Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем T1B3C62-A1B3C62 (A - Cu, Ag; B - In, Ga; C - S,Se2) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

МАТИЕВ АХМЕТ ХАСАНОВИЧ

ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ И ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМ Т1в3с62 - а'в3с62 (А - Си, Ag; В - 1п, Са; С - в, ве2)

01.04.10 «Физика полупроводников»

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ульяновск - 2005

Работа выполнена в Грозненском государственном нефтяном институте им М.Д. Миллионщикова и Ингушском государственном университете

Научный консультант: академик РАЕН, доктор физико-

математических наук, профессор Георгобиани Анатолий Неофитович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических

наук, профессор Грушко Наталья Сергеевна

доктор физико-математических наук, профессор

Михайлин Виталий Васильевич

доктор физико-математических наук

Грузинцев Александр Николаевич

Ведущая организация: Московский государственный

университет путей сообщения (МИИТ)

Защита диссертации состоится 16 июня 2005 г. в 13.00 часов на заседании Диссертационного Совета ДМ 212.278.01 при Ульяновском государственном университете по адресу: корпус наб. р. Свияга, ауд. 703.

С диссертацией можно знакомиться в библиотеке Ульяновского государственного университета

Автореферат разослан «__» апреля 2005 г.

Отзывы на автореферат просим присылать по адресу: 432970 г. Ульяновск, ул. Л. Толстого, д.42, УлГУ, Управление научных исследований

УЧЕНЫЙ СЕКРЕТАРЬ Диссертационного Совета, ✓

кандидат физико-математических наук {> > ' О.Ю Сабитов

Лсое у

I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

швььъ

Актуальность работы. Прогресс в физике полупроводников и полупроводниковой технике тесно связан с получением новых материалов и структур. Получение этих материалов, в свою очередь, основывается на детальном исследовании и интерпретации их свойств. Возможности получения новых материалов существенно расширяется при использовании твердых растворов. Проблема создания твердых растворов является одной из центральных в физике полупроводников, что подтверждается неослабевающим потоком информации, посвященной как уже хорошо себя зарекомендовавшим на практике твердым растворам на основе соединения А3В5 и А2В5, так и твердым растворам на основе, сравнительно недавно открытых новых перспективных классов соединений Т1В3С6 и А'В3С62. Интерес к изучению сложных полупроводников обусловлен необходимостью расширения наших представлений относительно формирования зонных структур кристаллов по мере усложнения состава и изменения объема элементарной ячейки, а также вытекающих в этой связи особенностей физических свойств.

Соединения Т1В3С6 и А'В3С62 являются изоэлектронными аналогами известных полупроводниковых групп А3В3 и А2В6, соответственно. Определенную перспективу в этом плане с нашей точки зрения, имеют твердые растворы на основе ТНп8е2, ТПпБг, ТЮаБе,, А§1п8е2, СиОаБе^, Си1п52 и Си1пЗе2. Эти соединения являются перспективными материалами для разработки на их основе приемников излучения для видимой, ближней - ИК и рентгеновской областей спектра, а также для солнечных элементов с высоким КПД. В частности, монокристаллы соединений типа Т1В3С62 (где В3 - 1п, О а; С - Б, Бе) обладают яркой выраженной анизотропной структурой, и отличаются по физическим свойствам от таких классических полупроводников как германий, кремний и от соединений типа А3В5. Кристаллы данной группы обладают уникальными свойствами: прозрачны в широком спектральном диапазоне, обладают слабой чувствительностью электрических свойств к вводимым примесям, низкой подвижностью и концентрацией свободных носителей заряда по сравнению с выше указанными полупроводниками Это обстоятельство делает соединения типа

Т1В^С62 особенно интересными, как с точки зрения выяснения фундаментальных особенностей кристаллического строения слоистых полупроводников, так и с точки зрения технического применения

Анализ литературных данных показывает, что исследования физических свойств исходных соединений ТПп5е2, ТНп52, ТГСа5е2, СиОа5е2, Си1п82, А§[пБе2, и Си1пБе2 находятся фактически на начальном этапе. Объем и глубина этих исследований носят не достаточный, а порой и противоречивый характер, не позволяющий сделать адекватные обобщения, а тем более дать практические рекомендации. Поэтому возникает необходимость систематических исследований электрических, оптических и фотоэлектрических свойств указанных кристаллов, определяющих весь комплекс происходящих в них физических процессов, а также выявление реальных закономерностей изменения физических параметров с целью разумного управления ими. С этой точки зрения тема настоящей диссертационной работы - «Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем Т1В3Сб2 - А'В3С62 (А - Си, А§; В - 1п, ва; С - Б, Бе)» представляется весьма актуальной, открывающей возможности получения новых полупроводниковых материалов - твердых растворов между соединениями, кристаллизующимися в совершенно различных структурах и является перспективным научным направлением.

Целью настоящей работы являлось определение фундаментальных параметров новых, перспективных полупроводниковых соединений классов Т1В3Сб2, А'В3Сб2 и твердых растворов на их основе, а также выявление механизмов, определяющих их оптические и фотоэлектрические свойства и создание на этой основе предпосылок расширения возможностей их практического применения.

Для достижения поставленной цели нами проведены экспериментальные исследования в следующих направлениях:

- изучение фазовых равновесий в системах Т11п5е2-Си1п8е2, Т11п5е2-AgInSe2, Т11п82-Си1п52 и ТЮа8е2-СиСа8е2 во всем концентрационном интервале и определении областей взаимной растворимости исходных соединений;

выращивание монокристаллов как исходных соединений, так и твердых растворов из областей взаимных растворимостей;

- определение характера и особенностей оптических переходов, энергетических параметров зонной структуры и оптических констант монокристаллов Т11п8е2-Си1п8е2, Т11п82-А§1п8е2, ТНп82-Си1п82 и ТЮа8е2-СиОаБез;

изучение неравновесных процессов в кристаллах Т11_хСих1п8е2 (О <Х £0,025), Т1,.хА&11п8е2 (ОЗС-О.ОЗ), (З-П^СиЛпБг (0^^0,015) и Т1,.хСихОа8е2 (0 5Х £©,02);

изучение влияния различнь1х видов деформации на электропроводность монокристаллов Т11.хСих1п8е2 (0^(^,025) ПьхАьМег (О^ХйО.ОЗ).

- выявление основных закономерностей взаимосвязи фундаментальных параметров изученных кристаллов и перспективы их практического использования.

Объектами для исследования являлись образцы монокристаллов типов Т1В3С62 и А'ВэС62, выращенные из синтезированных нами соединений Т1В3Сб2, А'В3С62 и твердых растворов на их основе методом Бриджмена-Стокбаргера. Кристаллы Си1п82, СиваБег и твердые растворы на их основе выращивались методом газотранспортных реакций. Монокристаллы ТЮа8е2, /3-Т11п82 и твердые растворы на их основе обладали моноклинной (псевдо-тетрагональной) слоистой структурой, а все другие кристаллы, как на основе Т1В3С62, так и на основе А'в3С62 были тетрагональны

Научная новизна

1. На основе физико-химических исследований изучены фазовые равновесия в системах Т11п8е? - Си1п8е2, Т11п82 - А§1п8е?, Т11п82 - Си1п82 и ТГСа8е2 - СиСта5е2 и построены диаграммы состояния Разработаны технологии получения монокристаллов твердых растворов Т1|.хСих1п8е2, Т11.хА£х1п5е2./5-Т11.хСих1п$2 и Т1|.хСихСа8е2 как со стороны соединений типа Т1В3С62, так и со стороны А'В3С62.

2. В монокристаллах Т1,.хСихОа8е2 (05Ха£),02) обнаружены прямые экситонные переходы и установлены их поляризационные особенности.

3 В монокристаллах /?-Т11п82 (0 <Х <0.015) обнаружены прямые эк-ситоны и определены их основные параметры, пороговые энергии прямых

переходов, а также параметры экситон-фотонного взаимодействия Построена энергетическая картина экситонных состояний в твердых растворах /3-Т11.хСих1п82 (0 ^(<0,015) и показана идентичность оптических переходов в них с /3-ТПп52. Исследованы температурные зависимости спектров оптического поглощения, отражения и фотопроводимости кристаллов /3-Т1,.хСих1п82 (0 3(<0,015). Установлено наличие фазового перехода в исследованных кристаллах при температуре ~ 185 К

4. Изучены анизотропия, дисперсия, электрооптические магнитооптические свойства кристаллов Т1]_хСихОа8е2 (0^(^),02) и |3-Т1|.хСих1п82 (0^(^),015). Установлено наличие в кристаллах типа Т1Са5е областей аномальной дисперсии, связанных с возбуждением примеси Обнаружена модуляция интерференционных картин в области края собственной полосы поглощения Изучено влияние магнитного поля на гирацию в кристаллах Т1|.хСихОа8е2 и /3-Т1,.хСих1п82 (0^(^,015)

5. Установлен механизм формирования края собственной полосы поглощения в монокристаллах Т1,.хСихОа8е2 и /?-Т1|.хСих1п82 (0<Х^),015). Показано, что смещение края собственной полосы поглощения в монокристаллах твердых растворов Т1ЬхСихОа8е2 (0^С<9,02) и /3-Т1|.хСих1п82 (О <Х 5) обусловлено образованием примесной зоны у потолка валентной зоны.

6. Изучены неравновесные процессы в кристаллах Т11_хСихОа8е2 (0^С^),02) и /3-Т1|.хСих1п82 (0^(^),015). Установлено наличие неконтролируемых глубоких примесей в кристаллах Т^.хСихОаБег и /3-Т1ЬхСих1п82 исследованием примесной фотопроводимости. Изучен механизм рекомбинации основных носителей методом индуцированной примесной фотопроводимости и ИК-гашения фотопроводимости. Измерениями термости-мулированной проводимости, деполяризации и токов ограниченных объемными зарядами определены параметры уровней прилипания в кристаллах ТЮа8е2 и /3-Т1п82.

7. Исследован механизм формирования края собственной полосы поглощения в твердых растворах Т1].хСих1п8е2 (0^С^),025) и Т1].,^»х1п8е2 Установлено, что они являются непрямозонными полупроводниками с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны Изучены спектральные характеристики фотопроводимости

кристаллов Т1|_хСих1п8е2 (0^(^),025) и Т1|_хАЕх1п8е2 (0^<^),03). Установлены фотопроводимость в этих кристаллах, подчиняющаяся правилу Урбаха, а также существование примесной фотопроводимости в кристаллах твердых растворов. Исследованием спектров поглощения кристаллов Си1пЯе2 и AgInSe2 установлен нелинейный характер температурных зависимостей изменения ширины запрещенной зоны, причем, в кристаллах А§1п8е2 эта зависимость проявляет аномальный характер в области ~ 120К.

8. Изучено влияние одноосной деформации и гидростатического сжатия на электропроводность монокристаллов Т11п8е2 и твердых растворов на его основе. Установлено, что деформация одностороннего сжатия вдоль кристаллографической оси [001]П<ак и гидростатическое сжатие, приводит к сужению ширины запрещенной зоны Т11п8е2.

9. Разработаны и исследованы фото - и рентгендетекторы на основе монокристаллов Т1,.хСих1п8е2 (О <Х <0,025) и Т1,.^х1п5е2 (0 <Х <0,03) и Т1,.хСихОа8е2 (0 <Х <0,02) и /3-Т11_хСих1п32 (0£Х<0,015), гетеропереходы п - Си!п8е2 - р - ТЮаБег; Т1,.хСихОа8е2 / (3-Т11п82 (0 <Х <0,02), ? также барьеры Шоттки Аи-и-Т^^Сих^Зег (0,985 <Х <1).

Практическая значимость работы

Сведения, полученные о механизмах электронных процессов происходящих в полупроводниках Т1В3С62, А'В3С62 и твердых растворах на их основе, способствуют более глубокому пониманию их специфических свойств и позволяет рекомендовать данные материалы для создания на их основе:

- приемников излучения для видимой и ближней ИК областях спектра;

- датчиков для регистрации мягкого рентгеновского излучения;

-гетероконтактовТ^Си^аЗез/^ТПг^О <Х <0,02);

- гетеропереходов п - Си1п8е2 - р - ТЮа8е2;

- барьеров Шотгки Аи - п - Си1п8е2 и Аи - п - Ло.шзСио ^пЗег. По результатам работы получены два авторских свидетельства.

Результаты работы используются в лабораторном спецпрактикуме на кафедре общей физики ИнгГУ.

Личный вклад автора

Диссертация представляет собой итог самостоятельной работы автора, обобщающий полученные им и в соавторстве с сотрудниками кафедры физики Грозненского нефтяного института им. М.Д. Миллион-щикова, кафедры общей физики Ингушского государственного университета, а также ФИ им. II Н. Лебедева РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН результаты Все положения, выносимые на защиту, были предложены, сформулированы и доказаны лично автором настоящей работы. Автору принадлежит выбор направления исследования, постановка задач и методов их решения, трактовка и обобщение основных результатов.

Положения представленные к защите:

1 Диаграммы состояния (Т - X) псевдобинарных систем Т11п8е2 -Си1п5е2, ТНпБег - А§1п8е2, Т11п82 - Си1п82, ТЮа8е2 - СиОа8е2, построенные во всем концентрированном интервале с использованием методов дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), рентгеноструктурного (РСА) анализов, а также измерениями удельного сопротивления и плотности. Границы областей твердых растворов и режимы выращивания монокристаллов из этих областей.

2 Характер изменения ширины запрещенной зоны кристаллов Т1,.хСих1п8е2 (О ^С 4),025) и Т1,.хА£х1п8е2 (0±Х?й,03) при наличии одноосной деформации сжатия (растяжения) вдоль кристаллографической оси [001] и случае гидростатического сжатия, по результатам исследований электропроводности и фотопроводимости.

3 Результаты исследований структуры края собственной полосы поглощения в кристаллах Т1|.хСих1пБе2 (0^С^),025) и Т1ЬхА§х1п8е2 (0 <Х ^),03) по спектрам поглощения и фотопроводимости.

4. Механизм формирования края собственной полосы поглощения в кристалла* /3-Т1,_хСих1п5: (0 ¿X ;0,015) и Т!,.хСихСа8е2 (0 <Х ^02). 5 Аномальная дисперсия, связанная с экситоным поглощением в кристаллах Т11.хСихСа5е2 (0<Х«0,02) и ¿*-Т1,.хСих1п82 (0 <Х <0,015). 6. Схема движения экситонных зон и характер оптических переходов в области края собственного поглощения в слоистых монокристаллах Т1,.хСихОа8е2 (0 <Х £0,02) и /3-Т1,.хСих1п82 (0 <Х <0,015).

7. Эффекты и свойства, имеющие прикладное значение и вытекающие из особенностей физических свойств монокристаллов ТЮа8е2, /?-Т11п82, Т11п8е2, Си1п8е2, AgInSe2, СиОа8е2, Си1п82, и твердых растворов на их основе, выявленных при исследовании электрических оптических и фотоэлектрических явлений.

Апробация результатов работы

Результаты исследований докладывались на- Всесоюзном совещании «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов», Калинин, октябрь, 1985г, Второй Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных и кисло-родосодержащих полупроводников», Черновцы, октябрь 1986г, У-ой Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, октябрь, 1987г., Координационном совещании социалистических стран по физическим проблемам оптоэлектроники, Баку. Октябрь, 1989г, УНГ-ой Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям, Кишинев, сентябрь, 1990г., Третьей Всесоюзной научно-технической конференции «Материаловедение халькогенидных полупроводников», Черновцы, 1991 г, 1Х-ой Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям», Якохама, август. 1993г , Япония, Первой Международной научно-технической конференции «Материаловедение алмазободобных и халькогенидных полупроводников», Украина, Черновцы, 1994г., П-ой Международной конференции «Оптика полупроводников», УлГУ, Ульяновск, 2000г., 1У-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяновск, 2002г., У-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УлГУ, Ульяновск, VI - ой Международной конференции «Опто-, наноэлекторника, нанотехнологи и микросистемы», УлГУ, Ульяновск. - 2004г., Х1-я Всероссийская конференция «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург, 2004г. и других.

Достоверность результатов Всесторонний характер исследований, проведенных автором данной

-9-

работы на одних и тех же образцах с использованием различных методик физического эксперимента, убеждает в достоверности, представленных результатов и обоснованности выводов, следующих на их основе. Все полученные результаты по исследованным объектам достаточно обоснованы и сопоставлены как с теоретическими расчетами зонных структур, так и с экспериментальными результатами других авторов Результаты исследований обсуждались на российских и международных конференциях

Публикации

Результаты диссертационной работы опубликованы в 52 научных трудах и 2-х авторских свидетельствах. Список приводится в конце автореферата.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения 7 глав, приложения, заключения

и выводов. Она содержит 399 страниц компьютерного текста, 128 рисунков и 34 таблицы в списке литературы 377 наименований.

II. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во Введении обоснованы актуальность работы, сформулирована цель и основные задачи исследования, указана новизна и практическая значимость, достоверность результатов личный вклад автора, изложены основные полученные результаты, выносимые на защиту.

Первая глава является обзорной В ней систематизирован с критическим анализом, имеющийся в литературе материал относительно исходных объектов исследования настоящей диссертационной работы и соответствующих твердых растворов катионного замещения на их основе. В начале данной главы обстоятельно обсуждаются физико-химические особенности известных полупроводниковых фаз соответствующих псевдобинарных разрезов, в которых образуются исходные соединения,

исследуемых в диссертации сложных полупроводниковых систем. Рассматриваются далее детали кристаллических структур и характер химической связи в указанных соединениях, крайне необходимые для понимания происходящих в них и системах на их основе физических процессов.

В конце главы излагаются известные по литературным данным физические свойства исходных соединений Т1В3С62 и А^В3Сб2 и существующих твердых растворов катионною замещения на их основе.

На основе проведенного анализа сделано заключение относительно состояния изученности исходных тройных соединений Т1В3С62 и А'В3С62 и совершенном отсутствии каких-либо сведений относительно изучаемых в настоящей диссертации новых систем на их основе.

Настоящая глава завершается формулировкой постановки, решаемых в диссертации задач.

Вторая глава диссертации посвящена подробному описанию режимов синтеза и технологии выращивания монокристаллов, а также изучению фазовых равновесий и кристаллических структур исследуемых объектов В начале главы, в частности, приводятся, построенные впервые диаграммы состояния систем Т11п8е2 - Си1п8е2, Т11п8е2 - А§1п8е2, ТЮа8е2 - СиСа8е2, Т11п82 - Си1п82 во всем концентрационном интервале с использованием методов дифференциально-термического рентгенофазо-вого, рентгеноструктурного анализов, а также измерениями удельного сопротивления и плотности.

В результате проведенных физико-химических анализов выявлены соответствующие пределы ограниченных областей взаимной растворимости исходных трехкомпонентных соединений в системах Т11п8е2 - Си1п8е2, Т11п8е2 - А§1п8е2, ТЮа8е2 - СиОа8е2, Т11п82 - Си1п82.

С учетом особенностей изученных диаграмм состояния подобраны оптимальные режимы и впервые выращены крупные однородные монокристаллы твердых растворов переменного состава. Выращенные, таким образом, кристаллы подвергались предварительному дифференциально-термическому, рентгенофазовому и рентгеност^уктурному анализам.

Применением отмеченного выше арсенала физических методов, установлено сходство составов синтезированных и выращенных кристаллов, Идентифицирован структурно-фазовый состав исследуемых в диссертации монокристаллов многокомпонентных сложных полупроводников переменного состава

В конце главы приведены выводы

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований оптических свойств монокристаллов Т11.хСихСа8е2(0^Х^),02) и /?-Т1,.хСих1п82 (О ^С ^0,015) стационарным и модуляционным методами В начале главы рассмотрены краткие теоретические представления модуляционных методик для исследования спектров твердых тел. а также экспериментальная установка для исследования спектров поглощения, отражения и фотопроводимости полупроводников как стационарным методом, так и методом модуляции длины волны в широком температурном интервале 2-300 К.

Установлено, что край собственной полосы поглощения в кристаллах /3-Т11п82, ТЮа8е2 и твердых растворах на их основе формируется прямыми и непрямыми оптическими переходами с образованием экситонных полос поглощения. Определены энергетические параметры этих переходов и экситонов. Показано, что в монокристаллах ТЮа8е2 край полосы собственного поглощения формируется прямым экситонным переходом, которому предшествует непрямой оптический переход. Определены пороговые энергии прямых оптических переходов (при 300 К равна 2,17 эВ) и энергии образования экситонных состояний

(при 77 К равны 2,150, 2,382 эВ и при 4,2 К 2,138, 2,198 эВ(Ё 1С)

и 2,155 эВ(Ё//С).

В монокристаллах ТЮа8е2 в интервале температур 4,2 - 77 К установлено, что при повышении температуры экситонные линии поглощения смещаются в коротковолновую сторону.

Установлено, что в кристаллах ТЮа8е2 край собственной полосы поглощения формируется переходами между экстремальными точками зоны Бриллюэна, имеющими поляризационные особенности. Это показы-

вает, что кроме симметрии кристалпа необходимо учитывать позиционную симметрию, например, симметрию слоя. Переходы происходят из близко расположенных уровней, расстояние между которыми составляет 20, 200, 250 мэВ.

Край собственной полосы поглощения в монокристаллах /3-TlInS2 формируется прямым переходом, которому предшествует экситон-фононное взаимодействие. Определены постоянная экситон-фононного взаимодействия, энергии фононов, участвующих во взаимодействии, соответственно равные 0,6 эВ и 0,01 эВ.

Из зависимости а2 и аш от энергии падающих фотонов (hv) определены энергетические значения границ непрямых и прямых переходов в кристаллах /?-TIInS2. Непрямому оптическому переходу соответствует энергетическое значение 2,334 эВ при 300 К и 2,517 эВ при 5 К, а прямому оптическому переходу - 2,393 эВ при 300 К и 2,553 эВ при 5 К.

В области края собственной полосы поглощения /3-TlInS2 установлено наличие двух экситонных состояний и определены их основные параметры: Е„ = 33 мэВ, боровский радиус аБ~ 29Â приведенная масса д = 0,21 та приТ = 5К.

Обнаружен скачок в температурной зависимости Eg и установлено наличие фазового перехода в /3-TIInS2 при температуре около ~ 185 К. В широком диапазоне длин волн (470 - 1150 нм, диапазон 750-1150 нм на рис. 1 не представлен) при температурах Т = ЗООК и Т = 5 К исследовались спектры поглощения монокристаллов Tl!.xCuxGaSe2 (0^(4),02) и (3-Tli.xCuxInS2 (0<Х ^),015) (рис. 1 и 2) Вид спектров изменяется с ростом «X». Так, если для кристаллов /3-THnS2 и TlGaSe2 коэффициенты поглощения вблизи полосы фундаментального поглощения плавно возрастать уже в ближней ИК- области спектра. Следует также отметить, что для кристаллов /3-TlInS2 и TlGaSe2 форма спектров поглощения с понижением температуры почти сохраняется, а в твердых растворах на их основе наблюдается постепенный переход к линейному характеру, т.е спектры поглощения кристаллов Tl].xCuxGaSe2, |3-TI] xCuxInS2 при 300 К имеют ступенчатый характер, однако с понижением температуры эти ступени заметно выпрямляются.

На спектрах поглощения кристаллов T!|.<Cu4GaSe2 и /3-Tli.xtuxInS2

можно выделить два четко выраженных участка. Первые из них наблюдаются в длинноволновой области спектра и отвечают наиболее низким значениям коэффициента поглощения (а< 0,75-Ю"3 см"1). Для этих участков спектра характерно медленное нарастание коэффициентов поглощения. Вторые участки (где а > 0,75-Ю'3 см'1) являются более крутыми. Здесь происходят резкие возрастания коэффициентов поглощения. Исходя из вышеизложенного, можно предположить следующее: частичное замещение атомов таллия атомами меди в кристаллах /З-ТПпБг и ТЮа8е2 приводит к появлению примесных полос в их запрещенных зонах. С увеличением концентрации меди растут и ширины примесных полос. При температуре 300 К, начиная с значений энергий фотонов /гу =1,08 и 1,15 эВ в кристаллах Т1,.хСихСа8е2 (Х=0,01;Х= 0,02) и /*-Т1,_хСих1п82(Х = 0,01; X = 0,015) начинается переброс электронов из примесных зон в зону проводимости соответственно. С ростом энергии в этих переходах начинают участвовать также электроны, которые находятся в глубине примесной полосы. При значениях энергий равных ширинам запрещенных зон для кристаллов Т1[_хСихСа8е2 и /3-Т11.хСих1п82, происходят переходы электронов из соответствующих валентных зон. Этим и объясняется резкое возрастание коэффициентов поглощения в кристаллах Т1].кСихСа5е2 (0 <Х <0,02) и /3-Т1,.хСих1п82(0 <Х <0,015).

Таким образом, анализ спектров поглощения и отражения кристаллов Т1,.хСихОа8е2 (0^.^,02) и /3-Т1,_хСих1п82 (03(:£),015) показывает, что частичное замещение атомов таллия атомами меди приводит к изменению экситонных характеристик ТЮа8е2 и /3-Т11п82, а также к образованию в длинноволновой части спектра примесных областей поглощения, т.е. дает возможность управлять оптическими параметрами монокристаллов. Показано, что край собственной полосы поглощения в кристаллах Т1|.хСихОа8е2 (0^<0,02) характеризуется прямыми и непрямыми переходами при участии экситонного поглощения. Установлено существование экситонных переходов и в кристаллах твердых растворов /З-Т^.хСи^пЗз (0^Х^),015). Показано, что длинноволновый край собственной полосы поглощения твердых растворов подчиняется правилу Урбаха. Определена концентрационная зависимость энергии прямых разрешенных переходов, которая показывает, что прямые переходы в твердых растворах на основе

2,5

103, см'1 2,0

«Î

a

1.0

0,5

2,5

103, см' 2,0

Ö

1,0

0,5

/З-ТНпБг имеют одинаковую природу.

При исследовании электропоглощения в области экситонного поглощения установлены экситонные пики. Полученные значения энергии образования экситонных состояний полностью совпадают с выше приведенными данными.

В области края собственной полосы поглощения ТЮа5е2 и /З-ТИпБг в интервале 2 - 6 эВ определены межзонные расстояния.

Уточнены методы исследования оптических свойств с учетом многократного отражения. Впервые изучена дисперсия коэффициента преломления монокристаллов Т1].хСихОа8е2 (О <0,02) и /3-Т1|_„Сих1п82 (0^С^),015) у края собственной полосы поглощения с учетом многократного отражения. Проявление аномальной дисперсии связано с образованием экситонов.

Исследована спектральная зависимость примесного поглощения. Установлено существование в соединениях типа ТЮа8е2 акцепторных уровней привязанных к уровню Ферми и расположенных приблизительно в середине запрещенной зоны; предполагается, что эти уровни связаны со структурными дефектами кристаллов.

В конце главы приведены выводы.

Четвертая глава посвящена изучению анизотропии и дисперсии оптических и электрооптических свойств монокристаллов Т11_хСихСа8е2 (0^К^),02) и /3-Т1!.хСих1п82 (0<Х ^>,015). В начале главы обсуждаются вкратце некоторые теоретические вопросы анизотропии оптических свойств в слоистых полупроводниках, а затем рассматриваются результаты экспериментальных исследований анизотропии показателя преломления, электроопт ического эффекта и дисперсии в кристаллах Т1!.хСихОа8е2 (0 ¡¿),02) и /3-Т1,.хСих1п82 (0 5Х ^),015).

Используя зависимость (и2 — I)"1 от Я2, определили и А^ для определенного направления распространения света. В данном случае определены две пары параметров 5'01, Лох, 50//, Лоп . Они относятся к

показателям преломления в направлениях перпендикулярном (по) и

параллельном пп оси «С» кристалла. Значения параметров 50±, /10± и

Б0[,, А0// представлены в таблице 1.

При исследовании индуцированного двулучепреломления в кристаллах Т1|.хСихОа5е2 (0<Х^),02) свет и внешнее электрическое поле были направлены перпендикулярно слоям. Характер индуцированного двулучепреломления в кристаллах Т^.хСихСаЗег (0^(^0,02) остается квадратичным в пределах исследуемых полей (см. рис. 3). В твердых растворах зависимость Ап от X имеет более крутой характер, причем при приближении к краю поглощения Ап возрастает.

Установлено, что в кристаллах /ЗЛЧ^Си^пБг (0 ¿X 5) имеет место линейный электрооптический эффект (ЭО). При измерениях индуцированного двулучепреломления показано существование внутренних

Таблица 1

БоХЮ8, см"2 \>±Ю"5, см'5 $о// Ю8, см"2 см"5

ТЮаБег 8,18 0,711 6,00 0,713

Т10,99Сиоо1Са8е2 9,00 0,711 6,92 0,714

Т10,98Сио,о2Оа8е2 9,62 0,710 7,03 0,715

Таблица 2

X 0 0,01 0,015

Д Пвнутр, ед. СГСЭ 1,8 ■ 10"6 1,92 • 10"" 2,0 • 10"6

Е внутр, КВ/СМ 9,8 9,9 9,95

полей, возникающих в кристаллах в процессе их выращивания. В таблице 2 представлены результаты этих исследований. Показано, что ЭО эффект случае, когда свет и внешнее электрическое поле направлены вдоль оси «С», в пределах исследованных электрических полей (до 5 кВ/см) является квадратичным. Квадратичный ЭО эффект для ТЮа8е2 равен 2,3-10"9 ед.

0,60 0,65 0,70 мкм

E2, (KB/cm)2

Рис. 3. Зависимость Лп от напряженности поля при >е0,63мкм (кривая 1, 2, 3) и от длины волны при £=3,5 кВ/см (кривые 4, 5,6): М-ТЮаБег;

2.5 - Ло эдОао.о^аЗег;

3.6 - Т1о98Сао,о20а8е2

сгсэ.

Установлено, что когда электрическое поле направлено перпендикулярно оси «С» а свет направлен вдоль оси «С», то ЭО эффект является линейным.

Результаты ЭО измерений согласуются с тем, что соединения типа ТЮа8е2 кристаллизуются в моноклинной решетке, с пространственной группой Сс, но при этом кристаллы типа ТЮаБе2 имеют более высокую симметрию, чем Сс.

Исследования пропускания, проведенные на тонких плоскопараллельных монокристаллических пластинках /3-Т11.хСих1п82 (0<Х^),015) и Т^.хСихСаБег (0^С^),02) показали возможность наблюдения интерференции (особенно в области экситонного поглощения), что позволяет вычислять показатель преломления и, таким образом, получать зависимости Лп ~ / (X ). По положению экстремумов интерференции проходящего света определяли значения пК для кристаллов на основе ТЮаБе2 и /?-Т11п82 (рис. 4). Анализ зависимостей пК ~ / (X) исследованных кристаллов показал существование в них ярко выраженных областей аномальной дисперсии при длине волны, незначительно превышающей ту, которая соответствует экситонному пику. Кроме того, существуют еще некоторые области аномальной дисперсии, которые связаны с возбуждением примеси.

Установлено, что при помощи собственной интерференции можно обнаружить экситоны в кристаллах типа ТЮа8е2 при комнатной температуре.

Установлено, что обнаруженная в исследованных кристаллах модуляция интерференционных картин вблизи края собственной полосы поглощения связана с отслойками образцов Далее приводятся результаты экспериментальных исследований влияния магнитного поля на гирацию в кристаллах Т1,.хСихОа8е2 и (З-П^Си^пБз (0^(^),015).

Определены параметры тензоров магнитогирации в направлении оптической активности и установлена их зависимость от состава в' кристаллах твердых растворов

В конце главы представлены выводы.

В пятой главе представлены результаты экспериментальных иссле-

лш

[Й

в

500

550

600 X им

Рис. 4. Дисперсионные кривые: а) ТЮаБег; б) /3-Т11п32. Сплошные кривые вычислены по формуле (5.18), пунктирные (5.17) [см. диссертацию]

дований неравновесных процессов в соединениях ТЮаБе2, /3-ТПп82 и твердых растворах на их основе по спектрам фотопроводимости, термо-стимулированной проводимости и деполяризации, а также токов ограниченных объемными зарядами в ТЮа8е2.

Спектральные распределения фотопроводимости ТЮа5е2 и /3-Т11п82, снятые при 77 и 300 К, представлены на рис. 5 и 6. Из рис. 5 видно, что при комнатной температуре на спектральной зависимости фотопроводимости имеются ступеньки и максимум при энергии 2,15 и 2,28 эВ. Резкий спад фототока при освещении кристалла светом с энергией кванта Иу <2,3 эВ говорит о том, что максимум, наблюдаемый при М> = 2,3 эВ, соответствует собственному максимуму фототока. При температуре 77 К (кривая 2) наблюдаются три четко выраженных максимума фототока при энергиях 2,15,2,38, 2,52 эВ. Ширина запрещенной зоны, вычисленная по длинноволновой границе при 77 К и 300 К, соответственно, равна 2,22 и 2,17 эВ, а средний температурный коэффициент сдвига запрещенной зоны равен -2,3-10"4 эВ. Почти такой же температурный коэффициент имеет максимум спектральной фоточувствительности. Температурный коэффициент и ширина запрещенной зоны, вычисленные из спектральных характеристик фотопроводимости, хорошо согласуются с наблюдаемыми прямыми переходами в кристаллах ТЮа8е2. Исчезновение структуры на спектральной зависимости ТЮаБе2 с ростом температуры и смещение максимума фотопроводимости в сторону меньших энергий обусловлено интенсивным экситон-фононным взаимодействием при высоких температурах.

Максимум фотопроводимости монокристаллов /3-Т11п82 (рис. 6) соответствует энергии 2,23 эВ, который хорошо согласуется с энергией, соответствующей переходу акцептор-зона проводимости. Сравнение спектральных характеристик при 77 и 300 К (рис. 6) показывает, что максимум при 77 К соответствует плечу при 300 К, что связано с прямыми экситонными переходами.

В спектрах фотопроводимости монокристаллов твердых растворов ТС^СихСаБег (0 ^ <0,02) и /3-Т1,_хСих1п52 (0 =©,015) характерен довольно резкий спад фотопроводимости со стороны коротких волн. Это говорит, что в большинстве образцов велика роль поверхностной рекомбинации.

'О

а Е

о

Ы $

1,0

0,5

х: л

■1 п

/ ! {

г

2,1

2,3

2,5 2,7 IIV, эВ

Рис. 5. Спектры фотопроводимости ТЮа8е2 при Т,К: 1 -300; 2-77 К

1?

а: §

о

ь; ©

Лу, ЭВ

Рис. 6. Спектр фотопроводимости /3 - ТИпБг при Т, К: 1 - 300; 2 - 77.

Общей особенностью спектральных характеристик твердых растворов Т1|.хСихСа8е2 (О<Х<0,02) является т о, что при понижении температуры фоточувствительность увеличивается, уширяется частотная область и наблюдаются структуры, характеризующие энергетические зоны твердых растворов. Кинетика фотопроводимости в кристаллах твердых растворов является медленной и обусловлена прилипанием носителей тока на глубокие уровни.

Спектры фотопроводимости твердых растворов /З-ТЬ.хСиЛпБг (0<Х<0,015) имеют один четко выраженный максимум, а также некоторые изгибы в длинноволновых частях спектров кристаллов твердых растворов, что характеризует проявление примесной фотопроводимости в твердых растворах на основе /3-ТПп52. Энергии максимумов фотопроводимости линейно зависят от доли меди в твердых растворах Т1,.хСихСа8е2 (0±Х;Я,02) и |3-Т1 ,.хСих1п52 (0 <Х 50,015).

Исследованием примесной фотопроводимости в интервале 0,6+2,0 эВ при 77 и 300 К установлено существование не контролируемых глубоких примесей в монокристаллах ТГСа8е2 и -Т11п82. В зависимости от образцов уровни этих примесей расположены в области 0,8-1,2, 1,2-1,4 и 1,4-1,7 эВ.

Наблюдение индуцированной примесной фотопроводимости и инфракрасного гашения фотопроводимости показывает, что в монокристаллах типа ТЮа8е2 рекомбинация основных носителей происходит по двум направлениям: через быстрый (я) и медленный (г) центры с участием уровней прилипания.

Наличие фазового перехода в ¡3 -Т11п82 в области температур 185-195 К установлено измерениями ТСД и фотопроводимости. Измерениями ТСП, ТСД и ТООЗ в интервале температур 100+300 К определены параметры уровней прилипания в кристаллах типа ТЮа8е2 (концентрация, глубина залегания и сечение захвата) (табл. 3,4).

В конце главы приведены выводы.

Шестая глава посвящена изучению оптических, фотоэлектрических и электрических свойств монокристаллов Т1:.хСих1п8е2(0 <Х <0,025) и /3-Т11_хА§х1п8е2(0 <Х <0,03). Здесь представлены результаты эксперимен-

ПАРАМЕТРЫ ПРИМЕСНЫХ УРОВНЕЙ СОЕДИНЕНИЙ ТЮа8е2 и /?-Т11п82, ОПРЕДЕЛЕННЫЕ ПО ТСП И ТСД

Таблица 3

Тмл Е,, эВ АГ,,см-3 5 , СМ2 Г, с

ТЮаБег

173 0,29 9,2 х 1014 4х Ю"19 2,7 XI О"4

263 0,51 7,4x10" Зх10"18 4,5 х10"4

Р -ТИпБг

112 0,30 1x109 3,4х Ю-14 3,6x10"'

151 0,42 3,4х 10у 1,1 х Ю"14 2,6хЮ"3

182 0,51 7,2 х 10* 2,1 хЮ"14 6,5 XI О"4

210 0,58 7,0х 10* 2,9 х Ю-15 1,3х 10"2

ПАРАМЕТРЫ ЛОВУШЕК В КРИСТАЛЛЕ ТЮаБег, ОПРЕДЕЛЕННЫЕ ПО ТООЗ

Таблица 4

Т, К Иу, см"3 Р0.см'3 ТУ,, см"3 Ыл, см"3 Иа, см"3 в

160 8,0 х 1018 1,0х 108 1,4х 1012 5,Ох 1016 6,7 хЮ13 1x10"4

220 1,5 х 1019 1,2х Ю9 1,3х 1012 7,Ох 1016 8,2х 1013 бхЮ"4

300 2,1 х 1019 7,5 х 109 0,8x10" 8,2х Ю16 9,1 хЮ13 4х10"3

350 2,8 х 10" 2,0 х 10'° 0,3 х 1012 9,2х Ю'6 1,2х Ю14 5х 10"2

тального исследования структуры края собственной полосы поглощения монокристаллов Т11п8е2 и твердых растворов на его основе.

** Обнаружена некоторая структура длинноволнового края собственно

полосы поглощения в кристаллах Т11п8е2 и твердых растворах катионного замещения Т1!.хСих1п8е2 (О <Х <0,025) и Т1,.хА§х1п8е2 (0 <Х <0,03) при температурах 80 и 300 К с энергиями максимумов 1,162 и 1,083 эВ

соответственно, что связано, по-видимому, с возбуждением примесных состояний в этих кристаллах.

Установлено, что кристаллы Т11п8е2 и твердые растворы катионного замещения Т1,.хСих1п8е2 (О <Х <0,025) и Т1,.^х1п8е2 (0гО.ОЗ), являются непрямозонными полупроводниками с положительным температурным коэффициентом ширины зоны. В коротковолновой области в интервале энергий 1,22-1,40 эВ край основной полосы поглощения Т11п8е2 формируется непрямыми разрешенными переходами. Энергия перехода при 80 и 300 К равна 1,188 и 1,213 эВ соответственно, а энергия фононов, участвующих в формировании края фундаментального поглощения равна 0,03 эВ.

В интервале энергий 1,30-1,60 эВ при температурах 80 и 300 К наблюдались прямые переходы с энергиями 1,36 и 1,44 эВ соответственно. Средний температурный коэффициент был положительным и составлял +3,78-10"4 эВ/К.

Спектры фотопроводимости исследованных кристаллов коррелируют со спектрами поглощения, причем длинноволновый край фотопроводимости подчиняется правилу Урбаха.

Установлено, что при замещении атомов таллия на атомы меди (серебра) в решетке Т11п8е2 происходит увеличение фоточувствительности, связанное, по - видимому, с созданием очувствляющих г- центров.

Представлены результаты экспериментального исследования примесной проводимости кристаллов р - Т1ЬхСих1п8е2 (0<Х <0,025) и р - Т11.хА§х1п8е2 (0 <Х <0,03) по измерениям электропроводности в интервале температур 30 - 300 К (рис. 7). Установлено, что температурные зависимости электропроводности монокристаллов р - Т1].хСих1п8е2 (X = 0; 0,01; 0,025) и р - Т1,.хА£х1п8е2 (Х=0; 0,01; 0,03) обнаруживают прыжковую проводимость, описываемую зависимостью вида:

I 4

(1)

а = а0 ехр

Т

-"о

где: Тв - характеристическая температура;

При Т> 100 К, прыжковая проводимость переходит в обычную акти-

-26-

вационную с энергиями активации акцепторов 0,445, 0,338, 0,196 эВ для р-Т11п8е2, р-Т10, 99С110 011п5б2 и р -По.^Си^тЗе, соответственно. В области прыжковой проводимости существуют донорные состояния с энергиями 0,015; 0,007; 0,004 эВ соответственно. Значения характеристических температур для этих кристаллов равны соответственно Т0= 102; 104; 2105 К.

На основе анализов температурных зависимостей коэффициентов поглощения кристаллов я-Си!п8е2 и и-А£1п8е2 установлено, что температурные зависимости изменения ширины запрещенной зоны в этих кристаллах имеют нелинейный вид, причем, для кристаллов и-А§1п8е2 эта нелинейность проявляет аномальный характер, образуя пологий максимум при Т ~ 120 К (рис. 8).

В конце главы приведены выводы.

Седьмая глава посвящена подробному описанию методик проведения экспериментальных исследований по изучению влияния как одноосной деформации сжатия (растяжение), так и гидростатического сжатия на электропроводность вдоль тетрагональной оси [001] кристаллов Т1,.хА§х1п8е2(0 5Х ;£>,03), Т1,.хСих1п8е2 (0 33,025).

Анализ температурных зависимостей кристаллов Т11п8е2, Т10,99Си0,011п8е2, Т1о,975Сио,о251п8е2 и Т10>97А&0з1п8е2, как в отсутствии одноосной деформации, так и при ее наличии сжатия (растяжения), позволил определить энергии ионизации непрямых переходов. Установлено, что замещение атомов таллия на атомы меди (серебра) в кристаллах твердых растворов на основе Т11п8е2 приводит к смещению энергии непрямых переходов в длинноволновую область энергий. Деформация растяжения вдоль кристаллографической оси [001] для исследованных кристаллов смещает энергию непрямых переходов в коротковолновую область энергий, а деформация сжатия - наоборот в длинноволновую область (см табл 5). Далее обсуждаются результаты экспериментального исследования влияния одноосной деформации растяжения (сжатия) вдоль кристаллографической оси [001] на спектральную зависимость фотопроводимости. Анализ показал, что наблюдаемое сужение запрещенной зоны представляется естественным с точки зрения теоретического

Рис. 7. Температурные зависимости удельной электропроводимости кристаллов: 1 - ТПпБег, 2 - Т10,99Си0,011п8е2

3 - Т1о,975Сио,0251п8е2

Рис. 8. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны в монокристаллах «-А§1п8е2

анализа зонных структур данного типа [1-3]. Со1ласно [2] при одностороннем растяжении вдоль тетрагональной оси [001] кристаллов данного типа (и сжатия перпендикулярного [001]) происходит сужение их запрещенной зоны. Следует подчеркнуть, что второй вывод, вытекающий из теоретического анализа зонной структуры [2,3] противоречит экспериментальным результатам: ширина запрещенной зоны в действительности уменьшается не при растяжении вдоль [001], как это отмечено в [2,3], а при сжатии в данном направлении (см. табл. 6). Отметим, что представленный в табл. 6 характер изменения непрямого энергетического зазора, т.е. его сужение с одноосным сжатием вдоль [001] хорошо согласуется с наблюдаемым на эксперименте возрастанием (убыванием) электропроводности кристаллов Т!1п8е2 в направлении сжатия (растяжения) вдоль [001] и не противоречит предложенной ранее [4] многодолинной модели их зонного спектра. Согласно данной модели при одностороннем сжатии (растяжении) энергетический зазор, соответствующий прямому переходу (к = 0 в точке Г), остается без изменения, в отличие зазора непрямого перехода, о чем свидетельствуют реальные экспериментальные положения максимумов и длинноволновых границ спектров собственной фотопроводимости при различных давлениях.

В третьем параграфе настоящей главы исследуется влияние гидростатического давления на электропроводность вдоль тетрагональной оси [001] кристаллов р - ТНпБег и твердых растворов на его основе и характер изменений их зонного спектра. Наблюдаемые изменения удельной электропроводности монокристаллов р - Т11п8е2, р - Т10,98Си01021п8е2 и р -Т1097А£оз1п8е2 в направлении [001] от величины гидростатического давления (вплоть до 30-108 Па)при 300 К, построенные в координатах 1по(Р) ~ Р носят линейный характер и достаточно хорошо описываются уравнением:

1па(Р) = 1па(0) + АР (2)

В частности для р - Т11п8е2 коэффициент пропорциональности « А », соответствующий тангенсу угла наклона зависимости 1па{Р) ~ /(Р) , положителен и определяется как:

СМЕЩЕНИЕ ДЛИННОВОЛНОВОГО КРАЯ НЕПРЯМОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ЗАЗОРА В КРИСТАЛЛАХ Т],.хСих1пБе2 И Т1,.хА^1п8е2, КАК ПРИ НАЛИЧИИ ОДНООСНОЙ ДЕФОРМАЦИИ, ТАК И ПРИ ЕЁ ОТСУТСТВИИ

Таблица 5

Т11п8е2 Т1о 99Сио1о11п8е2 Т1о,975Сио,о251п8е2

Р= 0, Па Р=-2,189-Ю8, Па Р=0, Па Р=-2,189 10", Па Р=0, Па Р=-2,189-Ю8,Па

Р=2,189 108, Па Р=2,189 108, Па- Р=2,189 108, Па

Е„ эВ Е„, эВ 0(001) эВ/Па Е„ эВ Е„ эВ о'™11, эВ/Па Е|, эВ Е|£> эВ эВ/Па

1,2 1 1,14 1,28 3,38-Ю'10 1,2 1,11 1,25 3,63 Ю"10 1,2 1,07 1,19 3,65-10''и

3,1910"'" 2,60 Ю"1" 1,82-10'10

ТНпБез Т10,99А^,011п8е2 Т10,97А&,оз1п8е2

Р= 0, Па Р=-2,189 1 08, Па Р=0, Па Р=-2,189-Ю8, Па Р=0, Па Р=-2,189-Ю8, Па

Р=2,189 108, Па Р=2,189 Ю8, Па Р=2,189 108,Па

Е„ эВ эВ эВ/Па Е„ эВ Е,„ эВ О100'1, эВ/Па Е„ эВ Е„, эВ Д1001| эВ/Па

1,2 1 1,14 1,28 3,38-Ю-10 1,2 1,13 1,27 3,70 10'° 1,2 1,05 1,25 3,65-Ю'10

3,19-Ю-10 3,70-Ю-10 3,60-1010

ИЗМЕНЕНИЕ НЕПРЯМОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ЗАЗОРА В МОНОКРИСТАЛЛАХ р - Т11п8е2, ВДОЛЬ [001] ПРИ ОДНООСНОМ СЖАТИИ

Таблица 6

№№ Р, 107 Па ЕДР), эВ сгооц_ дЕг{Р) 0 дР эВ/Па

1 0 0,976 ±0,001 -

2 1,64 0,971 ± 0,001 -3,46

з • 3,28 0,963 ± 0,001 -3,91

4 4,92 0,958 ± 0,001 -3,71

5 6,56 0,953 ± 0,001 -3,51

6 8,2 0,943 ± 0,001 -3,98

7 17,28 0,899 ± 0,001 -4,47

А = д_1пЫЛ ^

дР

Следовательно, экспериментальный ход зависимости электропроводности от давления при этом как следует из уравнения (2) подчиняется экспоненциальному закону:

ст(Р) = <7(0)ехр(ЛР), (4)

где: <т(0) также как и в (1), соответствует электропроводности при отсутствии давления, т.е. о{Р) = <т(0) при Р = 0.

Следует подчеркнуть, что отмеченный выше характер зависимости <7(Р) должен иметь место в том случае, если данная зависимость обусловлена исключительно изменением ширины запрещенной зоны с давлением и, причем данное изменение, как это имеет место на практике, носит линейный характер, т.е.:

Е(Р) = Е(0) + вР (5)

- дЕ(Р)

Здесь Сг ---является барическим коэффициентом изменения

дР

ширины запрещенной зоны и имеет размерность «эВ/Па».

Таким образом, если предположить, что зависимость (5) в действительности является единственной причиной изменения электропроводности с давлением, то можно записать

<т(Р) = сг0ехр(-^) (6)

2 кТ

Учитывая, что электропроводность при отсутствии гидростатического давления:

<7(0) = <тоехр(--^), (7)

2 кТ

выражение (7) запишем в виде:

СтР 2 кТ

Сопоставляя полученное, таким образом, уравнение (8) для зависи-

<т(Р) = <т0 ехр(-—) (8)

мости <у(Р) с экспериментально наблюдаемой зависимостью или же с аналитическим выражением (4), можно прийти к заключению, что отмеченный выше барический коэффициент изменения ширины запрещенной зоны равен:

в = -А- 2кТ (9)

Как уже было отмечено, для кристаллов Т11п8е2 в направлении [001]

А = - > 0 • При этом согласно (9), барический коэффициент

изменения ширины запрещенной зоны С в (5) должен быть отрицательным. Следовательно, с повышением гидростатического давления, как это имеет место для большинства полупроводниковых фаз, ширина запрещенной зоны монокристаллов Т11п8е2 сужается. Учитывая, что при Г=300К 2кТ=0,05\6ъ& и подставляя экспериментальное значение А - 0,34-10"8 из (3), получим С =-1,75 10*'° эВ/Па.

Таким образом, в силу справедливости высказанных выше соображений, ответственным за изменение электропроводности кристаллов Т11п8е2 в направлении [001] с гидростатическим давлением, должно являться сужение их ширины запрещенной зоны по закону:

£(Р) = £(0)-1,75-1(Гш(Р) эВ/Па (10)

Если по данному закону продолжится сужение ширины запрещенной зоны в области гидростатических давлений Р » 30 ■ 108 Па, то принекоем критическом давлении наступит перекрытие зон - Е(Р) = 0, т. е. наступит фазовый переход «полупроводник - металл». В случае гидростатического давления, отмеченное критическое значение для Т11п8е2 составит:

/.„.«а—ыц^-м-кс.д«

в 1,75-Ю"10

Сравнивая значения этих коэффициентов для монокристаллов Т11п8е2, Т!09зСи0 021п8е2 и Т!0?97АЕо,оз1п8е2 приходим к выводу, что при давлениях выше 10108 Па они совпадают. Большее значение барического коэффициента в диапазоне 0 -г 10-108 Па для кристаллов, Т10198Си0 о21п8е2 и

-32-

Т10 9?А£о 0'ДпЗе2 связано, вероятно, с уменьшением энергии активации примесных уровней меди (серебра) соответственно.

Наблюдаемое сужение запрещенной зоны при этом представляется естественным также с точки зрения теоретических анализов зонных * структур полупроводниковых соединений данного типа [2,3].

Согласно [2,3] при гидростатическом сжатии кристаллов типа Т11п8е2

происходит сужение запрещенной зоны в направлении [001]. Близость значений барических коэффициентов, следующих из наблюдаемого изменения электропроводности этих кристаллов при гидростатическом

сжатии (С = -1,75 -г 2,21 • Ю~10 эВ / Па) , и из смещения длинноволновых границ при одностороннем сжатии вдоль [001] свидетельствует о том, что смещение зон и при гидростатическом сжатии является, главным образом, следствием сжатия вдоль [001], частично компенсируемого эффектами одновременного сжатия также в перпендикулярном направлении.

В конце главы приведены выводы.

В приложении излагаются результаты экспериментальных исследований, фото- и рентгеночувствительности резисторов, изготовленных ;г' кристаллов Т1,_хА§х1п8е2 (0 <Х <0,03), Т1,.хСих1п5е2 (0 < X < 0.025). Т1,.хСихОа5е2 ( 0 <Х < 0,02) и/3-Т1,.хСих1п32 (0 <Х <0,015), также фотоЭлектрические свойства гетеропереходов п - Си1п8е2 - р - ТЮа8е2 и гете-роконтактов Т11хСихСаЗе2/ /3- Т11п52 (0 <Х <0,02).

На базе кристаллов п - Си1п8е2 и твердых растворов катионного замещения (меди на таллий) на его основе получены барьеры Шотгки Аи-и-Си1п5е2 и Аи-и-Т1оо15Си09851п8е2. Из анализа вольт-емкостных и вольт-амперных характеристик определены значения контактных разностей потенциалов и концентрации основных носителей заряда. Из г спектров фотоэдс вычислены значения квантовых выходов в солнечной

области спектра.

В заключении приводится общий анализ основных результатов диссертационной работы.

Юс «АиМОМАЛьНД* 1

в*«Я««Г1М

-33-

III. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые проведены физико-химические анализы и построены диаграммы состояния псевдобинарных систем Т11п8е2 -Си1п8е2, ТИп8е2 -А£1п8е2, ТНпБг - Си1п82 и ТЮа8е2 - СиОа8е2.

На основании результатов дифференциально-термического, рентгенофазового, рентгеноструктурного анализов и комплекса других физических "измерений установлено, что диаграммы состояния систем ТПпБег - Си1пЗе2, Г11п8е2 - А§1п8е2, ТИп82 - Си1пБ2 и ТЮа8е2 - СиСа8е2 представляют собой квазибинарные разрезы с ограниченными взаимными растворимостями исходных компонентов в твердом состоянии. На основе Т11п8е2 установлена растворимость соединений Си1п8е2 и AgInSe2 которая достигает при комнатной температуре 2,5 мольн.% и 3,0 мольн.% соответственно. Растворимость ТПпЯе2 в Си1п8е2 и А§1п8е2 меньше и составляет при комнатной температуре 1,5 и 2,0 мольн.% соответственно. На основе ТЮа8е2 растворимость соединения СиОа8е2 при комнатной температуре составляет - 2,0 моль.%, а ТЮа8е2 в ОЮа8е2 - 1,5 моль.%. В системе Т11п82-Си1п82 растворимость Си1п82 в Т11п82 при комнатной температуре составляет 1,5 мольн.%, а Т11п82 в Си1п82 0,5 мольн.% .

С учетом физико-химических особенностей выбраны оптимальные технологии и выращены крупные (/ = 5-10 см) однородные кристаллы систем Т1,.хСих1п8е2, Т!1.хА§х1п8г2, /?-Т11.хСихГп52 и Т1].хСихСа8е2. Методами дифференциально-термического, рентгенофазового и рентгеноструктурного анализов установлены идентичность выращенных кристаллов с исходными Т11п8е2, ТЮа8е2, Т11п82, Си1п8е2, А§1п8е2, Си1п82 и СиСа8е2.

2. Установлен характер и механизм формирования края собственной полосы поглощения монокристаллов типа ТЮа8е2:

2.1. В /3-Т11п82 край собственной полосы поглощения формируется непрямыми и прямыми переходами с участием оптического фонона. Установлено наличие двух экситонных состояний при Т = 5 К и определены их основные параметры.

2 2. ТЮа8е2 - является непрямозонным полупроводником, край собственной полое»поглощения которого формируется прямыми экситонны-

ми переходами, соответствующими экстремальным точкам зоны Бриллюз-на и имеющим поляризационные особенности. Показано, что соединение ТЮаБег имеет более сложную симметрию, чем пространственная группа Сс Переходы в экситонные состояния происходят из близко расположенных уровней, расстояние между которыми составляет 20, 200 и 250 мэВ. Определены межзонные расстояния в монокристаллах типа ТЮа8е2 в экстремальных точках зоны Бриллюэна в интервале 2- 6 эВ.

3. Установлена анизотропия электрооптических эффектов (ЭО) в монокристаллах Т1,.хСихОа8е2 (0 5Х 50,02) и /3-Т1,.хСих1п82 (05X^,015). В случае когда внешнее электрическое поле и свет направлены вдоль оси «С» (Е <5 кВ/см), ЭО является квадратичным, а когда электрическое поле направлено перпендикулярно оси «С», ЭО является линейным.

4. На основании исследования температурных зависимостей спектров оптического поглощения установлены скачкообразные изменения ширины запрещенной зоны в кристаллах /?-Т11хСих1п82 (0<Х^),015), что свидетельствует о наличии фазового перехода в этих кристаллах. Это подтверждается также исследованиями термостимулированной деполяризации (ТСД) и фотопроводимости. С ростом содержания меди в /3-ТНп82 происходит смещение температурной точки фазового перехода в сторону более низких температур.

4.1. Установлено, что для кристаллов Т1!.хСихСа8е2 (0^(^),02) и |3-Т11.хСих1п82 (0^(^),015) существуют ярко выраженные области аномальной дисперсии, которые соответствуют экситонному поглощению.

Показано, что для ТЮа8е2 /! = ,,„ >п = ,„ и а,,! ОС. =5-10

ЕНСя £Ю " -I-

5. Установлена схема движения экситонных зон и характер оптических переходов на краю собственной полосы поглощения кристаллов Т1,.хСихОа8е2 (0<Х 30,02) и 0-Т1,.хСих1п82(ОгЗС <0,015) моноклинной структуры:

5.1. В твердых растворах Т1!.хСихОа8е2 (0^(20,02) край собственной полосы поглощения характеризуется непрямым оптическим переходам при участии экситонного поглощения.

5.2. В отличие от Т1!.хСихСа8е2( 0 ^С ¿>,02), в твердых растворах

/3-Т1|.хСих1п82 <0,015) главную роль в формировании края собственного поглощения играют прямые оптические переходы, а длинноволноно-вый край подчиняется правилу Урбаха.

Показано, что замещение атомов таллия атомами меди в кристаллах Т1,_хСихОа8е2 (0 3(:А,02) и /3-Т1,.хСих1п82 (0:3(50,015) приводит к небольшому смещению края собственной полосы поглощения и образованию примесной полосы поглощения у потолка валентной хоны.

6 Установлено, что кристаллы Tl1.xAgxInSe2(0 <Х <0,03),Т1!.хСих1п5е2 (0 <Х <0,025) имеют тетрагональную структуру и являются непрямо-зонными полупроводниками с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны и слабой анизотропией коэффициента поглощения; структура спектров фотопроводимости монокристаллов Т1,.хА§х1п8е2 (0<Х <0,03), Т11_хСих1п8е2 (0 <Х <0,025) соответствуют структурам собственной полосы поглощения, а длинноволновый спад фотопроводимости подчиняется правилу Урбаха. Показано, что замещение атомов таллия атомами меди (серебра) в решетке Т11п8е2 увеличивает фото - и рентгенчувствительность этих кристаллов.

6 1. Выявлено, что деформация как одноосного сжатия вдоль тетрагональной оси [001], так и всестороннего (гидростатического), приводит к сужению ширины запрещенной зоны кристалловТ11.хА£х1п8е2(0^(<0,03) и И^Си^^е;, (0 <Х <0,025).

6 2. Установлено наличие прыжкового механизма проводимости в крис-таллах Т1,.хАзх1п8е2 (0<Х <0,03), Т1|.хСих1п8е2 (0 <Х <0,025) при Т <100 К, который при Т > 100 К переходит в обычную активационную.

7. Установлено, что температурные изменения ширины запрещенной зоны п - Си1п8е2 и п - AgInSe2 носят нелинейный характер, причем для п- AgInSe2 эта зависимость проявляет аномальное поведение при температуре- 120 К.

8. Разработаны фотоприемники на основе кристаллов Т1,.хСих1п8е2 (0 <Х<0,025), Т1,.хА§х1п8е2(0 <Х <0,03), Т1,.хСихСа8е2 (0^50,02) и /3-Т1,.хСих1п82 (0^(^),015) для видимой, ближней-ИК и рентгеновской областей спектра, а также эффективные гетероструктуры на основе р - ТЮа8е2 - п - Си1п8е2 и Т1,.хСихСа8е2/ /3-ТПп82 (0:Х5Й,02). Предло-

жены барьеры Шоттки на основе Au - п - CuInSe2 и Ли - п -Tl|_xCuxlnSe; (Х=1,0; 0,985).

Результаты исследований опубликованы в следующих работах:

1. Гусейнов Г.Д , Мальсагов А У , Матиев А.Х Область гомогенности системы TlInSe2-CuInSe2 // Труды Всесоюзной конференции кафедр физики нефтегазового профиля.-Уфа. - 1980. - С. 16.

2. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. и другие. Некоторые особенности релаксации фотопроводимости TlGaS2. // Труды Всесоюзной конференции кафедр физики нефтегазового профля - Уфа -1980. -

С.17.

3. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У , Матиев А.Х Исследование областей гомогенности системы TlInSe2 - CulnSe2 (0 <Х <1). // Изв Вузов. Физика.-^. - №8. (Рук. Деп в ВИНИТИ. Per. № 3113 - 81 Деп.).

4. Мальсагов А.У , Матиев А.Х Релаксация фотопроводимости монокристаллов TlGaS2. // Изв. Вузов. Физика 1981.-№8 (Рук. Деп в ВИНИТИ. Per .№ 3191-81 Деп.)

5. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А X. Диаграмма состояния системы 1 ]InSe2-CuInSe2 //Изв АН СССР Сер. Неорганические материалы. 1984. - Т.20. - №10. - С. 1618-1620.

6. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Параметры элементарной ячейки и ширина запрещенной зоны твердых растворов Cuxri].xInSe2 //Изв.АН СССР. Сер. Неорганические материалы.- 1984. -Т.20. -№10. - С. 1752-1755.

7. Guseinov G.D., Matiyev A. Kh., Malsagov A.U. and others. Effect of Pressere on electrical conductivity of TlInSe2 single crystals. // Phys. Stat.Sol. (a). - 1985. -V.90. - P.703.

8. Гусейнов Г.Д, Мальсагов А.У , Матиев А.Х.Влияние давления на электрические свойства р - TIInSe2. // ФТП - 1985. -Т.19. - В.5.-

С. 858-856.

9 Матиев А X , Кульбужев Б С. Влияние гидростатического давления и одноосной деформации на электрические свойства монокристаллов TlInSe2. // Республиканская научно-техническая конфереция молодых ученых и специалистов Тезисы докладов-Грозный. - 1985. С.96

10 Мальсагов А. У, Гусейнов Г.Д., Матиев А. X. Влияние давления на электропроводность монокристаллов CuInSe2 и Cu0,o2Tlo,98lnSe2. // Всесоюзное совещание «Химическая связь, электронная структура физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов». Тезисы докладов. - Калинин. - Октябрь. - 1985. С.192.

11. Гусейнов Г Д , Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Изменение проводимости смешанных кристаллов CuxTli_xInSe2. // Изв.Вузов.Физика.-1985 - №8. (Рук.Деп. в ВИНИТИ. Рег.№ 2884-85Деп.).

12. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А У., Матиев А.Х и другие. Фотоэлектрические свойства монокристаллов TI,.xAgxInSe2 (X = 0 - 0,03).// Доклады АН Азерб. ССР. - 1985. - Т.41. - №5. - С.20-23.

13. Гусейнов Г.Д, Мальсагов А.У., Матиев А.Х Фоточувствительный материал. //A.C. СССР. №397691. - 1985. - ДСП.

14. Мальсагов А.У., Матиев А.Х..Гусейнов Г.Д. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов CuxTl|.xinSe2. // Вторая Всесоюзная конференция «Материаловедение халькогенидных и кислородо-содержащих полупроводников».-Черновцы. - Октябрь. - 1986. - С.88

15. Мальсагов А.У., Матиев А.Х., Гусейнов Г.Д., Детектор рентгеновского излучения. // A.C. СССР. №126830. - 1986. - ДСП.

16. Мальсагов А.У., Матиев А.Х., Цмоць И.М. Оптические и магнитные свойства монокристаллов CuxTli.xInSe2 // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». - Кишинев. - Октябрь - 1987.-С.115.

17. Мальсагов А.У., Матиев А.X., Котченко А.П. и другие. Влияние магнитного поля на гирацию кристаллов TlGaS2xSe2(l_x). // V Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники применение».- Кишинев -Октябрь, - 1987.-С. 114.

18. Мальсагов А.У., Матиев А.Х. и другие О некоторых оптических и электрических свойствах смешанных кристаллов Т1ХА\.ХВ3С62 //Труды

координационного совещания сои стран по физическим проблемам оптоэлектроники («Оптоэлектроника») -Баку -Октябрь - 1989. - С.50

19. Malsagov a u., Matiyev A.Kh , Shubnikov М L. Galvanomagnetic and optical properties of mixed crystals Tl^CuJnSe^ // Eight international conference and multinary compounds.USSR.-Kishinev. - September-1990

20 Матиев A. X. Фазовые равновесия и электронные свойства системы TIInSe2-CuInSe2. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Грозный-1991 -207 с.

21. Матиев А.X., Мальсагов А.У. Край собственной полосы поглощения кристаллов CuxTl,.xInSe2. // Третья Всесоюзная конференция «Материаловедение халькогенидных полупроводников»-Черновцы.-1991 - С 89

22. Matiyev A.Kh., Ismailov R.Z. Optical and Electrical properties of Crystals A'B^^ . T1B3C62 and solid solution based on them // The 9-th international on ternary and multinary compounds. Yokochama. - Japan. - Auqust. -1993.

23 Матиев A.X., Хамхоев Б M. Фазовые равновесия в некоторых системах Т1В3С62 - А'В3С62. // Первая Международная научно-техническая конференция «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников». Украина. - Черновцы. - 1994.

24. Матиев А. X., Исмаилов Р.З. О некоторых физических свойствах монокристаллов А'В3С62, А3В3С62 и твердых растворов на их основе. // Первая Международная научно - техническая конференция «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников».Украи-на. - Черновцы. - 1994.

25 Матиев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов р - TlGaSe2 - п - CuInSe2. // Тезисы докладов научно - практической конференции, посвященной 80 - летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д Миллионщикова. Грозный. - Ноябрь. - 2000. - С. 18-19.

26 Матиев А X , Хамхоев Б М Спектры поглощения и отражения кристаллов TI,.xCuxInS2. // Тезисы докладов Международной конференции «Оптика полупроводников». УлГУ. Ульяновск. - Июнь. - 2000. - С 22

27 Мальсагов А.У., Матиев А.Х Колебательные спектры монокристаллов Tl!.xCuxInS2 //Тезисы докладов научной конференции ИнгГУ.-

2000.-С.243.

28. Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Спектры поглощения монокристаллов Т1,.хСих1п82. // Тезисы докладов научной конференции ИнгГУ. - 2000. - С.245.

29. Мальсагов А.У., Матиев А.Х ИК - и КРС спектры монокристаллов Т1)_хСих1п82. // Тезисы докладов Международной конференции «Оптика полупроводников». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2000. - С.30.

30. Мальсагов А У , Матиев А.Х. Влияние одноосной деформации на электропроводность монокристаллов Т1, хСих1п8е2. // Рук. деп. в ВИНИТИ. Рег. №3145-00 от 14 декабря 2000.

31. Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Колебательные спектры монокристаллов Т11_хСих1п82. // Тезисы докладов научно - практической конференции, посвященной 80 - летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. Грозный. - Ноябрь. - 2000. -С.17.

32. Мальсагов А У., Матиев А.Х Спектры поглощения монокристаллов Т1|.хСих1п82. // Тезисы докладов научно - практической конференции, посвященной 80 - летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. Грозный. - Ноябрь. - 2000. -С.17.

33. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Микрозондо-вый анализ системы Т11.хСих1п82. // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. - Грозный. Вып. 1. - Ноябрь. - 2001. - С. 124-136.

34. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Фотоэлетри-ческие характеристики Т1].хСих1п82 (X ~ 0 - 0,015). // Труды Грозненского государственного нефтяного института им М.Д Миллионщикова,-Грозный. Вып.1.- Ноябрь.-2001 -С.Р6-140.

35 Матиев А X., Хамхоев Б М., Кодзоев И.С. и другие. Фотопроводимость в кристаллах твердых растворов Т1].хСихСа8е2, /3-Т1]_хСих1п82 и T!l-xAgxGaS; // Труды Международной конференции «Оптика, опто -электроника и технологии».УлГУ - Ульяновск. - Июнь -2002 -С.123.

36 Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Аушев А.А.-Х. Формирование края

собственной полосы поглощения в кристаллах Tl|.xCuxGaSe2, j3-Tli.xCuxInS2 и Tli_xAgxGaS2 // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. -Июнь.-2002.-С. 124.

37. Матиев А X , Хамхоев Б М Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2 // Труды ИнгГУ. - 2002. - Вып. 1 .-С 466-470.

38 Матиев АХ., Хамхоев Б М. Край собственной полосы поглощения в кристаллах Tl].xCuxGaSe2, Tl|.xCuxInS2 и Tl,.xCuxInSe2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» УлГУ. - Ульяновск. - Июнь - 2002. - С. 14.

39. Матиев А.Х., Хамхоев Б М. Анизотропия, дисперсия и элетроопти-ческие эффекты в кристаллах TlGaSe2 и TlInS2. // Труды 5 Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2003. - С.13

40. Матиев А.Х., Хамхоев Б М .Магомадов P.M. и другие. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2 // Изв. РАН . Сер Неорганические материалы,-2004,-Т.40.-№ 10. - С. 1168-1170.

41. Матиев А.Х , Георгобиани А Н., Хамхоев Б.М. Термостимулирован-ная проводимость и деполяризация в кристаллах TlGaSe2 /З-TlInS^ // Изв. Вузов. Северо-Кавказский регион Естественные науки. - 2004 - №10 - С.37-44.

42. Матиев А X., Георгобиани А Н , Хамхоев Б.М. Токи ограниченные объемными зарядами в TlGaSe2 . // Изв. Вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. - 2004. - №9 - С 29-35.

43. Матиев А X., Георгобиани А.Н . Хамхоев Б.М. Фотопроводимость /3-Tl!.xCuxInS2 (0 йЭ,015). // Изв. Вузов. Северо - Кавказский регион. Естественные науки. - 2004 - №10 - С.33-37.

44. Матиев А.Х , Георгобиани А.Н., Хамхоев Б М. Фотопроводимость Tl,.xCuxGaSe2 (0 ^>,02) II Изв Вузов. Северо - Кавказский регион. Естественные науки. - 2004 - №9- С 36-40

45 Георгобиани А Н., Матиев А X . Хамхоев Б М Температурная зависимость изменения ширины запрещенной зоны CuInSe2 и AgInSe2 // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» УлГУ. - Ульяновск - Октябрь - 2004. - С 32.

46. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектральные характеристики фотопроводимости монокристаллов Т1,.хА£х1п8е2 (О <Х <0,03), Т11.хСих1п8е2 (0 <Х <0,025).//Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. -Октябрь,- 2004. - С.82.

47. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б М. Диаграммы состояния систем Т!1п5е2 - Си1п8е2, ТИп8е2 - А§1п5е2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. -Ульяновск. - Октябрь - 2004. - С. 132.

48. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрические свойства Т1!.хСихСа8е2 (0 <Х <0,02). // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Октябрь - 2004. - С.81.

49. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов Т11.хСихОа8е2/Т11п82(0 <Х <0,02). // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Октябрь.- 2004. - С. 102.

50. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрческие свойства гетеропереходов Т^.хСихСаЗег/ТПпБг (0 <Х <0,02). // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - С.230-233.

51. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграммы состояния систем ТПп8е2-Си1п8е2 и Т11п8е2-А§1п5е2. // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - С.225-230.

52. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фазовые равновесия в системах ТЮа8е2 - СиОа8е2 и Т11п82 - Си1п82. // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - С.233-238 .

53 Георгобиани А.Н.. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграммы состояния систем Т11п8е2-Си1п8е2 и Т11п8е2-А§1п8е2. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы.- 2005.- Т.41,- № 2. - С. 1168-1170.

54. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграмма состояния

системы TIGaSe, - CuGaSe? //Изв РАН Сер Неорганические материалы 2005 Т41 -№ 3.-С. 148-150.

ЛИТЕРАТУРА

1. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г'.С. Расчет энергетического спектра электронов тройных полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия. // ДАН Азерб. ССР. - 1980. Т.36. - №12. - С. 18-23

2 Gashimzade F.M and Orudzsev G.S. Effect of Pressure and Temperature on the Structure ofTlSe. //Phys. Stat. Sol.(b). -1981.-V.106. - P.k67-k71.

3. Оруджев Г.С. Расчет энергетического спектра электронов тройных полупроводниковых соединений со структурой типа TISe: Авторефе-ферат диссертации на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. - 1981. -С.3-18.

4. Guseinov G.D., Abdullaev A.G. and others. The piezoresistive - effect in the p - TlInSe2 single crystals. // Matt. Ress. Dull. - 1977. - V. 12. - P. 115118.

г - б 9 0t

РНБ Русский фонд

2006z4 4719

ВЫЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ

Т1В3С62 иА!В3С62.

§1.1. Физико-химические особенности полупроводниковых фазТ1В3С< иА'В3С^.

§ 1.2. Кристаллическая структура и характер химической связи в соединениях Т1В3С62и А'В3С^.

1.2.1. Структура соединений Т1В3С*.

1.2.2. Структура соединений А'В3^.

§ 1.3. Обзор физических свойств соединений типа

Т1В3С< и А*В3С^.

1.3.1. Соединения типа

Т1ВЧ^.

1.3.2. Соединения типа А'В3^.

Актуальность работы. Прогресс в физике полупроводников и полупроводниковой технике тесно связан с получением новых материалов и структур. Получение этих материалов, в свою очередь, основывается на детальном исследовании и интерпретации их свойств. Возможности получения новых материалов существенно расширяются при использовании твердых растворов. Проблема создания твердых растворов является одной из центральных в физике полупроводников, что подтверждается неослабевающим потоком информации, посвященной как уже хорошо себя зарекомендовавшим на практике твердым растворам на основе соединений А3В5 и А2В5, так и твердым растворам на основе, сравнительно недавно открытых новых перспективных классов соединений А3В3С62 и А'В3С62. Интерес к изучению сложных полупроводников обусловлен необходимостью расширения наших представлений относительно формирования зонной структуры кристаллов по мере усложнения состава и изменения объема элементарной ячейки, а также вытекающих в этой связи особенностей физических свойств.

3 3 6 1 3 6

Соединения АВС2ИАВС2 являются изоэлектронными аналогами известных полупроводников групп А3В3 и А2В6, соответственно. Определенную перспективу в этом плане с нашей точки зрения, имеют твердые растворы на основе ТИпБеа, ТИпБг, ТЮаБег, А§1п8е2, СиваЗег, ОЛпБг и Си1п8е2. Эти соединения являются перспективными материалами для разработки на их основе приемников излучения для видимой, ближней-ИК и рентгеновской областей спектра, а также для солнечных элементов с высоким КПД. В частности, монокристаллы соединений типа Т1В3С62 (где л

В - 1п, ва; С-Б, Бе) обладают ярковыраженной анизотропной структурой, и отличаются по физическим свойствам от таких классических полупрово-ников как германий, кремний и от соединений типа А3В5. Кристаллы данной группы обладают уникальными свойствами: прозрачны в широком спектральном диапазоне, обладают слабой чувствительностью электрических свойств к вводимым примесям, низкой подвижностью и концентрацией свободных носителей заряда по сравнению с выше указанными полу

Л г проводниками. Это обстоятельство делает соединения типа Т1В С 2 особенно интересными, с точки зрения выяснения фундаментальных особенностей кристаллического строения слоистых полупроводников, так и с точки зрения технического применения.

Анализ литературных данных показывает, что исследования физических свойств исходных соединений TlInSe2, TlInS2, TlGaSe2, CuInS2, CuGaSe2, AgInSe2, и CuInSe2 находятся фактически на начальном этапе. Объем и глубина этих исследований носят не достаточный, а порой и противоречивый характер, не позволяющий сделать адекватные обобщения, а тем более дать практические рекомендации. Поэтому возникает необходимость систематических исследований электрических, оптических и фотоэлектрических свойств указанных кристаллов, определяющих весь комплекс происходящих в них физических процессов, а также выявление реальных закономерностей изменения физических параметров с целью разумного управления ими. С этой точки зрения тема настоящей диссертационной работы «Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем Т1В3С62 - А1В3С62 (А - Си, Ag; В - In, Ga; С- S, Se)» представляется весьма актуальной и открывает возможности получения новых полупроводниковых материалов - твердых растворов между соединениями, кристаллизующимися в совершенно различных структурах и является перспективным научным направлением.

Целью настоящей работы являлось определение фундаментальных параметров новых, перспективных полупроводниковых соединений классов Т1В3С62, А1В3С62 и твердых растворов на их основе, а также выявление механизмов, определяющих их оптические и фотоэлектрические свойства и создание на этой основе предпосылок расширения возможностей их практического применения.

Для достижения поставленной цели нами проведены экспериментальные исследования в следующих направлениях: изучение фазовых равновесий в системах TlInSe2-CuInSe2, TlInSe2

AgInSe2, TlInS2-CuInS2 и TlGaSe2-CuGaSe2 во всем концентрационном интервале и определении областей взаимной растворимости исходных соединений; выращивание монокристаллов как исходных соединений, так и твердых растворов из областей взаимных растворимостей;

- определение характера и особенностей оптических переходов энергетических параметров зонной структуры и оптических констант монокристаллов TlInSe2-CuInSe2, TlInS2-AgInSe2, TlInS2-CuInS2 и TlGaSe2-CuGaSe2; изучение неравновесных процессов в кристаллах Tli.xCuxInSe2 (0<Х<0,025), Tl,.xAgxInSe2 (0<Х<0,03), /?-TlixCuxInS2 (0<Х<0,015) и Tl,.xCuxGaSe2 (0<Х<0,02);

- изучение влияния различных видов деформации на электропроводность монокристаллов Tli.xCuxInSe2 (0<Х<0,025)и Tli.xAgxInSe2 (0<Х<0,03).

- выявление основных закономерностей взаимосвязи фундаментальных параметров изученных кристаллов и перспективы их практического использования.

Объектами для исследования являлись образцы монокристаллов типа Т1В С 2 и типа А В С 2, выращенных из синтезированных нами соединений Т1В3С62, A!B3C62 и твердых растворов на их основе методом Бриджмена-Стокбаргера. Кристаллы C11I11S2, CuGaSe2 и твердые растворы на их основе выращивались методом газотранспортных реакций. Монокристаллы TlGaSe2, /?-TlInS2 и твердые растворы на их основе обладали моноклинной (псевдотетрагональной) слоистой структурой, а все другие кристаллы как на основе Т1В3С62, так и на основе A!B3C62 были тетрагональны.

Научная новизна

1. На основе физико-химических исследований изучены фазовые равновесия в системах Т11п8е2-Си1п8е2, TlInS2-AgInSe2, Т11п82-Си1п82 и ТЮа8е2-СиОа8е2 и построены диаграммы состояния. Разработаны технологии получения монокристаллов твердых растворов Т11.хСих1п8е2, Т11.хАдх1п8е2, Т1!.хСих1п82 и Т1!.хСихОа8е2 как со стороны соединений типа Т1В3С62, так и со стороны А'В3^.

2. В монокристаллах Т11.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) обнаружены прямые экситонные переходы и установлены их поляризованные особенности.

3. В монокристаллах /?-Т11п82 обнаружены прямые экситоны и определены их основные параметры, пороговые энергии прямых переходов, а также параметры экситон-фотонного взаимодействия. Построена энергетическая картина экситонных состояний в твердых растворах /?-Т11.хСих1п82 (0<Х<0,015) и показана идентичность оптических переходов в них с у9-Т11п82. Исследованы температурные зависимости спектров оптического поглощения, отражения и фотопроводимости кристаллов /?-Т11.хСих1п82 (0<Х<0,015). Установлено наличие фазового перехода в исследованных кристаллах при температуре 185-190 К.

4. Изучены анизотропия, дисперсия, электрооптические и магнитооптические свойства кристаллов Т11.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и /?-Т11.хСих1п82 (0<Х<0,015). Установлено наличие в кристаллах типа ТЮа8е областей аномальной дисперсии связанных с возбуждением примеси. Обнаружена модуляция интерференционных картин в области края собственной полосы поглощения. Изучено влияние магнитного поля на гирацию в кристаллах Т^СХОаЗег (0<Х<0,02) и/М^ОьДпЗг (0<Х<0,015).

5. Установлен механизм формирования края собственной полосы поглощения в монокристаллах Т11.хСихОа8е2 (0<Х<002) и /?-Т11.хСих1п82

0<Х<0,015). Показано, что смещение края собственной полосы поглощения в монокристаллах твердых растворов Т11.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и £-Т1,.хСих1п82 (0<Х<0,015) обусловлено образованием примесной зоны у потолка валентной зоны.

6. Изучены неравновесные процессы в кристаллах Т11.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и /?-Т11.хСих1п82 (0<Х<0,015). Установлено наличие неконтролируемых глубоких примесей в кристаллах Т^^СихваЗег и /?-Т11.хСих1п82 исследованием примесной фотопроводимости. Изучен механизм рекомбинации основных носителей методом индуцированной примесной фотопроводимости и ИК-гашения фотопроводимости. Из измерений термости-мулированной проводимости и деполяризации и токов ограниченными объемными зарядами определены параметры уровней прилипания в кристаллах ТЮа8е2 и /?-Т1п82.

7. Исследован механизм формирования края собственной полосы поглощения в твердых растворах Т11хСих1п8е2 (0<Х<0,025) и Т11хА§х1п8е2 (0<Х<0,03). Установлено, что они являются непрямозонными полупроводниками с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны. Изучены спектральные характеристики фотопроводимости кристаллов Т1,.хСих1п8е2 (0<Х<0,025) и Т11.^х1п8е2 (0<Х<0,03). Установлена: фотопроводимость в этих кристаллах, подчиняющаяся правилу Урбаха, а также примесная фотопроводимости в кристаллах твердых растворов. Исследованием спектров поглощения кристаллов Си1п8е2 и А§1п8е2 установлен нелинейный характер их температурных зависимостей изменения ширины запрещенной зоны, причем в кристаллах А§1п8е2 эта зависимость носит аномальный характер в области ~ 120 К.

8. Изучено влияние одноосной деформации и гидростатического сжатия на электропроводность монокристаллов Т11п8е2 и твердых растворов на его основе. Установлено, что деформация одностороннего сжатия вдоль кристаллографической оси [001] как и гидростатическое сжатие, приводит к сужению ширины запрещенной зоны Т11п8е2.

9. Разработаны и исследованы фото - и рентгендетекторы на основе монокристаллов Т1ихСих1п8е2 (0 < X < 0,025), Т11.^х1п8е2 (0 < X < 0,03), Т1,.хСихОа8е2 (0 < X < 0,02) и £-Т11.хСих1п82 (0 < X < 0,015). Разработаны гетеропереходы п - Си1п8е2 - р - ТЮа8е2; Т11.хСихСа8е2 / /?-Т11п82 (0 < X < 0,02), а также барьеры Шоттки Аи-и-Т11.хСих1п8е2 (0,985 <Х<1).

Практическую значимость работы

Сведения, полученные о механизмах электронных процессов, происходящих в полупроводниках Т1В3С62, А'В3С62 и твердых растворах на их основе, что способствуют более глубокому пониманию их специфических свойств и позволяет рекомендовать данные материалы для создания на их основе:

- приемников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра;

- датчиков для регистрации мягкого рентгеновского излучения;

- гетероконтактов Т11.хСихСа8е2/^- Т11п82 (0 < X < 0,02);

- гетеропереходов п - Си1п8е2-р- ТЮа8е2;

- барьеров Шоттки Аи-п- Си1п8е2 и Аи - п - Т10,015Си0)9851п8е2.

По результатам работы получены два авторских свидетельства.

Результаты работы используются в лабораторном спецпрактикуме на кафедре общей физики ИнгГУ.

Личный вклад автора

Диссертация представляет собой итог самостоятельной работы < автора, обобщающий полученные им и в соавторстве с сотрудниками кафедры физики Грозненского нефтяного института им. М.Д. Миллион-щикова, кафедры общей физики Ингушского государственного университета, а также ФИ им. П.Н. Лебедева РАН, ЛФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН результаты. Все положения, выносимые на защиту, были предложены, сформулированы и доказаны лично автором настоящей работы. Автору принадлежит выбор направления исследования, постановка задач и методов их решения, трактовка и обобщение основных результатов. Положения представленные к защите:

1. Диаграммы состояния (Т-Х) псевдобинарных систем Т11п8е2 - Си1п8е2,

Т11п8е2 - А§1п8е2, Т11п82 - Си1п82, ТЮа8е2 - СиОа8е2, построенные во всем концентрированном интервале с использованием методов дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), рентгеноструктурного (РСА) анализов, а также измерениями удельного сопротивления и плотности. Границы областей твердых растворов и режимы выращивания монокристаллов из этих областей.

2. Характер изменения ширины запрещенной зоны кристаллов Т11.хСих1п8е2 (0<Х<0,025) и Т1,.хАвх1п8е2 (0<Х<0,03) при наличии одноосной деформации сжатия (растяжения) вдоль кристаллографической оси [001] и случае гидростатического сжатия, по результатам исследований электропроводности и фотопроводимости.

3. Результаты исследований структуры края собственной полосы поглощения в кристаллах П^СиДпЗе;, (0<Х<0,025) и Т11.^х1п8е2 (0<Х<0,03) по спектрам поглощения и фотопроводимости.

4. Механизм формирования края собственной полосы поглощения в кристаллах у5-Т1!.хСих1п82 (0<Х<0,015) и Т\ихСихОа$е2 (0<Х<0,02).

5. Аномальная дисперсия, связанная с экситоным поглощением в кристаллах Т1,.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и /3-Т\ихСих^2 (0<Х<0,015).

6. Схема движения экситонных зон и характер оптических переходов на краю собственного поглощения в слоистых кристаллах твердых растворов Т1,.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и /^-Т^СиЛ^ (0<Х<0,015).

7. Эффекты и свойства, имеющие прикладное значение и вытекающие из особенностей физических свойств монокристаллов ТЮа8е2, /?-Т11п82,

Т11п8е2 и Си1п8е2 и твердых растворов на их основе, выявленных при исследовании электрических, оптических и фотоэлектрических явлений.

Апробация работы. Результаты исследований докладывались на: Всесоюзном совещании «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов», Калинин, октябрь, 1985г., Второй Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников», Черновцы, октябрь. 1986г., У-ой Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, октябрь, 1987г., Координационном совещании социалистических стран по физическим проблемам оптоэлектроники, Баку. Октябрь, 1989г., УШ-ой Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям, Кишинев, сентябрь, 1990г., Третьей Всесоюзной научно-технической конференции «Материаловедение халькогенидных полупроводников», Черновцы, 1991г., IX -ой Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям», Якохама, август, 1993г., Япония., Первой Международной научно-технической конференции «Материаловедение алмазободобных и халькогенидных полупроводников», Украина, Черновцы, 1994г., Н-ой Международной конференции «Оптика полупроводников», УлГУ, Ульяновск, 2000г., 1У-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяновск, 2002г., У-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УлГУ, Ульяовск, У1-ой Международной конференции «Опто-,наноэлекторника, нанотехнологии и микросистемы»., УлГУ, Ульяновск-Астрахань, 2004г., XI Всероссийская конференция «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург, 2004г. и других конференциях.

Достоверность результатов Всесторонний характер исследований, проведенных автором данной работы на одних и тех же образцах с использованием различных методик физического эксперимента, убеждает в достоверности, представленных результатов и обоснованности выводов, следующих на их основе. Все полученные результаты по исследованным объектам достаточно обоснованы и сопоставлены как с теоретическими расчетами зонных структур, так и с экспериментальными результатами других авторов. Публикации. Результаты диссертационной работы опубликованы в 52 научных трудах и 2-х авторских свидетельствах. Список приводится в конце автореферата.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, 7 глав, приложения, заключения и выводов. Она содержит 399 страниц компьютерного текста, 128 рисунков и 34 таблицы; в списке литературы 377 наименований.

Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, опубликованы в следующих работах:

1. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Область гомогенности системы Т11п8е2-Си1п8е2. // Труды Всесоюзной конференции кафедр физики нефтегазового профиля. - Уфа. - 1980. - С. 16.

2. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. и другие. Некоторые особенности релаксации фотопроводимости ТЮа82. // Труды Всесоюзной конференции кафедр физики нефтегазового профиля. - Уфа. - 1980. - С. 17.

3. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Исследование областей гомогенности системы TlInSe2-CuInSe2 (0 < X < 1). //Изв.Вузов. Физика. -1981. - №8. (Рук. Деп. в ВИНИТИ. Рег.№ 3113-81 Деп.).

4. Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Релаксации фотопроводимости монокристаллов TlGaS2. // Изв.Вузов. Физика. 1981. - №8. (Рук. Деп. в ВИНИТИ. Рег.№ 3191-81 Деп.)

5. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Диаграмма состояния системы TlInSe2-CuInSe2. //Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1984. -Т.20. - №10. - С. 1618-1620.

6. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Параметры элементарной ячейки и ширина запрещенной зоны твердых растворов CuxTli.xInSe2. // Изв.АН СССР. Сер.Неорганические материалы. - 1984. - Т.20. - №10. -С.1752-1755.

7. Guseinov G.D., Matiyev A.Kh., Malsagov A.U. and others. Effect of Pressere on electrical conductivity of TlInSe2 single crystals. // Phys.Stat.Sol. (a). - 1985. -V.90.-P.703.

8. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Влияние давления на электрические свойства р - TlInSe2. // ФТП. - 1985. - Т. 19. - В.5. - С.858-856.

9. Матиев А.Х., Кульбужев Б.С. Влияние гидростатического давления и одноосной деформации на электрические свойства монокристаллов TlInSe2. // Республиканская научно-техническая конференция молодых ученых и специалистов. Тезисы докладов. - Грозный. - 1985. - С.96.

10. Мальсагов А.У., Гусейнов Г.Д., Матиев А.Х. Влияние давления на электропроводность монокристаллов CuInSe2 Cuo,o2Tlot98lnSe2. // Всесоюзное совещание «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов». Тезисы докладов. -Калинин. - Октябрь. - 1985. - С.192.

11. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Изменение проводимости смешанных кристаллов CuxTl].xInSe2. // Изв.Вузов. Физика. - 1985. - №8. (Рук. Деп. в ВИНИТИ. Рег.№ 2884-85 Деп.).

12. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. и другие. Фотоэлектрические свойства монокристаллов Tli.xAgxInSe2 (X = 0 - 0,03). //Доклады АН Азерб. ССР. - 1985. - Т.41. - № 5. - С.20-23.

13. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Фоточувствительный материал. // A.C. СССР. №397691. - 1985. - ДСП.

14. Мальсагов А.У., Матиев А.Х.,Гусейнов Г.Д. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов CuxTli.xInSe2. // Вторая Всесоюзная конференция «Материаловедение халькогенидных и кислородо-содержащих полупроводников». - Черновцы. - Октябрь. - 1986. - С.88.

15. Мальсагов А.У., Матиев А.Х., Гусейнов Г.Д., Детектор рентгеновского излучения. // A.C. СССР. №126830. - 1986. - ДСП.

16. Мальсагов А.У., Матиев А.Х., Цмоць И.М. Оптические и магнитные свойства монокристаллов CuxTlixInSe2. // V Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». - Кишинев. - Октябрь. -1987.-С.115.

17. Мальсагов А.У., Матиев А.Х., Котченко А.П. и другие. Влияние магнитного поля на гирацию кристаллов TlGaS2xSe2(i.X). // V Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». - Кишинев. -Октябрь. - 1987.-С. 114.

18. Мальсагов А.У., Матиев А.Х. и другие. О некоторых оптических и электрических свойствах смешанных кристаллов TlxAYxB3C62. // Труды координационного совещания соц. стран по физическим проблемам опто-электроники. («Оптоэлектроника»). - Баку. - Октябрь. - 1989. - С.50.

19. Malsagov a.u., Matiyev A.Kh., Shubnikov M.L. Galvanomagnetic and optical properties of mixed crystals Tli.xCuxInSe2. // Eight international conference and multinary compounds. USSR. - Kishinev. - September. - 1990.

20. Матиев A.X . Фазовые равновесия и электронные свойства системы TlInSe2-CuInSe2. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. - 1991. -207с.

21. Матиев А.Х., Мальсагов А.У. Край собственной полосы поглощения кристаллов CuxTlixInSe2. // Третья Всесоюзная конференция «Материаловедение халькогенидных полупроводников». - Черновцы. - 1991. - С.89.

22. Matiyev A.Kh., Ismailov R.Z. Optical and Electrical properties of Crystals A1B3C62, T1B3C62 and solid solution based on them. // The 9-th international on ternary and multinary compounds. Yokochama. - Japan. - Auqust. - 1993.

23. Матиев A.X., Хамхоев Б.М. Фазовые равновесия в некоторых системах Т1В3С62 - А'В3С62. // Первая Международная научно-техническая конференция «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников». Украина. - Черновцы. - 1994.

24. Матиев А. X., Исмаилов Р.З. О некоторых физических свойствах монокристаллов A'B3C62, А3В3С6г и твердых растворов на их основе. // Первая Международная научно-техническая конференция «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников». Украина. -Черновцы. - 1994.

25. Матиев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов р -TlGaSe2 - п - CuInSe2. // Тезисы докладов научно-практической конференции, посвященной 80-летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. Грозный. - Ноябрь. -2000. -С.18-19.

26. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения и отражения монокристаллов TlixCuxInS2. // Тезисы докладов Международной конференции «Оптика полупроводников». УГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2000. - С.22.

27. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Колебательные спектры монокристаллов Tl,.xCuxInS2. // Тезисы докладов научн. конференции ИнгГУ. - 2000.-С.243.

28. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения монокристаллов Tl,.xCuxInS2. // Тезисы докладов научн. конференции ИнгГУ. - 2000.-С.245.

29. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. ИК- и КРС спектры монокристаллов TlixCuxInS2. // Тезисы докладов Международной конференции «Оптика полупроводников». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2000. - С.30.

30. Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Влияние одноосной деформации на электропроводность монокристаллов TlixCuxInSe2. // Рук. деп. в ВИНИТИ. Per. №3145-00 от 14 декабря 2000.

31. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Колебательные спектры монокристаллов Tl!xCuxInS2. // Тезисы докладов научно-практической конференции, посвященной 80-летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. Грозный. - Ноябрь. - 2000. - С. 17.

32. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения монокристаллов TlixCuxInS2. // Тезисы докладов научно-практической конференции, посвященной 80-летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. Грозный. - Ноябрь. - 2000. - С. 18.

33. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Микро-зондовый анализ системы Tli.xCuxInS2. // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. - Грозный. Вып. 1. - Ноябрь. - 2001. - С. 124-136

34. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Фотоэлектрические характеристики Tli.xCuxInS2 (X = 0 - 0,015). // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. — Грозный. Вып. 1. - Ноябрь. - 2001. - С. 136-140.

35. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Кодзоев И.С. и другие. Фотопроводимость в кристаллах твердых растворов Tli.xCuxGaSe2, /?-Tli.xCuxInS2 и TlixAgxGaS2. //Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлек-троника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2002. - С. 123.

36. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Аушев А.А.-Х. Формирование края собственной полосы поглощения в кристаллах TlixCuxGaSe2, /?-TlixCuxInS2 и Tli.xAgxGaS2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлек-троника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2002. - С Л 24.

37. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Труды ИнгГУ. - 2002. - Вып. 1. - С.466-470.

38. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Анизотропия, дисперсия и элетро-оптические эффекты в кристаллах TlGaSe2 и TlInS2. // Труды 5-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2003. - С. 13.

39. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Край собственной полосы поглощения в кристаллах Tl!xCuxGaSe2, Tli.xCuxInS2 и TlixCuxInSe2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УГУ. -Ульяновск. - Июнь. - 2003. - С.14.

40. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Магомадов P.M. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. -2004.-Т.40. - №10.-С.1168-1170.

41. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н. Термостимулированная проводимость и деполяризация в кристаллах TlGaSe2 и /?-TlInS2. // Изв. Вузов. СевероКавказский регион. Естественные науки. - 2004. -№ 10. - С.37-44.

42. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н.,Хамхоев Б.М. Токи ограниченные объемными зарядами в ТЮа8е2 . // Изв. Вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. - 2004. - № 9. - С.29-35.

43. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н., Хамхоев Б.М. Фотопроводимость /?-Т11хСих1п82(0<Х<0,015). // Изв.Вузов.Северо-Кавказский регион. Естественные науки. - 2004. - № 10. - С.33-37.

44. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н., Хамхоев Б.М. Фотопроводимость Т1].хСихСа8е2 (0<Х<0,02). // Изв. Вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. - 2004. - № 9. - С.36-40.

45. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Температурная зависимость изменения ширины запрещенной зоны Си1п8е2 и AgInSe2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Октябрь - 2004. - С.32.

46. ГеоргобианиА.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектральные характеристики фотопроводимости монокристаллов Т11.хА§х1п8е2 (0 < X < 0,03), Т1].хСих1п8е2 (0 < X < 0,025). // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Октябрь.-2004. - С.82.

47. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграммы состояния систем Т11п8е2-Си1п8е2, TlInSe2-AgInSe2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УГУ. - Ульяновск. -Октябрь.- 2004. - С. 132.

48. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрические кие свойства Т1].хСихОа8е2 (0 < X < 0,02). // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. -Октябрь.-2004. -С.81.

49. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов Т11.хСихОа8е2/Т11п82 (0 < X < 0,02). // Труды

Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Октябрь - 2004. - С. 102.

50. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов Т^.хСихОаЗе/ГИпЗг (0 < X < 0,02). // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - Т.4. - С.230-233.

51. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграммы состояния систем Т11п8е2 - Си1п8е2 и Т11п8е2 - AgInSe2. // Т руды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - Т.4. - С.225-230.

52. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фазовые равновесия в системах ТЮа8е2 - СиЮа8е2 и ТПпБг - Си1п82. // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - Т.4. - С.233-238.

53. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграммы состояния систем Т11п8е2 - Си1п8е2 и Т11п8е2 - А§1п8е2. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. - 2005. - Т.41. - №2. - С.1168-1170.

54. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграммы состояния систем ТЮа8е2 - СиОа8е2. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. -2004.-Т.41. - №3.-С.148-150.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моему научному консультанту, главному научному сотруднику ФИ им. П.Н. Лебедева РАН, академику РАЕН, доктору физико-математических наук, профессору Анатолию Неофитовичу Георгобиани за постоянное внимание к работе, помощь, ценные советы и замечания.

Искренне признателен директору отделения физики диэлектриков и полупроводников, заведующему лабораторией низкотемпературных исследований ЛФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, доктору физико-математических наук, профессору Р.В. Парфеньеву, старшему научному сотруднику, кандидату физико-математических наук М.Л. Шубникову за предоставленную возможность и помощь в проведении низкотемпературных исследований под различными видами деформации. Выражаю искреннюю признательность коллективу кафедры общей физики Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова за оказанную помощь в работе.

1. Offegeld G.D. Semiconductive materials containing thallium. // Patent USA. №3110685.

2. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. Constitutional diagram and physical properties of TlSe2 InSe pseudabinary system. - Mater.Ress.Bull.- 1972.-V.7.-№ 12. P.1497-1504.

3. Guseinov G.D., Abdullayev G.B., and others. On new analogs of TISe- type semiconductor compounds. // Phys.Letters. 1970. - V.A33. -№7 -P.421-422.

4. Гусейнов Г.Д. Поиск и физические исследования новых полупровод-ковых-аналогов. Диссертация на соиск. уч. ст. докт. физ.-мат. наук. Баку, 1969.-360с.

5. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. и другие. О сложных аналогах полупроводников типа TISe. // Деп. в ВИНИТИ, № 6398, 1973. 12с.

6. Гусейнов Г.Д., Сеидов Ф.М. и др. О псевдобинарной системе TlSe-GaSe // Журнал физической химии. 1972. - № 3.- С.803-804.

7. Hahn Н., Frank G., and others. Über einige temäre chalkogenide mit chalcopyrite structur. // Z. anorg. allg. Chem. -1953.- V.271.- P. 153-170.

8. Палатник JI.C., Рогачева Е.И. Диаграммы равновесия и структура некоторых полупроводниковых сплавов А'2С6- В32С6з.- // Доклады АН СССР.- 1967.-Т. 174.-№ 1.- С.80-83.

9. Горюнова H.A. Химия алмазоподобных полупроводников. Л.: Изд-во ЛГУ.-1963.-260 с.

10. Петров A.B., Штрум Е.Л. Теплопроводность и химическая связь соединений АВХ2. // ФТТ. 1962. Т.4. - № 6. - С.1442-1446.

11. Новикова С.И. Исследование теплового расширения GaAs и ZnSe. //ФТТ. 1961.-Т.З.-№ 1. -С.178-181.

12. Бергер Jl.И., Боднарь С.А. и др. Термодинамические свойства группы1 л /■тройных соединений А В С 2- // Сб. «Химическая связь в кристаллах полупрводников и полуметаллов». Минск: «Наука и техника». -1973.- С.248-254.

13. Палатник Л.С., Е.К. Белова. Исследование закономерностей в полупроводниковых ситемах типа А'2С6- В32С63. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1967.-Т.2. -№12.-С2194-2202.

14. Guseinov G.D., Ramazanzade A.M. and others. Abaut a group of three component compounds being analogous to binary semiconductors of the A3B6 type. // Phys. stat. solidi. 1967. - V.22. - № 2. - P.kl 17-kl22.

15. Guseinov G.D., Mooser and others. On some properties of TlInSe2(S2,Te2) single crystals. // Phys.Stat.Sol. 1969.- V.34. - № 1. - P.33-34.

16. Guseinov G.D., Abdullayev G.B., and others. Constitutional diagram and physical properties of TISe InSe pseudobinary system. // Mat. Res. Bull.- 1972. V.7. - №12. - P. 1497-1504.

17. Бабанлы М.Б., Кулиев A.A. Исследование систем TlGaS2 TlGaTe2, TlInSe2- TlInTe2. // Азерб. Хим. Журнал. - 1977. - №4. - C.l 10-112.

18. Гусейнов Г.Д. Некоторые итоги и перспективы поиска сложных полупроводниковых аналогов. // УФЖ. 1969. - Т.99. - №3. - С.508.

19. Hahn Н., Weltman. Über ternare chalkogenid des Thalliums mit gallium and indium. // Die Naturwss. 1967. V.54. №2 - Ps.42.

20. Müller V., Eulenberger C., Hahn H. Über ternäre Thalliums chalkogenid mit Thallium selenid structur. // Z.anarg.Chem. - 1973.V.398. - №2 -P.207-220.

21. Muller D., Poltmann E. and Hahn H. Zur structur ternarer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium and Indium. // Z. Naturforsch. 1974. - V.29. -№1. -P.117-118.

22. Hahn H. and Wellmann. Über ternare chalkogenid des Thalliums mit

23. Gallium und Indiuv. // Naturwlesenahften. 1967. - V.54.- №1 - P.42.

24. Isayev T.J. Crystal data crowth for thallium, gallium diselede TlGaSe2. // J. Appl. Cryst.allogr. 1973. - V.6. - №5. - P.413-414.

25. Isayev T.J. and Hopkins B.H. Crystal growth, symmetry and physical properties of thallium, gallium disulphide TlGaSe2. // J.of Crystal Crowth. -1975. V.29. - №1. - P.121-122.

26. Isayev T.J. and Felchtner J.D. Crowth and ohtical properties of TlGaSe2 and /?-TlInS2. // J.of Solid St.Chemistry. 1975. - V.14. - №3. - P.260-263.

27. Müller D.V. and Hahn. Zur Struktur des TlGaSe2. // Z. anorg. allg.chem.-1978. V.438. - №3. - P.258-272.

28. Бабанлы М.Б., Кулиев A.A. Оценка теплот и энтропии плавления халькогенидов типа Т12С6(С S, Se, Те) и Т1В3С62(В - Ga, In; С - S, Se, Те). // Уч. зап. Азерб.гос.ун-та, сер. химич. наук.- 1976. - №1. - С.31-36.

29. Joffe J.E. Zanger A. Electrical structure of the ternary Chalcopyrite seviconductors CuA1S2, CuGaS2, CuInS2, CuAlSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev.(B). 1983. - V.28. - №10. - P. 5822-5847.

30. Phillips J.C. In. Festköperprobleme XVI. // Advn. Solid State Phys. Frankfurt: Pergamon. Press. 1977. P.35.

31. Shukat A., Singh R.D. Tetragonal distortion for A'B3C62 Chalcopyrite Compjunds. // Phys. Chem. Solids. 1978. - V.39. - №12. P. 1269-1272.

32. Жузе В.П., Сергеева B.M., Штрум E.JI. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2. // Журнал технической физики. 1958. Т.28. - №10. - С. 2093-2108.

33. Müller A., Mcknnon A., Weare D. Beyond the binaries the Chalcopyrite and related Semiconducting Compounds. // Phys.State Solid: Phys. Adv. Rev. and Appl. 1980. -V.36. - №V. - P.l 19-125.

34. Червова A.A. О ширине запрещенной зоны TlGaSe2. // Учен. зап. Горь-ковского ун-та, сер. физ.- 1972. №149. - С.16-18.

35. Червова А.А. Фотопроводимость и термостимулированная проводимость TlGaSe2 и TlInSe2. // Рукоп. депон. в ВИНИТИ. №53-67 от 7 января 1976.-С. 10.

36. Карпович И.А., Червова А.А., Демидова А.И. Ширина запрещенной зоны TlGa(S, Se)2 и TlIn(S, Se)2. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы.- 1974. Т.10. №12. С.2216-2218.

37. Ахмедов A.M. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов TlInSxSe2x. // ФТП.- 1978. Т. 12.- №3. - С.520-523.

38. Бахышев А.Э.,Ахмедов A.M. и др. Температурная зависимость края полосы поглощения TlInSxSe2.x. // Изв. ВУЗов. Физика. Рук. деп. в ВИНИТИ. - №404-77 от 1 февраля 1977. - 6с.

39. Guseinov G.D., Abdullayeva S.G., Godzhaev F.M. and others. Electro-absorption of TlInS2 single crystals. //Phys. St.Sol.(b). 1977. - V.81. - №1- P.k47-k50.

40. Бахышев А.Э.,Ахмедов A.M. Диаграммы состояния и диаграммы состав свойства TlGaS2 - TlGaSe2 и TlInS2 - TlInSe2. // Изв. АН СССР. Неоргган. матер. - 1979. - Т.15. - №3. - С.417-420.

41. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L., Godzhaev F.M. and others. Excitons in TlGaSe2. // Phys.St.Sol.(b). 1981. - V.103. - P.k61-k63.

42. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L. and Mamedov N.T. Near Band - Edge Optical properties of TlGaS2xSe2(i.x) mixsed crystals. // Phys.St.Sol.(b). -1980. - V.102. -P.kl9-k22.

43. Бахышев А.Э., Халафов З.Д., Салманов B.M. и др. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGaS2. // ФТП. — 1976.-Т.10.-С.1950-1952.

44. Бахышев А.Э., Лебедев А.А., Халафов З.Д. и др. Оптические и фотоэлектрические исследования кристаллов. TlGaS2. // ФТП. 1978. - Т. 12. №3. -С.555-557.

45. Тагиров В.И., Бахышев А.Э., Собеих М.А. и др. Фотопроводимость и люминесценция TlInSe2. // Изв.ВУЗов. Физика. -1978.- №11.-С.131-132.

46. Бахышев А.Э.,Ахмедов А.М.,Самедов С.Р. и др. Характер края основной полосы поглощения твердых растворов TlInS2XSe2(i-X). // V Всесоюзная конференция по химии, физике и техн. применению халькогенидов Тезисы докладов. Баку. 1979. - С.74.

47. Бахышев А.Э., Гасанова Л.Г., Лебедев A.A. и др. Исследование длинноволнового края TlInSe2 по поглощению и фотопроводимости. // ФТП. 1981. - Т.15. - №4. - С.808-810.

48. Балтрамеюнас Р., Веицкас Д., Зейналов Н. и др. Фотопроводимость и дифракция света в монокристаллах TlInS2. // ФТП. 1982. - Т. 16. -№ 9.- С.1696-1697.

49. Балтрамеюнас Р., Жукаускас А., Зейналов Н. и др. Люминесценция монокристаллов TlInS2 при лазерных уровнях возбуждения. // ФТП. -1983. Т. 17. -№ 10. -С.1898-1900.

50. Бакиров М.Я., Абуталибов Г.И., Зейналов Н.М. Ширина запрещенной зоны и энергия связи экситона в монокристаллах TlInS2. Н ФТП. 1983.- Т.17. №7. — С.1357.

51. Абуталибов Г.И., Абдуллаева С.Г., Зейналов Н.М. Оптическиесвойства монокристаллов TlInS2. // ФТП. 1982. - Т. 10. - №11. -С.2086-2088.

52. Абдуллаева С.Г., Беленький Г.Л., Мамедов Н.Т. Экситонные состояния в слоистых полупроводниках TlGaS2xSe2(i.X). // ФТП. 1981. - Т.15. -№5. -С.943-948.

53. Абдуллаева С.Г., Абдуллаев H.A., Беленький Г.Л. и др. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS2. // ФТП. 1983. - Т.17. - №11. - С.2068-2069.

54. ТереховаС.Ф., Онищенко H.A., Гусейнов Г.Д. Силы осцилляторовэкситонных переходов монокристаллов TlInS2, TlGaS2, TlGaSe2. // Укр.физ.журнал. 1983. - Т.28. - №10. - С.1557-1560.

55. Абдуллаева С.Г.,Абдинбеков С.С., Аксянов Н.Г. Электропоглощение монокристаллов TlGaSe2 и TlGaS2. // Докл.АН Азерб. ССР. — 1981. — Т.37. №9. С.33-35.

56. Карпович И.А., Червова A.A., Демидова М.И. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TlGaS2, TlGaSe2 и TlInS2. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1872. - Т.8. - С.70-72.

57. Карпович И.А., Червова A.A. и др. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов м пленок TlInSe2. // Вузов. Физика. №5. - С. 157-159.

58. Демидова М.И., Карпович И.А., Червова A.A. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства пленок TlIn(S2,Se2). //.Учен. зап. Горьковского университета, сер. физ.-мат.наук. 1975. №1.- С.58-62.

59. Алексеев И.В., Алиева М.Х., Казиев Ф.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TlInSe2. // Изв. АН Азерб. ССР,сер. физ.-техн. и мат. наук. 1974. - №4. - С.9-12.

60. Алексеев И.В., Алиева М.Х., Казиев Ф.Н. Исследование термостиму-лированной проводимости и кинетики фототока в монокристаллахр TlInSe2. // Изв. АН Азерб.ССР,сер. физ.-техн. и мат. наук. - 1975. -№1.-С.58-62.

61. Алиева М.Х., Алексеев И.В., Казиев Ф.Н. Прилипание основных носителей в монокристаллах р TlInSe2. // Изв. АН Азерб.ССР,сер. физ.-техн. и мат. наук. - 1975. - №4. - С.70-76.

62. Тагиров В.И., Бахышев А.Э. и др. Примесные уровни в нелегированных монокристаллах TlInSe2 и твердых растворов на их основе. // ФТП. 1980. - Т. 14. - №6. - С. 1056-1063.

63. Бахышев А.Э., Сайфуат Булес, Самадов С.Р. Энергетический спектр электронов соединений типа TlGaS2 и TlInSe2. // В кн. Неравновесные процессы в твердотельных и газовых плазмах. — Баку.: Изд.-во АГУ. -1983. -С.16-19.

64. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. Пьезофоторезистивный эффект в монокристаллах TlInSe2. // Докл. АН СССР.- 1973. Т.208. - №5. -С.1052-1054.

65. Абдуллаев Г.Б., Гусейнов Г.Д., Рустамов В.Д. Новый фотоакустический эффект. // Докдл. АН Азерб. ССР. 1976. - Т. 32. № 1. - С.20-21.

66. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. The piezoresitive effect in the p- TlInSe2 single crystals. // Matt.Ress.Bull. 1977. - V.12. №1. - P. 115118.

67. Guseinov G.D., Guseinov G.G., Kerimova and others. Structure and growth poculiaritiec of TlSe2 TlInSe2. // Matt.Ress.Bull.- 1978.- V.13. № 9. -P.975-082.

68. Бахышев А.Э., Тагиров В.И., Агаева М.Ф. и другие. О ширине запрещенной зоны TlInSe2. // Тезисы докл. IV Республ. Межвузовской конференции по физике. Баку. - 1978. С.982.

69. Матиев А.Х. Фазовые равновесия и электронные свойства системы TlInSe2 CuInSe2: Диссертация на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. Грозный, 1991. - 207С.

70. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г.С. Расчет энергетического спектра электронов тройных полупроводниковых соединений со структуройселенида таллия. // Докл. АН Азерб. ССР. 1980. - Т.36. - № 12. - С. 18-23.

71. Оруджев Г.С. Расчет электронного спектра полупроводниковых соединений типа TISe: Автореферат диссертации на соиск. учен. степ, канд. физ.-мат. наук. Баку. -1981.

72. Goodman C.H.L. and Dougeas R.W. New semiconducting compounds of diamod type, structure. //Physica. 1954. - v.20 - №11. - P.-l 107-110

73. Tempel A., Schumann B. Determination of lattice parameters at thin epitaxial by RHEED // Cryst. and Technol. 1979. - V.14. - №5. - P.571 -574.

74. Schuman R., Neumann H., Nowak E. Influence of substance surface polarity on epitaxial layer growth jf CuInSe2 on GaAs. // Cryst. Res. and Technol.- 1981. V. 16. - №6. - P.675-680.

75. Durny R., Hiel A.E., Tomlinson R.D. Preparation of amorphous CuInSe2 thin films. // Thin. Solid films. 1980. - V.69. - №2. - P.k 11-k 13.

76. Kazmerski L.L., Ayyagri M.S. and others. Growth and properties of vacuum deposited CuInSe2 thin films. //Vac. Sei. Technol. 1976. - V.13. -№1. — P.139-144.

77. Neuman H., Schuman В., Novak E. and others. Influence of course composition on the properties of the flash evaporated thin films in the CuIn-Se. system. //Ciyst. Res. and Technol. 1983. - V.18. - №7. - P. 895 -900.

78. Kennet Jones. The lattice micmatch bettween (112) Chalcopyrite filmsand (001) CdS substracters. //J. Ciyst. growth. 1979. - V.47. - №2. - P.235 -244.

79. Драбкин И.А. Моижес Б.Я. О донорных и акцепторных центрах в полупроводниках А'2 XVI и А1 Вш Xv,2 (где: А1 Си, Ag; В,п - Al, Ga, In; XVI - S, Se, Tl). //Физика и техника полупроводников. - 1987.1. Т.21. №9. -С.1715-1718.

80. Parkers J., Tomlinson R.D. and Hampshire M.J. Electrical properties of CuInSe2 single crystals. //Sol. Stat, electronic. 1973. - V. 16. - P.773 -777.

81. Parkers J., Tomlinson R.D. and Hampshire M.J. The fabrication ofp and n - type single crystals of CuInSe2. //J. of Cryst. Growth. - 1973. - V.20 -№4. -P.315 -318.

82. Shin I., Vahid Shahidi, Champness C.H. Some characteristics of In -diffused CuInSe2 homojunctions. //J.Appl. Phys. 1984. - V.56. - №2.1. P.421-423.

83. Аверкиева Г.К., Медведкин Г.А., Яковенко А.А. Положительное кристаллическое расщепление в CuInSe2. // Физика и техника полупроводников. 1983.-Т. 17. - №11. - С.2081-1084.

84. Austin I.G., Goodman C.H. and Pengelly A.E. New semiconductors with the chalcopyrite structures. // J. of the Electronic Society. — 1956. V.103. - №11. -P.609-610.

85. Абдинов А.Ш. Мамедов B.K. Нурулаев Ю.Г. Электрические свойства монокристаллов CuInSe2. //Докл. АН Азерб. ССР. 1980. - Т.36. -№10.-С. 17-20.

86. Look D.C., Neuman Н. and others. Impurity state in CuInSe2. //Cryst. Res. and Technol. 1981. - V. 16 - № 12. - P. 1369-1376.

87. Neuman H., Tomlinson R.D. and others. Electrical properties of the /?-type CuInSe2 single crystals. //Phys. Status Solidi. 1979. - V.56. - №2. -P.kl37-k 140.

88. Von Barodeleben H.I. Selenium self-diffusion study in the I-III-VI semiconductors: CuInSe2. //J. AppL. Phys. 1984. - V.56 - №2. - P.321 -326.

89. Sobota H., Neumann H., Riede V. and others. Influens of impurities and Free Garries on the optical properties of CuInSe2. //Phys Stat. Sol. {a)1980.-V. 60.-Р.531.

90. Bachmann К. J., Heily Fear M. and others. Phase relation in the Cu-In-Se. system and properties of CuInSe2 Single Crystals. // Appl. Phys. Lett. -1984. V. 44. - №4. - P.407-409.

91. Рогачев Е.И. и др. Исследования областей гомогенности тройных полупроводниковых халькогенидов типа А'В111^^. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1966. - №2. - С.695-666.

92. Wasin S.M. Noguera A. Transport properties of «-type CuInSe2. // Phys Status Solidi. 1984. - V.82. - №2. -P.553-559.

93. Белевич H.H. Маковецкая JI. А. О механизмах переноса зарядки и магнетосопротивлении в CuInSe2. //X Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Минск. - 1986. -41. -С.138-139.

94. Bodnar I.V., Bologa А.Р., Lukomsky A.I. Optical properties of solid Solutions CuGaxIn!.xSe2. // J. Cryst. Research and Technol. 1982. - V.17. -№ll.-P.kl09-klll.

95. Bodnar I.V., Bologa A.P., Korzun B.V. Composition dependence of Band gap of CuGaxIni.xSe2 solid solutions. //Phys. Status. Solidi. (6). 1982. -V.109. -F.k31.

96. Bodnar I.V., Bologa A.P. Investigation of the CuGaxInj.xSe2 solid solutions. // Cryst. Res. Technol. 1982. - V.17. - №3. -P.339-344.

97. Makovetskaya L.A., Bodnar I.V. others. Thermal conductivity thermoelectric power and thermal expansion of CuInS2xSe2(i.x). // Phys. Status. Solidi. 1982. V.74. - №1 - P.k 59-k62.

98. Бондарь И.В., Карагоза А.Г., Корзун Б.В. и др. ИК спектры твердых растворов CuInS2xSe2(i.X). //Журнал прикладной спектроскопии. - 1982. Т.36. - №3. - С.451-454.

99. Bodnar I.V., Korzun B.V., Lukomsky A.I. Composition dependence of the band of CuInS2xSe2(i-X). // Phys. Status. Solidi. 1981. V. 103. - №61. Р.к143.

100. Бояринцев П.К., Уфимцев В.Б., Харахорин Ф.Ф. Фотоэдс твердых растворов CuInSe2-CuInS2.//Физика и техника полупроводников.-1979. -Т.13. -№1. -С.161-163.

101. БаланевскаяА.Э. Физические свойства и энергия кристаллической решетки соединении AiBhiCVI2.// Автореферат кандидатской диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук. МИСиС. Москва. - 1971.

102. Höring W., Neumann Н. and others. Temperature dependence of the absorption in CuInSe2. // Phys. Stat. Sol. 1980. - V.80. - P.k21.

103. Kazmerski L.L., Hallerdt M. and others. Optical properties and grain bondary effects in CuInSe2. //J. Vac. Sei. and Technol., Sos. Baltimore, Md. 16 -19 Nov. - 1982. - P.395-398.

104. Абдинов А.Ш., Мамедов B.K. Фотопроводность монокристалловп CuInSe2. //Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т. 14. - №5. - С.892-896.

105. Neumann Н., Perlt В., Abdul-Hussein N.A.K. Optical properties of CuInSe2 thin films prepared. //Beg R.F. Sputtering H Cryst. Res. and Technol.1982. V. 17. - №4. - P.469-474.

106. Rincon O., Gonzaler J., Sancher Perer G. Reflectance and absorption spectra near the band gap in CuInSe2. //Solid. State Commun. 1983. -V.48. - №12. -P.1001-1002.

107. Rincon G., Gonzaler J., Sancher Perer G. Temperature dependence of the energy gap in CuInSe2. // Phys. Stat. Sol. 1983. - V.l 17. №2 - P.kl23 -kl26.

108. Neumann H., Tomlinson R.D. and others. Polarization Dependent Infrared reflektinity spectra of CuInSe2.// Phys. Stat. Sol.(6) - 1983. -V.l 18. -P.k51-k 56.

109. Riede V., Sobotta H., Neumann H. and others. Infrared lattice vibration spectra of CuInSe2 and CuGaTe2.// Solid. State Commun. 1978. - V.28. -P.449-454.

110. Rincon G., Sancher Perer G. Influence of the carries concentration of the optical absorption edge of w-CuInSe2. // Solid. State Commun. 1984. -V.50. - №10. -P.889-901.

111. Sobotta H., Neumann H., Kissinger W. and others. Two-Phonon absorption spectra in CuInSe2. // Phys. Stat. Sol.(b). 1981. -V. 103. - №2. -k 125 -kl29.

112. Гавриленко В.И., Грехов A.M, Корбутяк Д.В. Оптические свойства полупроводников. // Справочник АН УССР. Киев: «Наукова Думка». - 1987.-С.608.

113. Абдинов А.Ш., Гасанова Л.Г., Мамедова В.К. Край полосы поглощения монокристаллов CuInSe2. // Физика и техника полупроводников. -1981. №1. - С.2245-2247.

114. Parkers J., Tomlinson R.D., Hampshire M.J. Electrical properties of CuInSe2 singe crystals. // Sol. State Electron. 1973. - V.16. - №7. -P.773-777.

115. Shay L.M., Tell B. and others. P-d hybridization of the lattice band of 1-11-VI2 compounds.// Phys. Rev. (b). 1972. V.5. - №12. - P.5003-5005.

116. Heince V., Van Vechten J.A. Effect of decfronehole pairs on fonon freguncies in Si related to temperature dependence of band gap. // Phys. Rev. 1976. - V.13. - P.1622-1626.

117. Neumann H., Sobotta H. and others. Holl Effective Masses in CuInSe2. // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. - V108. - №2. - P.483-487.

118. Masse G., Redia E. Radioactive recombination and Shollow Centers in CuInSe2. // J.Appl. Phys. 1984. - V.56. - №4. - P. 1154-1159.

119. Von Y.P. Evidence for a donor-acceptor pair band in CuInSe2. // Solid.

120. State Commun. 1976. - V.18. - P.395-397.

121. Migliorato P., Shay L.M. and Kasper J.L. Electrical properties and luminescence of CuInSe2. // J. Electron Matirials. 1975. - №4. - P.209.

122. Migliorato P., Tell B. and others. Junction electroluminescence in CuInSe2. // J. Appl. Phys. Lell. 1974. - V.24. - №5. - P.227-228.

123. Wagner S., Shay J.L. and others. Lattice match and compatible electron affinities in In/CdS and CuInSe2/CdS heterojunctions. Ber. Bunsenges. // Phys. Chem. 1975. - V.79. - №11. - P.l 151.

124. Shay J.L., Tell B. and others. Electronic Structure of AgInSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev. (b). Solid. State. 1973. - V. 7 - №10. - part.l. -P.4485-4490.

125. Shay J.L., Tell B. Energy band structure of I-III-VI2 semiconductors. // Surface science. 1973. - V.37. - P.748-762.

126. Aspnes D.E., Rowe J.E. High-resolution interband energy measurements from electroreflectance spectra. // Phys. Pev. Lett. 1971. - V.27. - №4. — P.l 18-190.

127. Поплавной A.C., Полыгалов Ю.И. Структура энергетических зон соединений CuInS2, CuInSe2 и CuInTe2. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1971. Т.7. - №10. - С.1711-1713.

128. Харрисон У. Псевдопотенциалы в теории металлов. М.: «Мир». -1968.300 с.

129. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита ZnSiP2. //Изв. Вузов. Физика. 1969. -№11.- С.58-66.

130. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors. Growth, Electronic Properties and Applications.// Pergamon Press. Oxford. 1975. -P-245.

131. Lerner L.S. CuGaSe2 and AgInSe2: preparation and properties of singlecrystals. // J. Phys. Chem. Solids. 1966. V.27. №1. P.l-8.

132. Tell B., Shay J.L., Kasper H.M. Room-temperature electrical properties of ten I-III-VI2 semiconductors. //J. Appl. Phys. 1972. - V.43. - №5. -P.2469 - 2470.

133. Tell B., Kasper H.M. Electrical properties of AgInSe2. //J. Appl. Phys. -1974. V.45. - №12. - P.5367-5370.

134. Neumann H. Influence of intrinsic defects on the electrical properties of A lBmCm2 compounds.//Cryst. Res. and Technol. 1983. V.18.-№4. - P.483-490.

135. Neumann H. Nonstoichiometry and electrical properties of CuGaSe2 and AgInTe2.//Cryst. Res. and Technol. 1983. V.18. - №1. - P.k8- kl 1.

136. Tell B., Hammonds E. M., Bridenbauqh R.M, and Kasper H.M. Photoconductivity in AqInSe2 . //J. Appl. Phys. 1975. - V.46. - № 7. -P.2998-3001.

137. Tell B., Bridenbaugh P.M. and Kasper H.V. Photovoltaic properties of Cu2Se AgInSe2 heterojunctions. // J. Appl. Phys. - 1976. - V.47. - №2.-P.619-620.

138. Romeo N., Solal cells made by chalcopyrite materials. // Japan. J. Appl. Phys. 1980. - V.19. - №3.- Suppl. P.5-13.

139. Gorska M., Loferski J.J., Beaulieu R., Roesseler B. The utilization of I-III-VI2 ternary compound semiconductors in solar cells. // Phys. Semiconduct. Compounds. Proc. 10 Conf. jaszowiec. Appr. 22 30. 1980. Wroclaw, e.a. - 1981. - P.286-289.

140. Smith R.C. Device applications of the ternary semiconducting of the ternary semiconducting compounds. // J. Phys. 1975. - tome 36. - №9. - Suppl. P.89-99.

141. Chemla D.S. Application to ternary compounds with chalcopyrite structure. // Phys. Rev. Lett. 1971. - V.26. - №2, 3. - P.1441-1444.

142. Shay I.L., Tell В. Energy band structure of I-III-VI2 semiconductors. // Surface Sci. 1973. - V.37. - P.748-761.

143. Rife I. C., Dexter R.H., Bridenbaugh P.V. and others. Optical properties of the chalcopyrite semiconductors: ZnGeP2, ZnGeAs2, CuGaS2, CuA1S2, CuInSe2 and AgInSe2. // Phys. Rev. (B). 1977. - V.16. - №10. - P.4491 -4500.

144. Kanellis G., Kampas K. Far infrared reflection spectra of AgInSe2 and AgInTe2. // Mater. Res. Bull. 1978. - V.13. - №1. - P.9-16.

145. Shay I.L., Tell В., Kasper H.M., Schiavone L.M. Electronic structure of AgInSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev. (B). Solid State. 1973. - V.7. - №10. - part.l. - P.4485-4490.

146. Aspnes D.E. and Rove I.E. High-resolution interband energy measurements from electroreflectance spectra. // Phys. Rev. Lett. 1971. - V.27. - №4. -P.188-190.

147. Поплавной A.C., Полыгалов Ю.И. Структура энергетических зон полупроводников типа А1 Вш CVI2 : AgInS2 ,AgInSe2, AgInTe2 // Изв. Вузов физика. 1974. - № 3. - С.77-81.

148. Polygalov IPoplavnoi A.S. and Rather A .M. Anion shift influence on band structure of crystals with chalcopyrite lattice. // I. Physique. 1975. tome 36. - № 9. - Suppl. P.129-135.

149. Cohen M.L., Bergstressel Т.К. Band structures and pseudopotential form factors for fourteen semiconductors of the diamond and sincblende structures. // Phys. Rev. 1966. - V. 141. - № 2. - P.789-796.

150. Палатник JI.C., Кошкин M.A., Гальчинский Л.П. О механизме упорядочения в трехкомпонентных полупроводниковых системах. // ФТТ. 1962. - Т.9. - №9. -С.2365.

151. Moriarty I.A. Pseudopotential form factors for copper, silver and gold. // Phys.Rev. (B). 1970. - V.l. - № 4. - P.1363-1370.

152. Neumann H. Storstellen in ternaren Verbindungshabeitern vom Тур I-III-VI2 I I Wiss. Z. Karl-Marx-Univ. Leiprig. Math.-naturwiss. R. 1979. -V.28. - № 5. - P.537-541.

153. Глазов B.M., Миргаловская M.C., Петракова JI.A. Новые полупроводниковые материалы со структурой халконирита. // Изв. АН СССР. Отделение тех.наук. 1957. - № 10. - С.68-70.

154. Конытов А.В., Поплавной А.С. Решеточная динамика соединений А1 В3 С26 и А2 В4 С25 в модели жестких ионов. // Изв. Вузов .Физика.-Рукоп. деп. в ВИНИТИ.-№ 3875-82 от 20 июля 1982-53 с.

155. Bohmhammel К., Deus P., Kiihn G. Specific heat debye temperature and related properties of chalcopyrite semiconducting compounds CuGaSe2, CuGaTe2 and CuInTe2. // Phys. Status solidi. 1982. - V. - A.71.- № 2.-P.505-520.

156. Мальсагов А.У. Исследование физико-химических свойств тройных полупроводниковых соединений А1 В3 Сг и А1 В5 С62 при плавлении и в жидкой фазе: Диссертация на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. Москва.-1967.

157. Hiirig W., Neumann Н., Kiihr and others. Optical properties of CuGaSe2 near and above the fundamental absorption edge. // Short Notes. Phys. Stat.Sol.(b). 1978.- V.85.-P.k57.

158. Балуцкий B.H., Бондарь И.В., Гайсин В.А. и др. Люминесценция свободных экситонов в кристаллах со структурой халькопирита.

159. Труды 15 Всесоюзного семинара «Экситоны в кристаллах».- Рукоп. деп. в ВИНИТИ.- №2661-82. от 24 мая 1982.

160. Poure A., Leyris J.P., Aicardi J.P. Donor-acceptor transition in CuGaSe2. // P. Phys. C. Solid State Phys. 1981. - V. 14. - №4. - P.521-530.

161. Недзвецкий Д.С., Бондарь И.В., Серов А.Ю. и др. Низкотемпературная люминесценция связанных экситонов в кристаллах CuGaSe2.

162. Оптика и спектроскопия. 1982, - Т.52, - №3, - С.570-572.

163. Gorska M., Loferski J.J., Rossler B. The utilization of I-III-VI6 ternfry compounds semiconductors in solar celles. // Phys. Semiconduct. Compound. Proc. 10. Conf. Apr. 22-30. 1980. Wroclaw. 1981. - P.286-289.

164. Wagner S. The utilization of ternary compounds. // Inst. Phys. Conf. Ser. -1977. №3 5. - P.205-215.

165. Binsma J.J.M. Defect chemistry of CuInS2 invectigated by electrical measure meuts and mossbayer spectroscopy. // J. Phys. and Chem. Solids. — 1983. V.44. - №3. - P.237-244.

166. Gorska M., Beaulien R., Loftrsky J.J. and others. CuInS2 films prepared by spray pyrolysis. //Solar Energy Matt. 1979. - V.l. - №3-4. - P.313-317.

167. Hwang H.L., Sun C.Y. Yang M.H. and others. A brief summary of research at Tsing Xua on CuInS2 a new photovoltaic material. // 15 IEEE Photovoltaic Spec. Conf. Kissinmufla. New York. - 1981. - P.1277-1282.

168. Касумов Т.К., Мамедов Ф.И., Рагимов И. Ф. и др. Фотопроводность в монокристаллах CuInS2. // Рукоп. деп. В ВИНИТИ №6420 - 83 от 30 ноября 1983.

169. Gonzales J.,Alberto Torres J., Sancher Peres G. Photoconductivity spectrum of p-type CuInS2 singl crystals. // Phys. Status solidi. 1982. - A69. -№1. - P.k 37-k 41.

170. Neuman H., Hogrig W., Savelev and others. The optical properties of CuInS2 thim films. // Thin Solid Films Electronics and optics. 1981. -V.79. - №2. — P. 167-171.

171. Neuman H., Hôgrig W., Savelev and others. The optical properties of CuInS2 thim films. // Thin Solid Films. 1981. - V.79. - №2. - P. 167 -171.

172. Joshi N. V. Experimental detection of missing Pi modin CuInS2 single crystal. // J. Roman Spectros. 1981. - V.l 1. - №6. - P.517-518.

173. Binsma J.J., Giling L.J., Bloem J. Luminescence of CuInS2. //Exciton and near edge emission. // Luminescence. 1982 . - V.27. - №1. - P.55-72.

174. Vecchi N.P., Ramos J. Radioactive recombination measurements in p-type CuInS2 .//J. Appl.Phys. 1981. - V.52. - № 4. -P.2958-2960.

175. Lahlou N., Masse G. Donor-acceptor pain transitions in CuInS2.// J. Appl. Phys. 1982. - V.52. - № 2. - P.978-981.

176. Masse G., Lahlou N., Butti C. Luminescence and lattice defects in CuInS2. // Chem. Solids. -1981. V.42. -№ 6. - P.449-454.

177. Tell В., Thlee E.A. Photovoltaic properties of p-n junctions in CuInS2. //J. Appl. Phys. 1979. - V.50. - № 7. - P.5045-5046.

178. Гашин П.А., Симашкевич A.B. Тройные полупроводники- материалы солнечной энергии. // Труды V Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев. 1987. - т.1.- С. 11-12.

179. Медведкин Г.А ., Рудь Ю.В. Физические свойства и перспективы применения полупроводников I-III-VI2 в солнечных элементах. //Труды V Всероссийской конференции «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев. -1987. Т.1.- С.34-35.

180. Технология тонких пленок (Под редакцией Мейесела П., Глэнга P.M.) M.: «Советское радио». - 1977. - T.I.- 662 с.

181. Несмеянов А.Н. Давление пара химических элементов. М.:АН СССР. - 1961.-396 с.

182. Бергер Л.И., Баланевская А.Э. Некоторые физико-химические, тепловые и упругие свойства тройных полупроводниковых соединений типа А1 В111 CVI2 Л Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1966 Т.2.- № 8.- С.1514-1515.

183. Мушинский В.П., Караман М.И. Оптические свойства халькогенидов галлия и индия.- Кишинев : Штиница. 1973. - 114с.

184. Вайткус В., Керимова Э.М. и др. Влияние примесей на электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TlInSe2- Tllns2. // Всесоюзная конф. по физ., хим. и техн. применению халькогенидов. Тезисы докл. -Баку.- «Элм.». 1979. - С.119.

185. Бидзинова С.М., Гусейнов Г.Д. и др. Оптические свойства твердых растворов TlInxGai.xSe2 (Х=0,1: 0,5 ) в области края фундаментального поглощения. //Изв. АН Азерб. ССР, сер. физ.-техн. и мат.наук.-1980.-№4.-С. 123.

186. Годжаев Э.М., Мамедов В.А. и др. Система TlInSe2 TlGaSe2.

187. Журнал неорганической химии. 1978. - Т.23.- № 1. - С.160-163.

188. Мамедов A.M. Определение термодинамической функции образования соединений TlGa(In)Se2 и TlGaQnïTb . // ДАН Азерб. ССР,- 1978.-Т.34. № 4. - С.44-47.

189. Кулиев A.A., Асадов М.М. и др. Фазовые равновесия и межмоле-лярные взаимодействия в системе Т12Те- TlGa(In)S2(Se2). // Азерб. хим. журнал. 1978. - № 2. - С.90-93.

190. Bakhyshov А.Е., Safuat boules and others. The fundamental optic absorptioneolge of TlGaSe2XS2(i-X) solid solution. //Phys.stat.sol. 1979.-V.95. - № 2 .- P.kl21-kl25.

191. Allakhverdiev K.R., Nizametdinova M.A . and others. Raman scattering in TlInSexS,.x Crystals. // Phys.Stat.sol.(b). 1980. - V.102. - № 2. -P.kl02-kl05.

192. Гавриш В.А., Илбичева Л.Ф. и др. Программное устройство к терморегуляторам. // Приборы и техника эксперементов. 1979. - № 61. С.1949-1950.

193. Аносов В.Я., Озерова М.И., Фиалков Ю. Я. Основы физико-химического анализа.- М.: «Наука». 1976.- С.124-126.

194. Kanneiis G., Kambas С. and Spyridelis J. Preparation and DTA of some A1 B111C2VI compounds. // Mater.Res.Bull. 1976. - V. 11. - № 3. - P.429-436.

195. Гусейнов Ф.Х., Бабанлы М.Б., Кулиев А. А. Фазовые равновесия и межмолекулярные взаимодействия в системах TlSe(Tl2Se)-CdSe. //Журнал неорганической химии. -1981. Т.26. - № 1. - С.215-217.

196. Аносов В.Я., Погодин С.А. Основы начала физико-химического анализа.//Изд. АН СССР. Москва. Ленинград. - 1947.

197. Бочвар A.A. Металловедение. М.: «Металлургиздат». - 1956.

198. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Исследование области гомогенности системы CuxTli.xInSe2 (0<х<1).// Изв.Вузов. Физика.-1981.-№ 8,( Рук. Деп. В ВИНИТИ, Per. №ЗПЗ-8Щеп.).

199. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Диаграмма состояния системы TlInSe2-CuInSe2. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы. 1984. - Т.20. - № 10. - С.1618-1620.

200. Вильке К.Т. Выращивание кристаллов. М.: «Недра». - 1977. - 600с.

201. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: «Мир».- 1974. - 540с.

202. Мальсагов А.У. Исследование физико-химических свойств тройных полупроводниковых соединений А1 В111C2VI и A1 Bv C2VI при плавлении в жидкой фазе : Дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук.- Москва.-1967.- 140с.

203. Глазов В.М., Мальсагов А.У., Крестовников А.Н. Тепловое расширение и объемные изменения при плавлении некоторых соединений группы А1 В111 C2VI. // Изв. АН СССР Неорганические материалы.-Т.6.-№1.-С. 143-145.

204. Чаммерс Б.Теория затвердевания. М.: «Металлургия». - 1968. - 250с.

205. Боднарь И.В. Выращивание монокристаллов и исследование свойств твердых растворов CuGaxInixS2. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1981.- Т.17.- № 4. - С.583-587.

206. Guseinov G.D.,Abdullayev G.B. and others. Anisotropy of lattice conductivity of complex Cha leogenide. // Phys. Letters. 1976. - V.54.-(a). - № 5. - P.379-380

207. Balsev J. Piezooptical effects Semiconductors and Semimetals. //Academik Press, N.Y-London. 1972. - № 9. . p.403-456.

208. Aspnes D.E., Bottka N. Electric Field on the Dielectrik Fubction of Semiconductors and Insulator. // Semiconductors and Semimetals. Academic Press. N. Y. London. - 1972. - № 9. - P.457-542.

209. Sari S.O.,Schnatterly S.E. Optical spectroscopy in semiconductors in High magnetic field using polarization modulation. // Proc. Of I Int. on Conf. Motul. Spectroscopy.North-Holland.Pub. Co. Amsterdam. 1973. -P.328-339.

210. Кринчик Г.С. Динамические эффекты электро- и пьезоотражения света кристаллами. // УФЖ. 1986. - Т.94. - Вып.1. - С.143-154.

211. Fishner J.E. New directions in modulation spectroscopy. // Proc. Of I. Inr. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub Co. Amsterdam. -1973. P.473-493.

212. Rehn V. Interband critical point symmetry from dectroreflectance spectra, //Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland.Pub.Co. Amsterdam. 1973. - P.443-472.

213. Aspnes D.E. Third derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance. // Proc. of I Int. on Conf.Modul Spectroscopy. North-Holland. Pud. Co. Amsterdam. 1973. - P.418-442.

214. Dow J.D. Effects of final-state interactions on modulation spectra ofsemiconductor. I I Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub. Co. Amsterdam. 1973. - P.786-803.

215. Sell D.D. Review of piezomodulation Spectroscopy. // Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub. Co. Amsterdam. 1973.-P.896-913.

216. Dond S.F. Electroreflectance from flatband. //Proc of I Int on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland.-Pub. Co. Amsterdam. 1973. - P.596-616

217. Кардона M. Модуляционная спектроекония. M.: Мир. - 1972. - 416с.

218. Георгобиани А.Н., Озеров Ю.В., Тигиняну И.М. Исследование фундаментальных переходов в широкозонных полупроводниках методами модуляционной спектроскопии.// Труды Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР. 1985. - Т.163. - С. 3-38.

219. Friedrich Н., Ozerov Yu. V., Strehlow R. Optical method for the deter mination of the modulation depth of wavelength modulation spectrometers. // Exp.Techn. Phys. 1978. - V.26. - № 3. - P.275-284.

220. Cardona M., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectance at Semiconductor. // Phys. Rev. 1967. - V.154. - №3. - P.696-722.

221. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир.-1973.-451с.

222. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. -М.: Мир. 1976. - 2428с.

223. Лисица М.П. Спектрофотометрический метод исследования дисперсии и поглощения твердых веществ. // Докл. АН СССР. 1956. - Т.З. -С.803-805.

224. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука.-1977.-366с.

225. Urbach F. The long wavelength edge of photographic sensitivity and of the electronic absorptions of solide. //Phys.Rev. 1953. - V.92. - № 5. - P.1324.

226. Бахышев А.Э., Ахмедов А.И., Рзаева JI.A. и другие. Температурная зависимость края полосы поглощения TlInSxSe2.x. // Изв. Вузов СССР.-Физика. 1977. - № 4. - С. 169.

227. Джонсон Е. Поглощение вблизи края фундаментального поглощения.-В кн.: Оптические свойства полупроводников. М.: Мир. - 1970.1. С. 166-277.

228. Гнатенко Ю.П., Курик В.Н. Экситон-фононное взаимодействие в монокристаллах CdSe и CdS-CdSe. // Оптика и спектроскопия. 1970.-Т.29. - № 2. - С. 339-341.

229. Курик В.М., Малинко В.П., Рожко А.Х. и другие. Температурная зависимость края поглощения в РЬТе. // Укр. физ. журн. 1969. - Т. 14. - №7.-0.1221-1223.

230. Гнатенко Ю.П., Курик В.М. Экситон-фононное взаимодействие в CdS. // ФТТ. 1970. - Т. 12. - № 4. - С.1143-1149.

231. Гнатенко Ю.П., Курик В.М. Экспериментальные закономерности правила Урбаха в полупроводниках AmBVI. // ФТП. 1971. - Т.5. -№ 7. - С.1347-1350.

232. Катон В.Д. Теория длинноволнового края поглощения света в полупроводниках и диэлектриках. Правило Урбаха. // ФТТ. 1973. -Т.17. - №9. - С.2578-2584.

233. Toyozawa Е. Theary of line shapes of the exciton absorption bonds. //Prog. Theor. Phys. 1958. - V.20. - № 1. - P.53-31.

234. Toyozawa Y. Aproposed model for the explanation of the Urbach rule.-// Prog. Theor. Phys. 1959. - V.22. - № 3. - P.455-459.

235. Гросс Е.Ф., Перель В.И., Шехмаметов P. H. Обратная водородопо-добная серия при оптическом возбуждении легких заряженных частиц в кристалле йодистого висмута (BiJ3). // Письма в ЖЭТФ. 1971.-Т.13. - № 6. - С.320-325.

236. Смит Р. Полупроводники. М.: HJI. - 1982. - 467с.

237. Гасанлы Н.М., Маврин В.М., Халафов З.Д. Спектры комбинационного рассеивания света в монокристаллах TlGaS2, TlGaSe2 и TlGaSo^Se^. // Уч. зап. MB и ССО Аз.ССР, сер.физ.- мат.наук. 1976. - № 4. -С.130-131.

238. Durn D. Urbach's rale in an electron phonon model. // Phys.Rev. - 1968. -V.174. - № 3. - P.855-858.

239. Casanly N.M., Maurin B.N., Stenin Kh.E. and others. Raman study of > layer TlGaS2,jff- TlInS2, and TlGaSe2 crystals. // Phys. St. Sol.(b). 1978. -Y.65. - № 1. - P.k49-k58.

240. Casanly N.M., Dzhavadov B.M., Rakhimov A.S. and others. Infrared reflectivity spectra of TlGaS2- type layer crystals. // Physica. 1982. - 112 В. - P.73-32.

241. Toyozawa Y. The Urbach rule and exciton-lattice interaction. // Techn. Rept. ISSP, A. -1964. №119. - P.68.

242. Блохинцев Д.М. Основы квантовой механики. М.: Высшая школа, - 1983.-628 С.

243. Belenkii G.L., Abdulaeyva S.G., Solodukhin A.V. and others. Peculiarities of tremal expansion of layered crystals. // Solid State Communications. 1982. - V.44. - №12. - P. 1613-1615.

244. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. // Минск: Наука и техника. 1975. - 460с.

245. Мотт Н, Девис Э. Электронные процессы в поликристаллических веществах. // М.: Мир. 1974. - 472с.

246. Бонч-Бруевич B.JI. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников. // В кн.: Физика твердого тела. М.: Изд. АН СССР. 1965. - С.127-336.

247. Лившиц И.М. Теория флуктуационных уровней в неупорядоченныхсистемах. // ЖЭТФ. 1987. - Т.53. - №81. - С.743-753.

248. Половецкий Б.М., Эфрос A.JI. Глубокие хвосты плотности состояний и поглощение света в полупроводниках. // ЖЭТВ. 1970. - Т.58. - №2.- С.657-665.

249. Эфрос A.JI. Плотность состояний и межзонное поглощение света в полупроводниках. // УФН. 1973. - Т.111. - №3. - С.451-482.

250. Бонч-Бруевич B.JÏ. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников. // В кн.: Труды шестой международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. // JL: Наука. 1976. -С.259-288.

251. Фэн Г. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах. // М.: Мир. -1969.-126с.

252. Guseinov G.D., Abdullaeva S.G., Godzhaev E.M. and others. Electroab-sorption of TlInS2 single crystals. // Phys. St. Sol. (b). 1977. - V.81. - №1. P k.47-k.50.

253. Bakirov M.Ya., Zeinalov N.M., Abdullaeva S.G. and others. Electroab-sorption in TlInS2. // Solid State Communications. 1982. - V.44. - №2. -P.205-207.

254. Абдуллаев Г.Б., Абуталыбаев Г. И., Алиев А.А. и др. Свободные и связанные экситоны в монокристаллах TlInS2. //Письма ЖЭТВ. 1983.- Т.38. №11. - С.525-526.

255. Шкловский Б.И., Эфрос A.J1. Электронные свойства легированных полупроводников. // М. 1979. - 416с.

256. Бонч-Бруевич B.JI. Квазиклассическая теория движения частиц в случайном поле. // В кн.: Статистическая физика и квантовая теория поля. М.: Наука. 1973. - С.337-391.

257. Elliot R.S. Intensity of optical absorption by creations. // Phys. Rev. 1957.- V.108.-№6.-P.1384-1389.

258. Abdullaeva S.G., Mamedov N.T., Orudzhev G.S. Bond structure of TlGaSe2. // Phys. St. Sol. (b). 1983. - V.l 19. - №1. - P.41-43.

259. Müller D.V. und Hahn H. Zur struktur des TiGaSe2. // Z. Anore. Allg. Chem. 1978. - V.438. - №3. p.258-272.

260. Бахышов А.Э., Мусаева Л.Г., Лебедев A.A., Якобсон M.A. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов TlGaSe2. //ФТП. 1975. Т. 9. №8. С. 1548- 1551.

261. Gardona М., Greenaway D.L. Optical properties and bonds structure of group IV-VI and V materials. // Phys. Rev. A. 1964. - V.133. - №6. -P.1625-1697.

262. Бахышов А.Э., Лебедев A.A., Халафов З.Д. и другие. Зависимость оптических и фотоэлектрических свойств от состава твердых растворов TlGaSxSe2.x. //ФТП. 1978.- Т.12. - №3. - С.580-583.

263. Бахышов А.Э., Хомутова М.Д., Ахмедов A.M. и другие. Исследование дисперсии соединений типа TlGaS2, с учетом многократного отражения в образцах. // Опт. и спектр. 1980. - Т.49. - №3. - С.578-580.

264. Bakhyshev А.Е., Safuat Boulas., Faradzhev F.E. and others. The fundamental optical absorption Edge of TlGaS2xSe2(iX). // Solid Solution. Phys. St. Sol. (b). 1979. - V.95. - №2. - P.121-123.

265. Бахышов А.Э., Ахмедов A.M., Фараджев Ф.Э. и другие. Поглощение и электропоглощение в монокристаллах типа TlGaS2. // Тез. докл. Республиканского симпозиума по физ. свойствам полупроводников. Баку.: 1978.-С.70-71.

266. Ахмедов A.M., Кулиев Б.Б., Эйвазов С.Ш. и другие.Экситонные состояния в твердых растворах TlInS2xSe2(i.X) на основе TlInS2. // Электронная техника. 1982. - сер.6. - №12. - С.33-35.

267. Мусаева Л.Г., Халафов З.Д., Гасанлы Н.М. и другие. Некоторые оптические свойства монокристаллов TlGaSe2. // Уч. зап. MB и ССО

268. Азерб. ССР. сер. физ-мат. наук. 1975. - №5. - С.88-92.

269. Халилов С.Х., Дарвиш A.M., Бахышов А.Э. и другие. О механизме проводимости в слоистых и полимерных полупроводниках. // Тез. докл. Респ. Симпозиума по физическим свойствам сложных полупроводников. Баку. 1978. - С.28-29.

270. Бахышов А.Э., Самедов С.Р., Сафуат Вулес и другие. Глубокие примесные уровни и энергетическая структура запрещенных зон в кристаллах типа TlGaS2. // Тез. докл. II всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. -Ташкент. 1980. -С.53-59.

271. Dow S.D., Rodfield D. Electroabsortion in semiconductors, the excitonic absorption edge. // Phys. Rev. B. Sol Stat. (a). 1970. - V.l. - №8. -P.3358-3371.

272. Ralph H.I. On The Theory of Franz-Kedysh effect. // J. Phys. (Proc. Phys. Soc.) c.l. 1968. - V.l. - №2. - P.378-386.

273. В lossy D.P. Wennier Exciton in an Electric Field. // Phys. Rev. (b). 1970. V.2. - №10. - P.3976-3990.

274. Franz W. Einfluss eines elektrischen Feldes auf eine optisch Absorption Skante. // Z. Naturforsch. 1958. - V.13a. - №6. - P.484-490.

275. Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. // ЖЭТВ. 1958. - Т. 34. -В.5. - С.1138-1141.

276. Vasko A., Miler М. Graphische bestimung der Optischen konstanten aus swei durchlassigxciten. //Czcch. J. Phys. 1981. - V.B.l 1. - №4. - P.283-285.

277. Ergeisen D. Ellipsometry of anisotropic films. // J. Opt. Soc. Am. 1971. V.61. - №11. - P.1460-1466.

278. Матиев A.X., Хамхоев Б.М. Анизотропия, дисперсия и электрооптические эффекты в кристаллах TlGaSe2 и Т11п$2. // Труды V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». -Ульяновск. -2003. С. 13.

279. Агасиев A.A., Зейналов А.М., Мамедов A.A. и другие. Край оптического поглощения монокристаллических пленок сульфида сурьмы. // ФТП. 1972. - Т.6. - №4. - С.649-653.

280. Ахундов Г.А., Мусаев С.А., Бахышов А.Э. и другие. Анизотропия оптических констант GaS и GaSe вблизи края поглощения. // ФТП. -1975. Т.9. - №1. - С.142-145.

281. Желудев И.С.Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука. -1968.-460с.

282. Арабидзе A.A., Халикова Д.Д., Кокоева В.Д. Исследование электрического эффекта в кристаллах динамическим методом., Сообщ. АН Груз. ССР. 1968. - Т.50. - №1. - С.59-64.

283. Сонки A.C., Василевская A.C. Электрооптические кристаллы., -М.: Атомиздат. 1971. - 328с.

284. Андрианова И.И., Бережной A.A., Попов Ю.В. Появление фотоэлектрического эффекта в электрооптических кристаллах селенида цинка. // Оптика и спектроскопия. 1971. - Т.ЗО. - №5. -С.957-960.

285. Волков A.A., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В. и другие. Сегнетоэлектри-ческая мягкая мода в полупроводниковом кристалле TIGaSe2. // Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.37. -В.11.- С.517-520.

286. Müller D., Poltmann В. and Hahn Н. Zur structure ternarer chalkogenide des Thalliums nit Aluminium. Gallium und Indium. // Z. Naturforesh. -1974. V.29. b. - №1. - P.l 17-110.

287. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики полупроводники. // M.: Наука. - 1976.-402с.

288. Волков A.A., Гнчаров Э.Г., Козлов С.В. и другие. Структурныефазовые переходы в кристаллах TlInS2. // ФТП. 1983. - Т.36. - №12.-С.3583-3585.

289. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. // М.: Мир. 1976.-428с.

290. Курбатов JI. П., Дирочка А.Н. Сосин В.А. Влияние экситонных поля-ритонов на край поглощения GaTe. // ФТП. 1973. - Т. 13. - №1. -С.75-82.

291. Малик А.И., Ковалик З.Д., Джевский Г.Б. О влиянии остаточных деформаций на интерференционный спектр монокристаллов GaS. // Изв. Вузов СССР. Физика. 1975. - №3. - С. 144-145.

292. Борец А.Н., Стахира И.И. Оптические свойства In2Se. // Укр. Физ. Ж.- 1964. Т.9. - №10. - С.1074-1078.

293. Бандривчак И.Б., Быдый М.Н. Анизотропия показателя преломления монокристаллов ВI2S3. выращенных из газовой фазы. //Опт. и спектр. -1976. Т.40. - №6. - С. 1078-1079.

294. Дитчберн Р. Физическая оптика. // М.: Наука. 1965. - 631с.

295. Мальсагов А.У., Котченко А.П., Матиев А.Х. и др. Влияние магнитного поля на гирацию кристаллов TlGaS2xSe2(i-x). // V Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение. 1987. -Т.1.-С.14.

296. Гусейнов Г.А., Алиева М.Х., Абдуллаева С.Г. и другие. О процессах рекомбинации и применения в монокристаллах TlGaSe2. // Изв. АН Азерб. ССР. сер. физ.-мат. наук. 1979. - №4 - С.63-68.

297. Mott N.D. On the transition to metallic conduction in semiconductors. // Can. J. Phys. 1956. - V.34. - №12A. - P.1356-1360.

298. Pallak M., Geblle Т.К. Low-Freguency conductivity due to Hoppins Process in Silicon. // Phys. Rev. -1961. V.122. - №6. - P.1742-1753.

299. Pollak M. Approximation to the AC impurity hepping conduction. // Phys.

300. Rev. 1954. - V.133. - №2A. - P.564-579.

301. Червона A.A. Спектральное распределение фотопроводимости монокристаллов и пленок TlGaSe2. // Уч. зап. Горьковского университета, сер. физика. 1971. - №126. - С.30-32.

302. Karpovich I.A., Chervona A.A., Leonov D.K. and others. Properation and some properties of TlGaSe2 thin films. // Phys. Status. Solidi. (a). 1971.- V.4.-№1.- P.kl3-kl5.

303. Абдуллаева С.Г. Денев B.A. Определение параметров центров рекомбинации в кристаллах р- TlGaSe2. // Докл. АН Азерб. ССР. 1983. -Т.39. - №5. - С.28-32.

304. Мусааева Д.Г., Бахышов А.Э., Гасанлы Н.М. и другие. Уровни прилипания в монокристаллах TlGaSe2. // Деп. в ВИНИТИ. №3262-75.- 1975.-9с.

305. Бахышов А.Э., Самедов С.Р., Беньямин М. и другие. Примесные состояния в нелегированных монокристаллов ß -TlInS2. // ФТП. 1983.- Т. 17. №3. - С.493-496.

306. Бахышов А.Э., Мамедов A.M. Гасанов Л.Г. и другие. Фотоиндуциро-ванные явления в кристаллах типа TlGaS2. // Тезисы докл. Республиканского симпозиума по физическим свойствам сложных полупроводников. // Баку. 1978. - С.46-47.

307. Abdullaeva S.G., Aliev V.A. Special sectures of negative photoconductivity in TlGaSe2. // Phys. St. Sol. (a). 1982. V.69. - P.k33-k36.

308. Абдуллаева С.Г., Алиева B.A., Мамедов Б.Т. и другие. Особенности отрицательных фотоэффектов в кристаллах TlGaS2. // ФТП. 1983. -Т.17. - №10. - С.1787-1790.

309. Абдуллаева С.Г., Алиева В.А. Отрицательные фотоэлектрические эффекты вр- TlGaSe2. // Доклады АН Азерб. ССР. 1983. - Т.39. - №3.- С.23-28.

310. Литовченко П.Г., Устьянов В.М. Определение параметров уровней прилипания в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. // В кн. Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов. Вильнюс. 1969. - С.153-177.

311. Вертопрахов В.Н., Соныман Е.С. Термостимулированные токи в неорганических веществах. // Новосибирск: Наука. 1979. - С.332.

312. Лушик Ч.Б. К теории термического высвечивания. // Докл. АН СССР, сер. физ. 1955. - Т.101. - №4. - С.641-644.

313. Littfeld H.J., Voigt G.J. Vereloichende untersuchungsa ven leitfanigkeitsglackurven on CdS-Eirkrictallen. // Phys. St. Sol. 1965. - V.3. - №10. - P.1941-1954.

314. Nicholas K.H., Woods J. The evalustion of electron trapping parameters from conductivity glow curves in cadmium sulphide. // Br. J. Appl. Phys. -1984. V.15. - №7. - P.783-795.

315. Haering R.R., Adums F.N. Theory and Application of Thermally Stimulated Currents in Photoconductors. // Phys. Rev. 1960. - V.l 17. -№2. - P.451-454.

316. Randell S.T., Wilkins M.T. Phosphorescence and electron traps.// Proc. R. Soc. A. London. 1945. - V.184. - №999. - P.365-407.

317. Halperin A., Braner A.R. Evaluation of Thermal Activation Energives from Glow Curves. // Phys. Rev. 1960. - V.l 17. - P.433-445.

318. Bohun A. Termoemission und photoemission natrium-chlorid. // Czech. J. Phys. 1954. - V.4.- №1. - P.91-93.

319. Booth A.H. Calculation of electron trap depts from thermaluminescence maxims. // Can. J. Chem. 1954. v. 32. №2. p. 214 215.

320. Croseweirner L.J. Note on the Analysis of First-order Glew Curves. // J. Appl. Phys. 1953. - V.24. - №10. -P.1306-2307.

321. Лушак Ч.Б. Исследования центров захвата в щелочногалоидныхкристаллофорах. // Тр. Института физ. и астр. АН ЭССР. 1966. -№3. - С.3-88.

322. Роуз JI. Характеристики фотопроводников. В сб.: «Полупроводниковые преобразователи энергии излучения». М.: ИЛ. - 1959. - С.9-75.

323. Corlick G.J., Gibson A.M. The electron trap mechanism of luminescence in sulphido and silicate phosphors. // Proc. Phys. Soc. 1948. - V.A60. -№342. - P.574-581.

324. Бьюб P. Фотопроводность твердых тел. // M.: ИЛ. 1962. - 534с.

325. Boer N.W., Oberlander S., Voist J. Uber dio luswertung von Loitfahgkcits glowkuren. // Ann. Physik. 1958. - V.2. - №3-4. - P. 130-145.

326. Wintle H.J. Docay of axcess chargo in dielectrics having shorter electrodes. //J. Appl. Phys. 1971. - V.42. - №12. - P.4724-4730.

327. Аркадьева E.H., Рывкин C.M. Исследование уровней прилипания Sb2S3 методом термостимулированного тока. // ФТТ. 1959. - Т.1. - №9. -С.1460-1461.

328. Wintle Y.J. Docay of excess chargo in dielectrics having shorter electrodes. // J. Appl. Phys. 1971. - V.42. - №12. - P.4724-4730.

329. Аркадьева E.H., Рывкин C.M. Исследования уровней прилипания в Sb2S3 методом термостимулированного тока. // ФТТ. 1959. - Т.1. -№9.-С. 1460-1461.

330. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. // М.: Мир. 1973.-С.413.

331. Mark P., Halfrich W. Space-charge-limited currents in organic crystals. // J. Appl. Phys. 1952. - V.33. - №1. - P.205-215.

332. Rose A. Space-charge-limited currents in solids. // Phys. Rev. 1955. -V.97. - №6. - P.l538-1544.

333. Башикас Ю.К., Мачкус П.В., Смилга А.Л. и другие. Исследование микропараметров полупроводников с использованием ТОПЗ и кинетика ТОПЗ. // В кн.: Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент: ФАН. 1974. - С.23-40.

334. Мотт Н., Генся Р. Электронные прочесы в ионных кристаллах. М.: ИЛ. -1959.-304с.

335. Allen J.W., Cherry R.J. Space charge currents in gallium arsenide. //Nature. 1961. - V.l89. - №4761. - P.297-298.

336. Page D.J., Kaisli A.A., Wright C.T. Some observations of space charge limited current in cadmium sulphido crystals. // Proc. Phys. Soc. 1962. -V.80. - №5. - P.l 133-1142.

337. Helmoier G.H., Waiter P.J. Space charge effects in dielectrics. // Phys. Today. 1962. - V.l5. - №10. - P.30-32.

338. Ovshinsky S.R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures Phys. Rev. Lett. 1968. - V.21. - №20. - P. 1450-1453.

339. Абуталыбов Г.И., Абдуллаева С.Г, Зейналов Н.М. Оптические свойства монокристаллов TlInS2 вблизи края фундаментального поглощения. // ФТП. 1982. - Т. 10. - №11. - С.2086-2088.

340. Мушинский В.В., Караман М.И. Фотоэлектрические люминесцентные свойства халькогенидов галлия и индия. // Кишинев. Штиница. 1975. - 77с.

341. Приёмники излучения и устройства применения полупроводниковых фотоэлектрических методов измерения фотоэлектрических параметров определение характеристик. // ГОСТ-1778-2-73. Москва. 1979.

342. Фотоэлектрические параметры и характеристики термины и определения и буквенные обозначения. // ГОСТ-19852-74. Моква. 1981.

343. Алиева М., Алексеев К.Б., Казиев Ф.И. Прилипание основных носителей в монокристаллах /7-THnSe2. // Изв. АН Азерб. ССР. сер. физ. техн. и мат. наук. 1975. - №4. - С.70-76.

344. Казиев Ф.Н. Фотопроводность люминесценция монокристаллов InSe.

345. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Баку. 1970. - 18с.

346. Алексеев И.В., Алиева М., Казиев Ф.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TlInSe2. // Изв. АН Азерб. ССР сер. физ. техн. и мат. наук. 1974. - №4. - С.9-12.

347. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. // М.: Физматгиз. 1963. - 494с.

348. Лашкаров В.Е., Любченко A.B. Шейнсман М.К. Комплексное исследование кинетики процессов рекомбинации и инфракрасного гашения фототока в сульфиде кадмия. // ФТТ. 1985. - Т.7. - №6. - С. 1717-1732.

349. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. // М.: Мир. 1996. - 192с.

350. Роуз А. Рекомбинационные процессы в изоляторах и полупроводниках. // Сб. Проблемы физики полупроводников. М.: ИЛ. 1957 - С.130-149.

351. Lashkarev V.E. Sheinkham M.K, Determination of the parameters of consitizing recombination centers in CdS and CdSe single crystals by temperature and gucaching of photocurrents. // Phys. St. Sol. 1965. -V.ll. - №1. - P.429-441.

352. Мосс Т. Фотопроводность. // M.: Наука. 1967. - 304c.

353. Рывкин С.М. Рекомбинация в полупроводниках. // В кн.: Полупроводники в науке и технике. М.-Л. АН СССР. 1959. - Т.2. - С.463-515.

354. Папанова Л.М. Дисс. .на соиск. уч. ст. канд. физ.-мат. наук. Баку. 1986. -252с.

355. Philwir, Anderson W.J. and Park S. Anomalous temperature dependence of the energy gap of AgGaS2. // Solid State Commun. 1973. - V.13. -№11.-P.1883-1887.

356. Hörig W., Möller W., Neuman H. and others. Optical properties of CuInixGaxSe2 mixed crystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1979. - V 92. - №1. -P.k l-k4.

357. Suk-Ryong Hahn and Kim Wha-Tek. Anamalous composition and temperature dependence of the energy gap of AgGa1xInxSe2 mixed crystals. //Phys. Rev. (B). 1983. - V.27. - №8. - P.5129-5131.

358. Hörig (a) W., Neuman H. (a), Hobler (b) and others. Temperature dependence of the absorption enggein CuInSe2. // Phys. Stat. Sol (b). -1977. V.80. -P.k21-k24.

359. Halperin A., Draner A.A. Evaluation of thermal activation energies from plow curves. //Phys. Rev. 1960. - V.l 17. - №2. - P.408-415.

360. Long D. Energy bands in semiconductors. //N-Y. Interscience publ. corp. 1968.-P.212.

361. Smith C.S. Piezoresistance effect in germanium and silicon. // Phys. Rev. -1954. V.94. - №1-3. - P.42-44.

362. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. Полупроводниковый тензодатчик. //A.C. СССР. №401208. - 1973.

363. Абдуллаев Г.Б., Рустамов В.Д. и др. Способ регулирования чувствии-тельности тензодатчиков. // A.C. СССР. №539215. - 1976.

364. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. и др. Устройство для многоточечного тензометрирования. // A.C. СССР. №557724. - 1976.

365. Абдуллаев Г.Б. Гусейнов Г.Д. и др. Полупроводниковый фоторезистор.//A.C. СССР.-№621252.- 1978.

366. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. и др. Фоточувствительный материал. //A.C. СССР. №698457. - 1979.

367. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. и др. Фоточувствительный материал. // A.C. СССР. №683406. - 1979.

368. Gashimzade F.M. and Orudzhev G.S. Effect of pressure and temperature on the band structure of TISe. //Phys. Stat. Sol. (b). 1981. - V.l06. - P.k67 -k71.

369. Шубников M.JI. Малогабаритная автономная камера фиксированногодавления. // Приборы и техника эксперимента. 1981. - Т.5. - С. 178181.

370. Гусейнов Г.Д., Саидов Ф.М., Халилов У .Я. и другие. О псевдобинарной системе TISe GaSe. // Деп. в ВИНИТИ №3761-71. - 1971. - 9с.

371. Кулиев А.А., Бабанлы М.В. Исследование системы Tl2Se -Ga2Se3 и Tl2Se -In 2Se3. Уч. Зап. MB и ССО Азерб. ССР. 1975. №3-4. С.61-64.

372. Boynd G.D., Kasper Н., Мс Fei J.H. and others. Linear and nonlinear optical properties of some ternary selenides. // IEEE Quantum Electronics. 1972. - V.8. -№12 - P.900-908.

373. Maines R.G. Pressure induced phase transformations in some I-III-VI2 semiconductors. // High.-temp.-high pressures. - 1977. - V.9. - №1. - P.97-102.

374. Бахышева А.Д., Гасанова Л.Г., Лебедев A.A. Примесная и термости-мулированная проводимость TlGaSe2. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1977. - Т. 13. - №2. - С.366-368.

375. Свечников С.В. К CBoficTBaMCdS фотосопротивлений в ионизирующем излучении. // УФЖ. - 1955 - Т.55. - №1. - С.126-127.

376. Вавилов B.C. Полупроводниковые преобразователи энергии излучения. // УФЖ. 1955. - Т.56. - №1. - С.111-138.

377. Цукерман В.Г., Вайштейн Э.Е. Фотопроводники дозиметрии рентгеновского излучения. // Редакционно-издательский отдел Сибирского отделения АН СССР. Новосибирск. - 1965. - С.26.

378. Теремщук P.M., Демруев В.И. и другие. Справочник радиолюбителя. -Киев: Техника. 1969. - 4.1. - 694с.

379. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкеевич И.В. Полупроводниковая электроника. // Издательство «Наукова Думка». Киев. - 1970. - С.11.

380. X Кл. 252-501. // Патент США. 1971.

381. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. Издательство «Советское радио». Москва. - 1979. - 227с.

382. Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц. // М.: Мир. 1967. - 385с.

383. Yalcin I.S., AL-Saffar and Tomlinson R.D. Shacecharge-limited current in «-type CuInSe2. J.Appl. Phys. 1981. - V.52. - №9. -P.5857-5858.

384. B. Nell and P.M. Bridenbaugh: J. Appl. Phys. 48 (1977) 2477.

385. Специальный физический практикум. Изд-во МГУ (1977) 338.