Электропроводность сенсорных слоев диоксида олова модифицированной толщины тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК.

1.1. Перколяционная модель электропроводности в поликристаллических оксидных полупроводниковых пленках.

1.2. Структура оксидных полупроводниковых пленок.

1.3. Влияние адсорбции газов на электрофизические характеристики оксидных полупроводниковых пленок.

1.3.1. Формы адсорбции.

1.3.2.Искривление энергетических зон полупроводников при хемосорбции.

1.3.3. Изотермы адсорбции.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Технологические способы получения пленок диоксида олова.

2.1.1. Метод магнетронного распыления.

2.1.2. Метод гидролитического разложения тетрахлорида олова.

2.2.Легирование пленок диоксида олова.

2.3. Плазмохимическое травление.

2.4. Методики определения структурных характеристик пленок диоксида олова.

2.4.1 Измерение толщины.

2.4.2 Исследование структуры пленок диоксида олова.

2.4.3.Исследование микроструктуры пленок диоксида олова.

2.4.4.Исследование электронной структуры пленок диоксида олова.

2.5.Методики электрофизических измерений.

2.5.1. Измерение температурных зависимостей электропроводности.

2.5.2. Измерение вольт - амперных характеристик.

2.5.3. Измерение отклика пленок при адсорбции газов.

2.5.4. Определение кинетических характеристик сенсорных слоев методом Ван-дер-Пау.

ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМ АКТИВАЦИИ

ОТКЛИКА ПЛЕНОЧНЫХ СЕНСОРНЫХ СТРУКТУР.

3.1. Результаты плазмохимического травления.

3.2. Результаты исследования микроструктуры.

3.3. Результаты измерения электропроводности.

Выводы к третьей главе.

ГЛАВА 4. ОТКЛИК СЕНСОРНЫХ СТРУКТУР МОДИФИЦИРОВАННОЙ ТОЛЩИНЫ

К РАЗЛИЧНЫМ ГАЗАМ.

4.1. Влияние плазмохимического травления на отклик пленок.

4.2. Влияние легирования на отклик пленок.

4.2.1. Введение донорных примесей в пленки диоксида олова

4.2.2. Введение акцепторных примесей в пленки диоксида олова.

4.2.3. Характер изменения электропроводности модифицированных пленок после легирования.

Выводы к четвертой главе.

ГЛАВА 5. МЕХАНИЗМ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ СЕНСОРНЫХ СТРУКТУР МОДИФИЦИРОВАННОЙ ТОЛЩИНЫ.

5.1. Вольт-амперные характеристики модифицированных пленок.

5.2. Энергия активации проводимости.

5.3.Концентрация и подвижность носителей заряда.

5.4.Модель структуры и электропроводности сенсорных слоев.

Выводы к пятой главе.

Актуальность темы. Настоящая работа посвящена одной из актуальных проблем, имеющих в промышленности, медицине, экологии и криминалистике важное значение - проблеме создания надежного микродатчика состава газовой среды. Газовые сенсоры на основе полупроводниковых оксидов используются для детектирования горючих и вредных газов в воздухе. Из-за наличия в промышленности экологически грязных технологий, вредных и опасных производств, все возрастающего автомобильного парка с двигателями внутреннего сгорания, загрязняющими токсичными примесями газов окружающую среду, существует острейшая практическая необходимость в создании производительных, точных и дешевых датчиков для обнаружения и измерения предельно допустимых концентраций газообразных канцерогенов. Существующие конструкции датчиков в силу разных причин, в том числе принципиального характера, не решают эту проблему в полной мере.

Исследование механизма электропроводности газочувствительных слоев является одним из актуальных направлений развития физики и химии полупроводниковых пленочных сенсоров газов.

Из всей номенклатуры датчиков, изготавливаемых по микроэлектронной технологии, наиболее широко представлен класс адсорбционно-полупроводниковых устройств (АПУ). В существующих конструкциях АПУ используются преимущественно металлооксидные полупроводники с электронной проводимостью. При адсорбции молекул газов на поверхности таких полупроводников их сопротивление (электропроводность) заметно изменяется. Для различных полупроводников существует оптимальный интервал температур, где их чувствительность к анализируемому газу максимальна. Такой интервал находится в пределах от 200 до 500 °С. Повышенная температура является обязательным условием работы газовых датчиков на основе металлооксидных полупроводников.

Уже в 1950 году было известно, что такие оксиды металлов, как ZnO и NiO меняют свои полупроводниковые свойства с изменением парциального давления кислорода, диоксида азота и других газов в окружающей атмосфере. Были предложены соответствующие теории для объяснения природы взаимодействия газ-твердое тело, а также для контролирования поверхностных химических процессов (например, в катализе). Однако подход с другой стороны, т.е. использование наблюдаемого явления для детектирования газов в воздухе ясно показал, что эти газы могут быть обнаружены по изменению электрического сопротивления тонкой пленки ZnO. В то же время было установлено, что синтезированный образец пористого Sn02 может работать по тем же принципам. Данные открытия продемонстрировали возможности газочувствительных приборов на основе полупроводниковых оксидов.

Позднее было показано, что газовая чувствительность таких приборов значительно улучшается при добавлении Pt, Pd, Ir и Rh. С тех пор положительное влияние благородных металлов подтвердилось многими комбинациями металлов и полупроводников и широко используется в реальном производстве газочувствительных приборов.

Основными недостатками полупроводниковых керамических датчиков, получаемых прессованием и спеканием смеси порошков оксидов металлов и связующего материала, являются их инерционность, недостаточная прочность по отношению к механическим воздействиям, большой разброс (около одного порядка) величины сопротивления чувствительных элементов (ЧЭ), низкая производительность при изготовлении ЧЭ, высокая трудоемкость, большая потребляемая мощность, необходимость длительного отжига при контролируемой температуре и газовой атмосфере для их окончательной обработки.

Датчики, изготовленные по толстопленочной технологии с использованием проводящих паст с толщиной слоев от десятков до сотен микрометров, в качестве исходных содержат те же материалы, что и керамические. Изменяется, в основном, технология формирования ЧЭ и электродов. Толстопленочные датчики более прочны, могут монтироваться в корпусах интегральных микросхем. Но их недостатки, в сущности, те же, что и у керамических датчиков: плохая воспроизводимость от образца к образцу, сильная зависимость характеристик от температуры окружающей среды и относительной влажности, слишком длительные времена стабилизации. Недостатки керамических и толстопленочных датчиков могут быть устранены при использовании современной тонкопленочной технологии.

В последнее время непрерывно возрастает интерес к исследованиям тонких пленок металлооксидных полупроводников, технологии получения которых хорошо совместимы с технологиями микроэлектронных приборов. Несмотря на большое число публикаций, в настоящее время нет единой точки зрения на процессы, определяющие механизмы электропроводности и газовой чувствительности тонких пленок металлооксидных полупроводников. Мало внимания уделяется исследованию влияния адсорбции газов на подвижность и концентрацию носителей заряда в интервале температур, используемых при детектировании газов большинством датчиков, 293-673 К. Изготовление тонкопленочных структур с толщиной слоев от долей до нескольких микрометров основано на хорошо изученных процессах вакуумной конденсации и нанесении пленок из растворов. Однако существуют значительные трудности при получении воспроизводимых и достаточно стабильных тонких пленок металлооксидных полупроводников, пригодных для изготовления ЧЭ газовых датчиков. Для преодоления этих трудностей в настоящей работе мы пошли по пути создания сенсорных слоев модифицированной толщины.

Исследование свойств тонких пленок металлооксидных полупроводников, в частности диоксида олова модифицированной толщины, является актуальной проблемой, решение которой позволит использовать тонкие пленки в качестве чувствительных элементов датчиков газов, изготавливаемых на основе микроэлектронной технологии.

Цель работы. Цель работы заключается в установлении физических закономерностей электропроводности тонких пленок диоксида олова модифицированной толщины, предназначенных для использования в качестве чувствительных элементов датчиков газов. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Установить и оптимизировать основные технологические режимы магнетронного распыления и гидролитического разложения растворов при изготовлении газочувствительных тонких слоев диоксида олова модифицированной толщины;

2. Определить и исследовать структуру, состав, а также основные электрофизические характеристики пленок диоксида олова, полученных различными методами;

3. Установить механизм электропроводности тонких пленок диоксида олова модифицированной толщины в интервале температур от комнатной до 673 К в зависимости от методов и условий получения и обработки;

4. Определить возможности активизации отклика чувствительных элементов посредством организации различных режимов электропроводности в тонких слоях с модифицированной толщиной, легирования и выбора оптимального температурного интервала функционирования чувствительного элемента;

5. Исследовать в интервале температур 293-673 К чувствительность пленок модифицированной толщины к различным газам и предложить физическую модель для объяснения этого явления.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны тонкие пленки диоксида олова, полученные методами магнетронного распыления и гидролиза водно-спиртовых растворов хлорида олова на подложках из поликора (AI2O3). Микроструктура пленок измена таким образом, что на пути движения носителей периодически встречаются участки с высокими и низкими значениями электропроводности.

Научная новизна работы:

1. Впервые для чувствительных элементов датчиков получены пленки с модифицированной микроструктурой и толщиной, соизмеримой с размером зерна в пленке.

2. Впервые исследован механизм электропроводности подобных пленок в широком интервале температур. Показано, что электропроводность описывается в рамках перколяционной модели. Рассчитаны средние значения высот энергетических барьеров и их разброс при температурах от 293 К до 673 К.

3. Впервые исследовано влияние легирования на электропроводность пленок модифицированной толщины. Показано, что характер электропроводности определяется изменением концентрации носителей заряда, зависящей от взаимодействия кислорода и паров воды из окружающей атмосферы с поверхностью модифицированных пленок.

4. Впервые показано влияние газов (этанола и ацетона) на электропроводность пленок диоксида олова модифицированной толщины. Установлено, что изменение электропроводности при адсорбции донорных газов описывается степенной функцией вида а ~ где показатель степени /3 определяется микроструктурой чувствительного слоя, легированием и температурой.

5. Впервые предложена модель строения пленок модифицированной толщины, удовлетворяющая механизму протекания тока и поведению температурной зависимости электропроводности, в том числе в условиях адсорбции газов.

Практическая значимость работы:

1. В рамках решения фундаментальной задачи пленочного материаловедения предложен новый способ получения пленок диоксида олова для чувствительных элементов датчиков газов, отличающийся воспроизводимостью от образца к образцу. Обоснована и практически подтверждена высокая временная стабильность электрофизических характеристик пленочных образцов.

2. Установлена взаимосвязь между структурой, типом легирующей примеси и электропроводностью с одной стороны, и сенсорной активностью полученных пленок - с другой.

3. Полученные в диссертации результаты являются фундаментом для создания высокопроизводительной микроэлектронной технологии изготовления датчиков газов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Модификация толщины пленок S11O2 до значений, соизмеримых с размером зерна, приводит к получению слоев, электропроводность которых существенно зависит от состава окружающей атмосферы.

2. Электропроводность в пленках модифицированной толщины является неомической и описывается в рамках перколяционной модели со следующими параметрами: среднее значение высот энергетических барьеров для носителей заряда в зоне проводимости - 0,07 эВ, средний разброс высот барьеров - 0,04 эВ. С ростом температуры пленки неомический характер зависимости тока от напряженности электрического поля ослабевает.

3. Значение электропроводности модифицированных пленок определяется концентрацией носителей заряда в зоне проводимости, зависящей от стехиометрии, легирования, взаимодеиствия с окружающей атмосферой.

4. При адсорбции донорных газов сенсорными слоями с модифицированной толщиной изменение электропроводности характеризуется степенной функций ст ~ АРр. Легирование донорными примесями увеличивает изменение электропроводности, а легирование акцепторными примесями уменьшает изменение электропроводности при детектировании этанола и ацетона по сравнению с нелегированными слоями. Модификация толщины слоев приводит к уменьшению параметра р до значения 0,3 -0,2. Этот параметр растет при повышении температуры. и

5. Микроструктура модифицированных слоев представляет собой совокупность микрокристаллов, расположенных на поверхности подложки в один слой. Микроструктура ответственна за существование резко неоднородных по проводимости участков - областей внутри каждого микрокристалла (области с низким сопротивлением) и промежутков между микрокристаллами (области с высоким сопротивлением). Микрокристаллы состоят из субзерен размером 8-9 нм, перенос носителей заряда между которыми осуществляется безактивационно. Электрический контакт между микрокристаллами представляет собой двойной барьер Шоттки. Величина проводимости пленки в целом определяется активационным барьером на границе между микрокристаллами.

Апробация работы. Результаты работы доложены и обсуждены на Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», (Москва, 1999); The Fourth International Workshop «Russian Technologies for Industry» Physical, Chemical and Biological Sensors, (Russia, St. Petersburg, 29-31.05.2000).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 5 работах в виде статей и тезисов докладов.

В совместных работах автор принимал участие в подготовке и проведении эксперимента, обсуждении полученных результатов и подготовке работ к печати.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы (104 наименований). Объем диссертации составляет 130 страниц машинописного текста, включая 35 рисунков и 4 таблицы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. В результате утончения пленок диоксида олова с толщиной до 3,5 мкм и электрическим сопротивлением до 100 Ом/П, полученных методами реактивного магнетронного распыления и гидролитического разложения, формируется газочувствительная пленка, имеющая эффективную толщину 0,5-0,6 мкм, соизмеримую с размером зерна. Сопротивление пленки изменяется вдоль поверхности подложки периодически в соответствии с размером зерна и определяется сопротивлением межзеренных промежутков.

2. Вольт-амперные характеристики пленок диоксида олова, снятые при комнатной температуре, имеют участки омического и неомического поведения сопротивления и являются типичными для систем, электропроводность в которых описывается в рамках перколяционной модели. Определены средние значения высот энергетических барьеров в зоне проводимости и разброс высот барьеров в интервалах температур от комнатной до 673 К. С ростом температуры неомическая зависимость тока от напряженности электрического поля ослабевает.

3. Температурные зависимости электропроводности при низких температурах для легированных и нелегированных слоев оказываются аналогичными. Однако при температурах свыше 550 К характер изменения проводимости принципиально различается: для нелегированных пленок диоксида олова электропроводность при повышении температуры возрастает, а для легированных падает. Вид этих кривых объясняется взаимодействием кислорода и воды с поверхностью пленки, определяющим концентрацию свободных носителей заряда.

4. В сенсорных слоях с модифицированной толщиной изменение электропроводности сг при адсорбции донорных газов характеризуется степенной зависимостью от парциального давления Адсорбция газов осуществляется в соответствии с уравнением Фрейндлиха. По сравнению с нелегированными сенсорными слоями легирование донорными примесями ведет к увеличению изменения их электропроводности при детектировании этанола и ацетона, а легирование акцепторными примесями уменьшает это изменение. Параметр р уменьшается от значения 0,8 для слоев диоксида олова с толщиной 3,5 мкм до значения 0,3 и 0,2 для слоев модифицированной толщины. Этот параметр растет с повышением температуры.

5. Максимум изменения электропроводности при адсорбции донорных газов для пленок диоксида олова, легированных литием и железом, расположен в области температур 640К, легированных никелем - 650К, легированных медью - в области 375К.

6. Предложена модель строения пленок, объясняющая механизм протекания тока и поведение температурной зависимости электропроводности существованием резко неоднородных по проводимости участков - областей внутри каждого микрокристалла и промежутков между микрокристаллами.

1. О механизме электропроводности полупроводниковых окисных пленок ZnO / И.Я. Сухарев, Н.Е. Лобвшина, Н.Н. Саввин и др. // Журнал физ. химии.- 1983.-Т.57, № 2. с.405-409.

2. Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях / Б.И. Шкловский // Физика и техника п/п.-1979 . -Т. 13, вып. 1 .-с. 93-97.

3. Винников А.Я. Экспериментальное обнаружение перколяционной электропроводности в сильных электрических полях /А.Я. Винников, А.М.Мешков, В.Н. Савушкин // Физика твердого тела. 1980. - Т. 22, вып. 10.- с. 2989-2995.

4. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И.А. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов и др. М.: Наука, 1991. - 327 с.

5. Максимова Н.К. Структура, состав и свойства газочувствительных пленок Sn02, легированных платиной и скандием / Н.К. Максимова, Ю.Г. Катаев, Е.В. Черников // Журнал физ. химии. 1997. - Т. 71, №8, С.1492-1496.

6. Трепнел Б. Хемосорбция / Б. Трепнел. М.: Изд. иностр. лит., 1958. -293 с.

7. Hagermark K.I. Some basic aspects of semiconductor gas sensor./ K.I. Hagemark // J. Appl. Phys. 1982. V.54. P. 3825 - 3831.

8. Mahan G.D. Surface silver clusters as oxidation catalysts on semiconductor gas sensors/ G.D. Mahan / J. Solid State Chem. 1976. - V. 16. - P. 293 -298.

9. Strassler S. Relationship between gas sensitivity and microstructure of ZnO / S. Strassler, D. Wisser//J. Appl. Phys. 1985. - V. 10. - P. 165 -178.

10. Bekmans N.M. Study on the sensing mechanism of thin film gas sensors / N.M. Beekmans // J. Chem. Soc. Faraday Trans. I. 1987. - V.69. - P.l -13.

11. П.Сухарев В.Я. Фазовый анализ тонких пленок диоксида олова при окислении на воздухе / В.Я. Сухарев, И.А. Мясников // Физика твердого тела. 1985. - Т. 27, № 6. - с. 705 - 712.

12. Sukharev V.Ya. Название работы / V.Ya. Sukharev, V.V. Myasnikov // Phys. Status Solidi A. 1987. - V. 110. - P. 277 - 284.

13. Сухарев В.Я. Свойства полупроводниковых сенсоров на основе пленок диоксида олова / В.Я. Сухарев // Журн. физ. химии. 1988. - Т. 62, № 1- С. 2429 - 2437.

14. Акимов Б.А. Электропроводность структур для газовых сенсоров на основе пленок Sn02, легированных медью и никелем/ Б.А. Акимов,

15. A.M. Гаськов, М.М. Осипова и др. // Вестн. Моск. Ун-та. Сер.З, Физика астрономия 1996. №5. - С.60-65.

16. Мс Aleer J.Tin dioxide gas sensors / J.McAleer, P. Moseley, J. Norris et al // J. Chem. Soc., Faraday Trans.l. 1987. - V.83. - P. 1323 - 1346.

17. Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок Sn02 с золотыми контактами/ Б.А. Акимов, A.M. Гаськов // Физика и техника п/п. 1999.-Т.ЗЗ, вып.2. - С.205 - 207.

18. Шкловский Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников /Б.И.Шкловский, A.JI. Эфрос.- М.: Наука, 1979.-415 с.

19. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф.Ф. Волькенштейн. М.:Наука, 1987.- 431 с.

20. Моррисон С.Р. Химическая физика поверхности твердого тела / С.Р. Моррисон. М.: Мир, 1980. - 583 с.

21. Гиббс И. Термодинамические исследования / И. Гиббс.- М.: Изд-во иностр. лит., 1950. 290 с.

22. Гаррэт К.Г. Проблемы физики полупроводников / К.Г. Гаррэт,

23. B.Н.Браттайн. М., Изд-во иностр. лит., 1957 - С. 345 - 351.

24. Kazmerski N.Y. Policrystslline and amorphous thin films and devices / N.Y. Kazmerski. -: Acad, press, 1980. 273 p.

25. Куприянов Л.Ю. Особенности электропроводимости и газочувствительности спеченных пленок оксида цинка в насыщенных парах воды / Л.Ю. Куприянов // Журн. физ. химии. 1996. Т.70, №4. -С.715 - 719.

26. Мясников И.А. Об особенностях адсорбции молекул кислорода и радикалов на полупроводниковых окислах металлов в газовых и жидких средах / И.А. Мясников // Журн. физ. химии. 1981.- Т.55 , № 3,- С. 1278 - 1282.

27. Maier J. Investigation of the bulk defect chemistry of polycrystalline tin (IV) oxide / J. Maier, W. Gopel // J. Solid State Chem. 1988. - № 72. - P. 293 - 302.

28. Технология СБИС / Под ред. С.Зи. М: Мир, 1986. - 453 с.

29. Данилин B.C. Магнетронные распылительные системы /B.C. Данилин,

30. B.К. Сырчин. М.: Радио и связь, 1982.- 72 с.

31. Рогинский С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях /

32. C.З. Рогинский. М.:АН СССР, 1948.- 278 с.

33. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А.В. Евдокимов, М.Н. Муршудли, Б.И. Подлепецкий и др. // Заруб, электрон, техника.- 1988.- №2,- С. 3-39.

34. Murakami N. Selective detection of CO by Sn02 gas sensor using periodic temperature change / N. Murakami, K. Takahata, T. Seiyama // Transducers. 1987.-P. 618 -620.

35. Moore S.V. A modified multilayer perceptron model for gas mixture analysis / S.B. Moore, J.W. Gardner, E.L. Hines // Sensors and actuators. B.1993. №15-16. - P. 344-348.

36. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л.И. Миркин.- М.: Физматгиз, 1966.- 863 с.

37. Панкратьев Е.М. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова / Е.М. Панкратьев, В.П. Рюмин, Н.П. Щелкина. М.: Энергия, 1969.-56 с.

38. Карслоу Г. Теплопроводность твердых тел / Г. Карслоу, Д. Егр. М.: Наука, 1964.- 487с.

39. Кикоина И.К. Таблицы физических величин: Справочник / И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. - 1006 с.

40. Гуляев A.M. Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров на основе Sn02, полученных реактивным магнетронным напылением / A.M. Гуляев, О.Б Мухина, И.Б. Варлашов и др.// сенсор -2001.-№2.-С. 10-21.

41. Рябин В.А. Термодинамические свойства веществ: Справочник / В.А. Рябин, М.А. Остроумов, Т.Ф. Свифт. Л.: Химия, 1977. - 392 с.

42. Карапетьянц М.Х. Химическая термодинамика / М.Х. Карапетьянц. -М.: Химия, 1975.-583 с.

43. Датчики для контроля содержания примесей в атмосфере / А.И. Бутурлин, Т.А. Габузян, С.А. Крутоверцев и др. // Заруб, электрон, техника. 1983. - №2.- С .95 - 112.

44. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников / А.И. Бутурлин, Г.А. Габузян, Н.А. Голованов и др. // Заруб, электрон, техника. 1983. - №10. - С. 3 - 38.

45. Виглеб Г. Датчики: Устройство и применение / Г. Виглеб. М.: Мир, 1989.- 196 с.

46. Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-Sn02 на P-Si в условиях газовой адсорбции / Р.В. Васильев, A.M. Гаськов, М.Н. Румянцев и др. // Физика и техника п/п. 2000. - Т. 34, №8.- С. 993 - 997.

47. Дикарев Ю.И. Влияние некоторых технологических параметров на процесс плазмохимического травления / Ю.И. Дикарев, А.И.

48. Красножон, В.И. Петраков // Электрон, техника. Сер.6.- 1976. -Вып. 10. -С.33-37.

49. Дикарев Ю.А. Травление кремния и его оксида в галогенсодержащей плазме высокочастотного разряда / Ю.А.Дикарев, В.Ф. Сыноров, Б.Л. Толстых // Электрон, техника. Сер.З.- 1977.- Вып.4.- С. 19-25.

50. Данилин Б.С. Вакуумно-технические проблемы ионного, ионнохимического и плазмохимического травления микроструктур / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев // Обзоры по электронной технике. Сер.З, Микроэлектроника. 1984.- Вып.5.- С. 1 - 55.

51. Shigenori Matsushima. Electronic interaction between metal additives and tin dioxide in tin dioxide-based gas sensors / Matsushima Shigenori, Teraoka Yasutake, Miura Norio // Jap. J. Appl. Phys.- 1988. V. 27, № 10. - P. 1798 -1802.

52. Киреев П.С. Физика полупроводников / П.С. Киреев.-М: вышая школа, 1975.-584 с.

53. Кукуев В.И.Физические методы исследования тонких пленок и поверхностных слоев / В.И. Кукуев, И .Я. Миттова, Э.П. Домашевская. -Воронеж: изд. Воронеж, ун-та, 2001.- 143 с.

54. Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников / Я.С. Уманский. М.: Металлургия, 1969. - 496 с.

55. Properties of tin dioxide films as gas sensors / P. Breuil, P. Pijolat, R. Lalauze // Silicates Industries. 1990. - N 3 - 4. - P. 91 - 94.

56. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов и др.- М.: Металлургия, 1982 .631 с.

57. Вайнштейн Б.К. Структурная электронография / Б.К. Вайнштейн.-М.: АН СССР, 1956.-314 с.

58. Майзель А. Рентгеновские спектры и химическая связь / А. Майзель, Г. Леонхард, Р. Сарган.- Киев: Наукова думка, 1981.- 419 с.

59. Нефедов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия неогранических соединений: Справочник. М.: Химия, 1984. - 256 с.

60. Watson J. The tin dioxide gas sensor / J. Watson, K. Ihokura, S.V. Colest // Meas. Sci. Technol. 1993. - № 4. - P.717 - 719.

61. Батавин В.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.

62. Ковтонюк Н.Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой. М.: Металлургия, 1972. -432 с.

63. Майссела Л. Технология тонких пленок: Справочник / Л. Майссела, Р. Глэнга. М.: Сов. радио, 1977. -Т.1.-390 с.

64. Адамсон А. Физическая химия поверхностей / А. Адамсон М.: Мир, 1979. - 568 с.

65. Effect of dopant incorporation on structural and electrical properties of sprayed Sn02:Sb films / D. Goyat, C. Agashe, B. Marathe et al // J. Appl. Phys.- 1993.- V.73, № 11,- P.7520 7523.

66. Гороновский И.Т. Краткий справочник по химии / И.Т. Гороновский, Ю.П. Назаренко, Е.Ф. Некряч. Киев: Наукова думка, 1974. - 991 с.

67. Органическая химия / О.Я. Нейланд. М.: Высш. шк., 1990.- 751с.

68. Application of semiconductor gas sensor for medical diagnostics / S.V. Ryabtsv, A.V. Shyposhnick, A.N. Lukin et al // Proc.XI. European Conf. On Solid-State Transducers (Euro-sensores-XI). Warsaw, 1997. - P.403 -406.

69. Адсорбционные свойства наногетерогенных пленок на основе оксидов олова и титана / Б.Ш. Галямов, С.А. Завьялов, J1.M. Завьялова и др. // Журн. физ. химии.- 1995.- Т. 69, № 6. С. 1071 -1075.

70. Study on the Sensing Mechanism of Tin Oxide Flammable Gas Sensors Using the Hall Efect / M. Ippommatsu, H. Ohnishi, H. Sasaki et al // J. Appl. Phys.- 1991. V. 69, № 12. - P.8368 - 8374.

71. Electrical Properties of Sprayed Tin Oxide Layers / J.P. Elich, E.C. Boslooper, H. Haitjema // Thin Solid films. 1989. - V. 177. - P. 17 - 33.

72. Киселев В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. -М.: Наука, 1978. -317с.

73. Кукуев В.И. Повышение надежности пленочных нагревательных элементов на основе двуокиси олова / В.И. Кукуев, Г.П. Попов // Электрон. пром-сть.-1989.- №3.- С. 33 35.

74. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления очистки материалов / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 254 с.

75. Айнспрука Н. Плазменная технология в производстве СБИС / Н. Айнспрука, Д. Брауна.- М: Мир, 1987. 469 с.

76. Jarsebski Z. М. Physical properties of Sn02 materials electrical properties / Z. M. Jarsebski, J.P. Marton // J. Electrochem. Soc. - 1976.- V.123- № 9.-P. 229-310.

77. The thin films Sn02 doped by Sb for gas sensors / A.M. Gulaev, O.B. Muchina, L.B. Warlashov et al // Noise and Degradation Processes in Semiconductor Devices: Proc. of Seminar. M., 1999. - P. 391 - 396.

78. Williams D. Tin dioxide gas sensors / J. McAleer, P. Moseley, J. Norris, D. Williams // J.Chem. Soc., Faraday Trans. 1. 1987. - V.84(2).- P.441-457.

79. Осаждение пленок S11O2 с заданным размером зерна / В.И. Кукуев, Е.А. Сорокина, Ю.А. Томашпольский // Изв. РАН. Неорган, материалы. -1995. Т.31, № 3. - С. 342 - 345.

80. Application of semiconductor gas sensor for medical diagnostics / S.V. Ryabtsev, A.V. Shaposhnick, A.N. Lukin, E.P. Domashevskaya // Proc.XI. European Conf. On Solid-State Transducers (Euro-sensors-XI). Warsaw, 1997. - V.l. -P .403 - 405.

81. Способ изготовления чувствительного элемента газовых датчиков: Пат. РФ.№ 2006845 С1, РФ/ А.В. Махин, А.И.Ганус.

82. Heesook P. Kim Sensing mechanism of Sn02 based sensors for alcohol / Kim P. Heesook, Ja Choi Jeong, Cheong Hae -Won // Sensors and Actuators. B. - 1993. -№13-14. - P. 511 - 512.

83. Айвазов A.A. Современное состояние и перспективы производства толстопленочных датчиков / А.А. Айвазов, В.И. Тимошенко, А.С. Кузин // Заруб, электрон, техника. 1991. - № 7. - С. 36 - 47.

84. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К. Хауффе. -М.: Иностр. лит., 1963. 456 с.

85. Моррисон С.Р. Химическая физика поверхности твердого тела / С.Р. Моррисон. М.: Мир, 1982. - 583 с.

86. Бонч-бруевич B.JI. Физика полупроводников / B.JI. Бонч-бруевич, С.Г. Калашников М.: Наука, 1977. - 528 с.

87. Сухарев В.Я. Теоретические основы метода полупроводниковых сенсоров в анализе активных газов / В.Я. Сухарев, И.А. Мясников // Журн. физ. химии. 1986. - Т.60 , вып.Ю. - С. 2385 - 2401.

88. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Э.Е. Гутман // Журн. физ. химии. 1984. - Т. 58., вып.4. - С.801 - 821.

89. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В.Ф. Киселев. М.: Наука, 1970. - 399 с.

90. Interaction of tin oxide surface with O2, H20 and H2 / N. Yamazoe, J. Fuchigami, M. Kishikawa, T. Seiyama // Surface Sci. 1979. - V. 86. - P. 335 - 344.

91. Chang S.C. Sensing mechanism of thin film tin oxide / S.C. Chang // Proc. 1st Meet. Chemical Sensors. Fukuoka, 1983. - P. 78- 83.

92. Kohl D. Surface processes in the detection of reducing gases with Sn02 -based devices / D. Kohl // Sensor and Actuators 1989 - V. 18 - P.71 - 114.

93. Hubner H.R. Obermeier E. Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier // Sensor and Actuators. 1989. - V. 17. - P. 351 - 380.

94. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous Sn02 / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // J. Electrochem. Soc. 1990. - V. 58, № 12.- P. 1143-1148.

95. Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // Sensor and Actuators. B. - 1991. -№3. -P. 147- 155.

96. Самсонова A.A. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / A.A. Самсонова. М.: Наука, 1978. - 390 с.

97. Хатсон А.Р. Полупроводники / А.Р. Хатсон. М.: Иностр. лит., 1962. -497 с.

98. Физико-химический механизм формирования параметров газовых сенсоров на основе оксидных материалов /B.C. Гриневич, В.В. Сердюк, В.А. Смынтына и др. // Журн. аналит. химии. 1990. - Т.45, вып.8. - С. 1521 - 1525.

99. Gutierrez J. Hall coefficient measurement for Sn02 doped sensor, as function of temperature and atmosphere / J. Gutierrez, L. Ares, J.I. Robla // Sensor and Actuators. B. -1993. № 15 - 16. - P. 98 - 104.

100. Таланчук П.М. Выходные информативные параметры полупроводниковых чувствительных элементов / П.М. Таланчук, Т.Ю. Киричек// Диэлектрики и полупроводники-1989 -Вып. 35 -С.93- 100.

101. Максимович Н.П. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред / Н.П. Максимович, Д.Е. Дышель, Л.Э. Еремина // Журн. аналит. химии. 1990. - Т.45, №7. - С. 1312-1316.

102. Электропроводность газочувствительных слоев с поверхностно -модулированной проводимостью при адсорбции донорных газов / В.И. Кукуев, М.Х. Джадуа, Д.М. Удалова и др. // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2000. - Вып. 1. - С. 39 - 42.

103. Структура, электропроводность и свойства газочувствительных слоев диоксида олова / В.И. Кукуев, М.Х. Джадуа, Д.М. Удалова и др. // Вестн. ВГТУ. Сер. Материаловедение. 2000. Вып. 1.7. - С. 51 - 54.

104. Kukuev V.I. Gas sensitive layers with surface modulated conductivity / V.I. Kukuev, M.H. Jadua, E.P. Domashevskaya // Russian chemical and Biological Sensors: 4 Int. Workshop, Russia, St. Petersburg, 29-31 may 2000. St. Pt., 2000.- P. 168-169

105. Характер изменения электропроводности сенсорных слоев на основе диоксида олова / В.И. Кукуев, Е.С. Рембеза, М.Х. Джадуа // Перспективн. материалы. 2002. - №1. - С. 20 - 24.isnk