Анализ первичных продуктов лазерной десорбции с окиси цинка методом "времяпролетной" спектроскопии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.15 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ФОТОСТИМУЛИРОВАННАЯ ДЕСОШЩ АДСОРБИРОВАННЫХ

МОЛЕКУЛ.

1.1. Изучение первичных продуктов фотодесорбции

1.2. Динамика фотосорбционных процессов в системе Og - ZnO.

1.3. Особенности взаимодействия лазерного излучения с твердым телом

1.4. Лазерная термохимия на поверхности твердых

1.5. Указания на нетермическую природу процессов лазерной десорбции и лазерного испарения

Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Экспериментальная установка.

2.1.1. Камера образца.

2.1.2. Система сверхвысоковакуумной откачки

2.1.3. Масс-анализатор.

2.1.4. Система напуска.

2.1.5. Система линейного нагрева образца

2.1.6. Лазер и схема возбуждения десорбции

2.1.7. Система регистрации.

2.2. Определение чувствительности масс—спектрометра

2.3. Исследуемые образцы и газы.

Глава 3. СТИМУЛИРОВАННАЯ ЛАЗЕРНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ ДЕСОРБЦИЯ

С НЕРЖАВЕЩЕЙ СТАЖ.

3.1. Проблема нахождения исходного распределения

- 3 по экспериментальным данным. Аппаратная функция.

3.2. Машинное моделирование ВП-спектров при максвелловском распределении десорбированных частиц по скоростям.

3.3. Анализ состава продуктов десорбции

3.4. Зависимость параметров "времяпролетных" спектров от плотности мощности лазерного излучения.

3.5. Особенности энергетических распределений

Глава 4. СТИМУЛИРОВАННАЯ ЛАЗЕРНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ ДЕСОРБЦИЯ

С ОКИСИ ЦИНКА.

4.1. Анализ состава адсорбированной фазы методом термодесорбционной спектроскопии

4.1.1. Основные положения используемой модели ТД-спектроскопии.П

4.1.2. Влияние обработки окиси цинка на адсорбцию кислорода.

4.1.3. Продукты термодесорбции с окиси цинка

4.2. Стимулированная лазерным излучением десорбция с дисперсной окиси цинка

4.2.1. Состав продуктов десорбции и особенности их ВП-спектров.

4.2.2. Влияние условий проведения опытов на параметры ВП-спектров.

4.2.3. Распределения продуктов десорбции по кинетическим энергиям.

4.3. Лазерная десорбция с монокристалла окиси цинка.

4.4. Оценки возможного разогрева поверхности

Глава 5. ОБСЗДНЙЕ РЕЗУЛЬТАТОВ.

ВЫВОДЫ.

Воздействие импульсами лазерного излучения рассматривается как перспективный способ направленного формирования поверхностных свойств микроэлектронных приборов. При этом чрезвычайно важно исследование процессов, протекающих в допороговой области интенсивностей лазерного луча, когда не происходит разрушения облучаемого материала. В то же время на поверхности возможны изменения количественного и качественного состава адсорбированного слоя, перегруппировки в поверхностном слое, приводящие к изменениям спектра поверхностных электронных состояний. При этом молекулярные процессы на поверхности неразрывно связаны с электронными процессами в приповерхностной области. Так, изменение адсорбционной емкости твердого тела под влиянием квантов света - фотоадсорбция или фотодесорбция - есть отклик системы на световое воздействие и является конечным этапом в цепи процессов поглощения, переноса, диссипации энергии, возбуждения адсорбционного комплекса (или адсорбционного центра) с последугацей молекулярной перегруппировкой - в частности, десорбцией адсорбированной молекулы или радикала. Очевидно, что из результатов исследования фотодесорбции можно получить сведения о фундаментальных характеристиках изучаемой системы. С другой стороны, зависимость процесса от условий воздействия (длина волны и интенсивность света, температура) позволяет, в принципе, избирательно возбуждать лишь определенные из сосуществующих на поверхности состояний, что несет возможность управления свойствами поверхности. Однако, для практической реализации этой возможности необходимо понять природу физических явлений, происходящих при взаимодействии квантов света с границей раздела газ - твердое тело и в частности природу фотосорбционных процессов.

Впервые фотосорбционные процессы исследовались А.Н.Терени-ным. Одно из направлений работы, намеченных А.Н.Терениным -изучение нестабильных первичных продуктов фотодесорбции, имеющих сверхтепловые кинетические энергии. В 60-х - 70-х годах в лаборатории А.Н.Теренина впервые был предложен и реализован масс-спектрометрический метод анализа первичных продуктов фотодесорбции и определения их кинетических энергий "времяпролет-ным" методом. Было исследовано распределение по кинетическим энергиям молекул N0, фотодесорбированных с дисперсной А^Од. Полученные результаты позволили предложить схему поглощения энергии светового кванта системой и механизма передачи ее адсорбированной молекуле. Работа показала перспективность исследований для разработки моделей поглощения и переноса энергии на поверхности. Однако, для систематических исследований с помощью данной методики необходимо было существенно повысить чувствительность, создать сверхвысоковакуумные условия, обеспечить возможность количественного анализа продуктов с высокой точностью (что принципиально при исследовании осколочных пиков), разработать технику съемки всего энергетического спектра продуктов десорбции от одиночной вспышки. Наконец, применительно к задаче изучения процессов инициируемых лазерным облучением, заменить применявшийся источник излучения лазерным.

Специфика импульсного лазерного излучения связана, в частности, с чрезвычайно высокими плотностями действующей мощности излучения. В результате фотостимулированные процессы протекают на фоне интенсивных термических эффектов. Что же касается нетермических эффектов лазерного воздействия, то не только их природа, но и факт существования являются предметом дискуссий. В связи с этим важной задачей изучения стимулированных лазерным излучением процессов является поиск и доказательство существования термически неравновесных, специфических фотоэффектов лазерного воздействия. Одна из возможностей решения этой задачи -анализ первичных продуктов лазерной десорбции и их энергетических распределений.

Цель работы: исследование возможности протекания нетермических процессов при лазерном возбуждении гетерогенных систем путем анализа первичных продуктов лазерной десорбции и их энергетических распределений.

В связи с этим были поставлены следующие задачи:

1. Создать экспериментальную установку для анализа первичных продуктов десорбции, инициируемой импульсным лазерным излучением и их распределения по кинетическим энергиям "времяпролетным" методом, обладающую высокой чувствительностью и быстродей

45 ствием порядка 10 с и позволяющую проводить исследования в условиях динамического сверхвысокого вакуума.

2. Разработать методику регистрации первичных продуктов десор-бируемых под действием лазерного излучения и их "времяпролетных" спектров. Исследовать основные закономерности лазерной десорбции с технологически важного материала - нержавеющей стали.

3. Провести анализ первичных продуктов лазерной десорбции с широкозонного полупроводника - окиси цинка - модельного объекта для фотосорбционных и фотокаталитических исследований и важного технологического материала.

4. Провести исследования зависимости интенсивности и энергетических распределений продуктов лазерной десорбции с окиси цинка от мощности излучения и состояния поверхности образца, при возбуждении в различных областях спектра (как в области собственного поглощения, так и вне ее). Сопоставить основные закономерности лазерной десорбции для дисперсного и монокристаллического образцов окиси цинка.

Научная новизна.

Разработана методика масс-спектрометрического анализа первичных продуктов лазерной десорбции и их распределений по кинетическим энергиям.

Впервые проведено исследование "времяпролетным" методом первичных продуктов лазерной десорбции с дисперсного образца окиси цинка и с нержавеющей стали. Обнаружена десорбция молекул 0£, Н^О, NO, COg и атомов 0 и Zn , Проведено сопоставление состава и количества продуктов лазерной десорбции с данными ТД исследования адсорбированной фазы. Изучены зависимости процесса от длины волны и плотности мощности лазерного излучения. Установлено качественное совпадение "времяпролетных" спектров продуктов, десорбирующихся с дисперсного и монокристаллического образцов окиси цинка.

Впервые обнаружено, что форма энергетических распределений продуктов лазерной десорбции различна при облучении в спектральной области собственного поглощения окиси цинка и вне ее.

Показано, что существенный вклад в лазерную десорбцию с окиси цинка и нержавеющей стали вноода нетермическая составляющая, важна роль неравновесных фотопроцессов.

Автор защищает:

- методику масс-спектрометрического исследования первичных продуктов лазерной десорбции и их энергетических распределений "времяпролетным" методом (разработано совместно с А.А.Глебовским) .

- результаты исследований "времяпролетным" методом первичных продуктов лазерной десорбции с нержавекщей стали, основные закономерности процесса, зависимость интенсивности десорбции и энергетических распределений продуктов от длины волны и плотности мощности излучения.

- результаты исследований "времяпролетным" методом первичных продуктов лазерной десорбции с дисперсного и монокристаллического образцов окиси цинка, их сопоставление с результатами термодесорбционных исследований.

- эффект спектральной зависимости энергетических распределений продуктов десорбции с окиси цинка, коррелирующей с энергетической структурой полупроводника.

- установленный факт наличия нетермической составляющей при лазерной десорбции с окиси цинка и нержавеющей стали, существенную роль термически неравновесных фотопроцессов.

- 10

ВЫВОДЫ

1. Создана экспериментальная установка на базе времяпролетного масс-спектрометра, позволяющая в условиях сверхвысокого вакуума исследовать процессы десорбции молекул при термоактивации и лазерном воздействии при интенсивностях излучения ниже порога разрушения образца, в области длин волн 266-1064 нм. Разработана методика и алгоритм анализа "времяпролетных" спектров первичных продуктов лазерной десорбции. Чувствительность по анализу продуктов десорбции с гладкой поверхности монокристалла о с размером а/ I мм составляет ~ 10" монослоя.

2. Впервые проанализирован состав первичных продуктов лазерной десорбции с поверхности нержавеющей стали, получены их энергетические распределения, обнаружена десорбция активного атомарного кислорода.

3. Впервые проведено исследование зависимости энергетических распределений продуктов десорбции с нержавеющей стали от длины волны и плотности мощности лазерного излучения. Показано, что соответствующие значения "температур" распределений могут достигать нескольких тысяч градусов и зависят от типа десорбирующихся молекул. На основании экспериментальных результатов сделан вывод о существенном вкладе нетермического механизма в процесс лазерной десорбции с нержавеющей стали.

4. Впервые проведено исследование состава и количества продуктов, а также их энергетических распределений при лазерной десорбции с дисперсного и монокристаллического образцов окиси цинка и зависимости их от длины волны излучения в широком спектральном диапазоне, как в области собственного поглощения полупроводника, так и вне ее. Показана зависимость энергетических распределений продуктов десорбции от спектрального состава излучения.

5. Изучены процессы деградации адсорбционного слоя на поверхности Zn0 под действием лазерного излучения. Путем совмещения анализа первичных продуктов термо- и лазерной десорбции с ZnO с адсорбированным кислородом показано, что при лазерном воздействии происходит десорбция сравнительно прочносвязанных поверхностных атомов кислорода и цинка. Исследованы изменения энергетических распределений продуктов при облучении вне области собственного поглощения окиси цинка.

6. Проведено сравнительное исследование десорбции различных молекул. Моделирование экспериментальных ВП-спектров максвел-ловскими распределениями показало различие "температуры" распределений для разных молекул при идентичных условиях возбуждения.

7. На основании анализа совокупности экспериментальных результатов сделан вывод о важной роли нетермических квантовых процессов в лазерной десорбции с окиси цинка.

- 182

Хочется выразить глубокую благодарность Андрею Андреевичу Лисаченко, под непосредственным руководством которого эта работа выполнялась, за постоянное внимание и помощь.

Я искренне благодарен Михаилу Евгеньевичу Акопяну за постоянный интерес к работе, плодотворные дискуссии и ценные замечания по тексту диссертации, Александру Александровичу Глебовскому, совместно с которым создана экспериментальная установка и проведен ряд экспериментов, за помощь в работе.

Пользуюсь случаем принести благодарность сотрудникам лаборатории В.Н.Кузнецову, В.С.Ткаличу, В.А.Васильеву, Т.К.Скалецкой, А.О.Климовскому за полезные советы и помощь.

1. Теренин А.Н. Фотохимические реакции адсорбированных молекул йода. - WX, 1935, т. 6, №2-3, с. 1.9-2C6.

2. Теренин А.Н. Оптическое исследование адсорбции молекул. -Ученые записки ЛГУ, 1937, т. 3, №17, с. 149-168.

3. Теренин А.Н. Выделение адсорбированных газов с металлов и полупороводников и их адсорбция под действием света. В кн.: Избранные труды. Л-д, Наука, 19^, т. 3, с. 375-394.

4. Теренин А.Н. Оптические исследования адсорбции газовых молекул. Ученые записки ЛГУ, 1939, т. 38, N5, с. 26-40.

5. Теренин А.Н. Оптические исследования активированной адсорбции. IX, 1940, т. 14, №10, с. 1362-1369.

6. Kassparov К., Terenin A. Optical investigations of activated adsorption. I.Photodecomposition of ammonia adsorbed on catalysts. Acta Physicochimica, URSS, 194-1, v. 15, N3-4, p.343-365.

7. Теренин А.Н. Оптика поверхностных явлений. Вестн. ЛГУ, 1946, №1, с. ГЗ-Г9.

8. Басов Л.Л., Котельников В.А., Лисаченко А.А., Рапопорт В.Л., Солоницын Ю.П. Фотосорбция простых газов и фотодиссоциация адсорбированных молекул на окисных адсорбентах. В кн.: Успехи фотоники. Л-д, Г969, т. Г, с. 78-ПГ.

9. Kudrjawzewa W., Prileshajewa N. The photochemical decomposition of adsorbed acetone. Acta Physicochimica, URSS, 1938,v. 8, N2, p. 211-226.

10. Hachkovski V., Terenin A. The quenching of the fluorescence of solids by adsorbed gases. Acta Physicochimica, URSS, 1937, v. 7, N4, P. 521-550.

11. П. Каспаров К.Я. Тушение флюоресценции окиси алюминия адсорби- 184 рованншли парами. ДАН СССР, 1940, т. 28, 1Ш, с. 515-517.

12. Лисаченко А.А., Вилесов Ф.И., Теренин А.Н. Масс-спектромет-рическое исследование фотосорбционных процессов в системе кислород окись цинка. - ДАН СССР, 1965, т. 160, №4, с. 864-866.

13. Лисаченко А.А., Вилесов Ф.И. Масс-спектрометрическое исследование фотоактивации адсорбированных молекул на поверхности окиси цинка и окиси магния. Вестник ЛГУ, 1966, №10, с. 30-35.

14. Лисаченко А.А. Исследование фотоактивации простых молекул, адсорбированных на поверхности окислов цинка и магния. Канд. диссертация. Л., 1968, 142 с.

15. Котельников В.А. Фотоиндуцированная адсорболюминесценция и термодесорбционный анализ газов, фото сорбированных на j^-AIgOg.-В кн.: Фотосорбционные и фотокаталитические явления в гетерогенных системах. Н-ск, 1974, с. 89-S5.

16. Киселев В.Ф., Петров А.С., Прудников Р.В. О механизме фотодиссоциации молекул воды, адсорбированных на реальной поверхности полупроводников. ДАН СССР, 1979, т. 245, US, с. 11461150.

17. Кузнецов В.Н., Лисаченко А.А. Фотосорбционные и фотокаталитические свойства окиси бериллия. В кн.: Успехи фотоники. Л., Изд. ЛГУ, I960, т. 7, с. 48-85.

18. Черкашин А.Е., Володин A.M., Кощеев С.В., Захаренко B.C. Энергетическое строение, фотосорбционные и фотокаталитические свойства двуокиси титана в реакции окисления окиси углерода. -В кн.: Успехи фотоники. Л., Изд. ЛГУ, 1980, т. 7, с. 86-142.

19. Ткалич B.C., Лисаченко А.А., Климовский А.О. Активность различных форм кислорода, адсорбированного на ZnO в реакции фотоизотопного обмена. Материалы всесоюзного семинара "Изотопные методы в изучении механизма катализа". Н-ск, 1980, препринт IP 30, 4 с.

20. Лисаченко А.А., Вилесов Ф.И. Фотодесорбция ОН радикалов с поверхности ZnO, содержащей адсорбированную воду. 2®, 1969, т. 39, К'З, с. 590-592.

21. Рябчук В.К., Басов Л.Л., Лисаченко А.А., Вилесов Ф.И. Определение кинетической энергии продуктов фотодесорбции "время-пролетным" методом (система NO/AIgOg). 5®, 1973, т. 43, №10, с. 2148-2152.

22. Лисаченко А.А., Скорняков Ю.Ф. Фотодесорбция кислорода с окиси цинка в условиях сверхвысокого вакуума. Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, №9, с. 54-59.

23. Басов Л.Л., Солоницын Ю.П., Теренин А.Н. Влияние освещения на адсорбционную способность некоторых окислов. ДАН СССР, 1965, т. 164, Щ, с. 122-124.

24. Gonzalez С. Etude par resonance electronique de deux centres, paramagnetiques dans I'Oxyde de Zinc. These le title de docteur. Grenoble, 1975, 40 p.

25. Heiland G., Mollwo E., Stockmann F. Electronic processes in zinc oxide. In: Solid State Physics. Advances in Research and Applications. (Seitz F., Turnbull D., eds.). New York: Acad. Press, 1959, v. 8, N1, p. 191-323.

26. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, 465 с.

27. Акимов И.А. Исследование природы акцептора энергии в процессе спектральной сенсибилизации. В кн.: Спектроскопия фотопревращений в молекулах. Л.: Наука, 1977, с. 239-256.

28. Солоницын Ю.П. Фотосорбционные процессы на окисных адсорбентах. В кн.: Элементарные фотопроцессы в молекулах. М.: Наука, 1966, с. 433-451.

29. Спиридонов К.Н., Крылов О.В. Формы адсорбированного кислорода на поверхности окисных катализаторов. Проблемы кинетики и катализа, т. 16. Поверхностные соединения в гетерогенном катализе, М.: Наука, 1975, с. 7-49.

30. Heiland G., Monch W. Surface studies Ъу modulation spectroscopy. « Surf. Sci., 1973, v. 37, N1, p. 30-47.

31. Kith H. Surface state spectroscopy on ZnO crystals by means of modulated photo conductivity measurements. Surf. Sci., 1973, v. 37, p. 90-99.

32. Tokoro Y., Uchijima Т., Yoneda Y. Analysis of thermal de-sorption curve for heterogeneous surfaces. II. Nonlinear variations of activation energy of desorption. J. Catal., 1979, v. 56, N1, p. 110-118.

33. Gopel W. Reactions of oxygen with ZnO-1010-surfaces. -J. Yac. Sci. Technol., 1978, v. 15, N4, p. 1298-13Ю.

34. Hotan W., Gopel W., Haul R. Interaction of C02 and CO with nonpolar zinc oxide surfaces. Surf. Sci., 1979, v. 83, p. 162-180.

35. Gopel W., Bauer R.S., Hansson G. Ultraviolet photoemission studies of chemisorption and point defect formation on ZnO nonpolar surfaces. Surf. Sci., 1980, v. 99, p. 138-158.

36. Runge P., Gopel W. Comparative study on the reactivity of polycrystalline and single crystal ZnO surfaces: 02 and C021.teraction. Zeitschrift fur Physikalische Chemie. Nau Folge,1980, Bd. 123, s. 173-192.

37. Esser P., Feierabend R., Gopel W. Comparative study on the reactivity of polycrystalline and single crystal ZnO surfaces: catalytic oxidation of CO. Ber. Bunsenges. Phys. Chem.,1981, v. 85, p. 447-455.

38. Gopel W., Lampe U. Influence of defects on electronic stuc-ture of zinc oxide surfaces. Phys. Review,B, 1981, v. 22, N12, p. 6447-6462.

39. Duke C.B., Lubinsky A.R., Chang S.C., Lee B.W., Mark P. Low-energy-electron-difraction analysis of the atomic geometry of ZnO (1010). Phys. Review, B, 1977, v. 15, N10, p. 48654873.

40. Cheng W.H., Kung H.H. Chemical properties of anion vacancies on zinc oxide. Surf. Sci., 1981, v. 102, p. Ъ21-Ь28.

41. Cheng W.H., Kung H.H. Interaction of CO, C02 and 02 with nonpolar, stepped and polar Zn surface of ZnO. Surf. Sci.,1982, v. 122, N1, p. 21-39.

42. Захаренко B.C., Черкашин A.E., Кейер Н.П., Герасимова Г.Ф. Спектральные зависимости фотоадсорбции кислорода на окиси цинка и твердых растворах окиси цинка с окисью лития и окисью алюминия. Кинетика и катализ, 1975, т. 16, с. I74-I8I.

43. Солоницын Ю.П. Исследование фотосорбционных процессов в системе ZnO. Канд. диссертация. Л., 1965.

44. Басов Л.Л. Исследование фотосорбционных и фотоэлектрических процессов на окиси цинка и двуокиси олова. Канд. диссертация. Л., 1972.

45. Steinbach F., Harborth It. Oxidation of CO and desorption of oxygen by UV irradiation of ZnO single crystals under UH7 conditions. Farad. Disc. Chem. Soc., 1974, N58, p. 143-150.

46. Eger D., Goldstein J., Many A. Oxygen chemisorption and photodesorption processes on ZnO surface. RCA Review, 1975, v. 36, N3, p. 508-530.

47. Morgen P., Onsgaard J.H., Tougaard S. Conductivity of powdered ZnO with chemisorbed oxygen during photodesorption.

48. J. Appl, Phys., 1976, v. 47, N11, p. 5094-5096.

49. Мэни А. Связь между физическими и химическими процессами на поверхности полупроводников. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела. М.: Мир, 1977, с. 306-343.

50. Morgen P., Onsgaard J.H., Tougaard S. Desorption from powdered ZnO during electron bombardement and interaction with atomic hydrogen. J. Appl. Phys., 1977, v. 48, N8, p. 34433447.

51. Shapira Y., Cox S.M., Lichtman D. Chemosorption, photodesorption & conductivity measurements on ZnO surfaces. Surf.Sci., 1976, v. 54, p. 43-59.

52. Shapira Y., Cox S.M., Lichtman D. Photodesorption of C02 from ZnO. J. Vac. Sci. Technol., 1978, v. 13, N1, p. 334.

53. Жаботинский М.Е. Квантовая электроника. Маленькая энциклопедия. М.: Сов. энциклопедия, 1969, 432 с.

54. Реди Д. Промышленные применения лазеров. М.: Мир, 1981, 638 с.

55. Poate J.M., Mayer J.W. Laser Annealing of Semiconductors. New York: Acad. Press, 1982, 562 p.

56. Крапошин B.C. Обработка поверхности металлических материалов лазерным излучением. Поверхность. Шизика, химия, механика. 1982, №3, с. I-I2.

57. Кияк С.Г. Изменение физических свойств и структуры полупроводников под действием импульсного лазерного излучения. Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т. 46, №6, с. 1090-1096.

58. Yon Allmen M.F. Fundamentals of Energy Deposition. In: Laser Annealing of Semiconductors (Poate J.M., Mayer J.W., eds.). New York: Acad. Press, 1982, p. 43-74.

59. Wautelet M., Van Vechten J.A. Carrier diffusion in semiconductors subject to large gradients of excited carrer density. -Phys. Rev., B, 1981, v. 23, N10, p. 5551-5554.

60. Yoffa E.J. Dynamics of dense laser-induced plasmas. Phys. Rev., B, 1980, v. 21, N6, p. 2415-2425.

61. Auston D.H., Golovchenko J.A., Smith P.R., Surko C.M., Ven-katesan T.N.C. CW argon laser annealing of ion-implanted silicon. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, N6, p. 539-541.

62. Auston D.H., Golovchenko J.A., Simons A.L., Surko C.M., Venkatesan T.N.C. Dynamics of Q-switched laser annealing. -Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, N11, p. 777-779.

63. Surko C.M., Simons A.L., Auston D.H., Golovchenko J.A., Slusher R.E., Venkatesan T.N.C. Calculation of the dinamics of surface melting during laser annealing. Appl. Phys. Lett.,1979, v. 34, N10, p. 635-637.

64. Liu Y.S., Wang K.L. A transient optical reflectivity study of laser annealing of ion-implanted silicon: thresholds and kinetics. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, N6, p. 363-365.

65. Murakami K., Kawabe M., Gamo K., Namba S., Aoyagi Y. Dynamic behavior of pulsed laser annealing in ion-implanted silicon. Measurement of the time dependent optical reflectance. Phys. Lett., 1979, v. 70A, N4, p. 332-334.

66. American Institute of Physics (AIP) Handbook. 3rd ed. New York: McGraw-Hill, 1972.

67. Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970, 272 с.

68. Реди Д. Действие мощного лазерного излучения. М.: Мир, 1974.

69. Гринберг А.А., Мехтиев Р.Ф., Рывкин С.М., Салманов В.М., Ярошецкий И.Д. Поглощение лазерного излучения и разрушение в полупроводниках. ФТТ, 1967, т. 9, №5, с. 1390-1397.

70. Baeri P., Campisano S.U. Heat Plow Calculations. In: Laser Annealing of Semiconductors (Poate J.M., Mayer J.W., eds.). New York: Acad. Press, 1982, p. 75-109.

71. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. Arsenic diffusion in silicon melted by high-power nanosecond laser pulsing. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, N2, p. 137-140.

72. Lax M. Temperature rise induced by a laser beam. II. Thenonlinear case. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, N8, p. 786788.

73. Williams J.S., Brown W.L., beamy H.J., Poate J.M., Rod-gers J.vr., Rousseau D., Rozgonyi G.A., Shelnutt J.A., Sheng T. Solid-phase epitaxy of implanted silicon Ъу CW Ar ion laser irradiation. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, N6, p. 542-544.

74. Carslaw H.S., Jaeger J.C. Conduction of Heat in Solids. London, New York: Oxford Univ. Press, 1959.

75. Вейко В.П., Кокора А.Н., Либенсон М.П. Об экспериментальной проверке распределения температуры в зоне воздействия излучения оптического квантового генератора на металл. ДАН СССР, 1968, т. 179, №1, с. 68-71.

76. Spaepen F., Turnbull D. Crystallization Processes. In: Laser Annealing of Semiconductors (Poate J.M., Mayer J.W., eda). New York: Acad. Press, 1982, p. 15-42.

77. Van Yechten J.A., Tsu R., Saris F.W., Hoonhout D. Reasons to believe pulsed laser annealing of Si does not involve simple thermal melting. Phys. Lett., 1979, v. 74A, N6, p. 417-421.

78. Van Vechten J.A., Tsu R., Saris F.W. Nonthermal pulsed laser annealing of Si; Plasma annealing. Phys. Lett., 1979,v. 74A, N6, p. 422-426.

79. Van Vechten J.A., Wautelet M. Variation of semiconductor band gaps with lattice temperature and with carrier temperature when these are not equal. Phys. Rev., B, 1981, v. 23, N10,p. 5543-5550.

80. Lo H.W., Compaan A. Raman measurement of lattice temperature during pulsed laser heating of silicon. Phys. Rev. Lett., 1980, v. 44, N24, p. 1604-1607.

81. Yoffa E.J. Role of carrier diffusion in lattice heating- 192 during pulsed laser annealing. Appl. Phys. Lett., 1980, v. 36, N1, p. 37-38.

82. Svantesson K.G., Nilsson N.G., Huldt L. Recombination in strongly excited silicon. Solid State Commun., 1971, v. 9, N3, p. 213-216.

83. Гольданский В.И., Намиот В.А., Хохлов P.B. О возможности управления поверхностными явлениями с помощью лазерного излучения. ЮН, 1976, т. 70, Р6, с. 2349-2359.

84. Картов Н.В., Прохоров A.M. Селективные процессы на границе раздела двух сред, индуцированные резонансным лазерным излучением. УВД, 1977, т. 123, №., с. 57-82.

85. Бонч-Бруевич A.M., Либенсон М.Н., Гагарин А.П., Котов Г.А., Макин B.C., Пудков С.Д., Шандыбина Г.Д. Лазерная активация термохимических реакций на поверхности конденсированных сред. -Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, №3, с. 13-24.

86. Бункин Ф.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.С. Лазерная термохимия. Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т. 46, №6, с. II50-II69.

87. Бункин Ф.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.С. Термохимические явления, стимулированные лазерным излучением. Изв. АН СССР, сер. физ., 1981, т. 45, Р6, с. I0I8-I042.

88. Григоров Л.Н., Мунблит В.Я., Казанский В.Б. О возможности обнаружения короткоживущих промежуточных продуктов в гетероген-но-каталитических реакциях методом флеш-десорбции. Кинетикаи катализ, 1978, т. 19, №2, с. 412г 415.

89. Григоров Л.Н., Мунблит В.Я. Лазерная флеш-десорбция и ее применение в исследованиях гетерогенного катализа. Ш. Изучение взаимодействия ацетальдегида с окисью меди. Кинетика и катализ, 1981, т. 22, №, с. 710-715.

90. Бонч-Бруевич A.M., Либенсон М.Н. Нерезонансная лазеро-химия в процессах взаимодействия интенсивного излучения с веществом.-Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т. 46, №6, с. II04-III8.

91. Бзгсшин Ф.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.В. Термохимическое действие лазерного излучения. УЗД, 1982, т. 138, №1, с. 45-94.

92. Бункин Ф.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.С., Сапецкий А.Н. Восстановительные гетерогенные реакции в лазерной термохимии. -Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, №6, с. 98-104.

93. Бурмистров А.В., Конов В.И. О скорости поверхностного окисления металлов, нагреваемых лазерным излучением. Физ. и хим. обраб. матер., 1982, №3, с. 3-7.

94. Александров И.Н., Быкова Т.Т. Эмиссия ионов с поверхности селенида, кадмия под действием лазерного излучения различных длин волн. ЗШ, I960, т. 50, №6, с. 1266-1269.

95. Viswanthan R., Burgess D.R., Stair P.O., Weitz E. baserinduced thermal desorption of CO from clean polycrystallineicopper: time-of-flight and surface diffusion measurements. -J. Electron Spectrosc. and Relat. Phenom., 1983, v. 29, p. 111.

96. Stritzker В., Pospieszczyk A., Tagle J.A. Measurements of lattice temperature of silicon during pulsed laser annealing.

97. Phys. Rev. Lett., 1981, v. 47, N5, p. 356-358.

98. Летохов B.C. Селективное действие лазерного излучения на вещество. УШ, 1978, т. 125, №1, с. 57-96.

99. Wautelet М. Solid surfaces under laser irradiation. -Surf. Sei., 1980, v. 95, p. 299-308.

100. Gauthier R., Guittard C. Mechanism-investigations of a pulsed laser light induced desorption. Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 38, N2, p. 477-486.

101. Карлов Н.В., Петров Р.П., Петров Ю.Н., Прохоров A.M. Селективное испарение замороженных газов лазерным излучением.-Письма в ЗКЭИ, 1976, т. 24, N5, с. 289-292.

102. Киселев В.Ф. О путях диссипации энергии, выделяющейся в актах адсорбции, захвата и рекомбинации носителей заряда на поверхности. Материалы 1У Всесоюзной школы-семинара по физике поверхности полупроводников. Л.: Изд. ЛГУ, 1979, с. 7-22.

103. Antonov Y.S., Letokhov V.S., Shi"banov A.N. Nonthermal desorption of molecular ions of polyatomic molecules induced by UV laser radiation. Appl. Phys., 1981, v. 25, N1, p. 71-76.

104. Летохов B.C., Мовшев В.Г., Чекалин С.В. Фотоотрыв молекул родамина 6G , адсорбированных на поверхности, под действием ультракороткого лазерного импульса. ЖЭТФ, 1981, т. 81, №2(8), с. 480-485.

105. Antonov V.S., Letokhov V.S., Shibanov A.N. Laser-induced photodetachment of molecular ions from the surface. Appl.- IS6

106. Phys., 1982, т. Б28, N2-3, p. 245-248.

107. ЛазневаЭ.Ф., Александров И.Н., Т^льев А.В. Энергетические распределения нейтральных компонент селенида кадмия, испаряемых под действием лазерного излучения. ШФ, 1981, т. 51, Р8,с. 1690-1694.

108. ЛазневаЭ.Ф., Александров И.Н. Сравнительное исследование лазерного испарения монокристаллов CdSe и металлического Cel. -Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, Р6, с. 148-150.

109. Kawai Т., Sakata Т. Dynamics of photoinduced surface reactions on semiconductors studied Ъу a pulsed-laser dynamic-mass-spectrometer technique. - Chem. Phys. Lett., 1980, v. 69, N1, p. 33-36.

110. Агеев B.H. Исследование взаимодействия кислорода с тугоплавкими металлами и некоторых сложных адсорбционных систем. Докт. диссертация. Л., Ф1И, 1971, 290 с.

111. Загрубский А.А., Ловцюс В.А., Петров В.В. Простой генератор линейно изменяющегося напряжения. 1ИЭ, 1980, PI, с. 128-129.

112. Комаров Б.А., Сопряков В.И. Простой прецизионный регулятор для мощных нагревателей в диапазоне 50-1200°С. 1ИЭ, 1979,1. Н°2, с. 269-270.

113. Борисенко А.И., Загорский Я.Т., Котюк А.Ф., Кузнецов А.А. Средства измерений энергии импульсного лазерного излучения. -В кн.: Измерительные устройства систем энергетической фотометрии. М., 1982, с. 24-45.

114. Апрелев М.В., Глебовский А.А., Моисеенко И.Ф., Лисаченко А.А. Система автоматизации измерений на времяпролетном масс-спектрометре. ПТЭ, 1984,№1, с. 89-93.

115. Дьяконов В.П., Ремнев A.M. Устройства временной задержки на монолитных интегральных компараторах. ПТЭ, 1977, N5, с. 99-101.

116. Смирл, Шумейкер, Хембенне, Мэттер. Простое устройство для контроля энергии лазерных импульсов. ПНИ, 1978, N5, с. 115-116.

117. Mark T.D., Egger F. Cross-sections for single ionization of H20 and D20 by electron impact from threshold up to 170 eV.-Int. J. Mass Spectr. and Ion Phys., 1976, v. 20, N1, p. 89-99.

118. Kieffer L.J., Gordon H. Dunn. Electron impact ionization cross-section data for atoms, atomic ions & diatomic molecules: I. Experimental data. Rev. of Modern Phys., 1966, v. 38, N1, p. 1-35.

119. Uishimura H. Excitation of N^» oj and COg band by electron impact. J. Phys. Soc. Japan., 1968, v. 24, N1, p.130-143.

120. Лихтман Д. Исследование поверхности с помощью десорбции, индуцированной электронами, ионами, фотонами и поверхностными волнами. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела. М.: Мир, 1977, с. 104-135.

121. Кикоин И.К. Таблицы физических величин. Справочник. М.: Атомиздат, 1976, 1006 с.

122. Ehrlich G. Flash desorption, field emission microscopy and ultrahigh vacuum techniques. In: Advances in catalysis and related subjects. Hew York: Acad. Press, 1963, v. 14,p. 255-427.

123. Хансен X., Мимо В. Хемосорбция в системах с ультравысоким вакуумом. В кн.: Экспериментальные методы исследования катализа. М.: Мир, 1972, с. 220-262.

124. Redhead P.A. Thermal desorption of gases. Vacuum, 1962, v. 12, N4, p. 203-211.

125. Агеев B.H. Адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности твердого тела. Поверхность. Физика, химия, механика. 1984, N33, с. 5-26.

126. Ткалич B.C., Лисаченко А.А., Климовский А.О. Образование высокоактивных форм кислорода при фотоадсорбции на окиси цинка. Химическая физика, 1982, №11, с. 1525-1528.

127. Лисаченко А.А., Вилесов Ф.И. Влияние адсорбированного кислорода на фотоэмиссионные и фотосорбционные свойства окиси цинка. » ДАН СССР, 1970, т. 192, с. 365-368.

128. Рабаданов Р.А., Атаев Б.М., Адуков А.Д., Шаихов Д.А. Разрушение эпитаксиальных пленок ZnO под действием мощного лазерного излучения. В кн.: Пробой диэлектриков и полупроводников. Махачкала, 1980, с. 81-84.

129. Nakayama Т., Itoh N., Kawai Т., Hashimoto К., Sakata Т. Neutral particle emission from zinc oxide surface induced by high-density electronic excitation. Radiation Effects Lett., 1982, v. 67, N5, P. 129-133.

130. Itoh N., Nakayama T. Mechanism of neutral particle emission from electron-hole plasma near solid surface. Phys. bett., 1982, v. 92A, N9, p. 471-475.- 198

131. Абрамова И.Н., Александров Е.Б., Бонч-Бруевич A.M., Хромов В.В. Фотостимулированная десорбция атомов с поверхности прозрачных диэлектриков. Письма в ИФ, 1984, т. 39, №4, с. 172-173.

132. Кашкаров П.К., Киселев В.Ф., Петров А.В. Влияние лазерного облучения на поверхностные электронные состояния германия. -Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, №12, с. 47-53.

133. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978, 288 с.