Структура пленок аморфного германия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Ближний порядок и структурные модели аморфных тетраэдрически связанных полупроводников

1.2. Исследования микроструктуры аморфного герйания

1.3. Представления о механизме образования столбчатой структуры в аморфных пленках и машинное . моделирование процесса конденсации.

1.4. Температура кристаллизации.

1.5. Электропроводность пленок аморфного германия.

1.6. Особенности косо осажденных пленок

1.7. Выводы.

ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ ПЛЕНОК а- Ge В

ЗАВИСИМОСТИ ОТ УСЛОВИЙ КОНДЕНСАЦИИ.

2.1. Методика эксперимента.

2.1.1. Получение пленок

2.1.2. Исследование микроструктуры.*

2.2. Микроструктура пленок г^ве

2.2.1. Электронная микроскопия.

2.2.2. Малоугловая электронная дифракция.

2.3. Игольчатая структура аморфных пленок Si и некоторых окислов.

2.4. Условия существования сетки пор в пленках

2.5. Механизм конденсации а-¿/к.

2.6. Недостатки методики профильных снимков

2.7. Выводы.

ГЛАВА Ш. ПОСЛОЙНЫЙ АНАЛИЗ КИСЛОРОДА В ПЛЕНКАХ а-¿Я?

3.1. Методика эксперимента.

3.2. Результаты эксперимента

3.2.1. Пленки а- Ge на ситалловой подяоякв.

3.2.2. Пленки а- Ge на подслое серебра и углерода.

3.3. Обсуждение результатов.

3.3.1. Поверхностный и конечный всплески в нормально осажденных пленках.

3.3.2. Поверхностный всплеск в косо осажденных пленках.

3.3.3. Распределение кислорода в объеме.

3.3.4. Конечный всплеск в косо осажденных пленках а- Ge.

3.3.5. Диффузия атомов через пленки а-(те.

3.4. Выводы.

ГЛАВА 1У. БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК В КОСО ОСАЖЕННЫХ ПЛЕНКАХ a-Ge.

4.1. Методика эксперимента.

4.4.1. Получение пленок.

4.1.2. Получение и обработка электронограмм.

4.1.3. Расчет функций радиального распределения атомов.

4.2. Дифракционные кривые интенсивности.

4.3. Анализ интерференционных кривых.

4.4. Анализ ФРРА.

4.5. Выводы.

ГЛАВА У. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ КОСО ОСАЖЕННЫХ ПЛЕНОК АМОРФНОГО

ГЕРМАНИЯ.

5.1. Введение.

5.2. Литературные данные о плотности состояний на уровне Ферми в а- (?£

5.3. Результаты и их обсуждение. вывода.

Повышенный интерес к исследованию аморфных полупроводниковых пленок впервые возник в середине 60-х годов после открытия явления переключения и памяти во многих аморфных материалах и появившейся после того возможности создания нового класса функциональных приборов микроэлектроники на аморфных полупроводниках. Перспектива практического применения стимулировала большое число экспериментальных работ по аморфным полупроводникам. Среди этих исследований значительное место занимают работы по аморфному германию и кремнию, полученных испарением в вакууме (а- ве. и а- )»Поскольку свойства этих элементарных тетраэдрически координированных полупроводников в кристаллическом состоянии хорошо изучены, а ближний порядок в а-(¡гв и a-S¿ такого же типа, что и в кристалле, то эти пленки стали удобными объектами сравнения и накопление данных об их физических свойствах должно было создать предпосылки для разработки моделей аморфных твердых тел и теории аморфного состояния. Однако, скоро обнаружилось плохое согласие результатов, получаемых в разных лабораториях на, казалось бы, идентичных материалах. Невоспроизводимость результатов затрудняла обобщение материала и тормозила развитие теоретических представлений, а большое число дефектов в пленках не позволяло осуществлять легирование а- Эв и а-ей и препятствовало их практического использованию.

Новый интерес к проблеме вызвала в 1975 году работа [ I] , в которой было показано, что электрические свойства а-^' , полученного разложением силана в тлеющем разряде, можно контролировать в очень широких пределах путем легирования в газовой фазе. Появилось большое число работ не только по гидрированному аморфному кремнию io.Sc:И ), который является одним из самых перспективных материалов для солнечных батарей, но и по обычным пленкам а- ¿Л? и а- (¡¡в , полученным испарением в вакууме. Эти работы, выполненные с применением новых методик при тщательном контроле условий роста пленок, позволили разделить "собственные" и "несобственные" свойства аморфных материалов и ввести, по аналогии с кристаллическими полупроводниками, понятие "идеального" аморфного материала. Стало ясно, что невоспроизводимость результатов связана с неконтролируемыми технологическими условиями, а свойства пленок являются структурно-чувствительными, существует четкая взаимосвязь: технология получения - структура - свойства. Важность структурных исследований была осознана довольно поздно, поэтогду среди огромного числа работ по а- и а-¿Я? эти исследования занимают весьма скромное место, что нашло отражение в вышедших недавно монографии Мотта и Дэвиса [2] и сборнике обзорных статей "Аморфные полупроводники" [з] .

Подавляющее большинство структурных исследований а- и а- выполнено за рубежом. Б Советском Союзе вплоть до недавнего времени опубликовано очень небольшое число таких работ и касаются они отдельных вопросов, в основном ближнего порядка в а- и а- сЛ' [4-б] ♦ Исключение составляет цикл целенаправленных исследований структуры а- Об , проводившихся в Киевском университете под руководством проф.Н.Г.Находкина. Б 1969 г. впервые были получены электронномикроскопические снижи, из которых стало очевидно, что эти пленки не являются сплошными, а обладают микроструктурой, которая была названа "игольчатой" [7, 8J . Позднее аналогичная микроструктура была обнаружена Барной с соавт. £9] и другими авторами [10-12] . Эти работы послужили толчком к проведению нами планомерных исследований структуры аморфного германия. Они.были начаты 10 лет назад, когда еще не существовало четких представлений о деталях микроструктуры и условиях ее существования и нашли завершение в результатах диссертации.

Актуальность структурных исследований а- определяется следующими соображениями:

I» Германий является типичным представителем группы тетра-эдрически координированных полупроводников и по структурным и физическим свойствам очень близок к а- ей* [2] . Поэтор^г основные представления о структуре а- (¡¡(? распространяются и на а- $ . Эти структурные исследования важны с физической точки зрения» Во-первых, они дают возможность понять механизм конденсации аморфных пленок, т.е. решить вопрос, который до сих пор остается открытым. Во-вторых, они позволяют определить условия получения пленок, близких по свойствам к "идеальному" аморфному состоянию, т.е. найти аморфный полупроводник, исследование которого облегчает разработку теоретических представлений об аморфном состоянии в целом.

Как объект экспериментальных исследований пленки а- {¡¡£ более удобны, чем пленки а- & , так как, с одной стороны, ¿Ре. легче испаряется в вакууме, а, с другой - имеет более высокий атомный номер, поэтому контраст электронномикроскопического изображения для а- (¡¡в выше.

2. Аморфные пленки германия находят практическое применение в солнечной энергетике и оптоэлектронике. Хотя гидрогенизи-рованный аморфный кремний считается наиболее перспективным материалом для изготовления фот&риемников и фотопреобразователей солнечной энергии [13] , в последнее время появились сообщения о возможности расширения области поглощения солнечного спектра путем создания каскадных солнечных элементов на основе гетероструктур, содержащих пленки а- 0<2 [14] , а также преобразователей, использующих сплавы а- л -и [15,16] . Один из путей оптимизации поисковых исследований для разработки технологии нанесения этих новых, более сложных материалов заключается в сравнении их характеристик с характеристиками более простых а- й<г и а- Л •

3. Окислы &а и М используются для ориентации жидких кристаллов [17] .

4. Анализ литературных данных по структуре аморфных пленок показывает, что игольчатая микроструктура, наблюдаемая в а- ¿р^и а- , присуща не только этим веществам, а является,по-видимому, универсальной характеристикой аморфных конденсатов, которая проявляется при определенных условиях осаждения и аналогична столбчатой структуре поликристаллических пленок. Об этом свидетельствует тот факт, что такую микроструктуру обнаруживают в гидрированном аморфном кремнии [18] , пленках аморфных окислов[17], а также в аморфных пленках целого класса магнитных сплавов, которые обладают магнитной анизотропией и используются для записи информации [19] •

Щелью данной работы является: комплексное исследование структуры пленок а- в зависимости от условий конденсации и установление взаимосвязи между особенностями микроструктуры и анизотропией явлений переноса носителей.

Для этого необходимо было решить следующие задачи:

I. Получить доказательства объективности существования игольчатой микроструктуры в нормально осажденных пленках методом, независимым от электронной микроскопии;

2» Систематически исследовать зависимость микроструктуры пленок а- Ое от различных параметров конденсации;

3. Установить корреляцию между структурой пленок и содержанием в них кислорода;

4. Обобщить полученные данные и установить механизм конденсации;

5. Исследовать зависимость электропроводности пленок а-^ от угла осаждения и сопоставить полученные результаты с анизотропией микроструктуры.

Термин "структура", использованный в настоящей работе, подразумевает: I) неоднородности в виде областей повышенной и пониженной плотности, выявляемые в электронном микроскопе методом фазового контраста; 2) макропоры, которые являются причиной развитой внутренней поверхности пленки; 3) параметры ближнего порядка, определяющие тетраэдрическую координацию. Два"первых понятия объединены термином "микроструктура"

Поскольку развитая внутренняя поверхность пленок появляется при увеличении угла конденсации, то в работе рассматривается два типа пленок: нормально осавденные (направление пучка пара совпадает с направлением нормали к подложке) и косо осажденные (направление пучка отклоняется от нормали к подложке).

Защищаемые положения:

1. Независимо от метода электронной микроскопии установлено существование игольчатой микроструктуры в нормально осажденных пленках а- и с помощью комплекса взаимно дополняющих методик расширены представления об этой структуре.

2. Размеры и взаимная ориентация основных элементов микроструктуры а- игл, столбов, областей пониженной плотности, макропор - определяются параметрами конденсации: толщиной пленки, температурой подложки, давлением остаточных газов, скоростью и углом конденсации.

3. Стабильная игольчатая микроструктура в а- 0& формируется в условиях ограниченной подвижности конденсирующихся атомов, которые реализуются при низких температурах и при наличии кислорода в атмосфере остаточных газов.

4, Анизотропия темновой и фотопроводимости в косо осажденных пленках определяется особенностями микроструктуры этих пленок»

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые:

I» Методом малоугловой электронной дифракции доказано существование игольчатой микроструктуры в нормально осажденных пленках а- и с помощью четырех дополняющих друг друга методик (электронная микроскопия, малоугловая электронная дифракция, вторичная ионная масс-спектрометрия, расчет функций радиального распределения атомов) исследованы особенности этой микроструктуры.

2. Проведено систематическое исследование структуры аморфных пленок германия в зависимости от параметров конденсации.

3. Построены функции распределения по размерам пространственных изменений плотности а а- йе и предложен механизм трехмерного роста пленок,

4. Показано, что параметры ближнего порядка в а- Ое чувствительны к величине угла конденсации и содержанию кислорода в пленках.

5* Обнаружена фотопроводимость в пленках а- Ое , осажденных при наклонном падении пучка пара.

Практическая ценность. Полученные в работе результаты представляют интерес для:

- понимания механизма формирования целого класса аморфных конденсатов и представляют научный интерес для физики тонких пленок;

- выбора технологических условий, обеспечивающих получение аморфных пленок с заданными свойствами, которые могут быть использованы для создания приборов микроэлектроники и оптоэлектроники, преобразователей солнечной энергии и сред для записи информации .

Работа состоит из пяти глав, общих выводов и списка цитированной литературы.

В I главе рассмотрены литературные данные, касающиеся структуры и некоторых физических свойств аморфного германия и кремния. Отмечается, что данные о микроструктуре аморфных пленок разрозненны и во многом противоречивы. Отсутствуют комплексные исследования, когда нескольким! методиками изучаются различные аспекты структуры на одном и том же объекте. Это не позволяет систематизировать результаты и предложить удовлетворительный механизм роста аморфных пленок.

Во П главе приведены экспериментальные результаты исследований микроструктуры пленок а- Св методами электронной микроскопии и малоугловой дифракции электронов. Показано, что характер микроструктуры пленок определяется основными условиями конденсации: температурой конденсации, давлением в вакуумной системе и углом конденсации. Предложен механизм роста аморфных пленок.

В Ш главе изложены результаты послойного анализа пленок а- ве методом ШЛО. Для пленок, осажденных при разных условиях конденсации, установлена корреляция между микроструктурой и содержанием кислорода.

В 1У главе сопоставлены параметры ближнего порядка в нормально и косо осажденных пленках, рассчитанные методом ФРРА.

В У главе на примере темновой и фотопроводимости в косо осажденных пленках обоснована необходимость учета особенностей микроструктуры при интерпретации явлений переноса.

Результаты работы докладывались на: Международной конференции "Аморфные полупроводники 74", проводимой'в рамках СЭБ, (Рейнгардсбрунн, 1974), III Международной конференции по тонким пленкам (Будапешт, 1975), Республиканской конференции "Структура и физические свойства тонких пленок" (Ужгород, 1977), ХУП Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике (Ленинград, 1978), I Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 1981), Всесоюзном симпозиуме "Методы электронной микроскопии и дифракции электронов в исследовании образования, и структуры и свойств твердых тел" (Звенигород, 1983), У Республиканском семинаре по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 1983), П и Ш Всесоюзных семинарах по проблеме "Аморфный кремний и другие А^" (Ленинград, 1983,1984).

По материалам диссертации опубликовано 12й работ во всесоюзных, международных и республиканских изданиях.

Одна работа находится в печати.

ВЫВОДЫ

1. Впервые для исследования одного и того же аморфного объекта использован комплекс вааимно-дополняющих методик (ЭМ, МЭД, ВИМС и расчет ФРРА), которые позволили расширить представления о реальной структуре пленок а- ¿л? ,

2. Методом малоугловой электронной дифракции, независимо от электронномикроскопических данных, получены доказательства объективности существования игольчатой микроструктуры в пленках а- , конденсированных в стандартных условиях (Тк = 20°С р =

Па). Проведены целенаправленные электронномикроскопические исследования зависимости размеров и взаимной ориентации элементов этой микроструктуры - игл (столбов), областей пониженной плотности (сетки пор), макропор - от основных параметров конденсации: температуры конденсации Т^ , давления остаточных газов р , угла конденсации сА , толщины пленки

3. В нормально осажденных пленках, конденсированных при р = 10 Па, повышение Тк приводит к увеличению поперечного размера игл и постепенному превращению игольчатой микроструктуры в столбчатую, а затем при приближении к температуре кристаллизации а- ¿т^ (ТКр = 320°С),к формированию однородной пленки. При отжиге пленок микроструктура изменяется гораздо меньше, и столбчатая структура с сеткой пор существует вплоть до наступления кристаллизации.

4. Улучшение вакуумных условий вызывает в структура пленок изменения, аналогичные тем, которые имеют место при повышении температуры подложки. При этом температурные интервалы, в которых происходят последовательные превращения микроструктуры, сдвигаются в сторону меньших значений,

5. На основании исследования распределения кислорода по толщине пленок методом ВИМС установлена корреляция между его содержанием и микроструктурой пленок. Наименьшее количество кислорода содержится в рднородных пленках без сетки пор. в косо осажденных пленках, которые имеют систему макропор, содержание кислорода выше, чем в нормально осажденных, и увеличивается с ростом с* . Развитая внутренняя поверхность способствует диффузии кислорода внутрь игл при переносе пленок через атмосферу.

6. Параметры ближнего порядка в а- чувствительны к величине угла конденсации. ФРРА косо осажденных пленок имеют три особенности по сравнению с ФРРА нормально осажденных пленок, которые усиливаются с ростом с< : при с< ^ 45° появляется координационный пик, положение которого соответствует связи0е~0 ; о второй координационный пик ( ¡^ » 4,05 А) расщепляется на два о • о ■ пика ( = 3,92 А и = 4,19 А); среднеквадратичное смещение атомов возрастает. Эти особенности являются следствием анизотропии микроструктуры и диффузии кислорода в объем игл через внутреннюю поверхность пленки.

7. Построены функции распределения по размерам областей высокой плотности (ОВП) для пленок разной толщины. Предложен механизм трехмерного роста нормально осажденных пленок а- (¡е • Стабильная игольчатая микроструктура образуется в условиях невысокого вакуума и достаточно низких температур, формированию игольчатой микроструктуры способствует малая подвижность адатомов германия и примесь кислорода, которая стабилизирует границы ОВП во время осаждения пленки. Любые изменения условий, повышающие подвижность, препятствуют образованию игольчатой микроструктуры. Реальная пленка не описывается моделью НСС.

8. На основании полученных нами результатов и имеющихся в литературе данных можно сделать вывод о том, что предлагаемый механизм роста справедлив не только для а- , но и для ряда аморфных пленок других веществ, в которых наблюдается игольчатая микроструктура.

9. Б косо осажденных пленках обнаружена фотопроводимость, которая возникает в результате уменьшения плотности состояний в запрещенной зоне, вследствие устранения оборванных связей атомами кислорода. Анизотропия темновой и фотопроводимости связана с анизотропией микроструктуры, которая должна учитываться при интерпретации явлений переноса.

1. Spear W.E., LeComber P.G. Substitutional doping of amorphous silicon, - Solid State Commun., 1975, 12, N 9, p.1193-1196.

2. Мотт H., Дэвис Э, Электронные процессы в некристаллических веществах : В 2-х т. М. : Мир, 1982, - гл.7.

3. Аморфные полупроводники / Под ред.М.Бродски. М. : Мир, 1982. - 419с.

4. Татаринова Л.И, Электронография аморфных веществ. М, : Наука, 1972. - 76с.

5. Стецив Я.И. Средние квадратичные смещения атомов в аморфных слоях германия и кремния по электронографичес-ким данным. Физ.тверд.тела, 1975, 17, М, с.118-123.

6. Гордеев В.Н., Попов А.И., Феликов В.А. Структура аморфного кремния, полученного высококачественным ионно-шгазмен-ным напылением. Изв. АН СССР, сер. Неорг.материалы, 1980, 16, НО, с.1733-1736.

7. Шалдерван А.И., Находкин Н.Г. Особенности структуры клинообразных слоев германия. Физ, тверд, тела, 1969, II, с.3407-3409.

8. Nakhodkin N.G., Shaldervan A.I. Effect of vapour incidence angles on profile and properties.of condensed films.- Thin

9. Solid Films, 1972,.10, p.109-122.

10. Barna A., Barna P., Bodo Z. et.el. Structure, ordering and electrical conduction of high purity amorphous Ge films.-In: Proc. 5th Int. Conf. on Amorph. and Liquid Semicond. /eds. J.Stuke end W.Brenig. London i Taylor and Itancis, 1974, p.I09-II4.

11. Donovan Т., Heinemann K. Void observation In amorphous germanium by electron microscopy of high resolution. -Phys. Eev. Lett., 1971, 2£, N 26, p.I794-I798.

12. Fuhs W., Hesse H.-J., Langer E.H. Substrate specific voids in amorphous germanium films. ibid. 9., p.79-84.

13. Hauser J.J., Staudinger A. Electrical and.structure properties of amorphous germanium. Phys. Eev., 1973, B8, N 2, p.607-615.

14. Knights J.S. Growth morphology and defects in plasma-depo-seted a-Si:H films. J.Non-Cryst.Sol., 1980, 35/36, N 1/2,p.159-169.

15. Leamy H.G., Gilmer G.H., Dirks A.G. The microstructure of. vapor deposited thin films. Current in material science, 1980, 6, p.309-344.

16. Джеймс P. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М. : Иностранная литература, 1950 с.572.

17. Цшскер З.Г. Дифракция электронов. М.: Изд. АН СССР, 1949 ■

18. Richter Н., Breitling G. Structur des amorphen, germaniums und siliciums. Zs. Naturforsh., 1958, AI2, p.988-991.

19. Grigorovici R., Manaila R. The structure of amorphous semiconductors. Thin Solid Films, 1968, I, p.343-353.

20. Coleman M.V., Thomas D.J.D. The structure of amorphous. silicon nitride films. Phys. Status Solidi, 1968, 2§f N I, p.241-252.

21. Chaudhari P., Graczyk J.F., Herd S.R. On the structure of amorphous films. Ins Physics of Structurally Disordered Solids, ed.Shashanka S. Mitra, New-York-London,1976,p.31-43,

22. Paul W,, Connell G.A.W. Structural modelling of disordered semiconductors, ibid, 25 , p.45-91*27» Rudee M.L. The structure of amorphous germanium and silicon. Thin Solid Films, 1972, 12, p.207-211.

23. Shevchyk N.J., Paul W. The structure of tetrahedrally coordinated amorphous semiconductors. J. Non-Cryst.Sol., 1973»12, N I, p.I-12. . .

24. Duffy M.G., Boudreaux D.S., Polk D.E. Sistematic generation of random networks. J. Non-Cryst.Sol., 1974-, 2,p.435-454.

25. Light T.B. Density of amorphous germanium. Ehys. Rev. Lett., 1969, 22, p.99-101.

26. Donovan T.M., Spicer W.E., Ashley E.J., Bennet J.M. Optical properties of thin germanium films. Phys. Rev., 1970, B2, p.397-400.

27. Clark A.H. Electrical and optical properties of amorphous germanium. Phys. Rev., 1967, I£4, p.750-756.

28. Moss S.C., Graczyk J.E. The evidence of voids existence in the structure of glssy silicon evaporated films. Phys. Rev,

29. Lett., 1969, 22, p.1167-1173.

30. Cargill G.S. Anisotropic microstructure in evaporeted amorphous Ge films. Phys. Rev. Lett., 1972, 28, p.I372-I38I.37* Shevchyk IT.J., Paul W. The structure of amorphous Ge. -J. Non-Cryst. Sol., 1972, 8-10. p.381-387.

31. Shevchyk N.J., Paul W. Voids in amorphous semiconductors. -J. Non-Cryst.Sol., 1974, 16, p.55-71.

32. Chen C.C., Clark A.H., Kazmerski J.H. The effect of oxygen on the resistivity of evaporeted amorphous Ge thin films. -Thin Solid Films, 1976, ¿2, p.L5-L8.

33. Pandya D.K., Chopra K.L. Adsorpthion induced changes in the conductivity of amorphous Ge films. In: Proc. 2nd Int.Conf. on Solid Surf., 1974, - Jap. J.Appl.Phys., 1974, part 2, suppl.2, p.157-160.

34. Pandya D.K., Barthwal S.K., Chopra K.L. Effect of oxygen on the properties of amorphous Ge films. Phys. Status Solidi (a), 1975» ¿2, N2, p.489-496.

35. Beyer N., Stuke J. In-situ thermoelectric power measurements . of UHV deposited amorphous silicon. Phys. Status Solidi (a)*1975, 30, N 4, p.KI55-I57.

36. Beyer V7., Stuke J. Influence of evaporetion parameters on elctrical properties of amorphous Ge and Si. Phys. Status Solidi (a), 1975, ¿0, N2, p.511-530.

37. Barthwal S.K,, Chopra K.L. Thermoelectric power of amorphous germanium films. Phys. Status Solidi (a), 1976, ¿6,p.555-549«

38. Chppra K.L., Pandya D,K. Transport properties of obliquely-deposited amorphous Ge films. ibid.{9., P.II4I-II48.

39. Ishu K., Nave M., Yamanaka S. et al. Electrical properties of oxygen.amorphous Si prepared by ion-beam sputtering. Jap. J.Appl.Phys., 1979, 18, N 7, p.1395-1396.

40. Donovan T.M., Khktek M.L. The investigation of psevdogap in amorphous germanium by adsorption and charge carrier transport study. Phys. Rev.Lett., 1975, ¿0, N 14, p.652-653.

41. Chopra K.L., Pandya D.K. Obliqually deposited amorphous Ge films. II. Electrical properties. Phys. Status Solidi (a),1976, ¿6, p.89-100.

42. Chopra K.L. Same surface properties of oblique, deposited films. ibid. 40., p.I6I-I66.

43. Walley P.A., Jonsher A.K. Electrical conduction in amorphous germanium. Thin Solid Films, 1967/68, I, p.367-377.- 141 53« Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972. - 435 с.

44. Barna A., Nagy J., Radnoczi Gy., et al. Ivestigation of the structure of amorphous thin films prepared by different methods. 1ц:' Amorph. Semicond.'76. Ptoc. Int. Сonf .Amorphous and Liquid Semicond., Balatonfurel (Hungary) ,1976,p.449-454-.

45. Temkin R.J., Paul W., Connell G.A.N. The structural and optical properties of amorphous germanium. Adv. Physics, 1973, 22, N 5, p.581-642.

46. Magee C.W., Bean J.C., Foti G., Poate J.M. Observation of gas absorption in evaporated amorphous silicon films using secondary ion mass spectrometry. Thin Solid Films, 1981,81tp.1-6.

47. Ishikawa J., Wilson I.H. The effects of oxygen, hydrogen and fluorine on the conductivity of high purity evaporated amorphous silicon films. J.Non-Cryst.Sol., 1981, 45, p.271-281.

48. Luby S. ESR and aging study on.amorphous Ge. Thin Solid Films, 1971» 8, N 2, p.333-343.

49. Agarwal S.C. ESR study of the nature of iocalized states in amorphous semiconductors. Phys.Rev.,1973» BZ» N 2, p.685-694.

50. Kubler L., Gewiner G., Koulmann J.J. EPR study on amorphous germanium. Phys. Status Solidi(b), 1976, 28,,¡¡p. 149-158

51. Kaplan L., Lepine D., Petroff J., Thirry P. New ESR investigation of cleaved silicon surface. Phys.Rev.Lett., 1975»1. N 20, p. 1376-1:579•

52. Thomas P.A., Brodsky M.H., Kaplan D., Lepine D. Electron spin resonance of ultrahigh vaccuum evaporated amorphous silicon. -Phys. Rev., 1978, BI8, N 7, p.3059-3073.

53. Galeener J.L. Optical evidence for a network of crack-like, voids in amorphous germanium. Phys. Rev. Lett., 1971, 22» P.I7I6-I7I9.

54. Barna A., Barna P., Radnoczi G. et al. Computer simulation of the germanium film growth on the postnucleated stage. Thin Solid Films, 1978, 48, M 2, d.163-174.

55. Henderson D., Brodsky M.H., Chaudhary P. Computer simulation of the structural anisotropy and void formation in the germanium films. Phys. Rev. Lett., 1974, 2£, p.641-644.

56. Kim S., Henderson B.J., Chaudhary P. Computer simulation of thin amorphous films by hard sphers. Thin Solid Films, 1977, 42, p.155-158.73« Dirks A.G., Leamy H.J. Columnar microstructure in vapour deposited films. Thin Solid Films, 1977, 42, p.219-231.

57. Barna A., Barna P., Bodo Z. et al. Simultaneous investigation of the crystal structure and electrical properties of crystallized Ge films by UHV in-situ electron microscopy. Thin Solid Films, 1974, 22, p.49-62.

58. Theye M.L., Gandais.M., Tisson S. Defects in the a-Ge films. -Phys. Status Solidi(a), 1973, 12, p.643-651.

59. Adamsky R.E. Influence of deposition parameters on crystallina ty of evaporated germanium films. J.Appl.Phys., 1969, 40, p.4301-4306.

60. Adamsky R.F., Behrndt K.H., Brogan W.T. Effect of oxygen on the formation of germanium films. J.Vac.Sei. and Techn., 1969, 6, N4, p.542-548.

61. Ribbling C.G., Pierce D.L., Spicer W.E. Photoemission ivesti-gation of amorphous germanium. Phys.Rev., 1971, B4, N 12, p.4417-4422.

62. Chopra K-rL., Nath P., Rastogi A.C. Amorphous germanium-alloys films. Phys. Status Solidi (a), 1975, 2p.645-653.

63. Randhawa H.S., Malhotra L.K., Chopra K.L. The formation and stability criterium of the alloyed a-Ge films. J.Non-Cryst. Solids, 1978, 22, N 3, P.3II-32I.

64. Oki P., Ogawa J., Fujiki J. Influence of metal deposition on crystallisation temperature of amorphous Ge films. Jap.J. Appl.Phys., 1969, 8, p.1056-1057.

65. Pandya D.K., Rastogi A.C., Chopra K.L. Obliquely deporited amorphous Ge films.I.Growth and structure. J.Appl.Phys.,1975* 46, N 7, P.2966-2975.

66. Ma W., Anderson R.M., Hruska S.J., Study on the anomalously high photovoltaic effect in germanium thin films. J.Appl. Phys., 1975, 46» N 6, p.2650-2657.

67. Rudee M.L. Structural variation in amorphous Ge. Phil.Mag., 1973, 281 N 5, P.II49-II5I.

68. Kinney W.J., Cargill G.S. Angle-of-deposition effects in evaporated amorphous Ge. Phys. Status Solidi (a), 1977, 40, N I, p.37-42.

69. Orlowsky B.A., Spicer W.E., Baer A.D. Effect of angle of evaporation on amorphous Ge films. Ins Proc.Int.Topical Conf. on Tetrahedrally Bonded Amorph.Semicond. IBM, Yorktown Heigts, 1974, p.241-245.

70. Orlowsky B.A., Spicer W.E., Baer A.D. Effect of angle of evaporated on amorphous Ge films. Thin Solid Films, 1976, ¿4, p.31-35.

71. Шалдерван А.И.влияние угла поступления пара на профиль и свойства конденсированных пленок: Автореф.дисертации канд.физ.-мат. наук. "Киев, 1973, 24с.

72. Wade R.H.# Silcox J. Small angle electron scattering from vacuum condensed metallic films. Ehys. Status Solidi, 1967, 12» N I, p.57-65.

73. Алексеев А.Г., Верховская T.A. Применение электронного фильтра в электронографии для отсева неупруго рассеянных электронов. -Изв. АН СССР, сер.физ., 1968, 32, с.1195-1199.

74. Алексеев А.Г., Бояндина Л.Г., Бульба И.А. и др. Электронный фильтр с низким уровнем собственных шумов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1970, 34. с.1404-1407.

75. Бардамид А.Ф., Шалдерван А.И. Исследование косо осажденных пленок при помощи методики малоугловой дифракции электронов. -Кристаллография, 1974, 19, $3, с.666-667.

76. Шиммель Г. Методика электронной микроскопии. М.: Мир, 1972, с.211.

77. Nakhodkin N.G., Shaldervan A.I., Bardamid A.F. Needle-like structure of amorphous germanium films. In: Eroc.Int.Conf. "Amorphous Semiconductors174", Keinhardsbrunn, 1974» I»p.201-204.

78. Nakhodkin N.G., Shaldervan A.I., Bardamid A.F., Chenakin S.P. Structural peculiarities of amorphous germanium films. In: 3rd Int.Conf. on nihin Films (Budapest, 1975) : Abstract. Budapest, 1975, p.73-74.

79. Nakhodkin N.G., Shaldervan A.I., Bardamid A.P., Chenakin S.P. Structural peculiarities of amorphous germanium films. -Thin Solid Films, 1976, p.21-25.

80. Nakhodkin N.G., Bardamid A.F., Shaldervan A.I., Chenakin S.P. Depth profiling of oxygen in amorphous germanium films by-secondary ion mass spectrometry. Thin Solid Films, 1980, 65, p.209-219.

81. Ю2. Зи C.M. Физика полупроводников. M.: Энегрия. - 655с.103* Алексеев А.Г., Бардамид А.Ф., Верховская Т.В., Шалдерван А.И. Структура аморфных пленок германия и кремния. Физ.тверд, тела, 1974, 16, с.2759-2761.

82. Порай-Кошиц Е.А. Рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами. Усп.физ.наук, 1949, 34, №3-4, с.573-588.105» Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1971,

83. Палатга&# Л.С., Папиров И.И. Эптаксиальные пленки. М.: Наука, 1971. - 480 с.

84. Donovan. Т.М., Ashley E.I., Spicer W.E. Amorphous germanium of high density. Phys.Lett., 1970, Aj52, p.85-86.

85. Honig R.E. Mass-spectrometric study of the molecular sub-bmition of graphite. J.Chem.Phys., 1954, 22, N I, p.I261.i. ■

86. Mell H., Brodsky M.H. Mass spectrometric analysis during the vapour deposition of amorphous silicon. Thin Solid

87. Films, 1977, 46, N 3, p.299-305.

88. Gilbert L.R., Messier R., Roy R. Black germanium solar selective absorber surfaces. Thin Solid Films, 1978, ¿4, p.149-157.

89. Messier R., Krishaswary S.V#, Gilbert L.R. Black.a-Si solar selective absorber surface. J.Appl.Phys.,5I»N3tP.I6II-I6I4.

90. Knight J.C. Growth morphology and defects in plasma-rdeposited a-Si:H films. J.Non-Cryst. Solids, 198О, 35/56. p.159-170.

91. ИЗ. Гегузин Я.Е. Коэффициенты самодиффузии на поверхностях кристаллических тел. В кн.: Поверхностная диффузия и растекание. М.: Наука, 1969, с.П-16.

92. Leamy H.J., Dirks A.G. The microstructure of amorphous rare-eart-transition-metal thin films, J.Phys.D: Appl.Phys., 1977, 10, p.L95-98.

93. Belu A., Devenei A., Manaila R. et al. Structure and electrical properties of amorphous Ge-Mo films. Acta Physica Acad.Sci. Hungarical, 1980, 42, N 1/3, p.207-214.

94. Черепин В.Т., Васильев М.А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. К.: Наук.думка, 1975, - 237 с.

95. Ченакин С.П., Бардамид А.Ф., Шалдерван А.И. Особенности эмис-ссии вторичных ионов из аморфных пленок германия разной плотности. В кн.: ХУЛ Всес.конф. по эмиссионной электронике (Ленинград, 1978): Тез.докл., 1978, с.553-554,

96. Wang V-L,, Storms H.A. A study of germanium/SiC^ MIS structure by the use secondary ion mass spectrometry. J.Appl. Phys., 1976, fhZ» N 6, p.2559-2544.

97. Shiott H.E. Approximation and interpolation roles for runs and range stragglins. Radiat.Eff., 1970, 6, p.I07-IT9.

98. Wittmaack K.W. Pre-ecvilibrium variation of the secondaryion yield. Int.J.Mass Spectr.Ion Phys.,1975,IZi P-59-45,

99. Eol P.K., Fluit J.M., Kistemaker J. Theoretical aspects of cathode sputtering in the energy range of 5-25 keV. -Physica, I960, 26, N II, p.I009-I0II,

100. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973. 399 с.155« Malhotra А.К., Neudeck G.W. Eield effeet in amorphous germanium. J.Appl.Phys., 1975, 46, N 6, p.2690-2692.

101. Neudeck G.W., Malhotra A.K. Theory of the field-effect conduction e3cperiment in amorphous silison. J.Appl.Phys., 1975, 46, N 6, p.2662-2669.

102. Колобов H.A., Самохвалов M.M. Диффузия и окисление полупров. -М.: Металлургия, 1975 453с.

103. Набитович И.Д., Стецив Я.И., Андрейко А.Н. »Применение вращающегося сектора при измерениях интенсивности рассеяния электронов. Приб. и техн.эксп., 1976, №3, сд2П-213.

104. Warren В.Е. X-ray diffraction. Adision-wesley. Publ.Co., 1969, - 472 p.• Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел.-М.: Высшая школа, 1980, 328с.

105. Андриевский А.И., Набитович И.Д., Стецив Я.И., Волощук Л.В. Определение параметров ближнего порядка в аморфных веществах по кривой радиального распредел. атомов с учетом эффекта обрыва. -Укр.физ.журн., 1968, 17, с.1596-1603.

106. Moss S.C., Flynn P., Bauer L.O. Impurity effects on the structure of amorphous silicon and germanium prepared in various ways. Phil.Mag., 1975, 2Z, N 2, p.44I-456.

107. Breitling G. Different forms of amorphouc arsenic and germanium. J.Non-CrystSolids, 1972, 8/10, pe595-400.147» Graczyk J.P. Structure of.glow discharge amorphous silicon. Phys. Status Solidi (a), 1979, ¿2, N I, p.23I-242.

108. Коваленко С.И., Крайнюкова Н.В., Пугачев А.Т., Чуракова Н.П. Электронографическое исследование дебаевской температуры тонких пленок золота. Кристаллография, 1979, 24, №5, с.1101-1104.

109. Nakhodkin N.G., Bardamid A.P., Novoselskaya A.I. Effects of the angle of deposition on short-range order in amorphous germanium. Thin Solid Films, 1984, 112, N 2, p.267-277.

110. J52* Находкин Н.Г., Бардамид А.Ф., Колесник О.Г., Новосельская А.И. Ближний порядок в косо осажденных пленках аморфного германия.-В печати, журнал "Поверхность".

111. Beyer W., Stuke J., Wagner H. Influence of ion implantation on electrical properties of amorphous.Ge and Si, Ehys. Status Solidi (a), 1975, ¿0, H I, p.231-242.

112. Jones D.I., Spear W.E., LeComber P.G. Transport properties of amorphous germanium prepared by glow discharge technique.

113. J.Non-Cryst. Solids, 1976, 20, N 2, p.259-270.

114. Thomas P., Barna A., Barna P., Kadnoczi G. The transport prope perties of an inhomogeneous model of amorphous silicon and germanium films. Phys.Status Solidi (a), I975,30,p.637-646.

115. Голикова O.A., Андреев A.A. , Мездрогина M.M. и др. О механизме проводимости аморфного кремния при гидрировании. -Физика и техника полупроводников, 1983, 17, №7, 1255-1258.