Электронная энергетическая структура некоторых полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ, ЭЛЕКТРОННО- 8 ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ А^СУ1, АПВУ1 И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.

1.1. Халькогениды типа А11В ^

1.1.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупро- 8 водников типа АПВМ

1.1.2. Особенности ЭЭС полупроводников типа А11В41 по результатам 12 зонных расчетов.

1.1.3. Результаты рентгеноэлектронных и рентгеноспектральных ис- 17 следований ЭЭС полупроводников типа А^В^.

1.2. Халькогениды типа А1ВШС2У1.

1.2.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупро- 20 водников типа А'В"1^1.

1.2.2. Особенности ЭЭС полупроводников типа А'В111^1 по результа- 25 там зонных расчетов.

1.2.3. Результаты рентгеноэлектронных и рентгеноспектральных ис- 32 следований ЭЭС полупроводников типа А'В™^1 •

1.3. Твердые растворы на основе халькогенидов типа АПВУТ.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ ЭНЕРГЕТИЧЕ- 40 СКОЙ СТРУКТУРЫ И РЕНТГЕНОВСКИХ СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ ТРОЙНЫХ И ДВОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.

2.1. Применение метода многократного рассеяния высокого порядка 40 (программа РЕРГ7) для расчета рентгеновских спектров поглощения.

2.2. Применение метода полного многократного рассеяния в прибли- 52 жении локального когерентного потенциала для расчета электронной энергетической структуры твердых тел.

2.3. Методика расчета электронной энергетической структуры с ис- 62 пользованием метода локального когерентного потенциала и программы РЕРР7.

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И РЕНТ- 64 ГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ БИНАРНЫХ И ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО СОСТАВА.

3.1. Электронная энергетическая структура и особенности химической 64 связи бинарных халькогенидов типа АПВУ1.

3.1.1. ХАЫЕ8 К-спектры и плотность незанятых состояний соединений л По VI типа А В

3.1.2. Плотность состояний у вершины валентной полосы и ширины 76 запрещенных полос соединений типа АПВУ1.

3.2. Электронная энергетическая структура и особенности химической 82 связи тройных халькогенидов типа А1ВШС21.

3.2.1. Расчет параметров решетки халькопиритов типа А'ВШС^.

3.2.2. ХАМЕБ К-спектры и плотность незанятых состояний соединений 86 типа А1ВШСУ1.

3.2.3. Плотность состояний у вершины валентной полосы и ширины 96 запрещенных полос соединений типа А'В™^1.

ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПСЕВ- 113 ДОБИНАРНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ г^е^.

4.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупровод- 113 никовых твердых растворов 7п5х5е1.х.

4.2. Приближение виртуального кристалла.

4.3. Учет химического разупорядочения.

4.4. Простая тетрагональная структура.

4.5. Структура халькопирита.

Актуальность темы. Дальнейшее развитие твердотельной микро- и оптоэлек-троники существенным образом связано с получением и применением полупроводниковых материалов с заданным набором свойств. Возникший в связи с этим несколько десятилетий назад интерес к изучению полупроводниковых соединений типа А1^^ не исчез и по сей день. Начиная с 70-х, после появления публикаций о перспективности кристаллов А§Оа82 в качестве эффективного нелинейного оптического материала для инфракрасного диапазона спектра, стала ясна реальность широкого внедрения в практику тройных полупроводниковых соединений которые стали предметом пристального внимания как физиков, так и химиков и материаловедов.

Значительный научный и практический интерес представляют тройные халькогениды типа А1ВШС;1, которые являются ближайшими изоэлектронными и изоструктурными аналогами бинарных соединений АПВ^. Исследования показали, что тройные соединения обладают рядом перспективных в практическом отношении особенностей. Это вызвано, прежде всего, усложнением их химического состава по сравнению с бинарными аналогами, а именно, заменой одного типа атомов в катионной подрешетке двумя различными типами. Такая замена приводит к смещению анионов, т.е. искажению решетки, нарушению трансляционной симметрии и, как следствие, изменению свойств. Кроме того, у тройных соединений меняется роль различных парциальных электронных состояний в формировании вершины валентной полосы. Совокупность этих отличий вызывает существенное уменьшение ширины запрещенной полосы тройных соединений по сравнению с их бинарными аналогами. Именно это уменьшение делает, например, Си1п$е2 одним из перспективнейших материалов для солнечных батарей. (Коэффициент поглощения на порядок выше, чем у ОэАб и на два порядка выше, чем у кремния).

С развитием технологий получения качественных монокристаллов твердых растворов на основе соединений АПВУ1 (и А1ВШС;1) становится перспективной замена бинарных соединений их растворами. Такая замена выгодна ввиду возможности плавного изменения параметров раствора (например, ширины запрещенной полосы) с изменением его состава. Было установлено, что в твердых растворах замещения, в случае, если замещающие и замещаемые атомы изовалентны, изменение концентрации не приводит к появлению дополнительных уровней в запрещенной полосе, но вызывает плавное смещение вершины валентной полосы и дна полосы проводимости.

Помимо химической изоэлектронности, имеет место существенная схожесть кристаллических структур бинарных (АПВУ1) и тройных (а'ВшС^) полупроводников. Соединения А^'С1 кристаллизуются в структуре халькопирита, которая является сверхструктурой сфалерита (цинковой обманки). Соединения АПВУ1, в нормальных условиях, кристаллизуются в решетке сфалерита. Наконец, образование 50% твердых растворов соединений АПВУ1, в случае упорядоченного раствора, должно приводить к искажению решетки сфалерита, которое вызвано теми же самыми причинами, что и в тройных халькопиритах А1ВШС;1. Тем самым при изучении свойств твердых растворов бинарных соединений актуальным является вопрос их подобия не только свойствам чистых бинарных образующих, но и свойствам изоэлектронных тройных соединений.

Целью настоящей работы является исследование электронной энергетической структуры полупроводниковых соединений типа А^СУ1 (А1 = Си, Ag; В111 = ва, 1п; СУ1 = Б. Бе), типа А°ВУ1 (А11 - 2л\, Сс1; В^1 = Б, Бе) и твердых растворов 2п8х8е1„х.

Научная новизна. Впервые в рамках двух различных подходов методом многократного рассеяния высокого порядка и методом полного многократного рассеяния, в одном и том же потенциале, рассчитаны локальные парциальные и полные плотности свободных состояний всех компонентов бинарных соединений типа А1^ (А11 = гп, Сё: В^ = 8, Бе) и тройных соединений типа А1ВШСУ1 (А1 = Си, А§; В111 = ва, 1п; СУ1 = Б, Бе).

Впервые в рамках приближения локального когерентного потенциала проведен учет влияния смещения подрешетки анионов на электронную энергетическую структуру халькогенидов типа А!ВШС;1 (А1 = Си, Ag; В111 = ва, 1п; СУ1 = 5, Бе).

Впервые методом локального когерентного потенциала рассчитана электронная энергетическая структура твердых растворов 2п$х5е1х в широком диапазоне концентраций х (0, 0.17, 0.33, 0.5, 0.67, 0.83, 1) в приближении виртуального кристалла, а для 50% раствора 2п8^пБе с учетом химического разупорядочения и в моделях, учитывающих рассогласование связей 2п-8, 2п-8е для упорядоченных растворов со структурами халькопирита и простой тетрагональной.

Научная и практическая ценность заключается в следующем:

- модифицирован пакет компьютерных программ с тем, чтобы учитывать различный обмен для разных атомных сфер и между сферами, что позволяет добиваться согласующегося с экспериментом взаимного расположения энергетических полос разных компонентов соединения;

- разработаны методические основы и программное обеспечение для расчетов с одинаковым потенциалом в рамках различных приближений (многократное рассеяние высокого порядка - программа РЕРР7 и метод локального когерентного потенциала);

- получены согласующиеся с различными экспериментальными данными, имеющимися для чистых соединений и псевдобинарных растворов 7п8х8е1х, результаты и показано закономерное плавное изменение локальных парциальных состояний в твердых растворах замещения.

Автором модифицирован пакет программ, позволяющий рассчитывать электронную энергетическую структуру многоатомных соединений. Помимо технических изменений (возможность использования большего числа типов атомов в соединении, возможность использования больших кластеров), принципиальным для данной работы было введение в программу расчета кристаллического потенциала возможности задавать различные значения обменного параметра а для разных атомных сфер и в области между сферами. Лично автором проведено большинство расчетов ЭЭС исследованных соединений, разработана методика использования потенциала, рассчитываемого программой РЕРР7, в пакете программ, реализующих кластерную версию приближения локального когерентного потенциала как для чистых соединений, так и для твердых растворов.

Выбор объектов исследования, постановка, обсуждение и анализ задач, решаемых в данной работе, формулировка положений, выносимых на защиту, выполнены автором совместно с А.А.Лаврентьевым и И.Я.Никифоровым.

Разработка методики расчета ЭЭС в приближении локального когерентного потенциала, алгоритм и базовая версия компьютерных программ принадлежат А.Б.Колпачеву.

Ю.Ф.Мигаль указал автору на необходимость учета ё-состояний серы при расчете незанятых состояний соединения СёБ.

Научные положения, выносимые на защиту:

1) Для халькопиритов А1ВШСУ1 (A=Cu,Ag; В=Оа,1п; С=8,5е) оказывается возможным, используя только тетраэдрические ковалентные радиусы, рассчитать все кристаллографические параметры и электронную энергетическую структуру, особенности которой согласуются с рентгеновскими и рентгеноэлектронньши спектрами, а также с оптическими данными о ширине запрещенной полосы;

2) Рассчитанная в приближении виртуального кристалла, не учитывающем различия длин связей металл-неметалл, зависимость ширины запрещенной полосы от состава твердого раствора 2п8х5е[.х имеет нелинейный характер, что соответствует большинству экспериментальных данных, в то же время расчеты в моделях, учитывающих различие длин связей гп-Бе приводят к качественному изменению электронной энергетической структуры раствора;

3) В расчетах рентгеновских спектров поглощения учет вакансии электрона на К-уровне поглощающих атомов серы и селена в полупроводниках АПВМ (А=гп,С<1; В=8,8е) и А1ВШС;'1 (А=Си^; В=Оа,1п; С=5,8е) практически не влияет на энергетическое положение характерных максимумов их плотности состояний.

4) Показана применимость метода локального когерентного потенциала для исслед вания электронной энергетической структуры широкого класса тройных полупроводниковых халькогенидов типа А1ВШС;1, их изоэлектронных аналогов типа АПВУ1 и псевдобинарных твердых растворов халькогенидов типа АПВУ1.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Е Модифицирована программа расчета кристаллического потенциала для обеспечения возможности задания различного обмена для атомных сфер разных атомов соединения и в области между сферами. Это позволяет получать согласующиеся с различными экспериментальными данными положения характерных максимумов всех локальных парциальных плотностей электронных состояний.

2. Разработана методика расчета в едином кристаллическом потенциале спектров рентгеновского поглощения с помощью программы ЕЕЕР7, и локальных парциальных плотностей незанятых электронных состояний с помощью пакета программ, реализующего кластерную версию приближения локального когерентного потенциала.

3. Для соединений КС1 и РЬБ с решеткой типа КаС1 использование приближения рассеяния высокого порядка (программа РЕРР7) дает результаты хорошо согласующиеся как с экспериментальными рентгеновскими К-спектрами поглощения, так и с расчетами других авторов, проведенными в приближении полного многократного рассеяния.

4. Рассчитанные по программе ЕЕРЕ7 в приближении многократного рассеяния высокого порядка рентгеновские К-спектры поглощения серы и селена в исследованных соединениях типа АПВУ1 (структура сфалерита) и типа А1ВШС;1 (структура халькопирита) отражают только основные особенности соответствующих экспериментальных спектров, тогда как рассчитанные в том же самом кристаллическом потенциале в рамках теории полного многократного рассеяния плотности р-состояний Б и Бе хорошо соответствуют по форме и удовлетворительно по энергии экспериментальным спектрам.

5. Установлено незначительное влияние вакансии электрона на К-уровне поглощающих атомов серы и селена на плотности соответствующих незанятых р-состояний халькогенидов: тройных, типа А1ВШС;1 (А1 = Си.А§; Вш = ОаДп; СУ1 = Б,Бе), и бинарных, типа А[1ВУ1 (А11 = 2п,Сс1; ВУ1 = Б,Бе).

6. Проведен расчет электронной энергетической структуры халькопиритов А^С;1 (А1 = Си,А§; Вш = ОаЛп; СУ1 = Б,Бе) вблизи оптической запрещенной полосы. Параметры кристаллической решетки а. г|, и для всех исследованных соединений рассчитаны с использованием тетраэдрических радиусов Полинга без привлечения дополнительной экспериментальной информации по теории Джэфа и Зангера. Получено хорошее соответствие формы локальных парциальных плотностей состояний экспериментальным рентгеновским спектрам эмиссии и поглощения и рентгеноэлектронным спектрам что подтверждает применимость для исследованных халькопиритов идеи Брэгга о сохранении длин связей между элементами в различных соединениях.

7. Для всех исследованных халькогенидов типа А'Е^сУ1 в одном и том же кристаллическом потенциале удалось получить одновременно, как совпадающее с экспериментом расположение характерных максимумов локальных парциальных плотностей электронных состояний у вершины валентной полосы и у дна полосы проводимости, так и согласующуюся с экспериментом оценку ширмы запрещенной полосы.

8. Для всех исследованных халькогенидов типа А1ВШС^! (А1 = Си,А§; В111 = Оа,1п; С^ = 5,5е), взаимодействие валентных состояний приводит к расщеплению не только р-состояний анионов, но и ¿-состояния благородного металла.

9. Методом локального когерентного потенциала рассчитана электронная энергетическая структура соединении типа АПВУ1 и, в приближении виртуального кристалла, твердых растворов 2п5х5е].х в широком диапазоне концентраций (х=0.17, 0.33,, 0.5, 0.67, 0.83). Для чистых и 7пБе получено хорошее соответствие формы и энергетического положения характерных максимумов парциальных плотностей состояний экспериментальным рентгеновским и рентгеноэлектронным спектрам. По полным плотностям состояний растворов проведена оценка ширины запрещенной полосы. Найдена нелинейная зависимость ширины запрещенной полосы от состава раствора.

10. Проведено моделирование 50% псевдобинарного раствора 2п5-2п5е тройным соединением $5е7п2, имеющим в одном случае простую тетрагональную структуру, а в другом - структуру халькопирита. В обоих случаях учитывается различие длин связей 2п-5, 2п-5е (рассогласование связей), но раствор становится полностью упорядоченным. Обнаружено, что учет рассогласования связей приводит к качественному изменению взаимного положения максимумов р-состояний серы и селена в растворе по сравнению с моделями, в которых расстояние Zn-S полагается равным расстоянию ZnSe. Однако ширина запрещенной полосы в обоих рассмотренных случаях сильно отличается от экспериментальных данных, что, по-видимому, связано с (отмечаемым разными авторами) отсутствием значительного упорядочения в расположении атомов серы и селена в анионной подрешетке раствора.

Основные положения работы опубликованы в:

1. Никифоров И .Я., Колпачев А.Б., Габрельян Б.В. Электронная энергетическая структура и теоретическая форма рентгеновских спектров нестехиометрических карбидов Ti, V, Nb и Mo и карбонитридов Nb. // XV Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии, 10-13 окт. Т.2.-J1., 1988.

2. Bazhin I.V., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya. The calculation of the electronic density of states of fullerene mono layers on silicon. // International Conference on Aperiodic Cristals "Aperiodic '94", 18-22 Sept. - Les Diablerets, Switzerland, 1994.

3. Бажин И.В., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Исследование электронной энергетической структуры слоев фуллерена на кремнии. // Конференция "Актуальные проблемы твердотельной электроники", 26-29 июня. - Таганрог, Россия, 1994.

4. Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я., Колпачев А.Б., Габрельян Б.В. Экспериментальное и теоретическое исследование электронной энергетической структуры полупроводников CdS, InP, AgGaS2, CuGaS2 и InPS4. // ФТТ. - 1996,- 38, 8-c.2347-2362.

5. Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya., Gabrelian B.V. The Chemical Bonding in Crystals with Chalcopyrite Structure. I I J.Phys.IV, France-1997. - 7,- p.C2-283 - C2-284.

6. Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya., Gabrelian B.V. X-ray Spectroscopic Studies of some Compounds with the same Chemical Formula and Different Crystal Structure. // J.Phys.IV, France-1997. - 7.-p.C2-285 - C2-286.

7. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. О форме рентгеновских спектров поглощения калия и хлора в КС1. // Ростов н/Д, 1997. - Деп. в ВИНИТИ

16.04.97 № 1292-В97.

8. Габрельян Б.В., Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я. Электронная структура полупроводниковых растворов CdSxSeix. // III Всероссийская конференция по физике полупроводников "Полупроводники "97", 1-5 декабря- Москва, Россия, 1997.

9. Габрельян Б.В., Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я. Исследование электронной структуры твердых растворов на основе халькогенидов кадмия. // Ростов н/Д, 1997 . - Деп. в ВИНИТИ 24.12.97 № 3744-В97.

10. Габрельян Б.В., Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я. Электронная структура зоны проводимости кубических халькогенидов типа AnBVI. // Ростов н/Д, 1998 . -Деп. в ВИНИТИ 14.09.98 № 2790-В98.

11. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Электронная структура зоны проводимости соединений АГВШС". // Ростов н/Д, 1998. - Деп. в ВИНИТИ

14.09.98 № 2791-В98.

12. Lavrentyev А.А., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya., Rehr J.J. The application of FEFF7 program to calculate XANES spectra of compounds with NaCl structure. // X International Conference on X-ray Absorption Fine Structure "XAFS X", 10-14 August. - Chicago, USA, 1998.

13. Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya. The experimental and calculated XANES of K-spectra of the compounds I-III-VI2. // X International Conference on X-ray Absorption Fine Structure "XAFS X", 10-14 August. - Chicago. USA, 1998.

14. Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya. X-ray absorption spectra and densities of electron states in ZnS, ZnSe, CdS and CdSe. // X International Conference on X-ray Absorption Fine Structure ''XAFS X": Abstract Book, 10-14 Aug. - Chicago, USA, 1998.

15. Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya. To the crystallochemical properties of chalcopvrite compounds. // Eighteenth European Crystallographic Meeting "ESM 18", 15-20 Aug. - Praha, Chech Republic, 1998.

16. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Особенности химсвязи в тройных халькогенидах А1ВШС;1. // XVI научная школа-семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь", 15-18 декабря - Ижевск, Россия, 1998.

17. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Характер зависимости ширины запрещенной полосы от концентрации серы для твердых растворов ZnSxSei.x. // XVI научная школа-семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь", 15-18 декабря - Ижевск, Россия, 1998.

18. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Рентгеновские спектры и электронная структура некоторых тройных халькогенидов и их твердых растворов. //ЖСХ. - 1998.-39, б.-с. 1076-1082.

19. Мигаль Ю.Ф., Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Определение параметра решетки и одноэлектронного модельного потенциала соединения CdS с помощью спектров поглощения мягкого рентгеновского излучения. // ФТТ. -1998.-40, 12. - с.2168-2171.

20. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Влияние структурных факторов на электронную энергетическую структуру твердых растворов ZnSxSeix. // Ростов н/Д, 1999 . - Деп. в ВИНИТИ 08.02.99 № 408-В99.

21. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Электронно-энергетическая структура халькопиритов А1ВШСУ1: экспериментальное и теоретическое исследование. // Ростов н/Д, 1999 . - Деп. в ВИНИТИ 03.03.99 № 662-В99.

22. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Электронная структура полупроводниковых растворов халькогенидов кадмия. // ФТТ. — 1999. - 41, 1. - с.41-43.

1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М: Наука, 1978. - 791 с.

2. Wei S.-H., Zunger A. Total-energy and band-structure calculations for the semimag-netic Cdi.xMnxTe semiconductor alloy and its binary constituents. // Phys. Rev. B. -1987. -35,5.-p.2340-2365.

3. Wei S.-H., Zunger A. Role of metal d-states in II-VI semiconductors. // Phys. Rev. B. 1988. - 37, 15. - p.8958-8981.

4. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. Под ред. Новоселовой А.В. и Лазарева В.Б. М.: Наука, 1979. - 340 с.

5. Воган Д., Крейг Дж. Химия сульфидных минералов. М.: Мир, 1981. - 576 с.

6. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982. 528 с.

7. Сафонцева Н.Ю. Электронная энергетическая структура некоторых алмазо-подобных полупроводников: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1993. 185 с.

8. Gamble F.R. Ionicity, atomic radii and structure in the layered dichalcogenides of group VIB, VB and VIB transition metals. // J. Solid State Chem. 1974. - 9. - p.358-367.

9. Shannon R.D., Vincent H. Relationship between covalency, interatomic distance and magnetic properties in halides and chalcogenides. // Struct. Bonding. 1974. - 19. -p. 1-43.

10. Matsuura Т., Fujikawa Т., Oyahagi H. K-Edge XANES Spectra of GaAs and ZnSe. // J. Phys. Soc. Japan. 1984. - 53, 5. - p.2837-2844.

11. Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and CdTe (Korringa-Kohn-Rostoker iMethod). // Phys. stat. sol. 1967. - 23. - p.307-312.

12. Euwema R.N., Collins T.C., Shankland D.G., Dewitt J.S. Convergence study of a self-consistent orthogonalized planewave band calculation for CdS. // Phys. Rev. -1967. 162,-p.710-715.

13. Хейне В., Коэн M., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М.:Мир, 1973. - 557 с.

14. Ley L., Pollak R.A., Mc Feely F.R., Kowalczyk S.P., Shirley D.A. Total valence-band densities os states of III-V and II-VI compounds from x-ray photoemission spectroscopy. // Phys. Rev. B. 1974. -9,2 - p. 600-621.

15. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. -Киев: Наукова думка, 1976. 336 с.

16. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. М.: Гос. изд-во технико-теоретической литературы, 1957. 518 с.

17. Иванов А.В., Тимакова Л.Д. Рентгеновские спектры и строение энерегетичес-ких зон чистой серы. // Оптика и спектроскопия. 1970. - 29. - с.805-807.

18. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. -Л.: Изд-во ЛГУ, 1971. 132 с.

19. Иванов А.В., Тимакова Л.Д., Куприянов В.Н. Рентгеновские Ь23-спектры квантового выхода фотоэмиссии серы в сульфидах и сульфатах. // Оптика и спектроскопия. 1971.-31.-с.317-318.

20. Михайлова С.С. Рентгеновские спектры и электронная структура сульфидов 3d- и 4d-nepexoOTbix металлов: Дис. канд. физ.-мат. наук, Свердловск, 1976,-140с.

21. Терехов В.А. Рентгеноспектральные исследования электронной структуры1. В В (хфосфидов и сульфидов металлов I , II и III групп: Дис. канд. физ.-мат. наук: Воронеж, 1977. 181 с.

22. Лаврентьев А. А. Электронно-энергетическая структура полупроводниковых сульфидов сложного состава по данным рентгеновской спектроскопии: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1985. 209 с.

23. Sugiura С., Gohshi Y., Suzuki I. Sulfur Kp x-ray emission spectra and electronic structures of some metal sulfides. // Phys. Rev. B. 1974. - 10, 2. - p.338-343.

24. Нарбут К.И. Рентгеновские и А^-спектры атомов серы, входящие в состав минералов и некоторых химических соединений. // Изв. АН СССР Сер. фи-зич. 1974. - 38, 3. - с.548-561.

25. Zahorowski W. SXS of some cadmium A2B6 semiconductor compounds. // Proc. Int. Conf.:"Inner-Shell and X-Ray Phys. Atoms and Solids", Stirling, 1980, p.589-592.

26. Gusatinskii A.N., Lavrentvev A.A., Blokhin M.A., Slivka V.Yu. X-ray spectrum investigation of electron energy structure of semiconductor compounds CdIn2S4, CdGa2S4 and HgGa2S4. // Solid State. Commun. 1986. - 57, 6. - p.389-393.

27. Комолов C.A., Пигулевский А.Ф., Терехов A.H. Исследование структуры плотности валентных и свободных состояний в сульфиде кадмия методами вторичной электронной спектроскопии. // Вестник ЛГУ. 1983. - 4. - с.96-99.

28. Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Аноксидные материалы для электронной техники. Львов: Вища школа, 1989. - 200 с.

29. Jaffe J.E., Zunger A. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1984. - 29, 4. - p. 1822-1906.

30. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. M.: Советское радио, 1968. - 268 с.

31. Shay J.L., Tell В. Energy band structure of I-IIi-VI2 semiconductors. // Surface Science. 1973. - 37. - p.748-762.

32. Лазарев В.Б., Киш 3.3., Переш Е.Ю., Семрад Е.Е. Сложные халькогениды в системах A!-Bin-CVI. М.: Металлургия, 1993. - 240 с.

33. Balberg I., Albin D., Noufi R. Towards optimization and understanding of the photoelectronic properties in CuGaSe2. // Appl. Phys. Lett. 1991. - 58, 2. - p. 140142.

34. Basol B.M. I-III-VI2 compound semiconductors for solar cell applications. // J. Vac. Sci. Technol. 1992. - A10, 4. - p.2006-2012.

35. Хазитарханов Ю.А., Сусликов Л.М., Гадьмаши З.П., Сливка В.Ю. Зонная структура и особенности двулучепреломления кристаллов тиогаллата серебра. // Квантовая электроника (Киев). 1993. - 4-4. - с.24-38.

36. Matsushita Н., Suzuki Т., Endo S., Irie Т. Electrical and optical properties of Cu-InSe2 single cristals prepared by three-temperature-horizontal Bridgman method. / Jap. J. of Appl. Phys. 1995.-34, 7A. - p.3474-3477.

37. Shirakata S., Murakami K., Isomura S. Electroreflectance studies in CuGaS2. / Jap. J. of Appl. Phys. 1989. -28, 9.-p. 1728-1729.

38. Rincon C„ Gonzalez J., Perez G.S. // Phys. stat. sol. (b). 1981. - 108. - p.K19-K21.

39. Masse G. Concerning lattice defects and defect levels in CuInSe2 and I-III-Vb compounds. // J. Appl. Phys. 1990. - 68, 5. - p.2206-2210.

40. Yamamoto T., Katayama-Yoshida H. Physics and control of conduction type in Cu-InS2 with defect chalcopyrite structure. // Jap. J. of Appl. Phys. 1995. - 34, 12A. -p.L1584-L1587.

41. Choi In-H., Yu P. Observation of metastable deep acceptor states in AgGaS2 from donor-acceptor pair-emission spectra. // Phys. Rev. B. 1997. - 56, 8. - p.R4321-R4324.

42. Yamamoto T. Katayama-Yoshida H. p-type doping of the group V elements in Cu-InS2. //Jpn. J. of Appl. Phys. 1996.-35, 12A. - p.L1562-L1565.

43. Robbins M., Phillips J.C., Lambrecht V.B. Solid solution formation in the systems CuMinX2-AgMmX2 where Mm=Al, Ga, In and X2=S, Se. // J. Phys. Chem. Solids. -1973.-34.-p. 1205-1209.

44. Боднарь PI.В., Ворошилов Ю.В., Лукомский А.И. Получение и ширина запрещенной зоны твердых растворов системы CuGaS2-CuGaSe2. // Неорганич. материалы. 1977. - 13, 5. - с.921-922.

45. Hôric W., Môller W., Neumann H., Reccius E., Kuhn G. Optical properties of CuInixGaxSe2 mixed crystals. // phys. stat. sol. (b). 1979. - 92. - p.Kl-K4.

46. Bodnar I. V., Bologa A.P., Korzun B.V. Composition dependence of the band gap of CuGaxInbxSe2 solid solutions. // phys. stat. sol. (b). 1982. - 109. - p.K31-K33.

47. Bodnar I.V., Korzun B.V., Chernyakova A.P. Microhardness of the A'B111^'1 ternary semiconductors and their solid solutions. // phys. stat. sol. (b). 1987. - 101. -p.409-419.

48. Samanta L.K. Ghosh D.K., Bhar G.C. Optical nonlinearity, band-structure parameters, and refractive indices of some mixed chalcopyrite crystals. // Phys. Rev. B. -1986.-33, 6,- p.4145-4148.

49. Samanta L.K. Ghosh D.K., Bhar G.C. Linear, nonlinear optical, and related properties of some mixed Cu-Bin-CVI2 chalcopyrites. // Phys. Rev. B. 1987. - 35, 9. -p.4519-4521.

50. Quintero M., Rincón С., Grima P. Temperature variation of energy gaps and deformation potentials in CuGa(SzSeiz)2 semiconductor alloys. // J. Appl. Phys. 1989. -65. 7. - p.2739-2743.

51. Sato K., Tanaka K., Ishii K., Matsuda S. Crystal growth and photoluminescence studies in Fe-doped single crystals of CuAlixGaxS2. // J. Cryst. Growth. 1990. - 99, 1. - p.772-775.

52. Gebicki W., ïgalson M.,Trykozko R. CuAlxIn!.xSe2 and (2ZnSe)x(CuInSe2),.x mixed semiconductors new chalcopyrite type materials. // Acta phys. pol. Ser.A. - 1990. -77, 2-3. -p.367-369.

53. Агекян В.Ф., Раджаб Д., Серов А.Ю. Оптические спектры и структура валентной зона твердого раствора AgGaS2(ix)Se2x. // ФТТ. 1990. - 32, 2. - с.622-624.

54. Агекян В.Ф., Орехова Н.В., Раджаб Д., Серов А.Ю. Люминесценция и комбинационное рассеяние света в некоторых кристаллах группы I-III-VI2 и их твердых растворах. // ФТТ. 1992. - 34, 7. - с.2272-2276.

55. Fujisawa M., Suga S., Mizokawa T., Fujimori A., Sato К. Electronic structure of CuFeS2 and CuAlo.9Feo.1S2 studied by electron and optical spectroscopies. // Techn. Rept. ISSP A. 1993. - 2737. - p. 1-43.

56. Do Y.R., Kershaw R., Dwight K., Wold A. The crystal growth and characterization of the solid solutions (ZnS)i.x(CuGaS2)x. // J. Solid State Chem. 1992. - 96. - p.360-365.

57. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Т.1. М.: Мир, 1983. - 381 с.

58. Хейне В. Электронная структура металлов. / В кн. Физика металлов. 1.Электроны. Под ред. Дж. Займана. М.: Мир, 1972. - с. 11-74.

59. Харрисон У. Теория твердого тела. М.: Мир, 1972. - 616 с.

60. Немнонов С.А., Михайлова С.С., Минин В.И. Электронная структура металлических соединений NiS, CuS и полупроводникового ZnS. // ФММ. 1975. - 39, 3. -с.548-561.

61. Domashevskaya Е.Р., Terekhov V.A. d-s,p Resonanse and Electronic Structure of Compounds, Alloys and Solid Solutions. // Phvs. stat. sol. (b). 1981. - 105, 2. -p. 121-127.

62. Domashevskaya E.P., Marshakova L.N., Terekhov V.A., Lykin A.N., Ugai Ya.A., Nefedov V.l., Salyn Ya.V. Role of noble metal d-states in the formation of the electron structure of ternary sulfides. // phys. stat. sol. (b). 1981. - 106, 2. - p.429-435.

63. Lavrentyev A.A., Gusatinskii A.N., Blokhin M.A., Soldatov A.V., Bodnar I.V., Letnev V.A. The electron energy structure of A'B111^1 compounds. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1987. - 20. - p.3445-3452.

64. Терехов B.A., Андреещев В.M., Голикова O.A., Горбачев В.В., Ильин Ю.А., Домашевская Э.П. Рентгеноспектральные и рентгеноэлектронные исследования электронной структуры твердых растворов. // Изв. АН СССР Сер. физич. 1982.- 46, 4. с.749-752.

65. Терехов В.А., Кошкаров В.М., Горбачев В.В., Тетерин Ю.А., Домашевская Э.П. Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным. // ФТТ. 1983. - 25, 8. - с.2482-2484.

66. Hsu T.M. p-d hybridization of the valence bands of cooper indium disulfide. // J. Appl. Phys. 1991.-69. 6. -p.3772-3774.

67. Yoodee K., Woollev J.C., Sa-yakanit V. Effects of p-d hybridization of the valence band of I-III-Vb chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1984. - 30, 10. -p.5904-5915.

68. Jaffe J.E., Zunger A. Electronic structure of ternary chalcopyrite semiconductors CuA1S2, CuGaS2, CuInS2, CuAlSe2, CuGaSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev. B. 1983. -28. 10. - p.5822-5847.

69. Поплавной A.C., Полыгалов Ю.И. Структура энергетических зон соединений CuGaS?, CuGaSe2 и CuGaTe2. // Изв. АН СССР Неорг. матер. 1971. - 7, 10. -с. 1706-1710.

70. Jaffe J.E., Zunger A. Anion displacements and the band-gap anomaly in ternary ABC2 chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1983. - 27, 8. - p.5176-5179.

71. Rife J.C., Dexter R.N., Bringenbaygh P.M., Veal B.W. Optical properties of the chalcopyrite semiconductors ZnGeP2, ZnGeAs2, CuGaS2, CuA1S2, CuInSe2 and AgInSe2. // Phys. Rev. B. 1977. - 16, 10. - p.4491-4500.

72. Kono S., Okusawa M. X-ray photoelectron investigation of the valence bands in I-Ill-VIr-compounds. // J. Phys. Soc. Jpn. 1974. - 37, 5. - p. 1301-1304.

73. Luciano M.J., Vesely C.J. Valence band density of states and core level shifts of AgGaS? as determined by x-ray photoemission. // Appl. Phys. Lett. 1973. - 23, 2. -p. 60-61.

74. Sommer H., Leonhardt G., Meisel A., Hirsh D. Investigation of the band structure of ternary semiconductors by means of x-ray emission and photoelectron spectroscopies. //Jap. J. of Appl. Phys. 1978. - 17. -p.278-280.

75. Braun W., Goldmann A., Cardona M. Partial density of valence states of amorphous and crystalline AgInTe2 and CuInS2. // Phys. Rev. B. 1974. - 10, 12. - p.5069-5074.

76. Mattheiss L.F. Electronic structure of the 3d-transition metal. Momoxides. II. Interpretation. // Phys. Rev. B. 1972. - 5, 2. - p.306-315.

77. Takarabe К., Kawai К., Minomura S., Irie Т., Taniguchi M. Electronic structure of some I-III-Vb chalcopvrite semiconductors studied by synchrotron radiation. // J. Appl. Phys. 1992. - 71. 1. - p.441-447.

78. Scofield J.H. Hartree-Slater subshell photoionization cross-sections at 1254 and 1487 eV. // J. Electron. Spectrosc. 1976. - 8. - p. 129-137.

79. Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я., Колпачев А.Б., Габрельян Б.В. Экспериментальное и теоретическое исследование электронной структуры полупроводников CdS, InP, InPS4, CuGaS2, AgGaS2. // ФТТ. 1996. - 38, 8. - c.2347-2362.

80. Sainctavit Ph., Petiau J., Flank A.M., Ringeissen J., Lewonczuk S. XANES in chal-copyrites semiconductors: CuFeS2, CuGaS2, CuInSe2. // Physica B. 1989. - 158. -p.623-624.

81. Petiau J., Sainctavit Ph., Calas G. К X-ray Absorption Spectra and Electronic Structure of Chalcopyrite CuFeS?. // Materials Science and Engineering. 1988. - Bl. - p.237-249.

82. Toyoda Т., Masujima Т., Shiwaku H., Nakanishi H., Endo S., Irie Т., Shiozaki I., Iida A., Kawata H., Ando M. X-ray photoacoustic absorption spectra of CuInSe2. // J. Cryst. Growth. 1990. -99, L- p.762-765.

83. Shirakata S., Murakami K., Isomura S. Electroreflectance studies in CuGaS2. // Jap. J. of Appl. Phys. 1989.-28, P. - p. 1728-1729.

84. Майзель А., Леонхардт Г., Сарган P. Рентгеновские спектры и химическая связь. Киев: Наукова думка, 1981. - 419 с.

85. Lavrentyev А.А., Gusatinskii A.N., Nikiforov I.Ya., Popov A.P., Ilyasov V.V. Electron energy structure of semiconductors TlAsS2, Tl3AsS3, TbAsS4, T13PS4 and Tl3TaS4. // J.Phys.: Condens. Matter. 1993. - 5, 9. - p. 1447-1454.

86. Мизецкая И.Б., Олейник Г.С., Буденная Л.Д., Томашик В.Н., Олейник Н.Д. Физико-химические основы синтеза монокристаллов п/п твердых растворов соединении AnBVI. Киев: HavKOBa думка, 1986. - 160 с.

87. Kirshfeld К.Е., Nelkowski N., Wagner T.S. Optical reflectivity and band structure ofZnSixSex mixed crystals. // Phys. Rev. Let. 1972.-29, 1. -p.66-68.

88. Суслина Л.Г., Федоров Д.Л., Конников С.Г., Коджеспиров Ф.Ф., Андреев А.А., Шарлай Е.Г. Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe,.x. // ФТП. 1977. - 11, 10. - с. 1934-1937.

89. Mach R. Flôgel P., Suslina L.G., Areshkin A.G., Maege J., Voigt G. The influence of compositional disorder on electrical and optical properties of ZnSxSei.x single crystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. - 109. - p.607-615.

90. Ebina A., Fukunaga E., Takahashi T. Variation with composition of the E0 and Ео+До gaps in ZnSxSebx alloys. // Phys. Rev. B. 1974. - 10, 6. - p.2495-2500.

91. Bernard J.E., Zunger A. Electronic structure of ZnS, ZnSe, ZnTe, and their pseudo-binary alloys. // Phys. Rev. B. 1987. - 36, 6. - p.3199-3228.

92. Balzarotti A., Motta N., Kisel A., Zimnal-Starnawska M., Czyzyk M.T., Podgôrny VI. Model of the local structure of random ternary alloys: Experiment versus theory. // Phys. Rev. B. 1985. - 31, 12. - p.7526-7539.

93. Mikkelsen J.C., Jr., Boyce J.B. Atomic-scale structure of random solid solutions: Extended x-rav-absorption fine-structure study of Ga.xInxAs. // Phys. Rev. Lett. -1982.-49, 19. p.1412-1415.

94. Mikkelsen J.C., Jr., Boyce J.B. Extended x-ray-absorption fine-structure study of Ga!.xInxAs random solid solutions. // Phys. Rev. B. 1983.-28, 12. - p.7130-7140.

95. Mustre de Leon J., Rehr J.J., Zabinsky S.I., Albers R.C. Ab initio curved-wave x-ray-absorption fine structure // Phys. Rev. B. 1991. - 44, 9, P. 4146-4156.

96. Boyce J.B., Mikkelsen J.C., Jr. Local structure of ionic solid solutions: Extended x-ray absorption fine-structure study. // Phys. Rev. B. 1985. - 31, 10. - p.6903-6905.

97. Wei S.-H., Zunger A. Chemical trends in band offsets of Zn- and Mn-based II-VI superlattices: d-level pinning and offset compression. // Phys. Rev. B. 1995. - 53, 16. -P.R10457-R10460.

98. Wei S.-H., Zunger A. Disorder effects on the density of states of the II-VI semiconductor alloys Hgo.5Cdo.5Te, Cdo.5Zno.5Te and Hgo.5Zno.5Te. // Phys. Rev. B. 1991. -43, 2.-p. 1662-1677.

99. Oguchi T., Hamajima T., Kambara T., Gondaira K.I. Electronic band structures of I-III-VI2 compounds. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. - 19, Suppl. 19-3. - p. 107-110.

100. Rehr J.J., Albers R.C. Scattering-matrix formulation of curved-wave multiple-scattering theory: Application to x-ray-absorption fine structure // Phys. Rev. В.- 1990. 41. 72.-P. 8139-8149.

101. Zabinsky S.I., Rehr J.J., Ankudinov А., и др. Multiple-scattering calculations of x-rav-absorption spectra // Phys. Rev. B. 1995. - 52, 4. - P. 2995-3009.

102. Barth U. Hedin L. A local exchange correlation potentials for spin-polarized case // J. Phys. C. 1972. - 5,13. - p. 1629-1642.

103. Trishka J.W. Structure in the X-Ray К Absorption Edges of Solid Potassium Chloride. // Phys. Rev. 1945. - 67, 11-12. - p. 318-320.

104. Вайнштейн Э.Е., Баринский P.Jl., Нарбут К.И. К теории рентгеновских спектров поглощения. // ЖЭТФ. 1954. - 27, 4. - с. 521-528.

105. Костарев А.И., Боровский И.Б. К теории рентгеновских спектров поглощения. //ЖЭТФ. 1954.-26, 3. - с. 377-383.

106. Эланго М.А., Майсте A.A., Руус Р.Э. Рентгеновские спектры твердых тел как источники информации об атомных процессах. // Труды Института Физики АН Эстонской ССР. 1983. - 54. - с. 148-166.

107. Parrat L.G. Electronic Band Structure of Solids by X-Ray Spectroscopy. /7 Rev. Modern Phys. 1959. - 31, 3. - p. 616-645.

108. Parrat L.G., Hempstead C.F., Jossem E.L. Thickness Effect in Absorption Spectra near Absorption Edges. // Phys. Rev. 1957. - 105, 4. - p. 1228-1232.

109. Parrat L.G., Jossem E.L. X-Rav exited states ("exitons") and width of valence ' band in KCl. // J. Phys. Chem. Solids. 1957. - 2. - p. 67-71.

110. Gegusin 1.1., Datsyuk V.N., Novakovich A.A., Bugaev L.A., Vedrinskii R.Y. Multiple Scattering Approach to the XANES Theory of Alkali Halide Crystals. // Phys. Stat. sol. (b). 1986. - 134. - p. 641-650.

111. Vedrinskii R.V., Bugaev L.A., Gegusin 1.1., Kraizman V.L., Novakovich A.A. Prosandeev S.A., Ruus R.E., Maiste A.A., Elango M.A. X-ray absorption near edge structure (XANES) for KCl. // Solid St. Commun. 1982. - 44, 10. - p. 1401-1407.

112. Datsyuk V.N., Gegusin I.I. Vedrinskii R.V. Multiple Scattering Approach to the XANES Theory of Alkali Halide Crystals. // Phys. stat. sol. (b). 1986. - 134. - p. 175-183.

113. Блохин М.А., Швейцер И.Г. Рентгеноспектральный справочник. М: Наука, 1982.- 376 с.

114. Ведринский Р.В., Новакович А.А. Метод функций Грина в одноэлектронной теории рентгеновских спектров неупорядоченных сплавов. // ФММ. 1975. - 39, /. - с.7-15.

115. Sugiura С., Hayasi Y. Soft x-ray spectra of lead sulfide. // Jap. J. Appl. Phys. -1972.- 11, 3. — p.327-330.

116. Солдатов А.В., Иванченко Т.С., Бианкони А. Учет влияния кристаллической структуры на формирование SAT-спектра XANES в PbS. // Оптика и спектроскопия. 1994. - 77, 3. - с.421-423.

117. Durham P.J., Pendry J.B., Hodges С.Н. Calculations of x-ray absorption near-edge structure, XANES. // Computer Physics Commun. 1982. - 25. - p. 193-205.

118. Gyorffy B.L., Stott M.J. A one electron theory of soft x-ray emission from random alloys // Band structure spectroscopy of metals and alloys. Ed. by Fabian D., London; New York, 1973. - p. 385-403.

119. House D., Gyorffy B.L., Stocks G.M. The coherent potential approximation for a cluster of nonoverlapping scatterers // J. de Physique (Paris). 1974. - 35, 5. - p.C4-81 -C4-85.

120. Никифоров И .Я., Штерн Е.В. Электронная структура неупорядоченных сплавов замещения Al-Cu в приближении средней t-матрицы // Физ. металлов и металловед. 1979. - 48, 4. - с. 679-690.

121. Рабинович М.Н., Штерн Е.В., Никифоров И.Я. Методика расчета электронной энергетической структуры Nb3Al в кластерном приближении. Ростов н/Д, 1985. - 21 с. I Деп. в ВИНИТИ 22.08.85, №1245.

122. Nikiforov I.Ya., Kolpachev А.В. Electronic structure of niobium nitrocarbides // Phys. stat. sol. (b). 1988. - 148, 2. - p. 205-211.

123. Колпачев А.Б., Никифоров И.Я. Электронная структура и сверхпроводящие свойства карбонитридов ниобия // ФММ. 1988. - 66, 4. - с. 827-830.

124. Nikiforov I.Ya., Stern Е.У. Electron structure investigation of the disordered alloys with ATA-method // Proc. 9th Annual symp. "Electronic structure of metals and alloys" / Gaussig, (GDR), 1979. p. 141-149.

125. Штерн Е.В. Электронная структура бинарных неупорядоченных сплавов замещения А1 с Зё-металлами и Nb-W: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1981.- 222 с.

126. Никифоров И.Я. Электронная структура твердых тел и ее исследование на много кристальных рентгеновских спектрометрах: Дис. доктора физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1982. 354 с.

127. Эренрайх Г., Шварц Л. Электронная структура сплавов. М.: Мир, 1979. -200 с.

128. Stocks G.M., Temmernan W.M., Gyorffy B.L. Complete solution of the Korringa-Konn-Rostoker Coherent-Potential-Approximation Equations: Cu-Ni alloys // Phys. Rev. Lett. 1978. - 41, 5. - p. 339-343.

129. Слэтер Дж. Метод самосогласованного поля для молекул и твердых тел. -М.: Мир, 1978. 662 с.

130. Вольф Г.В., Дякин В.В., Широковский В.П. Кристаллический потенциал для кристаллов с базисом // ФММ. 1974. - 38, 6. - С. 949-956.

131. Herman F., Skillman S. Atomic structure calculations / New Jersey: Prentice Hall: Englwood Cliffs, 1963. 421 c.

132. Slater J.S. A simplification of Hartree-Fock method // Phys. Rev. 1951. - 81, 3. -p.385-390.

133. Hedin L., Lundqvist B.I. Explicit local exchange correlation potentials // J. Phys. C. 1971. - 4, 14. - p. 2064-2084.

134. Немошкаленко В.В., Кучеренко Ю.Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронные состояния в не идеальных кристаллах. Киев: Наукова думка, 1986. - 295 с.

135. Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М.: Мир, 1969, 648 с.

136. Авилов В.В. О вычислении постоянной Маделунга кристаллов // ФТТ. -1972. -14, 9. с. 2550-2554.

137. Шифф Л. Квантовая механика. М.: Мир, 1957. - 473 с.

138. Gyorffy B.L., Stocks G.M. On the CPA in a muffin-tin model potential theory of random substitutional alloys. // J. de Physique (Paris). 1974. - 35, 5. - p.C4-75 - C480.

139. Тейлор Дж. Теория рассеяния. М.: Мир, 1975. - 566 с.

140. Gyorffy B.L. Coherent-potential approximation for a nonoverlapping muffin-tin model of random substitutional alloys. // Phys. Rev. B. 1972. -5,6,- p. 2382-2384.

141. Арфкен Г. Математические методы в физике. М.: Атомиздат, 1970. - 712 с.

142. Бажин И.В. Электронная энергетическая структура фуллеритоподобных соединений: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1995. 117 с.

143. Ведринский Р.В., Гегузин И.И. Рентгеновские спектры поглощения твердых тел. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 184 с.

144. Sainctavit Ph., Petiau J., Benfatto M., Natoli C.R. Comparison between XAFS experiments and multiple-scattering calculations in silicon and zincblende. // Physica B. -1989.-158,-p.347-350.

145. Meijer P.H.E., Pecheur P., Toussaint G. Electronic structure of the Cd Vacancy in CdTe. //Phys. stat.sol. (b). 1987. - 140. - p. 155-162.

146. Chen A.-B., Sher A. Sensitivity of defect energy levels to host band structures and impurity potentials in CdTe.// Phys. Rev. B. 1984. - 31, 10. - p.6490-6497.

147. Zakharov O., Rubio A., Blase X., Cohen M.L., Louie S.G. Quasiparticle band structures of six II-VI compounds: ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, and CdTe. // Phys. Rev. B. -1994,- 50, 15. -p. 10780-10787.

148. Kisel A., Dalba G., Fornasini P., Podgorny M., Oleszkiewicz J., Rocca F., Burat-tini E. X-ray-absorption spectroscopy of ZnTe, CdTe, and HgTe: Experimental and theoretical study of near-edge structures. // Phys. Rev. B. 1989. - 39, 11. - p.7895-7904.

149. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир, 1971.-304 с.

150. Shannon R.D., Prewitt С.Т. Effective ionic radii in oxides and fluorides. // Acta Crystallogr. 1969. - 25B. - p.925-945.

151. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Piezoelectric nonlinear optic CuGaS? crystal structure: Sublattice distortion in A'B111^1 and АПВГ,СУ type chalcopyrites. // J. Chem. Phys. 1973. - 59, 10. - p.5415-5422.