Вторичная эмиссия комплексных ионов примесь-матрица из легированного кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

Введение. ^

Глава 1ф Эмиссия комплексных ионов при бомбардировке твердых тел ионами средних энергий (обзор литературы). И

1.1. Основные представления о механизме вторичной ионной эмиссии атомарных ионов. Н

1.2. Экспериментальное исследование вторичной ионной эмиссии комплексных ионов. ^

1.3. Теоретические модели эмиссии комплексных ионов из твердого тела. 32.

1.4. Выводы и постановка^задачи.

Глава 2. Объекты исследования. Техника и методика экспериментальных исследований. ^

2.1. Выбор объектов исследования и способа измерения.

2.2. Аппаратура вторично-ионной масс-спектрометрии. ^

2.3. Разработка методики достоверной регистрации комплексных фрагментов вторичной ионной эмиссии.,

2.4. Контрольные измерения.

Глава 3. Экспериментальное исследование эмиссии комплексных ионов "примесь-матрица" из кремния.

3.1. Эмиссия ионов SinX при бомбардировке кремния ионаш неона.

3.2. Основные закономерности эмиссии комплексных ионов "приме сь-матрица". <S

3.3. Эмиссия отрицательных комплексных ионов.

3.4. Выводы из результатов экспериментальных исследований. т

Глава 4. Модель вторичной ионной эмиссии комплексных ионов "примесь-матрица". Н^

4.1. Механизм выхода комплексных ионов вида SinX .'Ilk

4.2. Факторы, влияющие на вероятность эмиссии комплексных ионов "примесь-матрица"./Й

4.3. Выводы из главы. .№

Глава 5. Некоторые возможности использования комплексных ионов во вторично-ионной масс-спектрометрии.

5.1. Использование комплексных ионов для снижения пределов обнаружения примесей. . ЙЗ

5.2. Разработка методики анализа фазовой неоднородности в кремнии, возникающей при легировании его примесями, методом ионной имплантации.

5.3. Выводы. 1G

Актуальность проблемы. Процессы, происходящие при, бомбардировке поверхности твердого тела ионами или атомами и называемые, обычно, вторичными процессами (легирование бомбардирующими частицами, дефектообразование, накопление и дальнейшая эволюция дефектов, эрозия поверхности твердого тела и возникновение потока вторичных частиц из твердого тела через поверхность) приобрели в современной науке и технике особое значение. С этими процессами связаны, например, так называемая проблема первой стенки ядерного реактора, проблема совершенствования материалов для электронной и металлургических промышленностей и тому подобное. В последнее время значительно возрос интерес к вторичным процессам, в частности к эмиссии вторичных частиц (ионов, электронов, фотонов) в связи с созданием на их основе методов диагностики (анализа свойств) поверхности, без которых немыслим прогресс в области фундаментальных и прикладных исследований физики твердого тела.

Одним из таких методов является метод вторично-ионной масс--спектрометрии, основанный на масс-спектральном анализе вторичных ионов, эмитируемых из поверхностных слоев мишени при бомбардировке её пучком ионов или атомов с энергией от единиц до десятков килоэлектровольт. Этот метод выгодно отличается от существующих методов диагностики поверхности благодаря целому ряду присущих ему свойств: высокая чувствительность определения примесей, возможность анализа всех без исключения элементов периодической системы, включая изотопы, сравнительная простота реализации послойного аналйза с высоким разрешением по глубине. Однако возможности применения метода вторично-ионной масс-спектро-метрии для решения практически важных задач физики поверхности в значительной степени определяются уровнем знаний о процессах,' происходящих при взаимодействии ускоренных ионов с твердым телом.

Подавляющее большинство теоретических и экспериментальных работ по вторично ионной эмиссии, выполненных у нас в стране и за рубежом, посвящены изучению закономерностей эмиссии атомарных ионов. Однако во вторично-ионном масс-спектре присутствуют фрагменты, содержащие десятки атомов мишени и имеющие массу, на два-три порядка, превосходящую массу бомбардирующих частиц. С точки зрения физики явления такие комплексы чрезвычайно интересны, поскольку представляют собой форму вещества промежуточную между атомарным и конденсированным в виде решетки твердого тела. В настоящее время эмиссия комплексных ионов является наименее изученной областью и поэтому исследование закономерностей эмиссии комплексных фрагментов представляет актуальную проблему в научном аспекте.

Проблема изучения вторичной ионной эмиссии комплексных ионов из кремния актуальна и в прикладном плане, так как легированный примесями кремний является одним из основных материалов, используемых в современном полупроводниковом производстве, и анализ распределения примесей необходим при создании новых и модернизации существующих полупроводниковых приборов. Поэтов понимание процессов, приводящих к эмиссии комплексных ионов, позволит на качественно новом уровне применять методику вторично-ионной масс-спектрометрии для решения практических проблем современной полупроводниковой технологии.

Целью работы являлось экспериментальное исследование закономерностей эмиссии комплексных ионов вида "примесь-матрица" из легированного кремния при бомбардировке его ионами средних энергий для развития модельных представлений о механизме образования комплексных вторичных ионов и изучения возможностей повышения эффективности методики вторичной масс-епектрометрии. t

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые проведено сравнительное систематическое исследование вторичной ионной эмиссии комплексных ионов вида "примесь-матрица" из кремния, легированного примесями методом ионной имплантации. Впервые для учета факторов, искажающих результаты измерения закономерностей вторичной эмиссии комплексных ионов применен методический прием, заключающийся в измерении тока вторичных ионов в процессе записи концентрационных профилей примесей по фрагментам, состоящим из атомов матрицы и примеси, и сопоставлении выходов комплексных ионов в максимуме имплантационного распределения.

2. Изучены особенности эмиссии ионов Si^X" » где А

- атом примеси ( X = S , № , С , N , р , , Sb , F , Се ), /г - натуральное число, при бомбардировке кремния ионами инертных газов, имеющих различные массы ( № , f)г , Кг > Хе ), и ионами химически активных элементов с разным характером электроотрицательности (кислород, цезий).

3. Установлено, что тенденция изменения выходов комплексных ионов при увеличении количества атомов кремния в комплексе определяется, в основном, положением примесного атома в периодической системе и в ряде случаев имеет немонотонный характер. Не обнаружено влияния энергии и плотности тока пучка первичных ионов на относительный выход ионов вида "примесь-матрица". Впервые установлено, что при увеличении массы первичных ионов относительный выход комплексных ионов уменьшается, когда

П< lia , где п0- количество атомов кремния в комплексе, имеющем наибольшую интенсивность в спектре вторичной ионной эмиссии, и увеличивается в случаях, когда /г?п0.

4. Сделан вывод на основе анализа экспериментальных результатов о преобладании механизма прямого выбивания в эмиссии комплексных ионов из легированного кремния. Предложена качественная модель механизма эмиссии комплексных ионов, предпола-гающаяя выбивание группы атомов, энергия связи между которыми выше их энергии связи со всей решеткой. Предложено эмпирическое выражение для определения состава комплексного иона с наибольшим ионным выходом, которое учитывает структуру валентных оболочек атомов кремния и примеси в основном состоянии.

5. На качественном уровне исходя из свойств полярных связей "примесь-матрица" интерпретированы основные закономерности выхода комплексных ионов Sl^K' . Показано, что влияние массы бомбардирующих частиц на относительный выход комплексных ионов связано с разной концентрацией первичных ионов в распыляемом I слое, которая изменяет прочность межатомных связей на поверхности мишени.

6. Разработан способ анализа фазовых неоднородностей в легированном кремнии, основанный на сопоставлении интенсивностей тока комплексных вида SiX и атомарных X ионов.

7. Разработан аналитический метод получения достоверных концентрационных профилей распределения примеси по глубине при распылении мишени стационарным пучком, имеющим достаточно произвольное распределение ионов ^io поперечному сечению, и измерении тока вторичных ионов со всего или части неоднородного по глубине кратера.

Практическая ценность работы. Совокупность установленных закономерностей выхода комплексных ионов с учетом предлагаемой модели эмиссии позволяет повысить эффективность использования методики вторично-ионной масс-спектрометрии для диагностики поверхности твердого тела. В частности, предложенное эмпирическое выражение позволяет a. priori выбирать комплексный фрагмент, имеющий максимальный ионный выход, в случаях когда затруднено или невозможно обнаружение примесей по атомарным ионам. Опубликованные в периодической литературе данные показывают справедливость разработанного подхода к выбору комплекса с максимальным выходом не только в случае легированного кремния, но и материалов иного элементного состава.

Показана перспективность совместного использования комплексных и атомарных ионов для анализа фазовых неоднородностей по глубине в тонких поверхностных слоях кремния, легированного примесями методом ионной имплантации.

Возможность использования для послойного анализа примеси стационарных пучков малых размеров позволяет улучшить локальанализ ность области распыления и проводить с учетом требований современного уровня микроминиатюризации полупроводникового производства.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Учет факторов, искажающих результаты послойного анализа, а также уровня фонового сигнала позволяет на ионно легированных образцах получать корректные значения тока вторичных комплексных ионов вида "примесь-матрица".

2. При бомбардировке легированного кремния ионами средних энергий наблюдается вторичная ионная эмиссия комплексных ионов вида Sl^X' , где п. = I * б, X - атом примеси. Тенденция изменения выходов ионов при увеличении количества атомов кремния в комплексе определяется химическими свойствами атома примеси и для ряда элементов имеет немонотонный характер. Для каждого примесного элемента X значения выходов ионов SC^X* » нормированные на выход комплекса, имеющего наибольшую интенсивность в спектре вторичной ионной эмиссии, зависят от массы и химической природы первичных ионов и практически не зависят от энергии и плотности тока первичного пучка в диапазонах значений, соответственно равных 1,4-14,5 кэВ и 0,04-2 А/м2.

3. Эмиссия комплексных ионов Sl„,X~ из кремния, легированного элементами X , происходит, в основном, по механизму прямого выбивания за счет разрыва наиболее слабых связей между ато-маш,шходшцишся в поверхностном слое мишени. Стабильность комплексных ионов является определяющим фактором процесса вторичной эмиссии и может быть качественно оценена из условия спаривания валентных электронов атомов матрицы и примеси. Влияние экспериментальных параметров на эмиссию ионов SitvX± связано со свойствами полярных связей "примесь-матрица".

4. Сопоставление интенсивностей тока комплексных SiX и атомарных X ионов позволяет судить об изменении фазового состава в тонких поверхностных слоях.

5. В случае стационарного бомбардирующего пучка и измерения сигнала со всего или части неоднородного по глубине кратера математическая обработка измеренной зависимости тока вторичных ионов от времени распыления позволяет исправить "эффект кратера" и подучить истинный концентрационный профиль примеси в образце.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на У1 Всесоюзной конференции по взаимодействию атомных частиц с твердым телом (Минск, 1981), XIX Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике (Ташкент, 1984), УП и УШ Всесоюзных конференциях по локальным рентгеноспектральным исследованиям и их применению (Черноголовка, 1979 и 1982), 1У Всесоюзном семинаре по вторичной ионной и ионно-фотонной эмиссии (Харьков, 1983), Республиканском совещании по диагностике поверхности ионными пучками (Донецк, 1983).

-ю

Публикации. По теме диссертации опубликовано 14 работ.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

I. Впервые для получения корректных данных относительно процесса эмиссии комплексных ионов вида "примесь-матрица" испо-i льзовано достоинство метода ионного легирования, позволяющего создавать распределение примеси в образце с параметрами, хорошо известными из теоретических расчетов.

2• Впервые проведено сравнительное систематическое исследование вторичной эмиссии положительных и отрицательных комплексных ионов состава Sin К » гДе ^ ~ атом кремния, X - атом примеси ( X = В , Ri , С , A/ , Р , /?£ , Sb ,F,Ce ), гь -натуральное число (/1=1 + 6) из кремния, легированного методом ионной имплантации• Изучены особенности эмиссии при бомбардировке мишени ионами инертных газов, имеющих различные массы ( А/е , fir , Кг , Хе ), и ионами химически активных элементов с разным характером электроотрицательности (кислород, цезий).

3. Установлено, что тенденция изменения выходов комплексных ионов вида &аХ при увеличении количества атомов кремния в комплексе определяется положением легирующего элемента в периодической таблице и для ряда элементов имеет немонотонный характер. Для каждого примесного элемента X значения выходов ионов

ScaX~ » нормированные на выход комплекса, имеющего наибольшую интенсивность в спектре вторичной ионной эмиссии, зависят от массы и химической природы первичных ионов и практически не зависят от энергии и плотности тока первичного пучка в диапазоне значений, соответственно равных 1,4-14,5 кэВ и 0,04-2 А/м2.

4. Получены экспериментальные доказательства того, что эмиссия комплексных ионов вида "примесь-матрица" из кремния происходит, в основном, за счет прямого выбивания группы атомов, энергия связи мевду которыми выше энергии их связи со всей решеткой.

Вероятность выхода зависит от стабильности комплексных фрагментов, которая качественно может быть оценена из условия спаривания валентных электронов атомов матрицы и примеси. Предложено эмпирическое выражение для вычисления состава комплексного иона с наибольшим ионным выходом которое учитывает электронную структуру атомов кремния и примеси в основном состоянии.

5. На качественном уровне, исходя из свойств полярных связей "примесь-матрица", интерпретированы основные закономерности эмиссии комплексных ионов вида SinX • В частности показано, что влияние на выход комплексных ионов массы бомбардирующих частиц связано с разной концентрацией этих частиц в распыляемом слое и их влиянием на прочность межатомных связей на поверхности мишени.

6. На примере 1фемния, легированного примесями методом ионной имплантации, показана эффективность использования комплексных ионов для снижения пределов обнаружения некоторых примесей методом ВШС, а также возможность анализа фазовых неоднородностей в тонких поверхностных слоях путем сопоставления интенсивностей тока комплексных и атомарных ионов.

7. Разработан аналитический метод получения достоверных концентрационных профилей распределения примеси при распылении мишени стационарным пучком, имеющим достаточно произвольное распределение ионов по поперечному сечению, и измерении тока вторичных ионов со всего или части неоднородного по глубине кратера.

ЗАКЛЮЧВНИЕ

Дальнейшее развитие исследований, выполненных в настоящей диссертационной работе, возможно в следующих направлениях.

I. С целью выявления общности установленных закономерностей исследовать ВИЗ КИ вида "примесь-матрица" из легированных материалов другого элементного состава. В первую очередь - это полупроводниковые мишени с ковалентным характером связи между атомами (например, германий), общие закономерности эмиссии комплексных ионов из которых можно ожидать аналогичными эмиссии ионов Si п.А из кремния.

С точки зрения механизма процесса особый интерес представляют полупроводники и Л2&6 , поскольку они состоят из элементов с разной электроотрицательностью и поэтому существует исходная ионная составляющая химической связи между атомами матрицы. Эффект дополнительной поляризации связей за счет примесных атомов в этих материалах будет зависеть не только от свойств легирующего элемента, но и от свойств атомов основы и поэтому закономерности эмиссии КИ вида "примесь-матрица" могут отличаться от установленных в настоящей работе. Многоэлементные полупроводники являются перспективными материалами в современной полупроводниковой технологии и совершенствование методических возможностей ВИМС в диагностике их поверхности является необходимым условием при разработке новых приборов на основе соединений , и т.д.

При изучении влияния типов связи в твердых телах на закономерности ВИЭ КИ вида "примесь-матрица" определенный интерес представляют материалы, связи в которых не могут быть обычного локализованного типа. В случае легированного металла следует, видимо, ожидать преобладание статистического механизма, поскольку из-за высокой степени делокализации связей вероятней всего отсутствуют группы атомов, энергия связи между которыми выше их энергии связи со всей решеткой.

2. Теоретические расчеты вероятности выхода комплексных ионов вида "примесь-матрица" не только будут хорошим дополнением к тем качественным представлениям, которые развиты в настоящей работе, но и несомненно, позволят сделать важный шаг на пути к более полному пониманию явления ВИЭ НИ. При этом как в теоретическом аспекте, так и в прикладном плане представляет интерес сопоставление вероятностей выхода атомарных примесных и комплексных вида "примесь-матрица" вторичных ионов. Очевидно, что механизмы выхода атомарных и комплексных ионов различны, тем не менее, возможно, существуют некоторые общие черты, которые позволят лучше понять оба этих процесса.

3. Важная информация о процессах на поверхности может быть получена при проведении комплексных исследований различными методами. Сопоставление результатов по ВИЭ КИ, данных ЭСХА и Оже--спектрометрии (ионной и электронной) позволит получить новые сведения о механизме эмиссии комплексных фрагментов, даст более полную информацию о влиянии связей между атомами на эмиссию комплексных ионов, будет способствовать дальнейшему совершенствованию методических возможностей ВИМС в диагностике поверхности.

В заключение автор выражает глубокую благодарность И.А.Аб-рояну и А.П.Коварскому за постоянную помощь при работе над диссертацией, а также сотрудникам ЛНПО "ПОЗИТРОН" В.К.Ярмаркину, Ю.Л.Данилюку, В.Н.Шпиневу, Н.Н.Коробкову, Ю.П.Костикову, Л.Н.Кры-жановскоцу и С.Е.Захаровой, внимание и советы которых очень помогли автору в процессе работы. Автор благодарен Б.Н.Седунову и Г.Е.Жихаревичу за любезно предоставленные образцы кремния, легированные примесями методом ионной имплантации.

1. Фогель Я.М. Вторичная ионная эмиссия. УШ, 1967, т.91, № I, с. 75-112.

2. Benninghoven A. Surface investigation of solids by the statical method of secondary ion mass spectroscopy. — Surf. Sci.,1973, v. 35, p. 427-457.

3. Beske H.E. Untersuchungen zur emission positiver secondarionen aus festen targets. Die brauchbarkeit der ianenbeschuss-ionen-quelle in der massen spelctroskopie.— Z. Naturforsch. A, 1967, v. 22, N 4, s. 429-467.

4. Hennequin J.—p. Distributions energetique et angulaire de1.'emission ionique secondaire. III. Distribution angulaire et rendements ioniques.- J.Phys., 1968, v.29, p.957-968.

5. Черепин В.Т., Васильев М.А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов.-Киев: Наук.Думка, 1975. 240 с.

6. Sigmund P. Theory of sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets. Phys. Hev., 1969, v.184, N 2, p. 383-416.

7. Васильев М.А. Современные представления о механизме вторичной ионной эмиссии.- В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы лекц. Всес.сем., Ужгород: Уж.ГУ, 1977, с.13-26.

8. Andersen С.A., Hinthorne J.R. Miermodynamic approach to the quantitative interpretation of sputtered ions mass spectra.— Anal. Chem., 1973, v.45, И 8, p.1421-1438.

9. Simons D.S, Beaker J.E., Evans O.A. Evaluation of the local thermal equilibrium model for quantitative secondary ion mass spectrometric analysis. — Anal. Chem.,1976, v.48, N 9,p. 1341-1348.

10. Rudenauer F.G., Steiger W. Quantitative evaluation of SIMS spectra using Saha-Eggert type equations.- vacuum, 1976, v.26, N 12, p.537-543.

11. Добрецов JI.H., Гомоюнова M.B. Эмиссионная электроника. -M.: Наука, 1966. 463 с.

12. Векслер В.И.Вторичная ионная эмиссия металлов.-М. :Наука,1978.

13. Werner H.W. theoretical and experimental aspects of secondary ion mass spectrometry. Vacuum., 1974, v.24, 1M 0, p. 493-504.

14. Joyes P., Oastaing R. Estimation- theoretique de 1J. importance de la pulverisation. G.R.Acad. Sci. B, 2966, v.263, И 5, p. B384-B387.

15. Blaise G., Slodzian G. Processus de formation dJions a partic dJatomes ejected-j dans des £tats 6lectroniques sur excites lors du ЪотЪагdement ionique des mStaux de transitions. — J.Physique, 1970, v.31, N 1, р.93-Ю7.

16. Blaise G., Slodzian G., Evolution des rendements de l.1 ^mission ionique des alliages avec la natur an solutS. Premiere par-tic: RSsultats exp&rimentaux.- J.Physique, 1974, v.35, Л" 3,p. 237-241.

17. Martin P.J., Bayly A.R., Mac Donald R.J. De-excitation processes near the surface of ion bombardment SiOg and Si. — Surf.Sei.,1976, v.60, I 2, p.349-364.

18. Sroubek Z. The theoretical and experimental study of the ionizations! processes during the low energy sputtering.—

19. Surf.Sol., 1974, v.44, p.47-53.

20. Schroeer J.M., Rhodin Т.Н., Bradley R.C. A quantumr-mechani— cal model for the ionization and excitation of atoms during sputtering.- Surf.Sci., 1973, v.34, Я 3, p.571-580.

21. Gries W.H., Rudenauer E.G. A quantitative model for the interpretation of secondary ion mass spectra of dilute alloys.— Int. j.Mass Spectrom. Ion Phys., v.18, H 2, p.111-127.

22. Slodzian G., Hennequin J.-P. Sur 3JEmission ionique secon-daire des m^taux en presence d1 oxygen.- C.R.Acad.Sci.D, 1966,v. 263, N 22, p.1246-1249.

23. Bennighoven A. Zum mechanismus der ionenbildung und ionenemi— ssion bei der festk&rperzerst&ubung. Z.Phys., 1969, v.220, N 2, p. 159-180.

24. Andersen G.A., Hinthorne J.R. Ion microprobe mass analyzes.— Science, 1972, v.175, N 4024, p.853-660.

25. Черепин В.Т. Ионный зонд.-Киев; Наук.думка, 1981. 325 с.

26. Вернер Г. Введение в вторично-ионную масс-спектрометршо.- В кн. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел/ Под ред. Л.Фирмэнса и др., М.: Мир, 1981, с.345-464.

27. Honig R.E. Sputtering of surface by positive ion "beam of lowenergy.- J.Appl. Phys.,1958, v.29, p.549-552.

28. Bradley R.C. Secondary positive ion emission from metal surfaces.- J.A£gl. Phys., 1959, v.30, H 1, p.1-7.

29. Bradley R.O., Ruedl E. Ions sputtered from copper. J.Appl. Phys., 1962, v.33, p«880-886.

30. Krohn V.E. Emission of negative ions from metals surfaces bombarded by positive cesium ions.— J.Appl.Phys.,1962, v.33,1. P.3523-3535

31. Staudenmaier G. Clusters sputtered from tungsten.- Rad.Eff., 1972, v.13, p.87—91.

32. Herzog R.F.K., Poschenrieder W.P., Satkiewicz F.G. Observation of clasters in a sputtering ion source.— Kad. Eff.,1973, v.18, n 3-4, p.199-205.

33. Зандберг Э.Я., Палеев В.И. Многоатомные отрицательные ионы углерода и некоторых его соединений. ЖТФ, 1972, т.42, в.4, с.851-854.

34. Дкемилев Н.2., Курбанов Р.Т. Вторичная эмиссия многоатомных ионов при бомбардировке меди ионами водорода.- В кн. взаимодействие атомных частиц с твердым телом.Материалы У Всес.конф. Минск: МРТИ, 1978, ч.1, с.172-175.

35. Feldman Ch., Satkiewicz F.G. The study of amorphous and crystalline silicon thin films by sputter-ion source mass spectrometry.- Thin Solid Films, 1972, v.12, N 2, p.217^222.

36. Joyes P., Leleyter M. Sur 1JEmission secondaire <L'ions mol6— culaires Li* a partir d*une cible de lithium.— G.E.Acad. Sci., 1972, v.13274, p.751-753.

37. Джемилев H.X,, Курбанов P.Т. Исследование растления меди в виде кластеров.- Изв. Ж СССР, Сер.физ., 1979, т.43, В 3, с.606-611.

38. Laurent Е., Slodzian G. Influence of temperature on the secondary ion emisson of a monocrystailine aluminium target.—Ead. Eff., 1973, v.19, p.181-186.

39. Morgan A.E. Werner H.W. Molecular versus atomic secondary inon emission from solids.- J.Chem.Phys.,1978, v.68, p.15-20.

40. Wittmaack K. Staudenmaier G. Diatomic versus atomic secondary-ion emission.- Appl. Phys. Lett.,1975, v.27, H 6, p.318-320.

41. Staudenmaier G. Angular dependence of cluster sputtered from a tungsten single crystal surface.- Bad.Eff., 1973, v.18,p.181-184.

42. Wittmaack K. On the mechanism of cluster emission in sputtering.- Phys. Lett., 1979, v.69A, n 5, p.322-325.

43. Hofer W.O., Martin P.J. On the influence of reactive gases on sputtering and secondary ion emission.- Appl.Phys., 1978, v. 16, p.271-278.

44. Blaise G., Slodzian G. Distribution 6nergetiques des Ion secondaires. Rev. Phys. Appl., 1973» v.8, p.105-108.

45. Dennis E., McDonald R.J. The energy spectra of sputtered ions.- Rad.Eff., 1972, v.13, p.243-245'

46. Henntquin J.—.?. Distributions 6nerg£tique et angulaire deliEmission ionique secondaire.- J. Phys., 1968, v. 29, p. 655-671.

47. Jurela Z. Energy distribution of secondary ions' from 15 poly-crystalline targets.- Bad. Eff., 1973, v.19, p.175-180.

48. Джемилев H.X., Курбанов P.T., Беккерман 'Д.Д. Энергетические спектры кластерных ионов, распыленных из медной мишени.-В кн.: Вторично-ионная и ионно-фотонная эмиссия. Тезисы докл.Всес. сем., Харьков: ЛУ, 1980, с.48-50.

49. Джемклев Н.Х., Верхотуров С.В., Савченко Н.С. Масс-спектраль-ный состав вторичной ионной эмиссии меди и серебра при бомбардировке ионами ксенона.- В кн.: Вторично-ионная и ионно-фонтон-ная эмиссия. Тезисы докл. 1У Все с. сем., Харьков:ХГУ,1983,с.27.

50. Танцырев Г.Д., Николаев Е.Н. Образование кластеров цри ионной бомбардировке пленок замороженных веществ. Письма ЖЭТФ,1971, т.13, в.9, с.473-477.

51. Werner H.W., DeGrefte Н.А.М., Van den Berg J. Fingerprintspectra in secondary ion mass spectrometry. — Advanc. Mass. Spectr., 1974, v.6, p.673-682.

52. Зандберг. З.Я., Палеев В.И. Эмиссия Отрицательных ионов из адсорбированных пленок при бомбардировке положительными ионами. - Химия высоких энергий, 1975, т.9, № 4, с.335-340.

53. Lancaster G.M., Honda P., Pukuda Y., Rabalais J.W. Secondary ion mass spectrometry of molecular solids. Cluster formation during ion bombardment of frozen water, benzene and cyclo-hexane.- J.Amer.Chemic. Soc.,1979, v.101, N 8,p.1951-1958.

54. Garrison B.J., Winograd N., Harrison D.E. Ejection of molecular clusters from ion bombarded surfaces.— J.Vac.Sci Techn., 1979, v.16, 5 2, p.789-792.

55. Leleyter M., Emission ionique secondaire et structure Electro-nique des petits agr^gats VCn.-J.Phys., 1981, v. 42, IT 8,p.1115-1128.

56. Joyes P., Leleyter M., Haureau A. Propri6t6s ^lectronique des agr^gats Or Ca et Pe Cn mises en evidence par spectrometries1. P Irde mass.- J.Phys. Lett.,1979, v.40, N 6, P.LI3I-LI35.

57. Leleyter M. Structure electronique et stabilites relatives des agregats SiCn (n 7) observes en spectrometric de masse.— J. Microsc. Spectrosc. Electron., 1982, v.7, N 3, p.221-234.

58. Танцырев Г.Д., Николаев Б.Н. О двух механизмах образования кластеров воды при ионной бомбардировке пленки льда. Докл. АН СССР, 1972, т.206, В I, с.151-154.

59. Джемилев Н.Х. Распыление металлических поверхностей в виде кластеров под действием ионной бомбардировки.- В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы докл.Всес.сем., Донецк, 1980, с.88-96.

60. Ganjei J.D., Colton E.J., Murday J.S. SIMS molecular cluster intensities of inorganic salts containing sulfur and nitrogen oxyanions.— Int.J.Mass.Spectrom. Ion Pbys., 1981, v.37, IT 1, p.49-65.

61. Джемилев H.X. ,Курбанов P.T., Расулов Д. Образование комплексных ионов под действием ионной бомбардировки границ раздела двух металлических мишеней.- В кн.: Симпозиум по взаимодействию твердого телаДашкент: ФАН, 1979, с.75-76.

62. Joyes P. On a mechanism of secondary emission of polyatomic particles.— J.Phys.B: Atom Molec.Phys., 1971, у.4,р.Ы5~Ы8.

63. Gerhard W. A model calculation of the neutral molecule emission Ъу sputtering processes. Z. Phys.B, 1975, v.22, p.31-39.

64. Битенский И.С., Парилио Э.С. О моделях прямого и статистического образования кластеров при распылении. 1ТФ, 1978, т.48, в.9, с.1941-1948.

65. Garrison B.J., Winograd Ж., Harrison D.E. Formation of small metal clusters by ion bombardment of single crystal surfaces.-J. Chem. Phys., 1978, v.69, IT 4, p.1440-1444.

66. Ktonnen G.P., Tip A., De Vi-ies A.E. On the energy distribution of sputtered clusters.- Bad. Eff.,1975, v.26, p.23-29.

67. КФппеп Gr.P., Tip A., De Vries A.E. On the energy distribution of sputtered dimers.- Rad.Eff., 1974, v.21, p.269-274.

68. Gerhard W., Oechsner H. Mass spectrometry of neutral molecules sputtered from poly crystalline metals by Ar -ions of 100-1 ООО eV. Z.Phys.B, 1975, v.22, p.41-48.

69. Joyes P. Alternations in the secondary emission of molecular ions from noble metals.-J.Phys.Chem. Solids.,1971, v.32, Л 6,p.1269-1275.

70. Битенский И.С., Парилис Э.С. Выбивание высокоэнергетических димеров с неидеаяьной поверхности монокристалла при ионной бомбардировке под скользящими углами.- В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками.Тезисы докл.Всес.сем. Донецк,1980.1. А Л д '

71. Sroubek Z., Zavad J., Zdansky К. Ionization of atomic clusters sputtered from Ti02 and SrTiO^. J.Vac.Sci.Technol., 1981,v.19, N 1, p.80-83«

72. Plog C., Wiedmann L., Benninghoven A. Empirical formular for the calculation of secondary ion yields from oxidized metal surfaces and metal oxides.- Surf. Sci.,1977, v.67, Ж2,р.5б5~-580.

73. Colton H.J., Barlak T.M. Wyatt J.H. DeCorpo J.J., Compana J.E On the fomation and emission of polyatomic secondary ions from metal salts.- J.Vac.Sci.Techn.,1982, v.20, Ж 3,p.421-422.

74. Буренков А.Ф.,Комаров Ф.Ф. .Кумахов M.A. Демкин M.M. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имгшантиро-ванных примесей. Минск: ЫУ, 1980.- 352 с.

75. Marrison G.HL, Slodzian G. Ion microscopy.-Ала1.СЬет., 1975» v.; 47, p.933A-943A.

76. Гуревич Г.М. Данилюк Ю.Л., Коварский А.П. Карусельный держатель образцов с магнитным цриводом вращения.-ПТЭ, 1976, № 3, с.153-154.

77. Чемякин Г.В. Трошихин А.Г. Источник положительных ионов цезия с поверхностной ионизацией.- Препринт Д-0306, I.: НИИ ЭФА, 1976. 24 с.

78. Гуревич Г.М., Данилюк Ю.А., Коварский А.П., Нинбург О.П. Схема изменения полярности напряжений систем питания источника ионов масс-спектрометра МИ 1305.-ПТЭД976,№3, с.267-268.

79. Мак-Хью И.А. Вторично-ионная масс-спектрометрия.- В кн.: Методы анализа поверхностей / Под ред.А.Зандерны. М.: Мир, 1979, с.464-541.

80. Hoffman D.W. A cratering analysis for quantitative depth profiling by ion beam sputtering.- Surf .Sci., 1975, v.50, H 1, p.29-52.

81. Гурьянов Г.М. Послойный микроанализ при использовании неоднородных по сечению ионных пучков.- Труды ЛЕИ, 1983, № 397, с.57-61.

82. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике.- М.,Наука, 1968.719 с.

83. Уорсинг А., Геффнер Дж. Методы обработки экспериментальных данных.-М.: ШГ, 1953,- 346 с.

84. Blanchard В., ffilleret П., Quoirin J.B. Application of ionic microanalysis to the determination of boron depth profiles in silicon and silica.- J.Radianal. Chem., 1972, v.12, N 1, p.85-91.

85. Croset M. Quantitative analysis of boron profiles in silicon using ion microprobe mass spectrometry.- J.Eadioanal.Chem., 1972, v.12, N 1, p.69-75.

86. Ishitani Т., Shimizu R. Computer simulation of atomic mixing during ion bombardment.- Appl.Phys., 1975, v.6, p.241-248.

87. McHugh J.A. Ion beam sputtering the effect of incident ion energy on atomic mixing in subsurface layers.- Bad.Eff.,1974, v.21, p.209-215.

88. Schulz F., Wittmaack K., Maul J. Implications in the use of secondary ion mass spectrometry to investigate impurity concentration profiles in solids.- Rad.Eff., 1973,v.18,p.211-215.

89. Hofer W.O., Martin P.-J. On the influence of reactive gases on sputtering and secondary ion emission.— Appl.Phys.,1978,v.16, p.271-278.

90. Inoue K., Hirao Т., Yaegashi Y, Takayanagi S. Asymetrical profiles of ion implanted phosphorus in silicon.- Jap. J. Appl. Phys., 1979, v.18, N 2, p.367-372.

91. Sadana D.K., Strathman M., Washburn J., Magee C.W., Mttenpfta

92. M., Booker G-.R. Effect on electrical properties of segragation of implanted P at defects siter in Si.—Appl. Phys. Lett., 1980, v.37, IT 17, p.615"618.

93. Гурьянов Г.М., Коварский А.П. Вторично-ионная масс-спектро-метрия кластерных ионов "примесь-матрща"-ЖТФ, 1983, т.53, В 7, c.I400-I402. .

94. Гурьянов Г.М. Вторично-ионная эмиссия комплексных ионов из кремния.- В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы докл. Респ.сов., Запорожье, 1983. с.24-25.

95. Гурьянов Г.М. Вторично-ионная эмиссия комплексных ионов "цримесь-матрица" из кремния, легированного ионной имплантацией.- В кн.: Вторичная ионная и ионно-фо тонная эмиссия. Тезисы докл.17 Всес.сем., Харьков: ХГУ, 1983, с.41-43.

96. Полинг I. Общая химия.- М.: Шф, 1974. 846 с.

97. Гимельфарб Ф.А., Коварский А.П., Ли А.Г., Орлов П.Б. Влияние реакционной эмиссии нарезультаты анализа поверхностных слоев твердых тел методом масс-спектрометрии вторичных ионов.-ЖАХ, 1980, т.35, №2, с.213-243.

98. Gibbons J. Ion implantation in semiconductors. Part II. Damage production and annealing.- PIEEE, 1972, v.60, N 9,p.1062-1097.

99. Coles J.N. A study of the feasibility of a surfacr plasma influencing secondary ion and photon emission under medium-energy ion bombardment.- Surf.Sci., 1979, v.79, p.549-574.

100. Плешивцев Н.В.Катодное распыление.-M.:Атомиздат,1968.-343c.

101. Коулсон Ч. Валентность. M.: Мир, 1965.- 426 с.

102. Щукарев С.А. Неорганическая химия. М.: Высшая школа,1970, ч.1. - 352 с.

103. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. Справочник/ Под ред.В.Н.Кондратьева.-М.: Наука, 1974. 351 с.

104. Турова Н.Я. Справочные таблицы по неорганической химии.-1.: Химия, 1977. 116 с.

105. Tsai J.С.С., Morabito J.M. Kie mechanism of simultaneousimplantation and sputtering by high energy oxygen ions during SIMS analysis.- Surf.Sci., 1974, v.44, p.247-252.

106. Хабердитцл В. Строение материи и химическая связь.-М.: Мир, 1974. 296 с.

107. Гуревич Г.М., Коварский А.П., Костиков Ю.П. Об использовании ионов цезия в масс-спектрометрии вторичных ионов для исследования диэлектриков.- ЖТФ, 1979, т.44, № 10, с.2226-2229.

108. СоГЬу В.П., Evans G.A. Spectral interferences in secondary ion mass spectrometry.- Appl. Spectr., 1973, v.27, N 4,p.274-279.

109. Williams P., Evans C.A. Depth profile detection limit of 3.101^ cm""-5 for As in Si using Cs+ bombardment negative secondary ion mass spectrometry.— Appl. Phys. bett.,1977,v.30, N11, p.559-561.

110. Hirao Т., Inoue K., Takayanagi S. She Concentration profiles of projectiles and recoiled nitrogen in Si after ion implantation through Siz films.- J.Appl.Phys, 1979, v.50, N 1, p. 193-201.

111. Ли А.Г., Лотоцкий А.Г., Орлов П.Б. Использование комплексных ионов для определения кислорода в нереакционноактив-ных материалах.- В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы докл.Всес.сем., Донецк, 1980, с.260-261.

112. Leta D.P., Morrison G-.H. Ion implanted standards'for secondary ion mass spectrometric determination of the 1a-7a group elements in semiconducting matrices.— Anal.Chem.,1980,v.52,n 3, p.514-519.

113. Вертопрахов B.M., Кутумов Б.М., Сальман Е.Г. Строение и свойства структур si sib2 - М.- Новосибирск: Наука, 1981. - с.

114. Попов В.Ф.,Ильинский П.С. Вторично-ионный масс-спектрометри-ческий анализ углерода в легированном кремнии.- В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы докл. Респ.сов.,

115. Смирнов Л.С. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1977. - 256 с.

116. Picraux S.I. Equilibrium phase formation by ion implantation.— In: Site characterization and aggregation implanted atoms mater. lect.HAlC Adv.Study Inst. Aleria.Uevr-York — bond on, 1980, p. 307-323.

117. Picraux S.T. Formation of nonequilibrium systems by ion imr-plantation.— In: Site characterization and aggregation implanted atoms mater, lect. HA.TC Adv. Study Inst., Aleria.

118. New-York — bond on, 1980, p. 325-337.

119. Ross К. Behaviour of high dose phosphorus implanted silicon.

120. Zentralinst kernforsih Rossendort Dresden, 1978, H" 360, v.1, p.133-141.

121. Гурьянов Г.М., Захарова С.Е., Коварский А.П. Неоднородность фазового состава слоев кремния, имплантированного фосфором^- В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы У1 Всес.конф., Минск, МРТИ, 1981, ч.2,с.58-60.

122. Борщев Ю.В., Петров А.А. Применение методов ИОС и ЭОС для послойного анализа ионно-имплантированных полупроводников.-В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы докл. Респ.сов., Запорожье, 1983, с.85-86.