Энергетический спектр электронов и дырок в алмазоподобных кристаллах в обобщенной изотопной модели Кейна тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

МИНИСТЕРСТВО НАРОДНОГО ОБРАЗОВАНИЯ АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ РЕСПУБЛИКИ

БАКИНСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАЛ1ЕНИ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М. Э. РАСУЛЗАДЕ

На правах рукопмсн УДК 621. 315. 592.

БАБАЕВ АРИФ МИРИ оглы

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В АЛМАЗОПОДОБНЫХ КРИСТАЛЛАХ В ОБОБЩЕННОЙ ИЗОТРОПНОЙ МОДЕЛИ КЕЙНА

01. 04. 07 — физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

УЛЛ

БАКУ — 1991

Работа выполнена в Научно-Производственном Объединении Космических исследований Азербайджанской Респуб-

— член-корреспондент АН Азерб. Республики, доктор физико-математических наук, профессор Гашимза-де Ф. М.

— член-корреспондент АН Азерб. Республики, доктор физико-математических наук, профессор Сеидов Ю. М.

— доктор физико-математических наук, профессор Кулиев Б. И.

Ведущая организация — Черновицкое отделение Института проблем материаловедения АН Украинской Республики, г. Черновцы.

Защита состоится « // ¿Р^Р^ ^ 1992 г. в 1Г час.

на заседании Специализированного Совета К 054.03.11 по присуждению ученой степени кандидата физико-математических наук при Бакинском ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете по адресу: 370073, г. Баку, ул. акад. 3. Халилова, 23, зал заседаний физического факультета.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Бакинского Государственного Университета.

лики.

Научный руководитель:

Официальные оппоненты:

Автореферат разослан

Ученый секретарь Специализированного Совета

к. ф. — м. п., доцент

АХМЕДОВ Ф. А

; ; ÂtreysabHOCTb' тилл.Подупрэьоднкховцв' кристаллы g узкой такркно'Л зьфеще№5ой-соки -и-бесцвлс^о полуйрабоднихи мктерзсут1 кеетедо-Б£?елеЯ .¡зёнимсядосся к ал ^укд&мгнтзл^кыкя вопросш/и физики солу-про£однш:о'й»гак :: .разработкой .ьксомг^гсгиэкцх-ТЕердогедьт« элзктро:>К2йс гркС'орок.

К пэяупройС-píKKCM с узкой акрга;ой. ¿алрегдею'оЯ. зона и бес^еле-£ки пол.упроьо-.нчкш огносхгся бодьозе кэаичадт олеиенгеркш Bcaecîs)&»op:£SC соодинехкй TËçp^ûr'рьггьороз к& их основе. £йки£е. иегерипян. <*у&с?ЁК?елыаг к- относительно слабым яневякм

ное Ц:эле:суркческ6е поля, что. дол reí их яерспектквша.*и »досриол-ак:: ¿уга.рьглк^ййг преобразоБетьлс-Я.В ивсгсяз;«® время на основ»

"олуцро.чодккксз о увкол якрглой зкярг^егдаоЯ »ояя а бзс'лй-легь'х

пслупро&одкккоэ sosfitsiu уцш&льниг -^'.ебйяса и -лглсуа инфракрасного язлувёнхя я ï-д. • ; .. '

ПерзктслеКкае достоинсгго сыг : с особ?«-.

ьскизй структура,кстсриг ^ьрул'еразуягск víuiisí сн&чскиеи -e&sswmS V.KC.:-; ,::чпрещек:гй

5055К,5бЯ:Ё02 JSSKbSKCi! 9¿Cii7pCK»03 ЯЗ^ЖКОС'СК « î^—СЕеЯ-TpOSSOISK^êCSOrp р5" -„'„Д.

• Краке гого,ь" р.ггт-;~рг*:- r..y. : r-rxve ^'^о^гелы^г^

У: дос-írrr'- V- .т; v er;:;";/ co/rj i; ;"~yr Cr-.. ■ :>;:r 3 г.'азго^ьз ¿реня «.-л<-сг.к8 гэхуудпдг.;,»«*

r.osj-bp3EC^HXKai.Згз сскэ^чи i рфогг'Ч npyar-.íugu гггзс os s КК-епусегй:-;грс!':к':з,5 йзгогоглсккк cc-TK^ßat ¿огогл^ггнгог,. г.ерег.'рг^г.емзс ^слулгоходниксг.д псгераг,--. т'гл^с ис с-т^гт Ч - т-с: с к-лка; г^сл vvr::

/.-rr..:?. /Чск-л: гордого тел.ъ.--

В свно'.1 с млкрсшеиатвркзэциеЯ полупроводникового приборостроения сильно возрос интерес.к исследованию физических свойстз тснк;к монок.

Видно,что полупроводники с узкой вкркной оаПрецггиоП оокой и бзедзлеаые полупроводника создйзт ясклэчлтолымз возможности для получения материалов с разнообразили свойства:«" как для прикладных целей так к для фундаментальна ксследазакай,

диссертационной работ:: является построение теорта электронного спзктра носителей тока в полуогрз;-даг;1К-£г полупроводниках с узкой зир&чоЗ згерзденнзй гоьа.бесаддеакх полупроводник« И ЗОНКНХ кодуароводиикои« кристгдлег,вкгхгчал аолуи&гнитнаа полупрс ааднипа.

Для достижения згой цзда кеое'ходжл Седо предггрятедьна построить галмьтоклгн,шзар.:^тп.й относительно группн врэзднаЯ 0(3), когегьй одновременно описиаао? эвкокм дисперсии лег;;ж и эдаелас дурох,а т'лг,:я одзктрока» а сфордаггиом прабдггиоиии а игсгагком кристалла.

¿¿лее на основа ыюгоаэ;жога гсдольтонкат построена теория г.озйрхкосткых а т-аоиор^с-^сып'оьадкгл состсяииЗ.рйстагянг. поп- ■ раг.ка для эффективных касс дырок за счгт обгонного озакмодаГ.-ет-э-.ш в полуиагнктном полупроводнике /"Ц^Те.

Изучая новизна: -Л;огроеь сбо.бдкк;^'-: ?*»%}&?<;)(№.& КсЧ'.иа.г-.сторыЯ одьоьремукао и—¡^ь.^вт салОгй; дис::'-рси;! легдк 1: т^игл^х дпрок,а такке эл-

".:"с.;-:' с/";..-"о -„п,:.г-;аи;-.о-

а << С',; ;

С '

¿^-гнЕрг-еткчесКая яелду »омой' хфояодккэсги к гоной легких РфОК.

-Н&З&еш спекгр и волновые сунк'ц»! носителей заряда в кьсскиас. кряегвлло; в'обоих случаях.

-Построена учогсзошбл теория поаерхкэсялг? гаппзст сос?от£ на гре.:г:це й^ун^колулрзгединк с узкэЯ авзрьзокяэЯ делю м ьэку-уЫ$есг,«ае5&« полупроводник.

-Йосгрсгнй тйор:\т рглк2рнс-кпак?0йс>шкх сссэдсн;:!! 9 "еПнопск-к аогуярэьсгкже: » аогукзгйдасх в двух йкучйях слеСого

:: сильного еаен~срЗкса.1ького р&езепдаккя ввлеякго?. зоны. -На есно^я обобщенного гдоидоенявна Кейах. раочэт&нг. поправке для е*уекгк225гх «азе дарзк оа счзг обменного вз&га-эдеЯсгягкг з пэдгкдожгкои похупропэдтгке /'^»х I ®

ГЬлртенкые результаты могу? бить ненгльзоза« кля анализа &:зичес::-:га: свойегр (огтздсхжгДОлаазйас п влевгр:г-гс-ск»х) яэгу-лросэднккоЕ-я иг-Прагл,£к:гГ'0 яг:.ок& ¡.:гллерказог лгл р. стяяяс злектролш» приборов на оснсь»! с узкЬй аздииой

запрещенной зона и бвегеаегаг пс^ггроргдн.*:ков.- " С с >.".'^г положения,на £с.~::?у: ... ХгЗ—ксщ дксперс;га. кесмАсг?. г-ряда к г.ояудрогод:-:яггх с узко.". .

• свринс?. запрет,огьо?. гказ к бес^егепас '«•¿аглвпвгвя

э здохтактагвсК фориз н& оснсг-е рьзрабсг^'нсгс е д-^сергг.цгл ураьне-яиЯ гаиггряаягтсс огясд:гсг:!-;о гругг-н зра^енк" 0(3) как с узком,?ах я бе; учета сшет-срботаяькора 2»8К"одейс*ггя.Г-ргдаог-гнкк?. метод обобщив? модезь Койка к спх'сь-спот чмзхе досаерсги аоны гяге-из дырок.

2.По25рхиос?кке состоякга елестрешого тала .суязсгэуз? гм« з сагу-М'ЯС.'МЗРГССХОЙ,я 2 .гл.'угооЕодилкойоа ir.se д-.я яриетадлоз г хсЛкосскда дпспгрскн ностгелсЯ заряда при псслгдсгг-тг-.тькоа

- 6 - - _ . •

3.Спзхср разыерно-кгаитозадннх состояний в вейно ¡wrfv:: колупроводки:;.-;« и полуметалле;*; с учетом дисперсии fe.-.елых дарок л кепарабо- ' йитаоста аокы легких носителей заряда.

4.Количественная оценка обманных г.опразох ;с з^ектиаНым кассам олектооноз "л дырок з полуи«гн;!т:-шх сзлуггрЪзодник.од'; тяла

результаты диссертации доклагы£<вдсь на III Всесоюзной конференции по ыатеризловедения хальтогемдк-.с пилупроБОДникоз(г.Чаркозцы-1991) ,на семинарах Института Сизикх АН Азерб.Республики и НПО космических исследованийi

Сбъеу.и сггукуузя p-зспт«.£иссертздиоккая работа состоит из введения,четырех глаз,баблаогра^ии из 58 нсамонозаккй,Объем работа составляет 96 страниц машинописного текста.

Публикации.Осшзные' содаржаниз диссертации опу&жгэеанз в работах [i - б].

ОСНОВНОЕ- C0r-:r,ilS3 РАГС1Ы; Во ва^.с.ч.чи обсухдг.йтся актуальность тещ яясобрхадкс,«фрхудз-ро века, цель psöota,Е£Я80Дбка осковшг реаульгатк- дозсеуодн:« »sor " коучияя.коьхзна к 'кратко язлокзьо содарсаказ работа.

Первая глаза, ^'ссортзцяи qoe-soxr ка дзух параграфа а к поеиядбь'с изученко энергетического спектра носителей з среда в г.олулроьедки-ка;с с узкой вирпноЯ йош и бесчелеэгсс я&лупроБОДикадх.

Дзетсл обзор рг.бот .поевкдгнкич определения энергетического сг.*к?рз носитель." заряда в уки»шй« полупроводниках.Кратко излагаются ос~ сведения о зоккой структуре полусрсзодякков с.узкой всякой эоьи к бетделехлх полулрзьо^кикегг. Ö-u-rcwu дп.-тарс/и i:0.r<;":сг.у.иг. з yioa-ytiüu полупроводниках ог:* .::va„,TCiL ■ .».одолъ КеГ;ка tss позволяет описыза'.

дисперсии д-.-рок.^сскслоку гона тяжелых дкрок не 53&-

¡•:.-:дсГ.ст?уот с б.т»й.сйдей сснсй ггроьоц:а«сгя,то для получения эокг-г.г дкггсрс«« TÜ-•.'..,•;:.:•< а-'рск ьео5».гд:»» учнтиоагь EÄSÄCÄK?.»« ЗЛИ

у -,;

а 5 ю6<роен оесг

ней кфыГаиет - сд»>й|«Йвило вписыва'к

коны дигперски елвн^биов,« т*же ¿геРких- и тяхальосдарок в сфер ческоы приближении .двя 'еяу»гая Ййльногб. стда-орбитя^ьного вааик. ствия ).Д«я определения в&хонв двсяерсии влекхронов и

: ккх'дирок получена следующее уравнение:

А дяя тзведгх дарох явеем: , -'■: ... - "

•Л"--,'' ' С К

Сь ,5 ; Е.в

где Я. -переметр олредйдяЕс^сй сйектр тяжелых дцрок. ••:

Этот случай соогветегЕует лолутфоводниковш криснииаы с узкой ви

риноЯ згкрсзенной бвсщвлевым яолупроводнюсЕм

тип» Н^Те- .

В §1-2 построек «¡^МганйЯ обобщений.га«ш>тойя1н для случая слабого слии-србятвдычого виаиэдеЕгтвня.Эгот случай соответствует кристаллам типа.

Для получения ааконй дисперсия носителей '3«ряда а обок* случаях ксаовьзовакы. свойства якварашгтности уравнений относительно -группы рредвшй 013).А «ОДвны вошовые функции носителей заряда в ^бетк случая*.'-';.'

< Результаты,полуеднше в первой хлЕзе всюяьвуптся в дальнейшем . .¡¡ля реабния аедач о пом^хыосттк состояниях срвздерао-н$8нгэвшвшх :остояниях,а тюте спектр« патуааггданогэ поАупроводшоса.

Вторая глада дессерт«й»я состоит из трех пвраграфзв я посвкдеыя теории повврхностянх .«в*аоасжях сегташий долупроводштав с узкой дярлной заяреценкоЯ ,вони и бесздшежвг солупроводнякоз.

В первом параграфе взавлется св^кй метод ясследоввляя »жеятуоач ша состояний в д^ 'скшрямсвадкся -средвх.Волуиеаа ^равнвикя.ояре-дедяяцие как спектр,тая я лотовые ^уигарм соверхаостшж еоетряниЯ..

' - 8 -

3 ':voí"j ¡¿отоца лс.'клт предг.олояъкка u aoavc.A.'.üo-.-.i ..рс-кс-брв.-лз-

ная (.гздаздсы ираатглдмческого погею^&да зблиэа лзг :vs .t объеме. п;.1укройод,-5*4к?..Дзя рзгенда эгоД "¡¿.-.«л:» •.•.спольоуб'гоя «ат^мат.гче«-kiiíí прнем,заждодаудиЯсд s тои,что ¿равнение Ipejyisirspa.oajü&íiHoe а полубесконечкой сродз.продэл^а-зтсд за градиру атзй среда и таким обрезом, волновал функция электрона для полубескскачнсй сред:-; Еързлаег-оя '-'.apeo функцию Гр;ша бесконечной срада,получен:-»3 таким продол,лачкам.3 рамках этого предположена поверхностные состояла полностьв :-делл.отся об-ьеуькдм характеристика.«;! кристалла,а глуб;ша затуха-г.-.г :гролср^;;ональна дл.шг го л:-.-: электрона. Дальне-Ядиэ упголиькя сэя-:зíir-.ы предположением с бесконечном скачке потенциала pejc-тки иа гсйнице кристалла с вгхууьох. и с учетом тзлько вклада чэсхэльких близкорасположенных оси в рампах лР-метода.

3 оледувдэм параграфа излагаются результаты пр:;».:янск;гя рапзитого !( "'*ода к йсслздсзашзз поверхностны/. состояний,поонякаодж на, граница полупроводник с узкой шириной запредедаой зону типа ^^ ^-вакууы,бесцелевой полупроводник типа, H^iS -вакуум.,

Ссноаноа уравнение,опредэлродоо сдекчр позерхносгчек состояний

^ ai^-^*.^ •

----------(41

/¿.к^сг

U-.-p -коэффициенты при блоховаюга «ифдитудах в разложений вояшвой "V

fcv.Kt^m олектрояа по аолиовы* фуакцидч центра зоны Брадоаэна» гЪ -зон, С -номера блохозсямх tiiTjystjrri, -.нумерует £ыро;ад^нзаде обьечйя; состоит", Kj , ^ -кокг.ояе«?к волно-зе.¡-тора,г.ерлеедияуляркуе и паралельяые поверхности кристалла, ссстагтстзеиьо.Спзктр поверхностных состояний находится из условия системы 13),т.е. равенства кулх определителя иатриад Д-

Получено оледуишее уравнение, определявшее спектр сЬстоякий,которое спксввве? поверхностные состоянии в обдек cr.yvtc кспагк.бодк«оскоГ. 3CKä,}i=ji для полунеталлоь (£<?> ^ ) ,так у дл« И;5Г\ттю&5Д>::1КОЕ ): __

Б йсдуьч';гг01Д1Г->бСКоЛ фазе ( Cg<0) резенкз урсэнепия (L) éyr,';;;

ucpwerpu ¡ $¡ К- сьязшк с э^-екггсвникз! кессаж следук:;и o£r-> soi.:: /г.

_ - J:^ J . Jl^AA

4¡nc~ 3 % " //'С ' Ä ¿ '£c

Тогда для спектра ¿юьерхкостнкх состояний:

г

Г - ^ ■ (7Î

üh - j i Го 7Р )г , $ — Лк •

Этот результат полькостьп соегодрст с результат о h Дьакокоьа ".I!, и Хйецкого A.B.

Ъ аояуярэьсдчакот')» Ç"V3s р::-- -т у^а^ош::: (Ó) Оудс:; кска.гь в

^ ,C/v» i - '.С

рбЗ'Г..-' дна sei: г,ус; «//"С í^ - '- J ■, о. .

•V, -ï .1 с'

Тогдг; для oí г ;;•.>-.. т. гог:• - ^ - - f.¡ .,

'«? ■ Ä 0

* — ч» Vo —

¿; -- à о ■+■ 4т~

где Iff,. -- ¡¡I, ;

'с? iasse" - -

соггрсносяьп госгожч* влекгронкого гупгс?-.■тг::? -, агд/уехьддвч*ЙКСЯ, у, "Олупрог.одчатоЕОД длн г-слугл". '-о* сд о егт.ктрзн.гели аквурюио ус.твсегь

.с:--легг V :.v:.c-jc-: дл:...-:,

3 третьем парАгра^е излагался результат« пр&енавйя ие*ода:к ; следовой» состояний гр*йвие пляуире

,днихов*й кристалл - ВАЯЙ*.

Ял|д«емв нШ1 поаерхЯостиые состой»« описывают тажке непар'*-оличесюй спеюф поверхности«* состояний. *

Третья г дав» посаяйека исследование элвггронШх состояний тонких •ленок из полупроводников с узкой оирййой запрещенной зонвг и бёсще-■¡ввых полу^водников.офулекнда с обоях сторон вакуумзи.Она состо-:£т из двух параграфов.

3 первом параграфе излагается общий метод исследования электрон-:-зя состояний тонких пленок из'полупроводников с узкой аириной зал» решенной зоны и бе еделевых полупроводников,окруженных с обогос сторон раздана средами.Получены уравнения определяйте спектр элзктро{ ньсс состояния тонких пленах.Далее излагается результаты применения развитого катода к исследование электронных состояний тонких пленок из солутгроаодаинов с узкой аяриной запрещенной зоны типа. и бесцамме. полуыроводников тиоаЯ^ТЬ.окруженных с обоих сторон вшсууади.Поаааано,«.•о возникают дза типа позархкостмых состояний} симметричные и антисимметричные. Найденные поверхностные состолкйЗ описывают таяке.недар&болкчвехий случай.

Зэ втором параграф излагается результаты применения развита метода к иссуидоваию электронных состояний тонких планок из проводников«* кристаллов типа окруженных с обоих сторон аАку умом- ' "" . \ . ..' .-- ,г

Найдены так*» спектр рммерж^кв&нтовЮ'ивй состояний ирслйЯёВ заряда тонких пленок для обоих- случаев.Получены 'выражения для Эффективных ыасс нзеитвлей заряда в подзонах. . Четвертая глава состоит из трех параграфов и посаяц«н% иесяеда-.

вант пслумагцатных полупроводниках (ПШ).В §4.1 изложены сбаук>, ; представления о полумагнитнме полупроводн?.*«, о эонноЯ структур* и параметрах рааличма ОьИ.аЧазтност* э

■ -II -

3 §4.2 вычислен спектр фрак вСс^^МиТс. методом инвариант-!• Этот метод применялся для расчета спектра дкроя; а С^/-^^4*12 э работе Поморцева Р.В.З энергии обменного взаимодействия,хроче гейзенберговского инварианта,учитывалась таете инварианты -трс;:ср-циональные К,3* .Показано,что учет негейаеиберговекеги харадтчр* обменного взаимодействия свободных носителей звряда (дырах! с лс-калиэоваяиьми магнитгагыи моментами магнитного иона приводит л ге-ренормировкв эффективных масс,которые становятся зависшими ог намагниченности.Однако,в работе Покорцеэа. Р.В. был утерян «'дик дн~ гзриант а гамильтониане обменного•• взаимодействия,зследстзая "еп залоны-дисперсии тяжелых и легких дырок требуют уточагкм.чта ч сделало в этом параграфа.Однако. полученные при помояи метода -<м- вариантов выражения для эффективных маг-; дырок не позэ^лет количественно оценить поправка за счет обменного эзадооцейстэия.

Для нахождения-явного вида поправок г* массам построен гамильтониан при помощи метода изложенного в главе Х.Гамдагоняан обмениог: взаимодействия между спинами ионов ыаргакца со спинами сьобозккс носителей представлен в вида обычного гвЯэенбергскогб .гамидьгониайА. и в приближении молекулярного поля- для этого гамильтониана, решается задача об энергетическом спектре. Еъ'глслены энергвтвюскиЯ спектр дырок в , в рамках.'.обобщенной модели аеЯна в

параболическом приближении в классическом магнитном голе.2ляга-ие магнитного поля на спектр учитывается только через обменное зэа-амодэЯствиЯ.Предгхологавтся.сто стан-орбитальмо расзесленнал зона тяжел« дырок рясполоааИа достаточно- далеко от рассмагрявламах зон.Все зона становятся аниэогроднмш и яоыпонента тензора э? тявных масс дарок определяется обменными параметрами.

Сравнивая матричные элемент« обменного гамильтониан* соотзет-ствуваим матрнчнкн; элемзн?«* авчаздэннь». метод* газариантоэ получено выражения да я яйравйТр^зД „ ^ и Д ~

г--, д-г , A í: В -сс.«*еьнае &hepr;ú:,iiape¿:c.rp¡.j£j , ß„ и ^ -сь£зг.чк с .••лгеКаекбсргсЕскиУ xtpaKTcpc».'.' обг.сьа, -л -гсляр.чая коицсмтрсда уопог переходных ояекьктоь J/- -чксгс улбуепггпа.^. лчге:: i сджлдс с.-5ь«.ж:,'Е0 -&яергес1я«ь»кг:.':. гслср •c.- nurc^Kí scúx-othoíí еоы: дх ;:;>£. E?opcí зоны прзгсдккосги.

Получен; сдгдувдее сцрахения для продольных i: попсречиж о,-фекгкькцх .ve-ce "rjaxzKx в гегккх дцрск:

_L - (j. SA~B Л (тгл

^'МеС1 'S h^ 9 Mu Ee /

i 1! Üé. /, SA

r с

<í 1 Л X

ж

V- г ;i ."i

—- ,. г 4 4 — ., - - U-V-/ - c - .

-r

5 nn.l £c } ;I2)

'v ¿X-- tc J CE) -и.? r. Cc!i.ÁMf'¡Jc-

ir.-."."-- ;,r?.í'>: .''r:

- ТЗ -

ккз агсси тяжела» и легка* дврох изменяется на 2,13 :г 0,2

;.3 сйссггзд экьргэ?;:~эсхиЯ спектр ;i эф^гктеп.чз "г:-::: . /7?/^ j »згшг;^.-^?! магнитном na.ie.C::- :тр .-•;;»«•.■:л1 „ср-лд"; в иолу'-к'гннгь'гл полупроводниках з кт.^'тугдо:' ¡:.r- -<■- ■■• - • и,. itít; та о-г;"-!-j (Ti'. Пох^-" "г, ~ ->

г. Vi '.'.í чс^П'^сиггсл j И, =- -2, -T,C,...:1 j/jj. .: с

; /Ь --1,0,1.*.. ,sc."..i для злсктрснов отс«г? гьт о. /I - С - Пси чсний /£• =-Г зона о эк«?рг::зЯ <S - -л состзетсттучт т.¡»и, г -з;на : u-.?pru?r¡ (S ----ЗА -догт-;:,: отдямие с г

¿гоьтуо^егз магнатногэ "олл, :'ог;;я оо^а С =-3,- зсегдя осогг^т-стзует тяпелим

Гри у-:отс сб:..е;;ного озс:1.'от,?."; ;..ñcoa -,.с -¿í-

cc:í уменьшается кд ^е::гкгиая ■ ас с а леггкя дере:» упалачаза-

зтсл почти "з тро&.

."ало ¿деклэ о^з;-:?:!-;- :;: масс дьрок з -шалитическом íopve пра затруднительно .поэтому пля г-г-пгслинля з '.ргятигных vaco дырок оледу-:т ясподьзоа.'.-гь ччсдгюй'е расчеты.

Соновккз результата ч газели: ! .Разработан метод построения энергетического спектра кей:гавс:«ос ;олупро?од1-;нков з е^оричеоком яриближетаи учигизгждяЛ диспзрс;а я^ол'г-: Д1~о«,а такг-'.е нелараболг-птоотп зоны легких дырок и олэк-роиоз.

.Покгз5„чо,';то з ялм5изоподибж& трак-ал.?« о кс;1но зекам ззгоно.ч игсерокя эл-лжроксэ позерхнготнте состояния электронного типа Зроствуят как а го.;,.-металлически".tas к полупрс2Сд.;иг:з!:оЯ *ззе, псс^едлатзлиг.::-. учете д::спе?с;!-! т/из-л/х ;;.рс.:: :i непзреболич™ acvü ггрс;-.0д:с10с.';и. ,Пзстрсея спггтр размарг.э-нгаитозз.пгсгс состояния в :чеП:~.сэск:я: ^лупрезед; H'.fnx полуметаллах с учглы д'/оиорс",:;-: тяяалих дьрзк ¡t

*

-14-

Ci to

- 15 -

непара'олпчиостк зоны легких носителей заряда.

4.Расчитан спечтр дырок з голуиагка.тзм г.;,.г/прозол:-;м:-:з. Показэно,что- пссг.ядзэззэльжй учет'обменного гзатаодя^огзил дцрох

о ;;о-'о.1;гзозй>.!п."М'Л-магн^гкл.чи уэмдоми хзнлГ'Ьг. приводят' к пгре-UOpTiPOaxs ?ф;е:сг:'знкс масс.когарьз з. i •'■■";:-ч- от ка-

ггуиччоккости,слздо гателько и от состз?-..

5.Пои."""Hl ^тзо кзян'jya^sw :лагн:v:-.'.o." r«\:r , ■ - /?-: > .-ль Лтадгу для «кедах даро.ч начинаете;» о я- ,-i,0,.. ,f. • С.-рск с И- =-1,0,1,... ,есля для олзкзронзз ov-r-jd-з л-:-сп с .'е С.

зкечзкза = -I гона о он-гргиоЛ С= -А соот «-стзует г.т'.-^лкм пена о онергизЛ С --ЗЛ-"сг-::м дгрхлм.э -ог алуччя

нелггнтуэ^-зго магнитного поля,;:огдп оокд С ?п?7о?ту-

c-, ^^¡j-xjj, "Л"Р'{ЗУ,

Та:слэ,.чок и з ci^m vre л?лл.г^ахтягкял

•-!32оа дарок с$р?и9р.";;рус-?ся и сазягнт от зостяэа.

дизегг

1.9.usbzmyK.A., Bahn у Л. М. O-ov^ ¿^-zkorvt^E ' apprea-i-X Н z'h c^f^jf ргобёг^. oj- cJ-z,^

Carfizs i'H> S^ch.

//pa BPHTA/r p.JSS - iszs- />■ -

2,?устт;оз ХД, ,H-i5as? A.H.Q гяуонах д*лсг.срс;г.1 г.оагтелеЗ тока з

3.Гс-З'гт'ЗДЗ •¡г.о-.и п пелугагниз-

,Гс£?йз .*>.•• *.>!.-г:;:з г'.тодп ¿уннуиЯ Г;?«» я m ' ч Г'зззл;..-. гззлузроз .:.н;Л:? з : зз ^••л,;.!

к-зл.о: ■;"■.!:• //Л;з::рг 11S.3 JCI

1.Гьл:ккй<У;£ f .LI. .Бабаев A.LI.Поверхностные состояния в кейновскюс :1:1луяроссяккксх.//11Г &сесоюЕл:ок£. материаловедение хьлькоге--.vz^vr. г.олупрс£0д>п::--07- .Tes.дои.-г.ЧерноЕДы-1991-C .232. : . ~{.."'.:ыссде ü.l!.,B&6eei! АЛ".. ,Кзд»грзаде P.C.iepeдеесское Ереаение ; ■ .„-умл-:«: кок полутгрзЕоднпх.//!!! .Ьгесоаз.кои^.к^тсркавогеденке .... -. к;.тполу1;роьсд>;-1-коь.Тез.до1--".--г.Чсркоь1д;~19'21-Т2.С.ЬЗ.

Ж 4. Safaré