Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. Обзор литературных данных по кристаллохимии, зонной структуре и физическим свойствам Сс/ Gc^Se^ и Cc/Go£S

1.1. Кристаллохимия соединений Gc/Gc^S^и Gc/

1.2. Симметрия электронных состояний и зонная структура соединений Cc/Go2$e4 и Gc/Gc^S4.

1.3. Оптические свойства соединений Gc/Gc^Se4 и

Cc/Gq,Sj

1.4. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства

Gc/Gcz,*%и Gc/Go^

1.5. Некоторые аспекты практического применения соединений Gc/Ga,5e4 и Gc/Gc^S^.

ГЛАВА 2. Получение монокристаллов Go/Gc^Se^ и (7с/ и методика эксперимента

2.1. Синтез и выращивание монокристаллов Gc/Gc^5e и Сс/ (?с?

2.2. Определение оптических постоянных и методика эксперимента

2.2.1. Определение оптических постоянных

2.2.2. Приготовление образцов для оптических измерений.

2.2.3. Установка для измерения оптических спектров

ГЛАВА 3. Оптические спектры Сс/ Gc^5e4 и Cc/Go£S4 в области 2*6 эВ

3.1. Край собственного поглощения Gc/Gc^Se4.

3.2. Край собственного поглощения Cc/Go^S*?

3.3. Параметры валентной зоны Gc/Gc^Se^ и Gc/Gc^S^

3.4. Оптические спектры и в глубине собственного поглощения

3.5. Выводы к главе

ГЛАВА Влияние температуры на электронные спектры в области края собственного поглощения и

Cc/Gcz, Sj

4.1. Температурная зависимость края собственного поглощения Сс/6>q,Se4 и СсУ&о^З^

4.2. Перестройка электронного спектра в ^с/бс^З^

4.3. Выводы к главе

ГЛАВА 5. Термостимулированная проводимость и излучательная рекомбинация в монокристаллах ^е/й^еЗ*ийтйя;/^

5.1. Спектр локальных уровней в

5.1.1. Термостимулированная проводимость

5.1.2. Токи ограниченные пространственными зарядами

5.2. Излучательная рекомбинация в

5.3. Излучательная рекомбинация в ^cZ&c^Sj

5.4. Выводы к главе

Актуальность темы. Постоянно растущие запросы полупроводниковой электроники требуют расширения класса исследуемых соединений. В этой связи в последние десятилетия интенсивно исследуются многокомпонентные соединения, среди которых особое место принадлежит алмазоподобным полупроводникам A-Wc^1» АПВ1УС2» A^bSJcJ1. Наименее изученными среди них являются соединения последнего класса. Наличие двулучепреломления, оптической активности /I, 2/, больших значений коэффициента нелинейной восприимчивости /3/ в сочетании с широкой областью прозрачности, яркой люминесценцией /4/» значительной фоточувствительностью, возможностью использования в электрофотографии /5/ выдвигает этот класс соединений в число перспективных материалов для полупроводниковой и квантовой электроники. В частности, в /б/ сообщается о создании узкополосного темпера-турно-перестраиваемого оптического фильтра на ^'c/^pg^Sj .

Для успешного применения этих соединений необходимо детальное исследование их физических свойств. Поскольку основные физические процессы происходящие в полупроводниках определяются особенностями их электронных спектров, то исследование зонной структуры полупроводников как экспериментально, так и теоретически является одной из актуальных проблем современной физики твердого тела. Поэтому представлялось актуальным исследование электронных спектров как в области края, так и в глубине собственного поглощения для определения характера оптических переходов и параметров зонной структуры Cc/Gc^Sej и Сс/б^о^/З^ , так как имеющиеся результаты исследования оптических свойств привели к противоречивым выводам для структуры энергетических зон и правилам отбора для оптических переходов. С другой стороны сложность кристаллической структуры и наличие упорядоченной вакансии в катионной подрешетке приводят к богатому спектру локальных состояний. Несмотря на ряд исследований до настоящего времени нет единого мнения относительно механизма излучательной рекомбинации в них.

Целью настоящей работы явилось установление особенностей электронных спектров и механизма излучательной рекомбинации в монокристаллах Cc/Ga^Se^ и в интервале температур 4,2*300 К.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: I) Собрать установку для спектров поглощения и отражения методом модуляции длины волны. 2) Исследовать оптические спектры на краю и в глубине области собственного поглощения методом модуляции длины волны в поляризованном излучении. Определить характер и поляризационную зависимость оптических переходов в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна. Установить структуру и определить характеристические параметры валентной зоны и fcZ&c^Sj в центре зоны Бриллюэна. 3) Исследовать температурную зависимость оптического поглощения в области минимальных межзонных переходов в интервале 4,2*300 К. 4) Исследовать спектр локальных состояний, а также зависимости интенсивности излучения от температуры и уровня возбуждения.

Для проведения вышеуказанных измерений необходимо было получить совершенные монокристаллы и ^с/б^а,^ .

Научная новизна работы. I) Впервые методом модуляции длины волны исследована поляризационная зависимость особенностей в оптических спектрах Cc/Gc^Se^ и Сс/бро^З^ в области 2*6 эВ. Установлена структура и определены характеристические параметры (кристаллическое и спин-орбитальное расщепления) валентной зоны ^cZ&qS^ и CcZ&c^Sj . Показано, что вершина валентной зоны этих соединений формируется, в основном, р -состояниями атомов во.

2) Впервые исследована температурная зависимость смещения края собственного поглощения Cc/Ga25eA и в интервале 4,2-5-300 К.

3) Впервые обнаружена перестройка электронного спектра с температурой в монокристаллах ^/^й^Д^ .

4) Впервые наблюдена краевая излучательная рекомбинация в Сс/и исследована зависимость ее интенсивности от температуры и уровня возбуждения.

Основные положения выносимые на защиту.

1) Минимум зоны проводимости Cc/6>c^/Se4 формируется состоянием Гр происшедшим из Tj состояния в сфалерите, а в Go/Ga^S^ - состоянием Tj, происшедшим из Х^ состояния в сфалерите.

2) Валентная зона Сс/бЬ^Зе^ и Cc/Gc^/S^ состоит из трех подзон Ig+Гу, Г^+Гу, расстояния между которыми определяются кристаллическим и спин-орбитальным расщеплениями. Вершина валентной зоны исследуемых соединений, в основном, формируется

Р -состояниями атомов 6>о . Величина кристаллического расщепления зависит от смещения атомов анионов из идеальных тетраэдрических положений.

3) Наблюдаемые особенности в спектрах Я -модулированного отражения в области 2-5-6 эВ обусловлены оптическими переходами в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна Г (0 0 0), А/ {q £ 0), т(0 0|).

Перестройка электронного спектра с температурой в области края собственного поглощения Сс/6>ое$е4 обусловлена различной скоростью движения энергетических зон в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна.

5) Коротковолновые линии излучения в Сс/связаны с излучательной рекомбинацией зона-зона и мелкая примесь-зона.

6) В процессе излучательной рекомбинации в б^с/бго,^ участвуют два типа медленных центров с энергиями активации 0,60 и

1,10 эВ.

Практическая ценность» Полученные в диссертации данные о дисперсии коэффициента поглощения, характере оптических переходов, структуре валентной зоны важны для построения картины зонного спектра Сс/ба25е^ и . Данные о значениях оптических постоянных и спектре локальных состояний могут быть использованы при конструировании поляризационных оптических фильтров и поляриметрических детекторов, создаваемых на основе исследуемых соединений.

Апробация работы. Основные результаты диссертации обсуждены на Республиканском симпозиуме по физическим свойствам сложных полупроводников (Баку, 1978 г.), У Всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халькогенидов (Баку, 1979 г.), Республиканской конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ужгород, 1979 г.), Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982 г.), Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев, 1983 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 16 научных работ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных выводов и списка литературы (страниц машинописного текста - 137, рисунков - 43, таблиц - 9, библиография - 142 наименований).

Основные результаты диссертации обсуждены на Республиканском симпозиуме по физическим свойствам сложных полупроводников (Баку,

1978 г.), У Всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халькогенидов (Баку, 1979 г.), Республиканской конференции- "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ужгород,

1979 г.), Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982 г.), Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев, 1983 г.) и семинарах ордена Трудового Красного Знамени Института физики АН Азерб.ССР и опубликованы в работах:

I. Мамедов Ш.С., Мехтиев Н.М. Структура валентной зоны Cc/Gc^Se4. - Тез. докл. / 1У Республиканской конференции молодых ученых-физиков, Баку, 1978, с. 32.

2. Керимова Т.Г., Алиев А.А., Мамедов Ш.С., Нани Р.Х., Сала-ев Э.Ю. Энергетический спектр и . - Тез. докл. / Республиканского симпозиума по физическим свойствам сложных полупроводников, Баку, 1978, с. 54.

3. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Мехтиев Н.М., Нани Р.Х., Са-лаев Э.Ю. Структура валентной зоны /7с/б^3е4 . - ФТП, 1979, т. 13, в. 3, с. 494-497.

4. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Нани Р.Х. О зонной структуре некоторых сложных халькогенидов типа аЩ>С^. ~ Тез. докл. / У Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов, Баку, 1979, с. 98.

5. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Мехтиев Н.М., Нани Р.Х. Поляризованная фотопроводимость монокристаллов Сс/. - Тез. докл. / Республиканская конференция "Фотоэлектрические явления в полупроводниках", Ужгород, 1979, с. 133.

6. Мамедов Ш.С. О межзонных переходах в Сс//ро234 . - Тез. докл. / У Республиканская конференция молодых ученых-физиков, Баку, 1980, с. 45.

7. Мамедов Ш.С. Фотолюминесценция монокристаллов /Ус/&сг?3е4 . - Тез. докл./ У Республиканская конференция молодых -ученых-физиков, Баку, 1980, с. 47.

8. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Нани Р.Х. Спектры Л -модулированного отражения и зонная структура Сс/б^З^* - ФТП, 1981, т. 15, в. I, с. I38-I4I.

9. //е г/то v<7 A/a/nec/ov ЗАЗ., А/сю/ tf./f/r. ///?//re

Sane/ s/zt/c/t/ze о/ ~ PAyS. 3/cr/.3oA./#A

10. /fe fffO vo A/asne с/о у ЗА ЗаAcre у ^oec/crA^ecr/t/ res о///re e/ec/rwc Spectre//?? о//с/6Ьг$4 /л//re zeg/M о///re ъегг/af ogsor/?/ro* ecfye. Stat JotA6jl к Щ *

11. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Нани Р.Х., Салаев Э.Ю. Оптические спектры и Сс/(?ог$4 в области 2*6 эВ.- В кн.:Фи-зические свойства сложных полупроводников, Баку,Элм,1982,с.90-96.

12. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Мехтиев Н.М., Хидиров А.Ш., Штейншрайбер В.Я. Электронные и фононные спектры соединений A^bSJcJ*. - Вс. конф. по физике полупроводников, Баку, 1982, т. 2, с* 184-185.

13. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Салаев Э.Ю. Краевая фотолюминесценция монокристаллов - ФТП, 1982, т. 16, в. 10, с. I904-1905.

14. Керимова Т.Г., Мамедов Ш.С., Хидиров А.Ш. Особенности электронных и колебательных спектров соединений АПв5>СУ*. - Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1983, с. 15-16.

15

S/nottett ,>7 Ве4. -Sof.ZM. Орютил, /Щ vtyA/fyW-W

16. Керимова Т.Г., Абдуллаева С.Г., Мамедов Ш.С., Салаев Э.Ю., Гулиев Р.А. Оптическое поглощение и фотолюминесценция в Cc/G^S4 . - Препринт № 91, 1984, Баку, Институт физики АН Азерб.ССР, 17 с.

В заключении считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научным руководителям - доктору физико-математических наук Абдуллаевой С.Г. и кандидату физико-математических наук Керимовой Т.Г. за предложенную тему и постоянную помощь при выполнении поставленных задач, члену-корреспонденту АН Азерб.ССР, доктору физико-математических наук Гашимзаде Ф.М. за ценное и плодотворное обсуждение данной работы.

Приношу благодарность коллективу лабораторий "Полупроводниковые материалы" и "Полупроводниковая квантовая электроника" за постоянное внимание и оказанную помощь в процессе выполнения работы.

1. t/обе/е/г MX ty//co7 а И/ w/tf /я & no/7- errant/' о ~ hiozphous yzt/s/of о/ с/ass Gc/ Gc^S4. ~/Jc/o <pzys/a/~

2. Copz., /969, v. A2J, rJ5, p 633-638

3. Сусликов Л.М., Гадьмаши З.П., Копинед И.Ф., Сливка В.Ю. Оптическая активность в кристаллах Gc/Go^54 . Опт. и спектр., 1981, т. 50, № 4, с. 700-705.

4. Lewne 3./:, fielhecr G.G., /(ospez ААМ. A/on Gне а г ор/гса 7 Suscep/tS/A/Aep о/ /А/ауа/А'аАе GcAGo254.~7£Е£ J. 0uo»L 8бес/г., т, №-///, л/0/2, p. 904-906

5. Spztnp/ozc/ А/. ТАе £с//т?//7еscence of some А е т/raze/ сАо бсо^еп/с/е S оке/ /п/хес/ б/яа'су sc/sr/ems о/с г о ар ///~У/ сояуроикс/з. Ргос. РА(/з. 5<?с., /963, v. $2, л/6\р. /929- /03/

6. Абдуллаев Г.Б., Агаев В.Г. Нани Р.Х., Салаев Э.Ю. Электрофотографические свойства соединения Gc/Go£3e4 чистого и легированного золотом. Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех. и мат. наук, 1977, т. 41, № 4, с. 54-58.

7. Бадиков В.В., Матвеев И.М., Пшеничников С.М., Рычик Q.B., Проценко Н.К., Устинов Н.Д. Узкополосный перестраиваемый оптический фильтр на монокристаллах1. Сс/боА

8. Квантовая электроника, 1981, т. 8, в. 4, с. 910-912.

9. А/аАп АА., fzgnk G. //Gnqez К 5/ог<?ег A.D. l/nter-SucAc/n^ez //бег /eznaze G^a^oye/r/c/e VA. AAA/ez Aeznaze GAaAAoyen/c/e c/es Д/бс/т/ыиптз, Gc?£Gu/T7sr 6/пе/ Tbc/ztz/bsrг?/А Z/'nA, Goc/mAu/n икс/ Oi/ecJrs/f&ez. <?r?ozg.

10. GAe*?., /933, 3c1229, з. 24/-270

11. A/oosez Peozson W.3. Десо<р/7///оп сюс/c6ass(/'co-A/o/7 of se/77 f co^c/crс /thy cofrrp?ouffc/s with ie/ z<yAec/zo6 Sp3- / C/rem. /Щ V. 26, Л/4, p. 893-099

12. Зеин Id. A/ftSche ft., L/c/r/efrs£e/c?ez/V. ф/fcat one/ e^ec/zrca^ f>zopez//es о/ lez^ozy cAafcoyeT/c/es.

13. Валъковская М.И. Демина Т.В. Дону B.C. Механические свойства соединений Cc/Ga,(S,5e, Те)4 . Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1976, с. 147-149.

14. Мочарнюк Г.Ф., Бабюк Т.И., Лазаренко Л.С. Маркус М.М., Радауцан С.И. Рентгенографическое исследование соединения Cc/Go2^e4 в широком интервале температур. Физическая электроника, Львов, Вища школа, 1977, в. 15, с. 64-68.

15. Мочарнюк Г.Ф., Бабюк Т.И. Лазаренко Л.С. Маркус М.М.

16. Бабюк Т.Н. Мочарнюк Г.Ф., Лазаренко Л.С. Рентгенографическое исследование твердых растворовGd G^ в широком интервале температур. Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1976, с. 146.

17. Бабюк Т.И. Мочарнюк Г.Ф. Рентгенографическое исследование соединения CdGo2S4 в широком интервале температур. Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1979, с. 96-97.

18. Бабюк Т.И. Дону B.C. Житарь В.Ф., Мочарнюк Г.Ф. Рентгенографическое исследование GdGg2S4 в широком интервале температур. Изв. АН Молд.ССР, сер. физ.-тех. и мат. наук, 1981, № 2, с. 72-74.

19. Хусейнов Б. Мавлонов Ш.« Умаров Б.С. Анизотропия линейного расширения GdGo£^5e4 . Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1978, т. 14, № 5, с. 863-865.

20. Гусейнова Д.А. Керимова Т.Г. Нани Р.Х. Оптические спектры и зонная структура монокристаллов и- ФТП, 1977, т. II, в. 6, с. II35-II42.

21. Mc/uftoeV GA, Gvse//iovo йА., Ае z/тою F6., Мот/ Я. М-/(е//ес//оъ spec/та o/GdGa254 о/ус/GdGc^Se^ ^ г/гес/tight. 5/а/. So/У6J} л?, к //5-///

22. Абдуллаев Г.Б. Гусейнова Д.А. Керимова Т.Г. Нани Р.Х. Оптические свойства Gc/Go2S4 и GdGc^Se^ в области 200-600 нм.- ФТП, 1973, т. 7, в. 4, с. 840-842.

23. Гусейнова Д.А. Керимова Т.Г. Нани Р.Х. Зонная структура Cc/Gc^Sj и Сс/6^5^ . Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1976, с. 167.

24. Чалдышев В.А., Караваев Г.Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа халькопирита. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1963, т. 6, № 5, с. I03-II2.

25. Панютин В. Л., Понедельников Б.Э., Розенсон А.Э. Чижиков В.И. Зонная структура полупроводников с решеткой тиогаллата кадмия. Изв. ВУЗов, Физика, 1979, т. 22, в. 8, с. 57-64.

26. Jan/at tons V.L, Рапес/еМогЗ.Е., Aosensov/I.E., TchijikovVJ.5l?:i/c££/zesc/e Sarrc/e des sofe/f/опз soGc/ez Gc//X Gq, One/ Gc/Gq, . -/Mf/Z- /France), /^Щ^^/у.

27. Гашимзаде Ф.М. Гусейнова Д.А. Штейншрайбер В.Я. Расчет зонной структуры тиогаллатов кадмия методом ЭО ЛКАО, 1980, № 21, 20 с. Препринт, АН Аз.ССР, Инст. физ.

28. Стрельцов М.Н. Черных В.Я. Петров В.М. Влияние температуры и электрического поля на оптические свойства Cc/Gc^Se^ . -ФТП, 1967, т. I, в. 5, с. 793-795.

29. Тырзиу М.П. Тырзиу В.Г. Физические свойства соединения Cc/Go25e4 • ~ Неорганические материалы, 1971, т. 7, № 10, с.1855-1856.

30. Радауцан С.И. Житарь В.Ф., Кесничан И.Г. Шмиглюк М.И. Спектры фотопроводимости монокристаллов Gc/G&,Se4 . фтп, 1971, т. 5, в. II, с. 2240-2242.

31. Радауцан С.И. Житарь В.Ф., Райлян В.А. Длинноволновой край поглощения монокристаллов Cc/Go£Se^ . Изв. АН Молд.ССР, сер. физ.-тех. и мат. наук, 1973, № 3, с. 41-46.

32. Радауцан С.И. Сырбу Н.Н., Небола П.И. Тырзиу В.Г. Берча М.Д. Структура энергетических зон и двухфононное поглощениев кристаллах Cc/Go254 и Cc/Go25e4 . ФТП, 1977, т. II, в. I, с. 69-72.

33. Bacebstczfr. Tzi/£oz/cofi., Sotp/res/A.Ccr/bS/aj?/?' feguz-го/7/ £. A6soz/?//orr ecfye //e ггт?оге/Рес/<?г?се s/t/c/fes о/ Сс/&о25е,. Wysleti., /9/9, * m A

34. Гусейнов Д.Т. Джураев Н.Д., Нани Р.Х. Оптическое поглощение монокристаллов Сс/У/?2$4 и . В кн.: Тройные полупроводники АПВ1Ус| и АПв!рСУ1 , Кишинев, Штиинца, 1972, с.228-230.

35. Житарь В.Ф., Райлян В.Я. Оптическое поглощение и отражение тиогаллата кадмия. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение, Кишинев, Штиинца, 1976, с. 192-195.

36. Райлян В.Я. Спектры отражения монокристаллов , Cc/Go/ZSeJj. Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1979, с. 125-126.

37. Георгобиани А.Н., Тигиняну И.М. Разрешенные экситоны в Cc/Go^S^ . Краткие сообщения по физике. ФИАН, 1981, № 2, с.3.7.

38. Георгобиани А.Н. Озеров Ю.В., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Исследование фундаментальных оптических переходов в

39. Gc/Gc^54 методами модуляционной спектроскопии. ФТТ, 1981, т. 23, в. 7, с. 2094-2099.

40. Сусликов Л.М., Гадьмаши З.П., Ковач Д.Ш., Сливка В.Ю. Край поглощения одноосно деформированных монокристаллов Gc/Gc^54 . ФТП, 1982, т. 16, в. I, с. 143-146.

41. Сусликов Л.М. Гадьмаши З.П., Сливка В.Ю. Влияние температуры на эффекты проявления пространственной дисперсии в кристаллах Gc/Go3S4 . ФТП, 1982, т. 16, в. II, с. 1955-1958.

42. Керимова Т.Г. Нани Р.Х., Салаев Э.Ю. Штейншрайбер В.Я. Алиев А.А. Колебательный спектр Сс/Са25е4 . фтт, 1979, т. 21, в. 6, с. I899-I90I.

43. Керимова Т.Г. Динамика решетки соединений, кристаллизующихся в структуре тиогаллата. ДАН Аз.ССР, 1979, т. 35, № 6, с. 29-33.

44. Сусликов Л.М. Небола И.И. Переш Е.Ю., Ворошилов Ю.В. Берча Д.М., Сливка В.Ю. Оптические фононы в Gc/C^Se^ . ФТТ, 1978, т. 20, в. 10, с. 3186-3189.

45. Сусликов Л.М. Переш Е.Ю. Сливка В.Ю. Колебательные спектры монокристаллов Cc/{?c^S4 • Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1979, с. 127-128.

46. Абдуллаев Г.Б. Агаев В.Г. Антонов В.Б. Нани Р.Х., Са-лаев Э.Ю. Фотопроводимость, процессы прилипания и рекомбинации в монокристаллах Сс/бог5е4 . ФТП, 1972, т. 6, в. 9, с. 1729-1743.

47. Абдуллаев Г.Б., Агаев В.Г., Антонов В.Б. Мамедов А.А. Нани Р.Х. Салаев Э.Ю. Фотопроводимость, процессы прилипания и рекомбинации в монокристаллах С/с/б'ОгЗе4 , легированных золотом.- ФТП, 1973, т. 7, в. 6, с. I05I-I057.

48. Абдуллаев Г.Б. Агаев В.Г., Антонов В.Б. Нани Р.Х., Са-лаев Э.Ю. Оптическое поглощение монокристаллов Cc/Go^Se^. -ФТП, 1971, т. 5, в. II, с. 2132-2135.

49. Житарь В.Ф., Райлян В.Я. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Сс/6о£5е4 . в кн.: Физические свойства сложных полупроводников, Кишинев, Штиица, 1973, с. 64-69.

50. Сыноров В.Ф. Безрядин Н.Н. Равинский А.П. Сысоев Б.И. Особенности термостимулированного тока монокристаллов Сс/Оог5е4 .- Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиица, 1976, с. 162-164.

51. Сыноров В.Ф. Безрядин Н.Н. Равинский А.П., Сысоев Б.И. О релаксации фототока в монокристаллах . ФТП, 1977, т. II, в. 7, с. 1439.

52. Сыноров В.Ф. Безрядин Н.Н., Равинский А.П., Сысоев Б.И. Энергетический спектр центров прилипания в монокристаллах Сс/6аг5е4 . Изв. ВУЗов, Физика, 1978, т. 21, № 4, с. 127-130.

53. Браила В.М., Караман М.И. Мушинский В.П. Продольная фотопроводимость слоев Сс/б>ог5е4 . В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений, Кишинев, Штиинца, 1979, с. I05-III.

54. Радауцан С.И., Житарь В.Ф., Дону B.C. Спектры фотопроводимости монокристаллов Cc/GozS4 . ФТП, 1975, т. 9, в. 5, с. I0I8-I020.

55. Житарь В.Ф. Дону B.C. Молдовян Н.А. Рекомбинационные центры и ловушки в Zn7tr254 и Cc/Go2S4 . Вс.конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1976, с. 156158.

56. Житарь В.Ф. Дону B.C. Радауцан С.И., Струмбан Э.Е. Релаксация тока в фотоприемниках на основе тиогаллата кадмия, Электронная обработка материалов, АН Молд.ССР, 1982, № 5, с. 54-58.

57. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Тигиняну И.М. Исследование локальных состояний в Gc/Go254 . Краткие сообщения по физике, ФИАН, 1981, № 2, с. 3-7.

58. GeozpoS/an/ AN., ftp с/о utSon 57., T/tjitiyonuJ.M. £fec/zoa&$oz/yt/o/7 ал с/ поп z/u/n cozz/ez гесопт&по//'оп /п G/Go£54

59. J.Phys., /mс./с Wfi256/-2370

60. Мушинский В.П. Караман М.И., Грамацкий В.И. Чеботарь В.В. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов

61. С/с/6>а£54 , полученных газотранспортным методом. Вс. конф. "Материалы для оптоэлектроники", Ужгород, 1980, с. 40-41.

62. Житарь В.Ф. Таран Н.И. Доника Т.В. Спектры излучения кристаллов Cc/GqrSj . В кн.: Исследование сложных полупроводников, Кишинев, Штиинца, 1970, с. 89-97.

63. Георгобиани А.Н. Дону B.C. Илюхина З.П. Павленко В.И.

64. Тигиняну И.М. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия. ФТП, 1983, т. 17, в. 8, с. 1524-1525.

65. Георгобиани А.Н. Дону B.C. Илюхина З.П. Павленко В.И. Тигиняну И.М. О связи центров свечения с собственными дефектами в

66. Сс/Оаг$4 . Краткие сообщения по физике ФИАН, 1981, № 12, с. 48-52.

67. Радауцан С.И., Дерид Ю.О. Житарь В.Ф., Дерид О.П. Тро-ценко Н.К. Тюлюпа А.Г. Диаграмма состояния Ccf5~6>&г35 , ДАН СССР, 1982, т. 267, № 3, с. 673-675.

68. Мамедов А.А. Поляризованная люминесценция монокристаллов Cc/G>a,5e4 , Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук, Баку, 1978,1. ПО с.

69. Сливка В.Ю. Оптические свойства сложных халько-, гало- и халькогалогенидов. Вс. конф. "Материалы для оптоэлектроники", Ужгород, 1980, с. 7-8.

70. Сусликов Л.М. Галъдмаши З.П. Копинец И.Ф. Переш Е.Ю. Сливка В.Ю. Получение и оптические свойства монокристаллов Cc/Go254 . Вс. конф. "Материалы для оптоэлектроники", Ужгород, 1980, с. 26-27.

71. Сусликов Л.М. Галъдмаши З.П. Копинец И.Ф. Переш Е.Ю. Сливка В.Ю. Двулучепреломление монокристаллов Cc/G<725^ . Опт. и спектр., 1980, т. 49, № I, с. 97-99.87• Сусликов Л.М. Галъдмаши З.П. Копинец И.Ф. Сливка В.Ю.

72. Эффекты пространственной дисперсии в кристаллах Cd Gc. -Опт. и спектр., 1981, т. 51, № 2, с. 307-311.

73. Нани Р.Х. Фотоэлектрические и оптические свойства, энергетические спектры полупроводников типа Апв5!сУ1. Дис. . докт. физ.-мат. наук, Баку, 1977, 239 с.

74. Phttf/pp H-fc, Tajt £.Л O/pt/caf covs/o/rts о/conf„ /to /0е V. yfe* 3, к Щ^р. ЗГ'ЗЗ

75. Phi tt/pp РЛ, £Агеггте/сА P. car f/trope rt/esr

76. О/ Se/n/coKc/cctarx. PAyS. fer. /?63, К /Р9, V^ p. /550-/56О

77. Мамедов Ш.С. Мехтиев H.M. Структура валентной зоны Gc/Go25e4» Тез. докл./ 1У Республиканская конференция молодыхученых-физиков, Баку, 1978, с. 32.

78. Керимова Т.Г. Алиев А.А. Мамедов Ш.С. Нани Р.Х., Салаев Э.Ю. Энергетический спектр и t7a/G<^Se< . Тез.докл. / Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников, Баку, 1978, с. 54.

79. Керимова Т.Г. Мамедов Ш.С., Мехтиев Н.М., Нани Р.Х. Поляризованная фотопроводимость монокристаллов Сс/баг5е4 . Тез. докл./ Республиканская конференция "Фотоэлектрические явления в полупроводниках", Ужгород, 1979, с. 133.

80. Мамедов Ш.С. О межзонных переходах в Cc/Gq,$4 . Тез. докл./ У Республиканская конференция молодых ученых-физиков, Баку, 1980, с. 45.

81. Керимова Т.Г. Мамедов Ш.С., Нани Р.Х. Спектры Я -модулированного отражения и зонная структура Сс/Go25e4 . ФТП, 1981, т. 15, в. I, с. I38-I4I.

82. Кет/то va Т&, /Чамес/ог 5A. Л/оп/ fi/fA. 7/п the Son с/stzucr/t/ze О/ Gc/G<%54 . PAys. fiat. SoL Щ л(/, к. 39-44

83. Те// 3I,5/iay J. L. £ fee/саге/fec/a/ree с//?£ог/э//о/7 ec/ge $/c*c/fes 0/ /!g fic/5, о/у с/ Дд&оЗе?. flev. в,1972, v. 6^3, p. 3006-5012

84. Se z/77 age 3,, Be, z //re -/ <?//// Г., Papac/opou/o ~3с/гег7е /9.С. YozfaZ/Pti avec /a Те/Tip e za/aze c/e 7a Fanz/e 7/i£ez</t/e. g/o 7/rosrp> Cz/s/oZZ/rr е/с/и coap/aye fp/n-ozS/Ze esr Те/г/ъе c/e Zo/re c/e /4§7?а/)ее/ А1двоГеI -J. c/e /Щт.Я^а /57Ю

85. C&Z zee//0/72 /<7//re Зат7с/s/zacZz/ze 0/ 7e/zzа-/у F&/7c/ec/2e/r?,co/7c/acto7£. FZ/ps. Fez/e//., /Щ к //aZZ2,p. 54/545114. /7z?/rCa F, /Уи/г/о/7г С. % Fogg F, $///## F /^ага/е/?/ rfewt//^ ejpec*/ on Van У/ес/ pazacnay/re7/z/77 /h1. Яет/сая c/uc/ff z

86. C0m/?0i//rc/f. S/ot. Sot/SJ, /m V/fp. 5/57

87. WrZey /.//. Va/ence Sane/ c/e/oz/7*0/, po/en/ofspoz //re ///'V C,OS77pOt///c/£. ~ S/а/. 7o/77777C///.,7970, V.3,a/22, p. /065-/868

88. Поплавной А.С. Полыгалов Ю.И. Ретнер A.M. Структура энергетических зон соединений Fq/pc/5? , FlgGo/je^ ,

89. ЛдбЬГъ . Изв. ВУЗов, Физика, 1974, т. 17, № II, с. 25-29.

90. Караваев Г.Ф. Кривайте Г.З. Чалдышев В.А. Шилей-ка А.Ю. Поляризационные свойства А/-переходов в Сс/Зпи Gc/Sa,/^ . ФТП, 1974, т. 8, в. 6, с. III0-III6.

91. Аег/УпаУя /Уатес/оу ЗА. 3, За/оег £.J Syrecr/'a^yea/L/zes the e/ec/zomc Spec/z£/f7r о/ //?tieo^ /he ./{J/7c/amet/ Ac?P a/soe/p/tcw ec/y?.тг, v. tog, л x. //?-///

92. Керимова Т.Г. Мамедов Ш.С. Мехтиев Н.М. Хидиров А.Ш. Штейншрайбер В.Я. Электронные и фононные спектры соединений А^В^С^. Вс. конф. по физике полупроводников, Баку, Элм, 1982, т. 2, с. 184-185.

93. Керимова Т.Г. Мамедов Ш.С. Хидиров А.Ш. Особенности электронных и колебательных спектров соединений Апв5>С)Р. Вс. конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, Штиинца, 1983, с. 15-16.

94. Уиллардсон Р. Бир А. Оптические свойства полупроводни1. Ш Vков (полупроводниковые соединения типа A BJ). М.: Мир, 1970, 488 с.

95. Фэн Г. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах. -М.: Мир, 1969, 127 с.

96. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М.: Ин. литер., 1961, 304 с.

97. Алиев М.М. Исследование теплоемкости сложных полупроводников. Автореф. Дис. . канд. физ.-мат. наук. - Баку, 1972.140 с.

98. Керимова Т.Г. Мамедов Ш.С. Салаев Э.Ю. Краевая фотолюминесценция монокристаллов /7с//?<%2е4 . ФТП, 1982, т. 16, в. 10, с. 1904-1905.

99. Хе z/Г770 Т. f/c/snec/o 1/ S/r. Д . /Зсг/аег /?ос/г'а-/ес/983, v. 48, л/г, p. 39?- 399

100. Керимова Т.Г. Абдуллаева С.Г. Мамедов Ш.С., Салаев Э.Ю. Гулиев Р.А. Оптическое поглощение и фотолюминесценция в fc/tfo^Sj . Препринт № 91, 1984, Баку, Институт физики АН Азерб.ССР, 17 с.

101. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М. : Наука, 1962, 326 с.

102. Лущик Ч.Б. К теории термического высвечивания. Докл. АН СССР, сер. физ., 1935, т. 101, №4, с. 641-644.

103. Френкель Я.И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках. 1ЭТФ, 1938, т. 8, в. 12, с. 1292-1300.

104. Литовченко П.Г. Устьянов В.И. Определение параметров уровней применения в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. В кн.: Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов, Вильнюс, 1969, с. I53-I7I.

105. Ламперт М. Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. -М. : Мир, 1973, 416 с.

106. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М. : Наука, 1966, 342 с.

107. Wf я/г?& /7/! Г/геоту о/ the esree^y Се re fx о/ c/c?s7<?г- <Ус*7е>/7/с>г J?PAys. Сбе/п. SeA/cSs,v. ^ s/5-4, p.

108. Шейнкман M.K. Корсунская H.E. Маркевич H.B. Торчинская Т.В. Механизм излучательных и безизлучательных переходов в п ytсоединениях AUBJA и природа центров свечения. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, т. 40, № II, с. 2290-2297.

109. Лашкарев В.Е. Любченко А.В. Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев : Наукова думка, 1981, 264 с.

110. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофо-сфоров. М. : Наука, 1964, 283 с.

111. Мамедов Ш.С. Фотолюминесценция монокристаллов ft/gc^Se^. Тез. докл./ У Респ. конф. молодых ученых-физиков, Баку, 1980, с. 47.