Фазовые равновесия и особенности электронных спектров системы T1InS2-CuInS2 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

ХАМХОЕВ БАГАУДИН МАГОМАДОВИЧ

ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ И ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ СИСТЕМЫ ТИпБг - Си1п82

01.04.07 - физика конденсированного состояния

Работа выполнена в Грозненском государственном нефтяном институте им. М.Д. Миллионщикова и Ингушском государственном университете.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор, Матиев Ахмет Хасанович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

Грузинцев Александр Николаевич

кандидат физико-математических наук, доцент Калажоков Хамидби Хажисмелович

Ведущая организация: Московский государственный

университет путей сообщения (МИИТ)

Защита диссертации состоится «21» декабря 2006 г. в 15-00 часов на заседании диссертационного совета Д 212.076.02 при Кабардино-Балкарском государственном университете по адресу: 36004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173

С диссертацией можно знакомиться в библиотеке Кабардино-Балкарского государственного университета им. X. М. Бербекова

Автореферат разослан « 20 » ноября 2006 г.

Отзывы на автореферат просим присылать по адресу: 360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173

Ученый секретарь диссертационного совета

Ахкубеков А.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Прогресс в физике полупроводников и полупроводниковой технике тесно связан с получением новых материалов и структур. Получение этих материалов, в свою очередь, основывается на детальном исследовании и интерпретации их свойств. Возможности получения новых материалов существенно расширяется при использовании твердых растворов. Проблема создания твердых растворов является одной из центральных в физике полупроводников, что подтверждается неослабевающим потоком информации, посвященной как уже хорошо себя зарекомендовавшим на практике твердым растворам на основе соединений А3В5 и А2В5, так и твердым растворам на основе, сравнительно недавно открытых новых перспективных классов соединений А^С6 и А'В3^. Интерес к изучению сложных полупроводников обусловлен необходимостью расширения наших представлений относительно формирования зонной структуры кристаллов по мере усложнения состава и изменения объема элементарной ячейки, а также вытекающих в этой связи особенностей физических свойств.

Соединения А3В3С6 и А'В3Сб2 является изоэлектронными аналогами известных полупроводников групп А3В3 и А2В6, соответственно. Определенную перспективу в этом плане с нашей точки зрения, имеют твердые растворы на основе ТПпБг и Си1п82. Эти соединения являются перспективными материалами для разработки на их основе приемников излучения для видимой, ближней - ИК и рентгеновской областей спектра, а также для солнечных элементов с высоким КПД. В частности, монокристаллы соединений типа Т1В^62 (где В3 - 1п, ва; С — Б, Бе) обладают яркой выраженной анизотропной структурой, и отличаются по физическим свойствам от таких классических полупроводников как германий, кремний и от соединений типа А3В5. Кристаллы данной группы обладают уникальными свойствами: прозрачны в широком спектральном диапазоне, обладают слабой чувствительностью электрических свойств к вводимым примесям, низкой подвижностью и концентрацией свободных носителей заряда по сравнению с выше указанными полупроводниками. Это обстоятельство делает соединения типа Т1В3С62 особенно интересными, как с точки зрения выяснения фундаментальных особенностей кристаллического строения слоистых полупроводников, так и с точки зрения технического применения.

Анализ литературных данных показывает, что исследования физических свойств исходных соединений Т11п82 и Си1п82, находятся фактически на начальном этапе. Объем и глубина этих исследований носят не достаточный, а порой и противоречивый характер, не позволяющий сделать адекватные обобщения, а тем более дать практические рекомендации. Поэтому возникает необходимость систематических исследований электрических, оптических и фотоэлектрических свойств указанных кристаллов, определяющих весь комплекс происходящих в них физических процессов, а также выявление реальных закономерностей изменения физических параметров с целью разумного управления ими. С этой точки зрения тема настоящей диссертационной работы - «ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕ-СИЯ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ ТПпБг - Си1п82» представляется весьма актуальной, открывающей возможности получения новых полупроводниковых материалов -твердых растворов между соединениями, кристаллизующимися в совершенно различных структурах.

Целью настоящей работы являлось - изучение фазовых равновесий в системе /?-Т11п82-Си1п82 и комплексное исследование твердых растворов на основе /?-Т11п82 в плане выявления закономерностей физических свойств этой группы материалов. Такое исследование приводилось в следующих направлениях:

- построение диаграммы состояния и диаграмм состав свойства системы /?-Т11п82-Си1п82;

- определение характера и особенностей оптических переходов, энергетических параметров зонной структуры и оптических констант монокристаллов Т11п82-Си1п82;

- выявление основных закономерностей взаимосвязи фундаментальных параметров изученных кристаллов и перспективы их практического использования.

Объектами для исследования являлись образцы монокристаллов /?-ТНп82 и твердых растворов на его основе, выращенные методом Бриджмена-Стокбаргера. Монокристаллы /?-Т11п82 и твердые растворы на их основе обладали моноклинной (псевдотетрагональной) слоистой структурой.

Научная новизна

1. Впервые изучена диаграмма состояния системы /?-Т11п82-Си1п82, определены области существования твердых растворов, разработаны технологии получения монокристаллов твердых растворов /?-Т11_хСих1п82 (О <Х <0,015).

2. В монокристаллах /?-Т11п82 при 5К установлено наличие экситонных состояний п = 1 и п = 2, определены их основные параметры: энергия связи

33 тэВ, боровский радиус яБ = 23 А, приведенная масса ц = 0,21т0.

3. Установлен механизм формирования края собственной полосы поглощения в монокристаллах /^Т^.хСи^пБг (0<Х<0,015). Показано, что смещение края собственной полосы поглощения в монокристаллах твердых растворов /?-Т11_хСих1п82 (0<Х<0,015) обусловлено образованием примесной зоны у потолка валентной зоны.

4. Изучены неравновесные процессы в кристаллах /^-Т^.хСи^пЗг (0<Х<0,015). Исследованием примесной фотопроводимости установлено наличие неконтролируемых глубоких примесей в них.

5. Из измерений термостимулированной проводимости и деполяризации определены параметры уровней прилипания в кристаллах /?-Т1п82.

6. Разработаны фотоприемники на основе монокристаллов у^-Т^.хСихЫБг (0 < X < 0,015) для видимой и ближней - ИК областей спектра, а также эффективные гетеропереходы Т11.хСихСа8е2//?-ТНп82 (0 < X < 0,02).

Практическая значимость работы. Сведения, полученные о механизмах электронных процессов происходящих в полупроводниках /?-Т11п82 и твердых растворах на их основе, способствуют более глубокому пониманию их специфических свойств и позволяет рекомендовать данные материалы для создания на их основе:

- приемников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра;

- гетероконтактов Т1,_хСихСа8е2/£- Т11п82 (0 < X < 0,02);

Результаты работы используются в лабораторном спецпрактикуме на

кафедре общей физики ИнгГУ.

Личный вклад автора. Диссертация представляет собой законченную работу, результаты которой получены автором в соавторстве с сотрудниками кафедры физики Грозненского нефтяного института им. М.Д. Миллионщи-кова, кафедры общей физики Ингушского государственного университета, а также ФИ им. П.Н. Лебедева РАН. Все положения, выносимые на защиту, были доказаны лично автором настоящей работы. Автором проведены экспериментальные исследования и интерпретация полученных данных.

Положения представленные к защите:

1. Диаграмма состояния (Т - X) псевдобинарной системы /?-Т11п82 — Си1п82, построенные во всем концентрированном интервале с использованием методов дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), рентгеноструктурного (РСА) анализов, а также измерениями

удельного сопротивления и плотности; границы областей твердых растворов и режимы выращивания монокристаллов из этих областей.

2. Механизм формирования края собственной полосы поглощения в кристаллах /?-Т1,.хСих1п52 (0<Х<0,015).

3. Перспективность использования выращенных кристаллов у5-Т11_хСих1п82 (0,015) для создания на их основе фотоприёмников для видимой и ближней ИК- области спектра.

Апробация результатов работы

Результаты исследований докладывались на: Всесоюзном совещании «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов», Калинин, октябрь 1985г. Первой Международной научно-технической конференции «Материаловедение алма-зоподобных и халькогенидных полупроводников», Украина, Череповец, 1994г., П-ой Международной конференции «Оптика полупроводников», УГУ, Ульяновск, 2000г., 1У-ой Международной конференции«Оптика, оп-тоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяновск, 2002г., У-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяновск, У1-ой Международной конференции «Опто - наноэлекторника, на-нотехнологии и микросистемы»., УГУ, Ульяновск-Астрахань, 2004г., Х1-я Всероссийская конференция «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург, 2004г.

Достоверность результатов

Всесторонний характер исследований, проведенных автором данной работы на одних и тех же образцах с использованием различных методик физического эксперимента, убеждает в достоверности, представленных результатов и обоснованности выводов, следующих на их основе. Все полученные результаты по исследованным объектам достаточно обоснованы и сопоставлены как с теоретическими расчетами зонных структур, так и с экспериментальными результатами других авторов. Результаты исследований обсуждались на российских и международных конференциях.

Публикации. Результаты диссертационной работы опубликованы в 17 научных трудах. Список приводится в конце автореферата.

Структура п объем работы. Диссертация состоит из введения 4 глав, приложения, заключения и выводов. Она содержит 191 страниц компьютерного текста, 52 рисунка и 21 таблицу, в списке литературы 196 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснованы актуальность работы, сформулирована цель и основные задачи исследования, указана новизна и практическая значимость, изложены основные полученные результаты, выносимые на защиту.

Первая глава является обзорной. В ней систематизирован с критическим анализом, имеющийся в литературе материал относительно исходных объектов исследования настоящей диссертационной работы и соответствующих твердых растворов катионного замещения на их основе. В начале данной главы обстоятельно обсуждаются физико-химические особенности известных полупроводниковых фаз соответствующих псевдобинарных разрезов, в которых образуются исходные соединения, исследуемых в диссертации сложных полупроводниковых систем. Рассматриваются далее детали кристаллических структур и характер химической связи в указанных соединениях, крайне необходимые для понимания происходящих в них и системах на их основе физических процессов.

В конце главы излагаются известные по литературным данным физические свойства исходных соединений /?-ТИп82, Си1п82 и существующих твердых растворов катионного замещения на их основе.

На основе проведенного анализа сделано заключение относительно состояния изученности исходных тройных соединений /?-Т11п82, Си1п82 и совершенном отсутствии каких-либо сведений относительно изучаемой в настоящей диссертации новой системы на их основе.

Настоящая глава завершается формулировкой постановки, решаемых в диссертации задач.

Вторая глава диссертации посвящена подробному описанию режимов синтеза и технологии выращивания монокристаллов, а также изучению фазовых равновесий и кристаллических структур исследуемых объектов. В начале главы, в частности, приводится, построенная впервые диаграмма состояния системы /?-Т11п82 — Си1п82 во всем концентрационном интервале (рис. 1) с использованием методов дифференциально-термического рентгенофазового, рентгеноструктурного анализов, а также измерениями удельного сопротивления и плотности.

т, к

1400 1300 1200 1100 1000 900 800

а+/? /И

ТНпБг 20 40 60 80 Си1п52 мол. %

Рис.1. Диаграмма состояния

системы ТНпБг - СиГпБг

В результате произведенных физико-химических анализов выявлены соответствующие пределы ограниченных областей взаимной растворимости исходных трехкомпонентных соединений в системе /?-Т11п52 — Си1п52.

С учетом особенностей изученной диаграммы состояния подобраны оптимальные режимы и впервые выращены крупные, однородные монокристаллы твердых растворов переменного состава. Выращенные, таким образом, кристаллы подвергались предварительному дифференциально-термическому, рентгенофазовому, рентгеноструктурному и микрозондовому анализам.

Применением отмеченного выше арсенала физических методов, установлено сходство составов синтезированных и выращенных кристаллов, идентифицирован структурно-фазовый состав исследуемых в диссертации монокристаллов многокомпонентных сложных полупроводников переменного состава.

В конце главы приведены выводы.

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований оптических свойств монокристаллов /?-Т11.хСих1п52 (0<Х<0,015) стационарным и модуляционным методами. В начале главы рассмотрены краткие теоретические представления модуляционных методик для исследования спектров твердых тел, а также экспериментальная установка для исследования спектров поглощения, отражения и фотопроводимости полу-

проводников как стационарным методом, так и методом модуляции длины падающей волны в широком температурном интервале 2-300 К.

Установлено, что край собственной полосы поглощения в кристаллах /?-TlInS2 и твердых растворах на его основе формируется прямыми и непрямыми оптическими переходами с образованием экситонных полос поглощения. Определены энергетические параметры этих переходов и экситонов.

Край собственной полосы поглощения в монокристаллах /?-TlInS2 формируется прямым переходом, которому предшествует экситон-фононное взаимодействие. Определены постоянная экситон-фононного взаимодействия, энергии фононов, участвующих во взаимодействии, соответственно равные 0,6 эВ и 0,01 эВ.

Из зависимости а2 и ,аш от энергии падающих фотонов (/jv) определены энергетические значения границ непрямых и прямых переходов в кристаллах /?-TlInS2. Непрямому оптическому переходу соответствует энергетическое значение 2,334 эВ при 300 К и 2,517 эВ при 5 К, а прямому оптическому переходу-2,393 эВ при 300 К и 2,553 эВ при 5 К.

В области края собственной полосы поглощения /?-TlInS2 установлено наличие двух экситонных состояний и определены их основные параметры: Есв= 33 мэВ, боровский радиус аи = 29J приведенная масса j! = 0,2lw0 при Т = 5 К.

Обнаружен скачок в температурной зависимости Eg и установлено наличие фазового перехода в /?-TlInS2 при температуре около ~ 185 К. В широком диапазоне длин волн (470 - 1150 нм; диапазон 750-1150 нм на рис. 2 не представлен) при температурах Т = 300К и Т = 5 К исследовались спектры поглощения монокристаллов /?-Tl]_xCuxInS2 (0<Х<0,015). Вид спектров изменяется с ростом «X». Так, если для кристаллов /?-TlInS2 коэффициенты поглощения вблизи полосы фундаментального поглощения имеют резко возрастающий характер, то для кристаллов y5-Tl!.xCuxInS2 (X = 0.01; 0,015) коэффициенты поглощения начинают плавно возрастать уже в ближней ИК-области спектра. Следует также отметить, что для кристаллов /?-TlInS2 форма спектров поглощения с понижением температуры почти сохраняется, а в твердых растворах на их основе наблюдается постепенный переход к линейному характеру, т.е. спектры поглощения кристаллов /?-Tli_xCuxInS2 при 300 К имеют ступенчатый характер, однако с понижением температуры эти ступени заметно выпрямляются.

<- X, нм

Рис. 2. Спектры поглощения монокристаллов /?-Т11.хСих1п$2 1-Х=0; 2-Х= 0,01 3-Х= 0,015.

На спектрах поглощения кристаллов /?-Т1,.хСих1п82 можно выделить два четко выраженных участка. Первые из них наблюдаются в длинноволновой области спектра и отвечают наиболее низким значениям коэффициента поглощения (а < 0,75-10"3 см"1). Для этих участков спектра характерно медленное нарастание коэффициентов поглощения. Вторые участки (где а > 0,75-10"3 см"1) являются более крутыми. Здесь происходят резкие возрастания коэффициентов поглощения. Исходя из вышеизложенного, можно предположить следующее: частичное замещение атомов таллия атомами меди в кристаллах /?-Т11п82 приводит к появлению примесных полос в их запрещенных зонах. С увеличением концентрации меди растут и ширины примесных полос. При температуре 300 К, начиная с значений энергий фотонов ¡IV =1,08 и 1,15 эВ в кристаллах /?-Т1,_хСих1п82 (X = 0,01; X = 0,015 соответственно) начинается переброс электронов из примесных зон в зону проводимости соответственно. С ростом энергии в этих переходах начинают участвовать также электроны, которые находятся в глубине примесной полосы. При значениях энергий равных ширине запрещенной зоны для кристаллов /?-Т11_хСих1п82, происходят переходы электронов из соответствующих валентных зон. Этим и объясняется резкое возрастание коэффициентов поглощения в кристаллах /?-Т1!_хСих1п82 (0 < X < 0,015).

Таким образом, анализ спектров поглощения отражения кристаллов /?-Т11_хСих1п82 (0<Х<0,015) показывает, что частичное замещение атомов таллия атомами меди приводит к изменению экситонных характеристик /?-Т11п82, а также к образованию в длинноволновой части спектра примесных областей поглощения, т.е. дает возможность управлять оптическими параметрами монокристаллов. Установлено существование экситонных переходов и в кристаллах твердых растворов у9-Т1!.хСих1п82 (0<Х<0,015). Показано, что длинноволновый край собственной полосы поглощения твердых растворов подчиняется правилу Урбаха. Определена концентрационная зависимость энергии прямых разрешенных переходов, которая показывает, что прямые переходы в твердых растворах на основе /?-ТИп82 имеют одинаковую природу.

При исследовании электропоглощения в области экситонного поглощения установлены экситонные пики. Полученные значения энергии образования экситонного состояния полностью совпадают с выше приведенными данными.

В конце главы приведены выводы.

В четвертой главе представлены результаты экспериментальных исследований неравновесных процессов в соединении /?-Т11п82 и твердых растворах на его основе по спектрам фотопроводимости, термостимули-рованной проводимости и деполяризации.

Спектральные распределения фотопроводимости /?-Т11п82 снятые при 77 и 300 К, представлены на рис. 3. Максимум фотопроводимости монокристаллов /?-Т11п82 соответствует энергии 2,23 эВ, который хорошо согласуется с энергией, соответствующей переходу акцептор-зона проводимости. Сравнение спектральных характеристик при 77 и 300 К показывает, что максимум при 77 К соответствует плечу при 300 К, что связано с прямыми экситонными переходами говорит, что в большинстве образцов велика роль поверхностной рекомбинации.

10,0

§

о

С5 £

5,0

1,5

2,0

А А2

1 ( \

\ \ /

ЦН А. 1

Е Р / у

/ \

/ / \

/ / \ V

/ / \ N

■ \

2,5 М>, эВ

Рис. 3. Спектр фотопроводимости/? - Т11п82 приТ, К: 1 -300; 2-77.

Спектры фотопроводимости твердых растворов /?-Т1!_хСих1п82 (О <Х <0,015) имеют один четко выраженный максимум, а также некоторые изгибы в длинноволновых частях спектров кристаллов твердых растворов, что характеризует проявление примесной фотопроводимости в твердых растворах на основе /?-Т11п82. Энергии максимумов фотопропроводимости линейно зависят от доли меди в твердых растворах /?-Т11_хСих1п82 (0<Х<0,015).

Исследованием примесной фотопроводимости в интервале 0,6^-2,0 эВ при 77 и 300 К установлено существование неконтролируемых глубоких примесей в монокристаллах /?-Т11п82.

Наличие фазового перехода в /?-Т11п82 в области температур 185-495 К установлено и подтверждено измерениями ТСД и фотопроводимости. Измерениями ТСП и ТСД в интервале температур 100-5-300 К определены параметры уровней прилипания в кристаллах типа /?-Т11п82 (концентрация, глубина залегания и сечение захвата) (табл. 1).

В конце главы приведены выводы.

Параметры примесных уровней соединений /?-Т11п82, определенные по ТСП и ТСД

Таблица I

ГА/. К Е,, эВ ЛГ,,см-3 5 , см2 г,с

Р -Т11п82

112 0,30 1 х 10у 3,4 х Ю-14 3,6х Ю"3

151 0,42 3,4 х 10у 1,1 х Ю-14 2,6 х Ю-5

182 0,51 7,2 х 109 2,1 х 10'14 6,5 х Ю-4

210 0,58 7,0 х 10у 2,9 х 10" 1,3 х Ю-2

В приложении излагаются результаты экспериментальных исследований, фоторезисторов, изготовленных из кристаллов /?-Т11_хСих1п82 (0<Х<0,015) и фотоэлектрические свойства гетероконтактов Т11ХСихСа8е2/ р- ТНпБз (0 < X < 0,02).

В заключении приводится общий анализ основных результатов диссертационной работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые проведен физико-химический анализ и построена диаграма состояния псевдобинарной системы Т11п82 - Си1п82 .

На основании результатов дифференциально-термического, рентге-нофазового, рентгеноструктурного анализов и комплекса других физических измерений установлено, что диаграмма состояния системы ТПпБг - Си1п82 представляет собой квазибинарный разрез с ограниченными взаимными растворимостями исходных компонентов в твердом состоянии. В системе ТПп82-Си1п82 растворимость Си1п82 в Т11п82 при комнатной температуре составляет 1,5 мольн.%, а Т11п82 в Си1п82 0,5 мольн.% .

С учетом физико-химических особенностей выбраны оптимальные технологии и выращены крупные (/ = 5-10 см) однородные кристаллы систем /?-Т11.хСих1п82. Методами дифференциально-термического, микрозондового и рентгеноструктурного анализов установлены идентичность выращенных кристаллов с исходными /?-Т11п82.

2. В /?-Т11п82 край собственной полосы поглощения формируется непрямыми и прямыми переходами с участием оптического фонона. Установлено наличие двух экситонных состояний при Т = 5 К и определены их основные параметры.

3. На основании исследования температурных зависимостей спектров оптического поглощения установлены скачкообразные изменения ширины запрещенной зоны в кристаллах /?-Т11ХСих1п82 (0<Х<0,015), что свидетельствует о наличии фазового перехода в этих кристаллах. Это подтверждается также исследованиями термостимулированной деполяризации (ТСД) и фотопроводимости. С ростом содержания меди в /?-Т11п82 происходит смещение температурной точки фазового перехода в сторону более низких температур.

4. В твердых растворах /?-Tl(_xCuxInS2 (0<Х<0,015) главную роль в формировании края собственного поглощения играют прямые оптические переходы, а длинноволновый край подчиняется правилу Урбаха.

5. Показано, что замещение атомов таллия атомами меди в кристаллах /?-Tli.xCuxInS2 (0<Х<0,015) приводит к небольшому смещению края собственной полосы поглощения и образованию примесной полосы поглощения у потолка валентной зоны.

6. Разработаны фотоприемники на основе кристаллов /?-Tli_xCuxInS2 (0<Х<0,015) для видимой и ближней - ИК областей спектра, а также эффективные гетероструктуры на основе Tl]_xCuxGaSe2//?-TlInS2 (0<Х<0,02).

Результаты исследований опубликованы в следующих работах:

1. Заргарова М.И., Мальсагов А.У., Хамхоев Б.М. Физико-химический анализ систем TlInS2 - CuInS2, TlInS2 - AgInS2. // Всесоюзное совещание «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов». Тезисы докладов. - Калинин. - Октябрь. - 1985.-С.92.

2 Мальсагов А.У., Кульбужев Б.С., Хамхоев Б.М. Рентгенографическое исследование соединений TlInS2, TlGaS2 и твердых растворов Tlo.985Cuo.oi5 InS2, Tlo.9gCuo.o2 GaS2 при 93 - 293 К. //Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1989. — Т.25. - №2. - С.216-220.

3. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фазовые равновесия в некоторых системах Т1В3С62 - A'B^cV // Первая Международная научно-техническая конференция «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников». Украина. — Черновцы. - 1994.

4. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения монокристаллов Tli.xCuxInS2. // Тезисы докладов научно-практической конференции, посвященной 80-летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. Грозный. —Ноябрь. -2000.-С.18. 2000.-С. 18-19.

5. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения и отражения монокристаллов Tli.xCuxInS2. // Тезисы докладов Международной конференции «Оптика полупроводников». УлГУ. — Ульяновск. — Июнь. — 2000. - С.22.

6. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения монокристаллов Tl!_xCuxInS2. // Тезисы докладов научн. конференции ИнгГУ. - 2000.-С.245.

7. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Микрозондовый анализ системы Tli_xCuxInS2. // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. — Грозный. Вып. 1. - Ноябрь. - 2001. - С. 124-136

8. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Фотоэлектрические характеристики Tl!_xCuxInS2 (X = 0 - 0,015). // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. -Грозный. Вып.1. — Ноябрь. -2001. - С. 136-140.

9. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Кодзоев И.С. и другие. Фотопроводимость в кристаллах твердых растворов Tli.xCuxGaSe2, /?-TI]_xCuxInS2 и Tli_xAgxGaS2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. — Ульяновск. - Июнь. - 2002. - С.123.

10. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Аушев А.А.-Х. Формирование края собственной полосы поглощения в кристаллах Tli_xCuxGaSe2, /?-Tli.xCuxInS2 и Tli.xAgxGaS2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. — Ульяновск. — Июнь. — 2002. - С. 124.

11. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Труды ИнгГУ. - 2002. - Вып.1. - С.466-470.

12. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Край собственной полосы поглощения в кристаллах TIi.xCuxGaSe2 , Tli_xCuxInS2 и Tli_xCuxInSe2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. — Ульяновск. - Июнь. - 2003. - С.14.

13. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Магомадов P.M. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. - 2004. -Т.40. - №10.-С.1168-1170.

14. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н. Хамхоев Б. М. Термостиму-лированная проводимость и деполяризация в кристаллах TlGaSe2 и /?-TlInS2. // Изв. Вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. — 2004. -№ 10. - С.37-44.

15. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н., Хамхоев Б.М. Фотопроводимость /?-Tl|.xCuxInS2(0<X<0,015). // Изв.Вузов.Северо-Кавказский регион. Естественные науки. - 2004: - № 10. - С.33-37.

16. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов Tli.xCuxGaSe2/TlInS2 (0 < X < 0,02). // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. — Сентябрь. —2004. - Т.4. - С.230-233.

17. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фазовые равновесия в системах ТЮа8е2 - СиСа8е2 и Т11п$2 - Си1п82. // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - Т.4. - С.233-238.

В печать 15.11.2006. Тираж 100 экз. Заказ №4951. Типография КБГУ 360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ ^-TlInS2 и CuInS2 и твердых растворов на их основе.

§1.1. Физико-химические особенности полупроводниковых фаз /?-THnS2 и CuInS2.

§ 1.2. Кристаллическая структура и характер химической связи в соединениях Т1В3С и А*В3С^.

1.2.1. Структура соединения типа/?-TlInS2.

1.2.2. Структура соединения CuInS2.

§ 1.3. Обзор физических свойств соединений классов

Т1В3С< и А'В3С!;.

1.3.1. Соединение ^-TlInS2.

1.3.2. Соединение типа А1 В3 С

Актуальность работы. Прогресс в физике полупроводников и полупроводниковой технике тесно связан с получением новых материалов и структур. Получение этих материалов, в свою очередь, основывается на детальном исследовании и интерпретации их свойств. Возможности получения новых материалов существенно расширяется при использовании твердых растворов. Проблема создания твердых растворов является одной из центральных в физике полупроводников, что подтверждается неослабевающим потоком информации, посвященной как уже хорошо себя зарекомендовавшим на практике твердыми растворами на основе соединения А3В5 и А2В5, так и твердыми растворами на основе, сравнительно недавно открытых новых перспективных классов соединений А3В3С6 и А'В3С62. Интерес к изучению сложных полупроводников обусловлен необходимостью расширения наших представлений относительно формирования зонной структуры кристаллов по мере усложнения состава и изменения объема элементарной ячейки, а также вытекающих в этой связи особенностей физических свойств.

3 3 6 13 6

Соединения ABC и А В С 2 являются изоэлектронными аналогами

3 3 2 6 известных полупроводников групп А В и А В , соответственно. Определенную перспективу в этом плане с нашей точки зрения, имеют твердые растворы на основе TlInS2 и CuInS2. Эти соединения являются перспективными материалами для разработки на их основе приемников излучения для видимой, ближней-ИК и рентгеновской областей спектра, а также для солнечных элементов с высоким КПД. В частности, монокристаллы соединений типа TlInS2 обладает яркой выраженной анизотропной структурой, и отличается по физическим свойствам от таких классических полупроводников как германий, кремний и от соединений типа А3В5. Кристаллы данной группы обладают уникальными свойствами: прозрачны в широком спектральном диапазоне, обладают слабой чувствительностью электрических свойств к вводимым примесям, низкой подвижностью и концентрацией свободных носителей заряда по сравнению с вышеуказанными полупроводниками.

Анализ литературных данных показывает, что исследования физических свойств исходных соединений TlInS2 и CuInS2 находится фактически на начальном этапе. Объем и глубина этих исследований носят не достаточный, а порой и противоречивый характер, не позволяющий сделать адекватные обобщения, а тем более дать практические рекомендации. Поэтому возникает необходимость систематических исследований электрических, оптических и фотоэлектрических свойств указанных кристаллов, определяющих весь комплекс происходящих в них физических процессов, а также выявление реальных закономерностей изменения физических параметров с целью разумного управления ими. С этой точки зрения тема настоящей диссертационной работы «Фазовые равновесия и особенности электронных спектров ситемы TlInS2-CuInS2» представляется весьма актуальной.

Целью настоящей работы. Являлось изучение фазовых равновесий в системе /?-TlInS2-CuInS2 и комплексное исследование твердых растворов в плане выявления закономерностей физических свойств этой группы материалов. Такое исследование приводилось в следующих направлениях:

- изучение фазовых равновесий в системе TlInS2-CuInS2 во всем концентрационном интервале и определении областей взаимной растворимости исходных соединений;

- выращивание монокристаллов как исходных соединений, так и твердых растворов из областей взаимных растворимостей и выяснение характера распределения атомов меди в твердых растворах микрозондовыми исследованиями;

- определение характера и особенностей оптических переходов и оптических констант монокристаллов /?-TlInS2-CuInS2;

- изучение неравновесных процессов в кристаллах /?-Tli.xCuxInS2 (0<Х<0,015);

- выявление основных закономерностей взаимосвязи фундаментальных параметров изученных кристаллов и перспективы их практического использования.

Объектами для исследования являлись образцы монокристаллов /?-TlInS2, CuInS2 и твердых растворов на их основе, выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера. Полученные монокристаллы обладали моноклинной (псевдотетрагональной) слоистой структурой.

Научная новизна состоит в следующем:

1. На основе физико-химических исследований изучены фазовые равновесия в системе /?-TlInS2-CuInS2 и построена диаграмма состояния; разработаны технологии получения монокристаллов твердых растворов ^-Tl,.xCuxInS2 (0<Х<0,015).

2. В монокристаллах /?-TlInS2 обнаружены экситоны и определены их основные параметры, пороговые энергии прямых переходов, а также параметры экситон-фотонного взаимодействия. Построена энергетическая картина экситонных состояний в твердых растворах ^-Tl!.xCuxInS2 (0<Х<0,015) и показана идентичность оптических переходов в них с /?-TlInS2.

3. Установлен механизм формирования края собственной полосы поглощения в монокристаллах /?-Tli„xCuxInS2 (0<Х<0,015). Показано, что смещение края собственной полосы поглощения в монокристаллах твердых растворов /?-Tl|.xCuxInS2 (0<Х<0,015) обусловлено образованием примесной зоны у потолка валентной зоны.

4. Изучены неравновесные процессы в кристаллах /?-Tli.xCuxInS2 (0<Х<0,015). Исследованием примесной фотопроводимости установлено наличие неконтролируемых глубоких примесей в кристаллах ^-Tl,xCuxInS2(0<X<0,015).

5. Измерениями ТСП и ТСД в интервале температур 100-300 К определены параметры уровней прилипания в кристаллах /?-TlInS2.

6. Разработаны и исследованы фоторезисторы на основе монокристаллов /?-Tli.xCuxInS2 (0 < X < 0,015) для видимой, ближней ИК- областей спектра, а также эффективные гетеропереходы Tli.xCuxGaSe2 / /?-TlInS2 (0<Х<0,02).

Практическую ценность в данной работе имеют: Сведения о механизмах электронных процессов, происходящих в полупроводниках TII11S2 и CuInS2 и твердых растворах на их основе, что способствует более глубокому пониманию их специфических свойств позволяет рекомендовать данные материалы для создания на их основе:

- приемников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра;

- гетероконтактов Tl,.xCuxGaSe2//?- TlInS2 (0 < X < 0,02); Результаты работы используются в лабораторном спецпрактикуме на кафедре общей физики ИнгГУ.

Основные положения представленные к защите:

1. Диаграмма состояния (Т-Х) псевдобинарной системы /?-TlInS2 - CuInS2, построенные во всем концентрированном интервале с использованием методов дифференциально-термического (ДТА), микрозондового, рент-генофазового (РФА), рентгеноструктурного (РСА) анализов, а также измерениями удельного сопротивления, плотности и установлены границы областей твердых растворов, и режимы выращивания монокристаллов.

2. Механизм формирования края собственной полосы поглощения в кристаллах /?-Tl|.xCuxInS2 (0<Х<0,015).

3. Перспективность использования выращенных кристаллов /?-Tli.xCuxInS2 (х<0,015) для создания на их основе фотоприёмников для видимой и ближней ИК- области спектра.

Личный вклад автора

Диссертация представляет собой законченную работу, результаты которой полученны автором в соавторстве с сотрудниками кафедры физики Грозненского нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова, кафедры общей физики Ингушского государственного университета, а также ФИ им. П.Н. Лебедева РАН, ЛФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. Все положения, выносимые на защиту, были доказаны лично автором настоящей работы. Автором проведены экспериментальные исследования и интерпретация полученных данных.

Апробация работы. Результаты исследований докладывались на:

Всесоюзном совещании «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов», Калинин, октябрь, 1985г., Н-ой Международной конференции «Оптика полупроводников»,УГУ,Ульяновск, 2000г., IV-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяновск, 2002г., V-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяовск, VI-ой Международной конференции «Опто-наноэлекторника, нанотехнологии и микросистемы»., УГУ, Ульяновск-Астрахань, 2004г., XI Всероссийская конференция «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург, 2004г.

Результаты диссертационной работы опубликованы в 17 научных работах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав, приложения, заключения и выводов. Она содержит 191 страниц компьютерного текста, 52 рисунка и 21 таблицу; в списке литературы 196 наименований.

Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, опубликованы в следующих работах:

1. Заргарова М.И., Мальсагов А.У., Хамхоев Б.М. Физико-химический анализ систем TlInS2 - CuInS2, TlInS2 - AgInS2- // Всесоюзное совещание «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов». Тезисы докладов. - Калинин. -Октябрь. - 1985.-С.92.

2 Мальсагов А.У., Кульбужев Б.С., Хамхоев Б.М. Рентгенографическое исследование соединений TlInS2, TlGaS2 и твердых растворов Tl0,985Cu0,oi5 InS2, Tl0,98Cu0,02 GaS2 при 93 - 293 К. //Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1989. - Т.25. - №2. - С.216-220.

3. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фазовые равновесия в некоторых системах Т1В3С62 - А'В^^. // Первая Международная научно-техническая конференция «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников». Украина. - Черновцы. - 1994.

4. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения монокристаллов Tl]xCuxInS2. // Тезисы докладов научно-практической конференции, посвященной 80-летию Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. Грозный. - Ноябрь. - 2000. - С. 18. 2000. - С. 18-19.

5. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения и отражения монокристаллов Tl[.xCuxInS2. // Тезисы докладов Международной конференции «Оптика полупроводников». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2000. - С.22.

6. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Спектры поглощения монокристаллов Tlj.xCuxInS2. // Тезисы докладов научн. конференции ИнгГУ. - 2000.-С.245.

7. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Микрозондо-вый анализ системы Tl].xCuxInS2. // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. - Грозный. Вып.1. -Ноябрь,-2001.-С.124-136

8. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. и другие. Фотоэлектрические характеристики Tl|xCuxInS2 (X = 0 - 0,015). // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М.Д. Миллионщикова. -Грозный. Вып.1. - Ноябрь. -2001. - С. 136-140.

9. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Кодзоев И.С. и другие. Фотопроводимость в кристаллах твердых растворов Tli.xCuxGaSe2, /?-Tli.xCuxInS2 и TlixAgxGaS2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлек-троника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2002. - С. 123.

10. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Аушев А.А.-Х. Формирование края собственной полосы поглощения в кристаллах TlixCuxGaSe2, /?-Tli.xCuxInS2 и Tli.xAgxGaS2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлек-троника и технологии». УлГУ. - Ульяновск. - Июнь. - 2002. - С. 124.

11. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Труды ИнгГУ. - 2002. - Вып.1. - С.466-470.

12. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Край собственной полосы поглощения в кристаллах Tli.xCuxGaSe2, Tli.xCuxInS2 и Tli.xCuxInSe2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. -Ульяновск. - Июнь. - 2003. - С. 14.

13. Матиев А.Х., Хамхоев Б.М., Магомадов P.M. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. -2004. -Т.40. - №10.-С.1168-1170.

14. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н. Термостимулированная проводимость и деполяризация в кристаллах TlGaSe2 и /?-TlInS2. // Изв. Вузов. СевероКавказский регион. Естественные науки. - 2004. -№ 10. - С.37-44.

15. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н., Хамхоев Б.М. Фотопроводимость ^-Tli.xCuxInS2(0<X<0,015). // Изв.Вузов.Северо-Кавказский регион. Естественные науки. - 2004. - № 10. - С.33-37.

16 Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов Tli.xCuxGaSe2/TlInS2 (0 < X < 0,02). // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - Т.4. - С.230-233. 17. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Фазовые равновесия в системах TlGaSe2 - CuGaSe2 и TlInS2 - CuInS2. // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. - Сентябрь. - 2004. - Т.4. - С.233-238.

1. Offegeld G.D. Semiconductive materials containing thallium. // Patent USA. № 3110685.

2. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. Constitutional diagram and physical properties of TlSe2 InSe pseudabinary system. - Mater.Ress.Bull. - 1972. - V.7. -№ 12. -P.1497-1504.

3. Гусейнов Г.Д. Поиск и физические исследования новых полупровод-ковых-аналогов. Диссертация на соиск. уч. ст. докт. физ.-мат. наук. Баку, 1969.-360с.

4. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. и другие. О сложных аналогах полупроводников типа TISe. // Деп. в ВИНИТИ, № 6398, 1973. 12с.

5. Гусейнов Г.Д., Сеидов Ф.М. и др. О псевдобинарной системе TlSe-GaSe // Журнал физической химии. 1972. - № 3.- С.803-804.

6. Hahn Н., Frank G., and others. Uber einige ternare chalkogenide mit chalcopyrite structur. HZ. anorg. allg. Chem.-1953.- V.271.- P.153-170.

7. Палатник JI.C., Рогачева Е.И. Диаграммы равновесия и структура некоторых полупроводниковых сплавов А'2С6- В32С6з. // Доклады АН СССР.- 1967.-Т. 174.-№ 1.- С.80-83.

8. Горюнова Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников. Л.: Изд-во ЛГУ.- 1963.-260 с.

9. Петров A.B., Штрум Е.Л. Теплопроводность и химическая связьсоединений АВХ2. // ФТТ. 1962. Т.4. - № 6. - С. 1442-1446.

10. Новикова С.И. Исследование теплового расширения GaAs и ZnSe. //ФТТ.-1961,-Т.З.-№ 1. -С.178-181.

11. Бергер Л.И., Боднарь С.А. и др. Термодинамические свойства группы тройных соединений А'В3^. // Сб. «Химическая связь в кристаллах полупрводников и полуметаллов». Минск: «Наука и техника». -1973.- С.248-254.

12. Guseinov G.D., Ramazanzade A.M. and others. Abaut a group of three component compounds being analogous to binary semiconductors of the A3B6 type. // Phys. stat. solidi. 1967. - V.22. - № 2. - P.kl 17-kl22.

13. Guseinov G.D., Mooser and others. On some properties of TlInSe2(S2,Te2) single crystals. // Phys.Stat.Sol. 1969.- V.34. - № 1. - P.33-34.

14. Guseinov G.D., Abdullayev G.B., and others. Constitutional diagram and physical properties of TISe InSe pseudobinary system. // Mat. Res. Bull.- 1972. V.7. - №12. - P.1497-1504.

15. Бабанлы М.Б., Кулиев А.А. Исследование систем TlGaS2 TlGaTe2, TlInSe2 - TlInTe2. // Азерб. Хим. Журнал. - 1977. - №4. - С. 110-112.

16. Гусейнов Г.Д. Некоторые итоги и перспективы поиска сложных полупроводниковых аналогов. // УФЖ. 1969. - Т.99. - №3. - С.508.

17. Hahn Н., Weltman. Uber ternare chalkogenid des Thalliums mit gallium and indium. // Die Naturwss. 1967. V.54. №2 - Ps.42.

18. Miiller V., Eulenberger C., Hahn H. Uber ternare Thalliums chalkogenid mit Thallium selenid structur. // Z.anarg.Chem. - 1973.V.398. - №2 -P.207-220.

19. Muller D., Poltmann E. and Hahn H. Zur structur ternarer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium and Indium. // Z. Naturforsch. 1974. - V.29. -№1. — P.l 17-118.

20. Hahn H. and Wellmann. Uber ternare chalkogenid des Thalliums mit Gallium und Indiuv. // Naturwlesenahften. 1967. - V.54.- №1 - P.42.

21. Isayev T.J. Crystal data crowth for thallium, gallium diselede TlGaSe2. // J. Appl. Cryst.allogr. 1973. - V.6. - №5. - P.413-414.

22. Isayev T.J. and Hopkins B.H. Crystal growth, symmetry and physical properties of thallium, gallium disulphide TlGaSe2. // J.of Crystal Crowth. -1975. V.29.-№1.-P.121-122.

23. Isayev T.J. and Felchtner J.D. Crowth and ohtical properties of TlGaSe2 and ^-TlInS2. // J.of Solid St.Chemistry. 1975. - V. 14. - №3. - P.260-263.

24. Muller D.V. and Hahn. Zur Struktur des TlGaSe2. // Z. anorg. allg.chem.-1978. V.438. - №3. - P.258-272.

25. Бабанлы М.Б., Кулиев A.A. Оценка теплот и энтропий плавления халькогенидов типа Т12С6(С S, Se, Те) и Т1В3С62(В - Ga, In; С - S, Se, Те). // Уч. зап. Азерб.гос.ун-та, сер. химич. наук.- 1976. - №1. - С.31-36.

26. Joffe J.E. Zanger A. Electrical structure of the ternary Chalcopyrite seviconductors CuA1S2, CuGaS2, CuInS2, CuAlSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev.(B). 1983. - V.28. - №10. - P. 5822-5847.

27. Phillips J.C. In. Festkoperprobleme XVI. // Advn. Solid State Phys. Frankfurt: Pergamon. Press. 1977. P.35.

28. Shukat A., Singh R.D. Tetragonal distortion for A'B3C62 Chalcopyrite Compjunds. //Phys. Chem. Solids. 1978. - V.39. - №12. P. 1269-1272.

29. Жузе В.П., Сергеева В.М., Штрум E.JI. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2. // Журнал технической физики. 1958. Т.28. -№10.-С. 2093-2108.

30. Muller A., Mcknnon A., Weare D. Beyond the binaries the Chalcopyrite and related Semiconducting Compounds. // Phys.State Solid: Phys. Adv. Rev. and Appl. 1980. -V.36. - №V. -P.l 19-125.

31. Червова A.A. О ширине запрещенной зоны TlGaSe2. // Учен. зап. Горь-ковского ун-та, сер. физ.- 1972. № 149. - С. 16-18.

32. Карпович И.А., Червова А.А., Демидова А.И. Ширина запрещенной зоны TlGa(S, Se)2 и TlIn(S, Se)2. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1974. Т. 10. №12. - С.2216-2218.

33. Ахмедов A.M. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов TlInSxSe2.x. // ФТП.- 1978. Т. 12.- №3. - С.520-523.

34. Бахышев А.Э.,Ахмедов A.M. и др. Температурная зависимость краяполосы поглощения TlInSxSe2.x. // Изв. ВУЗов. Физика. Рук. деп. в ВИНИТИ. - №404-77 от 1 февраля 1977. - 6с.

35. Guseinov G.D., Abdullayeva S.G., Godzhaev F.M. and others. Electro-absorption of TlInS2 single crystals. // Phys. St.Sol.(b). 1977. - V.81. - №1 - P.k47-k50.

36. Бахышев А.Э.,Ахмедов A.M. Диаграммы состояния и диаграммы состав свойства TlGaS2 - TlGaSe2 и TlInS2 - TlInSe2. // Изв. АН СССР. Неоргган. матер. - 1979.-Т.15. -№3.-С.417-420.

37. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L., Godzhaev F.M. and others. Excitons in TlGaSe2. // Phys.St.Sol.(b). 1981. - V. 103. - P.k61 -k63.

38. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L. and Mamedov N.T. Near Band - Edge Optical properties of TlGaS2xSe2(i.x) mixsed crystals. // Phys.St.Sol.(b). -1980. - V.102. -P.kl9-k22.

39. Бахышев А.Э., Халафов З.Д., Салманов B.M. и др. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGaS2. // ФТП. -1976. -Т.10. -С.1950-1952.

40. Бахышев А.Э., Лебедев А.А., Халафов З.Д. и др. Оптические и фотоэлектрические исследования кристаллов. TlGaS2. // ФТП. 1978. - Т. 12. №3. - С.555-557.

41. Тагиров В.И., Бахышев А.Э., Собеих М.А. и др. Фотопроводимость и люминесценция TlInSe2. // Изв.ВУЗов. Физика. -1978.- №11.-С. 131-132.

42. Бахышев А.Э.,Ахмедов А.М.,Самедов С.Р. и др. Характер края основной полосы поглощения твердых растворов TlInS2xSe2(ix). // V Всесоюзная конференция по химии, физике и техн. применению халькогенидов Тезисы докладов. Баку. 1979. - С.74.

43. Бахышев А.Э., Гасанова Л.Г., Лебедев А.А. и др. Исследование длинноволнового края TlInSe2 по поглощению и фотопроводимости. // ФТП. 1981. - Т. 15. - №4. - С.808-810.

44. Балтрамеюнас Р., Веицкас Д., Зейналов Н. и др. Фотопроводимость и дифракция света в монокристаллах TlInS2. // ФТП. 1982. - Т. 16. -№ 9.- С.1696-1697.

45. Балтрамеюнас Р., Жукаускас А., Зейналов Н. и др. Люминесценция монокристаллов TlInS2 при лазерных уровнях возбуждения. // ФТП. -1983. -Т.17. -№ 10. С.1898-1900.

46. Бакиров М.Я., Абуталибов Г.И., Зейналов Н.М. Ширина запрещенной зоны и энергия связи экситона в монокристаллах TlInS2- // ФТП. 1983.- Т.17. №7. - С.1357.

47. Абуталибов Г.И., Абдуллаева С.Г., Зейналов Н.М. Оптическиесвойства монокристаллов TlInS2. // ФТП. 1982. - Т. 10. - №11. -С.2086-2088.

48. Абдуллаева С.Г., Абдуллаев Н.А., Беленький Г.Л. и др. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS2. // ФТП. 1983. - Т.17. - №11. - С.2068-2069.

49. ТереховаС.Ф., Онищенко Н.А., Гусейнов Г.Д. Силы осцилляторов экситонных переходов монокристаллов TlInS2, ТЮаБг, TlGaSe2. // Укр.физ.журнал. 1983. -Т.28. -№10.- С. 1557-1560.

50. Карпович И.А., Червова А.А., Демидова М.И. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TlGaS2, TlGaSe2 и TlInS2. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1872. - Т.8. - С.70-72.

51. Демидова М.И., Карпович И.А., Червова А.А. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства пленок TlIn(S2,Se2). //.Учен. зап. Горьковского университета, сер. физ.-мат.наук. 1975. №1.- С.58-62.

52. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. The piezoresitive effect in the p- TlInSe2 single crystals. // Matt.Ress.Bull. 1977. - V. 12. №1. - P. 115118.

53. Guseinov G.D., Guseinov G.G., Kerimova and others. Structure and growth poculiaritiec of TlSe2 TlInSe2. // Matt.Ress.Bull.- 1978.- V.13. № 9. -P.975-082.

54. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г.С. Расчет энергетического спектра электронов тройных полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия. // Докл. АН Азерб. ССР. 1980. - Т.36. - № 12. - С. 18-23.

55. Оруджев Г.С. Расчет электронного спектра полупроводниковых соединений типа TISe: Автореферат диссертации на соиск. учен. степ, канд. физ.-мат. наук. Баку. -1981.

56. Goodman C.H.L. and Dougeas R.W. New semiconducting compounds of diamod type, structure. //Physica. 1954. - v.20 - № 11. - P.-1107-110.

57. Палатник JI.C., Кошкин M.A., Гальчинский Л.П. О механизмеупорядочения в трехкомпонентных полупроводниковых системах. // ФТТ. 1962. - Т.9. - №9. -С.2365.

58. Gorska М., Loferski J.J., Rossler В. The utilization of I-III-VI6 ternfry compounds semiconductors in solar celles. // Phys. Semiconduct.Compound. Proc. 10. Conf. Apr. 22-30. 1980. Wroclaw. 1981. - P.286-289.

59. Wagner S. The utilization of ternary compounds. // Inst. Phys. Conf. Ser.1977. №35. -P.205-215.

60. Binsma .J.J.M. Defect chemistry of CuInS2 invectigated by electrical measure meuts and mossbayer spectroscopy. // J. Phys. and Chem. Solids. -1983. V.44. - №3. - P.237-244.

61. Gorska M., Beaulien R., Loftrsky J.J. and others. CuInS2 films prepared byspray pyrolysis. //Solar Energy Matt. 1979. - V.l. - №3-4. - P.313-317.

62. Hwang H.L., Sun C.Y. Yang M.H. and others. A brief summary of researchat Tsing Xua on CuInS2 a new photovoltaic material. // 15 IEEE Photovoltaic Spec. Conf. Kissinmufla. New York. -1981. - P. 1277-1282.

63. Касумов Т.К., Мамедов Ф.И., Рагимов И. Ф. и др. Фотопроводность вмонокристаллах CuInS2. // Рукоп. деп. В ВИНИТИ №6420 - 83 от 30 ноября 1983.

64. Gonzales J.,Alberto Torres J., Sancher Peres G. Photoconductivity spectrum of p-type CuInS2 singl crystals. // Phys. Status solidi. 1982. - A69. -№1. - P.k 37-k 41.

65. Neuman H., Hogrig W., Savelev and others. The optical properties of CuInS2thim films. // Thin Solid Films Electronics and optics. 1981. - V.79. -№2.-P.167-171.

66. Neuman H., Hogrig W., Savelev and others. The optical properties of CuInS2thim films. // Thin Solid Films. 1981. - V.79. - №2. - P. 167 - 171.

67. Joshi N. V. Experimental detection of missing (3i modin CuInS2 single crystal. // J. Roman Spectros. 1981. - V. 11. - №6. - P.517-518.

68. Binsma J.J., Giling L.J., Bloem J. Luminescence of CuInS2. //Exciton andnear edge emission. // Luminescence. 1982 . - V.27. - №1. - P.55-72.

69. Vecchi N.P., Ramos J. Radioactive recombination measurements in p-type

70. CuInS2.// J. Appl.Phys. -1981. V.52. - № 4. -P.2958-2960.

71. Lahlou N., Masse G. Donor-acceptor pain transitions in CuInS2.// J. Appl.

72. Phys. 1982. - V.52. - № 2. - P.978-981.

73. Masse G., Lahlou N., Butti C. Luminescence and lattice defects in CuInS2.

74. Chem. Solids. -1981. V.42. -№ 6. - P.449-454.

75. Tell В., Thlee E.A. Photovoltaic properties of p-n junctions in CuInS2.

76. J. Appl. Phys. 1979. - V.50. - № 7. - P.5045-5046.

77. Гашин П.А., Симашкевич А.В. Тройные полупроводники- материалысолнечной энергии. // Труды V Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев. 1987. -т.1.- С. 11-12.

78. Медведкин Г.А ., Рудь Ю.В. Физические свойства и перспективыприменения полупроводников I-III-VI2 в солнечных элементах. //Труды V Всероссийской конференции «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев. -1987. Т.1.- С.34-35.

79. Технология тонких пленок (Под редакцией Мейесела П., Глэнга P.M.)- М.: «Советское радио». 1977. - T.I.- 662 с.

80. Несмеянов А.Н. Давление пара химических элементов. М.:АН1. СССР.- 1961.-396 с.

81. Мушинский В.П., Караман М.И. Оптические свойства халькогенидовгаллия и индия.- Кишинев : Штиница. 1973. - 114с.

82. Вайткус В., Керимова Э.М. и др. Влияние примесей на электрическиеи фотоэлектрические свойства монокристаллов TlInSe2- Tllns2. // Всесоюзная конф. по физ., хим. и техн. применению халькогенидов. Тезисы докл. -Баку.- «Элм.». 1979. - С.119.

83. Бидзинова С.М., Гусейнов Г.Д. и др. Оптические свойства твердых растворов TlInxGai.xSe2 (Х=0,1: 0,5 ) в области края фундаментального поглощения. // Изв. АН Азерб. ССР, сер. физ.-техн. и мат.наук.-1980.-№4.-С. 123.

84. Годжаев Э.М., Мамедов В.А. и др. Система TlInSe2 TlGaSe2.

85. Журнал неорганической химии. 1978. - Т.23.- № 1. - С. 160-163.

86. Мамедов A.M. Определение термодинамической функции образования соединений TlGa(In)Se2 и ТЮа(1п)Т12. //ДАН Азерб. ССР.- 1978.-Т.34. № 4. - С.44-47.

87. Кулиев А.А., Асадов М.М. и др. Фазовые равновесия и межмолелярные взаимодействия в системе Т12Те- TlGa(In)S2(Se2). // Азерб.хим. журнал. 1978. - № 2. - С.90-93.

88. Bakhyshov А.Е., Safuat boules and others. The fundamental optic absorptioneolge of TlGaSe2xS2(i-X) solid solution. //Phys.stat.sol. 1979.-V.95. - № 2 .- P.kl21-kl25.

89. Allakhverdiev K.R., Nizametdinova M.A . and others. Raman scattering in TlInSexS,.x Crystals. // Phys.Stat.sol.(b). 1980. - V.102. - № 2. -P.kl02-kl05.

90. Гавриш B.A., Илбичева Л.Ф. и др. Программное устройство к терморегуляторам. // Приборы и техника эксперементов. 1979. - № 6.-С.1949-1950.

91. Аносов В.Я., Озерова М.И., Фиалков 10. Я. Основы физико-химического анализа.- М.: «Наука». 1976.- С. 124-126.

92. Бочвар А.А. Металловедение. М.: «Металлургиздат». - 1956.

93. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Исследование области гомогенности системы CuxTli.xInSe2 (0<х<1).// Изв.Вузов. Физика.-1981.-№ 8,( Рук. Деп. В ВИНИТИ, Per. №3113-81 Деп.).

94. Гусейнов Г.Д., Мальсагов А.У., Матиев А.Х. Диаграмма состояния системы TlInSe2-CuInSe2. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы. 1984. - Т.20. - № 10. - С.1618-1620.

95. Вильке К.Т. Выращивание кристаллов. М.: «Недра». - 1977. - 600с.

96. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: «Мир».- 1974. - 540с.

97. Мальсагов А.У. Исследование физико-химических свойств тройных полупроводниковых соединений А1 В111C2VI и A1 Bv C2VI при плавлении в жидкой фазе : Дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук.- Москва.-1967.- 140с.

98. Глазов В.М., Мальсагов А.У., Крестовников А.Н. Тепловое расширение и объемные изменения при плавлении некоторых соединений группы А1 В111 C2V1. // Изв. АН СССР Неорганические материалы.1. Т.6.- № I.- C.143-145.

99. Чаммерс Б.Теория затвердевания. М.: «Металлургия». - 1968. - 250с.

100. Боднарь И.В. Выращивание монокристаллов и исследование свойств твердых растворов CuGaxIni.xS2. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1981.- Т. 17.- № 4. - С.583-587.

101. Guseinov G.D.,Abdullayev G.B. and others. Anisotropy of lattice conductivity of complex Cha leogenide. // Phys. Letters. 1976. - V.54.-(a). - № 5. - P.379-380

102. Булаевский JI.H., Гинзбург В.Л. и др. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. М.: «Наука», 1977,400 С.

103. Голубев Л.В., Леонов В.И. Сверхрешетки. М.: Знание, 1977.

104. Kuhn О.A., Chevy A. and others Crystal structure and interatomic distance GaSe Phys Stat Sol., 1975. v. (a) 31, p. 469-473.

105. Hahn H., Wellmann B. Uber ternary chalkogenide des Thalliums mit gallium und indium. Naturwissien., 1967, v. 54, №2, p. 42.

106. Guseinov G.D., Mooser E., Kerimova E.M. and others. On same properties of TlInS2 (Se2, Te2) singl crystals. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 34, №34, №1, p. 33-44.

107. Guseinov G.D., Abdullaev G.B., Izmailov M.Z. and others. On new analog TISe-type semiconductor componuds. Phys Latters, 1970 A33, № 7, p. 121-122.

108. Muller D., Hahn H. and others Zur structur ternarer chalkogenide das Thalliums, mit aliminium, gallium und indium. Z. Naturforsch, 1974, v. 29B, № 1-2, p. 117-118.

109. Isaacs T.J. Interminatich of the crystal symmetry of the polymorphs of thallium indium disulphide TlInS2. Z. Crystallags. 1975, v. 147, №1-2, p. 104-108.

110. Аллахвердиев K.P., Нани P.X. и др. Оптические фононы в TlInS2.

111. Изв.АН. Азерб. ССР, серия физ.-тех. и мат. и. 1975. 1т. С. 21-25.

112. Wieting T.J. Verile J.L. Interlayer landing and the lattice vibrations of-GaSe. Phys. Rev., 1972 v. B5, p. 1473-1479.

113. Zallen R., Slade M.T. and others Lattice vibrations and interlayer interactions in crystalline As2S3. Phys. Rev., 1971, v. B3, p. 4257-4273.

114. Давыдов A.C. Теория спектра поглощения молекулярных кристаллов. ЖЭТФ, 1948, т. 18, №2, С. 210-218.

115. Gasnly N.M., Mavrin В.М. and others. Roman stude of Layer TlGaSe2, p-TlInS2 and TlGaS2 crystals. Phys Stat Sol., B86, №1 p. kl9 - k83

116. Balsev J. Piezooptical effects Semiconductors and Semimetals. //Academik Press, N.Y-London. 1972. - № 9. - P.403-456.

117. Aspnes D.E., Bottka N. Electric Field on the Dielectrik Fubction of Semiconductors and Insulator. // Semiconductors and Semimetals. Academic Press. N. Y. London. - 1972. - № 9. - P.457-542.

118. Sari S.O.,Schnatterly S.E. Optical spectroscopy in semiconductors in High magnetic field using polarization modulation. // Proc. Of I Int. on Conf. Motul. Spectroscopy.North-Holland.Pub. Co. Amsterdam. 1973. - P.328-339.

119. Кринчик Г.С. Динамические эффекты электро- и пьезоотражения света кристаллами. //УФЖ. 1986. - Т.94. - Вып.1. - С. 143-154.

120. Fishner J.E. New directions in modulation spectroscopy. // Proc. Of I. Inr. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub Co. Amsterdam. -1973. P.473-493.

121. Rehn V. Interband critical point symmetry from dectroreflectance spectra. // Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland.Pub.Co. Amsterdam. 1973. - P.443-472.

122. Aspnes D.E. Third derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance. // Proc. of I Int. on Conf.Modul Spectroscopy. North

123. Holland. Pud. Co. Amsterdam. 1973. - P.418-442.

124. Dow J.D. Effects of final-state interactions on modulation spectra of semiconductor. // Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub. Co. Amsterdam. 1973. - P.786-803.

125. Sell D.D. Review of piezomodulation Spectroscopy. // Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub. Co. Amsterdam. 1973.-P.896-913.

126. Dond S.F. Electroreflectance from flatband. //Proc of I Int on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland.-Pub. Co. Amsterdam. 1973. - P.596-616

127. Кардона M. Модуляционная спектроскопия. M.: Мир. - 1972. - 416с.

128. Георгобиани А.Н., Озеров Ю.В., Тигиняну И.М. Исследование фундаментальных переходов в широкозонных полупроводниках методами модуляционной спектроскопии.// Труды Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР. 1985. - Т.163. - С. 3-38.

129. Friedrich Н., Ozerov Yu. V., Strehlow R. Optical method for the deter mination of the modulation depth of wavelength modulation spectrometers. // Exp.Techn. Phys. 1978. - V.26. - № 3. - P.275-284.

130. Cardona M., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectance at Semiconductor. // Phys. Rev. 1967. - V.154. - №3. - P.696-722.

131. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир.-1973.-451с.

132. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. -М.: Мир. 1976.-2428с.

133. Лисица М.П. Спектрофотометрический метод исследования дисперсии и поглощения твердых веществ. // Докл. АН СССР. 1956. - Т.З. -С.803-805.

134. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука.-1977.-366с.

135. Urbach F. The long wavelength edge of photographic sensitivity and of the electronic absorptions of solide. //Phys.Rev. 1953. - V.92. - № 5. - P. 1324.

136. Бахышев А.Э., Ахмедов А.И., Рзаева JI.А. и другие. Температурная зависимость края полосы поглощения TlInSxSe2.x. // Изв. Вузов СССР.-Физика.- 1977.-№4.-С. 169.

137. Джонсон Е. Поглощение вблизи края фундаментального поглощения.-В кн.: Оптические свойства полупроводников. М.: Мир. - 1970.1. С. 166-277.

138. Гнатенко Ю.П., Курик В.Н. Экситон-фононное взаимодействие в монокристаллах CdSe и CdS-CdSe. // Оптика и спектроскопия. 1970.-Т.29. - № 2. - С. 339-341.

139. Курик В.М., Малинко В.П., Рожко А.Х. и другие. Температурная зависимость края поглощения в РЬТе. // Укр. физ. журн. 1969. - Т. 14. - №7.-0.1221-1223.

140. Гнатенко Ю.П., Курик В.М. Экситон-фононное взаимодействие в CdS. // ФТТ. 1970. - Т. 12. - № 4. - С.1143-1149.

141. Гнатенко Ю.П., Курик В.М. Экспериментальные закономерности правила Урбаха в полупроводниках А111BVI. // ФТП. 1971. - Т.5. -№ 7. - С.1347-1350.

142. Катон В.Д. Теория длинноволнового края поглощения света в полупроводниках и диэлектриках. Правило Урбаха. // ФТТ. 1973. -Т.17.-№9.-С.2578-2584.

143. Toyozawa Е. Theary of line shapes of the exciton absorption bonds. //Prog. Theor. Phys. 1958. - V.20. - № 1. - P.53-31.

144. Toyozawa Y. Aproposed model for the explanation of the Urbach rule.-// Prog. Theor. Phys. 1959. - V.22. - № 3. - P.455-459.

145. Гросс Е.Ф., Перель В.И., Шехмаметов P. H. Обратная водородопо-добная серия при оптическом возбуждении легких заряженных частиц в кристалле йодистого висмута (BiJ3). // Письма в ЖЭТФ. 1971.Т. 13. - № 6. - С.320-325.

146. Смит Р. Полупроводники. М.: HJI. - 1982. - 467с.

147. Гасанлы Н.М., Маврин В.М., Халафов З.Д. Спектры комбинационного рассеивания света в монокристаллах TlGaS2, TlGaSe2 и TlGaSo^Se^. // Уч. зап. MB и ССО Аз.ССР, сер.физ.- мат.наук. 1976. - № 4. -С.130-131.

148. Durn D. Urbach's rale in an electron phonon model. // Phys.Rev. - 1968. -V.174. - № 3. - P.855-858.

149. Casanly N.M., Maurin B.N., Stenin Kh.E. and others. Raman study of layer TlGaS2, /?- TlInS2, and TlGaSe2 crystals. // Phys. St. Sol.(b). 1978. -V.65. - № 1. - P.k49-k58.

150. Casanly N.M., Dzhavadov B.M., Rakhimov A.S. and others. Infrared reflectivity spectra of TlGaS2- type layer crystals. // Physica. 1982. - 112 В. - P.73-32.

151. Toyozawa Y. The Urbach rule and exciton-lattice interaction. // Techn. Rept. ISSP, A. -1964. №119. - P.68.

152. Блохинцев Д.М. Основы квантовой механики. М.: Высшая школа, - 1983.- 628 С.

153. Belenkii G.L., Abdulaeyva S.G., Solodukhin A.V. and others. Peculiarities of tremal expansion of layered crystals. // Solid State Communications. 1982. - V.44. - №12. - P.1613-1615.

154. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. // Минск: Наука и техника. 1975. - 460с.

155. Мотт Н, Девис Э. Электронные процессы в поликристаллических веществах. // М.: Мир. 1974. - 472с.

156. Бонч-Бруевич B.JI. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников. // В кн.: Физика твердого тела. М.: Изд. АН1. СССР. 1965,-С.127-336.

157. Лившиц И.М. Теория флуктуациониых уровней в неупорядоченных системах. //ЖЭТФ. 1987. - Т.53. - №81. - С.743-753.

158. Половецкий Б.М., Эфрос А.Л. Глубокие хвосты плотности состояний и поглощение света в полупроводниках. // ЖЭТВ. 1970. - Т.58. - №2.- С.657-665.

159. Эфрос А.Л. Плотность состояний и межзонное поглощение света в полупроводниках. // УФН. 1973. - Т. 111. - №3. - С.451-482.

160. Бонч-Бруевич В.Л. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников. // В кн.: Труды шестой международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. // Л.: Наука. 1976. -С.259-288.

161. Фэн Г. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах. // М.: Мир. -1969.- 126с.

162. Guseinov G.D., Abdullaeva S.G., Godzhaev Е.М. and others. Electroab-sorption of TlInS2 single crystals. // Phys. St. Sol. (b). 1977. - V.81. - №1. P k.47-k.50.

163. Bakirov M.Ya., Zeinalov N.M., Abdullaeva S.G. and others. Electroab-sorption in TlInS2. // Solid State Communications. 1982. - V.44. - №2. -P.205-207.

164. Абдуллаев Г.Б., Абуталыбаев Г. И., Алиев A.A. и др. Свободные и связанные экситоны в монокристаллах TlInS2. //Письма ЖЭТВ. 1983.- Т.38. №11. - С.525-526.

165. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. // М. 1979. - 416с.

166. Бонч-Бруевич В.Л. Квазиклассическая теория движения частиц в случайном поле. // В кн.: Статистическая физика и квантовая теория поля. М.: Наука. 1973. - С.337-391.

167. Elliot R.S. Intensity of optical absorption by creations. // Phys. Rev. 1957.- V.108.-№6.-P.1384-1389.

168. Muller D.V. und Hahn H. Zur struktur des TiGaSe2. // Z. Anore. Allg. Chem. 1978. - V.438. - №3. - P.258-272.

169. Бахышов А.Э., Мусаева Л.Г., Лебедев A.A., Якобсон М.А. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов TlGaSe2. //ФТП. 1975. Т. 9. №8. С. 1548- 1551.

170. Dow S.D., Rodfield D. Electroabsortion in semiconductors, the excitonic absorption edge. // Phys. Rev. B. Sol Stat. (a). 1970. - V.l. - №8. -P.3358-3371.

171. Ralph H.I. On The Theory of Franz-Kedysh effect. // J. Phys. (Proc. Phys. Soc.) c.l. 1968. - V.l. - №2. - P.378-386.

172. Blossy D.P. Wennier Exciton in an Electric Field. // Phys. Rev. (b). 1970. V.2. - №10. - P.3976-3990.

173. Franz W. Einfluss eines elektrischen Feldes auf eine optisch Absorption Skante. // Z. Naturforsch. 1958. - V.13a. - №6. - P.484-490.

174. Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. // ЖЭТВ. 1958. - Т. 34.1. B.5. С.1138-1141.

175. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. // М.: Наука.- 1976.-402с.

176. Волков А.А., Гнчаров Э.Г., Козлов С.В. и другие. Структурные фазовые переходы в кристаллах TlInS2. // ФТП. 1983. - Т.36. - №12.1. C.3583-3585.

177. Гусейнов Г.А., Алиева М.Х., Абдуллаева С.Г. и другие. О процессах рекомбинации и применения в монокристаллах TlGaSe2. // Изв. АН Азерб. ССР. сер. физ.-мат. наук. 1979. - №4 - С.63-68.

178. Mott N.D. On the transition to metallic conduction in semiconductors. //

179. Can. J. Phys. 1956. - V.34. - №12A. - P.1356-1360.

180. Pallak M., Geblle Т.К. Low-Freguency conductivity due to Hoppins Process in Silicon. // Phys. Rev. 1961. - V. 122. - №6. - P. 1742-1753.

181. Pollak M. Approximation to the AC impurity hepping conduction. // Phys. Rev. 1954. - V. 133. - №2A. - P.564-579.

182. Червона А.А. Спектральное распределение фотопроводимости монокристаллов и пленок TlGaSe2. // Уч. зап. Горьковского университета, сер. физика. -1971. №126. - С.30-32.

183. Karpovich I.A., Chervona A.A., Leonov D.K. and others. Properation and some properties of TlGaSe2 thin films. // Phys. Status. Solidi. (a). -1971.- V.4. №1. - P.kl3-kl5.

184. Абдуллаева С.Г. Денев В.А. Определение параметров центров рекомбинации в кристаллахр- TlGaSe2. // Докл. АН Азерб. ССР. 1983. -Т.39. - №5. - С.28-32.

185. Литовченко П.Г., Устьянов В.М. Определение параметров уровней прилипания в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. // В кн. Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов. Вильнюс. 1969. - С. 153-177.

186. Вертопрахов В.Н., Соныман Е.С. Термостимулированные токи в неорганических веществах. // Новосибирск: Наука. 1979. - С.332.

187. Лушик Ч.Б. К теории термического высвечивания. // Докл. АН СССР, сер. физ. 1955. - Т. 101. - №4. - С.641-644.

188. Littfeld H.J., Voigt G.J. Vereloichende untersuchungsa ven leitfanigkeitsglackurven on CdS-Eirkrictallen. // Phys. St. Sol.- 1965. V.3. - №10. - P.1941-1954.

189. Nicholas K.H., Woods J. The evalustion of electron trapping parameters from conductivity glow curves in cadmium sulphide. // Br. J. Appl. Phys. -1984. V.15. - №7. - P.783-795.

190. Haering R.R., Adums F.N. Theory and Application of Thermally Stimulated Currents in Photoconductors. // Phys. Rev. 1960. - V.l 17. -№2. - P.451-454.

191. Randell S.T., WilkinsM.T. Phosphorescence and electron traps.// Proc. R. Soc. A. London. 1945. - V.l84. - №999. - P.365-407.

192. Halperin A., Braner A.R. Evaluation of Thermal Activation Energives from Glow Curves. // Phys. Rev. 1960. - V.l 17. - P.433-445.

193. Bohun A. Termoemission und photoemission natrium-chlorid. // Czech. J. Phys. 1954. - V.4.- №1. - P.91-93.

194. Booth A.H. Calculation of electron trap depts from thermaluminescence maxims. // Can. J. Chem. 1954. v. 32. №2. p. 214 215.

195. Croseweirner L.J. Note on the Analysis of First-order Glew Curves. // J. Appl. Phys. 1953. - V.24. - №10. -P.1306-2307.

196. Лушак Ч.Б. Исследования центров захвата в щелочногалоидных кристаллофорах. // Тр. Института физ. и астр. АН ЭССР. 1966. -№3. - С.3-88.

197. Роуз Л. Характеристики фотопроводников. В сб.: «Полупроводниковые преобразователи энергии излучения». М.: ИЛ. - 1959. - С.9-75.

198. Corlick G.J., Gibson A.M. The electron trap mechanism of luminescence in sulphido and silicate phosphors. // Proc. Phys. Soc. 1948. - V.A60. -№342. - P.574-581.

199. Бьюб P. Фотопроводность твердых тел. // M.: ИЛ. 1962. - 534с.

200. Boer N.W., Oberlander S., Voist J. Uber dio luswertung von Loitfahgkcits glowkuren. // Ann. Physik. 1958. - V.2. - №3-4. - P.130-145.

201. Аркадьева E.H., Рыбкин C.M. Исследование уровней прилипания Sb2S3 методом термостимулированного тока. // ФТТ. 1959. - Т.1. - №9. -С.1460-1461.