Электрофизические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и приборов на основе легированного кремния и соединений А4В6 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

1лшаш:н11 ¿ипги'ч.-опи^иги шгшмчиизъ ипдич»иич» ьч чмоШч-.-зи-и 'иикгагшч-'зпн'и

РГ Б ОД ьч'ь-ч^и!' м^инии ¿.шшцшпли

... ИнаопЬ» [1П1.'н|п1.\|пт|

1 5 Д > имчиии'зии ЗПИГЬ ИПЛГиЬ

' '' и е

и-ч-ьгимио' и;а.}из1ч111Ъъв ич -ь иьиыи^зпмгиш'ьв

тишша шицачптизии 'изтдаигь ич ччи'из ши\) чга

■чикгииочио иигччгь ич аивпш^гивди

гди шп^сии^'пы'Ц

и.0-1.1и. - Ч^иш^шцпрц^ЪЬ^}! к ЬIЬ Ч.Ь111а

•*'1,(1ЬЧ1и- >Г«Iсфвт^,|П|ЛЛ|Ьр|1 цгЛцппр^ ц^шш^шЪ и»и«1>-

ПиД|[1 шшЬЛии^п ип Ц* ,|иЛ|

и и 'I. У' а '!• Ь Г

ь г И1111 - 1 у а о

МИНИСТЕРСТВО ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ АРМЕНИЯ ЕРЕВАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

■ На правах рукописи

АЕРАЖН ЮРИЙ АРСЕНОВИЧ

ЭЖОТ0ЖИЧЕС1Ш II ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГОЛУШШШШОШХ МАТЕРИАЛОВ И ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВА1ШОГО КРЕМНИИ !* СОЕДИНЕНИЙ* А^В6

¡.¡.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук '

Е 'Р В В АН - 19%

^иишилфр 1^штшр1[ь1_ i ii <иш ишг^^пф^е^к""л^ ^ |,|.ы1>п(:,пи11ш.11?

JimnLinni.il

ьГшУ Ь1Хшш[14.Ш с^тп 1.[1.)п (."иЬр

цп^шпр, щр пФЬипр , и. 'к. "¡Ьифпи ЙЬц^шпЦ1)JпцЪЪЬр^ пЦшпр

ЧрпфЬипр " и.°. иЧ^т^шЪ

цпЦтпр , щрпО-Ьипр О1. и'т.рИЬЬ

11пшРш1пап 1{шсрГ 1и1|Ьрщп п 1 ' к >!■!• I ( I «I 1 НИ И I |к II., I I

Ллгющш'иги.^т'ир ^идш'ииц.т. £ ЬрЬ-иЛф

1р.\[1 Ь^итпиГ

ЦтЬ'иифпиги.р .циЪр кшрЬ^ Ь ЬшЪгфиЛш!. вркиАф щЬишцшЪ "¡ииТиц. ишршЦ| qpшr^шpшl^n иГ

2,шидЬ\).37 5049, Ър1тЛ|, и.1Гш\т Циш\ф ф. , 1 иЬ^шц^рц итш£>||шЬ ^

ишиЪи^ишд^шЬ [ипр ^рцЬ ч^тиАщЛ! риршт-грир

»Ьг.^шР.чЬ-.РЬ^шЬпи , тимигзт!

Работа, выполнена в Институте радиофизики и электтзоники Национальной Академии Наук Республики Армения

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор С.Г.Петросян

доктор технических наук,

профессор С.О.Мкртчян

доктор (Тмзико-математических наук,

профессор В.И.Мурнгин

Ведущая организация: Научно-производственное объединение

"Орион", г.Москва П

/тЭ^ита диссертации состоится Я>ГУ;У) 1996г.

в£-^~чТна заседании специализированного совета при Ереванском государственном университете

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Ереванского государственного университета.

Адрес: 375049, г.Ереван.«уЛ.Манукяшь1, ЕГУ.

Автореферат разослан ч/3%" 1996г.

Учёный секретарь специализированного совета 049 канд.физ-мат.наук, доцент .П.Калантарян

Ожигая КаП.^КТСПИСТИКЛ ргботн

Актуальность '|'ог:т-'. Соплеменные цостггоничг топ топядония, космической связи, оборонной ПрОШЛИ ЛСННОСТИ, ГППКТрО^КОПИИ ВЫСОКОГО разрешения 1Г ТОХШ1КИ дистанционного аондировапня окпзались возмохтчли благодаря примштешта тргптгкоши-х потопов построения ргдчорппсрлтури (радиометром), ток и уснешь'?.? гтрлботкям пртт-бОТШКОВ ЗЛСКТрОНПГНИТНОГО излучения ДЛЯ ИгоЬрШфРСНОИ (Ж), суб-милдиметровой и мидлгасстротюй областей спектра. Несмотря па то, что сегодня имеется широкий класс ЛотоприГ'оттков для обпаруго-ния электромагнитного излучения, почти во всех областях спектрп, прогресс в рязвипГ'Т систем дистанционного зонлипоппдоя стимулирует поиск воп'.'Х ттепир.чов и йотоприйгигх устройств с более вк-сокой фоточувптвителъностъю и быстродействием в окнлх прозрачности атмоойерг:Я = 0,0Г5—1,0П; 1,2-1,3; 2,1-2,4; 3,3-4,Г>; 4,5-Г>,1 и 0-13 мкм.

С другой сторош.', проблема рпзрлботок во тупроводникових <Тю-топриёшдах устройств с высокой (Тоточувств;п,ельиостт.п определяется уровнем технологии получения иоигх ггятвриплоп наиболее полно удовлетворяющих рпетуцль' потребностям ИК и СЭТ-<Тотоолектро-ники (микроэлектроники) и явтяется одной из лктуалтли'х задач.

Круг задач, рассмотренных в днссертягвпт, нкл-лчоет вопрос!.' со-верленствовяння технологии получения мптериолов ч новпх ^отопри-ёмных устройств, рр.ботягсшх в 'чирокой области спектрп (от ЮС до С8Ч), экспериментальные и теоретические исследования свойств материалов п 'приборов цр основе кремния, легированного цинком (¿¿< Збг.> ) и соединений РЬ,.^"* Те , Рё,,^", Тех //;, Сс1> п связи с перспективностью обнаруженнгх в них новых явлений, имеющих существенное значение в Ж-технтже [1-4]. Помимо практических разработок ИК-рлдиоке?!ятчоских систем, в рпботе по основе исследований ялектрофизическях и «Тотозаоктричеекпх свойств приводятся ценные сведения об особенностях зонной структуры соединения

1-х ^х Те < /и. > , о механизмах ¡"•ор.г.-ировгщяя отрщг»-тельного сопротивления (00) в ¿¿<:£п> ц Рё,,х ¿>нх Те < Хи > , а тлкяе Фотопроводимости в '.К, с убгятлпиг/етровоЛ и миллиметровой об частях спектра.

Рассмотренный круг задач-вкдочяет в ссбя проблемы материаловедения, <?даг,ики тп.'-рдого тела, электроники я '"отоолектроинги т;, на наш взгляд, чгест вгншое значение тгак с научной, так и с практической точек зрения.

Целью работы Яйляется: '"

- Экспериментальные и теоретические исследования статических, , динрмических и шумовых характеристик -тдиоцшмс структур с

базой, легированной цинком.

- Исследования вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик <7-п-п* структур из $>К >. .

- Изучение условий синтеза кристаллов Р&1-* ** Те<Хи

5>их Те из пара (сохранение стехиометрии, способы легирования, состав шихты и технологические режимы), разработка технологии и получение на их основе фотодиоцньтх и фототранзисторных матричных структур с чувствительностью, ограниченной шумами фона.'

- Исследования влияния примеси индия на энергетические и фотоэлектрические (в ИК и СВЧ областях,спектра) свойства соединений Р&,-х •Зи* Те.

- Разработка ИК-радиометрических систем измерения слабых фотоэлектрических сигналов на основе фотоприёмных структур из ¿¡¡<2и> и РВ,_Х 5их Те<^1и ,СЫ>.

Научная новизна. I. Впервые были проведены комплексные исследования статических, динамических и шумовых характеристик Я-диодных структур с базой, компенсированной цинком. Впервые предложена теория формирования ОС в р-1-п диодах при наличии в I - области примесей с одним глубоким уровнем в нижней половине запрещённой зоны. Впервые обнаружено и дано объяснение аномальной температурной зависимости напряжения срыва итах (постоянство и рост 1/т0х с ростом температуры) и генерации шумов с аномально высокими значениями амплитуда на положительном участке ВАХ. ''

2. Проведены исследования электрических и фотоэлектрических свойств И+ структур из 3>1<Ъи £ . Предложены механизмы высокой фоточувствительнос^ги 5-Ю В/Вт в области спектра

Я = 0,8-5-1,2 мкм), сублинейности и р/-образности ВАХ при 77К.

3. Предложен метод синтеза монокристаллов Рё/^Ли^Те^ ^с!^ Рб/.у^и^ Те > обеспечивающий высокие значения электрофизических параметров и незначительные отступления от выбранного стехиоыетрического состава.

4. Предложены новые конструкции и технология получения фотодиодных линеек! и полевых фототпензисторов на основе Р^^ йи^иТе. с рядом преимуществ, позволяющие реализовать (Тютоприёмнке глтри-

цы с обнаругителтлюц способной?!,w сатппшгх элементен, ограниченных -nswDKit tToun (t?«3-W0cju.fi^ßf'мри 77K г. Л- Я+13 шда). Исследовонн фотоэлектрические хароктсрттстпкп предлагаемых конструкций фотодяодшх линеек. ¡(гяшедеш технологические особенности увеличения фоточувствитс пыюгпт. Проведён пиял:»я ч теоретическое обоснование высокой фоточупстптгтплъпости полопрх Фото-гранзисторов с изолированным затвором.

3. IIa основе анализа температурных зависимостей плектрофизичес-гах параметров объёмных мопокрпст» чтоп и эпитаксиалъных мопокр'л-зталлических плёнок Snx То. < 1ц > покпррио расширение шри-ш запрещённой зоны при легировании гаг дне:, ппчшгся с кониентря-шй /Уги £ 0,5 ат. °/о . Получено эмпирическое уравнение изменения гарины запрещённой зонт; в зависимости от состава "х" и процепт-юго содержания индия.

!. Проведён аналхтз высоких значений *ютолропо-£13.'остк, л/-обрпя-юсти и других особенностей ВАХ Р&^^Яи КТ& < Iи > при 4.2К в |рисутствии фоновых засветок различной интенсивности и длят? юлны для разных составов и концентраций тяия (х =0,22+0,26; 0,1 + 1ат.Я).

'. Проведён качественный расчёт ВАХ Р£(_л5лх Те<1п > в усло-•пях фоновой подсветки 300К с учётом механизмов расссятгия носителей тока и привлечением примесной родолк яп-теллеровс.ких поп-ров.

. Впервые в H;CTe.<Xv\ > Пр:т обнаружено гашение Фо-

овой (с долговременной релаксацией) фотопроводимости при под-ветке СВЧ-излучением с Я = Г> мм и рост её величины с уволиче-ием состава "х" и . Предлагается мехпяпэм объясшттий это вление.

. Впервые в и-Р&07е^И0^Тё<Сс/> при 4,2К обнаружена- «ютопро-эдимость в субмиллиметровой области спектра ( Л ~ 300 ыкм) с 5наружителъной способностью и быст-

эдеиствием t < вызванное появлением при легировании

- РЁсу6$и02_у Те. кадмием примесных центров с энергией акти-нши ' ~ 0^0045 эВ.

). Впервые в материалах Ri,.X'Sfi)CTe<Ivt > при 4,24 обиару;;;е-! и исследована фотопроводимость в С1И-облясти спектра ( % = Ю мкм, 2 мм и 4 + Г) мм) с щ.-соша быстродействием Z—f0c.и ¡ксимумогл поточупствителъности {х%~Ю2фт} 1D'lz5l. Гц'^ ) области длин воти Я = 4 * г» мм.

Практическая ценность работы. I. Изготовленные ^-диодные структуры, отличающиеся температурной стабильностью напряжения срыве в широком интервале температур (20 + 100 С) и аномально высокими значениями шумов на положительном участке ВЛХ, были внедрены в практические разработки многоканальных датчиков случайных сигналов и управляемых генераторов шума п/я 1631 (г.Зеленоград, НИИФП). -диоды были также использованы в разработках ИК-рэдиометров с Ъ*^ Юасм. Гц'/я &Т~' . при 300К.

2. Приводится способ выращивания материалов Р6ьХ * 11 Рё^х-Зи^Те < 1и,Сс1>с высокими электрофизическими и структурными параметрами.

3. Разработаны и изготовлены новые структуры фотодиочных и полевых фототрзняисторных линеек с улучшенной'конструкцией и воспроизводимой технологией, имеющие обнаружительную способность, ограниченную шумпмигфэна в областиI длин I волниЯ ЬЗ мкм.

4. Получены новые материалы Те. < 1и, СА > с высокой фо-точувствительностыо в субмиллиметровой и миллиметровой областях спектра, способные конкурировать с. любым фотоприёмним устройством в области длин волн Д =300 мкм и Я-=4 + 5 мм.

5. Разработаны несколько лабораторных макетов ИК-рэдиометров на основе изготовленных фотоприёмников из > , 6

и Р&,_х ¿п^Те. , позволяющие проводить измерения слабых фотоэлектрических сигналов на фоне шумов в разл«иных областях ИК-спектра.

На защиту выносятся слелеющие научные положения:

"'"•Формирование участка отрицательного 'дифференциального сопротивления на ВЛХ р-с-п -диодов из ^¿<?и> с одним глубоким уровнем в низшей половине запрещённой зоны, вызвано немонотонны! изменением времени жизни неосновных носителей тока (уменьшение и последующий рост) с увеличением уровня инжекции. Это положение совместно с обнаруженными эффектами генерации шумов, с аномально высокими значениями амплитуды (на положительном участке ВАХ) и роста напряжения срыва с температурой, лежит в основе разработанной теории и подтверждается экспериментальными исследованиями статических, динамических и шумовых свойств структур. 2. Участок сублинейности, Л/-образности на ВАХ и высокая фоточувствительность в области длин волн Я =0,8+1,2мкм п+- п - п+структур на основе Л < > при 77К обусловлены спецификой захвата носителей на глубокие центры цинка, и ростом

сечения захвата электронов с полем.

3. Предложения по сянтсау. '.т.сопер"10иетю;ргпип; технологии яир;'-щивания и получение монокристгллччоских ол'лтков соединений

Те. и ,Рё1_^п<Те- ^Ги, Сс1 > с пиоошш иярт/етро-ми (отсутствие малоуглотлс границ, пегшгттс: шп'о отступления от стехяометрпческого состпвп, отсутствие блокоп, концентрацией п = Ю(Чт и подвтодаостыо //„ ^Ю^/Ь.г. при 7710.

4. Новые конструкции и технология получения •Тютодтющшх и половых фототрэнзисторных лгаюек с чувствительностью, ограниченной шумами фона Iи/х Ьт ' при 77". в области длин волн

Я =6 * 13 мкм) ил основе олтотлижцпн технологических режимов я метоцов (условие сохранения отохтжотртг!, соответствие ориентации подлогаси и плёнки, температуги; испарителя и подложки, скорости напыления и т.н.) вгротдевтшя плёночных структур п и р-типа соединений Те..

5. Световые сток-истокопые ВАХ и высокое значение гч-пер-ияттной фоточувствительности (£/>7Ш/йг) яолптюго ¿ототряняисторг) с изолированным згтвором на основе Р^дя-^'о« Те. связано с наличием рекомбинящюпного "барьера" и Погептропянпсм фотонапрякегоут при освещении р-н-перехода, эквивалентного по своему действию прямому смспешга ял яятворс, что приводит к рпеплтрегоот кяняля

и соответствующее росту тока стока.

6. Расширение ширины запрещённой гонг Р$1.% 5(1х Те-<1ц > при

связано с образованием четырох-компопентиого твёрдого раствора при легировании индием. Получена пмпирическая формула зависимости изменения зяпроафиной зоны от состава "х" и процентного содержания шгдия.

7. Фотоэлектрические свойства и отрицательная дифференциальная проводимость в Те < 1и > при 4,2К в присутствии фоновых засветок различной интенсивности связаны с яи-теллеровски-ми центрами, образованные вакппсиягт теллура. Расчёт Ш\}1 при

Т = ЗООХ на основе модели яп-те .'перовских центров соответствует экспериментальным данным.

8. Обнаруженный аффект гя'чения «Топовой Фотопроводимости С11Ч-излучением с X = 5 мм в Р&(.хл5/1х 7е ^ 1п > при 4,2К вызван резонансным поглощением излучения с Я = 5 мм кристаллической решёткой,' которое сопровождается захватом свободных олпстропов нп ян-теллсровские цеытро.

П. Обнаруженная в -РЬо,1бМпри 4,2Х на основе радиометрических измерений Фотопроводимоетт. в области елсктря с

!Х=300 мкм, быстродействием Т~Ю' е., и ~Ь*с:{0 см. Гц . 6т ' , обусловлена формированием при (Легировании р-Р&о,ч& Те.

примесного центра с энергией ионизации ~ 0,0045 эВ.

10. Обнаруженная в Р&,_х Те^ 1п> при 4,2К фотопроводимость в субмиллиметровой и миллиметровой областях спектра (Я =100мкм,

Я =2 мм и Я =4 + 5 мм) с быстродействием Х~ (О . и максимумом фоточувствительности в области длин волн Я =4 + Я мм (2и*101- Ю3В/Вт, Ги//л > представляется -

фотопроводшдасть'ю и подтверждается исследованиями в магнитных полях до II - 3 'Гл.

11. Конструкции новых вариантов ИК-ряциогетров с внутренней модуляцией на основе изготовленных фотоприомных структур.

Апообанпя работы. По материалам диссертации опубликовано-33 работы. Основные результаты работы докладывались и обсу;да~ лись на научных семинарах Института радиофизики и электроники НАН Армении, в НИИФП (п/я 1031 г.Зеленоград), на кафедре полупроводников и диэлектриков Киевского политехнического института, в Институте прикладной физики АН (г.Нижний Новгород), в Физико-техническом институте АН Узбекистана (г.Ташкент), в ЛЭТИ (г.Ленинград), в Государственном оптическом институте (ГИПО, г.Казань), в Институте физики полупроводников (г.Киев), на Республиканских (Бюракан, Дилижан, Нор-Амберд), Всесоюзных (г.Ташкент, Ереван, Саратов) конференциях, на заседании секции физики АН Армении.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой' литературы. Диссертация изложена на 239 страницах машинописного текста, включая 62 рисунка, одну таблицу и список цитируемой литературы из 228 наименований. ,ц

Содержание работы. , ,В введении обоснована актуальность темы дайс^рвации,. сформулирована её цель, научная и практическая ценность, приведены'ос нозные научные положения, выносимые на защиту, изложено краткое содержание работы.

В первой главе, после краткого обзора литературы по исследованию физических свойств ¿'-диодных структур и анализа механизмов формирования ОС в полупроводниках с глубоки.™ центрами, при водягся основные результаты исследований статических, резонансных, генерационных и шумовых свойств р-^-п л^-диоцов из кремния

_ о _

с ¿-базой, чегировгтогой цинком. Т1ри этом пя-за целого ряда обнаруженных новых уникальных свойств, основное юшкпние уделяется дяодгот структура.;.«, в которых Ы0 ^ /^а, (Л^- концентрация введённых глубоких центров цинка, д^ - концентрация мелких допоров в исходном кристалле). Цриподонное условие характеризуется тем, что при компенсации почти все электроны из зоны проводимости переходят на нимнин уровень цинка. !■; = + 0,31 оВ, я верхний уровень И = Ес- 0,55 эВ не проявляет себя. Для рассмотренного случая, когда компенсирующая примесь соадаёт один глубокий уровень в никней половине запрешённой зоны, установлен!.' закономерности на ПАХ (после небольшого омического участка, ВАХ описывается закономериостъо ^ ~ и^1 п далее, после участка с ОС следует небольшой протяжённости участок линейной ковмскмости тока от напряжения, сменяющийся квядрятичиой ипшсимостш), проведены измерения распределения плсктрического поля по базе диодов на различных участках БАХ, -установлено отсутствие каких-либо скачков поля по базе, соответствие профиля распределения легированной примеси. Далее рассмотрен!,' зависимости ВАХ от длины базы на различных участках ВАХ при высоких и низких уровнях инжекции, показа.но, что для диодов с длиной бпаы с!~ '¿Оыт 04 на ВАХ отсутствует, т.е. диоды являются короткими {с//Ьр«. I). Для диодов с базой 20^ с( 50мкм после переключения остаточное напряжение 0,6 + 0,0 В, что свидетельствовало об отсутст-

вии напряжения на базе после срыва. Токш образом, длинные диоды (с1/1»рУ> I) после переключения становятся короткими С), что возмоушо, если с ингекцией пуост место рост дгсТ^узиоииой длины Ьр ,т.е. механизм Нормирования 00 обязап инкекционному росту времени жизни неосновных носителей ток;: (Т - механизм). При значениях длины базы больтих .'Юмкм, хотя после ергнп имеет место примерно поли?я раскомпенсация базы, рассматриваемые диоды остаются длинными и > 1В.

Но основании изучения ьтнетикй переходных процессов импульсных характеристик £ -диодов показано, что время ;эт:«нп неосновных носителей тока Тр растет с тк;екн.ней после некоторого уменьшения. Отличительной особенностью рассматриваемых Л -диодов явилось многообразие температурной зависимое';",! ВАХ (умеишетк»., рост или постоянство нягтял.ения срыва Итах { в аависнмостн от степени компенсации при изменении температуры от Г:0°П до ТОО^С. Установлено, что рост (либо ого стабильность) с темпера-

турой определяется близость.", у иония ¡-¡^ ь 0,31оВ к потолку ва-

I

лентной зоны. Тепловое движение в этом случае интенсивно забрасывает электроны ня уровень, стремясь сохранить его отрицательный заряд. С ростом температуры эти забросы будут резко увеличиваться, способствуя задержке ряскомпенсации с инжекцяей. Далее рассмотрены резонансные и генерационные свойства. Показано, что при подаче постоянного смещения, задающее рабочую точку на отрицательном участке ВАХ совместно с переменным сигналом малой амплитуда, рассматриваемые диоды ведут себя как элемент функциональной схемы - выполняя роль твердотельной индуктивности, которая вместе с монтажной ёмкостью представляется параллельным резонансным контуром с высокой добротностью + 30). Про-

ведены измерения резонансной частоты, добротности и индуктивности от тока смещения, температуры и освещения. На положительном участке ВАХ рассматриваемых диодов были обнаружены также колебания,носящие характер шума с амплитудой ~ 800 + 900мЗ и полосой спектра ~ ЗООкГц. Установлено, что генерация шумов с ростом тока определяется также близостью глубокого уровня к потолку валентной зоны. Благодаря такой близости, тепловое движение забрасывает электроны из валентной зоны на уровень, приводя к флуктуащям Тр . Флуктуации ^р , в свою очередь, приводят к флуктуэциям тока, а последние - усиливают флуктуации Тр . Таким образом, устанавливается своеобразная положительная обратная связь между флуктуяциями Тр и током, приводящая к значительным случайным колебаниям напряжения между контактами диода.

В последней части главы приведена теория .возникновения ОС в р -I - п диодах с ¿-базой, легированной примесями с одним глубоким уровнем в нижг^й половине зэдрещё^ой ^онн.иНа основании анализа времени жизни неосновных носителей тока через глубокий уровень Е = Е^, + 0,31эВ н, пользуясь системой уравнений, олисв-вэющих поведение носителей тока в полупроводниках, в дрейфовом приближении получены уравнения распределения поля в базе при низких и высоких уровнях иижекции. Приведены решения уравнений в трёх приближениях: в приближении сильных полей с учётом разогрева носителей тока в сильных полях; в приближении объёмного заряда и в приближении квазинсйтралыюсти без учёта разогрева. Из решений следовало, что наибрлее полно экспериментальным параметрам диодов, также как и закономерностям на ВАХ, соответствует решение в приближении квазинейтральности. В этом приближении ВАХ до участка с ОС и после него (после небольших по протяженности омических участков) описываются соответствующими уров-

пиниями: , . , ,//„

J=7T JdTJ^ ' (i)

g e./{>iJ;frJí±L- i / A

. J T cl^A ' (2)

где d- длпнр ri л гч f ■ ; />Л-коттс-:1!'|'пгцкя цп..-»-, когда глубокий уровень совпадает о уровнем :,прмп; гр'-нтг по frr.rt с которой удовлетворяется условие никого уровня .п> -пинт; '

До • Порогов!''.: янг-Ч'-'г-гя токов и пап:-.*'нш; имеют

B!í t: . ec/[ß ' i) +

Jпчи " З Г, ¿ /А ' (3)

_ ci Re* i) äü^Wa* êfürfet i) JüSñE* éá -f

LL^K-y^fl' ЗЪЫ* L -/'(-О

7 Л

_ JLccf NA -H?/VAj

J-м'ш ' ê t°„ //A ' (ii)

_ ud». [(ê+ofiôiïp^+êM

(П)

Для сряопсл.'я •••¡••...г,''" с nj-oiioi- ;;:снт" it.tti'r._Ti пяптп'г.'н 6п пповс-дон чнелепнг'.' расчёт г-.гпшсяглос-гг- UMC.% , L/„f¿„ ,jn,ax ,j,„¿tl от •¡•Г.гглсрлч'урп при рнзлнчнгх •..«¡."Пиниях Ыа > нсп0лг.зуя <К>рГ.'УЛГ (3-5). Чри ppcn"vr-.:c mrrro, что ci « :> 10хer.., а é =3, /\fo>l0'cM'\ Z°n~IO~C'c . т';к'ч(:тг показали крчсстшг.пюс совпадение с ¡женершхитг. -теаг:/и данными.

Зо второй главе после краткого обзепа по •'•нгашо-хтанчегкш/ свойствам, методам вь'рпдгнання объкмнь'х и плёночных монокрис-тпллоТГсоедипспиП Л^В6, приводится технотогпя получения моно:;рн-сталлических слитков соединений Те методом суб.тчмпцчп

из паровой ь*. Поскольку исходинм материалом цля выря/цивапия монокристаллов хялькогенидов евпнцп н о юна и их соединении является поликристалт.'чсская шихт;;, то о": состав, однородность и чистота определяют соворщснстпо получас;, ых ионокристплло». При атом, часто из-за сильной окисляег.'оотн свинца и летучести теллура образуются ДП(;ч!КТ!.' H бЛОЧТЧ'Г; ст'ру;гтурЬт, a ТПКГЯ» ОТСууПЛС-

ния от стехиометрического состава. С целью устранения указанных недостатков в используемом методе синтез проводился в ваку-умированных кварцевых ампулах, состоящих из двух частей, разделённых узким капилляром. В процессе нагрева в вертикальной печи с определённым градиентом температуры (1110е- 900йС), исключающий осаждение летучей компоненты в верхней части ампулы, расплав из исходных веществ свинца, олова и теллура под давлением собственного веса проходил через узкий капилляр в нижнюю часть ампулы. Остатки оксидных фаз при этом прилипали к стен-кал» верхней части ампулы, которая после окончания процесса "продавливания" и гомогенизации расплава, отпаивалась. Дальнейшее выращивание монокристаллов из полученной поликристаллической шихты проводилось при температуре ниже температуры ликвидуса выбранного твёрдого раствора Р&Те. - £цТ& . Подложкой служила плоская пластина из оптически чистого кварца, приваренная ко дну ампулы. Ростовая печь имела две независимые нагревательные секции, что позволяло управлять процессом зарождения одного единственного зародыша на подложке с последующим его ростом до больших размеров. Разность температур между подложкой и источником (пересидение) в процессе вырэидаваниядТк(3-,5"£. ■На основе полученной поликристаллической шихты были выращены монокристаллические слитки соединений ¡.Те,

диаметром ~20мм, длиной ~25мм. Концентрация и подвинность основных носителей равнялись: Р-{0си3,/р-Юсм^.с, концентрация дислокаций малоугловые границы отсутствовали. Рассматривая индий и кадмий в качестве!' примесей замещения металла в соединениях Рб(.х5их Те , были такке выращены моно-!кристаллические сладки и^Те.<1и,Сс^ЭДРрср^ДСТвенным введением примеси в исходную шихту. Кристаллы, легированные индием Р$1 > , как правило, обладали высоким структурным совершенством и имели проводимость п-ткпа с концентрацией На К)'1*- с3 (в зависимости от состава "х" и (V},, ) и подвижностью сг Ю^см^/б.С,^11 3 использованном методе выращивания сублимацией, основные трудности определялись процессом "затравки" одного единственного монокристаллического зародыша. 0 целью исключения процесса "ловли" единственного зародыша и уменьшения концентрации носителей проводилось такясе выращивание монокристалов из шихты с избытком металла до 8от.# в режимах близких к температуре ликвидуса. В предлагаемом методе, несмотря на хорошие параметры выращенных кристаллов

18 з

(р<!0 см , отсутствие мпкровклточенпи в вице металлических фаз и малоугловых границ), условия ростр ил границе близкой к ШЛ-С (пар-жицкость-кристалл) и сублшлгрга, в кякой~то степени, оказались трудно воспроизводящими. Лглоо описана технология изготовления мопокристаллическттх: плёнок и на свежссколотых подложках 6а^ методой мгновенного испарения в вакууме. Установлены оптимальные режимы эпитаксии высококачественных' монокристаллнчсских плёнок п- и р-тиля (п,р —10

р*Ю*сн:у&.С.Т1рп 77К)с составом идентичным составу исходной тттхтн и ориентацией псполт»зусет»х подложек. Приведены метод!; измерения электрофизических и структурных параметров. В Р&^Зи Те<1и > обнаружено монотонное умзпыпенпо параметра ре-

'■""л X ' "

шетки с ростом концентрации введёпного индия.

Третья глава посвящена изготовлению н исследованию фотоприёмных структур в ближней, средней и далытпй ИК-областях. спектра на основе 31 <2и> (А = 0,0 + 1,2мкм) и материалов Р&, Те 6 + 13мкм). Проведены исследования ВЛХ и фо-

1-х а о. ,

точувствительности И-И-И структур с п-базой, компенсированной цинком при подсветке (Тоновым излучением различной интенсивности, а также излучением из области собственного поглощения (А= 0,8 -г 1,2мнм). Показано, что при подсветке фоном 300К (при азотных температурах) отношение светового тока к темповому

т*е• по чувствительности, рассматриваемые структуры не уступали ¡5 -диодным. Ампер-ваттная чувствительность в области длин волн Я =0,8 -т 1,2мкм ЩО^В/Вт • Показано, что высокие значения фоточувствительности определяются спецификой глубоких центров цинка в кремнии. Благодаря тому, что сечение захвата дырок на верхний- уровень пгаткп значительно больше сечения захвата электронов ^/¿7- /Ср) при освещении образцов светом из области собственного поглощения, (Тшодырки мгновенно захватываются на глубокие центры и Фотопроводимость определяется в основном монополярным током электронов 1<р=е О.о^Ч'Си/Тг (<$0- плотность потока фотонов, £ - квантовая эффективность¿1 , А - активная площадь приёмника, &-?п/гг~ кож?$ифтеит фотоэлектрического усиления равной отношению времени жизни к времени пролёта электрона через п-бапу). Принимая, что М> ^ Ыа, , 6"п при известных размерах п-бпзы с1 = 0,1см, падения напряжения ~ 40В п~ ЮъсмуЪ,С,,, коэффициент фотоэлектрического усиления (г^О3, что и опре долтт.мо высокое значение фото-чувствитольности. Уставовюно, что (пои ¿ с1 ) сублинейно-

сть и /^-образность ВАХ определяются резким увеличением на верхний глубокий уровень цинка в сильных электрических полях. Далее приводится технология изготовления предложенных конструкций эпитаксирлышх фотодоодных линеек на основе P^ojs^^o^Tt. • Линейки р-п-переходов изготовлялись методом МИ ¡[мгновенное испарение) с последовательным напылением полосок р-типа (толци-ной ~ 5мкм) и п-типа, (толщиной ~ 1-2мкм) на свекесколотые подложки BaFz. Для получения плёнок п-типа напыление проводилось из шихты с отклонением от стехиометрии в сторону, избытка ...металла, Используемый метод МИ при больших скоростях осог;дения~(бЛ/.) позволял получить структуры с фиксированным положением р-л-пе-рехоцов. Выбранная топология структур предотвращала повреждение р-л-переходов при пайке контактов. Максимальное число элементов линейки равнялось 20. Размеры фоточувствителъных площадок ЩО1- Л 'Ю'^см11 • Проведены исследования ВАХ.спектральных, вольт-фарадных и других характеристик в связи с установлением технологических ренимов получения высоких значений фоточувствительности. Наилучшие значения параметров наблюдались при температурах T„(gx380oC1 Tt)C^820°C с последующим отшгом изготовленных структур в вакууме при 140 - 150°С. Используя известные принципы ограничения чувствительности шумами фона {R^XUTj^Qcp, ' г?1е ^о - темновое сопротивление фотодиода при нулевом смещении) и непосредственно измеренные значения Rc и А, показали, что обнаружительная способность единичных элементов линеек Ъ*- /0 см. Ги>. в области длик!|волн' Я =6 + 13мкм при 77К, что было подтверждено непосредственными радиометрическими измерениями. Посредством диффузии индия ^0<¡и. Та > изго-

товлены также линейки полевых фототранзисторов с обнаружитель-ной способностью единичных элементов, ограниченной шумами фона (D = 5"'/0c/»?.iy .Абгпри 77К в области длин волн Я =8 •»■ 13мкм). Проведены исследования сток-истоковых ВАХ и фотоэлектрических свойств полевых фототранзисторов с изолированным затвором при различных уровнях фоновых подсветок Рср . Установлено, что ампер-ваттная чувствительность /Sj монотонно уменьшается с ростом Яр,-максимальное значение^^ЧОй/Втнаблюдается при напряжениях UCt близких к напряжению перекрытия канала. Показано, что в рассматриваемом режиме электронно-дырочные пары образованные светом разделяются барьером р-п-перехода и могут существовать длительное время, определяемое постоянной времени разряда(Г-/?0сыр(-¿(f/liTj, где ср - фотонапрякение, возникающее на р-п-переходо при освеще-

нии) через внутреннее сопротивление р-п-перехода. Возникшее при этом фотонапряг.ение, эквивалентное по своему ;t,íjйсттзыю прямому смещению на затворе, привода к pac-mpoiw» юпяпа vt соответствующему росту тока стока, предопределяя высокие значения фоточувствительности. Согласно приведённой расчётной кодели, ампер-ваттная чувствительность при этом опрсдегчется выражени-

где Uл - напряжение на стоке, ip - контактная разность потенциалов р-п-перехода, а и Z , соответственно, ширина и длина канала, р - падащая мощность света. Ррсч«ты ампер-ваттной чувствительности, приведенные нп основании (7), показали качественное соответствие с чзмереншш значениями. Примерное сов-падеше световых характеристик с измеренными имело место при одновременном учёте фотопроводимости самой плёнки канала, связанного с ростом эффективного времени :чизин носителе!! тока из-за наличия "рекомбинацнонного" барьера.

Четвёртая глава диссертации посвящена исследованию влияния примеси ншхия (и частично кадмия) на электрофизические и Фотоэлектрические свойства материалов И,.к $икТе. в ПК- и СВЧ-областях спектра. На основании исследований температурных зависимостей коэффициента Холла и удельного сопротивления объёмных и плёночных монокристаллов PL ,«&!/7é<In> ~ 0,2 + 0,2G; A/r(1~0,I -г I а.т/') и модели глюгозарядных примесных состояний индия [б], определены значения энергии активации уровня индия и ширины запрещённой зоны в зависимости от состава твёрдого раствора и процентного содержания индня. Показано, что начиная с 0,5 ат.£, дальнейшее легирование индием приводит к расширению запрещённой зоны и г сдвигу уровня индия Sj„ вниз относительно 80НК проводимости. При этом дёд~ 2/£jn , что соответствует закреплённому состоянии уровня индия относительно середины запрещённой зоны при раздвижении L -зон. Получено эмпирическая формула зависимости &6c¡ от процентного содержания индия "У" и состава. "X":

которая хорошо 'согласуется с экспериментальными ценными, начиная с /¿0,5 ат./о. При У ^ 0,25 атЛ расширение запрещённой зоны не наблюдается и значения ££ описываются выражением:

= 0,187 - 0,543х й;ля нелегрованного материала при Т = 0. Расширение запрещённой зоны и уменьшение постоянной решётки с увеличением процентного содергания .индия объясняются образованием четырехкомпонентного твёрдого раствора. Проведены исследования фотоэлектрических и шумовых характеристик фоторезисторов Р^-ц^п^Те.< 1и> при 78К. Показано, что для лучших образцов при 78К ГцЦ Ьт ' . Основной причиной малых значений

Т>* оказалось резкое увеличение амплитуды шумов при освещении фоном 300К. Незначительное изменение при освещении фоном величины тока, независимость амплитуды шумов от частоты модуляции сигнала и малые значения , при которых система не мокет чувствовать флуктуации фонового излучения, позволили предположить, что рост амплитуды шумов следует связывать с флуктуоцтами сопротивления образцов при освещении. Приводятся несколько предполагаемых механизмов этого явления. При 78К рассмотрено такие действие импульсного освещения на. кинетику фотопроводимости > при низких частотах модуляции сигнала, от АЧТ-500К. Показано, что в тонких плёнках (с/^ 0,3 + 0,5мкм) наблюдается положительная фотопроводйЙость'с самогашением (спад фотопроводимости в процессе действия излучения) и переходом на отрицательную фотопроводимость (после виклшониян. освещения) с долговременной релаксацией 5 * 6с). Это явление находит объяснение захватом фотоэлектронов на медленные поверхностные состояния (МПС), созданные адсорбцией кислорода на поверхности Р&1_/<£их Те. . Гахват электронов на МПС приводит к расширению области пространственного заряда (ОПЗ), сникает объёмную проводимость и в том числе после, прекращения освещения. При 4,2К проведены исследования ВАХ и фотоэлектрических свойств монокристаллических плёнок и объёмных кристаллов Те < 2и > ( х = 0,22 + 0,26; N/^0,1 -¡- I атД') в присутствии фоновых засветок различной интенсивности и длины волны. Показано, что темновая ВАХ при малых прилонешшх полях носит линейный характер, сменяющийся при 3 + 5 В/см на сублинейный, который при 10 15 В/см переходит в сверхлинейный. При освещении фоном

300IC ВАХ качественно меняется. При малых полях (то тз<7 тЮВ/сн) связь тока,с напряжением линейна. При больших полях на ВАХ наблюдается отрицательная дифферештттальная проводимость и при сто больших полях ( Е> й 25 * 30 R/см) ток перестаёт зависеть от напряжения. При обратном ходе ТЗАХ практически повторяет темповую, по с несколько большими tokwtt, т.е. пяблюдпется гистерезис. Действие фона ЗООК тпктс уменьшает инерционность (Тютолпо-цессов на несколько порядков (от иесколт.гттх часов до I0-oc.J, а дополнительное остлеи.ение через билт.тп, срезающий длинноволновую часть спектра Фоня выше 5мкм, сопровопкпется частичным гашением фоновой Фотопроводимости. При понижении температуры Фона от ЗООК до 25К ампер-ваттная чувствительность увеличивается от 10"А/Вт до 10 А/Вт. Рассмотренные явпения объясняются на основе примсс-ной модели ян-тел перовских центров (Г[ТЦ) [С>-8]. Согласно отой модели ,примесь индия при ясгпровшшч цТе novele? ва-

кансии металла и выявляет том самым иркяистг! теллура, сознаю-игле в соединениях А*%' ггубоше центры (ЯТЦ). Рпхвзт (либо ■ брос) электроно на ЯТц сопровождается ->огр.чг,ио;1 nepcc?noüKoi5 решётки (сильигг." Oí'e"lBlMC!.' ы.тоиов) вокруг ПРИЫСПГОГО HñiríMin. В результлте мп-ду локализованиями ir »(счокплпловгмтггп состояниями электрона возникает барьер, об.уславлпваючгч', долговременную релаксатпп, •чтжровочпкости при 20К. Отрппательное сопротивление на ВАХ и «го особопиостп, с точки зреи-тя двухэлок-троннон модели ЯТИ, объяснятся елсдуэтг^м обргг-омгв равновесных (в темноте) условиях все-"Электроны няхоатгея на двухэлоктроттгх состояниях ЯТЦ. При освещении Фоном часть электронов nopexo.xt? из, НЩ .в. зону проводкыостч, одновременно пропсхот^' лерестройгп этого центра в состояние способное захватывать электрон!' из зоны проводнмостн. 0 дття];о цля возвращения т> исходное состояние требуется преодолеть потенциальный барьер, тюотог.-у, созданная неравновесная проводимость сохраняется дчтгелъноо время Т~ехр(\Ма/кТ). В сильных тю.ля-r происходит ррсогрев электронного газа. Увеличение энергии свободных электронов равносильно угсць-шегопо высоты барьера W0/ , что вызывает розгоя .уменьшение ¡зро— менп жизни носителей токр, т.е. гашение Фотопроводимости. При обратном ходе, т.е. уиеньмоп'п приложенного напряжения, високос значение фототока но успевает установиться, поэтому на ВАХ наблюдается гистерезис.. В рамках ¡щухэлектронной модели ПТЦ получено так;::е уравнение, описивоы'цее Я АХ Р^, 5ихТе< 1ц > при 4,2Х в условиях Фоновой засветки ЗООК г. виде:

где^ - число носителей тока, рождённых одним фотоном; и// - соответственно, сечение захвата, фотонов и концентрация ЯТЦ; &а- энергетическое состояние пустого ЯТЦ, д0- константа, характеризующая упругость решётки и величину электрон-фононной связи; £ - энергия, приобретаемая электроном в электрическом поле Е. На основе анализа зависимости £ от приложенного поля, с учётом механизмов рассеяния, установлено, что соответствие расчётных данных ВАХ ВтЦ1 , ] ) с эксперимен-

тальными значениями можно достичь, если принять, что после участка с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП) имеет место ударная ионизация ЯТЦ. При этом величины токов и напряжений срыва на плато, после окончания участка с ОДП, сильно зависят от состава "X", интенсивности освещения и содержания индия. На основании проведённых исследований принимает-

ся, что индий, компенсируя вакансии металла, а также действие мелких доноров и акцепторов при ^ Д^ , Л/а стабилизирует уровень Ферми и обеспечивает отсутствие парамагнетизма. Компенсируя вакансии металла, индий одновременно выявляет вакансии теллура, создающие в Если при Т> 20К из-за

/УГи^Л^Ж ^Ю'см3^ исчезающей малости барьеров между локализованными 'и делокализованными состояниями электронов основную роль играют состояния индия, тоI при Т4 20К из-за наличия барьеров - основную роль играют ЯТЦ.

В последней части четвёртой главы диссертации приводятся исследования фотопроводимости материалов Те<2и1 в субмиллиметровой и миллиметровой областях спектра. В Рё/_]рН1<Те.<2п> при действии СВЧ-излучения с длиной волны Я = 5мм при 4,2К и в присутствии фона 300К обнаружена отрицательная фотопроводимость, носящая долговременный характер (время релаксации фотопроводимости Т^Ю е.). Поскольку при Т^ 20К сопротивление образцов РВ,.:/Лу1хТ&<1п> в присутствии фона не зависит от температуры и ВАХ при действии СВЧ-сигнала была линейной, то рассмотренное явление не было приписано ни баллометрическому эффекту, ни// -фотопроводимости. Показано, что из-за. близости частоты поперечных оптических фононов к частоте излучения с длиной волны "к ~ 5мм происходит интенсивное поглощение СВЧ-излучения на колебаниях решётки. Последнее приводит к посту колебания атомов решёт-

ки, а следовательно, и ЯТЦ. Рост амплитуды колебаний ЯТЦ сопровождается ростом темпа захвата электронен ия зоны проводимости па свбодные ГГТД, созданное подсветкой фоном, при 4,2К в области длин волн ЗООкш обнаружена фютопроводи-мость, связанная с появлением при легировании монокристаллов

Те. кадмием, примесных центров с энергией активации ~ 0,0045 оВ. На основе радиометргчческнх измерении показано, что обнаружителъная способностт,

(Uc/Uj) Щ[р * Гц'Ы1 Время релаксации фотопроводимости ,Г~ 10~'!с. В Те<1н> (х>0,22;

¡\f-fo} 0,2 от.-) при 4,2К обнаружена Фотопроводимость с быстродействием 10 60. на длинах волн X = ЮОмкм, Я= 2мм и Д =4 +5мм. Показано, что сигнал фотоответа при изменении частоты модуляции сигнала до ТО^Гц представляется прямоугольными импульсами с довольно резкими фронтами и быстро действие Т6: 10.с. имеет место для всех рассмотренных длин волн пядяк/него излучения. Для излучения с 1- 2т отношение сигнал/луг <S//l/~3oO + 400, фоточувст-вителъность ^

ТВ/Вт. В случае длин волн с Я = ЮОмкм.,S/tik 100 vi $и< 13/Вт. .Максимальное значение фоточувстзитедьпости соответствует сигналу с X = 4 + 5мм. Ирм оток с улучшением экранировки от округгщего Фона и подключением копгттого поля с напряжённостью Н — ЗТл наблюдается зл^еттп.'^ пост (Тютопроводимос-ти (при Н •=; ЗТл стою л фотоответа воппрстгл примерно на 20-25'"'). Сравнение с классическими приёмниками па основа In Sb локг-ппло, что исследуемте образцы' ( Рё1.х^пх, Те, In > ) на длинах волн Л = 4 + 5т имеют такую'же чувствптс чьноегь, что и In S b на длине волны Д= 2мм, т.е. $и - -Юьфт и ^Ю',хЬт. Гц'/Л . Высокое' 'быстродействие, сильное возрастание сопротивления ¡г, соответственно, фотопроводимости в магнитном поле, а также с улучшением экранировки от излучения о'фу'-ящого фона, позволили объяснить наблюдаемую ОВЧ-фотопроводимость ряаогревом электронного газа при поглощении анергии электромагнитного излучения свободными носителями тока. В пользу рг» зогревного механизма говорит также рост фотопроводимости с длиной волга; от 0,1мм до 4 + 5мм, что качественно соответствует обичпой классической теория Друде, возрастание коэффиттиента поглощения свобод-ннми носителям.

Пятая глава диссертации посвящена вопроса!.' практического изготовления систем измерения мощности и энергии переносимой электромагнитным излучение;.' в '.Р'-области спектра. Па основании анализа отношения спгнял/щум в полупроводниковых структурах,

предельных пороговых характеристик фотоприёмников в зависимости от длины волны и температуры применительно к различным областям спектра, и общих принципов выигрыша при радиометрическом приёме слабых сигналов на фоне шумов предложены и изготовлены несколько вариантов конкретных схем и конструкций ИК-рздио-метров с внешней и внутренней модуляцией фотоэлектрического сир-нала. Приведены оптимальные условия выбора конструкции модулятора и его частоты в связи с постоянной времени, полосы пропускания и спектра шумов используемых фотоприёмников. Приведён анализ работы каждого из предложенных'блоков, даются рекомендации по их улучшению, рассмотрены методы градуировки чувствительности и измерены"!)* и /^¡.¿(^ЕР) при использовании в качестве фотоприёмников изготовленные структуры из ,

и Рбид^Те.

В результате измерений установлено: .

1. Для 5-ДИОДНЫХ структур Ш$1<Ч.У1> ~'Ъ*<х101йг>1.Гц* Вт '

при 300К и^МО'сМ. Гц'Л Вт~' при 77К (в области длин волн Я = 0,8 - 1,2 мкм).

2. Для £-диодов из при 300К и ^Ц-Ю"'1' &Г. П.Г& при 77К ( Л =0,9 4- 1,2 мкм).

3. Для фотодиодных структур из Те,- Ъ^^-^-Юсп.г/^Вт'1 при 77К ( Д =8 г 13 мкм).

|| > |

Показано, что рассмотренные системы ИК-радиометров могут быть использованы в качестве лабораторных макетов для измерения фоновых шумов, пороговых и любых других характеристик электромагнитного излучения в спектральной области используемых фотоприёмников.

1

В заключении подытожены основные научные и прикладные результаты работы.

ВЫВОДЫ

I. Проведены комплексные исследования статических, динамических и шумовых характеристик р-^-п ¿^-диодных структур из ,5л< ?//> . Установлены закономерности наВЩ^ои после переключения. Показано, что максимальное значение электрических полей в базе Е<103В/см., а распределение поля по базе при различных уровнях инжекпии соответствует условию двойной пн:сектой. На основе изучения ВАХ от длины базы установлено,'что в исследуемых структурах имеет место увеличение с ростом тока диффузионной длины не-

- _

Ají

основных носителей, позволяющее примять, что ОС на ВАХ обусловлено I'-мехэнисмом. При этом рост времени жизни с шкекцией носит немонотонной характер: при малых уровнях инжекции время кизни неосновных носителей уменьшается, а затем резко возрастает, что, в конечном счёте, сказывается на кинетике переходных процессов и закономерностях ВАХ.

Предложены механизмы, объясняющие обютругетше новые свойства диодов (температурная стабильность и рост напряжения срыва в интервале температур от 20°до Ю0°С, генерация чумов с оыш-питудой^ В00 + РООмВ в широкой полосе спсктрад^ ~ЗООкГц), связанные с близостью нижнего уровня нинкл И = Л + 0,31 эВ к потолку валентной зонм. Большая амплитуда шумов, ей токовая зависимость в сочетании с широкой полосой спектра ж независимостью Umax от температур!/ в интервале Т = 20°- 100°С послужили основой для выполнения серии договоров и разработок управляемых генераторов шумя и многоканальных датчиков случайных величин в НПИ'Ш (г.' сленоград).

Показано таете, что изучаемые диоды в гтепи малого переменного сигнала представляются в виде параллельного резонансного контура с высокой добротностью ф 10 ->- 30).

Предложена теория формирования ОС на ВАХ в p-¿-n диодах при условии, что i -область легировала глубокими центрами с одним глубоким уровнем в низшей половине запрещённой зоны. Получены уравнения для распределения электрического поля в базе при низких л высоких уровнях инжекции, носящие общий характер и поэтому могут быть испо'лт.зованы не только 2 л > , но и для любого материала, когда ког'пененрущэя примссь создаёт одч-Н'-глубокий уровень в наглой по ловине запрещённой зоны. Из решений уравнений для ноля, в приближении кваятшеИтрлльнос-ти, установлено: до участка срыва на ВАХ j ~ IIs/* ; после срыва (высокие уровни инжекции) j U " чалее - j ~ Uz . При ЭТОМ UmerVp*' . UmLH ~ </р* ■ . КР0!'° того. TI U»tú7c/Z • Приведённые закономерности полностью соответствовали экспериментальным данным. Численный расчёт полученных' из радений зависимостей UMQ/ , Umin п j тал от температуры при различных значениях /\/д . показали качественное и по порядку величины количественное совпадение с экеппрнмстггалъными цтпшмя.

2. Изготовлены и исследованы ВАХ и фотоэлектрические свойства симметричных п+-п-г!+структур мри V71v из крв'лпя с n-daaoii, компенсированной цинком.

I!... '.I.....

Показано, что в рассматриваемом случае, когда примесь создаёт двухзарядйый акцепторный уровень в верхней половине запрещённой зоны, по фоточувствительности указанные приборы не уступают ^-диодным структурам из Ъц> >5"'101'В//Вт). Установлено, что высокие значения фоточувствительности связаны с параметрами глубоких центров и определяются большими значениями коэффициента внутреннего усиления (& -ТД^^О3). Показано так;:се, что сублинейность и -образность ВАХ в структурах с следует приписать полевому росту сечения захвата электронов•на глубокий центр.

3. Приведена общедоступная и дегковоспроизводимая технология выращивания кристаллов соединений их Те с высокими значениями электрофизических и структурных параметров. На основе приведённой технологии получены монокристалдические слитки материалов Те и Те.<1и( Сс/>, в которых.от-, сутствовали отступления от стехиометрического состава

-Ю от. %), концентрация дислокаций Ч/О^СМ2, отсутствовали такие малоугловые границы. При этом концентрация основных носителей и подвижность без дополнительного многосуточного отзпгга в парах с избытком металла равнялись: п^Ю'-Ю'сМ3,

А-М^/В.С. для Я&нА Те < > ии "3 %и^\0ъстх1?>Л.

для Р6,.х-5иуТв<Сс/> при 77К. '

4. Приведена технология получения монокристаллических эпитак-сиальных плёнок п- и р-типа материалов Та на све-кесколотых подлогах ВаЯ^.

Установлеш оптимальные технологические резшш получения плёнок однородных по тол'цине и составу, .идентичных составу исходной шихты.

5. Предложены и изготовлены новые структуры фотодиодных .линеек на основе эпитакспальных слоев ¿^'¿¡иТе. , отличающихся конструктивным преимуществом по сравнению с меза-структурами. Про^едеук исследования спектральных,, фотоэлектрических, и, рольт-фарадных характеристик.

Установлеш.' технологические условия получения .линеек с обнару-кктельной способностью единичных элементов, ограниченных шумами фона при 77К и А = 8 + 13 мкм).

6. Разработаны и изготовлены многоолементные линейки полевых фототранзисторов с р-п-переходом на основе • Проведены исследования фотоэлектрических характеристик.

Показано, что обпарухтттелт.ная способность ощптчных элементов

при 77К ( % --= В + 13 мкм). Проведен расчёт сток-потоковой ВЛХ и «>угочу осттогголмюс'ги нолевого фототранзисторо с пполлповгшп'м затворов. Показано качественное соответствие расчетных дгяпшх с экспериментальными значениями ампер-;*аттноё <"оточу встлпте лглостл.

7. Па основании исследований элоктро-".ч:-шчеекпх свойств объёмных и плблочтп.'х монокристаллов Те 4 _£(.,;> (х --Ю ,2-^0,20; ^ =0,1 - 1ат.-') определена значения энергии «ктцвятпш привесного уровня индия и лчрлнк запрещённой зоны н зависимости о* состава твёрдого раствора и процентного содер: анчя индия. Показано, что, начиная с^О^отХ гогпропгчгте индием приводит к расширению запрещённой гюнр и к сдвигу уровня нндия вниз относительно дна зоны проводимости.

Предложена эмпирическая формула пгтосимогт" изменения тхряш' запрещёшгой зоны от пролепггпого сот*1'-пп^я ни для дтя глгчп.'х составов "х". Рясрчронле запрещённой зон:' с ростом )сощтсн^рг-ции индия объясняется образованием чо7Г!-«-:::го'.гпоисптиого п,лёр— дого раствора.

П. Но основании -тсследовсчт :ч>110гп»*г?г'л 'лчпеких плёнок объёмных кристаллов сое гшепяй Р£,_), Ян^ Тс 4 Ти> (х ^0,22 +

0,24; /4= 0,23; 0,3 л О,Г- - т."') при тгенопр-.-урв 4,2 : ч .'рттсут-ствнч фонов!'X загнеток различно" '"тттгтп'кч"!^ иогаглцо, что лпчсутстлче ;-'оне ¡ЗОО'С .у.г.-ли^ре™ чноррипциостт. г.г)»>(.'">лттосоо!) нг несколько порядков, су:чсс,>,з»,:'"о !.':епя«""г лрку ИЛ;, по сраптпгс/ с томного'':, п дополни- '«ъноп освещение чорог. фильтр, еп;к:л> т-л; чдгшноволиоиу» часть сне:":••>; , но /княя V)'нрпаодкт к уменьшению токов. Набл;;д: и- I с яд» юппя объяеня: ;ч>я ¡-.г г п.;: о-делт ЯТЦ. ■

Установлено, что отрицательная •'•гппнтщалыюя провощкоетт. на ПАХ является гашпилем <Тоиот*о" >•••01 • поъодт.'остя пое.педствг.м роста темпа захвата свободны:; опог.т'юиов на ПТЦ и с лллп:;: электрических НОЛЯ','. , |

0. 13 рамках: модели двухэлектропного захвата на ЯТЦ проведён |

теоретический расчёт ВАХ в условиях фоновой засветки 300К. <

Пшведены численные оценки пороговых параметров отрицательной |

дифференциальной проводимости (^„¡н.^ши: и]„ш% ) с учё-

том механизмов рассеяния носителей тока и параметров ЯТЦ в связи с составами исходных кристаллов.

ж ¡ í ístí , n m i rrrPñ rn, ^ r¡

Получено хорошее совпадение с экспериментальными данными.

10. Проведены исследования фотоэлектрических и шумовых характеристик фоторезисторов на основе Р&,_х-2ихТе< 1и> при Т=77К. Установлено, что освещение фоном 300К приводит к росту амплитуды шумов в несколько раз в условиях, когда обнарумтельная способность меньше порога ограничения шумами фона 0-1О9см.^&т'). Показано, что рост шумов вызван флуктуацияыи сопротивления с освещением.

Приведены несколько возможных механизмов объясняющие это явление, природа которого не ло конца остаётся ясной.

11. В тонких плёнках (dá 0,3 - 0,5мкм) Рё,_х5>лхТеЛГи? ПРИ 77К обнаружено "самогашение" фотопроводимости с переходом на отрицательную фотопроводимость (после прекращения освещения) с долговременной релаксацией5 - fie.

Показано, что указанный эффект следует связать с захватом фотоносителей на медленные поверхностные состояния, созданные ад-сообцией кислорода на поверхности Pê,.* 5пх Те. .

12. В Те ^Ги > при 4,2К обнаружено гашение фоновой фотопроводимости СВЧ-излучением с длиной волны5мм, связанное с ростом темпа захвата электронов из зоны проводимости на свободные ЯТЦ (созданные подсветкой фоном) в связи с "перестройкой" ЯТЦ при поглощении решёткой излучения в области остаточных лучей (частота поперечных оптических фононов решётки

Tet 1и> близка к частоте папакщего излучения). Релаксация фотопроводимости носит длительный характер

13. R связи с обнаружением в -Su* Те при легировании кадмием акцепторного уровня с энергией активации ~ 0,0045 эВ проведены радиометрические измерения обнарулсительной способности Ъ* при 4,2К.

Установлено, что в и-Péí?6^Ho¡[VTe<Cc/>npn 4.2К в области длин волн 200 - ЗООмкм, iO'Vrt- Гы'^Ьт'1 . Постоянная Фотоответа Ю~3с.

14. Проведенииисследования при гелиевых температурах фотопроводимости Р&|-х (х^ 0,22;/У/(г

> 0,2ат.% ) в субмиллиметровой и миллиметровой областях спектра.

Показано, что указанные материалы на длинах волн Я =100мкм, 2мм и 4 + 5мм обладают высокой фотопроводимостью с быстродействием

— й'О -

Установлено, что с ростом длину волны от 0,1мм до 0,5мм наблюдается монотонный рост фоточувствительности. Максимальное зпа-чение фоточувствительности приходится на область спектра с ) =

s - 4мм , psk^-io'izrt. nry).

Показано, .что из-за высокого быстродействия фотопроцессов, малых значеций мощности излучения 4мВт в непрерывном режиме, частота модуляции излучения f-iO5Гц), а также отсутствия вымораживания носителей в магнитных полях до 15 Тл, фотопроводимость, связанная с баллометричееким эффектом, примесным поглощением или' перестройкой ЯТЦ (при поглощении в области остаточных лучей) не подходит для объяснения рясскотретюго явления. Ввиду сильного возрастания сопротивления и фотопроводимости образцов с ростом магнитного поля и экранировкой-, Фонового излучения наиболее вероятным механизмом обнаруженной СЙЧ-фотопроводикости является разогрев электронного газа С1Я-полем.

15. На основании анализа общих пршпшпов измерения слабы:: сигналов на фоне шумов разработаны несколько вариантов электрических схем и конструкций ИК-рздиометров с внутренней и внезной модуляцией сигнала.

Приведены метол;] градуировки чувствительности ИК-ра<(иометров при использовании в качестве фоточувствителъных элементов,разработанные Фотопряёмншш из > , &а и соединений 5и t Те .

Приведены измерения Э* и R>*&< при ЗООК, 77К и 4,2К. Цитиру емая литература..

1. Гаспарян Ф.В., Адамян 3.11., Арутюнян ВЛ. - Кремниевые фотоприёмники -.Ереван, Изд. Ереванского Госуниверситета,I989,3GGc.

2. Harman Т.С., bielngailis I.- Narrow vi ар bouiicoriüuctor^. Applied Solid State Science'- ii'd by ic.ivoli'c, -<evv i'ork, London: Acad. Pres. vol.p.1-9'4-.

3.'Кэйцанов В.И., Равич Р.П. - Глубокие резонансные состояния в полупроводниках типа A'V' - y<tfl, IfRr», т.145, в.1, с.51-58.

4. Акимов Б.А., ; ламэнов В.П., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.- Перспективные материалы ИК-оптоэлоктроникс? на основе соединений

Высокочистые вещества, 1991, Гв, c.IfV-34.

5. Мойжес Б.Я., Дпабкин H.A. - Диссоциация нейтральных состояний гетеровалентной примеси в заряженные (Гц , &Q ,Tl ) в Р&Т&-В кн. Проблем!- современной Физики, Л: Паука, 1'ЛТ), c.I2fl-I45.

6. Волков Б.А., Панкратов O.A. - Яп-теллеровскяя неустойчивость

кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках А%6- ДАН СССР, 1980, т.255, М, с.93-497. .

7. Засавицкий И.И., Мацонашвшш Б.Н., Панкратов О.А. - Двухэлек-тррнны^ захват и п^р^метры да-телдеровсда.цед'ТР'ЗР ъ Рё^Те! ~ 'Письма в ЕЭТФ, 1985, т.42, в.1, с.3-6.

8. Засавицкий И.И., Мацонашвшш Б.Н., Трофимов В.Т. - Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pfy.fin ¿7еЛ1п> - <Ш1, 1989, т.23, в.II, с.2019-2026.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Авакъянц Г.М., Абрамян Г.А., Гаспарян С.П. и др. - Кремниевые диоды с управляемым дифференциальным сопротивлением - Доклады АН АрмССР, 1967, т.44, №4, с.163-166.

2. Авакъянц Г.М., Абрамян 10.А., Сераго В.И. - Исследования переходных характеристик диодов с отрицательным сопротивлением -Доклады АН АрмССР, 1968. т.47. гёЗ, с.167-170.

3. Авакъянц Г.М., Абрашн 10.А., Сераго В.И. - Статические исследования ВАХ диодов с примесью цинка - Доклады АН АрмССР, 1968, т.47, И, с.12-16.

4. Авакъянц Г.М., Абрамян Ю.А. - Изготовление и исследование

$ -диодов с широкополосной генерацией - Отчёт по договору НИР с п/я 1631 г.Зеленоград, I960, &5/407, 24с.

5. Авакъянц Г.М., Абрамян Ю.А. - Исследования ^-диодов с примесью кадмия - Изв. АН АрмССР, Физика, 1969. т.4, в.4, с.239-242.

6. Авакъянц Г.М., Абрамян Ю.А. - Некоторые вопросы физики формирования отрицательного сопротивления в £-диодах - Изв.АН АрмССР, Физика, 1969, т.4, вып.6, с.376-379.

7. Авакъянц Г.М., Абрамян Ю.А. -«Исследования -диодов с примесью кадмия - Изв.АН АрмССР, Физика, 1969, т.6, вып.6, с.370-375.

8. Авакъянц Г.М., Абрашн Ю.А: - К вопросу о диодах с отрицательным сопротивлением - Изв.АН АрмССР, Физика, 1969, т.4, в.6, с.386-394.

9. Авакъянц Г.М., Абрамян Ю.А. - Исследования генерационных и динамических характеристик £-диодов - Отчёт по договору НИР с п/я 1631, г.Зеленоград, 1969, JS2/39, 14с.

10. Абрамян Ю.А., Мярзабекян Э.Г., Симонян Р.Г. - Применение -диодов В1 инфракрасном (ИК) радиометре - ПТЭ, 1976, J?5,

с.221-222.

11. Мирзабекяи Э.Г., Абрамян P.A., Адшляи З.Н., Арутюняи В.LI., Симонян Р.Г. - Высокочувствительный инфракрасный радиометр -Доклады Ali АрмССР, 1977, т.64, j;T>, с.285-200.

12. Абрамян P.A., Анисимова И.Д., Каляева В.П., ¡Аирзабекян Э.Г., Симонян P.P., Стафеев В.И. - Инфракрасный радиометр на основе инфекционного фотодиода из арсешда галлия - Оптико-мехпнпчес-кяя промышленность. 1978, .'"¡P, с.72-73.

13. Абрамян D.A., Арамян Й.С., Яотртглп S.X., Симонян Р.Г. -Инфракрасный радиометр ИКР-1 - Тезисы докладов 1-ой конференции молодых учёных, Hop-Амберд, Кревап, Изд.АН АрмССР, 1379, с.66-67.

14. Абрамян P.A., Арамян Н.О., Катпя;;дат К.Х., Симонян Р.Г. -Универсальный низкочастотный' тракт для радиометров - там ме, с. 67-68.

15; Мирзабекяи З.Г.!, Абрамян P.A., Арамян II.С.. Симонян Р.Г. -Приёмники ПК-излучения с аномально высокой Фоточувствительностью - Доклады АН АрмССР, 1981, т.XXII, '.'I, с.28-33.

16. Абрамян P.A., Симонян P.P., Иамбухчян Рл1. - Инфракрасный и импульсный. радиометр - Тезисы докладов колодах учёных по Физике, Вюракан АрмССР, 1983, с.138-139.

17. Абрамян P.A., Царукян ГЛ.А., Бабаджанян B.W.. Торикян Д.Э.-Исследование фотопроводимости {pgs^ Dt )Те - Тезисы докладов Peonyбл. конф. молодых учёных л'о актуальным проблема:.: физики, Пиликан АрмССР, 1985, с.190.

18. Абрамян Ю.А., Царукян ¡.I.A. - Эффект увеличения-сопротивления монокристаллических образцов (Р^цщЯпсм 1п0сх, с иос~ том электрического поля при азотных температурах - там же,с.191.

19. Абрамян P.A., Царукян М.А. - Рост монокристаллов ß&qg&ito^ из источника с избытком металла - Тезисы У1 Всесоюзной конф. по росту кристаллов, Цахкадзор. АрмССР, 1985,4.11, с.207-208.

20. Абрамян'И.А. - Разработка полупроводниковых радиометров субмиллиметрового и ИК-лиапазонов - Москва: Ш1ГП1 "Электроника", 1986, 61с.

21. Абрамян P.A., Симонян Р.Г., Темурян П.В., Хярионовскии P.C. Чащин С.П. - Фотопроводимость монокристаллов И- Р^^-^луTt<Ccl> в длинноволновой части ИК-спектрл - '¡>ТК, 1986, т.20, в.Г>,

с.1887-1888.

22. Абрамян P.A., Папазян К.Э. - Термоэлс монокристаллов Pß0(8 5«ол-Те<In > - Изв.АН АрмССР, Физика., IK',7, т.22, в.2, C.II4-II8.

23. Абрамян Ю.А., Григорян М.Е.. Мартиросян С.Г. и др. - 0 Флу-ктуациях сопротивления твёрдых растворов SnKTe<In > пои азотных температурах - Изв.АН АрмССР, Физика, 1989, т.24, в.6, с.283-287.

24. Абрамян Ю.А., Григорян М.Е., Папазян К.З., Стафеев В.И. -Фотоэлектрические свойства тонких плёнок P&i-* ¿и)(Те<'Хи> , полученных методом мгновенного испарения - Тезисы докладов Всесоюзной научной конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках", г.Ташкент, Изд.АН Узб.ПОР, 1989, с.489.

25. Абрамян Ю.А., Папазян К.З.- Полевые фототранзисторы с р-п-переходом на основе Pbp^g SriТе - ФТП, 1989, т.23, в.8, с.1486-1491.

26. Абрамян Ю.А., Папазян S.3. - Фотодиодше матрицы на основе Pbi-x Те. , подученные методом мгновенного испарения в

вакууме - Электронная техника, ceb.2'. Подупрово,дниковые приборы, 1989,| в.3(200), с96.

27. Абрамян Ю.А., Папазян К.З. и др. - Некоторые исследования фотоэлектрических характеристик Р&,.* - Изв.АН АрмОСР, Физика, 1990,'т.25, в.2, с.108-111.

28. Абрамян Ю.А.,ПАпазян К.З., Стафеев В.И. - Вольт-амперные характеристики тонких плёнок Р&нх 5й/Те<1и> при различных уровнях фоновых зясвяток - ФТП, 1990, т.24, в.10, с.1752-1756.

29. Абрамян Ю.А., Папазян К.З., Стафеев В.И. - 0 влиянии индия на энергетический спектр Н,.х SU*Те - ФТП, 1992, т.26, в.2, с.257-263. "

30. Абрамян P.A., Папазян К.З., Стафеев В.И. - Анализ ВАХ Рё|.х <ьихТе.<1и> на основе модели ян-теллеровских центров -Изв.HAH Армении, 1993, т.28, JS2-3, с.95-99.

31. Abrahsupian, Gavrilenko.V.I., Krasilnick Z.L., ^ickonorov V.V. f"apazian K.Z., Smirnov s.l., Stafeyev V.l. - Photoelectrick characteristick of material P^^Sn^Te subject to microwave and. infrared emission - Intern. Journal of.Infrared and Millimeter Waves, 1995, v.14, No.8, p.1667-1678.

32. Абрамян 30.А., Гавриленко В.И., Красильник 3.0., Сераго В.И. Стафеев В.И. - Фотопроводимость в миллиметровой области спектра Н, -х TeXlv\> - ФТП, 1994. т.28, в.З, с.533-538.

33. Абрамян Ю.А.. Арутюнян В.М., Гаспарян Ф.В. - К вопросу о фотопроводимости п+-п-п+структур на основе кремния, легированного цинком - Изв.HAH Армении, 1996, т.31, в.1, с.33-40.

Il U'- .1.' ■ il- mj ■ U '!■ ]| Г

Uinb'lfuiiMjin. J n 0»() НиЦцц'.мй t 9 ¡Allím; '.|nii«;tHiua.ji|.:iî) u¡; LlUil1 n Ll4' Í < 2 >1 > / Il цр.л S|uíiuu i ¡(i-u 'l'il 'Miipbqn ib|i¿ Ipüimi jtji.iíipbbp[i f

l'Iiiiip j II Ц1 ti ь mihrnpiuib mu ^i'un L oq[nij j |i ,

llll'J t[_ ЫцПршЦшЬ II. II inn (,[_ Il ([ШрЫрп И 1 тиД n I .¡I J »lViiLjji (l II L url Ltf buu[ipl/iub[l Ii .i 1 mil 5> rt innpbqi) l bti ¿ ItunriL Ji¡:iihp ..ili^ (íij I'1! п[i ruf ti mp ll p [i i^iuищш uint/tub

¡ ¡t(i'иIi [i [ib :

linuj£|ili q|_[unLif bbplpii jin<ji¡iiih lib M> — 11 ; j ир.ппрышпфиЬ p-L. "И-

lrjbüpjl UUIUIU)[li[, II Ii qobu'llUUI J [lb ll ШфГ'ци j|l'll p bf> Ljiujqp lip [i I,.ri|i (ibml[iijb h. luilp.ib ibwuiii.nuitiL|.i j n Lbbb[i;i uijn| jiiLb|)'iili|i|i : ll,i n¿i{Li|, I IJli шс|п[пГиГи w:»'¡i[i qifp, Ipjmuptjli I, I.ijT i[iup ![¡i Ii q [i i;inn¡. i>; i Л |i upq j n i. b|i blip ¡i 1 unf lii/iumn Lif : ¡jpt[pripq q|_jiMLif bli p Ipj j id J11 ujh I. Kl II p ипнишЦ! if (unp j n l p bq u j ¡tu luiiJui -. l t[uih p bbp[i II f^ ttjfi uiuip u[hii|_ [¡iiiquib^blipji liming ü [ [i Ii riU¡M ijlipiup niiuqpqiiq iji iT p aiL^i]ujfi mb [ubiiL rirj [nub :

bp p при qi_l"riLtI t¡bp n ij il lJ h'u -]ti| uiuiuipmuinijub И ~ ^ _

J n fl L 9 ijtub P Ь bp [l piltp'îp >]' Г1 lit II ipi 111 J ll Г1 L[î J III tl , ll,UI'-|l

tf Ii- Uli L p([i) Ш J ¡1 Ь lilbqiU-

ibpfi mmu^iugiftitb mumfnimbbpQ : bliplptt j unjt|iuf) lib j^Te. -¡i '¡[t-

i i|pu bnp 1|шгш L¡ji[iii&L>|> f«|bl|.uip¡i Л - U-i;3 tílp/ lll[l|in L j [J n L tl "¡mji.ibuu-tnq л Lblul{nL¡J julb

nip il lip blip ni¡ t/Ji 2'iipp '¿'"чшцшицш j[i b inbbhp[i Ii ipu j ими j[t b •1ninniiipuibq[iumnpbl]p]i ip¡iu in p i.i u iniJ" tu "li uiü¡ubii|_ nq¡iüi!piib inqbbpp:

-nppnprj q(_[urlLLr IJ ¡1 til lu p l ¡ П L if L [lbl| [l П Lt/[l ¡uta n'lll1Lpl| ¡l lllqqb J П L J П Lb[l

'i-x Зи^ Te. t.

_/n > b j ll Lt.ibp[l l,bh pqbin[>^ Ipunn Lyijiilflp[l , Uli|l)ltmp[l lib

ni[i p n l j [l b b p n ni 4i:i;-[i Ii J'iitim Siii| npquilpu un l[I jinb >_|pij Pliptf шииф -

muí : '4 bplltu jut£¡t|uih bu bbpif tu.bi[ni| [ibq|triní|i pui'uiiji.L[i ш Ü ¡л у ирс;Ьц[шЬ in L i_iujbiugifuib щишОшпЬЬрp lpiucp.]uiíi

„ -i 0,0 пиши/ % o ijliuipnuiT [iqn-tn l Ql¡iubpill j[l Ь ^Ul(pilj[lb lllbljl/uib II p ШИМрИПр.Щр jl ¿ U|[lbl| 1 m ¡_ n L j ¡.i [i iuiiui¿¡luí5-t rittw. bbpl[vu jiuiji'puíi bb ^.liP-h Si.i^ijtiipt^i i.ipq jtit_bpblipp >'м|\|[| rtLuwtjnpi/uib Loi j n l[j j uib ti) ui jtí aib'lilip n Lif : Uinti'[uip[i libt, uní [i ¡iif buipiiil|.iub Ii i/[i [_ [nfli mpui Ipub i n L j[Jbbp n Li/ l Л - l^U i/ilJ, У~ ~ ^btí Ii Л - 'i-b iíif / Siu jtnbijpbp t[uib ininn jjbnl[Jjiub if lib luq il l j b uip (I bp blip p / P Imif - 11) " Чш

p ш <j m -

[nul bb tiiuni.iqui jtJif lu'ii quiTuiiïi' I, ^ li't111!' "biu j[i b '|иц[| i;h:jp urji/iuif p :

À[ibbpnpr| q[_[iiriLif blip 1[ш j uij t|i!iù lib ишшуфиЬ .'in тир bi] i) l'Ii[i ¿ bbp [i q при in p ш и li -i lib nitiq|i nif huipnipiAi *i. ii/iul['jpqlip рч Ьш^шппи Hi[iuh uqif il Ll¿blqi[i viib[i ijpiü L1 " L J L

in I, (_ b ípnp iJ^iub iinp|iub2 inbb lip ¡i ¿uji;.ifmb Imfiup :

1

Заказ 146 Тираж ЬО

Цех "Ротапринт" Ереванского госуниверсктета. Ереван, ул. Ал.Манукяна >2 I.