Физические свойства PbSi-xSex

1.2. Методы получения лазерных структур и эпитакси-альных слоев полупроводников

1.3. Использование метода "горячей стенки" для изготовления эпитаксиальных слоев PbS^Se^.

2. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, СОСТАВ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ РЬ S^Se^ . ИЗГОТОВЛЕНИЕ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ.

2.1. Структура эпитаксиальных слоев.

2.2. Состав эпитаксиальных слоев PbS^Se^

2.3. Электрические свойства

2.4. Формирование лазерных структур методом "горячей стенки".

3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ РЬ S Se.

1 *"* л Д

3.1. Методика и техника эксперимента.

3.2. Дисперсия показателя преломления Pb51-xSex

3.3. Поглощение на свободных носителях в слоях

PbS^Se,

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ Pb5fx 5 е.х.

4.1. Введение.

4.2. Методика и техника экспериментального исследования инжекционных лазеров.

4.3. Характеристики инжекционных лазеров с различной структурой.

4.4. Вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей.

4.5. Оптическое ограничение в гомоструктурах с контролируемым профилем концентрации носителей.

4.6. Дальнее поле излучения.

4.7. Мощность излучения и дифференциальная квантовая эффективность

4.8. Перестройка частоты излучения и спектры излучения п*-р-р* PbSQ6SSe0Z5 структур.

4.9. Деградация инжекционных лазеров при температурных циклах.

ЗАКЛШЕНЙЕ.

Первые предложения о возможности получения лазерной генерации в полупроводниках были изложены в работах /1,2/. Вскоре появились сообщения, в которых со всей определенностью был доказан лазерный эффект в Ста Ль /3-6/. Успешная реализация инжекцион-ных лазеров на основе соединений и их твердых растворов /7/ стимулировала поиск новых лазерных материалов. Наиболее перспективными материалами для создания инжекционных лазеров для ИК области спектра ( Л ^ 3 мкм) являются узкощелевые полупроводники д1У^У1# Перестраиваемые инжекционные лазеры на основе этих полупроводников находят все большее применение в качестве источников инфракрасного излучения в спектроскопии высокого разрешения /8-15/, контроле загрязнения атмосферы, оптической связи и газоанализе /16-21/. Широкое применение этих приборов в различных областях науки и техники обусловлено рядом их отличительных характеристик от обычных источников ИК излучения. Это, прежде всего, высокая монохроматичность, узкая линия излучения (менее 10"^ см"*) и возможность сравнительно легкой перестройки частоты генерации при внешних воздействиях (при изменении температуры, давления и магнитного поля /8,10,22-28/). С помощью инжекционных лазеров на основе полупроводников А^В^* таких как Pt> S , РЬ5е,РЬТеи твердых растворов Pb 5,х Sex , Pb^Sn* Se , РЬ.-к sOcTe » РЬ^кСо1х S и Pb^xG-exTe , варьируя состав X , можно перекрыть диапазон длин волн от 2,5 до 32 мкм (рис.1). В этот диапазон попадают линии поглощения во вращательном и колебательном спектрах большинства газов присутствующих в

ВОЛНОВОЕ тело, см"1

5000 3000 2000 1500 1000 900 800 315

-h—1-1 ill-1-ii I iM

РЬ,.МТе Pb(.xSn хте

-----и-»

PbMCelS

PbVxSex Pb. Sn Se

HCt CO нгсо csz

Qs CH< NH. NHs,NHtO

I coj H£0 NO, so2 sf6,c,h< NO [

6 8 10 ДЛИНА ВОЛНЫ, шм

Рис.1. Диапазон длин волн излучения инжекционных лазеров на основе тройных соединений с различным составом

13/. (Прерывистая линия указывает длины волн, для КО' торых лазеры еще не были изготовлены). атмосфере. Этот диапазон включает основные "окна прозрачности" атмосферы в ИК области спектра. Использование четырехкомпонент-ных твердых растворов РЬ SnTeSe позволило также расширить диапазон рабочих длин волн ИК лазеров вплоть до Л = 46,2 мкм /29/.

Перечисленные достоинства инжекционных лазеров на основе соединений А^вУ* позволяют получать спектры поглощения, с разрешением на несколько порядков превышающих разрешение традиционных спектрометров /17,30/. Лазерные спектрометры дают возможность более детально изучить спектры поглощения газов и получить новую информацию о строении молекул.

Не менее важны также прикладные исследования связанные с газоанализом и контролем состава атмосферы. Среди них в последнее время большое внимание уделялось методам быстрого контроля химического и изотопического состава газовых смесей и методам определения концентрации вредных примесей загрязняющих атмосферу. Проблема загрязнения атмосферы промышленными отходами и контроль этого процесса с целью его уменьшения и исключения является задачей государственной важности. Она является частью широкой программы по охране окружающей среды, разработанной в нашей стране. В связи с этим в СССР 25 июня 1980 года был принят Закон об охране атмосферного воздуха. Поэтому разработка приборов для контроля уровня Загрязнения среды на основе ИК лазеров имеет принципиальное значение.

Перспективным также является использование лазерных газоанализаторов при контроле и управлении технологическими процесрос РЧД сами при разделении изотопов Х7 и у /31/, а также в химической, сталелитейной и нефтеперерабатывающей промышленности.

Примечательным является тот факт, что в последнее время появились работы, в которых лазерные спектрометры с разрешением о т см /32,33/ и трассовые измерители концентрации газов загрязняющий атмосферу /34/ были реализованы на базе лазеров, работающих в импульсно-периодическом и импульсном режимах. Это расширяет диапазон температурной перестройки и позволяет использовать лазеры при значительно больших уровнях накачки, чем в непрерывном режиме, без тепловых перегрузок, В импульсном режиме спектр поглощения может регистрироваться в течении одного импуль-ся, что весьма важно при исследовании быстропротекающих процессов.

Широкое практическое применение ИК лазеров требует улучшения их рабочих характеристик. Это прежде всего относится к дальнейшему уменьшению пороговых плотностей тока, а также к исключению деградации лазеров. Применение двойных гетероетруктур (ДГС) привело к понижению пороговых токов при температурах более 80 К /35,36/. Однако при Т < 80 К пороговые токи ДГС лазеров обычно получаются более высокими, чем у диффузионных лазеров с гомо р-п переходом. Это, по-видимому, связано с рассогласованием кристаллических решеток, что подтверждается заметной деградацией ДГС лазеров при их периодическом охлаждении от 300 К до низких рабочих температур /12,37/.

В ряде работ /38-43/ было показано, что в гомоструктурах на основе полупроводников А^В^* можно обеспечить существенное оптическое и электронное ограничение при надлежащем профиле концентрации носителей, подобное тому, которое существует в ДГС. Снижение концентрации носителей в активной области этих структур уменьшает потери на поглощение. Все это дает не только снижение пороговых токов, но и снимает проблему соглдсования кристаллических решеток.

Основой при изготовлении лазерных структур является получение совершенных эпитаксиальных слоев требуемого состава, типа проводимости, толщины и концентрации носителей. Этим требованиям вполне удовлетворяет метод "горячей стенки" /44/, который характеризуется условиями роста эпитаксиальных слоев максимально приближенными к термодинамическому равновесию. Этот метод позволяет осуществить точный контроль состава и толщины выращиваемых эпитаксиальных слоев и концентрации носителей в них, т.е. метод "горячей стенки" может обеспечить создание наиболее контролируемым образом необходимого профиля концентрации носителей в активной области лазерной структуры.

Таким образом, возросший интерес к инжекционным лазерам на основе полупроводников А^В^, связанный с их широким применением в различных областях науки и техники, и возможностью дальнейшего улучшения их рабочих параметров,определяют актуальность диссертационной темы.

Целью данной работы являлось создание инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей в активной области на основе полупроводников Рb Sex методом "горячей стенки". При этом основное внимание уделялось диапазону длин волн вблизи 4,7 мкм, соответствующему линии поглощения газа СО. Показатель преломления PbS,xSex , как было показано в работах /45,46/, сильно зависит от концентрации носителей заряда. Это свойство является благоприятным для реализации лазерных структур с контролируемым профилем концентрации носителей.

Исходя из поставленной цели в задачи исследования входило:

I. Изготовление установки для выращивания эпитаксиальных слоев методом "горячей стенки" применительно к материалам Pb S^Se^ Исследование влияния условий роста на кристаллическую структуру и электрические свойства эпитаксиальных слоев.

2. Изучение оптических свойств эпитаксиальных пленок

PbS,xSex .

3. Отработка методики изготовления лазерных структур. Создание и оптимизация параметров инжекционных лазеров. Исследование их излучательных характеристик.

Автором представляются к защите:

- результаты исследования электрических свойств эпитаксиальных слоев РЬ Sex э выращенных методом "горячей стенки" и влияния условий роста на их кристаллическую структуру и электрические свойства, показавшие, что подвижность носителей заряда в р слоях,выращенных при оптимальных условиях,достигала 15000 см /В.с при 77 К и не уступала значениям,получаемым на хороших объемных монокристаллах;

- результаты впервые проведенного исследования зависимости дисперсии показателя преломления РЬ S Se„ длЯ промежуточного составов 0 < х < I от концентрации носителей заряда и температуры, позволившие оценить величину скачка показателя преломления в структурах с контролируемым профилем концентрации носителей и гетероструктурах;

- результаты исследования зависимости высокочастотной диэлектрической проницаемости полупроводников РЬ

0 £ х ^ I) от состава, показавшие, что увеличение в^ с ростом содержания Р b Se в твердом растворе обусловлено уменьшением средней энергетической щели, а уменьшение в „о с ростом температуры подтверждает результаты теоретических работ, и связано с воз

- 10 буждением оптических фононов и увеличением средней щели;

- результаты исследования характера поглощения ИК излучения в эпитаксиальных слоях РЬ * показавшие, что при Т = 80 К, концентрациях носителей более 5-10^ см~^ и А >8 мкм преобладающим является поглощение на свободных носителях, которое удовлетворительно описывается классическим друдовским выражением;

- новая методика изготовления лазерных структур на основе Pb Sex , в которой все слои (в том числе и подложка) выращены методом "горячей стенки";

- результаты экспериментального исследования зависимостей пороговой плотности тока от температуры и толщины активной области, а также картины дальнего поля излучения инжекционных лазеров

Ь "V с контролируемым профилем концентрации носителей П - р - р

0,65 ^^0,35 9 показавшие наличие оптического и электронного ограничения в таких структурах; +

- результаты расчетов для оптимизации структуры П ~Р~Р лазеров на основе математической модели, позволившие добиться значительного снижения пороговых плотностей тока;

- результаты исследования квантовой эффективности и мощности излучения лазеров на основе Pb Sex с различной структурой, показавшие, что квантовые эффективности и мощности излучения П+-р-р+ РЬ Soe5 ^ео,55 лазеров такого же порядка, что и для лучших диффузионных лазеров;

- результаты исследования перестройки частоты излучения р-р+ РЬ 5 rSe лазеров при параллельной накачке t г 0|Ьэ 0,58 импульсным и постоянным током;

- результаты исследования деградации рабочих характеристик инжекционных лазеров при температурных циклах,показавшие значительно более высокую стабильность порогового тока n*- р - р+ Р b So65 Se035 лазеров по сравнению с ДГС лазерами.

Оптимизация параметров n+-p-p+ Pb S06S Seoi5 лазеров позволила снизить пороговые плотности до 25 А/см^ при 4,2 К, что является самым низким порогом зарегистрированным в настоящее время для эпитаксиальных структур на основе о

При 77 К порог был снижен до 700 А/см , что сравнимо с лучшими значениями полученными для инжекционных лазеров с гетеропереходами.

Диссертация содержит введение, четыре главы, заключение и список литературы из 163 наименований. Общий объем работы составляет 176 страниц текста, включая 12 таблиц и 51 рисунок.

Основные результаты, изложенные в диссертации, докладывались на семинарах лаборатории физики полупроводников ФИАН СССР, на всесоюзной конференции по перестраиваемым лазерам (Душанбе, 1983г.) и опубликованы в работах /100,104,114,115/.

В заключении выражаю глубокую благодарность моему научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Шотову А.П. за интересную предложенную тему исследования, за постоянный интерес к работе и ценные советы, за постоянную поддержку на всех этапах исследовательской работы.

Я весьма признателен, и хочу выразить глубокую благодарность за поддержку и интерес к работе заведующему лабораторией физики полупроводников академику Вулу Б.М.

Выражаю большую благодарность инженерам Бабушкину А.В., Чижевскому Е.Г. и Загорскому Д.Л., старшему лаборанту Красиль-никовой Г.А. за помощь в осуществлении экспериментальных исследований.

Выражаю также благодарность научным сотрудникам лаборатории физики полупроводников ФИАН СССР кандидатам физико-математических наук Гришечкиной С.П., Кучеренко И.В. и Вороновой И.Д. за полезные обсуждения и помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Диссертационная работа была посвящена созданию и исследованию инжекционных лазеров на основе PbS,,xSex с целью снижения пороговых плотностей тока и исключению деградационных эффектов, связанных с периодическим охлаждением лазеров до низких рабочих температур.

Сравнение инжекционных лазеров с различной структурой с учетом результатов исследования подобных лазеров другими авторами показало, что наиболее перспективными для достижения намеченных целей являются п+-р-р+ РЬ Se.^ структуры с контролируемым профилем концентрации носителей. Использование таких структур позволяет снять проблему согласования кристаллических решеток и обеспечить оптическое и электронное ограничение такого же порядка, что и в лазерах с гетеропереходами.

Лазерные структуры были изготовлены методом молекулярной эпитаксии в квазизамкнутом объеме с горячими стенками, именуемым методом "горячей стенки". Усовершенствование и модификация установки для выращивания эпитаксиальных слоев методом "горячей стенки" применительно к материалам PbS4-xSex позволили выращивать эпитаксиальные слои с высоким кристаллическим совершенством, большой подвижностью носителей заряда с требуемой концентрацией носителей.

Оптимизация характеристик слоев, составляющих лазерную структуру» исходя из результатов полученных при расчете волноводных свойств таких структур с помощью теоретической модели, а также точный контроль реально получаемого профиля концентрации и качества р-П перехода путем измерения вольт-амперных и вольт-емкостных

- 153 характеристик, обеспечила снижение пороговой плотности тока до 25 А/см^ при 4,2 К, что является наименьшим порогом зарегистрированным к настоящему времени для эпитаксиальных структур на основе РЬ , и до 700 А/см^ при 77 К, что также является низким порогом сравнимым с порогами, полученными для лучших Д1"С РЬ S.,x 5еЛ при 77 К. Это открывает широкие перспективы практического использования этих структур.

Исследования излучательных свойств п*-р-р+ структур доказали наличие оптического и электронного ограничения в таких структурах, что имеет принципиальное значение для изготовления и дальнейшего улучшения рабочих характеристик подобных лазеров для широкого их использования.

Полученные результаты по оптическим свойствам Pb S^x5e.x представляют самостоятельный интерес.

1. Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю.М. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний. -ЖЭТФ, 1959, т.37, №2 (8), с.587-588.

2. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. Получение состояний с отрицательной температурой в р -п переходах вырожденных полупроводников. ЖЭТФ, 1961, т.40, № б, с.1879-1880.

3. Наследов Д.Н., Рогачёв А.А., Рыбкин С.Н., Царенков Б.В. Ре-комбинационное излучение арсенида галлия. ФТТ, 1962, т.4, № 4, с.1062-1065.

4. Багаев B.C., Басов Н.Г., Вул Б.М., Копыловский Б.Д., Крохин О.Н., Маркин Е.П., Попов Ю.М., Хвощев А.Н., Шотов А.П. Полупроводниковый квантовый генератор нар-n переходе в Ga Лб. Доклады

5. АН СССР, 1963, т.150, №2, с.275-278.

6. Nathan М. J., Dитке W P., burnt G., Dltt R Н., Lather Jr. and Gordon Stimutated emission of radiation from ОаЯъ p-n junction*.- fippt. PhyS. Lett.,1962.,v.i,N.3, p. 62-64.

7. HaCe R. N., Fenner G. E., Kinptty J. ОSottyb T. J., CaгСьоп R.O. Cohe.re.nt £ight eml^uon from GrсиЯъ junctionsPtiyb. Rev. Lett., 1962., v. 9, N9, p. 366-36ft.

8. Елисеев П.Г., Введение в физику инжекционных лазеров. М.: Наука, 1983, - 6, 269, 270, 272, 273 с.

9. Sholoi/ A. P. Тunable, b&miconduotor infrared Саьегь. Proe. of the. 4-th Conf. on Solid State, ОеиОлг*, Токио, 1972.; cxtbo Supp£e,me,ri± to the, J. of the. lap. Soc. of fippt Phyb., 19?b, v. AZj p. 282 -288.- 158

10. Butler J. F., Sample J. 0. TuncuBCe, diode, Салегinstrument*.- Cryogeru&b 9 77, v. 4?, N/12, p. 661-666.

11. Засавицкий И.И. Инжекционные лазеры на основе узкозонных полупроводников и их применение. Зарубежная радиоэлектроника, 1974, № 10, с.74-119.

12. CaEav^a A.R. Smct£?£ ЬсиъЫдсцэ йхъегs and ±h.eir иь&ь in- spexit^ro-bc^opyJ. Ыт^пес&псе, -/973, ^ р. <77-500.

13. Preier Н. Re.ae.ni oudvcuic-e- иг £еас/- сЛхх£соде.<гЫе cUoofe. Лрр£. РИуъ 4к 20, N.3, р. 169 -£0б.

14. HinKty E.D., К.Е>£итп F А. Тип<%Ь£г fctser tn tte. Lrufrcu-edLetter Focus, 19?G, v.42, AM, p 47-51.

15. An-fcZi-f-fe, G. A., Parker S.&. Chccrcuc.Uri*tU*> of tunabte

16. Те junation to.5ers i-n. "the: 8-Y2 yum к-egton.^

17. J. /|pp£. Ptyv, v. 44, N.Q, p. 4145-4157.

18. Eng R.S., &ut£e>- J. F., Linden K.J. TuhCLbie diode бхъег bpect^obcop^: an invited reviewc. Opt. у. N.G, p. 9AS-QS0.

19. Лазерный контроль атмосферы Под ред. Э.Д.Хинкли. М.: Мир, 1979, - ИЗ с.

20. HiCC J. С., Lo UC., Seee J. A. Lecxd bait diode. ba,*>(L\rb cuuccEyze. cuttomotLve- exhou-yt.- Fo*мъ3 <i980, v. </6, p. 86, 88,90.

21. HLnbCy E.D., Hcxrrrta-n Т.е., Freed C. OpticuC heterocrine o^e-iectcon at -f0,6 of the beat bettx/ее-п cl tuncubte. Pbo86 Sn0<aTe. dtodectnd ссС0г£Ол> PhyvLett., -f^eg, v.-13,1. Ы.2, p.A9-Si.21. ' ------- л ~ ^s—*----- Г- " Ъ

22. Optic*,, v. *5,Л/.з, p.?48-?55.

23. Засавицкий И.И., Лихтер А.И., Пель Э.Г., Шотов А.П. Перестройка частоты излучения инжекционных лазеров на основе РЬ Se при гидростатическом давлении. ФТП, 1972, т.6, № II, с.2206-2210.

24. Засавицкий Й.И., Мацонашвили Б.Н., Погодин В.И., Шотов А'.П.

25. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Ъе- . «МП, 1974, т.8, № 4, с.732-736.

26. Засавицкий И.И, Чижевский Е.Г., Шотов А.П, Перестраиваемый давлением инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe. Квантовая электроника, 1978, т.5, № 3, с.692-694.

27. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Исследование по лупроводниковых лазеров в качестве источников излучения для спектральных измерений. Журнал Прикладной Спектроскопии,1971, т.ХУ, № 2, с,349-352.

28. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Влияние магнитного полй на спонтанное и когерентное излучение р-nпереходовв РЬ 5е . ФТП, 1972, т.6, № 7, с.1288-1291.

29. NitC В tarn F. А., Ссиеаиюс A.ft., Нби-гоал Т. C. HKghre.*>otatLon ъры&гоъъору m-cu^etcc.- fib&d turnecf •serru.eonducior bCLh&rb-Appt. Pty** Lett., 4972, v. 24, Л/.4, p. -/32 -434.

30. CaEcufrcu A.R.y DimrnoJc J. О., Нактап Т.С,, Mebiji^ Л. Mo^netcc d&pe^nderwe. of етЬь-*>Ьon Lnbeoltode^b.- РИуй. Re-v.Leit., 4969, v. 23,

31. Курбатов JI.H., Бритов А.Д., Караваев C.M., Савченко С.Д., Максимовский С.Н., Овчинников И.И., Рзаев М.М., Старик П.М. Перестраиваемые гетеролазеры дальнего ИК диапазона с длиной волны до 46,2 мкм. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, № 9, с.422-424.

32. Jensen R.J. MariuzzL J*. G\, Robinson C. P., Roe-ksx/oocf S. О. Рго-ър&ьЪь for uranium e.nrichme,nt. LaAer Foaui, 49?6,v. 42, M.5, p. 54-57.

33. Анзин В.Б., Глушков М.В., Горина Ю.И., Калюжная Г.А., Коеич-кин Ю.В., Надеждинский А.И. Применение инжекционных лазеров на основе РЬ., SnxTe- в спектроскопии высокого разрешения. -Краткие сообщения по физике ФИАН, 1978, № 4, с.18-21.

34. Глушков М.В., Косичкин Ю.В., Надеждинский А.И., Засавицикий И.И.

35. Шотов А.П., Герасимов Г.А., Фомин В.В. Колебательно-вращатель192ные спектры полосы V3 газа ОйО^, полученные с помощью диодного лазера. Квантовая электроника, 1980, т.7, № 4, с.908-911.- 161

36. РгеШгНв Seiches м., Ri.ede£ \Х/%) Modes- Н. Ooubtt. Ketero-/wnc.tcon PbS-P Ь РЬЪ £ал>е.г d L ос/ел v^Lth

37. СЛК/ operation цр to 9в К,- Лрр£. Lett.,v.2a, N. U, p. 669 -674.

38. PreLer H., biticher M., Riedet W., Mouer H. Doub€e-hete.-ro^tructuhe PbS-PbSe-PbS \xAth C.UC ope.-roctto»7 иp"to -faOK.- J. /?ppe. 1976, И?, N.42, p. 5476- 54 77.

39. Vo^hLMCLv^a, M., Sbthoharou K.,Ueda P. Continuous operation о^ек -1500b of cl PbTe / РЬ ЬпТе. doufe&L- hcte-robtruc&ure. toL^r cut 7?К.-Лрр1. Phyb. L^ttJi9??> v. 3-f, Л/.-10, p. 699 -70L

40. PartLn D.L^LoVC/., Lov<, thre«,ho€d tucfent £eoud-te-tturide cCCoole. Салегь cjrovtsh Уц moZe.<uj tccr b^cum epltoLy^.- J. App-t. Phgb., v. 52, rv/.5} p.<f579H582.

41. Окоп "Zub^rrra-n A. LiCj,uid -рЬале.-epitaxy. homo-rStr^ture Pfco g5 SnMSTe diode соntro-tted carrier aonc&fttrcutionAppl. Phyb. Lett., -/980, v. 37,

42. Lo UK, Suc/e-ts D. E. Pi-ff-u^eol homo/cmc.ti,OM -£e©cd-*>ue-^tc/e- sefcenlde. diodeд> \*,Lth -J4DK tcub&r cpe.ra±ioh.-Mppt. . Lett., i9'?S) v. 33, Л//М, p. 958 -940

43. Lo Va Homojuhction iecud-tin-te££uride, о/codevcrcih increa^^d -^ce^uencw -tuntno rantje.-3EEE J. Quant. Mectron., -f 977, 3, N.8, p. 59i-595

44. Eqer D., Oron M. Zernee A., Zuvimcxn A. TurinbCing de-tej-mLneo/ -fchre-sho-dd i.n Pbl-X olcode

45. Лрре. Phys. Lett о * N. 6, p-47-1-4? 3.

46. Ocoh M, Zt/vsnncun A., KoctzLr A. LiftLme. ппе.с.Н.а.п1*>тЪ, -turxn^lino <Un~hen£*> cuvd thmhotck, of PbSnTediode- JJhfrcu-ed P/ujS., *f982, v. 22,

47. Lope.* Otero A. Hot epltctKu,- Thin So^Ccf Fltm*>, -fv. 49, p. 3-5?.

48. Dixom J". ft., RiedeB H. R. Optic.(xt сИлрыЫоп of btjoud. wt-j-Lde ih the Infrcu-ed.- Pht/v v. 440, ЫАА.р.АШЬ1. A <1291.

49. Вяткин К.В., Шотов А.П., Показатель преломления Pb,.x Sn„ Se.-Краткие сообщения по физике ФИАН, 1982, № 4, с.42-44.

50. DaCven R. A hevtew of the. *>emLaonductor properties of PbTe, PbSe, PbScund PbO.~ Vnfra-red Phy*>., 19 69, v. 9, Л/4, p. 141

51. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе. , Pt> Se и PbS . М.: Наука, 1968, - 37 с.

52. Duh к., Pre lei- Н. Properties Pb S,x Sex e-piCagerb de-po*>lted onto PbS f>ub*trcute*» by hot-*,aJtt e,pitcucy.-J. Ma-teK Science, v/. </0, p.-/360--f566.

53. Bekmctn D., Shapiro, У Quantum оъьМссЫопл oj-ihe uttrcuboriLc, a,b*>orption in p-'tlpe PbSe.- Phy*. Lett.,-/966, чай*, p. 282-283.

54. Kavtner P., ZcLndvcehr- G- Dete^r mi next ion of the. ircute-verczr % ~ -fcuztorb -fot П- cuid p-t^pe PbSe bu mcu^nz.-tocLbou&tic. c^uoudtum &bC-L£tcctLoh*>.~- Ptyl. btcxt. Sot.^ jQ?0, NM, p.K?<t~K?A.

55. Kavtner P. JlniAotropy of (Luc.to±ron ouid -bplh гпалъ of n-txHd p-^pe PfcSe.-Ph^e. Stout. Sae. (h),v. 52, Л/.2, p. ?53 -?5S.

56. Илисавский Ю.В. Эффект пьезосопротивления в РЬТеиРЬЬе. -ФТТ, 1962, т.4, № 4, с.918-927.

57. Аввдаи&г R.S. Мсиоhe-toгелЬ*>bouncy tn РЬ S, PbSe,and PbTe at 295, ??>4 and 4,2*.- Phyb. Rev., -f953, v/.1. N.5, p. 828-836.

58. РоЛск E.D., mtchM O.L.; Zemef jr. N. Mctoneto-optinaZ -studies of the. bound structure, of Pbb.-Phys. Rev., 1964,v.n5, л/.ЗА, p.Л ?63-A778.

59. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоалектроника.-М.: Мир, 1976, 371 с.

60. Юнович А.Э., Аверюшкин А.С., Дрозд И,А., Огнева В.Г., Зависимость вынужденного излучения тонких пленок Pb5^xSex от температуры в интервале 50-300 К.- ФТТ, 1979, т .13, JF9, с. 1694-1700.

61. Галески Ф., Дрозд И.А., Лебедева Л.Я., Тен В.П., Юнович А.Э. Вынужденное излучение тонких пленок PbSe при комнатной температуре. ФТП, 1977, т.II, № 3, с.568-570.

62. Moorcudicui A., Strcuubb A, j.t Rovsi. ТА. broad bcchd tcLbzr- t.mL^ton from op±lccc££g pcLped PbS^Se^ 0EBE J. Qucuct. Etejctron., v. QE-Q, A/.2,p.347-349.

63. Дубровская И.Н., Ефимова Б.А., Ненсберг Е.Д. Исследование не-параболичности зон проводимости РЬ&еи PbS . ФТП, 1968, т.2, № 4, с.530-535.

64. Вяткин К.В., Шотов А.П. Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbSe. ФТП, 1980, т.14, № 7, с.1331-1334.

65. Коле В. О. band structure. o-f- Indium ccntimonldе.-jr. Phy*. Chem. So£id*>9 -{957, v.i, N.A, p.249 -26Y.

66. Lin P. Т., KCelnmounn L. Energy ba-nxt*> of PbTe.PbSe^ <xnd РЬ S. Phy*. Rev., Y9£6,vM42, N. a, p. -489.

67. Lo Vtf, Mohtoomer^ G-.P., SD.E.curd CJ>. Ongot-nucleated РЬ,„Х ЬпжТе diode J. Дрр*. -f9?6, * 47,

68. Курбатов А.Л., Шубин M.B., Старик П.М., Маловецкая В.М., Бри-тов А.Д., Полчкова Н.Д. Инжекционные лазеры на PbSnTe, полученные диффузией Sb . Квантовая электроника, 1981, т.8, № 2, с.430-433.

69. Ka*,embe.t О., Fonttoud С. Q. LohxjLtucLLnxzt mode. beJbCL-violr of PbbnTz. burled heter-D'S tract Ea.be.hs.-Jtppl. Phy*. Le.±t,mi)v.39>N.H,p. 872-874.

70. Lo Ux Cd- diffused РЬЧ-x Sn xTe. \x,lth . . -ov/eir.-Appt. Phy*>. L&tt., <i9?et v. £8,- 165

71. Сабсил/сь A.R., Hcwmcun Т. С., Fin* М., Voutz. Р. C-yubtoJt growths, CcnnecxZiпа, <*-nd diffusionof tecud сЛгаЛсюд&пьЫе*- Tranv Hdt. Soc. А ГМЕ, 4968, v. 242, N.3, р.3?4-383.

72. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Инжекционный лазер непрерывного действия на основе РЬ Se. Письма в ЖТФ, 1975, т.1, № 7, с.341-343.

73. Linden, К. J., NiBl КЖ> butte* J.F. Si. n^te hetero--stKuetwre. £ctwb of Pb S,.x Se* olhc( РЬ, x Snx Se vo-tth v^de J. Quant, ЫслЬгon., 40??, u. $£-43, N.8. p. ?20~7Z5.

74. Шотов А.П., Даварашвили О.И., Эпитаксиальные слои РЬ.-к^п^Бе, и РЬ, -* * . Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1977, т.13, №4, с.610-612.

75. Гирич Б.Г., Гуреев Д.М., Засавицкий И.И., Кропоткина Т.И., Кулыгина Е.П., Мацонашвили Б.Н., Николаев М.И., Пелевин О.В., Флусов Г.В., Шотов А.П. Лазерные гетероструктуры на основе твердого раствора РЦк£пхТе. . ФТП, 1978, т.12, № I,с.124-128.

76. Toma.be.tta. L.R., Fonstad O.Cr. Liquid рЬале epitaxial qrovoth of -Солеп he£ef-o^tr«i<*.ture* in Pb^ Sn„Te.-fippt. Phy*. Lett., 4974, v. 24, N. И, p. 567-570.

77. Сгю^ b. H., HiЖ K.W, ЪЬгоиц*>*> A. J. Doubte. hetero-structure РЬ^ Sh^Te РЬТе i*/cth С-Ос/opc-roction at ??K.-App-t. Pty* Lett., 49?4, v.25,M.6,p. 33-1-333.

78. Моу Г. R., Rebout J. Ph. Opercution of ol doub-te hetero--btruature Pb Sh Те £ослег <xt 40,6 yum? 85K Vnfra.red Phtf-s., 4982, v. 22, N. 3, p. 463-*66.

79. Carpenter R., Hamej- M.F., Ыл^еи Dfc P., Bddo-C*, O.V. OptLccdtCu pumped Pb^ Sn* Те tou^et-ь. 3nfrctreo|1.. 3,

80. Бритов А.Д., Караваев C.M., Калюжная Г.А., Горина Ю.И., Курбатов А.Л., Киеилева К.В., Старик П.М. Лазерные диоды на основе РЬ Sn Те, На область 5-15 мкм. Квантовая электроника, 1976, т.З, № 10, с.2238-2241.

81. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М., Горина Ю.И., Калюжная Г. А., Старик П.М., Гетеролазер на основе PtS пТе РЬТе.с длиной волны 10 мкм. Квантовая электроника, 1975, т.2, № 9, с.2084-2086.

82. Бритов А.Д., Пенин Н.А., Максимовский С.Н., Караваев С.М., Ревокатова И.П., Курбатов А.Л., Аверьянов И.С., Пырегов Б.П., Мызина В.А. Перестраиваемый гетеролазер на S»nySe-PbSe.

83. Квантовая электроника, 1976, т.З, № II, с.2512-2515.

84. СогИ С., fli-j-ierL O.j PetrOccoGc. РЬ,Х 5nx Те epitaxial doners by rf mutticoLthode. sputterirtQ.1.tt., <t9?4, vi 24, N.4, p. 484 -485.

85. Вяткин К.В., Шотов А.П., Урсаки В.В. Тонкие слои P^.xSnxSe , вьфащенные методом "горячей стенки". Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1981, т.17, № I, с.24-27.

86. Засавицкий И.И., Зломанов В.П., Кашкур И.П., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т., Флусов Г.В. Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb^Sr^Se. ЖТФ, 1981, т.51, № 5,с.943-948.

87. Preler Н., bteicher М., Riedei puffer Н., Maier Н. Pettier cooted РЬЪе~ double-hetero^tructare. Салегь -for OR -spe-etгоь<и>рц.- Appt Ph.%5., 1977, v.1. Ы. 3, p.

88. Bfelcher П., Wurzinqer H. -D., Mcu.e.r H., Pre-ierH. U-type. PbS ало! PbS,.x$ex doners prepared by the. hot \*/at& apitcucy.- J. Mate. Sci., "f977, V. -/2, N.2, p.-322.

89. Duh K., Preier H. PbSe. heieroepitaxy by the. Kot-vc^ote technique.- Thin So1975, v> 27, N.2, p. 247-2.50.

90. HoUovcouy H., LoqothetLb E. M., \Х/Цке* E. Epitaxial arobth of Ucud -tun tetlurLde.- J. flppi. Phy*>., 1970, V. Л/.8, p. 3543-3545.

91. Hohnke, O.K., Ксилег S. EpLtcucLa£ PbSe. ound Pb,.,, Snx Se : Growth and e&ectricaZ properties.-Т. Йрр1. Phy*>.} 1974, v.45, Л/.2, p. 892-897.

92. Гейман К.И., Засавицкий И.И., Матвеенко А.В., Шотов А.П. Ге-теролазеры на основе Pb4xSnxTe , получаемые методом мгновенного испарения в вакууме. ФТП, 1979, т.13, № 5, с.887-890.

93. М с Lane G-. R, Seeder K.J. VcLvum deposited epLtttKlaC. touyerb of Pb for болег devices.- J. Eeec.-ii-onlc Mate., 1Q?5, v. 4, W.3, p- 465-479.- 168

94. Лидоренко H.G., Гудков Л.А., Дашевекий З.М., Котельников В.А., Коломоец Н.В. Размерные эффекты в монокристаллических пленках РЬТе. Доклады АН СССР, 1980, т.250, № I, с.82-85.

95. КаьаХ a, bCL*>*>eb Ногпцпу J. PbTe cxnd Pbog5h Те epitaxial fitm*, or\ atzaved bo. F2 -bubbtrate* pre-pa.rod by ol modi-fled hot -wodUl iec-hni^e.-J. Appl. Phy*>., i9?6t v. 47, A/.?, p. 1367-4371.

96. Lopez-Otero A. G-t-ovoth of PbTe -fitmb under neou--e<^uitib\rurn ccmditioinb. J. Лрре. PHip., -/97?, v. 48, rsM, p. 446-448.

97. Семилетов С.А. К методике получения монокристалльных (эпитаксиальных) пленок полупроводников. Кристаллография, 1964, т.9, № I, с.84-91.

98. Кудрявцева Р.В., Семилетов С.А. 0 микроморфологии эпитаксиальных пленок PbS. Кристаллография, 1973, т.18, № 2, с.427-428.

99. ЮО.Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). Квантовая электроника, 1976, т.З, № 7, с.138I-1393.

100. Schafe.\r P, бкет^ес W. Dcfft^con phe.noтепа, during -the heteroepLtauaj of te,\-\noury compound*> of the type- (Аж д + C^stat «ел. and Teafino-e,,-(982, N.*f,P- 73-78.

101. VC/clttoh A. K. , Movj T. S. Determination of refractive Index cxnd correction to effective. electron rnavs in РЬТе and PbSe. Proc. Pty*. Soc., -/963, V/ 8i , A/- p. 509 -5-/3.

102. Мальцев Ю.В., Ненсберг Е.Д., Петров А.В., Семилетов С.А., Уханов Ю.И. Электрические и оптические исследования PtS> .-ФТТ, 1966, т.8, № 7, с.2154-2162.

103. G-eLtk R. Measurement осп с/ of the. fund и mental tcuUicJL vibration ipectcum of PbS-Ph^. Lett., <f964, v.-10,N.<t, p. 5i -52.

104. Вакуленко O.B., Лисица М.П., Кононец Я.Ф. Инфракрасное поглощение носителей в сернистом свинце. ФТТ, 1966, т.8, № 6,с.1698-1701.

105. НО. ^mirthccrCLj Р. М., £>eccm &.L.f Perkouc/ltz Ь. Far infrared -studсе* In epitaxial -fitrnb of iTl -V and l./ - V\ *emte.ond ctator^.- T. Opt. 9>oc. b, 1977, v. 6?, N.?t p.95Э-942 •

106. Sood A. K., ZemeB J. fs/. Metcostctbk Pb^Cd^S epita.xla& -f-itmb. II/. Opticat properties.- J. Лрре. Y9PS, v/. 49, /v/.-fO, p. 529£-5-a94.

107. Семилетов C.A., Воронина И.П., Кортукова Е.И. Оптические свойства монокристалльных пленок PbS , PbSe и РЬТе. Кристаллография, 1965, т.Ю, № 4, с.515-519.

108. ИЗ. Schootout R.E»., Dixon J. R. Optiaat constants of t^oud ^ut-fide. th the -f-undamzntaL cdyborption eo/oe region. Re.»/., 4965, и 437, /V.£A,p. A €67-A 670.

109. Синятынский А.А., Шотов А.П. Оптические свойства эпитаксиальных пленок Pb S^Se^ . ФТП, 1982, т.16, № 12, с.2187-2190.

110. Синятынский А.А., Шотов А.П. Оптическое ограничение в полупроводниковых лазерах на основе РЬ S4K Sex с контролируемым профилем концентрации носителей в активной области. -Краткие сообщения по физике, ФИАН, 1984, № 2, с.30.-35.

111. G-a.£e^Kll F., Yunovich А. Е., HerrmOLnn К. Н.> KcrttLal Н., Rechen.beг^ Scbafer P. Stimulated enrjl^ion, d-b^orptlon spectra, gl* of recombination In e.pitaxiaE РЬТе. ~ ph^s. *ta±.*>ot (Ь), -Г978, v. 86, N-2 p.€?5-68i.

112. Loving J. R., Senturia. S. D. Optic.cxt olce£ectrle. слп-stowit of РЬ^К Sn„ Те In the ncu-row-qap re^ion.-J. /Ippg. -^«Рв, v. 47, A/.5, p.

113. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.:Наука, 1977, - 241 с.- 171

114. Волков Б.А., Кушнир В.П. Температурная зависимость электронной диэлектрической проницаемости полупроводников

115. ФТТ, 1982, т.24, № II, с.3293-3297.

116. Волков Б.А., Кушнир В.П., Панкратов О.А. Поведение диэлектрической проницаемости полупроводников А^вУ* при структурных фазовых переходах. ФТТ, 1982, т.24, № 2, с.415-422.

117. Steqer К. J., McLane, a. F.f MVhcJieCL О. L. CJxtbutQjttoib of -the. optic.cot exHrbflnement in Pb Se* double hste-rofurtctloix. вссьег. J. Nonesvetatb, 197b, v.±>p- 29?-509.

118. Dumke, Ifc'. P. Snterbcuic/ transitions ocnd maser CLction Phy-b. Rev., 49 62, v. 427, Ы.5, p.Y559 -/563.

119. Shlhoharct K.9 Oto M., Fubuda H., Ueda R. Homojun-ctt-oh Pb S,.* Ъек diode, Cctser v^ith reduced threshold current densities.- Jpn. J. Appt. Phys., i9bl, v. 20, N.4, p. 779 780.

120. Гроссе П. Свободные электроны в твердых телах.М: Мир,1982, 134 с.

121. QuC*>t Г.М, Recftfcei- R.H., Keyes R. J., Kcag W., Lax В., McWC//ioK-te»- A.L., Zeiger Н. J. SemUohcfuctoh толек of Pby+.L&tt,f962, v.4, W.4, p. 9-J-92.

122. Н^ы a., PcthLsh M.b.,Foy P.W. A towthresahold room temperature, Injection louber. - UB.B.E 7. Quasit. fctectron., У969, v. 5, p. «З-н-^г.

123. Kre^set H.} ЫеЬъоп H. Improved read cund infrct-red. light em ittcng tourer diode* uiin^ ctoSe. Conf inement Structure,.- Appt. Rhus Lett., 4969, И Y5, Л/.*, p. 7-9.- 172

124. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Портной Е.Л., Трухан М.К. Инжек-ционные лазеры на основе гетеропереходов в системе fitАб- (с низким порогом генерации при комнатной температуре ФТП, 1969, т.З, №9, с. 1328-1332.

125. HcujMhy 9., PcuiLth М.&., Foy P.W, Suw-ski Ь.

126. Талером vchio.h ореьоиЫ. QuorctlnAjou^tu cutroom -ЫтрыссЫлге.- ftppt. Phu*>. Lett., 49?0, v, 47, N.3, p. 409 -f-f-f.

127. VCcxlpoL J. N.} CoIclXsCl A.R., RcxJUton ft.vc/., ИагтошТ.е.} McVLti*. J. R. S^gde hetbrofunc-tlor) Pb^K ZnxTe. diode taA>e\r. Appt. Phy*. tett., 4975, к 23, N.44,p. 620-622.

128. Волков Б.А., Панкратов O.A., Сазонов А.В., Теория электронного энергетического спектра полупроводников группы А^В^. -ЖЭТФ, 1983, т.85, №4 (10), с.1395-1408.- 173

129. Шотов А.П., Вяткин К.В. ДГС лазеры на основе Pt( х Snx Se. , работающие в непрерывном режиме при 80 К. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, № 19, с.I199-1202.

130. To\mcL*>e£tcL L.R., Fon&tad C.G. Le.cud -iin ±e.tturide. doubCe.- he.te.rojunc.tLon Сосье*- diode* : Theory ootid experiment. OEEE. J. Quant, fefectron., 1975, v. QE 41, N.7, p.3Z4-390.

131. Бычкова JI.П., Даварашвили О.В., Елисеев П.Г., Сагинури М.И., Чиковани Р.И., Шотов А.П. Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гечеролазере на основе

132. Квантовая электроника, 1982, т.9, № II,с. 2140-2150.

133. Шотов А.П., Синятынский A.A. Pt Se.x лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленным методом молекулярной эпитаксии. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, № 14, с.881-884.

134. Даварашвили О.И., Долгинов Л.М., Елисеев П.Н., Засавицкий'М.И. Шотов А.П. Многокомпонентные твердые растворы соединений А1^1. Квантовая электроника, 1977, т.4, с.904-907.

135. Шотов А.П., Даварашвили О.И., Бабушкин А.В. Лазерные гетеро-структуры на основе твердых растворов Se4yTey . Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 24, с.1488-1492.

136. Шотов А.П., Даварашвили О.И., Бабушкин А.В. Гетеролазеры с двусторонним ограничением на основе твердых растворов РЬ,-*^ S<vyT€a- ~ Письма в ЖТФ, 1981, т.7, № 23, с.1444-1447.

137. Старик П.М., Бритов А.Д., Лугицкий P.M., Лотоцкий В.Б., Мики-тюк В.И., Караваев С.М. Узкозонные твердые растворы

138. РЬ,.КShj,SefyTea с неизменным параметром решетки. ФТП, 1978,т.12, $ II, с.2273-2275.

139. HoKfcos/u V., KcLW>ct5bimcx M.,Sato H. £.01* thre^hoCd PbSn SeTe PbSeTe £аШсе-m ottered doubt* - he-teto*>t\ruetiAr&.- Tpn. J. Pkyb., j98i> v. 20, AM2, p. LB97-L900.

140. HorLko^hi. V. KoutoMhimcu M., Scuto И. PbS.nSe.Te-PbSeTe Ccctticje- mcctc.hed doubte-hettrobtructare,

141. Jpn. ZAppt. Phy*., 1Qb2t v. 24, N/f, p?7-84.

142. MeCngccitiA 0. Advance* in nocr^ov*/-gotp *егпС<ио«-oluator inf\-CLte.d of NCL^O\J</ GrCLp Sor»LConductor^: Pre. 3rd C?n±. Conf. 4977, Vtox^a-u^ -/978, p. 459-474.

143. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. М.:Энергия, 1973, - 85 -89 с.

144. Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная радиоэлектроника, 1981, № I, с.3-50.

145. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.:Мир, 1981.

146. Вогданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. М.:Наука, 1976, - 21, 146, 147 с.

147. Новикова С.И., Абрикосов Н.Х. Исследование теплового расширения халькогенидов свинца. ФТТ, 1963, т.5, № 7, с.1913-1916.

148. Елисеев П.Г. Об оптимальной волноводной структуре инжекцион-ного лазера. Краткие сообщения по физике ШАН, 1970, № 4, с.3-7.

149. Елисеев П.Г. Инжекционные лазеры на гетеропереходах (обзор).-В сб. Квантовая электроника, под ред. Н.Г.Басова, М., Советское радио, 1972, № 6 (12), с.3-28.- 175

150. Елисеев П.Г. Об оптимальной толщине активного слоя в гете-ролазере. В сб. Квантовая электроника, под ред. Н.Г.Басова, М.: Советское радио, 1971, № 3, с.120-121.

151. RaZitoh R.\X/., MetngcUCi* U(LoIolvcCl A.R., Lin.d£etj W.T.

152. Pbtx $цк Те dLode tcx^Qjt. -OSEE J. Qucuit <B>€eetcon,, 1993, и QE.-9, Ы. 2, p. 360 356.

153. Zuep Mocker M Л пенс, approcuth to fiu^e. rt.dom-binQjtiOh. fipptLccction to C-haJt<u>%*~nLd.e*.-phy*.<*>Ui£. 1980, к 98, N.1, р.1ЪЪ-14Z.

154. RC. ParbUK M.S., Merz J.L Becun dti/er-е^елгее о/ the- esniMion from double.- heti^o* true-ture. injection -tcuer*. J. AppC. Pty*., 1973, v. 44, N.42, p. 54?o - 5475

155. Hokha-m G. A. RcuoLioution ftorn a, Ъо-tud siccte

156. Electronic.* L&tt,, 1973, v. 9, Ы.1?, -391

157. RcUUton R. vfr., WaZpote- J*. W., CcutcuJocx. /?. R.,Harmcui T. Cv Mc l/tt£ce J. P. Ht^h СЦ/ output po\be.t in 4trLpe-/eo-me.trу PbS diode, болел.- J. Jtppt. Ptys., 1974, v. 45, N.3, p. 1323-1325.

158. Ъ/olpot J.N., CcxIclxXsCl A.R., Ronton R.W., Hou-mtxnт.е., High- po*w ou±put in Pbt~x Sn^'T'e diode. tct*,er5improved mirror cj,ucitiby. J. fippt. Phy*., 4973, V. 44, M. 6, p.2905-390?.

159. Kimble. H.J. Ne.cu-.fiUd zmuvsion of- -бе-ссЫ luZfide.--beC&nicfe. homofunc-tioh Воиье+ъOEEE J. Qucutt. ££eetrojr, -t<?80, v. QE-i6, M.7, p. 940-74Ъ.

160. W/aZpot 7. M. dcxlcv^cb A. , Ucu-m<xn Т.е., Grove* S.H. Poub-te^- he±G.rcystiruc.ture~ PbSnTe *> диоъп by

161. YTxct^vul<o<Jr- b&cx-rn epctcLKg oclih С\Х/ opcLt-ccUoh up to U4K.- t\ppl. P^. Lett.,

162. K^e>r»set O., Fo**>tccd C.Q. £eo/Uc.tcon of Lnte.rfount )re&ornbisection velocity voith irvurlOMLng tcMice.-paj-c^metere. mi*rrxx.tc,h PbSnTe hetej-o/unctdoh-s -J. tfppe. Ря^з., -/979, и. лл?, р.5огв -5029.

163. Ko^em^t O., Fon*>tcud СЛ. Mewu^m^t of ^te^-/cte*. Kecom bihCL-tion ve-to^Uy tn (Pb, Sh)Te/PbTe doubts- he.te.ro*>t\rLtG.ture. tcu*>vr otiode*Appt. Pfau3.1.tt., 49 79, и 3//, Л/.?, p. 432-434.