Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА Г ФИЗИКО - ХИМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ СУЛЬФИДОВ МЕТАЛЛОВ (ОБЗОР ЛЖЕРАТУРЫ)

§ 1. Методы получения полупроводниковых пленок сульфидов металлов и их применение.

1.1 Физические методы.

1.2 . Химические методы.

1.2.1. Осаждение из паровой фазы.

1.2.2. Химическое осаждение из водных растворов.

1.2.3. Метод электрохимического осаждения.

1.2.4. Метод распыления растворов на нагрет)А подложку. 21 1.3. Применение полупроводниковых сульфидов металлов

§ 2. Комплексообразование тиомочевины с солями металлов.

2.1. Электронное строение молекулы тиомочевины и ее лигандные свойства.

2.2. Тиомочевинные координационные соединения.

2.3. Окислительно-восстановительные процессы в водных растворах тиомочевинных комплексов.

§ 3. Термическое разложение тиомочевины и тиомочевинных комплексов.

§4. Направление исследований и постановка задачи.

ГЛАВАХ!. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ

И СВОЙСТВ ПЛЕНОК СУЛЬФИДОВ МЕТАЛЛОВ.

§ 1. Осаждение пленок сульфидов металлов распылением растворов на нагретую подложку.

§2. Экспериментальное исследование процессов формирования пленок сульфидов металлов.

§ 3. Изучение физических и структурных свойств пленок сульфидов металлов.

ГЛАВА 11Ь ПРОЦЕССЫ КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЯ СОЛЕЙ МЕТАЛЛОВ С ТИОМОЧЕВИНОЙ В ВОДНЫХ РАСТВОРАХ.

§ 3.1 Ионные равновесия в растворах «соль металла тиомочевина».

§ 3.2 Условия образования гидроксокомплексов и гидроксидов металлов.

§ 3.3 Влияние кислотности среды на образование тиомочевинных и ацидо-комплексов кадмия.

§ 3. 4 Термодинамический анализ процессов комплексообразования в растворах CdA2 - №Н4С8.

§3.5 Влияние температуры на состав растворов.

§ 3.6 Моделирование состава раствора для получения пленок сульфида кадмия.

§ 3.7 Особенности поведения солей металла с тиомочевиной в водных растворах.

§ 3.8 Выводы.

ГЛАВА IV. ПРОЦЕССЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ

НА НАГРЕВАЕМОЙ ПОДЛОЖКЕ.!.

§4.1 Осаждение тиомочевинных комплексов на поверхности подложки.

§ 4.2 Термодеструкция тиомочевинных координационных соединений.

§ 4.3 Взаимодействие сульфидов металлов с поверхностью подложки.

§ 4.4. Рост пленок сульфидов металлов.

§ 4.5. Кинетика осаждения тонких слоев сульфидов.

§ 4.6. Выводы.

ГЛАВА V. СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДОВ МЕТАЛЛОВ, ОСАЖДЕННЫХ ИЗ

ТИОМОЧЕВИННЫХ КОМПЛЕКСОВ.

§5.1 Влияние условий получения на физико - химические характеристики слоев сульфидов металлов.

§5.2 Полупроводниковые параметры и фазовый состав пленок сульфидов металлов.

§ 5.3 Получение и свойства легированных слоев сульфидов металлов.

§ 5.4 Твердофазное взаимодействие в пленках смешанного состава на основе сульфида кадмия.

5.4.1 Системы

5.4.2 Системы Сё8 - А°8.

5.4.3 Системы Са8-А'"283.

5.4.4 Системы Сё8-Ал8 и Сё8-АлЯ2.

5.4.5 Системы Сё8-Ал283.

5.4.6 Системы Сё8-Ал283.

5.4.7 Системы Сё8-Ал8 и Сё8-А лЯ2.

§ 5.5 Получение и свойства многослойных структур и гетеропереходов.•.

§ 5.6 Выводы.

ГЛАВА У1. ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

Актуальность работы. В тонкопленочной технологии полупроводнико-вьж материалов особое значение имеют сульфиды различных металлов, обладающие интересными оптическими, электрическими, фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. На их основе уже создан ряд важных приборов: источники, приемники и преобразователи энергии, фоторезисторы, тем не менее, они остаются очень перспективными для создания солнечных элементов, фоточувствительных и люминесцентных материалов.

Актуальной проблемой современного материаловедения является поиск, разработка и усовершенствование экономичных и доступных методов осаждения пленок сульфидов металлов, позволяюпщх получать мате-риапы с контролируемыми свойствами. Одним из таких способов является пиролиз аэрозоля растворов тиомочевинных координационных соединений на нагретой подложке (метод пульверизации), основанный на термической деструкции комплексных соединений. Перспективность практического применения этого способа заключается в простоте получения различных полупроводниковых материалов, смешанных слоев на их основе, введения активных примесей и создания тонкослойных композиций (гетерострук-тур, сэндвич - структур) в одном технологическом режиме при одновременном формировании электрических подводящих контактов в едином цикле. Этот метод позволяет реапизовать серийный и экономичный производственный процесс осаждения пленок сульфидов различных металлов с уникальными свойствами и дает возможность значительно расширить диапазон применения полезных свойств этих материалов.

До сих пор ограниченность применения этого метода была связана с тем, что не был разработан и сформулирован целенаправленный подход к получению пленок с воспроизводимыми и заранее заданными характеристиками, основанный на знании механизма протекающих процессов. Перспективное решение этой задачи заключается в изучении различных стадий формирования и термодеструкции тиомочевинных координационных соединений, а также связанных с ними процессов адгезии и осаждения тонких слоев.

Решение этой проблемы позволяет установить влияние природы комплексообразователя и лигандов на структурные превраш;ения в системе «комплексное соединение металла - сульфид», выяснить явление «наследования» первых координационных сфер, определяющее дефектную структуру и кристаллохимическое строение формируемых фаз. Знание механизма этих превращений дает возможность путем конструирования координационных соединений с определенной связью «комплексообразова-тель - координируемый атом лиганда» формировать структуру соединений с нужным набором свойств, что является одним из важных направлений современной неорганической химии. Исследование структуры и свойств пленок позволяет выявить особенности твердофазного взаимодействия компонентов в тонких слоях, определить влияние катионо - и анионообра-зователей на характер процесса образования химических соединений и твердых растворов на их основе.

Цель работы; установление механизма формирования слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений и получение на этой основе пленок с заданными составом и свойствами

Для достижения указанной цели решались следующие задачи:

• выявление стадий образования пленок сульфидов из тиомочевинных комплексов и выяснение их роли в процессе формирования тонких слоев сульфидов;

• из)Аение процессов комплексообразования в водных растворах солей металлов и тиомочевины; моделирование на этой основе состава раствора для получения пленок с необходимыми для практического применения свойствами;

• определение состава тиомочевинных координационных соединений, осаждаемых на нагреваемой подложке, и их роли в процессе адгезии пленки с подложкой;

• выяснение механизма термической деструкции тиомочевинных комплексов и его влияния на рост и фазовый состав осаждаемых слоев;

• установление корреляционной связи «комплекс - сульфид металла -дефектность структуры - свойства пленок»;

• исследование механизма образования трехкомпонентных твердых растворов из координационных соединений, построение диаграмм «состав - свойство» для тонкопленочных систем, направленный синтез смешанных слоев, сложных композиций;

• обоснование обш;ей схемы и изучение кршетики процесса осаждения пленок сульфидов металлов из координационных соединений, выбор оптимальных режимов их получения;

• разработка основных положений конструирования состава тиомоче-винных координационных соединений для осаждения пленок с необходимыми электрическими и оптическими свойствами, поиск новых материалов на основе сульфидов металлов.

Работа выполнена в соответствии с координационным планом РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения» (направление 2.21) по проблеме 2.21.1.1 «Разработка физико-химических основ создания новых полупроводниковых материалов»

Научная новизна. В работе установлен механизм многостадийного процесса осаждения из аэрозоля растворов сульфидов металлов с полупроводниковыми свойствами. Осаждение сульфида в нейтральной и кислой среде осуществляется через стадию образования тиомочевинных комплексов, при этом лимитирующей стадией на одном из этапов является формирование, а на другом - деструкция этих координационных соединений. Показано, что реакции, протекающие в водных растворах, определяют характер процессов, проходящих на нагреваемой подложке.

Термодинамический анализ с учетом неидеального поведения ионов в растворе позволил установить концентрационные области существования и преобладания различных комплексных форм, состав которых зависит от значения рН, природы исходной соли металла и концентрации тио-мочевины. Показано возрастание доли смешанных координационных соединений в ряду солей с анионами Р' - КОз' - 80/" - СН3СОО" - СГ - Вг" - Г, дана сравнительная оценка устойчивости образующихся комплексных ионов.

Показана принципиальная возможность и выявлены особенности осаждения на подложке координационных соединений различного состава: катионных, нейтральных, однородных и смешанных, бикомплексов, природа которых определяет формирование твердых растворов вычитания образующихся сульфидов металлов. Установлено, что для ряда тиомоче-винных комплексных соединений металлов с переменной валентностью возможно протекание окислительно-восстановительных реакций во внутренней сфере смешанного комплекса, обусловливающих стабилизацию низшей степени окисления комплексообразователя, что сказывается, в конечном счете, на фазовом составе пленок.

На основании экспериментальных данных и теоретического расчета энергий активации предложен механизм термического разложения тиомо-чевинных комплексных соединений за счет ослабления связи С - 8 при комплексообразовании и ее разрыва при термическом воздействии. Показано влияние природы комплексообразователя и лиганда на процесс деструкции, а также на формирование дефектной структуры и кристаллическое строение образующихся сульфидов металлов. Обнаружена корреляция между термической устойчивостью комплекса и природой ацидолигандов и внешнесферных ионов.

При исследовании процессов, протекающих на нагреваемой подложке, выявлены стадии формирования пленки, предложен механизм адгезии сульфида металла к подложке за счет взаимодействия смешанных: координационных соединений с силанольными группами кварцевой или подобной ей подложки. Построена формально-кинетическая схема роста пленки в аэрозоле раствора, которая учитывает эти стадии формирования слоев и позволяет вскрыть природу химической связи сульфида с поверхностью подложки.

Предложен механизм образования тонкопленочных сульфидов металлов и твердых растворов на их основе, заключающийся в формировании структуры осаждаемых материалов путем конструирования внутренней сферы координационного соединения. Этот подход позволяет объяснить фазовый состав и строение пленок, повышенную растворимость компонентов в тонкопленочном состоянии по сравнению с объемными образцами, особенности твердофазных взаимодействий в тройньгх системах и гетероструктурах.

Полученные результаты определяют научное направление работы: получение тонкопленочных полупроводниковых сульфидов металлов с заданной структурой и свойствами через стадию образования координационного соединения, состав и точечная симметрия которого моделируют строение новой твердой фазы.

Практическая ценность. Комплекс полученных экспериментальных данньж по свойствам пленок в совокупности с результатами исследования механизма и кинетики их осаждения позволяют сформулировать условия получения слоев сульфидов металлов, твердых растворов и гете-роструктур на их основе. Это дает возможность формировать тонкие слои с контролируемой структурой, составом и концентрацией дефектов и аки и /-Ч тивных примесей, а, следовательно, с заданными свойствами. С учетом физико-химических особенностей пленок даны рекомендации для создания фотошаблонов, фоторезисторов, автоматических устройств, не требующих для работы больших токов, защищенные авторскими свидетельствами. Показана возможность использования пленок сульфидов в качестве люминесцентных материалов, излучающих в широкой области спектра, для записи и считывания оптической информации, для изготовления фотоэлектрических преобразователей.

Основные результаты внедрены в практику научно- исследовательских работ в качестве методик изучения процессов комплексообразования, получения, исследования состава и свойств полупроводниковых пленок.

Образцы пленок системы С(18 - РЬ8 отмечены Бронзовой медалью ВДНХ СССР (1981).

Положения, выносимые на защиту;

• механизм образования пленок сульфидов металлов при пиролизе аэрозоля, роль различных стадий в процессе осаждения слоев, общая схема участия тиомочевинных комплексов в формировании пленок

• моделирование состава исходного раствора на основе распределительных диаграмм и диаграмм преобладания, выбор концентрационных областей для осаждения однородных и смешанных тиомо-чевинных координационных соединений

• влияние природы образующихся комплексов, механизма окислительно-восстановительных процессов с участием переменнова-лентных металлов и тиомочевины на фазовый состав и концентрацию активных примесей осаждаемых пленок сульфидов металлов

• механизм термодеструкции тиомочевинных координационных соединений, его реализация с целью формирования сульфида металла с контролируемой дефектной структурой и ьфисталлохимиче-ским строением

• схема взаимодействия сульфида металла с подложкой, формально - кинетическое описания процесса роста пленки в потоке аэрозоля

• механизм твердофазного взаимодействия в тонкопленочных системах на основе сульфида кадмия и полупроводниковых сульфидов металлов 1-УШ групп периодической системы

• условия получения и свойства полупроводниковых сульфидов металлов, смешанных слоев, сложных гетероструктур с их участием

Публикации и апробация работы. По материалам работы опубликовано 90статей, из них 49 - в центральной печати, получено 2 авторских свидетельства, опубликованы тезисы 70 докладов.

Основные результаты доложены и обсуждены на 63 региональных, республиканских. Всесоюзных конференциях, семинарах, симпозиумах,в том числе на: VI, VII Всесоюзной конференции по химии, физикеи техническому применению халькогенидов ( Тбилиси, 1983; Ужгород, 1988); II, III Всесоюзных, IV, VI и VII Международных конференциях по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 1984, 1990, 1993, 1997, 1999); XV, XX Международных Чугаевских конференциях по координационной химии ( Киев, 1985; Ростов-на-Дону, 2001); III и IV Всесозных совещаниях по химии и технологии халькогенов и халькогенидов (Караганда, 1986, 1990); II и III Всесоюзных конференциях "Материаловедение халькогенидных полупроводников" (Черновцы, 1986, 1991); I и II Уральской конференции "Синтез и исследование халькогенидных пленок" (Свердловск, 1986, 1988); XII Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике (Тбилиси, 1987); IV Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников" (Москва, 1989); VI и VII Всесоюзных совещаниях "Физика, химия и технология люминофоров" (Ставрополь, 1989, 1992); XIV Менделеевском съезде по общей и прикладной химии (Москва, 1989); VII Всесоюзной щколе-семинаре "Применение математических методов для описания и изучения физико-химических равновесий" (Новосибирск, 1992); VIII и IX научно-технических конференциях "Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов" (Ужгород, 1994, 1998); Всероссийской конференции по термическому анализу и калориметрии (Казань, 1996); Международном симпозиуме "Информационная оптика. Научные основы и технологии" (Москва, 1997); I и П Международных конференциях "Химия высоко-организованных веществ и научные основы нанотехнологии" (С.-Петербург, 1996, 1998); I и II Всероссийских семинарах "Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии" (Саратов, 1998, 2001); Международных конференциях "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 1998, 2001); Международных конференциях "Физико-химические процессы в неорганическихЛ материалах" (Кемерово, 1998, 2001); MRS Fall Meeting Symposia Spraying (Boston/ USA, 1999); Всероссийском семинаре"Наночастицы и нанотехнология" (Черноголовка, 2000); IX Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2000); Международной конференции по люминесценции, посвященной 110-летию со дня рождения С.И.Вавилова (Москва, 2001); III и IV International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems and Heat Mass Transfer (ICSC) ( Obninsk, 1999, 2001).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, четырех глав с изложением результатов теоретических и экспериментальных исследований, заключения, общих выводов и приложения; содержит 355 страниц машинописного текста, включая 24 таблицы в основном тексте и 5 таблиц в приложении, 93 рисунка, библиографический список из 346 наименований цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Установлена многостадийность процесса целенаправленного синтеза полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений, включающего следующие этапы: 1. взаимодействие солей металлов с тиомочевиной в водном растворе с образованием координационных соединений; 2. осаждение тиомочевинного комплекса из раствора в виде твердой фазы; 3. его термодеструкция; 4. взаимодействие образовавшегося сульфида металла с поверхностью подложки; 5. зарождение и рост пленки. Процессы, протекающие на нагретой подложке, формируются уже в исходном растворе. Показано, что осаждение сульфида металла в нейтральной и кислой средах осуществляется через стадию образования тиомочевинных комплексов, при этом основными стадиями являются формирование и деструкция этих координационных соединений. Методом пиролиза аэрозоля растворов тиомочевинных координационных соединений получены тонкие слои 15 сульфидов металлов, 3 тройных соединений, 13 тонкопленочных композиций на основе сульфида кадмия, а также ряд тонкослойных гетероструктур.

2. На основании термодинамического анализа с учетом неидеального поведения ионов в растворе установлены концентрационные области существования и преобладания различных комплексных форм, состав которых зависит от значения рН, природы исходной соли металла и концентрации тиомочевины. В качестве основы для моделирования состава исходного раствора предложено использовать распределительные диаграммы и диаграммы преобладания, которые позволяют осуществлять выбор концентрационных областей для осаждения однородньк и смешанных тиомоче-винных координационных соединений. Анализ теоретически рассчитанных диаграмм различных солей кадмия показал, что концентрационная граница, отделяюп1;ая области доминирования ак-вакомплексов и тиомочевинных однородных координационных соединений, проходит практически одинаково. Использование растворов, соответствующих областям преобладания однородных тиомочевинных комплексов, дает возможность получать сульфиды с близким к стехиометрическому составом, а из смешанных комплексов - тонкопленочные твердые растворы. Показано возрастание доли смешанных координационных соединений в ряду солей с анионами Р' - Шз' - 804л" - СНзСОО' - С1" - Вг - Г. Осаждению сульфида через стадию образования тиомочевинного комплекса мешает присутствие ацидо- и гидроксокомплексов, доля которых зависит от природы используемой соли металла и кислотности раствора. Содержание этих комплексов сказывается на присутствии в осаждаемых слоях оксидов металлов.

3. Состав осаждаемых на подложке тиомочевинных комплексов зависит от природы используемой соли металла и концентрации тиомочевины в исходном растворе. При применении нитратов и фторидов металлов образуются катионные комплексы, а использование анионов других кислот приводит к формированию нейтральных смешанных координационных соединений, возможно образование и бикомплексов. В состав внутренней сферы комплекса могут входить такие лиганды, как Н2О и ОВГ. В процессе комплексообразования тиомочевина, являющаяся амбидентатным лигандом, координируется через атом серы. Анионы кислот проявляют, как правило, емкость, равную единице, а ион 804л" может быть как MOHO-, так и бидентатным, а при избытке тиомо-чевины переходить во внешнюю сферу комплекса. В некоторых тиомочевинных координационных соединениях наблюдается образование внутримолекулярной водородной связи с анионами F' и СГ.

4. Установлено, что металлы переменной валентности могут вступать в окислительно-восстановительное взаимодействие, приво-дяш;ее к уменьшению степени окисления комплексообразователя. Основная стадия процесса Си Си связана с 71а-акцепторным влиянием 8-координированой молекулы тиомочевины, приводя-Ецим к гомолитическому отш;еплению радикалов С1-. При полном замещении тиомочевиной всех координационных мест при ионе меди состояние окисления Си стабилизируется. Механизм изменения состояния окисления ГеАА РеМАЛ связан с взаимодействием экваториальных молекул 8=С(ТЖ2)2 в цис-положении с образованием окисленной формы формамидиндисульфида. Взаимодействие Сг и 8пА'А с тиомочевиной в водных растворах не приводит к изменению состояния окисления этих металлов. Изменение степени окисления комплексообразователя в присутствии тиомочевины в растворе приводит к образованию различных фаз в осаждаемых пленках. При использовании солей меди осаждаются Си28, Си1,9б8, Си1,7б8, Си1,758, Си8, для солей железа - Ре8 и Ре82.

5. Показано, что деструкция тиомочевинных комплексных соединений на нагретой подложке происходит за счет термического возбуждения связей С - 8 в координированной молекуле тиомоче-вины. Основным твердофазным продуктом термодеструкции является сульфид металла, а состав газообразных продуктов термолиза определяется природой координированного или внешне-сферного аниона. При разложении координационных соединений возможно включение ионов хлора, брома и кислорода в структуру образующегося сульфида металла с замещением иона серы. Присутствие кислородсодержащих анионов способствует протеканию окислительно-восстановительных реакций между продуктами термолиза. При использовании хлоридных и иодидных тиомоче-винных комплексов возможно образование интермедиатов, что способствует уменьшению энергии активации разложения. Для солей кадмия и меди (I) термической деструкции при нагревании предшествуют реакции изомеризации и деакватации - анации, соответственно.

6. Экспериментально установлено, что для тиомочевинных соединений кадмия термическая устойчивость возрастает в ряду [С(1(ТМ)2(СПзСОО)2] - [Са(ТМ)4](КОз)2 - [С(1(™)4]Р2 -[С(1(ТМ)212] - [С(1(ТМ)2Вг2] - [Са(ТМ)2804] - [Сс1(ТМ)2С12] -[Сд(ТМ)4]804. Тип полиморфной модификации образующегося сульфида зависит от состава и строения исходных комплексов -прекурсоров. При экранировании иона кадмия объемными ли-гандами (ТМ, СН3СОО") выделяется сфалеритная структура, тогда как в случае лигандов, не вызывающих стерических затруднений (СГ, Вг"), образуется Са8 вюрцитной модификации. Атомы иода практически не входят в решетку сульфида, но, являясь на одном из этапов участником первой координационной сферы кадмия, создают такие искажения, которые «запоминаются» решеткой. Это проявляется в том, что часть сульфида кадмия в этом случае кристаллизуется в структуре сфалерита.

7. На основании анализа процессов, протекающих на нагреваемой подложке, и характера кинетических кривых роста слоя предложены схемы взаимодействия сульфида металла с поверхностью различных подложек. Показано, что на кварцевой или другой, содержащей силанольные группы, подложке осаждение сульфида протекает через стадию закрепления смешанного тиомочевинного комплекса на активных центрах подложки, которыми являются силанольные группы. В этом случае тиомочевинные комплексы способствуют адгезии между гидрофильной поверхностью кварцевой подложки и гидрофобной сульфидной пленкой за счет образования кислородных мостиков Ме - О - 81. Иной механизм роста реализуется на кремниевых и металлических подложках. Небольшая адгезия слоя свидетельствует о неспецифическом (физическом) взаимодействии с поверхностью. Процесс формирования слоев сульфида на кварцевой подложке включает этапы возникновения зародышей, образования каналов и формирования сплопшой пленки за счет их заполнения. Приведенное формально - кинетическое описание роста пленки в стационарном потоке распыляемого раствора учитывает стадийное формирование слоя. Анализ кинетических кривых роста слоя позволил подтвердить механизм взаимодействия тиомочевинных координационных соединений с поверхностью кварцевой подложки, несущей гидрат-ный покров. Основными частицами, осуществляющими взаимодействие с силанольными группами 81-ОН, являются тиомоче-винные координационные соединения, имеющие в своем составе координированные ионы гидроксила или галогенид-ионы.

8. Установлено, что процесс превращения тиомочевинных координационных соединений в сульфид металла является топохимиче-ским. Его механизм определяется природой прекурсоров и моделируя внутреннюю координационную сферу комплекса, можно управлять свойствами полупроводниковых пленок сульфидов металлов. Проведенные исследования позволили не только найти корреляционную зависимость «комплекс - сульфид - дефектность - свойства», но установить природу и концентрацию активных центров, определяющих практически важные свойства пленок - люминесцеьщия, фоточувствительность и ряд других.

9. На основании данных по измерению электрофизических, оптических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств сульфидов меди, серебра, цинка, кадмия, алюминия, галлия, индия, свинца, олова, висмута, хрома, марганца, железа рассмотрена зависимость свойств пленок от условий получения. Обнаружено, что помимо природы комплексной соли, определенное влияние оказывает температура подложки и значение рН распыляемого раствора. Подбором концентраций различных активаторов были установлены условия синтеза легированных слоев сульфидов ме-таплов. Установлено, что применение метода осаждения из тио-мочевинных координационных соединений позволяет значительно расширить область растворимости при формировании твердых растворов. Изучение твердофазного взаимодействия в тройных системах на основе сульфида кадмия показало, что для большинства тонкопленочных композиций наблюдается ограниченная растворимость. Наибольшая протяженность области ограниченных твердых растворов на основе сульфида кадмия наблюдается в системе С(18 - ТпгЗз - до 45 мол. % ХпгЗз. В системе С(18

- 2п8 реализуется непрерывный ряд твердых растворов со сменой вюрцитной структуры на сфалеритную при 65 мол. % 2п8. В ряде тройных систем обнаружено существование химических соединений в тонкопленочном состоянии (С(11П284, €¿312^4, Сс1Сг284), при этом в системе Са8 - В1283 происходит внедрение сульфида кадмия в межленточное пространство структуры В128з, т.е. формируются слоистые фазы.

10.Выявлены перспективные области применения пленок сульфидов металлов, осажденных из тиомочевинных координационных соединений в приборах микро- и оптоэлектроники - фоторезисторы, фотошаблоны, люминофоры, элементы автоматики, не требующие больших токов. Разработаны режимы осаждения из растворов сложных гетероструктур в едином технологическом цикле. Показана возможность осуществления позитивного люминесцентного фотопроцесса на композиционных фотоматериалах. Предложено использование тонкопленочного материала на основе твердых растворов С(1х2п1.х8 для записи и считывания оптической информации. Обоснован выбор материалов и разработана технология изготовления солнечного элемента на основе структуры 8п021 Сах2п1.х8 I Си28 с КПД ФЭП равным 6 %.

Глава VI ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Полученные в настоящей работе результаты исследований дают возможность выделить отдельные стадии процесса образования и осаждения пленок сульфидов металлов. Для большей наглядности рассмотрим каждую из этих стадий более конкретно. Следует отметить, что каждая из стадий играет существенную роль в процессе осаждения тонких слоев сульфидов металлов.

1. Взаимодействие солей метапшов с тиомочевиной в водном растворе с образованием координационных соединений. Именно в растворе формируется коваиентная связь по донорно-акцепторному механизму между катионом металла и атомом серы в тиомочевинном координационном соединении. Таким образом, следует добиться более полного взаимодействия соли металла с тиомочевиной и свести к минимуму образование гид-роксо-, аква-, ацидокомплексов. Важнейшей задачей при синтезе тиомоче-винньк комплексных соединений является подавление гидролиза. Поддерживая определенную кислотность раствора на основании значений рН начала образования гидроксокомплексов, можно значительно уменьшить их содержание.

Для осаждения сульфидов металлов с определенной структурой и свойствами в настоящей работе предложено конструировать состав и строение исходных тиомочевинньж комплексов на основании построенных диаграмм преобладания. Использование диаграмм преобладания позволяет также проводить легирование активными примесями в процессе формирования пленки. Для получения слоев с близким к стехиометрии составом необходимо использовать однородные катионные тиомочевинные комплексы, а в случае легированньж слоев во внутреннюю сферу комплексного соединения надо вводить нужный лиганд. Таким образом, формировать внутреннюю сферу комплекса следует так, чтобы его строение определяло осаждение сульфида с конкретной структурой и заданным фазовым составом,

2. Осаждение тиомочевинного комплекса из раствора. Процессы, протекающие в исходных растворах при комнатной температуре и в условиях, необходимых для получения слоев на поверхности подложки, в основном, идентичны. Схожесть составов комплексных соединений, образуемых в исходном растворе и осажденных на нагреваемой подложке, обусловлена мгновенным, подобно «закалке», испарением растворителя. На подложке фиксируются в качестве промежуточного этапа однородные ка-тионные и смешанные нейтральные комплексы. В некоторых случаях растворитель может входить в состав внутренней сферы в виде координированной молекулы воды.

При низких температурах возможно постепенное испарение растворителя, приводящее к концентрированию раствора, изменению распределения координационных форм (рис. 3.11-3.12) и выделению кристаллов комплекса, термодеструкция которого определяет состав сульфида металла. Например, осаждение при низких температурах одновременно халькозина Си28 и джарлента Си1,9б8 связано с перестройкой структуры твердой фазы в процессе получения. При более высоких температурах наблюдается выделение единственной фазы - Си1,7б8, что свидетельствует о более выраженных процессах «закалки» в этих условиях.

В твердофазных тиомочевинных фторидных и хлоридных комплексах образуется внутримолекулярная водородная связь N - Н . . . Р (С1), которая способствует ослаблению связей К-Н и С-М в комплексном соединении, что, в конечном счете, сказывается на процессе его термического разрушения.

3. Термодеструкция тиомочевинных координационных соединений. Перераспределение электронной плотности в молекуле тиомочевины

В результате комплексообразования способствует ослаблению связи С - 8 и ее диссоциации при термическом воздействии. Температура начала разложения определяется, в основном, природой ацидолигандов и внешне-сферных анионов, а присутствие кислородсодержащих ионов в составе комплексных соединений обусловливает окислительно - восстановительное взаимодействие продуктов термолиза.

Пиролитическому разрыву связи при более низких температурах могут предшествовать стадии изомеризации [СёТМгЬ] и реакции деакти-вации-анации [СиТМзН20]С1, связанной с отщеплением молекулы воды и вхождением внешнего аниона (СГ) во внутреннюю сферу [СиТМзС!].

4. Взаимодействие сульфида металла с поверхностью подложки. При попадании исходного раствора на подложку происходит ориентация и взаимодействие тиомочевинного комплекса с активными центрами подложки. В случае кварцевой или подобной ей этими центрами являются силанольные группы, при низких температурах осаждения возможно участие перенапряженных силоксановых группировок. Тиомочевинный комплекс, являясь связующим звеном между гидрофильной поверхностью кварцевой подложки и гидрофобными частицами сульфида металла, способствует адгезии пленки.

Плохая смачиваемость металлических и кремниевых подложек затрудняет осаждение сульфида. Использование спиртовых растворов, а также предварительное кратковременное воздействие слабых(< 1 Тл) импульсных магнитных полей приводит к адсорбции атмосферной влаги на поверхности кремния и образованию гидратного покрова, способствующего осаждению сульфида металла, что подтверждает силанольную природу центров.

5 .Зарождение и рост пленки. Формирование тонких слоев происходит за счет освободившихся валентных возможностей фрагментов - Ме - 8 -, образующихся в процессе термодеструкции комплексов, которые и взаимодействуют с сульфидом, формирующимся на активном центре подложки. Таким образом реализуется островной характер роста пленки. Срастаясь, островки создают сетчатый рельеф, пронизанный каналами. Такая дефектная структура пленки способствует дальнейшему росту слоя путем заполнения каналов и пустот (рис. 4.13).

Температурный интервал осаждения сульфидов металлов ограничивается, с одной стороны, температурой разложения комплексного соединения, с другой, - так называемой «предельной» температурой, по достижении которой образования пленки не происходит из-за интенсивного испарения раствора при подходе к подложке и уменьшения числа активных центров вследствие десорбции воды с поверхности.

Таким образом, выполненный комплекс теоретических и экспериментальных исследований указывает на сложность и взаимосвязанность процессов осаждения сульфидов металлов. Знание механизма реакций дает возможность установить обп1ую схему получения сульфидов из тиомоче-винных координационных соединений и предсказать их осаждение. В этом случае необходимо выполнение ряда требований. Ими являются: 1) Хорошая растворимость выбранной соли металла и сульфидизирующего агента в растворителе. 2) Небольшая степень гидролиза соли. 3) Применяемая соль должна координировать сульфидизирующий агент через атом серы последнего. 4) Малая устойчивость гидроксо- и ацидокомплексов образующихся в растворе. 5) При термическом разложении тиомочевинных координационных соединений должен образовываться сульфид металла. 6) Малая растворимость сульфида в среде распыляемого раствора. 7) Выбор растворителя должен обеспечивать хорошую адгезию с применяемой подложкой.

Выполнение всех этих требований обеспечит получение пленок сульфидов металлов заданного состава. На первый взгляд может показаться, ЧТО достижение этих условий является иногда проблематичным. Но в распоряжении исследователя всегда имеется много приемов для выполнения поставленной цели. Удовлетворить указанные требования можно выбором исходной соли и подбором соответствующего растворителя; подавления процесса гидролиза и достижением максимального выхода комплексного соединения - поставщика сульфида; выбором подложки, активацией ее или подбором сульфидизирующего агента. При этом все перечисленные приемы взаимосвязаны между собой, а выполнение некоторых из них позволяет реализовать сразу несколько требований.

Анализируя весь процесс осаждения слоев сульфидов металлов от исходного раствора до формирования пленки, можно отметить, что получение сульфида металла рассматриваемым нами способом протекает через стадию образования промежуточного комплекса, напоминаюгций активный комплекс. При термическом воздействии возможно образование ин-термедиата с пониженным координационным числом. Анализ состава и строения координационных соединений, являющихся исходным материалом для формирования фазы сульфида, позволяет сделать основополагающий вывод о том, что уже во внутренней сфере начинают формироваться фрагменты сульфида металла. Тиомочевина в координационном соединении координируется через атом серы. Тем самым ближайшее окружение комплексообразователя, то есть система атомов, связанных с катионом металла ковалентными связями, моделирует первую координационную сферу комплексообразователя в решетке сульфида.

Вследствие того, что процесс образования сульфидов происходит на воздухе, особого внимания заслуживает вопрос о роли кислорода при формировании слоев. В этом случае следует рассматривать четыре направления:

1. Замещение вакансий серы, образующихся в естественном процессе формирования сульфида.

2. Замещение кислородом узлов серы при удалении атомов галогенов Hals, что сопровождается генерацией вакансий металла и образованием комплексов [VMe(Os)]":

МеЛме + 2 Hal's + 2 е' + 02(g) л [VMe(Os)]"+ МеНаЬ (g) +0'^ + 2h

Такой механизм вхождения кислорода приводит, в частности, к уменьшению электропроводности пленок.

3. Адсорбция кислорода на поверхности образующейся пленки сульфида металла.

4. Вхождение кислорода в междоузельные положения для «залечивания» неравновесных структурных несовершенств с образованием комплексов (УмеОО. В присутствии постороннего примесного катиона металла междоузельный кислород способен образовывать оксидную фазу.

Первые три процесса усиливаются с повышением температуры осаждения слоев. Важным моментом является то, что кислород не только способствует улетучиванию органических примесей, но и активирует ряд физических параметров (люминесценция в красной области спектра для ZnS и CdS, фотопроводимость слоев PbS). В то же время, при высоких температурах кислород может окислять сульфиды до сульфатов: например, образование фазы CUSO4 фиксируется при 673 К, PbS04 - при 513 К, CdS04 и ZnS04 - при 903 К.

Следует отметить, что слои сульфидов металлов, осажденные из тиомочевинных комплексов, отличаются высокой чистотой в отношении посторонних примесей, которых можно ожидать в этих условиях. Речь идет, в первую очередь о примесях углерода и азота в составе малолетучих органических соединений, а также солей цианамида и роданидов металлов. Это связано с «эффектом очистки» слоя в окислительной атмосфере, дающим понижение содержания посторонних примесей в 10 - 100 раз. В случае термической деструкции тиомочевинных координационных соединений в «массе» независимо от скорости нагрева получающиеся образцы сульфидов металлов имеют низкую чистоту и практически непригодны для физических измерений.

Анализ комплекса полученных данных позволяет выявить роль тиомочевинных комплексных соединений при получении сульфидов металлов, которую иллюстрирует следующая схема:

Состояние окисления катионообразователя 1

Окислительно-восстановительные процессы в координационных соединениях

Тиомочевинное координационное соединение

Ближайшее окружение комнлексообразователя

Строение и симметрия координационной частицы

Наследование 1-ой координационной сферы катионообразователя

Кристаллографическая «память материи»

Дефектная структура (примесные и собственные дефекты)

Кристаллохимическое строение

Связывание сульфида с подложкой

Реальная дефектная структура сульфида металла формируется в зависимости от ближайшего окружения комплексообразователя во внутренней координационной сфере. При этом возможно непосредственное направленное легирование анионными заместителями с реализацией механизм замещения в структуре сульфида. С другой стороны, во внутренней сфере тиомочевинного координационного соединения при определенных условиях можно создать предпосылки для образования точечных дефектов кристаллической решетки, концентрацию которых можно менять, влияя на отклонение от стехиометрии. Таким образом, можно говорить о генетической связи между составом и строением окружения центрального атома в тиомочевинном координационном соединении и окружением катио-нообразователя в решетке сульфида.

Кристаллическая решетка сульфида как новой твердой фазы, возникающей при перестройке координационного соединения, подвергается значительному влиянию со стороны исходной структуры. Это влияние, в основном, оказывается точечной симметрией комплексных частиц, а также строением фрагментов ближайшего окружения и проявляется в осаждении различных полиморфньж модификаций. Так, существование или отсутствие стерических затруднений по отношению к решетке сульфида позволяют сульфиду кадмия, выделяемому из тиомочевинных координационных соединений, одинаково легко кристаллизоваться в двух полиморфных модификациях - вюрцита и сфалерита в зависимости от строения исходных комплексньж частиц (рис. 6.1).

Состояние окисления катионообразователя играет особую роль при получении сульфидов металлов с переменным состоянием окисления. Окислительно-восстановительные процессы развиваются в координацион-ньж соединениях и при непосредственном участии связанньж с комплек-сообразователем лигандов молекул тиомочевины. Основываясь на выборе ацидолиганда или его замещении в ТКС можно контролировать состояние окисления металла в сульфиде. При этом в зависимости от природы металла в присутствии тиомочевины стабилизируется либо высшее (Си°), либо низшее (Ре°) состояния окисления.

Рис. 6.1. Строение [Сд(ТМ)2С12] (а) и [С(1(ТМ)4]АА (б) и его корреляция с кристаллохимическим строением СдЗ. Валентные углы и межатомные расстояния в [Сд(ТМ)2С12] (в).

Связывание сульфида металла с подложкой осуществляется с участием смешанных ацидо- или гидроксидных тиомочевинных комплексов. Эти координационные соединения являются тем промежуточным звеном, которое определяет механизм роста тонкого слоя при распьшении растворов и селективность адгезии слоя к подложкам из различных материалов. Таким образом, в методе распыления аэрозолей тиомочевинные координационные соединения выполняют и эту специфическую роль. о -Сй О -8 О н

При интерпретации механизма формирования твердых растворов с катионным замещением было учтено, что в водных растворах с различными комплексообразователями не зафиксировано многоядерных комплексов с разнородными ядрами. Это свидетельствует о независимом существовании комплексов с тем или иным определенным комплексообразователем и их независимом разложении. Условия осаждения пленки таковы (образование сульфида металла происходит при температуре не выше 523 К), что твердофазное взаимодействие сульфидов практически заторможено. Следовательно, взаимодействие происходит за счет освободившихся валентных возможностей структурных фрагментов в момент термодеструкции комплексного соединения. В этом случае твердофазное взаимодействие может быть затруднено за счет присутствия примесей (например, в системе С(18 - А128з). С другой стороны, существует возможность значительно расширить концентрационный интервал растворимости компонентов по сравнению с другими способами получения смешанных слоев сульфидов металлов ( например, система С(18 - РЬ8). Специфика твердофазного взаимодействия и неравновесность процессов, протекающих в тонкопленочных слоях при осаждении из тиомочевинных координационных соединений, позволяет избежать «несовместимости» частиц растворителя и растворенного вещества, что выражается в действии классичесюих факторов: 1) неоднотипность кристаллической структуры; 2) разная химическая природа компонентов; 3) несоответствие размеров замещающих друг друга атомов.

Метод получения сульфидов из тиомочевинных координационньж соединений, реализованный путем термолиза растворов этих комплексов, предоставляет по существу уникальные возможности для легирования сульфидов металлов катионными заместителями, как комплексообразую-щимися, так и не комплексообразующимися (з-элементами), а также для получения смешанных сульфидных слоев. Под смешанными слоями понимаются пленки бинарных, тринарных и более сложных сульфидных слоев, интегральные составы которых могут принимать любые значения, то есть возможно фиксировать различные составы независимо от характера от характера взаимодействия сульфидов. Такие слои могут быть гетеро - и го-мофазными, содержать механические смеси практически чистых сульфидов, твердые растворы сульфидов и химические соединения.

При осаждении смешанных слоев сульфидов металлов при условии полной закомплексованности металлов тиомочевиной молярное отношение металлов в пленки сохраняется. Отклонение, как правило, связано с возможностью осаждения части металла в виде труднорастворимых координационных соединений (например, система С(18-В128з), однако правильный выбор состава распыляемого раствора или аналитический учет доли осажденного металла всегда позволяет избежать такой трудности (например, С(18-2п8). В более сложных случаях на состав пленки может повлиять неодинаковое реиспарение различных сульфидов металлов, что проявляется в большей степени при высоких температурах и больших временах осаждения (например, Сс18-Си8). При этом необходимо построение калибровочных кривых позволяюш;их, зная состав исходного раствора, корректно рассчитать состав осаждаемой пленки.

Особое значение приобретает проблема корреляции свойств осаж-даемьж слоев и режимов получения. Этот вопрос представляет большой интерес вследствие того, что варьируя условия осаждения, можно получать пленки с широкой гаммой свойств. Проведенные нами исследования обнаружили зависимость ряда свойств получаемых слоев от природы используемого тиомочевинного координационного соединения, значения рН распыляемого раствора и температуры подложки. Следует отметить, что намеренное легирование пленок химическими примесями приводит к появлению у них новых интересных свойств (смеш;ение максимума фотопроводимости и люминесценции, отрицательная фотопроводимость, явление фотопамяти» и т. д.) [341,342]. В этом плане определенный практический интерес представляет также получение пленок смешанного состава, что позволяет в значительной мере расширить диапазон применения полезных полупроводниковых свойств компонентов (табл. 6.1).

1. Франкомб М.Х., Джонсон Д.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок.// В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир. 1972. Т.5. С. 140-244.

2. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир. 1964. 715 с.

3. Глэнг Р. Вакуумное испарение. // В кн.: Технология тонких пленок. М.: Советское радио. 1977. Т.1. С.11-174.

4. Слуцкая В.В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. Л.: Гос-энергоиздат. 1962. 309 с.

5. Физика и химия соединений AIIBVI. Под ред. Медведева CA. М.: Мир. 1970. 624 с.

6. Хире Д.П., Моазед К.Л. Образование зародышей при кристаллизации тонких пленок. // В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир. 1970. Т.4. С. 123-166.

7. Kicinski Р. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of lead sulphide // Chem. Ind. 1948. № 4. P.54-57.

8. Pick H. Herstellung spiegelnder Nieder Schlage durch chemische Reac-tionen//Ztschr. Phys. 1949. B.126. №1. P.12-19.

9. Фрицше К. Получение полупроводников / Пер.с англ./ М.: Мир. 1964.436 с.

10. Китаев Г.А., Фофанов Г.М., Лундин А.Б. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1967. Т.З. № 3. С.473-478.

11. Китаев Г.А. Исследование процессов получения пленок халькогени-дов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селе-носульфат натрия. Дисдокт.хим.наук. Свердловск. 1971. 431с.

12. Лурье Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия. 1989. 448с.

13. Китаев Г.А., Макурин Ю.Н., Двойнин В.И. Квантовомеханический расчет электронных структур и сравнение индексов реакционной способности тиомочевины и ее производных. // Ж. физической химии. 1976. Т.50. № 12. С.3074-3077.

14. Яковлев П.Я., Разумова Г.М. Тиоцетамид заменитель сероводорода в анализе металлов. М.: Металлургия. 1963.158с.

15. Лундин А.Б., Китаев Г.А. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела фаз РЬ8 раствор // Изв. Вузов. Химия и хим. технология. 1967. Т. 10. № 4. С.408-411.

16. Торопова В.Ф., Белозерская В.В., Черницын А.И. Применение тио-мочевины для осаждения сульфидов таллия и свинца.// Изв. Вузов. Химия и хим. технология. 1964. Т.7. № 7. С.898-903.

17. Ваиег К., Wehling I. Thiohanstoffals Pallungsmittel 8с11\¥еппе1а118и1-й(1е//218с11г.Апа1у1.С11ет. 1964.В-199. 8.171-173.

18. Крамарева Т.В., Косарева Л.А., Шульман В.М. К вопросу о тиомоче-винном методе получения сульфидов. // В.кн.: Халькогениды. Киев: Наукова думка. 1967. С.86-89.

19. Китаев Г.А., Двойнин В.И., Ушаков О.П., Ятлова Л.Е. Способ получения пленок неорганических веществ. АС.4123013 СССР от 9.06.86.

20. Ушаков О.П. Физико-химические закономерности формирования пленок халькогенидов металлов в динамических условиях. Дис. канд.хим.наук. Свердловск. 1988. 181 с.

21. Дегтерева Л.В., Тихомиров Т.П. Влияние термообработки на макроструктуру слоев PbS и PbSe // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1971. Т.7. № 7. С. 1263-1265.

22. Угай Я.А., Яценко О.Б., Авербах Е.М., Дынник А.П., Семенов В.Н. Электрохимический способ получения пленок, содержащих сульфиды кадмия и свинца // Электрохимия. 1976. Т. 12. № 5. С.835.

23. Дынник А.П. Получение халькогенидов Zn, Cd, Pb электрохимическим методом и исследование их свойств. Дис. канд.хим.наук. Воронеж. 1978,153 с.

24. Угай Я.А., Бриксман Л.А., Яценко О.Б., Дынник А.П., Семенов В.Н., Авербах Е.М. Особенности получения пленок CdS электрохимическим методом. // В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: ВГУ. 1974. С. 127-132.

25. Дынник А.П., Семенов В.Н., Авербах Е.М. О возможности получения пленок SnS и SnS2 электрохимическим методом. //В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: ВГУ. 1977. С. 198-200.

26. Chamberlin R.R., Charman I.S. Chemical Spray Deposition Process for Inorganic Films. I. Electrochem. Soc. 1966. V.113. № 1. P.86-89.

27. Thomson S.M., Bube R.H. High Sensitivity Photoconductor Lagers. Rev. Sci. Instr. 1955. V.26. № 7. P.664-665.

28. Пат. США. 3,148,084. Method of Preparing Transparent Luminescent Screens (Cusano D.A., Studer F.I.) Ana 3 1954.

29. Пат. США. 2,685,530. Литература. Process for making conductive films. (Hill J.E., Chamberlin R.R.). Sept.8. 1964.

30. Керм K.B. Фазовый состав пленок CdS и CdSe полученных химическим распылением. // В кн.: труды Таллинского политехнического института. Таллин: ТЛИ. 1972. С.39-43.

31. Варвас Ю.А., Керм К.В., Паккас Р.Р. Структура и фотоэлектричесие свойства пленок CdS, полученных химическим путем. // В кн.: труды Таллинского политехнического института. Таллин: ТПИ. 1968. С.41-46.

32. Керм К.В. Исследование условий получения фоточувствительных пленок сульфида кадмия и его аналогов методом химического распыления. Дис. канд.техн.наук. Таллин. 1972. 154 с.

33. Ерашов В.Н. Получение халькогенидов металлов методом пульверизации с последующим пиролизом. Дис. канд.техн.наук. Свердловск. 1989. 149с.

34. Крункс М.И. образование химически пульверизованных пленок CdS и Cdi.xZnxS. Дис. канд.хим.наук. Таллин. 1985. 193с.

35. Керм К.В., Тиллинг А.О., Варвас Ю.А. Механизм образования и кинетика роста пленок сульфида кадмия, химически осажденных пульверизацией. // Тр. Таллинского политехи, ин-та. 1980. С. 101-106.

36. Крункс М.И., Мелликов Э.Я., Кариенко И.В. Образование пленок CdS и CdZnS при химической пульверизации растворов. // Тр. Тал-линск. политех, ин-та. 1981. С. 35-42.

37. Еращов В.П., Двойнин В.И., Китаев Г.А. Способ получения полупроводниковых пленок. A.C. 1207346 СССР от 28.11.83.

38. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа. 1975. 302 с.

39. Самсонов Г.В., Дроздова СВ. Сульфиды. М.: Металлургия. 1972. 304 с.

40. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Советское радио. 1979. 232 с.

41. Сизов Ф.Ф. Твердые растворы халькогенидов свинца и олова и фотоприемники на их основе. Зарубежн. Электротехника. 1977. № 2. С.31-48.

42. Буканаева Ф.М., Емельянова А.И., Коробов А.И. и др. Получение пленок сульфида кадмия химическим способом. // Электронная техника. Микроэлектроника. 1971. № 3. С.54-57.

43. Варвас Ю.А., Керм К.В. Фоточувствительные пленки сульфида кадмия, полученные химическим путем. // В кн.: Труды Таллинского политех, института. Таллин: ТПИ. 1967. С.75-81.

44. Варвас Ю.А., Керм К.В. Сенсибилизация химически пульверизированных пленок сульфида кадмия. // В кн.: Труды Таллинского политех, института. Таллин: ТПИ. 1969. С. 13-20.

45. Варвас Ю.А., Керм К.В., Нирк Т.Б. Фотоэлектрические свойства химически пульверизированных пленок : Си : С1. // В кн.: Труды Таллинского политех, института. Таллин. ТПИ 1969. С.21-22.

46. Воробьев-Десятовский Н.В., Кукушкин Ю.Н., Сибирская В.В. Соединения тиомочевины и ее комплексов с солями металлов. // Ко-орд.ХИМИЯ. 1985. Т.П. № 10. С.1299-1328.

47. Цвелодид Я.А., Миронов И.В., Пшевицкий В.И. Комплексообразо-вание меди (I) с тиомочевиной. //17 Всесоюзное Чугуевское совещание по химии координационных соединений. Тез.докл. Минск. 1990. С.210.

48. Кукушкин Ю.Н. Реакционная способность координационных соединений. М.: Химия. 1987. 246 с.

49. Китаев Г.А., Макурин Ю.Н., Двойнин В.И., Миролюбов В.Р. Расчет электронной структуры молекул тиомочевины и аллилтиомочевины. //Ж. физической химии. 1975. Т.49. №4. С.1011-1013.

50. Aitken G.O., Duncan J., McQuillan G. Normal coordinates for the planar vibration of thiourea and freguency assigimient for selenourea // J.,Chem. Soc. 1971. № 16. P.2695-2699.

51. Харитонов Ю.Я., Брегга В.Д., Аблов A.B. и др. ИК-спектры поглощения и нормальные колебания комплексов металлов с тиомочеви-ной. // Ж. неорган, химии. 1974. Т.19. № 8. С.2166-2168.

52. Накамото К. Ж спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений. М.: Мир. 1991. 536 с.

53. Магко D., Bellomo А., Robertis А. Formation and thermodynamic properties of mixed complexes of Cd (II) with SCN2H4 and СГ, Br", Г as lig-ands //1, inorg. nucl. chem./1981/ V.43. P. 137-141.

54. Кукушкин Ю.Н. Химия координационных соединений. М.: Высшая школа. 1985. 455 с.

55. Гажо Я. Взаимное влияние лигандов, структура и свойства комплексов меди (II). //Ж. неорган, химии. 1977. Т.22. № 11. С.2936-2944.

56. Сас Т.М., Суворов В.В., Ефремов В.А. и др. О термических свойствах селеномочевины. // Ж. общей химии. 1984. Т.54. № 3. С.587-590.

57. Нурахметов Н.Н., Беремжанов Б.А., Утина З.Е., Медиханов Д.Г. Термическое разложение тиокарбамида и его солей. // В кн.: Химия и химическая технология. Алма-ата: Изд-во Казах.ун-та. 1974. С.49-56.

58. Ходжаев О.Ф., Азизов Т.А., Эргешбаев Д. И др. ИК-спектроскопическое и дериватографическое изучение дитиокарбамидов ацетатов цинка и кадмия, // Ж.общей химии. 1976. Т.46. № 5. С.971-976.

59. Сахарова Ю.Г., Петров В.Н. Термическая устойчивость тиокарба-мидных соединений лантана, церия, празеодима.// Ж. неорган, химии. 1978. Т.23. № 10. С.2637-2640.

60. Dutault F., Lahaye J. Formation de sulfure de cadmium ce partir dune solution agueuse de thiouree et de chlorure de cadmium // Bull. Soc.Chem.Fr. 1980. T.l. №5. P.236-240.

61. Тананаев И.В. Перспективы развития исследований в области некоторых неорганических материалов. // АН СССР. Неорганические материалы. 1971. Т.7. №2. С.361-374.

62. Третьяков Ю.Д. Химические принципы конструирования твердофазных материалов. // Изв. СО АН СССР. Серия хим.наук. 1982. № 6. С.16-22.

63. Третьяков Ю.Д. Принципы создания новых твердотельных материалов. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 4. С.693-701.

64. Третьяков Ю.Д. Фундаментальные физико-химические принципы в неорганическом материаловедении. // Ж. Всесоюзного хим. об-ва им. Д.И. Менделеева. 1991. №3. С.265-269.

65. Моопеу J.B., Radding S.B. Spray pyrolysis processing. // Annual rev. mater. Sci. 1982. V.12. P.81-101.

66. Ерашов В.Н., Китаев Г.А., Двойнин В.И., Богданович М.П. // I Уральская конференция «Поверхность и новые материалы». Тез.докл. Свердловск. 1984. С.47.

67. Tyagi R.C., Agarwal S.K., Sethi V.S. Electrical and optical properties of chemically sprayed lead sulfide films. // Indian J of pure and appl.phys. 1977. V. 15. №9. P.670-672.

68. Dutault F., Lahaye J. Formation de sulfiire de cadmium a partir d'une solution agueuse de thioree et de chlorure de cadmium. // Bullet. Soc. Chim. France. 1980. V . l . № 5-6. P.236-240.

69. Ma V. V., Babe R.H. Properties of cds films propered by spray pyrolysis. // J Electrochem. Soc. 1977. V.124. № 9. P.1430-1435.

70. Gorska M. CuInS2 films prepared by spray pyrolysis. // Solar Energy Mater. 1979. V . l. №3-4. P.313-317.

71. Gorska M. Spray Beaulieur, Lefersky ij.j.j a oth pyrolysis of silver indium sulfides. // Thin solid films. 1980. Y.67. № 2. P.341-345.

72. Семенов B.H., Наумов A.B. Процессы направленного синтеза пленок сульфидов металлов из тиокарбамидных координационных соединений. // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2000. №2. С.50-55.

73. Пека Т.П. Физика поверхности полупроводников. Киев: Изд-во Киевского ун-та. 1967. 190 с.

74. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир. 1972. 435 с.

75. Виглеб Т. Датчики. М.: Мир. 1989. С.5

76. Пажи Д.Г., Галустов B.C. Основы техники распыления жидкостей. М.: Химия. 1984. 256 с.

77. Головнев Н.Н., Примаков А.С., Мурлагаев Р.Ф. Устойчивость тио-мочевинных комплексов таллия (I) в водном растворе. // Ж. неорган, химии. 1995. Т.40. № 1. С. 108-П0.

78. Головнев H.H., Примаков A.C., Головнева И.И. Образование тиомо-чевинных комплексов индия (П1) в водном растворе. // Ж.неорган. химии. 1995. Т.40. № 6. С.973-975.

79. Головнев H.H., Егизарян М.Б., Федоров В.А. и др. Образование тио-мочевинных комплексов висмута (III) в водном и водноспиртовом пастворах. // Ж.неорган. химии. 1996. Т.41. № 1. С. 104-107.

80. Головненв H.H., Зорина Н.В., Чащина Л.В. и др. Потенциометриче-ское изучение равновесий образования тиомочевинных комплексов таллия (I) и свинца (II) // Ж.неорган. химии. 1998. Т.43. № 3. С.444-446.

81. Логвиненко В.А. Термический анализ координационных соединений и клатратов. Новосибирск: Наука. 1982. С.67.

82. Krunks М., Mellikov Е., Sork Е. Formation of eds films by spray pyroly-sis // Thin solid Films 1986. V.145. № 1. P.105-19.

83. Варвас Ю.А., Керм K.B., Нирк Т.Е. Фотоэлектрические свойства химически пульверизированных пленок CdS:Cu:Cl // Тр. Таллинского полит.ин-та. 1969. С.21-22.

84. Авербах Е.М., Семенов В.Н. Получение и свойства полупроводниковых пленок CdS-Cu2S // В кн.: Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж: Изд. ВГУ. 1981. С. 105109.

85. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Шамшеев И.Л. Влияние условий получения на рост пленок сульфида кадмия в методе пульверизации. Деп. В ОНИИТЭХИМ 25.05.1984. № 648 ХП-Д84. Воронеж. 1984. 12 с.

86. Угай Я.А., Яценко О.Б., Семенов В.Н., Авербах Е.М. Получение пленок CdS и PbS методом пульверизации // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1973. Т.9. № 11. С.2055-2056.

87. Семенов В.Н., Остапенко О.В., Лукин А.Н., Завалишин Е.И., Зав-ражнов А.Ю. Твердофазное взаимодействие в тонких пленках системы CdS-Bi2S3// Неорганические материалы. Т.36. № 12. С. 1424-1427.

88. Мухина З.С., Никитина Е.И., Буданова Л.М. и др. Методы анализа металлов и сплавов. М.: Изд-во оборонной промышленности. 1959. 528с.

89. Шварценбах Г., Флашка Г. Комплексометрическое титрование. М.: Химия. 1970. 360 с.

90. Харитонов Ю.А., Брега В.Д., Аблов A.B., Проскина К.И. О нормальных колебаниях комплексных соединений Pd° и CdA с тиомочевиной // Ж. неорган, химии. 1971. Т. 16. № 2. С.572-573.

91. Рокабадо Маркадо Т.Р., Акимов В.М., Маюдкин А.К. Синтез, морфология кристаллов и параметры решетки ацетата дитиокарбамид-Cd // Ж.неорган. химии. 1979. Т.24. № и, С.3381-3384.

92. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М., Шамшеева И.Л. Исследование взаимодействия солей кадмия с тиомочевиной при получении пленок сульфида кадмия // Ж.прикл.химии. 1988. Т.61. № 11. С.2409-2414.

93. Семенов В.Н., Киснадат К. комплексообразование сульфата кадмия с тиомочевиной при получении пленок сульфида кадмия // Ж.прикл.химии. 1990. Т.63. № 1. С.31-35.

94. Сайдов Г.В., Свердлова О.В. Практическое руководство по молекулярной спектроскопии. Л.: Изд. ЛГУ. 1980. С.35.

95. Шаталов А.Я., Маршаков И.К. Практикум по физической химии. М.: Высш.школа. 1975. С.94.

96. Селвуд П. Магнетохимия. М.: Изд. иностр.литер. 1958. 458 с.

97. Бек М., Надьпал И. Исследование комплексообразования новейшими методами. М.: Мир. 1989. 413 с.

98. Бабко А. К. Физико-химический анализ комплексных соединений в растворах (оптический метод). Киев: Изд-во АН УССР. 1955. 325 с.

99. Физические величины. Справочник /Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. /М.: Энергоатомиздат. 1991. 1232 с.

100. Семенов В.Н., Особенности ИК спектроскопического исследования реакционной способности тиомочевины. Изв.высш.учебн.завед. «Химия и химическая технология». 1992. Т.35. Вып.11-12. С.137-139.

101. ЮТ.Крешков А.П., Ярославцев А.А. Курс аналитической химии. М.: Химия. 1981.403 с.

102. Анорганикум / Под ред. Кольдица Л. / М.: Мир.1984. Т.2. 632 с.

103. Zicovic Z.D., Dobovisek В. Determination of the Reaction Kinetics Based on a Part of Differential Thermal Analyses of Thermogravimetric Curve // Thermochim. Acta. 1979. V.32. P.205-211.

104. ПО.Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1977.210 с.

105. Оптические свойства полупроводников, /Под ред. Р.Уиллардсона, А.Бира/ М.: Мир. 1970. 488 с.

106. Новиков Г.И. Физические методы неорганической химии. Минск.: Вышэйш.школа. 1975. 263 с.

107. Батавии В.В., Концевой Ю.А., Фелрович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985. С.57.

108. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdxZni.xS.// Химическая физика. 2001. Т.20. № 7. С.30-32.

109. Метелева Ю.В., Наумов А.В., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н., Нрвиков Г.Ф. СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученньж из тиомочевинных координационных соединений // Химическая физика. 2001. Т.20. № 9. С.39-45.

110. Рыбкин СМ. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физ.мат.из. 1963. 464 с.

111. ПТ.Кушнир М.А. Автоматический спектрофотометр для исследования слабых световых потоков. // Тр.Всесоюзн.конф. «Приборы и методы спектроскопии». Новосибирск: Изд. Института автоматики и электрометрии. 1979. С. 122.

112. Левин М.Н., Семенов В.П., Метелева Ю.В. Воздействие импульсивных магнитных полей на тонкие слои Cdo,5Zno,5S. // Письма в ж.техн.физики. 2001. Т.27. Вып.Ю. С.37-41.

113. Левин М.Н., Семенов В.Н., Наумов А.В. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации. // Письма в ж.техн.физики. 2001. Т.27. Вып.7. С.35-39.120. кивилис С С Плоткомеры. М.: Энергия. 1990. С. 125.

114. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высш.школа. 1984. 375 с.

115. Мелликов Э.Я. Создание основ направленного синтеза оптоэлек-тронных материалов А°ВА и разработка на их основе полупроводниковых приборов. Дис.докт.хим.наук. Свердловск. 1988. 383 с.

116. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поли-крисаллов. М.: Физматгиз. 1961. 863 с.

117. ASTM. Diffraction Data Card Pile and Key Philadelphia. 1957.

118. Шамшеева И.Л., Семенов В.Н. Термодинамический расчет процессов осаждения пленок сульфидов металлов. // В.кн.: Физикохимические основы электронного материаловедения. Материалы V Всесоюзной школы. Новосибирск. 1988. С. 155.

119. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Децык И.Б., Шамшеева И.Л. Взаимодействие галогенидов кадмия с тиомочевиной в водных растворах. Деп. В ОНИИТЭХИМ 21.12.88. № 1223-хП88. Воронеж. 1988. 47 с.

120. Наумов A.B., Семенов В.Н. Расчет протолитических равновесий в водных растворах хлорида кадмия с тиомочевиной. // В кн.: проблемы химии и химической технологии. Труды VI Региональной конференции. Воронеж. 1998. Т.1. С.42-46.

121. Мигаль П.К., Циплякова А.М., By Нгок Бан. Исследование простых и смешанных комплексов кадмия с тиомочевиной и галогенами в водно-спиртовых растворах. // Ж.неорган.химии. 1977. Т.22. № 10. С.2669-2674.

122. Батлер Д.Н. Ионные равновесия. Л.: Химия. 1973. 446 с.

123. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Шамшеева И.Л., Овечкина Е.М. Анализ взаимодействия хлорида кадмия с тиомочевиной в водных растворах. Деп. В ОНИИТЭХИМ 31.08.84. № 913хП-Д84. Воронеж. 1984. 34 с.

124. Васильев В.П., Шорохова В.И., Гречина Н.К., Катровцева Л.В. Кислотно-основное равновесие в растворах тиомочевины. // Ж.неорган.химии. 1978. Т.23. №10. С.2313-2316.

125. Китаев Г.А., Больщикова Т.П., Ятлова Л.Е. К вопросу о растворимости солей цианамида с некоторыми металлами. // Ж.неорган.химии. 1971. Т.16. № 11. С.3173-3175.

126. Джонсон К. Численные методы в химии. М.: Мир. 1983. С.227.

127. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Некрылова Л.Л., Шамшеева И.Л. Распределительные диаграммы тиомочевинных комплексов кадмия. Деп. В ОНИИТЭХИМ 11.11.87. № 1321-хП87. Воронеж. 1987. 39 с.

128. Власенко Н.В., Вошцев A.B., Шамшеева И.Л., Семенов В.Н. Распределение комплексов кадмия в водных растворах Са(МОз)2-N2H4CS. Деп. В ВИНИТИ 13.02.91. № 748-91. Москва. 1991. 3 с.

129. Семенов В.Н. Моделирование состава раствора для осаждения пленок CdS из иодида кадмия и тиомочевины. // Ж.прикл.химии. 1991. Т.64.№1.С.173-175.

130. Семенов В.Н. Сравнительная устойчивость комплексов кадмия в водных растворах CdF2-N2H4CS. // Известия высших учебных заведений «Химия и химическая технология». 1992. Т.35. Вып.З. с.58-59.

131. Семенов В.Н., Власенко Н.В. Процессы комплексообразования в системах тиомочевина кадмиевая соль кислородсодержащей кислоты. // Ж.неорган.химии. 1992. Т.37. № 4. С.929-933.

132. Семенов В.Н. Моделирование состава раствора для осаждения пленок из хлорида кадмия и тиомочевины. // Ж.прикл. химии. 1992. Т.65.№7. С. 1489-1493.

133. Угай Я.А. Неорганическая химия. М.: Высшая школа. 1989. 453 с.

134. Реакционная способность и пути реакций. // Под ред. Клопмана К.М.:Мир.1977. С.75.

135. Угай Я.А. Общая химия. М.: Высшая школа. 1984. 440с.

136. Семенов В.Н., Горбунова Е.И., П1амшеева И.Л. Изучение процессов комплексообразования в системе СШа12-Ы2Н4С8-Н20 с учетом неидеального поведения комплексных ионов. Деп. в ОНИИТЭХИМ 4.11.89. № 965-ХП89. Воронеж.1989. 42 с.

137. Смит А. Прикладная ИК-спектроскопия. М.: Мир. 1982. 328 с.

138. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Шамшеева И.Л. Получение люминесцентных пленок сульфида кадмия распылением растворов на нагретую подложку. // Электронная техника. Сер.Материалы.

139. Сер.6. 1988. Вып. 8 (237). 12 с. Деп. ЦНИИ «Электроника» 22.10.1988. №Р-4882.

140. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Санина Т.А., Малая Л.Я. Спектрально-люминесцентные свойства пленок, полученных распылением растворов тиомочевинных комплексов кадмия на нагретую подложку. //Ж.прикл.спектроскопии. 1993. Т.59. № 1-2. С. 114-119.

141. Справочник химика. Справочник. М.-Л.: Химия. 1965. Т.З. С. 167.

142. Головнев H.H. Закономерности образования фторидных и тиомочевинных комплексов р-элементов в водных растворах. Дис. докт.хим.н. Красноярск. 1998.298 с.

143. Семенов В.Н., Деревянко Е.В. Исследование механизма осаждения сульфида цинка при распылении растворов ZnCb и N2H4CS на нагретую подложку. // В.кн.: Теория и практика физико-химических процессов в микроэлектронике. Воронеж: Изд. ВГУ. 1986. С. 81-85.

144. Реми Г. Курс неорганической химии. М.: Иностран.литература. 1975. Т. 1.920 с.

145. Григорьев А.И. Введение в колебательную спектроскопию неорганических соединений. М.: Изд. МГУ. 1977. 85 с.

146. Басоло Ф., Джонсон Р. Химия координационных соединений. М.: Мир. 1966. 196 с.

147. Романов И.Т. Исследование реакций разложения и синтеза тиомо-чевины в водных растворах. Дис. канд.хим.н. Свердловск. 1967. 131с.

148. Гордон А., Форд Р. Спутник химика. М.: Мир. 1976. 541 с.

149. Бусеев А.И. Аналитическая химия висмута. М.: Институт геохимии и аналитической химии АН СССР. 1953. СПб.

150. Семенов В.Н., Остапенко О.В. Получение и свойства пленок В1283. // Неорганические материалы. 2000. Т.36. № 3. С.272-275.

151. Семенов В.Н., Волков В.В., Наумов A.B., Остапенко О.В. Компьютерное моделирование процесса получения пленок сульфидов металлов из координационных соединений. // I Всероссийская научно-техническая конференция. Н.-Новгород. 1999. XVI. С.9.

152. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М. Влияние комплексообра-зования на получение пленок сульфида меди из водного раствора тиомочевины и хлорида меди пульверизацией. // Ж.неорган.химии. 1981. Т.26. №1.0.271-273.

153. Семенов В.Н., Наумов A.B. Комплексообразование и окислительно-восстановительные процессы в водных растворах хлорида меди (II) и тиомочевины. // Ж.неорган.химии. 2001. Т.46. № 3. С.427-431.

154. Нефедов В.Н. Рентгеноэлектронная спектроскопия координационных соединений. Справочник. М.: Химия. 1984. 256 с.

155. Наумов A.B., Семенов В.Н. Координационные соединения пере-менновалентных металлов с тиомочевиной в водных растворах. // XX Международная Чугуевская конференция по координационной химии. Тез.докл. Ростов-на-Дону. 2001. С.341-342.

156. Костромина H.A., Кумок В.Н., Скорик H.A. Химия координационных соединений. М.: Высшая школа. 1990. 432 с.

157. Семенов В.Н., Авербах Е.М. Получение тонкопленочных полупроводниковых материалов из растворов координационных соединений. // XIV Межд.съезд по общей и прикл.химии. Рефераты докл. и со-общ. М.: Наука. 1989. Т.2. С.325.

158. Угай Я.А., Авербах Е.М., Семенов В.Н. Исследование условий получения пленок сульфидов металлов распылением растворов на нагретую подложку. // В кн.: «Физика и технология тонких пленок». II Всесоюзн.конф. Тез.докл. Ивано-Франковск. 1984. 4.1. С.84.

159. Угай Я.А., Семенов В.Н., Шамшеева И.Л. Обище закономерности получения пленок сульфидов металлов распылением растворов на нагретую подложку. // В кн.: Синтез и исследование халькогенидных пленок. Уральск.конф. Тез.докл. 1986. С.44.

160. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Михалева Л.А. ИК спектроскопическое изучение взаимодействия тиомочевины с хлоридом кадмия при получении слоев CdS пульверизацией. // Ж.неорган.химии. 1979. Т.24.№4.С.911-915.

161. Selvarajan А. Raman and infrared spectra of some complexes of thiourea with zinc (II), cadmium (II) and mercury (II) Indian J. Pure and appl.phys. 1970. V.8. № 6. P.338-341.

162. Григорьев А.И. О влиянии образования донорно-акцепторной связи атомами кислорода и азота на положение частот валентных колебаний а-связей С-Н. // Докл. АН СССР. 1966. Т.171. № 1. С.136-139.

163. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Угай Я.А. О взаимодействии солей свинца с тиомочевиной при получении пленок PbS методом пульверизации. // Ж.прикл.химии. 1980. Т.53. № 1. С.30-34.

164. Угай Я.А., Семенов В.Н. Взаимодействие тиомочевины с солями цинка при получении пленок ZnS. // Ж.общей химии. 1989. Т.59. № 10. С.2177-2185.

165. Каттон Ф., Уилкинсон Д. Современная неорганическая химия. М.: Мир. 1969. Т.2. С.471.

166. Семенов В.Н., Лукин А.Н., Волков В.В., Остапенко О.В. Получение и свойства пленок сульфида галлия. // Вестник Тамбовского университета. Тамбов. 1999. Т.4. № 2. С.234-235.

167. Семенов В.Н. Получение и свойства пленок ТпгЗз. // Ж.неорган. химии. 1991. Т.36. №3. С.591-596.

168. Некрасов Б.В. Основы общей химии. Москва: Химия. 1973. Т.2. С.59.

169. Шека И.А., Шека З.А. Галогениды индия и их координационные соединения. Киев: Наукова Думка. 1981. С. 152.

170. Семенов В.Н., Остапенко О.В. Получение пленок СггЗз распылением растворов на подложку. // В.кн.: Физика и технология тонких пленок. VI Международная конференция. Тез.докл. Ивано-Франковск. 1997. С. 132.

171. Семенов В.Н., Метелева Ю.В., Клюев В.Г. Получение и свойства пленок системы CdS-Ag2S. // В кн.: Проблемы химии и химической технологии. Труды VI Региональной конференции. Воронеж. 1998. Т.2. С.210-215.

172. Угай Я.А., Семенов В.Н., Наумов В.Н. Получение и свойства пленок системы CdS-SnS. // В кн.: Химия, физика и технология халько-генидов и халькогалогенидов. IX Научно-техническая конференция. Тез.докл. Ужгород. 1998. С.71.

173. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М. Термическое разложение комплексных соединений Ме(К2И4С8)2С12. // XV Всесоюзное Чуга-евское совещание по химии комплексных соединений. Тез.докл. Киев. 1985.Т.1.С.287.

174. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М., Шамшеева И.Л. Исследование термического разложения дихлородитиомочевинакадмия (II). // Ж.общей химии. 1986. Т.56, № 9. С.1945-1950.

175. Угай Я.А., Семенов В.Н., Шамшеева И.Л. Спектроскопические исследования термодеструкции тиомочевинных комплексов кадмия. // В кн.: Спектроскопия координационных соединений. IV Всесоюзное совещание. Тез.докл. Краснодар. 1986. С.287.

176. Морозова Н.С., Метелкина Э.Л., Новикова Т.А. и др. Интерпретация колебательных спектров нитрогуанидина. // Ж.общей химии. 1983. Т.19. №6. С.1228-1232.

177. Кукушкин Ю.Н., Будакова В.Ф., Седова Г.Н. Термические превращения координационных соединений в твердой фазе. Л.: Изд. Ле-нингр. ун-та. 1981. 175 с.

178. Семенов В.Н., Авербах Е.М. О люминесценции пленок Сд8-2и8 в спектральном интервале 400-1200 им. //В кн.: Физико-химичесие процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж. ВГУ. 1981.С.99-104.

179. Дельмант Б. Кинетика гетерогенных реакций. М.: Мир. 1972. 554 с.

180. Семенов В.Н., Авербах Е.М. «Особенности получения пленок пульверизацией при использовании уксуснокислого кадмия. // В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. Воронеж: Изд. ВГУ. 1979. С. 103-109.

181. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Шамшеева И.Л., Цой Л.Г. Термическое разложение комплексного соединения

182. С(1(М2Н4С8)2(СНзСОО)2. // В кн.: Физико-химия материалов и процессов в микроэлектронике. Воронеж: Изд. ВГУ. 1989. С.93-99.

183. Дубровин A.B., Александров В.В., Дунаева K.M. и др. Исследование термического разложения ацетата урана. // Ж.неорган.химии. 1977. Т.22. № 10. С.2644-2647.

184. Семенов В.Н., Наумов A.B. Термическое разложение тиомочевин-ньюс координационных соединений кадмия. // Ж. общей химии. 2001. Т.71.ВЫП.4. С.533-537.

185. Семенов В.Н. Исследование термодеструкции тиомочевинных комплексов методом дериватографии. //В кн.: Труды Всероссийск. Конф. По термическому анализу и калориметрии. Казань. 1996. С.177-179.

186. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М. Получение пленок сульфидов металлов методом пульверизации. // В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Киев: Наукова Думка. 1982. С.58-60.

187. Семенов В.Н., Бахтин А.Я. Получение пульверизацией пленок сульфида олова и их свойства. // В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: Изд. ВГУ. 1977. С. 195-198.

188. Семенов В.Н., Шамшеева И.Л., Верхошанова Т.А. Осаждение пленок 1п28з методом распыления растворов на нагретую подложку. // IV Всесоюзное совещание по химии и технологии халькогенов и халькогенидов. Караганда. 1990. С. 148.

189. Семенов В.Н., Шамшеева И.Л., Головина Л.В. Получение пленок сульфидов меди распылением растворов на нагретую подложку. // III Всесоюзная конференция по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. Ивано-Франковск. 1990. Т.1. СПб.

190. Угай Я.А., Авербах Е.М., Семенов В.Н. Особенности получения пленок сульфидов металлов при распылении растворов на нагретую подложку. // VI Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов. Тбилиси. 1983. С.25.

191. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Погуляева И.В. Взаимодействие сульфида металла с поверхностью кварцевой подложки. // В кн.: Физико-химические процессы в гетерогенных структурах. Воронеж: Изд. ВГУ. 1985. С.114-120.

192. Нифантьева Г.Г. О комплексообразовании ионов цинка, кадмия и свинца (II) с тиомочевиной и ее производными. Дис. канд.хим.н. Новосибирск. 1975. 195 с. .

193. Наумов А.В., Семенов В.Н. Рост пленок сульфида кадмия из тио-мочевинных комплексов на различных подложках. // IX Национальная конференция по росту кристаллов. Тез. докл. М.: Ин-т кристаллографии РАН. 2000. С.386.

194. Киселев В.Ф., Лыгин В.И. Инфракрасные спектры поверхностных соединений. М.: Наука. 1972.459 с.

195. Киселев В.Ф., Крылова О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука. 1978. 256 с.

196. Плотниченко В.Г., Соколов В.О., Дианов Е.М. Гидроксильные группы в высокочистом кварцевом стекле. // Неорганические материалы. 2000. Т.36. № 4. С.497-504.

197. Levin M.N., Semenov V.N. Pulsed magnetic field deposition of thin films on semiconductor substates. // Material Research Society Spring Meeting Abstracts. San-Francisco. 1996.1.13.13.

198. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука. 1970. 399 с.

199. Семенов ВН., Шамшеева И.Л., Преображенский СВ. О химическом взаимодействии CdS и ZnS в методе пульверизации. // Всесо-юзн.совещание по химии и технологии халькогенов и халькогенидов. Караганда. 1986. С.266.

200. Палатник Л.С,Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм и структура конденсированньж пленок. М.: Наука. 1972. 320 с.

201. Угай Я.А., Семенов ВН., Шамшеева И.Л. Применение комплексных соединений для синтеза пленок сульфидов металлов. // I Всесоюзная школа по термодинамике и технологии полупроводниковых кристаллов и пленок. Ивано-Франковск. 1986.4.IV. С.379.

202. Угай Я.А., Семенов ВН., Авербах Е.М. Кинетика осаждения CdS из комплексного соединения Cd(N2H4CS)2Cl2. // Всесоюзное совещание по химии и технологии халькогенов и халькогенидов. Караганда. 1986. С.89.

203. Марченко Л.Н. Физическая и коллоидная химия. М.: Высшая школа. 1965. 374 с.

204. Семенов В.Н., Наумов А.В. Формальная кинетика осаждения тонкого слоя из потока распыляемого раствора. // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т.1. № 2. С. 176-180.

205. Хирс Д.П., Моазед К.Л. Образование зародышей при кристаллизации тонких пленок. М.: Мир. 1970. С. 123-166.

206. Бацанов С.С. Электроотрицательность элементов и химическая связь. Новосибирск: Изд. Сиб.отд. АН СССР. 1962. 196 с.

207. Третьяков Ю.Д., Лепис X. Химия и технология твердофазных материалов. М.: МГУ. 1985. 153 с.

208. Наумов A.B., Семенов В.Н., Гончаров Е.Г. Свойства пленок CdS, полученных из координационных соединений кадмия с тиомочеви-ной. // Неорганические материалы. 2001.Т.37. № 6. С.647-652.

209. Фотопроводящие пленки (типа CdS). / Под ред. Кирьяшкиной З.И., Рокаха А.Г. Саратов: Изд. Сарат.ун-та. 1979. 195 с.

210. Скорняков Л.Г., Китаев Г.А., Дроздова Т.А. Влияние отжига на оптические спектры химически осажденных пленок сульфида кадмия. // Ж. прикл. спектроскопии. 1978. Т.29. № 3. С.358-360.

211. Скорняков Л.Г. Экспериментальное исследование оптических свойств и проводимости химически осажденных пленок сульфида кадмия. Дис.канд.физ.-мат.наук. Свердловск. 1988. 168 с.

212. Авербах Е.М., Семенов В.Н., Угай Я.А. Композиция для изготовления светочувствительного слоя фотосопротивления. A.C. 936760 СССР от 16.02.82.

213. Эмсли Д. Элементы. Справочник. М.: Мир. 1993. 257 с.

214. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов.радио. 1968. 268 с.233.3ломанов В.П., Новоселова A.B. Р-Т-х Диаграммы состояния ме-талл-халькоген. М.: Наука. 1978. 208 с.

215. Семенов В.Н. Люминесцентные свойства тиомочевинных комплексов кадмия. // XXIV научная конференция факультета физико-математических и естественных наук Российского университета дружбы народов. Тез.докл. Москва. 1993. С.21.

216. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Мозина М.А. Люминесцентные свойства слоев CdS, полученных из растворов различных солей кадмия. //В кн.: Физико-химия материалов и процессов в микроэлектронике. Воронеж: Изд. ВГУ. 1989. С.90-93.

217. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е., Моркевюч И.В., Торчинская Механизмы излучательных и безизлучательных переходов в соединениях А°В° и природа центров свечения. // Изв. АН СССР. Сер.физ.1976. Т.40. № 11. С.2290-2297.

218. Коганович Э.Б., Сукач Г.А., Свечников СВ. Исследование спектров фотолюминесценции фотопроводящих пленок CdS:Cu:Cl. // Укр.физич. жур нал. 1986. Т.31. № 12. С.1794-1800.

219. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука. 1987. 200с.

220. Семенов В.Н., Сушкова Т.П., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Марков A.B. Люминесцентные свойства пленок CdS, легированного медью, полученньк распьшением растворов на нагретую подложку. // Неорганические материалы. 1993. Т.29. № 3. С.323-326.

221. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С и др. Люминесценция CdS-монокристаллов, легированньж различными донорами и акцепторами. //В кн.: Проблемы физики соединений А°В°. Вильнюс: Изд. Вильн.ун-та. 1972. С.76-80.

222. Келле Х.И., Кире Л.Л., Тулова Л.Т. К вопросу о происхождении оранжевой и красной люминесценции сульфида кадмия. // В кн.:

223. Проблемы физики соединений А°В°. Вильнюс: Изд. Вильн.ун-та. 1972. С.85-89.

224. Эрм А.Я., Алтосаар М.Э., Кук П.Л., Моин М.Д. Дефекты в примесном сульфиде кадмия. // Ж.неорган.химии.1981. Т.26. №4. С.889-891.

225. Семенов В.Н., Деревянко Е.В., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Малая Л.Я. Получение люминесцентных пленок сульфида цинка распылением растворов на нагретую подложку. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. № 2. С.202-205.

226. Парфианович А.И., Саломатов В.Н. Люминесценция кристаллических веществ. Иркутск: Изд. Иркутского университета. 1977. 160 с.

227. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. Влияние лигандов тио-мочевинных координационных соединений на центры люминесценции в пленках С(1х2п1.х8. // Международная конференция «Оптика полупроводников». Тез. докл. Ульяновск. 2000. С.8 (дополн. т.).

228. Семенов В.н., Попова Л.В., Кушнир М.А., Клюев В.Г. Влияние условий получения пленок 2п8 на их люминесцентные свойства. // В кн.: Физико-химические процессы в гетерогенных структурах. Воронеж: Изд. ВГУ. 1985. С.118-121.

229. Мушинский В.П., Караман М.И. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства халькогенидов галлия и индия. Кишинев: Штиин-ца. 1975. 78 с.

230. Уэллс А. Структурная неорганическая химия. М.: Мир.1988. Т.З. 564 с.

231. Наумов A.B., Семенов В.Н., Лукин А.Н. Фазовый состав пленок сульфидов меди, осажденных из растворов тиомочевинных координационных соединений хлорида меди. // Вестник ВГУ. Серия Химия. Биология. 2000. Вып.6. С.36-39.

232. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука. 1975. 220 с.

233. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Наука. 1979. 340 с.

234. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS. М.: Наука. 1968.384 с.

235. Воган Д., Крайг Д. Химия сульфидных минералов. М.: мир. 1981. 576 с.

236. Томашник В.П., Грьщив В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений ААВА. Справочник. Киев.: Наукова Думка. 1982.168 с.

237. Поверхностные свойства твердых тел / под ред. Грина М./. М.: Мир. 1972. 432 с.

238. Семенов В.Н., Шамшеева И.Л., Сушкова Т.П. Получение люминесцентных пленок сульфидов металлов. // VI Всесоюзная конференция «Физика, химия и технология люминофоров». Тез. докл. Ставрополь: ВНИИ Люминофор. 1989.4.1. С.21.

239. Семенов В.Н., Кушнир М.А., Клюев В.Г. Дефектообразование в тонких слоях С(18, полученных распылением растворов на нагретую подложку. // IV Международная конференция по физике и технологии тонких пленок. Тез. докл. Ивано-Франковск. 1993.4.2. С.297.

240. Семенов В.Н. Образование твердых растворов на основе сульфидов металлов в пленках, полученньж распылением растворов на нагретую подложку. // II Уральская конференция «Синтез и исследование халькогенидных пленок».Тез. докл. Свердловск. 1988. С.5.

241. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Сушкова Т.П. Получение и люминесцентные свойства легированных пленок сульфида цинка. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. № 7. С. 153-155.

242. Семенов В.Н., Деревянко Е.В., Клюев В.Г., Кушнир М.А. Люми-несцентнью свойства пленок ZnS:Ag, полученных распылением растворов на нагретую подложку. // Электронная техника. Серия 6.

243. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Бабаев Т.Ш. Люминесцентные свойства пленок ZnS:Cu, полученных распылением растворов на нагретую подложку. // Электронная техника. Серия 6. Материалы. Вып.З (240). 1989. С.68-70.

244. Авербах Е.М., Семенов В.Н. О получении легированных пленок CdS методом пульверизации. // В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. Воронеж. 1979. С.100-103.

245. Семенов В.Н., Золотухина Л.А. Физические свойства тонких пленок системы CdS-Cu2S. // Неорганические материалы. Т.28. № 7. 1992.С.1370-1373.

246. Абдулаев Г.А. Влияние примесей на фотопроводимость монокристаллов сернистого кадмия. Ташкент: ФАН. 1985. 60 с.

247. Авербах Е.М. Введение в физику твердого тела. Воронеж: Изд. ВГУ. 1981.172 с.

248. Семенов В.Н. Взаимодействие сульфидов кадмия и меди в тонких слоях. // IV Всесоюзное совещание по химии и технологии халькоге-нидов. Тез. докл. Караганда. 1990. С. 150.

249. Семенов Н.В., Клюев В.Г., Кушнир М.А. Люминесцентные свойства пленок CdS:Ag, полученных распылением растворов на нагретую подложку. // Электронная техника. Серия 6. Материалы. Вьш.2 (223). 1987. С.77-79.

250. Семенов В.Н., Арсенов A.B. Фазовый состав пленок системы CdS-ZnS. // В кн.: Материалы докладов IX региональной научно-технической конференции «Проблемы химии и химической технологии». Тамбов. 2001. С.42-43.

251. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М. Получение пленок ZnS-CdS методом пульверизации. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. № 8. С. 1529-1530.

252. Берченко H.H., Кревс В.Е., Средин В.Г., Полупроводниковые соединения А°ВЛ и их применение. М.: Воениздат. 1982. С.61.

253. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Угай Я.А. Свойства тонких пленок твердых растворов CdxZni.xS. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т.26. № 10. С.2030-2032.

254. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Марков A.B. Люминесцентные свойства тонких пленок ZnS.'CdS, полученных методом распыления растворов на нагретую подложку. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. №12. С.168-170.

255. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Шиповский. Особенности осаждения люминесцентных пленок распылением растворов на нагретую подложку. // III Всесоюзная конференция по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. Ивано-Франковск. 1990.4.1. С. 147.

256. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Метелева Ю.В. Оптические свойства полупроводниковых пленок CdxZni.xS, полученных из координационных соединений. // Международная конференция «Оптика полупроводников». Тез. докл. Ульяновск. 1998. С.13-14.

257. Метелева Ю.В., Коробкина Н.И., Клюев В.Г., Семенов В.Н. Фотолюминесценция пленок Cdk/^sZn/^sS легированных галогенами. // II Всероссийский семинар «Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии». Тез. докл. Саратов. 2001. С.49.

258. Семенов В.Н., Сушкова Т.П., Клюев В.Г., Кушнир М.А. Фотолюминесцентные свойства легированных пленок CdxZni.xS. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. № 7. С.60-64.

259. Семенов В.Н., Остапенко О.В., Лукин А.Н., Авербах Е.М. Физические свойства тонких пленок системы CdS-In2S3. // Неорганические материалы. 2000. Т.36. № 2. С. 160-163.

260. Угай Я.А., Яценко О.Б., Семенов В.Н., Дынник А.П., Авербах Е.М. Фотоэлектрические свойства пленок, содержащих сульфиды кадмия и свинца. // В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж. 1974. С.188-192.

261. Авербах Е.М., Семенов В.Н. Временная зависимость тока в пленках, содержащих сульфиды Cd и РЬ. //В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. 1978. С.73-77.

262. Угай Я.А., Яценко О.Б., Семенов В.Н., Дынник А.П., Авербах Е.М. О взаимодействии сульфидов кадмия и свинца в тонких пленках. // В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж. 1974. С. 132-135.

263. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. // Физика и техника полупроводников. 1976. Т.Ю. № 2. С.209-233.

264. Корсунский М.И. Аномальная фотопроводимость и спектральная память в полупроводниковых системах. М.: Наука. 1978. 319 с.

265. Bree R. Proc. of the X Course of Erise Summer Shkool on tercalation in layered materials. // Ed. Dresselhaus M.S. Nantes. 1986. P.125-134.

266. Неорганические соединения хрома. Справочник. Л.: Химия. 1981. 480 с.

267. Семенов В.Н., Остапенко О.В., Клюев В.Г. Получения и свойства пленок системы CdS-Cr2S3. // Поверхность, Рентгеновские, синхро-тронные и нейтронные исследования. 2000. № 4. С.37-40.

268. ЗОЬУгай Я.А., Авербах Е.М., Семенов В,Н. Получение пленочных композиций на основе сульфидов металлов распылением растворов на нагретую подложку. // XII Всесоюзная научная конференция по микроэлектронике. Тез. докл. Тбилиси. 4.7. С. 193-194.

269. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Купгнир М.А. Фотолюминесцентные свойства тонкопленочных композиций на основе сульфидов кадмия и свинца. // Ш Всесоюзная конференция «Материаловедение халько-генидных полупроводников». Тез. докл. Черновцы. 1991. Ч. 1. С.35.

270. Клюев В.Г., Семенов В.Н., Кушнир М.А. Светочувствительные люминесцирующие пленки сульфида кадмия, полученные химическим осаждением. // Ж. научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1987. Т.32. № 4. С.303-305.

271. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Мигель И.А. Фотоактивность легированных пленочных гетероструктур на основе сульфидов цинка и кадмия. // VI международная конференция «Радиационные гетерогенные процессы». Тез. докл. Кемерово. 1995. 4.2. С. 106.

272. Kluev V.O., Kustov А.Т., Latyshev A.N., Malaya L.Va., Semenov V.N. Photostimulated formation of information storege centers and pfotolumi-nescent read-out/ // Proceeding of SPIE. 1998. Vol. 3347. P.355-357.

273. Метелева Ю.В., Клюев В.Г., Семенов В.Н. Фотохимическое модифицирование поверхности поликристаллических тонкопленочных структур на основе сульфидов цинка и кадмия. // Всероссийский семинар «Наночастицы и нанохимия». Тез. докл. Черноголовка. 2000. С.67.

274. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса. Л.: Химия. 1980. 672 с.

275. Kluev V.G., Kustov А.Т., Latyshev A.N., Malaya L.Va., Semenov V.N. Mechanism of fotostimulated transformation of adsorbed metallic centers and luminescent read-out. //Proceedings of ICPSA98. 1998. Vol.1. P.437-440.

276. ЗЮ.Метелева Ю.В., Семенов B.H., Клюев В.Г. Фотостимулированное формирование центров рекомбинации в пленках CdxZni.xS. // Международная конференция «Оптика полупроводников». Тез. докл. Ульяновск. 2000. С.9.

277. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кустов А.И., Редько Л.В. Формирование и устойчивость центров рекомбинации в тонких слоях CdxZni.xS. // VI Международная конференция «Физика и технология тонких пленок». Тез. докл. Ивано-Франковск. 1997. С.45.

278. Клюев В.Г., Семенов В.Н., Кустов А.И. Формирование и устойчивость малоатомных кластеров в пленках CdxZni.xS. // Автореферат. II Международная конференция «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии». С.-Петербург. 1998. С.181.

279. Klyev V.G., Latyshev A.N., Semenov V.N., Meteleva Yu.V., Kustov A.I. Formation intability of metal clusters on the surface of CdxZnl-xS thin films underuv-laser irradiation. Europpean Materials research society. Spring meeting. Strasbourg. 1999. A-32.

280. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кустов А.И. Светочувствительность поликристаллических пленок CdxZni.xS. // Структура и свойства кристаллических и аморфньж материалов. Тез. докл. Нижний Новгород. 1996. С.48.

281. Метелева Ю.В., Клюев В.Г., Семенов В.Н., Коробкина И.А. Обратимый фотостимулированный процесс в пленках Cdo,5Zno,5S. // Ж. научной и прикладной фотографии. 2001.Т.46. № 5. С.58-62.

282. Клюев В.Г., Семенов В.Н., Метелева Ю.В., Абрамова Е.Н. Поликристаллические пленки ZnxCdi.xS с управляемой люминесценцией.

283. Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Тез. докл. Кемерово. 1998. 4.2. С. 150.

284. Клюев В.Г., Семенов В.Н., Кустов А.И. Фотоактивность тонкопленочных твердых растворов CdxZni.xS. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. № 4. С. 101103.

285. Kluev V.G., Latyshev A.N. Surface processes, stimulating by UV radiation in AgHal, ZnS and CdS. // I. Of information Recording. 1996. V.23. P.295-300.

286. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Советское радио. 1979. 227 с.

287. Панкратьев E.M., Рюмин В.П., Ш,елкина Г.А. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова. М.: Энергия. 1969. 64 с.

288. Угай Я.А., Авербах Е.М., Семенов В.Н. О получении гетеропереходов на основе сульфидов металлов пульверизацией. // Электронная техника. Серия Материалы. 1980. Вып.9. С.68-71.

289. Милке А., Файхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир. 1975. 356 с.

290. Кантария Р.В., Павелиз С.Ю., Розыков Т.М. Нетривиальная зависимость фото э.д.с. преобразователей CuiS-CdS от уровня легирования сульфида кадмия. // ФТП. 1978. Т.12. №.8. С.1623-1625.

291. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. 1984. Т.2. 455 с.

292. ЗЗЕЧопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир. 1986. 435 с.

293. Raynolds DC., Leies G., Antes L.L., Marbutger R. E. Photovoltaic Effect in Cadmium Sulfide. Phys. Rev. 1954. V.96. P.533.

294. Савелли M., Буньо Дж. Прблемы создания фотоэлементов на основе Cu2S/CdS. М.: Энергоиздат. 1982.

295. Levin M.N., Semenov V.N. Pulsed Magnetic Field Assisted Thermal spraying synthesis of sulfides and oxides metals films. MRS Fall Meeting Symposia «Thermal Spray Materials. Sin the sis by Thermal Spraying. Boston. USA. 1999. P.195-196.

296. Семенов B.H., Остапенко O.B., Левин М.Н. Гетероструктуры Sn02/CdxZni.xS/Cu2S для солнечных элементов. // 3 Всероссийская научная конференция «Физические проблемы экологии (экологрие-ская физика)». Тез. докл. Москва: МГУ. 2001. С.251.

297. Розенберг Г.В. Оптика тонкослойных по1фытий. Л.: Наука. 1958. С.267.

298. Семенов ВН., Остапенко О.В., Левин М.Н. Гетероструктуры CdxZni.xS/Cu2S для наземных фотоэлектрических преобразователей, сформированные из тиокарбамидных комплексов. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т. 4. № 1. С.55-58.

299. Левин М.Н., Семенов В.Н., Остапенко О.В. Фотоэлектрические преобразователи на варизоннык гетероструктурах CdxZni.xS/Cu2S. // Письма в ЖТФ. 2002. Т.28. Вып. 10. С. 19-23.

300. Наумов А.В., Семенов В.Н., Лукин А.Н., Гончаров Е.Г. Фазовый состав пленок сульфидов меди, полученных из координационных соединений меди с тиомочевиной. Неорганические материалы. 2002. Т.38. № 3. С.343-346.

301. Наумов А.В., Семенов В.Н. Рост пленок сульфида кадмия из тио-мочевинных комплексов на различных подложках. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. № 2. С.72-74.

302. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. Смерек С.А. Люминесцентные свойства пленок CdxZni.xS, полученных из комплексных соединений тиомочевины. // Неорганические материалы, 2001. Т. 37. № 12. С. 1435-1438.

303. Авербах Е.М., Боднарь Д.М., Семенов В.Н., Яценко О.Б. Способ получения пленок нитрида тантала. A.C. 1313016 СССР от 22.01.87.

304. Семенов В.Н., Бабенко Ю.Е., Авербах Е.М., Анохин В.З., Миттова И.Я. Взаимодействие с кремнием окислов металлов, полученных пульверизацией. // Изв. АН СССР «Неорганические материалы». 1978. Т.14.№8. С.1529-1530.

305. Семенов В.Н., Авербах Е.М. Получение и свойства пленок PbS-SnS. //В кн.: Полупроводниковые материалы и тонкие пленки на их поверхности. Воронеж: 1982. С.69-70

306. Семенов В.Н., Арсенов A.B., Ветров В.А., Остапенко О.В. Взаимодействие компонентов в тонкопленочной системе 7п8-1п28з. // 7 Международная конференция «Физика и технология тонких пленок». Ивано-Франковск. 1999. С. 52.339