Электродиффузионные процессы и другие явления, определяющие характеристики электролюминесцентных источников света тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

од

Ни примах ¡П'Ки'шт

KOK'IÍIÍ Cepieií Михайлович

'Х11:кгролиффуяи)(1Ш.Н': шчлнсси

if ,U'V! ИК ЯН. П НМЛ, <)!1ИЛ1,1ИЮШШ: ХАГЧкП'ГИСТИкИ ЭЛКК Н'О.ИО.МИШХЦКНГНЫХ líCIOMHiikOU CHI'. ГА

Спеииа-и.косп.: 0!.04.05 - Огпмка

Автореферат диссертации на соискание ученой степени локюра фтнко-мшемагически.х наук

M.vKB.i - \im

Работа т.шолпена р Московском государственном ушшерсигсче путей сообщен»« (МИИ'Гс)

Официальные о.шопенгы: деист шпе.п.иый чтен

Российской академии естестьенных наук, доктор физико-математических наук, профессор Георгобнанн A.M.;

деистнтедьнмн член Российском технологической академии, док гор .химический наук, профессор Ошелмшко» Ь.М.;'

доктор фтико-математичеекич наук, профессор Кот.чяреиекпи Мл>.

Ведущая организации: IIVHI микроприборов, Москна

Научный консультант: заслуженный деятель науки техники Росши,

док i ор физнко-матсма t и веских паук, профессор Верещагин П К. Зашита cocí ои геи "ILL" ^^.^(Vi l''9í>. г. ь часов ма

заседании диссертационного совета Д 053.37.01 У.чъаноиекого государственного унпиерситега но адресу: 432700, г. Ульяноиск, ул. J¡ .Толстого, д.42

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Ульяновского государственного ушшеретета.

Автореферат разослан "_._" Цозегд._|91>6 г. Учёный секретарь диссертационного сонета

М.К.Самохватов

ч

оищля XAÍ'AJv i Kl'UCi l!!< \ FAÜO'M»!

Ai;ij:i.ii,!ii¡ci í. ii¡>(m1ic\ii,i. H последние десигилегпя разшппе физики твердого тела припою к созданию ношах злектролю.минес-ПСН1НЫЧ источников снега ОЛИС), излучаюпшмн элеменымп в которых яишншся кристалл»,!, «О|бужлаом!.1с сильным элскч рпческим молем, Оснопанпые ма :ном милаши . приборы применяются в различных o(»:j;iciях пауки и гелним». Илоскче протяженные :шлсфо-лючииешентные панели >1 мпнианоршае источники свеча ¡к:по!1М\н>1Сн для с!чгюк;ч>шческич пелен, фот омет рни, в инфорчацн-oiim 1ч каналах, обеспечивающих передачу и отображение информации с иомшнмо различных индикаторов и жранов. Гибкие 'ЧЦ1С

ПрИМСИЯЮТСЧ В YCIpOHClH.iX ПОДСВе»КИ Ж| ¡ДК'ОКрШЧ ИЛ ЛИ ЧССК ИХ зкранов дисплее«, для решения различного рода оформшельских задач, Лскораиншом оглодки помещений, сценических площадок и арктических коспомов .

Люминесценции, связанная с ионизацией сильным электрическим нолем, наиболее эффективна в случае норошкмшлх "»лекгролюми-нофорои, ко»да изолированные от электродов зерна люминофора вотбужл.ногч переменным напряжением. Внешний >нер.> етпческий выход и -иом случае составляет около 2% (световая отдача - около 10 дм/Br для зеленого цпега свечения), теоретический же выход люминесценции, вызванной ударными процессам::, может приближаться к 15%. У тонкопленочшах элсхфолюмнкссиснтимх сфуктур светоотдача окал.тается меньше вследствие больших потерь излучения при выходе из пленки, хотя яркость обычно превышает яркость порошковых излучателей в среднем на порядок. К нреимччцестам порош»:йвых и плёночных источников света перед, излучателями других типов (свстоизлучающпх диодов, работают»* »., и прямом смещении, миниатюрных ламп накаливания, тазорвзрядмых я ка до-люминеспентых устройств) следует отнести малую »к. .ребляечую мощность (милливатты на квадрап.ый сантиметр), высокую крутизну вольт-яркоспюп характернонки (показатс..»! в степенной зависимости яркосги от напряжения равен 3*5 в случае порошкоглдх люминофоров н может достигать одного-двух десятков для топкоплёпо'шыч структур), возможностт. создания плоских светят» ».чей панелей различных цветов свечения, обладающих большой плопдадыо (до 1м:) при незначительной толщине, измеряемой миллиметрами. Существенным же недостатков твердотельных аг.ек ¡ ролюмшкецент-ных излучателей, работающих в предпробоином режиме, является постепенный спад и; яркости в процессе эксплчатанин <я-лрадаиня).

Иракчнка показыплет. что попытки упч'чшенич качества •)дек1ро.Т!ОМ1ШО(|'Ор1Л» и iipiivopo» па их ochsi;? {повышения яркости и светло» хзчи пр;; ¡.еч-^е усповп.чч ?:озб>ждепия, снижение рабочего

напряжении - при неитчепиосш яркости и т. д.) как пришит сонроиож-д.ионч сичжсткм cj'-окя и\ службы. В целом песмофи на п>, «по НрооДСМС улучшения ПЛраМСЧрОП ИОДуИрОИОДННКОИЫХ ЧЛСКТрОЛЮМН-несцеитых исчочннкон ипучепин, побуждаемых сильным полем, уделжлси большое ттмниие, о сущестенном нрорыие в мой облает !н:с же i опори п. не прь-чодикя. Скатанное u периую очередь о mounts к наиболее распространенным усфойстам такою пни: структурам па оснопе микрокртл аллическнх цииксульфидных люминофоре», пнпннфоаанных медью и дручнми элементами. Uihochic'iuki шпкли я-,)коС11> (i1 рабочем режиме не более диух - трёх десятой капдел па к». Meip) и нснысокин срок службы (прем«. »а котрое яркость снижаекя в дна ]>ач;! но cp.tmiciHHO с начальной обычно не превышает нескольких со ten часом) pe¡;co сужаьч сферу применении 1лки.\ шлуш гелей, не позволяй » полной мере pea .»попа п. их доеюннонл.

Поскольку дечачьное описание пронессо», происходящих ü таких cipvKiypax при олренни, далеко oí шнершеним, ноншно, «по проблемы, обусловленные д«руданней, и прикладной эпемролыми-несцснцнн HHiSMioioi ключевыми как н 1сорс:ическом, так и в чист практическом агпсктх. Чамешм, чю но мере нчо, как очередные ¡¡опьнки коренною улучшения яркоешмл и дораланнониыч харак lepiici нк цпнкс\'льфнлнь>\ дюминофороп оканчивались бечремулмашо, сланотиикь ясно, «по успехи и эти обиасгн Motyi 61.111, еияыиы л нпп. с тщ.педышм анализом ьссго комплекса процессо», коюрые происходи г как в самом люминофоре. !ак н п roioitoM и |делии, включающем кроме скеюныучлющих крнечалло» друте »лемешы; енччумщии дтлекфик. ирофачный и ненрофачш.¡й электроды; таннпно-офажающмй слой и т.д. Окаилось, и часпьк'Ж, чю на эффект и иное ni . роцессон иозбуждпшн и изучении скеча и т;рис!алла\ люминофора скишванмся не юлько уелония еншета. по н режимы формирования люминофорно-ди (лекернчечко: о слом, ьачеспю ¡ ермеш ещии ичжп тл.еапй п мно> ос друюе,

А к i у a 'iJ.iioc 1 i. проблемы ;iei радапии 'л-И К." не ограннчи».и*;ся круч ом itonpocou. обсуждаемых в рамках прикладкой эчемролюмн-песненцни. ')¡a проблема июшек"» лини, одной hi >ех. коюрыс рассматриваю ¡сч ь фишке надёжлцччн 1ехннчльич сисчем ¡s целом, находи i свое офажепие ¡s, чсорннх фишки откатом kikhx chcicm и i д. Ирм 'лом окатмнае!Ск, чю существуют г.'нбокие аналоши ме/клу "чч раданнонными процессами, происходящими и ночупроподннкипых приборах ра «личного тина. В -лом смысле цннкеу щ-фнлт.к; эдекфолммннофоры могут служить удобным объемом для моделирования пилений, происходящих » сильном электрическом ноле » различных тлел них микроиемронной ¡ехникп.

Проблема nocí роения модели лораданип элекгро помннес-цетных тлучатслей, рабошютих в предпроСшйпом режиме, hmccí

еще одни лажный аспект: анализ данных экспериментов п выводов теории позволяет глубже понять физику процессов, которые происходят при помещении кристаллов люминофора в электрическом ноле, то есть - внести »клад в теорию самой элекгролюмпкссиснппи.

В связи с вышеизложенным, -можно сделать вывод о том, что комплексное исследование теоретических и практических основ процессе)», происходящих в электролюминеспеигныч источников свега в предпробойном режиме аозбухления, является акчул-п.нон работой, имеющем большое научное и практическое значение.

Пель_[«fililí.! состояла в выяснении природы процессоп

приводящих к постепенному спаду яркости Э.'ШС". работающих в пред 11 робо Гшо м режиме, и разработке рекомендаций по улучшению параметре« н расширению сферы применения подобных устройств.

Конкретизация этой проблемы позволила выделить следующие задачи, которые решались » рамках настоящей работы.

• построение математической модели основного механизма деградации полупроводниковых люминеснируюших структур в отсутствие влаги: эпектродиффузии заряженных дефектов кристаллической решетки в сильном неоднородном электрическом поле. Проверка модели на практике путем сравнения результатов расчётов с данными экспериментов на источниках света с порошковыми ZnS. Cu -злектро.'шминофорамн ;

- использование разработанной модели для описания теграда-цношшх процессов в спетонздучаюшем слое тонкопленочных электр-j-лгомнпесцемгных структур;

- выявление причин старения ZnS.Cti - электродюмипофоров в присутствии влаги;

- сравнение вкладов различных компонент деградации: электродиффузионной, электрохимической и связанной с изменением состава второй фазы на поверхности зёрен ZnS.Cu - люминофоров а общин спад яркости электролюминесцентных источников света, работающих как в сухой, так и во влажной атмосфере; выявление перспективных путей снижения влияния каждой из компонент на скорость старения излучателей;

- поиск перспективных связующих диэлектриков для свето-излучаюших слоев порошковых электролюминеспентных конденсаторов;

- поиск возможностей улучшения параметров электролюминеспентных излучателей путём добавочш.гх внешних воздействий: у -облучения, термообработки, воздействия постоянным магнитным полем. Выявление возможных причин изменения параметров образцов в результате таких воздействий.

(>

- поиск путем расширения сферы применения электролюми-пофороп путем ь.;ссешш изменении н конструкцию элекгролмминес-цен 1 ных излучат слей.

Наущая новизна. В диссертации предложен новый подход к построению теории дс!радацнонных явлений в члекгролюмшкч:-центных исючпнках акпа: анализ процессом, происходящих п кристаллах ио.чунрошкшнка в сильном чдектрпческом ноле, ведется с помощью мак-магической модели, учитывающей все основные аспекты соопнпсгвующи.ч явлении; данные расчсюп соиопавля! ;си с рсчультазами большого числа разнообразных экспериментов, включавших шмероння спектральных характеристик (как и ошнчсском диапазоне - спектров элекгро- и фотолюминесценции, спектров возбуждения фотолюминесценции, так и реипеноэлектроиных), зависимостей яркости, .»лек 1 рнчсских параметров (элект росмкостн, поглощаемо!! мощности и др.) от р "-кпмо.; возбуждения и условии храпения злектрол:оминесцентных получателей, исследования при иомоши люминеецен того микроскопа, члектроииых грануиомет ров и т.д. Исследования о.чватшш широкий ряд, лчек'.ролюмипоецешных устройств: порольчовыл, пленочных, ид отошк-нных но разным технологиям, содержащим люминофоры и диэлектрик» различных типов. В ходе экспериментов образцы подвергались почлейсгвню у • обчучения дозами до !,'2>Л0' рад, длительное время выдерживались и атмосфере с заданным значение?,! платности возд.\\а; деграданнониые характеристики измерялись • и широком диапазоне температур, амплигуд и. частот возбуждающего напряжения (занимая по времени порой 5 . 6 тыс. члсоя). Выводы, которые приведены в рабою, сделаны ш оснош'чиц анализа всего комплекса полученных данных, что позволяет говорить о их обобщающем характере. Многие из представленных результатов получены впервые (об этом Iокорит, например, то, чго по итогам исследований получено 10 ангорских свидетельств и патент« СССР и России, а чдкже - 1 ал. ЧССР).

Паучна>! новизна работы содержите» ь защищаемых положениях.

ч

Шложсцуя, пмцосиу

1. Математическая модель •злсктромигращюшшх процесс'!», приводящих к деградации предпробойнон электролюминесценции твёрдых тел, козхн ..я впервые объясняет имеюш>юся совокупность акс!»ерпментальных данных по счреинк. этсктролюминесцешных источников света с порошковыми Z:\S- люминофорам», В0)буд;дае-мымн переменным напряжением, а также - юнгопленочных излучателе!!.

2. Оценка возможного влияния изменении стехиометрии фазы С«,Л я гетеропереходах '/'лЗ-С:.\Я на природу величину начального тока носителей заряда, коюрые участвуют п создании элекфонной ланины, а также - оценка возм^ ..иоан влиянии этого процесс;) на лет радацию элехтролюмннофоров.

3. Модель, описывающая вмияиле влаги на скоросгь деградации и друше характеристики электролюмипофороп, а также - ретульташ комплексного исследования поведения ЭЛИС в сухой ч влажной средах.

4. Оценка относительной роди элекпаддиффушоиных и электрохимических процессов в общем спаде яркости влалуых люминофоров со временем.

5. Резудг.пш.1 исследования влияния воздействия /- облукння дозами до ! .2x10" рад на нарамет ры ЭЛ1 !С.

6. Рекомендации но улучшению характеристик и расширению сферы применения элекгролюминссцснтиых и случат елей, г, том числе:

- но созданию стабильных структур, обладающих повышенным сроком службы;

- по выбору перспективных диэлектриков, которые позьолнлн бы создавать устойчивые к воздействию влаги ЭЛИС на стеклянных и металлических подложках, а также - пригодные к использованию в гибких эяекфолюминесцсш шлх сфутлурач;

- по расширению цветовой гаммы ЭЛИС путём добавочной термообработки:

- по созданию "»лектролюминесцентнмх панелей, передающих градации яркости, ЭЛИС, имеющих объёмный (а »с плоский) иид, разборных люминесцентных конденсаторов, которые дают возможность визуально наблюдать картину распределения электрических нсоднородносгей в полупроводниковых и нолунзолируюш.их пластинах;

7. Метод ускоренных испытаний ЭЛИС на срок службы, позволяющий резко уменьшить полное время испытаний.

Практическая значимость ;)яоотм заключается в создании теорегаческой и практической основы для разработки электролю-минесцеитных источников света, характеризующихся повышенным сроком службы:

1. Лналшические зависимости и результаты чпсаенных расчётов, полученных в ходе построения математической элсктромшрани-онной модели .деградации, дают возможность про1 позировать илняние устотш возбуждения на срок службы ЭЛИС, рабог.':к>щих в сухой атмосфере.

2. Рез> папы моделирования процессов, происходящих в свезо-ии>члоншч слоях > и-к фотюминесиентных излучателей, позволяют

разрабо-тать рекомендации по их изготовлению, хранению и ■жсплуатацни. В частности, в диссертации покачано, чю выбор режима возбуждения ЭЛИС но многом определяется вдагоеодержанием светонзлучаюшего слоя: и условиях высокой влажности переход от синусоидального возбуждения к импульсному может не дать ожидаемого выигрыша в сроке службы излучателя. Исследование же причин потемнения поверхности зерен люминофора к процессе эксплуатации позволило предложить методику определения количества »лаги внутри ЭЛИС,

3. Предложен ряд новых связующих д.йч олектролюмннесиеит-ных излучателей с порошковыми злектролюминофорамн (легкоплавкое висмут-бора гное аекло 40 У, устойчивые к нагреву до +200 "С кремнеорганичеекпе лаки серии КО-ЗОО, поливинплацеташые связки тина НВ.\, позволяющие получать гибкие электролюминесцситныс слои (имеется акт об использовании соответствующих результатов фирмой "Гибкий свеч", из! огин.чниаю! '.¡1 ио.юбш.ю излучатели).

4. Выявлена возможная причина наблюдающихся п ряде случаев различи!! в яркости и сроке службы ЭЛИС, изготовленных на основе промышленных люминофоров одной и шй же марки, но разных партии. Показано, что- для повышения качества изчучатеден необходимо принимай, дополнительные меры по выравниванию параметров отдельных мпкрокрис галлов люминофоров (средних размеров зёрен, спектров их свечения).

5. Предложены способы обработки готовых ЭЛИС, позволяющие повысить их яркость без ущерба для срока службы (путем облучения ^-квантами дозами до 40" рад), а также - скорректировать спектр излучения образцов, сделав сю более насыщенным (путем добавочной термической обработки).

6. Предложен способ ускоренных испытаний вновь изготавливаемых парши ЭЛИС на срок службы, отличительной особенностью которого является то, что он требует наименьших (по сравнению с существующими методиками) временных затрат (имеется акт об использовании результат о» па предприятии н/я В-2183).

7. Пре.хтожен режим элсктроппо-дучевого напыления тонких плёнок люминофора для создании г/.пЗ:Ми - томьошгёночиых .злектро-люминесцентных структур яркостью до 3000 .

8. Выдвинуты предложения по созданию злекгролюминес-"афующих слое» с заданным распределением примеси, а также -состоящих из отделённых друг от друга плоелоек в одних из которых происходит ударное умножение электронов" а Т1 других - возбуждение атомов примеси с л.¿следующей излучателыюй рекомбаницией. Реализация этих предложений позволит создать ЭЛИС с повышенной стойкостью к деградации.

9. Предложены вариант w совершенствования конструкции ),!!HC, расширяющие сферу применения cu-au излучателей; панели с рифленым Mcia:insj4eui\! ттекгродоч. позволяющие перелазан, градации яркое i и, 'ЗЛ11С - фогокондеисазор, который можно использован» как члеменг -пекфонной пени, мекзроёмкооь к 'орого управляется светом, Э!ШО обьёмпого типа (не плоские), разборные 1ЛПС для контроля о.1.иорс>лпосш платан полупроводниковых материалов, используемых в микреплек гронике, выявления ну гей и фронта распространения различных жидкостей (например, поды), проникающей внутри слоистых объектов и образцов. имеющих капиллярную сфуктуру.

___jumo f «а. Основные положения дщ ,:ф! анионной

работы обсуждались на:

- Расширенных заседаниях секшш э.лект ролго ;¡ ¡ seciiej sai i i« Научною совета АН СССР по проблеме "Люминесценция и разните её применений в народном хозяйстве" (Черновцы. I97K г.; Запорожье, i979 г.; Тарту, 198! и 1985 г.г.. Бердянск, 'i 987 г.; Вильнюс, 1989 i.);

Расширенных заседаниях секции люминесценции неорганических материалов Научного совета РАН по проблеме "Люминесценция'' (Домбан . ¡994 г.; Ульяновск, ¡996 ..; Кисловодск, 1996 [-.);

Всесоюзных семинарах "")лектро люминесцентные зонхонденочные излучатели с высокой степенью нелинейиосгн ¡•■ол.'.т-яркостей харамсристнкн н их применение" (Киев, 1979 г.); "'Злепро-люминесцентные гонкеншеночные излучатели и их применение" (Ровно, 1981 г.): "Ошоэлектрнчсснис усфойсгва для систем отображения информации" (Москва, ¡98! г,); "Тонкоплёиочные свсгонзлуча-ющие структуры и их иримененне" (Одесса. 1987 г.):

- Всесоюзных конференциях и совещаниях "Физические основы надёжности и деградации полупроводниковых приборов" (Кишинёв. 1982 и 19[s6 г.г.); "Физика и технология широкозонных полупроводников" (Махачкала. 1986 г.): ÍÍÍ всесоюзном совещании по физике отказов (Суздаль, 198-1): V всесоюзном совещании по фотохимии (Суздаль, 1985 г };

- Международных и всесоюзных отраслевых научно-технических конференциях но актуальным проблемам размпия железнодорожного транспорта (Москва: '1984. 1994. 1995 н 1996 г.! .);

- Нсесоя:зш.!\ и международном совещаниях по синтезу, св.ч'л гва.м. исследованиям и течнолошн люминофоров для отображения информации ¡Ставрополь. !Г'Ч2. ¡<>45, 1939 и ¡992 i г.);

• Ме клмкфо.гных конференциях по люминесценции (Москва, 1994!.); "М.иериа ¡оведение в лекфонной ic.xhhäc" (Кисловодск, 1995, 1 ''96 i ):

- Псесоюшых и международных совещаниях по материаловедению халькогенлдиых полупроводников (Украина, Черновцы, 1991, 1994 и 1995 г.г.);

- V!!, \'Ш и IX международных совещаниях по фотоэлектрическим и .онм!':сским яонешшм в шердим теле (НРБ, Варна. 1983, ¡986 и <9У9п'.): координационном совещании социалистических стран по физическим проблемам оиюэлектроннки (СССР. Баку, !989 г.);

- Международных школах по электролюминесценции (ГДР, Берлин, 1983 г. и Ктай, 1944 г.);

Международной конференции по нолнкристалли'к дшм полупроводникам "Р01Л^!1 '95" (Италия, Миаан, 1995 г.).

Тематика исследований было включена в Координационные плат-! ЛИ СССР по проблемам "Люминесценция и развитие её применении а народном хош'цчве" (секц»:« электролюминесценции) ч "Физика и химия полупроводники)!" (секция физических пробаси некогерентной омоэлех фоники) на 1*>Н0-8; ; 5985-90 г.г.; роулмаш исследований неоднократно включались в ежегодные перечни достижений но этой проблеме.

11)6лтаниу. Автором опубликовано 149 печатных работ (л том числе • 4 книги), из них ненооедп "снно по теме диссертации - 103 работы, среди когортах 2 книги и П авторских свидетельств, начетов. Перечет, основных публикаций приведен в конце ;ниорефер:на.

Личный вклад аагорз. Итоженные в диссертации рстулыа *ы получены автором лично и о соашореше с сенрудниканн лабораюрии ои юэлекг роникп кафедры "Физнка-2" Московского 1 осударст'веитч о университета путей сооС-.цеии« (МШП и). Пседедог'.анн.ч выполнялись на образцах, нзготовлениыл в ЦППО "Вымпел", НПО "Люминофор", ПИП Технического стекла, КБ "Фонон" МХТП им. Менделеева. Ленинградском техно-логическом инсипую, фирме "Гибким свет". Основная часть научных исследований была <5 р о и. еден а по нннцпашие и иод руководством автора. Личное участие аыорэ состояло о постановке задачи и цели исследований, р:пр»бо1кс экспериментальных методик, и проведении расчетов, в обсуждении полученных результатов. Знлчшельиая доля эксисримета.тьиош материала н расчёты.* данных получена самим ашором. часть ста (ей ло теме диссертации написана автором на основе коллективного анализа и обсуждекля ре»ультато». В авторских евндетельеюах и патентах, полученных в соавторстве вклад Г<ех соавторов равпопенен. Обобщающие выводы л основные положения, выносимые на защшу, принадлежат автору диссертации. Все работы по практическому псиользованпк) результатов днсссркнши проведены под руководством и при личном творческом участии соискателя.

Научные исследования, положенные п основу данном диссертации, выполнены й рамках плановых НИР МИИГа, ответственным исполнителем которых был автор (всего проведено 17 гос-бюджежых н хоздоговорных НИР, по которым опубликовано 28 отчетов). Научный консультант работы -д.ф.-м.п. проф. Верещагин П.1С

Диссертация сосюит нз введения, че!ыр?х глав, заключения, списка литературы и приложений. Она содержит 36? страницу машинописного текста включая ¡20 рисунков. 14 таблиц, 333 наименования литературы.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Пй^зсдушн.. обосновываете;! актуальность темы исследований, формулируются цели и задачи работы, даСчся краткое содержание глав диссертации. Сформулированы основные научные соложения, которые выносятся на шциту.

____глзаа посвящена математическому мелел; юг?;м!ию

илектродиффузионных процессов, протекавших в крип аллах под действием сильного электрического поля и явлкюшичея основной причиной деградации полупроводниковых устройств, работающих в пролроЗоПком режиме; результаты расчетов срлвшшаюгся с данными, которые были получены а ходе экспериментов на порошковых 2п5:Си - злектролюминофороа, возбуждаемых переменным мапрзжением,

Для описания процесса миграции заряженных точечных дефектов в кристаллической решетке использована модель потенциальных ям (соогая с Iвуюших междоузлиям кристаллической решетки), пероятиость перескока ионов по которым неодинакова в направлениях ¡¡о направлению и против электрического поля. В рамках этой модели получена формула для потока дефектов У :

,/ - В/а 12 п х 5к [qF.ii/i2k Т}} - а х о/п х ЩцЕа/{2к Т) ]]/<)х}. (!)

г к* п и </ - соответственно колцешраиия и заряд движущихся дефектоэ, • коэффициент их диффузии, а - расстояние между соседними узлами

реп;.'¡кн. Г. - напряженность эзек ¡рпческого поля, 7'- температура, к -постоянная !>•>льцмана \ - координата вдоть силовых линий поля, В

большинство случае», шпереенмх с пракшчсской точки зрения, (например, при слнсшпп! ионной проводимости твёрдых тел) выполняется условие ¡¡аЕ « ГА '/'. и уравнение (I) сводится к виду

J = ¡)чЕп'\к Т) - О ош'ох, (2)

в котором множитель 1)ц/{к Г) имеет смысл подвижности иона. Однако, в случае элексроцкэмииесистних ипу'шей. работающих в иредпробойном режиме, замена уравнения (!) на формулу (2) явикется неоправданно!"!. Типичным примером процесса. для они линя которого необходимо использовать выражения для потока заряженных ¡очечных дефектов в виде (2) явл.чася деградаинч ЭЛПС с порошковыми цииксульфидиыми "); ипл рол том и нофора м и, а к I ивировашш ми медыо. При подаче напряжешн на слой люминофора гтскфнческос ноле кбицептрирхется в узких барьерных областях мнкрокрпсгал.тов, тде сю напряженность достшаег Р''' В/м. а значит, в ной части кристаллов ш.ик>.н!«е;ся успювне циЕ ГА /'. I!оны допорнои мед», формирующие область простр.пя шейного ¡аряда в барьере, обладают высокой подвижностью: по;; действием поля пни выходят к внешней границе барьера н их копнен фация в самом барьере постепенно падает. Последнее, в свою очередь, означает растипрепие барьера, снижение напряженное!и члекгрическо! о поля в нем тт. как следствие. -уменьшение верой!ноети ударной иошшшш кристаллической ¡»еаччкн и нопоз примесей ускоренными злектронамн. иопадающнмн ь область сильного ноли. Яркое'л. злекфо.чюмпкеецеицни кристалла при этом постепенно надает, происходит деградация (сгарснис)ЭЛМС.

Псиользуи уравнение непрерывности <ш / о: ~ - <к/ ' Ох , в котором ' - время. 1Сч рему Гаусса для электрического поля, связь напрях-енноети злеюрнческого поля с потенциалом, а также серию граничных и начальных условий. мы построили сие I ему дифференциальных уравнений, решив которую численно, можно получи ¡в картину распределения ионов меди в зерне люминофора на разных стадиях старения, а также понять, как при гном меняется напряженность К электрического ¡толя » барьере. К -ной системе мы добавили ряд выражении, связывающих с напряженность^ Е яркость /. предпробойнои электролюминесценции.

Пренебрегая изменением со временем начальною тока /,. з.зек-тронов, входящих в область барьера, для изолированного кристалла люминофора, возб хдаемого переменным иацрчжеиием, можно записать, что I, ~ Мх А", где М - коэффициент умножения электронов, Л7 - число ионизации, приходящихся на каждый вышедший из поля носитель заряда. Поскольку .V !- //Л/, то Ь -- Л7'/-Л').

Возникновению электронной лавины в цниксу.чьфидпыч люминофорах, соответствует выражение

и

/V - /а( х) X е.\р[-/а{ л '}<!х '¡а к. - (3)

о о

в котором параметр а имеет смыс,. коэффициента ударной иошпацин:

а - Г,/Л'« ел/)/- (\ /Ег ■ (4)

а величина коэффициентов < ; и С:, рассчитывается с учетом пороговой энергии иошпацин, длины свободного пробега электронов, энергии оптических фононоз в УлЗ.

Решение полной системы уравнений, учитывающей как формулу (I), так и выражения (3) и (-!), пошолило рассчитывать ход кривых 1.(0 спада яркости н сравшшль их с полученными в эксперименте. Поскольку и наших вычислениях яркость электролюминесценции выражалась в относительных единицах, главным критерием соответствие теории эксперименту являлась адскаагноеть получаемых и в том и в другом случаях численных значений времени иолуспада яркости /|!5., а также вида зависимостей ¡!>5 ог температуры и напряжения. Расчёты показали, что :

а) модель хорошо описывает ход температурной зависимости времен!; полуспада яркости порошковых 7м$:Си - ск'гролюмино-форов; известный из литературы и подтверждённый нашими расчётами. Некоторое отличие энергии активации старения (около 0,4 -Л)} от энергии активации диффузии ионов меди в монокристаллах сульфида цинка (¡К •» 0,7 ,>В) объясняется высокой степенью дефектности структуры зерен порошковых электронюминофороа, которая вызывает снижение величины '>'■'.

6} модель позволяет дать объяснение наблюдающейся в эксперименте зависимости ¡„¡(I'/ времени полуспада, яркости от напряжения. Продемонстрировано, что вид соогвстствутощнх кривых определяется условиями ускорений электронов и барьере п зависит, г. частности, от начальной концентрации заряженной примеси в барьере. Показано, что н некоторых случаях спад времстш ; с ростом V Сз акой спад наблюдается в экспериментах для ЭЛИС зелёного, жёлтого и кроеного цвет о» свечения) способен смениться его возрастанием (что мо;:<ет иметь место в случае ЭЛИС с голубых; свечением);

а) на основании анализа уравнений, описывающих процесс ударного умножения носителей заряда в сильном злектрнче^сохт тюле, дано объяснение часто наблюдающемуся в экспериментах явлению некоторою возрастания яркости на начальном участке эксплуатации хак фотючинсспентных конденсаторов;

с) проанализированы возможности возникновения стационарно! о и кпд <исгацнонар:ю1 о режимов деградации электролюминофоров. ко;да их яркость в течение достаточно долгого времен»

НраКТИЧССКН ПС-рСПоОТ МСНЯП.СЯ СО ЬрСМСНСМ. ВыЯАЛСНЬ! условия, при которых нозможио возникновение таких режимов.

В шоп же главе проанализирован пкчад различных компонент потока электронов и создание начального тока /., электронов сквозь гетеропереход ZnS:Cu - Сму5. Покатано, «по этот ток имеет как туннельную, так и над барьерную составляющие, причем обе составляющие сравнимы по величине. Учет •»¡ото факта позволяет объединить крайние точки зрения на природу начальною тока через гетеропереход, объясняя, каким обратом туннельная компонент;! тока может записи ть от температурь!.

Анализ тонных схем различных модификации C'utS покатал, что хотя проникновение ионов меди, мигрирующих из объема зерен ZnS.Cu по вторую фату, и приводит к некоторому изменению её стехпометрнческого cocí ¡¡»а (увеличивая величину параметра г), тем не менее, :>го изменение напрямую не может бъпъ ответственным за деградацию эле.кгродюмннсенентных шлу<; лелей, поскольку начальный ток 7t) злекфонов черет гетеропереход Z¡iS:Cu - C;¡.S при обобщении Cu,S медъю должен не сипжаи.о, а «отрастать. Г)гн оценки еще ра< «одт-рждат вывод о том, »по именно перераспределение •заряженных точечных дефекюп (иоиоа междоутелънон мед») и барьерной чае i н зерен сульфита шиткл, кьппанное ¡и »¡денег и нем сил/,ното неоднородного э.чекtрнчееко»о поли, шьются t>cHOBit»jíi причиной постепенного спада яркости сухих порошковых ZnS:('u -электролюминофороп.'

Кроме вышесказанного, и перкой г лапе диссертации продемонстрировано, что наличие разброса зерен люминофора по размерам следует учитывать не только при иптерпрелании нольтиркосшых характеристик злектрог .эмннесцслгных конденсаюроп (как я о .делалось до с».х нор), но и Tipn объяснении результатов Экспериментов но старению порошковых элекгролюмннофоров.

Изложенные результаты опубликованы в работах [1 - 30].

По ююрой главе рассмафшшогся результаты исследований тонко-пленочных электроакшинесцетиыч структур (ÍJC; айда t)uiu'i;r»ii>u¡<-ZiiS:Mr,-oti).w<nipuK, здесь же обсуждаю к-я некоторые вопросы, сиизаннме с условием« создания подобных излучателей.

Па яркости и сроке службы ЭЛИС лого типа мокег сказаться много факторов, среди которых - не только режимы хранении и эксплуатации образцов, но н тс, которые снизаны с выбором материалов для отдельных слоев структуры, режимов их нанесения н т д. Кроме того, поскольку до сих. нор не явлчкися окончательно выясненными причины, приводящие к постепенному спаду яркости таких структур, нами был выполнен иикл исследований. посвященных изучению деградации ТЭС; данные экспериментов проанализированы.

в частого?, с учётом изложенной в нерпой главе модели процессов, происходящих в рабочих слоях ЭЛИС.

Анализ явлении, сопровождающих работу тонконленочных эпек гролнтмннео дентнмх шлуча гелей, покатывает, что процессы, ведущий: к постепенному спаду их яркости, разделяются на две »руины, н первой из коюрмх гожно объединить те из них, которые связаны с разрушением электродов и слоев дизлекфика, а но «торой - пронесем, обусловленные изменениями непосредственно в слое '/.■■<>:Мп и на Гранине раздела люминофор-диэлектрик. При этом измерения яркости ТЗС не только ни напряжении, при котором идет их старение, но. пара плел»,но. и на меньшем напряжении при котором ударны», процессы имеют мссло лишь а приграничной части барьера, показали следующее:, яеградацнонные явления, происходящие ь слое У.пУкМп, затрагивают в первую очередь ту его часть, напряженность электрнчсс-ьчхо поля а которой максимальна. Гхлп при этом учесть, что старение Г УС «о многих случаях имесг хермоакпшлииокный характер, а также то, что его скорость зависит от напряжения возбуждения, го можно вывод о ю«. что та т компонент старения 'ГЭС. ко юра.'' обусловлена дефлдацпен самого люмннофоокого слон, определяется элекгро-мшраииен заряженных точечных дефекдоя структуры люминофора (предположительно - вакансий сори), то есть - мехапи ¡ом, схожим с 1ем. который имеет место и в случае порошковых ЭЛИС. Таким образом, математическая модель, представленная в первой главе, может быть с. успехом применена и для описания дефадашш 1ОС.

Наряду с этим показано, что яркость свечения н величина порогового напряжения «¡жтнания в значительной мере определяются природой диэлсктрнчееких слоев, а также - технологией нанесет»! всех элементов ТЭС. В частности, установлено, что использование диэлектриков, в состав которых входит оксид иттрия (например, -'¿Юл-способствует 'не только созданию изолирующих пленок, обладающих достаточно высокой дюлешрнческон проницаемостью, по и появлению добавочных энергетически*, уровней на границе разиела люминофор-диэлектрик (эти уровни являются, источником начального тока электронов, формирующих лавину носителей заряда в сильном поле приповерхностных барьеров тонконленочных структур).

Исследования, выполненные в рамках огработки технологии изготовления тонкопленочных излучателей, позволили дать ряд практических рекомендаций по совершенствованию конструкции установки для элекфонно-лучевого напыления пленок 7.и$:Мп, а также - по оптимизации режима процесса получения этих пленок.

Результаты исследований, которые описаны в настоящей главе, от ражены и публикациях [1, 2, 3!-36|.

1Л

Трсп.я глада посвящена рассмотрению процессов, которые происходят в люминофорно - диэлектрических слоях ЭЛИС при проникновении а них влаги. Предмет исследовании был выбран, с одной стороны,, из-за крайне негативного влияния влаги на срок службы электролюминссцентных излучателей, и, с другой стороны, из-за того, что до недавнего времени точка зрения на природу процессов, которые происходят внутри ЭЛИС, работающих во влажной атмосфере, была не столь одиошачной, как это имеет таесто в случае старения сухих люминофоров. Миошс авторы были склонны обьяснять быстрый спад яркости влажных '-'¡екхролкшпнесценшых слоев протеканием реакции электрохимического разложения сульфида цинка, в результате которых на самой »Поверхности зерен люминофора появляется плохо пропускающий свет налет. С появлением гипотезы о решающей роли изменений состава »торой фазы в гетеропереходах Z'¡5.•('н - С;.-. .V "а процесс старения яороизкопых 2«5:0/-электро-люмнпофорив возникло предположение о том, что электрохимические реакции на поверхности микрокристаляов люминофора недуг к ускоренному разрушлшю этигетеропереходов, ".то » итоге также означало бы быстрый спад яркости изд) чат елей. и т.д. В связи е этим необходимо было не юлько выясиигь, какие процессы реально способствую!' ускорению спала яркости электролюминесцснтпых излучателей во влажной атмосфере, но и определить относительный вклад этих процессов в общую деградацию образцов.

Комплексное изучение влияния плати на основные характеристики ЭЛИС, работающих на переменном напряжении, показал», что при проникновении влаги внутрь люминофорно-днэлектрнческого слоя не происходит существенного изменения вида этих характеристик (исследовались вольт-яркостпые, часктш-яркосшые, температурные и другие характеристики олсктролюминофорог. разных цветов свечения с различными связующими в широком диапазоне условий хранения <; эксплуатации). В то же время, ряд параметров ЭЛИС меняются таким образом, как это происходит при обычном увеличении напряжения на образце.

Вышесказанное позволило предположить, что влага, нроыика-з в ЭЛИС по микротрещинах« и капиллярам я связующем диэлектрике, как вещество с большой диэлектрической проницаемостью способствует перераспределению внешнего напряжения V между люминофором и диэлектриком: напряжение, приложенное непосредственно к зёрна;.! люминофора возрастает. Повышение »-'сопровождается, я свою очередь, увеличением напряжения на барьерных областях микрокристаллов люминофора, областях, в которых происходит ударная ионизация и основная доля нзлучатсльиых рекомбинаций при электролюминесценции. Именно поэтому проникновение влаги в ЭЛ ПС сопровождается:

а) ростом яркости электролюминесценции L\

б) сдвигом п сгорону меньших напряжений графика вольг-яркостной характеристики ЭЛИС, а также - зависимости от величины V разности фат между моментом времени, когда возбуждающее напряжение равно нулю и моментом времени, соответспплошим главному пику волн яркости.

в) изменением температурной и частотой зависимостей яркости электролюминесценции;

г) более заметными изменениями спектра электролюминесценции образцов с голубым цвел ом свечения, чем у старившихся в течение того же времени ЭЛИС с сухим люминофором;

д) сдвигом заспснмосш /, (V) для люминофора с голубым свечением к сторону меньших 1'(г,- премя спали яркости эт начальной Ló до уровня L(i,) = ;'/.„);

е) ускорением электродиффузионных процессов, приводящих к деградации ЭЛ ¡ 1С.

Предложенный механизм влияния влаги на параметры ЭЛИС позволяет обыгепигь:

- почему прогрев люминофоров, состаренных в присутствии влаги, так же, как' и сухих, приводит к восстановлению яркости их свечения (это происходит из-за возвращения в область барьера ai омов меди, ушедших из барьера в ходе старения);

- почему ил практике у пляжных ЭЛИС может наблюдаться обратно пропорциональная зависимость времени полуспел яркости ЭЛИС от начальной яркости L0 свечения образцов (в области рабочих напряжении L0 ~ f" , в то время, как /,) 5 ~ (, где : ~ р ~ .1);

- каким образом получается, что замена синусоидального напряжения на импульсное, продлевающая срок службы сухих ЭЛИС, в случае влажных, образцов не только может не лап. ожидаемою результата, но д:» -:е уменьшит время /1П (для создания тон же средней яркости при переходе к импульсам приходится упеличпн.иь чх амплитуду, что резко ускоряет деградацию влажных излучателей).

Оценки, связанные с вызванным влагой перераспределением напряжения пнуэ7)н люминофорно-диэлектрическото слоя, подтверждаются расчётами электрических параметров сухих и Влажных ЭЛИС, а также - прямыми измерениями влагопоглощенпл рабочих слоев элеклролюмипесцентных конденсаторов.

Помимо электродиффузионной компоненты деградации, существенную роль при старении влажных электролюминофоров могут шрагь электрохимические процессы, происходящие на поверхности зерен в присутствии влаги. Протекание соответствующих реакций приводи i к потемнению слоя люминофора, вследствт.с чего световой поток, ьм ими шип из эюю слоя, снижается: яркость ЭЛИС падает. До прове :сппя наших исследований природа темного налёта была

la

известна лишь предположительно, прямого определения его состава выполнено не было. Памп показано, что:

- в ходе старения па поверхности зёрен люминофора, работающего во влажной среде, выделяется металлический цинк (данные анализа ренггенозлектронных спектров свежих и состаренных люминофоров);

- потемнение влажных ZnS.Cu - люминофоров можно вызвать засветкой коротковолновым излучением: соответствующие реакции аналогичны тем, которые имеет место при старении ЭЛИС.

На основании получапных данных сделан вывод о том, что элементарный цинк, образующий тёмную пленку на зерне люминофора, возникает вследствие электро- (или фотохимического) разложения основы люминофора - ZnS на элементарные цинк и серу. Важную роль в этих реакциях играют неравновесные носит ели - дырки, рождающиеся как при ударном возбуждении в электрическом поле, так н при фотовозбу,адснии светом с энсргней к -.антов, большей ширины запрещённой зоны А/Г в сульфиде цинка: ни в отсутствие свечения люминофора (на малых напряжениях, когда не происходит ударной г.оннзацни), ни при засветке излучением с энергией квантов, меньшей t\E, элементарный цинк не выделяется. Измерения позволяют утверждать также, что образование тёмного налета происходит пг равномерно по поверхности зерна, а вблизи областей, ответственных за электролюминесценцию: вкраплений второй фазы, выхода на поверхность дислокаций, микротрещнн и т.д., то есть у тех мест, где адсорбция влаги происходит в первую очередь.

Нами проведено сравнение вкладов электродпффузионпых и электрохимических процессов в общий спад яркости ЭЛИС, работающих во влажной атмосфере. Показано, что уменьшение яркости, вызванное потемнением люминесцируюш.его слоя, даже в случае люминофоров, которые долгое время хранились в атмосфере с повышенным содержанием влаги, составляет не бол трети от общего спада яркости образцов. Доля электрохимического старения может возрасти лишь на дальних стадиях деградации, когда электро-диффузноннос старение заме,злится, а яркость образцов будет существенно меньше половины начальной. *

Таким образом, ' комплекс проведённых ' исследовании доказывает, что старение порошковых ZnS. C'u - электролюмннофоров, возбуждаемых переменным напряжением, имеет в первую очередь элсктроднффузиошг j природу как в случае сухих, .так и в случае влажных люминофоров.

Результаты исследований изложены в публикациях [1-3, 37 -51].

В четвертой главе рассматриваются возможные пути повышения конкурентоспособности порошковых электролюмннеснентных устройств, возбуждаемых переменным напряжением, направления

работ, связанные с совершенствованием как отдельных элементов конструкции ЭЛИС (люминофоров, диэлектриков), так и всей конструкции излучателей в целом, а также - с поиском оптимальных режимов технологического процесса изготовления образцов и с выявлением тех условий эксплуатации ЭЛИС, при которых их достоинства выявляются наиболее полно.

1. Люминофор, диспергированный в связующем диэлектрике -главный элемент электролюмиш.ецентных источников света, и именно поэтому основное направление исследов шип было связано с изучением процессов, происходящих п излучагощлх свет мпкрокрнсталлах 7.гЯ -основе промышленных элсктролгомипофоров.

Расчёты, выполненные на основе электродиффузионнон модели старения, позволили сделать вывод о том, что скорость падл яркости определяется формой энергетического барьера, в котором происходит миграция примеси; при некоторых условиях спад яркости способен замедлиться настолько, что можно говорить о квазистацпоиарном режиме работы излучателей. Это означает, что синтез люминофоров с заранее заданным профилем распределения примеси по кристаллу должен привести к созданию сверхстабильных излучателей, время полуспада яркости свечения которых значительно выше того, которое характеризует существующие ЭЛИС. По-видимому, ли рекомендации могут быть реализованы в первую очередь при изготовлении светонзлучающих тонкопленочных ZnS.Cn - структур, возбуждаемых постоянным напряжением.

Паши исследования позволили сделать некоторые выводы о целесообразности поиска путей изменения состава второй фазы па поверхности зерен ZnS.Cu. Выше уже упоминалась точка зрения, согласно которой спад яркости порошковых элекзгролюминесцепгпых излучателей со многом связан с постепенным изменением стехио-мсфии включений сульфида меди См^.5, где .г ~2; высказывалось предположение о том, что предварительное насыщение этой фазы медью должно повысить стабильность ЭЛИС. В противоположность этому, сделанные нами оценки однозначно говорят о том, что переход О/,5 в состояние с большим у скорее является не причиной деградации, а следствием электродпффузиопного старения и связанной с ним миграцией примеси из барьерных областей кристаллов ZnS:Cu\ само же изменение структуры второй фазы происходит не в такой сильной мере, чтобы оно носило катастрофический характер. Именно поэтому выдвигающиеся иногда предложения о проведении работ по синтезу люминофоров с второй фазой, обогащенной медыо, вряд ли могут счнзтиься перспективными в смысле создания более стабильных ЭЛ! 1С.

В главе 3 мы показали, что если в готовый излучатель иро.шкаег влага (например, конденсируясь из воздуха), то помимо ми. ранни заряженной примеси заметный вклад в общий спад яркости

2d

moivt дать электрохимические процессы разложения основы люминофора - сульфида цинка, существенную роль г. которых играют неравновесные дырки. Мы обнаружили, чго введение в люминофор эффективных дырочных ловушек (которыми могут являться, например, атомы меди, замещающие цинк в решетке ZnS) приводит к снижению уровня потемнения люминофора, то есть - к замедлению его старения. Таким образом, выявлено перспективное направление работ по созданию стабильных люминофоров связанное с введением в их сослав попов примесей - дырочных ловушек и, в частости, с оптимизацией содержания в них меди.

Еще один путь ослабления влияния электродиффузионнок компоненты дсчрадацин эдектролюмннесцентных источников CBCia связан с созданием таких структур, область концентрации сильною электрического ноля в которых не содержит подвижных ионов примеси. Ускоренные в эюй области электроны попадают в следующий, легированный спой люминофора, в котором происходит ударное возбуждение центров свечения с последующей излучагельион рекомбинацией. При возбуждении переменным напряжением направление потока ускоренных- электронов меняется каждые полперпода, поэтому подобная структура симметрична: за легированным слоем располагается еще один, преднвзначен"ый для ускорения электронов. Памп предложен вариант устройства, воздействие электрического полк на свегонзлучающая область которого ослаблено ¡-ведением металлических, проницаемых для электронов плёнок между этой областью н соседними, предназначенными для ускорения и умножения носителей заряда. В экранированном излучающем слое люминофора электроднф-фузнош. i компонента деградации ЭЛИС будет подавлена, что должно привести к увел .ченню времени полуспада сто яркости.

Хороню известно, что существенным недостатком серийных люминофоров является заметный разброс их свойств (в частности -времени полуспада яркости) от парши к партии. На первый взгляд этот факт не вполне понятен, поскольку производство люминофора конкретной марки идет по заданному технологическому процессу, определённому соответствующими техническими условиями.

Для выявления возможных причин различия свойств люминофоров разных партий нами было проведено исследование эшх люминофоров с помощью люминесцентного микроскопа ЛЮМАМ-ИЗ и анализатора размеров частиц COULTER ТА2. Эти исследования показали, что:

- промышленные люминофоры одной и той же марки, но разных партий могут заметно отличаться по своему гранулометрическому составу; .

- среди микрокристаллов серийных люминофоров голубого (и в меньшей степени - желтого) цвета свечения может встречаться

шачнгельное (до 20% от обпито числа) количество зерен, изчучаюипгх спет в других (зеленой, оранжево-красной и т.д.) областях спеклра или не светящихся совсем.

Известно, что уменьшение среднего диаметра зерен люминофора сопровождается увеличением яркости и одновременно -снижением t0¡. По итогам проделанных экспериментов можно сделай, вывод о том, что для уменьшения разброса параметров порошковых ЭЛИС необходимо принимать дополнительные меры по злее жесткому контролю технологических параметров процесса ciinieia применяемых в них электр^ люминофоров.

2. Разнообразие требований, предъявляемых к ЭЛИС, не позволяет остановить выбор только на одном из диэлектриков, который moi бы быть использован для изделий всех типов - имеющих жесткий корпус и гибких, работающих п обычных условиях и способных выдерживать повышенные температуры и т.д.'Именно поэтому памп был выполнен цикл исследований, позволивших предложить ряд новых перспективных связующих для люминофорно-диэлекгрнчески < слоев порошковых ЭЛИ^..

Существующие типы органических связующих, как правило,- небезопасны п экологическом отношении. Так, в состав широко применяемого диэлектрика НС-530 входя г иианопые группы, диэлектрик ')II-W> готопитст на основе эпоксидной смолы (обладающей канцеро!синими свойствами) и т.д. Поиск нетоксичных связующих позвонил, нам выявит', группу пещс'ст.ч - полиорганосилсесквиоксаноп, которые с успехом могут быть использованы для проп .аодсгва электролю-мииесцентпых устройств. В качестве исходных материалов мы взяли кремнеорганическне лаки серии КО. Г /бор этих связующих был обусловлен их доступ' зезз.ю (они производятся » промышленных условиях), нетоксичностыо,'стойкостью к зоздейстш а повышенных (до <»-200;,С) температур (для сравнения - люминофорно-диэлек) ри-чесхне слои с лаком ВС-530 начинают размягчаться уже при достижения примерно +60''С).

В ходе экспериментов н;. ,н был опробован широкий ряд полчвинилсесквиоксаповых лаков с различным содержанием ме-гильиых и фечнль .ь:х труни. В результате установлено, чю наиболее высокая яркость свече-ння характерна дня образцов с лаком К()-Н!2 ч его аналогом КО-ЗООЭ. В режиме 220 В, 400 Гц яркость излучателей с этими диэлектриками состави-ла 20+2 "> кд/мг и 35+38 кд/м-соответственно (люминофор с зеленым свечением), то есть оказалась не меньше, чем у электролюминесцентных конденсаюров со связующими ВС-530 и ЭП-096.

На основе промышленного лака КО-300Э были и и от оплечна опыт ле партии электролюминесцентных панелей размером ?<)() х мм- при толщине 2 мм, которые не только выдерживали н.чр.ч» .и>

+200"С, но и (при наличии герметизирующей прозрачной полиуре-таноиой оболочки) сохраняли работоспособность после длительного (не менее месяца) пребывания в сс уде с водой. Таким образом, кремнеорганич кий диэлектрик КО-ЗООЭ имеет хорошие перспективы применения для создания порошковых электролюминесцентных конденсаторов.

Перечисленные выше кремиеорганические связующие при полимеризации образуют твердые слои, которые обычно и необходимы для того, чтобы создавать ЭЛИС стандартной конструкции. Нами также был проведен цикл исследований по поиску связующего, которое позволило бы изготавливать гибкие электро-люмннесценгиыс структуры па проволочном каркасе. Среди критериев выбора диэлектрика для этих целей можно перечислить следующие: высокая яркость получаемых излучателей (в реальном технологическом процессе нспользусгся связующие, диэлектрическая проницаемость которых невысока), хорошая адгезия к проволоке, равномерность ' растекания по каркасу, гибкость . в подимеризованном состоянии.

Паши эксперименты показали, что одним из перспективных диэлектриков для использования в излучателях этого типа является полиьиннлацетатный компаунд ПВЛ, после полимеризации которого получаются образцы с яркостью, уступающей лишь яркости электролюмппссцептных структур на основе лака ВС-530 и значительно превышающей яркость источников света с эпоксидными связующими. При этом компаунд.ПВЛ превосходит ВС-530 в степени адгезии к проволочным электродам: это приводит к тому, что излучатели, изготовленные на его основе, характеризуются существенно более высокой равномерностью свечения. Помимо перечисленных, предлагаемое связующее обладает еще двумя несомненными преимуществами: во-первых, оно намного дешевле традиционно используемых, и, во-вторых, более приемлемо экологически, поскольку не относится к труппе веществ, вредных для здоровья. Таким образом, перспективность применения компаунда ПВЛ (или веществ этого семейства) в качестве связующего диэлектрика дня производства электролюмпнесцснгаых излучателей (в том числе - гибких) становится очевидной.

Пщс одним этапом наших исследований явилось создание легкоплавкою стеклоэмалевого' связующего для электролюминесцентных конденсаторов. Как показано в главе 3, традиционно используемые в этих целях щелочнооксидные стёкла (типа Р-45) обладают низкой стойкоетмо к воздействию ьлатп. а халт когеиид.чые - плохо пропид.л: н спет 11 коротковолновой об глет и спектра. Нами рафабоыно легкоплавкое (темперам ра пл.,и теши окечо +670 С) ьпехиторатиое ( У.г.О-НЮ^ - II ({,) с текла 4'.>{УА обладающее

не только хорошей стойкостью к воздействию плати, но и позволяющее создавать излучатели с вдвое большей (чем у ЭЛИС с Р-45) яркостью: диэлектрическая проницаемость этого связующего близка к 15, в то время как у щелочноокендных стекол она не превышает 5 т 9.

3. Следующий раздел посвящен рассмотрению вопросов, связанных с совершенствованием технологического процесса изготовления элекгролюмипесцентных конденсаторов.

В рамках этого направления работ нами было исследи вано влияние на свойства ЭЛИС с различными типами связующих диэлектриков у - облучения дозами до 1,2x109 рад ("максимальные дозы облучения ЭЛИС, о которых сообщается в литературе, не превышают 106рад). Нами установлено следующее:

- у - облучение даже максимальными дозами не приводит к потемнению евпзу: щих на основе стеклоэмалн {¡'-45), вследствие чего образцы па металлических подложках оказываются гораздо более стойкими к воздействию радиации, чем ЭЛИС на стеклянном сновании, коэффициент пропускания которого резко снижается уже при дозах выше 1С" рад;

- обнаружено явление возрастания яркости свечения подвергшихся у - облучению образцов со стеклоэмалевым связующим Р-45. Наиболее явно этот эффект наблюдается при дозах облучения выше 107 рад; полученный результат заставляет внести коррективы в существующую точку зрения, согласно которой у - облучение ЭЛИС однозначно способствует понижению яркости излучателей.

Особенностью обнаруженного эффекта Явилось то, что он наблюдается лишь на образцах со стеклоэмалевым связующим Р-45 (органические диэлектрики при высоких дозах облучания темнеют и растрескиваются), при этом, однако, как электроёмкость, так и тангенс угла диэлектрических потерь стеклоэмалсвых ЭЛИС, подвергшихся обл/чению, меняются незначительно. Это свидетельствует о том, что возрастание яркости нельзя связан, с изменением электрических свойств самого связующего. Кроме того, выяснилось, что у - облучение непосредственно порошка люминофора не приводит х увеличению яркости излучателей на его основе, то есть облучение (по крайне!! мере дозами до 10' рад; не вызывает заметных изменений и п объёме зерен. Таким образом, эффект возрастания яркости можно объяснить лишь, рассмотривая процессы, происходящие в приграничной облает барьеров структуры диэлектрик-люминофор.

Измерения показали, что при увеличении дозы поглощаемая электрическая мощность Лэюг меняется слабо. Но поскольку яркость электролюминесценции пропорциональна как Л/ц„г, так и энергетическому выходу то наблюдаемое в эксперименте возрастание яркое;и облучённых образцов однозначно следует связать с увеличением выхода. В свою очередь, выход //* - Ы'Р, где Л' -

кватовый выход процессов ионизации, а Р - квантовый выход г 'туннельной рекомбинации, причем величина N определяет! напряженностью Е электрического поля в области энерктнчеекпх барьеров зерен люминофора. Однаки, полученные памп данные о саренпи облученных элек!ролюминссцентных конденсаторов свидетельствуют об отсутствии влияния у — облучения на скорость спада яркоепт вплоть до доз порядка 1,3х107 рад. '1'ак как время полуспада яркое!и определяется скоростью эдектродиффузпоппых процессов, повышающейся с ростом Е, можно сделать вывод о том, что в этом ишервале доз ни Е ни N практически не меняются, а рост выхода вызван, в первую очередь, увеличением доли пзлучательных переходов в люминофоре.

Наиболее вероятная причина повышения Р заключается в увеличении концентрации мелких дырочных ловушек в барьерной част зерен люминофора ЭЛИС, подвергшихся облучению (наличие таких ловушек необходимо для того, чтобы дырки не уходили из барьерной част зёрен во вторую фазу и могли рскомбнннровать с »лекфонами, возвращающимися и эту область зёрен при перемене знака возбуждающего напряжения). 'Гот факт, что эффект возрастания яркости после облучения обнаружен у ЭЛИС со стеклоэмаиевым (Оязующим, связан, на наш взгляд, с тем, что концентрация таких ловушек- в необлучшных образцах этого типа оказывается искусственно заниженной при их изготовлении (в результате прогрева чюмннофорно-диэлсктрнчесьой смеси при температуре, требуемой дня онлавнения стекла Р-45). Последнее подтверждается хорошо и шестым фактом заметно меньшей (обычно в 1,5+2 раза) начально!!, яркости с1еклоэмалеиых ЭЛИС" по сравнению с излучателями с орт аш-чеекпмн связующими диэлектриками.

Очевидно, что обнаруженный эффект можно использовать для увеличения яркости злектр>. ■люминесцентных конденсаторов, которые и н отапливаются с использованием легкоплавкой стеклоэмали Р-45.

Помимо исследований влияния радиации на свойства ЭЛИС, нами были выполи ны работы, дозволившие предложить способ коррекции цвета свечения ЭЛИС, делая сто более насыщенным. В случае "зеленых", "желтых" и "красных" люминофоров максимум спектра электролюминесценции можно сдвинуть па 5 н-15 им ь длинноволновую область, в случае "голубых" - в коротковолновую. Изменение спек фа происходит в результате прогрева готовых ЭЛИС при 1емпсра1уре порядка + 150-'С; эффективность прогрева зависит от сто дттетьносш н температуры. Особенно отчетливо эффект иаб п' I пен'я у образцов, и и озовленпых на основе аеклоэмапевых . 1-ч 1\¡, >щ,|•ц.ч'кои.ку к'миерагурз требуемая для прогрева, п!лвм1п;вч -I -О!)"' '; и|ч линчей кие дтплектрвкп при этом, как праымо. :■.; .м:п ч.||!1?ея н р.: фушаюи-я. Ироде 1атиые нами эксиериме!.ты

позволили смчзагъ наблюдаемое явление с ши.шасмни про» ревом изменением спекзраиьноп зависимости прозрачного электрода -плёнки ¿нОт.

Нами проведена опенка во »мощного воздействия магнитного поля на старение ЭЛИС. Измерения, выполненные как на влажных, так н на сухих люминофорах (магнитное поде, в припишите, могло бы влиять на ход как' здекгродиффушонных, гак и электрохимических процессов), позволили сделать вывод о том. что постоянное магн лное попе индукцией вплоть до 1 Та не оказывает влияния на ход деградаииоиных процессе» а ?п8:Си - элск гролюмичофорах. Ноли учесть при этом известный факт о том, чю млпипное поле не сказывается н на яркости электролюминесценции, то становится понятно, что ЭЛИС обладают добавочным преимуществом (¡сред электроннолучевыми и ппс разрядными приборами, на работу которых магшшюе ноле оказывает существенное воздейп »не.

^дним из этапов технологической кепочки изготовления ЭЛИС является измерение их параметров тт. в частности - контрольные измерения времени почуспадч яркости. Очевидно, '¡го чем выше /.¡?, те т больше времени занимают испытания, и. в некоторых случаях {например, па стадии отработки отдельных :>лемешов технолот ичегкой цепочки: выбора состава связующего, режимов нанесения слоев и т.д.)1 особую остроту приобретает задача сокращения этого времени.

Большая часть существующих.методик ускоренны'; испытании основана на варпадтш какого-либо из параметров, характеризующих режим возбуждения элекгролюмипеецштиых . .энденеаторов, чаще всего - температуры Т или частоты ! возбуждающего напряжения. Недостаюк этих методик заключается в ограниченности верхнею предела тех значений 7'и/, при которых ми.кно проводи«, испытания и получать нри этом данные, нрш одные для расчёта /„

а Для того, чтобы ускорить процесс старения образцов, не вьпивая щи» этом нежелательных эффектов, нами была разработана методика, сузь которой сводшея к однопрсменному е?ио:и.'«ояаншо зависимостей времени полупыда яркости и со температуры и от частоты. Эксперимент показывает, что зависимость временя полуспала яркости ог члетотм по збу .«дающего напряжения и темпера*уры можно предст а:ш ть тт »иде

~ ?УР(С/Т),

где С • коэффициент, не зависящий от частоты, и темтратурм. На основе этой формулы можно получить соотношение

■ Ш^лш. ЧШ) - 1ГТ- //Г.!М.

¡t к о юром (:u <)FM-„ Tfjilñ tt /р.,А - coo rom ct пенно время подуем,им яркое hi в поминальном режиме, рабочая температура {обычно - комнатная, около -t 20 С) и рабочая часто!а (составляющая, как правило, 40¡i Гц или ! кГц), a (t.n)uun * время нолус..,!да яркости (оно окатывается минимальным по сравнению с другими случаями) при работе при м.н.снмально допустимо»"« для и туча «еле»! данного ниш температуре 1\.)к, - (реально or +6!) .к > + i00;C) и максимально возможной 1п.яя того, чгобм нотретность определения /05 оставалась малой) частоте /„.„,. (как правило,- !0г15кГц).

Кыбрав два значения температуры ТМкС и T¡ (Tf,M} < T¡ < Т.и.tc), а также рассчитав но формуле'(7) соответствующие им значения /w„( и /., u эксперименте определяются (¡,,})VUl¡ h(i,.¡sI¡ • после чето, построив в коордтшах - l$(J) прямую, проведя её черет точки с

координатами il¡:i¡l)5!; , h-!j)¡ ) и (1ц,:(iÚS),u,„ . /tfí/) «„.■<> «< экстраполировав в облаегь, соони-тствующую ff,K„ но ¡рафику можно отиредс.'ннь искомое прем« (i,¡ .

Эксперименты показывают, что предлагаемая методика позволяет сократить (но сравнению с друт ими методиками) врем* йены танин па меньшей мере на порядок; ошибка определения времени нояусиада чркоепт ЭЛИС в рабочем режиме не превышает при '»'¡ом '•». Для снижения ногреишост а определении(t„число измерений при выбираемы* по формуле (7) значениях rsup температура-частота может быть увеличено.

И настоящее время явственно обозначился особый круг проблем, обусловленных задачей повышения конкурентоспособности порошковых элекфулитмннеснентмых излучателей, Именно поэтому далее в четвёртой главе рассмотрен ряд защищенных авторскими свидетельствами предложений, позволяющих расширить сферу применения подобных изделий, а также создать элекзролюминес-UCH1HMC устройства, которые обладают новыми потребительскими свойст вами.

Расширить возможности ЭЛИС можно за счёт {»несения изменений в их конструкцию:

- сделав непрозрачный электрод шлучатедя рельефным, что пошоляег получать эдскгродюмииссцеитныс ц.тнепн, изображение коtoptix является иолугоношя (в ЭЛИ'' обычного типа о iрадоциях яркости говорить кг приходи te», свечение либо есть, либо его нет);

- иерейдм от создания ицоских ЭЛИС к излучателям обьшншо типа, при и ас(>»тт,кшш коюрых параллельно расположенные тонкие прет».•.'..! itU'i рытые пто ¡ируыптим паком) навиваются на onpaoty цигфичср, - ничнн.'фнчсо-ой флрмы!, нчсае чею покрываются при и па.мят пу н.вери >,t i. >¡m черс- трафарет (пли рчзеппилвльтя вруи^ю ьпетт.н;; ;¡¡.<mhh-.форл-т- тн>ле<»iричесьнмн сем швами, содержащими Крис :а ыофосфирь; рншых иг.ект. свечения, ¡¡'осле потимеритацил

п

нил составов, нанесения зэннпной прозрачной пленки лиэ чек ¡рпка и ииьчеченич оправки понучакнсч полые свепнннеся конорукппн, размеры которых не щраничиваююя (как aro имеет место, например, при mnH'OBiicnit» плоских -»лектролюминеслентных. панно) размерами нро)рачмо1 о пленочноео элекгрода SnO:, поскольку они зависяí лини, ог i абаршо» используемой оправки.

üiue один нуп» расширения сферы использования иорошкокых щектролмминесисшных нчлуча'.елей - применение их в иелл*. не связанных с ипоюрченнем индикаторных усчроист и мифичных экранов, i! диссертации чан кр::i кип обзор сущесм'мошич предчо-л.енпн по применении.-» ЭЛИС в "печрадиннонных" иеляч н hüioaoh ра ¡раб'.наиныи е непосредственным участем автора способ выяннення электрических неодпоролиоеюй в полупроводниковых и нолупчпиц рукнпнх пластина . основанный на использовании разборною и iiojsoübKHHiiü визуализировать кар i илу распределения и их нс.'ПноеодностеП по образцу и дав. опера: ш-н^ю информацию о ею K'.i'HTt не. Привечен пример ишодыовлии« р.ччборнмх элекгролыми-иеоичпных 1,'он,н-неагир'.!.в для исследования кап»члчрнон фильтрации м,.<ернало«, рьниыеиия пут си, вичуали »аиии фронт и оиредеиеиия скоропи проникновении жидкое! ей (прежде »«.ею - воды) и t волокнистые и слоистые мак-риалы.

В целом, рез/льташ, представленные п четвертой главе, юво-ря! о юм, что возможности. которые присущи приборам, непоаьп'->ощим *лек(ролммипссиенни/о на .неременном напряжении, Moivr os-!!!, заметно расширены, что евндегелытвует о цершекпишоечн нзлу-чаюлеи этого тиха.

Итоги исследовании изло/Кены в г..бликациях [1, 32-73).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

, Совокупность представленных результатов позволяет сделать вывод о том, что в работе заложены основы ношю научного г правления по исследованию элсктродиффуэнолных процессов и 1 друз их явлении, определяющих деградацию электролюмпнесцснтных источников света (ЭЛСС), работающих в предпробонном режиме. В результате выполнения комплекса научно-технических исследовании автором осуществлено решение научной проблемы, имеющей важное народнохозяйственное значение - выявлен", природа процессов, приводящих к деградации ЭЛИС и предложены рекомендации по повышению качества н расширению ассортимента элекгро/номннес-ценгных излучателей на основе цинксульфидных люминофоров.

Основные результаты настоящей работы можно кратко суммировать следующим образом.

!. ({оетроена мгмематическая модель, описывающая электро-днффуиио заряженных точечных дефектов в кристаллической решетке. Особенностями модели являются учет неоднородности сильного электрического ноля, вызывающего направленную миграцию дефектов в дискретной среде, которой является кристалл, и возможность исследования шшянля проницаемости границы раздела дюлшнофор •■ вторая фаза на скорость деградации образцов. Модель применена к описанию процесса дет радашш порошковых 7мЗ:Си - ллсктролтомиио-форов, возбуждаемых переменным напряжением, что позволило дать объяснение наблюдающимся на практике зависимостям скорости спада яркости изготовленных на их основе источников света от напряжения и температуры окружающей среды: показано, что результаты расчета хорошо согласуются с данными экспериментов.

2. Па основании анализа уравнений, описывающих процесс ударного умножения носителей заряда ь сильном электрическом ноле, сделан вывод о том, что рашые част и энергетических барьеров дают неодинаковый ьклад в создание электронной лавины. В случае, когда напряженность злекгшчсского поля достаточно велика, коэффициент ударной ионизации а имеет максимальное значение не в .приграничной облает барьера, а в его глубине. Старение образца означает снижение напряженности электрического поля в барьере, что приводит к изменению координаты .с той области, где а достигает максимума. Кроме «ого, меняется форма кривой а(х) и илошадь под ней. характеризующая общее число ионизации ь барьере. Совместный учёт этих «ракторон дает возможность обьяснип. наблюдающееся и рчде случаев ид Ирак:-|ке явление некоторого в .л рас таити; яркости на н шальном \члстие жент\.и.гднп 'псктро.помшкч; ¡;п>ь!\ конденсаторов.

'Л-.-Проана ипирог.аны «ооао",. пост во ашкновения сташюпар-исло и (с^л ¡нстаапон.п люто режимов детрадашп! элоктролюмтг

нофоров, когда их яркость практически иерее гае г меняться со временем. Выявлены условия, при которых во ¡можно возникновение ыкич режимов. Пока чшо, и частости, что (вопреки встречающейся в литературе точке зрения) в кристаллах ?'.пК:Си не может реалптоватьсч режим накопления '.аряжениых дефектов вблизи внешне!! границы энергетических барьеров (например, - у поверхности)

4. 1 !а основе сопоставления резулыатов расчею» с данными эке-перименюв сделаны выводы, позволяющие уточним, значения ояда параметров, харакзч-рн зуюнш.ч процессы элекзродиффузии в порошковых Уп.Ч:Си - злеттрочюминофорах: кокрфициипа диффузии, шерпш ак!!!!1аннп диффузии, длины свободного пробега элекфонов г, обтает и барьера и т.д. 13 частности, судя по нашим опенка«.!, коэффициент диффуши меди по междоузлиям в 7.пЯ сост авлжт примерно 7лН)17 -: 5< 10 16 см-'с-', "чюр!и« активации диффузии - около 0,4 -• 0.5 эВ.

:. Продемонстрировано, что наличие разброс:1, зёрен люминофора по разменам с те о е! учитывать яс только /1 р я им-гериропщпи аольт-яркост них характерно нк элскт ролюминесистних т-.зк.дснса торов, но и при обьясиснии результат "в экспериментов по старению порошковых ■•■декфолюминофороп.

6. Проанализирован вклад различных компонент понжа эдекфонов а создание обще!о начального тока скво». гетеропереход Си,Я - 7.и$:Си, рассматриваемый в качестве энергетического барьера, » котором происходит ускорение носителей заряда. Покампо, что пот ток имеет как туннельную, так и иадбар'-ерпую составляющие, причем при обычных условиях возбуждения обе составляющие оказываются сравнимыми но везичпне. Учет этого .¿акта иошолил объединить г,стреляющиеся в литературе крайние точки зрения на природу начального тока черет гетеропереход.

* 7. Показано, что в случае энергетического барьера т етериперехода О/, - 7пЗ:Си проникновение ионов меди, мигрирующих из объема зерен У.п':>:Си во вторую фа »у Си,.V, хотя и приводит к некоторому изменению ее егехиомсфического сослана (увеличивая величину параметра ,0, нем не менее, это изменение не может являться оч-диекой причиной дегралаит« тяекфюпчзминесцент-иых источников света. Изменение состава фазы сульфида мели является лишь следствием электродиффузионных процессов, приводящих к перераспределению электрическою юпя ниугри микрокристад-лов, а шачнт, - к синжеишо яркости сухих порошковых >'/гЛЧ и -'••¡ектролюминофоров.

8. Анализ явлений, соирог чждлоишх работу гоакоилеиочимх э.чектролюминесиентнмх излучателе»'», показал, что процессы, не.г.нше к нос* пенному спаду их яркости, можно ратделип. па дно 1 рушил и первую ¿¡з котрыч обьедимчюкя те чипч, к.чорые : ■„ с

j¡«

I >; i'»j >y i j i cf 11 í crftf ')лек1родок н atoen /щуляп рнка, а во вторую - процессы, ¡ц'пиекающие непосредственно и слое ZnS:Mn и на границе раздела лк>ы!11юфор-ди»лектрик. Установлено, что деградация слоя ZnS:Mn в первую очеред» обусловлена эдектромифацнен заряженных точечных дефектов сфушурч (предположигеиыю - вакансии серы), то есть -описывается моделью, во многом схожей с той, которая иу.сст место в случае порошком,)* элсктро-люминофоров. Таким образом, разработанная нами математическая модель электроднффузионной компонен-ш старения миже/ бы п. применена и для описания деградации тонконаеночных 'ЗЛ ¡1С,

9. Проведенные -.»кепернменты показали, что яркость течения и величина uopoi ового напряжения зажигания во mhoi ом определи ¡о 1ся природой ди>лекфнчгскн.ч слоев, а также - технологией нанесения всех энеменго» тонкоплёночных электродюмииесцснтных структур. В частости, установлено, что использование диэлектриков, в состав коюрых входит оксид нгтрик (например, - ZrO:-Y/)<) способствует не год.ько создания) изолирующих пленок, обладающих достаточно высокой диэлектрической проницаемостью, но и появлению добавочных энерг ончсских. уровне)» на границе раздела люминофор-ди шектрпк. Din уровни являются источников начального тока 'мекгроноа, формирующих лавину носителей заряда а сильном поле припоиерхностных барьеров тонконлёночных структур, а их увеличение означает повышение яркости излучателей,

К). Исследования, выполненные в рамках отработки технологии ¿niогоиленнк кшкошгепочны.ч источников света, позволили дать ряд практ нческих рекомендаций по совершенствованию конструкции установки для члекгронно-лучевого напыления пленок ZnS:Aiti, а также, но огпимизанпх режима процесса получения этих пленок.

¡ í. i ¡оказано, что проникновение ялаги внутрь электропюмиисс- . нежных источников света с порошковыми люминофорами, которые »озб>ждаючся переменным напряжением. не приводит к принципиальным изменениям их основных характеристик (водьт-яркостных, частошо-иркостых, спекф.ътьных и т.д.). {'данным следствием про-ннкновения ьлаги внутрь люминофорно-днэлектрического и зашит но-офажающего слоев 'излучателе!! являете« нарераспределение напряжения ви'у фи чшемешоп структур!.) излучателя, г, результase которого падение напряжен..л па зёрнах люминофора увеличивается.

12. Выяснено, чнэ в первую очередь именно с повышением шжржюши на зернах люминофора при проникновении ила) и внутрь оминофорно-ди мек »рического и заннп ио-офлжающе! о слое» ic.a.aii'.' итиренпо до раданнонных процессов в этекфодюмпнеаямг-ны\ i'.Oü'viicaT орах. выдержни.шныхее доски очно долгое время г, а!\¡'.'Сфере с по; ышеннон «лажноегью. I акям обра ¡ом, за старение как 1>\п\, '.¡к и влажных »лекгролюминофорои ока и.таеая огвст-

ственным одно и го же явление: миграции заряженных доиорных примесей (междоучелыюй меди), нызванинч аозденсзвне« сильною неоднородною элекгрнческо»о ноля в барьерных обизпнх микрокристаллов. Это означает', в частности, -зт о описанная »¡.пне математическая модель электроднффузиошшх процессов, может с успехом применяться для описания детрадацин не только сучих люминофоров, но и злекгролюмннссцентныч устройств, '.зкеилуатировавшихся (нлн длительное время хранившихся) при иысскои влажности окружающей среды.

1.4. Показано, что второй но значению причиной, приводящей к ускоренной детрадании порошковых электрошомштесцон пн и излучателей, работающих во влажной среде, цвляегся шнемненне поверхности (образование на лей тонкого слоя металлического цинка) мтифокрисгпллов люминофоров. Согласно эксиеримеи гл -н.иыч данным. однако, вклад по темнено:' я общий спад яркости -не нреиышзег 30%. и это означает, что деградация подобных излучателей (гак же, как и сухнч) в первую очередь стызлна с электроднффушинными процессами в барьерных областях зёрен.

М. Па основе анализа результатов экспериментов но облучению як>м>шофор»мх слое» .учьтрафнояегоным излучением с ря тнымн длинами волн, сделан умвод о том, что появление темнот о на иста па поверхности микрокристяплоя 7.п5:С'и связано с протеканием в нрибарьерных областях зёрен элекфохимнчеекнч реакции, » которых принимают участие неравновесные дыр;,п. Эти дырки могуч рождаться как нри межзонном возбуждении слетом, так и пр ударной ионпзацпн под действием эле:;грического пол«. Образование trim метаишпесмло нинка ускоряете« во влажней атмосфере; бнаружено, что па скороаь протекания соотвегетвуоншх реакции существенное влияние окатывает изменение концентрации и нем меди: её повышение приводит к огл;>б'!снню процесса потемнения.

!5. По роулы атам, полученным в ходе бодьшот о числа измерений, проведенных с различными порошковыми люминофорами и связующими диэлектриками при разном их весовом соотношении в л(0М1Н!01{юри0-ди-)лекiрическом слое "щехфолюмннееценгных излучателей, которые, и свою очередь, исследовались в 'широком диапазоне значений амнтитулы возбуждающего напряжении и сто частот, температуры и влажности окружающей среды и т.д., сделан вывод о том, что специальна« защита поверхности зёрен люминофора хотя и .может ослабить процессы потемнеин.«, снизив сьоросн. дет ратании Образцов, тем не менее, она не в состоянии устранить основной, злекзроднффузноннон составляющей старсчшч. тпнннпе которой усиливается нрн повышении напряжении на зернах люминофора «следствие проникновения вл.нн тшу iрь тидучателя. Нопышешч* срох.» службы таких нзлучатетей и приближение сю к тому, ю.хорттм

характеризуются судне образцы, возможно, таким образом, шиш. при использовании герметичных корпусов и гидрофобных связующих.

!6. !'! настоящей работе показано, что повышения стойкости :);:ек;ро!поминО'!)оров к деградации можно достичь:

а) сиигезируя люминофоры, в кристаллах которых формируемся оптимальный (то сеть характеризующийся пижон интенсивностью •лек гродиффутионных лроцеесов) начальный профиль распределения заряженных точечных дефектов ■• ионов примеси (по-видимому, на иракшке эту рекомендацию (¡роще всего реализован» при изготовлении плёночных слоев сульфида цппка);

б) создавай излучатели, элсктроднффузионные процессы в лтоми нофорных слоях коюрых были бы сведены к минимуму за счет особенностей их конструкции (в частности - разделяя в пространстве области, s которых происходит умножение носителей заряда и идут процессы излучения свет):

в.) уменьшая вклад электрохимической компоненты старения в общий спад яркости образцов, снизив число дырок, выходящих к поверхности зёрен Y.nS и принимающих участие в реакциях электрохимическою раитпжения тномпнофора в присутствии влаги. Этого можно достичь путём создания эффективных дырочных ловушек у поверхности зерен люминофора (например, увеличивая концентрацию меди в приповерхностных областях кристаллов Zr.S);

г) совершенствуя технологический-процесс синтеза промышленных люминофоров в направлении повышения степени однородности получаемого продукта, в частност и - по гранулометрическому составу и спектрам излучения отдельных зерен, а также - снижая разброс по этим параметрам от одной партии люминофора данной марки к другой.

17. Поиск новых типов диэлектрических связующих, применение которых способно расширил, диапазон эксплуатационных параметров таектролюминесцетиных источников света, позволил предложить к использованию ряд материалов, обладающих довольно высокой ди-эчектрической нрони шемостью (к - 10 + 15). стойкостью к электрическому пробою и адгезией к люминофору и подложке излучателя. Среди предлагаемых связующих - кремнеорганические лаки тина КО (обладающие высокой термостойкостью и не содержащие iko:ioiплески вредных компенпп i, гк)ливиннч.и!е:атные связки типа ИВА (с юн па и\ основе м.я>1 с успехом применяться для изготовления гибких и ттучатс.чет! на проволочном основании. поскольку они характера !\1-.||СЯ xopo-iiHiMii тибкостыо и тщетней к поверхност зт.проьолокн), тнн.му тбе-ратньте стек.ьи.ма левые (имеющие повышенную, п.» сраг.не-ншо с известным стеклом P~i>, в. иное то и кость и, в отличие от Р-4У не отслаивающиеся от стекдятнн.тх подложек).

18. В настоящем работе приведен ряд рекомендации но сосер-шенстповлшпо технологического процесса изготовления электролюми-несценптмх источников снега, позволяющих улучшить их некоторые параметры: повысить яркость (путем у -облучения готовых обратно» с эмалевыми связующими дозами до 10* рад), расширить их цветовую гамму (прот ревом при температуре +100 +200"С), оперативно определять время подуспада яркости изделий (при помощи разработанной нами методики ускоренных испытаний, позволяющей сократить время испытаний в значительно болт.шей мере, чем другие). Показано, что постоянное магнитное поде индукцией до 1 "Т'л не сказываются на па сроке службы излучателей, и это пошоляет их использовать в качестве шкал и индикаторов устройств, содержащих постоянные мпгниш (например, динамиков акустических систем).

IV. В работе дан ряд предложений по совершенствованию конструкции и расширению сферы применения эдектродадмнпесцеиг--пых и .лучагелей, возбуждаемых переменным напряжением. В частности, приведено описание конструкции электролюминссце»того крнггепсатра, позволяющего получать полутоновое светящееся изображение, источника света с пространственным, объёмным расположением электродов, эдекгролюминесценгпых устройств для выявления электрических пеодиородносгей в высокоомных полупроводниковых и п диэлектрических слоях.

список публикаций ПО ;РА1Е диссертации

!. Электролюминеснентние источники евота / И.К. Н .адцлп», Л.А.Кося-чс.чк«^ Б.А. Кочалеп, С.М. Кекнн; под общ. ред. ¡1.К. Верещат низ, - М.: 'Лтерго-атомтидат, !9Чу. - !6.'ч е.: ял.

2. Верстпапт НДС., Косчченко Р..Л., Кокин С.М. Введение <• онгонтектро-нику. - М,: Высшая школа, !1>9!. - I'.'] е.: "Д.

Влияние условна работы на дарение олектролтомикесцентны*. тышмек ! И.К. Верещат ни, С.М. Кокии. В.Г. Коло отлова, И.А. Селезнев // Ил», вузов СССР. Фишка. - ! '>84. - Н} 11 С. 122-123.

Л. Верещагин И.К.; ¡Сокил С.М.. Сслентев П.А. Детрад-нтия элемролюми-нгс.чентных источников света // В сб. Тенит,I докл. ! Вапоютн. ко.чф. "<1>и шческие основы надежности и деградация иотлпроиоднпкопыч нриборои", Кшшитен, 25-27 мая 19X2 г. - Кишинев, 1'№2. - Ч. 2. ■ С. ¿'К

5. Кокии С.М. Старение иорошкоиих цииксульфилнык •т'кчролк'чино-фчроз / Моск. 1ш-т инл;. ж,- д. траисн. - М., 10К2, •• 70 е.: ¡от. - Дон. а ННФОРМ'ЗЛГДПГ'О, № 208ЭГ-ДК2.

6. Верещатмн И.К., Кокки С.М. )лекгронерен-.>с меди в суяьфкке щ.нка // !) сб.: Тстиеи докл. V Веесоютн, совещания гю фнлже и техническое^ и{ имен-'чтм полупроводников А;В(„ Вильнюс. ! - 2 декаСря 1'ДО:. - Йильчкх, 1'Л' V - С. IV.

V. Veicalich.ipin J.К.. Kokin S.M., Seiei.iiov V.A. F.leetioluiiiinophor's Ageiщ. 1! 1'ioe. of Intern. Woiksliop on. hlectioluniinc.sccruv, Bad Stuer, October, U>-2!) , 19r.3. -Wad Stiicr, 19X3. - !". 49.

S. Верещагин U.K., Кокни С.М. Элс-кц 'Диффузия меди в сульфиде цинка Ч !1зк. вутон СССР. Фил,кн. - 1984, - 2. -С. I 16 - I (К.

9. Верещагин И К., Кокин С.М. Сличение :<лекгролюминофором // 8 сб.: Гезнсм докл. XXX совещания по люминесценции, Ровно, 22-24 ноября 19R4 г. -I'onito, 19X4. - С. ! 5.

И). Верещагин ПК., Кохнн С М. О стабильности Сйетоизлучакндич структур // В со.: Тезисы докл. ¡II Всесоюш. совещания по физике отказом, Суздаль, нонбрь 19X4 г. - Суздаль, 19X4. -1". ЬЧ-«Д>.

1!. Нерсщипш И.К'.. Гмии С.М. Старение jjictaрояюмииофоров // Уч. »an. 'hiprycKOto ¡ос. ун.-iii. - IVK4. - Вып. f>92, - С. 9-34.

12. Верещагин U.K.. Селезне» В.Л.. Кокзш С.М. Диффузия ирпмесеЯ и с киЗнльносм. мектролюмннофоров И В сб.: Тетиеы докл. Всесоюзк, соиещаштя Ч'ишез, свойства, исследования, тсхиожч ия в применение люминофоров", Ставрополь, (6-1К октября 1985 г.Станрово^, 19X5. - Ч. II.-С. 22.

13. Верещагин U.K., Кокнн С.М.. Селезнев В.А. Старение '..лекгролюмнио-ф.>РО!з //Изв. АН СССР, сф. физическая. - 1985. • Т. 49, Hi 10. - С. 1940-1943.

14. Детрадацконние явления d гетеропереходах О/..V - Z.nS.Cu ! И.К.перешагни, Ii.A. Ковален. С.М. Кокнн. О В. Цмруна // В сб.: Тезисы докл. 11 Всесоюзн. конф. "Фишческие оснопы иалстьносго и деградация полупроводзткоьих приборов', Кишинев, 15-16 мая IW6 т. - Кпшшии, - Ч. I. - С. 79.

15.Bepemauiii И.К., Komi it ОМ. Деградация цнкксульфпдных элсктролити-ноферов // Ме;*оу з. тематический сб. науч. тр. / МЭИ. - 1%5. - ЛЬ 60: Прикладная, физическая ошика. - С. 82-кб.

16. Коким С.М., Селезнев ВА., Му.»ин С.В. Стабильность злетролюмн-несцепгныч сфуктур и ее температурная зависимость /7 Сб. науч. тр. / МЭИ. - |9s7. -Ке 134: Прикладная физическая оптика, - С. 64-68.

!?. Кокнн С.М., Селезне» В.А., Филимонов A.M. Моделирование распределения концентрации заряженных дефектов в элсктролюммиесцентиых конденсатора ч /■' И сб.: Тезисы докл. к расшир. 'заседанию секции электролюминесценции Научного сонета по лкчпшссвеншш АН СССР, Вильнюс, 26-29 сентября г. -Вшп.нюс, 19,V>. - С. 24.

IK. Кокнн С.М, Селезнев ¡..А., Филимонов A.M. Моделирование распределения заряжгннои примеси в кристаллах элекзролюмикофора при старении // Н сС. Тезисы докл. VI Лсссою'зн. сонещашти "Физика, хз-мия и технология люминофоров", Ставрополь, I i - ¡3 октября 1989 i. - Ставрополь, 1989. - Ч. И - С. 26.

19. Всрешапш И.К , Кокни СМ., Селезней В.А. Деградация свеюизлучаю-ших структур // сб. "Чруды координационного соьещаиня социалистических стран но физическим проблемам оптоэлекзроникн (Отозлсясфоника-СЧ)", Баку, 16-20 оюября 19*9 г. - Баку, К-,9. . С. 130.

2<т. Кокин С.М , Койко А.Я. Математические моделирование детрадакн-оины!) вроцессои в j;i?k7pouib'.',iiino<popux. возбуждаемых переменным током // И.-ортаннческие материалы. - 1993. - Т. 29, Kv 10.-С. 1345-1347.

21. Ь'окин С.М. Исследонанне процессов леградацни электролюмкнес-тигяыч ><':;т\ч.мс¡eti /.' Со науч. tj>. / МИШ'.- 1995. - Bun. 869: фуц-ммещапьные и и ни iia)4:t.- k ичип;:.3!уз-.'не раоогь! в обиетн жсленюдорожного

, л 1 I С. ■ 3 V

.'' Wri',.::ал 1 i К. К-'tan S X!.. Se^Miv У.А. ПхцглВГЛ.-.ь'/в 'pu ce--.se. .1.,-ь-: ': > 1: : - . •!.! de'.i.e а.-; :аЛ ', ¡'¡.ч, • llu Mc-сол Pli.sic.i! Stve') \ - ',■■/"■>.■ : ■■'<,>.; -

34. Ворота;ни U.K., Кокнн С.М., Сек men В.Л. Об обратно.-.. к же ге-и-ропере.хилов Cu,S-7.n!S.Cu / И сб.: Тезисы докя. парной междумароднои конф. "Material Science of Cbalogemde ami Diamond Smielurt: Semiconductors", Черновцы, 4-(, октября !'»V4 r. ■■ Черновцы, 1994. - 4. ?.- С'. I'»I.

21. Верста»ин U.K., Кокин C.M., Сене-шее В.Л. Ciioflcnu контакта суи.фвд меди-еульфнд цинка ¡1 старение >декгрол!с>минофороп // В со.: J oi. докл. ие*,д)иар. конф. по люминесценции, Москна, 22-74 ноября 19ч4 г. - М., 1 У*'4. - Ч. I. •■ С. Н7.

25. Кокки С.М. Исследование процессов деградации '¡лекдролюиинее-цепгних тлучагелей // В сб.: . "Фумдаменылынле и поисковые исследо'<;л<!1.'1 к области жеделюдорожною tpancnopra". - М.: МММ Г, I1'1)-}. - С. КЧ-КЗ.

2t>. Kokin S.M. 1distribution of elt.tr,wl impiirity in semiconductor; and the hi ii;!itn:-'is of then' cleelroluinir сенсе// лЬмгаа booklet of bu. iiool-conf. " РЬуьм, :il ptobk-ms in rnatc-itn! sciettM of semiconductors", Chemivtsi, I Плате Sept. 11-16, I9VX -Chernivtsi, 1995. - P. 147.

27. Kor.vucheiiko L.,-V, Voresbcliafjn I.K., Kokin S.M. flecttonic p.opeities <3 Cu.S-'/nS ficterostnicUire hi Zittk Sulphide l.uniinophuics // T'oivcnsialhne Scmicoiiductois IV - »'hy^ics, Chemistry and Technology, - 'funs. Tech. Pub)., /u;.', Swit/ejl.snd. - 1095, 5'. - 43 ■ 4K.

. Верснмтн И К., Кок ли C.M., Селеmis Н.Л. ОС/ почтим токе » reiepcmepexo.'m CuJif/nSiCnl. II Неор;лш'кские мшернлпы. - 1945. - Т.."*!. № 1'). -С. 1286-1 Ж.

29. Верешаг.ш U.K.. Кокин С.М. Oopaim.iii юк л i eiepC4iepexo;iax Cn,S-'/.nS.Cu я деградация Э.!!К // Р. со. '¡елтсы докл. научно-ючнвч. конф. "Перснектш<шю магериааи и гелноло! tut дач среде!в огобра-кеннк информации", Кисловодск, сентябрь IWi» т. - Сшароцольсмш юсударсикшний техвичл-кнп ушиерешег: Кисловодск. - 1946. -С. 72.

30. С t арен tie тон ком леночн мл злемрояюмвнеецеитных структур / U.K. Вере-mat им, С.М. ICokhh, М.Е. Остры», Н.М. Парфенон // Изв. иучоп СССВ. Фишка. -19Н5. -йЗ, - С. 104-106.

31. Ciapemte тонкоплеиочных ciр)>.т; 1 / U.K. Вереща! нн, С.М. Кожин, С.В. Мухин, И.П. Острен!, Н.М. Нарфепсы // В сб.: Тешей докл. на расш1»|«.чшом заседании секции элек трол!< >ч и н« ценции Пл\ ,ого сове!« по люмнлесцелпни ЛИ СССР, Гаргу, 25-27 июня 1V85 г. • 'laprj. 1ЧК5.1 С. 48.

32. Влияние диэлектрика на параметры юнхоцс точных -мектролм--минесцетни?. структур /' Н.М. Парфенов, С.М. Кокни, }>.Г. Ьеккер, И.!1.. Острив, Л.».*Лктше:;кж':, Л.Д. Хоомон /У !Ьн. «уаог> СССР. Фишка. - РЛхб. - Л'г 4. - С. ПУ-130.

33. О.-обсыюс!и ')лектро1111о-;;','|е!)0!0 шшмлошя >яек х-иомниссцстних

imvhok / Б.Г.огккср, С.М.Кокнн, Л.В____шопецкни, С.К.ООндсвук, Н..М.1!арфеи!-в It

Электронная lexituKa. сер. Микротлекгропнка. - IW6. - Bi.ui. 2(! lh). - С. 1 1!'-!2().

34. Вереща! 'и tl.IC, Кокни С.М. Д1Ч радаиия ииеночшлх iti гуьмепел, оочбуждаемых переменным иапряжеиксм II В сб.: Тсччеы докл. cv-Mmiapa '"Тонко-пленочпме светокиучакжтис структуры я их применение". Одесса, П !5 октября 1>>«7 г.- Ровно, 1487 - С. У5'У>.

35. Д.е.. !74.462! СССР. Тчнксхъченочш. лточшкхченшый конденсатор / С.М.Кок,!«: МШ1Т (СССР;. -ЛИ 4654290: !аялл.9.(>1.Ул

36. Версшлпт U.K.. Кокнн С.М. Вапянно eaai я на xapjKi::p!icri(ki< »лектролко'/тпесиеншых легочников снега // Спетоюхника. - 1ЧК2. -¡0. - С. 12-13.

3'. U«pei«ai ин И.К.. Возынцев. K.U.. К'окин С .М. C s.ipemie «ролнтмино-форов с енням екеченчем и прпс> uttmi вазги // ! Ьв. в>тоа ("<'С'5'. '¡>ч .нка. - 19»«2. - Sj

to.-с : 13-114.

З!'. Bepeiuai пн И.К., Кокии С'.М f^iapemie сухкх и ила *н>.>лс^м.и-. ф.^роч при ратличштх режима*, вочбуждения //C..'i!tfio:e.xni!k-.i. - - 2 - С. 6-7.

}<.

39. Верешапш И.К., Кокин СМ. Оарснке злектролюминофоров « «рисуктмш шши I! ЖИС. • 1981-Т. 38, Вып. 3. - С. 4 75-474.

40. Верещагин ¡I.K., Кокин СМ., Мухин С'.Р. Потемнении поверхности сульфида цинка под действием cuera и элекг веского поля // В сб.: Рсломе докл. VII Между пародн. сосгщания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом

Иiipл.¡, 29 мая - 2 июня 14X3 г. - liapua. 1983. - С. «5,

41. Л.с. 1056009 СССР. МКИ' G 01 N 21/64. Способ определен»* влажности элек i ролюмннофоров / П.1'. Верещ.чин, С.М. Кокин, С.IV Мухин; М'ШТ (СССР). -№ 3416760/18-25; Заквл. 02.04 82. - СИкрышя. Июбрег. - 1983. - N 41.

42. Верещагин U.K.. Кокин С.М. Влияние влаги ни старение злектро-люмкнофорон И Уч. зап. Тартуского ¡ос. ун-та. - 1983. - Ним. 655. - С. IOI-IOV.

43. Верещагин Я.К . Кокин С.М. Старсияе влажных элекгролюминофоров // ЖПС. - 1У84. - Т. 40. Вии. 2. - С. 33S-340.

44. Кокин С.М.. Серо» К.А. Тушение фотолюминесценции сухих и влажны* лммнаофороп тктомнккм злекгрнческим нолем / Ред. жури, "Ibu. вузов СССР. Физика". - 'I Омск, 19X4. -Не.- Ден. в ВИНИТИ VS.12.83, Mi 6586-КЗДеп.

45. Верещагин U.K.. Кокин СМ., Мухин С.В. Изучение процессов, приводящих к потемнению сульфида цинка // ЖФХ. - 19К4. - Т. 58, Вып. 7. - С. 1798-1799.

•16. Верещагин U.K., Кокин СМ. Влагопоглощение рабочих слоеэ злектро-люминссцептш^х конденсагорок / Моск. ин-т инк. к.- д. гранен. - М., 1984. - 9 с. -

дс«. » ИНФОРМЭЛККТРО. xs гкм-Mjif»:

47. Bepeiuai ин 11.П.. Кокин С.М. Фоюхнмические процессы на поверхности 1|и нкеул ьфид ных люминоф,'"рое// В cV. 'Кчисы докл. V Всесомзи. совещания по Фоючнмии, Су 1даяь, 14-21 февраля PWSr. СуздАль, 1985. - Ч. П. - С. 353.

48. Верещагин U.K., Кокин С.М. Влияние условии возбуждения на элекгроонтнческие и фотоэлектрические характеристики ZnS.Cn II В сб.: Реноме докл. VIH Междунаролн. совещания но фотоэлектрическим и оптическим »тлениям в тперлом геле, Варна, 2<>-30 мак 1У86 г. - Варна, I486. - С. 69.

49. Вереща! ин U.K., Коаллеп Ь.А.. Кокин С.М. Анализ причин потемнения состаренных мектролюмииофоров //Лзв вузов СССР. Физика. -1988.- W) 9,- С. 96-97,

50. Bepeiuai ни И.К., Ксжалев Б.А., Кокин С.М. Фотостпмулировзнные ишенения состава поверхности суЛьфада цинка и присутствии влаги /7 В сб.: Резюме докл. Г/ Международн. совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна, fí-13 мая 1989 г. - Варна. 1989. - С. 90.

51. Кокни СМ., Лавршюв F.A., Яковлев Ю.В. Определение гранулометрическою состава цинксульфндных элекгролюминофоров при помощи люминесцентное микроскопа/ Моск. ин-з инж. ж.-д. транея. - М., 1984. - 10 е.: ил. - Ден. в Ш ¡ФО!'М )Л 1:К I ВО, ÍA 379>т-84Деп.

52. Влияние сосана молиорганогнлсескшюксинои на сооистка порошконих 'ЗЛИ переменного тока / Т.Д. Доискан, С.М. Кокин. В.М. Товмасян, В.Ф. Соляной, Р.С. Шарафьев, В.Л. Кимарницкий, В.М. Михайлов // В (О.: Тезисы дом. к Всесоюнюй кшф. по электролюминесценции, Ангарск, (6-20 сентября. 1991 г. -Ангарск, 1991. - С. ¡6.

53. Влияние ..осгаза стеклоэмллевого связующего на характеристики элек-тролюмннесцентных источников света / И.К. Верещаг ин, Т.Д. Донская. С.М. Кокин, А.В. Пауткнна, С.А. Нетросян, V.H. Ходакоьскан // Моск. ик-r инж. ж.- д. хранен. -Ч., 1988. - 9 с. - Дсп. е ВИШПИ 15.01.88, !<я 355-В88.

54. Л.с. I )tí56w; СССР. Jlei коилавкос стекло / Т.Д. Донская, С.А. Петро-' »ян 1' Я. Упдаюьекая. В.М. Товмасян, С.М. Кокин, С.В. Мухин;.МХТН (СССР). - К> 4(>>l -5V.2v33: ia;,¡,!.t>? 04.Кб

55. 11ссчед-'«.)нае x.ipa»:tvpi;cuiK хтек) рол*-чииесйе.и i пых юнленсл0рО1 í i К • i'o í ;•„■'. i' > >'.<а.иными дн i.icki рисами ' В..\. Ьесиа.тьчепко, 1 .Д. Докек<и, С.М. К i ¡г и í J. j 1.1, Мелен ко С .1'. М; <ш. В.М Товмасян /7 В сб.:. Те>псы до.-л. VI

¡li'íflíKVIH, (ОЗДШННИЧ "Ф»<!|ка, ЧНЧИН И ТеМЮ.'Ю! ИН ЛЮМНИОфс.рОк", ( ' 1;1ВроН(>Л>,, I I -I } октября |9Ь9 г. - Очирополь, |';(.'->. - Ч. И. - С. Л».

56. Верещагин it К., Кокни С.М., Пауткшш Л В. ДеИсиик1 у kimiüoii ни члектромиминеокнпч-'о ишучлнмм (")Л!1) с шшксульфилнмми -тгк^ю'номинофо-рами // И сб.: Геиен докл. Ill Heí<. 140 пюй конф. "Материаловедение xaai ко! енндньи. иолупронодинкок", Черновщ.1, октябрь 1991 1. - Черновцы, 1991. - Г. II. - С. ico.

57. Верощшпн U.K., Кокин C.M!, Пиуткшм A.U. Д<Нкimie y • kimhiom на -»лекчролюмннесцентнме шлучшедн е нкикчульфилиымн гчектро ночтм.«форами // Неорт аттические ч«т.-рт\Л1.1. - 1942. - 'Г.?.К, № 12. - С. 2-144-2445.

5К. Д.е. 1Я25277 '"ССР. Способ и и оюнпоиия чдекгрол'очннееиентното кон-/¡«»еаюрл / U.K. Heptnsai и», С.М. Кокни, I .Д. Допекая, li М. Tobmjchii, В.Д. Ike-падьчеико, П.Н. Меденко; Mili i )'<СС( Р). !-'■■> 4ЖЖ610; Чахип. 21 ,<4.90.

59. Л.с. I Hi 4.» 59 СССР, МКИ1 1! nil. ЗШк. Способ ыии.чикига мекдро-лмчшвдцешнечо конденсатора ! В.А. Ьесгм.'моютсо, С.М. Кокни, II 11 МчГ-к*мко, С.И. Мухин, Н.Д. Селе шея. В.М. Гоомаеян; Черновицкий пжударсимтниыи умиаер-'uHiei. -Ni 4940264/25: ,?аяпл. 22.04.91.

60. Кохии С.М., Силина и.К. Коррекция цве!а iiiowiiik чаек трокочинес-иентни.ч ч тлучателен !! I! tñ. Тс шеи док п. науиио-нчнич. конф. "Перспекшинме MiWepSiaiHJ ¡i lúlHCnOIU» лля I редею Отображения информации", Кислот VKK, сентябрь 19У6 г. - Cia!>p MKVUAKiiíl ioey.q.iptnv.'¡i!(i.:ií технический уши« pi пн-т: Кт'лоиояек. - i'í'K. •('. 100.

61. Кокни С.М., Нирокскаи II.П., Сечете* В.Д. Нижние '»кпетрачеоою я м.чтнитного полей на спал и носсгапоияение чрко<';и течения "»лектро.чючинофо-рон /.' 1$ сб.: Теаисч докл. к Üeecoiomoii конф. ко чдекгрслкниинчт.-ниин, Дм|г;ч к, (6-20 сентября 1991 i. - Ангарск. IVM. -С. 53.

62. Исследопанне опилння условии эксплуатации ни раГнчу члек'ро'оомии.ч-иентмых источником гнета е целью р.нриботкн чеюднкн ускоренных пин.Паний на срок службы / И.К. Перешагни. С.М. Кш.нн, ií.í . Koaoi плена, И Л. Сече шел Моск. * ли- г инж. ж.-л. ip.mcii. - М„ I9K2. - I) с. - Д.-.. и ШНШ'Ш ¡2.44.82, Mi 1720-К2Деи.

63. А.с. П312ЛК СССР. Способ «сигиши •»¡емро.чюмниофоров на стабильность / С.М. Коки» Л.В. Пиугкииа: МИН Г (СССР) - fit .W66665; '.таким. 24.09.85.

64. Ac. 142991 В СССР. Способ и)го1 овиешм член ролюмннесцеи I шах пан.' ..(i I С.М. Копии, Л. В. lhymiiia; МИ ИГ (( ССР) - № -1П5П1; 'Ынт. 16 Ю.РЛ.

65. Polyan RA., Sctyoj(tn S.L... Kokin S.M. t'.lícTiolummesctír.t flexible by ¡ souiers U 1994 internatiorul Wo.rk.shop on tlcc11«>1 чттеясчке. I ■.>!' i«rh»;cul papers. Bcij-idR. Cbimi, Oct. 10-12, 1994. - Scmiting, IW4.-J". ¡4VI94.

66. Полян Р.Л.. Crpt'iHii СЛ., Кокни С.М Гибкие источники «.»•;>» -?лекгр«пк>минос»еш(ц w «i.i>«'uen» »опою гнпа // '>лек¡рн'н.чая прммышлошккчь. -1993.11-12. С. 6.,-ЛН.

67. Полян РД., Калинина С.А., Кокни С.М. "Гнбкии смег" oiKpi.iüaci ноние вспмолнос i и дл* кинег руирокання среды обтання // И об. Гонца Д"кл. научно ¡ехиич. конф "Перечн'ь пн'ние mj »'риалы и чгчио.кн их д-!Я гр -.ки чн/'рлуц-ии* информа чи". Кислот»лек, сентябрь 1996 I. - (. 1анрог!..'н,1.кин и-су/мрепклпн üí 1ехниче<;кий уииверехк-с Кнслкоолек. - iv.>6. - С. '/Н-ч'.»

6К. д'с. 279MI СССР. / В.Л. »;сени.ч1,ч-.-нко. Ц И. Ме.н-нки, С М. Кокни, С И Мухин, В.М. 1о»м.!сян. С Л. !рлм<п. - "a TI71IM, 1ММ>.К7.

69. Ki'KtiH С.М. <У)-.ор нс1р.|,ч1шио(пн.|ч ,.Л;|4е(си иримеисмик ').ЧК ¡I Н с') . TlflHCM лок'1 к (uotokxhoh К1Н|ф. ill) 1.icki }■(.'-нечни« 1КННИН. лн|.1|нк, 16-20 си

т »С'рч I V91 г. ■ AniaptK. |Ч'.1| ■ с. Н.

70. А.о. 25530ч М"И» О (И N 27/30. Е1ок1г6с!а рте утгиа1пч »¡всЫатш ■ поЬошодопК твгпе) е!аИпске] уо(1туо8й угомек / 1.К. Убго5бад1п, 1. 1шеК, в М. КЫлп, I. Вгян(:. М 83*4-85; гуегфепб 16.07.87.

71. Кпыш С.М., Гурек II. Псполт.зоишшс люминесценции для визуализации неоднородное! ей II высокоомои* материалах // Уч. зап. ТарIусмлго юс. ун-та. -1УХ,>.- Пын 867. - С. - 88.

72. Д.с. 15433.4 СССР, МКН' в 01 N 27/22. Устройство дчя исслздованмя .злетрнческнч неоднородное гей пысокоомных обращов / II.1С. Верещагин. II. Турек, СМ. Копт, П. Кялк; М1Г'Т (СССР). - № 4270%/27-25; Зачал. 13.04.87,- Открытия. Изоорег. ■ 1940. N <>.

73. Инг. 2042078 Россия, МКП1 Н 05В 33/26. Электролюминесцснтнос устройство и способ сю нлоюшенш / <.',N1". Коким. - № 93028133/07; Заянл. 31.05.93. -1995. - Ьюл N 23.

КОКПП Сергей МнхаГтяот 'Ч

1>ЛН1СТР0Д11ФФУ:П101ШЫ1.; ПРОЦЕССЫ И ДРУГИЕ ЯВЛЕНИЯ, ОПРЕДЕЛЯЮЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИСТОЧНИКОВ СОЕГА

Подписано к печати 12.11. 96 Формат 60 х 84/16 Тира .4, ПК) экз.

Несплатно Усл. печ.л. 2,375 Заказ 7« ¿¿0,

101475 Москва, А-55, ул. Образцова, 15 Типография МИИТа