Электрические и оптические свойства монокристаллов сульфида кадмия с дефектами радиационного происхождения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Нац!ональиа академ!я наук УкраГни Ыститут ф1зики наш'влроЫдниюв

На правах рукопису

Давцдюк ГсоргШ Спламш'йович

Електричш 1 оптичш власти вост1 монокристал1в сульфщу кадмно з дефектами рад1ацшного походження

01.04.10 - ф1зики штапровщниюв I д1слектрик1в

Автореферат дисертацй на эдоб)Тгя паукового ступеня доктора фЬико-математичшх наук

Кит 1995

Дисертощею е рукопис.

Робота виконана в Inciinyri ядерних дослшжень HAH Укршнц (м.Кит) i на кафедр! фЬики Волинського утверсигету (м.Луцьк).

Офщшж опонентн: доктор ф|зико-математичних наук, професор Литовчеико П. Г., доктор ф1эико-математичних наук, професор Ермолов!!1! I. Б., доктор фЬико-математичиих наук, Шаховцов В. I.

Протдна органЬашя: Чертпнецький державжгн университет

Захисл вшбудсться .д.'^'^ 1995 р. о -/У годин)

па засщамш спешал!зок(но| вчено\' раяа2х>/чiГо 1 при 1нститут1 фЬикн нашвпровщнккгв HAH Укра'ши за здресою: 252650 MCП, КиТв 28, проспект Науки, 45.

3 дисерташсю \гожна ознакомитесь в Gi&nkrreui iHcTirryry ф'гзнгл нашвпровшниюв HAH Укра'ши.

Автореферат pojic:inii>rit uJf " /У/и^'Ч.' 1995 р.

Вчений сскрстар

спсшх'изоьлжп iVienoi ради 1ЩЕНК.0 С.С.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ.

Актуаяьнкть теми,

Халькогеждш наптпровщников! сполуки групп А2В. внаслцюк сукулносп ряду властивостей, таких як велика ширина заборонено'; зон», велика iiMcmipHicTb випромшювально\' рекомбшаш», вкеока фоточутлпшетъ, тошо, знайшли тироке використання як магер^али, на основ! якнх вигоювляють phni елементи сучасяо! електрптки, оптоелектрошкп, нелшшно! оптики. Вони входять як голова! компонент в прошге/кш кристалофосфори.

Одшпо з основних проблем cynacno'i ф'аики твердого'пла £ пошук ефектнвних 3aco6ie шленапрямленого управления властивостями иагшшрот/а-пши. Розв'язання uiei' проблеми, Kpi.w nccöi'iitoro доелщження фуидаментальнпх ф1зични;< властивостей крнсталж, включае також впвчення i'x дефектно! структур!!.

Одержашш зад а н о го л е фс ктн о - д о м i ш к о в ого складу, як правило, реал1зуеться шляхом щлеспрямованого легування або змшн стехюметрп крнстагив а процесл високотемпературно1 термообробки. 1нтерпретащя природ» дефектно-дошшкових центров в таких матер1алах зустрнае ряд трудноипв, пои'яэаних, головним чином, з оисокою актившетю неконтрольоваких реакшй мЬк дефектами i залншковими домшками. Особливо цеетосусться напшпровдшшв ipyini ЛД, гехнологш вирощувдння яюгх ше не дозволяе одержуватн структурнодосконал! кристалл з достошрним ступепем чистоти.

Таи недол1Ки а зиачнш Mipi ащеутш при рдд1ащйному метода введения дефектш, оскшькн при температурах опромшепия Т<300К. рухлив'ч-Т! бшьшост! исконтрольованих домшк>к j дефект1в реилтки а сполуках А2В6 невисок!. Тому методи paaiauiiiHoi' ф{зикн широкозонппх нашвпромдниюв, як1 дозволяють створювати в крнсталач дефекта певного типу в строго контрольованих умовах опромшенни, е високоефективними i актуальнимн.

Системне дослщженш рашшйних дефект в бшарннхсполуках AjB6 почалося набагато ni3Hiiue, шж в елементарних нашвпровшниках, i з меншою результатившетю. Це частково обумовлеие тим, шо для бЬчьшосп матер1ал1в дапого типу застосуг-апня методу Ell!' обмежуеться матам часом спш-рыштковоЧ релаксина. При цьому найб)льш ефектившши е комплекс»!

дослщження якомога Gufbiiioi кшькоеп (¡»¡зимних парамстр'ш эчазка як до, тик i теля Його опромшсння, шо реалЬуеться в HatJiiii poCoTi.

1дентмф'|кашя методом EDP первинних рад'шшйних дефектов в сполуках ZnO, BeO, ZnS, ZnSe, CdS. им вщр1зняються м|ж собою Широким спектром фЬичних парамстрш, показала, то структура влаенлх точкових дефекш н цих матер1алах дуже подЮна.

Тому в багатьох випадках при досл'Шжент pajiauiininx дефекпв В бншрних натвпровщниках А2В6 як модельний матер1ал, в силу вщомих його особливостей, використовуеться CdS, який також був об'ектом дослщжень в наипй робот!.

Незважаюча На значну кшьк^ть робп, прпсвячених рал'шижмим дефектам в монокрнсталах сульфиу кадмно, noBiioi кцггичн upouecy раД'тшГшого дефектоутворення в цнх начшпровшииках не iciiyc.

D бшымост! випадк!в дослщження рад'тшПНнх дефект^ в сполуках А2В6 Проводилися теля опромшсння ix пор'тняно невеликими дозами у- < електротю? радишп (Ф< 10"с,м при яких кониентрашя ввсдепихдефскт'т мало в'шргзнялася i)i;t кониентрацм неконтрольованих домишж. Очевидно, самс »им можна пояснити розб1жност1, як'| icHyroTi. в Л1тератур1 щодо ттерпретацн фЫко-xi.uiwuo'i прнроди pajaiauiiiHiix пошкоджень в цих матер1алах.

Практично недослшжеинми залишаються питания стабитьност) радшш'ших дефекпв в CdS-монокрпсталах в обласп кшнатно? i б'|льш високих температур, ям t робочпми лля прилад"|в, шнчлоплених на ocuoai дапих нашвпровщникш.

Не вивчеиою залишаси.ся проблема взаемодн радшцпших дефекпв з легуючими домшкамп в халькогеждних сполуках, eia характеру яко! занежоть основп! властнвосп опромшеннх легованнх кристалш. HcßUoMi також роботи, в яких доглшжувалася б роль областей розупорядкупання (ОР) , то впникають в процес! каскадних змшень aroMiB реипткн бшарних сПолук А2В( при опром'шенш ix важкими частниками.

Актуальною була i залишаеться проблема макронсоднорщностей в нашппровшниках. Разом э тим, невшом1 роботи, в яких дослижуваласп б природа р!зних макронеоднортностей технолопчного походження i вплив на ni неодноришост! рад'шин в бншрних сполуках А,В6.

Тому nauii лослщження p;i'!iaiiiitnitx дефект-!» в монокрнсталах CdS-молсльному нашвпровинпку для широкозопних бшарних

) «

халькогеншних сполук - с актуальннм ! дошльннм як в пауковому, так 1 в практичному аспектах.

Метою роботн було встановлешш на Сулъ\ експеримснгольннх дослщженъ мехшизкпв дгфектоутворення при високотемпературному опромЫежн (Т«300К) Сс15-монокристалт у- квантами, едектронами р1зних снерпй (1-21 ЮМеВ), протонами 1 швидкнми реакторними нейтронами, створення моделей радгашйних ношкоджень 1 внвчення |'х впливу на ф'зичн! властивосп дослшжуааних матер^алш.

У шдпоищнистч з поставленою метою в робот 1 проводилось:

1. Експсримсптальне дос.пдження параметр]в цен'пмв рад1ашйного походжении.

2. Встановлення рол! атомш мпн, як1 належан, до активннх дошшск в СЖ-монокристалах I часто присутщ в ¡гик материалах як неконтрольовлт, в процесах рад'ишншого дефектоутворенни.

3. Досгндження температурно!" стаб!Льност1 радтацшних ношкоджень ! IX перебудови при високотемпературному вшшш (Т>300 К) опромшених С(1Б 1 С»18:Си - моиокристхпв.

4. Внвчення природи рздгашйних дефект 1 '¿х впливу на ф1зичш Ш1астнвост1 монокристалт сульфшу кадмно, опромшеннх протонами (Е=46МеВ) 1 швидкими реакторними нейтронами.

5. Експерпментальне доедиження особливостей процесу дефектоутворення в СсШ- монокристалах при ¡х опромшенш в залежност1 шд початкового дефектного стану.

6. Внвчення природа макронеоднорщностен технолог/иного походження в СсШ - монокристалах 1 впливу на щ неоднородное™ у- I нейтронпо! ралкшп.

Комплекстсть досл^джень забезиечувадася рядом експеримеитнльпих методик, яю базувалися на вньпрюванш м1кротвердост1, часу життя нер1вноважних носап заряду, ефект! Холла, деслщжешп електричних, фотоелектричних, магштних нлпстнвостей, фотолюшнесценцн, и ноляризашйннх характеристик, спектр! в збудження, снектр!в иибивання I поглинання св)тла.

Контроль за розподшом макронеоднорщностей зд^йснювавсн за допомогою зондових шнпрювань. Структурна досконал1Сть ч коннентрашя неконтрольованих домннок ошнювалнсь на основ! рсптгеноструктурНого 1 масспектроскогпчного анп;нз1в.

В робот! внкорпстовувалися, в основному, велик! дозн

опромшення (Ф>10псм",)1 шо дозволяло створюватн власну коннентрашю дефект!« решетки значно бшьшою за концентраций неконтрольованпх домнпоК та вихщних дефектов зразка.

JocTonipnicTi» одержаввх результата* забез не чу валясь комплексном характером досл1джень на основ! добре апробованих сунасиих методик, з використаниям в окремих инпадках спектроскопа bîicokoï роздшьно! здатност1 при геЛ1евих температурах, машишюю обробкою експерименталышх даиих i математичною обгрунтоважстю оц'шкн похибок вшпрювпнь, доброю шдтворювашеткэ результатов i 'ix сп'тпаданням в незалежннх екепериментах.

Наукова новизна ооботи.

1. Впсрше було пока: шо, шо при великих дозах електролного опромшення Ф>1018ел/см2, коли домшуючимн дефектами стають рад1ац1Й1Н дефект», pineHb Ферм'1 (Ег) в ршшх монокристалах CdS виходить на гранич!1е положения, яке pieue Е = Ес-(0,77±0,02)еВ.

2. Вивчено вплив домшки мш! на процсси дефектоутворення при onpoMiiieHHi сульфиду кидм!Ю елсктронами i швидкнми реакторними нейтронами. Створеш несуперечлив'1 модел! рад'тшйних пошкоджень ь цих нашвлровшшках, в тому <(исл! i так!, ям включають атомп Mui.

3. Вперше проведено аналЬ високотемперьгурних етадШ вщпалу (T>300K) pMiauiiimix дефект в опромшених слектроаами i швидкнми реакторними нейтронами CdS - монокристалах. Визначеш стали i enepnï актнвпии вщпалу. Створе!(а модель мехашзм1в високотемпературного вшпалу рад1ашйних дефскт!в в монокристалах CdS.

4. Показано, шо електронне опромшення невеликими дозами (E=i,2MeB, Ф=10"'ел/см!) CdS - монокристагнв, hkî мають в реШ1ТЦ1 нестехшметричний кадмш, веде до покрашення Його ртехюметричного складу.

5. Впершс на ocaoBi аналву широкого спектру параметр!в CdS -(Ионокристал1в. опромшемих швидкнми реакторними нейтронами, доведено факт ¡снування в цих матер1алах областей розу порядку вання. Аналпуетьен модель ОР, наоснов'1 яко! в рамках теори протн;ання пояснено особливосп електропровщност1 в сшромшених монокристалах CdS i впзначеж основа! параметра

OP в них MuTcpiannx.

6. Вшкрито ефект насичення дефект^ при оиромшенш монокристшнв CdS великими дозами нснтрошв (Ф>ЗЛ013 н/'см2).

7. Внерще проведено всебжнкй ачатз макронеоднсрщностей технологичного походження в CdS- монокрнсталах, ветаиовлено i'x природу i дослшжено вплнп на ix розподш електрошю; i меитронно'1 paBiaiui.

Практична цжжсть рсботм поля гас а ..такому:

1. Екслериментально обфунюпано метод пщпищення pauiauirmoi стшкосп спешалько нелегоеани). i легованих мЬщю зразкш CdS, пов'язашш з встлповлепням граничного положения pii;nw ФсрМ1 я крнсталах з дошнуючою концентрацию paaiannii?i!x дефектов.

2. Встановлення факту наекчения концептранн дефектов при великих дозах нейтронного опромшення СЖ-монокриота.'пь (Ф>3'Ю^н/см2) викривае перспективу внкористання його в якост! ра/пацшно стшкого матеркшу для вшотовлення датчикш даного виду paaiaiiii.

3. Велика енерпя акшванп темново'1 слектроировцшост1 Е»1еВ в опромжених шнидкпмн нейтронами CdS - монокрнсталах (ФХО^и/см24 може бути основою для розробки на 6aai даного MaTepiajiy чутливих терморезистор1в в облаетi Т<300К, в якш ра;шшйш дефекти термостаишьнк

4. Внсока чуглив1сть штенсивиостей i параметр») челено'1, червоно! люмтесценци в CdS i CdS:Cu - монокрнсталах до доз» i виду онромшенн.ч, а також до вшпалу опромжених кристалт »¡дкривас umpoKi можливостч pafliaiiifinoro управления люмшеецентнпм спектром крист.гяофосфор1в. виготовленич на ochobi CdS.

5. Змеишення макронеодноршностейтехнолопчного походження в CdS - монокрнсталах при нейтронному опромшеши (Ф>1018н/см5) i вщпал1 опромшених зразюв (t=»400°C) вщкривие новий cnoci6 одержанпя однорщних, високофоточутливих монокристалт великих po3Mipie.

Практпчну значимшть може маги факт покращення структури сильно дефектних i нестех'шметричннх у вихшному стан! CdS-монокрнсталш теля ix у- i слектронного опромшення.

6. Одержал; в робот! результат!! можуть виявнтися корисними в

штерпретацн осмошшх мехатзм'ш рпдтшнного дефект оутворсння 1 моделей рад!ашпнпх пошкоджепь в ишшх бшарних халькогсишнпх сполуках А.ВЬ.

Положения, що виноспться на звхист:

1. Вшпошдальними за граничне положения ршня Ферм! (Ег"Е(.-(0,77±0,{)2)еВ) в мо.нокристалах сульфшу кадмно, оггромшених великими дозами швилкпх електроши (Ф>Ю18н/смг), с пари Френкеля в пшреиптш калмпо (ПФ).

2. Комплексами первнних точкопих дефект1н и шдрспнтш кздмпо, ввсденнх у- 1 електромною рад!ашсю в монокрнсталах Сс1Б, веде до утворення швидких центров рекомбшаип За потроши центри эелсЛо! лквннееценцн вщпои'цшьч! \нжвузлов! атоми арки.

3. Вшпол Дефектов в у- I електронно опромшсних крисТалах ьщбуваеться в дектька стадШ:

а) стад1я в!дпалу При 1~100°С обумовлена "атплншею" нар Френкеля в пшрешггш кадмию;

б) при 1>100"С вибуклеться шдпал дефект!]! в гмлрешпш иркн, якип сунроводжуетьс» перетг.оренням ¡зотропних .не!пр1в 3-люм!несценнп в атзотрогн» складт комплекси, вштшдальн! за нов! смупг крайсшого випромнповання.

4. Мехашзми взаемодп отомт мш з рад1аа!нннмн дефектами п монокрнсталах СёБ.'Сп, онром!нених легкими ! важкими частниками, в результат! яких утнорюються шг;идк]! повшми иентрн рекомбпгаш!. иеребу„оауються ¡снуюч!! виннкають нов! комплекси дефекте, вшггомдальш за центри люмжесценНп з >.к|=0,720мкм, Х.м=0,80Ьмкм, Ьм=1.03мкм I \,= 1.6-2,0мкм.

5. Вщповшальмнмн за утворення "хвост!в" густинн стант, як! прнмикакзть до кра!'в дозволених зон, за ?.м1шеиня в довгохвильову область I зб!льшення нашвширини р\зних смут люмшееиснин, а також за появу залишково! нровьтност! I ¡и. е облает! розупорядкування, як'| виникпють в С'.!5- .■•¡пнокриеншах при опром!ненн! !х шшшкими реакторными нейтронами або протонами з Е=46МеР.

6. Вгшал 1 перебудова областей розуисрядкування в!лиувисться в дв! стали: до 180'-200°С втпалюються точков! дефектй, при быьш високих температурах (до 40(Г-450°С) ьшбувасться рознал областей розупорядкування ! збагачення решпки CdS ваканс!ями с!рки !

kíijimíio.

7. Зменшення liuutjiKocii введении лефекпв при oripoMÍnemii CdS -монокристал1в великими дозами реакторннх нейтро1нв обумовлене зростаинпм рол i шдпалу дефектш, поряд з ïx утноренпяч при велики концентрат!' областей розупорядкування, ЯК1 перекриваюгься.

8. Вщгкшдалышми за ма крон год пор ¡д ноет i технологичного походження в CdS- монокристалах е müíkí електрошн пастки i швндк! пенгри рекомбжаии. Неодиорщност! перщого типу nia вплнвом у-ра;пацн зростаюгь, другого - зменшуються. Нейтронне опромшення великими дозами веде до зменшення неоднордоюстей любого виду.

Апробац1я роботи.

Ochobhí результат, представлен! в дисертапи, доиовшались на: реепуб/иканськп! нарад| 'Оптнчш i електричш iwmeniBocTi широкозонних нашвпровщниюв" (Kuïb, 1972р.), III Всееогозшй нарад> "Проблеми ф1зики сполук АДВ6" (BuibHioc, 1972р.), Всесоюзному симпо'мум! з ра л ia пиших дег|юktîи в натвпровщниках (Мшськ, 1972р.), H Ка'фськш конференцп з ф1зики твердого тьма (Kaïp, 1973р.), IV всесоюзнШ napayii "ФЬика, xímíh i техшчне використання напшпров'щнимв A2BS" (Одеса, 1976р.), мЬкнародшй коиферсшш з pajiaiiiiiniix ефекп» в нашвпрошдниках (Югославш, Дубровтк, 1976р.), республ1канськ1й парад! "Pafliauiftui пошкодження в твердмх плах" (Khïb, 1977р.), всесоюзиш конференпи "Радкщшш ефекти в гверднх тшах" (Ашхабад, 1977р.), Ш всесоюзнш парад! "Дефекти сгруктурн в нашвпрошдниках" (Hoßocnöipci.K, 1978р.), всесоюзному семшар! "Pa/iiauiiiwi ефекти в натвпровщникових ириладах" (Баку, 1980р.), Республ1канському ceMÍnapi "Впровадження у ииробинцтао досягнень науки в облпегп прикладное снектроскопи" (Луиьк, 1984р.),. шор1Чних наукових конференшях професорсько-вимпланького складу Волинського университету, nepiiiiü МЬкнародшй науково-техшчшй конференца з ф|зикк халькогешдних натвировшникш (4epniBui, 1994р.), наукоиому ceMÍnapi сектора фотоелектрмчних явит в нпшвиропщнпках ¡неттуту ф1зикн нап(впров1ДИИк1в HAH Укра'ши (1994р.), пауковому семшар) сект opa фЬнкн твердого тма ¡«статуту ядерни\ лослщжеиь HAH Укра'жи (1994р.).

11>0д1кщЦ. Основний матер!ап дисертаци вщображенпи в 50 науксвих працях та ввюрському свиюцтв!.

Оеобиетий ВКйСРК автора. В poöoti узагальненс результат» досл(дженЬ, ВИканпмих автором та сшвробптшками iioro науково/ Групп. Í3 епЫьнИх роботах, Шз увШшли в aiicepiauiio, автору Малсжнть 1м1ц1атива у постанови! задач, ßitöopi нанрямк!в досл!джеНЬ, безпосереднм участь в 1х внконашн, гтровЦша роль в оброВШ та ЬиерпреТацН одержан! ц'результат1в.

Структура TR обсяг роботн.

Дисе|ппц(я CK^íVlueifxM з встуПу, шести роздЫв та писнопкш, MicTUtb 360 CTOpiMoK Машинописного тексту, в тому числ! 80 рисунк1в, 9 тиблииь I 6Юл|0Граф1(о з 422 Назв.

ЗмГетроботи,

У gfrynl обгрунтовано актуальность теми дослшження, сформульЬйан! мета Та задач! роботи, а також ochobhí положения, як! вННосятьсй im захист, вмсЫтлено ниукове i практичне значения диссртпЫ*.

tlqsg.'Hft ро1я!л нрнсвячений короткому чневетленню основних проблем, з1з"йэаН1гх з процеейми утеореМня paaiattiíiHitx лефемш Í ú влливом на фЫМШ влистивост! кр!кталофосфор!в АД)6 взагал! í CdS-MO!löKpticToriiB зокрема.

На ocHOBi poipax' Hnlü втрат eileprit у* npoMeiile Coí0 i штип;их електроя1й{Ё=!,2МеВ) ti CdS - момокрлсталах робляться внсНовки Про мгХанЬми ДефектоуГбореМй в Ш(х Нашйпровшниках.

Приведено! результптн itö вивчеиню вшшН пЬпороГових фак~гор!в (rtaicpmri paakUi'O на дефекту структуру onpoMiiieHux електронамн (E=l,2Meß, Ф=2 Ш"ел./см2) монокрисгал!в CdS. Показано, шо осв1тлен!)й тонких крнстал1в ¡мпулиамп рубшавого лазера (з густнною ttttipoi.öCT! в КойсКвМу ¡мпулып (5-7¡ Hi'Üt/см2 i тривалгетю ЬшулЬса t=20üc) веде до в Li налу paaiauif'nmx яефекптв по схем), ТсггожмШ з термЬним »шпатом.

Другой коротай potril присвяченнй деяким питаниям i столики i техтки ф!зичйого ексПерНменту, ЗагальнШ характеристик досл'щжуВаних зраз(с!В, методам контролю вихщних иар-метр1в кристагнв. Приводиться розрахунок оптимально! Говши/ш крнсталу

при ЯК1Й можна впажати введения дефекпв ршномфнцм по веьому об'см! при оирпмшопй електронамн з енерпею Е-(1-2)Мей.

В_1ЖТьамХ_йАЗДШ ирелстдолен» результат дослшження рсшаиШккч дефектно, утворених о спеитльно не дегованик монокристалах сульфшу кадм!ю гид Д1ею у- 1 електраиного опромтення. Вимфювання шллшсьш рухлшюпт електрошв в СУБ-монокрнсталах показало, що и змеишсння стае помшшм шсли опромшення великими дозами кванпв I електрошв (Ф>10"кв./см1, Ф>10"ел/см2) I лише в облает! ниэькцх температур (Т<250К), при цьому експериментальна крипа найкраще ептпадас з теоретичною, якшо ввожатн, що розЫювання електрошв вшбувасться на точ::овцх двохэлрядних центрах (М~210"см\ при Ф=5 (0"кв./см2), якимн моа^ть бути м1жвузлош атоми (СЛ.3*). Ошнеш швндкосп введения заряджекик разаюючих иецтрй). Вони вливнлися р|вннмн 410 ,кв.",см 1 1 1,810'ел/'ем 1 при у- I електронному опром|нецн1 в1дпов|дно, що узгоджуеться з теоретичними розрахунками, проведеними э внкористанням гидомих в лЬератур» перер1з!в утворення первннних точкових де(}>скт|в в СйЗ-монокристалах.

11э основ! досл(дження спектр1в термостимулы) »апо1 провшноеп (ТСП), темлературно} заяежност! темпов«» прооиност» I спектрального роэпсунлу фотолровщносп (СРФ) було встановлено, що при у-1 електронному опромшенн! ввцдяться електронш пастки з Ес-(0,44±0,02)еВ, Ес-(0,52±0,02)сВ, Ес-(0,Я±0, |)еВ 1 глибок! Л!рюш центра з Е, К0,32±0,02)еВ, Мала концентраша дефектов, пцшошдальних пастки з Ес0,44 еВ I Ес-0,52 еВ (Ы<19исмЛ при ф=210"ел./см!) свшчить, шо вони не можуть бути первинними точковими дефектами, угвореннми рад1ашею. Наоснош пор|вняння еиерги ¡ошзацп радгаиШних дефект в CdS-мoнoкpнcтaлax з енергетнчним спектром Дефектт в зраэках, гадпалених в рпних атмосферах, а також на основ» анолЬу залежносп швидкосп введения дефект»в вщ енергК' у-квант1в (Со60, С«13'), енерги електрошв (1-1,8)МеВ робнться висновок в1аиосио природы дефекпв, втповщальних за пастки. Зокрема за центр» з Ес-0,8еВ, швидюсть введения яких на ~2 порядки внит шввдкосп введения (нишх дефектов, мдповшальш прост! точков! дефекти в пирешггш камню, Ц1 ж дефекти вичначаючь температурку залежн1сгь темново? провшност! опромшених зразмв. При збшьшешн дози у-квщтв

Со60 1 слсктрошв э Е=1,2МеВ р|вень Ферм) у вслх дослшжуваннх зразках, незалежно вщ його внхшного положения (Е(=Е<.-(0,'Н0,85)еВ) прямуе до граничного значения Ег=Ее-'(0,77±0.02)сВ (при Т=29РК) 1 заимае иого при дозах Ф>101Яел/см2. Показано, ню грпннчне положения р!вня Ферм! в опромшених гразках, коли дошкуючу роль починають грачи рЗД1ашйН1 дефекти, визначасться енергетичннм спектром Г1Ф в к:шм|ев!Й нщрешггш.

Дослшжения дозових залежностей ¡нтенсивностен р!зних смут люмшесценцн в бягатьох спешально не легованих Сс15 -монокристалах при опромшешн у-квантами 1 електронамн з "Е=1,2МеВ показало, що червоиа (Ч, Хм=720нм) | ¡нфрачервона (14-1, Ям=1,03мкм) смуги люмжесценпн чутлив) до вих!дного дефектно-домникового стиНу зрязкчв. В наШльш (осконалих I чистих кристалах вони практично не змииоються при опромигешн. В менш чистих зразках, вирощених э яюмшофорних поропшв Ь значннм фоном неконтрольованих дом!Шок I дефекта, и також в зразках, попередньо опромшених нейтронами, смуга люмшесиенцП з ,03мкм шсля у-1 слектрониот опромшення помпнп зростала. Незначна змнш штенснвиоет! {4-1 -лкшшесценш/ в найбшьш досконялнх I чистих зразках при 5х опромшешн поясню.етьси утворенням зв"язаних пар Френкеля и ждрецнтш кадмпо, що змеишус кеншентращю вгяышх \'С(!, ещповцгпльних за цю люм1несценшю [ (| Зростання ¡нтснсивност1 1x101 ж люм1несценин при оноомгнешн менш досконалих 1 дефектних кристал!» обумоалеяг внходом члш и Сс!( на рЬт стоки, якими с дефекти структур» (особлмао юшетери дсфлктт п нситронно опромшених зразках), то веде да зростання конценграци ыдмшх рщпашйно VI варе них

Лиййгнс-ь дозовог залежкосп шгснсивносп3 - люмшесиенцп г ХМ=5!41Ш (при Дозах, 70,7ел./смг), найбшьша шппдк(ст[> введения "иентр!В, ВЕДПопьТальних за то лкпйнесиепшю, яка однакова як в чистих, Так 1 6 легованих Си зразках, свшчать, що за ж ценгри люм1!;есцсШ(П в'шновщальн! просп .очков! дефекти, утвореш електрошгою р£ШИЦ(сю в ншрешшн смрки (мгжвузлов1 агеми арки (З^або рознодглеги ПФ). Дан! г.исНопкм тдтверлжуються вим1рюва1!иямн спекетргп збудження I поляризанм'пшх характеристик 3-люмшесцекнп.

- (2-

Дослгдження спектр1в екситонно? тюмшесченцп при Т=4,2К показало, що при електронному опром'шенж вводятьсл неитральн! (Cd) i ionÍ3oijani допори, а також нейтралы« акиептори, зв'я.чаш з S(, швпдюсть введения якпх в —1,8 рази бшьша вщ швидкосгп введения нейтральних донорт. При у- ¡ електронному опромшешп CdS -монокристал1в угворюються пшидю безвппрочппоиальш ueinpu рекомбжаиП (S - центри), яKt при пе.чиких дозах Ф>10"ел./см'зменшують фоточут/Инисть зразмв i аглугь до гашения ¡нтенсивностеп ¡icix смуг люмшесценип. Розрахоиуючи копцентрашю S-neiiTpÍB (по формулах, предсташкчшх в [2]), яка необхтна для гашении З-люмшесценин, наибшып urreHouiHoí в опромшених кристалак при 77К, було показано, що вина почетна бути не меншою конпентоапп 3-цслтр1в. Оек1льки при електронному опромшенш з E=l,2MeB nepepÍ3ii 5творения ПФ а обох тдрешпках CdS -монокристалла прп&лпзно одачков*., то найбшьш HMOBipim слщ вважатн, то роль S-neiirpi» виконують зв'язаш ПФ, утнореиi paaiauieio u тдреинтш кадмпо. !>нерше на ¡снування зв'язанцх ПФ в тдрешпи! кадм(ю, яьл зменшують фоточуглив1Сть зразкт, вказувалосн в робот! [3].

Дослщжепня впеокотемпературного вушалу дс<|>ект1В (Т>300К) в V- ¡ електронно опромшених кристалах показало, то ienye невелика етад1я вшпалу при 60"С , але в основному, дефекта В1Дпалюю1ЬС!! при 1>80'С. Причому при температурах, близькихдо |00°С, кшетмка вшпалу опиеустьса ¡ншиишнм:

1/N - 1/Nj. = kt, (1)

де к - спиши коефппеит, т- час ¡зотершчмого шдпалу. Равнинна даного типу характерш для бшолекулярних реакшй, яы можуть н рот i кати кпж компонентами ПФ при ix вшшш. KpÍM того, при Biaaaai дефектов на данш стад»! змеишуеться теммова концентрацы електротв, зростае фоточутшшеть зразка, рухлив1сть едектрошв i зшпалюються iviiiGokí елеюрошп паетки з Ec-0,S еВ. Все це добре узгоджуегься з вшпалпм nei¡Tp¡B швидко! рскомбшаци, за ям, згщно i'aiuoi модель вшповцалып зв'язаш ПФ в тдрешпш кадмпо. Впкористовуючи метод перерЫв, була визначена енерпя актпзапи »¡дпалу S-ucinpift рекомбшапп, вона вия&иласи ршною Е=(0,75:::0,05)еа.

Шдггал дефекпв, мдптилалышх за едектронну пастку з

Ес-0,44еВ, описучться кшетикою першого порядку з енерНею актиьаци Е=(1,2±0,15)еВ, що е характерним для розпаду комплексов дефект.

При температурах вщпалу 1>120°С вщбуваеться складна псребудова Центр'))) З-люмЫесцеНци. При цьому юнетика в1дпалу носить складний характер ¡, очевидно, обумовлена широким спектром реакцШ м!ж дефектами рЬних тигнв. Досдщження поляризащйних характеристик спектрш люмжесценцн 1 П збудження, а також використання анализу складних спектр!в за методом Аленцева-Фока показало, що поряд ¡з зменшенням кондентрацН ¡зотропиих Э-иентр1в з Хм=»514нм вшбуёаеться складна персбудова IX в аН1зотропи1, термостабшьш центр,) э \м=522нм, Запропонована модель даних центр!в люм1несценци I мехшизм (х утворвння. За люм5несценц1ю з Хм=>322нм вшпов!дальж тр!мерй, як} утворюкпься при взаемодн ПФ в пшреийтш с!рки з Се?,, що покидають при 1> 120'С р)зш стоки. Пщтверджемням правильное^ запропоновыно! модед! е попва центров люмжесценцн з практично тотожИ1МИ параметрами При слектроИНому опром1не1Ш1 низькоомних нестехшметричних кристал1в 3 великою мЫдною концентраШею Сйг

Поряд з неребудовою 3-центр1в люмжесценцн при тд(пии оиром1Нених зраэк1в розгоряеться иоба, вшкрита нами виерше в иелегованих Кристалах, смута люм1НссЦгццп з л.м=537нм, яка досягае »"шсимальНо? (нтснсивност! гйсля вщпалу при (»150°С. Центрн, в1дпоа!дальн1 за цю люМшесценШю, пойн1стю в1дпалю)оться при 1=200*-220,С, Гад1аЦ1Йн} дефектМ з подШиою пове/чнкою буди шдкрит! в опромыейИХ електроиаМИ Монокрй^алах ¡¿иБс ¡4]. Запропонована модель центра люм»месценци з Х.м=£537нм, за який в1дПов1далын(й комплекс, Що складаеться з 1 неконтрольог.аного донора.

При опром)НеНН: низькоомиих нестехшметричних С<15>:С<1-монокристашв невеликими дозами у-квамт1в Со60 або електроН!В (Ф< }0!7 ел./'смг) шдтверджено факт ршзшШно стимульовано)' анфуэП С^, внас;пдок йко'; в1дбуоаеться Наблпжения зразк^в до б1пьш стехюу'етрнчного стану.

Б|льш!сть точкових дефекте, утворених електронною рад1ашЕЮ В Сс1Б - Монокристалах, вшпалюеться до температур 200°-250°С.

Ми не змогли виявити, нав!ть при спи их великих дозах у- 1 електроннпго опромшення (51019кв/ом2 1 510|8ел./см2). змши коефнпеита поглинаиня на краю смуги власного поглинаиня (КП) 1 змши енергегичного положения екситонних спектров в'щбивання, ШО можна штепретувати як вшеуттпсть утворення скупчеиь дефект!» при равномерному опромшеши спееипльно нелегованих СйБ-монокрис-га-на у-кваитпми Сода 1 електронамн з Е~1,2МеВ,

Опромшення Ссй-монокристаЛ1В з Е=!0МеВ (Ф=4 (0'6ел./см2) веде до сильного зростання 1 змши форми сиектр1в оптичиого . гашения фотопровщносп (ОГФ), тод| як 1,2МеВ опромшення таких же самих зразкт значно битьшими дозами (Ф>1017ел./см2) мало впдивае на спектр ОГФ (внаслщок мало! коннеитрацн вшышх.Усл). Сильие зросшшя штенсивностё, ит(>.ла сслектнш 1 ост 1, розширення спектрально! облает! ОГФ при /0 МеВ опромшенш дослижуваиих зразк1В поясшоеться угворенням клистер!в дефекчтв з дгк!лькох вакаисш, як1 вепповшальш за акцегггорш цеитри з широким енергетичннм спектром в нижшй половин! заборонено! зони. Пщтвердженням правильности даноТ модел! ргиаашйних дефекта е розмитгя I зсув КП в довгохвияьоьу область гислн опромшення эразк1а електронамн з Е=10МеВ, що свщчить про утворення скупчеиь дефектен, електричне поля пкнх викрнвляе крщ зон 1 аеде до утворення "хвоспвн гусгини стан ¡в, вишрвшнлыиех задодаткове поглинаиня на краю смуги власного поглинаиня.

В четвертому розд!л| имен план результата доопджеиия ралшеййних дефектов в легованих м1одю монокристалах сульф(ду кадм1Ю. Показано, мю в шдреиптш арки леговпиих зразк1в природа дефектш, ушоремих електронпою рздшшсю I '¡х швидкють введения так! ж сам1, як I в чнстнх кристалах з таким же самим характером вед пал у.

Прпс) пясть легуючо'| домаикн <Сн) зб'шыпу«; -в 10 раз шшщысть введения >1ефект1В в калмквш шлреиптш легованих ¡рагп.л» при ёх електронному опромшеши, шо поясиюеться взаемодеею м)Жвузловпх а!ом 1п мш (СЧг) з радтцшио введеиими 1 утвореннпм комплекса Си(ч| (про можлинкть ¡снування нкнх в неоиромшених кристалах потдомдялось в багатьох роботах, наприклал (5]). Дана модель дефектоутворення в С<15:Си -монокристалах узгоджуеться з шшимн експериментальними фактами, а саме, при опромшетп легованих зразкт зменшусться

темнова концентрацЫ електронт внпслщок переходу частики С», (донора!) в ка-ьонт вузли решетки з утворенням акцепторов Си^, гт також штешеившеть гику ТСП, зп якай вшповщильш Са.

Р1Вень Ферм! в CdЗ;Cu-мoнoкpиcтuлаx ара електроаному опромшекн! виходить на таке саме грапичне положения (Ес-(0,77±0,02)"В, як 1 в "чистих" зразках, алс при дозах, на порядок менших (Ф> 1017ел./смг), що е наслшком бшьшо! швидкост 1 введения дефектов в кадм!евШ шдрешпги легованих кристал!в в пор^внянш з "'.•метами" I близькоеп енергетичних р!вшв 1 СиС(| в заборонежй зонь

Опромшення легованих зразыв ( на вщм!ну вш "чистих") деде до сильного зростання ОГФ I ¡нтенсивИост1 люмшесценцГ1 з ам=1,02-1,04мкм,чИО добре узгоджуеться з ;нтератур>1ими даними, згщно яких Центри СиСи с «ентрами повшьноЧ рекомбшацп, за параметрами близый до таких в зВ"язанпх з УС(1. Дозов! залежност! ¡тенсисаостей гашения в смутах I (0,86мкм) I И (1,4мкм) р!ЗН1. Смуга П появляеться при дозах опромтення (Ф>6,Ь' Ш16сл./см2), Снхронно з нею виникае люмЫесцеНШЯ з А.м=:1,б-2,0мкм (1Ч-2-ЛЮМ1Нееискц1я). Згшйо запроионовано} модели особливост! ОГФ в Сп'5:Си обумоатен! там, що атоми мин, як! Переходять ¡з кпжвузлового ио,,окенни у вузли капонно! рецитки при електроаному опром!ненш, Можуть знаходитись там у вигляд! однозарядках 1 диохзарядних шн1в. При мал»:: дозах опромшенни утворкЯоться центри СиС1!, в яких Мшь знаходиться в одновалентному ста"! (Зб10} Си4, коыпенсашя вале.<'тност1 таких аеатр1в здгйснгсться доношми, роль яких виконують атоми Си (вшомяй в лператур! .-ля 2пБ:Си факт [6]). При цьому смуга ОГФ ¿111Ч-2-л(ОМ1несиеНЦ|Я васутн!. При збшшгиШ дози анро.чйнення, внаслшок зменшення КоицеНТрацй Си, мичЬ у вузлах кат1онно'| решетки переходить у двохвалентний стан (3(]')Си2' (аналогии; пронеси спостер1Галися В 2и5:Сч 1 Сё8:Си при в1дпал1 '¡х у пария с1рки [6]). При иьом'у появляються смуга 11 I 1Ч-2-люм1несиеашя, Що Пщтверджуе зв'язпк з внутршенТровими переходами електронш в Зй -оболоН1н'дБохвааентн01 мал. Дана модель узгоджуетьей э результатами виШапу смуг ОГФ в опромшешгх зразках. На,ми вперше в електронно опромшених CdS:Cu монокристалах при Т=300 К була вщкрита смуга ОГФ з Ам=3,15мкм, яка виморожусться при Т<НОК. Буяо доелтлжено температурку стабишшсть иентр1в,

вшпопщальних за то смугу.

При елсктрониому onpoMiiienni летваних празк'т утворюються шшшк! цснтрл рскомбшаип, як) зменшуюти фоючутливЬть опромшених кристалл i при дозах Ф>10|1ел./см1 гасятг. ¡нтенсивносп ncix снуг люмшесцснцГ). Але, на вщмшу вщ чистих зразк1в, в легопаних (в яких ишндюсть анедсчня дефектт б'шьша) при елсктрониому опром'шсшн КП зм1щуеться в довгохвильоьу область i oniicyt гься скспонспи'шыюю залежжстю:

К=К„схр(-<Е-АшУЕ„), (2)

де Е0 - характеристична енерпя, р¡она при Ф»2-)0"ел./см1 (Е=1,2МеВ) ~ О.ОбеВ. Змштення КП и опромшсиих CdS:Cn-монокристалах пояснюеться йоявою "xBocTie" густини стан1», зв'язаних э утр.оренням прсшшттв Cd, як'| граютьрольефективпих центра? швидко')' рекомбшацп. Про можлншсть ¡снування прецитта-пв Cd( в CdS:Cn - монокристалах повщомлялось п робоп [7J. Розпад прениппатш ш'лбувасться при ni;ina;ii опромшених зразк)П до 150*-180°С, При цьому зростае темнова концентрац'ш електротв внаслдок появи допор1в (Cd() , зб)льшуеться фоточутлившть зразкш i вщбувоеться эм'нцення КИ в напрямкудо краю ноглинання HeoripoMhfeiioro кристалл i спдппядання з ним при t~180°C. Було визначено снергетичне положения в заборонешй зон! pian'iB, зв'язаних з швидкими Центрами рекомбЫаци, воНо виявнлося р'тним:

E=Ev+(l,67±0,02)eB.

Вмпрювання мапнтно! сприйнятливоеп CdS, CdS:Cu i CdS.CH показало, шо парамагнетизм в яосл1джуваних зразках зь'язаний з ДА-пара.ми. Було встutioLieno, шо niл час опромтснмя вшбуиаеться розпад ДА-пар, як! ?чову утворюються при 36cpiraiiHi опромшених криспипв з кониентрашями злачно бшьшими, ¡нж до опромшсния. а також з нер1вноМ)рним розподьтгм по товшшн (з в'мьшою концентрашею в припоьерхпевсму lUapi).

Алалгз cficKTpiB червоно/ ЛктмшесценНн в исопромшених i onpoMinennx зразках показав, шо чсрйона люмшесиеишя CdS:Cu монокристалах склаласться h двох смуг з лм=720нм (КВ; i

(КН}, «|U мають pi3Hi спектри збудження ¡ поляризации характеристики- Едсктронне ипромження веде до перерознодшу 1нтенсирцрстсй люмшесценн» э них смугах без змжи ix нап'шширими. 1нтенсившсть КВ-люмжесиенцн зростае, а КН -зменшуеться при збшыценш дози опромшення. $к ешомо (5j да КР центри В1дпрв1дальц1 йдизьк! ДА-пири (Cu"cd - V+s) або (V~Cd- Дослшження велико! групп зразк1В, дегованих разними до»и(дкоми, показало, шо КН -центри cnocTepirwuicb лише в легованих «¡даю кристалах. Ми вважаемо, що за КН-иентрн вшловщальн! бдизш ДА-лари (Сисл - Ср*,). Tukí модсл1 цецтр1в добре узгоджувалися з енергетикою íx рипромжювання i перебудовою пр» електронному опромшсннь Опромшеиня веде 40 зменшення концентрацн Си. (внаслшок взаемодн íx з VtJ i утворення neirrp¡b Сис„). Комплексами Cucj з Vs, утвореннми едектронною рад1ашею, веде до збщьшення концентраиК КВ-ueurpin. ЙмаЫртеть утворення КН-центри; шеля опромшення зменшуеться внаслшок зменшення концентрацн Сиг

Досдщжено перебудову центр!» лкшшссценцн в електронно опромшених CdS.Cu - монакристшшх при в»сокотемпературному {идгкип Т>300 К, яка добре узгоджусться з вщцерозгляпутими моделями цеатрш. Опропнет великими дозами едектронш CdS:Cu-монокрисгали мають техжчно саждн'п xaf эктериетики - иезалежну р!д дози фотачушшсть i iiÍHiiÍHy дюкс-ампериу характеристику.

Ррзллл п'ятгий прнерячений дослщулеиию електрнчних, гальваномаги^тних, оптичних, фотослектричннх i »цших рластивостей CdS i CdS:Cu- можжристшйв, опром1неннх важкими частниками.

Опромжеииз шшшкими реакторными нейтронами CdS ¡ CdS:Cu монокрцсгал1в веде до сильного зменшення холлшсько! рухлнвосп електрошв як в oü/jacii високих (Т>300К), так i ннзьшх температур, (що немождиио пояснит» |ia ociiobí мехашзму розечювапня едектрошв но гочкових центрах); зьищення краю спин власиого поглинання в довгохвнльону область (0,09 - 0,Н)еВ, при Ф> |013м/см2), яке рписуегься формулою (2); зменшення розмаху дисперсн"шнх кривнх вщбнвання (при незмншому енергетичному пдоожеши i незмриий структур! скситоинихспектрш); розшпрення спектральпнх л i 1мм люмшесценпн i змниення максимума вип))ОМ|йювання (Kp¡M cKCHioinioI) в довгохвильову область; лояви

зал и Ш Ко во! провшносп 1 ¡нше. ЕлекТрИчШ ! оптичн! параметр» рЬних кристатв при великих дозах опром1!1енил (Ф>|0,8п/сМ2) стають практично олпаковими. При цьому темпаве значения Ег внходить на граничне положения Е=Ес-0,49еВ,!1кс При подалыному оироМ)неин'| маиже не эпннюетьея 1 лише у випадку веДиких доз (Ф>10'"н/см2) поатьно перелншусться до серединн заборонено!' зонН 1 при Ф=1031)н/смг Е( приймас значения Е(=Ес-(0,53-0,54)еВ. Граничив положения р1вня Ферм! н нейтронно опромшеиих кристалах не ствпадае з таким при електронпому опромнчеши, шо св'шчить про р')зний характер дефект'т, утворених Ними видами рад!аин.

ФЬичж властивосп 015- моНокристалш, опромшейих швидкими реакторними нейтронами, добре пояснюються. пкшо иважатИ. Шо в них матер!алах, внаслшок каскадних змшкйь, утворюютьсЯ обдаст! розупорядкування дефектов.

АналЬ дозоно! залежносп пров!дност1 високоомнмх зразмв показав, шо б!ля доз ~Ю'8н/см2 залежжеть о(Ф) носить Пороговий характер (рЬко эростпе, бшьше »¡ж на три порядки свое') пеличнни) ! може бути к1аьК1сно описана в рамках класично! теори нроткання. Використовуючи осНовж положения задач! сфер ш'е! теорп, одержано вираз:

о^Ц!4)/^.-))'. (3)

9

ле N - концентрация ОР при дан!й доз! оЧромшсння; Мс -порогова КонцентраЩя ОР; I - критичннй шдекс, пкий йизначпеться лише розМ(рн!стю системи, ст- провидеть зразка, Е- стала величина. Ексг-^риментальио визиачене значения I виявилося р!вним 1,65, шо добре сшвиадае з теоретичним значениям (1,6-1,9) для трьохвим!рно! системи 1 свшчнть про корекпнеть вибрано! нами Модел'1.

Нейтронно лпромжен! кристали можна представити як так!, шо складаються з високоомно! мптрйш, збагачено! точкоаими дефектами, яка за фЬичними пэраме-рами блнзька до електронно . опромшеиих зразмв, I бшьш низькоомних нклкзчень О Р. При невеликих дозах оиромшення, коли окрем! ОРдллвю в!д перекрипя, иротлтет! кристала визначасться високоомною матрицею. При дозах, близькнх ао Порогово! (Фс) або б!ль'ших, вшбуваеться

перекриття QP i утворюсться великий розгалужений кластер, при цьому проЫджсть кристала вкзначаеться провщнёстю перекришх ОР, Нами були визначсж та,,! параметры нейтронно опро.мшеннх кристал1в: тшрогова доза (Фс=7,2!017н/см2); порогова кокцентрашя ОР (N^SJ-IO^cm0); серсднЩ радёус ОР (гс~200А); провишёсть ОР (с0=3,8'Ш<1Ом''см"'); кршичний ёндекс (t=l,65); положения pian» ферм'| в ОР (в припущешн, що 'рухливёсть електрошв в середин) ОР piona |.i=100 см^В 'с1, Е==Ес-0,41еВ); перепад потеишалу мЬк ОР í матрицею (в припущеннё, що положения £г в матриц! таке ж саме, як в електронно опромшених кристалох, Деф=0,36еВ),

При одних i тих самта дозах електроннаго опромшення змшещ»! спектрально» залежиост! КП, змемшения размаху дисперсшккх Кривих екситолного вёдбивання в монокристалах CdS пометив бёлыш, »¡ж в CdS;Cu, що свшчить про роль ОР як ефективних ctokíb для атомёв Си; i, вшповедно, пояснюе б'шьшу рад'кшёйну стшсть до нейтронного опромшення легованих мцщю зразкёв.

1снування екситонш з незмншим ецергетичшш спектром в опромшених великими дозами швидких неитронёв (Ф>. КРц/см1) монокристалах CdS при великому розмиттё i змёшениё КП в довгохвильову область е пщтвердженням правильностё запропонованоё нами моделё. Сильно дефектиий розгалужений кластер, який прошгзуе весь к ристал (^гёдно класичноё моделё Шклгвського-де Жена) мае форму спотвореноё сёткм i складае 16% вед усього об'ему зразка, тодё як 84% об'ему кристала зайиято порёвняцо малопощкодженою матрицею, в якёй ёсиують екситони. Зменщеиия часу життя екситонёв внаслщок розсёювання ёх на ' просторовому заряд! ОР веде до розширення ёх спектральнеех л'шёй.

На основ! запропонованоё модел! i енсргетичноё схеми нейтронно опромёценого зразка несуперечливо пояснюються: особлнвостё температурноё задежностё теме.овоё електропровёдиостё, еиергёи акгнвгщц якоё плавно зростае при збёльшеннё тсмпературп i досягае значения (0,9-1,0) еВ при 1=300-320 К, особливосп фотопровшност1, розмкття niKÍB ТСП, змеишешш оптичного гашения фотопрошаиосп, коя па эаллшковоё провщностё, змнш спектрцлышх характеристик люмшесиенци i !ише. Дослёджено осиовиё стидп високотемперагуриого вёдпалу дефекпв (Т>300 К) в неитроцпо опромёиеимх зрлзкач, якиее протёкае в два етапи. На першрму стагй (до 180°-200°С) вёднллюються точков! дефекти в

матриц! по схем!, под!бшй до гидпалу дефектов п елсктроННо опромшених кристалах. При Г>!.-гг,Н1 високих температурах (до 400"-450°С) вшбуваеться розвал ОР ! збагачсния релнтки У(ч!! У^.

При великих дозах нейтронного опромшення (Ф>10|!<н/см2> с пост ерзает ьсЯ знание змешнення ншидкост! введения дефектна Иропонуються рп'й модель як! поясшокггь пане явите, зокрема, рал1пшнно стимульований вшпал дефектт при одНочасному IX утвореюи.

Дослшження нластнвостей С<15- монокристал!в, опром!неннх протонами з Е=46МеВ ¡лозами Кб-Ш^нрот./см31 Я,8'Ю|!прот./см* показало, що при даному ВИД! опромшення вводятьей дефекти, за сво|'чи характеристиками иад(б(и до дефектов, утпорених нейтронного ргинацию. але Ух швндмсть введения в 8-10 раз бшына.

Структурн! лосл1лження, проведен! за допомогою рентген'шського дифрактомстра Н7-0 - 4А, показали, шо електроние опромшення дозами Ф-10'7-210'7ел,/см2 сильно дефектних у вихшному стан! зрязк!в ! С[)5:Си педе до наб.шження параметр!« IX елементарно! ммпрки до параметр!» досконалнх кристал!в.

^ЛМ£10МЗС_ВЙМШ предстаплсиш результат дос/ндження мякронеоднортностей технолопчного походжения, як! зуетр^чаютьей в монокристплах Сд!$, вирощених р'пними методами.

Зондов! пнм'фювання розподЫу фоточутл|!вост!, темново! електронрон1лност! (о) вздовж зразка, а також локолмп вим!рюмння спектр!п ТСП ! фотолюмшесцешй а рЬних частицах доелмжувяпого кристалл евщ'шть, иго значка/юля зразС(П СсК*5, яир!зан!!Х з одного I того ж самого злнтка, иеодноршт. Показано, то у випадку неоднорщного розпод!лу о вздовж кристалл взасмозв'язок м!ж ефективного (ре) 1 холл!Вською (р^) рухдивоетямн елсктршнв пиражаеться формулою:

рс=д,Ь / (0к£(Ц / (4)

де Ь.. ст.,, ау - лопжини 1 питом! електронроишност! неодноршних частик, на як! можна разбнти весь крнстал довжинонз I.. Холдшсыи. контакт» знаходяться В облает! I: т.,': неодноршностг

Було показано, то Неоднорщноет! ообумонлон! нерпяюм'фним розиодьюн мЫкИх електронних пасюк. I швалких иентр!в рекомбшакп в зразках Сс13.• Проаналпопано 'аплив ланих ¡шив

нррднормлюетей »ц ! дежа ¡мин параметрн кристшнв в

задежмрст( тд темперртурн 1 ¡итенсивиост) засветки неодцоршних зраэмв.

ОпромЫення у-квиптаии Со60 пр-роному впливае на цердцрр|ДИОст| р1зних ТИП1Р, Иеодцор(днрст1, обумовлеж иеоднорщннм разродрюм миких едсктронннх пзсток, зростають, 11 неодморшпоет), зв'илци э шридкими центрами рекомбнищи, зменшуютьсл. Опром1нення монакристадш великими дозами шридких нейтрон^ (ф>|р,,ц/си2) веде до зменще^ня неоднорюнастей рЬник типт. Шдпад нейтронно опромшеиих зразкт при ~400*-450'С, вцйсд1док ршцоифнат збагачення реирткн ^сл• не В1Д1ШВЛюс непднрр1днрго роаподи|у вих!дних дефект, концентрация яки* знйчно менцю радшшиио утворених центр1в.

Загальн! йисиовки,

Проведен» нами комплект досл1дження задежност» параметр!« монркристалт сульфщу кадм«ю вш типу, еиерпм дози опромшення високоснеигетнчними частниками дозволило встановити мехашзми утворення 1 природу дряких радрафйних пощкоджень в залежносп в1д внду онрпм1нецня I дефектного внхшного стану материалу, побудувдти загядьну ечму реякши м»ж радшнИшнми дефектами При високотемперйтурнпму рпромиюжй, прнчому вперше були одержан} слщуюч! результат»:

1. При с^екгроннрму ооромиппш» великими дозами (Ф>|Оиел/см' 1 Е=1,2МеВ) спеи>адыю нелегованих мопокрнешив, коли дом!ну)ОЧИМИ сташь рашашйш дефекти, р!ненъ Ферм! у пек зраэкох заимас граннчне положения Е,=Цс-(0,77±0,02)еВ, ике визначнсгьси ецергетичним спектром ПФ в кадм^ши ншреиитщ.

2. Назначено вплнв важлнво!' в техншюпчному вшношешй доишш< мш по нроцеси р.гшацнжого дефектоутворення в

монакриегаличсудьфщу кадмно:

а) опромшення у-квантами Со40 \ електррнами (£=|,2МеВ) CdS.Cn- монокристшнв веде до утворзпня цептрш Си( г Р!вень ферм! в легоааиихзрцзках при електронному опромшенш внходить На такс ж еаме граннчне положения, як ) в чистх , але при менишх дозах (Ф>10"сл/сч2), то с наслщком Б'ин.шо! швидкосп введения дефект)в ( н Iраз! в ншрешпш кадм!(о CdS:Cu в пор!внянш з

CdS зразками i близькост» снсргетимиих параметр!!! Vol i Cutil;

fi) показано, що при нейтронному onpoMiticHHi оОлпсп ро1уиорялкупання, як» при иьому ymoptotoTmi, t ефектнтжми стоками для ато\пп niai.

3. Природа радшшйипх дефект!!), umtmKicri.ïx впейепнп i характер вщпалу п niiipeiiiiTifi cipxH цдНакоЫ в елспроННо ortpoMiiieiinx спешально нелеговаипмх i легоВанних Си моиокрнстшшх сульфщу калм'но.

4. Показано, um роль наШлЫл ефсктипних tieiirpio mmt/iKoï рекомб'шацм n опромшепих CtlS мопокрис'гадах грактть зп'язат ПФ в шдренптш кодмио, тод1 як в легованнх зразках - преннпЬпти м1жвузловИх aToMÎB кадмйо.

5. Порвншй лефекти в п1дреш1тп! cipKtt шдпоЫдпльн! м ¡зогропн! центрн З-люмшесиснмнз Хм=514ин(77К). При ei;marti ohpoMiiieHiix зразкш (t> 100°C), пнаслиюк взаемоди них UeHîpm ) Cd(, уПшрюютьсн нов! ан1зотроиж термоетабшып Центрн з Хм=522нм. TaKi ж chmî центрн утворюготься при слектропному onpoMincimi инзькоомпих нестехюметричних CdS:Cd. При в!диал! електроППо опромшепих CdS (t>l20°C) епосгср1галося утворенпя комплекс'т лефекпв, вщповЬтальних за л1ом||(есЦе11н!ю з Х.м=537им. Иропонуеться модель даннх ко миле кет, встановлепо температурму сл.чдмо ïx шдпплу.

6. Пшверджено, то за дкш1месЦе1Ш1ю з 1„6-2мкм i оптичне гашеннл фото1гропшност1 в пбласт1 1,4мкм в легованнх зразках nuinoBlaaibHi rnivipinemponl електронн! переходи в it оболтни ionin Mlai (3d")Cu2\

7. Встановлепо, шо На В1лм1ну п1д чистив криетолш, червона люм1несне!и1я в легованнх зразках неелсмемтпрна i складаеться ¡з двоу счуг з А.м=720пм I Xm=R08hm, за «Ki в1дповма!оть центрн phnoï xiMiко-дс(|>ектhoï природн. Пропонуються модсл!, d«i нссуперечливо пояснюють ïx утворенпя при ortpoMitifhHi i персбудову при вьщал! опромжених зразк1в.

8. Було показа ю, шо при нейтронному oiipoMiiieinii CdS-MoHOK'pifcmiin утворюються облзсп розупорядкування. Створена модель paaiauifiimx пошкоджень в Нестройно опромжених зразках. В рамках 3aaa4i сфер teopiï прот^знкя oniiieiii cepcviiii роз\нри ОР (rc=200A), ïx провшжсть (о,=3.8К)' Ом.'см'), кришчнии ¡ндекс (t= 1,65) i порогову кониентрашю ОР (Nc=5,710"' см'1). Проанал!зована вшшв ОР на центри люмжесцений i iimii параметр»

опромшених кристалёв.

9. Проведено анагнз високотемнературного (Т>300К) вшналу радёашйних дефектёв в опромшених електронамн i швидкими реакторншш нейтронами монокристалах CdS. Визначено стад i i вщпалу точкових дефектов i областей розупорядкуваннн. Показано, шо в електроцно опромёнеии.» CdS-монокристалах вёдпал точкових дефектов в основному вщбуваеться при С>80"С. В облает i, близькш до t=J0Q°C кинетика вёдпалу носить бёмодекулярний характер з енергёею активаци Е=(0,75±0,05)еВ, що пояснюеться "анёгёлящею" Пф В пёдрешётцё кадм|ю, вёдновёдалышх за швидкё цеитри рекомбёнаиёё'. Кшетика вшпалу радёашйних дефектов в CdS:Cu-моцокристалах носить складннй характер. На стали вёдпадлу до 180°С вщбуиаеться розпад нрешшётатёв Сс^, як» вйшовщають за швидкё центри рекомбёкаци в опромшених CdS:Cii-M0H0KpncraJiax.

Рёдпал ОР в нейтронно опромшених зразках протёкас в широкШ температурнш областё до 400°-450°С. Було встановлеио, що вщпал ОР суироводжуеться ix розпадом i збагаченням решётки VCJ i V,.

JO. При великих дозах нейтронного опромшення CUS-монокристшив (Ф>10"н/см1) сиостерёгаеться зменшення швидкосп введения дефектёв. Аналёзуют^ся рёзнё моделё даного явища, основиа увага нрвдшясться радёашйно стимул ьованому вшпалу дефектёв при однопасному утворенш нових.

11. Електронне опромёнення (ф=|0,в-Ю" ел./см2) сильно дефектних ) нестехшметричних у вихёдному стаиё спецёально Пелегораиих i легованих Си ыонокристалёв CdS веде до покращения ix структури i наближення пяраметрёв елементарноё комёрки до параметрёв досконалих зразкёв.

12. Проведено всесторонней аналёз макронеоднорёдностей тсхнолопчнаго иоходження в CdS- монокристачах, встановлено i'x Природу i дослёджено вплив на ix оозподёл електронноё i нейтронно! радшш.

Список цитонаноУ лпературн.

J. Kulp В.А. Displacement of the Cadmium Atom in Single Crystal CdS by plectro» Bombardement// l'iiys. Rev. -1962. V. 125, N6. -p. 1865-1869.

2. Лащкарев U.E., Любченко A.B., Шейнкман M.K. Неравновесные процессы в фотоироиоднцках. -К- :Наукова думка,

1981. -264с.

3. Корсунская Н.Е., Марксннч И. П., Шейнкман М.К. Образование локальных пснтроп пол действием X, у-лучей и свста в монокристаллах CdS. В кн. Радиационные дефекты в полупроводниках. -Минск. :Изв. БГУ. -1972. -С. 184-186.

4. Дж. Уоткннс. Дефекты решетки в соединениях A2Bf. Г) кн. Точечные де(|)скты в твердых (слах. -М. :Мнр, 1979. -С. 221-242.

5. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.П., Пекарь Г.С., Шсйнкман М.К. Люмпнсснснния CdS-монокриста.члов. легированных различными донорами и акцепторами. В кн. Проблемы физики соединен!,:й А,В,. -Вильнюс: Из. (ЗГУ. -1972. -Т. Г1, -С. 76-80.

J ь

6. Гурпич A.M. Введение в физическую химию крнсталлофосфорс«! -М. .'Высшая школа, 1982. -376с.

7. Kovsimskaya N.E., Maikevich I.V., Torchinskaya T.V. and Sheinkman MK. Photosensitivity Degiadalion Mechanism in CdS:Cn Single Crystals // Pliys. Stat Sol. (a)-1980. -v. 60, N2. -p. 565-572.

Основн! результат диссртацм опублтоваш

1. Галушка А.П., Давшнок F.F., Дубовой В.Н., Конозенко И.Д. Исследование неоднородностей удельной электропроводности и монокристаллах CdS//h3b. АН СССР, Неорг. матер. -1973. -Т. 9, N5. -с. 750-754.

2. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Конозснко И. Д. Влияние неоднородностей на некоторые свойства моно1кристаллов CdS/УИзв. АН СССР. Неорг. матер. -1973. -Т. 9, N9. -с. 1506-1510.

3. Галушка А.П., Давидюк Г.Е. Образование центров прилипания в CdS-монокристалллх при облучении у-лучамн '"Со и электронами с энергией I, 8 МэВ //ФТП. -1974. -Т. 8, В. 6-е. 1063-1066.

4. Галушка А.П., Давидюк Г.Е. Влияние фотохимических реакций и термообработки на фоточувствительиость монокристаллов CdS // ФТП. -1971. -Т. 5, -с. 2394-2395.

5. Гатушка А.П., Давидюк Г.Е., Мак В.Т. Предельное положение уровня Ферми в облученных электронами и Нейтронами монокристаллах сульфида кадмия //ФТП. -1974. -Т. 8. В. 11. -с. 2219-2221.

6. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Мак ВТ., Кун В.И., Богданюк П.С. Влияние электронной радиации на оптическое гашение фотопровод их,осг и в легированных Си монокристаллах CdS/AI'TH.

-1975: Т. 9. В. II. -с. 2174-2176.

7. Галушка А.П., Давидюк Г.Е. Особенности фотоэлектрических свойств CdS-монокристаллов, облученных быстрыми нейтронами реактора //ФТП. -1975. -Т. 9, В. 12. -с. 2272-2277.

8. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Курик М.В., Манжара B.C. Влияние облучения быстрыми нейтронами реактора на оптические свойства CdS-моцакристаллов // ФТП. -1976. -Т. 10. В. 4. -с. 737740.

9. Галушка А-П., Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Куц В. И., Мак В. Т, Изохронный отжиг спектров инфракрасного гашения фотопроводимости облученных быстрыми электронами CdS-монокристаллов, легированных Си // ФТП. -1976. -Т. 10. В. 4. -с. 778-779.

10. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Мак В.Т., Куц В.И., Богданюк

H.С. Влияние облучения электронами с Е = 1МэВ на положение уровня Ферми в монокристаллах CdS, легированных медью // Изв. вузов СССР. Физика. -1977. -N10. -с. 128-130.

11. Galushka А.P., Davidynk G.E. Peculiarities in the Photoelectrical properties of CdS single crystals irradiated with fast pile neutrons // j.Pliys D:Appl. Phys., -1977. -Vol. 10. -p. 933-940.

12. Галушка П.П., Давидюк Г.Е., Манжара B.C. "Самозалечивание" радиационных повреждений в CdS -монокристаллах при больших дозах быстрых нгйтронов реактора / /ФТП. -1978. -Т. -12, N11, -с. 2278-2280.

13. Galushka А.Р., Davidyuk G.E., Bogdanyuk N. S. Interaction of

I.2 MeV Electron Irradiation Produced Defects with Cu Impurity At' oms in CdS Single Crystals. //Phys. Stat. Sol. (y). -1982. -V. 69. -p. 7176.

14. Давидюк Г.Е., Галушка А.П., Манжара B.C., Богданюк Н.С. Особенности влияния электронной и нейтронной радиации на край собственного поглощения и спектры экситоиного отражения в чистых и легированных медью монокристаллах сульфида кадмия // Изв. вузов СССР. Физика. -1980. ,-N7. -с. 37:41.

15. Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Галушка А.П. Особенности оптического гашения фотопроводимости в CdS- монокристаллах облученных электронами с энергией Е= 10 МэВ// ФТП. -1983. -Т. 17. В. 3. -С. 506-507.

16. Давидюк Г.Е., Богданюк НС. Особенности

электропроводное!и облученных большими дозами нейтронов монокристаллов сульфида кадмия //Изв. вузов СССР. Физика. -1984. -N. 2. -с. 19-23.

17. Богдаиюк Н.С., Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Маижара B.C. Образование дефектов в Cd S и CdS;Cu- монокристаллах пин облучении их протонами с энергией Е =46 МэВ//Изв. Вузов СССР. Физика. -1987. -N5. -с. 62-66.

18. Цмоць В М., Давидюк Г.Е., Богдаиюк U.C., Божко В.В.. Шубак М.И., Дякун Л. П. Перестройка де([)ектов в облученных быстрыми электронами монокристаллах сульфида кадмия //Изв. вузов СССР. Физика. -1988. - N5. -с. 5-9.

19. Давидюк Г.Е., Богдаиюк Н.С., Божко В. В. Фотостимуляция фотопроводимости облученных электронами CdS:Cu -монокристаллов // Изв. вузов СССР. Физика. -1989. -NI. -с. 50-53.

20. Давидюк Г.Е., Богдашок Н.С.. Божко В.В., Мак В.Т. Фотопроводимость облученных электронами нелегиронанных и легированных медыо монокристаллов Cd S // Фотоэлектропика. -1990. - N3. -с. 7-12.

21. Давидюк Г.Е., Галушка А.П. Люминесценция CdS-монокристаллов, облученных электронами с Е =1, 2МэВ// Военная техника и экономика. Серия обшетехническая. - 1978. - N9. -с. 156-157.

22. Galushka А.P., Davidyuk O.E. Influence of fast pile neutron irradiation on optical and electrical properties of CdS single crystals // ZAED. Informationen zur kernforschung und kernteclimk. - 1973. -N8-B252710. -p. 12-13.

23. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Курик M.В., Маижара B.C. Влияние облучения быстрыми нейтронами реактора на оптические и электрические свойства CdS - монокристаллов //fi кн. :Проблемы физики соединений А2В6. - Вильнюс. :Изд. Вильнюского университета. -1972. -с. 111-115.

24. Галушка А.П Давидюк Г.Е., Куц В.И. Фотопроводимость в нейтропно- облученных монокристаллах CdS // В сб. Радиационные повреждения в твердых телах. - Киев. :Изд. ИФ АН УССР - 1974 -с. 23-24.

25. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Мак ВТ. Влияние облучения электронами на центры прилипания CdS - монокристаллов, облученных быстрыми нейтронами // В сб.' : Радиационные

повреждения в твердых телах. - Киев. .Изд. ПФЛН УССР, -1974. -с. 55-56.

26. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Мак ВТ. Влияние проникающих излучений на положение уровня Ферми В CdS -монокристаллах // В сб. : Радиационные повреждения в твердых телах. - Киев. :Изд. ИФ АН УССР, -1974. -с. 60-61.

27. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Курик М.В., Кун В.И., Мак В.Т., Манжара B.C. Влияние электронного облучения на оптические и электрические свойства монокристаллов CdS +Си // В сб. : Радиационные повреждения в твердых телах. - Киев. : Изд. ИФ АН УССР, -1974. -с. 75-76.

28. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Мак В.Т., Куц В- И. Влияние электронной радиации на положение уровня Ферми в монокристаллах CdS легированных медью// В сб.: Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. - Киев. :Изд. ИЯИ АН УССР. - с.

29. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Богдацюк Н С., Куц В.И., Мак В.Т. О природе центров ИК- гашения фотопроводимости р CdS+Cn-монокристаллах // В сб, '.Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. - Киев.: Цэд. ИЯИ АН УССР. -1976. -с. 5-6.

3Q. Давидюк Г.Е., Богданюк М.С., ЗмШ О.Ф., Божко В В., Шаварова Г.П. Утворення paaiauifimpí дефектов в сильно легованих монокристалах сульф'щу кидмно //Матершш XXXVH1 науковоё конференци професорсько-внкладацького складу ¡нституту. -Луцьк. -1992, -Ч. П. -с. 297-298.

31. Давидюк 1.6., Богданюк М.С., Шаварова Г.П. Люмшесиеншя монокристашп CdS, опромшених швилкими нейтронами реактора // В зб. :Науко»1 нотатки Луцького ¡ндустр1альиого ¡нституту (сер!я ф»знко-матемагнчна ). - Луцьк. :Вилав. ЛИ. -1994. -В. 2. -С. 82-90.

32. Давидюк Г.Е., Галушка А П. Способ обработки кристаллов сернистого кадмия. Авторское свидетельство N537767, 1976.

33. Галушка А П., Давидюк Г.Е., Конозенко И Д- Влияние нсоднородностей удельного соиротнвленнл на электрические свойства CdS - монокристаллов // Тезисы докл. П совещания "Оптические и электрические свойства широкозонных нодунрогодн1;ков". - Киев. :Изд. КДИ- ТИ, -197!. -с. 22.

34. Галушка А П., Давидюк Г.Е.. Курик М.В., Манжара B.C.

tors.'-Chernivtsî. -1994. -Vol. И. -p. 133.

42. Галушка А.П., Давидюк Т.Е.. Маижара B.C. Свойства кристаллов CdS облученных нейтронами //Киев.ИФ АН УССР, препринт, -1977, N8. -32с.

43. Галушка А.П., Давидюк Г.Е. Образование центров прилипания в CdS- монокристаллах // Депон. в ЦНИИ " Электроника" N1802 /73. -5с. Реферат опубликован в сборнике рефератов депонированных работ ВИМИ "Рипорт". -1973. -N6.

44. Галушка А.П., Давидюк Г.Е. Влияние у- облучения '"Со и быстрых нейтронов реактора на неоднородности в CdS -монокристаллах. Депон. в ЦНИИ "Электроника" N2887/74. -6с. Реферат опубликован в сборнике рефератов депонированных работ ВИМИ "Рипорт". -1974. -N21.

45. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Мак В. Т. Радиационные дефекты в монокристаллах CdS+Cu образованные электронами с Е = ШэВ //Депон. в ЦНИИ "Электроника" N 3308 /78. -10 с. Реферат опубликован в сборнике рефератов депонированных работ ВИМИ " Рипорт". -1975. -N9.

46. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Куц В. И. Люминесценция CdS+Cu монокреталлов, облученных электронами с Е =1, 2 МэВ // Депон. в фонде ЦНИИ " Электроника". -1977. -N ДЭ- 2332. -5с.

47. Давидюк Г.Е., Галушка А.П-, Богдаиюк Н.С. Зависимость процесса образования дефектов при электронном облучении CdS -монокристаллов от условий выращивания полупроводников//Деп. в ВИНИТИ - 1982. -N426-82. -11с.

48. Богдаиюк Н.С„ Давидюк Г.Е., Галушка А.П., Остапенко О.О. Структура центров красного свечения монокристаллов CdS:Cu// Деп. в Укр НИИНТИ . -1987. -Ш86-Ук ;. . -8с.

49. Давидюк Г.Е., Богдаиюк Н.С., Маижара B.C., Змий О Ф. Оптические свойства облученных быстрыми нейтронами монокристаллов сульфида кадмия вблизи края полосы собственного поглощения //Деп. в Укр. НИИНТИ. -1988. -Ш57-Ук 88. -Юс.

50. Давидюк Г.Е., Богдаиюк Н.С., Змий О.Ф., Шаварова А.П., Божко В.В. Образование радиационных дефектов в сильнолегированных монокристаллах сульфида кадмия //Деп. в Укр. ИНТЭИ. -1992. -N 1055-Ук 92- 11с.

Влияние облучения быстрыми нейтронами реактора на оптические и электрические свойства монокристаллов Q1S // Тезисы докл. П Международной Каирской конференции по физике твердого тела. -Каир. :1973. -с. 501-503.

35. Galushka А. P., Davidyuk G. Е. Peculiarities of photoelectrical properties of fast pile neutron Iriadialed CdS single crystal/International Conference radiation elfccts in Semiconductors. Yugoslavia. Dubrovnic. -1976. -p. 31.

36. Гапушка А.П., Давидюк Г.Е., Манжара B.C. Сьойстна CdS-моиокристаплос, в которых неоднородности устранены облучением быстрыми нейтронами реактора // Тезисы докл. 1У Всесоюзного соВсшания:Фпзнка, химия и техническое применение полупроводников А Вй. -Киев.: Наукова думка, -1976. -с. 59.

37. Галушка А.Т1., Давидюк Г.Е., Кун В.П., Богдапюк Н.С. Влияние облучения электронами сЕ= 1,2 МэВ на люминесценцию CdS + Cn -монокристаллов // Тезисы докл. Всесоюзной конференции "Радиационные эффекты в твердых телах",- Ашхабад. 1977. -с. 164-165.

38. Давидюк Г.Е., Галушка А.П., Богданюк Н.С. Особенности образования дефектов при нейтронном облучении легированных медью монокристаллов сульфида кадмия //Тезисы докл. Ш Всесоюзного совещания "Дефекты структуры в полупроводниках". - Новосибирск. -1978. -с. 175.

39. Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Манжара B.C. "Самозалечивание" радиационных повреждений в CdS -монокристаллах при больших дозах нейтронного облучения // Тезисы докл. Ш Всесоюзного совещания " Дефекты структуры в полупроводниках". - Новосибирск. -1978. -с. 178.

40. .Галушка А.П., Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С. Особенности влияния электронной и нейтронной радиации на край собственого поглощения и спектры зкеитонного отражения чистых и легированных медью CdS- монокристаллов // Тезисы докл. всесоюзного семинара "Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах". -Баку. -1980. -с. 83.

41. Davidyuk G.E., Bogdanyuk N.S., Schavarova А Р. Influence of electron and neution irradiation on luminescent spectra of Cds single crystals//Absttact Booklet The First International .Conference on Material Science of Chalcogenidc and Diamond. -Structure Semiconduc-

Резюме:

Давидюк Г.Е. Электрические и оптические свойства монокристаллов сульфида кадмия с дефектами радиационного происхождения.

Диссертация На соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01. 04. 10. - физика полупроводников и диэлектриков. Институт физики полупроводников НАМ Украины, г. Киев, 1995.

Защищается 49 научных работ и авторское свидетельство. В работах исследовались радиационные дефекты г. монокристаллах сульфида кадмия. Показано, что при больших дозах электронного облучения (Ф>10,к эл. /см2, Е=1МзВ), когда доминирующую роль начинают играть собственные дефекты, ур. Ферми выходит на предельное положение Е=Ес-0,77эВ, определяемое радиационными дефектами в кадмиевой подрешетке.

Исследованы основные механизмы взаимодействия технологически важной примеси меди с собственными дефектами решетки в легированных образцах.

Установлен факт образования кластеров дефектов и определены их основные параметры в облученных быстрыми реакторными нейтронами и протонами с Е = 46 МэВ Монокристаллах.

Предлагаются непротиворечивые модели 'электрически и оптически активных центров радиационного происхождения, в том числе if такие, которые включают атомы лег'рующей примеси.

Изучены макронеоднородности технологического происхождения и исследовано влияние на их распределение ядерной радиации в различных образцах.

Abstract

Davidiuk G.E. Electrical optical properties of cadmium sulphide with the deflects of radiation origin.

Dissertation for a doctor's degree in phisics and mathematics on speciality 01. 04. 10 - phisics of semiconductors and dielectrics. The Institute of Phisics of semiconductors of NAS (National Academy of Sciences of Ultra me). Kyrv, 1995. 49 research works arc; defended, an author certificate.

The radiation deffects in cadmium sulphide single crystals were in-

vestigated, It was proved that at great dozes of electron irradiation (<J»>10" el/cm1, E=IMeV), when the deflects proper begin to p'ay the dominating role, Fermi equation goes beyond (he utmost position E =Ec-0,77eV, determined by the radiation deflects in cadmium sublattice.

The main mechanisms of interaction of technologically important dope of copper with the propei deffccts of a lattice in alloyed specimens ore researched.

The fact of creation of cluster deflects is bounded and the main paramétrés in the fast pile neutrons and protons with E=46 Mev irradiated single crystals are defined.

The non-contradictory models of electrically and optically active centers of the radiation origin, including those which have the atoms of alloyed dopes are proposed.

TJte macroheterogenity of the technological origin and the influence of nuclear irradiation on their distribution in different specimens are examined.

K;ik3hobI c/mea;

Cy/twina KiWMtio, paaiauii'tiii 4ec{)eKTH, nUiuaJi ae(J>eKTiB, cjicKipu'iiii, onTHStn, Maniirui wiaciHnocri.