Экспериментальное исследование тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.18 ВАК РФ

Введение

Глава I. ТЕПЛОВЫЕ УСЛОШЯ КРИСТАЛЖЗАЩИ РАСПЛАВА ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Роль тепловых условий.

1.1.1. Особенности теплообмена .• •••

1.1.2. Влияние тепловых условий роста на некоторые параметры монокристаллов.

1.2. Исследование тепловых условий.

1.2.1. Экспериментальные методы.

1.2.2. Теоретические методы

1.3. Физико-химические свойства и условия процесса выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната

Глава 2. ПОСТАНОВКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Разработка метода исследования.

2.1.1. Требования к методу.

2.1.2. Описание метода.

2.2. Создание экспериментальной системы

2.2.1. Структура системы.

2.2.2. Схема стабилизации температуры.

2.2.3. Термопара.

2.2.4. Устройство для измерения положения фронта кристаллизации и уровня расплава

2.2.5. Регистрация сигналов.

2.3. Разработка методики исследования.

2.3.1. Способы проведения измерений.

2.3.2. Оценка погрешностей

Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ШЖШМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕПЛОВЫХ УСЛОВИЙ КРИСТАЛЖЗАЩИ РАСПЛАВА ИТТШЙ-АЛКШ-НИЕВОГО ГРАНАТА.

3.1. Температурное поле в расплаве.

3.2. Изменение тепловых условий в процессе выращивания.

3.2.1. Осевое распределение температуры на разных стадиях выращивания

3.2.2. Плавление исходного вещества и рост монокристалла

3.2.3. Изменение положения фронта кристаллизцции.

3.3. Некоторые свойства расплава ЙАГ

3.4. Движение фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера ••••••• П

Глава 4. ЗАКОНОМЕРНОМ КШСТАЛЖЗАЩИ РАСПЛАВА В ПРОЦЕССЕ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ИТТШЙ-АЛЮШНИЕВОГО ГРАНАТА ВЕРТИКАЛЬНЫМ МЕТОДОМ БРИДШЕНА.

4.1. Численное моделирование тепловых условий.

4.2. Обсуждение экспериментальных данных.

4.2.1. Изменение характера осевого распределения температуры

4.2.2. Изменение положения фронта кристаллизации.

4.2.3. Связь наблюдаемого конвективного движения расплава с характером осевого распределения температуры

4.2.4. Особенности движения фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера

4.3. Рекомендации по практическое применению подученных результатов.

Выводы

Современный этап развития электроники и оптики характеризуется значительной потребностью в тугоплавких монокристаллах высокого качества. Важным требованием, предъявляемым к кристаллам, является их однородность* Опыт показывает, что для получения качественных однородных монокристаллов необходимо обеспечить стабильность процесса их выращивания. Этим определяется большой интерес к исследованию способов их получения. При высоких температурах (порядка 2000 К) особенно важно поддержание соответствующих тепловых условий кристаллизации.

Качество кристалла существенным образом зависит от тепловых условий в области расплава, непосредственно прилегающей к фазовой границе. В свою очередь, реальные условия вблизи фронта роста определяются температурным полем в системе "кристалл-расплав", а также кинетическими процессами, зависящими от реальной скорости кристаллизации. Управление реальными условиями производится при помощи внешних параметров выращивания - мощност^агрева, скорости опускания контейнера, давления окружающей газовой среды,а также выбором конструкции источника нагрева. Для усовершенствования технологии получения монокристаллов необходимо знание закономерностей кристаллизации расплава и связи тепловых условий роста с параметрами монокристалла.

За последнее время наблюдается повышение интереса к вертикальной направленной кристаллизации (вертикальному методу Бридж-мена) как способу выращивания монокристаллов с заданными свойствами, в том числе и технически ценных тугоплавких оксидов. Однако^ отсутствовало полное представление о тепловых условиях роста кристалла. В теоретических работах часто решались чисто тепловые задачи о положении изотермы плавления вещества в заданных внешних условиях без рассмотрения кристаллографических аспектов, причем вводилось большое количество упрощающих допущений. Экспериментальные исследования затруднены вследствие высокой температуры плавления веществ и труднодоступности фронта кристаллизации. Из-за отсутствия надежных экспериментальных методик не было данных о связи реальных и задаваемых (внешних) параметров.

Материалом настоящего исследования является иттрий-алюдание-вый гранат (ИАГ) - технически важный тугоплавкий оксид. Он широко используется в качестве лазерной матрицы,, в оптических схемах,

• как подложка для напыления тонких пленок,а также в ювелирных целях. ИАГ обладает высокой теплопроводностью и позволяет вводить различные легирующие примеси. Из реальных условий выращивания ИАГ вертикальным методом Бриджмена известен лишь градиент температур ры по оси подставки контейнера непосредственно под кристаллом,а также морфология фронта роста. Экспериментальные данные по распределению температуры в расплаве отсутствовали. Отсюда вытекаем необходимость и актуальность предпринятого нами исследования.

Цель работы - экспериментально исследовать тепловые закономерности кристаллизации расплава в процессе выращивания тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена на примере иттрий-алюминиевого граната.

Для этого необходимо было разработать метод исследования, создать экспериментальную систему и получить экспериментальные данные о тепловых условиях кристаллизации расплава и его свой- . ствах.

Следует заметить, что решение поставленной задачи еще не дает полной информации об условиях получения совершенного монокристалла ИАГ, поскольку известно, что качество тугоплавких кристаллов зависит не только от тепловых условий роста, но и от химического состояния расплава. Изучение влияния последнего на качество кристалла является отдельной проблемой, для решений которой необходимо знание тепловых закономерностей высокотемпературной кристаллизации.

Работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы.

Первая глава посвящена обзору литературных данных по тепловым условиям кристаллизации расплава при выращивании тугоплавких монокристаллов.

В главе 2 изложен разработанный диссертантом комплексный метод исследования тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов методом Бриджмена. Метод исследования основан на контролировании положения фронта кристаллизации,. уровня расплава и температурного поля в расплаве» Для реализации метода исследования создана экспериментальная система на базе технологической ростовой установки типа "Гранат". Основные элементы системы: устройство для измерения положения фронта кристаллизации и уровня расплава* схема измерения температуры,регистрирующие устройства , схема стабилизации температуры нагревателя, герметичная водоохлаждающая печь. Описаны экспериментальные методики изучения тепловых условий роста и оценки некоторых физических свойств расплава ИАГ: измерения положения фронта кристаллизации и уровня расплава, измерения температурного поля в расплаве, оценки коэффициента теплового расширения,, плотности и ее относительного изменения при кристаллизации расплавов тугоплавких оксидов.

Третья глава содержит описание полученных экспериментальных данных о положении фронта кристаллизации и распределении температуры в расплаве в процессе выращивания монокристаллов иттрийалюминиевого граната,а также величины некоторых физических свойств расплава ИАГ.

Глава 4 посвящена обсуждению экспериментальных данных. На основе численного моделирования и интерпретации результатов, порченных для иттрий-алюминиевого граната, установлены закономерности кристаллизации расплава, которые справедливы для некоторого класса веществ с близкими физико-химическими свойствами.

В выводах сформулированы основные результаты работы.

Научная новизна.

1. Разработан комплексный метод экспериментального исследования тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания тугоплавких монокристаллов методом Бриджмена.

2. Экспериментально установлены закономерности изменения тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов. Обнаружена связь наблюдаемого конвективного движения расплава с изменением характера осевого распределения температуры.

3. Выявлены особенности движения фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера.

Практическая ценность работы.

1. Установленные закономерности кристаллизации расплава могут быть использованы при совершенствовании существующей и разработке новой технологии получения тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена. Рекомендации применены в Институте кристаллографии АН СССР при разработке технологии выращивания крупных однородных монокристаллов лейкосапфира.

2. Результаты методических разработок использованы при создании автоматизированной аппаратуры в СКБ Института кристаллографии АН СССР, в частности, универсальной автоматизированной ростовой установки "ИКАН-1".

3, Оценены некоторые физические свойства расплава иттрш4-алюминиевого граната - технически ценного лазерного материала (коэффициент теплового расширения, плотность и ее относительное изменение при кристаллизации).

4. Сопоставление полученных экспериментальных данных с результатами моделирования на ЭВМ позволили создать методику оценки тепловых условий кристаллизации расплава при выращивании тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена (совместная работа с БНИИЭТО Министерства электротехнической промышленности СССР).

Настоящая диссертация основана на результатах экспериментальных исследований тепловых закономерностей кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната вертикальным методом Брцпдмена. Работа выполнена в лаборатории высокотемпературной кристаллизации Института кристаллографии АН СССР.

Пункты 1-5 выводов являются защищаемыми положениями.

ВЫВОДЫ

1. Разработан метод исследования тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов методом Бриджмена, основанный на контролировании положения фронта кристаллизации, уровня расплава и температурного поля в расплаве.

2. На базе технологической ростовой установки создана экспериментальная система для исследования кристаллизации расплава в процессе выращивания тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена.

3. Разработана экспериментальная методика оценки коэффициента теплового расширения, плотности и ее относительного изменения при кристаллизации расплавов тугоплавких оксидов. Определены соответствующие величины для расплава иттрий-алюминиевого граната.

4. Получены экспериментальные данные о положении фронта кристаллизации и осевом распределении температуры в расплаве в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната.

5. Установлены закономерности кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристалла ИАГ: а) изменение характера осевого распределения температуры; б) изменение положения фронта кристаллизации; в) связь наблюдаемого конвективного движения расплава с характером осевого распределения температуры.

6. Выявлены особенности движения фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера.

Автор считает своим долгом выразить благодарность профессору Багдасарову Х.С. за постановку задачи исследования, ст.н.сотруднику Приходько Л.В. за непосредственное руководство и участие в проведении высокотемпературных экспериментальных исследований.

Численный расчет теплообмена на ЭВМ выполнен в ходе совместной работы /124,125/ Института кристаллографии АН СССР и Всесоюзного научно-исследовательского проектно-конструкторского и технологического института электротермического оборудования Министерства электротехнической промышленности СССР (г.Москва). На основе экспериментальных данных автора и совместного обсуждения физической модели расчеты на машине БЭСМ-6 выполнил ст.научный сотрудник ВНИИЭТО Ю.К.Лингарт, за что автор выражает ему свою признательность.

При обсуждении работы много ценных замечаний сделали ст.научный сотрудник Александровский A.JI., доцент Горяинов JI.A., к.ф.-м.н. Кривандина Е.А., к.ф.-м.н. Мельникова A.M.

1. Современная кристаллография, том 3. Образование кристаллов/ А.А.Чернов, Е.И.Гиваргизов, Х.С.Багдасаров, В.А.Кузнецов, Л.Н.Демьянец, А.Н.Лобачев. - М.: Наука, 1980. - 407с5 йд.

2. Багдасаров Х.С. Проблемы синтеза крупных тугоплавких оптических монокристаллов. В сб.: Рост кристаллов. Ереван, 1977,т. 12, с. 179-195.

3. Багдасаров Х.С. Проблемы выращивания крупных тугоплавких монокристаллов. В сб.: 5-ое Всесоюзное совещание по росту кристаллов, Тбилиси, 16-19 сентября 1977:тезисы докладов,том 2, с.9-10.

4. Багдасаров Х.С. Техника высокотемпературной кристаллизации и совершенство кристаллов~В сб.: 4-ая Международная школа специалистов по росту кристаллов, СССР, Суздаль, сентябрь 1980: конспект лекций, часть I, с.234-250.

5. Белуэ С. Проблемы, возникающие при выращивании кристаллов при высоких температурах. В сб.: Выращивание монокристаллов. Под ред. Ж.П.Сюше,- М.: Металлургия, 1970. - 174 с.

6. Brice J«C. Crystal Growth from Liquids at High Temperatures,- Progress in Crystal Growth and Characterization, 1978, v.1, N3, p. 255-288.

7. Cockayne B. The Melt Growth of Oxide and Related Single Crystals. Journal of Crytal Growth, 1977, v.42, p. 413-426.

8. Рубин и Сапфир/Под общ.ред.Л.М.Беляева,- М.: Наука, 1974. 236 е., йл.

9. Reed T.V. Heat Flow in High Temperature Crystal Growth.- The Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1967, v.28, supply N1, p.39-43.

10. Cockayne В., Chesswas M., Gasson D.B. Faceting and Optical Perfection ni Czochralski Grown Garnets and Ruby. Journal of Materials Science, 1969, v.4, p.450-456.

11. Багдасаров X.C., Дьяченко В.В., Кеворков A.M., Холов А. Бестигельная крж сталлизация с лазерным нагревом. В кн.: Рост кристаллов/Под ред. Е.И.Гиваргизова. - М.: Наука, 1980, т.13. -328 е., ил.

12. Лубе Э?Л. Современные методы контроля и управления процессами кристаллизация. В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е.И.Гиваргизова.- М.: Наука, 1980, т.13 - 328 е., ил.

13. Гречушников Б.Н., Карпов И.И., Багдасаров Х.С., Зверев Г.М., Оптические свойства и применение в лазерах кристаллов иттрий-алюминиевого граната: Обзоры по электронной технике, J& 3 (418), 4(423). -М.: ЦНИИ "Электроника", 1976. 119 с,, ил.

14. Приходько Л.В. Экспериментальное исследование инфракрасного поглощения в плавленном кварце, лейкосапфире и иттрий-алюминиевом гранате при высоких температурах, Автореферат дисс. • ♦ канд.физ.-мат: .наук. - М., 1971, - Я18с.

15. Приходько Л.В., Багдасаров. Х.С. Инфракрасное поглощение в корунде при высоких температурах. Физика твердого тела, 1970, т.12, № 9, с.2549-2553.

16. Приходько Л.В., Багдасаров Х.С. Инфракрасное поглощение в кристаллах иттрий-алюминиевого граната ц>и высоких температурах. Кристаллография, 1971, т.16, № 4, с.826-827.

17. Пигальская Л.А. О температурных полях в оптических монокристаллах при высоких температурах. Кристаллография, 1969,т.14, № 2, с.347-348.

18. Андреев Е.М., Антонов П.И., Бахолдин С.И., Галактионов Е.В., Юферев B.C. Оценка температурных полей и термическихнапряжений для полупрозрачных профилированных изделий. Известия АН СССР, серия ?изическая, 1976, т.40, № 7, с.1426-1430.

19. Carruthers J.R. Plow Transitions and Interface Shapes rtt the C2ochralski Growth of Oxide Crystals. Journal of Crystal Growth, >(976, v.36, N2, p.212-214.

20. Miller D.C. and Pernell T.L. The Temperature Distribution in a Simulated Garnet Czochralski Melt. Journal of Crystal Growth, 1981, v.53, N3, p.523-529.

21. Аладьев С.И., Охотин А.С. Движение расплава, вызванное скачком плотности на фронте кристаллизации. Москва, 1977. - 14с. /Препринт/ Институт космических исследований АН СССР; Пр - 319.

22. Киргинцев А.Н., Исаенко В.А., Кисиль И.И., Бланк А.Б., Прохоров Л.А., Пыльнева Н.А. Управляемая кристаллизация в трубчатом контейнере. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение,1978,- 254сМ.

23. Конаков П.К. и др. Тепло- и масоообмен при получении монокристаллов.- М.: Металлургия, 1971, 238с,,Ил.

24. Холов А. Развитие методов выращивания тугоплавких монокристаллов с использованием лазерного нагрева. Автореферат дисо.канд. хим.наук. - М., 1980. - 12с.

25. Максимова Г,В., Осикс В.В., Соболь à.A., Тимошечкин М.И. Количественный анализ расплавов y^ai5o12 ш3+ , используемых для выращивания монокристаллов. - Известия АН СССР, серия Неорганические материалы, 1973, т.9, № 10, с.1763-1765.

26. Оганесян Л.А., Хаимов-Мальков В.Я. Испарение расплава иттрий-алюминиевого граната,- кристаллография, 1980, т.25, Jfe 4, с.886-888.

27. Саломатов В.В. Скорость роста кристалла, рассеивающего скрытую теплоту кристаллизации изучением. Известия высших учебных заведений, серия физическая, 1966, # I, с.60-62.

28. Вайнштейн Б.К. Кристаллография сегодня. Кристаллография, 1982, т.27, № 6, с.1045-1055.

29. Fu T.-W. and Wilcox W.R. Influence of Insulation on Stability of Interface Shape and Position in the Vertical

30. Bridgman Stockbarger Techniq£. - Journal of Crystal Growth, 1980, v.48; N3, p.416-424.

31. Багдасаров X.C., Горяинов Л.А. Об аналитическом исследовании процессов теплопереноса в установке для получения монокристаллов по методу вертикальной направленной кристаллизации. -Физика и химия обработки материалов, 1978, № I, с.73-78.

32. Горяинов Л.А. Математические модели теплопереноса в процессах получения тугоплавких монокристаллов. Инженерно-физический журнал, 1981, т.40, № 2, с.359-363.

33. Chang С.Е., Wilcox W.R. Control of Interface Shape in the Vertical Bridgman-Stockbarger Technique. -Journal of Crystal Growth, 1974, v.21, N1, p.135-140.

34. Багдасаров X.C., Горяинов Л.А. Решение задачи теплопроводности дои прозрачного кристалла с учетом лучистого теплообмена между его внутренними стенками. Физика и химия обработки материалов, 1976, 16 I, с.31-35.

35. Горяинов Л.А. (Ъпереносе теплоты в полупрозрачном кристалле, получаемом по методу вертикальной направленной кристаллизации. Минск, 1979.- 17с. Ред.кол."Инженерно-физический журнал".

36. АН БССР, да в ВИНИТИ 21 сент.1979, № 3361-79 ДЕЛ.

37. Сенченков А.С. Приближенный метод расчета температурного профиля в полупрозрачном плавящемся материале. Инженерно-физический журнал, 1976, т.30, J6 3, с.528-531.

38. Хабиб И.С. Затвердевание полупрозрачной цилиндрической среды при совместном действии теплопроводности и излучения. -Теплопередача, 1973, » 2, с.39. М.: Мир.

39. Zalewski Е., Zmija J.Distribution of Temperature in Semi-transparent Single Crystals during the Process of the Czochralski Pulling.

40. Thermal Emission of Semi-transparent Media,

41. Analysis£>f Thermal Fields. Acta Physica PoIónica, 1977, V.A51, N6, p.807-826.

42. Kvapil J., Kubelka J., Vadura R. Temperature Distribution in Growing Semi-transparent Crystals. (1) Theory. Kristall und Technik, 1978, v.13, K11, p. 1357-1367.

43. Kvapil J., Kubelka J., Klapil J., Perner B. Temperature Distribution in Growing Semi-transparent Crystals.(1) Comparison of Theory with Experiment. Kristall und Technik, 1978, v.13, 111, p.1369-1375.

44. Эбрамс M., Висканта P. Влияние теплообмена излучением на процессы плавления и затвердевания полупрозрачных кристаллов. Теплопередача, 1974, № 2, с.75-82. - М.: Мир.

45. О'Нага S., Tarshis L.A., Viscanta R. Stability of the Solid-liquid Interface of Semi-transparent Materials. Journal of Crystal Growth, 1968, v.3,4, p.583-593.

46. Тиман Б.Л., Фесенко B.M., Ремез Н.З. Влияние различия свойств расплава и кристалла на положение фронта кристаллизации при выращивании методом Стокбаргера. Монокристаллы и техникаt

47. Харьков, 1976, № 13, с.1-6.

48. Авдонин H.A. Наличие переохлажденной зоны в тепловой модели процесса направленной кристаллизации слитка. Физика и химия обработки материалов, 1972, J6 4, с.22-29.

49. Riquet J.P. et Durand P. Etude Thermique de la Vitesse de L'interface Solide-liquide au Cours D'une Solidification

50. Bridgman. Journal of Crystall Growth, 1976, v.33, N2,p.303-310.

51. Романенко B.H., Хейфец B.C., Явления, возникающие при остановке роста кристаллов. Кристаллография, 1973, т.18, № 5, с.1057-1062.

52. Воронков В.В. Переохлаждение на грани, возникающей на округлом фронте кристаллизации,- Кристаллография, 1972, т.17,№ 5, с.909-917.

53. Jones C.L., Capper P., Cosney J.J. Thermal Modelling of Bridgman Crystal Growth, 1982, v.56, N3, p 581-590.

54. Авдонин H.A., Смирнов В.А. Численный анализ процессов тепло- и массопереноса при выращивании объемных монокристалловиз расплавов. В сб.: 5-ое Всесоюзное совещание по росту кристаллов, Тбилиси, 16-19 сентября 1977, тезисы докладов, том 2,с.5-6.

55. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Физические и математические модели процессов теплопереноса в установках для получения монокристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации. Физика и химия обработки материалов, 1981, № 5, с.22-27.

56. Лингарт Ю.К. Разработка методики и экспериментальные исследования формирования температурных полей в процессе выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина. Автореферат дисс. канд. тех. наук. - M., 1978, - 19 с.

57. Bodyachevsky S.V., Lingart Yu.K., Khazanov E.E. Temperature Fields during Sapphire Crystal Growth. Journal of Crystal Growth, 1981, v.52(1), p.417-421.

58. Бодячевский C.B., Лингарт Ю.К., Тихонова H.A., Клиновиц-кий В.H., Хазанов Э.Е. Расчет температурных полей пластинчатых монокристаллов лейкосапфира. В сб.: Исследования в области промышленного алектронагрева. Труды ВНИИЭТО, 1979, вып.10, с.90-102.

59. Лингарт Ю.К., Петров В.А. Измерение температуры поверхности некоторых полупрозрачных материалов. Теплофизика высоких температур, 1980, т.18, tè IaI74-I80.

60. Мень A.A., Сергеев O.A. Теплофизические свойства твердых тел при высоких температурах, т.1. М.: Изд-во Комитета стандартов мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР, 1969.

61. Маурах М.А., Ми тин Б. С. Жидкие тугоплавкие окислы. М. : Металлургия, 1979, 288с. ил.

62. Филиппов Л.П. Измерение тепловых свойств твердых и жидких металлов при высоких температурах. М. : Изд-во Московского университета, 1967, 325с, ил.

63. Чарват В.Р. Успехи в области выращивания кристаллов окислов. В кн.: Рост кристаллов. Под ред. А.А.Чернова.- Ереван: Изд-во Ереванского Государственного университета, 1977, т.12,- 358с., ил.

64. Лейбович B.C., Сухарев В.А.,Щушков В.М., Федоров В.А. Автоматическое управление процессом роста монокристаллов.- Приборы и системы управления, 1975, № 5, с.7-9.

65. A.c. 108648 (СССР). Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания. В.В.ДобровенскийдОпубл. в Б.И., 1958, № 4.

66. A.c. 569320 (СССР). Фотоэлектрический способ определения положения фронта кристаллизации. Э.Л.Лубе, Х.С.Багдасаров. Опубл. в Б.И., 1977, Л 31.

67. Багдасаров Х.С., Дьяченко В.В., Холов А. Об использовании лазерного нагрева ддя выращивания высокотемпературных монокристаллов. В кн.: 5-ая Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 1980; Рясширенные тезисы, т.З, с.6-7.

68. Morgan Р.Н., Danforth W.E. Thermocouples of the Refractory Metals. Journal of Applied Physics, 1950, v.21, N2, p.112-113.

69. Юферев B.C. О влиянии излучения на показания термопары в полупрозрачных кристаллах, вытягиваемых из расплава. Журнал технической физики, 1981, т.51, ä I, 190-192.

70. Васильев М.Г. , Юферев B.C. Влияние переноса тепла излучением на процесс выращивания полупрозрачных кристаллов из расплава. Журнал технической физики, т.52, № 7, с.1280.

71. Лингарт Ю.К., Штипельман Я.И. Исследования температурных полей в установках для выращивания монокристаллов лейкосапфира с помощью математического моделирования. Инженерно-физический журнал, 1982, т.43, # 2, с.306-314.

72. Тиман Б.Л., Фесенко В.М., Колотий О.Д. Определение максимальной скорости роста кристаллов цилиндрической формы и температурных полей при лучистом теплопереносе. Монокристаллы и техника, Харьков, 1975, J6 12, с.9-13.

73. Nauman R.J. An Analytical Approach to Thermal Modelling of Bridgman-type Crystal Growth. Journal of Crystal Growth,SZ,v.58, ИЗ» p.554-584.

74. Milsom J.A. and Pamplin B.R. Thermal Oscillations in Melts. Progress in Crystal Growth and Characteri2ation. An International Review Journal, 1981, v.4, N3, p.195-219.

75. Инденбом В. Л. Напряжения и дислокации при росте кристаллов. Известия АН СССР, серия ^язическая, 1973,т^37, № II, с.2258-2267.

76. Чернов А.А. Физика кристаллизации. М.: Знание, 1983. -- 64 с. (Новое в жизни, науке ж технике. Серия "Физика", № 5).

77. Чернов А.А, Слоисто-спиральный рост кристаллов. Успехи физических наук, 1961, т.73, № 2, с.277-331.

78. Чернов А.А. Теория устойчивости гранных форм роста кристаллов. Кристаллография, 1971, т.16, № 4, с.842-863.

79. Стрикленд-Констэбл Р.Ф. Кинетика и механизм кристаллизации. Л.: Недра, 1971. - ЗЮс^ил.

80. Флеминге M. Процессы затвердевания. M.: Мир, 1977. -423с, ил.

81. Чалмерс Б. Теория затвердевания. М.: Металлургия, 1968. - 288с., М.

82. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М., Наука, 1964, 487с, ИЛ.

83. Проблемы роста кристаллов. Под ред. Н.Н.Шефталя и Е.И.Гиваргизова. М.: Мир, 1968. - 392 е., ИЛ.

84. Шашков Ю.М., Гришин В. П. Переохлавдение на фронте кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохраль ского. Доклады АН СССР, 1965, т.163,* 4, с.942-944.

85. Цивинский C.B., Затуловский Л.М., Копылов В.А., Кравец-кий Д.Я. Определение осевого градиента температуры и переохлаждения на фронте кристаллизации при получении кристаллов сапфира способом Степанова. Кристаллография, 1982, т.27, № 3, с.578-583.

86. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов М. : Мир, 1974, - 540с, ил.

87. Таблицы физических величин. Под ред.акад.И.К.Кикоина М,: Атомиздат, 1976.- 1008с.

88. Каминский А,А. Лазерные кристаллы. М.: Наука, 1975. -256с., ИЛ.

89. Cockayne В. Observation and Control of Deviations in Molar Composition in Single Crystal Growth of Mixed Oxides. -- Journal of the American Ceramic Society, 1966, v.49, N 4, p.204-207.

90. Балицкий B.C., Лисицина E.E. Синтетические аналоги и имитации природных драгоценных камней. М.: Недра, 1981. - 158с., пл.

91. Багдасаров Х.С., Карпов И.И., Гречушников Б.Н. Выращивание кристаллов иттрий-алюминиевого граната: Образцы по электронной технике, серия 10 "Квантовая электроника", Jfe 1(313) М.: ЦНИИ "Электроника", 1976. - 96с., ил.

92. Ахметов С.Ф. Искусственные кристаллы граната. М.: Наука, 1982, 96с., ил.

93. Мусатов М.И. Кристаллы оптического АИГ, полученные методом ГОИ. В сб.: Физика кристаллизации. - Калининский Государственный университет, 1981.

94. Говорков В.Г., Воинова Н.Н., Багдасаров Х.С., Степан-цов Е.А. Пластичность монокристаллов иттриево-алюминиевого граната. Кристаллография, 1975, т.20, » 5, с.974-977.

95. Gupta Т.К., Valentich J. Thermal Expansion of Yttrium Aluminium Garnet. Journal the American Ceramic Society.

96. Discussions and Notes, 1971, v. 54, N7, p.355-356.

97. Брызгалов A.H., Эмирбеков Э.Г., Иванов A.O. Зависимость субструктуры кристаллов алюмо-иттриевого граната от условий их выращивания. В сб,* Физика кристаллизации.Калининский Государственный университет, 1981.

98. Коваленко Л.А., Мартынов В. П. Морфология монокристаллов алюмо-иттриевого граната, выращиваемых методом Чохральского. -Монокристаллы и техника, Харьков, 1976, № 14, с.43-48.

99. Nikoiov-V,,Petrov v.; Peshev p. . Определение реальной скорости кристаллизации и ее влияние на качество монокристаллов ИАГ- , выращиваемых методом Бриджмена-Сток-баргера. Известия по химии. Болт.АН, 1980, т.13, Л 4, с.667-674.

100. Nikolov V., Petrov V.; Peshev P. Determination of the Real Crystalli2ation Rate and its Effect on the Quality of YAGjNd3+ Single Crystals Grown by the Bridgman Stockbarger Method.

101. В кн.: 6-ая Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 1980; Расширенные тезисы, т.З, с.147-148.

102. Cockayne В.j Lent В. Complexity in Solidification Behaviour of Molten Y^Al^O^. Journal of Crystal Growth, 1979, v.46, N3, p.371-378.

103. Gaslavsky J.L., Viechniki D.J. Melting Behaiviour and Metastability of Yttrium Aluminium Garnet (YAG) and YAIO^ Determined by Optical Differential Thermal Analysis. -Journal of Materials Science* 1980, v.15, p.1709-1718.

104. Торопов H.A., Бондарь И.А., Галахов Ф.Я. и др. Фазовые равновесия в системе окись иттрия-глинозем. Изв.АН СССР, серия Химическая, 1964, № 7,с.И58-И64.

105. Оганесян Л.А., Хаимов-Мальков В.Я. Выращивание кристаллов ИАГ в вакууме с учетом испарения расплава. В кн.: 6-ая Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 1980. Расширенные тезисы, т.З, с.30-31.

106. Гаспарян А.Г. Исследование микронеоднородностей состава и структурных нарушений в тугоплавких кристаллах. Автореф. дис. канд. физ.-мат.наук.-М., 1981,- 16 с.

107. Лингарт Ю.К., Бодячевский С.В. Исследование плавления и кристаллизации корунда. Известия Академии Наук СССР, серия Неорганические материалы, 1978, т. 14-, № 3, с. 591-592.

108. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Состояние и задачи исследования процессов тепло- и массопереноса при выращивании монокристаллов из расплава. Инженерно-физический журнал, 1983, т. 2, с. 329-340.

109. Петросян А.Г. Распределение примеси в кристаллах^ выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера, в зависимости от характера газовой среды на стадии плавления вещества. Кристаллография, 1983, т. 28, ft 5, с. I049-I05I.

110. Багдасаров Х.С., Кеворков A.M., Приходько Л.В. Стабилиза-лия температуры кристаллизационной печи сопротивления. Приборы и еехника эксперимента, 1969, № 2, с. 217-218.

111. Лингарт Ю.К., Петров В.А. Экспериментальное исследование гвмпературных полей в монокристаллах лейкосапфира. Теплофизика шсоких температур, 1982, т.20, №4, с. 725-732.

112. ИЗ. Lingart Yu.K., Petrov V.A. Measurement of Surface iemperature of Optical Semitransparent Materials. -3 КН.: Temperature Measurements, Prague, 1981, p.105-118.

113. Смирнов В.А., Филиппов М.А., Щелкин Ю.Ф. Моделированиетемпературного поля расплава при выращивании монокристаллов методом Чохральского. Физика и химия обработки материалов, 1971, fe 6, с. 24-28.

114. JX5, Eetrosyan A.G., Shirinyan G.O., Ovanesyan K.L., Avetisyan A.A., Facet Formation in Garnet CrystalS. Kristall und Technik, 1978, v.13, N1, p.43-46.

115. XI6. Miyasawa Y., Mori Y., Homma S. and Kitamura K. Interface Shape Transitions in Czochralski Grown YAG Grystals. -- Materials Research Billetin, 1978, v. 13, N7, p.675-680.

116. Зайдвль A.H. Элементарные оценки ошибок измерений. Л.: Наука, 1968,-96 с.

117. Гордов А.Н. и др. Точность контактных методов измерения температуры. М.: Издательство стандартов, 1976,-232 с.

118. Багдасаров Х.С., Приходько Л.В., Смирнов С.Н. Тепловые эсобенности процесса выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната методом вертикальной направленной кристаллизации. Кристаллография, 1979, т. 24, № 2, с. 359-362.

119. Приходько Л.В., Смирнов С.Н. Особенности термокинетичес*-:их процессов при направленной кристаллизации расплава иттрий-алю-шниевого граната. В кн.: 6-ая Международная конференция по росту ;ристаллов, Москва, 1980, Расширенные тезисы, т. 2, с.233-234.

120. Смирнов С.Н. Исследование процесса выращивания иттрий-Люминиевого граната из расплава. В кн.: Исследование и применение сверхтвердых и тугоплавких материалов. Киев: ИСМ АН УССР, 1981, с. 26-29.

121. Смирнов С.Н. Поведение фронта кристаллизации при выращивании тугоплавких монокристаллов. В кн.: Сверхтвердые и тугоплавкие материалы. Сборник научных трудов. - Киев: ИСМ АН УССР, 1982, с. II-».

122. Багдасаров Х.С., Лингарт Ю.К., Смирнов С.Н. Экспериментальное и теоретическое исследование теплопереноса при выращивании тугоплавких монокристаллов. Кристаллография, 1983, т. 28, te 6, с. II94-II98.

123. Смирнов В.А., Старшинова И.В., Фрязинов И.В. Анализ распределения скоростей температур и концентрации легирующей примеси в расплаве при выращивании монокристаллов по Чохральскому. В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1983, т. 14, с. 124-135.

124. Кудрявцев В.В., Ремизов О.А., Алексеев Ю.Л. Экспериментальное исследование температурного поля расплава при выращивании монокристаллов. Московский институт инженеров железно-дорожного транспорта. Вопросы сложного теплообмена, № 224, Москва, 1965.

125. Антонов П.И. Физические основы управления формой и структурой профилированных монокристаллов. Автореферат дис-.доктора физ.-мат.наук. Ленинград, 1982. - 42 с.

126. Шашков Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. М.: Металлургия, 1982,- 310 с.

127. Jasinski T., Rohsenow W.M., Witt А.P. Heat Transfer Analysis of the Bridgman Stockbarger

128. Configuration for Crystal Growth. 1. Analytical Treatment ofthe Axial Temperature Profile. Journal of Crystal Growth, 1983, v.61, N2, p.339-354.

129. Chang G.J., Brown R.A. Radial Segregation Induced by Natural Convection and Melt/Solid Interface in Vertical Bridgman Growth. Journal of Crystal Growth, 1983, v.63, N2.

130. Нюссик Я.М. Принципы слежения за ростом кристаллов. -Л.: Наука, 1979, 56 с.

131. Кврвалишвили П.Д., Щелкин Ю.Ф. Тепловые условия фактор, определяющий получение совершенных кристаллов. - Физика и химия обработки материалов, 1982, Ш 5, с. 70-78.

132. Дамбиев Ц.Ц. Тепловые свойства полупрозрачных материаловв интервале температур от 300 до 2000 К. М., 1982, - Диссертация,», канд.тех.наук.

133. Филиппов Л.П. 0 состоянии и задачах исследований теплопроводности газов й жидкостей. В сб.:Теплофизические свойства веществ и материалов, 1978, № 13, с. 77-86 (Серия " Физические константы и свойства веществ").

134. Ravishankar P.S. and Pu T.-W. Mathematical Modelling and Parametric Study of Heat Transfer in Bridgman Stockbarger Growth of Crystals. - Journal of Crystal Growth, 1983, v.62, N2, p.425-432.

135. Schonherz E., Dieguez E. Investigation of Crystal Growth by a Transient Bridgman Technique. Journal of Crystal

136. Growth, 1983, v.63, N1, p.197-201.

137. Pu. T.-W., Wilcox W.R. Rate Change Transients in Bridgman-Stockbarger Growth. Journal of Crystal Growth, 1981, v. 51, N3, p.557-567.

138. Pu T.-W., Wilcox W.R. Programmed and Oscillatory Motion in Bridgman-Stockbarger Growth. Journal of Crystal Srowth, 1982, v.57, N1, p.91-93.

139. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М., Механика сплошных сред. Москва: Государственное издательство техническо-теоретической литературы, 1953. - 788 е., ил.

140. A.c. 1002843 (СССР). Способ контроля уровня жидких сред Багдасаров Х.С., Л.В.Приходько, Е.А. Федоров, В.Б.Семенов, М.Л.Кисельков. Опубликовано в Бюллетене изобретений, 1983, № 9 ,

141. A.c. 552750 (СССР). Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава. X.С.Багдасаров, Л.В.Приходько,-Опубликовано в Бюллетене изобретений, 1982, № 12.

142. Куритнык И.П., Стаднык П.И. Термо ЭДС монокристаллов тугоплавких металлов. - Теплофизика высоких температур, 1973,б, с. 1307-1309.