Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

1 Влияние спинового расщепления на осцилляции Шубникова де Гааза

1.1 Введение

1.2 Эффект Шубникова - де Гааза в двумерных системах (обзор)

1.3 Интерференция линейных по к слагаемых в магнитйосцилляционных явлениях.

1.4 Влияние зеемановского расщепления на спектр и амплитуду осцилляции

1.5 Краткие итоги.

2 Монополярная оптическая ориентация электронных спинов в квантовых ямах

2.1 Введение

2.2 Внутризонное поглощение света (обзор)

2.3 Оптическая ориентация при внутриподзонных переходах.

2.4 Оптическая ориентация при межподзонных переходах.

2.5 Краткие итоги.

3 Спин-гальванический эффект

3.1 Введение

3.2 Симметрийный анализ

3.3 Спин-гальванический эффект, вызванный монополярной оптической ориентацией

3.4 Краткие итоги.

4 Циркулярный фотогальванический эффект

4.1 Введение

4.2 Теория ЦФГЭ для межподзонных переходов.

4.3 Квантовые ямы Cs симметрии. Нормальное падение света.

4.4 Квантовые ямы C2V симметрии. Наклонное падение света.

4.5 Краткие итоги.

Современная физика полупроводников — это прежде всего физика полупроводниковых низкоразмерных систем (наноструктур) [1, 2]. В наноструктурах движение свободных носителей заряда ограничено в одном или нескольких направлениях, что приводит к эффектам размерного квантования, кардинально изменяющим энергетические спектры носителей заряда, фононов и других квазичастиц. Перестройка спектра существенным образом отражается на оптических и транспортных свойствах структур, а также приводит к возникновению целого ряда новых физических явлений. Важным преимуществом наноструктур является возможность управления свойствами системы путем изменения геометрических размеров и конфигурации нанообъектов. Благодаря успехам технологии и, прежде всего, метода молекулярно-лучевой эпитаксии, появляется возможность конструирования полупроводниковых структур с заданными параметрами и свойствами (так называемая квантово-механическая инженерия). Открываются перспективы для создания приборов электроники, основанных на качественно новых эффектах.

В последние годы в физике низкоразмерных систем все возрастающий интерес вызывают спиновые явления. Пониженная по сравнению с объемными материалами симметрия наноструктур допускает существование новых спиновых эффектов, которые невозможны в объемных материалах. Эффективный гамильтониан двумерных систем на основе полупроводников с решеткой цинковой обманки содержит линейные по волновому вектору слагаемые, которые отсутствуют в спектре объемных композиционных кристаллов. Такое линейное по волновому вектору спиновое расщепление определяет спиновую динамику в двумерных системах и приводит к качественно новым спин-зависимым эффектам. В настоящее время большие усилия сосредоточены на изучении характера спин-орбитального взаимодействия носителей тока и спиновой динамики электронов, а также их проявления в оптических и транспортных свойствах низкоразмерных структур. Успехи в области оптической ориентации [3], инжекции поляризованных по спину носителей [4]-[7] и изучения спиновых явлений в гетероструктурах создают базу для разработки твердотельных электронных устройств, использующих дополнительную степень свободы - спин. В основе создания приборов спинтроники лежат эффекты инжекции и детектирования спин-поляризованных носителей, достаточно длинное время их спиновой релаксации и управление спиновой поляризацией внешним электрическим или магнитным полем [8].

Изучение спин-зависимых явлений в гетероструктурах позволяет получать информацию как о кинетических параметрах носителей заряда, таких как времена спиновой и импульсной релаксации, так и о тонкой структуре энергетического спектра носителей, играющей важную роль в управлении спиновыми процессами, а также дает новый инструмент для изучения симметрии гетероструктур.

Сказанное выше обуславливает актуальность темы диссертации.

Целью настоящего исследования является изучение транспортных и оптических эффектов, вызванных спин-орбитальным взаимодействием, в полупроводниковых квантовых ямах с двумерным электронным газом.

Научная новизна работы состоит в решении конкретных задач:

1. Исследовать влияние спинового расщепления на осцилляции Шубникова -де Гааза в двумерных электронных системах.

2. Построить теорию оптической ориентации электронного газа при внутриподзонном и межподзонном поглощении циркулярно поляризованного света в квантовым ямах.

3. Изучить генерацию электрического тока, вызванную спиновой релаксацией оптически ориентированного электронного газа, в гетеросгруктурах различной симметрии.

4. Рассчитать спектральную зависимость циркулярного фотогальванического эффекта при межподзонном поглощении света в квантовых ямах тг-типа.

Практическая ценность работы состоит в том, что в ней впервые подробно изучен вопрос о влиянии спинового расщепления на квантовые осцилляции в двумерных системах; впервые построена теория монополярной оптической ориентации двумерного электронного газа при внутриподзонном и межподзонном поглощении циркулярно поляризованного света; впервые построена теория циркулярного фотогальванического эффекта при межподзонных оптических переходах в квантовых ямах. Сопоставление полученных результатов с экспериментальными данными позволяет изучать тонкую структуру энергетического спектра и определять кинетические параметры носителей заряда, такие как времена спиновой релаксации.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В двумерном электронном газе в магнитоосцилляционных явлениях происходит неаддитивное сложение линейных по волновому вектору спин-зависимых вкладов, обусловленных асимметрией гетероструктуры и отсутствием центра инверсии в объемном материале.

2. Внутризонное поглощение циркулярно поляризованного света в квантовых ямах n-типа приводит к спиновой ориентации электронного газа.

3. Спиновая релаксация электронного газа, поляризованного по спину, сопровождается генерацией электрического тока в квантовых ямах, выращенных на основе полупроводников с решеткой цинковой обманки.

4. Межподзонное поглощение циркулярно поляризованного света в квантовых ямах n-типа приводит к генерации электрического тока, направление и величина которого зависят от степени циркулярной поляризации света.

5. Циркулярный фотогальванический эффект, вызванный межподзонным поглощением света в квантовых ямах n-типа, проявляет спектральную инверсию знака.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались на семинарах ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ИРЭ РАН, СПбГУ, на рабочих семинарах в университетах Регенсбурга и Карлсруэ в Германии, на Международной Конференции по Физике Полупроводников (ICPS-26, Эдинбург, Шотландия, 2002), Международной Конференции по Спиновым Явлениям в Полупроводниках (PASPS-2, Вюрцбург, Германия, 2002) и Международных Симпозиумах "Nanostructures: Physics and Technology" (С.-Петербург, 2001, 2002), приняты в качестве приглашенных докладов на VI Российскую Конференцию по Физике Полупроводников (С.-Петербург, 2003).

По результатам исследований, составляющих содержание диссертации, опубликовано 10 научных работ, список которых приведен в Заключении.

Диссертация состоит из Введения, 4 глав, Заключения и списка литературы. Список литературы содержит 96 наименований.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. С.А. Тарасенко, Н.С. Аверкиев, Интерференция спиновых расщеплений в магнитоосцилляционных явлениях в двумерных системах // Письма в ЖЭТФ 75, 669-672 (2002).

2. N.S. Averkiev, S.A. Tarasenko, Quantum interference in magnetooscillation phenomena in two-dimensional electron gas // Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", pp. 315-318, St. Petersburg, Russia, 2002.

3. C.A. Тарасенко, Влияние зеемановского расщепления на осцилляции Шубникова де Гааза в двумерных системах // ФТТ 44, 1690-1694 (2002).

4. S.A. Tarasenko, E.L. Ivchenko, Spin orientation of two-dimensional electron gas under intraband optical pumping // Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", pp. 469-472, St. Petersburg, Russia, 2002.

5. S.A. Tarasenko, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev, D. Schowal-ter, Petra Schneider, M. Sollinger, W. Prettl, Y.M. Ustinov, A.E. Zhu-kov, L. E. Vorobjev, Optical spin orientation under inter- and intra-subband transitions in QWs // Preprint cond-mat/0301388 at (http://xxx.lanl.gov) (2003), J. Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism 16, (2003).

6. S.A. Tarasenko, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev, D. Schowalter, Petra Schneider, M. Sollinger, W. Prettl, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, L.E. Vorobjev, Monopolar optical orientation of electronic spins in semiconductors // Proc. 26th Int. Conf. Phys. Semicond., CD, Edinburgh, Scotland, 2002.

7. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl, Spin-galvanic effect // Nature 417, 153-156 (2002).

8. S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, E.L. Ivchenko, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, F.-P. Kalz, D. Weiss, J. Eroms, W. Prettl, Magnetic field induced circular photogalvanic effect in InAs quantum wells // Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", pp. 252-253, St. Petersburg, Russia, 2001.

9. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Schowalter, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl, Spin-galvanic effect in quantum wells // Preprint cond-mat/0301390 at (http://xxx.lanl.gov) (2003), J. Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism 16, (2003).

10. S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, Petra Schneider, E.L. Ivchenko, S.A. Tarasenko, W. Wegscheider, D. Weiss, D. Schuh, E.V. Beregulin, W. Prettl, Resonant inversion of the circular photogalvanic effect in тг-doped quantum wells // Preprint cond-mat/0303054 at (http://xxx.lanl.gov) (2003), Phys. Rev. В (2003), in press.

Автор выражает благодарность своим научным руководителям E.JI. Ивченко и Н.С. Аверкиеву. Работа под их руководством была для меня очень полезной и интересной.

Я признателен участникам Низкоразмерного и Чайного семинаров ФТИ. Обсуждение работ, вошедших в диссертацию, на этих семинарах принесло мне большую пользу.

Я благодарен JLE. Голубу, В.В. Белькову, С.Д. Ганичеву и всем сотрудникам сектора Ивченко за полезные обсуждения, а также J1.E. Голубу и Д.А. Закгейму за помощь, любезно оказанную при оформлении диссертации и сопутствующих документов.

Заключение

В диссертации получены следующие основные результаты:

• Построена теория эффекта Шубникова - де Гааза в двумерных электронных системах с учетом спинового расщепления, вызванного (а) линейными по волновому вектору спин-зависимыми слагаемыми в эффективном гамильтониане и (б) внешним магнитным полем (эффект Зеемана).

• Показано, что одновременное присутствие линейных по к слагаемых, вызванных асимметрией гетероструктуры и отсутствием центра инверсии в объемном материале, приводит к подавлению биений в эффекте Шубникова - де Гааза, которые наблюдаются при наличии линейных по к вкладов одного типа.

• Продемонстрировано, что зеемановское расщепление электронных уровней в наклонном магнитном поле может приводить к подавлению основной гармоники в осцилляциях Шубникова - де Гааза и проявлению осцилляций второго порядка малости на удвоенной частоте.

• Построена теория монополярной оптической ориентации электронного газа для непрямых внутриподзонных и прямых межподзонных переходов в полупроводниковых квантовых ямах те-типа. Оптическая ориентация электронных спинов при внутризонном поглощении циркулярно поляризованного света становится возможной, если учесть подмешивание состояний сложной валентной зоны к волновой функции электрона в зоне проводимости.

Продемонстрировано, что релаксация поляризованного по спину электронного газа приводит к генерации электрического тока в структурах с квантовыми ямами на основе полупроводников с решеткой цинковой обманки. Микроскопически спин-гальванический эффект, вызванный монополярной оптической ориентацией, связан с асимметричным в к пространстве рассеянием с переворотом спина в системах с линейным по к спиновым расщеплением.

Сопоставление теории с экспериментальными данными по спин-гальваническому эффекту, индуцированному оптической ориентацией и прецессией электронных спинов во внешнем магнитном поле, позволило определить время спиновой релаксации электронов.

Построена теория циркулярного фотогальванического эффекта при оптических переходах между подзонами размерного квантования в квантовых ямах n-типа различной симметрии. Показано, что циркулярный фототок проявляет спектральную инверсию знака при резонансных межподзонных переходах.

В низкосимметричных квантовых ямах циркулярный фототок, возникающий при нормальном падении света, связан с оптическими переходами с переворотом спина. В квантовых ямах, выращенных вдоль направления [001], циркулярный фотогальванический эффект возможен только при наклонном падении света и обусловлен спин-зависимыми оптическими переходами с сохранением спина.

1. G. Bastard, Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, Les Ulis: Les Editions de Physique, 1988.

2. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus, Superlattices and other heterostructures: Symmetry and optical phenomena, Springer-Verlag, 1995 2nd edition, 1997].

3. Оптическая ориентация, под ред. Б.П. Захарчени и Ф. Майера, Наука, Л., 1989.

4. R. Fiederling, М. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, L. W. Molenkamp, Injection and detection of spin-polarized current in a light-emitting diode // Nature 402, 787 (1999).

5. H.J. Zhu, M. Ramsteiner, H. Kostial, M. Wassermeier, H.-P. Schonherr, and K.H. Ploog, Room-temperature spin injection from Fe into GaAs // Phys. Rev. Lett. 87, 016601 (2001).

6. A.T. Hanbicki, B.T. Jonker, G. Itskos, G. Kioseoglou, and A. Petrou, Efficient electrical spin injection from a magnetic metal/tunnel barrier contact into a semiconductor // Appl. Phys. Lett. 80, 1240 (2002).

7. M. Oestreich, M. Bender, J. Hubner, D. Hagele, W.W. Ruhle, Th. Hartmann, P.J. Klar, W. Heimbrodt, M. Lampalzer, K. Volz and W. Stolz, Spin injection, spin transport and spin coherence // Semicond. Sci. Technol. 17, 285 (2002).

8. Semiconductor Spintronics and Quantum Computation, eds. D.D. Awschalom, D. Loss, and N. Samarth, Springer, Berlin, 2002.

9. P.B. Парфеньев, М.Л. Шубников, Чтения памяти А.Ф. Иоффе, 1990 г., сб. научных трудов, Наука, СПб., 1993.

10. Yu.A. Bychkov and E.I. Rashba, Oscillatory effects and the magnetic susceptibility of carriers in inversion layers //J. Phys. C: Solid State Phys. 17, 6039 (1984).

11. С.И. Дорожкин, Е.Б. Олынанетский, Особенности осцилляций Шубникова -де Гааза в двумерных системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Дырки на поверхности Si (110) // Письма в ЖЭТФ 46, 399 (1987).

12. J. Luo, Н. Munekata, F.F. Fang, and P.J. Stiles, Observation of the zero-field spin splitting of the ground electron subband in GaSb/InAs/GaSb quantum wells // Phys. Rev. В 38, 10142 (1988).

13. J. Luo, H. Munekata, F.F. Fang, and P.J. Stiles, Effects of inversion asymmetry on electron energy band structures in GaSb/InAs/GaSb quantum wells // Phys. Rev. В 41, 7685 (1990).

14. В. Das, D.C. Miller, S. Datta, R. Reifenberger, W.P. Hong, P.K. Bhattacharya, J. Singh, and M. Jaffe, Evidence for spin splitting in InGaAs/InAlAs heterostructures as B^0 // Phys. Rev. В 39, 1411 (1989).

15. В. Das, S. Datta, and R. Reifenberger, Zero-field spin splitting in a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. В 41, 8278 (1990).

16. P. Ramvall, B. Kowalski, and P. Omling, Zero-magnetic-field spin splittings in AlGaAs/GaAs heterojunctions // Phys. Rev. В 55, 7160 (1997).

17. F.F. Fang and P.J. Stiles, Effects of a tilted magnetic field on a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. 174, 823 (1968).

18. T.P. Smith III and F.F. Fang, g factor of electrons in an InAs quantum well // Phys. Rev. В 35, 7729 (1987).

19. R.J. Nicholas, R.J. Haug, K.v. Klitzing, and G. Weimann, Exchange enhancement of the spin splitting in a GaAs-GaxAll-xAs heterojunction // Phys. Rev. В 37, 1294 (1988).

20. S.J. Koester, K. Ismail and J.O. Chu, Determination of spin- and valley-split energy levels in strained Si quantum wells // Semicond. Sci. Technol. 12, 384 (1997).

21. D.R. Leadley, R.J. Nicholas, J.J. Harris, and C.T. Foxon, Critical collapse of the exchange-enhanced spin splitting in two-dimensional systems // Phys. Rev. В 58, 13036 (1998).

22. S. Brosig, K. Ensslin, A.G. Jansen, C. Nguyen, B. Brar, M. Thomas, and H. Kroemer, InAs-AlSb quantum wells in tilted magnetic fields // Phys. Rev. В 61, 13045 (2000).

23. S.A. Yitkalov, H. Zheng, K.M. Mertes, M.P. Sarachik, and T.M. Klapwijk, Small-angle Shubnikov-de Haas measurements in a 2D electron system: The effect of a strong in-plane magnetic field // Phys. Rev. Lett. 85, 2164 (2000).

24. V.M. Pudalov, M. Gershenson, H. Kojima, N. Butch, E.M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers // Phys. Rev. Lett. 88, 196404 (2002).

25. E.N. Adams and T.D. Holstein, Quantum theory of transverse galvano-magnetic phenomena // J. Phys. Chem. Solids 10, 254 (1959).

26. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн, Электронные свойства двумерных систем, Мир, М., 1985.

27. А.А. Абрикосов, Гальваномагнитные явления в металлах в квантовом пределе // ЖЭТФ 56, 1391 (1969).

28. Т. Ando, Theory of quantum transport in a two-dimensional electron system under magnetic fields. IV. Oscillatory conductivity // J. Phys. Soc. Japan 37, 1233 (1974).

29. A. Isihara and L. Smrcka, Density and magnetic field dependences of the conductivity of two-dimensional electron systems //J. Phys. С 19, 6777 (1986).

30. Г.Е. Пикус, В.А. Марущак, A.H. Титков, Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах А1ПВУ (обзор) // ФТП 22, 185 (1988).

31. М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский, Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии // ФТП 20, 178 (1986).

32. Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба, Свойства двумерного электронного газа со снятым вырождением спектра // Письма в ЖЭТФ 39, 66 (1984).

33. Л.Г. Герчиков, А.В. Субашиев, Спиновое расщепление подзон размерного квантования в несимметричных гетероструктурах // ФТП 26, 131 (1992).

34. G. Lommer, F. Malcher, and U. Rossler, Spin splitting in semiconductor heterostructures for B^O // Phys. Rev. Lett. 60, 728 (1988).

35. E.A. de Andrada e Silva, Conduction-subband anisotropic spin splitting in III-V semiconductor heterojunctions // Phys. Rev. В 46, 1921 (1992).

36. В. Jusserand, D. Richards, G. Allan, C. Priester, and B. Etienne, Spin orientation at semiconductor heterointerfaces // Phys. Rev. В 51, 4707 (1995).

37. F.G. Pikus and G.E. Pikus, Conduction-band spin splitting and negative magnetoresistance in A3B5 heterostructures j j Phys. Rev. В 51, 16928 (1995).

38. N.S. Averkiev and L.E. Golub, Giant spin relaxation anisotropy in zinc-blende heterostructures // Phys. Rev. В 60, 15582 (1999).

39. Ю.А. Бычков, В.И. Мельников, Э.И. Рашба, Влияние спин-орбитального взаимодействия на спектр 2D-электронов в наклонном магнитном поле // ЖЭТФ 98, 717 (1990).

40. Е.Е. Takhtamirov and V.A. Volkov, Zero spin splitting of Landau levels in 2D electron systems: role of sign of Lande factor // Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", p. 307, St. Petersburg, Russia, 2002.

41. Э.И. Рашба, Свойства полупроводников с петлей экстремумов. I. Циклотронный и комбинированный резонанс в магнитном поле, перпендикулярном плоскости петли // ФТТ 2, 1224 (1960).

42. А.А. Абрикосов, Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский, Методы квантовой теории поля в статистической физике, Физматгиз, М. (1962).

43. N.S. Averkiev, L.E. Golub, S.A. Tarasenko and M. Willander, Theory of magneto-oscillation effects in quasi-two-dimensional semiconductor structures // J. Phys.: Condens. Matter 13, 2517 (2001).

44. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц, Квантовая механика, Наука, М., 1973.

45. G. Lampel, Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 20, 491 (1968).

46. R.R. Parsons, Band-to-band optical pumping in solids and polarized photoluminescence // Phys. Rev. Lett. 23, 1152 (1969).

47. А.И. Екимов, В.И. Сафаров, Оптическая ориентация носителей при межзонных переходах в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ 12, 293 (1970).

48. Б.П. Захарченя, В.Г. Флейшер, Р.И. Джиоев, Эффект оптической ориентации электронных спинов в кристалле GaAs // Письма в ЖЭТФ 13, 195 (1971).

49. В.Л. Берковец, А.И. Екимов, В.И. Сафаров, Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Эксперимент // ЖЭТФ 65, 346 (1973).

50. М.И. Дьяконов, В.И. Перель, Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Теория // ЖЭТФ 65, 362 (1973).

51. С. Hermann, G. Lampel, Measurement of the g-factor of conduction electrons by optical detection of spin resonance in ^-type semiconductors // Phys. Rev. Lett. 27, 373 (1971).

52. М.И. Дьяконов, В.И. Перель, О возможности оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ 13, 206 (1971).

53. А.И. Екимов, В.И. Сафаров, Наблюдение оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках п-типа // Письма в ЖЭТФ 13, 251 (1971).

54. D.T. Pierce, F. Meier, and P. Ziircher, Negative electron affinity GaAs: A new source of spin-polarized electrons // Appl. Phys. Lett. 26, 670 (1975).

55. В.JI. Альперович, В.П. Белиничер, В.Н. Новиков, А.С. Терехов, Поверхностный фотогальванический эффект в арсениде галия // Письма в ЖЭТФ 31, 581 (1980).

56. И.А. Меркулов, В.И. Перель, М.Е. Портной, Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в квантовых ямах // ЖЭТФ 99, 1202 (1990).

57. И.А. Акимов, Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, В.Ф. Сапега, Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в GaAs при переходе от двумерных к трехмерным структурам // ФТП 35, 758 (2001).

58. A.M. Данишевский, Е.Л. Ивченко, С.Ф. Кочегаров, В.К. Субашиев, Оптическая ориентация по спину и выстраивание импульсов дырок в p-InAs // ФТТ 27, 710 (1985).

59. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, S.N. Danilov, J. Eroms, W. Wegscheider, D. Weiss, and W. Prettl, Conversion of spin into directed electric current in quantum wells // Phys. Rev. Lett. 86, 4358 (2001).

60. Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, Оптические свойства полупроводников: Учебное пособие, ЛПИ, Л., 1989.

61. Л.Е. Воробьев, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, Оптический свойства наноструктур, Наука, СПб., 2001.

62. Е. Towe, L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, Yu.V. Kochegarov, D.A. Firsov, D.Y. Donetsky, Hot-electron far-intrared intrasubband absorption and emission in quantum wells // Appl. Phys. Lett. 75, 2930 (1999).

63. R.Q. Yang, J.M. Xu, and M. Sweeny, Selection rules of intersubband transitions in conduction-band quantum wells // Phys. Rev. В 50, 7474 (1994).

64. R.J. Warburton, C. Gauer, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, B. Brar, and H. Kroemer, Intersubband resonances in InAs/AlSb quantum wells: Selection rules, matrix elements, and the depolarization field // Phys. Rev. В 53, 7903 (1996).

65. U. Ekenberg, Nonparabolicity effects in a quantum well: Sublevel shift, parallel mass, and Landau levels // Phys. Rev. В 40, 7714 (1989).

66. M.O. Manasreh, F. Szmulowicz, T. Vaughan, K.R. Evans, C.E. Stutz, D.W. Fischer, Intersubband transitions in quantum wells, Ed. by E. Rosencher et al., New York: Plenum Press (1992).

67. A.J. Sengers, L. Tsang, and K.J. Kuhn, Optical properties due to intersubband transitions in n-type quantum wells including the effects of the exchange interaction // Phys. Rev. В 48, 15116 (1993).

68. E.E. Takhtamirov and V.A. Volkov, On "forbidden"interconduction-subband optical transitions in semiconductor quantum wells // Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 95 (1997).

69. E.M. Лифшиц, Л.П. Питаевский, Статистическая физика, ч.2, Физматлит, М., 2000.

70. Г.Е. Пикус, А.Н. Титков, Спиновая релаксация носителей при оптической ориентации в полупроводниках, Оптическая ориентация, под. ред. Б.П. Захар-чени, Ф. Майера, Наука, Л., 1989.

71. В. Карпус, Энергетическая и импульсная релаксация двумерных носителей заряда при взаимодействии с деформационными акустическими фононами // ФТП 20, 12 (1986).

72. Н.С. Аверкиев, Теория упругости и основы динамики кристаллической решетки: Учебное пособие, Изд-во СПбГТУ, СПб., 2002.

73. E.JI. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус, Ток термализованных носителей, ориентированных по спину // ЖЭТФ 98, 989 (1990).

74. P.Y. Yu, М. Cardona, Fundamentals of semiconductors, Springer-Verlag, Berlin, 1996.

75. E.O. Kane, Band structure of indium antimonide )j J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).

76. P.A. Сурис, Пограничные состояния в гетеропереходах // ФТП 20, 2008 (1986).

77. B.JI. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников, Физика полупроводников, Наука, М., 1977.

78. Е.Л. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус, Фототок в структурах с квантовыми ямами при оптической ориентации свободных носителей // Письма в ЖЭТФ 50, 156 (1989).

79. Н.С. Аверкиев, М.И. Дьяконов, Ток, обусловленный неоднородностью спиновой ориентации электронов в полупроводнике // ФТП 17, 629 (1983).

80. А.А. Бакун, Б.П. Захарченя, А.А. Рогачев, М.Н. Ткачук, В.Г. Флейшер, Обнаружение поверхностного фототока, обусловленного оптической ориентацией электронов в полупроводнике // Письма в ЖЭТФ 40, 464 (1984).

81. E.L. Ivchenko, A.A. Kiselev, M. Willander, Electronic g-factor in biased quantum wells j j Solid State Commun. 102, 375 (1997).

82. C.M. Рыбкин, И.Д. Ярошецкий, Увлечение электронов фотонами в полупроводниках, в сб. Проблемы современной физики, Наука, JL, 1980.

83. С.М. Рыбкин, Фотоэлектрические явления в полупроводниках, Физматгиз, М., 1963.

84. Ж. Панков, Оптические процессы в полупроводниках, Мир, М., 1973.

85. E.JI. Ивченко, Г.Е. Пикус, Фотогальванические эффекты в полупроводниках, в сб. Проблемы современной физики, Наука, JL, 1980.

86. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман, Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии // УФН 130, 415 (1980).

87. Б.И. Стурман, В.М. Фридкин, Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления, Наука, М., 1992.

88. Э.М. Баскин, Л.И. Магарилл, М.В. Энтин, Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии // ФТТ 20, 2432 (1978).

89. А.В. Андрианов, Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Р.Я. Расулов, И.Д. Ярощецкий, Линейный фотогальванический эффект в дырочном арсениде налия // ЖЭТФ 81, 2080 (1981).

90. Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Новый фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах // Письма в ЖЭТФ 27, 640 (1978).

91. V.I. Belinicher, Space-oscillating photocurrent in crystals without symmetry center // Phys. Lett. A 66, 213 (1978).

92. В.М. Аснин, А.А. Бакун, A.M. Данишевский, ЕЛ. Ивченко, Г.Е. Пикус, А.А. Рогачев // Письма в ЖЭТФ 28, 80 (1978).

93. Н.С. Аверкиев, В.М. Аснин, А.А. Бакун, A.M. Данишевский, ЕЛ. Ивченко, Г.Е. Пикус, А. А. Рогачев, Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре.

94. Теория // ФТП 18, 639 (1984).

95. Н.С. Аверкиев, В.М. Аснин, А.А. Бакун, A.M. Данишевский, ЕЛ. Ивченко, Г.Е. Пикус, А.А. Рогачев, Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре.1.. Эксперимент // ФТП 18, 648 (1984).

96. S.G. Ganichev, Н. Ketterl, W. Prettl, E.L. Ivchenko, L.E. Vorobjev, Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs multiple-quantum wells // Appl. Phys. Lett. 77, 3146 (2000).