Управление процессом медленного разложения в азидах серебра и свинца электрическим и магнитным полями тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Введение.

Основные обозначения.

1.0. Литературный обзор.

1.1. Инжекция носргтелей заряда в твердые тела.

1.1.1. Основные соотношения теории инжекционных токов.

1.1.2. Проблема выбора контактов.

1.1.3. Инжекционные токи и разложение ATM.

1 2.Магнитные эффекты в твёрдых телах.

1.2.1. Спин-селективные процессы.Т.

1.2.2 Пространственные эффекты.

1.2.3. Действие электромагнитного поля на дислокационную структуру твёрдых тел и магнитопластический эффект.

1.2.4. Магнитоэлектрический эффект.

1.3. Некоторые физико-химические свойства азидов серебра и свинца.

1.3.1. Энергетическая структура электронных состояний азидов серебра и свинца.

1.3.2. Проводимость AgN3 HPbN6.

1.3.3. Долговременная релаксация тока в ATM.

2.0. Электрополевое разложение ATM.:.

2.1. Разложение в постоянном электрическом поле.

2.1.1. Объекты исследования.

2.1.2. Экспериментальные методы. 2.1.3. Разложение в контактном электрическом поле.

2.1.4. Разложение в бесконтактном электрическом поле.

2.1.5. Сравнение эффективности разлагающего действия контактного и бесконтактного электрических полей.

2.2. Физико-химические превращения в кристаллах ATM, протекающие после выключения электрического поля (постпроцессы).

2.2.1. Кинетика пост-процессов.

2.2.2. Фликкер-шум.

2.2.3. О методике Хилла.

2.2.4. О пороговости эффекта разложения.

3.0. Управление скоростью электрополевого разложения. электрическим и магнитным полями.

3.1. Влияние электрического и магнитного полей на скорость твердофазных реакций.

3.2. Скрещенные электрическое и магнитное поля.

3.2.1. Кинетика пост-процессов.

3.2.2. Внешнее газовыделение.

3.3. Скрещенные электрические поля.„

3.3.1. Кинетика пост-процессов.

3.3.2. Внешнее газовыделение.

3.4. Сравнение действия поперечных электрического и магнитного полей.

3.5. Эффект низких полей.

4.0. Топография продуктов разложения и способы её задания.

4.1. Методики исследования дислокационной структуры кристаллов азидов серебра и свинца.

4.1.1. Метод ямок травления.

4.1.2. Методика измерения подвижности дислокаций и времени образования вакансионного кластера.

4.1.3. Метод порошковых фигур.

4.2. Движение дислокаций в магнитном поле.

4.3. О природе магнитного момента дислокаций.

4.4. Управление пространственным распределением продуктов разложения.

5.0. Тепловой эффект при электрополевом разложении азида серебра.

5.1. Методика микрокалориметрических измерений.

5.2. Тепловой эффект и внешнее газовыделение.

5.3. Промежуточные продукты разложения азидов серебра и свинца в анионной подрешетке.

6.0. Модели процессов, стимулированных электрическим полем в кристаллах ATM.

6.1. Пост-процессы, как периодические изменения в электронной и ионной подсистемах.

6.1.1. Визуальный метод измерения амбиполярной дрейфовой подвижности носителей заряда в ATM.

6.1.2. Амбиполярная дрейфовая подвижность носителей заряда и пост-процессы в азидах серебра и свинца.

6.2.Процессы в ионной подсистеме.

6.3. Модель пост-процессов разложения ATM.

6.2. Схема электрополевого разложения.

Важнейшей задачей химии вообще и химии твердого тела в частности является разработка эффективных методов целенаправленного изменения скоростей химических реакций. Кроме того в химии твердого тела достаточно остро стоят проблемы стабильности и реакционной способности твёрдых тел по отношению к внешним энергетическим воздействиям, особенно это касается веществ со сложным химическим составом, к которым относятся энергетические материалы (взрывчатые вещества (ВВ), твердые ракетные топлива, пиротехнические составы и др.). Применение современных технологий и особенности штатных режимов работы и хранения таких систем часто предполагает достаточно жесткие условия (электромагнитные поля, перепады температуры, радиация и т.д.), что вызывает необратимые физико-химические превращения (медленное разложение), приводящие к изменению свойств и характеристик веществ, и иногда сопровождающееся несанкционированными взрывами. Это подчеркивает особую важность вопроса разработки методов управления стабильностью энергетических материалов. С другой стороны, высокая чувствительность этих материалов позволяет использовать их для решения проблемы регистрации различных воздействий. Очевидно, решение вышеназванных задач связано с исследованием механизмов твердофазных реакций.

В качестве объектов исследований в настоящей работе были выбраны азиды тяжелых металлов (ATM) - азиды серебра и свинца - традиционные модельные объекты химии твердого тела, которые являются в то же время штатными инициирующими взрывчатыми веществами (ИВВ), поэтому результаты данной работы имеют прямое практическое значение для решения задач стабильности, электроинициирования ATM и использования их в качестве измерителей электромагнитных полей.

При обсуждении механизма, как медленного так и взрывного разложения ATM в анионной подрешетке кристаллов в большой части работ [116] используются распределенные модели, исключающие влияние примесей, линейных дефектов . В первую очередь это связано с тем, что боль6 шинство исследователей применяли в качестве объектов прессованные образцы. В серии работ Ф.И. Иванова [17-19] экспериментально установлен факт влияния плотности дислокаций на степень фотохимического разложения нитевидных кристаллов азида свинца, однако, свойства дислокаций не исследованы. Возникает вопрос о роли дислокаций в механизме разложения ATM. Кроме того известно [10-12, 15, 16-19], что процессы медленного разложения локализованы в некоторых реакционных областях (РО), природа и свойства которых до сих пор не исследованы. Изучение медленного разложения азидов тяжелых металлов традиционно ведется в нескольких направлениях (фотолиз, радиолиз, термолиз), различающиеся в основном способом организации первой стадии - генерации неравновесных электронов и дырок.

При действии электрического поля на образец в контактном варианте возможны: инжекция либо электронов, либо дырок (монополярная инжек-ция); инжекция и электронов и дырок (двойная инжекция). Наиболее интересен случай монополярной инжекции в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОГО), когда реализуются условия для контроля в образце концентрации неравновесных носителей заряда. В этом заключается уникальность электрополевого разложения и разрабатываемого в представляемой работе направления.

Актуальность. В последние годы все большее внимание уделяется изучению физико-химических эффектов и процессов, развивающихся при действии электрического поля на энергетические материалы, что связано с увеличением интенсивности электромагнитных полей различного, в том числе и неконтролируемого, происхождения. Спецификой такого рода воздействий на термодинамически нестабильные вещества является возможность возбуждения быстрых (детонация, горение) и медленных процессов разложения, которые протекают как во время энергетического воздействия так и после него (пост-процессы). Электрополевое разложение как новая область физико-химии твердого тела до настоящего времени остается мало изученной, особенно, это касается пост-процессов. Поэтому исследования л таких процессов являются актуальными и с практической , и с научной точек зрения.

Целью данной работы является изучение физико-химических процессов, инициированных в кристаллах ATM воздействием контактного и бесконтактного электрических полей, а также разработка эффективных методов управления скоростью разложения, реакционной способностью и стабильностью этих материалов. Отметим, что для сравнения в качестве энергетического воздействия кроме электрического поля иногда использовалось УФ- облучение.

В качестве основных задач исследования определены:

-разработать схему образования конечного продукта в анионной под-решетке кристаллов ATM при их разложении, инициированном действием электрического поля в режиме монополярной инжекции собственных носителей заряда и экспериментальное определение соотношения количеств

•о удержанного" газа и выделившегося его через внешнюю поверхность во время воздействия;

-определить природу реакционных областей, из которых наблюдается локальное выделение "удержанного" газа при электрополевом разложении;

-оценить соотношения инжектированных в кристалл и участвующих в образовании конечного продукта положительных дырок;

-определить тепловой эффект электрополевого разложения и сопоставить его с теплом, выделяющимся при образовании молекулярного азота (232 ккал/моль), согласно общепринятой схеме разложения ATM;

-разработать способы эффективного управления скоростью твердофазного разложения ATM и методы задания реакционной способности и стабильности кристаллов ATM.

Научная новизна:

-впервые показана возможность разложения ATM при действии бесконтактного постоянного электрического поля;

-впервые показано, что "удержанный" газ (N2) образуется во время растворения частично разложенных кристаллов ATM (методика Хилла);

-установлено, что в азидах серебра и свинца разложение протекает в областях вакансионных кластеров дислокационной природы и имеет неравновесный характер, связанный с образованием вторичных электрон-дырочных пар;

-впервые обнаружены пост-процессы разложения ATM, которые носят затухающий колебательный характер;

-обнаружено влияние низких постоянных электрического (до 1 мкВ/см) и магнитного (до 0,5 Э) на скорость электрополевого разложения азидов серебра и свинца;

-разработан эффективный способ управления скоростью твердофазной химической реакцией в азидах серебра и свинца постоянными электрическим и магнитным полями;

-получен неразрушающий метод выявления дислокаций в азиде серебра;

-экспериментально установлено, что краевые дислокации в азиде серебра обладают магнитным моментом;

-разработан метод задания реакционной способности и стабильности азидов серебра и свинца.

Практическая значимость работы определяется следующим.

Обнаруженные и исследованные эффекты распада в слабых бескон-такгных электрических полях (до единиц В/см), моделирующие реальные условия хранения и транспортировки ВВ, предложенный метод управления скоростью твердофазной химической реакцией, способ задания реакционной способности кристаллов позволяют не только прогнозировать, но и управлять долговременной стабильностью и реакционной способностью ATM при неконтролируемых энергетических воздействиях.

Основными положениями, выносимыми на защиту, являются:

Схема образования конечного продукта в анионной подрешетке ATM, включающая в себя наряду с другими, ранее установленными стадиями, либо движение фронта растворения кристалла в глубину реакционной области, где происходит генерация вторичных электрон-дырочных пар, вызванная химической реакцией образования полупродуктов, либо дрейф в электрическом поле инжектированных в кристалл или равновесных дырок к поверхности (в реакционные области), что приводит к внешнему газсвы-делению. Процесс разложения локализован в реакционных областях - ва-кансионных кластерах, образованных краевыми дислокациями.

Возможность инициирования разложения бесконтактным электрическим полем. о

Способ эффективного управления скоростью разложения азидов серебра и свинца электрическим и магнитным полями

Наличие магнитного момента у краевых дислокаций и неразрушаю-щий метод их выявления в азиде серебра.

Способ задания реакционной способности и стабильности и пространственного распределения продуктов разложения кристаллов азидов серебра и свинца.

Объём и структура работы ^

Представляемая работа состоит из шести глав.

В первой главе на основании анализа известных литературных данных рассматриваются теоретические, практические и методические вопросы, затронутые в диссертации: теория токов ограниченных объемным зарядом, проблема выбора контактов, результаты исследования механизмов электрополевого разложения ATM, влияние магнитного и электрического полей на химические процессы и дислокационную структуру твердых тел, а о также описаны некоторые физико-химические свойства азидов серебра и свинца (проводимость, зонная структура.

Во второй главе рассмотрены методики и основные результаты экспериментов по изучению разложения по внешнему газовыделению в контактном, полуконтактном и бесконтактном электрических полях. Обнаружено, что после снятия энергетического воздействия в кристаллах азидов серебра и свинца длительное время (десятки минут) протекают физико-химические процессы, носящие затухающий колебательный характер, выявлены условия, когда эти процессы становятся невоспроизводимыми (фликкер-шум). Проведено сравнение эффективности действия контактного и бесконтактного электрических полей. Рассмотрен вопрос о корректности оценки степени разложения ATM по объёму «удержанного газа».

В третьей главе представлены результаты исследования физико-химических превращений в кристаллах ATM, инициированных воздействием постоянных скрещенных электрических (койтактного и бесконтактного) и электрического и магнитного полей. С одной стороны такое воздействие представлено как один из методов изучения твердофазных реакций; с другой стороны - как способ эффективного управления скоростью электрополевого разложением ATM. Обнаружен эффект влияния низких электрического (до 1 мкВ/см) и магнитного (до 0,5 Э) полей на скорость внешнего газовыделения, а также на кинетику пост-процессов разложения. Показано, что действие поперечных электрического и магнитного полей связано с ло~ ренцевой силой. Спецификой воздействия магнитного поля на кристаллы ATM при их разложении является появление отрицательно заряженных продуктов в анионной подрешетке, что проявляется как во внешнем газовыделении, так и в пост-процессах.

Четвёртая глава посвящена изучению некоторых свойств реакционных областей, разработке способов задания реакционной способности и стабильности кристаллов ATM. Это стало возможным благодаря открытому в работе новому факту- наличие магнитного момента у краевых дислокаций в азиде серебра, что позволило методически разделить дислокации и вакансионные кластеры. В азидах серебра и свинца впервые измерены поди вижности дислокаций в электрическом поле, а также определены условия и время образования вакансиониых кластеров. Показано, что необходимыми условиями для создания реакционной области являются наличие дислокаций и наличие определенной концентрации точечных положительно заряженных дефектов. При использовании метода; электрохимической очистки кристаллов от примесей возможно задавать время, через которое у образцов восстанавливается реакционная способность по отношению к электрическому полю в режиме монополярной инжекции дырок или действию УФ-облучения в области собственного поглощения.

В пятой главе приведены результаты микрокалориметрических измерений для азидов серебра и свинца при их электрополевом разложении. Электрическое поле было бесконтактным, что позволило максимально исключить джоулев разогрев образцов. Параллельное измерение скорости внешнего газовыделения дало возможность установить: основное тепло выделяется не в стадии образования молекулярного азота, а в стадии образования промежуточных продуктов.

Шестая глава посвящена результатам исследования пост-процессов при использовании визуального метода измерения амбиполярной дрейфовой подвижности носителей заряда. Представлены возможные схемы колебательных процессов и электрополевого разложения.

Список литературы приведен в конце диссертации.

Автор считает своим приятным долгом выразить признательность и глубокую благодарность научному консультанту доктору химических наук, профессору, чл.-корр. РАН Захарову Ю. А., доктору физико-математических наук, профессору Картужанскому А. Л., доктору химических наук, профессору Колбановскому Ю. А., доктору химических наук, профессору Рябых С. М., кандидату физико-математических наук, доценту Адуеву Б. П., кандидату физико-математических наук, профессору Кригеру В. Г., кандидату физико-математических наук, ведущему научному сотруднику Ханефт А. В., а также кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Кузьминой Л. В., кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Захарову В. Ю., на

Основные обозначения и

Число Авогадро

Эффективные плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне Концентрация ловушек

Концентрация свободных и захваченных электронов соответственно Равновесные концентрации свободных и захваченных электронов соответственно Концентрация дырок (N3}, трансформировавшихся в азот Молекулярный вес

Количество теплоты

Количество Джоулева тепла

Количество тепла, выделившегося в результате химической реакции Инжектированный заряд

Скорость рекомбинации

Площадь сечения

Абсолютная температура

Напряжение

Отношение объема газа к площади кристалла

Объем газа

Объем кристалла

Дрейфовая и тепловая скорости носителя заряда

Скорость газовыделения

Ширина кристалла

Пространственные координаты

Степень разложения

Квантовый выход

Относительная диэлектрическая проницаемость

Диэлектрическая проницаемость вакуума Длина свободного пробега Микроподвижность Дрейфовая и холловская подвижности Подвижность дефектов

7.0. Основные результаты и выводы

1. Воздействие на ATM постоянных контактного или бесконтактного электрических полей стимулирует диффузионно-дрейфовый перенос дырок в вакансионные кластеры дислокационной природы (реакционные области). Образование конечного продукта в анионной подрешетке происходит либо при движении фронта растворения кристалла в глубину реакционной области, где происходит генерация вторичных электрон-дырочных пар, вызванная цепной химической реакцией образования полупродуктов, либо в результате дрейфа в электрическом поле инжектированных в кристалл или равновесных дырок к поверхности, что приводит к внешнему газовыделению.

2. Обнаружено разложение кристаллов ATM, инициированное действием слабого (напряженностью не более 10 В/см) бесконтактного электрического поля и установлены кинетические и топографические закономерности этого процесса.

3. Установлено, что влияние поперечных электрического и магнитного полей определяется, прежде всего, пространственным смещением под действием силы Лоренца из реакционных областей неравновесных носителей заряда, генерированных в процессе химической реакции.

4. Обнаружено эффективное действие слабых до 1 мкВ/см электрического и магнитного до 0,5 Э полей на скорость твердофазной химической реакции. На основе простых представлений получено математическое выражение, учитывающее процессы диффузии, дрейфа, рекомбинации и цепной химической реакции и объясняющее эффект слабых полей до 10"3 В/см. Разработан простой способ определения холловской подвижности носителей заряда, значение которой в AgN3 составило 1600 ± 100 см2 В"1 с"1.

5. Магнитное поле стимулирует реакцию с образованием отрицательно заряженных продуктов в анионной подрешетке AgN3.

6. Разработан метод управления скоростью разложения нитевидных кристаллов ATM поперечными электрическим и магнитным полями.

7. Предложен неразрушающий метод выявления дислокационной структуры в азиде серебра. Определен знак заряда и измерены подвижности краевых дислокаций в азидах серебра и свинца.

8. Разработан метод управления топографией продуктов разложения и получения химически инертных кристаллов азида серебра и свинца к действию УФ-облучения и электрического поля (3 кВ/см) в режиме монополярной инжекции дырок.

9. Обнаружено новое явление: краевые дислокации в А§Ы3 имеют магнитный момент. Предложена непротиворечивая модель, объясняющая наличие магнитного момента и заряда краевых дислокаций в азиде серебра.

Заключение

Настоящая работа посвящена изучению медленного разложения и разработке модельных представлений о физико-химических процессах инициированных действием электрического поля в азидах серебра и свинца, а также созданию эффективных способов управления этими процессами электрическим и магнитным полями. В отличии от других работ в этом направлении большое внимание было уделено в определении природы реакционных областей. В работе были поставлены следующие задачи.

1. Выяснение схемы образования конечного продукта в анионной подрешетке кристаллов ATM при их разложении, инициированном действием электрического поля в режиме монополярной инжекции собственных носителей заряда и экспериментальное определение соотношения количеств "удержанного" газа и выделившегося его через внешнюю поверхность во время воздействия;

2. Установление природы реакционных областей, из которых наблюдается локальное выделение "удержанного" газа при электрополевом разложении;

3. Оценка соотношения инжектированных в кристалл и участвующих в образовании конечного продукта положительных дырок;

4. Определение теплового эффекта электрополевого разложения и сопоставление его с теплом, выделяющимся при образовании молекулярного азота (232 ккал/моль), согласно общепринятой схеме разложения ATM;

5. Создание способов эффективного управления скоростью твердофазного разложения ATM;

6. Разработка методов задания реакционной способности и стабильности кристаллов ATM.

При решении задач, поставленных в работе, был обнаружен ряд новых эффектов: влияние слабых электрических (до 1мкВ/см) и магнитных (до 0,5 Э) полей на скорость твердофазных реакций; разложение в слабых

1 <;

216 бесконтактных постоянном и переменном электрических полях; магнито-пластический эффект в азиде серебра.

Кроме этого были обнаружены новые явления: магнитная память твердофазных реакций; наличие магнитного момента у краевой дислокации в азиде серебра.

В методическом плане удалось впервые: пространственно разделить вакансионный кластер и линию краевой дислокации, что позволило определить время его образования; разработать неразрушающий метод выявления краевых дислокаций в азиде серебра; разработать визуальный метод определения амбиполярной дрейфовой подвижности носителей заряда в ATM, который впервые был применен в химии твердого тела для изучения пост- процессов разложения.

Косвенными методами в представленной работе было показано, что реакция в объеме кристалла протекает до образования промежуточного продукта, предположительно, N6. Это обстоятельство требует дальнейших исследований, поскольку может открыть новые возможности в химии -синтез полимеров азота. В настоящее время разработаны методики выделения промежуточного продукта, изучены некоторые его свойства: бесцветный газ, тяжелее азота, разлагается при облучении светом с длиной волны 550 нм с увеличением объема до трех раз. Продукт с названными свойствами получен при электрополевом воздействии в режиме монополярной инжекции дырок, УФ-облучении, облучении быстрыми электронами с энергией 0,18 МэВ кристаллов AgN3, PbN6, KN3.

Остается нерешенной проблема низких полей. Из физики полупро- ^ водников известно, что дрейфовым током можно пренебречь, если напряжение « 0,025 В. Поэтому при напряженности бесконтактного поперечного электрического поля 1 мкВ/см и межэлектродном расстоянии 1 мм падение напряжения на образце составит < 1 мкВ, т. е., в этом случаедиффузия носителей заряда из РО должна «гасить» реакцию намного эффективнее, чем дрейф. Однако экспериментально этого не обнаружено.

91 fs

1. Боуден Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твердых телах . М: Изд. иностранной литературы, 1962. - 243 с.

2. Янг Д. Кинетика разложения твердых веществ. М.: Мир, 1996.- 263 с.

3. Energetic Materials, v.II. Thechnology of the Inorganic Azides / Ed. By H.D. Fair, R.F. Walker. N. - Y., Ln„ 1977.

4. Браун M., Доллимор Д., Галвей А. Реакции твердых тел. Пер. с анг. -М.: Мир, 1983. -360 с.

5. Кригер В.Г., Колпаков О.Л., Ханефт А.В. Анализ ионной проводимости азида серебра. // Сб. научн. Трудов "Кинетика и механизм реакций в твердой фазе"-Кемерово, гос. Университет, 1982. С. 92.

6. Kriger V., Kalensky A., Bulusheva L., Murakhtanov V. The Kinetic Model of pulse initiation of heavy metal azides. // Proceedings of the Zel'dovich Memorial Internatinal Conference on combustion. Moscow, 1994. V.2. - PP. 42-45.

7. Кригер В.Г., Каленский А.В., Захаров Ю.А. Кинетические закономерности импульсного инициирования азидов тяжелых металлов. // Изв. Вуз. Черная металлургия, 1996. -№2. С. 70-74.

8. Kriger V., Kalensky A. The effect of crystal size on initiation of decomposition of heavy metal azides by pylse radiation. // Chem. Phys. Reports, 1996, V.15(3), P.351-358.

9. Рябых С.М. Особенности начальных стадий радиационного газовыделения в азиде серебра. // Сб научн. Трудов "Химия твердого состояния". -Кемерово, гос. Университет, 1981С. 92-101.

10. Рябых СМ., Лысых АН., Захаров Ю.А. Радиол из монокристаллов азида свинца. // Химия высоких энергий, 1968. Т.2. - №4. - С. 344-348.

11. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Захаров Ю.А., Кречетов А.Г. Исследование взрывного разложения азида серебра методами спектроскопии с высоким временным разрешением. // Изв. ВУЗов, физика, 1996. -Т.-39.-№11.-С. 162-175.

12. Ханефт A.B. Механизм разложения азида свинца под действием ультрафиолетового света при 12 К. // Журнал физ. химии, 1995. Т.69. - №3. -С. 433-435.

13. Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. Общие закономерности разложения твердых веществ в электрическом поле. В кн.: Кинетика и механизм химических реакций в твердом теле. ИХФ АН СССР, Черноголовка, 1981, С. 152-161.

14. Иванов Ф.И., Зуев Л.Б., Урбан H.A. Влияние дислокаций на распределение продуктов фотохимического разложения нитевидных кристаллов азида свинца. // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1985. Т.21. -№5. - С.783-786.

15. Иванов Ф.И. Роль структурно-деформационных дефектов в процессах, протекающих при фото и электрополевом воздействии в азидах тяжелых металлов. // Изв. СО АН СССР, сер. Хим. наук, 1985. - №11. - В.4. -С.63-67.

16. Иванов Ф.И. Напряженно-деформированные и зарядовые состояния в нитевидных кристаллах ß- азида свинца. // Изв. Вузов, чер. металлургия, 1996. -№2.-С. 62-68.220

17. Ламперт М., Марк Г1. Инжекционные токи в твердых телах. М: Мир, 1973.-416 с.

18. Geurst J. A. Theory of space-charge limited currents in thin semiconductor layers.//Phys. Status Solidi, 1996. - №15. - P. 107-118.

19. Kao К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. 4.1. М.: Мир, 1984.- 352 с.

20. Bowden F.P., McLaren А.С. The explosion of silver azide in an electric field. // Proc. Roy.Soc., 1958. V246. - p.197-199.

21. Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. Макрокинетика и элементарные стадии разложения твердых веществ в сильном электрическом поле. В кн. : Всесоюзное совещание по кинетике и механизму реакций в твердом теле. Тез. Докл. - Кемерово, 1981, С. 25-27.

22. Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. О механизме возбуждения быстрых реакций в некоторых твердых веществах электромагнитными волнами. // В сб. материалов 1 научной конференции молодых ученых-химиков ТПИ. -Томск, 1970.-С. 94-97.

23. Tang В., Chaudri М.М. Dielectric breakdown by electrically induced chemical decomposition .//Nature, 1979. V.282. - P.54-55.

24. Крашенинин В.И. Исследование инжекционных токов в азиде свинца. // Сб. Научн. Трудов "Кинетика и механизм реакций в твердом теле" -Кемерово, гос. Университет., 1982. — С. 86-91.

25. Кригер В.Г., Каленский А.В. Инициирование азидов тяжелых металлов импульсным излучением.//Химическая физика, 1995. Т. 14. - №4. -С.152-160.

26. Bartlett В.Е., Tompkins F.S., Young R.C. Decomposition of AgN3.//Proc. Roy. Soc., 1958. V.246. - P.206-215.221

27. Иванов Ф.И., Лукин М.А., Назарова Г.В. Дислокационная структура и некоторые физико-химические свойства НК азидов тяжелых металлов. // Матер. 3 Всесоюзн. конф. "Нитевидные кристаллы для новой техники". -Воронеж. 1979. - С. 181-184.

28. Иванов Ф.И., Зуев Л.Б., Урбан Н А О двойственном влиянии дислокаций на фотохимическое разложение нитевидных кристаллов ß PbN6. - В кн.: Всесоюзное совещание по кинетике и механизму реакций в твердом теле. Тез. Докл. Кемерово, 1981, С. 169-170.

29. Иванов Ф.И., Зуев Л.Б., Урбан H.A. О двойственном влиянии дислокаций на фотохимическое разложение нитевидных кристаллов ß-PbN6. // Тез. докл. Всесоюзного совещания по кинетике и механизму реакций в твердом теле. Кемерово, 1981.- С. 169-170.

30. Иванов Ф.И., Урбан H.A., Ситко О.Л. Влияние механической деформации на кинетические закономерности разложения азида свинца при световом воздействии. / Межвузовский сб. научных трудов. Свердловск. -1988. С.55-59.

31. Ерофеев Б.В. Дислокационный и деформационный механизм реакций с участием твердых веществ. / В кн.: Кинетика и механизм химических реакций в твердом теле. Минск, 1975. С. 17-19.

32. Рябых С.М., Коновалова Ф.И. Химические процессы при растворении облученного азида серебра.//Журнал физической химии, 1980. Т.54. -№10. - С.2636-2639.

33. Кригер В.Г., Каленский A.B., Булушева Л.Г. Квантово-химическое моделирование реакции 2N3 ЗЫ2.//Тез. докл. 9 Междун. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9- Томск, 1996. - С.224-225.222

34. Рябых С.M. Радиационно-химическое разложение азидов тяжелых металлов как гетерогенный процесс.//Химическая физика, 1985. Т.4. -№12. - С 1654-1661.

35. Heal H.G. A microgazometric procédure. // Nature, 1953. V.172. - P.30

36. Рябых C.M. Особенности радиолиза инициирующих взрывчатых ве-ществ.//Химия высоких энергий, 1988. Т.22. - №5. - С.387-397.

37. Кригер В.Г., Каленский А.В. Инициирование азидов тяжелых металлов импульсным излучением. // Химическая физика, 1995. Т. 14. - №4. -С. 152-160.

38. Крашенинин В.И., Иванов Ф.И., Кузьмина Л.В., Захаров В.Ю. Пластическая деформация и некоторые аспекты твердофазных реакций в нитевидных кристаллах азида серебра. // Изв. Высших учебных заведений, сер. Черная металлургия, 1996. №2. - С.68-70.

39. Kriger V, Kalensky A. The self-imperfection model of the chain reaction of the heavy métal azide initiation. // 13th International Simposium on the Reactivity of Solids, September 8-12, 1996. Hamburg. - 9-PO-248.

40. Кригер В.Г., Каленский А.В. Собственно дефектная модель цепной реакции инициирования азидов тяжелых металлов. // Тез. докл. 6 международной конференции "Радиационные гетерогенные процессы". 4.1. -Кемерово, 1995.-С. 100-101.

41. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Кречетов А.Г. Предвзрывная проводимость азида серебра. // Тез докл. 6 Междун. Конф. "Радиационные гетерогенные процессы"- Кемерово, 1995. G. 53.

42. Кригер В.Г., Каленский А.В. Образование очага цепной реакции при лазерном инициировании азидов тяжелых металлов.//Тез. докл. 9 Междун. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9- Томск, 1996. С.218-219.

43. Кригер В.Г., Каленский А.В. Автолокализация цепной реакции при инициировании азида серебра импульсом ускоренных электронов.//Тез. докл. 9 Междун. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9. Томск, 1996. - С.220-221.223

44. Александров Е.И., Вознюк А.Г. Инициирование азида свинца лазерным излучением.//Физика горения и взрыва, 1978. Т.14. - №4. - С.86-91.

45. Garrett W.L., Marinkas P.L., Owens F.J. and Wiegand D.A. Imperfections and radiation induced decomposition./In: Energetic materials. - New York, Plenum Press, 1977. - V. 1. - P.285-382.

46. Захаров Ю.А., Мешков В.А., Рябых C.M. Радиационно-химические процессы в анионной подрешетке азида серебра./В кн.: Химия твердого состояния,- Кемерово, КемГУ, 1980. С.48-60.

47. Мешков В.А., Рябых С.М., Мухин В.И. Спектр ЭПР облученного азида таллия.//Химия высоких энергий, 1978. №1. - С.86-87.

48. Рябых С.М., Мешков В.А. Радиационно-химическое разложение азида серебра в анионной подрешетке.//Изв. ВУЗов, химия и химическая технология, 1972. Т. 15. - №5. - С.652-653.

49. Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. - 643 с.

50. Сангвал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение. -М.: Мир, 1990.-496 с.

51. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Кречетов A.F. Предвзрывная проводимость азида серебра. // Письма в ЖЭТФ, 1995. Т. 22. - В.З. - С. 203-204.

52. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Захаров Ю.А., Кречетов А.Г. Чубукин И.В. Взрывная люминесценция азида серебра. // Письма в ЖЭТФ, 1997. -Т.66.-№2.-С.101-103.

53. Иванов Ф.И. Развитие представлений о механизме разложения и инициирования детонации в азиде свинца при энергетических воздействиях. // Сиб. хим. журнал, 1992. В.4. С. 146.

54. Сагдеев Р.З., Салихов K.M., Лешина Т.В. и др. Влияние магнитного поля на радикальные реакции. // Письма в ЖЭТФ, 1972. Т. 16. - С.599-602.

55. Бучаченко А.Л.,Сагдеев Р.З., Салихов K.M. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. П.: Наука, 1978. - 296 с.

56. Абрагам А. Ядерный магнетизм. М.: Изд-во иностр. лит., 1963. С. 551

57. Кведер В.В., Осипьян Ю.А., Шалынин А.И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии. // ЖЭТФ, 1982. -Т. 2,-В. 8.-С. 699-714.

58. Франкевич Е.Л., Балабанов Е.И. Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле. // Письма в ЖЭТФ, 1965. Т. 1. - №6. - С.33-37.

59. Соколик И.А., Франкевич Е.А. Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах. // Успехи физических наук, 1973. Т. 111. С. 261-288.

60. Avakian P. Influence of magnetic fields on luminescence involving triplet excitons. "Pure Appl. Chem.", 1974. - V.37. - P.l-192324.

61. Пека Г.П. Физика поверхности полупроводников. Киев: изд. Киев, унта, 1967. - 186 с.

62. Жузе В.П., Пикус Г.Е., Сорокин О.В. Применение магнитоконцентраци-онного эффекта для исследования поверхности полупроводников . // Физика твердого тела, 1959. -Т.1. В.9. - С. 1420.

63. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. -392 с.

64. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. - 672 с.

65. Куракин С.И., Диамант Г.М. Колесников Л.В. Топография твердого продукта на поверхности монокристаллов азида серебра после термическогоразложения. // Изв. АН СССР, сер. неорг. материалы, 1990. Т. 26. - №7. - С. 1459-1462.

66. Куракин С.И. Кристаллографический аспект в изучение твердофазной реакции разложения азида серебра. // Тез. докл. 5 Всесоюзного совещания "Радиационные гетерогенные процессы". Кемерово, 1990. - С. 144145.

67. Зуев В.А., Саченко A.B., Толпыго К.Б. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Сов. Радио, 1977, С.7.

68. Загоруйко Н.В. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного поля на движение дислокаций в LiF. // Кристаллография, 1965.-Т.7.-В.2.-471.

69. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Перекалина Т.Н. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля. // Физика твердого тела, 1987. Т.29. - В.9. - С.467.

70. Головин Ю.И., Моргунов Р Б., Жуликов С.Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля. // Изв. АН серия физическая, 1997. Т.61. - №5. -С.965 - 971.

71. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах. // Изв. АН. Серия физическая, 1997. Т.61. - №5. - С. 850-859.

72. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl. // Письма в ЖЭТФ, 1993. Т.58. - N3. С.189 -192.

73. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память монокристаллов NaCl с дислокациями. // Физика твердого тела, 1993. Т.35. - №9. - С. 2882.

74. Головин Ю. И., Тютюнник A.B. Подвижность дислокаций и релаксационные явления в кристаллах NaCl, индуцированные переменным электрическим полем. // Изв. АН, сер. Физическая, 1996. Т.60. - №9. - С. 179-185.226

75. Головин Ю.А., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl. // Физика твердого тела, 1995. -Т.37. -№5. С. 1239.

76. Зуев Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. -Новосибирск. :Наука, 1990. 120 с.

77. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в монокристаллах алюминия. // Физика твердого тела, 1992. Т. 34. - №.1. - С. 155.

78. Альшиц В.И., Воска Р., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, Li, Fe, А1 в переменном магнитном поле. // Физика твердого тела, 1993. Т.35. В. 1. - С.70.

79. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Гектина Н.В., Лаврентьев Ф.Ф. Изучение магнитопластического эффекта в монокристаллах NaCl методом непрерывного травления. // Физика твердого тела, 1991. Т. 33. - В. 10. - С. 3001.

80. Никитенко В. И., Осипьян Ю.А. Влияние дислокаций на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов. // В сб. "Проблемы современной кристаллографии". М.: Наука, 1975. С. 239 - 261.

81. Ivanov F.I., Urban N.A. Mechanism of Photomechanical deformation of (3-lead azide whisker crystals. // Reactivity of Solids, 1986. V.l. - P. 165-170.

82. Иванов Ф.И., Лобова И.С., Назарова Г.В. Исследование сегнетоэлектри-ческих свойств кристаллов нитрата калия и азида свинца методом индуцируемого изгиба. // Изв. АН СССР, сер. Физика, 1990. Т.54. - №6. -С. 1180-1183.

83. Иванов Ф.И. О механизме электро и фотопластического эффектов в нитевидных кристаллах азидов серебра и свинца. // Сибирский хим. журнал, Изв. СО РАН, 1992. - В.5. - С. 125-133.

84. Иванов Ф.И. Развитие представлений о механизме разложения и инициирования детонации в азиде свинца при энергетических воздействиях. // Сибирский хим. журнал, Изв. СО РАН, 1992. В.4. - С. 139-146.227

85. Сергеев В.П., Зуев Л.Б. Влияние электрических импульсов на распределение дислокационных пробегов в кристаллах NaCl. // Кристаллография, 1985. -Т.30. -№1.- С. 195-197.

86. Уросовская A.A., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Макроскопический маг-нитопластический эффект в кристаллах NaCl и LiF. // Изв. АН, сер. Физическая, 1997. Т.6. - №5. - С. 937-940.

87. Алыдиц В.И., Даринская Е.В., Гектина Н.В., Лаврентьев Ф.Ф. Исследование магнитопластического эффекта в монокристалле цинка. // Кристаллография, 1990. Т.35. В.4. - С. 1014.

88. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле. // Изв. РАН. Серия физическая, 1996. Т.60. - №9. - С. 173 - 178.

89. Светашов A.A., Красников В.Л., Белозерова Э.П. Особенности размножения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах при совместном действии магнитного и ультразвукового полей. // Кристаллография, 1997.-Т.42.-№3.-С. 493 -498.

90. Давыдов В.Н., Несмелое С.Н. Изменение спектра поверхностных состояний Si SiC>2 - структур, стимулированные слабым магнитным полем. // Изв. вузов. Физика, 1997,- №8. С. 93 - 97.

91. Давыдов В.Н., Несмелое С.Н. Электрические свойства Si Si02 - систем после воздействия магнитного поля. // Изв. вузов. Физика, 1997. - №2. С. 62-66.

92. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д А. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах. // ФТТ, 1997.-Т.39. №4. С. 634-639.

93. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Головин Д.Ю. Долгоживу-щие состояния дефектов структуры в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсным магнитным полем. // Физика твердого тела, 1996. -Т.38. -№10. С. 3047-3049.228

94. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl. // Физика твердого тела, 1993. Т.35. - В. 5. - С.1387.

95. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Бадылевич М.В., Шмурак С.З. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl. // Физика твердого тела, 1997. Т.39. - №8. - С. 1389-1391.

96. Закис Ю.Р., Канторович Л.Н., Котомин Е.А. и др. / Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Рига, 1991. -С.382.

97. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Влияние постоянного магнитного поля на преодоление дислокациями короткодействующих препятствий в монокристаллах LiF. // ФТТ, 1997. Т.39. - №3. С. 495-498.

98. Молоцкий Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. -Л.: Наука, 1981.-234 с.

99. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Гос-техиздат, 1957. - 150 с

100. Тавгер В.А., Зайцев В.М. О магнитной симметрии кристаллов. // ЖЭТФ, 1956. Т.ЗО. -В.З. - С.567.

101. Дзялошинский И.Е. К вопросу о магнитоэлектрическом эффекте в антиферромагнетиках. //ЖЭТФ, 1959. Т.37. - С. 881.

102. Астров Д.Н. Магнитоэлектрический эффект в окиси хрома. /'/ ЖЭТФ, 1961. Т.40. - В.4. - С. 1035-1041.

103. Химическая энциклопедия. / Под ред. Кнунянца И.Л. М.: Изд. Советская энциклопедия, 1988. - Т. 1. - 623 с.

104. Краткая химическая энциклопедия. / Под ред. Кнунянца И.Л. М.: Изд. Советская энциклопедия, 1961. - Т. 1. - 1262 с.229

105. McLaren A.C., Rogers G.T. The optical and electrical properties of silver az-ide and their relation to its decomposition. //Proc. Roy. Soc. ,1957. V. 240. -P. 484-498.

106. Захаров Ю.А., Колесников Л.В., Черкашин A.E. Энергетика и природа энергетических зон азида серебра. // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1979. Т. 14. - №7. - С. 1283-1288.

107. Захаров Ю.А., Колесников J1.B., Черкашин А.Е., Баклыков С.П. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в азиде свинца. // Журнал оптика и спектроскопия, 1978. Т.45. - В.4. - С. 725-730.

108. Fox P.G. and Hutchinson R.W. Slow thermal decomposition. / In: Energetic materials. New York, Plenum Press, 1977. - V. 1. - P.251 -284.

109. Еордиенко А.Б., Журавлев Ю.Н., Поплавной A.C. Энергетическая зонная структура азида серебра (AgN3). // Изв. ВУЗов, физика, 1992. Т.35. -№2. - С.38-40.

110. Захаров Ю.А., Колесников J1.B., Черкашин А.Е., Кащеев C.B. Исследование методом внешней фотохимии азида серебра. // Изв. ВУЗов, физика, 1975. Т.44. - №6. - С.44-50.

111. Захаров Ю.А., Гасьмаев В.К., Колесников JI.B. О механизме процесса ядрообразования при термическом разложении азида серебра. // Журнал физической химии, 1976. Т. 50. - № 7. - С. 1669-1673.

112. Захаров Ю.А., Баклыков С.П. Процессы возбуждения и переноса электронов в азиде свинца. // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1979. -Т. 15. №12, - С.2146-2150.

113. Захаров Ю.А., Баклыков С.П., Шечков Г.Т. Точечные дефекты и ионная электропроводность в азиде свинца. // Изв. АН СССР, серия неорган, материалы, 1980. Т. 16. - №1. - С.62-67.

114. Захаров Ю.А., Еасьмаев В.К., Баклыков С.П, Морейнс Ю.Р. Ионный и электронно-дырочный токоперенос в азиде серебра. // Журнал физической химии, 1978. Т.52. - В.8, - С.2076-2078.230

115. Захаров Ю.А., Сидорин Ю.Ю, Кучме Е.В. Холловская подвижность носителей заряда в азиде серебра. // Изв. АН СССР, сер. Неорг. Материалы, 1979.-Т.15. №8. С. 1397-1401.

116. Сидорин Ю.Ю, Захаров Ю.А., Кучис Е.В Характер переноса носителей заряда в азиде серебра. / Кемеровский госуниверситет, 1981. деп. ВИНИТИ, №23 - 82 Деп.

117. Багал Л.И. Химия и технология инициирующих взрывчатых веществ. -М.: Машиностроение, 1975. 456 с.

118. Sidorin Yu.Yu., Zakharov Yu.A. The light stimulated charge carrier transfer in silver azide.//Phys. Stat. Sol., 1983. -(a) 80. -P. K157-K160.

119. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.-562 с.

120. Сидорин Ю.Ю. Явления переноса заряда в процессе термического разложения азида серебра. / В кн.: Кинетика и механизм реакций в твердых телах. Кемерово, КемГУ, 1982. - С. 147-150.

121. Крашенинин В.И., Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. Инжекционкые токи в некоторых азидах тяжелых металлов. // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1987. Т. 23. - №9. - С. 1567 - 1569.

122. Diamant G.M. , Saprykin А.Е. and Sidorin Yu.Yu. The effect of high hydrostatic pressure on the silver azide electrical conductivity. // Reactivity of Solids, 1989. №7. - С,- 375-381.

123. Сидорин Ю.Ю. Выявление локальных центров в AgN3. / В кн.: Химия твердого состояния. Кемерово, КемГУ, 1981. - С. 124-129.

124. Dedman A.J., Lewis T.J. Photoconductivity in a-lead azide crystals. // Trans. Faraday Soc., 1966.-V.62.-P.881-888.

125. Куракин С.И., Диамант Г.M., Пугачев В.M. Морфология кристаллов азида серебра, выращенных из гидрооксида аммония. // Изв. АН СССР , сер.неорган, материалы, 1990. Т.26. - №11,- С.2301-2304.

126. Иванов Ф.И., Лукин М.А., Назарова Г.В. Дислокационная структура и некоторые физико-химические свойства НК азидов тяжелых металлов. //231

127. Матер. 3 Всесоюз. конф."Нитевидные кристаллы для новой техники." -Воронеж, 1979.-С. 181-184.

128. Иванов Ф.И., Зуев Л.Б., Лукин М.А., Мальцев В.Д. О выращивании нитевидных кристаллов азидов серебра и свинца. // Кристаллография, 1983. -Т.28. -№1,- С. 194-196.

129. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. - 358 с.

130. Куракин С.И., Диамант Г.М., Колесников Л.В. Топография твердого продукта на поверхности монокристаллов азида серебра после термического разложения.//Изв. АН СССР, сер. неорг. материалы, 1990. Т.26. -№7.- С. 1459-1462.

131. Zakharov V., Krasheninin V., Kouzmina L., Zakharov Yu. The control of solid state decomposition of silver azide by noncontact electric field.//13th International simposium on the reactivity of solids, 1996. Hamburg. - 1-PO-164.

132. V.Zakharov, V.Krasheninin, L.Kouzmina, Yu.Zakharov. The control of solid state decomposition of silver azide by noncontact electric field. // Solid State Ionics. 1997. V. 101-103.-P. 161-164.

133. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей). М.-Л.: Гос-техиздат, 1949. - 500 с.

134. Картужанский А.Л., Крашенинин В.И., Кузьмина Л.В., Сталинин А.Ю. Полевое смещение промежуточных продуктов разложения азидов тяжелых металлов. // Письма в ЖТФ, 1993. Т. 19. - В. 16. - С.59-61.

135. Рябых С.М., Холодковская Н.В. Расслоение на реакционные зоны кристаллов инициирующих взрывчатых веществ в поле излучения. // Журнал физической химии, 1991. Т.65. - №6. - С. 1522-1528.232

136. Чибисов А.К., Захарова Г.В., Белоус В.М. Импульсный лазерный фотолиз эмульсионных микрокристаллов бромида серебра. // Журнал научной и прикладной фотографии, 1993. Т. 38. - №3. - С.62-66.

137. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Л'.: Изд. Химия, 1973.-576 с.

138. Тимашев С.Ф. О законе эволюции природных систем. // Журнал физической химии, 1994. Т.68. - №12. - С.2216-2223.

139. Кулаков A.B., Румянцев A.A. К теории фликкер-шума. // Журнал технической физики, 1980. Т.50. - №6. - С. 1304-1309.

140. Рябых С.М. Особенности кинетики радиационно-химического разложения азидов тяжелых металлов. // Химия высоких энергий, 1992. Т.26. -№1.- С.54-58.

141. Картужанский А.Л., Крашенинин В.И., Кузьмина Л.В., Сталинин А.Ю. Подвижность носителей заряда в азиде серебра. // Письма в ЖТФ, 1994. -Т.20. В.8. - С. 1-3.

142. Bowden F.Р., Мс Laren A.C. The explosion of silver azide in an electric field.//Proc. Roy. Soc., 1958. V.246. - P.197-199.

143. Савельев Г.Г. Влияние электрического и магнитного полей на термическое разложение твердых веществ. // Труды 1 конференции молодых ученых-химиков г. Томска. Изд.Томского ун-та. - 1970.- С. 71-73.233

144. Кабанов A.A., Зингель Е.М. Влияние электрического поля на термическое разложение твердых веществ. // Успехи химии, 1975. Т.44. - №7. -С.1194-1216.

145. Deren J. and Mania R. Influence of electric field on the thermal decomposition of silver oxalate. // Polonaise des seiences. Serie des seinces chimiques, 1973. Vol. 21. -№.5. -P. 343-431.

146. Лаптенков Б.К., Абруков С.А. Об особенностях термического разложения кристаллов перхлората аммония в электрическом поле. // В кн: Физика горения и методы ее исследования. Чебоксары. Чувашек, ун-т., 1979.-В.9.-С. 23-27.

147. Пожела Ю.К., Сталерайтис К.К. Особенности дрейфа электрон-дырочной плазмы в образцах конечной длины при наличии магнитного поля.//ФТП, 1980,- Т. 14. В.6. - С. 1240.

148. Крашенинин В.И., Захаров В.Ю., Кузьмина JI.B. Тепловой эффект при электрополевом разложении азида серебра. // Химическая физика, 1997. -Т. 16. -№5.-С. 96-99.

149. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. - 560 с.

150. Вонсовский C.B. Магнетизм. М.: Наука, 1971. - 1031 с.

151. Карлин Р. Магнетохимия. М.: Мир, 1989. - 400 с.

152. Иоффе А.Ф. Прохождение электричества через кристалл. / В кн. Избранные труды. Л.: Наука, 1974. - С. 153.

153. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. -463 с.

154. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М'.: Мир, 1988. - 606 с.

155. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М.: Наука, 1972. - 399 с.

156. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Кречетов А.Г., Сахарчук Ю.П. Кинетика пред-взрывной люминесценции азида серебра. // Тез. докл. Междун. Конф. "Физико-химические процессы в неорганических материалах". 4.1. Кемерово, 1998. -С. 85-86.