Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ДАГЕСТАНСКИЙ ОРДЕНА ДРУЖБЫ НАРОДОВ ГОС^Д^$Т$ёяНЬ1Й УНИВЕРСИТЕТ ИМ. В.И. ЛЕНИНА

На правах рукописи

МАГОМЕДОВА ПАТИМАТ МУСТАФАЕВНА

УДК 621.315.592

АССОЦИАТЫ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ СОБСТВЕННОЙ И ПРИМЕСНОЙ ПРИРОДЫ В КРИСТАЛЛАХ гпБ, гпБс. Ссгёе

01.04.10- физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат на соискание ученой степени кандидата ' физико-математических наук

Махачкала 1998 г.

Работа выполнена на кафедре экспериментальной физики Дагестанского ордена Дружбы народов государственного университета им. В.И.Ленина

Научный руководитель -доктор физико-математических наук,

профессор Сафаралиев Г К.

Официальные оппоненты -доктор физ.-мат.наук. ведущий

научный сотрудник Бабаев А.А

кандидат физ.-мат. наук, профессор Амадзиев A.M.

Ведущая организация - Санкт-Петербургский гоударствен-ный электротехнический университет

Защита диссертации состоится « & Ь » 1998 года в

часов на заседании специализированного совета К.621.61.06 по физико математическим наукам в Дагестанском государственном университете по адресу 367025, Махачкала, ул М.Гаджиева, 43А С диссертацией можно ознакомится в научной библиотеке ДГУ

Автореферат разослан « » ¡¿РлУ^Ь Р-^У^ 1998 года

Ученый секретарь специализированного совета К.621.61.06 по физико-математическим наукам при ДГУ, доктор техн. наук, профессор

Гайдаров Ш.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы Соединения ¿пБ, ¿пБе. СёБе являются типичными представителями широкозонных полупроводников группы А2Вб и обладают уникальными фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. На их основе созданы фото-, электро-и катодолюминофоры, твердотельные лазеры, фотоприемники и преобразователи солнечной энергии, активные элементы оптоэлек-тронных приборов.

Генерационные и рекомбинационные процессы в этих соединениях контролируются точечными дефектами собственной и примесной природы, которые в зависимости от характера участия в процессах релаксации неравновесных носителей заряда (НТО)1 делятся на центры прилипания (ЦП) и центры рекомбинации (ЦР). Кинетические и энергетические характеристики этих центров определяют спектральный диапазон фоточувствительности и люминесценции, времена жцзни ННЗ, квантовый выход излучения, инерционность и многие другие параметры приборов и устройств на основе широкозонных полупроводников.

Большой научный и практический интерес, проявляемый к кристаллам и пленкам 2п8, 2пБе, СёБе, способствовали изучению многих их свойств, что позволило установить структуру, параметры и природу многих ЦП и ЦР. Однако, несмотря на значительные успехи, все еще остаются открытыми и нерешенными многие вопросы, связанные с взаимодействием (ассоциацией) точечных дефектов различной природы, структурой энергетического спектра ЦП и ЦР ассоциативной природы и механизмами электронно-дырочных переходов с их участием. Эти обстоятельства осложняют решение практически важной задачи: целенаправленного управления фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами соединений А2В6, более эффективного использования этих материалов при разработке и конструировании новых приборов и устройств оптоэлектроники.

Исследование ассоциатов точечных дефектов собственной и примесной природы в этих материалах представляет и фундаментальный интерес с точки зрения познания особенностей кристаллов с нарушенной трансляционной симметрией. Таким образом исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств, обусловленных взаимодействием точечных дефектов; установление их

физико-химической природы, структуры й особенностей их энергетического спектра и механизмов электронно-дырочных переходов с их участием, представляют весьма актуальную задачу физики широкозонных полупроводников.

Основная цель диссертационной ^работы. - определение оптимального чнела экспериментальных методов исследования ЦП и ЦР. позволяющих однозначно установить их структуру; определение физико-химической природы, кинетических и энергетических параметров взаимодействующих точечных, дефектов, и их роли в формировании фотоэлектрических и люминесцентных свойств полупроводниковых соединений А2В6.

Основными объектами исследования выбраны кристаллы ZnS, ZnSe, Сс18е. Эти соединения независимо от технологических методов выращивания обладают монополярной проводимостью п-типа и имеют богатый набор точечных дефектов собственной природы, уровни которых локализованы в запрещенной зоне в широком интервале энергий, что. обеспечивает процессам захвата и рекомбинации в •них ярко, выраженный характер. В силу чего эти соединения могут быть причислень1 к модельным полупроводникам для исследования ЦП и ЦР.

Изучение системы 2п8-2п8е-Сс18е позволит проследить за трансформацией физических свойств этих соединений, связанных с теми или иными нарушениями кристаллической решетки при замещении в них катиона или аниона. Такие исследования могут дать дополнительную информацию о деталях изучаемых явлений, а также о природе точечных и ассоциированных дефектов в этих соединениях.

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных на исследовании кинетических, спектральных и температурных характеристик ПФ, ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ, ТСТ, ТСЛ, эффекта Холла. При обработке экспериментальных данных и теоретических расчетах использовался пакет программного обеспечения спектрально-вычислительного комплекса КСВУ-12.

Научная- новизна. Комплекс экспериментальных" и теоретических исследований, выполненных в диссертационной работе привели к установлению следующих данных.

1. В кристаллах 2пБе, СёБе реализуются ЦП, ЦР сложной структуры, обусловленные взаимодействующими точечными дефектами собственной (Угп,са, Vs.se) и примесной природы.

2. Зонно-примесным полосам ИПФ, межпримесныМ полосам ФЛ и ЭЛ, обусловленным ассоциированными точечными дефектами, свойственны спектральные сдвиги в зависимости от концентрации ННЗ (уровня возбуждения). Исследования эффектов такого рода позволяют установить сложную структуру ЦП и ЦР.

3. Предложены моделй центров излучательной рекомбина- . ции в кристаллах Сс18е (Ьу=1.3-1.5 эВ) и ZnS (Ьут = 2.3 эВ), в основе которых лежат представления о ассоциатах точечных дефектов.

4. Рост неравновесной фоточувствительности кристаллов Сс!8е определяется не только концентрацией ЦП, пребывающих в фотоактивном состоянии, но и их зарядовым состоянием.

5. Предложен комплекс экспериментальных методов, необходимый для достоверной оценки структуры и характеристических параметров ЦП и ЦР, обусловленных ассоциатами точечными дефектами собственной и примесной природы.

Практическая ценность

1. Результаты исследования физико-химической природы, структуры, параметров и особенностей ЦП и ЦР, обусловленных взаимодействующими точечными, дефектами в кристаллах 2пБе, СёБе могут быть использованы в технологических процессах при выращивании этих кристаллов с заранее заданными свойствами, а также при разработке и конструировании новых полупроводниковых приборов и люминофоров на их основе.

2. Для практики исследования ЦП и ЦР сложной структуры выявлен круг экспериментальных методов, позволяющих выявить структуру взаимодействующих точечных дефектов.

3. Разработана методика получения электролюминесци-рующих ячеек на основе кристаллов 2п8е.

Защищаемые положения

1. В кристаллах ZnS, ХпБе, СёБе п-типа в соответствии с физхимией соединений А2В6 реализуются двухуровневые ЦП (Уз,зе)2+ и ЦР (Уг^са)2". Многообразие электронных уровней и соот-

ветствующих им спектров ИПФ, ОГФ, ФЛ. ЭЛ. ТСТ, ТСЛ - следствие взаимодействия этих точечных дефектов как между собой, так и с дефектами примесной (D, - Ag¡ Cu,) природы [(Ag¡)+ - (VCd)"], [(Cu,)' - (Vcd)-j, {(Vs,se)2f - [(Vzn,Cd)2" - D+]-},

2. Рост неравновесной фоточувствительности полупроводниковых соединений А2Вб в примесной области обусловлен нетолько увелечением концентрации ЦП в фотоактивном состоянии с ростом концентрации ННЗ, но и перезарядкой этих центров.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на итоговых конференциях преподавателей и сотрудников Дагестанского госуниверситета (г. Махачкала, 1994-1997 г.г.), Международных конференциях "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (г.Ульяновск, 1997 г.), "Оптика полупроводников" (г. Ульяновск, 1998 г.)

Публикации." По теме диссертации опубликовано шесть научных работ (см. список в конце автореферата).

Диссертационная работа выполнена под руководством доктора физ.-мат. наук, профессора Сафаралиева Г.К. и научного консультанта кандидата физ.-мат. наук Зобова Е.М.

Во всех указанных совместных работах вклад автора настоящей диссертационной работы существенен: принимала участие в составлении программ для расчета теоретических данных; выполнила экспериментальные измерения и провела на ЭВМ обработку данных, внесла существенный вклад в обсуждение и интерпретацию результатов исследования.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 111 страницах машинописного текста, имеет одну таблицу и 40 рисунков. Список цитируемой литературы состоит из 132 наименований.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность, сформулирована основная цель и направление исследований, представлены данные q

новизне и практической ценности диссертации. Там же представлены положения, которые выносятся на защиту.

Первая глава является обзорной. Многочисленные литературные данные теоретического и экспериментального плана доказывают. что все разнообразие электрических и оптических свойств бинарных соединений А2В6 в том случае, когда они тщательно очищены от примесей, определяется составом и природой собственных (врожденных) дефектов решетки.

Установлено, что важнейшими донорными центрами в кристаллах 2п5. 2п8е, Сс15е являются вакансии халькбгена (Vs.se)2* , а акцепторами - вакансии цинка и кадмия ЦР (Угп,<м)~ - Первые могут находиться в нейтральном, одно- или двукратно положительно заряженном состоянии, а вторые - в нейтральном, одно- и двукратно отрицательно заряженном состоянии. Однако положение соответствующих электронных уровней этих центров остается дискуссион ным. Имеющиеся экспериментальные данные были получены, в основном при исследовании ассоциатов типа [(Уэзе)24 - (Агп,са)~ Г, [Р3.3е)+ - [(У2п,Ьа)2" Г.

Так как основными дефектами'в 2п8, 2п8е, С<15с являются вакансии металла и халькогена, то возможно образование ассоциатов [(Уз^еГ - (Уг^са)*"]0 Экспериментальные данные, доказывающие существование таких ассоциатов в кристаллах ZnSe, Сс15е.п-тнпа в литературе отсутствуют.

Сложность энергетического спектра электронных состояний в кристаллах 7п5, 2пБе, СёБе результат реализации в них большого количества ЦП и ЦР, природа и структура которых до конца невыяснена. Для успешного решения проблемы идентификации ЦП , ЦР и выявления всех их свойств и особенностей необходимо применять комплекс экспериментальных методов.

Рассмотрены особенности энергетического спектра ЦП и ЦР, имеющих сложную структуру, и физические свойства, приобретаемые кристаллами при реализации в них дефектов подобного типа.

Во второй главе дана характеристика образцов, представлены электрические и оптические схемы экспериментальных установок. Изложены методы обработки экспериментальных данных, полученных в работе на основе исследования фото-,термоэлектрических и люминесцентных явлений.

В третьей главе представлены результаты исследрвания люминесцентных и фотоэлектрических явлений, связанных с взаимодействующими точечными дефектами в кристаллах ZnS

Фотолюминесценция В неактивированных кристаллах ZnS обнаружена "новая" полоса зеленой ФЛ с А™ = 540 нм. входящая в состав спектра сине-зеленой люминесценции (СЗЛ), но отличающаяся от известных зеленых полос излучения (Ат = 505-520 нм) своими свойствами. При переходе от комнатных температур к низким наблюдается рост ее интенсивности. Максимальная интенсивность излучения наблюдается в температурном интервале 200-220 К. В низкотемпературной области (Т<200 К) наблюдается температурное тушение люминесценции . При температуре жидкого азота полоса с А™ = 540 нм "вымерзает", а в спектре СЗЛ остаются голубая (А™ = 465 нм) и зеленая (Ат £ 510 нм) полосы излучения. О присутствие двух полос зеленой люминесценции в спектре СЗЛ свидетельствуют •спектры поляризованной ФЛ. ■

Спектры ТСЛ состоях из двух полос с Тп~ 155 и 265 К. В кристаллах с яркозыраженной и икточелвкон полосой А™ = 540 нм полоса ТСЛ Тт= 265 К либо по интенсивности меньше полосы с Тт= 155 К, либо отсутствует полностью. Исследования зависимости интенсивности ФЛ (Хщ = 540 нм) от уровня возбуждения показали, что максимум полосы смещается в сторону коротких длин волн (ДЕ-0.02 эВ).Спад интенсивности излучения после окончания возбуждения носит н^кспоненциальный характер. Эти свойства полосы Ат = 540 нм напоминают признаки полос излучения, обусловленных межпримссными электронными переходами в распределенных по межатомному расстоянию, (г) донорно-акцепторных парах (ДАЛ). Однако основная особенность полосы Ат =540 нм не позволяет объяснить всех ее свойств в рамках известных моделей СЗЛ, основанных на межпримесном канале излучательной рекомбинации.

Фотоэлектрические свойства. С целью выяснения природы полосы излучения Ат = 540 нм и параметров центров, ее обуславливающих, нами проведены комплексные исследования спектров тер-мостимулированного тока (ТСТ) и индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ). Эти исследования показывают, что спектры ТСТ и ТСЛ имеют тождественный вид и состоят из двух полос с Тт= 155 и 265 К. На спектре ИПФ при Т=295 К наблюдается одг,а

полоса с максимумом hvm=0.93 эВ и красной границей hv~0.7 эВ. Температурная зависимость интенсивности полосы ИПФ повторяет ход температурной зависимости интенсивности излучения полосы сЯт = 540 нм Состояние максимальной интенсивности ИПФ и люминесценции (Т- 220-200 К) достигается в области минимума между полосами ТСП и ТС Л. В этом температурном интервале наблюдается и ту шение полосы излучения ^ = 540 нм при дополнительном облучении кристаллов инфракрасным светом hv> 0.7 эВ .

Модель центров зеленой (Хт 2 540нм) ФЛ . Ранее [1J особенности ТСП и ИПФ в кристаллах ZnS были объяснены на основе представлений о двухэлектронном центре прилипания' с уровнем первого и второго электрона вблизи Ес-0.68 эВ и Ее- 0.15 эВ соответственно. По мнению авторов эти центры обусловлены собственными дефектами типа анионной вакансии. Мы предполагаем, что этот центр входит в состав и центров зеленого (А,т = 540 нм) излучения в качестве донорной компоненты ДАП. Что же касается акцептора. то предполагаем, что им является r-центр фоточувствительности с уровнем Ev + 1.1 эВ, имеющий в своем составе двухуровневую вакансию цинка. Люминесцентное излучение = 540 нм является результатом межпримесного электронного перехода с уровня Ес -0.68 эВ на уровень акцептора.

Энергия фотона, излучаемого в результате такого перехода определяется выражением

hv¡ =Eg - (Ед + Ed ) + e2/s г . Расчет показывает, что для пар второго порядка при Eg=3.7 эВ, s =8.3, hv,= 2.3 эВ, что соответствует энергии излученияХт = 540 нм.

Свойства зеленой полосы ФЛ (А,т = 540 нм) формируются особенностями двухуровневого донорного центра. Захват электрона на его верхний уровень приводит к тому, что энергия нижнего уровня не может проявляться в экспериментах .из-за сильного взаимодействия между двумй электронами и их неразличимости [2]. Это обстоятельство приводит в нашем случае к зависимости интенсивности люминесценции и ИПФ, обусловленных уровнем Ес - 0.68 эВ (уровень I ), от степени заполнения не только этого, но и одновременно уровня II (Ес - 0.15 эВ).

В районе низкотемпературных полос ТСП и ТС Л наблюдаются участии экспоненциального роста интенсивности ФЛ и ИПФ.

которые связаны с увеличением числа активных уровней I в результате термического опустошения уровня II, а также участок экспоненциального затухания "в области высокотемпературных полос ТСЛ и ТСП, где реализуется термическая ионизация непосредственно уровня I, ответственного за процессы ФЛ и ИПФ. Таким образом, изменения интенсивностей ФЛ и ИПФ с температурой контролируются процессами тепловой генерации электронов из уровней II. I вакансии серы, и наклоны прямых 1ц1ф-,= Д1/Т), ^ 1ИПф = 1/Т) в низко- и высокотемпературных областях определяются энергиями активации Еа2~0.06- 0.16 и Ед1~0.3-0.4 эВ, которые близки к значениям энергии ионизации, проявляемым в измерениях ТСП и ТСЛ.

Состояние максимального неравновесного очувствления кристаллов 2п5 достигается в области минимума между максимумами ТСП и ТСЛ. Высокая интенсивность ФЛ (X,,, = 540 нм) и ИПФ в данном температурном интервале объясняется тем,.что в то время как уровень II в этой области опустошен, глубокий уровень I пребывает все еще в заполненном состоянии. ИК подсветка из спектрального диапазона ИПФ (Ьу> 0,7 эВ ) приводит к ионизации уровня I и гашению ФЛ.

Наблюдаемая в экспериментах размазанность энергии активации ИПФ, ее температурной зависимости и температурной зависимости ФЛ; дрейф полос ИПФ, ТСТ, ТСЛ, ФЛ в различных кристаллах 2пБ (образцах); явления сдвига максимума и красной границы полосы ИПФ в длинноволновую область спектра, а максимума полосы ФЛ в коротковолновую область спектра с ростом уровня собственного фотовозбуждения - результат участия двухэлектронных ЦП в распределенных по межатомным расстояниям ассоциатах {(У3)2+ -КЪп)2--&)-}.

В четвертой главе представлены исследования спектральных и полевых характеристик электролюминесцирующих симметричных структур 1п-7пЯе-1п на основе самоактивированных монокристаллов селенида цинка.

Удельное сопротивление выращенных монокристаллов 2пБе обычно составляет 10й- 1012 Ом см. Это обстоятельство существенно затрудняет применение данного материала для создания малогабаритных низковольтных электролюминесцирующих источников света. Известно, что введение примесей III группы приводит к суще-

ственному снижению удельного сопротивления ЕпБе до значений 10" -101 Ом см. но и гасит полосы самоактивированной люминесценции данного материала. Поэтому нами высокоомные монокристаллы ¿пЗе.подвергались предварительной термообработке в расплавленном цинке (То=800 К, г = 5 часов). Термообработка осуществлялась в предварительно откаченных до давления 10'3 Па и эвакуированных кварцевых'ампулах. После термообработки кристаллы имели удельное сопротивление рт=10и - 101 Ом см. Контакты из индия наносились на свежие сколы кристалла размером 2x3x2 мм методом вплавления.

Исследования проводились как в режиме постоянного электрического поля, так и в импульсном режиме. Пороговое значение напряженности электрического поля, при котором в структуре возбуждалась электролюминесценция, составляло величину и~4 103 В/м. При полях и ~ 105 В/м наблюдается электрический пробой структуры. '

Электрические характеристики интенсивности свечения структур 1п-2п8е-1п в целом не отличаются от аналогичных характеристик электролюминофоров на основе кристаллов 2п0 и 2п8. Яркость ЭЛ (В) быстро растет с увеличением напряжения, подчиняясь обычной эмпирической зависимости 1пВ- V'1что соответствует ударному механизму ионизации основной решетки кристалла и возбуждения неравновесных носителей. Этому механизму возбуждения соответствует и зависимость яркости свечения от частоты импульсного электрического поля.

Спектр электролюминесценции структуры 1п-2п5е-1п состоит из двух перекрывающихся полос с Хт =620 им при Т=77 К. Увеличение величины электрического поля, приложенного к структуре приводит к смещению максимума полосы ЭЛ в высокоэнергетическую область спектра, что указывает на ее донорно-акцепторную природу. Величина сдвига достигает значения ДЕ-0.07 эВ. При переходе к комнатным температурам (Т=295 К) наблюдается температурное тушение интенсивности излучения по,чти во всем спектральном диапазоне, но наиболее сильно оно выражено в диапазоне Х-520-590 им. При Т=295 К максимум полосы излучения приходится на А™ =640 нм. Величина температурного сдвига максимума по-лосыЭЛ составляет Д~ 10-20 нм (0.04-0.07 эВ).

Для выяснения природы центров свечения, обуславливающих ЭЛ структуры In-ZnSe-ln, проведены исследования ФЛ и ТСЛ. в кристаллах ZnSe различной технологии. Спектры ФЛ в самоактивированных кристаллах ZnSe представляют собой обычно суперпозицию нескольких более элементарных полос излучения с Хт =560-600, 620-640, 700-720, 920-960 нм. Распределение интенсивности свечения по спектру изменяется от кристалла к кристаллу. Анализ экспериментальных данных и аналитический расчет показывают, что размазанность энергии активации температурной зависимости интенсивности излучения отдельных полос, явления спектрального сдвига максимума полос ФЛ и ЭЛ с изменением уровня возбуждения люминесценции - результат реализации в селениде цинка распределенных по межатомным расстояниям ассоциатор, в состав которых входят собственные дефекты {(Vse)2+ - [(Vzn)2" - D+]"}

Вероятность реализации в самоактивированных кристаллах ZnSe ассоциатов данного типа подтверждается исследованиями спектров ТСЛ и ТСТ. Из сравнения спектров ФЛ, ТСТ и ТСЛ обращает на себя внимание тот факт, что "богатство" полос ТСЛ коррелирует с многообразием полос ФЛ. Анализ спектров ТСЛ и ТСТ показывает, что в неактивированных кристаллах ZnSe в зависимости от их технологии реализуются электронные ЦП с квазидискретной системой уровней в интервале энергий Ее1 - (0.11-0.56) эВ. Из теории термостимулированных процессов ..[3] следует, что термическая глубина ЦП для случая слабого повторного захвата :электрона связана с температурой максимума полос ТСТ и ТСЛ-линейной зависимостью Et =ATm+B и выполняется только тогДа,. когда ЦП имеют одну и туже природу. Электронные ЦП, выявдЬнНые в'экспериментах по ТСЛ и ТСТ отвечают этой зависимости и следовательно имеют единую природу, которая связана с вакансиями- селена, входящими в указанные ваше ассоциаты.

Обращает внимание отсутствие ца спектрах ТСЛ полос излучения с Тт>200 К. Исследование температурной зависимости интенсивности люминесценции показывают, что в данной температурной области наблюдается термоионизации акцепторных уровней ассоциатов., Поэтому если термоионизация центров рекомбинации наступает раньше чем ЦП, то полосы ТСЛ соответствующие глубоким 'уровнем на'ейектрах"будут отсутствовать.

В пятой главе представлены экспериментальные данные, отражающие кинетические и спектральные особенности фотоэлектрических явлений ПФ. ИПФ, ОГФ, фотоэффекта Холла и инфракрасной люминесценции (ИКЛ) (hvm=1.3 - 1.5 эВ) монокристаллов селенида кадмия, легированных примесями серебра и меди, и обоснована их связь с электронными ЦП a-типа, общие представления о которых введены в физику полупроводников [2] для корректной интерпретации различных неравновесных процессов.

Фотоэлектрические эффекты. В отличие от неактивированных кристаллов CdSe, в кристаллах активированных примесями серебра и меди наблюдаются полосы ИПФ с hvm= 0.30-0.33 эВ. С ростом уровня собственного фотовозбуждения наблюдается трансформация спектров ИПФ. которая проявляется в спектральном сдвиге максимума полос в коротковолновую область (величина сдвига ДЕ~0.02 эВ) и длинноволнового края в низкоэнергетическую область спектра (величина сдвига ДЕ-0.03 эВ). Величина этих эффектов определяется природой многоуровневых ассоциатов, с которыми связаны оптически ^ктивные ЦП электронов. Как было установлено [4J оптически активные электронные ЦП Ес-0.23 эВ, ответственные за спектры ИПФ с hvm= 0.3 эВ, связаны с изолированными междоузельными атомами серебра (Ag,)+ и ДАП f(Ag,)+ -(Acd)"] с tíx участием. (Ag,)+ - центры и ассоцйаты с их участием характеризуются огромными сечениями захвата электронов Sn=10"B - 10"15 см2, способны пребывать в равновесии с зоной проводимости в широком температурном интервале (Т=90-350 К) и контролировать неравновесные процессы. В силу этих особенностей они относятся к быстрым a-ЦП. В отличие от (Ag,)+ - центров изолированные меясдо-узельные атомы меди в кристаллах CdSe-CdS [5] создают оптически активные электронные ЦП с уровнем Ес- 0.27 эВ. Как и (Ag,)+ - центры, центры (Cuf)+ способны участвовать в образовании ДАП, имеют сечение захвата электрона такого же порядка как первые и относятся к ЦП а-типа.

Путем совместного исследования ИПФ и ОГФ в диссертации показано, что роль акцепторов в [(Ag,)+ - (ACd)']° ассоциатах играют акцепторы с уровнями Ev+ 0.3 эВ, которые свойственны кристаллам CdSe различной технологии и связаны с (Ved)-. В условиях роста концентрации неравновесных носителей заряда, вызванного

либо наличием зонно-зонного фотовозбуждения, либо инжекцией носителей заряда «с контактов, кроме сдвига длинноволнового края спектров ИПФ в низкоэнергетическую область, наблюдается рост интенсивности полос фотопроводимости во всем спектральном диапазоне. Наличие спектральных сдвигов пойос ИПФ и увеличение не-^ равновесной фоточувствительности кристаллов Сс15е<А§> в спектральном диапазоне Ьу~0.2 - 0.5 эВ связаны с накоплением электронных ЦП в фо^оактивном состоянии. Исследования фотоэффекта Холла, проведенные в диссертации, позволяют заключить - рост неравновесной фоточувствительности халькогенидов кадмия (и Сс18е в частности) в высокоэнергетической области спектра при комбинированном фотовозбуждении кристаллов, связан с увеличением под-вижиости электронов (в отдельных образцах до рекордных для соединений А2В6 значений ц=4000 см2/В с). Увеличение подвижности электронов вызвано перезарядкой различного рода ЦП и ЦР.

ИК люминесценция. Проведенные в диссертации исследования, а также анализ данных цолученкых другими авторами [6],показывают:

а) полосы ИКЛ с максимумами в области Ьу~1.3-1.5 эВ с различной степенью разрешения проявляются почти во всех легированных серебром, медью, а иногда и в специально нелегированных кристаллах и пленках Сс18е ;

б) термообработка легированных в процессе роста кристаллов Сс18е:А£, Сс18е:Си приводит к перераспределению интенсивности отдельных полос ИКЛ;

в) повышение температуры кристаллов в интервале Т=77-240 К, уменьшение уровня фотовозбуждения или величины инжекцион-ного тока приводят к характерным спектральным сдвигам полос ИКЛ в низкоэнергетическую область спектра; •

г) спад интенсивности излучения после прекращения возбуждения образцов носит неэкспоненциальный характер.

Перечисленные выше особенности спектров ИКЛ с Ьут~ 1.31.5 эВ селенида кадмия' скорее всего обусловлены межцентровыми электронными переходами в донорно-акцепторных парах. Сравнение фотоэлектрических свойств кристаллов Сс18е^ и СёБе.Си с данными аналитического расчета показывают, что роль доноров в

ДАП могут играть междоузельные атомы (Ag¡)" '.(Cu,)" . а акцептора

- (Vcd)'-q¿HTpbi, т.е. ассоциаты типа [(Ag¡)+ - (VCd)"]1'-

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В рамках различных неравновесных методов, основанных на измерении ФП, ИПФ, ОГФ, ФЛ и ЭЛ, ТСТ и ТСЛ выполнены исследования глубоких электронных ЦП и ЦР в различных кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe, отличающихся технологией роста и препаративными условиями термообработки и легирования

1. Экспериментально установлено, что наиболее важными собственными точечными дефектами являются двухуровневые вакансии анионов (Vs,se)2^ и катионов (Vzn,cd)2 • Богатство энергетического спектра электронных состояний в неактивированных кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe является результатом их взаимодействия друг с другом и реализации распределенных по межатомным расстояниям ассоциатов типа ДАП.

2. Участие данных дефектов в ассоциатах {(Vs,se)2+- [(Vzn,cd)2"

- D+]"} приводит к появлению системы донорных и акцепторных уровней, локализованных- в интервале энергий Ес-(0.1-0.6) эВ и Ev + (0.2-1.0) эВ соответственно.

3. При локализации второго электронного уровня двухуровневых центров (Vs,se)2+ в запрещенной зоне, интенсивность фото-, термоактивационных и излучательных процессов в кристаллах ZnS, ZnSe,CdSe, связанных с состоянием первого электронного уровня, определяется не только концентрацией, центров с зарядовым состоянием (Vs,se)+ , но и концентрацией центров с зарядовым состоянием (Vs.se)0. '

4. Ассоциаты {(Vs,se)2+ - [(Vzn,)2" - D+]"} являются эффективными центрами излучательной рекомбинации и обуславливают в кристаллах ZnS зеленую (Ящ = 540 нм ), а в кристаллах ZnSe- оранжево-красную (Х^п = 580-640 нм) полосы люминесценции. -

5. В легированных Ag или Си кристаллах, CdSe междоузельные доноры (Ag¡)+ ,(Cu,)+ играют роль быстрых ЦП a-типа и характеризуются уровнями Ее- 0.23 эВ, Ес-0.27 эВ соответственно. Сечение захвата электрона на эти центры составляет Sn=10"13 -10"!5 см2

6. Донорные центры (Ag,)' ,(Cu,)f склонны к ассоциации с собственными дефектами кристаллической решетки CdSe и образуют комплексы типа[(А&)+ - (Vcd)~]°, [(Cu,)" - (VCd)"]°, которые являются эффективными центрами излучательной рекомбинации и обуславливают ИК (hv=1.3 -1.5 эВ) полосы люминесценции'данного полупроводникового материала.

7. Представления о сложной структуре электронных ЦП и ЦР в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe, развитые в работе, подтверждены исследованиями.-эффектов спектрального сдвига соответствующих полос ИПФ, ОГФ, ФЛ и ЭЛ в зависимости от факторов, обеспечивающих смещение квазиуровней Ферми (собственное фотовозбуждение, инжекционные ток) в результате постепенного заполнения (начиная с глубоких) электронных и дырочных уровней из системы состояний распределенных ассоциатов.

Как показали эксперименты величина "красного" смещения спектральных полос ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ достигает величины ДЕ-О.ОЗ-ОЛ эВ.

8. Для более точного определения структуры, характеристических параметров, природы ЦП и ЦР, формирующих фотоэлектрические и. люминесцентные свойства соединений Á2B6, необходимо применять комплекс экспериментальных методов основанных на исследовании явлений ФП, ИПФ, ОГФ, ОГЛ, ТСТ и ТСЛ, ФЛ и ЭЛ.

9. Величина неравновесной фоточувствительности полупроводниковых соединений А2Вб определяется не только концентрацией ЦП и ЦР в фотоактивном состоянии, но и их зарядовым состоянием, определяющим механизмы рассеяния ННЗ.

10. Симметричные структуры на основе самоактивированных кристаллов ZnSe (In-ZnSe-In) могут использоваться в качестве малогабаритных низковольтных (8-20 В) источников видимого излучения (А=500-700 нм). Механизм возбуждения ЭЛ в этих структурах носит ударный характер.

Список цитируемой литературы

1. Ризахаиов М.А.,Хамидов М.М. Экспериментальные доказательства существования двухэлектронного центра прилипания в ZnS./ADTri 1979. т.13, С.1518-1522.

2. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупровод- -никах//М.: Физматгиз. 1963.

3. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.//Новосибирск: изд-во "Наука", 1979,-333 С.

4. Ризаханов М:А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе"неравновесно очувствленного CdSe<Ag>./AI>H3.H техн.полупров., 1980, т. 14, в. 12, С.2407-2410.

5. Эмиров Ю.Н., Остапенко С.С., Ризаханов М.А., Шейнкман М.К. Структура центров оранжевого свечения в сульфиде каД-л*ия.//Физ.и техн.полупр,- 1982. т. 16, в.8, С. 1371-1376.

6. Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Щейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.//Киев: изд-во "Наукова Думка", 1981.-264 С.

Основные результаты диссертации изложены в работах

\ '

1 .Зобов Е.М.,. Магомедова П.М., Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М., Хохлачев П.П. Рост неравновесной фоточувствительности кристаллов-CdSe, обусловленный увеличением подвижности носителей заряда.// Вестник ДГУ,- Естественно^гехнические науки,-1996.-С. 48-51.

2. Зобов Е.М., Магомедова П.М. Инфракрасная люминесценция (hv= 1.3-1.5 эВ) селенида кадмия и ее связь с электронными центрами прилипания а-типа.//Вестнщс ДНЦ РАН,- 1998,- № 2 - С.

5-8

3. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Хамидов М.М. Природа и параметры центров, зеленой (Хш 2 540 нм ) полосы фотолюминесценции в кристаллах ZnS .//Труды Международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах". Ульяновск: 1997,- С.120-121.

4. Зобов Е.М., Магомедова П.М.. Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Электролюминесценция симметричных структур 1п- ZnSe -1п..// Вестник ДПУ, Естественно-технические науки, 1997,-вып. 4 - С. 49-51

5. Зобов Е.М., Магомедова П.М , Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Термоактивациаонные процессы в неактивированных кристаллах ZnSe.ll Вестник ДГУ, Естественно-технические науки,- 1997,-вып.4. - С. 52 - 55

6. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Хамидов М.М. Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe.ll Труды Международной конференции "Оптика полупроводников". Ульяновск: 1998,-С.58-59.

Список обозначений и сокращений

ЦП, ЦР - Центры прилипания, центры рекомбинации

ННЗ - неравновесные носители заряда

ПФ,ИПФ - примесная фотопроводимость, индуцированная

примесная фотопроводимость ОГФ - оптическое гашение фототока ФЛ, ЭЛ - фото-, электролюминесценция ТСТ - термостимулированные токи ТСЛ - термостимулированная люминесценция Ег - ширина запрещенной зоны

Е0 - энергия ионизации донора ЕА - энергия ионизации акцептора О, - атом донора в междоузлии

~ вакансии атомов цинка, кадмия Vs.se - вакансии атомов серы, селена

- сечение захвата центром электрона

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I СОБСТВЕННЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ

ZnS, ZnSQ, Сс^е И АССОЦИАТЫ С ИХ УЧАСТИЕМ (ЛИТ. ОБЗОР)

§ 1.1 Собственные точечные дефекты соединений А2В

1.1.1 Классификация центров, обусловленных точечными дефектами, и методов их исследования

1.1.2 Сульфид цинка

1.1.3 Селенид цинка

1.1.4 Селенид кадмия

1.1.5 О п- ир-типе проводимости соединений А2В

§ 1.2 Взаимодействие точечных дефектов - ассоциаты

1.2.1 Излучателъная рекомбинация с участием донорно-акцепторных пар

1.2.2 Примесные фотоэффекты в донорно-акцепторных парах

1.2.3 Роль ассоциатов с участием собственных дефектов в формировании фотоэлектрических и люминесцентных свойств соединений 2п8, ZnSe, СсШе

ВЫВОДЫ

Глава II МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1 Общая характеристика образцов

§2.2 Экспериментальные установки

§ 2.3 Методика эксперимента

Глава III ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СУЛЬФИДА ЦИНКА, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ СОБСТВЕННОЙ ПРИРОДЫ

§ 3.1 Люминесценция неактивированных кристаллов сульфида цинка

3.1.1 Спектральное распределение фотолюминесценции неактивированных кристаллов 2п8 и ее температурная зависимость

3.1.2 Термостимулированная люминесценция.

§ 3.2 Фотоэлектрические свойства неактивированных кристаллов ZnS.

3.2.1 ИПФ кристаллов 2п8 и ее температурная зависимость

3.2.2 Термостимулированные токи.

§ 3.3 Обсуяедение экспериментальных данных. Модель центров зеленой (А,га =540 нм) полосы люминесценценции неактивированных кристаллов 2п8.

ВЫВОДЫ

Глава ГУ ЭЛЕКТРО- И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ САМОАКТИВИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ

§ 4.1 Электролюминесценция симметричных структур на основе самоактивированных кристаллов ZnSe

§ 4.2 Самоактивированная люминесценция кристаллов селенида цинка.

4.2.1 Фотолюминесценция неактивированных и самоактивированных кристаллов 2пБе.

4.2.2 Термоактивационные процессы

§ 4.3 Обсуждение экспериментальных результатов выводы

Глава V ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА НЕАКТИВИРОВАННЫХ И ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ СЕРЕБРА И МЕДИ КРИСТАЛЛОВ Сё8е, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ АССОЦИАТАМИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ СОБСТВЕННОЙ И ПРИМЕСНОЙ ПРИРОДЫ

§ 5.1 Фотоэлектрические свойства кристаллов С(18е легированных примесями серебра и меди

§ 5.2 Фотоэффект Холла в кристаллах Сс18е.

§ 5.3 Инфракрасная люминесценция (Ьу=1.3-1.5 эВ) монокристаллов селенида кадмия

§ 5.4 Обсуждение экспериментальных результатов. Модель центров излучения (Ьу=1.3-1.5 эВ) в селениде кадмия

ВЫВОДЫ

Актуальность темы. Соединения ZnS, ХпЪе, Сё8е являются типичными представителями широкозонных полупроводников группы А2В6 и обладают уникальными фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. На их основе созданы фото-, электро- и катодолюминофоры, твердотельные лазеры, фотоприемники и преобразователи солнечной энергии, активные элементы оптоэлектонных приборов.

Генерационные и рекомбинационные процессы в этих соединениях контролируются точечными дефектами собственной и примесной природы, которые в зависимости от характера участия в процессах релаксации неравновесных носителей заряда (ННЗ) делятся на центры прилипания (ЦП) и центры рекомбинации (ЦР). Кинетические и энергетические характеристики этих центров определяют спектральный диапазон фоточувствительности и люминесценции, времена жизни ННЗ, квантовый выход излучения, инерционность и многие другие параметры приборов и устройств на основе широкозонных полупроводников.

Большой научный и практический интерес, проявляемый к кристаллам и пленкам ZnS, ZnSQ, Сс18е, способствовали изучению многих их свойств, что позволило установить структуру, параметры и природу многих ЦП и ЦР. Однако, несмотря на значительные успехи, все еще остаются открытыми и нерешенными многие вопросы, связанные с взаимодействием (ассоциацией) точечных дефектов различной природы, структурой энергетического спектра ЦП и ЦР ассоциативной природы и механизмами электронно-дырочных переходов с их участием. Эти обстоятельства осложняют решение практически важной задачи: целенаправленного управления фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами соеди

1 Список обозначений и сокращений помещен на 3-4 стр.

2 6 нений А В , более эффективного использования этих материалов при разработке и конструировании новых приборов и устройств оптоэлектроники.

Исследование ассоциатов точечных дефектов собственной и примесной природы в этих материалах представляет и фундаментальный интерес с точки зрения познания особенностей кристаллов с нарушенной трасляционной симметрией.

Таким образом исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств, обусловленных взаимодействием точечных дефектов; установление их физико-химической природы, структуры и особенностей их энергетического спектра и механизмов электронно-дырочных переходов с их участием, представляют весьма актуальную задачу физики широкозонных полупроводников.

Основная цель диссертационной работы - определение оптимального числа экспериментальных методов исследования ЦП и ЦР, позволяющих однозначно установить их структуру; установление физико-химической природы, кинетических и энергетических параметров взаимодействующих точечных дефектов, и их роли в формировании фотоэлектрических и люминесцентных свойств полупроводниковых соединений А2В6.

Основными объектами исследования выбраны кристаллы 2п8^п8е, СёЭе. Эти соединения независимо от технологических методов выращивания обладают монополярной проводимостью п-типа и имеют богатый набор точечных дефектов собственной природы, уровни которых локализованы в запрещенной зоне в широком интервале энергий, что обеспечивает процессам захвата и рекомбинации в них ярко выраженный характер. В силу этой причины данные соединения могут быть причислены к модельным полупроводникам для исследования ЦП и ЦР.

Изучение системы 2п8-2п8е-Сс18е позволит проследить за трансформацией физических свойств, связанных с теми или иными нарушениями трансляционной симметрии кристаллической решетки при замещении в них катиона или аниона. Такие исследования могут дать дополнительную информацию о природе точечных и ассоциированных дефектов.

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных на исследовании кинетических, спектральных и температурных характеристик ПФ, ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ, ТСТ, ТСЛ, эффекта Холла. При обработке экспериментальных данных и теоретических расчетах использовался пакет программного обеспечения спектрально-вычислительного комплекса КСВУ-12.

Научная новизна. Комплекс экспериментальных и теоретических исследований, выполненных в диссертационной работе, привели к установлению следующих данных.

В кристаллах гпБ, 2п8е, Сс18е реализуются ЦП, ЦР сложной структуры, обусловленные взаимодействующими точечными дефектами собственной (У2п С(1, ) и примесной природы.

Зонно-примесным полосам ИПФ, межпримесным полосам ФЛ и ЭЛ, обусловленным ассоциированными точечными дефектами, свойственны спектральные сдвиги в зависимости от концентрации неравновесных носителей заряда (уровня возбуждения). Исследования эффектов такого рода позволяют установить сложную структуру ЦП и ЦР.

Предложены модели центров излучательной рекомбинации в кристаллах СсШе (Ъут =1.3-1.5 эВ) и 2п8 (Ьут =2.3 эВ), в основе которых лежат представления о ассоциатах точечных дефектов.

Рост неравновесной фоточувствительности кристаллов СсШе определяется не только концентрацией ЦП, пребывающих в фотоактивном состоянии, но и их зарядовым состоянием.

Практическая ценность

1. Результаты исследования физико-химической природы, структуры, параметров и особенностей ЦП и ЦР, обусловленных взаимодействующими точечными дефектами в кристаллах ZnS,ZnSe, CdSe могут быть использованы в технологических процессах при выращивании этих кристаллов с заранее заданными свойствами, а также при разработке и конструировании новых полупроводниковых приборов и люминофоров на их основе.

2. Для практики исследования ЦП и ЦР сложной структуры выявлен круг экспериментальных методов, позволяющих выявить структуру взаимодействующих точечных дефектов.

3. Разработана методика получения электролюминесцирующих ячеек на основе кристаллов ZnSe.

Защищаемые положения.

1. В кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe n-типа в соответствии с физ-химией соединений А2В6 реализуются двухуровневые ЦП Vs2+e и ЦР Fz2~Cd. Многообразие электронных уровней и соответствующих им спектров ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ, ТСТ, ТСЛ - следствие взаимодействия этих точечных дефектов как между собой, так и с дефектами примесной (Ц = Agi, Си. ) природы [(Vz2;-D+ Г -Vs%]+, (Cul-Vc:d)°, (Ag;-V-J.

2. Рост неравновесной фоточувствительности полупроводниковых соединении

А В в примесной области обусловлен не только увелечением концентрации ЦП в фотоактивном состоянии с ростом концентрации неравновесных носителей заряда, но и перезарядкой этих центров.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на итоговых конференциях преподавателей и сотрудников Дагестанского госуниверситета (г. Махачкала, 1994-1997 г.г.), Международной 9 конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (г.Ульяновск, 1997 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано пять научных работы. Все они в тексте и списке литературы подчеркнуты.

Диссертационная работа выполнена под руководством доктора физ.-мат. наук, профессора Сафаралиева Г.К. и научного консультанта кандидата физ.-мат. наук Зобова Е.М. Во всех указанных совместных работах вклад автора настоящей диссертационной работы существенен: принимала участие в составлении программ для расчета теоретических данных; выполнила экспериментальные измерения и провела на ЭВМ обработку данных, внесла существенный вклад в обсуждение и интерпретацию результатов исследования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В рамках различных неравновесных методов, основанных на измерении ФП, ИПФ, ОГФ, ФЛ и ЭЛ, ТСТ и ТСЛ выполнены исследования глубоких электронных ЦП и ЦР в различных кристаллах ZnS, ZnSе, CdSe, отличающихся технологией роста и препаративными условиями термообработки и легирования.

1. Экспериментально установлено, что наиболее важными собственными точечными дефектами являются двухуровневые вакансии анионов (У^е)2* и катионов (Угп,сё)2 • Богатство энергетического спектра электронных состояний в неактивированных кристаллах 2п8, 2п8е, CdSe является результатом их взаимодействия друг с другом и реализации распределенных по межатомным расстояниям ассоциатов типа ДАП.

2. Участие данных дефектов в ассоциатах {(Vs,se)2+ - [(VZn,cd)2" - D+]"} приводит к появлению системы донорных и акцепторных уровней, локализованных в интервале энергий Ес-(0.1-0.6) эВ и Ev + (0.2-1.0) эВ соответственно.

3. При локализации второго электронного уровня двухуровневых центров (Vs.se) в запрещенной зоне, интенсивность фото-, термоактива-ционных и излучательных процессов в кристаллах ZnS, ZnSe,CdSe, связанных с состоянием первого электронного уровня, определяется не только концентрацией центров с зарядовым состоянием (Vs>se)+ > но и концентрацией центров с зарядовым состоянием (Vs,se)°.

4. Ассоциаты {(Vs,se)2+ - [(VZn,)2" - D+]"} являются эффективными центрами излучательной рекомбинации и обуславливают в кристаллах ZnS зеленую (А,т = 540 нм ), а в кристаллах ZnSe- оранжево-красную (À,m = 580-640 нм) полосы люминесценции.

5. В легированных Ag или Си кристаллах CdSe междоузельные доноры (Agi)+ ,(Cuí)+ играют роль быстрых ЦП a-типа и характеризуются уровнями Ес- 0.23 эВ, Ес-0.27 эВ соответственно. Сечение захвата электрона на эти центры составляет Sn=lО"13 - 10"15 см2.

6. Донорные центры (Ag¡)+ ,(Cu¡)+ склонны к ассоциации с собственными дефектами кристаллической решетки CdSe и образуют комплексы типа [(Agi)+ - (Vcd)"]°,[(Cui)+ - (Ved)"]0, которые являются эффективными центрами излучательной рекомбинации и обуславливают ИК (hv=1.3 - 1.5 эВ) полосы люминесценции данного полупроводникового материала.

7. Представления о сложной структуре электронных ЦП и ЦР в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe, развитые в работе, подтверждены исследованиями эффектов спектрального сдвига соответствующих полос ИПФ, ОГФ,

97

ФЛ и ЭЛ в зависимости от факторов, обеспечивающих смещение квазиуровней Ферми (собственное фотовозбуждение, инжекционные ток) в результате постепенного заполнения (начиная с глубоких) электронных и дырочных уровней из системы состояний распределенных ассодиатов.

Как показали эксперименты величина "красного" смещения спектральных полос ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ достигает величины ДЕ-0.03-0.1 эВ.

8. Для более точного определения структуры, характеристических параметров, природы ЦП и ЦР, формирующих фотоэлектрические и лю-минесценцтные свойства соединений А2В6, необходимо применять комплекс экспериментальных методов основанных на исследовании явлений ФП, ИПФ, ОГФ, ОГЛ, ТСТ и ТСЛ, ФЛ и эл.

9. Величина неравновесной фоточувствительности полупроводниковых соединений А2В6 определяется не только концентрацией ЦП и ЦР в фотоактивном состоянии, но и их зарядовым состоянием, определяющим механизмы рассеяния неравновесных носителей заряда.

10. Симметричные структуры на основе самоактивированных кристаллов 2п8е (1п^п8е-1п) могут использоваться в качестве малогабаритных низковольтных (8-20 В) источников видимого излучения (А,=500-700 нм). Механизм возбуждения ЭЛ в этих структурах носит ударный характер.

1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// М.: изд-во "Мир".-1969.- 654 С.у /2. Физика и химия соединений AB// (Перевод с английского по редакцией Медведева С.А.).- М.: изд-во "Мир".- 1971,-624 С.

2. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// М.: изд-во "Высшая школа".- 1982. 375 С.о А

3. Физика соединений A B // (Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейнкмана M.K.).- М.: изд-во "Наука".- 1986. 320 С.

4. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во "Физматгиз".- 1962. 494 С.

5. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.// М.: изд-во "ИЛ".-1962.- 47 С.

6. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. // М.: изд-во "Мир".-1966.-38 С.

7. Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках// Киев: изд-во"Наукова Думка".-1981.-264 С.

8. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Новосибирск: изд-во "Наука".- 1979.- 333 С.

9. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир".- 1977. 562 С.1.. Кюри Д. Люминесценция кристаллов.// М.: изд-во "ИЛ".- 1961. 194 С.

10. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир".- 1973.-456 С.

11. Van Bueren H.G. Interfections in Crystals.// North-Holland Publisching Company.- Amsterdam: 1960.

12. Смит Р. Полупроводники.//M.: изд-во "Мир".- 1982. -559 С.

13. Кустов Е.Ф., Бондуркин Г.А., Муравьев Э.Р., Орловский В.П. Электронные спектры соединений редкоземельных элементов.// М.: изд-во "Наука".- 1981. 303 С.

14. Dutton D.// Phys.Rev., 1958, v. 112, р.785; Bube R.H.// Phys.Rev., 1955, v. 98, p. 431 (цитируется по 6.)

15. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов.// М.: Физматгиз.- 1959.

16. ЛампертМ., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.//М.: изд-во "Мир".- 1973.-416 С.

17. Зюганов А.Н., Свечников C.B. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках.// Киев: изд-во "Наукова Думка".- 1981.-254 С.

18. Георгобиани А.Р., Грузинцев А.Р., Тигиняну И.М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широко зонных полупроводниках.// Изв.АН СССР, сер.физич.-1985.- т.49.- в.Ю.-С. 1899-1904.

19. Меркам Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар.// Изв.АН СССР, сер.физич.- 1973.-т.37.- в.4.-С. 803-809

20. Reiss H., Fuller C.S., Morin F.J. // Bell. Syst Tech.J.- 1956.-v.35.- P.535-611. (Цитируется no 1.).

21. Prener J.S., Weil D.J. The luminescent center in self activated ZnS phosphors.//J. Electrochem.Soc.- 1959.- v.106.-P. 409.

22. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников.// Киев: изд-во "Наукова Думка".-1987.- 607 С.

23. Morgan T.N., Weiber В., Bhargana R.H. Optical proper-ties of Cd-0 and Zn-O Complexes in GaP.// Phys.Rev.- 1968.- v.166.- N 3.- P. 751-753

24. Henry С., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound to cadmium and oxygen in gallium phosphide.// In: Proc. conf. localized excitations // Ed.Wallis R.F. New York: Plenum press.- 1968.- P. 257.

25. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия.// В кн.: "Излучательная реком бинация в полупроводниках." М.: изд-во "Наука".- 1972.- С. 224-304.

26. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates.// J. Luminescence.- 1973.-v.7.- N1.-P.35-50

27. Берг А., Дин П. Светодиоды.// M.: изд-во "Мир",- 1973.

28. Lorenz M.R., Morgan T.N., Pettit G.D., et.al. Sharp-Line Donor-Acceptor Pair Spectra in AlSb.// Phys.Rev.- 1968.-v.168.- N3.-P. 902-904.

29. Hopfield J.J, Thomas D.G., Gershenzon M. Pair spectra in GaP.// Phys.Rev.Lett.- 1963.- v.10.-N5.- P. 162-164.

30. Thomas D.G., Gershenzon M., Trumbore F.A. Pair spectra and "edge" emission in gallium phosphide.//Phys.Rev.A.- 1964.-v. 133.-N1.-P. 269-279.

31. Williams F. Donor-acceptor pair in semiconductors.// Phys.status solidi.- 1968.- v.25.- N2.- P. 493-512.

32. Thomas D., Hopfield J., Augustyniak W. Kinetics of radiative recom-bination at randomly distributeg donors and acceptors.//- Phys.Rev.-1965.- v. 140,- N3A.-P. 742-749.

33. Ризаханов M.A., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос ин-дуци-рованной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS<Ag>.// Физ.и техн.полупров.- 1979.- т.13.- в.7.-С.1324-1328.

34. Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe<Ag>.// Физ.и техн.полупров.- 1980.- т. 14.- в. 12.- С. 2407-2410.

35. Потыкевич И.В., Любченко А.В., Борейко Л.А. Примесная фотопроводимость в монокристаллах CdTe n-типа.// Физ.и техн. полупро-водн.- 1971.- Т.5.- в. 10.- С. 2033.

36. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С.,Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3270/81.

37. Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc-sylphide phosphors.// Philips. Res. Rep. -1958. Vol. 13.-p.515-659.

38. Samelson H., Lempicki A. Fluorescence of cubic ZnS crystals.// Phys.Rev.- 1962.- v. 125.- N3.- P. 901-909.

39. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys.Polon.- 1979.- v.A56.-N1.- P. 19-29.

40. Калева З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф.,Филина Т.Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскоп.-1969.- т. 10.- N5.- С. 819-824.

41. Bryant F.I., Flamid S.A. Electron-inducced traps in Zinc Sulfide single crystals.// Phys.Rev.Letters.- 1969.-v.23.-N6.-P. 304-306.

42. Ceva T., Lambert B. Etude de la termoluminescence et de la contuctilide dun ZnS:Cu,Ce a dans bandes d'émission.// J. Phys.- 1965.- v.25.-N10.-P. 587-590.

43. Ребане K.-C.K., Руттас В.И. Термостимулированная люминесценция и стимуляция ИК-светом фосфоров ZnS.// Журн.прикл.спектроскоп.-1971.- Т.15.- N4.-С. 647-652.

44. Hiroshi Sugimoto and Tetsuo Maruyama. Chenge Transfers in the Red-Copper Luminescent ZnS Phosphors Investigated by Electron Spin Resonance Method.// J.of the Phys.Soc. Japan.- 1967.- v.23.- N1.- P. 44-51.

45. Горюнов В.А., Левшин В.Л. О влиянии вторичной локализации электронов на фотостимулированное свечение и проводимость монокристаллов ZnS.// Журн.прикл.спектроск.- 1966.- т.4.- в.4.- С.316-322.

46. Рун А., Кульсрешта А.П., Горюнов В.А. О расчете термостимули-рованных токов.//Физ.тверд.тела.- 1966.-т.8.- в.6.-С. 1944-1946.

47. Ребане К.-С.К., Руттас В.И. Термостимулированная люминесценция и ИК стимуляция фосфоров ZnS.// Журн.прикл.спектроск.-1971.-т.15.- в.б.-С. 1030-1034.

48. Красноперов В.А.,Тале В.Г.,Тале И.А.Даушканова Л.В. Энергетический спектр в люминофорах ZnS.// Журнал прикл.спектроск.- 1981.-т.34.- в.2,- С. 253-259.

49. Туницкая В.Ф., Лепнев Л.С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спек-троск.- 1977.- т.26.- в.4.-С. 706-711.

50. Коджеспиров Ф.Ф., Гордиенко Ю.Н. Спектры ИК-стиму-лированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроск.- 1974.- т.20.- в.1.- С.76-80.

51. Гордиенко Ю.Н., Коджеспиров Ф.Ф. Стимулированная фото-ЭДС в неоднородно возбужденных кристаллах ZnS:Cu.// Физ. тверд тела.- 1974.- т. 16.- в.2.-С. 623-625.

52. Горюнов В.А., Левшин В.Л. Термостимулированная и фоостиму-лированная проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спек-троск.- 1965.- т.З.- в.6.- С.504-509.

53. Отс A.C., Ребане К.-С.К. Создание парамагнитных центров в ZnS под действием механического давления.// Физ. тверд, тела.- 1971.-т.13.-в.1.-С. 1219-1221.

54. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Экспериментальные доказательства существования двухэлектронных центров захвата в Ъг&Л Физ.и техн. полупров.- 1979.- т.13.- в.8.- С. 1578-1583.

55. Оконечников А.П. Взаимодействие между центрами люминесценции и захвата в облученных нейтронами монокристаллах сульфида цинка.// Дис. канд. физ.-мат.наук: Свердловск.- 1970. 134 С.

56. Тимофеев Ю.П., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного Ъг&Л Журн. прикл. спектроск.- 1973.-т.19.- в.З.-С. 469-474.

57. Каретников И.А. Влияние структурных дефектов на электрофизические свойства тонких слоев сульфида цинка// Дис.канд.физ.-мат.наук: М.: МЭИ.- 1973.- 148 С.

58. Воронов Ю.В., Тимофеев Ю.П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969.- Т. 33.- N6.- С. 951-960.

59. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.ll Труды ФИ АН СССР, М.: изд-во "Наука".- 1972.- т.59.- С. 38-64.

60. Илюхина З.П., Панасюк Е.И.,Туницкая В.Ф.,Филина Т.Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер.физич.-1971.- т.35.- С. 1437-1440.

61. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка получение и свойства.// М.: изд-во "Наука".- 1987. 200 С.

62. Ермолович И.Б., Коновец Н.К. Особенности рекомбинационных процессов в твердых растворах Укр .физ.журн.- 1973.-т.18.в.5, С. 732-746.

63. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н., Гершун А.С. и др. Рекомбина-ционное излучение в сульфиде цинка.// Оптика и спектроскопия.- 1967.-Т.22.- в.4,- С. 655-656.

64. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью.// Изв.АН СССР. Неорган.материалы.- 1981.- т. 17.- в.7.- С. 1329-1334.

65. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Рогозин И.В. Глубокие акцепторные центры в А2В6.// Труды междунаодной конференции "Центры с глубокими уровнями в олупроводниках и полупроводниковых структурах".- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997.- С. 26-27.

66. Георгобиани А.Н.,Маев Р.Г.,Озеров Ю.В.,Струмбан Э.Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв.АН СССР. Сер.физ.- 1976.- т.40.- в.9.- С. 1079-1983.

67. Morehead F.F. Luminescence in ZnS,Se: Cu,CI.//- J. Phys. and Chem. Solids.- 1963.- v.24.- N1.- P. 37-44.

68. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide.// Appl.Phys.- 1977.- v.48.- N5.-P. 1941-1945.

69. Раммо И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu.// Изв. АНЭССР. Сер.физ.-мат.- т.24.-в.2.-С. 195-200.

70. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlled Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979.- v.18.- N10.- P. 1965-1972.

71. Aven M., Segal B. Carrier and Shalow Impurity States in ZnSe and ZnTe.// Phys. Rev.- 1963.-v.130.-N1.-P.81-91.

72. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSx Se,.x // Solid State Commun.- 1980.- v.34.- N5.- P. 359-361.

73. Кукк П.JI., Палмре И.В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы.- 1980.- t.16.-N11.-C. 1916-1920.

74. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termaly-stimulated Current of Zinc selenide Heattreated in Controlied Partial Pressures of Constituent Elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980.- v. 19.- N3.- P. 485-490.

75. Wakim F.G. Stimulated photocurrent and thermally stimulated current excitation spectra in cubic ZnSe crystals.// J.Appl.Phys.- 1970.- v.41.- N2.1. P. 835-836.

76. Глущенко Н.И., Загоруйко Ю.А., Мигаль В.П. и др. Исследование монокристаллов и пленок ZnSe методом термостимулированной проводимости в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом.-Деп.в НИИТЭ-ХИМ.- Черкасы: 1975.- N 469

77. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J. Appl. Rhys.- 1984.- v.55.- N15.-P. 1614-1616.

78. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E . et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe "Singl Crystals"// J. Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982.-v.15.-N26.-P. 5497-5505.

79. Stringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe Crystals.// Phys.Rev.- 1968.- v.171.- N3.- P. 903-915.

80. Блашков B.C., Манжаров B.C., Ткачук П.Н., Цосопь B.M. Термо-высве-чивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// Физ.и техн.полупр.- 1980.- т.14.-N8.-С. 1621-1624.

81. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrica 1 measurements.// Solid Stat.Commun.-1969.- v.24.- N7,- P. 1757-1761.

82. Ваксман Ю.Ф., Малушин H.B., Сердюк B.B. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн.прикл.спектроск.- 1976.- т.25.-в.5.-С. 832-835.

83. Недеогло Д.Д., Симашкевич A.B. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во "ШТИИНЦА".-1984.- 150 С.

84. Шейнкман М.К., Беленький Г.Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// Физ.и техн.полупр.- 1968.- т.2.-В.11.- С.1635-1638.

85. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.//J.Chem. Phys.- 1958.-v.29.-N1.-P.128-137.

86. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1975.-v.31.- N1.- P. 301-307.

87. Baubinas R.,Januskevicius Z.,Sacalas A., Viscakas J. P-type conductivity in undoped CdSe single crystals.// Solid Stat.Commun.- 1974.- v. 15.-N11-12.-P. 1731-1733.

88. Сакалас А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лит. физ.сб., 1979.- Т.19.- В.2.- С. 233-240.

89. Ризаханов М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термо-активационными методами.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".-Р-3271/81.

90. Schulz H.J., Kulp В.А. Electron radiation damage in cadmium selenide crystals at liqued-Helium temperaturs.// Phys. Rev.- 1967.- v. 159.- N3.- P. 603-609.

91. Burmeister R.A., Stevenson D.A. Electrical properties of n-type CdSe.//Phys. Stat .Solid.- 1967.-v.24.-N2.- P.683-690

92. Сакалас А.П. Электрические и фотоэлектрические свойства электронного и дырочного селенида кадмия.// Докторская диссертация.-Вильнюс.- 1975.

93. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).- 1975.-v.31.-N1.-P. 301-307.

94. Баубинас P., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ.сб.-1974.- Т.14.- В.4.-С. 609-611.

95. Ризаханов М.А., Хамидов М.М., Абрамов И.Я. Объяснение особенностей зелено-синей люминесценции в ZnS на основе новой модели центров свечения.// Физ. и техн. полупр.- 1978.- т.12.- в.11.- С.2186-2190.

96. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS р-типа.// Труды ФИАН СССР.- 1983.- Т.138." С. 79-135.

97. Lee K.M., O'Donnell K.P., Watkins J.D.// Solid State Communs. 1982, v.41, N12, p. 881-883 (цитируется по 63.).

98. Ризаханов М.А.,Хамидов М.М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnS е.// Физ. и техн. полупров.- 1993.- т.27.- в.5.- С.721-727.

99. Garlic G.F.T., Gibson A.F. The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors.//Proc. Phys. Soc.- 1948.- v.A60.-N342,- P. 574-590.

100. Шейнкман M.K., Ермолович И.Б., Беленький Г.JI. Природа инфракрасной люминесценции (À,=1.2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ. тв. тела. -1968.- т.10.- в.10.- С. 17691772.

101. Беленький Г.Л., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Исследование люминесценции À,=0.93 мкм в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ. и техн. полупр. 1968.-т.2.-в.4.-С. 540-547.

102. Беленький Г.Л., Шейнкман М.К. Механизм люминесценции -0.82 мкм в CdSe-монокристаллах и параметры центров свечения.// Физ. и техн. полупр. 1968.- т.2.- в.10.- С. 1534-1536.

103. Kokubin J., Watanabe H., Wada M. Photoluminescence of CdSe singl crystals// Jap. J. Appl. Phys.- 1977. v. 13.- N 9.- P. 1393-1396.

104. Корицкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M., Супалов В.А. Примесная люминесценция в CdSe// Изв.АН СССР,сер. неорган, материалы.- 1975.- Т.Н.- В.П.-С. 1990-1994.

105. Данияров О.,Захаров В.Е.,Любченко А.В.,Олейник Г.С., Шейнкман M.JI. Спектры локальных состояний в твердых растворах CdSexTeix.//- Физ.и техн. полупр.- 1974.-Т.8.- в.З.- С. 452-458.

106. Ermolovich I.B., Milenin V.V. Natyre of deep luminescence centres in CdSe and CdSexTe,.x.// Phys.Stat. Sol. 1986.- v.133.- N 2.- P.611-620.

107. Ризаханов M.A. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах // Физ.и техн.полупр.- 1982.- т. 16.- в.4.- С.699-702.

108. Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe:Ag в среднем диапазоне ИК света//Физ.и техн.полупр.- 1989. т.23.-в.7.-С. 1291-1293.

109. Ризаханов М.А.,Эмиров Ю.Н.,Габибов Ф.С.Дамидов М.М. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS:Ag.// Физ.и техн.полупр.- 1978.- т.12.- в.7.- С. 1342-1346.

110. Эмиров Ю.Н., Остапенко С.С., Ризаханов М.А., Шейнкман М.К. Структура центров оранжевого свечения в сульфиде кадмия.// Физ.и техн. полупр.- 1982.- т. 16.- в. 8.- С. 1371-1376.

111. Зобов Е.М., Магомедова П.М. Инфракрасная люминесценция (hv=1.3-1.5 эВ) селенида кадмия и ее связь с электронными центрами прилипания a-типа.- Вестник ДНЦ РАН.- 1998.- № 2. С. 8 - 11

112. Макаренко В.В., Потыкевич И.В., Рыбалка В.В. и др. Фотопроводимость легированных кристаллов ZnTe.// Физ.и техн.полупров.-1970.-T.4.-B.9.-C. 1835.

113. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б. Проблемы создания ин-жекционных светодиодов на основе широкозонных полупроводниковых соединений А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физич.- 1985.- т.49.- в. 10.- С. 19161922.

114. Serdyuk V.V., Korneva N.N, Vaksman Yu.F. Studies of long-wave luminescence of ZnSe monocrystals.//Phys.Stat.Sol.(a).- 1985.- v. 91.- N 1.-P. 173-183.

115. Etienne D., Allegre J., Chevrier S., Bougnot G. Sur la photoluminescence du seleniure de zinc.// Phys.Stat.Sol.(a), 1975.-v. 32.-N 1.-P. 279-286.

116. Иванова Г.Н., Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В., Сушкевич К.Д. Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селенида цинка.// Журн. приклад.спектроскопии.- 1979.- т.ЗО.- в.З.- С.459-463

117. Гашин П.А., Иванова Г.Н., Матвеева T.JI. и др. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe:Al.// Физ.и техн.полупров.- 1981.- т.15.-В.9.- С. 1841-1844.

118. Bruant F.J., Manning P.S. Radiation damage and decay characteristics of zinc selenide emission band.// j. Phys.Chem.Solids.-1974.- v.35.-N1.-P.97-101.

119. Bouley J.C., Blanconnier P., Herman A. et.al. Luminescence in Highly conductive n type ZnSe. // J. Appl. Phys.- 1975.- v.46.- N 8.- P. 3355111

120. Зобов Е.М., Магомедова ILM., Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Электролюминесценция симметричных структур In-ZnSe-In.// Вестник ДГУ, Естественно-технические науки,-1997.- № 4.- С. 49 51

121. Работкин B.JL, Котляревский М.В. В сб. "Электролюминесценция твердых тел".// Киев: "Наукова Думка",-1971,-С. 138.

122. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов.// М.:"Наука".- 1971,-278 С.

123. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Термоактивациаонные процессы в неактивированных кристаллах ZnSe.// Вестник ДГУ, Естественно-технические науки,-1997.» Ks 4.- С. 51 55

124. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Хамидов М.М. Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe.// Труды Международной конференции "Оптика полупроводников". Ульяновск: 1998.-С.58-59.