Электрические и люминесцентные свойства полупроводниковых нанокристаллов на основе халькогенидов кадмия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

На правах рукописи

00347805Э

Амброзевич Сергей Александрович

Электрические и люминесцентные свойства полупроводниковых нанокристаппов на основе халькогенидов кадмия

01.04.05 - оптика

- 1 окт 2009

Автореферат на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва 2009

003478059

Работа выполнена в отделе Люминесценции им. С.И. Вавилова учреждения Российской академии наук Физического института им. П.Н. Лебедева РАН

Научный руководитель

Научный консультант

Официальные оппоненты:

Ведущая организация

доктор физико-математических наук, профессор Витухновский Алексей Григорьевич доктор физико-математических наук, профессор Горелик Владимир Семенович Осадько Игорь Сергеевич, доктор физико-математических наук, профессор Московского педагогического государственного университета Чистяков Александр Александрович, доктор физико-математических наук, профессор Московского инженерно-физического института (государственного университета) Учреждение Российской академии наук Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН

Защита состоится 26 октября 2009 года в 11 часов на заседании ученого совета Д002.023.03 при учреждении Российской академии наук Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН по адресу: г. Москва, Ленинский пр., д. 53.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке учреждения Российской академии наук Физического института им. П.Н. Лебелева РАН, с авторефератом - на сайте института www.lebedev.ru.

Автореферат разослан «_» сентября 2009 г.

Отзывы на автореферат просим присылать по адресу:

119991 г. Москва, Ленинский проспект, д. 53, отдел Люминесценции.

Ученый секретарь Диссертационного совета

д.ф.-м.н., проф. Шиканов А.С.

Общая характеристика работы

Актуальность работы.

В настоящее время проявляется большой интерес к полупроводниковым нанокристаллам на основе халькогенидов кадмия. Это связано с успехами, достигнутыми коллоидной химией в синтезе таких структур. Такие объекты оказываются интересными с точки зрения и академической, и прикладной науки. Уже исследованные в ранних работах особенности влияния размерного квантования на спектры поглощения и флуоресценции, а также высокий квантовый выход позволяет использовать полупроводниковые нанокристаллы в таких практических приложениях, как органические светодиоды и источники света, где они выступали бы центрами излучательной рекомбинации. Кроме того, есть попытки использовать нанокристаллы в органических фотодиодных структурах, где они бы являлись центрами поглощения света и участвовали в пространственном разделении заряда.

Несмотря на обилие работ в этой области и на мотивацию получить дешевые и технологичные светоизлучающие и фотодиодные структуры, до сих пор не была подобрана оптимальная технология и материалы, позволившие создать структуры с большими временами деградации и высокой эффективностью. Это связано, скорее всего, с тем, что органическая химия предлагает огромный выбор материалов для таких приборов, каждый из которых требует отдельного и основательного исследования. Более того, светоизлучающая структура или фотодиод сочетают в себе несколько слоев из различных материалов, изменение параметров хотя бы одного из которых влечет за собой изменение свойств всей структуры. Поэтому любое исследование в этой области в настоящее время является востребованным, поскольку оно предлагает конкретную реализацию технологии создания светодиодных или фотодиодных устройств или по крайней мере говорит в пользу применимости, либо неприменимости того или иного материала для изготовления таких структур. Последующее обобщение результатов подобных исследований как раз и должно ответить на вопрос, какие вещества и какой технологический процесс позволит создать наиболее эффективный, надежный и дешевый в изготовлении прибор.

Цель исследования: определить влияние легирования полимерных матриц полупроводниковыми нанокристаллами на перенос носителей заряда в таких системах; исследовать возможность применения нанокристаллов для пространственного разделения заряда, а также для получения узких спектров люминесценции, требуемых для создания полноцветных дисплеев.

Поставленная цель предполагает решение следующих задач:

1. Экспериментальное определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарба-зола, легированной сферическими нанокристаллами Ссйе/Ссй и С<18е.

2. Экспериментальное исследование фотолюминесценции сферических нанокристаллов CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл (синтетический опал).

3. Исследование кинетики люминесценции коллоидных растворов нанокристаллов CdTe/CdSe в виде тетраподов с различными толщинами оболочки CdSe.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Проведено исследование подвижности носителей заряда (дырок) в системе поливинилкарбазол-полупроводниковые нанокристаллы с помощью времяпролетной методики. В рамках модели Бэсслера были получены величины пространственного и энергетического беспорядка для концентрации нанокристаллов CdSe/CdS от 3 x10ю см"3 до ЗхЮ14 см"3 и CdSe от ЗхЮ11 см"3 до ЗхЮ15 см'3. На основе анализа полного протекшего заряда были сделаны выводы о захвате носителей полупроводниковыми нанокристаллами.

2. Экспериментально получены спектры люминесценции синтетических опалов, заполненных нанокристаллами CdSe/CdS, при оптическом возбуждении светодиодами и твердотельным лазером.

3. Экспериментальное исследование кинетики люминесценции анокри-сталлов CdTe/CdSe в виде тетраподов показало существенную неэкспо-ненциальность кинетической кривой. Измерение было проведено для серии образцов со средней толщиной оболочки CdSe, изменявшейся от 0 до 10Â.

4. Впервые предложена модель, описывающая кинетику люминесценции нанокристаллов в виде тетраподов с гетероструктурой типа II, принимающая во внимание ветвящуюся структуру таких объектов и предполагающая, что нанокристаллы такого типа являются четырьмя слабо связанными квантовыми ямами.

Практическая значимость:

1. Показано, что нанокристалы CdSe/CdS, помещенные в матрицу из по-ливинилкарбазола, захватывают дырки. Захват носителей и их возможная излучательная рекомбинация может быть использована при создании светодиодных структур на основе полупроводниковых нанокристаллов.

2. Спектр люминесценции нанокристаллов CdSe/CdS, помещенных в синтетический опал, представляет собой узкую линию на длине волны 575 нм шириной не более 40 нм. Этот эффект может быть применён для создания источников света, где важным параметром является малая спектральная ширина полосы люминесценции и чистота цвета (например, в цветных дисплеях).

3. Увеличение толщины оболочки CdSe нанокристаллов CdSe/CdS в виде тетраподов уменьшает вероятность излучательной рекомбинации. Пространственное разделение носителей заряда в разных лучах тетрапода

может быть использовано для создания фотоэлементов на основе на-нокристаллов такого типа.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Легирование полившшлкарбазола нанокристаллами CdSe/CdS с концентрацией от ЗхЮ10 см до ЗхЮ14 см"3 и CdSe от 3x10й см'3 до ЗхЮ15 см"3 не приводит к детектируемому с помощью времяпролетной методики изменению дырочной подвижности в такой системе. Однако в случае CdSe/CdS при концентрациях от 1х1014см3 до ЗхЮ14см"3 наблюдается существенное уменьшение сигнала фотоотклика, говорящее в пользу того, что носители захватываются нанокристаллами. При этом времена эмиссии носителей оказываются много большими времен пролета. Для CdSe захват носителей не наблюдается.

2. Помещение полупроводниковых нанокристаллов CdSe/CdS в опаловую матрицу приводит к сужению полосы их люминесценции. Спектр фотолюминесценции исходного раствора нанокристаллов имеет континуальный характер и состоит из перекрывающихся полос 540, 577 и 604 нм. При возбуждении системы опал-нанокристаллы излучением свето-диодов с длиной волны 369, 384 и 408 нм в схеме «на отражение» наблюдается ярко выраженный узкий пик люминесценции на длине волны 575 нм.

3. Кинетическая кривая фотолюминесценции нанокристаллов CdTe/CdSe в виде тетраподов может быть представлена в виде суммы быстрой и медленной экспонент. Первая определяется скоростью излучательной рекомбинации электрона и дырки, находящихся в одном луче тетрапо-да; вторая связана с туннелированием электрона через потенциальный барьер в точке ветвления тетрапода. Увеличение толщины оболочки CdSe тетрапода приводит к одновременному уменьшению скорости рекомбинации из-за уменьшения интегралов перекрытия электрона, находящегося в ядре, и дырки, локализованной в оболочке одного из лучей тетрапода, а также вероятности туннелирования электрона через барьер в центре тетрапода.

Личное участие автора. Исследование подвижности носителей заряда проводилось в Католическом университете, г. Лёвен, Бельгия, и на времяпролетной установке, построенной автором в Отделе люминесценции ФИАН.

Все образцы коллоидных растворов полупроводниковых нанокристаллов были синтезированы и любезно предоставлены к.х.н. Р.Б. Васильевым и Д.Н. Дириным (Факультет наук о материалах МГУ). Образцы для исследования подвижности были изготовлены автором работы; эксперимент в Католическом университете г. Левена. Анализ результатов проведен автором совместно с профессором М. Ван дер Аверером (Mark Van der Auweraer). Дальнейшее измерение подвижности было проведено автором самостоятельно на времяпролетной установке, построенной автором в отделе Люминесценции ФИАН.

Изучение фотолюминесценции опалов, заполненных нанокристаллами CdSe/CdS, было проведено в Оптическом отделе ФИАН под руководством д.ф.-м.н. проф. B.C. Горелика. Синтетические опалы были любезно предоставлены B.C. Гореликом; эксперимент был проведен автором совместно с Ю.П. Войно-вым.

Исследование кинетики люминесценции было проведено в отделе Люминесценции ФИАН. Электрическая часть установки времякоррелированного счета фотонов была собрана автором совместно с аспирантом ФИАН A.C. Шуль-гой; настройка оптической части и эксперимент были проведены совместно с A.C. Шульгой и к.ф-м.н. Э.М. Хохловым. Модель, описывающая кинетику люминесценции нанокристаллов CdTe/CdSe в виде тетраподов, была разработана совместно с д.ф-м.н. В.И. Юдсоном. Анализ экспериментальных данных и определение скоростей рекомбинации и туннелирования в рамках модели были проведены автором совместно с к.ф-м.н. А. Шиканяном.

Достоверность результатов обеспечивается комплексным характером исследования электрических и оптических свойств полупроводниковых нанокристаллов. Все экспериментальные установки прошли процедуру предварительной калибровки и настройки; высокая точность использованного измерительного оборудования, а также сравнение результатов с параметрами калибровочных образцов и литературными данными гарантирует достоверность результатов эксперимента.

Апробация работы. Результаты исследования были представлены на X международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» в 2008 г, а также на 1-ом РосНаноФоруме в 2008 г.

Публикации. Результаты исследования отражены в 10 работах, в том числе 4 публикации - в журналах, рекомендованных ВАК.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Материал изложен на 118 страницах, содержит 52 рисунка, 5 таблиц, 111 наименований в списке литературы.

Краткое содержание работы

Первая глава «Обзор литературы» представляет собой обзор литературы по теме. Описывается структура органических светодиодов с внедренными полупроводниковыми нанокристаллами [1], работающими в качестве высокоэффективных излучателей света. Приводятся результаты, уже достигнутые в исследовании нанокристаллов с гетероструктурами типа I [2] и II [3], описана технология синтеза таких гетероструктур, представлены основные области применения описываемых объектов.

Вторая глава «Подвижность и захват носителей заряда в пленках на основе поливинилкарбазола, легированного полупроводниковыми нанокристаллами CdSe/CdS и CdSe» посвящена исследованию влияния легирования полимерной матрицы из поливинилкарбазола полупроводниковыми нанокристаллами указанного типа на перенос носителей заряда в гибридной системе. В

начале главы приведен краткий обзор свойств выбранной матрицы, исследованных другими авторами [4], перечислены основные механизмы токопереноса и подходы к их теоретическому описанию. Описана времяпролетная методика измерения подвижности носителей заряда в органических полупроводниках [5]; выявлены основные параметры измерительной системы, оптимизация которых позволяет расширить динамический диапазон измеряемых времен пролета и подвижности.

Экспериментально был показан дисперсионный перенос в системе поли-винилкарбазол-полупроводниковые нанокристаллы для всех использованных концентраций нанокристаллов Ссйе/СёЭ от ЗхЮ10 см"3 до Зх1014 см 3 и СёБе от 3x10й см"3 до ЗхЮ1 см"3. Зависимость дырочной подвижности в поливинилкар-базоле от электрического поля оказалась линейной в координатах Пула-Френкеля [4] при напряжениях от 2,5х105 В/см до 8,5х105 В/см (рис. 1). Причиной отклонения от линейности при меньших напряжениях может являться внутреннее поле в образце, связанное с различием работ выхода из электродов. Полученные данные подвижности для поливинилкарбазола согласуются с результатами, полученными ранее другими авторами и служили как реперные для последующих исследований.

Рис. 1. Зависимости дырочной подвижность ц в поливинилкарба-золе, легированном нанокристал-лами СйБе с концентрацией ЗхЮ15 см"3, от приложенного электрического поля Е, измеренные при различных температурах и построенные в координатах Пу-

ла-Френкеля [4] 1п(ц) от Е

1/2

1-1-1

700 800 900 1000 1100

300 400 500 6<

Е1*, (В/СМ)"2

Зависимость дырочной подвижности от температуры и поля была проанализирована в рамках модели гауссового беспорядка Бэсслера [6]. Параметр энергетического беспорядка о для чистого поливинилкарбазола оказался равным 103±10 мэВ; при легировании нанокристаллами СёБе/Ссй он составил 92±10 мэВ при малых концентрациях и <т=127±5 мэВ для трех максимальных концентраций нанокристаллов указанного типа. Величина пространственного беспорядка 2 изменялась случайно от образца к образцу что не позволило сде-

лать вывод о систематическом влиянии концентрации нанокристаллов на этот вид беспорядка.

Было обнаружено существенное уменьшение амплитуды фотоотклика у образцов, легированных СбБе/СёБ с концентрациями более 1х1014 см"3. Предположительно это связано с захватом носителей на нанокристаллах с временами захвата, много меньшими времен пролета гт, и временами эмиссии, значительно превышающими гт. Анализ полного протекшего заряда показал, что один нанок-ристалл может захватить до 3 дырок за время проведения эксперимента. Изменения в характере переноса дырок в поливинилкарбазоле при его легировании нанокристаллами СёБе зарегистрированы не были.

¡384 1,1

V V

1 I

400

-рг-

500

т-т-трпг-т-

600

11 »

! 1 I

Ч\\

о * V-.

Длина волны, нм

Рис. 2. Спектр фотолюминесценции коллоидного раствора полупроводниковых нанокристаллов в толуоле (кривая 1) при возбуждении излучением светодиода с длиной волны 384 нм. Для наглядности амплитуда спектра возбуждающего излучения (кривая 2) уменьшена в 104 раз.

1 1 1 1 I 1

I 500

Длина волны, нм

600

Рис. 3. Спектры вторичного излучения опала, заполненного полупроводниковыми нанокристаллами С<15е/Сс13, полученные в схеме «на отражение». Кривая 1 соответствует возбуждению излучением с длиной волны 369 нм, кривая 3 - 384 нм. Спектры возбуждения показаны кри-

выми 2 и 4.

В третьей главе «Оптические свойства фотонных кристаллов, заполненных полупроводниковыми нанокристаллами С(18е/С(18» приведены результаты исследования фотолюминесценции синтетических опалов из кварца, заполненных полупроводниковыми нанокристаллами СсЗБе/СёЗ. В начале главы дан краткий обзор свойств трехмерных фотонных кристаллов [7], приведены ос-

новные теоретические результаты, описывающие распространение света в таких структурах [8,9].

Были использованы опалы с размером глобул 260 нм. Возбуждение проводили в схемах «на отражение» и «на пропускание» излучением светодиодов с длинами волн 365, 382 и 410 нм со средней мощностью 20 мВт, а также используя импульсный YAG лазер, работавший в режиме генерации 3-й и 4-й гармоники (355 и 266 нм).

Спектр фотолюминесценции исходного раствора нанокристаллов имеет континуальный характер и состоит из нескольких перекрывающихся полос 540, 577 и 604 нм. Введение нанокристаллов в опал приводит к существенному сужению полосы люминесценции в схеме «на отражение»; проявляется спектральный максимум на длине волны 575 нм, соответствующей краю запрещенной фотонной зоны опала. При этом эффективный показатель преломления опала составляет 2,76.

Четвертая глава «Кинетика флуоресценции ансамбля полупроводниковых нанокристаллов CdTe/CdSe в виде тетраподов с гетеропереходом типа 2» посвящена исследованию спектров и кинетики фотолюминесценции коллоидного раствора нанокристаллов с несферической геометрией [10, 11] в толуоле. Измерения проводили для образцов с различными средними величинами толщин оболочки CdSe. Показано, что увеличение толщины оболочки приводит к сдвигу максимума люминесценции в длинноволновую область с 610 до 793 нм (рис. 4).

Обнаружено существенное увеличение времени высвечивания нанокристаллов с ростом толщины оболочки CdSe (рис. 5). Это может быть связано с уменьшением интегралов перекрытия электрона, находящегося в ядре-тетраподе, и дырки, локализованной в оболочке одного из лучей. Также показан существенно неэкспоненциальноый характер кинетических кривых люминесценции.

Для объяснения неэкпоненциальности кинетических кривых предложена модель, описывающая излучательную рекомбинацию электрона и дырки в системе четырех связанных между собой потенциальных ям. Модель предполагает наличие двух процессов: туннелирование электрона через центр тетрапода, представляющий собой потенциальный барьер [12], а также рекомбинацию. В этом случае кинетическая кривая может быть представлена суммой двух экспонент:

т~гтЛ

(s+ + 4w)e'St - (s. + 4w)e's-4 (i+-0

где

í± =-(yl2 + 2w)±-Jy2 /4 + yw + 4w2 , и У™/ - скорость излучательной рекомбинации.

(1)

(2)

550 600 650 700 750 800 850 900

Длина волны, нм

Рис. 4. Спектры фотолюминесценции полупроводниковых нанокристаллов CdTe/CdSe в виде тетраподов, измеренные при комнатной температуре, для различных средних толщин оболочки CdSe: 1-0.4Á, 2-0,8 А, 3-1,6Á, 4-2,7 А, 5-5,0Á, 66,8 А, 7 - 7,4 А, 8 - 8,5 А, 9 -10,0 А.

По экспериментальным данным ния w и рекомбинации у для образцов (рис. 6, 7).

40 80 120

Время, нс

Рис. 5. Кинетические кривые фотолюминесценции полупроаодниковых нанокристаллов CdTe/CdSe в виде тетраподов, измеренные при комнатной температуре, для различных средних толщин оболочки CdSe■. 1 - 0,4 А, 2 - 0,8 А, 3-1,6 А, 4-2,7 А, 5-5,0 А, 6-6,8 А, 7 - 8,5 А, 8 - 10,0 А. Кинетические кривые для каждого типа нанокристаллов регистрировали на участке спектра, где наблюдается максимум спектра фотолюминесценции

были определены скорости туннелирова-с различными толщинами оболочки CdSe

\

— А у

— Р 20xiv

"1 г

10

I 1 1 1 ' I

о

о

20

30

2

4

6

8

10

Время, не

Толщина оболочки CdSe, Л

Рис. 6. Интерполяция кинетической Рис. 7. Зависимость скорости и> перекривой фотолюминесценции тетра- хода электрона через потенциальный подов СсГГе/СсШе с помощью выра- барьер в центре тетрапода С(1Те, а жения (1), полученного в рамках также скорости рекомбинации у, от

Основные результаты и выводы

1. Исследовано протекание тока в поливинилкарбазоле, легированном сферическими нанокристаллами CdSe/CdS и CdSe. Легирование полимерной матрицы нанокристаллами не изменяет дисперсионного характера переноса и не влияет на дырочную подвижность. В случае CdSe/CdS для трех максимальных концентраций было обнаружено увеличение параметра энергетического беспорядка о для трех максимальных концентраций нанокристаллов от 92±10 мэВ до 127+5 мэВ.

2. Зарегистрировано уменьшение сигнала фотоотклика для максимальных концентраций нанокристаллов указанного типа, обусловленное захватом дырок нанокристаллами. Количество дырок, захваченных на один нанокристалл за время пролета, оказалось равным 3. Излучательная рекомбинация захваченных носителей может быть использована при создании новых типов органических светодиодов.

3. Исследованы спектры фотолюминесценции синтетических опалов, заполненных сферическими полупроводниковыми нанокристаллами CdSe/CdS. Помещение нанокристаллов в опал приводит к существенному сужению спектров люминесценции и проявлению спектральной линии на длине волны 575 нм. Этот эффект может быть использован для создания нового типа источников све-

описаннои модели.

толщины оболочки CdSe.

та, где определяющим фактором является чистота цвета люминесценции (например, в цветных дисплеях нового типа).

4. Определены зависимости спектров и кинетики фотолюминесценции коллоидных растворов полупроводниковых нанокристаллов CdTe/CdSe в виде тетраподов в толуоле от толщины оболочки CdSe. Увеличение длины волны максимума люминесценции нанокристаллов с ростом оболочки связано с увеличением радиуса локализации экситона в нанокристалле.

5. Показано, что увеличение времен высвечивания с толщиной CdSe связано с пространственным разделением электрона и дырки гетеропереходом CdTe/CdSe и уменьшением их интеграла перекрытия.

6. Неэкспоненциальность кинетики люминесценции связана с геометрией нанокристалла и образованием в ней четырех слабо связанных потенциальных ям для электрона. Вероятности туннелирования электрона через потенциальный барьер в точке ветвления тетрапода, а также электрон-дырочной рекомбинации определяют время высвечивания.

Список публикаций по теме диссертации

1. Витухновский А.Г., Амброзевич С.А., Васильев Р.Б., Дирин Д.Н., Ковалев М.Н., Лидский В.В., Хохлов Э.М., Шульга A.C. Мерцание флуоресценции нанотетраподов CdTe, покрытых оболочкой CdSe // В сб.: Оптика, наноэлектро-ника, нанотехнологии и микросистемы: Труды X международной конференции. Ульяновск, 2008.

2. Витухновский А.Г., Амброзевич С.А., Васильев Р.Б., Дирин Д.Н., Ковалев М.Н., Лидский В.В., Хохлов Э.М., Шульга A.C. Кинетика и спектры люминесценции нанотетраподов CdTe, покрытых оболочкой CdSe // В сб.: Оптика, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды X международной конференции. Ульяновск, 2008.

3. С.А. Амброзевич, Ю.П. Войнов, B.C. Горелик. Вторичное излучение от поверхности опалов, возбуждаемое ультрафиолетовым излучением полупроводниковых светодиодов и импульсного твердотельного лазера. // В сб.: Оптика, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды X международной конференции. Ульяновск, 2008.

4. С.А. Амброзевич, М.В.Д. Авераер, А.Г. Витухновский, Р.Б. Васильев, Д.Н. Дирин. Подвижность и захват носителей заряда в пленках на основе поли-винилкарбазола, легированного квантовыми точками CdSe/CdS и CdSe // В сб.: Оптика, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды X международной конференции. Ульяновск, 2008.

5. С.А. Амброзевич, А.Г. Витухновский, А.С. Шульга. Установка для измерения подвижности носителей заряда по времяпролетной методике // В сб.: Оптика, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды X международной конференции. Ульяновск, 2008.

6. S. Ambrozevich, М. v. d. Auweraer, D. Dirin, M. Parshin, R. Vasil'ev, A. Vitukhnovsky. Hole mobility and trapping in PVK films doped with CdSe/CdS and CdSe quantum dots. Journal of Russian Laser Research, Volume 29, Number 6, 2008, p. 520.

7. Витухновский А.Г., Амброзевич C.A., Васильев Р.Б., Дирин Д.Н., Лид-ский В.В., Хохлов Э.М., Шульга А.С. Квантоворазмерный эффект в гетерострук-турных переходах CdTe/CdSe: на пути к новым элементам наноэлектроники и квантового компьютинга. // В сб.: Тезисы стендовых и секционных докладов РосНаноФорума, т.1., стр. 133,2008 г.

8. A.G. Vitukhnovsky, A.S. Shul'ga, S.A. Ambrozevich, E.M. Khokhlov, R.B. Vasiliev, D.N. Dirin, V.I. Yudson. Effect of branching of tetrapod-shaped CdTe/CdSe nanocrystal heteroctructures on their luminescence. Phys. Lett. A 373 (2009) 2287.

9. Витухновский А.Г., Шульга A.C., Амброзевич С.А. Экспериментальная установка для определения подвижности носителей заряда с помощью времяпролетной методики // Краткие сообщения по физике ФИАН, вып. 8, стр. 26, 2009 г.

10. Ambrozevich S.A., Gorelik V.S., Dirin D.N., Vasiliev R.B., Vitukhnovsky A.G., and Voinov Yu. Optical properties of 3D photonic crystals filled with CdSe/CdS Quantum Dots. Journal of Russian Laser Research 20(4) (2009) 384.

Список цитируемой литературы

1. Сое-Sullivan S. Hybrid Organic/Quantum Dot Thin Film Structures and Devices. PhD Thesis. MIT, 2005.

2. Dabousi B.O., Rodriguez-Viejo J., Mikulec F.W., Heine J.R., Mattousi H., Ober R., Jensen K.F., Bawendi M.G. (CdSe)ZnS Core-Shell Quantum Dots: Synthesis and Charactrization of a Size Series of Highly Luminescent Nanocrystallites. J. Phys. Chem. В 101 (1997) 9463.

3. KimS., Fisher В., EislerH.-J., Bawendi M. Type-II Quantum Dots: CdTe/CdSe (Core/Shell) and CdSe/ZnTe (Core/Shell) Heterostructures. J. Am. Chem. Soc. 125 (2003) 11466.

4. Pope M., Swenberg C.E. Electronic processes in organic crystals and polymers. Oxford University Press, N.Y., 1999.

5. Spear W.E. Drift mobility techniques for the study of electrical transport properties in insulating solids. J. Noncryst. Sol. 1 (1969) 197.

6. Bässler H. Charge transport in disordered organic photoconductors. A Monte Carlo simulation study. Phys. Stat. Solidi В 175 (1993) 15.

7. Sakoda K. Optical properties of photonic crystals. Springer, 2001.

8. Горелик B.C. Оптика глобулярных фотонных кристаллов // Квантовая электроника. 2007. № 5. с. 409-432.

9. GorelikV.S. Optics of Globular Photonic Crystals. Laser Physics 18 1 (2008).

10. W.W. Yu, Y.A. Wang, X. Peng. Formation and Stability of Size-, Shape-, and Structure-Controlled CdTe Nanocrystals: Ligand Effects on Monomers and Nanocrystals. С hem. Mater. 15 (2003) 4300.

11. Vasiliev R.B., DirinD.N., Sokolikova M.S., Dorofeev S.G., Vi-tukhnovsky A.G., GaskovA.M. Highly luminescent CdTe/CdSe colloidal heteron-anocrystals. Mendeleev Commun. 19 (2009) 128.

12. Cui Y., Banin U., Björk M.T., Alivisatos A.P. Electrical Transport through a Single Nanoscale Semiconductor Branch Point. Nano Lett. 5 (2005) 1519.

Подписано в печать

Формат60x84/16. Заказ № 59. ТиражУО экз. П. л.йЕЯ

Отпечатано в РИИС ФИАН с оригинал-макета заказчика. 119991 Москва, Ленинский проспект, 53. Тел. 499 783 3640