Экспериментальное исследование фотостимулированных процессов в кристаллах DKDP при комнатной температуре тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

РГ6 од

~ 3 ¡¡ОН На правах рукописи

СИНЬКО Дмитрий Владимирович

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ В КРИСТАЛЛАХ ОКОР ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ

01.04.21 - Лазерная физика

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук

Саратов - 1997

Работа выполнена на кафедре лазерной физики Волгоградского государственного университета.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук Б.В.Аникеев

Официальные оппоненты:

член-корр. АНУ, д.ф.-м.н., профессор С.Г. Одулов (г.Киев);

к.ф.-м.н., докторант кафедры оптики СГУ В.И. Кочубей (г.Саратов).

Ведущая организация: Технический ушшерситет "ИТМО" (г. С.-Петербург)

Защита состоится "3" ноября 1997 года в 15^ на заседании диссертационного Совета К.063.74.11 по специальности 01.04.21 - Лазерная физика в Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского (410026, Саратов, Астраханская, 83, физический факультет).

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке СГУ.

Автореферат разослан "29" сентября 1997 г.

Ученый секретарь диссертационного Совет а, кандидат физико-математических наук, доцент

Дербов В.Л.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Хорошие электрооптичеекпе свойства и широкий диапазон прозрачности позволяют широко использовать кристаллы ОКОР (К(ОхН1-х)2Р04) в устройствах управления лазерами видимого и ближнего ИК диапазона. Облаете их применения разнообразны: различные технологии промышленности, медицина, экология, физика, химия и др..

При исследованиях динамических модуляционных характеристик э.тектр о оптических ячеек на основе этих кристаллов был обнаружен [Л1] фоторефрактивный (ФР) эффект при комнатной температуре, который был определён как высокотемпературный ФР эффект (ВТФР эффект) в кристаллах ОКОР. Это позволило объяснить существенные нарушения работы электрооптических модуляторов на основе ОКОР в высокоэнергетических лазерах микро- миллисекундного диапазона с отрицательной обратной связью (ООС) при энергии генерации более 3-4 Дж/см1 [Л2], что значительно ограшгаивает облает использования этих лазеров.

К настоящему времени ФР эффект обнаружен в большой группе сешетоэлектрнков и сегнетоэлектриков-подупроводгапсов, насчитывающей несколько десятков материалов. Только начинает осваиваться группа непнроэлектрическнх пьезоэлектрнков (ЬазСа^Юм , Н§3, днгидрат формиат эрбия). К последней (при температурах выше точки Кюри - Тс) относятся и кристаллы ОКОР. Сравнительно недавно в этих кристаллах при температурах ниже Тс был обнаружен фотовольтаический ток [ЛЗ], приводящий к значительному ФР эффекту (Дл~10-5). Оказалось, что фоторефракгнвная чувствительность кристаллов ОКОР превышает на порядок чувствительность широко известных ФР кристаллов иЫТОз [ЛЗ]. Согласно [ЛЗ] выше Тс указанный ток исчезал.

Известны многочислешше примеры использования ФР эффекта. В некоторых средах (например, ГлТЧЬОз) он используется для голографической записи, усиления и коррекщш световых пучков, обработки оптической информации, лазеров на динамических решетках и др. [Л4, Л5]. При этом является актуальной проблема создаши широкоапертурных нелинейно-оптических устройств на основе ФР кристаллов с высоким оптическим качеством. Поэтому обнаруженный в кристаллах ОКОР ВТФР эффект и возможность получения образцов ОКОР больших размеров делают эти кристаллы перспективными для создания шнро-

коапертурных устройств динамической голографии. Однако систематических исследований ВТФР при температурах выше Тс до настоящего времени не проводилось.

Т.о., актуальность темы определяется, с одной стороны, потребностями квантовой электроники в совершенствовании параметров высокоэиергетических импульсных лазерных установок, а с другой - необходимостью поиска новых эффективных голографических сред.

Цель работы.

Существующие устройства и методы, связанные с использованием кристаллов группы КОР, имеют определяемые ВТФР эффектом принципиальные ограничения динамического диапазона мощностей управляемого излучения. Это требует изучения этого эффекта и поиска путей нейтрализации его негативного влияния на характеристики электрооптических модуляторов света. Кроме того, ВТФР эффект в БКБР представляет самостоятельную ценность, поскольку перспективен для использования в качестве повой регистрирующей голографической среды.

Поэтому целью данной работы является определение свойств многокомпонентного ВТФР эффекта в кристаллах ОКБР при импульсном возбуждении и при необходимости определение условий его нейтрализащш.

Научная новизна работы определяется комплексом впервые полученных в ходе проведенных исследований результатов. Впервые экспериментально исследованы амплитудные и динамические характеристики компонент фоторефракции в ОКБР с временами релаксации ~1 мке (быстрорелаксирующая компонента) и -10 мке (акустическая компонента). Установлено, что компоненты фотонндущгровашюй поляризации среды БКОР, приводящие к быстрорелаксирующсй и медленнорелаксирующей (-0.1 с) компонентам ВТФР имеют различные физические механизмы. Для объяснения механизма формирования медленнорелаксирующей компоненты ВТФР впервые предложена дислокационная теория ВТФР эффекта в пьезоэлектриках с водородными связями.

Для исследовашш широкого круга нетшейно-оптических материалов впервые предложен метод динамической внутрирезо-наторной спектроскопии в лазере с внешней ООС, основанный на принципе "внутрирезонаторные потери - устойчивости генера-щш". Показан способ нейтрализащш неустойчивостей при моноимпульсной генеращш, вызванных влиянием нелинейно-опти-

ческих эффектов, возбуждающихся во внутрирезонаторных элементах лазеров. Предложен новый эффективный способ осущест-влеши нмпульсно-периодического режима генерации в твердотельных лазерах как с импульсной, так и с непрерывной оптической накачкой, основанный на резонансном возбуждении упру-гооптнческого эффекта в электрооптических кристаллах с выраженными пьезоэлектрическими свойствами.

Практическая зпачимость работы.

Полученные результаты позволяют:

- значительно увеличить верхнюю энергетическую границу мо-нопмпульсной генерации лазеров с активной электрооптической ООС на основе ячеек Поккельса из ОКБР, что должно привести к расширению области соответствующих лазерных технолопш;

- предложить кристаллы группы КОР (в частности ОКБР) в качестве материала для голографических устройств.

Кроме этого, получешше в работе результаты открывают новые возможности для практических разработок:

- высокоэнергетическпх моноимпульсных лазеров с управляемой длительностью генерации;

- высокоэффективных амплитудных модуляторов для реализа-щш импульсно-периодического режима генерации в твердотельных лазерах;

- спектроскопических установок на базе лазеров с внешней активной обратной связью для экспрессного анализа характеристик различных нелинейно-оптических материалов.

Достоверность результатов исследований определяется использованием в экспериментах: стандартных методик измерений временных и энергетических характеристик излучения с учетом статистической обработки данных, а также их хорошим согласием с соответствующими аналитическими и полученными в ходе численного моделирования данными. В теории: использованием стандартных уравнений для описания рассматриваемых систем.

Защищаемые положения: 1. Возникновение фотоиндуцированных электрических полей, ответственных за фоторефракцию в кристаллах БКЛЭР при комнатной температуре, связано с различными физическими механизмами, которые определяют различную кинетику соответствующих вкладов в фоторефракцшо. Быстрорелаксир>то-

щая компонента при импульсном облучении возбуждается всегда, в то время как возбуждение медлешюрелаксиругощей имеет пороговый характер. Акустическая компонента обусловлена пьезооптическим эффектом, возникающим под действием быстрорелаксирующей компоненты фотоиндуциро-ванного электрического поля.

2. Кинетика медленнорелаксирующей компоненты фоторефрак-щш в ОКБР главным образом определяется возбужденней за-ряжешпых дислокационных струи полем механических напря-жешш, возникающим вследствие термоупругого эффекта при поглощении света.

3. Разработан и экспериментально подтвержден метод внутрире-зонаторной спектроскопии нелинейно-оптических постоянных для компонент фоторефракщш в ОКОР при комнатной температуре в лазере с контролируемой внешней отрицательной обратной связью, основанный на их связи с областями устойчивости генерации лазера.

Апробация результатов.

Основные результаты работы докладывались на V Международном симпозиуме по фоторефрактивным материалам (Киев, 1993 г.), VI Международной кoнфqэeнции по нелшкйной оптике фоторефрактнвных и жидких кристаллов (Крым, 1995 г.), Международной конференции "Прикладная оптика 96" (С.Петербург, 1996 г.), а также на научных семинарах кафедры Лазерной физики и лабораторш1 квантовой электроники Волгоградского госуннверситета, кафедры оптических технологий технического университета "ИТМО" (С.-Петербург), кафедр лазерной и компьютерной физики, оптики и физики твердого тела Саратовского госуниверснтета.

Результаты, представленные в диссертации, получены в ходе выполнения НИР по централизованным Российским программам "Лазеры и их новые приложения в народном хозяйстве и научных исследованиях" и "Наукоёмкие технологии".

Структура и объем работы. Работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Общий объём диссертации составляет 175 страниц машинописного текста, включая 47 рисунков и список литературы (100 наименований).

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цели исследования и основные защищаемые положения, отмечены научная новизна и практическая значимость работы, кратко изложено содержание диссертации и приведены основные результаты работы.

В главе 2 приведены основные известные к началу работы экспериментальные данные по ВТФР эффекту в кристаллах ОКБР. Проведен обзор основных механизмов ФР эффекта в пье-зоэлектргасах непироэлектрического типа, к которым относятся кристаллы БКОР при комнатной температуре. Рассмотрены фо-тогальваннческий эффект в кристаллах без центра инверсии и дислокационная модель ВТФР эффекта в кристаллах БКОР. Приводящий к ФР эффекту фотогальванический ток при освеще-шп! однородного пьезоэлектрика без центра инверсии в пара-электрической фазе возникает при искажении волновых функций свободного движения фотовозбужденных электронов электрическим полем примесных центров и определяется октупольными моментами этих центров, усредненными по эквивалентным положениям в кристаллической ячейке. В рамках дислокационной модели ВТФР эффекта фотоиндуцированная поляризация образуется вследствие перезакрепления заряженных дислокационных струн под действием механического напряжения, возшгкагощего в зоне облученш кристалла при неселективном поглощении излучения.

В главе 3 приведены результаты экспериментального исследования свойств ВТФР эффекта в кристаллах БКБР внерезо-наторным методом. Описаны динамическая поляризационно-оггшческая методика измерения двулучепреломления и приводящего к нему фотоиндуцпрованного электрического поля при импульсном возбуждении ВТФР эффекта, а также экспериментальные установки, использованные в исследованиях.

Исследована кинетика ВТФР с использованием для воз-буждешш эффекта лазера на алгомоиттриевом гранате с неодимом в режиме гигантского импульса (длительность импульса -20 не). Осуществлено селективное возбуждение быстрорелаксиру-гощей компоненты ВТФР эффекта и установлена линейная зависимость ответственного за нее фотоиидуцированного электрического поля от плотности энергии импульсов накачки, причем эта зависимость имеет беспороговый характер в отличие от установленного ранее порога 3-4 Дж/см2 [Л 1] для медлениорелаксиругощей компоненты ВТФР.

Установлено, что вследствие сильно выраженных пьезо-оптнческих свойств ОКБР быстрорелаксирующая компонента ВТФР проявляется через упругие колебания кристалшгческих образцов на частотах низших акустических мод (акустическая компонента ВТФР), возбуждаемых соответствующим фотоиндуцнро-ванным электрическим полем за счет обратного пьезоэлектрического эффекта. Время нарастания быстрорелаксирующей компоненты ВТФР в экспериментах составило ~2 мкс. При повышении плотности энергии облучения кристалла до ~3 Дж/см2 начинается возбуждение медленнорелакенрующей компоненты ВТФР эффекта, что хорошо согласуется с полученными ранее результатами. Для определешш характеристик акустической компоненты ВТФР эффекта проведены экспериментальные исследования акустических свойств нескольких образцов ОКОР. Показано, что сильная взаимосвязь сдвиговых и поверхностных акустических мод в протяженных вдоль оптической оси кристаллах приводит к сдвигу и расщеплению соответствующих акустических мод.

В результате исследования зависимостей амплитуд фото-ицдуцированных электрических полей быстро- н медленнорелакенрующей компонент от поляризации возбуждающего ВТФР эффект излучения установлено, что при ориентации плоскости поляризации этого излучения под углом 45° к кристаллографическим осям Х,У в зависимостях имеется выражешшй максимум. Экспериментально показано, что приводящее к ВТФР в ОКХ)Р фотонндуцированное электрическое поле сосредоточено в зоне взаимодействия излучения с кристаллом.

В главе 4 приведены результаты экспериментального исследования характеристик ВТФР эффекта с помощью внутрире-зонаторного метода - в импульсном лазере с активной электро-олгическон ООС. Изложена теория нового метода внутрирезона-торных спектроскопических измерений параметров ВТФР эффекта, основанного на принципе "внутрнрезонаторные потери - ус-то11Чнвость генерации" (метод ООС-спектроскогаш). Методом Ляпунова проведен анализ влияния ВТФР эффекта, возбуждающегося в электрооптическом модуляторе добротности, на кинетику генерации лазера с безинерционной и интегрирующей внешней ООС. Показано, что область устойчивости генеращш (бес-пичковый или моноимпульсный режим генерации) лазера с ООС определяется функциональной связью его основных параметров (средней мощности генеращш, коэффициента ООС и времени интегрирования в цепи ООС) с параметрами ВТФР эффекта (временем релаксации и амплитудной постоянной). В случае безынерционной ООС (время интегрирования в цепи ООС меньше времени

релаксации исследуемого эффекта) область устойчивости представляет собой полуплоскость с параболической гратщей в ко-ордашатах средняя мощность генерации - параметры ВТФР и коэффициент ООС. При шггегрирующей ООС область устойчивости представляет собой исчезающе узкую полосу с гиперболической формой. Это позволило связать параметры ВТФР эффекта с положением границы полуплоскости в случае безынерционной ООС или с положением центра полосы устойчивости при интегрирующей ООС.

А

.^ху-^г-::. .С--..;'-

• * - ■ .

-д.:.

1мс

1

Рис.1. Типичная осциллограмма моноимпульса генерации ООС-лазера на алюминате иттрия с фоторефрактивной ячейкой (энергия генерации ~12 Дж/см2).

Проведена экспериментальная провфка метода ООС-спектроскошш в ООС-лазере на алюмоитгриевом гранате с неодимом при импульсной накачке. Из экспериментальных зависимостей (см. рис. 1 - зависимость мощности генерации от времени) коэффициента пульсаций мощности на вершине моноимпулъсов генерации от коэффициента ООС при различных средних мощностях генеращш определены произведения постоянных ВТФР эффекта. По известным временам релакеащш компонент ВТФР эффекта это позволило определить их амплитудные постоянные. Установлено хорошее соответствие полученных значегай имеющимся данным независимых измерений. Показано, что предложенный метод ООС-спектроскогаш позволяет проводить измерения параметров многокомпонентного ВТФР эффекта в одном цикле измерении и не имеет ограничений на среднюю мощность излучения при измерениях.

В главе 5 проводится обсуждешге возможных механизмов ВТФР эффекта в кристаллах БКОР. Проведен анализ имеющихся экспериментальных данных по трем компонентам этого эф-

фекта, на основе которого сделано заключение о различии физических механизмов формирования фотошщуцированных полей ответственных за быстро- и медленнорелаксирующую компоненты ВТФР. Для медпеннорслаксирующей компонешы впервые разработана дислокационная теория ВТФР в кристаллах с водородными связями. Для быстрорелакснрующей компоненты предложен механизм изменения поляризации кристалла при фотовозбуждениях примесных центров Сг3+. Показано, что амплитудные и динамические характеристики медленнорелаксирующей компоненты ВТФР хорошо описываются динамикой заряженных дислокационных струн, возбуждающихся под действием термоупругого эффекта при неселективном поглощении излучения. Установлено, что сделанные в рамках механизма фотовозбуждешш примесных центров Сг3+ оценки для величины и динамики фото-индуцированного электрического поля быстрорелакснрующей компоненты ВТФР в БКОР хорошо согласуются с экспериментальными данными. Оценен вклад в быстрорелаксирующую компоненту поляризации кристалла за счет возможного механизма переколебаний дислокационных струн как ~10%. Показано, что акустическая компонента ВТФР является следствием возбуждения в среде поляризации связанной с быстрорелаксирующсй компонентой ВТФР.

В главе б изложены некоторые аспекты практического использования полученных в работе данных по ВТФР эффекту в кристаллах ОКБР. Описано первое экспериментальное наблюдение записи фазового изображения маски в виде двумерной периодической структуры в кристалле ЭКБР при комнатной температуре. Запись осуществлена на основе быстрорелакснрующей компоненты ВТФР.

Согласно методу ООС-спектроскопии изложенному в гл.4 проведен анализ устойчивости генерации импульсного ООС-лазера с поглощающей ячейкой в резонаторе. В результате анализа установлено, что предложенный метод является достаточно универсальным и позволяет проводить измерения параметров широкого круга нелинейно-оптических эффектов (нелинейного поглощения, фоторефракции, генерации гармоник, насыщения усиления и др.).

Описан высокоэффективный акустоэлектрооптическш! амплитудный модулятор света, разработанный на основе данных по акустической компоненте ВТФР. Приведены результаты ис-следовашм его модуляционных характеристик в четверть- и полуволновой схемах включения. Установлено, что при потребляемой мощности менее 100 мВт в первом случае амплшуда резо-

нансного управляющего напряжения для полного переключения излучения с длиной волны 0.63 мкм составляет ~2 В, а во втором -~4 В. Крайне шокие значения амплитуды управляющего напря-жяп1я в условиях возбуждения быстрорелаксиругощей компоненты ВТФР обусловлены высокой (~103) добротностью акустче-ских мод кристаллическог о образца ЭКОР, достигнутой специальным способом его закреплешш в модуляторе. Результаты ис-следовзния динамики генеращш лазера на УАС:Ш3+ при непрерывной накачке с указанным модулятором в резонаторе показали, что лазер переходит в импульсно-периоднчсский режим генеращш со стабильным периодом с одновременным увеличением пиковой мощности генерации. Проведено сравнение основных характеристик этого модулятора с акустооптаческим и отмечены его преимущества по сравнению с последним.

Впервые описан метод активной компенсации паразишо-го влияния ВТФР эффекта на кинетику генерации высокоэнергетических твердотельных импульсных ООС-лазеров. Он основан на функциональной связи их основных параметров с параметрами ВТФР эффекта, установленной в методе ООС-спектроскошш. Результаты экспериментов с традиционными для оптического диапазона лазерами на рубиле и алюминате иттрия показали принципиальную возможность использования предложенного метода для широкого круга активных сред (см. рис.1 - переход через область устойчивой генерации ООС-лазера на алюминате иттрия).

В заключении сформулированы основные положения диссертационной работы, обобщешд основные полученные в работе экспериментальные данные по ВТФР эффекту в кристаллах БКЛЭР и результаты анализа механизмов этого эффекта.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Установлено, что приводящие к фоторефракцпи в ВКБР при комнатной температуре фотоиндутцгрованные электрические поля локализованы в зоне взаимодействия излучения со средой, линейно зависят от энерпш излучения с длиной волны 1.06 мкм и имеют максимум при ориентации вектора электрического поля излучения под углом 45° к кристаллотрафическим осям Х,У.

2. Для процесса возбуждения быстрорелаксирующей компоненты фоторефрактивного эффекта в кристаллах БКБР впервые предложена модель фотовозбуждений примесных центров при

однофотонном поглощении и модель прямых фотовозбуждений заряженных диелокащюнных струн. Показано хорошее соответствие сделащшх на основе модели фотовозбуждений примесных центров оценок с экспериментальными данными и оценен вклад в фоторефрактивный эффект в ОКБР прямых фотовозбуждсшш заряженных дислокационных струн как -10%.

3. Предложен метод активной компенсации паразитного влияния фоторефрактивного эффекта в БКОР при комнатной температуре на кинетику генерации лазеров с внешней отрицательной обратной связью, который позволяет существенно увеличить их верхнюю энергетическую границу моноимпульсной генерации. Экспериментами в традиционных для оптического диапазона лазерах на рубине и алюминате иттрия показана принципиальная возможность использова!шя предложенного метода для широкого крута активных сред.

4. Впервые в кристалле ОКЛЭР при комнатой температуре излучением иеодимового импульсного лазера в режиме свободной генерации записано изображение объекта в виде двумерной фазовой решетки с периодом 0,4 мм. Запись осуществлена с помощью быстрорелакагрующей компоненты фоторефрактивного эффекта и проявилась в виде регулярной модуляции показателя преломления кристалла.

5. Впервые показано, что при возбуждешш акустической компоненты фоторефракции в БКОР низшие сдвиговые и поверхностные моды в протяженном вдоль оптической оси образце БКБР находятся в сильной связи между собой, что проявляется в сдвиге и расщеплении частот соответствующих акустических мод.

6. Разработан новый высокоэффективный акустоэлектроопт1Р1е-ский амплитудный модулятор света, основанный на резонансном возбуждешш упругооптического эффекта в кристаллах БКОР.

7. Помещение акустоэлектрооптического модулятора в резонатор УАО:Кс13+-лазера с непрерывной накачкой приводит к повышению пиковой мощности импульсно-периодической генерации и стабилизации периода следования импульсов при крайне низком значешш управляющего напряжения.

Список используемых источников.

JT1. Гуркин O.A., Аникеев Б.В. Особенносш фоторефракции в DKDP при комнатной температуре // Изв. РАН, Сер. физ.- Т.56, - Вып. 12. - С.65-69.

JI2. Аникеев Б.В., Крутяков В.В. О динамических свойствах электрооптнческого затвора на DKDP в микросекундном диапазоне // Квантовая электроника. - 1990. -Т.17. - №10. - с. 1371-1374.

JI3. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрнкн. - М.: Наука, 1979. -264 с.

Л4. Стурман Б.И., Фридкин В.М. Фотогальвашгаеский эффект в средах без центра симметрии и родственные явлешм. - М.: Наука, 1992. - 208 с.

J15. Одулов С.Г., Соскин М.С., Хижняк А.И. Лазеры на динамических решетках: Оптические генераторы на четырех волновом смешении. - М.: Наука, 1990. - 272 с.

Основное содержать диссертации опубликовано в работах:

1.Аннкеев Б.В., Сипько Д.В. Непрерывный YAG:Nd3+- лазер с акустоэлектрооптическон модултщей добротности // Квантовая электроника. - 1993. - Т. 20. -№ 12. - С. 1199 -1202.

Anikeev, B.V., Sin'ko, D.V. A CW YAG:Nd3+ laser with acous-toelectrooptic Q-switching // Quantum Electronics. - 1993. - Vol. 23. -no. 12 -p.236-239.

2.Anikeev B.V., Gurkin O.A., Sin'ko D.V. On the Correlation between Acoustic and Dislocation Subsystems in the Crystal DKDP at the High-temperature Photorefraction // Topical meeting on photorefractive materials, effects, and devices (PRM'93). Technical digest. -Kiev. - 1993. -pp. 514-517.

3.Аншсеев Б.В., Гуркин O.A., Сшгько Д.В. Исследование влня-1шя высокотемпературной фоторефракцин в DKDP на свойства электрооптическнх лазерных модуляторов и преобразователей света// В сб. Лазерная физика / С.-Петербург.-1994.- вып. 8. - С. 44.

4.Аннкеев Б.В., Гуркин О.А., Сшп>ко Д.В. Исследование влияния высокотемпературной фоторефракщш в DKDP на свойства электрооптических лазерных модуляторов и преобразователей света // В сб. Лазерная физика / С.-Петербург. - 1995. - вып. 11.-С. 35.

5.Аннкеев Б.В., Сштько Д.В. Разработка автоматизировашплх технологических и медицинских лазеров с управляемой отрица-

тельной обратной связью // В сб. Лазерная физика / С.Петербург. - 1995. - вып. 12. - С. 65.

6.Синько Д.В., Аникеев Б.В. Динамический метод лазерной внутрирезонаторной спектроскопии фоторефрактивных сред // Тез. Международной конференции "Прикладная оптика -96". -С.-Петербург. - 1996. - 277а.

7.Аникеев Б.В., Сшшко Д.В. О наблюдении оптической памяти в параэлектрике DKDP // Квантовая электроника. - 1996. - Т. 23. - № 3. - С. 252 -254.

Anikeev, B.V., Sin'ко, D.V. Observation of optical memory in paraelectric DKDP // Quantum Electronics. - 1996. - Vol. 26. - no.3. -p.245-247.

S.Sinlco D.V., Anikeev B.V. Photorefractive Effect in Paraelectric DKDP// Proc. SPIE, VI International Conference NOLPC'95. - 1996. -V. 2795.-p. 317-324.

9.Anikeev, B.V., and Sin'ko, D.V. The Application of External Feedback in the Laser Spectroscopy of Nonlinear Media // Journal of Laser Applications. - 1997. - V.9. - no.4. - p.205-210.

Ю.Аникеев Б.В., Сшшко Д.В. Об исследовании нелинейной многокомпонентной среды в лазере с управляемой внешней обратной связью // Квантовая электроника. - 1997. - Т. 24. - № 6. - С. 541-545.

Anikeev, B.V., Sin'ko, D.V. Investigation of a nonlinear multi-component medium in a laser with controlled external feedback // Quantum Electronics. - 1997. - Vol. 27. - no.6. - p.527-531.