Ядерный гамма-резонанс олова-119 в полупроводниках А IV B VI и в их твердых растворах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВИЛЬНЮССКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

МОТЕЮНАС СТАСИС ВЛАДОВИЧ

ЯДЕРНЫЙ ГАММА-РЕЗОНАНС ОЛОВА-119 В ПОЛУПРОВОДНИКАХ А^ВУ! И В ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ВИЛЬНЮС -1990

Работа выполнена в Институте Физики АН Лйтвы

Научные руководители: доктор физико-математических наук

К.Какарвнас

кандидат физико-математических наук Д.Балтрунас

Официальные опоненты: доктор физико-математических наук

профессор Й.Григас

доктор' физико-математических наук профессор Ю.Якимавичюс

Ведущая организация,- Ужгородский государственный университет

Защита состоится "V" 199</г.в , час. нг

заседании Специализированного Совета Д 061.01.02 при Бильнюсскхи Университете , 232054 Вилнис, Саулэтекио 9( корпус 3), Физически! Факультет

.С диссертацией -ыоено ознакомиться в Научной библиотек« Университета

/ t

Автореферат разослан " 4 и 19817 г.

Ученый секретарь специализированного совета '^Г^ С.Вянгрис

ОБЩАЯ ХАРА1СТЕРИСТИКА РАБОТЫ

" Актуальность работы. Соединения л1УвУГ относятся к группе узкозонных полупроводников н находят применения в разных областях науки и техники. Монохалькогениди олоза, свинца и гериания успешно используются п термоэлектрических устройствах. Коэффициент полезного действия ториогекораторов, созданных на их основе, достигает 102. Другая ванная область приионения соединений агув,/1 - создание лазеров, работающих о ин5ракрасиои диапазоне.

Практическая применимость данных чатериалов вызывает потребность в изучении их физических свойств. Заасной особенностьв .твердых растворов соединений л1УвУГ является то, что вирнной запрещенной , . зоны кохно легко управлять пеняя их состав или теипературу. При определенных условиях осуществляется инверсия валентной зоны и зоны проводимости. Особый интерес представляет исследования, фазовых переходов (они бывают нескольких типов). В полупроводниках ахуву1 удобно изучать механизмы легирования и состояние дефектов, поскольку б0л.>зинств0 кристаллов обладают кубической структурой.

Эффект Мёссбауэра - один из немногих прямых экспериментальных методов исследования твердых тел. Его отличительные особенности: i) абсолютная избирательность к выбранному изотопу; 2) возможность получения в • одной эксперименте нескольких параметров, насуцих. различнуо информации о состоянии исслздуоиых атонои и об их окружении. По данный ийссбауэровских исследований моано характеризовать тип химической связи и колебательный спектр кристалла. Однако метод не является универсальный.

Олово-119 является удобный изогопои для исследований соединений а1увУ1. Во-первых, олово входит в качестве основной компоненты, во-вторых, полученные мёссбаузровские спектры довольно легко интерпретировать, поскольку, изомерные сдвиги для большинства соединений больше ширины мёссбауэровской линии, а иёссбауэровский. спектр, расщепленный в результате квадрупольного взаииодвйствия, обладает дублетной структурой.

Пели исследований. Экспериментальное изучения влияния кристаллической структуры и дефектов кристаллической решетки на параиетры мёссбауэровских спектров ":'вп соединений а1уву1 и их твердых растворов с цель» установления закономерностей изменения

параметров, выяснения причин известных аномалий и противоречивых экспэриментальных результатов- '

Поиск аномальных изменений ■ параметров мёссбауэровского спектра, связанных с сегнетоэлек:грическии_ фазовым переходом и с инверсией зон.

Поиск взаимосвязей между мёссбауэровскими и электрическими параметрами полупроводников.

Научная новизна. 1) Впервые с помощью эффекта Массбауэра исследованы четырехкомпонентные твердые растворы • систем (БпЯе)^(РЬТе ) , Бпо 2РЬо в51~у8еу И ТвЛЛУрИД ОЛОВа,

легированный сурьмой и индием. 2) Установлены закономерности изменений изомерного сдвига 1,эзп для ионохг ■'ькогенидов олова и твердых растворов на их основе; впервые количественно оценено уменьшение изомерного сдвига, связанное с понижением симметрии кристаллических- решеток, установлено изменение "температурной зависимости изомерного сдвига при сегнегоэлектрическом фазовом пероходе. 3) Для БпТе впервые установлена взаимосвязь изомерного сдвига с концентрацией дипок; изменения изомерного сдвига объяснены особенностями зонной структуры полупроводника. 4) Впервые исследованы динамические свойства решеток твердых растворов (БпТе)ж(РЪ8е)1_11 ; установлено, что существует взаимосвязь вероятности эффекта Мессбауэра с иириной запрещенной зоны, а фононный спектр в области инверсии зон отгоняется от дойаевской модели. 5) Впервые исследованы ионокристалчы Бп0 ^РЬц 77те составов, сильно отклоняющихся от стехиометрии в сторону избытка металла (порядка одного избыточного атома на элементарную ячейку), установлено наличие атомов бп в междоузлиях.

Практическая ценность. Полученные результаты дают ответы на ряд до последнего времени существовавших вопросов, касающихся причин противоречивости результатов определения параметров мймбауэровск^ спектров и некоторых аномалий в закономерностях их изменений-. Установленные взаимосвязи между мёссбауэровскими и обычными полупроводниковыми характеристиками .указывает перспективность данных исследований.

Результаты исследований влияния . дефектов (вакансий и пр тесных атомов) на параметры мёссбауэровских спектров являются по!йЗг1ыми для понимания процессов, происходящих при легирована поиупр>водни;ов.

Следует онидать, что результаты представляющие более общее значение со сг,.-ценен найдут отражение в монографиях и учебниках.

Основные положения, выносимые на заа у.

1. На параиетри мёссбауэровских спектров олова-119 в

iv vi

полупроводниках а в и в их твердых растворах влияет кристаллическая структура, свойства окруаающих атомов и дефекты кристаллической решетки:

-кристалла» кубической структуры характерен наибольший иессбаузровский•изомерный сдвиг и соответствующая е"У наибольшая электронная плотность в центре атома олова, а орторомбические И ромбоэдрические искажения решетки понижают изомерный сдвиг, что вызвано измененной степени «р-гибридизации валентных электронов;

-изменение изомерного сдвига в Зпт« с изменением концентрации^ дырок обусловлено вкладом в-электронов олова в области экстремума валентной зоны.

2. Изменение температурной зависимости вероятности эффекта Мёссбауэра в области сегнетоэлектрического Фазового перехода в системе Се^зп^те обусловлено увеличением прочности химической связи с пониаением температуры в сегнэтоэлектрической Фазе.

3. вероятность эффекта Мёссбауэра в области инверсии зон в системе (8пТв)>(РЬЗе)1 сильно уменьшается, что указывает на существенное ослабление химической связр н смягчение фононного спектра.

4. Для монокристаллов зп0 23рьо 7?те свойствено гигантское отклонение от стехиометрии в сторону металла, вызванное накоплением атомов металла в междоузлиях.

Апробация работы. Основные результаты докладывались или были представлены на семинарах и конференциях Института Физики АН Литвы, на хххш Всесоюзном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (Москва, 1983 г.), на i, iii Всесоюзных совещаниях по ядерно-спектроскопическим исследованиям сверхтонких взаимодействий (Москва, 198Б г.. Алма-Ата, 1989 г.), на xi Всесоюзной конференции по Физике сегнетоэл&ктриков (Черновцы, 1ЭВ6 г.), на Международных конференциях по примонечиям эФФокта Мёссбауэра (Алма-Ата, 1983 г., Лввен, 1985 г., Мельбурн, 1987 г.), на vii Всесоюзной конференции "Химия, физика и техническое применение халькогенидов" (Ужгород, 1938 г.), на vi, уп

Республиканских конференциях молодых ученых по спектроскопии и квантовой электронике (Паланга, 1983 г., Паланга,. 1985 г.).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, вести глав и заключения, содержит 157 страниц машинописного текста, включая 36 рисунков и 13 таблиц. Основной текст занимает 120 страниц. Список использованных литературных источников включает в.себя 90 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

к

Во введении дано обоснование, актуальности темы, указаны основные цели работы, изложена научная новизна и практическая ценность результатов, перечислены защищаемые положения, охарактеризована структура и содержание диссертации.

Первая глава начинается с определения основных понятий мёсобауэровской спектроскопии и краткого рассмотрения некоторых кристаллографических и электрофизических характеристик полупроводников aivbvi. Далее содержится подробный обзор имеющихся данных мёссбауэровских исследований оловосодержащих соединений aivbvi и их твердых растворов. В конце главы сформулированы основные выводы. Здесь не только обобщен . имеющиеся данные-, но и сформулированы проблемы, подлежащие дальнейшим исследованиям. Показано, что параметры ыёссбауэровских спектров э основном зависят от типа кристаллической структуры, разности электроотрицательностей атомов, образующих химические связи, а также от полупроводниковых свойств. Так как имеющиеся результаты анализа зависимости иёссбауэровских параметров от электроотрицательности лигандов недостоверны, иногда даже противоречивы, а многие авторы не обращали внимания на особенности кристаллической структуры исследуемых соединений, необходимо разделить влияние этих двух Факторов. Для этого нужно провести исследования твердых растворов, обладающих разной кристаллической структурой. Информация о влиянии полупроводниковых свойств может быть получена при исследовании легированных и нестехиометрических оСразков.

Б) второй главе описана методика измерений и математической обработки экспериментальных спектров. Исследованные материалы были нэ -отоплены в разных лабораториях различными способами.

Поглотители изготавливались путей осаждения растертого вещества и составляли 6-20 иг натурального олова на си2. Источниками у-йзучения служили са,19*влОи и 1,3"sn в Pd. Мёссбаузровскив спектри измерялись на спектрометре NP-гьо в интервале температур образца от 130 до 293 К (большинство исследований проводились при постоянной температуре. Т = 293 К или Т = 80 К). Для исключения систематических ошибок в каждой серии измерялись спектри snTe. Изомерные сдвиги приведены относительно CaSno.,. В диссертации содержится подробное описание расчетов вероятности эффекта Мёссбауэра, ' дебаевской температуры ' и амплитуды среднеквадратических смещения атомов. Для этих целей была создана программа для ЭВМ.

Третья глава посвящена '»¡зучению сверхтонких взаимодействий и химической связи в твердых растворах соединений aivbvi, обладающих разной кристаллической структурой. Были экспериментально исследо-. Ваны системы (SnTeJ^PbSe), ж (х = 0,1; 0.4; О,Б; 0,6; 0,7; 0,8; 0,9; 1,0), (SnSeJJPbTe),^ (х = 0,2; О,Б; 0,6; 0,7; 1,0), аз, se (х = 0,6; 0,7; 0,87; 0,98), и qe. sn те ( х =

U| ь и, в 1*1 м 1-м к

0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5; 0,6; 0,7; 0,8; 0,9; 1,0).

Результаты показали, что максимальный мёссбауэровский изомерный сдвиг & отвечает кристаллам кубической структуры типа Nací vj меняется от 3,36 до 3,70 им/с). В изоструктурных соединениях в определяется в основном электроотрицательностью лигандов. С ее возрастанием изомерный сдвиг и определяющая его электронная плотность в центра атома олова увеличиваются, что указывает на образование ионно-ковалентных химических. связей валентными р-электронами. В кристаллах орторомбич^ской и ромбоэдрической структуры изомерный сдвиг уменьшается (на 0,3-0,4 мм/с) при возрастании соответствующих искажений идеальной кубической решетки, что в основном связано с усилением ер-гибридизации. Выяснено, что аномальный, противоречащий ожидаемоиу на основании' известного увеличения электроотрицательностей в ряду te-Se-я, порядок изменения изомерного сдвига ДЛЯ соединений SnT»-SnSe-SnS связан с неодинаковой кристаллической структурой. Для соединений с кубической структурой изомерный сдвиг увеличивается в ряду

SnTe-SnSe-SnS.

В кристаллах кубической структуры при поигийнии в первой или

второй координационной сфере мёссбауэровского атома неодинаковых атомов ширина линии Г несколько увеличивается (примерно на 0,1 ым/с), что указывает на неразрешенное квадрупольное расщепление мпссбауэровской линии, связанное с отклонением симметрии ближнего порядка от кубической. В кристаллах орторомбической. структуры появляется дополнительное квадрупольное взаимодействие, соответствующее квадрупольному расцеплению линии,величиной л*>о,7-0,9 мм/с, связанное с понижением симметрии дальнего порядка и ер-гибридизацией. В исследованных кристаллах ромбоэдрической структуры соответствующее дополнительное уширение мёссбауэровской линии не наблюдалось, по-видимому, из-за малости ромбоэдрических искажений решетки и слабости вр-гибридизации.

Четвертая глава посвявена исследованиям г тнетоэлектрического фазового перехода в твердом растворе ае^Бп^те. Мёссбауэровские исследования твердых растворов этой системы раньше проводились разными авторами, однако, явное противоречие приводимых данных указывает на необходимость в их проверке и дополнении. В диссертационной работе эксперименты проводились с твердмч раствором (Ое0 г8п0 в),_уТеу (; = 0,499; 0,505; 0,510) В ИНТврВаЛЭ температур поглотителя от 130 до 300 К; Мёссбауэровские спектры всех исследованных образцов представляли собой одиночные линии с шириной Г =0,82 мм/с (при 293 К). Некоторое увеличение ширины линии при понижении температуры совпадает с рассчитанным (с учетом увеличения эффективной толщины поглотителя) уиирением.

Для изомерного сдвига 5 замечена довольно сложная температурная зависимость. Область сегнетоэлектрического Фазового перехода выделяется усиленной температурной зависимостью б - в ней л увеличивается на 0,17-0,23 ми/с. В кубической Фазе величина г меняется со скоростью, характерной для квадратичного допплеровского сдвига. В низкотемпературной Фазе положение ли.ши зависит от температуры слабее,, чем в кубической. Это объяснено компенсацией квадратичного допплеровского сдвига уменьшением изомерного сдвига всвя-зи с ростом ромбоэдрических искажений решетки (следовательно и доли ар-гибридизации валентных элнктронов). Полученные данные об изменении изомерного сдвига хорошо коррелируют с акустическими .параметрами (скоростью распространения и поглощением ультразвука).

Лл1 вергятности эффекта Мёссбг.уэра /' получена непрерывная

монотонная температурная зависимость. По данным /• были расчитаны значения показателя экспоненты Фактора Дебая-Валлера гк эффективная температура Дебая о и амплитуды среднеквадратических смещений атомов Яп. В области фазового перехода изменяется наклон температурной зависимости ж а значение в начинает увеличиваться при понижении температуры что указывает на неприменимость приближения Дебая для описания колебаний кристаллической решетки и на увеличение прочности химических связей с ростом ромбоэдрических искажений реиетки.

В пятой главе изл.оаены реь,льтаты экспериментальных исследований зависимостей параметров мёссбауэровских спектров твердых растворов (8пТе))1(РЬ5е)1_> в области "бесщелевых" соединений (где происходит инверсия зон) от состава и температуры. Установлено» что при переходе с изменением состава через ТЗесщелевое состояние сильно уменьиается вероятность эффекта |.?ёссбауэра и несколько увеличивается изомерный сдвиг. Уменьшение вероятности указывает на большое увеличение, амплитуды колебаний атомов, ' ослабление химической связи и уменьшение эффективной температуры Дебая. Результаты исследования температурной зависимости вероятности эффекта Мессбауэра показывает, что модель Двбая неприменим для описания колебательного спектра кристалла в области бесщелевого состояния (значение в уменьшается с понижением температуры). Замечено качественное различие измеренной зависимости изомерного сдвига от ширины запрещенной зоны для (8пТе )>(рьэе) 4 ^ и опубликованной в литературе такой зависимости для бп^рь, ^Те (в одном случае увеличение, а в другом - уменьшение изомерного сдвига при составе твёрдого раствора, соответствуювем бесщелевоыу состоянио). Это означает, что замена атомов "ч атомами Бе сильно изменяет электронный спектр полупроводника.

В шестой главе представлены результаты исследобания влияния отклонения от стехиометрии и лбгирования полупроводников на параметры мёссба. зровских спектров.

В первом разделе изложены результаты исследований систем вп-Те, Бп-Те ♦ 2 ат.* 1п И Яп-Те + 3 8Т.* БЬ (0 ОблаСТЯХ

с— еп »» и

0,&01-0,4В5 0,499-0,Н1& ' О,020,4Я1~0,4<»Ь О,433-0,614

8пп.47-о.458Ьо.озТео.5о-о.62 ' соответственно) . а также нестехиометрических образцов теллурида олова эп .„те„ гп. и Зп0 4эгТе0-50в , легированных сурьмой до 2 ат.Х. Исследования

проводились при комнатной температуре. Мёссбауэровские спектры всех образцов представляли собой одиночные линии. Существенных изменений ширины линии не обнаружено (Г = 0.84*0.04 мм/с). Для изомерного сдвига замечены следующие закономерности: увеличение количества сверхстехиометрического теллура в области гомогенности вызывает уменьшение изомерного сдвига & (на величину до 0,04 мм/с), а легирование сурьмой увеличивает б до прежней величины. Изменения б связаны с образованием вакансий в катионной подрешетке (при отклонении от стехиометрии) и заполнением их примесными атомами вь. Анализ имеющихся данных позволил установить взаимосвязи между- изменениями изомерного сдвига и изменениями постоянной решетки и концентрации дырок: при уменьшении изомерного сдвига с увеличением концентрации вакансий постоянная решетки уменьшается, а концентрация дырок увеличивается. Предложено, объяснение изменений изомерного сдвига, обоснованное данными о зонной структуре впТе. Поскольку вблизи экстремума ^валентной зоны существена примесь в-электронов атомов вп, то в результате захвата валентных элг тронов вакансиями (они играют роль акцепторных примесей) электронная плотность на ядрах вн. а следовательно и изомерный сдвиг, уменьшаются.

Во втбром разделе представлены результаты экспериментальных исследований твердых растворов 5п0 2эрь0 77те, составы которых отклоняются от стехиометрии в сторону избытка атомов металла. Мёссбауэровские спектры, измерены при температуре жидкого азота, содержали две линии. Это связано с нахождением атомов олова в двух разных зарядовых состояниях, которым отвечают изомерные сдвиги б = 3,5210,03, и 2,6510,03 мм/с. Полученные значения практически совпадают с изомерными сдвигам "обычных" кристаллов 8по 23рьо 77те и металлического олова (б = 3,5610,01 и 2,60*0,01 мм/с соответствено). Результаты ыёссбауэровских исследований в совокупности с данными измерений плотности, постоянной решетки и других исследований позволяют заключить, что сверхстехиомвтрические атомы металла расположены в междоузлиях ( кристаллы были однофазными, а плотность и постоянная решетки глшрхстехиометрических образцов значительно превышают максимально возможные ьеличины для обычных кристаллов твердых растворов теллуридов олова и свинца). Оценка показала (обе линии были примерно'одинаковой интенсивности), что концентрация междоузельных

атоиов достигает величины порядка одного атоиа на элементарную ячейку.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Проведены систематические исследования влияния разных факторов на изомерный сдвиг и величину квадрупольного расцепления соединений sns, SnSe, snTe и их твердых растворов.

2. Установлено, что максимальней изомерный сдвиг линии мессбауэровского спектра- олова-Н9 характерен для кристаллов с кубической структурой. Понижение кристаллической симметрии (орторомбические или ромбоэдрические искажения решетки) понижает его на 's£),4 мм/с. Увеличение электроотрииательности лигандов .увеличивает значение s на ¿0,3 мы/с. Дефекты кристаллов snTe также оказывает влияние на изомерный сдвиг: катионные вакансии понижает значение б, à легирующие атомы sb ее увеличивают (изменения s s

0.04 mm/c)j Установлена взаимосвязь между йзомерным сдвигом и концентрацией свободных носителей заряда.

3. Установлено, что разрешенное квадрупольное расцепление мёссбауэровских спектров ,13sn возникает только для соединений, обладающих орторомбической кристаллической структурой.

4. Экспериментально исследован сегнетоэлектрический фазовый переход в системе oe^sn^Te. Установлены изменения температурной зависимости изомерного сдвига . и характера колебаний кристаллической, решетки при фазовом переходе.

Б. Исследованы узкс~энные полупроводники . системы

(SnTejjpbSo),^ и установлено, что ширина запрещенной зоны оказывает сильное влияние на прочность-химической связи фононные спектры кристаллов. Уменьшение ширины запрещенной зоны вызывает увеличение амплитуды тепловых колебаний sn и отклонение фононного спектра от дебаевского приближения.

6. Впервые экспериментально исследованы монокристаллы sn0 2JPb0 77те, составы которых отклоняются от стехиометрического в сторону избытка атомов металла. Показано наличие междоузельных атомов Sn.

Основное содержание диссертации изложено в работах:

1. Балтрунас Д.И., Мотеюнас C.B., Старик П.И., Микиток В.И.

Особенности мёссбауэровских спектров ,19вп в бесщвлевом

состоянии полупроводников// Писмьиа в &ЭТФ. - .1982..- Т. 36. -В. I- - С. 5-7.

2. BaltrOnas D., MotiejOnas S. , Starik P., Hikityuk V. The change in the phonon spectrum during the transitic to the gap free state in the system of narrow-gap semiconductors (SnTe )x(PbSe),_„// Proceedings of International conference on the application of Miissbauer effect, Alma-Ata, 1983. - Pr 223.

3. Baitr^nas D.,- Motlejdnaa S., Starik P., Hikityuk V. The influence of the structure on the parameters of the Mossbauer ¡spectra of the systeo (SnSeJ^CPbTe), // Proceedings of International conference on the application of ЦйввЬаиег effect, Alma-Ata, 1983. - P. 116.

4. Балтрунас Д.И., Мотеюнас С.В., Старик П.М.. Микитюк В.И. Наблюдение электронфононного взаимодействия . в система (SnTeJJPbSo^ ^ с помощью ЯГР-слектроскопии// Тезисы докладов xxxiii совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра, Москва, 1983. - С. 520. 1

Б. Мотеюнас В. Исследование узкозойных полупроводников (SnSejjPbTe), в с помощью ЯГР-спектроскопии// Тезисы докладов vi Республиканской конференции молодых ученых по спектроскопии и квантовой электронике, Вильнюс, 1983. - С. Б2.

6. Балтрунас Д.И., Мотеюнас С.В., Старик П.М., Микиток В.И. Исследование системы snse- рьте. с помощью мёссбауэровской спектроскопии на ядрах "9Sn// Изв. АН'СОСР. Наорг. материалы. - 1984. - Т. 20. - № 8. - С. 1312-1314.

7. Мотеюнас С.В., Балтрунас Д.И., Рогачева Е.И., Горие Г.В. Влияние отклонения от стехиометрии на ыёссбауэровские параметры SnTe// Тезисы докладов i Всесоюзного совещания по ядерно-спектроскопическим исследованиям сверхтонких взаимодействий, Москва, 1985. - С. 136.

8. Мотеюнас С.В., Балтрунас Д.И. Исследование системы ое^вп^Те методом ЯГРС на ядрах 119sn// Тезисы докладов vn Республиканской конференции молодых ученых по спектроскопии и квантовой электронике, Вильнюс, 1985. -С. Б1.

9. Мотеюнас С;В., Балтрунас Л-И. Влияние технологии получения твердого раствора (snTe^tPbSe),^ на вероятнбсть эффекта Мйссбауэра ,,asn// Тезисы докладов vn Республиканской конфер лции молодых ученых по спектроскопии и квантовой

электронике, Вильнюс, 1985. - С. Б2.

10.BaltrOnas D. , MotiejOnas . S. Change of isomer shifts of МйавЬпиаг spectra of M9Sn In the Sn^GOj Те systera// International conference on the application of the Mossbauer effect, Leuven, 1985. - P. 3.58.

11.Балтрунас Д-И., Мотеюнас С.В. Влияние ближнего и дальнего порядка атомов олова на параметры мёссбауэровских спектров твердых растворов, i. Изомерный сдвиг// Деп. в ВИНИТИ № 2275-В.

12.Балтрунас Д.И., Мотеюнас С.R. Ег,,янио ближнего и дальнего порядка атомов' олова на параметры ыёссбауэровских спектров твердых растворов, it. Квадрупольное-взаимодействие// Деп. в ВИНИТИ № 2276-В. ' .

13.Мотеюнас С.В., Балгрунас Д.И. Влияние разового перехода в Ge^sn^Te на мёссбаузровские параметры 119// Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков, Киев, 1986. - Т.1. - С. 279.

14.BaltrOnas D., MotiejOnas S. , Hogacheva E.I. Effect of the deviation froia the stoichionietry on the Mossbauer pararaeters of SnTe// Phys. stat. sol. (a).' - 1988. - V.97. - P. K131-K133.

15.Мотеюнас C.B., Балтрунас Д.И. Мёссбаузровские исследования динамики Р9Ш9ТКИ системы (SnTeJJPbSe)^ на ядрах ПЭЗп//

• Лиг. физ. сб. - 1987. - Т.27. - »"б." - С."743-752.

16. BaltrOnas D. , Vengalis В., MotiejOnas S., Shiktorov N.' Effect of a deviation from stoichionietry on the Mossbauer parameters of 8n0 eGeQ 2Te during t' phase transition// Phys.' stat. sol.

' (a). - 1988. - V. 108. -т P. 197-204.

17.BaltrOnas D., Zayachuk D. M., MotiejOnas S., Starik I Л. Direct observation of the giant deviation fron stoichiometry in single crystalline Pbj ^Sn^Te by means of the Mossbauer effect on the "®Sn nuclei// Phys. stat. sol., (a). - 1988. - V.106. -P. K173-K175.

18.MotiejOnas S. , BaltrOnas D. , Garasim V.I.,b Starik P.M. A correlation between ligtnd electronegativity and the value of stannous chalcogenides Mossbauer isomer shift // Phys. stat. sol. (b). - 1988. - V.148. - P. K161-K164.

1Э.Рогачева E. И., Горне Г.В., Лаптев С.А., Балтрунас Д.И., Мотеюнас С.В., Весене Т.Б. Влияние отклонения от стехиометрии

п

\

на растворимость сурьмы в монотеллуриде олова// Известия АН СССР. Неорг. материалы. - 1983.- Т.24. - № 6. - С. 928-931.

20. Балтрунас Д.И., Заячук Д.М., Мотеюнас С В., Старик П.М. Исследование состояния олова в монокристаллах PbtiiSnxTe методом мёссбауэровской спектроскопии// Tt-зисы докладов vii Всесоюзной конференции "Химия, физика и техника применения хальвогенидов", Ужгород, 19В8. - Т.2. - С. 243.

21. Балтруна.с Д.И., Горне Г.В., Лаптев С.А.-, Мотеюнас* С.В., Рогачева Е.И. О природе твердых растворов на основе snTe в системе SnTe-inTo// Известия АН СССР. Ноорг. материалы - 1988. - Т. 24. - МО. - С. 1634-1638.

22. Мотеюнас С., Балтрунас Д., Млкарюнас К. Причины изменения изомерного сдвига в теллуриде олова в свете особенностей его зонной структуры// Тезисы докладов ш Всесоюзного совещания по ядерно-спектроскопическим исследованиям сверхтрнких взаимодействий, Алма-Ата, 1989. - Т.2. - С. 10.i

23. HotlejOnaa S., BaXtrOnas D. , Qeilauekait^ N. , Makari^naa K. Correlati i between the МйввЬаиег and semiconductor parameters of tin .telluride// rhys'. stat. sol. (b). - 1989. - V. 154. -P. 341-34,5. •

24. Hotiej<?nas S., BaltrQnas D. Effect of the In and Sb impurity atoms on'the 1 Sn Mossbauer parameters in SnTe// Proceedings pf international conference on the application of Mossbauer effect, Budapest, 1989. - P. 3'.32.'

ЫНЛЬНЮСКНЙ УНИВЕРСИТЕТ

мотеюнас стасис владович ' ■ ,

IV vi

ядерный гамма-гезонанс 0/юва-110|) в полупроводниках а в в их твердых растворах

бумага типографская 60*84 1/16. тираж 100 ЭКЗ. заказ 1222. усл.печ.л.1.00. отпечатано ротапринтом в институте информации жтгш,2 32о00.вильн10с.тотсрю 27.