Динамика перехода в состояние протонного стекла в смешанных кристаллах дигидрофосфата калия-аммония тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

;• г з од

- 7 ПОЯ V''

ВОРОНЕЖСКИМ ГОСУДАРСТВЕ! НЫИ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ.

На правах рукописи

КОРОТГ.ОВ ЛЕОНИД НИКОЛАЕВИЧ

ДИНАМИКА ПЕРЕХОДА В СОСТОЯНИЕ ПРОТОК Л О СТЕКЛА В СМЕШАННЫХ КРИСТАЛЛАХ ДИГИД1ЭФОСФАТА КАлИЯ-АММОНИЯ

Специальности О1.04.07 - Физика твердого тела

А .тореферат диссертации на соискание ученой стегени кандидата физико-математических наук

Воронеж П94

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела Воронежского государственного технического университета.

НАУЧНЫЕ РУКОВОДИТЕЛИ:

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ:

лауреат Государственной премии СССР, заслуженный деятель науки РСФСР, доктор физико-математических наук профессор Л.А.ШУВАЛОВ

доктор физико-математических наук профессор С.А.ГРИДНЕВ

доктор физико-математических наук профессор Б.М.ДАРИНСКИИ

доктор физико-математических наук профессор С.Н.ДРОВДИН

ВЕДУЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ:

Объединенный институт исследований (г.Дубна)

ядерных

Защита состоится 21 июня 1994 года в 14 часов на заседании специализированного совета Д.063.84.01 при Воронежском государственном техническом университете (394026, г. Воронеж, Московский пр., 14, конференц-зал).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета.

Автореферат разослан " 21 " мая 1994 года.

•УЧЕНЫЙ СЕКРЕТАРЬ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОГО СОВЕТА доктор технических наук, профессор

Л

М.И.ГОРЛОВ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В последние года в физике твердого тела произошло смещение интересов от объектов с идеальной кристаллической • решеткой к частично или полностью неупорядоченным материалам. Это связано с тем, что в настоящее время физика упорядоченных систем в значительной мере уже разработана, тогда как физика неупорядоченных конденсированных материалов находится еще в начале своего развития.

Круг неупорядоченных конденсированных материалов весьма широк. Это органические и неорганические стекла, где полностью отсутствует дальний порядок в расположении атомов, магнитные спиновые стекла, в которых беспорядок возникает в ансамбле локальных магнитных моментов, тогда как базисная решетка может сохранять почти идеальный порядок, а также многие другие системы,. В числе их гораздо менее известны диэлектрические аналоги спиновых стекол - дапольные стекла. К последним, в частности, относятся протонные стекла (ПС), реализующиеся в твердых растворах сегнетовлектрика (СЭ)-анти-сегнетоелектрика (АСЗ) кристаллов семейства дигидрофосфата калия. В настоящее время ети неупорядоченные материалы вызывают заметный интерес исследователей.

Впервые состояние ПС было обнаружено в смешанных кристаллах ЙЬ1х (Ш4 )хНгТ04 Куртенсом в 1982 году, и с тех пор основные исследования 'были выполнены на кристаллах втой системы. Лишь недавно начато изучение ПС, реализуюцихся в других родственных системах относительно ПС в твердых растворах дигидрофосфата калия-аммония. В литературе к началу данной работы имелись лишь немногочисленные сведения об отдельных фрагментах их .х-Т фазовой диаграммы и еще меньше информации о динамике перехода в невргодическое состояние. Было нз изучено, также, как и для кристаллов других систем, влияние состава (х) и электрического смещающего поля на особенности замораживания протонного стекла.

Поетому изучение протонных стекол йа примере системы К1-х было весьма актуальным и важным не только для

более глубокого понимания природы и пс* ¡дения протонных стекол и их ойцности о другим*: клаосами неуг орядоченных материалов, но к для созданаi общей картины переходов в невргода-ческое состояние. ' •

Настоящая работа является частью комплексных исследований, проводлшг на кафедре физики твердого тела Воронежского государственного технического университета в соответствии с К ордннационным.планом РАН в области естественна лаук по-направлению 1.3. - Физика твердого тела, раздел 1.3.10. - Физика сегнетоелектриков и диелектриков i по плану госбюджетной НИР Ю01.91.0066.1821. "Синтеь, структура, и физические свойства новых матералт електрошгай техники", хлюлняемой кафедрой OTT ВГТУ.

Цель работы. Основнгй целью работы явилось проведение в' области низких темпера^; експериментальных исследований поляризационных и диэлектрических свойств,,а такке особенностей переходов в сегнет^електрическув, ан^исегнетоелектрьчес-кук ф1зы и в состояние протонного стекла смешанных кристаллов системы К, (NH ) ПРО, .

i-x ' 4 'х 2 4 <«

В соответствии о целью были поставлены следу&ре задачи: разработать измерите; ьную установку, .озволяи'.ую проводить изучение диэлектрических и поляризационных :войств кряста-лоь в диапазоне частот lO'VlO'* Гц в интервале температур 7тЗОО К, предусматривающую воз1экность подачи на образец внеш-зго смещающего поля; _ .

исследовать температурныь ьзвисимости дивлектричесюй проницаемости и поляризации смешанных кристаллов к*-х » на основаши анализа которых построить х-Т

фазовуи диаграмму данной си' семи;

■ ■ кспериыенталь^о из чить динамику заморакивангя соо-TOi.ffi?. ПС и ьлияни^ на fe особенности влектрического «вещающего uojf и концентрации х;

вкспериментгльно иссладо1ать спектры.времен релаксащш при перехода в состояние ПС и влияние' на' них температуры, состава и о.-' ктрического смецащего поля;

установить основные характерные черты поведешь дио-jisKTf га§ских и под 1ризационных свойств СЭ кристаллов с кон-

центрациями х, близкими к граничным, в окрестности температур соответствующих фазовых переходов.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования была выбрана система твердых растворов монокристаллов дигид-рофосфата калия и дигидрофосфата аммония, изоморфных в пара-електрической фазе и претерпевающих при низких температурах соответственно сегнетоэлектрический и антисегнетоэлектричес-кпй фазспие переходя. Основными причинами, обусловившими такой выбор явились: а) малая изученность смешанных кристаллов дагаой системы, в то время как чистые (исходные) компоненты исследованы достаточно глубоко и являются модельными кристаллами; б) необходимость в новых експериментальных данных для обобщений и создания последовательной теории етого класса неупорядоченных материалов; в) возможность получения кристаллов больших размеров и хорошего качества во всем интервале концентраций х от 0 до 1.

Для подробного изучения х-Т фазовой диаграммы были использованы кристаллы с содержанием аммония х а 0, 0.04; 0.05; 0.09; 0.12; 0.17; 0.19; 0.24; 0.32; 0.67; 0.75 и 0.80. Из них последние четыре состава, а также состав с х=Ю.19 впервые изучались в настоящей работе.

Все кристаллы были выращены P.M. Оедосюк в лаборатории фазовых переходов Института кристаллографии им. A.B. Шубшко-ва Академии наук СССР.

Научная новизна: В работе впервые:

изучены диэлектрические и поляризационные свойства иссле-довавщихся смешанных кристаллов в области низких температур;

для системы К (NH ) Н Р04 определены интервалы концентраций, в пределах которых реализуются переходы в СЗ и АСЭ фазы или в состояние ПС;

установлено наличие размытой концентрационной граница между СЭ фазой и состоянием ПС;

показано, что переход в состояние ПС в кристаллах с концентрацией х а 0.24, 0.32 и 0.67 является динамическим, а температура заморазкивания электрических моментов для частот Ю'ЧЮ" Гц хорошо описывается эмпирическим соотношением ®о-геля-Фулчера;

обнаружено, что для данных кристаллов диэлектрическая релаксация в состоянии ПС характеризуется размытым спектром времен релаксации, расширяющимся с понижением температуры;

обнаружено относительное ускорение темпа замораживания электрических моментов при переходе в состояние ПС в исследованных кристаллах с повышением в них концентрации х, что объясняется ослаблением аффекта туннелирования протонов вдоль водородных 0-Н-••0 связей в составах с большим содержанием аммония;

для кристалла с х к 0.24 выявлено сужение спектра времен релаксации диэлектрической проницаемости под действием смещающего алектрического поля в окрестностях температуры перехода в состояние ПС, связанное с увеличением вклада СЭ флуктуация в диэлектрическую проницаемость;

получены доказательства сосуществования ПЭ и СЗ фаз в окрестностях и ниже температуры СЭ фазового перехода в кристаллах с концентрацией х, близкой к граничной;

установлено существование в окрестностях температуры СЭ фазового перехода■аномального термического гистерезиса диэлектрической проницаемости, обусловленного наличием Системы препятствий для движения межфазных границ.

Практическая значимость. Построенная х-Т фазовая диаграмма системы смешанных кристаллов К (МН4 )„Н2Р04 позволяет определить фазовые состояния этих кристаллов в полном интервале концентраций х. Это, а также установленные в работе физические механизмы, зависимости и закономерности будут полезны для лабораторий и научных центров, занимающихся исследованием неупорядоченных и слабоупорядоченных систем.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Наличие области сосуществования СЭ и ПЭ состояний в окрестностях температуры СЭ фазового перехода для кристаллов с концентрацией аммония, близкой к граничной.

2. Расширение спектра времен релаксации диэлектрической проницаемости с понижением температуры при переходе в состояние ПС.

3. Ускорение темпа замораживания электрических моментов при переходе в состояние ПС с увеличением содержания антисег-

нетоэлектрической компоненты в исследуемых кристаллах.

4. Существование аномального термического гистерезиса в окрестностях температуры СЭ фазового перехода, обусловленного движением межфазных границ через систему препятствий.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены и обсуждены на 24 конференциях и семинарах, в том числе на 1 Советско-Польском симпозиуме по физике сегнетоэлектриков (Львов, 1990 г.), Весенней школе по сегнетоелектричеству (г. Галле, ГДР, 1990 г.), V Всесоюзной школе-семинаре по физике сегнетоэластиков (г. Ужгород, 1991 г.), VII Европейской конференции по сегнетоелектричеству (г. Дижон, Оранция, 1991 г.), II СНГ-США семинаре по сегнетоелектричеству (г. С.-Петербург, 1992 г.), Международной школе-семинаре "Релаксационные явления в твердых телах" (г. Воронеж, 1993 г.), VIII Международной конференции по сегнетоелектричеству (г. Мериленд, США, 1993 г.), Международном семинаре по суперпротонным, проводникам (г. Дубна, 1993 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 22 работы в виде статей и тезисов докладов, из которых в диссертации использовано 11 работ.

Личный вклад автора. Все экспериментальные результаты получены лично автором. Определение • направления исследования, формулировка задач работы, обсуждение результатов экспериментов и подготовка работ к печати осуществлялась совместно с научными руководителлями проф. Гридневым С.А. и проф. Шуваловым Л.А. Соавторы публикаций Оедосюк P.M. и Рогова С.П. осуществляли выращивание кристаллов, принимали участие в приготовлении и аттестации образцов, а так же в подготовке статей к опубликованию в печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы. Работа содержит 124 страницы текста, включая 4Ь рисунков и библиографию из 122 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы и выбор объектов исследования, определены цель и задачи работы,

показана научная новизна и практическая ценность полученных результатов, а так же сформулированы основные положения, выносимые на защиту. Кроме того, представлена структура диссертации, даны сведения о публикациях и апробации '• работы.

В первой главе сделан краткий литературный обзор по теме диссертации. Рассмотрены общие свойства, характерные для стеклообразных ок№м. На примере спиновых стекол изложены основные подходы к их описанию.

Далее рассмотрены основные данные о структуре и наиболее важные физические свойства исходных компонентов исследуемых в настоящей работе твердых растворов - СЭ дигидрофосфата калия (КН2Р04) и АСЭ - дигидрофосфата аммония (НН Н2Р04)

Различные типы упорядочения протонов на водородных 0-Н---0 связях, соединяющих тетраэдры Р04, обусловливают либо СЭ фазовый переход и возникновение' спонтанной поляризации вдоль тетрагональной оси с кристалла, либо АСЭ фазовый переход и появление антипараллельных дипольных моментов в ■плоскости, перпендикулярной оси с. При определенном соотношении ингредиентов вследствие конкуренции СЭ и АСЭ взаимодействий ети фазовые переходы подавляются' и в системе при- низких температурах реализуется состояние протонного (дипольного) стекла. Оно характеризуется замороженным беспорядком в сетке 0-Н---0 связей.

Для описания данных переходов проанализирован ряд моделей, рассматривающих статические и динамические аспекты переходов как в неупорядоченное, так и в упорядоченные состояния. Акцентировано внимание на роли эффекта туннелирования протонов в процессе образования состояния ПС.

Вторая глава содержит описание методик эксперимента н используемого оборудования, а также процедуры приготовления и аттестации образцов.

Описана установка, позволяющая в диапазоне температур 7300 К проводить измерения действительной (е' ) и мнимой (г") частей комплексной диэлектрической проницаемости образцов в интервале частот 10"2-10<5 Гц и их поляризационных характеристик на частотах 10"2 - 1 Гц при напряженности измерительного поля 0.01 - 10 кВ/сы. Наиболее подробно представлены сведения

об оригинальном оборудовании для измерений в инфранизкочас-тотном диапазоне.

Третья глава посвящена изучению х-Т фазовой диаграммы системы К (НН )КН2?04 и ее анализу в рамках одной из версий модели Изинга.

Экспериментально температуры переходов в СЭ, АСЭ и состояние ПС (Тс, Тм и Т^ соответственно) определены по положению аномалий зависимостей е' (Т) на оси температур для составов с концентрацией х=0, 0.04; 0.05; 0.09; 0.12; 0.17; 0.19; 0.24, 0.32; 0.67; 0.75 и 0.80. Наличие насыщенных СЗ петель гистерезиса, наблюдаемых ниже соответствующих Т , показывает, что составы с х-<0.20 претерпевают СЭ фазовый переход. Переход в ЛСЭ фазу для кристаллов с х;>.0.70 идентифицирован по характерным, в виде ступеньки, аномалиям на соответствующих зависимостях е'(Т). В случае кристаллов 0.20ои£0.70 на основании изучения зависимостей е' (Т) и е"(Т) установлено, что при низких температурах реализуется состояние ПС. Отсутствие в окрестностях температуры перехода гистерезиса е' , отчетливо наблюдаемого при термоциклировании в случае СЭ и АСЭ составов, является яркой отличительной чертой кристаллов, принадлежащих к промежуточному интервалу концентраций. ■

Анализ еволюции петель диэлектрического гистерезиса и особенностей зависимостей е'°(Т) и е"(Т) показал наличие гетерофазного промежуточного состояния в окрестностях Т для СЭ кристаллов с концентрацией х, 'близкой к граничной, более, подробно изученного в гл.5.

Сравнение экспериментально построенной и рассчитанной фазовой диаграммы исследованной системы обнаружило удовлетворительное их согласие в случае относительно малых (х<0.12) и больших (х>0.70) концентраций АСЭ компоненты.

В четвертой главе излоаены результаты исследований динамики состояний ПС. Б первом разделе для кристаллов с х=0.24 и х=0.67 на основании изучения особенностей температурных зависимостей изотермической и термостатической остаточной поляризации (Рг) покэзано, что состояние ПС является не-ергодическим и характеризуется чрезвычайно медленный процессом релаксации Рг-

Во втором разделе посредством анализа зависимостей е' (Т)• и е"(Т)> измеренных на частотах 10"г-10в Гц, установлено, что переход в состояние ПС является динамическим. Связь между характерным временем релаксации системы к состоянию равновесия т=1/2хГ и температурой максимума зависимости е"(Т),ассоциируемой с замораживанием системы, хорошо описывается соотношением Оогеля-Фулчера

Í = t0-ECP[ü/k-(r-T0)]f где то- предвкспоненциальшй множитель, U - внергия активации релаксационного процесса, Т0 - температура Фогеля-Оулчера, к - постоянная Больдмана.

Для кристаллов с х = 0.24j 0.32 и 0 . 67 Сыли определены следующие значения параметров: то = 1.7-10~ltí; 3.9 • 10"12 и 1.0-10"l3c¡ 1Ь0.07; 0.02 и 0.015 еВ и Тй* О, О и 10 К соответственно.

Дисперсия е* в окрестностях и ниже в пределах диапазона используемых в вксперименте частот характеризуется широким спектром . времен релаксации t. Установлено, что плотность распределения времен релаксации g(t) остается постоянной для т<Т*, причем % существенно возрастает с понижением температуры. При t>T* имеет место спад зависимости g(í) с увеличением г.

С целью выявления влияния состава на динамику замораживания состояния ПС для кристаллов с различным х были сопоставлены нормализованные ' зависимости Q(t), где \-T/Tit t.=10"3/2-x с, ТГ температура, соответствующая наибольшему значению функции Обнаружено закономерное уменьшение размытия максимумов зависимостей Q(t$ с ростом х, свидетельствующее об относительно более быстром замораживании дипольнцх моментов в кристаллах с большим содержанием аммония. Этот еффект объясняется,'с учетом литературных данных,понижением частоты туннелирования протонов вдоль 0-Н-•-0 связей для составов с высокой концентрацией АСЗ компоненты.

В третьем разделе внимание сосредоточено на изучении влияния смещавдего влектрического поля Е_, приложенного вдоль оси с, на особенности зависимостей е* (Т) и е"(Т) и характер их

дисперсии в окрестностях Тд. Обнаружено, что для состава с х=0.24 воздействие поля Е. приводит к возрастанию аномалий на кривых е' (Т) и е"(Т) и уменьшению их размытия. Анализ дисперсий £ с использованием диаграмм Коул-Коула показал снижение величины параметра распределения, времен релаксации т с повышением Е_.

Показано, что обнаруженные эффекты обусловлены дестабилизацией состояния ПС внешним полем и увеличением вклада от. СЭ флуктуаций в е , что подтверждается наличием ненасыщенных (релеевских) СЭ петель гистерезиса, наблюдаемых в окрестностях Тд в полях Е. около 10 кВ/см. В случае кристаллов о х=Ю.32 и 0.67 влияние поля Е. до 10 кВ/см на е* вблизи соответствующих Т^ отмечено не было.

В четвертом разделе с использованием результатов диэлектрических измерений в рамках теории Шерингтона-Киркпатрика рассчитаны температурные зависимости параметра Эдвардса-Ан-дерсона ч для составов с х=Ю.24; 0.32 и О.Ь7. Отмечено появление отличного от нуЛй параметра q в окрестности ^(существенно выше Тд), предположительно индуцированного случайными полями.

С учетом некоторых допущений в случае состава с х=0.67 выделена составляющая параметру, q , связанная с переходом в невргодическое состояние )., и изучена ее дисперсия. Обнаруиено. характерное для стеклообразных систем логарифмическое убывание ч' со временем в состоянии ПС.

В пятой главе рассмотрено влияние состава на остаточную • Рг и спонтанную поляризацию насыщения Р°, коэрцитивное поле Е , постоянную Кюри-Вейсса С и некоторые особенности зависимостей е' (Т) и б"(Т) в окрестностях Т . Установлено

_ О

возрастание С и уменьшение Рв с ростом х, согласующееся при х<0.12 с соответствующими зависимостями, рассчитанными в рамках модели Изинга. Для кристаллов с х>0.12 обнарукен ряд отличительных черт поведения электрофизичеких свойств: наблюдается спад в виде ступеньки на зависимости Рг(Т) несколько ниже Т , совпадающий с локальным минимумом зависимости Ес(Т), которая с дальнейшим повышением температуры проходит через максимум и "зануляется" выше Тс;

имеет место термический гистерезис е' и е" в окрестностях Т , существенно расширяющийся о увеличением х. Электрическое смещающее поле Еа>Е* (Е >Ес) вызывает уменьшение гистерезиса диэлектрической проницаемости, а также обусловливает существенный рост пиков е' и е" и уменьшает их размытие.

Совокупность результатов експеримента непротиворечиво объясняется с учетом наличия смешанной промежуточной фазы, в которой в некотором температурном интервале сосуществуют СЭ упорядоченные и ПЭ области.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана установка для проведения измерений диэлектрической проницаемости и поляризации на частотах 10*410е Гц в интервале температур 7тЗОО К.

2. На основании изучения температурных Зависимостей действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости и електрополевых поляризационных зависимостей построена х-Т фазовая диаграмма для монокристаллов твердых растворов (1-х)К^Р04-хШДГ04 при х аО; 0.04; 0.05; 0.09; 0.12; ' 0.17; 0.19; 0.24; 0.32; 0.67; 0.75 и 0.80. Определены интервалы концентраций, в которых реализуются сэгнато- или анти-сегнетоэлектричеишз фазовые перехода, а также состояние1 протонного стекла.

3. В раж ах одной из версий модели Изинга оо случайными сЬязями в приближении молекулярного поля рассчитана фазовая диаграмма исследуемой системы. Обнаружено удовлетворительное согласие о бкспериызнтом в облаоти малых (х<0.12) и больших (х>0.70) концентраций ШДРО .

4. Изучена динамика замораживания электрических моментов при перехода в состояние протонного стекла в смешанных кристаллах о концентрацией х=0.24; 0.32 и 0.67 в диапазоне чаотот 10**4-10* Гц. Обнаружено, что частотная зависимость-температуры заморажиьвния достаточно хорошо описывается соотношением Фогеля-Фулчера.

5. Установлено, что процесо диэлектрической релаксации при переходе в состояние ПС характеризуется размытым спектром времен релаксации, существенно расширяющимся при понижении

температуры. Показано, что в состоянии ПС во временном интервале 102-г10"й е.; имеет место почти равномерное распределение времен релаксации.

6. Сравнительный анализ температурных зависимостей временных срезов фулкции распределения времен релаксации выявил относительно более быстрое замораживание динамики дилольных моментов с понижением температуры при переходе в состояние протонного стекла для составов о большим содержанием аммония. Наблюдаемый эффект связывается о понижением частоты тункели-рования проток >в вдоль 0-Н-•>0 водоррдных связей в смешанных кристаллах при увеличении концентраций антисегнетовлектричес-кой компоненты.

7. Методом диаграмм Коул-Коула показано уменьшение размытия спектра времен релаксации с ростом напряженности смещающего поля для состава-'с концентрацией хк0^24, объясняемое увеличением вклада сегнетоэлектрических флукту'аций. Для крис-, таллов с концентрацией хгЮ.32 и 0.67 заметного влияния поля до 10 кВ/см на особенности перехода в состояние стекла не отмечено,

8. Для смешанных кристаллов с концентрацией Х-0.24 и 0.67 изучены температурные зависимости термостатической и изотермической, остаточной поляризаций. Обдарукенная в эксперименте необратимость изотермической остато-той поляризации свидетельствует о кевргодичности состояния протонного стекла.

9. На основе модели Шеррингтонз и Киркпатрика рассчитаны и построены температурные зависимости п^рамегра Эдвардса-Ан-дерсона. Обнаружено существование отличного от нуля гараметра перехода значительно-выше температуры перехода в состояние протонного стекла, что предположительно связывается с эффектом случайных полей,, индуцированных "примесью" аммония.

10. Посредством изучения петель диечектрического гистерезиса для СЭ кристаллов обнаружено некоторое ч»20 %) уменьшение спонтанной пс'ляризации насыщения с ростом концентрации • 1Ш . Зёуэтных изменений велич<зы коэрцитивного поля на одинаково м и значительном (а15 К) удалении от Т на отмечено. Это позволило предположить, что: а) "дефекты'КН4И не препятсауот пересечению СЗ'кристаллов-, б) ячейки, где ограниченное число

ионов К'замещено ионами , и влементарные ячейки дают соизмеримый вклад в опонтанную поляризацию при температурах существенно ниже Т .

11. Сравнение полученных экспериментальных концентрационных зависимостей спонтанной поляризации насышения и константы Кюри с зависимостями, рассчитанными в соответствии о моделью Изинга, учитывающей туннелирование протонов, показало удовлетворительное согласие рассчитанной и експериментальной кривых для концентраций х<0.12.

12. Анализ аномалий диэлектрических характеристик и температурных еволюций петель гистерезиса Р(Е) для смешанных кристаллов с х^О.12 и 0.19 свидетельствует, что для составов с х, близкими к граничной концентрации, имеет место сосуществование сегнетоелектрических и параалектрических областей в окрестностях Т.. Наличие смешанной фазы подтверждается также особенностями поведения концентрационных зависимостей оота-точной поляризации, коэрцитивного поля и константы Кюри.

13.Обнаружено существование аномального термического гистерезиса диэлектрической проницаемости для СЭ кристаллов в окрестностях и ниже Тс! ,но отсутствующего в случае "стекольных составов". Показано, что данный гистервзио обусловлен движением межфазных границ через систему стопоров.

. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В РАБОТАХ:

.1. Гриднев С.А., Коротков Л.Н., Шувалов Л.А., Федосюк P.M. Диелектрическая релаксация в фазе дипольного стекла монокристалла %Q 70(NH4)0 г4нгР04' ' Труды • Всесоюзн. конф. Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов. Благовещенск. 1990. 4.1. С. 175-181.

2. Гриднев С.А., Коротков Л.Н., • Шувалов . Л.А. Диэлектрическая релаксация в смешанном кристалле KDP^-ADP^ в фазе дипольного стекла. Релаксационные процессы в диэлектриках. Воронеж: ВПИ. 1990. С. 4-10

3. Гриднев С.А., Коротков Л.Н., Шувалов Л.А., Федосуок-P.M. Дивлектрические и поляризационное свойства монокристаллов тверды!" растворов KDP-ADP в окрестностях

1.5

фазовых переходов // Кристаллография., 1991. Т. 36. N 4. С .931-936.

4. Гриднев С.А.-, Коротков Л.Н., Шувалов Л.А., Федосюк P.M.' Диэлектрическая релаксация в смешанном кристалле KDP0 3-ADP0 в окрестностях перехода в стеклоподобную фазу'// Изв. АН СССР. сер. физ. 1991. Т. 55. N 3. С. 619-621.

5. Gridnev S.A., Korotkov L.N., Rogova S.P., Shuvalov L.A., PedoBuyk R.M. Dieleotrio properties and x-T phase diagram of mixed Kt_x (NH4 )„H2P04 orystal // FerroeleotrioB

1 Letters. 1991. Y. 13. N 3. PP. 67-72.

6. Gridnev S.A., Korotkov L.N., Shuvalov L.A., Fedo-виук R.M. Dieleotrio and polarization study ana phase diagram oi К (NHJ H PO eyBtem // FerroeleotrioB. 1992. V. 126.

1-х N 4x2 4 "

PP. 167-172.

7. Gridnev S.A., Korotkov L.N., Shuvalov L.A., Fedo-Euyk R.M. IJonergodioity of proton glasses of Kt_x (NH4 )xH2P04 system// The eight international meeting on ferroeleotrioity: Program Summary and Abairaots Book. Maryland. 1993. P. 322.

8. Gridnev S.A., Korotkov L.П., Shuvalov L.A., Fedo-виук R.Ii. Edvards-Anderson order parameter in proton glasses of KDP-ADP,systems // International seminar of superprotonio oonduotors: Abstracts. Dubna. 1993.

9. Gridnev S.A., Korotkov L.N., Shuvalov L.A., Fedo-' suyk R.M. Influence of biaB fi61d on К (NH )xH2P0 proton glass dynamios // The eight international meeting on ferroeleotrioity: Program ' Summary and Abstraots Book. Maryland. 1993.- P.321.

10.'Gridnev S.A., Korotkov L.N., Shuvalov L.A. Nonequi-librium dieleotrio permittivity of K1_x (NH4 )xH2P04 Bolid solution //FerroeleotrioB. 1993. V. 144. PP. 157-165.

11. Гриднев С.А., Коротков Л.Н., Шувалов Л.А., Федосюк P.M. Релаксация поляризации в смешанных кристаллах дигидрофосфата калия-аммония // Кристаллография. 1994. Т. 39. Вып.1. С. 102-105.