Воздействие быстрых электронов на объемный заряд в диэлектриках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.16 ВАК РФ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ . 2

ГЛАВА I. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ НА

03 В ДИЭЛЕКТРИКАХ НА ОСНОВЕ ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ И ИЗМЕНЕНИЯ КП И КОР ЭЛЕКТРОНОВ ПОЛЕМ 03.

1.1. Прохождение быстрых электронов в диэлектриках. . II

1.2. Расчет функций чувствительности коэффициентов прохождения и обратного рассеяния электронов. . 18

1.3. Феноменологическая модель формирования 03 в диэлектриках при воздействии быстрыми электронами .25

1.4. Воздействие быстрых электронов на в диэлектриках при равномерном облучении. 29

1.5. Воздействие быстрых электронов на при неравномерном облучении диэлектриков. 35

1.6. Влияние параметров лучка быстрых электронов на накопление в диэлектриках. . 43

1.7. Влияние в диэлектриках на КП и КОР быстрых электронов. 48

ВЫВОДЫ. 52

ГЛАВА П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛШОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ

ЭЛЕКТРОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ 3-6 МэВ НА В ДИЭЛЕКТРИКАХ . 54

2.1. Методы исследования. Измерение эффекта поля в

КП бета-частиц . 56

2.2. Техника экспериментов по измерению эффекта поля в КП бета-частиц при воздействии на диэ

Стр. лектрики электронами с энергией от до МэВ. . 63

2.3. Исследование изменения эффекта поля в КП бета-частиц при равномерном облучении диэлектриков электронами с энергией 4-6 МэВ *.69

2.4. Анализ результатов экспериментов по равномерному заряжению диэлектриков электронами с энергией 4-6 МэВ. 78

2.5. Эффект поля в КП бета-частиц при неравномерном облучении диэлектриков электронами с энергией - 3,5 МэВ. 85

2.6. Электрическое поле в объеме диэлектрика и эффект поля при неравномерном облучении электронами с энергией 3-6 МэВ. SO

2.7. Изменение КП и КОР электронов под действием поля в диэлектриках цри воздействии электронами с энергией 3-6 МэВ. 96

ВЫВОДЫ.'.101

ГЛАВА Ш. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОНОВ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ НА В ДИЭЛЕКТРИКАХ . ЮЗ

3.1. Измерение эффекта поля в КОР бета-частиц. .

3.2. Техника экспериментов по измерению эффекта поля в диэлектриках, облучаемых электронами. . но

3.3. Эксперименты по равномерному воздействию электронов средних энергий на диэлектрики.ИЗ

3.4. Анализ результатов экспериментов по равномерному воздействию электронов средних энергий на диэлектрики.118

3.5. Эффект поля в КОР бета-частиц при неравномерном облучении диэлектриков.120

-{155/

VIУ стр.

3.6. Распределение поля в объеме мишени, воздействие поля на КОР и КП электронов и бета-частиц при неравномерном облучении диэлектриков . 124

3.7. Влияние на КП и КОР электронов средних энергий при облучении диэлектриков.129

ВЫВОДЫ.'.134

При воздействии быстрыми электронами (от 10 кэВ до 10 МэВ) на диэлектрики в объеме образуется заряд. Быстрые электроны влияют на объемный заряд (03) в диэлектриках посредством процессов термализации электронов и генерации пар зарядов в результате ионизации вещества. Поле объемного заряда, в свою очередь, воздействует на поток быстрых электронов: сокращается пробег электронов по сравнению с обычным [i, 2] , изменяются распределения термализованных электронов и потерянной энергии по глубине мишени [з], коэффициенты прохождения и обратного рассеяния [4] и другие функционалы потока электронов.

Процессы воздействия быстрых электронов на 03 и влияния поля

03 на прохождение электронов являются взаимосвязанными.

Данная работа посвящена исследованию воздействия быстрых электронов на объемный заряд в диэлектриках и изучению изменения коэффициентов прохождения (КП) и обратного рассеяния (КОР) электронов, обусловленного полем объемного заряда.

Существует ряд научно-технических проблем, для решения которых необходимы указанные исследования. В последнее время возникла проблема радиационного заряжения космических аппаратов, особенно, на геостационарных орбитах [?, 8], Электрические разряды, вызванные заряжением конструкционных диэлектрических материалов, приводят к отказам в работе систем космического аппарата [9, ю]. Большая часть спектра электронного излучения на геостационарных орбитах заключена в области средних энергий (10 * 250 кэВ) [п]. В связи с этим интенсивно исследуют воздействие электронов средних энергий на 03 в диэлектриках [l2 - 1б] и электрические разряды, возникающие в результате заражения [1б] . Изучение изменения Ы1 и КОР электронов представляет интерес при решении проблемы активной защиты космических аппаратов от ионизирующих излучений [l9, 20], при постановке радиационно-физических и радиационное химических исследований, для целей дозиметрии, при реализации радиационное ехнологическкх процессов, например, при обработке диэлектрических материалов электронным пучком [2l] . Эффекты объемного заряжения играют определяющую роль в работе детекторов прямой зарядки (для регистрации интенсивных потоков гамма и нейтронного излучения [22, 23] ), комптоновских диодов [24], атомных батарей зарядового типа [25] . Их необходимо учитывать при исследовании радиационно-стимулированных явлений в диэлектриках, таких как, . радиационная электропроводность [2б] , люминесценция, вторичная электронная эмиссия (в частности, при разработке вторично-эмиссионных детекторов заряженных частиц [27] , при создании приборов твердотельной электроники, предназначенных для работы в поле электронного излучения [28, 29]. Известно, что поле объемного заряда существенно влияет на протекание физико-химических процессов [зо]. Накопление объемного заряда в диэлектриках при воздействии электронами используют для создания электретов [31] , для изучения электрофизических свойств диэлектриков и механизмов электропереноса [32].

Последовательный подход в исследовании взаимодействия быстрых электронов с 03 в диэлектриках предполагает изучение прохождения электронов в диэлектрике при наличии электрического поля (без образования 03), изучение закономерностей формирования 03 в облучаемом электронами диэлектрике ( когда влияниемполя 03 на перенос электронов можно пренебречь), и, наконец, решение самосогласованной задачи взаимного влияния электронов и объемного заряда [зз]. Влияние электрического поля на перенос быстрых электронов в диэлектриках (без образования 03) исследовано в работах О.Б.Евдокимова и Б.А.Кононова с сотрудниками [34 -5- 38] , В.Ф.Баранова с сотрудниками [39], Смита [4о] и др. (см.библиографию в [33, 34] ). Изучено воздействие поля на угловые и энергетические распределения электронов, на распределения термализованных электронов и потерянной энергии [4l], на пробег электронов [4l] , коэффициенты прохождения и обратного рассеяния электронов и бета-частиц [35, Зб] и другие функционалы переноса [43, 44]. Полную информацию о влиянии поля на данный функционал переноса быстрых электронов содержит функция -чувствительности [34]. функции чувствительности КП и КОР моноэнергетических электронов измерены и рассчитаны в легких (Z =6,13) веществах для энергии электронов 0,4-1 МэВ [34] , для КОР тлеются данные для 50 * 100 кэВ £4 ]. Воздействие быстрых электронов на объемный заряд в диэлектриках исследовали Гросс [47 - 50] , Монтейз [5l] 0. Б.Евдокимов [52 - 54], Sypyra [55], В.В.Громов [57, 58] (при внутреннем облучении в бета-активных диэлектриках), А.И.Акишин [59, 60]и др. [б1 - 65] (см.библиографию в [33, 52, 57]). Экспериментальные исследования проводили, главным обрат зом, малоинформативным (в отношение 03) методом нестационарных токов [48] , который не позволяет судить о распределении 03. Наиболее полно накопление 03 исследовано для случая равномерного облучения (источник термализованных электронов и мощность поглощенной энергии постоянны по объему образца) методами радиационной диагностики электрических потенциалов [бб, 67] . Для случая неравномерного облучения мишени (источник термализованных электронов и мощность поглощенной энергии являются слошшми функциями координаты) данные по пространственному распределению 03 практически отсутствуют вследствие трудностей, связанных с измерением 03 в процессе облучения. Измерения распределения 03, проведенные более совершенными, чем токовый методами на стадии релаксации, после облучения диэлектриков электронами, обнаружили эффекты, связанные с расслоением 03, физическая природа которых является нетривиальной [бО, 68, 69]. Имеющиеся данные по формированию 03 при неравномерном облучении получены при ~ 293 К. Теоретическое описание формирования 03 в диэлектриках при воздействии быстрыми электронами рассмотрено в работах [49, 58, 61, 62, 70, 7l] с позиции радиационной электропроводности; в работах {51, 72] на основе учета микропроцессов (захват, освобождение, рекомбинация и др.); в работах [52, 53, 67, 73, 74] в рамках подхода, который выгодно отличается от предыдущих оптимальным количеством физических параметров модели. Взаимное влияние быстрых электронов и 03 в диэлектриках изучали экспериментально путем измерения сокращения пробега электронов, обусловленного полем 03 [i, 2, 75] , измерения профиля поглощенной энергии [з] и изменения КОР электронов с энергией 50 -75 кэБ при облучении диэлектриков [4]. В теоретическом плане рассмотрена динамика пробега электронов в диэлектриках [54] . Интерпретация экспериментальных данных по изменению КОР, или оценки изменения КП и КОР электронов при облучении диэлектриков отсутствовали, главным образом, в связи, с трудностями в определении распределения поля 03 в мишени при неравномерном воздействии электронами.

Целью данной работы является экспериментальное и теоретическое исследование воздействия быстрых электронов на 03 при неравномерном облучении диэлектриков в условиях различных температур и изучение закономерностей изменения КП и КОР электронов, вызванных 03.

Основными методами исследования являются: в экспериментальной части - методы экспериментальной ядерной шизики (измеряли относительное изменение КП и КОР бета-частиц в диэлектриках, облучаемых электронами); в теоретической - при исследовании переноса быстрых электронов и носителей заряда в диэлектриках использован метод кинетических уравнений , а также метод и результаты теории возмущении функционалов переноса быстрых электронов.

Полученные ниже результаты в качественном отношении применимы для электронов с энергией от 10 кэВ до 10 МэВ. Однако в связи с- отличиями во взаимодействии электронов, с веществом при энергиях десятки-сотни кэВ и свыше 2 МэВ (тормозная способность резко уменьшается с повышением энергии в первом случае и практически постоянна,несколько возрастает, - во втором) имеют место особенности формирования 03 при облучении электронами указанных энергий. Поэтому количественные результаты получены для двух диапазонов энергии: 100-250 кэВ и 3-6 МэВ. Основные закономерности, исследованные в работе, применимы к любым высокоомным материалам с неупорядоченной структурой (полимеры, стекла, керамика), эксперименты и расчеты проведены для полимерных диэлектриков: полиметилме-такрилата (ПММА), полистирола (ПС), полиэтилена (ПЭ), доли-капроамида (ПКА.), полиэтилентерефталата (ПЭТ©). Выбор материалов обусловлен широким использованием их в ускорительной, атомной и космической технике, а также возможностью применения методов исследования, в частности, внедрением нуклида в образец. Все исследования проведены нами для мишеней облучаемых в условиях короткозамкнутой цепи (поверхности образца покрыты электродами и заземлены).

Первая глава диссертации посвящена теоретическому исследованию воздействия электронов на 03 в диэлектриках и изучению эффекта поля 03 в КП и КОР электронов. Рассмотрены особенности взаимодействия электронов средних энергий с веществом, определяющие объемное заряжение. Исследовано влияние электрического поля на КП и КОР моноэнергетических электронов с энергией от 100 до 250 кэВ и от 3 до 6 МэВ (рассчитаны функции чувствительности). Воздействие быстрых электронов на 03 в диэлектриках при неравномерном облучении и различной температуре исследовано при помощи феноменологической модели, основу которой составляет модель,развитая в работах [76, 77, 52, 78]. В отличие от работы [78^ нами вало относительное влияние параметров пучка и температуры мишени на формирование 03. С учетом функций чувствительности и пространственного распределения поля 03 исследованы закономерности изменения КП и КОР электронов.

Во второй главе путем измерения эффекта поля 03 в КП бета— частиц в диэлектриках исследованы закономерности формирования 03 и изменения КП и КОР электронов в зависимости от параметров излучения и температуры (в диапазоне 180 * 293 К) для энергии электронов от 3 до 6 МэВ.

В третьей главе путем измерения эффекта поля 03 в КОР бета-частиц в диэлектриках исследовано изменение КП и КОР электронов и формирование 03 в зависимости от параметров цучка и геометрии облучения для энергии электронов от 80 до 150 кэВ.

К защите представлены:

1. Рассчитанные функции чувствительности КП и КОР моноэнергетических электронов с энергией 100-250 кэВ и 3-6 МэВ.

2. Феноменологическая модель формирования 03 в диэлектриках при рассмотрено неравномерное заряжение, в отличие неравномерном облучении их электронами в условиях различных температур мишени. Метод определения пространственного распределения поля в диэлектриках при неравномерном воздействии электронами, а именно: определение феноменологических параметров модели при равномерном облучении и расчеты поля с использованием этих параметров для случая неравномерного облучения.

3. Экспериментальные результаты по влиянию параметров пучка,геометрии облучения, температуры на эффект поля 03 в КП и КОР бета-частиц и электронов и на формирование 03 в диэлектриках при воздействии электронами с энергией 80 - 150 кэВ и 3 - 6 МэВ.

4. Результаты расчетов пространственных распределений поля 03 и эффектов поля 03 в КП и КОР бета-частиц и электронов в мишени при воздействии электронами с энергией 100-250 кэВ и 3 -.6 МэВ. —

Основные результаты по исследованию воздействия электронов средних энергий на 03 в диэлектриках и эффектов поля 03 в КП и КОР электронов состоят в следующем.

1. При равномерном облучении диэлектриков (ПММА, ПЭТФ) установлено; кинетика накопления 03 представляет собой гиперболический тангенс, в процессе накопления заряда реализуется режим ТОЗ, радиационная подвижность отрицательных носителей в обоих материалах зависит степенным образом от мощности поглощенной дозы. Показатели степени равны 0,24 для ПММА и 0,51 для ПЭТФ.

2. При неравномерном облучении диэлектриков электронами с энергией 80 -150 кэВ получено: эффект поля 03 в альбедо бета-частиц, КП и КОР электронов возрастает с насыщением в процессе облучения. Постоянная времени установления равновесного состояния уменьшается с возрастанием плотности тока лучка: эффект поля в альбедо бета-частиц Рт и ТЕ в стационарном состоянии возрастает с увеличением энергии (при d/R = const) и толщины мишени (при Ее, J. = const ); , эффект поля 03 в отражении бета-частиц возрастает степенным образом с плотностью тока пучка. Показатель степени равен 0,36 для ПММА и 0,25 для ПЭТФ. При равных условиях облучения и толщинах мишени (d/R ) эффект поля в ПММА выше, чем в ПЭТФ. В . процессе накопления 03 реализуется режим ТОЗ.

3. В процессе облучения имеет место перераспределение 03 в большей степени для больших толщин мишени, для диэлектриков с заряда практически однородное: увеличение толщины мишени при данных условиях облучения приводит к смещению плоскости нуболее высоким значением ^ . При распределение левого поля в стационарном состоянии в глубину образца тем больше, чем выше параметр 0 , начиная с d — 3 R 1 смещение плоскости нулевого поля незначительно. При этом поле у облучаемой поверхности возрастает, а у противоположной - понижается; изменение энергии и плотности тока не вызывает перераспределения поля в стационарном состоянии. С увеличением (при d/R = const ) и J- поле возрастает в каждой точке мишени степенным образом; рассчитанные эффекты поля бетат о частиц гт и I L в стационарном состоянии в зависимости от энергии, плоскости тока пучка, толщины мишени находятся в согласии с данными экспериментов, что указывает на применимость феноменологической модели в данных условиях облучения, метода расчета, объемных полей и эффектов поля при . неравномерном облучении.

4. Изучение ■ относительного изменения КП и КОР электронов с . энергией от 100 до 250 кэВ в ПММА и ПЭТФ показало, что зависимость эффектов поля от плотности тока представляет собой степенную функцию, показатель степени равен 0,35 - для ПММА и 0,26 - для ПЭТФ; эффекты поля в КП и КОР электронов возрастают с увеличением энергии электронов ( d/R — const ) и толщины мишени; эффекты поля имеют большее значение в Ml чем в ПЭТФ; рассчитанные значения эффекта поля в коэффициенте отражения электронов при Ее =75 кэВ согласуются с известными данными эксперимента [4].

- 136 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные научно-методические итоги работы состоят в следующем,

1. Предложен и реализован метод определения изменения КП и КОР электронов под действием поля 03 при облучении диэлектриков на основе соотношения, связывающего вариацию функционала переноса быстрых электронов с электрическим полем, полученного в теории возмущений функционалов переноса.

2. Для диапазонов энергии 100-250 кэВ и 3-6 МэВ исследованы функции чувствительности КП и КОР электронов, Функция чувствительности КОР электронов возрастает степенным образом с понижением энергии электронов, функция чувствительности КП при этом уменьшается в диапазоне 100-250 кэВ и практически постоянна при 3-6 МэВ. Последняя уменьшается по направлению от источника и выше для больших толщин мишени;

3. Предложена феноменологическая модель формирования 03 в диэлектриках в условиях неравномерного воздействия электронами при различной температуре мишени. В диэлектрике при меньшей энергии электронов и более низкой температуре накопление 03 происходит в режиме "ток объемного заряда", увеличение энергии или повышение температуры приводит к реализации режима "инжектированной плазмы" вследствие увеличения выхода генерированных излучением пар. В рамках модели рассмотрены закономерности формирования 03 при равномерном и неравномерном облучении в режимах ТОЗ и ИП в зависимости от параметров излучения и температуры: закон накопления, заряд в стационарном состоянии, эффективность накопления 03. При неравномерном облучении понижение температуры приводит к уменьшению полуширины распределения 03 в стационарном состоянии; плоскость нулевого поля смещается в глубину образца тем сильнее, чем выше параметры

1 и Р ; в режиме ИП в середине образца формщэуется слой положительного заряда; повышение плотности тока пучка не приводит к перераспределению 03, поле в каждой точке мишени возрастает степенным образом; повышение энергии электронов • (при d/R-const) также приводит к увеличению поля, зависимость носит степенной характер,

4. Эффект поля в КП и КОР электронов возрастает степенным образом с повышением плотности тока пучка, ш энергии электронов (при d/R-const ) , несмотря на то, что функция чувствительности КОР с увеличением энергии уменьшается; зависимость от энергии является более сильной для области энергий 100-250 кэВ, чем при 3-6 МэВ.

5. Предложен и реализован при энергии электронов 100-250 кэВ и

3-6 МэВ метод определения поля 03 в случае неравномерного облучения диэлектриков, а именно: при равномерном облучении определяли режим накопления и феноменологические параметры модели, при неравномерном - с учетом полученных данных, находили пространственное распределение поля 03.

6. Эксперименты по измерению эффекта поля 03 в КП бета-частиц при равномерном заряжении ПС, ПЭ, ПММА электронами с энергией

4-6 МэВ и неравномерном заряжении ПС и ПЭ электронами 3-3,5 МэВ в условиях низких температур показали, что в зависимости от параметра излучения и температуры накопление 03 происходит в режимах ТОЗ, ИП, или промежуточном; феноменологическая модель удовлетворительно описывает экспериментальные закономерности формирования 03. При неравномерном облучении это подтверждается сопоставлением измеренного распределения потенциалов 03 в процессе облучения с расчетным, а также согласием измеренных и рассчитанных зависимостей эффекта поля в КП бета-частиц от параметров цучка и температуры. При неравномерном облучении ПС и ПЭ установлено, что повышение плотности тока пучка и энергии электронов приводит к возрастанию поля 03 степенным образом, в ПС поле выше, так как подвижность электронов меньше. С понижением температуры плоскость нулевого поля в стационарном состоянии смещается от облучаемой поверхности, в большей степени для ПЭ, 03 возрастает вследствие уменьшения радиационной подвижности электронов.

7. При облучении ПС и ПЭ рассчитаны изменения КП и КОР электронов. Эффект поля в КП и КОР возрастает степенным образом с увеличением плотности тока пучка и энергии электронов при различной температуре мишени. Понижение температуры приводит к увеличению эффекта поля 03 и времени установления равновесного состояния.

8. При неравномерном облучении ПММА и ПКА экспериментально установлено, что в процессе облучения происходит расслоение 03. Эффект носит пороговый характер от величины максимального поля в образце,которое возрастает с понижением температуры.

9. Эксперименты по измерению эффекта поля 03 в КОР бета-частиц в диэлектриках, облучаемых электронами средних энергий, показали, что при равномерном воздействии электронами с энергией 150 кэВ экспериментальные результаты по заряжению ПММА и ПЭТФ (закон накопления 03, зависимость заряда в стационарном состоянии от объемной плотности тока) находятся в согласии с выводами феноменологической модели; в обоих материалах реализуется режим ТОЗ. Согласие измеренных и рассчитанных эффектов

447 п 204-™ поля 03 в КОР бета-частиц нуклидов Г/л и I L в зависимости от параметров пучка и толщины мишени говорит в пользу применимости феноменологической модели при неравномерном заряжении ПММА и ПЭТФ электронами средних энергии и подтверждает правильность расчетов объемных полей (закономерности раслределения поля 03 в зависимости от параметров пучка и толщины мишени).

10.Эффект поля 03 в КП и КОР электронов с энергией 100-250 кэВ в ПММА и ПЭТФ является степенной функцией плотности тока и энергии электронов, возрастает с увеличением толщины мишени и имеет большее значение в ПММА. Данные закономерности объясняются поведением поля 03 и функции чувствительности. В заключение автор благодарит научного руководителя профессора, доктора технических наук, зав.кафедрой ТПИ Б.А.Кононова за постановку задачи и постоянное внимание к работе; с.н.с., канд.физ.-мат.наук, зав.лабораторией НИИ электронной интроскопии Н.-И.Ягушкина за поддержку работы и весь коллектив каф.ЖЕ2 ТПИ. и отд.№5 НИИ Эй за помощь в работе и полезные обсуждения.

1. LacknerH., KohUergl., hlailoM., Production of large electrik fields in dielectrics , J. Afae.Phys.1965,K5G,20M.

2. Евдокимов О.Б., Ягушкин Н.И., Взаимодействие электронного пучка с объемным зарядом в диэлектриках, ФГТ, 1974, т. 16,с.564.

3. Harrah L, Stored Charge effects on electron dose-depth profiles in insulators, Appl. Phys.Lett.J970, yJ7r 421-423.

4. Сапожков Ю.И., Дергобузов К.A., Гусельников B.H. и др. Воздействие электрических полей на отражение электронов 20-100 кэВ, Изв. вузов. СССР. Сер.физ., 1983, J65,

5. Цетлин Б.Л., Зайцева Н.Г., Каргин В.А., О древовидных трещинах, развивающихся в плексигласе под действием электромагнитного излучения, Докл. АН СССР, 1957, т.ИЗ, с.380-382.

6. Деев Ю.С. и др. Механизм образования древовидных каналов в диэлектрике, облученном заряженными частицами, Атомная энергия, 1978, т.29, с.303.

7. Де Forest S.E., Spacecraft Charging- at Synchronous OMs, J. Geophysical Research, 1972, v. IT, 651-659.

8. Mc. PhersonD.ACauffman D.P., SchoSer W., Spacecraft Charging <*t hligh Altitudes, AIAA Pajber, 1975, 75- 92.

9. Rosen A., Spacecraft Charging-, environment-induced anomalies, J. Spacecraft and Rockets,1976, v. 15,129456.

10. Garrett H.B., Neutralizing charged-up spacecruft,JtEE Spectrum, 1981, v.18, p. ЧЧ-ЧТ.п. Singleg B.W., Vetle J.I., The АЕ-Ч Model of the Outer Radiation Zone Electron Environment, NSSDC 72-06, WAS A GoJdorn Space Right Center, 1972.

11. Frederichson A.R., Electric Fields in Irradiated Dielectrics spacecraft Charging Technology-i978, M4SA, 1919, 554.

12. Beers B.L., Radiation -Induced Signals in CaBEes-H, IEEE Trans, on Nuct ScL., 4977, NS-24, 2429.

13. Pityheret J.t Stro&ack H., Electrical Response of Irradiated Multilayer Structures, IEEE Tram, Nucl. ScL, 1976, NS-23, p. <886 4896.

14. Coakley P., fatterer P>.,Treadaway Charylnty and Discharging Characteristics of Dielectric Mat aria is exposed to lou-and Mid-Enercjifr Electrons,IEEE Trans, on Nucl. Set., №2,NS-29, />. 4659-4643,

15. Reefers R,B., balmain K.G., Tooo-Dimensional Electron Веят Charainej. Model for Poller Rims, IEEE Trans, on Nucl. Sci,f 4984, NS-28, f>. Ч5Ч7-Ч551.

16. Sessler G. H.; West J. E. 7 Severn И., Electron Seam method for detecting charge distribution in thin PET f.dms, J. Щ&. Phys4982f v. 53, f>. Ч320-Ч327.

17. Sessler 6Я, West J.E., Gerhard-Nulhaufi R., Sec^ernH. Nondestructive Laser Method for Measuring Charge fto-fils in Irradiated Polymer Films, IEEE Trans, on Nucl. S>ci.,№2,NS-29, p.4644-4649.

18. Труханов K.A., Рябов Т.Я., Морозов Д.Х. Активная защита космических кораблей, М., Атомиздат,1970, с.227.

19. Труханов К.А., Цетлин В.В., В сб.тез.докл. Всес.конф. по защите от ионизирующих излучений ядерно-технических установок, М., 1974, с.234.

20. Башенко Н.П., Физика и химия обработки материалов, М. 1968.

21. Дубовский Б.Г. и др. Детекторы для внутриреакторных измерений энерговыделения, М., Атомиздат, 1977.

22. Альбиков З.А., Веретенников А.И., Козлов О.В., Детекторы импульсного ионизирующего излучения, М., Атомиздат, 1978, с.52.24. )Емерев А.В. и др. В сб. Метрология ионизирующих излучений,- 144 -М,, Атомиздат, 1975, с.217.

23. Мительман М.Г., Ерофеев П.Е., Преобразование энергии коротко-живутцих радиоактивных изотопов, Атомная энергия, 1961, тЛОуС."}

24. Хорошеныеов Э.П., Филатов Н.И., К вопросу о методологии определения радиационной электропроводности диэлектриков, В сб. Вопросы атомной науки и техники, 1981, вып.1 (15), с.65.

25. Лорикян Н.П., Ковалов Р.Л., Трофинчук Н.Н., Исследование аномальной эмиссии при высоких энергиях, Письма в ЖЭТФ, 1972,т.16, с.320.

26. Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем. Под ред. Дж.Кирхнра, Р.Баумен, М., Атомиздат, 1967.

27. Бреховских С.М., Викторова Ю.Н., Ланда Л.М., Радиационные эффекты в стеклах, М., Энергоиздат, 1982.

28. Громов В.В., Влияние ионизирующих излучений на кинетику растворения твердых тел, М., Атомиздат, 1976.

29. Губкин А.Н., Электреты, М., Изд. Наука, 1978.32. 6rossB., GLacofriettc.A.i Charge storage in eiectron-irradiated dielectric7 IEEE Trcms.onNuclScL.,1 ЩMS-28,4515

30. Евдокимов О.Б., Квазистационарное взаимодействие быстрых электронов и объемного заряда в диэлектриках, Автореф. дисс. на соиск.учен.степени доктора физ.мат.наук. М., 1980 (МИ®).

31. Дергобузов К.А., Евдокимов О.Б., Кононов Б.А., Радиационная диагностика электрических потенциалов, М., Атомиздат, 1978.

32. Евдокимов О.Б., Некоторые общие вопросы переноса быстрых электронов. . Многократное рассеяние быстрых электронов в неоднородной пластине, Изв.вузов СССР. Сер. физ., 1973, № I, с.17.

33. Баранов В.-Ф., Дозиметрия электронного излучения, М., Атомиз-дат, 1974.

34. Smith R.C.j Wse of electron &acks>catterir\(fr for smoothing the discharge in electron ieam controlled la-sere, Ofifil. Phys. Lett., 1974, v. 257 No 5, /э/э. 29Z-2QG.

35. Евдокимов О.Б., Яловец А.П., Распределения термализованных электронов и поглощенной энергии в диэлектрических материалах, Химия высоких энергий, 1973, т.7, с.271.

36. Pages L, Bertei £., JoffreH.t Shtavenitis, L., Enerffrloss, гапуе, Srefnsstrahluh^ ijietd for 10-KeV to JOO-MeV electrons, At. Data, Y972, v.44 Notf р.Ч -127.

37. Альфа-бета-и гамма спектроскопия, вып.1. Под ред. К.Зигбана, перевод с англ., М., Атомиздат, 1969.

38. Евдокимов О.Б., Шевелев Г.Е., Яловец А.П., Влияние неоднородного электрического поля на выход комптоновских электроновиз диэлектрика, Изв.вузов СССР. Сер. физ., 1975, №8, с.156.

39. Евдокимов О.Б., Беретельник В.И., Рыжакова Н.К., Измерение распределения потенциала по выходу тормозного излучения Изв. вузов СССР. Сер.физ. ,1981, JS6, с.121.

40. Андреев О.В., Евдокимов О.Б. и др., Установка для зондирования электрических полей в диэлектрических пленках альбедным методом, ПТЭ, 1982, JS6, с.175-177.47. gross В., Irradiation effects in Soro&ilicate yiaa,

41. Phys. Rev., Y957, v.407, jb. 3CS-373.48. gross В., Dotu J., Л/аДОо S.K, C/ra^fe guild-ujb in electron- irradiated dielectrics, J, Ctf>f>l. Phys., 4973, У.ЧЦ, /3,2459-2463.

42. Gross В., Seller 6.M., IVest J.E., CAarftjre dynamics for electron irradiation polymer foils elect rets, J. dftl.Phys., 1974, v. 45, jo. 2841- 2851.

43. Afofles c/e Oliveira L, Bross В., S^ace-charge-limited currents in electron-irradiated dielectrics,j. a^l Phys., me, v. 46, /о. 3132 -зт.

44. MonteithL.K., Tracing and thermal release of irradiation electrons from polyethylene terefohthalatefilms, J. ap/oi. Phys1968, v. 37, /о. 2635-2639.

45. Евдокимов О.Б., в сб. Радиационная стойкость органических материалов, М., БИИТЭХИМ, 1979.

46. Евдокимов О.Б., Объемная высокоэнергетическая инжекция электронов в диэлектрики, Изв. вузов COOP. Сер.физ., 1976,ЖЗ,с.7.

47. Евдокимов О.Б., К теории ограничения тока пучка электронов, инжектируемых в высокоомный диэлектрик, Изв.вузов СССР.Сер. физ., 1976, 1Ю, с.124.

48. Furuta J., HirraokaEOkamoto SM Discharge figures in dielectrics ly irradiation, J. a/opt Phys., 1969,v. 57, 1873.

49. Яноши Л., Теория и практика обработки результатов измерений, перевод с англ., М., "Мир", 1965.

50. Громов В.В., Электрический заряд в облученных материалах,М., Энергоиздат, 1982.

51. Громов В.В., О величине электрического заряда радиоактивных препаратов, Атомная энергия, 1969, т.26, с.250.

52. Акишин А.И., Прокофьев И.П., Тютрин Ю.И. и др. "Влияние внедренного электрического заряда на некоторые свойства силикатных стекол, Изв.вузов СССР. Сер. физ.,1974, Ш, с.99-104.

53. Акишин А.И., Гончаров 10.С., Пашин А.Е., Цепляев Л.И., 0 распределении объемного заряда в силикатных стеклах после облучения электронами. Изв.вузов СССР. Сер.физ., 1977,}£5, с.127-- 129.

54. Matsuoka S., Sunaga hi, Tatnaaa R., Qccumulated dha-tcj& jorofile in /bofyethy fane, IEEE Us. Nud. Scz.t №в, 1Ш

55. ВегЩ В Л., Computer s emulation of charge dynamites in irradiated polymer $oih, 2 Qppl Physj979,v. 50, ЪЧЧТ.

56. Beers B.L., Ишапд H., Lin D.L., Pine V. W., Electron transport model of dielectric с harming,, Spacecraft Char-qinf Tech v.-1978, NASA CP ,1979, fo.209-2bB>.

57. Frederickson A.R., WoolfS., Electric fields in kqV electron irradiated polymers, IEEE Trans, on Nucl. Sc£., W2, NS-2Q, /). 2004- 2014.

58. Beers B.L, Pine V.W., Electron Seam charged dielectrics-internal charge distrilution, Spacecraft Charging Techn-ШО, NASA CP,№1, j*. 41-32.

59. Воробьев A.A., Гусельников B.H., Евдокимов О.Б., Накопление объемного заряда при равномерном облучении диэлектриков быстрыми электронами, Химия высоких энергий, 1974, т.8, с.428-432.

60. Евдокимов О.Б., Гусельников В.Н., Феноменологическая модель накопления объмного заряда в диэлектриках, облучаемых быстрыми электронами, Химия высоких энергий, 1974, т.8, с.423.

61. Евдокимов О.Б., Тубалов Н.П., Расслоение объемного заряда в диэлектриках, облучаемых быстрыми электронами, ФТТ, 1973,т.15, с.2804-2806.

62. Евдокимов О.Б., Орлов В.Л., Влияние толщины образцов на релаксацию зарядов в полиметилметакрилате, Изв.вузов СССР, Сер. физ., 1979, Н2, с.97.- 148

63. Gross В., Leal Ferreira B.F., Analytic solution for radiation induced charging. and discharging of dielectrics, J. Ct^L Phys., 197% v. 50, jo. 1506-15H.

64. Gross E>.,Faria R.M., Leal Ferreira G.R, Radiation induced conductivity in Teflon irradiatedx-rays, J CLfibl Phys.y198i,is. 52, jo. 571-577.

65. LaSonte К., Radiation induced charae dynamics in dielectrics, IEEE Trans, on Nuct1$cL,NS-2Q,

66. Евдокимов О.Б., Ягушкин Н.И., Накопление объемного зарядав диэлектриках при неоднородном облучении их быстрыми электронами, Изв.вузов СССР. Сер.физ. 1977. ДЕП.И008-77.

67. Евдокимов О.Б., Соловьев Ю.А., К феноменологической модели накопления объемного заряда при высокоэнергетической инжек-ции электронов в высокоомные материалы, Изв.вузов СССР, сер. физ., 1980, №5, с.96.

68. Евдокимов О.Б., Кононов Б.А., Ягушкин Н.И., Пробег быстрых электронов в диэлектрических материалах, Атомная энергия,1976, т.41, с.282-283.

69. Гусельников Б.Н., Динамика накопления объемного заряда в диэлектриках при облучении их быстрыми электронами, Автореф. дисс. на соиск.учен.степени канд.физ.мат.наук. Томск, 1973(ТШ

70. Язушкин Н.И., Динамика объемного заряда в диэлектриках при неоднородном облучении их быстрыми электронами, Автореф.дисс. на соиск.учен.степени канд.физ.мат.наук.Томск, 1975 (ТЛИ).

71. Соловьев Ю.А., Заряжение высокоомных диэлектриков при облучении их быстрыми электронами, Автореф.дисс.на соиск.учен.степени канд.физ.мат.наук. Свердловск,1980 (УПИ).

72. Gross В., West J.£., SeffiernM., Merely Д.У1.7 Time-dependent radiation induced conductivity, of- 149

73. Teflon foii, J. CLppf. Phys.,mo, v. 51, p.4875-4880.

74. Yadlocody E.J., Haxelton R.C., Parker L.W., Conduction processes in Kapton H irradiated By electron Seam, IEEE Trans, on Nud ScL,№3,NS-50,4071.

75. Frederickson АЯ., Charge deposition,bhotoconduction in irradiated structures,IEEE TramMucP. SeL,W5M-2272S.

76. Fredericks AX, Radiation induced current and conductivity in dielectrics,IEEE. Tnm.NucP. 2552.

77. Honteitfi L.K., Hauser J.H., Sjoace chame effects in Ln-suiatos, l.Qtft Phys., Ш, vM, jo. 5555-5565.

78. Евдокимов О.Б., Соловьев Ю.А., Язушкин Н.И., Дырков В.А. Влияние температуры на накопление объемного заряда в полимерах при высокоэнергетической инжекции, Изв.вузов СССР, Сер. физ., 1980, №6, с.62-65.

79. Дырков В.А., Воздействие быстрых электронов на объемный заряд в диэлектриках, Изв.вузов СССР. Сер.физ., 1983, Ml,с.125, №4455 83 ДЕЛ.

80. EvdofLimov 0., Yalovets Д., Calculation of electron transport in a slal, Nucl. and Enfn., 1974, V.55, p. 67.

81. Воробьев A.A., Кононов Б.А., Прохождение электронов через вещество, Томск, Изд.ТТУ, 1966.

82. Аккерман А.Ф., Никитушев Ю.М., Ботвин В. А., Решение методом Монте-Карло задач переноса быстрых электронов в веществе, Алма-Ата, Изд., "Наука", 1972.

83. Машкович В.П., Защита от ионизирующих излучений: Справочник, М., Энергоатомиздат, I982.

84. Комар А.П., Круглов С.П., Лопатин И.В., Измерение полной энергии пучков тормозного излучения от электронных ускорителей, Л., Изд. "Наука", 1972.- 150

85. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С., Вторичная электронная эмиссия, М., "Наука", 1969.

86. Kennedy. £., KohlSerU I., Commutation of electron transport in dielectrics? Trans. bmer.Nucl Soc.jg68,vHy407.

87. TaBata T, ItoR., An algorithm for the energy defo-siUon Su fast electrons, Nucf. Sa. and Епат.,э.226-259.

88. Марчук Г.И., Орлов В.В., К теории сопряженных функций. В кн. Нейтронная физика. М., Госатомиздат, 1961, с. 30.

89. Воробьев А.А., Завадовская Е.К., Электрическая прочность твердых диэлектриков, М., Гостехиздат, 1956.

90. Евдокимов О.Б., Некоторые общие вопросы переноса быстрых электронов Ш.' Многошаговый метод с обобщенным временем, Изв. вузов ССОР, Сер,физ., 1974, 1Ш, с.НО.

91. Шевелев Г.Е., Яловец А.П., Применение теории возмущений высших порядков к решению задачи переноса быстрых электронов в диэлектриках с внешним электрическим полем, Изв. вузов СССР, Сер. физ., 1978, НО, с.151-153.

92. Сичкарь В.П., Тютнев А.П., Радиационная проводимость полимерных диэлектриков. В сб. Обзоры по отдельным производствам химической промышленности, М., НИИ ТЭКИМ, 1976, вып.7 (97).

93. Тютнев А.П., Сичкарь В.П., Ванников А.В., Электронные процессы, индуцированные излучением в твердых органических системах, Успехи химии, 1981, т.50, с.977-1006.

94. ЮО.Вайсберг С.Э., Обратимые радиационные эффекты в полимерах, в кн. Радиационная химия полимеров, под.ред.В.А.Каргина, М., "Наука", 1973, с.376.

95. Акимов И.А., Черкасов 10.А., Черкашин М.И., Сенсибилизированный фотоэффект, М., "Наука", 1980, с.59-65.

96. Ю2.Дырков В.А., Евдокимов О.Б., Радиационно-стимулированное расслоение объемного заряда в шщзметилнетакрилате. Письма в ЮФ., 1982, т.8, сД427-1430.

97. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах, перевод с англ. под ред.Б.Т.Коломийца, т.Т, М., "Мир", 1982.

98. Роуз А., Основы теории фотопроводимости, перевод с англ. под ред. С.:М.Рывкша, М,, "Мир", 1966.

99. Ламперт М., Марк П. , йнжекционные токи в твердых телах, перевод с англ. под ред. С.М.Рывкйна, М., "Мир", 1973.

100. Худсон Д., Статистика да физиков, перевод с англ. под ред. Е.МДейкина, М., "Мир", 1970.

101. Франкевич E.I., Ионные и электронные процессы, происходящие в углеводородах в конденсированной фазе под действием из. лучения, Успехи химии, 1966, т.35, с.1161. 4 .

102. Ю8. Fouier З.Ё., X Ray induced conductivity ш Ln-SMisti materials,, Pros. КоЦ. Soc., 1956, 1/. p.464-480.

103. Frederick^ A.R., Radiation induced dielectric >charging, Proyr. Astr. hem., 1980, К 74,/о. 386-412. < 1

104. НО. Дырков В.А., Влияние поля объемного заряда на коэффициенты прохождения и обратного рассеяния электронов при воздействии на.диэлектрики, Изв.вузов СССР. Сер.физ., 1984, № г с. . .

105. Анго А.,. Математика для электро-и радиоинженеров, М."Наука", 1965.

106. DyrHovV.h, Evdoiimov ОЗ., hqushfan M.I., Sfxtce-c/wKje dynamics in dielectrics on irradiation with (est electrons,, Ы. Journ. Radial. Phys. Chem., 1984, v. 25,/). 551- 540. '

107. Розно А.Г., Громов B.B. , Акустическое зондирование объемного ■ электрического заряда в облучаемом диэлектрике, Химия высоких энергий, 1983, т.17, с.223-232.

108. Корниенко Е.В., Уваров В.Л., Савченко А.Н., Сафронов Б.Г., Поляриметрическое исследование профиля пространственного заряда в диэлектриках, в сб. Вопросы ат. науки и техн. Сер. Техн.физ. эксперимента, 1978, вып 1(1), с.55-57.

109. Протасюк Г.Н., Уваров В.Л., Генерация статических дипольных доменов в диэлектрике, Письма в ЖТФ, 1982, т.8, с.795.

110. Москалев В.А., Сергеев Г.И., Шестаков В.Г., Измерение параметров пучков заряженных частиц. М., Атомиздат, 1980.

111. Дырков В.А., Самойлик А.В., Ягушкин Н.И. Экспериментальное исследование формирования объемного заряда в диэлектриках при облучении электронами средних энергий, Изв.вузов СССР, физ., 1983, HI, с.125, М454-83 ДЕЛ.

112. Дырков В.А.,Евдокимов 0. Е., Накопление объемного заряда в полимерах при облучении быстрыми электронами, Журнал физической химии, 1984, т.58, II27-II30.