Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ПРОЦЕССЫ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АКТИВНЫМИ ГАЗАМИ И СОПУТСТВУЮЩИЕ ЭФФЕКТЫ.

1.1 Гетерогенные химические реакции, ответственные за электронное возбуждение полупроводников.

1.2 Структура поверхности полупроводников.

1.3 Поверхностные электронные состояния.

1.4 Адсорбция молекул на поверхности полупроводников.

1.5 Десорбция атомов.

1.6 Гетерогенная рекомбинация ат9мо&.,.,.,.

1.7 Возможные механизмы гетё^|р.щ^еакций на поверхности полупроводников.

1.8 Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников.

1.9 Динамический эффект гетерогенной химической реакции.

1.10 Методы исследования поверхности и процессов, происходящих на границе твердых тел и активных газов.

1.11 Постановка задачи.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ

ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Образцы.

2.3 Методика эксперимента.

ГЛАВА 3 ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ, ПОМЕЩЕННЫХ В СРЕДУ ДИССОЦИИРОВАННЫХ НА

РАДИКАЛЫ ГАЗОВ.

3

3.2 Радикалорекомбинационная люминесценция кристаллофосфора, помещенного в среду диссоциированного углекислого газа.54

3.3 Свечение люминофора гпБ-Си в среде диссоциированных паров воды.64

3.4 Вспышки РРЛ при импульсной модуляции концентрации радикалов.70

3.5 Влияние бомбардировки поверхности полупроводников заряженными частицами на скорость гетерогенной реакции Н+Н—>Нг и интенсивность, возбуждаемой ею радикалорекомбинационной люминесценции.72

3.6 Влияние ионизирующих облучений твердых тел заряженными частицами на адсорбцию и рекомбинацию радикалов и сопутствующие эффекты.84

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.87

ПРИЛОЖЕНИЕ А МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КИНЕТИКИ РАДИКАЛОРЕКОМБИНАЦИОШОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ.89

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ.97

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность проблемы. Процессы, протекающие на поверхности твердых тел в среде активных газов, широко используют в различных отраслях промышленности: на их основе созданы высокоэффективные, ресурсосберегающие и малоотходные технологии; они применяются в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых структур с заданными свойствами; в нефтехимической промышленности для крекинга нефти, синтеза полимеров, красителей, фармацевтических препаратов и т. д. Важной областью применения является также снижение уровня токсичности газовых выбросов промышленных предприятий и транспорта. Информацию, полученную при изучении этих процессов, трудно отнести к сфере интересов какой-либо одной области наук, ее изучают в рамках физики полупроводников, физической химии, плазмохимии, космического материаловедения, катализа и др. Эта информация представляет интерес не только с исследовательской точки зрения, но и с точки зрения дальнейшего практического применения возникающих явлений.

Изучение процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, способствует развитию современной микроэлектронной промышленности. Характеристики полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники в большинстве случаев целиком определяются поверхностными свойствами полупроводников. Неконтролируемые изменения этих свойств, связанные с воздействием окружающей среды, приводят к нестабильности в работе полупроводниковых приборов. Отсюда - высокий процент брака при их промышленном изготовлении. Исследование явлений, сопровождающих взаимодействие атомов и молекул газа с поверхностью полупроводников, - одна из задач микроэлектроники.

Поверхность полупроводника, помещенного в газовую среду - это та арена, на которой происходят адсорбционные и каталитические процессы. Большинство полупроводников является катализаторами химических реакций. В каталитических исследованиях с поверхностью полупроводников мы встречаемся чаще, чем это кажется на первый взгляд. Дело в том, что на многих металлах в большинстве случаев бывает "надет" полупроводниковый чехол (окисная пленка), так что процессы, которые, как кажется, протекают на поверхности металла в действительности протекают на поверхности полупроводника.

Существует много различных способов исследования как самих процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, так и поверхности твердых веществ в отдельности. Большую группу составляют методы, основанные на изучении явлений, возникающих при взаимодействие атомов и молекул с поверхностью. Эти явления сложны и многообразны, они сопровождаются перераспределением поверхностных химических связей, возникновением поверхностных электронных состояний, изменением поверхностных электронных зон, структурными перестройками. Возникающие при протекании гетерогенных химических реакций процессы адсорбции и десорбции, поверхностной диффузии молекул, люминесценции, эмиссии электронов и ионов и динамического эффекта реакции несут информацию о химическом составе, структуре и электронном спектре поверхности, о кинетике и механизме химических превращений и об активной газовой среде.

Регистрация этих и других явлений служит эффективным средством изучения процессов, происходящих на границе твердых тел и активных газов, что способствует решению научных и технологических задач в области получения веществ с заданными свойствами, выращивания тонких пленок, технологии микроэлектронных приборов и многих других.

Для контроля за состоянием поверхности твердых тел применяют методы дифракции электронов, регистрацию инфракрасных спектров, контроль за работой выхода и другие. Большинство из них имеют низкое временное разрешение или сопровождаются разрушением объекта исследования и поэтому не пригодны для непрерывного безынерционного контроля за изменением состояния поверхности.

В настоящее время накоплен значительный объем экспериментальных данных, полученных при исследовании взаимодействия активных газов с поверхностью полупроводников. Это работы по изучению радикалорекомбинаци-онной люминесценции (РРЛ) кристаллофосфоров, эмиссии заряженных частиц за счет энергии, выделяющейся при протекании поверхностных химических реакций, динамического эффекта гетерогенных реакций (ДЭР) и другие. Однако большинство экспериментальных данных получено в стационарных или в квазистационарных условиях. В литературе немногочисленны публикации, посвященные изучению нестационарных процессов. Практически отсутствуют данные по влиянию изменения состояния поверхности полупроводников на протекание поверхностных химических реакций и сопутствующие эффекты. Невелико также число работ, в которых с целью повышения достоверности полученных данных применена регистрация нескольких физических величин, характеризующих изучаемый процесс.

Целью работы - экспериментальное изучение влияния изменения состояния поверхности полупроводников под действием бомбардировки заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

- изучение механизмов гетерогенных химических реакций в нестационарных условиях при одновременном контроле за величиной динамического эффекта реакции Р(1:) (ДЭР), интенсивностью радикалорекомбинационной люминесценции 1(1) (РРЛ) и количеством адсорбируемого газа N(1);

- получение информации о каналах энерговыделения в ходе реакций;

- установление связи между адсорбционной способностью полупроводников и их каталитической активностью.

Научная новизна. Применен новый метод исследования механизмов электронного возбуждения полупроводников активными газами, состоящий в изучении влияния на поверхностные процессы изменения состояния их поверхности под действием бомбардировки активными частицами (электроны, ионы) или путем выдержки в химически активной газовой среде.

Впервые наблюдалась и изучена радикалорекомбинационная люминесценция (PPJI) кристаллофосфора ZnS-Cu, возбуждаемая диссоциированным углекислым газом. Установлено, что предварительная обработка этого люминофора атомарным водородом обеспечивает его свечение в среде диссоциированного углекислого газа.

Установлено три типа адсорбционных состояний радикалов Н, О и СО на поверхности твердых тел, отличающихся энергией связи, ответственных за: "прочную" связь (необратимую адсорбцию), "слабую" связь (обратимую адсорбцию) и состояние физической адсорбции (precursor state), заполнение которых определяет изменение со временем скорости поверхностной реакции и интенсивности радикалорекомбинационной люминесценции.

Установлено, что предварительная хемосорбция радикалов О и СО вызывает тушение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфора ZnS-Cu в среде атомарного водорода.

Обнаружено: в результате выдержки сульфида цинка в среде диссоциированного углекислого газа происходит изменение динамического эффекта гетерогенной реакции рекомбинации радикалов О и СО, не связанное с изменением ее скорости и обусловленное изменением состояния поверхности ZnS-Cu.

Установлено, что бомбардировка твердых тел электронами и ионами плазмы сопровождается конкуренцией двух процессов: распылением кристаллов и необратимым поглощением кристаллами частиц газовой среды, при этом распыление твердых тел сопровождается увеличением адсорбционной способности твердых тел по отношению к радикалам и молекулам газа.

Обнаружено: в случае больших концентраций радикалов в газовой среде (п»1014 см"3) скорость рекомбинации радикалов на поверхности твердых тел (ZnS, А120з, Ni), помещенных в среду диссоциированных газов (водорода, кислорода, углекислого газа), не зависит от концентраций "слабо" (обратимо) и "прочно" (необратимо) адсорбированных радикалов, что обусловлено участием в гетерогенной реакции физически адсорбированных радикалов с малым временем жизни на поверхности.

Установлено, что взаимодействие атомарного водорода с адсорбированными на поверхности твердых тел ZnO, А120з, N1) радикалами О и СО сопровождается выбросами адсорбированного вещества с поверхности.

После облучения фтористого лития пучком электронов с энергией 200 кэВ и образования центров окраски в объеме кристаллов наблюдалось увеличение скорости распыления кристаллов ПБ атомарным водородом на два порядка по сравнению с контрольными необлученными образцами ОБ.

Достоверность полученных результатов. Особое внимание при проведении экспериментов уделялось защите средств измерения от воздействия электромагнитных полей. Применялись химические средства очистки и пассивация стенок реактора и разрядной трубки. С целью оценки времени установления стационарного потока активных частиц, модуляция которого использовалась при изучении нестационарных поверхностных процессов, с помощью фотоумножителя регистрировалась кинетика зажигания и гашения газового высокочастотного разряда - источника активных частиц. Длительность возникающих при этом переходных процессов (0,1 с) совпала с длительностью разгорания РРЛ и длительностью установления квазистационарных значений ДЭР.

Объектами исследования служили вещества, состав которых был определен с точностью до 1-Ю"4 весового процента. Большое внимание уделялось очистке используемых газов. Отсутствие примесей в используемых газах контролировали по спектру свечения ВЧ разряда в газе. Отсутствие необратимой адсорбции примесных молекул газа контролировали также с помощью пьезорезо-нансных кварцевых весов и по спектрам РРЛ кристаллофосфора 2п8-Си. С целью проверки экспериментальных данных проводили "холостые" опыты, в которых образцы не наносили на датчики. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых кинетических кривых адсорбции N(0, ДЭР Р(Ч) и интенсивности РРЛ 1(1). В ряде случаев полученные результаты согласуются с экспериментальными результатами других авторов. Полученные экспериментальные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Практическая значимость. Применение метода исследований механизмов электронного возбуждения полупроводников активными газами, состоящего в изучении влияния их бомбардировки заряженными частицами с целью изменения состояния поверхности твердых тел на поверхностные явления в среде активных газов, позволяет получить более полную информацию о механизмах этих явлений, а также о физических и химических процессах с участием газовых частиц, захваченных поверхностью в короткоживущие квантовые состояния. Эта информация способствует развитию представлений о процессах, происходящих на границе полупроводников и активных газов.

Защищаемые положения.

1. Предварительная обработка люминофора 2п8-Си атомарным водородом приводит к увеличению на два порядка интенсивности радикалорекомби-национной люминесценции (РРЛ) и величины динамического эффекта реакции (ДЭР) в среде диссоциированного углекислого газа.

2. Адсорбция продуктов диссоциации газов СО2 и О2 на поверхности люминофора 7п8-Си приводит к уменьшению интенсивности радикалорекомби-национной люминесценции кристаллофосфора гпБ-Си в среде атомарного водорода и подавлению ее послесвечения, а также к уменьшению динамического эффекта реакции рекомбинации атомов водорода.

3. Изменение концентраций "слабо" (обратимо) адсорбированных и "прочно" (необратимо) адсорбированных радикалов Н или СО, О не влияет на скорость соответствующих гетерогенных реакций Н+Н—>Н2 или 0+С0-»С02, 0+0-Ю2, протекающих на поверхности сульфида цинка и никеля в среде диссоциированных водорода или углекислого газа, в связи с доминированием канала реакции с участием физически адсорбированных радикалов (при п«1014 см"3).

4. Взаимодействие атомарного водорода с адсорбированными на поверхности твердых тел ХпО, А1203, №) частицами О, СО, 02 сопровождается выбросами адсорбированного вещества с поверхности.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 102 страницах, иллюстрируется 25 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения, приложения и списка используемой литературы, включающего 84 наименования.

Выводы. Для объяснения полученных экспериментально результатов (начальный пик на кинетической кривой интенсивности электронного возбуждения полупроводников 1(1) и заполнение поверхности хемосорбированными атомами п2(1;)) может быть использована модель, в которой учитывается увеличение вероятности десорбции физически адсорбированных атомов при увеличении концентрации хемосорбированных атомов. Установлено, что с ростом к7 уменьшается степень заполнения поверхности физически адсорбированными атомами п^),

93 увеличивается концентрация хемосорбированных атомов п2(1;), на кривых 1(1) и 1(1) появляется начальный пик, уменьшаются стационарные значения интенсивности РРЛ и скорости рекомбинации атомов, поскольку интенсивность РРЛ и скорость реакции определяется концентрацией физически адсорбированных атомов.

Рисунок А2 - Вычисленные с помощью уравнений (А1) с использованием параметров (А2) теоретические кинетические кривые интенсивности РРЛ 1(1) -11 и концентрации хемосорбированных атомов п2(1:) - 1

96

Рисунок АЗ - Вычисленные с помощью уравнений (А1) с использованием параметров (А2) теоретические кинетические кривые интенсивности РРЛ 1(1) -1Ь 2ь 3] и концентрации хемосорбированных атомов г^) - 1, 2, 3. 1ь 1 - к7=0, 2Ь 2-к7=1-107, Зь 3 - к7=1-108

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Применен новый метод исследования механизмов электронного возбуждения полупроводников активными газами, состоящий в изучении влияния на поверхностные процессы изменения состояния их поверхности под действием бомбардировки заряженными частицами (электроны, ионы), либо путем их выдержки в химически активной газовой среде.

2. Впервые наблюдалась и изучена радикалорекомбинационная люминесценция люминофора 2п8-Си, возбуждаемая диссоциированным углекислым газом. Установлено, что предварительная обработка этого люминофора атомарным водородом обеспечивает его свечение в среде диссоциированного углекислого газа.

3. Скорость рекомбинации радикалов на поверхности твердых тел ^пЭ, №, А120з), помещенных в среду диссоциированного углекислого газа, не зависит от концентраций "прочно" и "слабо" хемосорбированных радикалов СО и О. Причина каталитического ускорения твердыми телами реакции рекомбинации радикалов, содержащихся в диссоциированном углекислом газе, состоит в захвате налетающих из газовой среды радикалов в состояние физической адсорбции, что обеспечивает увеличение эффективного сечения реакции.

4. Установлено тушение радикалорекомбинационной люминесценции люминофора 2п8-Си в среде атомарного водорода предварительно адсорбированными радикалами О и СО.

5. На примере рекомбинации на поверхности сульфида цинка радикалов, поступающих из среды диссоциированного углекислого газа, обнаружено изменение динамического эффекта гетерогенной реакции, не связанное с изменением ее скорости, а обусловленное изменением состояния поверхности твердого тела.

6. Взаимодействие атомарного водорода с адсорбированными из среды диссоциированного кислорода или диссоциированного углекислого газа на поверхности твердых тел (гпБ, 7пО, А1203, N1) соответственно радикалами О или О и СО сопровождается выбросами адсорбированного вещества с поверхности.

88

7. Установлено три типа адсорбционных состояний радикалов Н, О и СО на поверхности твердых тел, отличающихся энергией связи, ответственных за: "прочную" связь (необратимую адсорбцию), "слабую" связь (обратимую адсорбцию) и состояние физической адсорбции (precursor state), заполнение которых определяет изменение со временем скорости поверхностной реакции и интенсивности радикалорекомбинационной люминесценции.

8. После облучения фтористого лития пучком электронов с энергией 200 кэВ и образования дефектов окраски в объеме кристаллов наблюдалось увеличение скорости распыления твердого тела атомарным водородом на два порядка по сравнению с контрольными необлученными образцами LiF

9. Построена математическая модель гетерогенной реакции Н+Н->Н2, в которой учитывается увеличение вероятности десорбции физически адсорбированных атомов водорода при увеличении концентрации хемосорбированных атомов Н. Модель описывает полученные в опытах кинетические кривые интенсивности PPJT I(t) и концентрации хемосорбированных атомов N(t).

1. Волькенштейн Ф. Ф. Физика-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973. 399 с.

2. Харламов В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. - 207 с.

3. Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, 1999.-284 с, ил.

4. Киселев В. Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979.

5. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела Химическая физика поверхности твердого тела: Пер. с англ. А. Я. Шульмана под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. -М.: Мир, 1980.

6. Теория хемосорбции. Под редакцией Дж. Смита. М.: Мир, 1983.

7. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1989. - 440 с.

8. Жданов В. П. Скорость химической реакции. М.: Наука, 1986.

9. Жданов В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. -Новосибирск: Наука, 1988.

10. Птушинский Ю. Г., Чуйков Б. А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов//Поверхность. 1992. № 9. С. 5-26.

11. И. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24.; N 5. С. 23-27.

12. Яблонский Г. С., Быков В. И., Елохин В. И. Кинетика модельных реакций гетерогенного катализа. Новосибирск: Наука. 1984.

13. Гранкин В. П. // Ж. прикл. спектроскопии. 1996. Т. 63. № 3. С. 444-451.

14. Гранкин В. П., Тюрин Ю. И. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. № 4. С. 608 -612.

15. Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В., Тюрин Ю. И. // Журн. физ. химии. 1996. Т. 70. №. 10. С. 1863 1868.

16. Kharlamov V. F. // React. Kinet. Catal. Lett. 1987/ № 33. P. 43.

17. Харламов В. Ф. //Хим. физика. 1991. Т. 10. № 8. С. 1084.

18. Харламов В. Ф. // Журн. физ. химии. 1997. Т. 71. N 4. С 678.

19. Харламов В. Ф., Лисецкий В. Н., Иващук О. А. // Журн. физ. химии. 1998. Т. 72. N2. С. 298.

20. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. N 3. С. 54-59.

21. Kharlamov V. F., Izmailov Sh. L., Vasilyev N. Ph. // React.Kinet. Catal. Lett. 1997. V. 60. Nl.P. 107

22. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M. Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1999, Т. 25, № 15, С. 27-32.

23. Мосин Ю. В. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы: Дис. канд. физ.-мат. наук. Курск., 1998. - 97 с.

24. Иващук О. А. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Курск., 1998.- 139 с.

25. Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В., Стыров В. В. // Ж. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. № 3. С. 210 214.

26. Тюрин Ю. И., Гранкин В. П. // Хим. физика. 1982. № Ц. С. 1529

27. Горбачев А. Ф., Стыров В. В., Толмачев В. М., Тюрин Ю. И. // ЖЭТФ. 1986. Т. 91. С. 172- 189.

28. Тюрин Ю. И. //Поверхность. 1986. № 9. С. 115 125.

29. Стыров В. В., Харламов В. Ф., Ягнова Л. И. // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. М.: Наука, 1972. С. 72 -73

30. Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20. № 4. С. 946 950.

31. ХарламовВ.Ф. //Поверхность. 1990. № 11. С. 151 -152.

32. Волькенштейн Ф. Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикалорекомби-национная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1973. - 399 с.

33. Харламов В. Ф. Механизм и интенсивность радикалорекомбинацион-ной люминесценции кристаллофосфоров // Ж. прикл. спектроскопии. 1987. Т 46. №3. С. 427-432.

34. Харламов В. Ф., Горбачев А. Ф., Клыков О. И. // Хим. физика. 1986. №5. С. 708-710.

35. Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. 2-е изд., пере-раб. и доп. - М.: Высш. шк., 1984. - 352 е., ил.

36. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 564 с.

37. Вилков Л. В. Физические методы исследования в химии. М.: Высшая школа, 1989.

38. Барковский В. Ф., Горелик С. М., Городенцева Т. Б. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1972.

39. Экспериментальные методы химической кинетики. / Под ред. Эмануэля Н. М., Кузьмина М. Г. // Изд-во Московского университета, 1985.

40. Томас Дж. и др. Методы исследования катализаторов: Пер. с англ. / Под ред. Дж. Томаса., Р. Лемберта. М.: Мир, 1983. - 304 с.

41. Эткинс П. Физическая химия: Пер. с англ. К. П. Бутина. М.: Мир, 1980.-584 с.

42. Роберте М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл-газ. М.: Мир, 1981.

43. Жданов В. П. Скорость химической реакции. М.: Наука, 1986.

44. Жданов В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. -Новосибирск: Наука, 1988.

45. Бонч-Бруевич В. Л, Калашников С. Г. Физика полупроводников. Учеб пособие для вузов 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1990.-688 е., ил.

46. Стромберг А. Г., Семченко Д. П. Физическая химия. Под ред. А. Г. Стромберга. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1988. - 496 е., ил.

47. Ануфриев К. М., Харламов В. Ф., Разумов А. В. Быстродействующие весы с магнитным подвесом. // ПТЭ, 2000, № 1. С. 152 154.

48. Ануфриев К. М. Метод и средства контроля за нестационарными процессами, происходящими на поверхности твердых веществ в среде активных газов: Дис. канд. физ.-мат. наук. Орел., 2000. - 126 с.

49. Луке Г. Экспериментальные методы в неорганической химии: Пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой. М.: Мир, 1965.

50. Харламов В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Томск., 1976.- 177 с.

51. Харламов В. Ф. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1990.-31 с.

52. Новицкий П. В., Кноринг В. Г., Гутников В. С. Цифровые приборы с частотными датчиками. Л.: Энергия, 1970.

53. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В., Ануфриев К. М., Зло-ткин Е. А. Кинетика адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 5. С. 23 27.

54. Ануфриев К. М., Харламов В. Ф. // Приб. техн. эксперим. 2000. № 1. С. 152- 154.

55. Харламов В. Ф. //Поверхность. 1993. № 11. С. 122-126.

56. Черепнин Н. В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике. М.: Атомиздат, 1967. 408 с.

57. Каллир А., Ламберт Дж. / Возбужденные частицы в химической кинетике. М.: Мир, 1973. С. 214.

58. Харламов В. Ф. // Изв. вузов. Физика. 1977. № 2. С. 125.

59. Райзер Ю. П., Шнейдер М. Н., Яценко Н. А. Высокочастотный емкостной разряд. М.: Наука, 1995. 310 с.

60. Птушинский Ю. Г., Чуйков В. А. // Поверхность. 1992. № 9. С. 5-26.

61. Семенов Н. Н. Цепные реакции. М.: Наука, 1986. 686 с.

62. Stepanov В. Е., Tapilin V. М. // React. Kinet. Catal. Lett. 1976. V. 4. № 1. P. 1-5.

63. Гранкин В. П., Толмачева Н. Д., Тюрин Ю. И. // Журн. физ. химии. 1999. т. 73. №7. С. 1185-1190.

64. Крылов Р. В. Шуб Б. Р. Неравновесные процессы в катализе. М.: Химия, 1990. 288 с.

65. Бажин А. И., Малиненко Е. М. // Журн. физ. химии. 1976. Т. 50. № 7. С.1732-1734.

66. Измайлов Ш. Д., Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. Вып. 5. С. 1179.

67. Пинчук В. П, Корнич В. Г., Горбань А. Н. // Укр. физич. журнал. 1975. Т. 20. № 11. С. 1891.

68. Харламов В. Ф., Стыров. В. В. // Изв. вузов. Физика. 1975. № 5. С. 54.

69. Рубцов Н. М., Азатян В. В., Бородулин Р. Р. и др. // Хим. физика 1984. Т. 54. №2. С. 316.

70. Гранкин В. П., Стыров В. В., Тюрин Ю. И. // Журн. физ. химии. 1980. Т 54. №2. С. 316.

71. Игнахина М. А., Буравлев Ю. М., Горбань Э. М. // Поверхность. 1987. .№9. С. 141.

72. Измайлов Ш. JL, Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. № 5. С. 1183.

73. Измайлов Ш. Л., Харламов В. Ф. // Хим. физика. 1985. № 1. С. 148.

74. Kori М, Halpern В. L. // Chem. Phys. Lett. 1984. V. 110. № 3. P. 223.

75. Гранкин В. П., Толмачева Н. Д., Тюрин Ю. И. // Журн. физ. химии. 1996. Т 70. №9. С. 1652.

76. Гранкин В. П., Савинков Н. А., Стыров В. В. и др. // Журн. физ. химии. 1994. Т 68. № 11. С. 2032.

77. Харламов В. Ф., Стыров В. В., Ильин А. П. и др. // Изв. вузов. Физика. 1976. № 10. С. 42.

78. Харламов В. Ф, Криволапов Н. Н., Лисецкий В. Н. // Поверхность. 1990. № 3. С. 142.

79. Стыров В. В., Харламов В. Ф. // Изв. вузов. Физика. 1976. № 12. С. 138.